JP5615022B2 - Mobile device - Google Patents
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Description
本発明は、例えば半導体ウェーハ等のワークに対して研削や切削等の加工を施す加工装置等、本体部と該本体部に対して可動する可動部を有する可動装置に関する。 The present invention relates to a movable device having a main body portion and a movable portion movable relative to the main body portion, such as a processing device that performs processing such as grinding or cutting on a workpiece such as a semiconductor wafer.
半導体デバイス製造工程においては、半導体からなる略円板状のウェーハの表面にICやLSI等による多数の電子回路を形成し、次いで該ウェーハの裏面を研削して所定の厚さに加工してから、電子回路が形成されたデバイス領域を分割予定ラインに沿って切断するダイシングを行って、1枚のウェーハから多数の半導体チップをデバイスとして得ている。 In the semiconductor device manufacturing process, a large number of electronic circuits such as IC and LSI are formed on the surface of a substantially disk-shaped wafer made of semiconductor, and then the back surface of the wafer is ground and processed to a predetermined thickness. In addition, dicing is performed to cut the device region in which the electronic circuit is formed along a predetermined division line, thereby obtaining a large number of semiconductor chips as devices from one wafer.
ウェーハをダイシングする装置としては、切削ブレードをワークに切り込ませて切断する切削装置が知られている。該切削装置は、ワークを負圧で吸着、保持して加工面を露出させるチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたワークを切削加工する上記切削ブレードを有する切削機構とを具備している(例えば特許文献1)。このような切削装置においては、ミクロンオーダーといった高精度の加工位置の位置決めが要求されることから、ワークが保持されるチャックテーブルに対する切削ブレードの位置を計測するためのスケールが、切削ブレードの複数の動作軸に沿って取り付けられている(特許文献2参照)。 As an apparatus for dicing a wafer, a cutting apparatus that cuts a cutting blade into a work is known. The cutting apparatus includes a chuck table that adsorbs and holds a workpiece with a negative pressure to expose a machining surface, and a cutting mechanism that includes the cutting blade that cuts the workpiece held on the chuck table ( For example, Patent Document 1). In such a cutting apparatus, since a high-precision machining position such as a micron order is required, a scale for measuring the position of the cutting blade relative to the chuck table on which the workpiece is held has a plurality of cutting blades. It is attached along the operation axis (see Patent Document 2).
しかして、切削ブレードでワークを切削加工する際には、潤滑や冷却などを目的として切削水が加工点に供給される。その切削水には、切削加工で生じるコンタミと呼ばれる細かい加工屑が混じっており、高速回転する切削ブレードがその切削水に接触するとミストとなって装置内に舞い上がる。そして加工屑を含んだミストが多く発生して装置内に充満すると、上記スケールにそのミストが付着して汚染し、スケールの位置情報(目盛り)を読み取り手段が正確に読み取ることができなくなる不具合が生じる。このため、スケールの清掃を頻繁に行う必要があった。 Thus, when cutting a workpiece with a cutting blade, cutting water is supplied to the processing point for the purpose of lubrication and cooling. The cutting water is mixed with fine machining scraps called “contamination” generated in the cutting process, and when the cutting blade rotating at high speed comes into contact with the cutting water, the mist rises into the apparatus. When a large amount of mist containing processing waste is generated and filled in the device, the mist adheres to the scale and becomes contaminated, and the scale position information (scale) cannot be read accurately by the reading means. Arise. For this reason, it was necessary to frequently clean the scale.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その主な技術的課題は、従来よりも清掃の頻度を下げてもスケールを正確に読み取ることができる可動装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and a main technical problem thereof is to provide a movable device that can accurately read a scale even if the frequency of cleaning is lower than that in the past.
本発明の可動装置は、本体部と該本体部に対して可動する可動部と、該可動部の可動方向に沿って、前記本体部に配設されたスケールと、前記可動部に配設された前記スケールの値を読み取る読み取り手段とを有する可動装置であって、前記可動部に前記スケールを拭いて清掃する拭清掃手段が配設され、該拭清掃手段は、前記可動部に取り付けられたホルダ部と、該ホルダ部に、ばねによって前記スケール側に付勢されることで前記スケールに弾性的に当接するように装着された拭き部材と、を備え、前記可動部が該本体部に対して可動した際に前記拭清掃手段の前記拭き部材が前記スケールを拭いて清掃することを特徴としている。 The movable device of the present invention is provided with a main body, a movable part movable with respect to the main body, a scale disposed in the main body along the movable direction of the movable part, and the movable part. A movable unit having a reading unit for reading the value of the scale, wherein the movable unit is provided with a wiping cleaning unit for wiping and cleaning the scale, and the wiping cleaning unit is attached to the movable unit. and the holder portion, to the holder portion, and a loaded wiping member so as resiliently abuts on the scale Rukoto biased to the scale side by the spring, the movable portion relative to the body portion The wiping member of the wiping and cleaning means wipes and cleans the scale when moved.
