Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP5595235B2 - Deposition equipment - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP5595235B2 - Deposition equipment - Google Patents

Deposition equipment Download PDF

Info

Publication number
JP5595235B2
JP5595235B2 JP2010252396A JP2010252396A JP5595235B2 JP 5595235 B2 JP5595235 B2 JP 5595235B2 JP 2010252396 A JP2010252396 A JP 2010252396A JP 2010252396 A JP2010252396 A JP 2010252396A JP 5595235 B2 JP5595235 B2 JP 5595235B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
film
transport body
forming apparatus
width
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010252396A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2012102373A5 (en
JP2012102373A (en
Inventor
信夫 佐藤
晃 奥田
修三 戒能
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2010252396A priority Critical patent/JP5595235B2/en
Publication of JP2012102373A publication Critical patent/JP2012102373A/en
Publication of JP2012102373A5 publication Critical patent/JP2012102373A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5595235B2 publication Critical patent/JP5595235B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

本発明は、薄い膜状の基体(フィルムあるいはフォイル)上に機能材料を膜状に成膜する成膜装置に関係する。   The present invention relates to a film forming apparatus for forming a functional material into a film on a thin film substrate (film or foil).

近年、基体(プラスチックの薄い膜状の基体をフィルムと呼び、金属の薄い膜状の基体をフォイルと呼ぶ)に機能材料を膜状に成膜する技術は、記録媒体やバッテリーあるいはセンサーやフィルムディスプレイなどの分野で特に必要とされるようになっている。   In recent years, technologies for forming functional materials into films on substrates (plastic thin film substrates are called films and metal thin film substrates are called foils) have been used in recording media, batteries, sensors, and film displays. It is especially needed in such fields.

膜材料粒子(機能材料粒子)を発生させ、これを膜としてフィルムやフォイルの上に形成する方法としては、蒸着やスパッタ成膜の技術が一般的である。
基体を搬送する搬送体としては、量産性を高めるためにロールtoロール方式で高速に搬送するドラム、あるいはベルトを使用した工法が一般的によく使用されている。製品の歩留まり向上のためには、基体の全幅に均一な膜が成膜されることが好ましい。だが、基体の全幅に成膜するために搬送体の基体搬送方向と平行方向の両端部を開放とすると、付着した膜により基体が基体搬送体から離れなくなるという不具合がある。そのため、搬送体の基体搬送方向と平行方向の両端部をマスクして成膜する。
As a method of generating film material particles (functional material particles) and forming them as a film on a film or foil, techniques of vapor deposition and sputter film formation are common.
As a transport body for transporting a substrate, a drum or belt method that transports at high speed by a roll-to-roll method is generally used in order to increase mass productivity. In order to improve the product yield, it is preferable to form a uniform film over the entire width of the substrate. However, if both ends of the transport body in the direction parallel to the substrate transport direction are opened in order to form a film over the entire width of the substrate, there is a problem that the substrate cannot be separated from the substrate transport body due to the adhered film. Therefore, the film is formed by masking both end portions of the transport body in the direction parallel to the substrate transport direction.

このように両端部をマスクして成膜すると、マスクにより隠された部分はロスとなる。また、マスク端部の形状によってはマスク近傍の膜厚が異なる場合もある。それに対し、マスク端部の形状を工夫することにより、マスクの近傍の膜厚を均一にしようとする方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   When the film is formed with both ends masked in this way, the portion hidden by the mask becomes a loss. Further, the film thickness in the vicinity of the mask may differ depending on the shape of the mask edge. On the other hand, a method for making the film thickness in the vicinity of the mask uniform by devising the shape of the mask edge has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

図5(a)(b)は特許文献1のDVCテープの成膜装置の側面図と、正面図の一部切り欠き図を示す。
図5(a)(b)の成膜装置100において、フィルム状の基体101は、量産ではロールtoロールと呼ばれる方法で供給され巻き取られる。102は基体101を搬送する基体搬送体である。基体搬送体102の下方には、機能材料の発生源104が配設されている。機能材料の発生源104から発生した膜材料粒子107が基体搬送体102の上の基体101に到着する直前の位置には、窓106aが形成されたシャッター106が配置されている。基体搬送体102の上の基体101とシャッター106の間には、成膜幅規制マスク105が配置されている。108は、シャッター106の窓106aと成膜幅規制マスク105に形成された窓105cを通過した膜材料粒子107が基体101に付着して形成された機能材料の膜である。この成膜装置100全体は、真空槽内に収められて動作している。
5A and 5B are a side view and a partially cutaway view of the front view of the DVC tape film forming apparatus disclosed in Patent Document 1. FIG.
5A and 5B, the film-like substrate 101 is supplied and wound up by a method called roll-to-roll in mass production. Reference numeral 102 denotes a substrate transport body that transports the substrate 101. A functional material generation source 104 is disposed below the substrate transport body 102. A shutter 106 in which a window 106 a is formed is disposed at a position immediately before the film material particles 107 generated from the functional material generation source 104 arrive at the base 101 on the base transport body 102. A film formation width regulating mask 105 is disposed between the substrate 101 on the substrate transport body 102 and the shutter 106. Reference numeral 108 denotes a functional material film formed by adhering the film material particles 107 that have passed through the window 106 a of the shutter 106 and the window 105 c formed in the film formation width regulating mask 105 to the base 101. The entire film forming apparatus 100 is housed in a vacuum chamber.

図5(a)では、基体101が矢印Y1方向に搬送されて基体搬送体102が軸103を中心に矢印R方向に回転している。基体101の幅は620mm、基体搬送体102の幅は700mmであり、図5(b)に示すように基体101の幅よりも基体搬送体102の幅が80mmだけ広い。窓105cは、成膜幅規制マスク105の近傍の膜108の膜厚が平面部とできるだけ同等になるように、基体搬送体102の側の開口がシャッター106の側の開口よりも狭くなるテーパ状に形成されている。また、成膜幅規制マスク105のマスク幅はフィルム幅620mmに対して、片側で7.5mm狭く両方で15mm狭い605mmに設定されている。   In FIG. 5A, the base body 101 is transported in the direction of the arrow Y1, and the base body transport body 102 rotates in the direction of the arrow R about the shaft 103. The width of the substrate 101 is 620 mm, the width of the substrate carrier 102 is 700 mm, and the width of the substrate carrier 102 is 80 mm wider than the width of the substrate 101 as shown in FIG. The window 105c has a tapered shape in which the opening on the substrate transport body 102 side is narrower than the opening on the shutter 106 side so that the film thickness of the film 108 in the vicinity of the film formation width regulating mask 105 is as equal to that of the flat portion. Is formed. Further, the mask width of the film formation width regulating mask 105 is set to 605 mm narrower by 7.5 mm narrower on one side and 15 mm narrower on both sides with respect to the film width of 620 mm.

