JP5652252B2

JP5652252B2 - 発光装置、照明装置および表示装置

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Publication number: JP5652252B2
Application number: JP2011038639A
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Inventors: 直樹平尾; 友田　勝寛; 勝寛友田
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Priority date: 2011-02-24
Filing date: 2011-02-24
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Description

本発明は、１または複数の発光素子を備えた発光装置、ならびに上記の発光装置を備えた照明装置および表示装置に関する。

近年、軽量で薄型のディスプレイとして、発光ダイオード（ＬＥＤ）を表示画素に用いたＬＥＤディスプレイが注目を集めている。ＬＥＤディスプレイでは、見る角度によってコントラストや色合いが変化する視野角依存性がなく、色を変化させる場合の反応速度が速いといった特徴がある。しかし、数百万個にも及ぶＬＥＤチップを配線基板上に歩留まり良く実装し、結線することが要求される。そのため、簡易なプロセスで高歩留まりを実現できる方法が必要とされている。

従来では、例えば、特許文献１には、ＬＥＤチップを一括して配線基板へ転写する方法が開示されている。具体的には、転写基板上の樹脂層にＬＥＤチップを保持させ、このＬＥＤチップを保持したままの樹脂層の側から、当該転写基板を配線基板に貼り合わせ、その樹脂層と転写基板との界面で剥離を行う。

特開２００４−２７３５９６号公報

上記のＬＥＤチップでは、チップサイズが例えば２０μｍ程度と極めて小さい。そのため、ＬＥＤチップを配線基板上に実装した後に何らかの理由でＬＥＤチップを交換することとなった場合、交換作業時のハンドリング性があまりよくない。そこで、例えば、１または複数のＬＥＤチップを樹脂で封止し、サイズの大きなパッケージタイプの発光装置とし、この発光装置を配線基板上に実装することが考えられる。このようにした場合には、発光装置のサイズがＬＥＤチップのサイズよりも大きくなるので、交換作業時のハンドリング性を改善することができる。

しかし、発光装置のサイズを、発光素子のサイズと比べてあまり大きくし過ぎると、配線基板上の発光素子の、単位面積あたりの数（集積度）が小さくなってしまう。また、発光装置を厚くし過ぎると、発光装置の上面への光入射量が減り、発光装置の上面から取り出せる光量が低くなってしまう。発光装置を厚くした上で、発光装置の上面から取り出せる光量を多くしようとすると、発光装置のサイズを大きくすることが必要となり、集積度が小さくなってしまう。

以上のことから、発光装置の厚さをできる限り薄くすることが、発光装置の上面から取り出せる光量や、配線基板上の発光素子の集積度の点で好ましいことがわかる。しかし、集積度が大きくなると、発光素子の上面の電極と、発光装置の端子電極とを電気的に接続する配線としてボンディングワイヤを用いることが難しくなる。また、仮に、発光素子の上面の電極と、発光装置の端子電極とを電気的に接続する配線としてボンディングワイヤを用いることができたとしても、ボンディングワイヤを、発光素子を埋め込む樹脂内に埋め込むことは、発光装置の厚さが薄いことから極めて難しい。ボンディングワイヤが発光素子を埋め込む樹脂の上面からはみ出ている場合には、ボンディングワイヤが、発光装置の転写時の歩留まりを低下させる要因となり得る。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、１枚のウェハからの収率および転写時の歩留まりを低下させることなく、全体の厚さを薄くすることの可能なパッケージタイプの発光装置を提供することにある。また、第２の目的は、そのような発光装置を備えた照明装置および表示装置を提供することにある。

本発明の発光装置は、複数の電極を有し、かつ上面から光を発する１または複数の発光素子と、発光素子との関係で発光素子の下側に配置され、かつ発光素子の電極に電気的に接続された複数の端子電極とを備えたものである。本発明の発光装置は、さらに、発光素子の上面および１つの端子電極に接すると共に発光素子の側面から離れた位置に配置され、かつ成膜プロセスによって形成された第１金属線と、第１金属線に未接続の端子電極に電気的に接続されると共に発光素子の上面に向かって延在し、かつ成膜プロセスによって形成された第２金属線と、発光素子、第１金属線および第２金属線を埋め込む絶縁体とを備えている。

本発明の照明装置は、基板上に実装された複数の発光装置を備えたものである。各発光装置は、上記の発光装置と同一の構成要素を有している。本発明の表示装置は、複数の画素を有する表示パネルと、映像信号に基づいて複数の画素を駆動する駆動回路とを備えたものである。本発明の表示装置において、複数の画素は、基板上に実装された複数の発光装置からなり、各発光装置は、上記の発光装置と同一の構成要素を有している。

本発明の発光装置、照明装置および表示装置では、発光素子の上面および１つの端子電極に接する金属線が、ワイヤボンディングではなく、成膜プロセスによって形成された第１金属線となっている。これにより、第１金属線を、発光素子を埋め込む絶縁体に埋め込むことができる。

ところで、本発明において、第１金属線および第２金属線は、以下の（Ａ１）〜（Ａ３）の各工程を実施することにより形成されたものであってもよい。
（Ａ１）発光素子の側面を覆うと共に複数の端子電極のそれぞれの表面の一部を覆う犠牲層を形成する工程
（Ａ２）犠牲層を含む表面全体にシード金属を形成したのちシード金属の上面のうち所定の領域にめっき金属を積層する工程
（Ａ３）シード金属のうち少なくともめっき金属と非接触の部位と、犠牲層を除去する工程

第１金属線および第２金属線が上記のようにして形成されたものである場合には、絶縁体は、発光素子、第１配線および第２配線を埋め込むように透明樹脂層を形成し固化させることにより形成されたものであってもよい。

本発明の発光装置は、例えば、以下の（Ｂ１）〜（Ｂ７）の各工程を実施することにより製造することが可能である。
（Ｂ１）複数の電極を有し、かつ上面から光を発する複数の発光素子を、複数の端子電極が基板表面に形成された配線基板の１つまたは複数の端子電極上に固定する工程
（Ｂ２）発光素子の側面を覆うと共に複数の端子電極のそれぞれの表面の一部を覆う犠牲層を形成する工程
（Ｂ３）犠牲層を含む表面全体にシード金属を形成したのちシード金属の上面のうち所定の領域にめっき金属を積層する工程
（Ｂ４）シード金属のうち少なくともめっき金属と非接触の部位と、犠牲層とを除去することにより、１つの端子電極および１つの電極に電気的に接続された第１金属線を形成すると共に第１金属線に未接続の端子電極に電気的に接続された第２配金属線を形成する工程
（Ｂ５）発光素子、第１金属線および第２金属線を埋め込むように透明樹脂層を形成し固化させることにより絶縁体を形成する
（Ｂ６）絶縁体を、１または複数の発光素子ごとに分離する工程
（Ｂ７）基板を剥離する工程

