JP5656364B2 - ナフトピラン誘導体の製造方法 - Google Patents
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- PVQUZICOVNEIJB-UHFFFAOYSA-N CC1=CC(c2cc(OC)c3)OC1c2c3OC Chemical compound CC1=CC(c2cc(OC)c3)OC1c2c3OC PVQUZICOVNEIJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
本発明は、保存安定性に優れた化合物と、アルデヒド誘導体、又はプロパルギルアルコール誘導体とを反応させることにより、ナフトピラン誘導体を製造する新規なナフトピラン誘導体の製造方法に関するものである。
いくつかのベンゾピラン誘導体（該誘導体はクロメン骨格を有するのでクロメン化合物と呼ばれることもある。）は、太陽光のような紫外線を含む光を照射することによってその化学構造を変え、着色し、また、光の照射を止めると元の化学構造に戻り、着色が消えることが知られており、現在市販されているフォトクロミックレンズの主要構成成分となっている。
ベンゾピラン誘導体のうち、発退色のスピードや耐久性などのフォトクロミック特性に特に優れる化合物として、種々の置換基を有するナフトピラン誘導体が知られている。これらナフトピラン誘導体の一般的な製造方法としては、ナフトール誘導体とプロパルギルアルコール誘導体を酸触媒の存在下で攪拌混合する方法、ナフトール誘導体とアルデヒド誘導体をアリールボロン酸誘導体の存在下で攪拌混合する方法が知られている（例えば、特許文献１、特許文献２、非特許文献１参照）。
以上の通り、フォトクロミック特性に優れたナフトピラン誘導体を合成するに際し、ナフトール誘導体は、非常に重要な原料化合物である。このような有用なナフトピラン誘導体の原料となる該ナフトール誘導体は、例えば、２，３−ジメチルフランとベンザインを反応させて、飽和塩化アンモニウム水溶液（ｐＨ５）で洗浄することにより３，４−ジメチル−１−ナフトールを合成する方法が知られている（非特許文献１参照。）
しかしながら、本発明者等の検討によれば、前記ナフトール誘導体は、それ自体の保存安定性が低く、長期間の保存ができないことが分かった。前記ナフトール誘導体は、空気中で分解して、副生物を生成し、さらに、この副生物は、プロパルギルアルコール誘導体、又はアルデヒド誘導体と反応して、ナフトピラン誘導体の収率を低下させるものと考えられる。そのため、前記ナフトール誘導体は、合成後、直ぐにプロパルギルアルコール誘導体、又はアルデヒド誘導体と反応させてナフトピラン誘導体とする必要があることが分かった。
このナフトピラン誘導体の原料（例えば、ナフトール誘導体）の保存安定性を高めることができれば、ナフトピラン誘導体を大量に製造することができ、コスト、製造条件の改善を図ることが可能となる。
したがって、本発明の目的は、保存安定性が高く、ナフトピラン誘導体の原料として使用できる化合物を提供し、該原料化合物を使用してナフトピラン誘導体を製造する方法を提供することにある。
本発明者等は、上記課題を解決するために、鋭意研究を行った。そして、ナフトール誘導体の反応途中に生成する中間体について着目し、検討した結果、下記一般式（１）で示される化合物が保存安定性に優れ、かつ、従来と同じ条件でプロパルギルアルコール誘導体、又はアルデヒド誘導体と反応させることにより、高純度のナフトピラン誘導体を製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、
フェニルボロン酸無水物、４−メチルフェニルボロン酸無水物、４−メトキシフェニルボロン酸無水物、４−フルオロフェニルボロン酸無水物、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸無水物、３−フルオロ−４−メトキシフェニルボロン酸無水物、フェニルボロン酸、４−メチルフェニルボロン酸、４−メトキシフェニルボロン酸、４−フルオロフェニルボロン酸、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸、３−フルオロ−４−メトキシフェニルボロン酸より選択される少なくとも１種のアリールボロン酸誘導体の存在下、下記一般式（１）
フェニルボロン酸無水物、４−メチルフェニルボロン酸無水物、４−メトキシフェニルボロン酸無水物、４−フルオロフェニルボロン酸無水物、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸無水物、３−フルオロ−４−メトキシフェニルボロン酸無水物、フェニルボロン酸、４−メチルフェニルボロン酸、４−メトキシフェニルボロン酸、４−フルオロフェニルボロン酸、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸、３−フルオロ−４−メトキシフェニルボロン酸より選択される少なくとも１種のアリールボロン酸誘導体の存在下、下記一般式（１）
（式中、
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基である。）
で示される化合物と、下記一般式（２）
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基である。）
で示される化合物と、下記一般式（２）
（式中、
Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基であり、
ａ及びｂは、それぞれ、１〜３の整数であり、ａ、及びｂが２〜３の整数であるとき、各Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、同一の基であっても、互いに異なる基であってもよい。）で示されるアルデヒド誘導体とを反応させて、
下記一般式（３）
Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基であり、
ａ及びｂは、それぞれ、１〜３の整数であり、ａ、及びｂが２〜３の整数であるとき、各Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、同一の基であっても、互いに異なる基であってもよい。）で示されるアルデヒド誘導体とを反応させて、
下記一般式（３）
（式中、
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、前記一般式（１）におけるものと同義であり、
Ｒ７、Ｒ８、ａ、及びｂは、前記一般式（２）におけるものと同義である。）
で示されるナフトピラン誘導体を製造することを特徴とするナフトピラン誘導体の製造方法である。
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、前記一般式（１）におけるものと同義であり、
Ｒ７、Ｒ８、ａ、及びｂは、前記一般式（２）におけるものと同義である。）
で示されるナフトピラン誘導体を製造することを特徴とするナフトピラン誘導体の製造方法である。
また、本発明は、酸触媒存在下、下記一般式（１）
（式中、
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基である。）で示される化合物と、
下記一般式（４）
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基である。）で示される化合物と、
下記一般式（４）
（式中、
Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基であり、
ａ及びｂは、それぞれ、１〜３の整数であり、ａ、及びｂが２〜３の整数であるとき、各Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、同一の基であっても、互いに異なる基であってもよい。）
で示されるプロパルギルアルコール誘導体とを反応させて、
下記一般式（３）
Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基であり、
ａ及びｂは、それぞれ、１〜３の整数であり、ａ、及びｂが２〜３の整数であるとき、各Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、同一の基であっても、互いに異なる基であってもよい。）
で示されるプロパルギルアルコール誘導体とを反応させて、
下記一般式（３）
（式中、
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、前記一般式（１）におけるものと同義であり、
Ｒ７、Ｒ８、ａ、及びｂは、前記一般式（４）におけるものと同義である。）
で示されるナフトピラン誘導体を製造することを特徴とするナフトピラン誘導体の製造方法である。
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、前記一般式（１）におけるものと同義であり、
Ｒ７、Ｒ８、ａ、及びｂは、前記一般式（４）におけるものと同義である。）
で示されるナフトピラン誘導体を製造することを特徴とするナフトピラン誘導体の製造方法である。
前記一般式（１）で示される化合物と、アルデヒド誘導体、又はプロパルギルアルコール誘導体とを反応させることにより、ナフトピラン誘導体を製造することができる。この反応は、従来のナフトール誘導体と、アルデヒド誘導体、またはプロパルギルアルコール誘導体との反応と変わりがなく、製造条件を変更する必要がない。
また、この化合物は、それ自体、保存安定性が高く、長期保存後の該化合物を使用したとしても、得られるナフトピラン誘導体の収率を低下させることがない。そのため、該化合物は、例えば、ナフトピラン誘導体を大量に生産する際に好適に使用することができ、該化合物を原料とすることにより、ナフトピラン誘導体の製造条件を改善することができる。
本発明は、前記一般式（１）で示される化合物（以下、原料化合物とする場合もある）を原料としてナフトピラン誘導体を製造する方法である。つまり、酸触媒の存在下、原料化合物と、アルデヒド誘導体、又はプロパルギルアルコール誘導体とを反応させて、ナフトピラン誘導体を製造する方法である。
先ず、この原料化合物について説明する。
先ず、この原料化合物について説明する。
（原料化合物）
本発明において、ナフトピラン誘導体の原料として使用する化合物は、下記一般式（１）