このように、成膜幅規制マスク105によって隠された部分(片側で7.5mm、両方で15mm)が存在する特許文献1の成膜装置では、成膜のロスは約3%となる。
また、成膜幅規制マスク105のテーパ形状によっては、膜厚制御が不十分となり、成膜幅規制マスク105の近傍の数ミリ〜数十ミリで所定の膜厚が保てず、膜厚不良となり、ロスとなる。
Thus, in the film forming apparatus of Patent Document 1 in which there is a portion (7.5 mm on one side and 15 mm on both sides) hidden by the film forming width regulating mask 105, the film forming loss is about 3%.
Further, depending on the taper shape of the film formation width regulating mask 105, the film thickness control becomes insufficient, and a predetermined film thickness cannot be maintained in the vicinity of the film forming width restriction mask 105 at several millimeters to several tens of millimeters. It becomes loss.

特開平11−200011号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-200011

このような従来の成膜装置では、成膜幅規制マスク105によってマスクされた部分とされない部分で膜材料粒子からの受熱量が変わる。そのため、基体の全幅に亘って均等に受熱できずに熱ジワが発生してしまい、歩留を大幅に低下させる場合がある。   In such a conventional film forming apparatus, the amount of heat received from the film material particles changes in a portion that is not masked by the film forming width regulating mask 105. For this reason, heat cannot be received evenly over the entire width of the substrate, and thermal wrinkles are generated, which may significantly reduce the yield.

本発明は、基体の全幅に均一な膜を作ることができ、ロスコストの削減は勿論のこと、熱ジワによる歩留まり低下防止及び製品の信頼性の向上に貢献すると共に、基体の両側から漏れた膜材料が搬送体の軸に付着することを防止できる成膜装置を提供することを目的とする。 The present invention can form a uniform film over the entire width of the substrate, not only reducing loss costs, but also contributing to prevention of yield reduction due to thermal wrinkles and improvement of product reliability, as well as leakage from both sides of the substrate. An object of the present invention is to provide a film forming apparatus capable of preventing the material from adhering to the shaft of the carrier .

本発明の成膜装置は、シート状の基体の搬送方向に軸中心に回転すると共に、前記搬送方向に垂直な方向において前記基体の幅よりも狭い幅を有する基体搬送体と、前記基体搬送体に搬送される前記基体の一面側に向けて膜材料粒子を発生させる機能材料発生源と、前記基体と前記基体搬送体の軸との間に前記軸とは独立して設けられると共に、平面視で前記基体の縁を覆う形状を有するマスクと、を備えることを特徴とする。 The film forming apparatus of the present invention includes a substrate transport body that rotates about the axis in the transport direction of the sheet-shaped substrate and has a width narrower than the width of the substrate in a direction perpendicular to the transport direction, and the substrate transport body The functional material generation source for generating film material particles toward the one surface side of the substrate transported to the substrate and the shaft between the substrate and the substrate transport body are provided independently of the shaft, and in plan view. And a mask having a shape covering the edge of the substrate.

本発明によれば、基体の全幅にわたって均一な膜を製造でき、ロスコストの削減は勿論のこと熱ジワによる歩留まり低下防止及び製品の信頼性の向上に貢献すると共に、基体の両側から漏れた膜材料が基体搬送体の軸に付着することを防止できる。 According to the present invention, a uniform film can be manufactured over the entire width of the substrate, and not only the loss cost is reduced, but also it contributes to the prevention of yield reduction due to thermal wrinkles and the improvement of product reliability, and the film material leaked from both sides of the substrate. Can be prevented from adhering to the shaft of the substrate transport body .

(a)本発明の実施の形態1の成膜装置の要部の側面図、(b)本発明の実施の形態1の成膜装置の要部の正面図の一部切り欠き図(A) Side view of main part of film forming apparatus of embodiment 1 of the present invention, (b) Partial cutaway view of front view of main part of film forming apparatus of embodiment 1 of the present invention (a)本発明の実施の形態2の成膜装置の要部の側面図、(b)本発明の実施の形態2の成膜装置の要部の正面図の一部切り欠き図(A) Side view of main part of film forming apparatus of embodiment 2 of the present invention, (b) Partial cutaway view of front view of main part of film forming apparatus of embodiment 2 of the present invention (a)本発明の実施の形態3の成膜装置の要部の側面図、(b)本発明の実施の形態3の成膜装置の要部の正面図の一部切り欠き図(A) Side view of main part of film forming apparatus of embodiment 3 of the present invention, (b) Partial cutaway view of front view of main part of film forming apparatus of embodiment 3 of the present invention 本発明の実施の形態1の成膜装置の全体を示す断面図Sectional drawing which shows the whole film-forming apparatus of Embodiment 1 of this invention (a)特許文献1の成膜装置の側面図、(b)特許文献1の成膜装置の正面図の一部切り欠き図(A) Side view of film forming apparatus of Patent Document 1, (b) Partial cutaway view of front view of film forming apparatus of Patent Document 1

以下、本発明の各実施の形態を図1〜図4に基づいて説明する。
なお、同じ構成には同じ符号を付し、適宜、説明を省略している。
(実施の形態1)
図1(a)(b)は本発明の実施の形態1の成膜装置200の要部を示し、図1(a)は側面図、図1(b)は正面図の一部切り欠き図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.
In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same structure and description is abbreviate | omitted suitably.
(Embodiment 1)
1A and 1B show the main part of a film forming apparatus 200 according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 1A is a side view, and FIG. 1B is a partially cutaway view of a front view. It is.

