JP5633838B2 - 半導体基板の処理方法および半導体装置の製造方法。 - Google Patents
半導体基板の処理方法および半導体装置の製造方法。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5633838B2 JP5633838B2 JP2009077985A JP2009077985A JP5633838B2 JP 5633838 B2 JP5633838 B2 JP 5633838B2 JP 2009077985 A JP2009077985 A JP 2009077985A JP 2009077985 A JP2009077985 A JP 2009077985A JP 5633838 B2 JP5633838 B2 JP 5633838B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cyan
- ppm
- semiconductor substrate
- solution
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 28
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 19
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims description 3
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 32
- LELOWRISYMNNSU-UHFFFAOYSA-N hydrogen cyanide Chemical compound N#C LELOWRISYMNNSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
本発明は、半導体等の基板表面の金属等による汚染を除去することの可能なシアン（ＣＮ）含有洗浄液を用いる半導体基板の処理方法および半導体装置の製造方法に関するものである。
半導体等の基板表面の金属等による汚染を除去することの可能なシアン（ＣＮ）含有洗浄液としては、すでにシアン化水素（ＨＣＮ）を純水または超純水，アルコール系溶媒およびケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、エーテル系溶媒、脂肪族アルカン系溶媒、またはこれらの混合溶媒に溶解し、さらに所定濃度に希釈するとともに、アンモニア水溶液等で、溶液中の水素イオン濃度指数、いわゆるｐＨ値を５〜１２、好ましくはｐＨ６〜９の範囲に調整して用いることで、半導体等の基板表面の銅（Ｃｕ）等の汚染金属の除去作用を顕著に向上することがわかっている（特許文献１）。
また、本発明者は、環境負荷を軽減するために、洗浄液中のシアン化水素（ＨＣＮ）を０．１ｍＭ（ミリモル）、すなわち約２．７ｐｐｍまで希薄して，ｐＨ１０，２５℃の室温により、洗浄前のＣｕの表面濃度１０１３〜１０１４原子／ｃｍ２から洗浄後のＣｕの表面濃度を全反射蛍光Ｘ線分析装置による銅の検出限界（〜３×１０９原子／ｃｍ２）以下にまで除去できることを示した（たとえば、非特許文献１）。
2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会講の演予稿集，No.2，第692頁、3a-CD-4 極低濃度欠陥消滅型半導体洗浄液によるSiO2表面上の汚染Cuの除去（著者：東裕子、高橋昌男、岩佐仁雄、小林光）
本発明は、シアン（ＣＮ）濃度の環境基準値に適合する，極低濃度のシアン（ＣＮ）含有溶液による半導体基板の処理方法および半導体装置の製造方法を提供するものである。
本発明は、シアン（ＣＮ）含有量が１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満であるシアン含有溶液を加熱して、少なくとも３０〜４０℃の温度において、半導体基板を洗浄処理する半導体基板の処理方法であり、これにより、実用的短時間に半導体等の基板表面の金属等による汚染を除去することが可能である。
本発明は、前記洗浄処理過程の溶液が１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満であるシアン含有溶液で、水素イオン濃度指数（ｐＨ）９〜１４に調整され、溶液温度が少なくとも３０〜４０℃の温度であることにより、数分〜１０分程度の実用的短時間処理で、半導体等の基板表面の金属等による汚染を除去することが可能である。
また、本発明は、シアン（ＣＮ）含有量が１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満、少なくとも１０ｐｐｍ〜１ｐｐｍであるシアン含有溶液を加熱して、少なくとも３０〜４０℃の温度において、半導体基板を洗浄処理する工程をそなえた半導体装置の製造方法であり、これにより、実用的短時間の処理で、半導体等の基板表面の金属等による汚染を除去することが可能である。
さらに、前記半導体装置の製造方法における洗浄処理過程の溶液が、シアン（ＣＮ）含有量が１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満であるシアン含有溶液で、水素イオン濃度指数（ｐＨ）９〜１４に調整され、溶液温度が少なくとも３０〜４０℃の温度であることにより、数分〜１０分程度の実用的短時間処理で、半導体等の基板表面の金属等による汚染を除去することが可能である。
なお、本発明で用いるシアン（ＣＮ）含有溶液は、シアン化水素（ＨＣＮ）を純水または超純水，アルコール系溶媒およびケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、エーテル系溶媒、脂肪族アルカン系溶媒、またはこれらの混合溶媒から選ばれる少なくとも１つの溶媒に溶解し、さらに所定濃度に希釈するとともに、アンモニア水溶液等で、溶液中の水素イオン濃度指数、いわゆるｐＨ値を９〜１４、好ましくはｐＨ６〜１１の範囲に調整して用いることが好適である。
本発明によると、半導体ウェーハを用いて半導体装置や電子デバイスを製造する過程における，前記半導体ウェーハの銅等の金属汚染を除去すること並びに同半導体ウェーハ表面の，ダングリングボンド等に起因する表面準位をも低減することに、顕著な効果を発揮することができる。