本発明において、ナフトピラン誘導体の原料として使用する化合物は、下記一般式（１）
で示される化合物である。
（基Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６）
前記一般式（１）において、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基である。
前記一般式（１）において、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基である。
前記の基の内、アルキル基としては、一般的には、炭素数１〜６のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基等が好適であり、特に、最終的に得られるナフトピラン誘導体のフォトクロミック特性を考慮すると、メチル基、イソプロピル基が好ましい。
アルコキシ基としては、一般的には炭素数１〜６のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が好適であり、特に、最終的に得られるナフトピラン誘導体のフォトクロミック特性を考慮すると、メトキシ基が好ましい。
フェノキシ基、ナフトキシ基は、置換基を有していてもよく、上記フェノキシ基、ナフトキシ基の１若しくは２以上の水素原子がアルキル基、アルコキシ基、アラルコキシ基、アミノ基、ハロゲン原子、アラルキル基、アリール基で置換されたものを挙げることができる。
アミノ基としては、一級アミノ基に限定されず、置換基を有する２級アミノ基や３級アミノ基であってもよい。かかるアミノ基が有する置換基としては、特に限定されないが、アルキル基またはアリール基が代表的である。このような置換アミノ基（２級アミノ基或いは３級アミノ基）の好適な例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基等のアルキルアミノ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；フェニルアミノ基等のアリールアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；などを挙げることできる。特に、最終的に得られるナフトピラン誘導体のフォトクロミック特性を考慮すると、ジメチルアミノ基が好適である。
窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基としては、モルホリノ基、ピペリジノ基、ピロリジニル基、ピペラジノ基、Ｎ−メチルピペラジノ基、インドリニル基等を挙げることがでる。さらに、該複素環基は、メチル基等のアルキル基を置換基として有していてもよい。このような置換基を有する複素環基としては、２，６−ジメチルモルホリノ基、２，６−ジメチルピペリジノ基、２，２，６，６−テトラメチルピペリジノ基等が挙げられる。特に、最終的に得られるナフトピラン誘導体のフォトクロミック特性を考慮すると、モルホリノ基、ピペリジノ基が好適である。
アラルキル基としては、炭素数７〜１１のアラルキル基が好ましい。好適なアラルキル基を例示すると、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基等を挙げることができる。また、該アラルキル基は、置換基を有していてもよく、この置換基を有するアラルキル基としては、上記アラルキル基の１若しくは２以上の水素原子がアルキル基、アルコキシ基、アラルコキシ基、アミノ基、ハロゲン原子、アラルキル基、アリール基で置換されたものを挙げることができる。
アリール基は、炭素数６〜１０のアリール基が好ましい。好適なアリール基を例示すると、フェニル基、ナフチル基等を挙げることができる。また、該アリール基は、置換基を有していてもよく、この置換基を有するアリール基としては、上記アリール基の１若しくは２以上の水素原子がアルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、ハロゲン原子、アラルキル基、アリール基で置換されたものを挙げることができる。
（好適な原料化合物）
前記一般式（１）で示される化合物の中でも、ナフトピラン誘導体の原料や、その他の有用な化合物の原料として使用するためには、下記一般式（１Ａ）で示される化合物となることが好ましい。
前記一般式（１）で示される化合物の中でも、ナフトピラン誘導体の原料や、その他の有用な化合物の原料として使用するためには、下記一般式（１Ａ）で示される化合物となることが好ましい。
（式中、
Ｒ１Ａ、及びＲ２Ａは、それぞれ、水素原子、アルキル基、フェノキシ基、ナフトキシ基、又はアラルキル基であり、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基である。）。
Ｒ１Ａ、及びＲ２Ａは、それぞれ、水素原子、アルキル基、フェノキシ基、ナフトキシ基、又はアラルキル基であり、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基である。）。
前記一般式（１Ａ）で示される化合物は、基Ｒ１Ａ、及びＲ２Ａが前記一般式（１）の基Ｒ１、及びＲ２において、それぞれ、水素原子、アルキル基、フェノキシ基、ナフトキシ基、又はアラルキル基となる化合物である。基Ｒ１Ａ、及びＲ２Ａのアルキル基、アラルコキシ基、又はアラルキル基は、前記一般式（１）のＲ１〜Ｒ６で説明した基と同一の基が挙げられる。
また、前記一般式（１ａ）において、基Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、前記一般式（１）と同じ基であり、基Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６のアルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基も、前記一般式（１）のＲ１〜Ｒ６で説明した基と同一の基が挙げられる。
前記一般式（１Ａ）で示される化合物の中でも、特に好ましい化合物を具体的に示せば、１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２−メチル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−１，２−ジフェニル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２−フェニル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−１，２−ジフェノキシ−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２−フェノキシ−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−１，２−ジベンジル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２−ベンジル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−１，２−ジベンジルオキシ−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２−ベンジルオキシ−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−１，２−ジイソプロピル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２−イソプロピル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−６，８−ジメトキシ−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２−メチル−６，８−ジメトキシ−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２メチル−６，８−ジフェニル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２メチル−６，８−ジフェノキシ−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２メチル−６，８−ジモルホリノ−１，４−ジヒドロナフタレンが挙げられる。
さらに、上記原料化合物の中でも、特に好ましくは、下記一般式（１Ｂ）
（式中、
Ｒ１Ｂは、メチル基、又はイソプロピル基であり、
Ｒ２Ｂは、水素原子、又はメチル基であり、
Ｒ３Ｂ、及びＲ５Ｂは、それぞれ、水素原子、又はメトキシ基である。）
で示される化合物である。前記式（１Ｂ）で示される化合物の中でも、１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２−イソプロピル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２−メチル−６，８−ジメトキシ−１，４−ジヒドロナフタレンが原料入手の面、最終的に得られるナフトピラン誘導体のフォトクロミック特性の点から最も好適である。
Ｒ１Ｂは、メチル基、又はイソプロピル基であり、
Ｒ２Ｂは、水素原子、又はメチル基であり、
Ｒ３Ｂ、及びＲ５Ｂは、それぞれ、水素原子、又はメトキシ基である。）
で示される化合物である。前記式（１Ｂ）で示される化合物の中でも、１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２−イソプロピル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２−メチル−６，８−ジメトキシ−１，４−ジヒドロナフタレンが原料入手の面、最終的に得られるナフトピラン誘導体のフォトクロミック特性の点から最も好適である。
（原料化合物の製造方法）
本発明において、前記原料化合物は、特に制限されるものではないが、以下の方法で製造することが好ましい。
本発明において、前記原料化合物は、特に制限されるものではないが、以下の方法で製造することが好ましい。
下記一般式（５）
（式中、Ｒ１、及びＲ２は、前記一般式（１）におけるものと同義である。）
で示されるフラン誘導体と、下記一般式（６）
で示されるフラン誘導体と、下記一般式（６）
（式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、前記一般式（１）におけるものと同義である。）