成膜装置200において、基体搬送体102であるドラムの周面には、図1(a)に示すように、シート状(薄い膜状)の基体(フィルムあるいはフォイル)101が掛け渡されている。シート状の基体101は、ロールtoロールと呼ばれる方法で供給され巻き取られて、矢印Y1方向に送り出されている。基体搬送体202は軸103と一体となっていて、この軸103を中心に矢印R方向に駆動されている。基体搬送体202の幅(X方向)は基体101の幅よりも狭く、図1(b)に示すように基体101の両側が基体搬送体202の周面からはみ出している。   In the film forming apparatus 200, a sheet-like (thin film-like) substrate (film or foil) 101 is stretched around the peripheral surface of a drum, which is a substrate carrier 102, as shown in FIG. . The sheet-like substrate 101 is supplied and wound by a method called roll-to-roll, and is sent out in the arrow Y1 direction. The substrate transport body 202 is integrated with the shaft 103 and is driven in the direction of the arrow R about the shaft 103. The width (X direction) of the substrate transport body 202 is narrower than the width of the substrate 101, and both sides of the substrate 101 protrude from the peripheral surface of the substrate transport body 202 as shown in FIG.

軸103によって支持されて矢印R方向に回転する基体搬送体202の下方には、Coなどの機能材料が入った発生源104が配置されている。発生源104の機能材料は、電子ビームあるいはヒータ(図示せず)などの熱源で加熱され蒸発し、膜材料粒子107となっていろいろな方向に飛翔する。発生源104から発生した膜材料粒子107が基体搬送体202の上の基体101に到着する直前の位置には、窓106aが形成されたシャッター106が配置されている。窓106aの幅は、図1(b)に示すように基体101の幅よりも広く形成されている。基体搬送体102の周面からはみ出している基体101の裏面と軸103との間には、マスク205a,205bが配置されている。このマスク205a,205bは、図1(b)に示すようにシャッター106の窓106aを通過した膜材料粒子107のうちの、基体101の表面から外れた膜材料粒子107を捕捉するためのものである。108は、シャッター106の窓106aを通過した膜材料粒子107が基体101に付着して形成された機能材料の膜である。この成膜装置200全体は、真空槽内に収められて動作している。   A generation source 104 containing a functional material such as Co is disposed below the substrate transport body 202 supported by the shaft 103 and rotating in the direction of arrow R. The functional material of the generation source 104 is heated and evaporated by a heat source such as an electron beam or a heater (not shown), and the film material particles 107 fly in various directions. A shutter 106 in which a window 106 a is formed is disposed at a position immediately before the film material particles 107 generated from the generation source 104 arrive at the base 101 on the base transport body 202. The width of the window 106a is formed wider than the width of the base 101 as shown in FIG. Masks 205 a and 205 b are arranged between the back surface of the substrate 101 protruding from the peripheral surface of the substrate transport body 102 and the shaft 103. The masks 205a and 205b are for capturing the film material particles 107 that have deviated from the surface of the substrate 101 among the film material particles 107 that have passed through the window 106a of the shutter 106, as shown in FIG. is there. Reference numeral 108 denotes a functional material film formed by adhering the film material particles 107 that have passed through the window 106 a of the shutter 106 to the base 101. The entire film forming apparatus 200 is housed in a vacuum chamber.

基体101の表面に到着する材料粒子107は、シャッター106の窓106aが基体101の幅よりも広く形成されているため、なんら制限を受けずに基体101の表面に到着して基体101の両側まで均一な膜108を形成できる。   The material particles 107 arriving at the surface of the base 101 arrive at the surface of the base 101 without any limitation and reach both sides of the base 101 because the window 106a of the shutter 106 is formed wider than the width of the base 101. A uniform film 108 can be formed.

基体101の材質の一例として、PETが挙げられる。膜108を厚く成膜するには、基体101が機能材料の発生源104の上を何回も往復することもある。基体搬送体202はSUS304で形成されている。   An example of the material of the substrate 101 is PET. In order to form the film 108 thickly, the substrate 101 may reciprocate over the functional material source 104 many times. The substrate transport body 202 is made of SUS304.

基体搬送体202としては、ドラム状ではなくてベルト状のものが使用されることもある。
基体搬送体202には、基体101が溶融したり破壊したりしないように、通過する基体101を冷却する冷却手段を構成する。この冷却手段として、基体搬送体202に冷媒通路が形成されており、この冷媒通路には−25℃〜0℃程度に冷やされた冷媒が流される。基体101として高分子材料のフィルムを用いる場合、基体101をそのガラス転移点以下に保つ必要がある。PETフィルムの場合では、ガラス転移点は70〜80℃であり、前述の基体搬送体202が有する冷却手段によって基体101を70℃以下に冷却している。
As the substrate transport body 202, a belt-like member may be used instead of a drum-like member.
The substrate transport body 202 is configured with a cooling unit that cools the substrate 101 passing therethrough so that the substrate 101 is not melted or broken. As the cooling means, a refrigerant passage is formed in the substrate transport body 202, and the refrigerant cooled to about −25 ° C. to 0 ° C. flows through the refrigerant passage. When a polymer material film is used as the substrate 101, it is necessary to keep the substrate 101 below its glass transition point. In the case of a PET film, the glass transition point is 70 to 80 ° C., and the substrate 101 is cooled to 70 ° C. or less by the cooling means of the substrate transport body 202 described above.

膜材料粒子107の基体101への付着部分を規定するためにシャッター106とマスク205a,205bが設けられており、シャッター106は基体走行方向の遮蔽を目的としている。   A shutter 106 and masks 205a and 205b are provided in order to define a portion where the film material particles 107 adhere to the substrate 101. The shutter 106 is intended to shield the substrate traveling direction.

シャッター106の窓106aは基体走行方向の中央部に形成されており、窓106a以外の部分に膜材料粒子107が当たると遮られて基体101に到達しない。この窓106aの部分のみを通して膜材料粒子107が基体101の表面に付着するため、基体101が膜材料粒子107に暴露する時間を正確に定め、安定な膜厚を得ることができる。   The window 106a of the shutter 106 is formed at the center of the substrate traveling direction. When the film material particle 107 hits a portion other than the window 106a, it is blocked and does not reach the substrate 101. Since the film material particles 107 adhere to the surface of the base 101 only through the window 106a, the time during which the base 101 is exposed to the film material particles 107 can be accurately determined and a stable film thickness can be obtained.

マスク205a,205bは、膜材料粒子107が基体101の両側から漏れて軸103の表面に付着するのを防ぐために設けられている。
この実施の形態1の成膜装置200の特徴は、基体搬送体202の幅が基体101の幅よりも狭いことにある。
The masks 205 a and 205 b are provided to prevent the film material particles 107 from leaking from both sides of the base 101 and adhering to the surface of the shaft 103.
The film forming apparatus 200 according to the first embodiment is characterized in that the width of the substrate transport body 202 is narrower than the width of the substrate 101.