上記の製造方法において、発光素子は、例えばＬＥＤチップである。ここで、ＬＥＤチップとは、結晶成長に用いたウェハから切り出した状態のものを指しており、成形した樹脂などで被われたパッケージタイプのものではないことを指している。ＬＥＤチップのサイズは、例えば、５μｍ以上、１００μｍ以下である。ＬＥＤチップは、薄片状となっており、ＬＥＤチップのアスペクト比（高さ／幅）は、例えば、０．１以上、１未満となっている。

また、上記の製造方法において、犠牲層は、例えば、フォトレジストからなる。犠牲層は、例えば、リフローの実施や、グレースケールマスクの利用によって、丸みを帯びた上面形状となっている。また、上記の製造方法において、透明樹脂層は、例えば、１層塗りによって形成されたものであってもよいし、複数層塗りによって形成されてものであってもよい。また、上記の製造方法において、絶縁体の分離は、例えば、フォトリソグラフィによって行われてもよいし、ミリングなどによって行われてもよい。また、上記の製造方法において、発光素子および絶縁体の高さおよび幅が、例えば、上記の関係式を満たしていることが好ましい。

本発明の発光装置、照明装置および表示装置によれば、第１金属線を、発光素子を埋め込む絶縁体に埋め込むことができるようにしたので、１枚のウェハにおける収率および転写時の歩留まりを低下させることなく、全体の厚さを薄くすることができる。

また、本実施の形態では、第１金属線が成膜プロセスによって形成されている。これにより、最適な成長方法を選択することにより、超微細構造でありながら、第１金属線をコンフォーマルに形成したり、第１金属線の窪み部分を厚めに形成したりするなど、第１金属線を電気的・機械的に安定な構造にすることができる。

本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の構成の一例を表す斜視図および断面図である。図１の発光素子の構成の一例を表す断面図である。図１の発光素子の構成の他の例を表す断面図である。図１の配線の構成の一例を表す断面図である。図１の配線の構成の他の例を表す断面図である。図１の発光素子および絶縁体の高さおよび幅について説明するための模式図である。図１の発光装置の製造に際して使用されるウェハの一例を表す斜視図である。図１の発光装置の製造に際して使用される仮固定基板の一例を表す斜視図である。図１の発光装置の製造に際して使用される配線基板の一例を表す斜視図である。図１の発光装置の製造過程について説明するための斜視図である。図１０に続く工程を説明する斜視図である。図１１に続く工程を説明する斜視図である。図１２の工程を詳細に説明する断面図である。図１３に続く工程を詳細に説明する断面図である。配線基板上に発光装置１を実装した様子を表す斜視図および断面図である。図１の配線の一変形例を表す斜視図である。図１の配線の他の変形例を表す斜視図である。図１の絶縁体の一変形例を表す断面図である。図１の発光装置の一変形例を表す斜視図である。図１の発光装置の他の変形例を表す斜視図および断面図である。本発明の第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を表す斜視図である。図２１の実装基板の表面のレイアウトの一例を表す平面図である。図２２の表示画素の構成の一例を表す斜視図および断面図である。図２１の実装基板の表面のレイアウトの一変形例を表す平面図である。図２１の実装基板の表面のレイアウトの他の変形例を表す平面図である。図２１表示装置の構成の一変形例を表す断面図である。本発明の第３の実施形態に係る照明装置の構成の一例を表す斜視図である。図２７の実装基板の表面のレイアウトの一例を表す平面図である。

以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

１．第１の実施の形態（発光装置）
３つの発光素子が薄い肉厚の樹脂で被われている例
２．第１の実施の形態の変形例（発光装置）
配線に反射機能を有する突起部が設けられている例
絶縁体の上面が粗面となっている例
発光素子の数が上記とは異なる例
３．第２の実施の形態（表示装置）
表示画素に第１の実施の形態およびその変形例の発光装置が用いられている例
４．第２の実施の形態の変形例（表示装置）
発光素子の数が上記とは異なる例
データ配線が共通化されている例
各発光素子が互いに等しい波長帯の光を発する例
５．第３の実施の形態（照明装置）
光源に第１の実施の形態およびその変形例の発光装置が用いられている例

＜１．第１の実施の形態＞
[構成]
まず、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１について説明する。図１（Ａ）は、発光装置１の概略構成の一例を斜視的に表したものである。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の表示装置１のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。発光装置１は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれる表示装置の表示画素として好適に適用可能なものであり、複数の発光素子を薄い肉厚の樹脂で被った微小パッケージである。

（発光素子１０）
発光装置１は、図１（Ａ）に示したように、３つの発光素子１０を備えている。各発光素子１０は、所定の波長帯の光を上面から発する固体発光素子であり、具体的には、ＬＥＤチップである。ＬＥＤチップとは、結晶成長に用いたウェハから切り出した状態のものを指しており、成形した樹脂などで被われたパッケージタイプのものではないことを指している。ＬＥＤチップは、例えば、５μｍ以上、１００μｍ以下のサイズ（横幅Ｗ１）となっており、いわゆるマイクロＬＥＤと呼ばれるものである。ＬＥＤチップの平面形状は、例えば、ほぼ正方形となっている。ＬＥＤチップは、薄片状となっており、ＬＥＤチップのアスペクト比（高さＨ１／横幅Ｗ１）（図２参照）は、例えば、０．１以上、１０未満となっている。発光素子１０の高さＨ１は、例えば、３μｍ以上、５０μｍ以下となっている。

各発光素子１０は、発光装置１内に配置されており、例えば、図１（Ａ）に示したように、他の発光素子１０と所定の間隙を介して一列に配置されている。互いに隣り合う２つの発光素子１０の隙間は、例えば、各発光素子１０のサイズと同等か、それよりも大きくなっている。なお、上記の隙間は、場合によっては、各発光素子１０のサイズよりも狭くなっていてもよい。発光素子１０と発光装置１の側面との間隔は、例えば、各発光素子１０のサイズの１／２以上となっている。

各発光素子１０は、互いに異なる波長帯の光を発するようになっている。例えば、図１（Ａ）に示したように、３つの発光素子１０は、緑色帯の光を発する発光素子１０Ｇと、赤色帯の光を発する発光素子１０Ｒと、青色帯の光を発する発光素子１０Ｂとにより構成されている。発光素子１０Ｇは、例えば、発光装置１の辺部近傍に配置されている。発光素子１０Ｂは、例えば、発光装置１の辺部のうち発光素子１０Ｇの近接する辺部とは異なる辺部の近傍に配置されている。発光素子１０Ｒは、例えば、発光素子１０Ｇと発光素子１０Ｂとの間に配置されている。なお、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれの位置は、上記に限定されるものではないが、以下では、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが上で例示した箇所に配置されているものとして、他の構成要素の位置関係を説明する場合がある。

各発光素子１０は、例えば、図２に示したように、第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３を順に積層してなる積層構造を有している。発光素子１０Ｇ，１０Ｂにおいては、第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３は、例えば、ＩｎＧａＮ系の半導体材料によって構成されている。一方、発光素子１０Ｒにおいては、第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３は、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料によって構成されている。第１電極１４および第２電極１５は、例えば、Ａｇ（銀）などの高反射性の金属材料を含んで構成されている。なお、各発光素子１０は、図示しないが、側面と、上面のうち第１電極の未形成領域とを被う絶縁膜を有していてもよい。

各発光素子１０の側面は、例えば、図２に示したように、積層方向と直交する面となっている。なお、光取り出し効率を考慮して、各発光素子１０の側面が、積層方向と交差する傾斜面となっていてもよい。例えば、図３に示したように、各発光素子１０は、側面に、当該発光素子１０の断面が逆台形状となるような傾斜面を有していてもよい。

第２導電型層１３の下面には第１電極１４が設けられている。第１電極１４は、第１導電型層１１に接するとともに第１導電型層１１に電気的に接続されている。一方、第２導電型層１３の上面には第２電極１５が設けられている。第２電極１５は、第２導電型層１３に接するとともに第２導電型層１３に電気的に接続されている。第１電極１４および第２電極１５はともに、単一の電極によって構成されていてもよいし、複数の電極によって構成されていてもよい。なお、以下では、図２および図３に示したように、第１電極１４および第２電極１５がともに、単一の電極からなるものとする。

発光装置１は、さらに、図１（Ａ），（Ｂ）に示したように、各発光素子１０を被うチップ状の絶縁体２０を備えている。発光装置１は、さらに、図１（Ａ），（Ｂ）に示したように、発光素子１０ごとに、端子電極３１，３２と、配線３３，３４とを備えている。なお、配線３３が本発明の「第２金属線」の一具体例に相当し、配線３４が本発明の「第１金属線」の一具体例に相当する。

（絶縁体２０）
絶縁体２０は、各発光素子１０を、少なくとも当該発光素子１０の側面側および上面側から囲むとともに保持するものである。絶縁体２０は、さらに、配線３３，３４を内部に有している。つまり、配線３３，３４は、絶縁体２０内に埋め込まれている。絶縁体２０は、例えば、ポリイミドなどの樹脂材料によって構成されている。なお、絶縁体２０は、耐光性を有するとともに感光性を有する透明樹脂を硬化させたものであってもよい。絶縁体２０のアスペクト比（高さＨ２／上面の幅Ｗ２）は、１よりも小さくなっており、製造過程において発光装置１を転写する際に発光装置１が横になるのを防止する観点からは、１／５以下となっていることが好ましい。絶縁体２０の高さＨ２は、例えば、５μｍ以上、５０μｍ以下となっている。絶縁体２０の上面の幅Ｗ２は、例えば、１０μｍ以上、１００μｍ以下となっている。

絶縁体２０は、例えば、図１（Ａ），（Ｂ）に示したように、上面および下面に平坦面を有している。絶縁体２０の上面には、構造物は特に何も設けられておらず、絶縁体２０の上面は、外部（例えば空気）と接している。一方、絶縁体２０の下面には、端子電極３１，３２が設けられている。端子電極３１，３２は、所定の間隙を介して配置されており、互いに電気的に分離されている。

各端子電極３１，３２は、絶縁体２０の下面に形成されており、互いに同一面内に形成されている。各端子電極３１，３２は、例えば、主にＣｕ（銅）を含んで構成されている。各端子電極３１，３２の表面の少なくとも一部が、例えば、Ａｕ（金）などの酸化しにくい材料で被覆されていてもよい。例えば、各端子電極３１，３２の表面全体が、ＡｕやＴｉなどの酸化しにくい材料で被覆されていてもよい。各端子電極３１，３２は、発光装置１の入出力端子としての役割の他に、活性層１２から発せられた光を第２導電型層１３側に反射する役割も有している。

端子電極３１は、発光素子１０の第１電極１４と、接合材１６を介して電気的に接続されている。接合材１６は、例えば、めっき処理によって形成されためっき金属によって構成されている。なお、接合材１６は、めっき処理以外の方法で形成されたものであってもよい。端子電極３１は、さらに、配線３３と電気的に接続されている。配線３３は、発光素子１０の上面にある第２電極１５と所定の間隙を介して配置されており、第２電極１５とは電気的に分離されている。

配線３３は、めっき金属を含んで構成されており、具体的には、シード金属と、このシード金属の上面に積層されためっき金属とにより構成されている。ここで、シード金属は、ＴｉやＣｕなどをスパッタ、ＰＶＤまたはＣＶＤなどの成膜プロセスを用いて形成されたものである。めっき金属は、成膜プロセスの１つであるめっき処理によって形成されたものである。なお、めっきの種類としては、例えば、電解めっき、無電解めっきなどが挙げられる。配線３３は、めっき工程を経て形成されたものである。配線３３は、最適な成長方法の選択により電気的・機械的に安定な構造になっており、例えば、コンフォーマルに（例えば膜厚均一に）形成されていたり、配線３３の窪み部分（具体的には接続点Ｃ１近傍）が他の部分よりも相対的に厚い形状に形成されていたりする。

端子電極３２は、発光素子１０の第２電極１５と、配線３４を介して電気的に接続されている。配線３４は、発光素子１０の上面にある第２電極１５と接しており、第２電極１５とは電気的に接続されている。配線３４は、めっき金属を含んで構成されており、具体的には、シード金属と、このシード金属の上面に積層されためっき金属とにより構成されている。ここで、シード金属は、上記と同様、ＴｉやＣｕなどをスパッタ、ＰＶＤまたはＣＶＤなどの成膜プロセスを用いて形成されたものである。めっき金属は、上記と同様、成膜プロセスの１つであるめっき処理によって形成されたものである。なお、めっきの種類としては、例えば、電解めっき、無電解めっきなどが挙げられる。配線３４は、めっき工程を経て形成されたものである。配線３４は、最適な成長方法の選択により電気的・機械的に安定な構造になっており、例えば、コンフォーマルに（例えば膜厚均一に）形成されていたり、配線３４の窪み部分（具体的には接続点Ｃ２近傍）が他の部分よりも相対的に厚い形状に形成されていたりする。

配線３３と端子電極３１との接続点Ｃ１と、配線３４と端子電極３２との接続点Ｃ２とは、発光素子１０を介して互いに対向配置されている。配線３３は、接続点Ｃ１から発光素子１０の上面に向かって延在している。一方の配線３４は、接続点Ｃ２から発光素子１０の上面に向かって延在している。配線３３，３４は、発光素子１０の配列方向と交差（例えば直交）する方向に延在している。配線３３の延在方向と、配線３４の延在方向とは、例えば、互いに平行となっている。

配線３３，３４は、製造過程で絶縁体２０を形成する際に配線３３，３４の直下に空気だまりの形成されない立体形状となっている。配線３３，３４は、例えば、図４に示したように、細長い帯状の形状となっている。なお、配線３３，３４は、図４に示した形状に限定されるものではなく、例えば、図５に示したように、接続点Ｃ１，Ｃ２近傍だけ幅広となっていてもよい。

絶縁体２０は、各発光素子１０の側面と、各発光素子１０の上面に接して形成されている。絶縁体２０は、各発光素子１０の配列方向に延在する帯状の形状（例えば直方体形状）となっている。絶縁体２０の高さＨ２は、各発光素子１０の高さＨ１よりも高くなっており、絶縁体２０の上面の幅Ｗ２は、各発光素子１０の横幅Ｗ１よりも広くなっている。さらに、発光素子１０の上面と絶縁体２０の上面との距離Ｄが以下の関係式（１）を満たしている。
Ｄ＜[（Ｗ２−Ｗ１）／２]／ｔａｎθｍ…（１）
（Ｗ２−Ｗ１）／２：発光素子１０の側面と絶縁体２０の側面との距離
θｍ：絶縁体２０の上面での臨界角

なお、距離ＤがＨ２−Ｈ１とおおむね等しい場合には、上記の関係式（１）において、Ｄを、Ｈ２−Ｈ１に置き換えることができる。

距離Ｄが上記の関係式（１）を満たしている場合には、例えば、図６の模式図に示したように、発光素子１０の上面から発せられた光のうち、発散角（９０°−θｍ）未満で発せられた光が全て、絶縁体２０の上面に入射する。従って、この場合には、光取り出し効率が高くなる。

［製造方法］
次に、本実施の形態の発光装置１の製造方法の一例について説明する。

まず、結晶成長用の基板上に、発光素子１０Ｒのうち第２電極１５以外の部分（発光素子１１０Ｒ）を多数形成したウェハ１００Ｒを用意する（図７（Ａ））。また、結晶成長用の基板上に、発光素子１０Ｇのうち第２電極１５以外の部分（発光素子１１０Ｇ）を多数形成したウェハ１００Ｇを用意する（図７（Ｂ））。さらに、結晶成長用の基板上に、発光素子１０Ｂのうち第２電極１５以外の部分（発光素子１１０Ｂ）を多数形成したウェハ１００Ｂを用意する（図７（Ｃ））。なお、発光素子１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂはそれぞれ、第２導電型層１３、活性層１２、第１導電型層１１および第１電極１４が結晶成長用の基板側からこの順に積層された構造となっている。

また、ウェハ１００Ｒ上の全ての発光素子１１０Ｒを一時的に仮固定するための仮固定用基板２００Ｒを用意する（図８（Ａ））。同様に、ウェハ１００Ｇ上の全ての発光素子１１０Ｇを一時的に仮固定するための仮固定用基板２００Ｇと、ウェハ１００Ｂ上の全ての発光素子１１０Ｂを一時的に仮固定するための仮固定用基板２００Ｂを用意する（図８（Ｂ），（Ｃ））。仮固定用基板２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂは、例えば、透明基板（例えば石英基板またはサファイア基板）上に、未硬化の接着層が配置されたものである。

次に、ウェハ１００Ｒおよび仮固定用基板２００Ｒを、ウェハ１００Ｒ上の各発光素子１１０Ｒが仮固定用基板２００Ｒ上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ１００Ｒの基板を例えばラッピングなどによって除去して、第２導電型層１３を露出させる。その後、露出した第２導電型層１３上に第２電極１５を形成する。さらに、各第２電極１５の周期単位でドライエッチング等を行うことにより、第２導電型層１３、活性層１２および第１導電型層１１からなる半導体層を空間的に分離する。このようにして、仮固定用基板２００Ｒ上に、複数の発光素子１０Ｒが形成される。

また、ウェハ１００Ｇおよび仮固定用基板２００Ｇを、ウェハ１００Ｇ上の各発光素子１１０Ｇが仮固定用基板２００Ｇ上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ１００Ｇの基板を例えばレーザ照射などによって除去して、第２導電型層１３を露出させる。その後、露出した第２導電型層１３上に第２電極１５を形成する。さらに、各第２電極１５の周期単位でドライエッチング等を行うことにより、第２導電型層１３、活性層１２および第１導電型層１１からなる半導体層を空間的に分離する。このようにして、仮固定用基板２００Ｇ上に、複数の発光素子１０Ｇが形成される。

同様に、ウェハ１００Ｂおよび仮固定用基板２００Ｂを、ウェハ１００Ｂ上の各発光素子１１０Ｂが仮固定用基板２００Ｂ上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ１００Ｂの基板を例えばレーザ照射などによって除去して、第２導電型層１３を露出させる。その後、露出した第２導電型層１３上に第２電極１５を形成する。さらに、各第２電極１５の周期単位でドライエッチング等を行うことにより、第２導電型層１３、活性層１２および第１導電型層１１からなる半導体層を空間的に分離する。このようにして、仮固定用基板２００Ｂ上に、複数の発光素子１０Ｂが形成される。

次に、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを実装する配線基板３００を用意する（図９）。配線基板３００は、例えば、透明基板３１０（例えば石英基板）上に、一対の端子電極３１，３２が複数配置された基板である。続いて、配線基板３００の端子電極３１上に、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを実装する。

まず、仮固定用基板２００Ｇ上の発光素子１０Ｇを配線基板３００の表面に転写する。例えば、マウンタを用いて、仮固定用基板２００Ｇ上の発光素子１０Ｇを取り出し、配線基板３００の表面に実装する（図１０）。同様にして、仮固定用基板２００Ｒ上の発光素子１０Ｒを取り出し、配線基板３００の表面に実装し、仮固定用基板２００Ｂ上の発光素子１０Ｂを取り出し、配線基板３００の表面に実装する（図１１）。その後、配線３３，３４および絶縁層２０を形成する。これにより、配線基板３００上に複数の発光装置１が形成される（図１２）。

次に、配線３３，３４および絶縁層２０を形成する一連の手順について詳細に説明する。

まず、上述の転写方法を用いて、端子電極３１上に発光素子１０を実装する（図１３（Ａ））。次に、発光素子１０を含む表面全体にフォトレジスト層（図示せず）を形成したのち、露光、現像を行うことにより、発光素子１０の側面を覆うと共に端子電極３１，３２のそれぞれの表面の一部を覆う犠牲層１２０を形成する（図１３（Ｂ））。その後、必要に応じて、表面全体に対してドライエッチングを行うことにより、犠牲層１２０の高さを調整してもよい。

なお、犠牲層１２０に対してリフローを行うことにより、例えば、図１３（Ｂ）に示したように、犠牲層１２０の上面に丸みを持たせてもよい。また、グレースケールマスクを利用した露光によって、犠牲層１２０の上面に丸みを持たせてもよい。

次に、例えば、スパッタリングを行うことにより、犠牲層１２０を含む表面全体に、シード金属１３０を形成する（図１３（Ｃ））。このとき、例えば、ＴｉおよびＣｕを順次スパッタすることにより、Ｔｉ層およびＣｕ層の２層構造のシード金属１３０を形成する。次に、シード金属１３０の上面のうち所定の領域にめっき金属１４０を積層する（図１３（Ｄ））。例えば、後に配線３３および配線３４を形成することとなる領域に開口を有するマスクを形成したのち、例えばＣｕなどによるめっき処理を行うことにより、めっき金属１４０を積層する。

次に、シード金属１３０のうち不要な部分と、犠牲層１２０を除去する（図１４（Ａ））。これにより、犠牲層１２０の存在していた部位に空洞が形成される。さらに、シード金属１３０の一部が分離されて、シード金属１３０のうち端子電極３２に接続された部分と、シード金属１３０のうち端子電極３１に接続された部分との間に、間隙１５０が形成される。その結果、シード金属１３０のうち端子電極３２に接続された部分と、めっき金属１４０とが積層された部分が配線３４となり、シード金属１３０のうち端子電極３１に接続された部分と、めっき金属１４０とが積層された部分が配線３３となる。

次に、例えば、スピンコート法を用いて、発光素子１０、配線３４および配線３３を埋め込むように透明樹脂層１６０を形成する（図１４（Ｂ））。このとき、透明樹脂層１６０を、複数回に分けて形成してもよい。例えば、図１４（Ｂ）に示したように、まず、発光素子１０、配線３４および配線３３を埋め込む透明樹脂層１６１を形成したのち、透明樹脂層１６１の窪み１６０Ａを埋めるように透明樹脂層１６２を形成し、さらに、表面を平坦化するように透明樹脂層１６３を形成する。このようにして透明樹脂層１６０を形成することも可能である。その後、透明樹脂層１６０を固化させる。これにより、絶縁体２０が形成される。

次に、絶縁体２０を、１または複数の発光素子１０ごとに分離する（図１４（Ｃ））。例えば、フォトリソグラフィまたはミリングを用いることにより、絶縁層２０を貫通する溝２０Ａを配線３３と配線３４との間（間隙１５０を除く）に形成する。このようにして、発光装置１が形成される。

［実装方法］
次に、配線基板３００上に形成された各発光装置１を、ディスプレイパネルや照明パネルなどに含まれる配線基板上に実装する方法の一例について説明する。

まず、配線基板３００上の全ての発光装置１を一時的に仮固定するための仮固定用基板（図示せず）を用意する。ここで使用する仮固定基板は、例えば、透明基板（例えば石英基板）上に、未硬化の接着層が配置されたものである。また、発光装置１の実装に使用する配線基板４００を用意する。配線基板４００は、支持基板４１０上に複数の電極パッド４２０などを備えたものである（図１５（Ａ）参照）。配線基板４００は、例えば、電極パッド４２０上に半田ペースト（図示せず）を有している。

次に、配線基板３００および仮固定用基板を、配線基板３００上の各発光装置１が仮固定用基板上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、透明基板３１０を除去して、発光装置１同士の素子分離を行う。次に、素子分離された個々の発光装置１を配線基板４００に実装する。例えば、仮固定用基板および配線基板４００を、素子分離された個々の発光装置１が配線基板４００と接するように貼り合わせたのち、個々の発光装置１を仮固定用基板から剥離する。その結果、例えば、電極パッド４２０上に半田ペーストを介して発光装置１が載置される（図１５（Ａ），（Ｂ））。次に、例えば、配線基板４００をリフローすることにより、発光装置１が配線基板４００に固定される。このようにして、発光装置１が配線基板４００上に実装される。

［効果］
次に、本実施の形態の発光装置１の効果について説明する。

本実施の形態では、発光素子１０の上面にある第２電極１５と、発光装置１の端子電極３２とを互いに電気的に接続する配線３４が、ワイヤボンディングではなく、めっきなどの成膜プロセスによって形成されている。これにより、配線３４を、発光素子１０を埋め込む絶縁体２０に埋め込むことができる。その結果、１枚のウェハにおける収率および転写時の歩留まりを低下させることなく、発光装置１の厚さを薄くすることができる。

さらに、本実施の形態では、端子電極３１に電気的に接続されると共に発光素子１０の上面に向かって延在する配線３３も、ワイヤボンディングではなく、めっきなどの成膜プロセスによって形成されている。これにより、配線３３も、発光素子１０を埋め込む絶縁体２０に埋め込むことができる。その結果、１枚のウェハにおける収率および転写時の歩留まりを低下させることなく、発光装置１の厚さを薄くすることができる。さらに、配線３３が設けられていない場合と比べて、絶縁体２０の上面をより広範囲に渡って平坦化することができる。

また、本実施の形態では、配線３３，３４がめっきなどの成膜プロセスによって形成されている。これにより、最適な成長方法を選択することにより、超微細構造でありながら、配線３３，３４をコンフォーマルに形成したり、配線３３，３４の窪み部分を厚めに形成したりするなど、配線３３，３４を電気的・機械的に安定な構造にすることができる。

また、本実施の形態では、配線３３および配線３４は、製造過程で絶縁体２０を形成する際に配線３３および配線３４の直下に空気だまりの形成されない立体形状となっている。これにより、発光素子１０から発せられた光が空気だまりで散乱されるなどして、光取り出し効率が低下するのを防止することができる。また、本実施の形態では、発光素子１０および絶縁体２０の高さおよび幅が上記の関係式を満たしている。これにより、高い光取り出し効率を実現することができる。

＜２．第１の実施の形態の変形例＞
（第１変形例）
上記実施の形態では、配線３３および配線３４は、発光素子１０の上面に向かって延在していたが、さらに、例えば、図１６に示したように、発光素子１０から離れる方向に向かって延在する突起部３３Ａ，３４Ａを有していてもよい。また、例えば、図１７に示したように、突起部３３Ａ，３４Ａが、発光素子１０の周囲を取り囲むように形成されていてもよい。なお、後者の場合には、配線３３のうち発光素子１０側に延在する部分が設けられていてもよいし、図１７に示したように省略されていてもよい。このようにした場合には、発光素子１０の側面から発せられた光が突起部３３Ａ，３４Ａで発光装置１の上面側に反射され、発光装置１の上面から外部に出力される。これにより、さらに高い光取り出し効率を実現することができる。

（第２変形例）
また、上記実施の形態およびその変形例では、絶縁体２０の上面がほぼ平坦となっていたが、例えば、図１８に示したように、粗面２０Ａとなっていてもよい。このようにした場合には、発光素子１０から斜め方向の射出された光が粗面２０Ａで屈折透過しやすくなるので、さらに高い光取り出し効率を実現することができる。

（第３変形例）
また、上記実施の形態およびその変形例では、発光装置１は、３つの発光素子１０を備えていたが、４つ以上の発光素子１０を備えていてもよいし、例えば、図１９（Ａ），（Ｂ）に示したように、１つまたは２つの発光素子１０を備えていてもよい。

（第４変形例）
また、上記実施の形態およびその変形例では、第２電極１５が発光素子１０の上面に形成されている場合が例示されていたが、例えば、図２０（Ａ），（Ｂ）に示したように、第２電極１５が発光素子１０の下面に形成されていてもよい。この場合には、発光素子１０は、フリップチップ構造となる。さらに、配線３４は、直接、第２電極１５に接することがなくなり、その代わりに、端子電極３２が直接、第２電極１５に接することになる。

＜３．第２の実施の形態＞
[構成]
次に、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置２について説明する。表示装置２は、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置１を表示画素として備えたものである。図２１は、表示装置２の概略構成の一例を斜視的に表したものである。表示装置２は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてＬＥＤが用いられたものである。表示装置２は、例えば、図２１に示したように、表示パネル２１０と、表示パネル２１０を駆動する駆動回路（図示せず）とを備えている。

（表示パネル２１０）
表示パネル２１０は、実装基板２１０−１と、透明基板２１０−２とを互いに重ね合わせたものである。透明基板２１０−２の表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域２１０Ａを有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域２１０Ｂを有している。

図２２は、実装基板２１０−１の透明基板２１０−２側の表面のうち表示領域２１０Ａに対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。図２３（Ａ）は、図２１の表示画素２１３を拡大して表したものであり、図２３（Ｂ）は、図２３（Ａ）のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。

（実装基板２１０−１）
実装基板２１０−１の表面のうち表示領域２１０Ａに対応する領域には、例えば、図２２に示したように、複数のデータ配線２１１が所定の方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。実装基板２１０−１の表面のうち表示領域２１０Ａに対応する領域には、さらに、例えば、複数のスキャン配線２１２がデータ配線２１１と交差（例えば直交）する方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。データ配線２１１およびスキャン配線２１２は、例えば、Ｃｕ（銅）などの導電性材料からなる。

スキャン配線２１２は、例えば、最表層に形成されており、例えば、基材表面に形成された絶縁層（図示せず）上に形成されている。なお、実装基板２１０−１の基材は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなり、基材上の絶縁層は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂、またはＡｌ₂Ｏ₃からなる。一方、データ配線２１１は、スキャン配線２１２を含む最表層とは異なる層（例えば、最表層よりも下の層）内に形成されており、例えば、基材上の絶縁層内に形成されている。絶縁層の表面上には、スキャン配線２１２の他に、例えば、必要に応じて、ブラックが設けられている。ブラックは、コントラストを高めるためのものであり、光吸収性の材料によって構成されている。ブラックは、例えば、絶縁層の表面のうち少なくとも電極パッド４２０の非形成領域に形成されている。なお、ブラックは、必要に応じて省略することも可能である。

データ配線２１１とスキャン配線２１２との交差部分の近傍が表示画素２１３となっており、複数の表示画素２１３が表示領域２１０Ａ内においてマトリクス状に配置されている。各表示画素２１３には、例えば、図２２に示したように、複数の発光素子１０を含む発光装置１が実装されている。なお、図２２には、３つの発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）で１つの表示画素２１３が構成されており、発光素子１０Ｒから赤色の光を、発光素子１０Ｇから緑色の光を、発光素子１０Ｂから青色の光をそれぞれ出力することができるようになっている場合が例示されている。発光素子１０は、例えばＬＥＤチップである。

発光装置１には、例えば、図２３（Ａ），（Ｂ）に示したように、発光素子１０ごとに一対の端子電極３１，３２が設けられている。そして、一方の端子電極３１がデータ配線２１１に電気的に接続されており、他方の端子電極３２がスキャン配線２１２に電気的に接続されている。例えば、端子電極３１は、データ配線２１１に設けられた分枝２１１Ａの先端のパッド電極４２０に電気的に接続されている。また、例えば、端子電極３２は、スキャン配線２１２に設けられた分枝２１２Ａの先端のパッド電極４２０に電気的に接続されている。

各パッド電極４２０は、例えば、最表層に形成されており、例えば、図２２、図２３（Ａ），（Ｂ）に示したように、各発光装置１が実装される部位に設けられている。ここで、パッド電極４２０は、例えば、Ａｕ（金）などの導電性材料からなる。

実装基板２１０−１には、さらに、例えば、実装基板２１０−１と透明基板２１０−２との間の間隔を規制する複数の支柱（図示せず）が設けられている。支柱は、表示領域２１０Ａとの対向領域内に設けられていてもよいし、フレーム領域２１０Ｂとの対向領域内に設けられていてもよい。

（透明基板２１０−２）
透明基板２１０−２は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなる。透明基板２１０−２において、発光装置１側の表面は平坦となっていてもよいが、粗面となっていることが好ましい。粗面は、表示領域２１０Ａとの対向領域全体に渡って設けられていてもよいし、表示画素２１３との対向領域にだけ設けられていてもよい。粗面は、発光素子１０から発せられた光が当該粗面に入射したときに入射光を散乱させる程度に細かな凹凸を有している。粗面の凹凸は、例えば、サンドブラストや、ドライエッチングなどによって作製可能である。

（駆動回路）
駆動回路は、映像信号に基づいて複数の表示画素２１３を駆動するものである。駆動回路は、例えば、表示画素２１３に接続されたデータ配線２１１を駆動するデータドライバと、表示画素２１３に接続されたスキャン配線２１２を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路は、例えば、実装基板２１０−１上に実装されていてもよいし、表示パネル２１０とは別体で設けられ、かつ配線（図示せず）を介して実装基板２１０−１と接続されていてもよい。

［表示パネル２１０の製造方法］
次に、表示パネル２１０の製造方法の一例について説明する。

まず、例えば、基材上に、複数のデータ配線２１１を内部に含む絶縁層と、配線パターン（スキャン配線２１２および電極パッド４２０）およびブラック（図示せず）とを有する回路基板を用意する。次に、回路基板上に複数の発光装置１を実装する。このとき、上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で、発光装置１が実装される。これにより、実装基板２１０−１が形成される。次に、実装基板２１０−１と透明基板２１０−２とを互いに向かい合わせ、貼り合わせる。このようにして、表示パネル２１０が製造される。

［表示装置２の動作・効果］
本実施の形態では、発光装置１が駆動回路によって、単純マトリクス配置されたデータ配線２１１およびスキャン配線２１２を介して駆動（単純マトリクス駆動）される。これにより、データ配線２１１とスキャン配線２１２との交差部分近傍に設けられた発光装置１に順次、電流が供給され、表示領域２１０Ａに画像が表示される。

ところで、本実施の形態では、各表示画素２１３に発光装置１が実装されている。これにより、発光装置１の厚さを薄くすることができるので、表示パネル２１０の厚さも薄くすることができる。また、発光装置１の光取り出し効率が高いことから、低消費電力で明るい画像を得ることができる。

また、本実施の形態において、透明基板２１０−２の表面が粗面となっている場合には、発光装置１から斜め方向に発せられた光の一部が粗面で散乱される。これにより、散乱光の一部が透明基板２１０−２を透過し、外部に射出されるので、発光装置１から斜め方向に発せられた光が透明基板２１０−２の裏面で反射されたり、透明基板２１０−２内に閉じ込められ、迷光が発生したりするのを低減することができる。従って、透明基板２１０−２に起因する光取り出し効率の低下を抑制することができる。

また、本実施の形態において、実装基板２１０−１の表面にブラックが設けられている場合には、透明基板２１０−２側にブラックを設ける必要がない。これにより、製造過程において、実装基板２１０−１と、透明基板２１０−２とを互いに貼り合わせる際にアライメントが不要となるので、生産性が向上する。

＜４．第２の実施の形態の変形例＞
第２の実施の形態では、発光装置１は３つの発光素子１０を含んでいたが、３つ未満の発光素子１０を含んでいてもよいし、４つ以上の発光素子１０を含んでいてもよい。例えば、図２４に示したように、発光装置１が１つの発光素子１０だけを含んでいてもよい。

また、第２の実施の形態では、発光装置１内の各発光素子１０が、互いに異なるデータ配線２１１に接続されていたが、例えば、図２５に示したように、互いに同一のデータ配線２１１に接続されていてもよい。この場合に、１つの表示画素２１３からは同一色の光が発せられるように、発光装置１内の全ての発光素子１０が同一種類のＬＥＤで構成されていてもよい。

また、第２の実施の形態では、３つの発光素子１０が互いに異なる波長帯の光を発するようになっていたが、互いに等しい波長帯の光を発するようになっていてもよい。ただし、この場合には、例えば、図２６に示したように、透明基板２１０−２の表面に、蛍光体２１５が設けられていることが好ましい。蛍光体２１５では、例えば、図２６に示したように、１つの発光装置１に対して３つの蛍光体２１５Ｇ，２１５Ｒ，２１５Ｂが設けられている。蛍光体２１５Ｇは緑光用の蛍光体であり、蛍光体２１５Ｒは赤光用の蛍光体であり、蛍光体２１５Ｂは青光用の蛍光体である。このとき、各発光素子１０が、例えば、青色光を発するＬＥＤチップからなっている場合には、各発光素子１０から発せられた光が蛍光体２１５Ｇ，２１５Ｒ，２１５Ｂに入射し、これにより蛍光体２１５Ｇ，２１５Ｒ，２１５Ｂが励起し、入射光量に応じた輝度の色光が蛍光体２１５Ｇ，２１５Ｒ，２１５Ｂから発せられる。

＜５．第３の実施の形態＞
[構成]
次に、本発明の第３の実施の形態に係る照明装置３について説明する。照明装置３は、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置１を光源として備えたものである。図２７は、照明装置３の概略構成の一例を斜視的に表したものである。照明装置３は、いわゆるＬＥＤ照明と呼ばれるものであり、光源としてＬＥＤが用いられたものである。この照明装置３は、例えば、図２７に示したように、照明パネル３３０と、照明パネル３３０を駆動する駆動回路（図示せず）とを備えている。

（照明パネル３３０）
照明パネル３３０は、実装基板３３０−１と、透明基板３３０−２とを互いに重ね合わせたものである。透明基板３３０−２の表面が、照明光が出力される面となっており、中央部分に照明領域３３０Ａを有している。

図２８は、実装基板３３０−１の透明基板３３０−２側の表面のうち照明領域３３０Ａに対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。本実施の形態では、図２２に記載の表示画素２１３に対応するものが、照明画素２１４となる。

（駆動回路）
駆動回路は、複数の照明画素２１４を駆動するものである。駆動回路は、例えば、照明画素２１４に接続されたデータ配線２１１を駆動するデータドライバと、照明画素２１４に接続されたスキャン配線２１２を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路は、例えば、実装基板３３０−１上に実装されていてもよいし、照明パネル３３０とは別体で設けられていてもよい。

［照明パネル３３０の製造方法］
次に、照明パネル３３０の製造方法の一例について説明する。

まず、例えば、基材上に、複数のデータ配線２１１を内部に含む絶縁層と、配線パターン（スキャン配線２１２およびパッド電極２１５）とを有する回路基板を用意する。次に、回路基板上に複数の発光装置１を実装する。このとき、上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で、発光装置１が実装される。これにより、実装基板３３０−１が形成される。次に、実装基板３３０−１と透明基板３３０−２とを互いに向かい合わせ、貼り合わせる。このようにして、照明パネル３３０が製造される。

［照明装置３の動作・効果］
本実施の形態では、発光装置１が駆動回路によって、単純マトリクス配置されたデータ配線２１１およびスキャン配線２１２によって駆動される。これにより、データ配線２１１とスキャン配線２１２との交差部分近傍に設けられた発光装置１に電流が供給され、照明領域３３０Ａから照明光が出力される。

ところで、本実施の形態では、各照明画素２１４に発光装置１が実装されている。これにより、発光装置１の厚さを薄くすることができるので、照明パネル３３０の厚さも薄くすることができる。また、発光装置１の光取り出し効率が高いことから、低消費電力で明るい照明光を得ることができる。

以上、複数の実施の形態およびそれらの変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。

例えば、上記実施の形態等では、発光装置１が複数の発光素子１０を含んでいたが、１つの発光素子１０だけを含んでいてもよい。また、上記実施の形態等では、実装基板２１０−１，３１０−１には、複数の発光装置１がマトリクス状に実装されていたが、ライン状に実装されていてもよい。また、上記実施の形態等では、実装基板２１０−１，３１０−１には、発光装置１を駆動する配線として、単純マトリクス配置されたデータ配線２１１およびスキャン配線２１２が用いられていたが、他の配線パターンが用いられてもよい。

また、上記実施の形態等では、絶縁体２０が設けられていたが、省略されてもよい。この場合には、配線３３および配線３４は、文字通り中空配線となる。

１…発光装置、２…表示装置、３…照明装置、１０，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｒ，１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒ…発光素子、１１…第１導電型層、１２…活性層、１３…第２導電型層、１４…第１電極、１５…第２電極、１６…接合材、２０…絶縁体、３１，３２…端子電極、３３，３４…配線、３３Ａ，３４Ａ…突起部、１００Ｂ，１００Ｇ，１００Ｒ…ウェハ、１２０…犠牲層、１３０…シード金属、１４０…めっき金属、１５０…間隙、１６０，１６１，１６２，１６３…透明樹脂層、２００Ｂ，２００Ｇ，２００Ｒ…仮固定用基板、２１０…表示パネル、２１０−１，３３０−１…実装基板、２１０−２，３１０，３３０−２…透明基板、２１０Ａ…表示領域、２１０Ｂ…フレーム領域、２１１…データ配線、２１１Ａ，２１２Ａ…分枝、２１２…スキャン配線、２１３…表示画素、２１４…照明画素、２１５，２１５Ｂ，２１５Ｇ，２１５Ｒ…蛍光体、３００，４００…配線基板、３２０…感光性樹脂層、３２０Ａ…光硬化領域、３３０…照明パネル、３３０Ａ…照明領域、４１０…支持基板、４２０…電極パッド、Ｃ１，Ｃ２…接続点、Ｄ…距離、Ｇ１，Ｇ２，Ｇｉ…ブロック、Ｈ１，Ｈ２…高さ、Ｗ１，Ｗ２…横幅、θｍ…臨界角。

Claims

複数の電極を有し、かつ上面から光を発する１または複数の発光素子と、
前記発光素子との関係で前記発光素子の下側に配置され、かつ前記発光素子の電極に電気的に接続された複数の端子電極と、
前記発光素子の上面および１つの端子電極に接すると共に前記発光素子の側面から離れた位置に配置され、かつ成膜プロセスによって形成された第１金属線と、
前記第１金属線に未接続の端子電極に電気的に接続されると共に前記発光素子の上面に向かって延在し、かつ成膜プロセスによって形成された第２金属線と、
前記発光素子、前記第１金属線および前記第２金属線を埋め込む絶縁体と
を備えた
発光装置。
前記第１金属線と前記第１金属線に接する端子電極との接続点と、前記第２金属線に接する端子電極との接続点とは、前記発光素子を介して互いに対向配置されている
請求項１に記載の発光装置。
前記第１金属線および前記第２金属線は、前記発光素子の側面を覆うと共に前記複数の端子電極のそれぞれの表面の一部を覆う犠牲層を形成し、前記犠牲層を含む表面全体にシード金属を形成したのち前記シード金属の上面のうち所定の領域にめっき金属を積層し、前記シード金属のうち少なくとも前記めっき金属と非接触の部位と、前記犠牲層を除去することにより形成されたものである
請求項２に記載の発光装置。
前記絶縁体は、前記第１金属線および前記第２金属線を形成したのち、前記発光素子、前記第１金属線および前記第２金属線を埋め込むように透明樹脂層を形成し固化させることにより形成されたものである
請求項３に記載の発光装置。
前記第１金属配線および前記第２金属線は、前記透明樹脂層を形成する際に前記第１金属線および前記第２金属線の直下に空気だまりの形成されない立体形状となっている
請求項４に記載の発光装置。
前記第１金属線および前記第２金属線は、前記発光素子から離れる方向に向かって延在する突起部を有する
請求項２に記載の発光装置。
前記発光素子の上面と前記絶縁体の上面との距離Ｄが以下の関係式を満たす
請求項１に記載の発光装置。
Ｄ＜[（Ｗ２−Ｗ１）／２]／ｔａｎθｍ
Ｗ１：前記発光素子の幅
Ｗ２：前記絶縁体の上面の幅
θｍ：前記絶縁体の上面での臨界角
基板上に実装された複数の発光装置を備え、
各発光装置は、
複数の電極を有し、かつ上面から光を発する１または複数の発光素子と、
前記発光素子との関係で前記発光素子の下側に配置され、かつ前記発光素子の電極に電気的に接続された複数の端子電極と、
前記発光素子の上面および１つの端子電極に接すると共に前記発光素子の側面から離れた位置に配置され、かつ成膜プロセスによって形成された第１金属線と、
前記第１金属線に未接続の端子電極に電気的に接続されると共に前記発光素子の上面に向かって延在し、かつ成膜プロセスによって形成された第２金属線と、
前記発光素子、前記第１金属線および前記第２金属線を埋め込む絶縁体と
を有する
照明装置。
複数の画素を有する表示パネルと、
映像信号に基づいて前記複数の画素を駆動する駆動回路と
を備え、
前記表示パネルに含まれる複数の画素は、基板上に実装された複数の発光装置からなり、
各発光装置は、
基板上に実装された複数の発光装置を有し、
各発光装置は、
複数の電極を有し、かつ上面から光を発する１または複数の発光素子と、
前記発光素子との関係で前記発光素子の下側に配置され、かつ前記発光素子の電極に電気的に接続された複数の端子電極と、
前記発光素子の上面および１つの端子電極に接すると共に前記発光素子の側面から離れた位置に配置され、かつ成膜プロセスによって形成された第１金属線と、
前記第１金属線に未接続の端子電極に電気的に接続されると共に前記発光素子の上面に向かって延在し、かつ成膜プロセスによって形成された第２金属線と、
前記発光素子、前記第１金属線および前記第２金属線を埋め込む絶縁体と
を有する
表示装置。