で示されるベンザイン誘導体とを反応させた後、反応系を酸性条件下にしないように処理することにより、原料化合物を製造することができる。なお、下記に詳述するが、反応系を酸性条件下にならないように処理するとは、反応後、酸を添加せず、さらに、得られた反応溶液をｐＨが６以上の洗浄水で洗浄してやればよい。反応系が酸性条件下になっていないことの確認は、該洗浄水により反応溶液を洗浄して得られる水のｐＨを確認すればよい。該水のｐＨが６以上であれば、反応系が酸性条件下になっていないことが確認できる。
で示されるベンザイン誘導体とを反応させた後、反応系を酸性条件下にしないように処理することにより、原料化合物を製造することができる。なお、下記に詳述するが、反応系を酸性条件下にならないように処理するとは、反応後、酸を添加せず、さらに、得られた反応溶液をｐＨが６以上の洗浄水で洗浄してやればよい。反応系が酸性条件下になっていないことの確認は、該洗浄水により反応溶液を洗浄して得られる水のｐＨを確認すればよい。該水のｐＨが６以上であれば、反応系が酸性条件下になっていないことが確認できる。
前記フラン誘導体は、例えば、非特許文献１に記載されている通り、公知の化合物である。中でも、特に、好ましい誘導体としては、好ましい前記原料化合物を形成できるものであればよく、具体的には、２，３−ジメチルフラン、３−メチルフラン、３−イソプロピルフラン、２−フェノキシフラン、２−ベンジルフランが挙げられる。中でも、２，３−ジメチルフランが原料入手の面から最も好適である。
また、前記ベンザイン誘導体も、例えば、非特許文献１に記載されている通り、公知の化合物である。このベンザイン誘導体は、不安定な化合物であるため、前記フラン誘導体と反応させる反応系内で合成し、生成後、直ぐに前記フラン誘導体と反応させるようにすることが好ましい。ベンザイン誘導体の合成の方法は、マグネシウムにハロゲン原子を置換基として有するベンゼン誘導体、例えば、２−ブロモフルオロベンゼンを滴下する方法、または、ナトリウムアミドと該ベンゼン誘導体、例えば、クロロベンゼンを反応させる方法等、公知の方法が特に制限なく使用できる。
中でも、好ましいベンザイン誘導体としては、好ましい前記原料化合物を形成できるものであればよいが、具体的には、特に、マグネシウムと２−ブロモフルオロベンゼンより得られるベンザインであることが原料入手の面から最も好適である。
前記ベンザイン誘導体の使用量は、理論的には、フラン誘導体１モルに対して当量モルであればよいが、収率、反応効率等を考慮すると、フラン誘導体１モルに対して、０．５〜１０モル程度使用することが好ましい。
前記フラン誘導体と前記ベンザイン誘導体とは、両者を混合することにより反応させることができる。これらフラン誘導体、及びベンザイン誘導体を混合する順序は、特に制限されるものではなく、これら成分を同時に混合容器内に添加し、混合することもできるし、一方の成分を先に混合容器内に入れておき、他方の成分を後から混合容器内に添加し、混合することもできる。中でも、効率的に反応を促進させるためには、マグネシウム存在下、フラン誘導体中に、ハロゲン原子を置換基として有するベンゼン誘導体、例えば、２−ブロモフルオロベンゼンを滴下することによりベンザイン誘導体を反応系中で合成し、直ちにフラン誘導体と反応させることが好ましい。
また、フラン誘導体とベンザイン誘導体の反応は、両者を直接反応させることもできるが、操作性を考慮すると、有機溶媒で希釈して反応させることが好ましい。有機溶媒を使用する場合、使用する有機溶媒は、反応を阻害しないものであれば、特に制限なく使用できる。具体的には、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル類、トルエン、ベンゼン等の芳香族炭化水素類、へキサン、シクロヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類が使用される。上記反応は、有機溶媒中で行う場合、溶媒の使用量が多すぎると反応の後処理が煩雑になるため、溶媒除去に過度の負担がかからない程度の量で使用すればよい。具体的には、使用するフラン誘導体1質量部に対して、１〜１００質量部、特に、１０〜２０質量部であるのが望ましい。
また、前記フラン誘導体、およびベンザイン誘導体とを混合する際の反応温度は、２０℃〜１２０℃が好ましい。また、反応時間は、その他の反応条件に応じて、反応進行度を確認しながら適宜決定すればよいが、通常、１０分〜５時間程度の反応で十分な収量の原料化合物を得ることができる。
（洗浄条件）
従来の方法においては、フラン誘導体とベンザイン誘導体とを反応させた後、飽和塩化アンモニウム水溶液（ｐH５）で洗浄を行っていたため、エポキシド部分が開環し、ナフトール誘導体が生成するものと考えられる。一方、本発明の原料化合物を製造するためには、フラン誘導体とベンザイン誘導体とを反応させた後、pＨ６以上を保った状態で洗浄を行うことにより、エポキシド部分の開環を防ぐことができ、該原料化合物を製造することができる。具体的には、フラン誘導体とベンザイン誘導体とを反応させて得られた反応溶液に、酸を添加することなく、ｐＨが６以上の洗浄水、例えば、水道水、蒸留水、イオン交換水等により洗浄することにより、本発明の原料化合物を製造できる。なお、フラン誘導体とベンザイン誘導体との反応に、水に溶解し易い有機溶媒を使用した場合には、必要に応じて該有機溶媒を留去した後、水に溶解し難い有機溶媒を加え、該洗浄水で洗浄してやればよい。
従来の方法においては、フラン誘導体とベンザイン誘導体とを反応させた後、飽和塩化アンモニウム水溶液（ｐH５）で洗浄を行っていたため、エポキシド部分が開環し、ナフトール誘導体が生成するものと考えられる。一方、本発明の原料化合物を製造するためには、フラン誘導体とベンザイン誘導体とを反応させた後、pＨ６以上を保った状態で洗浄を行うことにより、エポキシド部分の開環を防ぐことができ、該原料化合物を製造することができる。具体的には、フラン誘導体とベンザイン誘導体とを反応させて得られた反応溶液に、酸を添加することなく、ｐＨが６以上の洗浄水、例えば、水道水、蒸留水、イオン交換水等により洗浄することにより、本発明の原料化合物を製造できる。なお、フラン誘導体とベンザイン誘導体との反応に、水に溶解し易い有機溶媒を使用した場合には、必要に応じて該有機溶媒を留去した後、水に溶解し難い有機溶媒を加え、該洗浄水で洗浄してやればよい。
（原料化合物の同定）
本発明においては、上記精製を行うことにより、原料化合物を得ることができる。得られた原料化合物については、１Ｈ−ＮＭＲでナフトール誘導体に見られる５．０ｐｐｍ付近のＯＨ基由来のピークがないことを確認することができ、１３Ｃ−ＮＭＲで８０〜９０ｐｐｍ付近の４級炭素を確認することができ、ＩＲにより３０００〜３７００ｃｍ−１にナフトール誘導体に見られるＯＨ伸縮ピークがないことを確認することにより、同定することができる。
本発明においては、上記精製を行うことにより、原料化合物を得ることができる。得られた原料化合物については、１Ｈ−ＮＭＲでナフトール誘導体に見られる５．０ｐｐｍ付近のＯＨ基由来のピークがないことを確認することができ、１３Ｃ−ＮＭＲで８０〜９０ｐｐｍ付近の４級炭素を確認することができ、ＩＲにより３０００〜３７００ｃｍ−１にナフトール誘導体に見られるＯＨ伸縮ピークがないことを確認することにより、同定することができる。
（原料化合物の保存安定性、反応性）
上記方法により得られる原料化合物は、以下の実施例において説明するが、ナフトール誘導体と比較して、室温下に放置しても分解することがない。また、該原料化合物は、ナフトール誘導体と同じ条件において、アルデヒド誘導体、又はプロパルギルアルコール誘導体と反応させることにより、ナフトピラン誘導体を製造することができる。
上記方法により得られる原料化合物は、以下の実施例において説明するが、ナフトール誘導体と比較して、室温下に放置しても分解することがない。また、該原料化合物は、ナフトール誘導体と同じ条件において、アルデヒド誘導体、又はプロパルギルアルコール誘導体と反応させることにより、ナフトピラン誘導体を製造することができる。
該原料化合物は、酸の存在下、アルデヒド誘導体、又はプロパルギルアルコール誘導体と反応させてナフトピラン誘導体を製造するに際し、酸が反応系内に存在するため、開環してナフトール誘導体となり、アルデヒド誘導体、又はプロパルギルアルコール誘導体と反応するものと考えられる。ただし、この該原料化合物は、酸が存在しなければ、開環することもなく、保存安定性に優れた化合物である。そのため、ナフトピラン誘導体の生産性を改善できる。
以下、ナフトピラン誘導体の製造方法について説明する。先ず、原料化合物とアルデヒド誘導体との反応について説明する。
（原料化合物とアルデヒド誘導体との反応：ナフトピラン誘導体の製造方法）
本発明においては、前記原料化合物とアルデヒド誘導体とを反応させることにより、ナフトピラン誘導体を製造することができる。反応条件は、ナフトール誘導体とアルデヒド誘導体とを反応させる条件をそのまま使用することができる。また、反応に使用するアルデヒド誘導体は、所望とするナフトピラン誘導体の構造に併せて適宜決定してやればよい。中でも、優れたフォトクロミック特性を発揮するナフトピラン誘導体を製造するには、以下の反応条件で、以下のアルデヒド誘導体とを反応させることが好ましい。
本発明においては、前記原料化合物とアルデヒド誘導体とを反応させることにより、ナフトピラン誘導体を製造することができる。反応条件は、ナフトール誘導体とアルデヒド誘導体とを反応させる条件をそのまま使用することができる。また、反応に使用するアルデヒド誘導体は、所望とするナフトピラン誘導体の構造に併せて適宜決定してやればよい。中でも、優れたフォトクロミック特性を発揮するナフトピラン誘導体を製造するには、以下の反応条件で、以下のアルデヒド誘導体とを反応させることが好ましい。
具体的には、アリールボロン酸誘導体の存在下、前記原料化合物と、下記一般式（２）
で示されるアルデヒド誘導体とを反応させて、ナフトピラン誘導体を製造することが好ましい。反応させるには、アリールボロン酸誘導体、前記原料化合物、及び前記アルデヒド誘導体とを混合してやればよい。
（アルデヒド誘導体）
前記一般式（２）において、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基であり、
ａ及びｂは、それぞれ、１〜３の整数であり、ａ、及びｂが２〜３の整数であるとき、各Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、同一の基であっても、互いに異なる基であってもよい。
前記一般式（２）において、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基であり、
ａ及びｂは、それぞれ、１〜３の整数であり、ａ、及びｂが２〜３の整数であるとき、各Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、同一の基であっても、互いに異なる基であってもよい。
これら基については、原料化合物の基Ｒ１〜Ｒ６において説明した基と同様の基が例示できる。
前記一般式（２）で示されるアルデヒド誘導体を具体的に例示すると、３，３−ジフェニルプロペナール、３−（４−メトキシフェニル）−３−フェニルプロペナール、３，３−ビス（４−メトキシフェニル）プロペナール、３−（４−ジメチルアミノフェニル）−３−フェニルプロペナール、３−（４−モルホリノフェニル）−３−フェニルプロペナール、３−（４−ピペリジノフェニル）−３−フェニルプロペナール、３−（４−ジメチルアミノフェニル）−３−（４−メトキシフェニル）プロペナール、３−（４−メトキシフェニル）−３−（４−モルホリノフェニル）プロペナール、３−（４−メチルフェニル）−３−フェニルプロペナール、３，３−ビス（４−メチルフェニル）プロペナール、３，３−ビス（４−イソプロピルオキシフェニル）プロペナール、３−（４−ジメチルアミノー３−メチルフェニル）−３−フェニルプロペナール等が挙げられる。なお、（Ｅ）及び（Ｚ）異性体構造を取り得るものは、いずれか単独であっても、任意の比率の混合物であっても構わない。
これらの中でも、得られるナフトピラン誘導体のフォトクロミック特性を考慮すると、３，３−ジフェニルプロペナール、３，３−ビス（４−メトキシフェニル）プロペナール、３−（４−ジメチルアミノフェニル）−３−フェニルプロペナール、３−（４−モルホリノフェニル）−３−フェニルプロペナール、３−（４−ピペリジノフェニル）−３−フェニルプロペナール、３−（４−ジメチルアミノフェニル）−３−（４−メトキシフェニル）プロペナール、３−（４−ジメチルアミノー３−メチルフェニル）−３−フェニルプロペナールが最も好適である。
ナフトピラン誘導体を製造するに際し、上記アルデヒド誘導体の使用量は、特に制限されるものではないが、原料化合物１モルに対して、０．０１〜５０モル、好ましくは、０．２〜１０モル、特に好ましくは、０．３〜３モルである。
（アリールボロン酸誘導体）
前記アルデヒド誘導体と原料化合物は、アリールボロン酸誘導体の存在下で反応させる。該アリールボロン酸誘導体としては、フェニルボロン酸無水物、４−メチルフェニルボロン酸無水物、４−メトキシフェニルボロン酸無水物、４−フルオロフェニルボロン酸無水物、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸無水物、３−フルオロ−４−メトキシフェニルボロン酸無水物、フェニルボロン酸、４−メチルフェニルボロン酸、４−メトキシフェニルボロン酸、４−フルオロフェニルボロン酸、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸、３−フルオロ−４−メトキシフェニルボロン酸を使用する。これらの中でも、経済性の観点から、フェニルボロン酸無水物を使用することが最も好ましい。
前記アルデヒド誘導体と原料化合物は、アリールボロン酸誘導体の存在下で反応させる。該アリールボロン酸誘導体としては、フェニルボロン酸無水物、４−メチルフェニルボロン酸無水物、４−メトキシフェニルボロン酸無水物、４−フルオロフェニルボロン酸無水物、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸無水物、３−フルオロ−４−メトキシフェニルボロン酸無水物、フェニルボロン酸、４−メチルフェニルボロン酸、４−メトキシフェニルボロン酸、４−フルオロフェニルボロン酸、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸、３−フルオロ−４−メトキシフェニルボロン酸を使用する。これらの中でも、経済性の観点から、フェニルボロン酸無水物を使用することが最も好ましい。
ナフトピラン誘導体を製造するに際し、アリールボロン酸誘導体の使用量は、特に制限されるものではないが、原料化合物１モルに対して、０．０１〜５０モル、好ましくは、０．２〜１０モル、特に好ましくは、０．３〜３モルの割合で混合することが望ましい。
なお、原料化合物、アルデヒド誘導体、アリールボロン酸誘導体の他に、その他添加剤として、酢酸、プロピオン酸など酸成分を反応系中に加えても良い。該成分は、反応速度を向上させる働きを有する。該酸成分の使用量は、使用するアリールボロン酸誘導体の量、種類に応じて適宜決定すればよいが、原料化合物１モルに対して、０．１〜１０モルであることが好ましい。
（原料化合物とアルデヒド誘導体の反応条件)
本発明において、原料化合物とアルデヒド誘導体とを反応させるには、アリールボロン酸誘導体の存在下に両原料化合物を混合すればよい。このとき、原料化合物を効果的に接触させるために、溶媒を使用することが好ましい。反応溶媒としては、反応に対して不活性で、原料を溶解するものであれば特に制限されず、シクロヘキサン、ヘプタン、ｉ−オクタン等の脂肪族炭化水素類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、アセトニトリル等のニトリル類、ジクロロメタン等のハロゲン系炭化水素類、メチルエチルケトン等のケトン類等を使用することができる。
本発明において、原料化合物とアルデヒド誘導体とを反応させるには、アリールボロン酸誘導体の存在下に両原料化合物を混合すればよい。このとき、原料化合物を効果的に接触させるために、溶媒を使用することが好ましい。反応溶媒としては、反応に対して不活性で、原料を溶解するものであれば特に制限されず、シクロヘキサン、ヘプタン、ｉ−オクタン等の脂肪族炭化水素類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、アセトニトリル等のニトリル類、ジクロロメタン等のハロゲン系炭化水素類、メチルエチルケトン等のケトン類等を使用することができる。
反応温度は、室温〜２００℃、特に７０℃〜１５０℃とするのが好適であり、反応時間は、０．０１時間〜４８時間、特に、０．１時間〜２４時間とすることが好適である。
また、混合方法としては、原料化合物、アルデヒド誘導体、アリールボロン酸誘導体、反応溶媒のすべてを反応容器に仕込んでから攪拌混合する方法、原料化合物、アルデヒド誘導体、反応溶媒の混合液にアリールボロン酸誘導体を加えて攪拌混合する方法、アリールボロン酸誘導体、反応溶媒の混合溶液に、原料化合物とアルデヒド誘導体（反応溶媒に溶解したものでも良い）を加えて攪拌混合する方法等、公知の方法が特に制限なく採用できる。
反応終了後は、先ず、炭酸ナトリウム水溶液などのアルカリ性水溶液を加えて分液することにより、アリールボロン酸誘導体をボロン酸塩として分離除去する。次いで、有機層を回収し、溶媒を除去することにより目的物を単離する事ができる。また、有機層に原料のいずれかが残存する場合には、例えば、カラムクロマトグラフ法や再結晶等の方法により精製することで、目的物であるナフトピラン誘導体を純度９９％以上で得ることができる
（ナフトピラン誘導体）
以上のような方法で反応させ、精製することにより、ナフトピラン誘導体を製造することができる。中でも、アルデヒド誘導体として、前記一般式（２）で示される化合物を使用した場合には、
下記一般式（３）
以上のような方法で反応させ、精製することにより、ナフトピラン誘導体を製造することができる。中でも、アルデヒド誘導体として、前記一般式（２）で示される化合物を使用した場合には、
下記一般式（３）
（式中、
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、前記一般式（１）におけるものと同義であり、
Ｒ７、Ｒ８、ａ、及びｂは、前記一般式（２）におけるものと同義である。）
で示されるナフトピラン誘導体を製造することができる。このようなナフトピラン誘導体は、優れたフォトクロミック特性を発揮する。
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、前記一般式（１）におけるものと同義であり、
Ｒ７、Ｒ８、ａ、及びｂは、前記一般式（２）におけるものと同義である。）
で示されるナフトピラン誘導体を製造することができる。このようなナフトピラン誘導体は、優れたフォトクロミック特性を発揮する。
前記一般式（３）で示されるナフトピラン誘導体の中でも、優れたフォトクロミック特性を発揮するという点から、２，２−ビス−(4−メトキシフェニル)−５，６−ジメチルナフト−[１，２−ｂ]ピラン、６，８−ジメトキシ−１０−メチル−３−（４−ジメチルアミノフェニル）−３−（４−メトキシフェニル）−２Ｈナフト［１，２−ｂ］ピラン、１０−イソプロピル−３，３−ジフェニル−２Ｈナフト［１，２−ｂ］ピラン等が好ましく、その中でも、２，２−ビス−(４−メトキシフェニル)−５，６−ジメチルナフト−[１，２−ｂ]ピランが最も好ましい。
以上、原料化合物とアルデヒド誘導体との反応によるナフトピラン誘導体の製造について説明したが、次に、原料化合物とプロパルギルアルコール誘導体との反応によるナフトピラン誘導体の製造について説明する。
（原料化合物とプロパルギルアルコール誘導体との反応：ナフトピラン誘導体の製造）
本発明においては、前記原料化合物とプロパルギルアルコール誘導体とを反応させることにより、ナフトピラン誘導体を製造することができる。反応条件は、ナフトール誘導体とプロパルギルアルコール誘導体とを反応させる条件をそのまま使用することができる。また、反応に使用するプロパルギルアルコール誘導体は、所望とするナフトピラン誘導体の構造に併せて適宜決定してやればよい。中でも、優れたフォトクロミック特性を発揮するナフトピラン誘導体を製造するには、以下の反応条件で、以下のプロパルギルアルコール誘導体とを反応させることが好ましい。
本発明においては、前記原料化合物とプロパルギルアルコール誘導体とを反応させることにより、ナフトピラン誘導体を製造することができる。反応条件は、ナフトール誘導体とプロパルギルアルコール誘導体とを反応させる条件をそのまま使用することができる。また、反応に使用するプロパルギルアルコール誘導体は、所望とするナフトピラン誘導体の構造に併せて適宜決定してやればよい。中でも、優れたフォトクロミック特性を発揮するナフトピラン誘導体を製造するには、以下の反応条件で、以下のプロパルギルアルコール誘導体とを反応させることが好ましい。
具体的には、酸触媒の存在下、前記原料化合物と、下記一般式（４）
で示されるプロパルギルアルコール誘導体とを反応させて、ナフトピラン誘導体を製造することが好ましい。反応させるには、酸触媒、前記原料化合物、及び前記プロパルギルアルコール誘導体とを混合してやればよい。
前記プロパルギルアルコール誘導体を使用することにより、原料化合物とアルデヒド誘導体との反応で説明した優れたフォトクロミック特性を有するナフトピラン誘導体を製造することができる。
（プロパルギルアルコール誘導体）
前記一般式（４）において、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基であり、
ａ及びｂは、それぞれ、１〜３の整数であり、ａ、及びｂが２〜３の整数であるとき、各Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、同一の基であっても、互いに異なる基であってもよい。
前記一般式（４）において、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基であり、
ａ及びｂは、それぞれ、１〜３の整数であり、ａ、及びｂが２〜３の整数であるとき、各Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、同一の基であっても、互いに異なる基であってもよい。
これら基については、原料化合物の基Ｒ１〜Ｒ６において説明した基と同様の基が例示できる。
前記一般式（４）で表されるプロパルギルアルコール誘導体を具体的に例示すると、１，１−ジフェニル−２−プロピン−１−オール、１−（４−メトキシフェニル）−１−フェニル−２−プロピン−１−オール、１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−２−プロピン−１−オール、１−（４−ジメチルアミノフェニル）−１−フェニル−２−プロピン−１−オール、１−（４−モルホリノフェニル）−１−フェニル−２−プロピン−１−オール、１−（４−ピペリジノフェニル）−１−フェニル−２−プロピン−１−オール、１−（４−ジメチルアミノフェニル）−１−（４−メトキシフェニル）−２−プロピン−１−オール、１−（４−メトキシフェニル）−１−（４−モルホリノフェニル）−２−プロピン−１−オール、１−（４−メチルフェニル）−１−フェニル−２−プロピン−１−オール、１，１−ビス（４−メチルフェニル）−２−プロピン−１−オール、１，１−ビス（４−イソプロピルオキシフェニル）−２−プロピン−１−オール、１−（４−ジメチルアミノー３−メチルフェニル）−１−フェニル−２−プロピン−１−オール等が挙げられる。特に、得られるナフトピラン誘導体のフォトクロミック特性の点から、１，１−ジフェニル−２−プロピン−１−オール、１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−２−プロピン−１−オール、１−（４−ジメチルアミノフェニル）−１−フェニル−２−プロピン−１−オール、１−（４−モルホリノフェニル）−１−フェニル−２−プロピン−１−オール、１−（４−ピペリジノフェニル）−１−フェニル−２−プロピン−１−オール、１−（４−ジメチルアミノフェニル）−１−（４−メトキシフェニル）−２−プロピン−１−オール、１−（４−メトキシフェニル）−１−（４−モルホリノフェニル）−２−プロピン−１−オール、１−（４−ジメチルアミノー３−メチルフェニル）−１−フェニル−２−プロピン−１−オールが好適である。
ナフトピラン誘導体を製造するに際し、上記プロパルギルアルコール誘導体の使用量は、特に制限されるものではないが、原料化合物１モルに対して、０．０１〜５０モル、好ましくは、０．２〜１０モル、特に好ましくは、０．３〜３モルである。
（酸触媒）
原料化合物とプロパルギルアルコール誘導体とを反応させる際に使用する酸触媒は、特に制限されることはなく、公知の酸が使用できる。具体的には、p−トルエンスルホン酸（水和物を含む）、メタンスルホン酸、シリカゲル、アルミナ、硫酸、無水ショウノウスルホン酸等である。中でも、得られるナフトピラン誘導体の収率を考慮すると、p−トルエンスルホン酸（水和物を含む）を使用することが好ましい。
原料化合物とプロパルギルアルコール誘導体とを反応させる際に使用する酸触媒は、特に制限されることはなく、公知の酸が使用できる。具体的には、p−トルエンスルホン酸（水和物を含む）、メタンスルホン酸、シリカゲル、アルミナ、硫酸、無水ショウノウスルホン酸等である。中でも、得られるナフトピラン誘導体の収率を考慮すると、p−トルエンスルホン酸（水和物を含む）を使用することが好ましい。
ナフトピラン誘導体を製造するに際し、酸触媒の使用量は、特に制限されるものではないが、原料化合物１モルに対して、０．０１〜２０モル、好ましくは、０．０２〜１０モル、特に好ましくは、０．０５〜２モルの割合で混合することが望ましい。
（原料化合物とプロパルギルアルコール誘導体の反応条件）
本発明において、原料化合物とプロパルギルアルコール誘導体とを反応させるには、酸触媒の存在下に両原料化合物を混合すればよい。このとき、原料物質を効果的に接触させるために、溶媒を使用することが好ましい。反応溶媒としては、反応に対して不活性で、原料を溶解するものであれば特に制限されず、シクロヘキサン、ヘプタン、ｉ−オクタン等の脂肪族炭化水素類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、アセトニトリル等のニトリル類、ジクロロメタン等のハロゲン系炭化水素類、メチルエチルケトン等のケトン類等を使用することができる。
本発明において、原料化合物とプロパルギルアルコール誘導体とを反応させるには、酸触媒の存在下に両原料化合物を混合すればよい。このとき、原料物質を効果的に接触させるために、溶媒を使用することが好ましい。反応溶媒としては、反応に対して不活性で、原料を溶解するものであれば特に制限されず、シクロヘキサン、ヘプタン、ｉ−オクタン等の脂肪族炭化水素類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、アセトニトリル等のニトリル類、ジクロロメタン等のハロゲン系炭化水素類、メチルエチルケトン等のケトン類等を使用することができる。
反応温度は、室温〜２００℃、特に７０℃〜１５０℃とするのが好適であり、反応時間は、０．０１時間〜４８時間、特に、０．１時間〜２４時間とすることが好適である。
混合方法としては、原料化合物、プロパルギルアルコール誘導体、酸触媒、反応溶媒のすべてを反応容器に仕込んでから攪拌混合する方法、原料化合物、プロパルギルアルアルコール誘導体、反応溶媒の混合液に酸触媒を加えて攪拌混合する方法、酸触媒、反応溶媒の混合溶液に、原料化合物とプロパルギルアルコール誘導体（反応溶媒に溶解したものでも良い）を加えて攪拌混合する方法等、公知の方法が特に制限なく採用できる。
反応終了後は、先ずは、炭酸ナトリウム水溶液などのアルカリ性水溶液を加えて分液することにより、酸触媒を分離除去する。次いで、有機層を回収し、溶媒を除去することにより目的物を単離する事ができる。また、有機層に原料のいずれかが残存する場合には、例えば、カラムクロマトグラフ法や再結晶等の方法により精製することで、目的物であるナフトピラン誘導体を純度９９％以上で得ることができる
（ナフトピラン誘導体）
以上のような方法で反応させ、精製することにより、ナフトピラン誘導体を製造することができる。中でも、前記一般式（４）で示されるプロパルギルアルコール誘導体を使用した場合には、下記一般式（３）
以上のような方法で反応させ、精製することにより、ナフトピラン誘導体を製造することができる。中でも、前記一般式（４）で示されるプロパルギルアルコール誘導体を使用した場合には、下記一般式（３）
（式中、
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、前記一般式（１）におけるものと同義であり、
Ｒ７、Ｒ８、ａ、及びｂは、前記一般式（２）におけるものと同義である。）
で示されるナフトピラン誘導体を製造することができる。
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、前記一般式（１）におけるものと同義であり、
Ｒ７、Ｒ８、ａ、及びｂは、前記一般式（２）におけるものと同義である。）
で示されるナフトピラン誘導体を製造することができる。
以上の通り、上記条件によれば、原料化合物とアルデヒド誘導体との反応により得られたナフトピラン誘導体と同じナフトピラン誘導体を合成することができる。
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものではない。
実施例１
（原料化合物の合成：１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレンの合成）
下記式（８）
（原料化合物の合成：１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレンの合成）
下記式（８）
で表される２，３−ジメチルフラン１０ｇ（０．１０４ｍｏｌ）、マグネシウム２．５ｇ（０．１０４ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１００ｍｌ）に溶解し、５５℃に加熱した。次いで、反応溶液に、２−ブロモフルオロベンゼン１７．３ｇ（０．０９９ｍｏｌ）／ＴＨＦ（１００ｍｌ）を添加し、５５℃で２時間反応を行った。反応終了後、トルエン（１００ｍｌ）、ｐＨが７の水（１００ｍｌ）を加えて３回水洗を行った。水洗後の水のｐＨは１回目が９、２回目が８、３回目が７であり、反応系が酸性条件下になっていないことを確認した。その後、溶媒を濃縮し、カラムクロマトグラフ法で精製を行うことにより、
下記式（９）
下記式（９）
で示される１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレン１３．８ｇ（収率８１％）を得た。
（同定結果）
ＮＭＲ：１H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）１．７８−１．８０（ｓ×2，６Ｈ、CH３），５．５４（ｓ，１Ｈ、Ar），６．４８（ｓ，１Ｈ、Ar），６．９６−６．９８（m，２Ｈ、Ar），７．１６−７．１７（m，２Ｈ、Ar）。
ＮＭＲ：１３H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）１２．７，１３．６，８０．８，１１８．４，１１９．１，１２４．５，１２４．９，１３６．３，１５１．１，１５１．２，１５４．４。
ＩＲ：３０００−３７００ｃｍ−１未検出。
ＮＭＲ：１H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）１．７８−１．８０（ｓ×2，６Ｈ、CH３），５．５４（ｓ，１Ｈ、Ar），６．４８（ｓ，１Ｈ、Ar），６．９６−６．９８（m，２Ｈ、Ar），７．１６−７．１７（m，２Ｈ、Ar）。
ＮＭＲ：１３H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）１２．７，１３．６，８０．８，１１８．４，１１９．１，１２４．５，１２４．９，１３６．３，１５１．１，１５１．２，１５４．４。
ＩＲ：３０００−３７００ｃｍ−１未検出。
実施例２
（ナフトピラン誘導体の合成：２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランの合成）
実施例１で得られた１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレン１８８ｍｇ（１．０９ｍｍｏｌ）／トルエン（５．５ｍｌ）溶液に、
下記式（１０）
（ナフトピラン誘導体の合成：２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランの合成）
実施例１で得られた１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレン１８８ｍｇ（１．０９ｍｍｏｌ）／トルエン（５．５ｍｌ）溶液に、
下記式（１０）
で示される、１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−２−プロピン−１−オール３８０ｍｇ（１．４２ｍｍｏｌ）を加え、９５℃〜１００℃に加熱した。反応溶液にｐ−トルエンスルホン酸一水和物１０．６ｍｇ（０．０５６ｍｍｏｌ）を加え、６時間還流した。反応終了後、１０質量％水酸化ナトリウム水溶液（５ｍｌ）で洗浄を行い、次いで、水（５ｍｌ）で３回洗浄を行った。溶媒を濃縮し、カラムクロマトグラフ法で精製を行い、トルエン／イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で再結晶することにより、
下記式（１１）
下記式（１１）
で示される２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピラン１６０ｍｇ（収率：３４．７％）を得た。
実施例３
（ナフトピラン誘導体の合成：２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランの合成
実施例２において、酸触媒として使用したp−トルエンスルホン酸一水和物に代えて、同じモル数の無水ショウノウスルホン酸を使用した以外は、実施例２と同様の操作を行った。２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピラン８６ｍｇ（収率：１８．６％）を得た。
（ナフトピラン誘導体の合成：２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランの合成
実施例２において、酸触媒として使用したp−トルエンスルホン酸一水和物に代えて、同じモル数の無水ショウノウスルホン酸を使用した以外は、実施例２と同様の操作を行った。２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピラン８６ｍｇ（収率：１８．６％）を得た。
実施例４
（ナフトピラン誘導体の合成：２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランの合成）
実施例１で得られた１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレン１８８ｍｇ（１．０９ｍｍｏｌ）／トルエン（５．５ｍｌ）溶液に、
下記式（１２）
（ナフトピラン誘導体の合成：２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランの合成）
実施例１で得られた１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレン１８８ｍｇ（１．０９ｍｍｏｌ）／トルエン（５．５ｍｌ）溶液に、
下記式（１２）
で示される、３，３−ビス（４−メトキシフェニル）プロペナール３８０ｍｇ（１．４２ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸無水物１３８ｍｇ（０．４５ｍｍｏｌ）、プロピオン酸４０ｍｇ（０．５４ｍｍｏｌ）を加え、６時間還流した。反応終了後、５質量％炭酸ナトリウム水溶液（５ｍｌ）で洗浄を行い、ついで、水（５ｍｌ）で３回洗浄を行った。溶媒を濃縮し、カラムクロマトグラフ法で精製を行い、トルエン／IPAで再結晶することにより、２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピラン４６０ｍｇ（収率：１００％）を得た。
実施例５
（ナフトピラン誘導体の合成：２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランの合成）
実施例１で得られた１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレン１８８ｍｇ（１．０９ｍｍｏｌ）を室温（２３℃）下、１週間放置した。この室温で１週間放置した１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレンを使用した以外は、実施例４と同様の操作を行った。得られた２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランは、収量４３５ｍｇ（収率９５％）であった。
（ナフトピラン誘導体の合成：２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランの合成）
実施例１で得られた１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレン１８８ｍｇ（１．０９ｍｍｏｌ）を室温（２３℃）下、１週間放置した。この室温で１週間放置した１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレンを使用した以外は、実施例４と同様の操作を行った。得られた２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランは、収量４３５ｍｇ（収率９５％）であった。
実施例６
（原料化合物の合成：１，４−エポキシ−２−イソプロピル−１，４−ジヒドロナフタレンの合成）
下記式（１３）
（原料化合物の合成：１，４−エポキシ−２−イソプロピル−１，４−ジヒドロナフタレンの合成）
下記式（１３）
で示される３−イソプロピルフラン１０ｇ（０．０９１ｍｏｌ）、マグネシウム２．２ｇ（０．０９１ｍｏｌ）をＴＨＦ（１００ｍｌ）に溶解し、５５℃に加熱した。反応溶液に、２−ブロモフルオロベンゼン１５．１ｇ（０．０８６ｍｏｌ）／ＴＨＦ（１００ｍｌ）を添加し、５５℃で２時間反応を行った。反応終了後、トルエン（１００ｍｌ）、ｐＨが７の水（１００ｍｌ）を加えて３回水洗を行った。水洗後の水のｐＨを確認したところ、１回目が９、２回目が８、３回目が７であり、反応系が酸性条件下になっていないことを確認した。その後、溶媒を濃縮し、カラムクロマトグラフ法で精製を行うことにより、
下記式（１４）
下記式（１４）
で示される１，４−エポキシ−２−イソプロピル−１，４−ジヒドロナフタレン１２．８ｇ（収率８０％）を得た。
（同定結果）
ＮＭＲ：１H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）１．１１（ｓ×2，６Ｈ、CH３），２．５２（ｓ，１Ｈ、CH（CH3）2），５．５６（ｓ，１Ｈ、Ar），５．６４（ｓ，１Ｈ、Ar），５．７１（ｓ，１Ｈ、Ar），６．９６−６．９８（m，２Ｈ、Ar），７．１６−７．１７（m，２Ｈ、Ar）。
ＮＭＲ：１３H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）２０．４，２７．０，８４．３，８５．０，１１７．４，１１８．１，１２５．５，１２５．９，１３５．３，１５０．１，１５０．２，１５５．４。
ＩＲ：３０００−３７００ｃｍ−１未検出。
ＮＭＲ：１H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）１．１１（ｓ×2，６Ｈ、CH３），２．５２（ｓ，１Ｈ、CH（CH3）2），５．５６（ｓ，１Ｈ、Ar），５．６４（ｓ，１Ｈ、Ar），５．７１（ｓ，１Ｈ、Ar），６．９６−６．９８（m，２Ｈ、Ar），７．１６−７．１７（m，２Ｈ、Ar）。
ＮＭＲ：１３H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）２０．４，２７．０，８４．３，８５．０，１１７．４，１１８．１，１２５．５，１２５．９，１３５．３，１５０．１，１５０．２，１５５．４。
ＩＲ：３０００−３７００ｃｍ−１未検出。
実施例７
（ナフトピラン誘導体の合成：１０−イソプロピル−３，３−ジフェニル−２Ｈナフト［１，２−ｂ］ピランの合成）
実施例６で得られた１，４−エポキシ−２−イソプロピル−１，４−ジヒドロナフタレン６．４ｇ（０．０３４ｍｏｌ）／トルエン（５５ｍｌ）溶液に、
下記式（１５）
（ナフトピラン誘導体の合成：１０−イソプロピル−３，３−ジフェニル−２Ｈナフト［１，２−ｂ］ピランの合成）
実施例６で得られた１，４−エポキシ−２−イソプロピル−１，４−ジヒドロナフタレン６．４ｇ（０．０３４ｍｏｌ）／トルエン（５５ｍｌ）溶液に、
下記式（１５）
で示される１，１−ジフェニル−２−プロピン−１−オール７．２ｇ（０．０３４ｍｏｌ）を加え、９５℃〜１００℃に加熱した。反応溶液にｐ−トルエンスルホン酸３２０ｍｇ（１．７ｍｍｏｌ）を加え、６時間還流した。反応終了後、１０質量％水酸化ナトリウム水溶液（１００ｍ）で洗浄を行い、次いで水（１００ｍｌ）で３回洗浄した。有機層を濃縮し、これをカラムクロマトグラフ法により精製し、トルエン／ＩＰＡで再結晶して、
下記式（１６）
下記式（１６）
で示される１０−イソプロピル−３，３−ジフェニル−２Ｈナフト［１，２−ｂ］ピラン
を１．３ｇ（収率：１０％）で得た。
を１．３ｇ（収率：１０％）で得た。
実施例８
（ナフトピラン誘導体の合成：１０−イソプロピル−３，３−ジフェニル−２Ｈナフト［１，２−ｂ］ピランの合成）
実施例６で得られた１，４−エポキシ−２−イソプロピル−１，４−ジヒドロナフタレン６．４ｇ（０．０３４ｍｏｌ）／トルエン（５５ｍｌ）溶液に、
下記式（１７）
（ナフトピラン誘導体の合成：１０−イソプロピル−３，３−ジフェニル−２Ｈナフト［１，２−ｂ］ピランの合成）
実施例６で得られた１，４−エポキシ−２−イソプロピル−１，４−ジヒドロナフタレン６．４ｇ（０．０３４ｍｏｌ）／トルエン（５５ｍｌ）溶液に、
下記式（１７）
で示される３，３−ジフェニルプロペナール７．２ｇ（０．０３４ｍｏｌ）、フェニルボロン酸無水物４．３ｇ（０．０１４ｍｏｌ）、プロピオン酸１．０ｇ（０．０１３ｍｏｌ）を加え、６時間還流した。反応終了後、５質量％炭酸ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）で洗浄を行い、次いで、水（１００ｍｌ）で３回洗浄を行った。有機層を濃縮し、これをカラムクロマトグラフ法により精製し、トルエン／ＩＰＡで再結晶することにより、１０−イソプロピル−３，３−ジフェニル−２Ｈナフト［１，２−ｂ］ピランを５．５ｇ（収率：４３％）で得た。
実施例９
（原料化合物の合成：１，４−エポキシ−２−メチル−６，８−ジメトキシ−１，４−ジヒドロナフタレンの合成）
下記式（１８）
（原料化合物の合成：１，４−エポキシ−２−メチル−６，８−ジメトキシ−１，４−ジヒドロナフタレンの合成）
下記式（１８）
で示される３−メチルフラン１０ｇ（０．１２２ｍｏｌ）、マグネシウム３．０ｇ（０．１２２ｍｏｌ）をＴＨＦ（１００ｍｌ）に溶解し、５５℃に加熱した。反応溶液に、２−ブロモ−３，５−ジメトキシフルオロベンゼン２７．１ｇ（０．１１６ｍｏｌ）／ＴＨＦ（１００ｍｌ）を添加し、５５℃で２時間反応を行った。反応終了後、トルエン（１００ｍｌ）、ｐＨが７の水（１００ｍｌ）を加えて３回水洗を行った。水洗後の水のｐＨを確認したところ、１回目が９、２回目が８、３回目が７であり、反応系が酸性条件下になっていないことを確認した。その後、溶媒を濃縮し、カラムクロマトグラフ法で精製を行うことにより、
下記式（１９）
下記式（１９）
で示される１，４−エポキシ−２−メチル−６，８−ジメトキシ−１，２−ジヒドロナフタレン２０．２ｇ（収率８０％）を得た。
（同定結果）
ＮＭＲ：１H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）１．７１（ｓ，３Ｈ、CH３），３．７２（ｓ，３Ｈ、OCH3），３．７６（ｓ，３Ｈ、OCH3），５．５５（ｓ，１Ｈ、Ar），５．６３（ｓ，１Ｈ、Ar），５．７３（ｓ，１Ｈ、Ar），６．１３（s，１Ｈ、Ar），６。１７（s，１Ｈ、Ar）。
ＮＭＲ：１３H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）１６．０，５６．０，５６．３，７９．５，８５．０，１０７．４，１０８．１，１１６．２，１２３．４，１３５．５，１３５．９，１５５．３，１５６．１。
ＩＲ：３０００−３７００ｃｍ−１未検出。
ＮＭＲ：１H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）１．７１（ｓ，３Ｈ、CH３），３．７２（ｓ，３Ｈ、OCH3），３．７６（ｓ，３Ｈ、OCH3），５．５５（ｓ，１Ｈ、Ar），５．６３（ｓ，１Ｈ、Ar），５．７３（ｓ，１Ｈ、Ar），６．１３（s，１Ｈ、Ar），６。１７（s，１Ｈ、Ar）。
ＮＭＲ：１３H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）１６．０，５６．０，５６．３，７９．５，８５．０，１０７．４，１０８．１，１１６．２，１２３．４，１３５．５，１３５．９，１５５．３，１５６．１。
ＩＲ：３０００−３７００ｃｍ−１未検出。
実施例１０
（ナフトピラン誘導体の合成：６，８−ジメトキシ−１０−メチル−３−（４−ジメチルアミノフェニル）−３−（４−メトキシフェニル）−２Ｈナフト［１，２−ｂ］ピランの合成）
実施例６で得られた１，４−エポキシ−２−メチル−６，８−ジメトキシ−１，４−ジヒドロナフタレン１０．１ｇ（０．０４６ｍｏｌ）／トルエン（５５ｍｌ）溶液に、
下記式（２０）
（ナフトピラン誘導体の合成：６，８−ジメトキシ−１０−メチル−３−（４−ジメチルアミノフェニル）−３−（４−メトキシフェニル）−２Ｈナフト［１，２−ｂ］ピランの合成）
実施例６で得られた１，４−エポキシ−２−メチル−６，８−ジメトキシ−１，４−ジヒドロナフタレン１０．１ｇ（０．０４６ｍｏｌ）／トルエン（５５ｍｌ）溶液に、
下記式（２０）
で示される１−（４−ジメチルアミノフェニル）−１−（４−メトキシフェニル）−２−プロピン−１−オール１３．０ｇ（０．０４６ｍｏｌ）を加え、９５℃〜１００℃に加熱した。反応溶液にｐ−トルエンスルホン酸０．４３ｇ（２．３ｍｍｏｌ）を加え、６時間還流した。反応終了後、１０質量％水酸化ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）で洗浄を行い、次いで水（１００ｍｌ）で３回洗浄した。有機層を濃縮し、これをカラムクロマトグラフ法により精製し、トルエン／ＩＰＡで再結晶して、
下記式（２１）
下記式（２１）
で示される６，８−ジメトキシ−１０−メチル−３−（４−ジメチルアミノフェニル）−３−（４−メトキシフェニル）−２Ｈナフト［１，２−ｂ］ピラン
を２．２２ｇ（収率：１０％）で得た。
を２．２２ｇ（収率：１０％）で得た。
実施例１１
（ナフトピラン誘導体の合成：６，８−ジメトキシ−１０−メチル−３−（４−ジメチルアミノフェニル）−３−（４−メトキシフェニル）−２Ｈナフト［１，２−ｂ］ピランの合成）
実施例６で得られた１，４−エポキシ−２−メチル−６，８−ジメトキシ−１，２−ジヒドロナフタレン１０．１ｇ（０．０４６ｍｏｌ）／トルエン（５５ｍｌ）溶液に、
下記式（２２）
（ナフトピラン誘導体の合成：６，８−ジメトキシ−１０−メチル−３−（４−ジメチルアミノフェニル）−３−（４−メトキシフェニル）−２Ｈナフト［１，２−ｂ］ピランの合成）
実施例６で得られた１，４−エポキシ−２−メチル−６，８−ジメトキシ−１，２−ジヒドロナフタレン１０．１ｇ（０．０４６ｍｏｌ）／トルエン（５５ｍｌ）溶液に、
下記式（２２）
で示される３−（４−ジメチルアミノフェニル）−３−（４−メトキシフェニル）プロペナール１３．０ｇ（０．０４６ｍｏｌ）、フェニルボロン酸無水物５．７ｇ（０．０１８ｍｏｌ）、プロピオン酸１．７ｇ（０．０２３ｍｏｌ）を加え、６時間還流した。反応終了後、５質量％炭酸ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）で洗浄を行い、次いで、水（１００ｍｌ）で３回洗浄を行った。有機層を濃縮し、これをカラムクロマトグラフ法により精製し、トルエン／ＩＰＡで再結晶することにより、６，８−ジメトキシ−１０−メチル−３−（４−ジメチルアミノフェニル）−３−（４−メトキシフェニル）−２Ｈナフト［１，２−ｂ］ピランを９．５ｇ（収率：４３％）で得た。
参考例１
（ナフトール誘導体の合成：３，４−ジメチル−１−ナフトールの合成）
２，３−ジメチルフラン２０ｇ（０．２０８ｍｏｌ）、マグネシウム５．０ｇ（０．２０８ｍｏｌ）をＴＨＦ（２００ｍｌ）に溶解し、５５℃に加熱した。反応溶液に、２−ブロモフルオロベンゼン３４．６ｇ（０．１９８ｍｏｌ）／ＴＨＦ（２００ｍｌ）を添加し、５５℃で２時間反応を行った。反応終了後、確実にナフトール誘導体を得るために、該反応溶液に１８質量％塩酸を添加し、室温で１時間攪拌した。次いで、反応溶液をｐＨ７の水（１００ｍｌ）で３回洗浄を行った。１回目の洗浄により得られた水のｐＨ１であり、反応系が酸性条件下になっていたことを確認した。さらに、ｐＨ７の水で行い、洗浄により得られる水のｐＨが６になるまで洗浄を繰り返した。その後、溶媒を濃縮し、カラムクロマトグラフ法で精製を行うことにより、
下記式（２３）
（ナフトール誘導体の合成：３，４−ジメチル−１−ナフトールの合成）
２，３−ジメチルフラン２０ｇ（０．２０８ｍｏｌ）、マグネシウム５．０ｇ（０．２０８ｍｏｌ）をＴＨＦ（２００ｍｌ）に溶解し、５５℃に加熱した。反応溶液に、２−ブロモフルオロベンゼン３４．６ｇ（０．１９８ｍｏｌ）／ＴＨＦ（２００ｍｌ）を添加し、５５℃で２時間反応を行った。反応終了後、確実にナフトール誘導体を得るために、該反応溶液に１８質量％塩酸を添加し、室温で１時間攪拌した。次いで、反応溶液をｐＨ７の水（１００ｍｌ）で３回洗浄を行った。１回目の洗浄により得られた水のｐＨ１であり、反応系が酸性条件下になっていたことを確認した。さらに、ｐＨ７の水で行い、洗浄により得られる水のｐＨが６になるまで洗浄を繰り返した。その後、溶媒を濃縮し、カラムクロマトグラフ法で精製を行うことにより、
下記式（２３）
で示される３，４−ジメチル−1−ナフトール２８．３ｇ（収率：８３％）で得た。
（同定結果）
ＮＭＲ：１H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）２．４２（ｓ，１Ｈ、CH3），２．５１（s，３Ｈ、CH3），５．０２（ｓ，１Ｈ、OH），６．６７（s，１Ｈ、Ar），７．４２（ｔ，J =７．０，１Ｈ、Ar），７．５１（ｔ，J =８．０，１Ｈ、Ar），７．９７（ｄ，J =８．５，１Ｈ、Ar），８．１４（ｄ，J =８．０，１Ｈ、Ar）。
ＮＭＲ：１３H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）１４．０，２０．７，１１１．８，１２１．８，１２３．２，１２３．６，１２３．８，１２３．９，１２６．３，１３３．１，１３３．９，１４９．１。
ＩＲ：３０００−３７００ｃｍ−１にピーク有。
ＮＭＲ：１H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）２．４２（ｓ，１Ｈ、CH3），２．５１（s，３Ｈ、CH3），５．０２（ｓ，１Ｈ、OH），６．６７（s，１Ｈ、Ar），７．４２（ｔ，J =７．０，１Ｈ、Ar），７．５１（ｔ，J =８．０，１Ｈ、Ar），７．９７（ｄ，J =８．５，１Ｈ、Ar），８．１４（ｄ，J =８．０，１Ｈ、Ar）。
ＮＭＲ：１３H−ＮＭＲ（５００Hz，CDCl3，J in Hz）１４．０，２０．７，１１１．８，１２１．８，１２３．２，１２３．６，１２３．８，１２３．９，１２６．３，１３３．１，１３３．９，１４９．１。
ＩＲ：３０００−３７００ｃｍ−１にピーク有。
参考例２
（ナフトピラン誘導体の合成：２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランの合成）
比較例１で得られた３，４−ジメチル−１−ナフトール２５ｇ（０．１４５ｍｏｌ）／トルエン（６２５ｍｌ）溶液に、３，３−ビス（４−メトキシフェニル）プロペナール４２．８ｇ（０．１６０ｍｏｌ）、フェニルボロン酸無水物１７．９ｇ（０．０５８ｍｏｌ）、プロピオン酸５．４ｇ（０．０７３ｍｏｌ）を加え、１０時間還流した。反応終了後、５質量％炭酸ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）で洗浄を行い、ついで、水（１００ｍｌ）で３回洗浄を行った。溶媒を濃縮し、カラムクロマトグラフ法で精製を行い、トルエン／ＩＰＡで再結晶することにより、２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピラン（５７．７ｇ、収率：９４％）を得た。
（ナフトピラン誘導体の合成：２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランの合成）
比較例１で得られた３，４−ジメチル−１−ナフトール２５ｇ（０．１４５ｍｏｌ）／トルエン（６２５ｍｌ）溶液に、３，３−ビス（４−メトキシフェニル）プロペナール４２．８ｇ（０．１６０ｍｏｌ）、フェニルボロン酸無水物１７．９ｇ（０．０５８ｍｏｌ）、プロピオン酸５．４ｇ（０．０７３ｍｏｌ）を加え、１０時間還流した。反応終了後、５質量％炭酸ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）で洗浄を行い、ついで、水（１００ｍｌ）で３回洗浄を行った。溶媒を濃縮し、カラムクロマトグラフ法で精製を行い、トルエン／ＩＰＡで再結晶することにより、２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピラン（５７．７ｇ、収率：９４％）を得た。
参考例３
（ナフトピラン誘導体の合成：２，２−ビス−（４−メトキシフェニル)−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランの合成）
参考例１で合成した３，４−ジメチル−1−ナフトール（１ｇ、５．８ｍｍｏｌ）を室温（２３℃)下で１週間放置した。この室温で１週間放置した３，４−ジメチル−１−ナフトール（１ｇ、５．８ｍｍｏｌ）／トルエン（５０ｍｌ）溶液に、３，３−ビス（４−メトキシフェニル）プロペナール１．７１ｇ（６．４ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸無水物７２０ｍｇ（２．３ｍｍｏｌ）、プロピオン酸２２０ｍｇ（２，９ｍｍｏｌ）を加え、１０時間還流した。反応終了後、５質量％炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍｌ）で洗浄を行い、ついで、水（１０ｍｌ）で３回洗浄を行った。溶媒を濃縮し、カラムクロマトグラフ法で精製を行い、トルエン／ＩＰＡで再結晶することにより、２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランを収量１．１５ｇ（収率４７％）で得た。
（ナフトピラン誘導体の合成：２，２−ビス−（４−メトキシフェニル)−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランの合成）
参考例１で合成した３，４−ジメチル−1−ナフトール（１ｇ、５．８ｍｍｏｌ）を室温（２３℃)下で１週間放置した。この室温で１週間放置した３，４−ジメチル−１−ナフトール（１ｇ、５．８ｍｍｏｌ）／トルエン（５０ｍｌ）溶液に、３，３−ビス（４−メトキシフェニル）プロペナール１．７１ｇ（６．４ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸無水物７２０ｍｇ（２．３ｍｍｏｌ）、プロピオン酸２２０ｍｇ（２，９ｍｍｏｌ）を加え、１０時間還流した。反応終了後、５質量％炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍｌ）で洗浄を行い、ついで、水（１０ｍｌ）で３回洗浄を行った。溶媒を濃縮し、カラムクロマトグラフ法で精製を行い、トルエン／ＩＰＡで再結晶することにより、２，２−ビス−（４−メトキシフェニル）−５，６−ジメチルナフト−［１，２−ｂ］ピランを収量１．１５ｇ（収率４７％）で得た。
以下、実施例４、実施例５、および参考例２、参考例３の結果を表１にまとめた。これら例を比較することにより、室温で１週間放置した原料化合物、およびナフトール誘導体を使用することにより、得られるクロメン化合物の収率の変化を比較することができる。
表１に示す通り、本発明の原料化合物は、ナフトール誘導体と比較して、室温で１週間保存した後も、得られるナフトピラン誘導体の収率の低下が少ない。
表１に示す通り、本発明の原料化合物は、ナフトール誘導体と比較して、室温で１週間保存した後も、得られるナフトピラン誘導体の収率の低下が少ない。
実施例１２（原料化合物の保存安定性の評価)
実施例１、６、９で得られた原料化合物の保存安定性を評価した。工業的な生産においては、カラムクロマトグラフィーによる精製を行わないで、アルデヒド誘導体、又はプロパルギルアルコール誘導体と反応させる場合もある。そのため、原料化合物の製造において、反応終了後、水洗した後、溶媒を濃縮した状態のものを室温（２３℃）で放置した場合の原料化合物の残存率をＨＰＬＣ（高速液クロマトグラフィー）により評価した。参考として、参考例１で得られた３，４−ジメチル−1−ナフトールも同様に評価した。結果を表２に示す。
実施例１、６、９で得られた原料化合物の保存安定性を評価した。工業的な生産においては、カラムクロマトグラフィーによる精製を行わないで、アルデヒド誘導体、又はプロパルギルアルコール誘導体と反応させる場合もある。そのため、原料化合物の製造において、反応終了後、水洗した後、溶媒を濃縮した状態のものを室温（２３℃）で放置した場合の原料化合物の残存率をＨＰＬＣ（高速液クロマトグラフィー）により評価した。参考として、参考例１で得られた３，４−ジメチル−1−ナフトールも同様に評価した。結果を表２に示す。
表２から明らかな通り、本発明の原料化合物は、ナフトール誘導体と比較して、室温で２週間放置しても、殆んど分解することがなく、安定な化合物であることが分かった。また、ナフトール誘導体である３，４−ジメチル−1−ナフトールは、１週間の放置で残存率が大きく減少すると共に着色が見られた。一方、本発明の原料化合物である１，４−エポキシ−１，２−ジメチル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２−イソプロピル−１，４−ジヒドロナフタレン、１，４−エポキシ−２−メチル−６，８−ジメトキシ−１，４−ジヒドロナフタレンは、２週間放置しても着色が見られなかった。
Claims (2)
- フェニルボロン酸無水物、４−メチルフェニルボロン酸無水物、４−メトキシフェニルボロン酸無水物、４−フルオロフェニルボロン酸無水物、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸無水物、３−フルオロ−４−メトキシフェニルボロン酸無水物、フェニルボロン酸、４−メチルフェニルボロン酸、４−メトキシフェニルボロン酸、４−フルオロフェニルボロン酸、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸、３−フルオロ−４−メトキシフェニルボロン酸より選択される少なくとも１種のアリールボロン酸誘導体の存在下、下記一般式（１）
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基である。）
で示される化合物と、下記一般式（２）
Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基であり、
ａ及びｂは、それぞれ、１〜３の整数であり、ａ、及びｂが２〜３の整数であるとき、各Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、同一の基であっても、互いに異なる基であってもよい。）で示されるアルデヒド誘導体とを反応させて、
下記一般式（３）
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、前記一般式（１）におけるものと同義であり、
Ｒ７、Ｒ８、ａ、及びｂは、前記一般式（２）におけるものと同義である。）
で示されるナフトピラン誘導体を製造することを特徴とするナフトピラン誘導体の製造方法。 - 酸触媒存在下、下記一般式（１）
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基である。）で示される化合物と、
下記一般式（４）
Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、窒素原子をヘテロ原子として有し該窒素原子で結合する複素環基、アラルキル基、又はアリール基であり、
ａ及びｂは、それぞれ、１〜３の整数であり、ａ、及びｂが２〜３の整数であるとき、各Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ、同一の基であっても、互いに異なる基であってもよい。）
で示されるプロパルギルアルコール誘導体とを反応させて、
下記一般式（３）
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６は、前記一般式（１）におけるものと同義であり、
Ｒ７、Ｒ８、ａ、及びｂは、前記一般式（４）におけるものと同義である。）
で示されるナフトピラン誘導体を製造することを特徴とするナフトピラン誘導体の製造方法。
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