従来の成膜装置100では、成膜幅規制マスク105を、基体101の表面でその両端よりも内側に設けていた。この成膜幅規制マスク105で隠された部分には膜材料粒子107が付着しないため、機能材料の膜108として用いることが出来ず、ロスとなっていた。また、成膜幅規制マスク105の付近では膜108の均一性が悪くなりさらにロスを増やしていた。   In the conventional film forming apparatus 100, the film forming width restriction mask 105 is provided on the surface of the base 101 inside the both ends. Since the film material particles 107 do not adhere to the portion hidden by the film formation width regulating mask 105, it cannot be used as the functional material film 108, resulting in a loss. Further, the uniformity of the film 108 is deteriorated near the film formation width regulating mask 105, and the loss is further increased.

これに対して、本実施の形態1の成膜装置200では、マスク205a,205bは、基体101の外で、基体101のの近傍で基体101にかぶらない位置に配置されている。すなわち、本実施の形態1の成膜装置200では、マスク205a,205bは、基体101の表面より内側、すなわち軸103に近い位置に設けている。詳しくは後述するが、この位置に配置することで、膜108の均一性の向上以外の効果を生み出すこともできる。 In contrast, in the film forming apparatus 200 of the first embodiment, the mask 205a, 205b are outside the substrate 101, it is disposed at a position not fogged in the substrate 101 in the vicinity of the side of the substrate 101. That is, in the film forming apparatus 200 according to the first embodiment, the masks 205 a and 205 b are provided on the inner side of the surface of the substrate 101, that is, at a position close to the shaft 103. As will be described later in detail, by arranging at this position, effects other than the improvement of the uniformity of the film 108 can be produced.

ここで、本実施の形態1の成膜装置200の特徴である、基体搬送体202の幅が基体101の幅よりも狭いことによる効果について説明する。
図5(b)に示すような従来の成膜装置では、基体101の両側から漏れた膜材料粒子107は、基体搬送体102に付着する。それに対し、本実施の形態1の成膜装置200では、基体101の両側とマスク205a,205bから漏れた膜材料粒子107は、主として軸103の表面に付着物として付着する。従来の成膜装置では、基体101の搬送に直接影響する基体搬送体102に膜材料粒子107が付着していたため、状態によっては基体101の搬送状態に悪影響が出ることもあった。それに対し、本実施の形態1の成膜装置200では、基体101の搬送に直接影響しない軸103(または、基体搬送体202の端面)に付着するため、基体101の搬送状態への悪影響を少なくできる。
Here, the effect by the width | variety of the base | substrate conveyance body 202 narrower than the width | variety of the base | substrate 101 which is the characteristics of the film-forming apparatus 200 of this Embodiment 1 is demonstrated.
In the conventional film forming apparatus as shown in FIG. 5B, the film material particles 107 leaking from both sides of the base 101 adhere to the base transport body 102. On the other hand, in the film forming apparatus 200 according to the first embodiment, the film material particles 107 leaking from both sides of the base 101 and the masks 205a and 205b adhere mainly to the surface of the shaft 103 as deposits. In the conventional film forming apparatus, since the film material particles 107 adhere to the substrate transport body 102 that directly affects the transport of the substrate 101, the transport state of the substrate 101 may be adversely affected depending on the state. On the other hand, in the film forming apparatus 200 according to the first embodiment, since it adheres to the shaft 103 (or the end surface of the substrate transport body 202) that does not directly affect the transport of the substrate 101, the adverse effect on the transport state of the substrate 101 is reduced. it can.

なお、この付着物は、定期的に行われる清掃メンテナンスの時に取り除く必要がある。そのため、本実施の形態1の成膜装置200では、清掃のときに付着した膜材料粒子107を容易に除けるように、基体搬送体202の端面や軸103にシリコン系樹脂などの剥離剤を予め塗布しておくことも有効である。   In addition, it is necessary to remove this deposit at the time of the cleaning maintenance performed regularly. Therefore, in the film forming apparatus 200 according to the first embodiment, a release agent such as a silicon-based resin is previously applied to the end surface of the substrate transport body 202 and the shaft 103 so that the film material particles 107 attached during cleaning can be easily removed. It is also effective to apply it.

ここで、基体101が基体搬送体202からはみ出した部分の大きさ(はみ出し量)は重要である。基体101が基体搬送体202から大きくはみ出す場合は、熱やテンションの影響があり、本来の目的である熱シワの発生防止を達成できなくなる。また、基体101が基体搬送体202より小さすぎる場合は、基体101の走行精度により基体搬送体202が基体101から外れて表面の一部が露出してしまうことになる。この基体101のはみ出し量(基体搬送体202と基体101の幅の差)は、基体101の材料の特性(熱特性や機械特性)により適宜設計しておくのが好ましい。本実施の形態1でのはみ出し量については、後述する。   Here, the size (the amount of protrusion) of the portion where the substrate 101 protrudes from the substrate transport body 202 is important. When the substrate 101 protrudes greatly from the substrate transport body 202, there is an influence of heat and tension, and it becomes impossible to achieve prevention of generation of heat wrinkles, which is the original purpose. Further, when the substrate 101 is too small than the substrate transport body 202, the substrate transport body 202 is detached from the substrate 101 due to the running accuracy of the substrate 101, and a part of the surface is exposed. The amount of protrusion of the substrate 101 (difference in the width between the substrate transport body 202 and the substrate 101) is preferably designed as appropriate according to the material properties (thermal properties and mechanical properties) of the substrate 101. The amount of protrusion in the first embodiment will be described later.

また、はみ出し量と同時に、基体搬送体202と軸103の径の差も重要である。これら径の差が大きすぎると、軸103と基体搬送体202の径方向のすき間が大きくなり、膜材料粒子107が回り込んで基体搬送体202の側面に付着する可能性が高くなる。よって、基体搬送体202と軸103の径の差は、マスク205a,205bの高さの4倍以下とするのが望ましい。   In addition to the amount of protrusion, the difference in diameter between the substrate carrier 202 and the shaft 103 is also important. If the difference between the diameters is too large, the radial gap between the shaft 103 and the substrate transport body 202 becomes large, and the possibility that the film material particles 107 will wrap around and adhere to the side surface of the substrate transport body 202 increases. Therefore, it is desirable that the difference between the diameters of the substrate carrier 202 and the shaft 103 is not more than four times the height of the masks 205a and 205b.