本発明によれば、可動部が本体部に対して可動した際に拭清掃手段によってスケールが清掃されるのでスケールは清浄な状態に保たれやすくなり、したがってスケールを清掃する頻度を下げてもスケールの位置情報を正確に読み取ることができる。 According to the present invention, since the scale is cleaned by the wiping cleaning means when the movable part moves relative to the main body, the scale is easily maintained in a clean state. Therefore, even if the frequency of cleaning the scale is lowered, the scale Position information can be read accurately.
本発明は、半導体ウェーハ等の板状ワークを加工する装置に好適に適用される。そのような加工装置としては、上記の切削装置や、研削装置、研磨装置、レーザ光線を照射して溶断等の加工を施すレーザ加工装置等が挙げられる。 The present invention is suitably applied to an apparatus for processing a plate workpiece such as a semiconductor wafer. Examples of such a processing apparatus include the cutting apparatus, a grinding apparatus, a polishing apparatus, and a laser processing apparatus that performs processing such as fusing by irradiating a laser beam.
そしてこれら加工装置でのワークは特に限定はされないが、例えば切削装置で加工するワークとして、シリコンやガリウムヒ素(GaAs)等からなる半導体ウェーハ、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるDAF(Die Attach Film)等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイア(Al2O3)系の無機材料基板、液晶表示装置を制御駆動するLCDドライバ等の各種電子部品、ミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料等が挙げられる。 The workpieces in these processing apparatuses are not particularly limited. For example, as a workpiece to be processed by a cutting apparatus, a semiconductor wafer made of silicon, gallium arsenide (GaAs), or the like, a DAF (Die Attach) provided on the back surface of the wafer for chip mounting. Adhesive materials such as film), semiconductor product packages, ceramics, glass, sapphire (Al 2 O 3 ) -based inorganic material substrates, various electronic components such as LCD drivers for controlling and driving liquid crystal display devices, micron-order processing position accuracy Various processing materials and the like that are required.
また、例えば研削装置で加工するワークとして、シリコンやガリウムヒ素(GaAs)等からなる半導体ウェーハ、セラミック、ガラス、サファイア(Al2O3)系の無機材料基板、板状金属や樹脂の延性材料、ミクロンオーダーからサブミクロンオーダーの平坦度(TTV:total thickness variation−ワークの被研削面を基準として厚さ方向に測定した高さのワークの被研削面全面における最大値と最小値の差)が要求される各種加工材料等が挙げられる。 For example, as a workpiece to be processed by a grinding apparatus, a semiconductor wafer made of silicon or gallium arsenide (GaAs), ceramic, glass, a sapphire (Al 2 O 3 ) -based inorganic material substrate, a plate-like metal or a resin ductile material, Requires flatness on the order of micron to submicron (TTV: total thickness variation-the difference between the maximum value and the minimum value of the entire surface to be ground of the workpiece measured in the thickness direction based on the surface to be ground of the workpiece) And various processed materials.
本発明によれば、スケールを清掃する頻度を下げてもスケールの位置情報を正確に読み取ることができる可動装置を提供することができるといった効果を奏する。 According to the present invention, there is an effect that it is possible to provide a movable device that can accurately read the position information of the scale even if the frequency of cleaning the scale is lowered.
以下、半導体ウェーハをダイシングする切削装置に本発明を適用した一実施形態を説明する。 Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to a cutting apparatus for dicing a semiconductor wafer will be described.
(1)半導体ウェーハ
はじめに、図1に示す一実施形態でのワークである円板状の半導体ウェーハ(以下、ウェーハ)1を説明する。ウェーハ1は、厚さが例えば100μm程度のシリコンウェーハであり、表面には格子状の分割予定ライン2によって区画された多数の矩形状のデバイス領域3が形成されている。各デバイス領域3の表面には、図示せぬICやLSI等の電子回路が形成されている。ウェーハ1の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示す直線状の切欠き(オリエンテーション・フラット)4が形成されている。
(1) Semiconductor Wafer First, a disk-shaped semiconductor wafer (hereinafter referred to as wafer) 1 which is a workpiece in one embodiment shown in FIG. 1 will be described. The wafer 1 is a silicon wafer having a thickness of, for example, about 100 μm, and a large number of rectangular device regions 3 partitioned by grid-like division planned lines 2 are formed on the surface. On the surface of each device region 3, an electronic circuit such as an IC or LSI (not shown) is formed. A linear notch (orientation flat) 4 indicating the crystal orientation of the semiconductor is formed at a predetermined location on the peripheral surface of the wafer 1.