また、本発明によると、シアン（ＣＮ）含有量が１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満、少なくとも１０ｐｐｍ〜１ｐｐｍであるシアン含有溶液で、水素イオン濃度指数（ｐＨ）９〜１４のシアン含有溶液を加熱して、溶液温度が少なくとも３０〜４０℃の温度において、半導体基板を洗浄処理することで、例えば、表面銅濃度１０１２〜１０１３原子／ｃｍ２であったものが、１０９原子／ｃｍ２オーダーにまで銅が除去されることが明らかになり、高い洗浄効果を達成できるとともに、洗浄処理後の溶液中のシアン（ＣＮ）含有量が少量であることから、その溶液をたとえばイオン交換樹脂等への吸着処理等の手段で処理して、シアン（ＣＮ）濃度の環境基準値に適合させることが十分に可能であり、廃液処理負担が軽減される。
熱酸化膜形成のＳｉウェーハを、塩化第２銅（ＣｕＣｌ２）水溶液に浸漬して故意に表面銅濃度１０１２〜１０１３原子／ｃｍ２の銅で汚染し、ついで、この汚染ウェーハをシアン（ＣＮ）濃度が１ｐｐｍ，ｐＨ１０のＨＣＮ水溶液（洗浄液）による浸漬洗浄を行った。
洗浄液の調製で、ｐＨを安定にするには、アンモニア、コリン、ＴＭＡＨ、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等を含む溶液の混入により、洗浄液自体のｐＨ値を所望の値に調整することが望ましい。
図1は、上記の銅汚染されたウェーハを、ｐＨ１０，シアン（ＣＮ）濃度１ｐｐｍのＨＣＮ水溶液に浸漬した際の，溶液温度が２５℃、３５℃のそれぞれの場合の浸漬（洗浄処理）時間に対する表面銅濃度の減少度合を示す特性図である。この結果から、溶液温度が２５℃、３５℃において、反応過程（過程１、過程２）で表される異なる現象が存在すること、とりわけ、除去速度の温度依存性は、反応過程１ではほとんど認められない（小さい）が、反応過程２では顕著に大きいこと、そして、溶液温度を室温より僅か１０℃高くすることで、温度依存性の大きい反応過程２が有効に働き、銅汚染がほぼ完全に除去できることがわかった。
本実施例から、１ｐｐｍ，ｐＨ１０の極低濃度のＨＣＮ水溶液（洗浄液）により、溶液を加熱して、温度を室温より少し高温の３５℃にすることで、洗浄前のウェーハの表面銅濃度１０１２〜１０１３原子／ｃｍ２に汚染されていたものが、浸漬洗浄後には、全反射蛍光Ｘ線分析装置による銅の検出限界（〜３×１０９原子／ｃｍ２）以下にまで銅が除去されることを確認できた。
ＨＣＮ水溶液を用いることで、シアン化物イオン（ＣＮ−）がＳｉＯ２表面上の銅と反応して［Ｃｕ（ＣＮ）２］−を形成して汚染銅が除去される。［Ｃｕ（ＣＮ）２］−はＨＣＮ水溶液中のＣＮ−イオンと反応し、ｐＨ１０では［Ｃｕ（ＣＮ）４］３−として安定に存在する。ＣＮ−イオンの錯イオン形成能は極めて大きく、極低濃度のＨＣＮ水溶液であっても、ＣＮ−イオンが有効に反応して汚染銅の除去が可能である。
洗浄液の温度を５０℃より過大に上昇させると、同溶液中シアン（ＣＮ）の揮発（蒸発）が起こり、洗浄効果を減じることになるが、経験によると、シアン（ＣＮ）濃度１ｐｐｍオーダーの極低濃度でｐＨ９〜１２に調整したことにより、溶液温度を５０℃以下、好ましくは３０℃〜４０℃の範囲の適温に維持することで、図1で明示の，温度依存性の大きい反応過程２の作用を有効に利用することができ、シアン（ＣＮ）の蒸発を抑制して、かかる溶液での汚染金属の除去という洗浄効果を十分に得ることが可能である。
本発明は、半導体ウェーハを用いて半導体装置や電子デバイスを製造する過程における，前記半導体ウェーハの銅等の金属汚染を除去すること並びに同半導体ウェーハ表面の，ダングリングボンド等に起因する表面準位をも低減することに、顕著な効果を発揮するので、半導体装置や電子デバイスを製造する過程において、その前，中，後のいずれかに、本発明による洗浄処理を施すことが有効であり、直接的には、例えばダマシン法で銅配線形成の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）の後で、残存微細粒の除去洗浄や面取り等の端部の整形に利用可能である。
また、本発明は、半導体ウェーハの洗浄処理に限らず、固体材料の表面汚染除去の洗浄処理、あるいは製造使用機器並びに器材類の表面汚染除去の洗浄処理にも利用可能である。
１ 温度依存性の小さい反応過程１
２ 温度依存性の大きい反応過程２
２ 温度依存性の大きい反応過程２
Claims (5)
- シアン（ＣＮ）含有量が１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満であるシアン含有溶液を加熱して、３０℃〜４０℃の温度において、半導体基板を洗浄処理することを特徴とする半導体基板の処理方法。
- 前記シアン含有溶液は、水素イオン濃度指数（ｐＨ）９〜１４であることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
- 前記シアン含有溶液は、シアン化水素を純水または超純水，アルコール系溶媒およびケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、エーテル系溶媒、脂肪族アルカン系溶媒、またはこれらの混合溶媒から選ばれるすくなくとも１つに溶解して調製されたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体基板の処理方法。
- ＣＮ含有量が１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満であるシアン含有溶液を加熱して、３０℃〜４０℃の温度において、半導体基板を洗浄処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記シアン含有溶液は、水素イオン濃度指数（ｐＨ）９〜１４であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009077985A JP5633838B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-03-27 | 半導体基板の処理方法および半導体装置の製造方法。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009077985A JP5633838B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-03-27 | 半導体基板の処理方法および半導体装置の製造方法。 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010232406A JP2010232406A (ja) | 2010-10-14 |
