JP5659519B2

JP5659519B2 - 発光装置、発光装置の製造方法、発光装置の実装方法及び光源装置

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Publication number: JP5659519B2
Application number: JP2010062514A
Authority: JP
Inventors: 末広　好伸; 好伸末広; 誠治山口; 荒金　克学; 克学荒金; 浩二田角
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
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Priority date: 2009-11-19
Filing date: 2010-03-18
Publication date: 2015-01-28
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Description

本発明は、搭載基板の表面上の発光素子が無機材料により封止された発光装置、その製造方法、その実装方法及び発光装置を備えた光源装置に関する。

従来、絶縁基板上に多数個の電子部品の素子を配置してボンディングした電子部品素子組付体を一括して樹脂封止した後にダイシングして個々の電子部品に分離する電子部品の製造方法が知られている（特許文献１参照）。この方法によれば、絶縁基板の表面側に電子部品の素子を接続する回路パターンが多数個並列して形成され、それぞれの回路パターンが多数個並列して形成されたスルーホールに接続された多数個取りの絶縁基板を製造する絶縁基板製造工程と、電子部品素子組付体の絶縁基板の裏面側に保護フィルムを貼着し、保護フィルムを絶縁基板に押圧して粘着材をスルーホールに押し込み、スルーホール内を粘着材で充填する保護フィルム貼着工程と、絶縁基板の表面側に設けられた回路パターンに多数個の電子部品の素子をそれぞれ配置してボンディングし、電子部品素子組付体を製造するボンディング工程と、保護フィルムが貼着された電子部品素子組付体の表面側を一括して樹脂封止する樹脂封止工程と、保護フィルムを剥離する保護フィルム剥離工程と、表面側が樹脂封止され、裏面側の保護フィルムが剥離された電子部品素子組付体をダイシングして個々の電子部品に分離するダイシング工程と、を備えている。

一方、搭載基板上の発光素子がガラス等の無機材料により封止された発光装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２に記載の発光装置は、複数の発光素子を搭載基板に搭載しておき、ガラスのホットプレス加工を行うことにより、各発光素子を一括してガラスにより封止している。これによれば、搭載基板とガラスが直接接合するので、ガラスが搭載基板から剥離し難いものとなっている。この発光装置では、従来の樹脂材料と比較すると格段に高い強度が実現されている。

特開２０００−２００９２７号公報国際公開第２００４／８２０３６号

しかしながら、特許文献１に記載の方法は、封止材が樹脂であるために劣化し易いし、樹脂封止工程にて封止材内に空気を巻き込みやすいという問題点がある。
また、特許文献２に記載の発光装置では、ホットプレス加工時に無機材料と搭載基板との間の気体を外部へ逃がすことができず、これらの間に残留気体層が生じるおそれがある。このため、減圧雰囲気で封止を行ったり、気体を外部へ逃がすための機構等を設ける必要となる場合がある。

本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、封止材として無機材料を用いた場合に、無機材料と搭載基板の間における残留気体層の発生を抑制することのできる発光装置、発光装置の製造方法、発光装置の実装方法及び光源装置を提供することにある。

前記目的を達成するため、本発明では、搭載基板の表面上の発光素子がガラスにより封止された発光装置の製造方法であって、前記搭載基板の表面と裏面を連通するスルーホールを前記発光装置に形成するホール形成工程と、前記搭載基板における前記スルーホールの内面と、前記搭載基板の表面における前記スルーホールの端部から前記発光素子の搭載部までと、前記搭載基板の裏面における前記スルーホールの周囲と、に連続的に回路パターンを形成するパターン形成工程と、前記搭載基板の前記搭載部に前記発光素子を搭載する搭載工程と、加熱により軟化した前記ガラスを前記搭載基板の表面上に配置し、プレス動作により前記ガラスを前記搭載基板の表面に接合して前記発光素子を封止しつつ、前記ガラスを前記発光装置に形成された前記スルーホールに進入させるホットプレス工程と、を含み、前記ホットプレス工程は、前記ガラスと接触する接触面の外縁側に形成され、先端が前記搭載基板と接触しない流出抑制部を有した金型によって実行される前記プレス動作を含み、前記流出抑制部は、封止前の前記ガラスの外側への流出を抑制する発光装置の製造方法が提供される。

上記発光装置の製造方法において、前記ホール形成工程にて形成される前記発光装置に形成された前記スルーホールは、裏面側へ向かって径が拡がる拡径部を有し、前記ホットプレス工程にて、前記ガラスを前記発光装置に形成された前記スルーホールの前記拡径部まで進入させることが好ましい。

上記発光装置の製造方法において、前記ホットプレス工程にて、前記ガラスは前記発光装置に形成された前記スルーホールの裏面側端部まで到達しないことが好ましい。

上記発光装置の製造方法において、前記搭載部を複数の搭載部とし、前記複数の搭載部によって前記発光装置を複数の発光装置とし、前記スルーホールを各発光装置に形成し、前記ホットプレス工程にて軟化した前記ガラスが硬化した後、前記ガラス及び前記搭載基板を分割して前記複数の発光装置にする分割工程を含むことが好ましい。

また、前記目的を達成するため、本発明では、搭載基板の表面上の発光素子がガラスにより封止された発光装置であって、前記搭載基板の表面と裏面を連通するスルーホールと、前記搭載基板における前記スルーホールの内面と、前記搭載基板の表面における前記スルーホールの端部から前記発光素子の搭載部までと、前記搭載基板の裏面における前記スルーホールの周囲と、に連続的に形成された回路パターンと、前記搭載基板の表面上にて前記発光素子を封止し、前記スルーホールに進入しているガラス封止部と、を備え、前記スルーホールは、裏面側へ向かって径が拡がる拡径部を有し、前記ガラス封止部は、前記スルーホールの前記拡径部まで進入しているとともに前記搭載基板の裏面における前記スルーホールの端部にまで到達していないことにより、前記スルーホールの端部から内部にかけて、はんだを受容するスペースを提供する係合部を有する発光装置が提供される。

さらに、前記目的を達成するため、上記発光装置を実装基板に実装するにあたり、前記発光装置の前記搭載基板の裏面における前記スルーホールの周囲に形成されている前記回路パターンと、前記実装基板の回路パターンと、をはんだを介して又は直接的に接合する発光装置の実装方法が提供される。

さらにまた、前記目的を達成するため、上記発光装置と、前記発光装置が実装される実装基板と、前記発光装置の前記搭載基板の裏面における前記スルーホールの周囲に形成されている前記回路パターンと、前記実装基板の回路パターンとの間に介在し、前記スルーホールに侵入した侵入部を有するはんだと、を備えた光源装置が提供される。

本発明によれば、封止材として無機材料を用いた場合に、無機材料と搭載基板の間における残留気体層の発生を抑制することができる。

図１は本発明の一実施形態を示す発光装置の概略縦断面図である。図２は発光装置の概略平面図である。図３はＬＥＤ素子の模式縦断面図である。図４はガラス材の封止加工前の状態を示す模式説明図である。図５はガラス材の封止加工時の状態を示す模式説明図である。図６は中間体の平面図である。図７は光源装置の概略縦断面図である。図８は図７のＡ−Ａ断面図である。図９は変形例を示す発光装置の概略平面図である。図１０は変形例を示す発光装置の概略平面図である。図１１は変形例を示す発光装置の概略平面図である。図１２は変形例を示す発光装置の概略縦断面図である。図１３は変形例を示す発光装置の概略縦断面図である。図１４は変形例を示す発光装置の概略縦断面図である。図１５は変形例を示す発光装置の概略縦断面図である。図１６は変形例を示す発光装置の概略縦断面図である。図１７は変形例を示す発光装置の概略縦断面図である。図１８は変形例を示す発光装置の概略縦断面図である。図１９はＬＥＤ素子の模式縦断面図である。図２０は変形例を示す発光装置の概略縦断面図である。

図１から図８は本発明の一実施形態を示し、図１は発光装置の概略縦断面図である。尚、各図においては、各部の構成を明確にするために実寸と異なるサイズで各部を示している。

図１に示すように、この発光装置１は、フリップチップ型のＧａＮ系半導体材料からなるＬＥＤ素子２と、ＬＥＤ素子２を搭載する搭載基板３と、搭載基板３に形成される回路パターン４と、ＬＥＤ素子２を封止するとともに搭載基板３と接着される無機封止部としてのガラス封止部５とを有する。また、ＬＥＤ素子２と搭載基板３との間には、ガラスがまわりこまない中空部が形成されている。

搭載基板３は、表面と裏面を連通するスルーホール６が形成される。本実施形態においては、アノード側とカソード側にそれぞれスルーホール６が配置され、各スルーホール６は、表面側に形成される縮径部６ａと、裏面側に形成される拡径部６ｂと、を有する。縮径部６ａは、スルーホール６における搭載基板３の表面側端部から厚さ方向中央まで形成され、裏面側へ向かって径が窄まるよう形成される。拡径部６ｂは、スルーホール６における搭載基板３の裏面側端部から厚さ方向中央まで形成され、裏面側へ向かって径が拡がるよう形成される。縮径部６ａと拡径部６ｂは、それぞれ、厚さ方向について一定の割合で窄む、あるいは拡がって形成されている。

回路パターン４は、搭載基板３のスルーホール６の内面に形成される内面パターン４１と、搭載基板３の表面に形成されＬＥＤ素子２と電気的に接続される表面パターン４２と、搭載基板３の裏面に形成され外部端子と接続可能な裏面パターン４３と、を連続的に有している。回路パターン４は、例えば、Ｗ層、Ｎｉ層及びＡｕ層の３層構造とすることができる。表面パターン４２は、スルーホール６の表面側端部の周囲に形成された円形部４２ａと、円形部４２ａから基板中央側の発光素子２の搭載部４４まで延びる接続部４２ｂと、を有している。また、裏面パターン４３は、スルーホール６の裏面側端部の周囲にて円形に形成されている。尚、内面パターン４１は、スルーホール６の内面に全面的に形成されている。

図２は発光装置の概略平面図である。
搭載基板３は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）の多結晶焼結材料からなり、厚さ０．２５ｍｍで１．０ｍｍ角に形成されており、熱膨張率αが７×１０^−６／℃である。また、ＬＥＤ素子２は、厚さ１００μｍで３４６μｍ角に形成されており、熱膨張率は７×１０^−６／℃である。ここで、ＬＥＤ素子２のＧａＮ層の熱膨張率は５×１０^−６／℃であるが、大部分を占めるサファイアからなる成長基板の熱膨張率が７×１０^−６／℃であるため、ＬＥＤ素子２本体の熱膨張率は成長基板の熱膨張率と同等となっている。各スルーホール６は、搭載基板３の中央に搭載されたＬＥＤ素子２を、平面視にて挟むよう配置される。本実施形態においては、２つのスルーホール６が、搭載基板３の一辺と平行な方向（対辺方向）において、ＬＥＤ素子２を挟むよう配置されている。

図３は、ＬＥＤ素子の模式縦断面図である。
発光素子としてのＬＥＤ素子２は、図３に示すように、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる成長基板２０の表面に、III族窒化物系半導体をエピタキシャル成長させることにより、バッファ層２１と、ｎ型層２２と、ＭＱＷ層２３と、ｐ型層２４とがこの順で形成されている。このＬＥＤ素子２は、７００℃以上でエピタキシャル成長され、その耐熱温度は６００℃以上であり、後述する低融点のガラスを用いた封止加工における加工温度に対して安定である。また、ＬＥＤ素子２は、ｐ型層２４の表面に設けられるｐ側電極２５と、ｐ側電極２５上に形成されるｐ側パッド電極２６と、を有するとともに、ｐ型層２４からｎ型層２２にわたって一部をエッチングすることにより露出したｎ型層２２に形成されるｎ側電極２７を有する。ｐ側パッド電極２６とｎ側電極２７には、それぞれＡｕバンプ２８が形成される。

ｐ側電極２５は、例えば銀（Ａｇ）からなり、発光層としてのＭＱＷ層２３から発せられる光を成長基板２０の方向に反射する光反射層として機能する。尚、ｐ側電極２５の材質は適宜変更が可能である。本実施形態においては、ｐ側電極２５上には２点のｐ側パッド電極２６が形成され、各ｐ側パッド電極２６にＡｕバンプ２８が形成される。尚、ｐ側パッド電極２６は例えば３点であってもよく、ｐ側電極２５上に形成するｐ側パッド電極２６の個数は適宜変更が可能である。

ｎ側電極２７は、同一エリアにコンタクト層とパッド層とが形成されている。図２に示すように、ｎ側電極２７は、Ａｌ層２７ａと、このＡｌ層２７ａを覆う薄膜状のＮｉ層２７ｂと、Ｎｉ層２７ｂの表面を覆うＡｕ層２７ｃによって形成されている。尚、ｎ側電極２７の材質は適宜変更が可能である。本実施形態においては、平面視にて、ｎ側電極２７がＬＥＤ素子２の隅部に形成され、ｐ側電極２５がｎ側電極２７の形成領域を除いて、ほぼ全面的に形成されている。

ガラス封止部５は、ＺｎＯ−Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系のガラスからなる。尚、ガラスの組成はこれに限定されるものではなく、例えば、ガラスは、高屈折率とするためＮｂ_２Ｏ_５を含んでもよいし、低融点化のためにＮａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ等を含有していてもよい。さらに、任意成分としてＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２等を含んでいてもよい。このガラスは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が４９０℃で、屈伏点（Ａｔ）が５２０℃であり、ＬＥＤ素子２の発光層（本実施形態ではＭＱＷ層２３）におけるエピタキシャル成長時の形成温度よりも、ガラス転移温度（Ｔｇ）が十分に低くなっている。本実施形態においては、発光層のエピタキシャル成長温度よりも、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２００℃以上低くなっている。また、ガラスの１００℃〜３００℃における熱膨張率（α）は６×１０^−６／℃である。熱膨張率（α）は、ガラス転移温度（Ｔｇ）を超えるとこれより大きな数値となる。これにより、ガラスは約６００℃で搭載基板３と接着し、ホットプレス加工が可能となっている。また、ガラス封止部５のガラスの屈折率は１．７である。

また、ガラスの組成は、ガラス転移温度（Ｔｇ）がＬＥＤ素子２の耐熱温度よりも低く、熱膨張率（α）が搭載基板３と同等であれば任意である。ガラス転移温度が比較的低く、熱膨張率が比較的小さいガラスとしては、例えば、ＺｎＯ−ＳｉＯ_２−Ｒ_２Ｏ系（ＲはＬｉ、Ｎａ、Ｋ等のI族の元素から選ばれる少なくとも１種）のガラス、リン酸系のガラス及び鉛ガラスが挙げられる。これらのガラスでは、ＺｎＯ−ＳｉＯ_２−Ｒ_２Ｏ系のガラスが、リン酸系のガラスに比して耐湿性が良好で、鉛ガラスのように環境的な問題が生じることがないので好適である。

ここで、本実施形態において、ＬＥＤ素子２の封止に用いられるガラスは、加熱により軟化状態として成形したガラスであり、ゾルゲル法により成形されるガラスと異なる。ゾルゲルガラスでは成形時の体積変化が大きいのでクラックが生じやすくガラスによる厚膜を形成することが困難であるところ、本実施形態のように熱により軟化させて搭載基板３に融着させるガラスはこの問題点を回避することができる。また、ゾルゲルガラスでは細孔を生じるので気密性を損なうことがあるが、本実施形態のガラスはこの問題点を生じることもなく、ＬＥＤ素子２の封止を的確に行うことができる。

また、本実施形態のガラスは、一般に、樹脂において高粘度といわれるレベルより、桁違いに高い粘度で加工される。さらに、ガラスの場合には、屈伏点を数十℃超えても粘度が一般の樹脂封止レベルまで低くはならない。また、一般の樹脂成型時レベルの粘度にしようとすると、ＬＥＤ素子の結晶成長温度を超える温度を要するもの、あるいは金型に付着するものとなり、封止・成形加工が困難になる。このため、１０^４ポアズ以上１０^９ポアズ以下で加工することが好ましい。

図１に示すように、ガラス封止部５は、発光素子２及び搭載基板３を全面的に覆い、厚さが０．５ｍｍとなっている。ガラス封止部５は、搭載基板３と平行な上面５ａと、上面５ａの外縁から下方へ延び搭載基板３と垂直な側面５ｂと、を有している。さらに、ガラス封止部５は、搭載基板３のスルーホール６の内部へ進入した係合部５ｃを有している。係合部５ｃは、縮径部６ａを超えて拡径部６ｂの途中まで形成されている。係合部５ｃは、スルーホール６の裏面側端部までは形成されていない。

以上のように構成された発光装置１では、回路パターン４を通じてＬＥＤ素子２に電圧が印加されると、ＬＥＤ素子２から青色光が発せられる。ＬＥＤ素子２から発せられた青色光は、ガラス封止部５の上面５ａ又は側面５ｂを通じて外部へ放射される。

この発光装置１は、以下の工程を経て製造される。
まず、ガラス成分の酸化物粉末を１２００℃に加熱し、溶融状態で撹拌する。そして、ガラスを固化した後、ガラス封止部５の厚さに対応するようスライスして封止前ガラス１１を板状に加工する（板状加工工程）。この後、封止前ガラス１１に、後述するように、各ＬＥＤ素子２に対応する凹部１１ａを形成する。

一方、平板状の搭載基板３に、サンドブラスト加工、レーザ加工等によりスルーホール６を形成する（ホール形成工程）。サンドブラスト加工の場合、研磨材の飛散角度を変化させることにより縮径部６ａ及び拡径部６ｂを形成することができるし、レーザ加工の場合、レーザーの集光角度を変化させることにより縮径部６ａ及び拡径部６ｂを形成することができる。

スルーホール６が形成された後、搭載基板３に回路パターン４を形成する（パターン形成工程）。パターン形成工程では、内面パターン４１と、表面パターン４２と、裏面パターン４３と、を連続的に形成する。例えば、回路パターン４は、金属ペーストをスクリーン印刷し、搭載基板３を所定温度（例えば１０００℃以上）で熱処理することにより当該金属を搭載基板３に焼き付けた後、当該金属に他の金属のめっきを施すことにより形成することができる。また、搭載基板３に金属を蒸着して他の金属のめっきを施したり、金属を貼り付けた後に当該金属を所定形状にエッチングして他の金属のめっきを施してもよい。

この後、複数のＬＥＤ素子２を縦及び横について等間隔で搭載基板３の搭載部４４に搭載する（搭載工程）。具体的には、搭載基板３の回路パターン４の表面パターン４１に複数のＬＥＤ素子２を各Ａｕバンプ２８によって電気的に接合する。本実施形態においては、ｐ側２点、ｎ側１点の合計３点のバンプ接合が施される。また、搭載基板３は、各ＬＥＤ素子２の搭載領域の外側に形成される面積増大部としての溝部３１（図４参照）を有している。本実施形態においては、溝部３１が二重に形成されている。

そして、図４に示すように、各ＬＥＤ素子２が搭載された搭載基板３を下金型９１にセットし、上金型９２を搭載基板３の搭載面と対向して配置し、搭載基板３と上金型９２の間に各ＬＥＤ素子２の搭載領域が覆われるように封止前ガラス１１を配置する（プレス準備工程）。尚、このとき、封止前ガラス１１は、各ＬＥＤ素子２と接触していてもよいし、離隔していてもよい。下金型９１及び上金型９２にはそれぞれヒータが配置され、各金型９１，９２で独立して温度調整される。上金型９２は、各ＬＥＤ素子２の上方の封止前ガラスと接触する平坦面９２ａと、平坦面９２ａの外縁側に形成され下方へ突出形成される流出抑制部９２ｂと、を有している。本実施形態においては、流出抑制部９２ｂは、先端に向かって細くなるように、各ＬＥＤ素子２側の面が傾斜して形成された突出部である。上金型９２は、例えば、ステンレス、タングステンカーバイド等からなる。本実施形態においては、上金型９２の流出抑制部９２ｂは、底面視にて四角のリング状に形成されている。

本実施形態においては、封止前ガラス１１は板状に形成され、搭載基板３側に各ＬＥＤ素子２に対応して凹部１１ａが形成されている。この後、下金型９１及び上金型９２を加圧し、窒素雰囲気中で加熱によって軟化したガラス材のホットプレス加工を行う（ホットプレス工程）。図５に示すように、ホットプレス工程では、プレスによりガラス材を搭載基板３の表面に接合してＬＥＤ素子２を封止しつつ、ガラス材をスルーホール６の少なくとも拡径部６ｂまで進入させる。ここで、封止前ガラス１１と搭載基板３の間の気体は、スルーホール６を通じて外部へ排出される。図５は、ガラス材の封止加工時の状態を示す模式説明図である。本実施形態においては、軟化したガラス材は拡径部６ｂの途中まで入り込んで、搭載基板３の裏面側までは到達しない。尚、ガラス材が搭載基板３の裏面側まで到達しても、ＬＥＤ素子２の封止自体の問題はないが、ガラス材が下金型９１と接着するおそれがある。このときの加工条件は、ガラスの温度、圧力、スルーホール径等に応じて任意に変更することができるが、一例をあげるとすれば、例えば、ガラスの温度を６００℃とし、ガラスの圧力を２５ｋｇｆ／ｃｍ^２とし、スルーホール径を０．１ｍｍとすることができる。また、封止前ガラス１１は、搭載基板３への配置前に加熱されていてもよいし、配置後に加熱されるようにしてもよく、プレス時に搭載基板３の表面上に加熱により軟化した状態で配置されていればよい。

ここで、ホットプレス加工は、各金型９１，９２をはじめとする装置各部の酸化を防止する場合、各部材に対して不活性な雰囲気中で行えばよく、窒素雰囲気の他に例えば真空中で行うようにしてもよい。尚、各金型９１，９２をはじめとする装置各部の酸化が問題とならない場合、空気中でホットプレス加工を行ってもよい。

図５に示すように、封止前ガラス１１の上面に上金型９２の平坦面９２ａが全面的に接触し、加圧により軟化した封止前ガラス１１が横方向へ流出するところ、上金型９２の流出抑制部９２ｂが封止前ガラス１１の流出を抑制することにより、流出抑制部９２ｂの内側ではガラスの圧力をほぼ一定にすることができる。プレス加工時、軟化したガラス材は高粘度の流体として振る舞い、上金型９２と搭載基板３により圧縮され、上金型９２と搭載基板３との間隙が中央側と外縁側にわたって一定であるならば、外縁側と中央側とで圧力差が生じやすい状態となる。しかしながら、流出抑制部９２ｂを設けることにより、ガラス材の流出方向を絞りつつ、内側にキャビティを形成することによって、各ＬＥＤ素子２付近のガラスの圧力をほぼ一定とすることができるのである。すなわち、本実施形態の製造方法は、高粘度のガラスを用いてホットプレス加工により各ＬＥＤ素子２を封止する際の新規な課題を解決したものである。尚、本実施形態においては、流出抑制部９２ｂの先端が搭載基板３と接触していないことから、余分なガラス材は流出抑制部９２ｂから外側へ流出する。これにより、キャビティ内のガラス材の過度の圧力上昇を回避することができる。

図５に示すように、封止前ガラス１１の上面は、平坦面９２ａにより全体にわたって平坦に形成される。また、軟化したガラス材は、搭載基板３の各溝部３１に入り込んで、各溝部３１の表面と接合する。ここで、各溝部３１は、流出抑制部９２ｂの外側に配置されている。

以上の工程で、複数の発光装置１が縦方向及び横方向に連結された状態の図６に示すような中間体１２が作製される。この後、ガラス封止部５と一体化された搭載基板３をダイシング装置にセットして、ダイシングブレードによって、ガラス封止部５及び搭載基板３を各ＬＥＤ素子２ごとに分割するようダイシングして発光装置１が完成する（分割工程）。

以上の発光装置１の製造方法によれば、ホットプレス時にガラス材料を拡径部６ｂまで進入させているので、ガラス材料が硬化した後に当該進入した部分が係合部５ｃとなり、ガラス封止部５が搭載基板３に強固に固定される。これにより、ガラス封止部５に搭載基板３から剥離する方向に力が加わったとしても、係合部５ｃがスルーホール６に引っ掛かるので、ガラス封止部５が搭載基板３から離脱することはない。従って、例えば樹脂封止の発光装置で使用不能であった高圧下等の過酷な環境での使用も可能となるし、信頼性が格段に向上する。

また、本実施形態によれば、ガラス材が硬化した後にガラス封止部５を分割していることから、分割時にガラス封止部５に負荷が加わることとなる。このとき、ガラス封止部５に係合部５ｃが形成され、搭載基板３に対して強固に固定されていることから、分割時におけるガラスの剥離を抑制して歩留まりを向上させることができる。また、従来よりも剥離し難くなることから、例えば、ダイシング時のダイシングブレードの歯を粗くしたり回転速度を上げることができ、分割工程に要する時間を短縮して、発光装置１の生産性を向上させることができる。

また、スルーホール６を各発光装置１に形成したことにより、ホットプレス時に各発光装置１の各ＬＥＤ素子２をカバーする板状のガラス材と搭載基板３との間の気体を外部へ逃がすことができ、ガラス封止部５と搭載基板３との間に残留気体層が生じることを防止して接合状態を良好とし、これによっても強度を向上させることができる。また、減圧雰囲気で封止を行ったり、ガラス材と搭載基板３の間の気体を逃がすための機構等を設ける必要がなく、製造コストの低減を図ることができる。
尚、発明者らの実験で、０．３４ｍｍ角のＬＥＤ素子が１．１ｍｍのピッチで、１００ｐｃｓ（１０×１０）以上配列された搭載基板への板ガラス接合においても、ガラス材と搭載基板の接合面に残留気体層を生じさせることなく、良好な接合状態が実現されることが確認されている。この実験での、搭載基板の表面の面積は、ダイシングによる切りしろを含めて、１２３．２１ｍｍ^２（１１．１ｍｍ×１１．１ｍｍ）であった。このように、一回のガラス封止工程で１００ｐｃｓ以上の発光装置の封止が可能となる。さらに、０．３４ｍｍ角のＬＥＤ素子が１．１ｍｍピッチで７８４ｐｃｓ（２８×２８）で配列された搭載基板への板ガラス接合においても、ガラス材と搭載基板との間に残留気体層が生じないことも確認されている。
ここで、ガラス材とアルミナ製の搭載基板３では、アンカ−効果と酸素化合物を介しての化学結合がされている。そして、搭載基板３の素子搭載面（表面）には、回路パタ-ン４を取り囲むようにガラス材と搭載基板３の接合面が形成され、当該接合面に残留気体層が生じないようにすることができ、接合部の気密性に優れている。さらにまた、回路パタ-ン４の腐食も防ぐことができる。

さらに、仮に、中間体１２の外縁側にて、ガラス封止部５と搭載基板３との間に部分的に剥離が生じたとしても、各スルーホール６には軟化したガラス材が進入しているため、分割工程にてガラス封止部５の全体が一気に搭載基板３から剥離するようなことはなく、剥離の影響を剥離箇所周辺の発光装置１にとどめることができ、これによっても歩留まりが向上する。

また、ガラス封止時に、搭載領域上のガラス材の圧力がほぼ一定となるので、搭載基板３の外縁側でのガラス材の圧力を増大させることができ、ガラス材と搭載基板３との接合強度が増大し、ガラス材の搭載基板３からの剥離を抑制することができる。さらに、ガラス材が搭載基板３の各溝部３１へ入り込むので、ダイシングの際、ダイシングブレードがガラス端部をめくり上げてガラス材が搭載基板３から剥がれることを抑制できる。

また、搭載領域内の各ＬＥＤ素子２に加わる圧力を一定とすることができる。これにより、各ＬＥＤ素子２の封止条件を均一とし、各ＬＥＤ素子２の特性をより均一に近づけることができる。特に本実施形態のように、各ＬＥＤ素子２がバンプ２８等を介して搭載基板３に実装されている場合、各ＬＥＤ素子２と搭載基板３との間に隙間が存在する。そして、ガラスの圧力及び流れ方向によって当該隙間へのガラスの回り込み状態が異なり、この回り込み状態がＬＥＤ素子２の特性に大きく影響するところ、回り込み状態を均一に近づけて各ＬＥＤ素子２の特性ばらつきを抑制することができる。

図７は、光源装置の概略断面図である。
図７に示すように、発光装置１は、実装基板７に実装して光源装置１００として使用することができる。実装基板７は、金属からなるベース部７１と、ベース部７１上の絶縁層７２と、絶縁層７２上の回路パターン７３と、を有する。発光装置１を実装基板７に実装するにあたり、発光装置１の搭載基板３の裏面におけるスルーホール６の周囲に形成されている裏面パターン４３と、実装基板７の回路パターン７３と、をはんだ８を介して接合する。はんだ８は、スルーホール６内に侵入した侵入部８ａを有する。ベース部７１は例えばアルミニウムからなり、絶縁層７２は例えばエポキシ系等の樹脂、酸化アルミニウム等のセラミックからなり、回路パターン７３は例えばＮｉ／Ａｕからなる。尚、実装基板７として、金属ベースの基板の他に、ポリイミドや液晶ポリマーで形成されるフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板等の他の基板を用いてもよい。

図８は、図７のＡ−Ａ断面図である。
図８に示すように、はんだ８は、スルーホール６を包囲する裏面パターン４３と全面的に接合している。はんだ８は、スルーホール６を完全に塞ぐよう形成され、スルーホール６内が外気に直接的に曝されないよう構成されている。これにより、スルーホール６から発光装置１の内部への水分等の浸入を抑制することができ、発光装置１に優れた耐候性を発揮させることができる。尚、ガラスやセラミックの透湿性は、樹脂部材と比較すると極めて小さく、樹脂と比較すればゼロに等しいとみなすことができる。本実施形態においては、係合部５ｃがスルーホール６の裏面側まで到達しておらず、スルーホール６にはんだ８を受容するスペースがあるため、はんだ８に侵入部８ａを形成することができ、平面だけでなく立体的に接合部を形成することができるので、はんだ接合の強度を増すことができる。また、外力を受けにくいオープンホール内へはんだ８が入ることで、経年劣化での接合不良も生じにくくなる。尚、はんだ８に限らず、銀ペースト等の金属粒子を用いた導電性接着剤を用いても、同様の効果を得ることができる。

尚、前記実施形態においては、流出抑制部９２ｂを上金型９２に設けたものを示したが、搭載基板３に流出抑制部を設けてもよいし、上金型９２と搭載基板３ともに流出抑制部を設けない構成としてもよいことは勿論である。また、搭載基板３に溝部３１を形成したものを示したが、搭載基板３の表面積を増大させるものであれば、凹状、凸状等の他の形状としてもよいし、溝部３１を形成しない構成であってもよい。また、封止前ガラス１１は、各ＬＥＤ素子２に対応した凹部１１が形成されていない平坦なガラスであってもよい。

また、前記実施形態においては、２つのスルーホール６を搭載基板３の対辺方向においてＬＥＤ素子２を挟み込むよう配置したものを示したが、例えば図９に示すように搭載基板３の対角方向においてＬＥＤ素子２を挟み込むよう配置してもよい。また、スルーホール６の径について、０．１ｍｍを例示したが、ガラスの粘度、圧力により適宜変更することができ、拡径部６ｂへのガラスの進入がありＬＥＤ素子２が搭載されていない搭載基板３の裏面にまで至らないものであれば、例えば径を０．０５ｍ以上０．５ｍｍ以下とすることができる。

また、前記実施形態においては、１つの発光装置１に１つのＬＥＤ素子２が搭載されるものを示したが、例えば図１０及び図１１に示すように、１つの発光装置に複数のＬＥＤ素子２が搭載されるものであってもよい。図１０の発光装置１は、３つのＬＥＤ素子２が直線状に配置されており、２つのスルーホール６がその直線上で各ＬＥＤ素子２を挟むよう配置されている。尚、隣接するＬＥＤ素子２は、表面パターン４２の連接部４２ｃにより接続され、各ＬＥＤ素子２は電気的に直列となっている。図１１の発光装置１は、９つのＬＥＤ素子２が縦３列、横３列に配置されており、２つのスルーホール６が各ＬＥＤ素子２の搭載領域を対角方向にて挟むよう配置されている。尚、各ＬＥＤ素子２は、電気的に直列となっている。

また、前記実施形態においては、スルーホール６が縮径部６ａと拡径部６ｂとを有するものを示したが、例えば図１２に示すように、スルーホール１６が表面側の小径部１６ａと裏面側の大径部１６ｂとを有するようにしてもよい。小径部１６ａ及び大径部１６ｂは、搭載基板３の厚さ方向について同一径に形成され、小径部１６ａと大径部１６ｂの境界部１６ｃが拡径部をなしている。そして、ガラス封止部５のガラスが拡径部を超えてスルーホール内に進入して係合部５ｃをなしている。この発光装置１では、搭載基板３として多層セラミック基板が用いられ、小径部１６ａが第１層３ａに形成され、大径部１６ｂが第２層３ｂに形成されており、小径部１６ａ及び大径部１６ｂは径の異なる抜き型でのパンチングにより成形される。

ここで、図１２の発光装置１では第１層３ａ及び第２層３ｂが同じ厚さに形成されているが、例えば図１３に示すように、表面側の第１層３ａの厚さを裏面側の第２層３ｂの厚さより薄くしてもよい。この場合、境界部１６ｃから搭載基板３の裏面までの距離を大きくとることができるとともに、スルーホール６内の空間が大きくなるので、ガラスのホットプレス加工時に、スルーホール６内へ進入したガラスが搭載基板３の裏面まで比較的到達し難くでき、実用に際して有利である。

さらに、スルーホール６の縮径部６ａを省略し、例えば図１４に示すように、拡径部６ｂのみの構成としてもよい。尚、縮径部６ａの厚さを比較的薄くし、拡径部６ｂの厚さを比較的厚くした構造とすることもできる。図１４の発光装置１では、スルーホール６の内面の傾斜角が一定であるので、搭載基板３に負荷が加わった際に応力が分散されやすく割れ、欠け等が生じ難いし、スルーホール６内のガラスの係合部５ｃを比較的滑らかに形成することができる。また、この場合も、ガラスのホットプレス加工時に、スルーホール６内へ進入したガラスが搭載基板３の裏面まで比較的到達し難くできる。

また、前記実施形態においては、ガラス封止部５の上面５ａが搭載基板３と平行に形成されたものを示したが、例えば図１５に示すように、ガラス封止部５の上面５ｄが湾曲形成されたものであってもよい。図１５の発光装置１では、ガラス封止部５の上面５ｄが上方へ向かって凸に形成されているが、上方へ向かって凹に形成されていたり、例えばフレネルレンズのように複数の湾曲面が形成されていてもよい。

また、例えば図１６及び図１７に示すように、ＬＥＤ素子２から発せられる光の波長を変換する蛍光体９ａを含有させることもできる。蛍光体９ａとして、例えば、ＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体、珪酸塩蛍光体や、ＹＡＧと珪酸塩蛍光体を所定の割合で混合したもの等を用いることができる。この場合、ＬＥＤ素子２から発せられた青色光の一部はガラス封止部５内の蛍光体９ａにより黄色光に変換され、他部は波長変換されることなくガラス封止部５から外部へ放射される。これにより、ガラス封止部５から放射される光は、黄色領域と青色領域とにピーク波長を有することとなり、この結果、装置外部へは白色光が放射される。また、紫外光を発するＬＥＤ素子と、青色蛍光体、緑色蛍光体、赤色蛍光体の組合せにより白色光を得るようにしてもよい。

図１６の発光装置１では、ＬＥＤ素子２を蛍光体９ａが含有された無機ペースト９で被覆してから、ＬＥＤ素子２をガラス材により封止している。無機ペースト９としては、例えば、ＳｉＯ_２系、Ａｌ_２Ｏ_３系、ＴｉＯ_２系のアルコキシドやゾルゲルガラスを用いることができる。尚、ＬＥＤ素子２の基板としてＧａＮ基板を用いた場合、無機ペースト９をＧａＮよりも屈折率の高いＴｉＯ_２系のアルコキシドとすると、ＬＥＤ素子２からの光取り出し効率を向上させつつ、蛍光体９ａの波長変換を効率良く行うことができる。また、この場合、ＬＥＤ素子２と搭載基板３との間に中空部がなくなることから、ホットプレス時にガラス封止部５と搭載基板３との間に残留気体層がより生じやすくなるが、オープンなスルーホール６を形成したことにより、接合状態を良好に保つことができる。尚、オープンなスルーホール６は、Ａｕバンプ２８のようなスタッドバンプを用いずに、共晶材料、導電性接着剤等を用いてＬＥＤ素子２を実装したり、あるいはＬＥＤ素子２を直接に実装すること等により、ＬＥＤ素子２と搭載基板３との間の中空部の体積が小さくなった際にも有効である。

図１７の発光装置１では、ガラス封止部５のガラス材に蛍光体９ａを分散させている。図１７に示すように、この発光装置１は、ガラス封止部５に分散された拡散粒子９ｂを有している。拡散粒子９ｂとしては、例えばジルコニア粒子、アルミナ粒子、シリカ粒子等を用いることができる。拡散粒子の材質は任意であるが、光の透過性の観点からは白色の材質が好ましく、ガラス加工時の安定性の観点からは融点が加工時の温度より高いことが好ましい。

また、前記実施形態においては、スルーホール６が拡径部６ｂを有するものを示したが、例えば図１８及び図２０に示すように、スルーホール１０６の径が一定であってもよい。図１８の発光装置１０１では、スルーホール１０６は、断面一定のストレート形状に形成されている。これによっても、ホットプレス時に各発光装置１の各ＬＥＤ素子２をカバーする板状のガラス材と搭載基板３との間の気体を外部へ逃がすことができ、ガラス封止部５と搭載基板３との間に残留気体層が生じることを防止して接合状態を良好として強度を向上させることができる。また、減圧雰囲気で封止を行ったり、ガラス材と搭載基板３の間の気体を逃がすための機構等を設ける必要がなく、製造コストの低減を図ることができる。

また、ガラス封止時に、搭載領域上のガラス材の圧力がほぼ一定となるので、搭載基板３の外縁側でのガラス材の圧力を増大させることができ、ガラス材と搭載基板３との接合強度が増大し、ガラス材の搭載基板３からの剥離を抑制することができる。さらに、搭載領域内の各ＬＥＤ素子２に加わる圧力を一定とすることができる。これにより、各ＬＥＤ素子２の封止条件を均一とし、各ＬＥＤ素子２の特性をより均一に近づけることができる。この際、例えば図５に示した上金型９２では、ＬＥＤ素子２が実装されていない封止前ガラス１１の周囲部を先に塞いでいるため、搭載基板３に複数実装されている各ＬＥＤ素子２の間の気体層が残留し易いが、搭載基板３のスルーホール６からこの気体を逃がし、ガラスと搭載基板３との間の気体層をなくし、良好な接合を得ることができる。尚、図５に示した上金型９２以外に、封止前ガラス１１の周囲に枠部材を設ける、搭載基板３の端部側に凸状の段差を設ける等の手段により、ガラス材の流出抑制を行う場合でも同様の効果を得ることができる。

また、発光装置１０１には、図１９に示すＬＥＤ素子１０２が用いられている。ＬＥＤ素子１０２は、前述のＬＥＤ素子２のようなＡｕバンプ２８に代えて、ｐ側パッド電極２６を形成せずに、導電性接着剤１２８をｐ側電極２５の下に充填して回路パターン４と電気的に接続している。導電性接着剤１２８の厚さは、例えば５０μｍ以下である。また、導電性接着剤１２８の面積は、平面視にて、例えば、ＬＥＤ素子１０２の５０％以上である。このように、ＬＥＤ素子１０２と搭載基板３との間の中空部が小さい場合には、ホットプレス時にガラス封止部５と搭載基板３との間に残留気体層がより生じやすくなるが、オープンなスルーホール１０６を形成したことにより、接合状態を良好に保つことができる。尚、導電性接着剤１２８の他に、共晶材料を用いてＬＥＤ素子１０２を実装したり、あるいはＬＥＤ素子１０２を直接に実装してもよい。

例えば、この発光装置１０１は、例えば、搭載基板３をなすグリーンシートにプレス型でスルーホール１０６を形成しておく。そして、回路パターン４に対応する領域にＷペーストを塗布した後にグリーンシートを焼成し、Ｎｉめっきと、Ａｕ、Ａｇ等のめっきを施しセラミックの搭載基板３とする。或いは、スルーホール１０６が形成されたグリーンシートをそのまま焼成した後、Ａｇペーストを塗布して焼成して、回路パターン４が形成された搭載基板３を作製することができる。

また、図２０に示すように、発光装置２０１は、回路パターン４がスルーホール１０６の下側を塞ぐ閉塞パターン４５を有していてもよい。閉塞パターン５４は、例えば、スルーホール１０６を形成した後にＡｇペーストからなる回路パターン４を形成する際に、初回に内面パターン４１及び表面パターン４２を形成し、２回目にスルーホール１０６の径が小さくなったところへ、裏面パターン４３とともに形成することができる。

また、前記実施形態においては、ＬＥＤ素子２としてＧａＮ系半導体材料からなるものを用いた発光装置１を説明したが、ＬＥＤ素子はＧａＮ系のＬＥＤ素子２に限定されず、例えばＺｎＳｅ系やＳｉＣ系のように他の半導体材料からなる発光素子であってもよい。また、ＬＥＤ素子２の発光波長も任意であり、ＬＥＤ素子２は緑色光、黄色光、橙色光、赤色光等を発するものであってもよい。

また、前記実施形態のガラス封止部５は耐候性に優れているものの、装置の使用条件等によって結露が生じた場合には、ガラス封止部５が変質するおそれがある。これに対しては、結露が生じない装置構成とすることが望ましいが、ガラス封止部５の表面にシリコン樹脂コートなどを施すことで、高温状態での結露によるガラスの変質を防止することもできる。さらに、ガラス封止部５の表面に施すコーティング材としては、耐湿だけでなく、耐酸、耐アルカリ性を有するものとして、例えばＳｉＯ_２系、Ａｌ_２Ｏ_３系等のような無機材料が好ましい。

さらに、前記実施形態においては、上金型９２と下金型９１により搭載基板３及びガラス封止部５に圧力を加えるものを示したが、下金型９１を固定部材として上金型９２のみによりガラスの封止加工を行うことも可能である。

また、前記実施形態のガラス封止部５について、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｌｉ_２Ｏ−Ｎａ_２Ｏ−ＺｎＯ−Ｎｂ_２Ｏ_５系のガラスを用いることもできるし、当該ガラスのＺｎＯ組成の一部をＢｉ_２Ｏ_３とし、ガラスの屈折率をさらに高くしてもよい。ガラスの屈折率は、１．８であることが好ましい。そして、屈折率が１．８のガラスを用いる場合、基板の屈折率（ｎｄ）が１．８以上である発光素子を用いることが、発光素子からの光の取り出し効率を向上させて発光効率の向上を図ることができ好ましい。基板の屈折率が１．８以上である発光素子としては、例えば、Ｇａ_２Ｏ_３基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板等の上にＧａＮ系半導体が形成された発光素子がある。また、セットされるガラス材は、バルク状のものに限らず、粉体を固めたもの等であってもよい。ガラス材は、加熱されて高粘度状態となってしまえば、加工前の状態による差異は見られなくなる。

また、前記実施形態においては、搭載基板３がアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）からなるものを示したが、アルミナ以外のセラミックから構成するようにしてもよい。ここで、アルミナより熱伝導性に優れる高熱伝導性材料からなるセラミック基板として、例えば、ＢｅＯ（熱膨張率α：７．６×１０^−６／℃、熱伝導率：２５０Ｗ／（ｍ・ｋ））を用いても良い。このＢｅＯからなる基板においても封止前ガラスにより良好な封止性を得ることができる。

さらに、他の高熱伝導性基板として、例えばＷ−Ｃｕ基板を用いても良い。Ｗ−Ｃｕ基板としては、Ｗ９０−Ｃｕ１０基板（熱膨張率α：６．５×１０^−６／℃、熱伝導率：１８０Ｗ／（ｍ・ｋ））、Ｗ８５−Ｃｕ１５基板（熱膨張率α：７．２×１０^−６／℃、熱伝導率：１９０Ｗ／（ｍ・ｋ））を用いることにより、ガラス封止部との良好な接合強度を確保しながら高い熱伝導性を付与することができ、ＬＥＤの大光量化、高出力化に余裕をもって対応することが可能になる。

また、前記実施形態においては、発光素子としてＬＥＤ素子を用いた発光装置を説明したが、発光素子はＬＥＤ素子に限定されるものではない。さらに、下金型９１は必ずしも必要ではなく、金型を上金型９２のみとしてもよいし、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。

１発光装置
２ＬＥＤ素子
３搭載基板
３ａ第１層
３ｂ第２層
４回路パターン
５ガラス封止部
５ａ上面
５ｂ側面
５ｃ係合部
６スルーホール
６ａ縮径部
６ｂ拡径部
７実装基板
８はんだ
９無機ペースト
９ａ蛍光体
９ｂ拡散粒子
１１封止前ガラス
１１ａ凹部
１２中間体
１６スルーホール
１６ａ小径部
１６ｂ大径部
１６ｃ境界部
２０成長基板
２１バッファ層
２２ｎ型層
２３ＭＱＷ層
２４ｐ型層
２５ｐ側電極
２６ｐ側パッド電極
２７ｎ側電極
２７ａＡｌ層
２７ｂＮｉ層
２７ｃＡｕ層
２８Ａｕバンプ
４１内面パターン
４２表面パターン
４３裏面パターン
４４搭載部
４５閉塞パターン
７１ベース部
７２絶縁層
７３回路パターン
９１下金型
９２上金型
９２ａ平坦面
９２ｂ流出抑制部
１００光源装置
１０１発光装置
１０６スルーホール
２０１発光装置

Claims

搭載基板の表面上の発光素子がガラスにより封止された発光装置の製造方法であって、
前記搭載基板の表面と裏面を連通するスルーホールを前記発光装置に形成するホール形成工程と、
前記搭載基板における前記スルーホールの内面と、前記搭載基板の表面における前記スルーホールの端部から前記発光素子の搭載部までと、前記搭載基板の裏面における前記スルーホールの周囲と、に連続的に回路パターンを形成するパターン形成工程と、
前記搭載基板の前記搭載部に前記発光素子を搭載する搭載工程と、
加熱により軟化した前記ガラスを前記搭載基板の表面上に配置し、プレス動作により前記ガラスを前記搭載基板の表面に接合して前記発光素子を封止しつつ、前記ガラスを前記発光装置に形成された前記スルーホールに進入させるホットプレス工程と、を含み、
前記ホットプレス工程は、前記ガラスと接触する接触面の外縁側に形成され、先端が前記搭載基板と接触しない流出抑制部を有した金型によって実行される前記プレス動作を含み、前記流出抑制部は、封止前の前記ガラスの外側への流出を抑制する発光装置の製造方法。
前記ホール形成工程にて形成される前記発光装置に形成された前記スルーホールは、裏面側へ向かって径が拡がる拡径部を有し、
前記ホットプレス工程にて、前記ガラスを前記発光装置に形成された前記スルーホールの前記拡径部まで進入させる請求項１に記載の発光装置の製造方法。
前記ホットプレス工程にて、前記ガラスは前記発光装置に形成された前記スルーホールの裏面側端部まで到達しない請求項２に記載の発光装置の製造方法。
前記搭載部を複数の搭載部とし、前記複数の搭載部によって前記発光装置を複数の発光装置とし、前記スルーホールを各発光装置に形成し、前記ホットプレス工程にて軟化した前記ガラスが硬化した後、前記ガラス及び前記搭載基板を分割して前記複数の発光装置にする分割工程を含む請求項３に記載の発光装置の製造方法。
搭載基板の表面上の発光素子がガラスにより封止された発光装置であって、
前記搭載基板の表面と裏面を連通するスルーホールと、
前記搭載基板における前記スルーホールの内面と、前記搭載基板の表面における前記スルーホールの端部から前記発光素子の搭載部までと、前記搭載基板の裏面における前記スルーホールの周囲と、に連続的に形成された回路パターンと、
前記搭載基板の表面上にて前記発光素子を封止し、前記スルーホールに進入しているガラス封止部と、を備え、
前記スルーホールは、裏面側へ向かって径が拡がる拡径部を有し、
前記ガラス封止部は、前記スルーホールの前記拡径部まで進入しているとともに前記搭載基板の裏面における前記スルーホールの端部にまで到達していないことにより、前記スルーホールの端部から内部にかけて、はんだを受容するスペースを提供する係合部を有する発光装置。
請求項５に記載の発光装置を実装基板に実装するにあたり、
前記発光装置の前記搭載基板の裏面における前記スルーホールの周囲に形成されている前記回路パターンと、前記実装基板の回路パターンと、をはんだを介して又は直接的に接合する発光装置の実装方法。
請求項５に記載の発光装置と、
前記発光装置が実装される実装基板と、
前記発光装置の前記搭載基板の裏面における前記スルーホールの周囲に形成されている前記回路パターンと、前記実装基板の回路パターンとの間に介在し、前記スルーホールに侵入した侵入部を有するはんだと、を備えた光源装置。