ウェーハ1は裏面研削がなされて所定厚さに薄化加工されており、図2に示す切削装置(可動装置)10により分割予定ライン2に沿って切断、分割され、デバイス領域3がデバイス(半導体チップ)として個片化されるダイシングが行われる。 The wafer 1 is subjected to back grinding and thinned to a predetermined thickness, and is cut and divided along a division line 2 by a cutting apparatus (movable apparatus) 10 shown in FIG. Dicing is performed as individual chips.
ウェーハ1は、図1に示すように、環状のフレーム5の内側の開口部5aに粘着テープ6を介して同心状に一体に支持された状態で、切削装置10に供給される。粘着テープ6は片面が粘着面とされたもので、その粘着面に、フレーム5と、ウェーハ1の裏面が貼り付けられる。フレーム5は、金属等の板材からなる剛性を有するものであり、フレーム5を支持することにより、ウェーハ1が搬送される。以下、フレーム5にウェーハ1が粘着テープ6を介して支持されたもの全体を、ワークユニット7と称する。
As shown in FIG. 1, the wafer 1 is supplied to the
(2)切削装置
続いて、図2に示す切削装置10について説明する。この切削装置10は、一対の切削手段(第1切削手段40Aと第2切削手段40B)を互いに対向配置した2軸対向型であり、チャックテーブル32に保持されたワークユニット7のウェーハ1が、各切削手段40A,40Bによりダイシングされる。切削に関する動作は、制御手段80によって自動制御される。
(2) Cutting Device Next, the
(2−1)切削装置の構成
図2の符合11は基台であり、この基台11の上面には、チャックテーブル32をX方向に移動可能に支持するX軸移動手段20が設けられている。X軸移動手段20は、基台11上に固定されたX方向に延びる一対のX軸リニアガイド21と、これらX軸リニアガイド21に摺動可能に組み込まれたX軸可動ベース部22と、X軸リニアガイド21間に回転自在に配設され、X軸可動ベース部22に螺合して連結されたX方向に延びるボールねじ23と、ボールねじ23を回転させるモータからなる駆動部24とから構成されている。このX軸移動手段20によると、駆動部24が作動するとボールねじ23が正逆いずれかの方向に回転し、X軸可動ベース部22がボールねじ23の回転方向に応じた方向(X1方向またはX2方向)にX軸リニアガイド21上を移動するようになされている。
(2-1) Configuration of Cutting
X軸可動ベース部22の上面には、保持手段30が設けられている。保持手段30は、X軸可動ベース部22に固定された円筒状のテーブル台31と、テーブル台31上に回転可能に支持された円板状のチャックテーブル32とから構成されている。チャックテーブル32は、空気を吸引して生じる負圧作用により、水平な上面の保持面32aに載置されるワーク(この場合、ウェーハ1)を吸引保持する一般周知の真空チャック式のものである。保持面32aはウェーハ1と同等の直径を有しており、ウェーハ1は、保持面32aに粘着テープ6を介して同心状に載置されて吸着、保持される。
A
チャックテーブル32には、ワークユニット7のフレーム5を保持する複数のクランプ35が配設されている。チャックテーブル32は、テーブル台31の内部に設けられている図示せぬ回転駆動機構によって一方向、または両方向に回転させられる。そして保持手段30は、X軸移動手段20により、X方向の手前側(X1側)の搬入出位置と、奥側(X2側)の加工位置との間を往復移動させられる。
The chuck table 32 is provided with a plurality of
図2において基台11上のX2側には、加工位置をまたぐ門型コラム12が固定されている。門型コラム12は、加工位置の両側にY方向に並んで立設された一対の脚部12aと、これら脚部12aの上端部間に水平に架け渡された梁部(本体部)12bとを有している。そして、梁部12bの前面(X1側の面)のY1側に、第1切削手段40Aが第1Y軸移動手段50Aおよび第1Z軸移動手段60Aを介してY方向およびZ方向に移動可能に設けられ、梁部12bの前面のY2側に、第2切削手段40Bが第2Y軸移動手段50Bおよび第2Z軸移動手段60Bを介してY方向およびZ方向に移動可能に設けられている。
In FIG. 2, a gate-
第1Y軸移動手段50Aと第2Y軸移動手段50Bは同一の構成であって、梁部12bに固定された上下一対のY方向に延びるY軸リニアガイド51を共通構成要素としており、このY軸リニアガイド51と、Y軸リニアガイド51に摺動可能に組み込まれたY軸可動ベース部(可動部)52と、Y軸リニアガイド51間に回転自在に配設されたY方向に延びるボールねじ53と、ボールねじ53を回転させるモータからなる駆動部54(図2では第2Y軸移動手段50B側のものは不図示、図4参照)とから構成されている。ボールねじ53は、第1Y軸移動手段50A側のものと第2Y軸移動手段50B側のものが1本ずつ具備されており、一方のボールねじ53は第1Y軸移動手段50AのY軸可動ベース部に螺合して連結され、他方のボールねじ53は第2Y軸移動手段50BのY軸可動ベース部52に螺合して連結されている。
The first Y-
第1Y軸移動手段50Aおよび第2Y軸移動手段50BにおけるY軸可動ベース部52の前面に、第1Z軸移動手段60Aおよび第2Z軸移動手段60Bがそれぞれ設けられている。第1Z軸移動手段60Aと第2Z軸移動手段60Bは同一の構成であって、Y軸可動ベース部52に固定されたY方向に離間する一対のZ軸リニアガイド61と、これらZ軸リニアガイド61に摺動可能に組み込まれたZ軸可動ベース部62と、Z軸リニアガイド61間に回転自在に配設され、Z軸可動ベース部62に螺合して連結されたZ方向(鉛直方向)に延びるボールねじ63と、ボールねじ63を回転させるモータからなる駆動部64とから構成されている。
A first Z-
第1Z軸移動手段60AのZ軸可動ベース部62の下端部に、第1切削手段40Aが固定されており、第2Z軸移動手段60BのZ軸可動ベース部62の下端部に、第2切削手段40Bが固定されている。第1切削手段40Aと第2切削手段40Bは同一の構成であって、直方体状のスピンドルハウジング41の先端に切削ブレード43が設けられた構成である。スピンドルハウジング41内には、スピンドルシャフトおよびスピンドルシャフトを回転駆動するモータが収容されており(いずれも不図示)、スピンドルハウジング41の先端開口から突出するスピンドルシャフトの先端に、円板状の切削ブレード43が取り付けられている。
The first cutting means 40A is fixed to the lower end of the Z-axis
これら切削手段40A,40Bは、上記スピンドルシャフトがY方向と平行、かつ互いに同軸的で、切削ブレード43が取り付けられた先端どうしが向かい合う状態に、スピンドルハウジング41が第1Z軸移動手段60Aおよび第2Z軸移動手段60Bにおける各Z軸可動ベース部62の下端部にそれぞれ固定されている。スピンドルハウジング41の先端にはブレードカバー44が取り付けられている。このブレードカバー44は、切削ブレード43がウェーハ1に切り込む加工点に切削水を供給する切削水供給ノズル(不図示)を備えている。切削水は潤滑や冷却などの他、切削屑を加工点から流動させる洗浄を目的として供給される。切削水は回転する切削ブレード43によって跳ね上げられるが、その切削水は、ブレードカバー44によって周囲へ飛散することが抑えられるようになっている。
In these cutting means 40A and 40B, the
第1Y軸移動手段50Aおよび第2Y軸移動手段50Bによると、それぞれの駆動部54が作動するとボールねじ53が正逆いずれかの方向に回転し、Y軸可動ベース部52がボールねじ53の回転方向に応じた方向(Y1方向またはY2方向)にY軸リニアガイド51に沿って移動する。これにより、第1切削手段40Aおよび第2切削手段40Bが、互いに接近したり離間したりするようにY方向に沿って移動する。
According to the first Y-
また、第1Z軸移動手段60Aおよび第2Z軸移動手段60Bによると、それぞれの駆動部64が作動するとボールねじ63が正逆いずれかの方向に回転し、Z軸可動ベース部62がボールねじ53の回転方向に応じた方向(上方:Z1方向または下方:Z2方向)にZ軸リニアガイド61に沿って昇降する。これにより、第1切削手段40Aおよび第2切削手段40Bが、それぞれZ方向に沿って昇降する。
Further, according to the first Z-axis moving means 60A and the second Z-axis moving means 60B, when the
スピンドルハウジング41の前面(X1側の面)であってブレードカバー44に近接する位置には、チャックテーブル32に保持されたウェーハ1の分割予定ライン2を撮像する撮像手段49が固定されている。撮像手段49で撮像された撮像は制御手段80に供給され、制御手段80では、撮像手段49で撮像された撮像に基づいて切断すべき分割予定ラインを位置決めするアライメントが行われる。
An imaging means 49 for imaging the division line 2 of the wafer 1 held on the chuck table 32 is fixed at a position near the
図2に示すように、切削装置10は、保持手段30が支持されているX軸可動ベース部22のX方向の位置ならびに移動量を検出するX方向移動量検出手段71と、第1および第2Y軸移動手段50A,50Bの各Y軸可動ベース部52のY方向の位置ならびに移動量を検出するY方向移動量検出手段72と、第1および第2Z軸移動手段60A,60Bの各Z軸可動ベース部62のZ方向の位置ならびに移動量を検出するZ方向移動量検出手段73とを備えている。
As shown in FIG. 2, the cutting
これら各方向の移動量検出手段71,72,73は、図3に示すように、各可動ベース部22(52,62)の裏面に対向して固定され、各可動ベース部22(52,62)の移動方向(図3で図面表裏方向)に沿って延びるスケール74と、各可動ベース部22(52,62)の裏面に固定され、スケール74の表面に表示されている位置情報(目盛り)を読み取る読み取り手段75とを備えた構成である。
As shown in FIG. 3, these movement amount detection means 71, 72, 73 in each direction are fixed to be opposed to the back surface of each movable base portion 22 (52, 62), and each movable base portion 22 (52, 62). ) Of the
移動量検出手段71〜73としては、例えば、スケール74に形成された目盛りの反射光を読み取り手段75が読み取る光学式が好適である。この他には、スケール74が長手方向に変化する磁気信号を保持するものであり、読み取り手段75はその磁気信号を読み取って位置情報に変換するといった磁気式の検出手段も適用可能である。具体的には、例えばハイデンハイン社製:LIP471等のリニアスケールを用いることができる。
As the movement amount detection means 71 to 73, for example, an optical type in which the reading means 75 reads the reflected light of the scale formed on the
図2に示すように、X方向移動量検出手段71のスケール74は、基台11の上面であって一方(Y1側)のX軸リニアガイド21の側方に固定されており、該X軸リニアガイド21に沿って延びている。そして、X軸移動手段20のX軸可動ベース部22の裏面に、スケール74の位置情報を読み取る図3で示した読み取り手段75が固定されている。
As shown in FIG. 2, the
また、Y方向移動量検出手段72のスケール74は、門型コラム12の梁部12bの前面における上側のY軸リニアガイド51の上部に固定されており、該Y軸リニアガイド51に沿って延びている。そして、第1および第2Y軸移動手段50A,50Bの各Y軸可動ベース部52の裏面に、スケール74の位置情報を読み取る図3で示した読み取り手段75が固定されている。Y方向移動量検出手段72の読み取り手段75は、図4に示すようにY軸可動ベース部52の外側寄り(第1Y軸移動手段50AではY1側寄り、第2Y軸移動手段50BではY2側寄り)に配設されている。
The
また、図2に示すように、Z方向移動量検出手段73のスケール74は、第1および第2Y軸移動手段50A,50Bの各Y軸可動ベース部52の前面における一方(Y1側)のZ軸リニアガイド61の側方に固定されており、該Z軸リニアガイド61に沿って延びている。そして、第1および第2Z軸移動手段60A,60Bの各Z軸可動ベース部62の裏面に、スケール74の位置情報を読み取る図3で示した読み取り手段75が固定されている。
Further, as shown in FIG. 2, the
上記各方向の移動量検出手段71〜73で読み取られた位置情報は、制御手段80に供給される。すなわち、制御手段80には、X軸可動ベース部22の位置および移動量が保持手段30に保持されたウェーハ1に対する切削ブレード43のX方向の相対的な位置および移動量として供給され、また、Y軸可動ベース部52の位置および移動量が切削ブレード43のY方向の位置および移動量として供給され、また、Z軸可動ベース部62の位置および移動量が切削ブレード43のZ方向の位置および移動量として供給される。そして制御手段80は、供給されるこれらの位置情報に基づき、ウェーハ1に対する切削動作を制御する。
The position information read by the movement amount detection means 71 to 73 in each direction is supplied to the control means 80. That is, the position and amount of movement of the X-axis
(2−2)拭清掃手段
本実施形態では、図4に示すように、Y方向移動量検出手段72のスケール74を拭いて清掃する拭清掃手段100が、第1および第2Y軸移動手段50A,50Bの各Y軸可動ベース部52の読み取り手段75よりも外側に、それぞれ着脱可能に取り付けられている。
(2-2) Wiping Cleaning Means In this embodiment, as shown in FIG. 4, the wiping cleaning means 100 that wipes and cleans the
図5〜図8は、第1Y軸移動手段50A側のY軸可動ベース部52に取り付けられる拭清掃手段100を示している。なお、第2Y軸移動手段50B側のY軸可動ベース部52に取り付けられる拭清掃手段100も左右対称の同一構成であり、Y軸可動ベース部52に対して同様の要領で取り付けられる。
5-8 has shown the wiping cleaning means 100 attached to the Y-axis
拭清掃手段100は、Y軸可動ベース部52の図2でY1側の端部の、側面52aから裏面52bにわたる角部に着脱可能に取り付けられるブロック部110と、ブロック部110に取り付けられるホルダ部120と、ホルダ部120に取り外し可能に装着される拭き部材130とから構成されている。
The wiping and cleaning means 100 includes a
ブロック部110はY軸可動ベース部52に取り付けられた状態でスケール74との間に隙間を空けてスケール74と平行に対向する対向面111と、対向面111に連なる外側および内側の側面112,113と、側面112,113間の前側の前面114と、上面115および下面116を有している。対向面111、各側面112,113および前面114はいずれも鉛直面であるが、前面114は、外側すなわち図2でY1側に向かうにしたがって後退する斜面に形成されている。上面115および下面116は水平であり、これら上下の面115,116には、斜面と平行で、側面112,113に開放する溝115a,116aが形成されている。ブロック部110の外側の側面112には前方(図2でX1方向)に延びる固定片部117が形成されている。この固定片部117には、ボルト挿通孔117aが形成されている。Y軸可動ベース部52の側面52aには、ボルト挿通孔117aに対応してボルト105がねじ込まれるねじ孔52cが形成されている。