| JP5633838B2 true JP5633838B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=43047960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009077985A Expired - Fee Related JP5633838B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-03-27 | 半導体基板の処理方法および半導体装置の製造方法。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5633838B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50158281A (ja) * | 1974-06-10 | 1975-12-22 | ||
| JP4091014B2 (ja) * | 2003-06-24 | 2008-05-28 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 半導体装置の洗浄方法ならびに半導体装置製造用機器の洗浄方法および洗浄装置 |
| JP4947454B2 (ja) * | 2005-04-13 | 2012-06-06 | 国立大学法人大阪大学 | 半導体処理液の製造方法及びその製造装置 |
-
2009
- 2009-03-27 JP JP2009077985A patent/JP5633838B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010232406A (ja) | 2010-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI899006B (zh) | 含有次氯酸離子的半導體晶圓處理液 | |
| TWI237659B (en) | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
| KR102055154B1 (ko) | 처리액 및 기판 세정 방법 | |
| JP5142592B2 (ja) | 基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物 | |
| JP4221191B2 (ja) | Ｃｍｐ後洗浄液組成物 | |
| JP5854230B2 (ja) | 基板洗浄液および基板洗浄方法 | |
| KR20180137018A (ko) | 처리액, 기판 세정 방법 및 레지스트의 제거 방법 | |
| US7709400B2 (en) | Thermal methods for cleaning post-CMP wafers | |
| KR102295991B1 (ko) | 처리액, 키트, 기판의 세정 방법 | |
| CN109326501B (zh) | 一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法 | |
| KR20110088496A (ko) | 구리 배선 표면 보호액 및 반도체 회로의 제조 방법 | |
| US20100025624A1 (en) | Alkali etching liquid for silicon wafer and etching method using same | |
| TW201622030A (zh) | 可抑制含鉭材料之損壞的半導體元件之清洗液及利用該清洗液的半導體元件之清洗方法 | |
| WO2019019533A1 (zh) | 清洗剂及其制备方法和应用 | |
| WO2019151001A1 (ja) | 基板の処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理用キット | |
| JP5633838B2 (ja) | 半導体基板の処理方法および半導体装置の製造方法。 | |
| JP2000169233A (ja) | 炭化ケイ素焼結体の湿式洗浄方法 | |
| JP4857738B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法および製造方法 | |
| JP5729351B2 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
| JP5671962B2 (ja) | シリコンウェハ洗浄用リンス液調製方法 | |
| TWI839349B (zh) | 用以去除乾蝕刻殘渣之洗淨液及使用此洗淨液之半導體基板之製造方法 | |
| EP3854865A1 (en) | Cleaning liquid composition | |
| JP2001244228A (ja) | 半導体基板の洗浄液及び洗浄方法 | |
| JPH0750281A (ja) | シリコンウェハーの洗浄方法 | |
| Park et al. | Nonoxidative aqueous cleaning solutions for tungsten layers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120319 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130417 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130423 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130620 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140114 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140228 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140909 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141003 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |