JP5652689B2 - Manufacturing method of electronic component bonded structure and electronic component bonded structure obtained by the manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は電子部品接合構造体の製造方法及び該製造方法により得られた電子部品接合構造体に関し、特にチップ部品や半導体パッケージ等の電子部品をはんだ等の接合材を用いてプリント配線基板等の回路基板に実装する、鉛フリーの電子部品接合構造体の製造方法及び電子部品接合構造体に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component bonding structure and an electronic component bonding structure obtained by the manufacturing method, and more particularly, to electronic components such as chip components and semiconductor packages using printed materials such as solder, such as printed wiring boards. The present invention relates to a method for manufacturing a lead-free electronic component bonding structure and an electronic component bonding structure to be mounted on a circuit board.
近年の電子機器の軽量小型化・薄型化に伴い、電子機器の実装技術は、回路基板上の電極にはんだペーストをスクリーン印刷した後、電子部品をマウントし、リフロー炉を用いた加熱処理をすることにより電子部品を回路基板に接合して電子部品接合構造体を形成するという表面実装技術が主流となってきている。さらに、半導体装置等に用いられる電子部品の高機能化・軽量小型化・薄型化も急速に進展しており、これに伴い電子部品に配設されている電極端子とはんだ付け部も微細化及び多端子化する傾向にある。このように微細化し多端子化した電極端子を高い信頼性で回路基板に実装する電子部品の実装接合構造体が望まれている。 As electronic devices have become smaller and thinner in recent years, the mounting technology for electronic devices is to screen-print solder paste onto the electrodes on the circuit board, mount the electronic components, and then perform heat treatment using a reflow furnace. Accordingly, surface mounting technology in which an electronic component is bonded to a circuit board to form an electronic component bonded structure has become mainstream. In addition, electronic components used in semiconductor devices, etc., are becoming more sophisticated, lighter, smaller, and thinner, and along with this, the electrode terminals and soldered parts arranged in the electronic components are miniaturized and There is a tendency to increase the number of terminals. There has been a demand for a mounting joint structure for electronic components in which electrode terminals that are miniaturized and multi-terminals are mounted on a circuit board with high reliability.
これらの電極端子と基板上の電極金属との接合に用いられるはんだは、一般的に、金属材料の接合に用いられ、溶融温度域(固相線温度から液相線温度の範囲)が450℃以下の合金材料とされる。従来、リフロー熱処理で使用するはんだ材料としては、一般的に融点183℃のSn−37Pb共晶はんだが用いられ、また、高耐熱性が要求される、電子部品の内部等で使用される高温はんだとしては、固相線270℃及び液相線305℃であるSn−90Pb等の高温はんだが広く用いられてきた。 The solder used for joining these electrode terminals to the electrode metal on the substrate is generally used for joining metal materials, and has a melting temperature range (solidus temperature to liquidus temperature range) of 450 ° C. The following alloy materials are used. Conventionally, as a solder material used in reflow heat treatment, Sn-37Pb eutectic solder having a melting point of 183 ° C. is generally used, and high-temperature solder used in an electronic component or the like that requires high heat resistance. For example, high-temperature solder such as Sn-90Pb having a solidus of 270 ° C. and a liquidus of 305 ° C. has been widely used.
しかし、近年、EUの環境規制(WEEE、RoHS指令)にあるように、Pbの有害性が問題となり、環境汚染を防止する観点から、はんだの鉛フリー化が急速に進んでいる。現在、Sn−37Pb共晶はんだの代替としては、例えば融点220℃程度のSn−3.0Ag−0.5Cuからなる鉛フリーはんだ(特許文献1,2参照)が提案され、リフロー熱処理として240℃から260℃程度の温度範囲が一般的となりつつある。 However, in recent years, as in EU environmental regulations (WEEE, RoHS directive), the harmfulness of Pb has become a problem, and from the viewpoint of preventing environmental pollution, lead-free solder is rapidly progressing. Currently, as an alternative to Sn-37Pb eutectic solder, for example, lead-free solder made of Sn-3.0Ag-0.5Cu having a melting point of about 220 ° C. (see Patent Documents 1 and 2) has been proposed, and 240 ° C. as reflow heat treatment. A temperature range of approximately 260 to 260 ° C. is becoming common.
しかし、上述の共晶はんだ、高温はんだ、鉛フリーはんだの各材料は、融点以上の温度で液相を呈するため、はんだペーストとして印刷塗布した後、リフロー等の熱処理過程で溶融状態となり、電極端子及び基板上の電極金属に対して液状に濡れ広がる加工特性であった。特にはんだが印刷塗布される基板上の電極金属表面に関してははんだが大きく濡れ広がるために基板上の電極金属表面の露出部分がなくなり被覆厚さも一定でなくなるので、電子部品の高機能化・多端子化に対応させて、基板上の同一の電極金属の余白部に1つ以上の他の接合方式(例えば、金ワイヤーボンディングや嵌合式コネクティング、圧接導電性素材付加など)を安定的な品質・信頼性で実施できないという状況があった。 However, each of the above eutectic solder, high temperature solder, and lead-free solder exhibits a liquid phase at a temperature higher than the melting point. Therefore, after printing and applying as a solder paste, it becomes a molten state in a heat treatment process such as reflow. In addition, it was a processing characteristic that spreads in a liquid state with respect to the electrode metal on the substrate. Especially for the electrode metal surface on the substrate on which the solder is printed and applied, the solder is greatly wet and spread, so there is no exposed part of the electrode metal surface on the substrate and the coating thickness is not constant. Stable quality and reliability with one or more other bonding methods (for example, gold wire bonding, mating type connection, pressure contact conductive material addition, etc.) in the margin of the same electrode metal on the substrate There was a situation that could not be implemented due to sex.
基板上の電極金属に塗布した接合材が加熱時に濡れ広がらないものとしては、導電性接着剤(典型的には接着剤樹脂に導電性粒子を分散させたもの)が挙げられる。しかしこれらははんだ材料とは異なり、接合部の導通は導電性粒子の接触によって実現され、接着力は接着剤樹脂による接着力に依拠するため、接合の耐熱性・信頼性の点では金属結合で接合するはんだに劣るものであった。そのため、電子部品接合構造体の高機能化・多端子化のために基板上の同一電極金属上で複合した接合方式を用いる場合、はんだと同じ金属結合を有する高耐熱・高信頼性の接続材料でありながら、接合の熱処理時に液状に溶融せず微小な電極上でも濡れ広がらずに印刷時の形状及び面積を維持できる接合材料、並びに該接合材料を用いて接合構造体を形成する方法が望まれていた。しかし効果的な解決策がないのが現状であった。 Examples of the bonding material applied to the electrode metal on the substrate that does not spread out when heated include a conductive adhesive (typically, conductive particles dispersed in an adhesive resin). However, unlike solder materials, the continuity of the joint is realized by the contact of conductive particles, and the adhesive strength depends on the adhesive strength of the adhesive resin. Therefore, it is a metal bond in terms of heat resistance and reliability of the joint. It was inferior to the solder to be joined. Therefore, when using a bonding method that combines on the same electrode metal on the substrate to increase the functionality and multi-terminal of the electronic component bonding structure, it has a high heat resistance and high reliability connection material that has the same metal bond as solder. However, a bonding material that can maintain the shape and area during printing without melting into a liquid during the heat treatment of bonding and does not spread even on a minute electrode, and a method of forming a bonded structure using the bonding material are desired. It was rare. However, there was no effective solution at present.
一方、本発明者らは、Sn−3.0Ag−0.5Cuで代表される鉛フリーはんだのリフロー熱処理条件(具体的にはピーク245℃)で合金化し、合金形成後は、ピーク300℃未満のリフロー熱処理条件では再溶融しない高耐熱性の鉛フリー接続材料を既に提案している(特許文献3参照)。 On the other hand, the present inventors alloyed the lead-free solder represented by Sn-3.0Ag-0.5Cu under reflow heat treatment conditions (specifically, peak 245 ° C.), and after the alloy formation, the peak was less than 300 ° C. A high heat-resistant lead-free connecting material that does not remelt under the reflow heat treatment conditions has been proposed (see Patent Document 3).
本発明は、塗布後の熱処理時におけるはんだの濡れ広がりが低減され、電子部品の高機能化及び多端子化が可能な電子部品接合構造体の製造方法及び電子部品接合構造体を提供することを目的とする。 The present invention provides a method for manufacturing an electronic component bonded structure and an electronic component bonded structure in which solder wetting and spreading during heat treatment after coating is reduced, and the electronic component has a higher functionality and can have multiple terminals. Objective.
本発明者らは、各種の金属の組成や粒子形態に関してはんだペースト材料のための検討を行ない、特定のはんだを用いることによって、通常のエレクトロニクス実装技術で用いられている印刷・部品マウント・リフロー熱処理といった一連の工程において、熱処理による接合部の形成前後での基板上の電極金属上のはんだ塗布面積の変化を低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下の通りである。 The present inventors have studied for solder paste materials with regard to various metal compositions and particle forms, and by using specific solders, printing, component mounting, and reflow heat treatment used in ordinary electronics mounting technology In such a series of steps, the present inventors have found that the change in the solder application area on the electrode metal on the substrate before and after the formation of the joint by heat treatment can be reduced, and the present invention has been completed. That is, the present invention is as follows.
[1] 基板上の電極金属上にはんだペーストを塗布する塗布工程、及び
該基板上の電極金属上に該はんだペーストを介して電子部品の電極端子を接触させた状態で、該はんだペーストを熱処理する熱処理工程、
を含む電子部品接合構造体の製造方法であって、
該はんだペーストが、該基板上の電極金属と同じ材質の金属板に塗布した時の該金属板とはんだペーストとの接触面積をA、該はんだペーストを温度235℃〜260℃の範囲で熱処理した後の該金属板とはんだとの接触面積をBとしたときに、0.7≦B/A≦1.3を満たす電子部品接合構造体の製造方法。
[1] An application step of applying a solder paste onto the electrode metal on the substrate, and heat-treating the solder paste in a state where the electrode terminal of the electronic component is in contact with the electrode metal on the substrate via the solder paste Heat treatment process,
A method for manufacturing an electronic component joint structure including:
When the solder paste is applied to a metal plate of the same material as the electrode metal on the substrate, the contact area between the metal plate and the solder paste is A, and the solder paste is heat-treated at a temperature in the range of 235 ° C. to 260 ° C. A manufacturing method of an electronic component joint structure satisfying 0.7 ≦ B / A ≦ 1.3, where B is a contact area between the metal plate and solder later.
[2] 上記塗布工程において、基板上の電極金属上の一部にはんだペーストを塗布し、かつ、上記熱処理工程の後に、さらに、基板上の電極金属のうちのはんだで覆われていない部分に物理的信号線接続による接合を形成する接合工程を行なう、上記[1]に記載の電子部品接合構造体の製造方法。 [2] In the application step, a solder paste is applied to a part of the electrode metal on the substrate, and after the heat treatment step, the electrode metal on the substrate is not covered with solder. The method for manufacturing an electronic component bonding structure according to the above [1], wherein a bonding step of forming a bond by physical signal line connection is performed.
[3] 上記はんだペーストが、導電性フィラーとして第1の金属粒子と第2の金属粒子とを含み、30℃〜600℃の範囲の示差走査熱量測定において、該第1の金属粒子が、少なくとも1つの発熱ピーク及び300〜600℃の少なくとも1つの吸熱ピークを有し、該第2の金属粒子が、発熱ピークを有さず、かつ210〜260℃に少なくとも1つの吸熱ピークを有する、上記[2]に記載の電子部品接合構造体の製造方法。 [3] The solder paste contains first metal particles and second metal particles as a conductive filler, and in differential scanning calorimetry in the range of 30 ° C. to 600 ° C., the first metal particles are at least One exothermic peak and at least one endothermic peak of 300 to 600 ° C., wherein the second metal particle does not have an exothermic peak and has at least one endothermic peak at 210 to 260 ° C. 2] The manufacturing method of the electronic component joining structure according to [2].
[4] 上記第2の金属粒子がSnを主成分とする粒子である、上記[3]に記載の電子部品接合構造体の製造方法。 [4] The method for manufacturing an electronic component joint structure according to [3], wherein the second metal particles are particles containing Sn as a main component.
[5] 上記第1の金属粒子が、Cu50〜90質量%と、Ag、Bi、In、及びSnからなる群より選ばれる1種以上の元素10〜50質量%との組成を有する合金からなり、上記第2の金属粒子が、Snからなる、上記[3]又は[4]に記載の電子部品接合構造体の製造方法。 [5] The first metal particles are made of an alloy having a composition of 50 to 90% by mass of Cu and 10 to 50% by mass of one or more elements selected from the group consisting of Ag, Bi, In, and Sn. The method for producing an electronic component joint structure according to [3] or [4], wherein the second metal particles are made of Sn.
[6] 上記[1]〜[5]のいずれかに記載の製造方法により得られた電子部品接合構造体。 [6] An electronic component joint structure obtained by the manufacturing method according to any one of [1] to [5].
本発明の電子部品接合構造体の製造方法及び電子部品接合構造体によれば、塗布後の熱処理時におけるはんだの濡れ広がりが低減され、電子部品の高機能化及び多端子化が可能な電子部品接合構造体の製造方法及び電子部品接合構造体を提供することができる。また、本発明によれば、例えば、基板上の同一電極金属上に、はんだによる接合と他の方式(例えば、金ワイヤーボンディング、嵌合式コネクティング、圧接導電性素材付加等)による接合とを安定的な品質及び信頼性で形成することも可能になる。 According to the method of manufacturing an electronic component bonding structure and the electronic component bonding structure of the present invention, the electronic component capable of reducing the spread of the solder during heat treatment after coating and increasing the functionality of the electronic component and increasing the number of terminals. A method for manufacturing a bonded structure and an electronic component bonded structure can be provided. In addition, according to the present invention, for example, bonding by solder and bonding by other methods (for example, gold wire bonding, fitting type connection, pressure contact conductive material addition, etc.) can be stably performed on the same electrode metal on the substrate. It is also possible to form with high quality and reliability.
本発明の電子部品接合構造体の製造方法は、基板上の電極金属上にはんだペーストを塗布する塗布工程、及び、基板上の電極金属上にはんだペーストを介して電子部品の電極端子を接触させた状態で、はんだペーストを熱処理する熱処理工程を含む。 The method for manufacturing an electronic component joint structure according to the present invention includes a coating step of applying a solder paste on an electrode metal on a substrate, and contacting an electrode terminal of the electronic component on the electrode metal on the substrate via the solder paste. A heat treatment step of heat treating the solder paste in a state where
本発明において用いるはんだペーストは、基板上の電極金属と同じ材質の金属板に塗布した時の該金属板とはんだペーストとの接触面積をA、該はんだペーストを温度235℃〜260℃の範囲で熱処理した後の該金属板とはんだとの接触面積をBとしたときに、0.7≦B/A≦1.3を満たす。熱処理工程後にはんだの収縮によって電極とはんだとの接触面積が減少すると、電子部品接合構造体の接合部自体が電子部品の下に隠れて見えなくなってしまい外観検査が困難になる点、及び接合強度の観点から、B/Aの値は、0.7以上である。また、基板上の電極金属上及び電極端子上への拡散及び変質の影響を抑える観点から、B/Aの値は、1.3以下である。上記B/Aの値は、0.8以上1.2以下であることが好ましく、0.9以上1.1以下であることがより好ましい。 The solder paste used in the present invention has a contact area between the metal plate and the solder paste when applied to a metal plate made of the same material as the electrode metal on the substrate, and the solder paste has a temperature in the range of 235 ° C. to 260 ° C. When the contact area between the metal plate and the solder after the heat treatment is B, 0.7 ≦ B / A ≦ 1.3 is satisfied. If the contact area between the electrode and the solder decreases due to the shrinkage of the solder after the heat treatment step, the joint part of the electronic component joint structure itself is hidden under the electronic component and becomes invisible, and the appearance inspection becomes difficult, and the joint strength From this point of view, the value of B / A is 0.7 or more. Moreover, the value of B / A is 1.3 or less from the viewpoint of suppressing the influence of diffusion and alteration on the electrode metal and electrode terminal on the substrate. The value of B / A is preferably 0.8 or more and 1.2 or less, and more preferably 0.9 or more and 1.1 or less.
本発明においては、B/Aの値が上記範囲内であるはんだペーストを用いることによって、はんだペーストを熱処理して基板上の電極金属の電子部品接合部を形成する際に、はんだが濡れ広がらずに基板上の電極金属上に余白部分(すなわちはんだ被覆が形成されていない部分)を形成できる。これにより、他の物理的信号接続による接合を、はんだ接合部が形成された基板上の電極金属自身に付与することができ、より小面積及び小型の電子部品接合構造体を製造することができる。 In the present invention, by using a solder paste having a B / A value within the above range, when the solder paste is heat-treated to form an electrode metal electronic part joint on the substrate, the solder does not spread out. In addition, a blank portion (that is, a portion where no solder coating is formed) can be formed on the electrode metal on the substrate. Thereby, the joining by another physical signal connection can be given to the electrode metal itself on the board | substrate with which the solder joint part was formed, and a smaller area and a small electronic component joining structure can be manufactured. .
以下、本発明において使用できるはんだペーストの好ましい例について説明する。
好ましいはんだペーストとしては、導電性フィラーを含むものが挙げられ、特に、導電性フィラーと、ロジン、活性剤、溶剤及び必要に応じて増粘剤を含む添加剤からなるフラックスとで構成されるペーストが特に好ましい。
Hereinafter, preferable examples of the solder paste that can be used in the present invention will be described.
Preferred solder pastes include those containing a conductive filler, and in particular, a paste composed of a conductive filler and a flux comprising an additive containing a rosin, an activator, a solvent and, if necessary, a thickener. Is particularly preferred.
上記導電性フィラーは、より典型的には、第1の金属粒子と第2の金属粒子とを含む。この場合、30℃〜600℃の範囲の示差走査熱量測定(以下、「DSC測定」ともいう。)において、第1の金属粒子が、発熱ピークを少なくとも1つ及び300〜600℃に吸熱ピークを少なくとも1つ有し、第2の金属粒子が、発熱ピークを有さず、かつ、210〜260℃に少なくとも1つの吸熱ピークを有することが好ましい。 The conductive filler more typically includes first metal particles and second metal particles. In this case, in differential scanning calorimetry (hereinafter also referred to as “DSC measurement”) in the range of 30 ° C. to 600 ° C., the first metal particles have at least one exothermic peak and an endothermic peak at 300 to 600 ° C. It is preferable that at least one and the second metal particles have no exothermic peak and have at least one endothermic peak at 210 to 260 ° C.
特に、第1の金属粒子としては、DSC測定で発熱ピークとして観測される準安定合金相を少なくとも1つと、吸熱ピークとして観測される融点を210〜240℃及び300〜450℃の2箇所にそれぞれ少なくとも1つずつ有するとともに、50℃以上210℃未満には吸熱ピークとして観測される融点を有さないものがより好ましい。 In particular, as the first metal particles, at least one metastable alloy phase observed as an exothermic peak in DSC measurement, and melting points observed as endothermic peaks at two locations of 210 to 240 ° C. and 300 to 450 ° C., respectively. It is more preferable to have at least one and not have a melting point observed as an endothermic peak at 50 ° C. or higher and lower than 210 ° C.
なお、DSC測定の温度範囲は30〜600℃、昇温速度は10℃/分とし、発熱量又は吸熱量が±1.5J/g以上あるものを測定対象物由来のピークとして定量し、それ未満のピークは、分析精度の観点から除外するものとする。また本明細書において「融点」とは、融解開始温度を意味し、DSCにおける固相線境界温度を指す。 In addition, the temperature range of DSC measurement is 30 to 600 ° C., the rate of temperature increase is 10 ° C./min, and the one having a calorific value or endothermic amount of ± 1.5 J / g or more is quantified as a peak derived from the measurement object Less than peaks are excluded from the viewpoint of analysis accuracy. In the present specification, the “melting point” means a melting start temperature and indicates a solidus boundary temperature in DSC.
また、第1の金属粒子と第2の金属粒子との組合せとしては、第1の金属粒子と第2の金属粒子との混合体が、DSC測定において、第1の金属粒子由来の発熱ピークとして観測される準安定合金相を少なくとも1つと、第2の金属粒子由来の吸熱ピークとして観測される融点を210〜240℃に少なくとも1つ有するとともに、第2の金属粒子の210〜240℃に観察される融点(該融点が2つ以上存在する場合は最も低い融点)以上の温度で熱処理された後においては、第1の金属粒子と第2の金属粒子との反応物として新たな安定合金相が形成されており、該安定合金相由来の吸熱ピークとして観測される融点を300〜450℃に少なくとも1つ有するものであることが好ましい。 In addition, as a combination of the first metal particles and the second metal particles, a mixture of the first metal particles and the second metal particles is an exothermic peak derived from the first metal particles in DSC measurement. At least one observed metastable alloy phase and at least one melting point observed as an endothermic peak derived from the second metal particles at 210-240 ° C. and observed at 210-240 ° C. of the second metal particles After heat treatment at a temperature equal to or higher than the melting point (the lowest melting point when two or more melting points are present), a new stable alloy phase is obtained as a reaction product between the first metal particles and the second metal particles. It is preferable that at least one melting point observed as an endothermic peak derived from the stable alloy phase is 300 to 450 ° C.
第1の金属粒子と第2の金属粒子との混合体に、例えば235℃〜260℃の熱処理を加えることにより、第2の金属粒子の融点以上の熱が与えられると、該第2の金属粒子が第1の金属粒子との融合を開始し、第1の金属粒子と第2の金属粒子との間の熱拡散反応が加速的に進み、準安定合金相が消失して新たな安定合金相が形成される。即ち、DSCで発熱ピークとして観測される準安定合金相の存在は、該熱拡散反応の進行を助長する効果がある。ここで、上記熱処理の温度は、はんだの一般的なリフロー熱処理条件であるピーク温度235〜260℃の範囲で適宜設定することができる。 When heat equal to or higher than the melting point of the second metal particles is applied to the mixture of the first metal particles and the second metal particles by, for example, heat treatment at 235 ° C. to 260 ° C., the second metal particles The particles start to fuse with the first metal particles, the thermal diffusion reaction between the first metal particles and the second metal particles proceeds at an accelerated rate, the metastable alloy phase disappears, and a new stable alloy A phase is formed. That is, the presence of a metastable alloy phase observed as an exothermic peak by DSC has an effect of promoting the progress of the thermal diffusion reaction. Here, the temperature of the heat treatment can be appropriately set within a range of a peak temperature of 235 to 260 ° C. which is a general reflow heat treatment condition of the solder.
上記の熱拡散反応が進行するにしたがって、第2の金属粒子における210〜260℃の融点を有する金属成分は、新たに形成される300〜450℃の融点を有する安定合金相へ移動して減少する。つまり、上記の熱処理後においては、210〜240℃の吸熱ピーク面積として観測される第2の金属粒子の溶融時の吸熱量は該熱処理前に比べて減少するか、又は消失する。その一方で、第1の金属粒子と第2の金属粒子との反応により、300℃未満では溶融しない新たな安定合金相が形成される。 As the above thermal diffusion reaction proceeds, the metal component having a melting point of 210 to 260 ° C. in the second metal particles moves to the newly formed stable alloy phase having a melting point of 300 to 450 ° C. and decreases. To do. That is, after the heat treatment, the endothermic amount at the time of melting of the second metal particles observed as an endothermic peak area of 210 to 240 ° C. is reduced or disappears as compared with that before the heat treatment. On the other hand, a new stable alloy phase that does not melt below 300 ° C. is formed by the reaction between the first metal particles and the second metal particles.
上記の混合体の50〜240℃におけるDSCの吸熱ピーク面積は、はんだの一般的リフロー熱処理条件であるピーク温度235〜260℃の範囲で熱処理した後において熱処理前の0〜90%であることが好ましく、0〜70%であることがより好ましい。該吸熱ピーク面積が熱処理後において熱処理前の90%以下である場合、300℃未満では溶融しない新たな安定合金相による高耐熱性をはんだに付与できる。なお、0%とは、該熱処理後は50〜240℃におけるDSCの吸熱ピークが消失することを意味する。 The endothermic peak area of DSC at 50 to 240 ° C. of the above mixture is 0 to 90% before heat treatment after heat treatment in the range of a peak temperature of 235 to 260 ° C., which is a general reflow heat treatment condition for solder. Preferably, it is 0 to 70%. When the endothermic peak area is 90% or less before heat treatment after heat treatment, high heat resistance can be imparted to the solder by a new stable alloy phase that does not melt below 300 ° C. In addition, 0% means that the endothermic peak of DSC at 50 to 240 ° C. disappears after the heat treatment.
第1の金属粒子と第2の金属粒子との上記のような組合せを含む導電性フィラーを用いて構成したはんだペーストは、一般的なリフロー熱処理条件であるピーク温度235〜260℃の範囲において全てが溶融する液体状態を経ずに反応が進行し、第1の金属粒子と第2の金属粒子との融合が進行するため、電子部品の電極端子と基板上の電極金属との間を接合するためのはんだペーストの塗布及び熱処理の前後で発生する、基板上の電極金属とはんだペーストとの接触面積の拡大ないしは縮小の変化を所望の範囲内に収めることができる。 Solder pastes formed using conductive fillers containing the above combinations of first metal particles and second metal particles are all in the range of peak temperatures of 235 to 260 ° C., which is a general reflow heat treatment condition. The reaction proceeds without passing through a liquid state in which the metal melts, and the fusion of the first metal particles and the second metal particles proceeds. Therefore, the electrode terminal of the electronic component and the electrode metal on the substrate are joined. Therefore, the change of the contact area between the electrode metal on the substrate and the solder paste, which occurs before and after the application of the solder paste and the heat treatment, can be kept within a desired range.
第1の金属粒子としては、Cu50〜90質量%と、Ag、Bi、In、及びSnからなる群より選ばれる1種以上の元素10〜50質量%との組成を有する合金からなる金属粒子が好ましい。例えば第2の金属粒子の主成分がSnである場合において、はんだペーストの熱処理による接合強度を高くできる点で、第1の金属粒子におけるCuの含有率を50質量%以上とすることが好ましい。また、DSC測定において発熱ピークを少なくとも1つ及び300〜600℃に吸熱ピークを少なくとも1つ有するように容易に調整できる点で、第1の金属粒子においてはAg、Bi、In、及びSnからなる群より選ばれる1種以上の元素の含有率を10質量%以上とすることが好ましい。 As the first metal particles, metal particles made of an alloy having a composition of Cu 50 to 90% by mass and one or more elements selected from the group consisting of Ag, Bi, In, and Sn are 10 to 50% by mass. preferable. For example, when the main component of the second metal particles is Sn, the Cu content in the first metal particles is preferably 50% by mass or more from the viewpoint that the bonding strength by heat treatment of the solder paste can be increased. Further, in the DSC measurement, the first metal particles are composed of Ag, Bi, In, and Sn in that it can be easily adjusted to have at least one exothermic peak and at least one endothermic peak at 300 to 600 ° C. The content of one or more elements selected from the group is preferably 10% by mass or more.
また、第1の金属粒子としては、Cu50〜80質量%、Sn5〜25質量%、Ag5〜25質量%、Bi1〜20質量%、及びIn1〜10質量%の組成を有する合金からなる金属粒子がより好ましい。DSC測定において発熱ピークを示す準安定合金相の形成を容易にするために、Agの含有率は5質量%以上、Biの含有率は1質量%以上とすることがより好ましい。熱処理時に第1の金属粒子と第2の金属粒子との合金化を促進するために、Snの含有率は5質量%以上、Inの含有率は1質量%以上とすることがより好ましい。また、Cuの含有率を50質量%以上とするために、Sn、Ag、Bi及びInの含有率は、それぞれ25質量%以下、25質量%以下、20質量%以下、及び10質量%以下とすることがより好ましい。 Moreover, as a 1st metal particle, the metal particle which consists of an alloy which has the composition of Cu 50-80 mass%, Sn 5-25 mass%, Ag 5-25 mass%, Bi1-20 mass%, and In1-10 mass%. More preferred. In order to facilitate formation of a metastable alloy phase exhibiting an exothermic peak in DSC measurement, it is more preferable that the Ag content is 5% by mass or more and the Bi content is 1% by mass or more. In order to promote alloying of the first metal particles and the second metal particles during the heat treatment, it is more preferable that the Sn content is 5 mass% or more and the In content is 1 mass% or more. Moreover, in order to make the content rate of Cu 50 mass% or more, the content rates of Sn, Ag, Bi, and In are 25 mass% or less, 25 mass% or less, 20 mass% or less, and 10 mass% or less, respectively. More preferably.
さらにより好ましい第1の金属粒子は、Cu50〜80質量%、Ag5〜15質量%、Bi2〜10質量%、In2〜10質量%、及び残部Snの組成を有する合金からなる金属粒子である。 Even more preferable first metal particles are metal particles made of an alloy having a composition of Cu 50 to 80% by mass, Ag 5 to 15% by mass, Bi 2 to 10% by mass, In 2 to 10% by mass, and the balance Sn.
第2の金属粒子としては、Snを主成分とする粒子が好ましい。本明細書においてSnを主成分とする金属粒子とはSnを50質量%超で含有する金属粒子を意味する。第2の金属粒子は、Snを70〜100質量%含む金属粒子であることがより好ましい。例えば第1の金属粒子の主成分がCuである場合において、はんだペーストの熱処理による接合強度を高くできる点で、第2の金属粒子におけるSnの含有率を70質量%以上とすることが好ましい。また、Snの融点は232℃であるので、第2の金属粒子に210〜260℃の融点を発現させることが容易である点でも、第2の金属粒子がSnを主成分とすること、さらにSnを70質量%以上含有することは好ましい。第2の金属粒子におけるSn以外の成分としては、鉛フリーはんだで通常使用される金属元素、例えばAg、Al、Bi、Cu、Ge、In、Ni、Zn、を30質量%以下含有することが好ましい。 As the second metal particles, particles containing Sn as a main component are preferable. In this specification, the metal particle which has Sn as a main component means the metal particle which contains Sn more than 50 mass%. The second metal particles are more preferably metal particles containing 70 to 100% by mass of Sn. For example, when the main component of the first metal particles is Cu, the Sn content in the second metal particles is preferably set to 70% by mass or more in that the bonding strength by heat treatment of the solder paste can be increased. In addition, since the melting point of Sn is 232 ° C., the second metal particles are mainly composed of Sn in that the second metal particles can easily develop a melting point of 210 to 260 ° C. It is preferable to contain 70 mass% or more of Sn. As a component other than Sn in the second metal particles, a metal element usually used in lead-free solder, for example, Ag, Al, Bi, Cu, Ge, In, Ni, Zn, may be contained in an amount of 30% by mass or less. preferable.
また、第2の金属粒子としては、Sn100質量%からなる金属粒子、又はSn70〜99質量%と、Ag、Bi、Cu、及びInからなる群より選ばれる1種以上の元素1〜30質量%との組成を有する合金からなる金属粒子がより好ましい。
第1の金属粒子と第2の金属粒子との好ましい典型的な組合せとしては、第1の金属粒子が、Cu50〜90質量%と、Ag、Bi、In、及びSnからなる群より選ばれる1種以上の元素10〜50質量%との組成を有する合金からなり、第2の金属粒子がSnからなる組合せを例示できる。
Moreover, as a 2nd metal particle, 1-30 mass% of 1 or more types of elements chosen from the metal particle which consists of Sn100 mass%, or Sn70-99 mass%, and the group which consists of Ag, Bi, Cu, and In Metal particles made of an alloy having the following composition are more preferable.
As a preferable typical combination of the first metal particles and the second metal particles, the first metal particles are selected from the group consisting of Cu 50 to 90% by mass, Ag, Bi, In, and Sn. A combination comprising an alloy having a composition of 10 to 50% by mass of the element of at least a seed and a second metal particle comprising Sn can be exemplified.
第1の金属粒子と第2の金属粒子との組合せにおける混合比としては、第1の金属粒子100質量部に対する第2の金属粒子の混合量が、50〜200質量部であることが好ましく、55〜186質量部であることがより好ましく、80〜186質量部であることが最も好ましい。第1の金属粒子100質量部に対する第2の金属粒子の混合量が50質量部以上である場合、電子部品接合構造体の接合部として形成した後のはんだ接合部の室温での接続強度が高く、第2の金属粒子の混合量が200質量部以下である場合、例えばはんだの一般的なリフロー熱処理条件である260℃で熱処理した際に高い接続強度が得られる。 As a mixing ratio in the combination of the first metal particles and the second metal particles, the mixing amount of the second metal particles with respect to 100 parts by mass of the first metal particles is preferably 50 to 200 parts by mass, It is more preferably 55 to 186 parts by mass, and most preferably 80 to 186 parts by mass. When the mixing amount of the second metal particles with respect to 100 parts by mass of the first metal particles is 50 parts by mass or more, the connection strength at room temperature of the solder joint after being formed as the joint of the electronic component joint structure is high. When the mixing amount of the second metal particles is 200 parts by mass or less, a high connection strength is obtained, for example, when heat treatment is performed at 260 ° C., which is a general reflow heat treatment condition for solder.
第1の金属粒子及び第2の金属粒子の粒子サイズは、はんだペーストの塗布方法に応じて適宜定めることができる。例えば、スクリーン印刷法では、ペースト版抜け性を重視して、体積平均粒径2〜40μmの範囲の粒度分布がブロードで比較的真球度の高い粒子を用いることが好ましい。またディスペンス法では、吐出塗布時のペースト流動性を考慮して、粒度分布をよりシャープにすることが好ましい。 The particle sizes of the first metal particles and the second metal particles can be appropriately determined according to the solder paste application method. For example, in the screen printing method, it is preferable to use particles having a broad particle size distribution with a volume average particle size in the range of 2 to 40 μm and a relatively high sphericity, with emphasis on the ability to remove the paste plate. In the dispensing method, it is preferable to make the particle size distribution sharper in consideration of the paste fluidity at the time of discharge coating.
通常、微細な金属粒子では表面が酸化されていることが多い。従って、はんだペーストの熱処理による溶融及び熱拡散を促進する目的で、はんだペーストには、酸化膜を除去するための活性剤を配合することが好ましい。 Usually, the surface of fine metal particles is often oxidized. Therefore, for the purpose of promoting melting and thermal diffusion of the solder paste by heat treatment, it is preferable to add an activator for removing the oxide film to the solder paste.
上記導電性フィラーを構成する第1の金属粒子及び第2の金属粒子の製造方法としては、金属粒子内に準安定合金相や安定合金相を形成させるために、急冷凝固法である不活性ガスアトマイズ法を採用することが望ましい。ガスアトマイズ法では、通常、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガスが使用されるが、ヘリウムガスを用いることが好ましく、冷却速度は500〜5000℃/秒が好ましい。 As a method for producing the first metal particles and the second metal particles constituting the conductive filler, an inert gas atomization which is a rapid solidification method in order to form a metastable alloy phase or a stable alloy phase in the metal particles. It is desirable to adopt the law. In the gas atomization method, an inert gas such as nitrogen gas, argon gas, or helium gas is usually used, but helium gas is preferably used, and the cooling rate is preferably 500 to 5000 ° C./second.
はんだペーストは、典型的には、上記導電性フィラー、並びにロジン、活性剤、溶剤、及び必要に応じて増粘剤を含む添加剤を含有するフラックスで構成される。はんだペーストにおける導電性フィラーの含有率としては、85〜95質量%が好ましい。フラックスは、金属粒子からなる導電性フィラーの表面処理に最適で、該金属粒子の溶融及び熱拡散を促進するものである。フラックスとしては公知の材料を使用でき、該公知の材料については例えば特開2004−223559号公報に記載されている。フラックスは、酸化膜除去剤として有機アミンを更に含有することがより好ましい。また、必要に応じて、公知のフラックスにさらに溶剤を加えて粘度を調整したものを使用してもよい。 The solder paste is typically composed of a flux containing the above conductive filler and an additive containing a rosin, an activator, a solvent, and optionally a thickener. As a content rate of the electroconductive filler in a solder paste, 85-95 mass% is preferable. The flux is optimal for the surface treatment of the conductive filler made of metal particles, and promotes melting and thermal diffusion of the metal particles. A known material can be used as the flux, and the known material is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-223559. More preferably, the flux further contains an organic amine as an oxide film removing agent. Moreover, you may use what adjusted the viscosity by adding a solvent further to well-known flux as needed.
ロジンとしては、天然樹脂又はその変性樹脂を主成分とするものが挙げられる。変性樹脂としては重合ロジン、フェノール樹脂変性ロジン等が挙げられる。はんだペースト中のロジンの含有量は、40〜50質量%の範囲であることが好ましく、42〜48質量%の範囲であることがより好ましい。 Examples of the rosin include those containing a natural resin or a modified resin thereof as a main component. Examples of the modified resin include polymerized rosin and phenol resin-modified rosin. The content of rosin in the solder paste is preferably in the range of 40 to 50% by mass, and more preferably in the range of 42 to 48% by mass.
活性剤としては、無機系及び有機系のものを使用でき、例えばアミン塩酸塩等のハロゲン系活性剤、有機酸系活性剤等が挙げられる。はんだペースト中の活性剤の含有量は、7〜12質量%の範囲であることが好ましく、8〜11質量%の範囲であることがより好ましい。 As the activator, inorganic and organic ones can be used, and examples thereof include halogen activators such as amine hydrochloride, organic acid activators and the like. The content of the activator in the solder paste is preferably in the range of 7 to 12% by mass, and more preferably in the range of 8 to 11% by mass.
溶剤としては、例えばジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、オクタンジオール等が挙げられる。はんだペースト中の溶剤の含有量は、30〜45質量%の範囲であることが好ましく、35〜40質量%の範囲であることがより好ましい。 Examples of the solvent include diethylene glycol monohexyl ether and octanediol. The content of the solvent in the solder paste is preferably in the range of 30 to 45% by mass, and more preferably in the range of 35 to 40% by mass.
増粘剤としては、例えばチクソ剤が挙げられる。はんだペースト中における、増粘剤を含む添加剤の含有量は、10〜15質量%の範囲であることが好ましい。 As a thickener, a thixotropic agent is mentioned, for example. The content of the additive including the thickener in the solder paste is preferably in the range of 10 to 15% by mass.
はんだペーストの粘度は、25℃において150〜250Pa・sの範囲であることが好ましく、180〜230Pa・sの範囲であることがより好ましい。ペーストの流動性・印刷塗付工程において版抜けを良好に保つという観点から、該粘度が250Pa・s以下が好ましくペーストの流動性・印刷塗付工程において基板上の電極金属上での印刷ダレを防止する観点から、150Pa・s以上が好ましい。なお上記粘度とは、JIS Z 3284「ソルダペースト」規格に規定された方法で行ない、実際には該規格に準拠した粘度測定装置(例えば(株)マルコム製「PCU−205」)を用いて該規格記載の条件で測定される値である。 The viscosity of the solder paste is preferably in the range of 150 to 250 Pa · s at 25 ° C., and more preferably in the range of 180 to 230 Pa · s. The viscosity is preferably 250 Pa · s or less from the viewpoint of maintaining good plate slippage in the paste fluidity / print coating process, and the sagging of the electrode metal on the substrate in the paste fluidity / print coating process is preferably reduced. From the viewpoint of prevention, 150 Pa · s or more is preferable. The viscosity is determined by the method specified in the JIS Z 3284 “Solder Paste” standard. Actually, the viscosity is measured using a viscosity measuring device (for example, “PCU-205” manufactured by Malcolm Co., Ltd.). It is a value measured under the conditions described in the standard.
はんだペーストが第1の金属粒子と第2の金属粒子とを含む場合、他の金属粒子との融合性を有する第2の金属粒子と、溶融しない第1の金属粒子との作用により、熱処理工程におけるはんだペーストの濡れ広がりが低減されるため、熱処理工程後にも塗布時に近い形状を保持し、電子部品の電極端子と基板上の電極金属との間を接合するためのはんだペーストの塗布及び熱処理の前後で発生する、基板上の電極金属とはんだペーストとの接触面積の拡大ないしは縮小の変化を所望の範囲内に収める効果が良好である。 When the solder paste includes the first metal particles and the second metal particles, the heat treatment step is performed by the action of the second metal particles having a fusion property with other metal particles and the first metal particles not melted. As the solder paste wets and spreads in the solder, the shape close to the time of application is maintained even after the heat treatment process, and the solder paste is applied and heat treated to join between the electrode terminals of the electronic component and the electrode metal on the substrate. The effect of keeping the change in expansion or contraction of the contact area between the electrode metal on the substrate and the solder paste occurring before and after within a desired range is good.
本発明における基板上の電極金属を構成する金属としては、例えば、Cu、Ag、Au、Ni、Sn、Al、Ti、Pd、Si等の金属が挙げられ、Cu、Ag、Auがより好ましい。これらはメッキや貼り合わせ等の各種処理で基板上の電極金属の表面部分として形成されていることができる。なお、はんだペーストを基板上の電極金属に塗布する場合は、はんだと基板上の電極金属との接続を良好にするために基板上の電極金属に対して表面被覆処理が行なわれているのが一般的であり、例えば銅電極では、一例として該電極上にメッキで形成したSn、Au、Ni等の薄膜が形成されている。特に、上記金属のうちAu以外は、金属表面が酸化され易いため、はんだペーストを塗布する前にフラックス等で表面処理したり、又はプリフラックスコートしたり、各種金属メッキやはんだ被覆を行なうことが好ましい。 Examples of the metal constituting the electrode metal on the substrate in the present invention include metals such as Cu, Ag, Au, Ni, Sn, Al, Ti, Pd, and Si, and Cu, Ag, and Au are more preferable. These can be formed as a surface portion of the electrode metal on the substrate by various processes such as plating and bonding. When applying the solder paste to the electrode metal on the substrate, the surface coating treatment is performed on the electrode metal on the substrate in order to improve the connection between the solder and the electrode metal on the substrate. For example, in a copper electrode, for example, a thin film of Sn, Au, Ni or the like formed by plating on the electrode is formed as an example. In particular, since the metal surface other than Au is easily oxidized among the above metals, surface treatment with a flux or the like, or pre-flux coating, or various metal plating or solder coating can be performed before applying the solder paste. preferable.
塗布工程において、基板上の電極金属上にはんだペーストを塗布する手段としては、はんだペーストを一定の厚さ又は一定の塗布量で付与する手段が一般的であり、スクリーン印刷や転写印刷、ディスペンス吐出等が用いられる。 In the coating process, as a means for applying the solder paste onto the electrode metal on the substrate, a means for applying the solder paste with a constant thickness or a constant coating amount is generally used, such as screen printing, transfer printing, and dispensing. Etc. are used.
スクリーン印刷ではマスク版を用いた印刷機を使用できる。印刷機は、典型的には、基板を固定する機構と、メタルマスクと基板上の電極部分の位置合わせを行なう機構と、マスク版を基板に圧接し、そのマスク上からマスク下にある基板上の電極金属部分に対して開口部からペーストを塗布用のスキージで刷り込む機構とを有している。マスク版としてはメッシュタイプやメタルタイプなどの各種材質が存在するが、粒子サイズに幅広く対応し、工程での清掃も容易なメタルマスクタイプが一般に広く用いられている。 In screen printing, a printing press using a mask plate can be used. The printing machine typically has a mechanism for fixing the substrate, a mechanism for aligning the metal mask and the electrode portion on the substrate, and a mask plate pressed against the substrate, and from above the mask onto the substrate under the mask. And a mechanism for printing the paste from the opening with an application squeegee. There are various materials such as a mesh type and a metal type as a mask plate, but a metal mask type that is widely used for the particle size and easy to clean in the process is generally widely used.
転写印刷は、はんだペーストの一定塗膜厚さの平塗り塗膜を一定のクリアランスを持つスキージなどで形成した後に、その塗膜をスタンパーで抜き取って基板の所定の電極位置にスタンプすることで、電極上にはんだペーストを一定量配置する方式であり、専用の転写印刷装置が用いられる。転写印刷装置は、平塗り塗膜を塗布する塗布機構と、基板を固定し基板の電極位置を合わせる機構と、3次元的にスタンパーを駆動させて抜き取り及び転写押印を行なう機構とを有している。転写印刷はスクリーン印刷に比べて塗布量がばらつきやすく、スタンパーの清掃管理など連続運転に注意を要することもあり、印刷方式としてはスクリーン印刷が主流になっている。 Transfer printing is a method of forming a flat coating film with a certain coating thickness of solder paste with a squeegee with a certain clearance, and then extracting the coating film with a stamper and stamping it at a predetermined electrode position on the substrate. This is a system in which a certain amount of solder paste is arranged on the electrode, and a dedicated transfer printing apparatus is used. The transfer printing apparatus has an application mechanism for applying a flat coating film, a mechanism for fixing the substrate and aligning the electrode position of the substrate, and a mechanism for performing extraction and transfer imprinting by driving a stamper three-dimensionally. Yes. In transfer printing, the amount of coating is more variable than in screen printing, and care is required for continuous operation such as stamper cleaning management, and screen printing has become the mainstream printing method.
ディスペンス吐出は、基板上の電極部分に一定量のはんだペーストを吐出していく方式であり、ディスペンサー装置が用いられる。ディスペンサーは、シリンジ内に収められたはんだペーストに対して吐出に必要な圧力をオンデマンドでかけることによって一定量のはんだペーストをシリンジ先端のニードルから押し出すものであり、シリンジ自体を3次元的に駆動させ基板上の電極部分の位置を決めることで電極上に必要量のはんだペーストを吐出塗布する装置である。ニードルからの吐出という手法に起因して、ペースト自体がスクリーン印刷に比べて薄くなりにくいという欠点はあるが、工程上でのペーストのロスも少なく、吐出の位置や量がプログラムによって可変であるため、印刷マスク版を圧接しにくい段差や凹凸のある基板及び電子部品構造体へのペースト塗布が可能である。 Dispensing is a method in which a certain amount of solder paste is discharged to the electrode portion on the substrate, and a dispenser device is used. The dispenser pushes a certain amount of solder paste from the needle at the tip of the syringe by applying the pressure required for discharge to the solder paste contained in the syringe on demand, and the syringe itself is driven three-dimensionally. This is an apparatus for discharging and applying a necessary amount of solder paste on an electrode by determining the position of the electrode portion on the substrate. Due to the method of discharging from the needle, the paste itself has the disadvantage that it is less likely to be thinner than screen printing, but there is little loss of paste in the process, and the position and amount of discharge are variable depending on the program Further, it is possible to apply a paste to a substrate and an electronic component structure having a step or an unevenness that are difficult to press the printing mask plate.
塗布工程においては、小面積及び小型の電子部品接合構造体を形成する観点から、はんだペーストの塗布部分が基板上の電極金属の上面(すなわち基板側でない方の面)の面積の一部であることが好ましく、基板上の電極金属の上面の面積の20〜80%であることがより好ましい。 In the coating process, from the viewpoint of forming a small-area and small-sized electronic component bonding structure, the solder paste coating part is a part of the area of the upper surface of the electrode metal on the substrate (that is, the surface not on the substrate side). Preferably, it is 20 to 80% of the area of the upper surface of the electrode metal on the substrate.
熱処理工程においては、基板上の電極金属上にはんだペーストを介して電子部品の電極端子を接触させた状態で、はんだペーストを熱処理する。熱処理工程は、典型的には部品マウント工程とリフロー熱処理工程との2つに分けて行なう。 In the heat treatment step, the solder paste is heat-treated in a state where the electrode terminals of the electronic component are brought into contact with the electrode metal on the substrate via the solder paste. The heat treatment step is typically performed in two parts, a component mounting step and a reflow heat treatment step.
部品マウント工程では、半導体やチップ部品などの各種電子部品をピックアップし基板の所定位置に接触させて置くマウンタ装置が用いられる。マウンタ装置は、電子部品を供給する機構と、該電子部品をピックアップする機構と、ピックアップした電子部品を、装置内に配置した基板の所定の電極位置に設定した圧力で置いていく機構とを有している。 In the component mounting process, a mounter device is used in which various electronic components such as semiconductors and chip components are picked up and placed in contact with predetermined positions on the substrate. The mounter device has a mechanism for supplying an electronic component, a mechanism for picking up the electronic component, and a mechanism for placing the picked-up electronic component at a predetermined electrode position on a substrate arranged in the device. doing.
リフロー熱処理工程は、基板上の電極金属上にはんだペーストを介して電子部品が配置された状態の基板に対して、一定の仕様の温度を印加する工程であり、一般的にはんだ熱処理に適合する炉を持つリフロー装置が用いられる。リフロー熱処理の際の加熱方式としては、赤外線印加や熱風印加などの方式が主流であり、リフロー熱処理時の炉内の雰囲気は空気の場合と窒素の場合があるが、電子部品やはんだ接合部の酸化による劣化を防ぐ意味で、近年の高密度高精度実装においては窒素雰囲気のリフローが多用されている。リフロー熱処理は通常、予熱部と本加熱部に分けられ、本加熱部は一般的にはんだが溶融及び接合する温度以上に設定され、本加熱部の最高温度は、共晶はんだの場合で235℃程度、Sn−3.0Ag−0.5Cuで代表される鉛フリーはんだの場合で245〜255℃程度である。予熱部は、基板や電子部品の全体を均一に温め、本加熱部で活性状態となる前にはんだのフラックス成分を整える意味を持つため、200℃程度以下の温度で保持される。 The reflow heat treatment process is a process in which a temperature of a certain specification is applied to a substrate in which electronic components are arranged on the electrode metal on the substrate via a solder paste, and is generally compatible with solder heat treatment. A reflow device with a furnace is used. As the heating method for reflow heat treatment, methods such as infrared ray application and hot air application are the mainstream, and the atmosphere in the furnace at the time of reflow heat treatment may be air or nitrogen. In order to prevent deterioration due to oxidation, reflow in a nitrogen atmosphere is frequently used in recent high-density and high-precision mounting. The reflow heat treatment is usually divided into a preheating part and a main heating part. The main heating part is generally set to a temperature higher than the temperature at which the solder is melted and joined. The maximum temperature of the main heating part is 235 ° C. in the case of eutectic solder. In the case of lead-free solder represented by Sn-3.0Ag-0.5Cu, the temperature is about 245 to 255 ° C. Since the preheating part has the meaning which warms the whole board | substrate and an electronic component uniformly, and arranges the flux component of a solder before it becomes an active state in this heating part, it is hold | maintained at the temperature of about 200 degrees C or less.
リフロー熱処理は、235℃以上である時間が3〜60秒となるように行なうことが好ましい。導電性フィラーとして第1の金属粒子及び第2の金属粒子を用いる場合、第2の金属粒子が熱拡散するために、235℃以上である時間は3秒以上であることが好ましく、電子部品の保護の観点から、235℃以上である時間は60秒以下であることが好ましい。235℃以上である時間は30秒以上であることがより好ましい。さらに、リフロー熱処理は、ピーク温度245℃〜260℃で5〜30秒行なうことが好ましい。熱処理は、大気中で行なってもよいが、窒素雰囲気中で行なうことがより好ましい。さらに好ましくは、熱処理は、はんだ用リフロー装置を用い、ピーク温度210℃〜250℃、酸素濃度1000ppm以下の窒素雰囲気で行なう。 The reflow heat treatment is preferably performed so that the time of 235 ° C. or higher is 3 to 60 seconds. In the case where the first metal particles and the second metal particles are used as the conductive filler, in order for the second metal particles to thermally diffuse, the time of 235 ° C. or higher is preferably 3 seconds or longer. From the viewpoint of protection, the time of 235 ° C. or higher is preferably 60 seconds or shorter. The time of 235 ° C. or higher is more preferably 30 seconds or longer. Further, the reflow heat treatment is preferably performed at a peak temperature of 245 ° C. to 260 ° C. for 5 to 30 seconds. The heat treatment may be performed in the air, but is more preferably performed in a nitrogen atmosphere. More preferably, the heat treatment is performed using a solder reflow apparatus in a nitrogen atmosphere having a peak temperature of 210 ° C. to 250 ° C. and an oxygen concentration of 1000 ppm or less.
従来の電子部品接合構造体においては、電子部品が接合された基板上の電極金属に予め配線パターンを介して別の電極部分を引き出しておくことによって、リフロー熱処理後のはんだ被覆が形成されない部分を形成し、この部分に、はんだ接合以外の他の物理的信号線接続による接合を形成する工程が用いられることが多い。 In the conventional electronic component bonding structure, a portion where the solder coating after the reflow heat treatment is not formed is obtained by previously drawing another electrode portion through the wiring pattern on the electrode metal on the substrate to which the electronic component is bonded. In many cases, a step of forming a joint by physical signal line connection other than the solder joint is formed in this portion.
この場合、引き出し配線や別電極部を予め用意する必要があるため、電子部品接合構造体を構成する上で余分な面積が必要となり、小型化が妨げられていた。 In this case, since it is necessary to prepare a lead-out wiring and a separate electrode part in advance, an extra area is required for constructing the electronic component joint structure, which hinders downsizing.
本発明においては、熱処理時のはんだペーストの濡れ広がりが低減されるため、まず塗布工程において基板上の電極金属上の一部にはんだペーストを塗布し、熱処理工程を経た後、接合工程として、基板上の同一電極金属のうちのはんだで覆われていない部分に、物理的信号接続(はんだ接合以外の物理的信号接続)による接合をさらに形成することが可能である。 In the present invention, since wetting and spreading of the solder paste during the heat treatment is reduced, the solder paste is first applied to a part of the electrode metal on the substrate in the coating process, and after the heat treatment process, the bonding process is performed on the substrate. the portion not covered with the solder of the same electrode metal above, it is possible to further form a bond by physical signal connection (physical signal connections other than joining I).
すなわち、本発明の電子部品接合構造体の製造方法においては、基板上の電極金属のうち電気信号の入出力に関係する部分である上面(すなわち基板側でない方の面)に、電子部品がはんだ接合されている部分とはんだで覆われていない部分とを形成できる。該上面は、はんだ以外の物理的信号線接続(例えば、金ワイヤーボンディングや嵌合式コネクティング、圧接導電性素材付加など)で接合した部分を形成して基板上の電極金属の本来の機能を発現させるために重要な部分であるため、はんだ形成部分の面積を低減してはんだで覆われていない部分を基板上の電極金属上に確保し、基板上の同一電極金属上に複数種類の信号線接続を有する電子部品接合構造体を形成できることは、小面積化及び小型化の点で有利である。 That is, in the method for manufacturing an electronic component bonded structure according to the present invention, the electronic component is soldered on the upper surface (that is, the surface not on the substrate side) of the electrode metal on the substrate, which is a portion related to input / output of electric signals. A joined portion and a portion not covered with solder can be formed. The upper surface forms a portion joined by physical signal line connection other than solder (for example, gold wire bonding, fitting type connection, pressure contact conductive material addition, etc.) to express the original function of the electrode metal on the substrate Because this is an important part, the area of the solder formation part is reduced, the part not covered with solder is secured on the electrode metal on the board, and multiple types of signal line connections are made on the same electrode metal on the board The ability to form an electronic component joint structure having the following is advantageous in terms of reduction in area and size.
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated based on an Example, this invention is not limited to this.
(1)第1の金属粒子の製造
Cu粒子6.5kg(純度99質量%以上)、Sn粒子1.5kg(純度99質量%以上)、Ag粒子1.0kg(純度99質量%以上)、Bi粒子0.5kg(純度99質量%以上)、及びIn粒子0.5kg(純度99質量%以上)を黒鉛坩堝に入れ、99体積%以上のヘリウム雰囲気で、高周波誘導加熱装置により1400℃まで加熱、融解した。
(1) Production of first metal particles 6.5 kg of Cu particles (purity 99 mass% or more), 1.5 kg of Sn particles (purity 99 mass% or more), 1.0 kg of Ag particles (purity 99 mass% or more), Bi 0.5 kg of particles (purity 99% by mass or more) and 0.5 kg of In particles (purity 99% by mass or more) were put in a graphite crucible and heated to 1400 ° C. with a high frequency induction heating device in a helium atmosphere of 99% by volume or more. Melted.
次に、この溶融金属を坩堝の先端より、ヘリウムガス雰囲気の噴霧槽内に導入した後、坩堝先端付近に設けられたガスノズルから、ヘリウムガス(純度99体積%以上、酸素濃度0.1体積%未満、圧力2.5MPa)を噴出してアトマイズを行ない、第1の金属粒子を作製した。この時の冷却速度は2600℃/秒とした。 Next, after this molten metal is introduced from the tip of the crucible into a spray tank in a helium gas atmosphere, helium gas (purity 99 vol% or more, oxygen concentration 0.1 vol%) is supplied from a gas nozzle provided near the crucible tip. The pressure was reduced to 2.5 MPa, and atomization was performed to produce first metal particles. The cooling rate at this time was 2600 ° C./second.
得られた第1の金属粒子を走査型電子顕微鏡(日立製作所(株)製:S−2700)で観察したところ球状であった。この金属粒子を気流式分級機(日清エンジニアリング(株)製:TC−15N)を用いて、1.6μmの設定で分級した後に、そのオーバーカット粉を10μm設定でもう一度分級して得られたアンダーカット粉を回収した。この回収された第1の金属粒子の体積平均粒径は2.7μmであった。このようにして得られた第1の金属粒子を試料とし、島津製作所(株)製「DSC−50」を用い、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分の条件で、30〜600℃の範囲において示差走査熱量測定を行なった。 When the obtained 1st metal particle was observed with the scanning electron microscope (Hitachi, Ltd. product: S-2700), it was spherical. The metal particles were obtained by classifying the overcut powder again at a setting of 10 μm after classifying the metal particles at a setting of 1.6 μm using an airflow classifier (manufactured by Nissin Engineering Co., Ltd .: TC-15N). Undercut powder was collected. The collected first metal particles had a volume average particle size of 2.7 μm. The first metal particles thus obtained were used as samples, and “DSC-50” manufactured by Shimadzu Corporation was used, and the temperature was 30 to 600 ° C. under a temperature increase rate of 10 ° C./min in a nitrogen atmosphere. Differential scanning calorimetry was performed over the range.
その結果、得られた第1の金属粒子には、495℃、及び514℃に吸熱ピークが存在し、複数の融点を有することが確認できた。また、254℃の発熱ピークが存在し、準安定合金相を有することが確認できた。 As a result, it was confirmed that the obtained first metal particles had endothermic peaks at 495 ° C. and 514 ° C. and had a plurality of melting points. Moreover, the exothermic peak of 254 degreeC existed and it has confirmed that it had a metastable alloy phase.
(2)第2の金属粒子の製造
Sn粒子10.0kg(純度99質量%以上)を黒鉛坩堝に入れ、99体積%以上のヘリウム雰囲気で、高周波誘導加熱装置により1400℃まで加熱、融解した。次に、この溶融金属を坩堝の先端より、ヘリウムガス雰囲気の噴霧槽内に導入した後、坩堝先端付近に設けられたガスノズルから、ヘリウムガス(純度99体積%以上、酸素濃度0.1体積%未満、圧力2.5MPa)を噴出してアトマイズを行なうことにより、第2の金属粒子を作製した。この時の冷却速度は2600℃/秒とした。
(2) Production of Second Metal Particles 10.0 kg of Sn particles (purity 99% by mass or more) were put in a graphite crucible and heated and melted to 1400 ° C. with a high frequency induction heating device in a helium atmosphere of 99% by volume or more. Next, after this molten metal is introduced from the tip of the crucible into a spray tank in a helium gas atmosphere, helium gas (purity 99 vol% or more, oxygen concentration 0.1 vol%) is supplied from a gas nozzle provided near the crucible tip. The second metal particles were produced by performing atomization by ejecting a pressure of less than 2.5 MPa. The cooling rate at this time was 2600 ° C./second.
得られた第2の金属粒子を走査型電子顕微鏡(日立製作所(株)製:S−2700)で観察したところ球状であった。この金属粒子を気流式分級機(日清エンジニアリング(株)製:TC−15N)を用いて、5μmの設定で分級した後に、そのオーバーカット粉を40μm設定でもう一度分級して得られたアンダーカット粉を回収した。この回収された第2の金属粒子の体積平均粒径は6.5μmであった。このようにして得られた第2の金属粒子を試料とし、島津製作所(株)製「DSC−50」を用い、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分の条件で、30〜600℃の範囲において示差走査熱量測定を行なった。その結果、得られた第2の金属粒子には、242℃の吸熱ピークが存在し、融点232℃(融解開始温度:通常、固相線温度と表示させる温度)を有することが確認できた。また、特徴的な発熱ピークは存在しなかった。 When the obtained 2nd metal particle was observed with the scanning electron microscope (Hitachi Ltd. make: S-2700), it was spherical. The metal particles were classified using an airflow classifier (manufactured by Nissin Engineering Co., Ltd .: TC-15N) at a setting of 5 μm, and then the undercut obtained by classifying the overcut powder again at a setting of 40 μm. The flour was collected. The volume average particle diameter of the recovered second metal particles was 6.5 μm. The second metal particles thus obtained were used as samples, and “DSC-50” manufactured by Shimadzu Corporation was used, and the temperature was 30 to 600 ° C. under a nitrogen atmosphere under a temperature rising rate of 10 ° C./min. Differential scanning calorimetry was performed over the range. As a result, it was confirmed that the obtained second metal particles had an endothermic peak of 242 ° C. and had a melting point of 232 ° C. (melting start temperature: usually a temperature indicated as a solidus temperature). There was no characteristic exothermic peak.
(3)導電性フィラー及びはんだペーストの熱特性
(参考例1)
上記第1の金属粒子と上記第2の金属粒子とを質量比100:83で混合した導電性フィラー(平均粒径3.4μm)を試料とし、島津製作所(株)製「DSC−50」を用い、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分の条件で、30〜600℃の範囲において示差走査熱量測定を行なった。この測定により得られたDSCチャートでは、233℃、348℃、及び378℃に吸熱ピークが存在することが確認された。233℃の吸熱ピークは、融点227℃(融解開始温度:固相線温度と表示させる温度)、吸熱量16.1J/gである。また、特徴的に255℃に発熱ピークが存在していた。
(3) Thermal characteristics of conductive filler and solder paste (Reference Example 1)
Using a conductive filler (average particle size of 3.4 μm) in which the first metal particles and the second metal particles are mixed at a mass ratio of 100: 83 as a sample, “DSC-50” manufactured by Shimadzu Corporation is used. Using a nitrogen atmosphere, differential scanning calorimetry was performed in the range of 30 to 600 ° C. under a temperature rising rate of 10 ° C./min. In the DSC chart obtained by this measurement, it was confirmed that endothermic peaks exist at 233 ° C., 348 ° C., and 378 ° C. The endothermic peak at 233 ° C. has a melting point of 227 ° C. (melting start temperature: a temperature indicated as a solidus temperature) and an endothermic amount of 16.1 J / g. In addition, an exothermic peak was present at 255 ° C. characteristically.
次に、該導電性フィラー90.2質量%、ロジン系フラックス9.8質量%を混合し、ソルダーソフナー((株)マルコム製:「SPS−1」)、脱泡混練機(松尾産業(株)製:「SNB−350」)にかけてはんだペーストを作製した。このようにして得られたはんだペーストを試料として(株)マルコム製「PCU−205」で粘度測定したところ、粘度204Pa・s、チクソ指数0.50であった。 Next, 90.2% by mass of the conductive filler and 9.8% by mass of rosin-based flux were mixed, and solder softener (manufactured by Malcolm Co., Ltd .: “SPS-1”), defoaming kneader (Matsuo Sangyo Co., Ltd.) ) Manufactured: “SNB-350”) to produce a solder paste. When the viscosity of the solder paste thus obtained was measured with “PCU-205” manufactured by Malcolm Corporation, the viscosity was 204 Pa · s and the thixo index was 0.50.
上記はんだペーストをアルミナ基板に載せ、窒素雰囲気下にて、ピーク温度245℃でリフロー熱処理した。熱処理装置は、(株)マルコム製のリフローシミュレータ「SRS−1C」を使用した。温度プロファイルは、予備加熱ゾーンまでの昇温速度:1〜3℃/秒、予備加熱温度範囲を130℃→190℃、予備加熱時間を110〜170秒、本加熱ゾーンは235℃以上の部分を30〜50秒、ピーク温度245℃の範囲で制御する条件を採用した。この間、リフローシミュレータの観測窓より該ペーストを観察したが、はんだペースト中の導電性フィラーは液状に溶融しなかった。 The solder paste was placed on an alumina substrate and subjected to reflow heat treatment at a peak temperature of 245 ° C. in a nitrogen atmosphere. As a heat treatment apparatus, a reflow simulator “SRS-1C” manufactured by Malcolm Co., Ltd. was used. The temperature profile shows the rate of temperature rise to the preheating zone: 1 to 3 ° C./second, the preheating temperature range from 130 ° C. to 190 ° C., the preheating time from 110 to 170 seconds, and the main heating zone at 235 ° C. or higher. The conditions of controlling in the range of 30 to 50 seconds and the peak temperature of 245 ° C. were adopted. During this time, the paste was observed from the observation window of the reflow simulator, but the conductive filler in the solder paste did not melt into a liquid state.
この熱処理後のはんだペーストを試料とし、島津製作所(株)製「DSC−50」を用い、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分の条件で、30〜600℃の範囲において示差走査熱量測定を行なった。この測定により得られたDSCチャートでは、136℃、171℃、347℃、420℃に吸熱ピークの存在が検出された。この内、240℃以下の吸熱ピークは、136℃、171℃で、吸熱量は、3.9J/gである。よって50〜240℃の吸熱量は、熱処理前の210〜240℃の吸熱ピーク面積から観測される溶融時の吸熱量の24%に減少し、新たな安定合金相が形成されて融合体ができていることが確認された。 Using this heat-treated solder paste as a sample, differential scanning calorimetry is performed in a range of 30 to 600 ° C. under a temperature increase rate of 10 ° C./min under a nitrogen atmosphere using “DSC-50” manufactured by Shimadzu Corporation. Was done. In the DSC chart obtained by this measurement, the presence of endothermic peaks was detected at 136 ° C, 171 ° C, 347 ° C, and 420 ° C. Of these, the endothermic peaks at 240 ° C. or lower are 136 ° C. and 171 ° C., and the endothermic amount is 3.9 J / g. Therefore, the endothermic amount at 50 to 240 ° C. is reduced to 24% of the endothermic amount at the time of melting observed from the endothermic peak area at 210 to 240 ° C. before the heat treatment, and a new stable alloy phase is formed to form a fusion. It was confirmed that
(参考例2)
上記第1の金属粒子と上記第2の金属粒子とを質量比100:185で混合した導電性フィラー(平均粒径4.25μm)を試料とし、島津製作所(株)製「DSC−50」を用い、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分の条件で、30〜600℃の範囲において示差走査熱量測定を行なった。235℃、409℃に吸熱ピークが存在することが確認された。235℃の吸熱ピークは、融点223℃(融解開始温度:固相線温度と表示させる温度)、吸熱量2.71J/gである。また、特徴的に248℃に発熱ピークが存在していた。
(Reference Example 2)
Using a conductive filler (average particle size of 4.25 μm) in which the first metal particles and the second metal particles are mixed at a mass ratio of 100: 185 as a sample, “DSC-50” manufactured by Shimadzu Corporation is used. Using a nitrogen atmosphere, differential scanning calorimetry was performed in the range of 30 to 600 ° C. under a temperature rising rate of 10 ° C./min. It was confirmed that endothermic peaks exist at 235 ° C. and 409 ° C. The endothermic peak at 235 ° C. has a melting point of 223 ° C. (melting start temperature: a temperature indicated as a solidus temperature) and an endothermic amount of 2.71 J / g. Further, an exothermic peak was present at 248 ° C. characteristically.
次に、該導電性フィラー89.6質量%、ロジン系フラックス10.4質量%を混合し、ソルダーソフナー((株)マルコム製:「SPS−1」)、脱泡混練機(松尾産業(株)製:「SNB−350」)にかけてはんだペーストを作製した。このようにして得られたはんだペーストを試料として(株)マルコム製「PCU−205」で粘度測定したところ、粘度214Pa・s、チクソ指数0.45であった。 Next, 89.6% by mass of the conductive filler and 10.4% by mass of rosin-based flux are mixed, and solder softener (manufactured by Malcolm: “SPS-1”), defoaming kneader (Matsuo Sangyo Co., Ltd.) ) Manufactured: “SNB-350”) to produce a solder paste. When the viscosity of the solder paste thus obtained was measured with “PCU-205” manufactured by Malcolm Corporation, the viscosity was 214 Pa · s and the thixo index was 0.45.
上記はんだペーストをアルミナ基板に載せ、窒素雰囲気下にて、ピーク温度245℃でリフロー熱処理した。熱処理装置は、(株)マルコム製のリフローシミュレータ「SRS−1C」を使用した。温度プロファイルは、予備加熱ゾーンまでの昇温速度:1〜3℃/秒、予備加熱温度範囲を130℃→190℃、予備加熱時間を110〜170秒、本加熱ゾーンは235℃以上の部分を30〜50秒、ピーク温度245℃の範囲で制御する条件を採用した。この間、リフローシミュレータの観測窓より該ペーストを観察したが、はんだペースト中の導電性フィラーは液状に溶融しなかった。 The solder paste was placed on an alumina substrate and subjected to reflow heat treatment at a peak temperature of 245 ° C. in a nitrogen atmosphere. As a heat treatment apparatus, a reflow simulator “SRS-1C” manufactured by Malcolm Co., Ltd. was used. The temperature profile shows the rate of temperature rise to the preheating zone: 1 to 3 ° C./second, the preheating temperature range from 130 ° C. to 190 ° C., the preheating time from 110 to 170 seconds, and the main heating zone at 235 ° C. or higher. The conditions of controlling in the range of 30 to 50 seconds and the peak temperature of 245 ° C. were adopted. During this time, the paste was observed from the observation window of the reflow simulator, but the conductive filler in the solder paste did not melt into a liquid state.
この熱処理後のはんだペーストを試料とし、島津製作所(株)製「DSC−50」を用い、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分の条件で、30〜600℃の範囲において示差走査熱量測定を行なった。177℃、194℃、401℃、430℃に吸熱ピークの存在が検出され、新たな安定合金相が形成されて融合体ができていることが確認された。 Using this heat-treated solder paste as a sample, differential scanning calorimetry is performed in a range of 30 to 600 ° C. under a temperature increase rate of 10 ° C./min under a nitrogen atmosphere using “DSC-50” manufactured by Shimadzu Corporation. Was done. The presence of endothermic peaks was detected at 177 ° C., 194 ° C., 401 ° C., and 430 ° C., and it was confirmed that a new stable alloy phase was formed and a fusion was formed.
(4)はんだペーストの塗布、熱処理及び面積変化評価
(実施例1,比較例1)
参考例1で作製したはんだペーストを縦25mm×横25mm、厚み0.3mmのAuめっきCu板(表面はAu)に印刷塗布した。印刷パターン形成は、印刷機としてマイクロテック(株)製の「MT−320TV」を用い、版には0.2mm厚のメタルマスクを用いた。マスクの開孔は2mm×3mm(塗布接触面積6mm2)である。印刷条件は、速度:10mm/sec、印圧:0.1MPa、スキージ圧:0.2MPa、背圧:0.1MPa、スキージはR80−60°、クリアランス:0mmとした。この印刷パターンを窒素雰囲気下にて、ピーク温度245℃でリフロー熱処理した。熱処理装置は、(株)マルコム製のリフローシミュレータ「SRS−1C」を使用した。温度プロファイルは、予備加熱ゾーンまでの昇温速度:1〜3℃/秒、予備加熱温度範囲を130℃→190℃、予備加熱時間を110〜170秒、本加熱ゾーンは235℃以上の部分を30〜50秒、ピーク温度245℃の範囲で制御する条件を採用した。比較例1としては、代表的な鉛フリーはんだ、ハリマ化成(株)製「マイクロソルダー」(Sn−3.0Ag−0.5Cu金属組成)を同一の条件で評価した。このようにして形成したはんだペースト印刷パターンの熱処理前後の上面写真を図1に示す。比較例1では、当該熱処理温度で完全に液状溶融したためにAu表面上ではんだペーストが液体状に濡れ広がり、熱処理後のはんだの接触面積はもとの塗布接触面積の2.6倍のサイズになったが、実施例1のペーストでは液状溶融は見られず、面積変化についてももとの塗布接触面積の1.0倍(変化無し)に収まり、もとの設定上の印刷形状及び印刷面積を保っていた。なお、このAuめっきCu板上の熱処理後のペーストを再度、上記と同じ条件でリフロー熱処理を加えて接触面積の変化を見たところ、比較例1ではさらに拡大したが、実施例は変化がなかった。
(4) Application of solder paste, heat treatment and area change evaluation (Example 1, Comparative Example 1)
The solder paste produced in Reference Example 1 was printed and applied to an Au plated Cu plate (surface is Au) having a length of 25 mm × width of 25 mm and a thickness of 0.3 mm. For the printing pattern formation, “MT-320TV” manufactured by Microtech Co., Ltd. was used as a printing machine, and a 0.2 mm thick metal mask was used for the plate. The aperture of the mask is 2 mm × 3 mm (application contact area 6 mm 2 ). The printing conditions were speed: 10 mm / sec, printing pressure: 0.1 MPa, squeegee pressure: 0.2 MPa, back pressure: 0.1 MPa, squeegee R80-60 °, and clearance: 0 mm. This printed pattern was subjected to reflow heat treatment at a peak temperature of 245 ° C. in a nitrogen atmosphere. As a heat treatment apparatus, a reflow simulator “SRS-1C” manufactured by Malcolm Co., Ltd. was used. The temperature profile shows the rate of temperature rise to the preheating zone: 1 to 3 ° C./second, the preheating temperature range from 130 ° C. to 190 ° C., the preheating time from 110 to 170 seconds, and the main heating zone at 235 ° C. or higher. The conditions of controlling in the range of 30 to 50 seconds and the peak temperature of 245 ° C. were adopted. As Comparative Example 1, a typical lead-free solder, “Micro Solder” (Sn-3.0Ag-0.5Cu metal composition) manufactured by Harima Chemical Co., Ltd. was evaluated under the same conditions. FIG. 1 shows top view photographs of the solder paste printed pattern formed in this way before and after heat treatment. In Comparative Example 1, since the liquid was completely melted at the heat treatment temperature, the solder paste wets and spreads on the Au surface, and the contact area of the solder after the heat treatment is 2.6 times the original application contact area. However, in the paste of Example 1, no liquid melting was observed, and the area change was within 1.0 times the original application contact area (no change), and the print shape and print area on the original settings. Was kept. In addition, when the paste after the heat treatment on the Au plated Cu plate was subjected to a reflow heat treatment again under the same conditions as described above and a change in the contact area was observed, it was further enlarged in Comparative Example 1, but the example was not changed. It was.
(実施例2,比較例2)
参考例1で作製したはんだペーストを縦25mm×横25mm、厚み0.3mmのCu板に印刷塗布した。印刷パターン形成は、印刷機としてマイクロテック(株)製の「MT−320TV」を用い、版には0.1mm厚のメタルマスクを用いた。マスクの開孔は300μmφ(塗布接触面積90000μm2)である。印刷条件は、速度:10mm/sec、印圧:0.1MPa、スキージ圧:0.2MPa、背圧:0.1MPa、スキージはR80−60°、クリアランス:0mmとした。この印刷パターンを窒素雰囲気下にて、ピーク温度245℃でリフロー熱処理してバンプを形成した。熱処理装置は、(株)マルコム製のリフローシミュレータ「SRS−1C」を使用した。温度プロファイルは、予備加熱ゾーンまでの昇温速度:1〜3℃/秒、予備加熱温度範囲を130℃→190℃、予備加熱時間を110〜170秒、本加熱ゾーンは235℃以上の部分を30〜50秒、ピーク温度245℃の範囲で制御する条件を採用した。比較例2としては、代表的な鉛フリーはんだ、ハリマ化成(株)製「マイクロソルダー」(Sn−3.0Ag−0.5Cu金属組成)を同一の条件で評価した。このようにして形成したはんだペースト印刷バンプの熱処理後のバンプ中央部分での断面写真を図2に示す。比較例2では、当該熱処理温度で完全に液状溶融したため、Auに比べ比較的はんだの濡れ広がりが少ないCu表面上でもバンプ形成時にはんだペーストが濡れ広がり、熱処理後のバンプ部におけるはんだのCu板接触面積は374μmφとなりもとの塗布接触面積の1.55倍のサイズになったが、実施例2のペーストでは液状溶融は見られず、面積についても320μmφで、面積変化はもとの塗布接触面積の1.14倍に収まり、またもとの設定上の印刷形状及び印刷面積に対して1.3以下の値を示した。
Example 2 and Comparative Example 2
The solder paste produced in Reference Example 1 was printed and applied to a Cu plate having a length of 25 mm × width of 25 mm and a thickness of 0.3 mm. For the printing pattern formation, “MT-320TV” manufactured by Microtech Co., Ltd. was used as a printing machine, and a 0.1 mm thick metal mask was used for the plate. The opening of the mask is 300 μmφ (coating contact area 90000 μm 2 ). The printing conditions were speed: 10 mm / sec, printing pressure: 0.1 MPa, squeegee pressure: 0.2 MPa, back pressure: 0.1 MPa, squeegee R80-60 °, and clearance: 0 mm. This printed pattern was subjected to reflow heat treatment at a peak temperature of 245 ° C. in a nitrogen atmosphere to form bumps. As a heat treatment apparatus, a reflow simulator “SRS-1C” manufactured by Malcolm Co., Ltd. was used. The temperature profile shows the rate of temperature rise to the preheating zone: 1 to 3 ° C./second, the preheating temperature range from 130 ° C. to 190 ° C., the preheating time from 110 to 170 seconds, and the main heating zone at 235 ° C. or higher. The conditions of controlling in the range of 30 to 50 seconds and the peak temperature of 245 ° C. were adopted. As Comparative Example 2, a typical lead-free solder, “Micro Solder” (Sn-3.0Ag-0.5Cu metal composition) manufactured by Harima Chemical Co., Ltd. was evaluated under the same conditions. FIG. 2 shows a cross-sectional photograph at the bump central portion after the heat treatment of the solder paste printed bump formed as described above. In Comparative Example 2, since the liquid was completely melted at the heat treatment temperature, the solder paste spreads even when the bump is formed even on the Cu surface where the solder wettability is relatively small compared to Au, and the solder Cu plate contacts the bump part after the heat treatment. The area was 374 μmφ, which was 1.55 times the size of the original coating contact area, but the liquid melt was not seen in the paste of Example 2, the area was also 320 μmφ, and the area change was the original coating contact area The value was 1.14 times that of the original, and 1.3 or less with respect to the print shape and print area on the original setting.
(実施例3,比較例3)
縦50mm×横50mm、厚み0.80mmのFR−4基板(利昌工業(株)製「CS−3287」)の表面に厚み18μmの0.3mm角銅電極を0.3mmギャップ間隔で2つ並べたものの中央を0.1mm幅の銅配線ブリッジパターンでつないだ基板上の電極金属を形成した(電極の表面処理は四国化成工業(株)製プリフラックス「タフエース」F−2、基板表面のソルダーレジストは太陽インキ製造(株)製「PSR4000」;厚み20μm)。参考例1で作製したはんだペーストをこの基板上の電極金属上に印刷塗布した。印刷パターン形成は、印刷機としてヤマハ発動機(株)製の「YVP−Xg−w」を用い、版には0.1mm厚のメタルマスクを用いて行なった。マスクの開孔は該0.3mm角電極部の中央位置を基準にして0.3mm角面積の60%開孔率(開孔面積0.054mm2)の角孔である。印刷条件は、ダブルメタルスキージ(角度55°)で印圧50N、速度10mm/sec、クリアランス:0mmとした。この印刷パターンを窒素雰囲気下にて、ピーク温度250℃でリフロー熱処理した。熱処理装置は、エイテックテクトロン(株)製のリフロー炉「NIS−20−82C」を使用した。温度プロファイルは、予備加熱ゾーンまでの昇温速度:1〜3℃/秒、予備加熱温度範囲を130℃→190℃、予備加熱時間を110〜170秒、本加熱ゾーンは235℃以上の部分を30秒、ピーク温度250℃の範囲で制御する条件を採用した。
(Example 3, Comparative Example 3)
Two 0.3 mm square copper electrodes with a thickness of 18 μm are arranged at 0.3 mm gap intervals on the surface of an FR-4 substrate (“CS-3287” manufactured by Risho Kogyo Co., Ltd.) having a length of 50 mm × width of 50 mm and a thickness of 0.80 mm. The electrode metal on the substrate was formed by connecting the center of the cake with a copper wiring bridge pattern having a width of 0.1 mm (surface treatment of the electrode was preflux “Toughace” F-2, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., solder on the substrate surface The resist is “PSR4000” manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd .; thickness 20 μm). The solder paste prepared in Reference Example 1 was printed on the electrode metal on this substrate. The printing pattern was formed using “YVP-Xg-w” manufactured by Yamaha Motor Co., Ltd. as a printing machine, and a 0.1 mm thick metal mask for the plate. The opening of the mask is a square hole having a 60% opening ratio (opening area 0.054 mm 2 ) of 0.3 mm square area with reference to the center position of the 0.3 mm square electrode portion. The printing conditions were a double metal squeegee (angle 55 °), a printing pressure of 50 N, a speed of 10 mm / sec, and a clearance of 0 mm. This printed pattern was subjected to reflow heat treatment at a peak temperature of 250 ° C. in a nitrogen atmosphere. As a heat treatment apparatus, a reflow furnace “NIS-20-82C” manufactured by Atec Techtron Co., Ltd. was used. The temperature profile shows the rate of temperature rise to the preheating zone: 1 to 3 ° C./second, the preheating temperature range from 130 ° C. to 190 ° C., the preheating time from 110 to 170 seconds, and the main heating zone at 235 ° C. or higher. A condition of controlling in the range of 30 seconds and a peak temperature of 250 ° C. was adopted.
はんだペーストの上記の熱処理後の状態の上面写真を図3に示す。左右の0.3mm角電極内部にあるはんだペーストの熱処理後の接触面積は印刷塗布した面積と同じで、写真上の面積からの換算でも電極面積の約60%となっており、印刷マスクの開孔率設定と変わらず電極表面上ではんだの接触面積の変化がないことが分かった。 A top view photograph of the solder paste after the heat treatment is shown in FIG. The contact area after heat treatment of the solder paste inside the left and right 0.3 mm square electrodes is the same as the area where printing is applied, and is approximately 60% of the electrode area when converted from the area on the photograph. It was found that there was no change in the contact area of the solder on the electrode surface as with the porosity setting.
比較例3として、実施例3と同条件で、はんだペーストのみを代表的な鉛フリーはんだ、千住金属工業(株)のエコソルダーペースト「M705−GRN360−K2−V」(Sn−3.0Ag−0.5Cu)に変えて評価したところ、はんだペーストは熱処理後に0.3mm角電極内で広がって仕上がり面積が大きく変化していた。また、一部では中央の0.1mm幅の銅配線ブリッジパターンまではんだペーストが流れており左右の0.3mm角電極がつながっているものが見られた。 As Comparative Example 3, under the same conditions as in Example 3, only a solder paste was used as a representative lead-free solder, an eco solder paste "M705-GRN360-K2-V" (Sn-3.0Ag-) of Senju Metal Industry Co., Ltd. When evaluated by changing to 0.5 Cu), the solder paste spreads within the 0.3 mm square electrode after the heat treatment, and the finished area greatly changes. In some cases, the solder paste flowed to the center 0.1 mm wide copper wiring bridge pattern, and the left and right 0.3 mm square electrodes were connected.
(5)電子部品の実装による電子部品接合構造体の形成
(実施例4,比較例4)
実施例3で用いたのと同じ、基板上の電極電極(すなわちマトリックス多数配置電極を有する基板の当該電極)に、参考例1で作製したはんだペーストを実施例3と同一の条件・装置・マスクによって印刷塗布した。この印刷パターンの左右間をまたいで、すなわち、左右隣接する一対の電極パターンにおいて左側電極の右側0.3mm角電極と右側電極の左側0.3mm角電極の各々端部側半分を均等に踏む形で、電子部品として0603サイズのチップ抵抗(KOA(株)製;基板上の設置面積は縦0.3mm横0.6mm)をヤマハ発動機(株)製チップマウンタ「YV100Xg」にて搭載した(部品押込み圧0.8N、押し込み高さ設定0mm)。その後、実施例2と同一の条件・装置を用いて窒素雰囲気下にて、ピーク温度250℃でリフロー熱処理した。
(5) Formation of electronic component joint structure by mounting electronic components (Example 4, Comparative Example 4)
The same conditions, apparatus, and mask as in Example 3 were applied to the solder paste prepared in Reference Example 1 on the same electrode electrode on the substrate as that used in Example 3 (that is, the electrode of the substrate having a matrix-arranged electrode). Was applied by printing. Steps straddling the left and right sides of this printed pattern, that is, in the pair of adjacent left and right electrode patterns, the left side 0.3 mm square electrode on the right side electrode and the left side 0.3 mm square electrode on the right side electrode are stepped evenly. Then, a 0603 size chip resistor (manufactured by KOA Co., Ltd .; the installation area on the substrate is 0.3 mm in length and 0.6 mm in width) is mounted on a chip mounter “YV100Xg” manufactured by Yamaha Motor Co., Ltd. ( Parts pushing pressure 0.8N, pushing height setting 0mm). Thereafter, reflow heat treatment was performed at a peak temperature of 250 ° C. under a nitrogen atmosphere using the same conditions and apparatus as in Example 2.
この電子部品接合構造体の上面写真を図4に示す。部品の0.3mm角電極の上の半分は該チップ抵抗が実装されており残りの半分は電極部分が露出しているが、はんだペーストは熱処理後に上記半分の電極面積の中に収まっていた。熱処理後のはんだ接触面積は印刷塗布時の接触面積に対して1.3倍以内で拡大するに収まっており、電極の周辺部は該はんだで覆われていない余白部分を残していた。 FIG. 4 shows a top view photograph of this electronic component bonding structure. The chip resistor was mounted on the upper half of the 0.3 mm square electrode of the component and the electrode portion was exposed in the other half, but the solder paste was within the half electrode area after heat treatment. The solder contact area after the heat treatment was within 1.3 times the contact area at the time of printing application, and the periphery of the electrode left a blank part not covered with the solder.
比較例4として、実施例4と同条件で、はんだペーストのみを代表的な鉛フリーはんだ、千住金属工業(株)のエコソルダーペースト「M705−GRN360−K2−V」(Sn−3.0Ag−0.5Cu)に変えて評価した結果を図5に示す。はんだペーストは熱処理後に電極面積のうちチップ抵抗が載っていない半分の中で全体的に広がり、熱処理後のはんだ接触面積は印刷塗布時の接触面積に対して1.3倍を超えて拡大していた。 As Comparative Example 4, under the same conditions as in Example 4, only a solder paste was used as a representative lead-free solder, an eco solder paste "M705-GRN360-K2-V" (Sn-3.0Ag-) of Senju Metal Industry Co., Ltd. FIG. 5 shows the results of evaluation with the change to 0.5 Cu). The solder paste spreads as a whole in the half of the electrode area that does not have chip resistance after heat treatment, and the solder contact area after heat treatment is more than 1.3 times larger than the contact area during printing application. It was.
基板上の電極金属を、該基板上の電極金属上に搭載される電子部品の搭載投影面積範囲内にほぼ収めるような、いわゆる「フィレットレス実装」方式等において、従来の一般的なはんだでは液状に溶融したはんだが電子部品の電極端子に濡れ上がって移動し、基板上の電極金属と電子部品の電極端子との接合部分の品質が不安定になったり、電極端子部側面で膨れを形成してしまったりするため、実装品質のばらつきや強度劣化、隣接部品のショートなどが懸念されていた。しかし、本実施例において分かるように、本発明の製造方法で用いるはんだペーストは、上述のように、熱処理の際に基板上の電極金属の印刷接触面積からの拡大が少なく、さらに、電子部品の電極端子に対する濡れ上がりが少ない状態で電子部品を実装できるため、高密度なフィレットレス実装にも用いることができる。 In the so-called “filletless mounting” method in which the electrode metal on the substrate is substantially within the mounting projection area range of the electronic component mounted on the electrode metal on the substrate, the conventional general solder is liquid. Solder that has melted into the electrode terminal of the electronic component gets wet and moves, and the quality of the joint between the electrode metal on the board and the electrode terminal of the electronic component becomes unstable, or a bulge is formed on the side of the electrode terminal portion. As a result, there were concerns about variations in mounting quality, deterioration in strength, and short-circuiting of adjacent components. However, as can be seen in this example, the solder paste used in the manufacturing method of the present invention has a small expansion from the printed contact area of the electrode metal on the substrate during the heat treatment, as described above, and further, Since the electronic component can be mounted with little wetting with respect to the electrode terminal, it can also be used for high-density filletless mounting.
(5)他の物理的信号線接続によって接合した部分を併せ持つ電子部品接合構造体の形成
(実施例5)
実施例3と同じ、基板上の電極金属を用い、中央の0.1mm幅の銅配線ブリッジパターンを削除して左右の0.3mm角電極を合体させた長方形電極パターン(縦0.3mm、横0.6mm)を形成し、その2つ(すなわち一対)を長方形長手方向に0.3mmギャップ間隔で並べて配置し、銅表面にニッケル下地の金メッキを施した。得られた基板上の電極金属のギャップ寄りの内側半分に、参考例1で作製したはんだペーストを印刷塗布した。印刷パターン形成は、印刷機としてヤマハ発動機(株)製の「YVP−Xg−w」を用い、版には0.1mm厚のメタルマスクを用いて行なった。マスクの開孔は、該長方形の基板上の電極金属の面積の半分である0.3mm角の中心から60%開孔率(開孔面積0.054mm2)の角孔である。印刷塗布の条件・装置・マスクは実施例3と同一である。この一対の長方形電極の間のギャップ部分をまたいで、すなわち、左右隣接する一対の電極パターンにおいて左側電極の右側0.3mm角相当の部分と右側電極の左側0.3mm角相当の部分を均等に踏む形で、電子部品として0603サイズのチップ抵抗(KOA(株)製;基板上の設置面積は縦0.3mm横0.6mm)をヤマハ発動機(株)製チップマウンタ「YV100Xg」にて搭載した(部品押込み圧0.8N、押し込み高さ設定0mm)。その後、実施例3と同一の条件・装置を用いて窒素雰囲気下にて、ピーク温度250℃でリフロー熱処理した。
(5) Formation of an electronic component joint structure having a part joined by another physical signal line connection (Example 5)
Same as Example 3, using the electrode metal on the substrate, removing the central 0.1 mm wide copper wiring bridge pattern and combining the left and right 0.3 mm square electrodes (length 0.3 mm, width 0.6 mm), and two of them (that is, a pair) were arranged side by side with a gap of 0.3 mm in the longitudinal direction of the rectangle, and the copper surface was plated with gold under a nickel base. The solder paste prepared in Reference Example 1 was printed and applied to the inner half near the gap of the electrode metal on the obtained substrate. The printing pattern was formed using “YVP-Xg-w” manufactured by Yamaha Motor Co., Ltd. as a printing machine, and a 0.1 mm thick metal mask for the plate. The opening of the mask is a square hole having a 60% opening ratio (opening area 0.054 mm 2 ) from the center of 0.3 mm square, which is half of the area of the electrode metal on the rectangular substrate. The conditions, apparatus, and mask for printing application are the same as in Example 3. Crossing the gap between the pair of rectangular electrodes, that is, in the pair of left and right adjacent electrodes, the portion corresponding to the right 0.3 mm square of the left electrode and the portion corresponding to the left 0.3 mm square of the right electrode are evenly distributed. Step-on electronic components equipped with 0603 size chip resistors (KOA Co., Ltd .; installation area on the board is 0.3 mm long and 0.6 mm wide) mounted on Yamaha Motor Co., Ltd. chip mounter “YV100Xg” (Parts indentation pressure 0.8 N, indentation height setting 0 mm). Thereafter, reflow heat treatment was performed at a peak temperature of 250 ° C. under a nitrogen atmosphere using the same conditions and apparatus as in Example 3.
得られた電子部品接合構造体のチップ抵抗を搭載実装している部分の外側両サイドにははんだペーストが熱処理後に広がっていないため、電極面積の半分は余白として金メッキの表面が露出していた。その約0.3mm角程度の金メッキ電極部分に半導体チップや電子部品モジュールで一般的に用いられる金ワイヤーをウエスト・ボンド社製ワイヤーボンダー;モデル5400Bにてボンディングしたところ、電極表面にはんだが広がってきていないために表面が安定した金メッキ状態となり、金−金接合によるワイヤーボンディングを行なうことができた。 Since the solder paste did not spread after heat treatment on both sides of the part where the chip resistor of the obtained electronic component bonding structure was mounted and mounted, the surface of the gold plating was exposed as a half of the electrode area. When a gold wire commonly used in semiconductor chips and electronic component modules is bonded to a gold-plated electrode portion of about 0.3 mm square by a wire bonder manufactured by West Bond; model 5400B, solder spreads on the electrode surface. As a result, the surface was in a stable gold plating state, and wire bonding by gold-gold bonding could be performed.
本発明は、電子部品の実装に適用でき、特にチップ部品や半導体パッケージ等の電子部品をはんだでプリント配線基板等の回路基板に実装する際に好適に適用できる。本発明によれば、電極部分を微小領域内で複合的な接合方式にて形成できるため、高機能化及び多端子化に対応した電子部品接合構造体の提供が可能になる。 The present invention can be applied to the mounting of electronic components, and can be suitably applied particularly when electronic components such as chip components and semiconductor packages are mounted on a circuit board such as a printed wiring board with solder. According to the present invention, since the electrode portion can be formed in a minute region by a composite bonding method, it is possible to provide an electronic component bonding structure corresponding to high functionality and multi-terminal.
Claims (5)
前記はんだペーストが、前記基板上の電極金属と同じ材質の金属板に塗布したときの前記金属板とはんだペーストとの接触面積をA、前記はんだペーストを温度235℃〜260℃の範囲で熱処理した後の前記金属板とはんだとの接触面積をBとしたときに、0.7≦B/A≦1.3を満たし、前記塗布工程において、前記基板上の電極金属上の一部に前記はんだペーストを塗布し、かつ、前記熱処理工程の後に、さらに、前記基板上の電極金属のうちのはんだで覆われていない部分にはんだ接合以外の物理的信号線接続による接合を形成する接合工程を行なうことによって、同一電極金属上にはんだ接合とはんだ接合以外の物理的信号線接続とを形成する、電子部品接合構造体の製造方法。 An application step of applying a solder paste on the electrode metal on the substrate, and a heat treatment step of heat-treating the solder paste in a state where the electrode terminal of the electronic component is in contact with the electrode metal on the substrate via the solder paste A method for manufacturing an electronic component joint structure including:
When the solder paste is applied to a metal plate of the same material as the electrode metal on the substrate, the contact area between the metal plate and the solder paste is A, and the solder paste is heat-treated at a temperature in the range of 235 ° C. to 260 ° C. When the contact area between the later metal plate and the solder is B, 0.7 ≦ B / A ≦ 1.3 is satisfied, and in the coating step, the solder is partially applied to the electrode metal on the substrate. After applying the paste and after the heat treatment step, a bonding step of forming a bond by physical signal line connection other than solder bonding is performed on a portion of the electrode metal on the substrate that is not covered with solder. By this, the manufacturing method of the electronic component joining structure which forms the physical signal line connection other than the solder joint and the solder joint on the same electrode metal.
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