ここで、本実施の形態1について、記録メディアであるDVCテープ( Digital Video Cassette Tape )の実施例で説明する。
基体101のフィルム材質はPET、厚みは4.2μm、幅は620mm、所定の膜厚は0.2μm±0.01μである。この基体101の場合、基体搬送体202の幅は、基体101の幅に対して片側で3mm小さくした。すなわち、本実施の形態1では、基体搬送体202の幅は614mmとした。ここで、はみ出し量を片側3mmにしたのは、基体101の走行精度が±0.5mmであることと、発明者らの実験により基体101が5mm以上はみ出すと、はみ出し部の冷却不十分が原因と思われる熱ジワが発生することが分かったためである。表1に、はみ出し量と熱ジワの関係を示す。
The first embodiment will be described with reference to an example of a DVC tape (Digital Video Cassette Tape) that is a recording medium.
The film material of the substrate 101 is PET, the thickness is 4.2 μm, the width is 620 mm, and the predetermined film thickness is 0.2 μm ± 0.01 μm. In the case of this substrate 101, the width of the substrate transport body 202 was made 3 mm smaller on one side than the width of the substrate 101. That is, in the first embodiment, the width of the substrate transport body 202 is 614 mm. Here, the amount of protrusion was set to 3 mm on one side because the running accuracy of the base body 101 was ± 0.5 mm, and when the base body 101 protruded by 5 mm or more by the inventors' experiments, the cooling of the protruding portion was insufficient. This is because it was found that thermal wrinkles that seem to occur. Table 1 shows the relationship between the amount of protrusion and thermal wrinkles.

Figure 0005595235
前述したように、このはみ出し量は基体101の材料の特性(熱特性や機械特性)、及び膜材料粒子の特性(膜材料の熱エネルギーや厚み等)により熱ジワが発生しない程度に適宜設計されるものであり、前述した寸法に必ずしも捉われる必要はない。
Figure 0005595235
As described above, the amount of protrusion is appropriately designed so as not to generate thermal wrinkles due to the material characteristics (thermal characteristics and mechanical characteristics) of the substrate 101 and the characteristics of the film material particles (thermal energy and thickness of the film material). It is not necessarily limited to the above-mentioned dimensions.

(実施の形態2)
図2(a)(b)は本発明の実施の形態2の成膜装置を示し、図2(a)は側面図であり、図2(b)は正面図の一部切り欠き図である。
(Embodiment 2)
2 (a) and 2 (b) show a film forming apparatus according to Embodiment 2 of the present invention, FIG. 2 (a) is a side view, and FIG. 2 (b) is a partially cutaway view of the front view. .

前述の実施の形態1の基体搬送体202は、径が幅方向(X方向)に単一のドラムであったが、この実施の形態2での成膜装置300では、図2(b)に示すように、基体搬送体302の端部から内側寄りに環状溝の凹部302a,302bを形成したドラムを使用している。本実施の形態2は、この点が、実施の形態1とは異なっている。成膜装置300全体は、真空槽内に収められて動作している。   The substrate transport body 202 of the first embodiment described above is a single drum having a diameter in the width direction (X direction). In the film forming apparatus 300 according to the second embodiment, FIG. As shown, a drum in which concave portions 302a and 302b having annular grooves are formed on the inner side from the end of the substrate transport body 302 is used. The second embodiment is different from the first embodiment in this point. The entire film forming apparatus 300 is housed in a vacuum chamber.

本実施の形態2では、このように基体搬送体302の表面に凹部302a,302bを形成したことによって、基体搬送体302の周面の中央には凹部302a,302bよりも大径で基体101の幅よりも僅かに狭い幅の中央部302cが形成されている。この中央部302cの両側には凹部302a,302bを隔てて中央部302cと同じように凹部302a,302bよりも大径の端部302d,302eが形成されている。ここでは、凹部302a,302bの幅が“H”,凹部302a,302bと中央部302c,端部302d,302eとの段差は“T”である。   In the second embodiment, since the recesses 302a and 302b are formed on the surface of the substrate transport body 302 in this way, the center of the peripheral surface of the substrate transport body 302 is larger in diameter than the recesses 302a and 302b. A central portion 302c having a width slightly narrower than the width is formed. On both sides of the central portion 302c, end portions 302d and 302e having larger diameters than the concave portions 302a and 302b are formed in the same manner as the central portion 302c with the concave portions 302a and 302b therebetween. Here, the widths of the recesses 302a and 302b are “H”, and the steps between the recesses 302a and 302b and the central portion 302c and the end portions 302d and 302e are “T”.

矢印Y1方向に搬送される基体101は、中央が基体搬送体302の中央部302cによって支持されている。端部302d,302eの間隔は、基体101の幅よりも広く形成されている。本実施の形態2では、基体101の両方の側端を、凹部302a,302bが存在する区間に位置している。   The center of the substrate 101 conveyed in the direction of the arrow Y1 is supported by the central portion 302c of the substrate conveyance body 302. The interval between the end portions 302 d and 302 e is formed wider than the width of the base 101. In the second embodiment, both side ends of the base 101 are located in a section where the recesses 302a and 302b exist.

発生源104から発生した膜材料粒子107が基体搬送体302の上の基体101に到着する直前の位置には、窓106aが形成されたシャッター106が配置されている。窓106aの幅は基体101よりも幅広である。   A shutter 106 in which a window 106 a is formed is disposed at a position immediately before the film material particles 107 generated from the generation source 104 arrive at the base 101 on the base transport body 302. The width of the window 106 a is wider than the base 101.

シャッター106の窓106aの近傍で、基体搬送体302の端部302d,302eとの間に、端部302d,302eに近接してマスク305a,305bが配置されている。さらに詳しくは、マスクと305a,305bは、シャッター106と基体搬送体302の端部302d,302eの周面の間に配設されると共に、基体搬送体302に中央部が支持されて基体搬送体302からはみ出している基体101の側端部に近接して配置されている。   In the vicinity of the window 106a of the shutter 106, between the end portions 302d and 302e of the substrate transport body 302, masks 305a and 305b are disposed adjacent to the end portions 302d and 302e. More specifically, the mask and 305a and 305b are disposed between the shutter 106 and the peripheral surfaces of the end portions 302d and 302e of the substrate transport body 302, and the central portion is supported by the substrate transport body 302 and the substrate transport body. It is arranged close to the side end portion of the base body 101 protruding from 302.

このように基体101の表面に到着する膜材料粒子107は、シャッター106の窓106aが基体101の幅よりも広く形成されているため、なんら制限を受けずに基体101の表面に到着して基体101の両側まで均一な膜108を形成できる。   Thus, the film material particles 107 arriving at the surface of the substrate 101 arrive at the surface of the substrate 101 without any restriction because the window 106a of the shutter 106 is formed wider than the width of the substrate 101. A uniform film 108 can be formed up to both sides of 101.

基体101とマスク305a,305bの隙間から漏れる膜材料粒子107は、凹部302a,302bの底部に堆積することになる。この膜材料粒子107は、凹部302a,302bの清掃時に除かれる。清掃のときに付着した膜材料粒子107が容易に除けるように凹部302a,302bの内側にシリコン系樹脂などの剥離剤を予め塗布しておくことも有効である。   The film material particles 107 leaking from the gap between the base 101 and the masks 305a and 305b are deposited on the bottoms of the recesses 302a and 302b. The film material particles 107 are removed when the recesses 302a and 302b are cleaned. It is also effective to preliminarily apply a release agent such as a silicon-based resin inside the recesses 302a and 302b so that the film material particles 107 adhering during cleaning can be easily removed.

ここで、本実施の形態2について、記録メディアであるDVCテープ( Digital Video Cassette Tape )の実施例で説明する。
基体101のフィルム材質はPET、厚みは4.2μm、幅は620mm、所定の膜厚は0.2μm±0.01μである。基体搬送体302の中央部302c,端部302d,302eの直径は1000mm、凹部302a,302bの幅HはH=30mm、端部302d,302eの段差TはT=10mmとした。
The second embodiment will be described with reference to an example of a DVC tape (Digital Video Cassette Tape) that is a recording medium.
The film material of the substrate 101 is PET, the thickness is 4.2 μm, the width is 620 mm, and the predetermined film thickness is 0.2 μm ± 0.01 μm. The diameter of the central portion 302c and the end portions 302d and 302e of the substrate transport body 302 is 1000 mm, the width H of the recess portions 302a and 302b is H = 30 mm, and the step T between the end portions 302d and 302e is T = 10 mm.

H=30mmとしたのは、堆積した膜材料粒子107の除去のための清掃作業を容易にするためで、必ずしも、この寸法である訳ではない。H=10mm〜100mm程度であればよいと考えられる。T=10mmとしたのは、基体の処理長さと膜材料の厚みから、求められた値であり、なにもこの寸法に捉われる必要はない。T=10mm〜50mm程度にするのが現実的である。   The reason why H = 30 mm is used to facilitate the cleaning operation for removing the deposited film material particles 107, and is not necessarily this size. It is considered that H = 10 mm to 100 mm. T = 10 mm is a value obtained from the processing length of the substrate and the thickness of the film material, and it is not necessary to be limited by this dimension. It is realistic that T = about 10 mm to 50 mm.

(実施の形態3)
図3(a)(b)は本発明の実施の形態3の成膜装置を示し、図3(a)は側面図であり、図3(b)は正面図の一部切り欠き図である。
(Embodiment 3)
3 (a) and 3 (b) show a film forming apparatus according to Embodiment 3 of the present invention, FIG. 3 (a) is a side view, and FIG. 3 (b) is a partially cutaway view of the front view. .

前述の実施の形態1の基体搬送体202は、端面が面一のドラムであったが、この実施の形態3では図3(b)に示すように、基体搬送体402の端面に凹部402f,402gを形成したドラムを使用している。本実施の形態3は、この点が、実施の形態1とは異なっている。さらに、この実施の形態3ではマスク405aの先端が、基体101の裏面近傍で凹部402fに挿入されている。マスク405bの先端が、基体101の裏面近傍で凹部402gに挿入されている。凹部402f,402gの内側の外径部160と、マスク405a,405bの先端との間には隙間Cが形成されている。   The substrate transport body 202 of the above-described first embodiment is a drum whose end surface is flush, but in this third embodiment, as shown in FIG. 3B, the end surface of the substrate transport body 402 has recesses 402f, A drum formed with 402 g is used. The third embodiment is different from the first embodiment in this point. Further, in the third embodiment, the tip of the mask 405a is inserted into the recess 402f in the vicinity of the back surface of the base 101. The tip of the mask 405b is inserted into the recess 402g in the vicinity of the back surface of the base 101. A gap C is formed between the outer diameter portion 160 inside the recesses 402f and 402g and the tips of the masks 405a and 405b.

このように基体搬送体402からはみ出した基体101の裏側にマスク405a,405bの先端が入り込む構造とした場合には、基体101から外れた膜材料粒子107はマスク405a,405bにより遮蔽されて軸103に到達しないため、軸103が汚れることは無い。このことにより、軸103に剥離剤を塗布したり、軸103を清掃したりする手間を省くことが可能である。全体は真空槽内に収められて動作している。その他は実施の形態1と同じである。   When the tip of the masks 405a and 405b enters the back side of the substrate 101 protruding from the substrate transport body 402 in this way, the film material particles 107 removed from the substrate 101 are shielded by the masks 405a and 405b, and the shaft 103 Therefore, the shaft 103 is not soiled. Accordingly, it is possible to save the trouble of applying a release agent to the shaft 103 or cleaning the shaft 103. The whole is housed in a vacuum chamber. The rest is the same as in the first embodiment.

ここで、本実施の形態3について、記録メディアであるDVCテープ( Digital Video Cassette Tape )の実施例で説明する。
基体101のフィルム材質はPET、厚みは4.2μm、幅は620mm、所定の膜厚は0.2μm±0.01μである。隙間Cは、まわり込みを防ぐためにはある程度小さくする必要があるが、機械的な精度から小さすぎるのは好ましくないため、1〜5mmとした。
The third embodiment will be described with reference to an example of a DVC tape (Digital Video Cassette Tape) that is a recording medium.
The film material of the substrate 101 is PET, the thickness is 4.2 μm, the width is 620 mm, and the predetermined film thickness is 0.2 μm ± 0.01 μm. The gap C needs to be reduced to some extent in order to prevent wraparound, but it is not preferable that the gap C is too small due to mechanical accuracy.