The
Y軸可動ベース部52の上記角部における上側のY軸リニアガイド51の上方には、ブロック部110が摺動可能に嵌合する切欠き200が形成されている。この切欠き200はブロック部110の固定片部117を除いた外形と概ね同じ形状を有しており、上下の内面201,202と、ブロック部110の前面114に沿っておりY軸可動ベース部52の側面52aに連なる内面203と、ブロック部110の内側の側面113に沿っておりY軸可動ベース部52の裏面52bに連なる内面204とに囲繞されて形成されている。この切欠き200の上下の内面201,202には、ブロック部110の溝115a,116aが摺動可能に嵌合するガイド201a,202aが形成されている。
A
図5および図6に示すように、拭清掃手段100のホルダ部120には鍔部121が形成されており、この鍔部121が、ブロック部110の対向面111に形成された嵌入凹所118に、前後方向(図2でX方向)に移動可能に嵌入されて支持されている。ホルダ部120はスケール74への対向面122を有し、この対向面122の上下には、拭き部材130を取り外し可能に保持するクリップ123が形成されている。拭き部材130はクリップ123に挟み込まれ、ホルダ部120の対向面122を覆った状態に装着される。ホルダ部120と鍔部121との間には、ホルダ部120を常にスケール74側に付勢する圧縮ばね124が設けられている。
As shown in FIGS. 5 and 6, the
拭き部材130はスケール74の表面に接触し、スケール74を拭いて清掃するものである。拭き部材130はスケール74を清掃することができるものであれば材質等は限定されず、例えば、Tiffen社製のLens Cleaning Tissueなどが用いられる。
The wiping
上記拭清掃手段100は、図8に示すように、Y軸可動ベース部52の側方において拭き部材130をスケール74側(図2でX2側)に向け、かつ、溝115a,116aをガイド201a,202aにそれぞれ沿った状態としてから、溝115a,116aをガイド201a,202aにそれぞれ嵌合して切欠き200に嵌め込んでいくと、溝115a,116aがガイド201a,202aに案内されてしだいにスケール74に接近し、やがて拭き部材130がスケール74の表面に当接する。そしてブロック部110の内側の側面113が内面204に当接したらボルト挿通孔117aがねじ孔52cに一致するので、ボルト挿通孔117aに通したボルト105をねじ孔52cにねじ込んでブロック部110をY軸可動ベース部52に締結する。以上で拭清掃手段100はY軸可動ベース部52に取り付けられ、この取り付け状態で拭き部材130は圧縮ばね124に付勢されてスケール74の表面に弾性的に当接する。
As shown in FIG. 8, the wiping and cleaning means 100 has the wiping
上記拭清掃手段100は、第2Y軸移動手段50B側のY軸可動ベース部52の図2でY2側の端部にも同様にして取り付けられる。すなわち拭清掃手段100は第1および第2Y軸移動手段50A,50Bの各Y軸可動ベース部52における外側の端部に、左右対称の状態で取り付けられる。
The wiping and cleaning means 100 is similarly attached to the end portion on the Y2 side in FIG. 2 of the Y-axis
これら拭清掃手段100によれば、各Y軸可動ベース部52がY軸リニアガイド51に沿ってY方向に移動すると、拭き部材130がスケール74の表面を拭き、スケール74が清掃される。
According to these wiping and cleaning means 100, when each Y-axis
(2−3)切削装置の動作
次いで、制御手段80で制御される切削装置10の動作を説明する。
はじめに、X軸移動手段20のX軸可動ベース部22が図2でX1方向に移動して保持手段30が搬入出位置に位置付けられ、チャックテーブル32が真空運転される。そして保持手段30上に、オペレータによって、ウェーハ1を上側に配し、かつ粘着テープ6を下側に配したワークユニット7を運搬し、チャックテーブル32に粘着テープ6を介してウェーハ1を同心状に載置する。すると、ウェーハ1は粘着テープ6を介してチャックテーブル32の保持面32aに吸着、保持される。また、クランプ35によってフレーム5を保持し、保持手段30でワークユニット7が保持された状態とする。
(2-3) Operation of Cutting Device Next, the operation of the cutting
First, the X-axis
次に、X軸可動ベース部22が図2においてX2方向に移動してウェーハ1が保持手段30ごと加工位置に搬送される。そしてこの加工位置において、まず撮像手段49でウェーハ1の表面が撮像されて分割予定ライン2の位置が制御手段80で把握されるとともにアライメントがなされる。この後、アライメントにしたがって第1および第2切削手段40A,40Bにより分割予定ライン2が切断される。切断の際には、上記切削水供給ノズルから加工点に向けて切削水が供給される。
Next, the X-axis
分割予定ライン2の切断は、チャックテーブル32を回転させてウェーハ1を自転させることにより分割予定ライン2をX方向と平行にし、X軸可動ベース部22とともにチャックテーブル32をX方向に移動させながら、切削ブレード43の下端の刃先をウェーハ1に切り込ませる加工送りをすることによってなされる。また、切断する分割予定ライン2の選択は、第1および第2切削手段40A,40BをY方向に移動させる割り出し送りによってなされる。
Cutting the scheduled division line 2 is performed by rotating the chuck table 32 to rotate the wafer 1 so that the planned division line 2 is parallel to the X direction, and the chuck table 32 is moved in the X direction together with the X-axis
制御手段80は、X方向移動量検出手段71から供給される位置情報(X軸移動手段20のX軸可動ベース部22、すなわちウェーハ1に対する切削ブレード43の相対的なX方向位置情報)と、Y方向移動量検出手段72から供給される位置情報(第1および第2切削手段40A,40BのY軸可動ベース部52、すなわち切削ブレード43のY方向位置情報)と、Z方向移動量検出手段73から供給される位置情報(第1および第2切削手段40A,40BのZ軸可動ベース部62、すなわち切削ブレード43のZ方向位置情報)とに基づき、アライメント通りに分割予定ライン2が切断されるように、各可動ベース部22,52,62を移動させるとともに、第1および第2切削手段40A,40Bによる切削を行う。
The control means 80 includes position information supplied from the X-direction movement amount detection means 71 (X-axis
全ての分割予定ライン2が切断されてウェーハ1が各デバイス領域3すなわちデバイス(半導体チップ)にダイシングされたら、切削ブレード43が上方に退避し、保持手段30が搬入/搬出位置に戻ってチャックテーブル32の真空運転が停止し、クランプ35によるフレーム5の保持が解除される。この後、ワークユニット7がオペレータによりチャックテーブル32から取り上げられ、ウェーハ1は次の工程(例えば洗浄工程)に移される。
When all the division lines 2 are cut and the wafer 1 is diced into each device region 3, that is, a device (semiconductor chip), the
(2−4)拭清掃手段の作用効果
切削ブレード43がウェーハ1に切り込んで切断等の切削加工がなされている間は、高速回転している切削ブレード43が、加工点に供給されている切削水に接触することによりミストが発生する。切削水には、切削加工で生じるコンタミと呼ばれる細かい加工屑が混じっているので、ミストは汚染した状態となっている。このミストは上方に舞い上がり、切削加工量が増すにつれてスケール74に付着する場合がある。そうなると、スケール74の位置情報を読み取り手段75が正確に読み取ることができなくなる。
(2-4) Effect of Wiping Cleaning Means While the
ところが本実施形態では、第1および第2切削手段40A,40BをY方向に移動させる割り出し送りの最中において、Y方向移動量検出手段72の読み取り手段75がスケール74の位置情報を読み取るが、それと同時に、各Y軸可動ベース部52に取り付けられた拭清掃手段100の拭き部材130がスケール74の表面を拭きながら移動し、これによってスケール74が清掃される。このため、切削加工を行うことにより、スケール74を清浄な状態に保ちやすい。その結果、スケール74を清掃する頻度を下げてもスケール74の位置情報を正確に読み取ることができるといった効果を得ることができる。清掃するにしたがって拭き部材130は汚れていき清掃効果が低下するが、その時には拭清掃手段100をY軸可動ベース部52から取り外し、新たな拭き部材130に付け替えて再びY軸可動ベース部52に取り付ければよい。
However, in the present embodiment, the reading means 75 of the Y-direction movement amount detection means 72 reads the position information of the
なお、拭清掃手段100によるスケール74の清掃は、切削加工中だけでなく、清掃のみを目的として切削加工の間に定期的に各Y軸可動ベース部52をY方向に移動させるスケール清掃モードを設定し、2つの拭清掃手段100によってスケール74を全長にわたり清掃するように制御してもよい。2つの拭清掃手段100bによりスケール74の全長を清掃するには、一方の拭清掃手段100で清掃できない領域を他方の拭清掃手段100で清掃するようにY軸可動ベース部52を適宜に移動させればよい。
The cleaning of the
また、上記実施形態では、拭清掃手段100を第1および第2Y軸移動手段50A,50Bの各Y軸可動ベース部52に取り付けてY方向移動量検出手段72のスケール74を清掃するものとしているが、X方向移動量検出手段71やZ方向移動量検出手段73のスケール74を清掃するように拭清掃手段100を設けてもよい。X方向移動量検出手段71のスケール74を清掃する場合には、拭清掃手段100はX軸可動ベース部22に取り付けられ、Z方向移動量検出手段73のスケール74を清掃する場合には、拭清掃手段100はZ軸可動ベース部62に取り付けられる。
Moreover, in the said embodiment, the wiping cleaning means 100 shall be attached to each Y-axis
図9は、X方向移動量検出手段71のスケール74を清掃するために拭清掃手段100をX軸可動ベース部22の裏面のスケール74に対向する箇所に取り付けた例を示している。この場合、拭清掃手段100はX軸可動ベース部22の移動方向の両端部に1つずつ配設されており、読み取り手段75は中間部に配設されている。拭清掃手段100を両端部に配設したことにより、スケール74を全長にわたっていずれかの拭清掃手段100で清掃することができるようになっている。
FIG. 9 shows an example in which the wiping cleaning means 100 is attached at a position facing the
なお、上記実施形態は本発明を切削装置に適用した例であり、本発明はこの種の切削装置の他に、例えば半導体ウェーハ等の板状ワークを加工する研削装置、研磨装置あるいはレーザ光線を照射して溶断等の加工を施すレーザ加工装置等に適用可能であることは前述の通りである。 In addition, the said embodiment is an example which applied this invention to the cutting device, and this invention is not only this kind of cutting device but a grinding device, a polishing device, or a laser beam which processes plate-shaped workpieces, such as a semiconductor wafer, for example. As described above, the present invention can be applied to a laser processing apparatus or the like that performs processing such as fusing by irradiation.
1…半導体ウェーハ(ワーク)
10…切削装置(可動装置)
12b…梁部(本体部)
52…Y軸各可動ベース部(可動部)
74…スケール
75…読み取り手段
100…拭清掃手段
1 ... Semiconductor wafer (work)
10 ... Cutting device (movable device)
12b ... Beam (main body)
52. Each Y-axis movable base (movable part)
74 ...
Claims (1)
該可動部の可動方向に沿って、前記本体部に配設されたスケールと、
前記可動部に配設された前記スケールの値を読み取る読み取り手段と、
を有する可動装置であって、
前記可動部に前記スケールを拭いて清掃する拭清掃手段が配設され、
該拭清掃手段は、前記可動部に取り付けられたホルダ部と、該ホルダ部に、ばねによって前記スケール側に付勢されることで前記スケールに弾性的に当接するように装着された拭き部材と、を備え、
前記可動部が該本体部に対して可動した際に前記拭清掃手段の前記拭き部材が前記スケールを拭いて清掃することを特徴とする可動装置。 A main body part and a movable part movable relative to the main body part;
A scale disposed in the main body along the movable direction of the movable part,
Reading means for reading the value of the scale disposed in the movable part;
A movable device comprising:
Wipe cleaning means for wiping and cleaning the scale on the movable part is disposed,
該拭cleaning means, a holder portion attached to the movable part, to the holder portion, and the loaded wiping member so as resiliently abuts on the scale Rukoto biased to the scale side by the spring With
The movable device characterized in that the wiping member of the wiping cleaning means wipes and cleans the scale when the movable portion moves relative to the main body portion.
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