凹部402f,402gの深さDに関しては、深さDが深いほど軸103への付着を防ぐことができるが、一方で、深さDが深いほど基体搬送体402(ドラム)の先端部の冷却が不十分となる。そのため、本実施の形態3では、深さD=10〜30mmとした。   Regarding the depth D of the recesses 402f and 402g, the deeper the depth D, the more the adhesion to the shaft 103 can be prevented. On the other hand, the deeper the depth D, the more the cooling of the tip of the substrate transport body 402 (drum). Is insufficient. Therefore, in Embodiment 3, the depth D is set to 10 to 30 mm.

基体搬送体402の幅は、基体101の幅に対して片側で3mm小さくし、基体搬送体402の幅は614mmとした。ここで、片側3mmだけ小さくしたのは、基体101の搬送の走行精度が±0.5mmである事と、基体搬送体402から基体101が5mm以上はみ出すと、フィルムはみ出し部分の冷却不十分が原因と思われる熱ジワが発生する場合があるためである。これは、先に示した表1の発明者らの実験結果により分かったことである。   The width of the substrate transport body 402 was 3 mm smaller on one side than the width of the substrate 101, and the width of the substrate transport body 402 was 614 mm. Here, the reason why the size is reduced by 3 mm on one side is that the traveling accuracy of the conveyance of the substrate 101 is ± 0.5 mm, and if the substrate 101 protrudes from the substrate conveyance body 402 by 5 mm or more, the cooling of the protruding portion of the film is insufficient. This is because thermal wrinkles that are considered to occur. This is understood from the experimental results of the inventors shown in Table 1 above.

前述したように、このはみ出し量は、基体101の材料の特性(熱特性や機械特性)、及び膜材料粒子の特性(膜材料の熱エネルギーや厚み等)により適宜設計されるものであり、前述した寸法に必ずしも捉われる必要はない。   As described above, the amount of protrusion is appropriately designed according to the material characteristics (thermal characteristics and mechanical characteristics) of the substrate 101 and the characteristics of the film material particles (thermal energy and thickness of the film material). It is not always necessary to be caught in the dimensions.

また、軸103の直径は40mm小さい960mmとした。直径で40mm、半径で20mm小さくしたのは、この寸法にすることによりマスク405a,405bが容易に作成でき、安価で入手可能である事また軸103の強度も十分に保つ事ができるからである。   The diameter of the shaft 103 was 960 mm, which is 40 mm smaller. The reason why the diameter is reduced by 40 mm and the radius is reduced by 20 mm is that by making these dimensions, the masks 405 a and 405 b can be easily produced, and can be obtained at low cost, and the strength of the shaft 103 can be sufficiently maintained. .

(実施の形態4)
図4は、前述の実施の形態1の成膜装置200を真空槽内に収めたDVC用の真空蒸着装置500を示している。この真空蒸着装置500は、実施の形態1の成膜装置200に代えて実施の形態2,実施の形態3の成膜装置を真空槽内に収めた場合もほぼ同様の構成であるため、ここでは、実施の形態1の成膜装置200を真空槽内に収めた場合のみ説明する。
(Embodiment 4)
FIG. 4 shows a vacuum deposition apparatus 500 for DVC in which the film forming apparatus 200 of the first embodiment is housed in a vacuum chamber. This vacuum vapor deposition apparatus 500 has substantially the same configuration even when the film forming apparatus of the second and third embodiments is housed in a vacuum chamber instead of the film forming apparatus 200 of the first embodiment. Then, only the case where the film-forming apparatus 200 of Embodiment 1 is stored in a vacuum chamber is demonstrated.

斜め蒸着を実施するこの真空蒸着装置500の動作について説明する。真空槽130内は排気口131を経て真空ポンプ(図示せず)に接続されて真空状態に保たれ、この真空槽130内で長尺フィルム状の非磁性の基体101を供給ロール111から繰り出し、冷却機能を有した基体搬送体202の表面に基体101を沿わせて搬送する。基体101を搬送しながらシャッター106を用いて入射蒸着角度を決定し、定置された機能材料の発生源104中の強磁性材料150(Co100%)表面に電子銃120からの電子ビーム120Bを照射して強磁性材料150を膜材料粒子107の状態にし、斜め蒸着を行うことにより、基体101上に機能材料の膜108を形成する。   The operation of this vacuum deposition apparatus 500 that performs oblique deposition will be described. The inside of the vacuum chamber 130 is connected to a vacuum pump (not shown) via an exhaust port 131 and kept in a vacuum state. In this vacuum chamber 130, a long film-like non-magnetic substrate 101 is fed out from the supply roll 111, The substrate 101 is transported along the surface of the substrate transport body 202 having a cooling function. The incident vapor deposition angle is determined using the shutter 106 while the substrate 101 is being conveyed, and the surface of the ferromagnetic material 150 (Co 100%) in the stationary functional material generation source 104 is irradiated with the electron beam 120B from the electron gun 120. The functional material film 108 is formed on the substrate 101 by changing the ferromagnetic material 150 to the film material particles 107 and performing oblique deposition.

強磁性金属150が溶けるまでの間は、シャッター106の窓106aを閉じることによって、基体101への強磁性金属150の付着を防止する。このような強磁性金属150の蒸着に際して、ガス供給装置194から蒸着金属にガスが均一となるように供給される。このようにして強磁性金属薄膜が形成された基体101は巻取りロール112に巻き取られる。   Until the ferromagnetic metal 150 is melted, the window 106a of the shutter 106 is closed to prevent the ferromagnetic metal 150 from adhering to the base 101. When such a ferromagnetic metal 150 is deposited, gas is supplied from the gas supply device 194 to the deposited metal so as to be uniform. The substrate 101 on which the ferromagnetic metal thin film has been formed in this way is wound around the winding roll 112.

なお、上記の各実施の形態は一例であって本発明の趣旨を実現するフィルム搬送体の構造と同様の技術は、本発明から逸脱するものではない。   Each of the above embodiments is merely an example, and the same technology as the structure of the film transport body that realizes the gist of the present invention does not depart from the present invention.

本発明は成膜装置全般に有効であり、エレクトロニクス分野だけでなく食品用あるいはその他の防湿や嫌気性を目的としたパッケージや包装紙あるいは機能性のシートなどの生産にも有効である。   The present invention is effective not only in the field of electronics, but also in the production of food and other packages, wrapping paper, or functional sheets intended for food use or other purposes.

100,200,300,400 成膜装置
101 基体
102,202,302,402 基体搬送体
103 軸
104 発生源
106 シャッター
106a 窓
107 膜材料粒子
108 膜
111 供給ロール
112 巻取りロール
120 電子銃
120B 電子ビーム
130 真空槽
131 排気口
150 強磁性材料
160 外径部
194 ガス供給装置
205a,205b マスク
302a,302b 凹部
302c,302f,302g 中央部
302d,302e 端部
500 真空蒸着装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100,200,300,400 Film-forming apparatus 101 Base | substrate 102,202,302,402 Base | substrate conveyance body 103 Axis 104 Generation source 106 Shutter 106a Window 107 Film | membrane material particle 108 Film | membrane 111 Supply roll 112 Winding roll 120 Electron gun 120B Electron beam DESCRIPTION OF SYMBOLS 130 Vacuum chamber 131 Exhaust port 150 Ferromagnetic material 160 Outer diameter part 194 Gas supply apparatus 205a, 205b Mask 302a, 302b Recessed part 302c, 302f, 302g Center part 302d, 302e End part 500 Vacuum deposition apparatus

Claims (6)

シート状の基体の搬送方向に軸中心に回転すると共に、前記搬送方向に垂直な方向において前記基体の幅よりも狭い幅を有する基体搬送体と、
前記基体搬送体に搬送される前記基体の一面側に向けて膜材料粒子を発生させる機能材料発生源と、
前記基体と前記基体搬送体の軸との間に前記軸とは独立して設けられると共に、平面視で前記基体の縁を覆う形状を有するマスクと、
を備える成膜装置。
A substrate transport body that rotates about the axis in the transport direction of the sheet-shaped substrate and has a width narrower than the width of the substrate in a direction perpendicular to the transport direction;
A functional material generation source for generating film material particles toward one surface side of the substrate transported to the substrate transport body;
A mask having a shape that is provided independently of the shaft between the substrate and the shaft of the substrate transport body and covers an edge of the substrate in plan view;
A film forming apparatus comprising:
前記マスクは、前記基体の両側から漏れた前記膜材料粒子が前記基体搬送体の軸に付着することを防止するものである
請求項1に記載の成膜装置。
2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the mask prevents the film material particles leaking from both sides of the substrate from adhering to the shaft of the substrate transport body.
前記基体と前記機能材料発生源の間に配設されたシャッターをさらに備える
請求項1または2に記載の成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 1, further comprising a shutter disposed between the base and the functional material generation source.
前記基体搬送体は、前記軸周囲の端面に凹部が形成され、
前記マスクは、その先端が前記基体搬送体の側面に形成された凹部に挿入された
請求項1〜3の何れかに記載の成膜装置。
The substrate transport body has a recess formed on an end surface around the shaft,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein a tip of the mask is inserted into a recess formed on a side surface of the substrate transport body.
前記基体搬送体は、その内部に冷却手段を備える
請求項1〜4の何れかに記載の成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the substrate transport body includes a cooling unit therein.
膜材料粒子の付着位置に剥離剤を塗布した
請求項1〜5の何れかに記載の成膜装置。
The film-forming apparatus in any one of Claims 1-5 which apply | coated the release agent to the adhesion position of film | membrane material particle.
JP2010252396A 2010-11-11 2010-11-11 Deposition equipment Expired - Fee Related JP5595235B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010252396A JP5595235B2 (en) 2010-11-11 2010-11-11 Deposition equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010252396A JP5595235B2 (en) 2010-11-11 2010-11-11 Deposition equipment

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012102373A JP2012102373A (en) 2012-05-31
JP2012102373A5 JP2012102373A5 (en) 2013-09-19
JP5595235B2 true JP5595235B2 (en) 2014-09-24

Family

ID=46393105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010252396A Expired - Fee Related JP5595235B2 (en) 2010-11-11 2010-11-11 Deposition equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5595235B2 (en)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3886571B2 (en) * 1996-10-21 2007-02-28 株式会社神戸製鋼所 Vacuum deposition apparatus for film and vacuum deposition method
JP3461782B2 (en) * 2000-04-03 2003-10-27 松下電器産業株式会社 Resin layer forming device, laminate manufacturing device, and resin layer manufacturing method
JP3818992B2 (en) * 2003-08-22 2006-09-06 電気化学工業株式会社 Boron nitride composition
JP4331140B2 (en) * 2005-04-21 2009-09-16 電気化学工業株式会社 Boron nitride containing slurry

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012102373A (en) 2012-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5281606B2 (en) Method for producing functional film
JP4669017B2 (en) Film forming apparatus, gas barrier film, and gas barrier film manufacturing method
CN106029944A (en) Apparatus and method for thin-film processing applications
WO2012056707A1 (en) Plasma cvd apparatus
JP2011202248A (en) Film deposition apparatus and film deposition method
US20110111121A1 (en) Thin film forming method and film forming apparatus
JP5595235B2 (en) Deposition equipment
JP2006299361A (en) Film forming apparatus and film forming method
JP2010179276A (en) Foreign matter remover of film surface, and method of manufacturing film
JP2007035161A (en) Manufacturing apparatus and manufacturing method of magnetic recording medium
JP2006316299A (en) Film forming apparatus and film forming method
JP5651502B2 (en) Method for producing functional film
JP5450202B2 (en) Deposition equipment
JP4601385B2 (en) Pressure gradient ion plating film deposition system
JP4597756B2 (en) Film forming apparatus and film forming method
JP4613048B2 (en) Pressure gradient ion plating film deposition system
JP5319342B2 (en) Method for producing gas barrier film, gas barrier film for solar cell, and gas barrier film for display
JPH10130815A (en) Evaporated thin film forming equipment
JP2007100162A (en) Thin film deposition method, method for producing magnetic recording medium, and thin film deposition system
JP7574749B2 (en) Manufacturing method of processed plastic film
JP2000054132A (en) Cvd device
JP2015175024A (en) Thin film deposition apparatus
JPH0610117A (en) Thin film forming method, thin film forming apparatus, laser light irradiation apparatus, and bombarding apparatus
JP2009074154A (en) Deposition equipment
TW202016330A (en) Deposition apparatus and deposition method

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130814

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130814

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140602

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140708

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140805

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5595235

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees