JP5672764B2 - Wiring circuit laminate, suspension substrate using the same, and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、配線回路用積層体に関し、より詳しくは、短絡および錆の発生を防止できる配線回路用積層体に関する。 The present invention relates to a laminate for a wiring circuit, and more particularly to a laminate for a wiring circuit that can prevent occurrence of short circuit and rust.
従来、サスペンション用基板等において配線を形成するのに配線回路用積層体が用いられてきた。配線回路用積層体は、三層材とも呼ばれ、一般的には、金属支持層、絶縁層および銅箔層がこの順番で積層されたものである。サスペンション用基板等を製造するときには、通常、配線回路用積層体における銅箔層をパターニングすることにより、サスペンション用基板等における配線を形成する。 Conventionally, a wiring circuit laminate has been used to form wiring on a suspension substrate or the like. The laminate for a wiring circuit is also referred to as a three-layer material, and is generally a metal support layer, an insulating layer, and a copper foil layer that are laminated in this order. When manufacturing a suspension substrate or the like, usually, the wiring on the suspension substrate or the like is formed by patterning the copper foil layer in the wiring circuit laminate.
そして、このような配線回路用積層体に関して、加工性、形成される配線の引き剥がし強さ、および防錆性の向上等を図るために、様々な技術が提案されてきた。例えば、配線回路用積層体における銅箔層のエッチング特性の改善を図るとともに、銅箔層と絶縁層との密着性を高めることにより、微細な配線パターンの形成を実現できる配線回路用積層体が提案されている(特許文献1)。また、配線回路用積層体における銅箔層の表面に被覆層を形成することにより、その銅箔層が錆びることを防止できる配線回路用積層体が提案されている(特許文献2および3)。さらに、配線回路用積層体における金属支持層に剛性の高い金属を用いることにより、配線回路用積層体の加工時における変形を防止する技術等が提案されている(特許文献4および5)。
Various techniques have been proposed for improving the workability, the peeling strength of the formed wiring, the rust prevention property, and the like with respect to such a laminate for a wiring circuit. For example, a wiring circuit laminate capable of realizing the formation of a fine wiring pattern by improving the etching characteristics of the copper foil layer in the wiring circuit laminate and enhancing the adhesion between the copper foil layer and the insulating layer. It has been proposed (Patent Document 1). Moreover, the laminated body for wiring circuits which can prevent that the copper foil layer rusts by forming a coating layer in the surface of the copper foil layer in the laminated body for wired circuits is proposed (
しかしながら、上述したような従来の技術においては、配線回路用積層体における銅箔層の錆を防止するためのメッキ等を施した場合、銅箔層を高精細にパターニングして配線とした際に短絡が発生してしまうといった問題があった。 However, in the conventional technology as described above, when plating or the like is performed to prevent rust of the copper foil layer in the laminated body for the wiring circuit, when the copper foil layer is patterned with high definition to form a wiring There was a problem that a short circuit would occur.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、銅箔層の錆を防止するとともに、銅箔層を高精細にパターニングして配線とした際に短絡が発生するのを防止することができる配線回路用積層体を、提供することを主目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and prevents rust of the copper foil layer and prevents short circuit from occurring when the copper foil layer is patterned with high definition to form a wiring. A main object of the present invention is to provide a laminate for a wiring circuit that can be used.
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持層と、上記金属支持層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された銅箔層と、を有する配線回路用積層体であって、上記銅箔層が、メッキ銅から構成された導体層と、上記導体層上に形成され、ZnおよびCrを含有する防錆層と、を有し、上記銅箔層において、上記防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が、1.7at%〜19.8at%であることを特徴とする配線回路用積層体を提供する。 In order to solve the above-mentioned problems, in the present invention, a laminated layer for a wiring circuit having a metal support layer, an insulating layer formed on the metal support layer, and a copper foil layer formed on the insulating layer. The copper foil layer has a conductor layer composed of plated copper, and a rust preventive layer formed on the conductor layer and containing Zn and Cr. In the copper foil layer, The larger of the Zn content and the Cr content in the region where the depth from the upper surface of the rust prevention layer is 2 nm to 8 nm (SiO 2 conversion) is 1.7 at% to 19.8 at%. A laminated body for a wiring circuit characterized by the above.
本発明によれば、銅箔層の錆を防止することができ、かつ銅箔層のエッチング特性を改善することにより、銅箔層を高精細にパターニングして配線とした際に短絡が発生することを防止することができる。 According to the present invention, the copper foil layer can be prevented from rusting, and the etching characteristics of the copper foil layer can be improved, so that a short circuit occurs when the copper foil layer is patterned with high definition to form a wiring. This can be prevented.
上記発明においては、上記防錆層がNiを含有し、上記銅箔層において、上記防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるNiの含有量が10at%以下であることが好ましい。銅箔層において、導体層から防錆層にCuが拡散することを防止でき、これにより、銅箔層の錆を防止する効果を維持することができ、かつ銅箔層の改善されたエッチング特性を維持することができるからである。 In the said invention, the said rust prevention layer contains Ni, and content of Ni in the area | region whose depth from the upper surface of the said rust prevention layer is 2 nm-8 nm (SiO2 conversion) is 10 at% in the said copper foil layer. The following is preferable. In the copper foil layer, Cu can be prevented from diffusing from the conductor layer to the rust preventive layer, thereby maintaining the effect of preventing the rust of the copper foil layer and improved etching characteristics of the copper foil layer It is because it can maintain.
また、本発明においては、金属支持層と、上記金属支持層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層が、メッキ銅から構成された導体層と、上記導体層上に形成され、ZnおよびCrを含有する防錆層と、を有し、上記配線層において、上記防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が、1.7at%〜19.8at%であることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。 Further, in the present invention, there is provided a suspension substrate having a metal support layer, an insulating layer formed on the metal support layer, and a wiring layer formed on the insulating layer, wherein the wiring layer includes: A conductive layer made of plated copper, and a rust preventive layer formed on the conductor layer and containing Zn and Cr. In the wiring layer, the depth from the upper surface of the rust preventive layer is A suspension substrate is provided in which the larger of the Zn content and the Cr content in a region of 2 nm to 8 nm (in terms of SiO 2 ) is 1.7 at% to 19.8 at%.
本発明によれば、配線層の錆を防止することができ、かつ高精細にパターニングされた配線層において短絡が発生することを防止することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent rust of the wiring layer and to prevent occurrence of a short circuit in the wiring layer patterned with high definition.
上記発明においては、上記防錆層がNiを含有し、上記配線層において、上記防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるNiの含有量が10at%以下であることが好ましい。配線層において、導体層から防錆層にCuが拡散するのを防止でき、これにより、銅箔層の錆を防止する効果を維持することができ、かつ銅箔層の改善されたエッチング特性を維持することができるからである。 In the said invention, the said rust prevention layer contains Ni, and the content of Ni in the area | region whose depth from the upper surface of the said rust prevention layer is 2 nm-8 nm (SiO2 conversion) in the said wiring layer is 10 at% or less It is preferable that In the wiring layer, Cu can be prevented from diffusing from the conductor layer to the rust preventive layer, thereby maintaining the effect of preventing the rust of the copper foil layer, and improved etching characteristics of the copper foil layer. This is because it can be maintained.
また、本発明においては、上記配線回路用積層体を、準備する準備工程と、上記配線回路用積層体の銅箔層をエッチングすることにより、配線パターンを形成するパターン形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。 Moreover, in this invention, it has the preparatory process which prepares the said laminated body for wiring circuits, and the pattern formation process which forms a wiring pattern by etching the copper foil layer of the said laminated body for wired circuits. A method for manufacturing a suspension substrate is provided.
本発明によれば、錆を防止することができ、かつ短絡が発生することを防止することができるサスペンション用基板を製造することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the board | substrate for suspensions which can prevent rust and can prevent that a short circuit generate | occur | produces can be manufactured.
また、本発明においては、上記サスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンションを提供する。 The present invention also provides a suspension including the suspension substrate.
本発明によれば、サスペンションにおける配線層の錆を防止することができ、かつ高精細にパターニングされたサスペンションにおける配線層において短絡が発生することを防止することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent rust of the wiring layer in the suspension and to prevent occurrence of a short circuit in the wiring layer in the suspension patterned with high definition.
また、本発明においては、上記サスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。 The present invention also provides an element-equipped suspension comprising the suspension and an element mounted in an element mounting region of the suspension.
本発明によれば、素子付サスペンションにおける配線層の錆を防止することができ、かつ高精細にパターニングされた素子付サスペンションにおける配線層において短絡が発生することを防止することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the rust of the wiring layer in a suspension with an element can be prevented, and it can prevent that a short circuit generate | occur | produces in the wiring layer in the suspension with an element patterned in high definition.
また、本発明においては、上記素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。 The present invention also provides a hard disk drive including the above-described suspension with an element.
本発明によれば、ハードディスクドライブにおける配線層の錆を防止することができ、かつ高精細にパターニングされたハードディスクドライブにおける配線層において短絡が発生することを防止することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the rust of the wiring layer in a hard disk drive can be prevented, and it can prevent that a short circuit generate | occur | produces in the wiring layer in the hard disk drive patterned in high definition.
本発明においては、銅箔層の錆を防止することができ、かつ銅箔層を高精細にパターニングして配線とした際に短絡が発生することを防止することができるという効果を奏する。 In this invention, there exists an effect that a rust of a copper foil layer can be prevented and it can prevent that a short circuit generate | occur | produces when a copper foil layer is patterned with high definition and used as wiring.
以下、本発明の配線回路用積層体、それを用いたサスペンション用基板、およびその製造方法について詳細に説明する。 Hereinafter, the laminated body for wiring circuits of the present invention, the suspension substrate using the same, and the manufacturing method thereof will be described in detail.
A.配線回路用積層体
まず、本発明の配線回路用積層体について説明する。本発明の配線回路用積層体は、金属支持層と、上記金属支持層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された銅箔層と、を有する配線回路用積層体であって、上記銅箔層が、メッキ銅から構成された導体層と、上記導体層上に形成され、ZnおよびCrを含有する防錆層と、を有し、上記銅箔層において、上記防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が、1.7at%〜19.8at%であることを特徴とするものである。ここで、SiO2換算の深さとは、上記防錆層の上面からの深さを、上記銅箔層がSiO2から構成される場合に換算した深さのことである(以下、本明細書において同じ。)。
A. Wiring circuit laminate First, the wiring circuit laminate of the present invention will be described. The laminate for a printed circuit according to the present invention is a laminate for a printed circuit having a metal support layer, an insulating layer formed on the metal support layer, and a copper foil layer formed on the insulating layer. The copper foil layer has a conductor layer made of plated copper, and a rust prevention layer formed on the conductor layer and containing Zn and Cr. In the copper foil layer, the rust prevention The larger one of the Zn content and the Cr content in a region having a depth from the upper surface of the layer of 2 nm to 8 nm (in terms of SiO 2 ) is 1.7 at% to 19.8 at%. To do. Here, the depth in terms of SiO 2 is the depth converted from the upper surface of the anticorrosive layer when the copper foil layer is made of SiO 2 (hereinafter referred to as the present specification). The same).
本発明によれば、配線回路用積層体における銅箔層が防錆層を有し、上記銅箔層において、上記防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量が上述のように調整されていることから、上記銅箔層の錆を防止することができ、かつ上記銅箔層のエッチング特性を改善することにより、上記銅箔層を高精細にパターニングして配線とした際に短絡が発生するのを防止することができる。 According to this invention, the copper foil layer in the laminated body for wiring circuits has a rust prevention layer, In the said copper foil layer, the depth from the upper surface of the said rust prevention layer is 2 nm-8 nm (SiO2 conversion) area | region. Since the content of Zn and the content of Cr are adjusted as described above, rust of the copper foil layer can be prevented, and the etching characteristics of the copper foil layer can be improved. It is possible to prevent a short circuit from occurring when the copper foil layer is patterned with high definition to form a wiring.
図1は、本発明の配線回路用積層体の一例を示す概略平面図である。図1に示される配線回路用積層体10は、金属支持層11と、金属支持層11上に形成された絶縁層12と、絶縁層12上に形成された銅箔層13と、を有する。そして、銅箔層13は、メッキ銅から構成された導体層14と、導体層14上に形成され、ZnおよびCrを含有する防錆層15と、を有する。さらに、銅箔層13において、防錆層の上面15cからの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が、1.7at%〜19.8at%である。なお、「at%」とは、原子%のことであり、当該領域の全原子の個数に対するこれらの原子のそれぞれの個数の割合を表す。
以下、本発明の配線回路用積層体を、詳細に説明する。
FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a laminated body for a wiring circuit according to the present invention. A
Hereinafter, the laminated body for wiring circuits of this invention is demonstrated in detail.
1.銅箔層
本発明における銅箔層は、メッキ銅から構成された導体層と、導体層上に形成され、ZnおよびCrを含有する防錆層と、を有する。そして、本発明における銅箔層において、防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が、1.7at%〜19.8at%である。
以下、本発明における銅箔層について、詳細に説明する。
1. Copper foil layer The copper foil layer in this invention has the conductor layer comprised from the plated copper, and the rust prevention layer formed on a conductor layer and containing Zn and Cr. And in the copper foil layer in this invention, the larger one of Zn content and Cr content in the area | region whose depth from the upper surface of a rust prevention layer is 2 nm-8 nm (SiO2 conversion) is 1.7 at. % To 19.8 at%.
Hereinafter, the copper foil layer in the present invention will be described in detail.
(1)導体層
本発明における導体層は絶縁層上に形成され、銅(Cu)から構成される層である。また、導体層の厚さは、5μm〜20μmの範囲内、中でも9μm〜12μmの範囲内であることが好ましい。導体層の厚さが小さすぎると、抵抗が増大し電気特性上不利となり、導体層の厚さが大きすぎると、配線加工精度が確保できないからである。
(1) Conductor layer The conductor layer in this invention is a layer formed on an insulating layer and comprised from copper (Cu). Moreover, it is preferable that the thickness of a conductor layer exists in the range of 5 micrometers-20 micrometers, especially in the range of 9 micrometers-12 micrometers. This is because if the thickness of the conductor layer is too small, the resistance increases, which is disadvantageous in terms of electrical characteristics, and if the thickness of the conductor layer is too large, the wiring processing accuracy cannot be ensured.
(2)防錆層
本発明における防錆層は導体層上に形成された層であり、特に限定されるものではないが、例えば、導体層上にNiめっき層を形成した後にZnおよびCrをメッキすることにより形成された層である。そして、防錆層が導体層上に形成されている場合、銅箔層において、防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が、1.7at%〜19.8at%である。この点については、例えば、X線光電子分光法(XPS/ESCA)によって確認することができる。
(2) Rust prevention layer The rust prevention layer in the present invention is a layer formed on the conductor layer and is not particularly limited. For example, after forming a Ni plating layer on the conductor layer, Zn and Cr are added. It is a layer formed by plating. And when the antirust layer is formed on the conductor layer, in the copper foil layer, the Zn content and the Cr content in the region having a depth from the top surface of the antirust layer of 2 nm to 8 nm (in terms of SiO 2 ) The larger of the amounts is 1.7 at% to 19.8 at%. This can be confirmed by, for example, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS / ESCA).
本発明においては、上述したように、防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が、1.7at%以上のものが用いられる。このような範囲とすることにより、銅箔層の錆を防止することができる。これは、防錆層が含有するZnおよびCrが導体層を構成するCuよりも酸化し易いため、防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が上記範囲内である場合、先に防錆層に形成された酸化膜により、導体層の酸化が防止されるからである。 In the present invention, as described above, the larger of the Zn content and the Cr content in the region where the depth from the upper surface of the rust prevention layer is 2 nm to 8 nm (in terms of SiO 2 ) is 1.7 at. % Or more is used. By setting it as such a range, the rust of a copper foil layer can be prevented. This is because Zn and Cr contained in the rust preventive layer are more easily oxidized than Cu constituting the conductor layer, so that the depth of the rust preventive layer from the top surface is 2 nm to 8 nm (in terms of SiO 2 ). This is because, when the larger of the amount and the Cr content is within the above range, the conductor layer is prevented from being oxidized by the oxide film previously formed on the rust prevention layer.
また、本発明においては、上述したように、防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が19.8at%以下である防錆層が用いられ、中でも、16.0at%以下であることが好ましい。このような範囲とすることにより、銅箔層のエッチング特性が効果的に改善され、高精細な配線パターンを形成する場合であっても、短絡が発生するのを効果的に防止できるからである。 In the present invention, as described above, the larger one of the Zn content and the Cr content in the region having a depth from the top surface of the anticorrosive layer of 2 nm to 8 nm (in terms of SiO 2 ) is 19. A rust preventive layer of 8 at% or less is used, and among them, 16.0 at% or less is preferable. By setting it as such a range, the etching characteristics of the copper foil layer are effectively improved, and even when a high-definition wiring pattern is formed, the occurrence of a short circuit can be effectively prevented. .
ここで、本発明の配線回路用積層体から形成される高精細な配線としては、従来の配線回路用積層体では短絡が発生してしまう程度の高精細なものであることが本発明の利点を効果的に発揮できる点で好ましい。具体的には、L/S(ラインアンドスペース)が、12μm〜30μmの範囲内、中でも12μm〜20μmの範囲内、特に12μm〜15μmの範囲内であるものが好ましい。このようなL/S(ラインアンドスペース)を有する配線をエッチング特性が劣る従来の配線回路用積層体から形成した場合には短絡が発生し易くなる。このため、このようなL/S(ラインアンドスペース)を有する配線を本発明の配線回路用積層体から形成する場合、短絡が発生するのを効果的に防止できるからである。 The advantage of the present invention is that the high-definition wiring formed from the wiring circuit laminate of the present invention has a high-definition that can cause a short circuit in the conventional wiring circuit laminate. Is preferable in that it can be effectively exhibited. Specifically, it is preferable that L / S (line and space) is in the range of 12 μm to 30 μm, especially in the range of 12 μm to 20 μm, particularly in the range of 12 μm to 15 μm. When a wiring having such L / S (line and space) is formed from a conventional laminate for a wiring circuit having poor etching characteristics, a short circuit is likely to occur. For this reason, it is because it can prevent effectively that a short circuit generate | occur | produces, when forming the wiring which has such L / S (line and space) from the laminated body for wiring circuits of this invention.
本発明の配線回路用積層体においては、防錆層がNiをさらに含有し、防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるNiの含有量が10at%以下であることが好ましい。銅箔層において、導体層から防錆層にCuが拡散することを防止でき、銅箔層において、防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方を、1.7at%〜19.8at%の範囲に維持することができる。これにより、銅箔層の錆を防止する効果を維持することができ、かつ銅箔層の改善されたエッチング特性を維持することができる。さらに、防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるNiの含有量が10at%以下である場合において、防錆層の上面からの深さが0nm〜2.2nm(SiO2換算)の領域におけるNiO2の分子の個数が当該領域における単体として存在するNi原子の個数よりも多いことがさらに好ましい。銅箔層において、導体層から防錆層にCuが拡散することを効果的に防止できるからである。 In the laminated body for a wiring circuit of the present invention, the rust prevention layer further contains Ni, and the Ni content in the region having a depth from the top surface of the rust prevention layer of 2 nm to 8 nm (SiO 2 conversion) is 10 at% or less. It is preferable that In the copper foil layer, Cu can be prevented from diffusing from the conductor layer to the rust prevention layer. In the copper foil layer, the inclusion of Zn in the region having a depth from the top surface of the rust prevention layer of 2 nm to 8 nm (SiO 2 conversion) The larger of the amount and the Cr content can be maintained in the range of 1.7 at% to 19.8 at%. Thereby, the effect which prevents the rust of a copper foil layer can be maintained, and the etching characteristic for which the copper foil layer was improved can be maintained. Furthermore, when the Ni content in the region where the depth from the top surface of the rust prevention layer is 2 nm to 8 nm (in terms of SiO 2 ) is 10 at% or less, the depth from the top surface of the rust prevention layer is 0 nm to 2. More preferably, the number of NiO 2 molecules in the region of 2 nm (in terms of SiO 2 ) is larger than the number of Ni atoms existing as a simple substance in the region. This is because Cu can be effectively prevented from diffusing from the conductor layer to the antirust layer in the copper foil layer.
このように導体層から防錆層にCuが拡散することを防止できるのは、クロムに比べてニッケルは、拡散速度が遅いためであると推定される。 The reason why Cu can be prevented from diffusing from the conductor layer to the rust-proof layer in this way is presumed to be because nickel has a slower diffusion rate than chromium.
本発明において、防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるNiの含有量としては、上述したように10at%以下であることが好ましいが、中でも0.1at%〜10at%の範囲内、特に0.1at%〜5at%の範囲内であることが好ましい。防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるNiの含有量が上記範囲より大きい場合には、銅箔層のエッチング特性が低下する可能性があり、当該領域におけるNiの含有量が上記範囲未満である場合には、導体層から防錆層にCuが拡散することを十分に防止できない可能性があるからである。 In the present invention, the Ni content in the region having a depth from the top surface of the anticorrosive layer of 2 nm to 8 nm (in terms of SiO 2 ) is preferably 10 at% or less as described above. % To 10 at%, particularly 0.1 to 5 at% is preferable. When the Ni content in the region having a depth from the top surface of the rust-preventing layer of 2 nm to 8 nm (in terms of SiO2) is larger than the above range, the etching characteristics of the copper foil layer may be deteriorated. This is because if the Ni content is less than the above range, Cu may not be sufficiently prevented from diffusing from the conductor layer to the rust prevention layer.
本発明において、防錆層の上面からの深さが0nm〜2.2nm(SiO2換算)の領域におけるNiO2の分子の個数が当該領域における単体として存在するNi原子の個数よりも多いことが好ましい。具体的には、上記NiO2の分子の個数に対する上記Ni原子の個数の比率が、中でも、8/10以下であることが好ましく、特に、2/10以下であることが好ましい。上記NiO2の分子の個数および上記Ni原子の個数がこのような条件を満たす場合には、導体層から防錆層にCuが拡散することを十分に防止できるからである。 In the present invention, the number of NiO 2 molecules in a region having a depth from the top surface of the rust-preventing layer of 0 nm to 2.2 nm (in terms of SiO 2 ) is larger than the number of Ni atoms present as a simple substance in the region. preferable. Specifically, the ratio of the number of Ni atoms to the number of molecules of NiO 2 is preferably 8/10 or less, and particularly preferably 2/10 or less. This is because when the number of NiO 2 molecules and the number of Ni atoms satisfy such conditions, it is possible to sufficiently prevent Cu from diffusing from the conductor layer to the rust prevention layer.
なお、銅箔層において、防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるNiの含有量や、防錆層の上面からの深さが0nm〜2.2nm(SiO2換算)の領域におけるNiO2の存在比が当該領域における単体として存在するNiよりも大きいことは、例えば、X線光電子分光法(XPS/ESCA)によって確認することができる。 In addition, in copper foil layer, the depth from the upper surface of a rust prevention layer in the area | region whose depth from the upper surface of a rust prevention layer is 2 nm-8 nm (SiO2 conversion), and the depth from the upper surface of a rust prevention layer ( It can be confirmed, for example, by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS / ESCA) that the abundance ratio of NiO 2 in the region (in terms of SiO 2 ) is larger than Ni existing as a simple substance in the region.
さらに、銅箔層において、防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるNiの含有量が上記範囲である場合、当該領域におけるCuの含有量を23at%以下とすることができる。これにより、銅箔層の錆を防止することができる。なお、当該領域におけるCuの含有量が23at%以下であることは、例えば、X線光電子分光法(XPS/ESCA)によって確認できる。 Furthermore, in the copper foil layer, when the Ni content in the region having a depth from the top surface of the rust-preventing layer of 2 nm to 8 nm (in terms of SiO 2 ) is within the above range, the Cu content in the region is 23 at% or less. It can be. Thereby, the rust of a copper foil layer can be prevented. In addition, it can confirm by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS / ESCA) that content of Cu in the said area | region is 23 at% or less, for example.
2.金属支持層
本発明における金属支持層を構成する材料としては、所望の導電性およびばね性を有することが好ましく、例えば、SUS(ステンレススティール)等が挙げることができる。また、金属支持層の厚さは、例えば、その材料により異なるものであるが、例えば10μm〜20μmの範囲内である。
2. Metal Support Layer The material constituting the metal support layer in the present invention preferably has desired conductivity and spring property, and examples thereof include SUS (stainless steel). Moreover, although the thickness of a metal support layer changes with materials, for example, it exists in the range of 10 micrometers-20 micrometers, for example.
3.絶縁層
本発明における絶縁層は金属支持層上に形成される層である。絶縁層を構成する材料としては、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、ポリイミド樹脂(PI)等を挙げることができる。また、絶縁層は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。また、絶縁層の厚さは、例えば、5μm〜10μmの範囲内である。
3. Insulating layer The insulating layer in this invention is a layer formed on a metal support layer. The material constituting the insulating layer is not particularly limited as long as it has a desired insulating property, and examples thereof include polyimide resin (PI). The insulating layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The insulating layer has a thickness in the range of 5 μm to 10 μm, for example.
4.配線回路用積層体の製造方法
次に、本発明の配線回路用積層体の製造方法について説明する。本発明の配線回路用積層体の製造方法は、上述した配線回路用積層体を、得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。以下、本発明の配線回路用積層体の製造方法の一例として、図2を用いて配線回路用積層体の製造方法を説明する。
4). Next, the manufacturing method of the laminated body for wiring circuits of this invention is demonstrated. The manufacturing method of the laminated body for wiring circuits of this invention will not be specifically limited if it is a method which can obtain the laminated body for wiring circuits mentioned above. Hereinafter, as an example of the method for manufacturing a multilayer body for a wiring circuit of the present invention, a method for manufacturing the multilayer body for a wiring circuit will be described with reference to FIG.
まず、ステンレススティールを材料として金属支持層21を形成する。次に、金属支持層21上にポリイミド(PI)を塗工する。次に、塗工したポリイミド(PI)を乾燥し、熱処理し、非活性熱処理し、さらにプラズマ処理することにより、絶縁層22を形成する。そして、スパッタリングにより、Ni、Cr、およびSnから構成される合金層23を形成した後、Cuをメッキすることにより、合金層23上に導体層24を形成する。
First, the
次に、Niをメッキすることにより、防錆層の下側を構成することになるNiメッキ層25を導体層24上に形成する。このときには、電流値を最適化することにより、上述したように、Zn/Crメッキ層の上面26cからのSiO2換算の深さが2nm〜8nmの領域におけるNiの含有量を調整する。次に、ZnおよびCrをメッキすることにより、Zn/Crメッキ層26をNiメッキ層25上に形成する。このときには、電流値を最適化することにより、「A.配線回路用積層体」の項目で説明したように、Zn/Crメッキ層の上面26cからのSiO2換算の深さが2nm〜8nmの領域におけるZnの含有量およびCrの含有量を調整する。
Next, the
次に、アニールを行い、スリット・シートカットを行うことによって、導体層24、Niメッキ層25およびZn/Crメッキ層26から上述した銅箔層を形成する。以上により、本発明の配線回路用積層体を製造する。
Next, the copper foil layer described above is formed from the
なお、防錆層がNiを含有しない配線回路用積層体を製造する方法は、Niメッキ層25を導体層24上に形成することなくZn/Crメッキ層26を導体層24上に形成することを除いて、上記配線回路用積層体の製造方法と同一の方法となる。
In addition, the method of manufacturing the laminated body for wiring circuits whose rust prevention layer does not contain Ni forms the Zn /
B.サスペンション用基板
次に、本発明のサスペンション用基板について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持層と、上記金属支持層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するものであって、上記配線層が、メッキ銅から構成された導体層と、上記導体層上に形成され、ZnおよびCrを含有する防錆層と、を有し、上記配線層において、上記防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が、1.7at%〜19.8at%であることを特徴とするものである。
B. Next, the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate according to the present invention includes a metal support layer, an insulating layer formed on the metal support layer, and a wiring layer formed on the insulating layer, and the wiring layer includes: A conductor layer made of plated copper; and a rust prevention layer formed on the conductor layer and containing Zn and Cr. In the wiring layer, the depth from the top surface of the rust prevention layer is 2 nm. The larger one of the Zn content and the Cr content in the region of ˜8 nm (in terms of SiO 2 ) is 1.7 at% to 19.8 at%.
本発明によれば、サスペンション用基板における配線層が防錆層を有し、上記配線層において、上記防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量が上述のように調整されていることから、上記配線層の錆を防止することができ、かつ短絡のない配線層とすることができる。 According to the present invention, the wiring layer in the suspension substrate has a rust prevention layer, and in the wiring layer, the inclusion of Zn in the region having a depth from the top surface of the rust prevention layer of 2 nm to 8 nm (SiO 2 conversion). Since the amount and the Cr content are adjusted as described above, rusting of the wiring layer can be prevented and a wiring layer without a short circuit can be obtained.
図3は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。なお、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図3に示されるサスペンション用基板30は、ヘッド部側に形成され、素子を実装する素子実装領域31と、テール部側に形成され、外部回路基板との接続を行う外部回路基板接続領域32と、素子実装領域31および外部回路基板接続領域32の間を電気的に接続する配線33(33a〜33d)と、を有するものである。なお、配線33aおよび33b、並びに、配線33cおよび33dはそれぞれ配線対を形成し、一方が記録用であり、他方が再生用である。
FIG. 3 is a schematic plan view showing an example of the suspension substrate of the present invention. For convenience, the description of the insulating layer and the cover layer is omitted. The
図4は、図3のA−A断面であり、本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略断面図である。図4に示されるサスペンション用基板40は、金属支持層41と、金属支持層41上に形成された絶縁層42と、絶縁層42上に形成された配線層43と、を有する。配線層43は、メッキ銅から構成された導体層44と、導体層44上に形成され、ZnおよびCrを含有する防錆層45と、を有する。さらに、配線層43において、防錆層の上面45cからの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が、1.7at%〜19.8at%である。
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 3, and is a schematic cross-sectional view showing an example of the suspension substrate of the present invention. The
本発明に用いられる配線層は、メッキ銅から構成された導体層と、前記導体層上に形成され、ZnおよびCrを含有する防錆層と、を有する。これらの導体層および防錆層は、「A.配線回路用積層体」の項目で説明したものと同一であるため、これらについての説明は省略する。本発明に用いられる配線層によって構成される配線は、特に限定されないが、高精細であることが好ましく、具体的には、「A.配線回路用積層体」の項目で説明した高精細な配線であることが好ましい。 The wiring layer used in the present invention has a conductor layer made of plated copper and a rust prevention layer formed on the conductor layer and containing Zn and Cr. Since these conductor layers and rust preventive layers are the same as those described in the item “A. Laminate for wiring circuit”, description thereof will be omitted. The wiring constituted by the wiring layer used in the present invention is not particularly limited, but is preferably high-definition, specifically, the high-definition wiring described in the item “A. Laminate for wiring circuit”. It is preferable that
本発明に用いられる金属支持層および絶縁層は、「A.配線回路用積層体」の項目で説明したものと同一であるため、これらについての説明は省略する。さらに、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、特に限定されるものではないが、後述する「C.サスペンション用基板の製造方法」を用いることができる。 Since the metal support layer and the insulating layer used in the present invention are the same as those described in the item “A. Laminate for wiring circuit”, description thereof will be omitted. Furthermore, the manufacturing method of the suspension substrate of the present invention is not particularly limited, but “C. Suspension substrate manufacturing method” described later can be used.
C.サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、「A.配線回路用積層体」の項目で説明した配線回路用積層体を、準備する準備工程と、上記配線回路用積層体における銅箔層をエッチングすることにより、配線パターンを形成するパターン形成工程と、を有することを特徴とするものである。
C. Next, a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. The suspension board manufacturing method of the present invention includes a preparation step of preparing the wiring circuit laminate described in the section “A. Wiring circuit laminate”, and etching the copper foil layer in the wiring circuit laminate. And a pattern forming step for forming a wiring pattern.
本発明によれば、「A.配線回路用積層体」の項目で説明した配線回路積層体における銅箔層をエッチングすることにより、サスペンション用基板における配線パターンを形成するため、配線パターンの錆を防止するとともに、配線パターンにおいて短絡が発生するのを防止することができる。 According to the present invention, the wiring pattern on the suspension board is formed by etching the copper foil layer in the wiring circuit laminate described in the section “A. Wiring circuit laminate”. While preventing, it can prevent that a short circuit generate | occur | produces in a wiring pattern.
図5は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例として、図5に示される本発明のサスペンション用基板の製造方法を説明する。 FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention. Hereinafter, as an example of the manufacturing method of the suspension substrate of the present invention, the manufacturing method of the suspension substrate of the present invention shown in FIG. 5 will be described.
まず、配線回路用積層体50を準備する(図5(a))。準備する配線回路用積層体50は、「A.配線回路用積層体」の項目において説明したものと同一である。
First, the
次に、配線回路用積層体50における銅箔層53をケミカルエッチングにより加工し、配線パターン54を形成する(図5(b))。本発明における配線パターン54は、特に限定されないが、高精細であることが好ましく、具体的には、「A.配線回路用積層体」の項目で説明した高精細な配線のパターンであることが好ましい。
Next, the
本発明におけるケミカルエッチングの方法としては、配線回路用積層体50における銅箔層53のエッチング特性を改善し、配線パターン54において短絡が発生することを防止する効果が得られるのであれば、特に限定されるものではない。このようなケミカルエッチングの方法において用いる薬液としては、塩化第二鉄液等が好ましい。銅箔層53のエッチング特性を効果的に改善し、配線パターン54において短絡が発生することを効果的に防止することができるからである。
The method of chemical etching in the present invention is particularly limited as long as the etching characteristics of the
このようなケミカルエッチングの方法においてケミカルエッチングを行う時間としては、30sec〜150secの範囲内、中でも30sec〜100secの範囲内であることが好ましい。銅箔層53のエッチング特性を効果的に改善し、配線パターン54において短絡が発生することを効果的に防止することができるからである。このようなケミカルエッチングの方法においてケミカルエッチングを行う温度としては、30℃〜60℃の範囲内、中でも40℃〜50℃の範囲内であることが好ましい。銅箔層53のエッチング特性を効果的に改善し、配線パターン54において短絡が発生することを効果的に防止することができるからである。
In such a chemical etching method, the chemical etching time is preferably within a range of 30 sec to 150 sec, and more preferably within a range of 30 sec to 100 sec. This is because the etching characteristics of the
以上のような方法で、ケミカルエッチングを行うことにより、銅箔層53を加工して、配線パターン54を形成すれば、配線パターン54において短絡が発生することを防止することができる。
If the
次に、配線パターン54の上に、液状絶縁材を用いて、カバーレイヤー55を形成する(図5(c))。次に、絶縁層52をパターニングする(図5(d))。次に、金属支持層51をパターニングする(図5(e))。以上により、本発明のサスペンション用基板を製造することができる。
Next, a
D.サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするものである。
D. Suspension Next, the suspension of the present invention will be described. The suspension of the present invention includes the above-described suspension substrate.
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、接続安定性に優れたサスペンションとすることができる。 According to the present invention, a suspension having excellent connection stability can be obtained by using the suspension substrate described above.
図6は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図6に示されるサスペンション60は、上述したサスペンション用基板30と、素子実装領域61が形成されている表面とは反対側のサスペンション用基板30の表面に備え付けられたロードビーム62とを有するものである。
FIG. 6 is a schematic plan view showing an example of the suspension of the present invention. A
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板を有し、通常は、さらにロードビームを有する。サスペンション用基板については、上記「A.サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、ロードビームは、一般的なサスペンションに用いられるロードビームと同様のものを用いることができる。 The suspension of the present invention has at least a suspension substrate, and usually further has a load beam. The suspension substrate is the same as the content described in “A. Suspension substrate”, and therefore, the description thereof is omitted here. The load beam can be the same as the load beam used for a general suspension.
E.素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とするものである。
E. Next, the suspension with an element of the present invention will be described. A suspension with an element of the present invention includes the above-described suspension and an element mounted in an element mounting region of the suspension.
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、接続安定性に優れた素子付サスペンションとすることができる。 According to the present invention, by using the above-described suspension, a suspension with an element having excellent connection stability can be obtained.
図7は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図7に示される素子付サスペンション70は、上述したサスペンション60と、サスペンション60の素子実装領域61に実装された素子71とを有するものである。
FIG. 7 is a schematic plan view showing an example of the suspension with an element of the present invention. A
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび素子を有するものである。サスペンションについては、上記「C.サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。 The suspension with an element of the present invention has at least a suspension and an element. The suspension is the same as the content described in “C. Suspension”, and therefore, the description thereof is omitted here.
F.ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
F. Next, the hard disk drive of the present invention will be described. The hard disk drive of the present invention is characterized by including the above-described suspension with an element.
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。 According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.
図8は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図8に示されるハードディスクドライブ80は、上述した素子付サスペンション70と、素子付サスペンション70がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク81と、ディスク81を回転させるスピンドルモータ82と、素子付サスペンション70の素子を移動させるアーム83およびボイスコイルモータ84と、上記の部材を密閉するケース85とを有するものである。
FIG. 8 is a schematic plan view showing an example of the hard disk drive of the present invention. A
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「E.素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。 The hard disk drive of the present invention has at least a suspension with an element, and usually further includes a disk, a spindle motor, an arm, and a voice coil motor. The suspension with an element is the same as the contents described in the above-mentioned “E. Suspension with an element”, and the description here is omitted. As other members, the same members as those used in a general hard disk drive can be used.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
[実施例1]
まず、図1に示した配線回路用積層体10を準備した。準備した配線回路用積層体10において、金属支持層11は厚さ18μmのSUS304であり、絶縁層12は厚さ10μmのポリイミド(PI)であり、導体層14は厚さ12μmのメッキ銅である。また、防錆層15は導体層14上にNiめっき層を形成した後にZnおよびCrをメッキすることにより形成された層である。
[Example 1]
First, the
本実施例においては、以下の表1に示されるような配線回路用積層体10を含め、銅箔層13において、防錆層15の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が、1.7at%〜19.8at%であるような配線回路用積層体10を複数準備した。また、表1に示したNiの含有量(at%)は、防錆層15の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるNiの含有量(at%)を示す。
In the present example, including the
なお、上述した原子の含有量ならびに個数および分子の個数はX線光電子分光法(XPS/ESCA)によって分析した。また、分析においては、X線条件をAl mono 200μmΦ×30w(15kw)、光電子取り込み角度を45℃、帯電中和をIon/Electron 20μmとした。
Note that the content, number, and number of molecules of the atoms described above were analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS / ESCA). In the analysis, the X-ray condition was Al mono 200 μmΦ × 30 w (15 kW), the photoelectron uptake angle was 45 ° C., and the charge neutralization was Ion /
表1に示したような配線回路用積層体10をそれぞれ加工することによって、L/Sが20/20μmの配線パターンを有する複数のサスペンション用基板を得た。このとき、配線回路用積層体10における銅箔層13を、薬液として塩化第二鉄液を用いてケミカルエッチングを30sec行うことにより加工して、配線パターンを形成した。
By processing each of the wiring circuit laminates 10 as shown in Table 1, a plurality of suspension substrates having a wiring pattern with L / S of 20/20 μm were obtained. At this time, the
[比較例1]
本比較例においては、以下の表2に示されるような配線回路用積層体10を含め、銅箔層13において、防錆層15の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が19.8at%より大きい配線回路用積層体10を複数準備したこと以外は実施例1と全て同様にして複数のサスペンション用基板を得た。
[Comparative Example 1]
In this comparative example, the depth from the upper surface of the
[実施例2]
本比較例においては、以下の表3に示されるような配線回路用積層体10を準備した後に、それらの配線回路用積層体10を大気雰囲気下、24時間放置した。その後、実施例1と全て同様にして複数のサスペンション用基板を得た。
[Example 2]
In this comparative example, after preparing the
[比較例2]
本比較例においては、以下の表4に示されるような配線回路用積層体10を準備した後に、それらの配線回路用積層体10を大気雰囲気下、24時間放置した。その後、実施例1と全て同様にして複数のサスペンション用基板を得た。
[Comparative Example 2]
In this comparative example, after preparing the
[実施例3]
本実施例においては、以下の表5に示されるような配線回路用積層体10を準備した。本実施例において準備した配線回路用積層体10は、図2に示した製造方法のように、Niメッキ層25を導体層24上に形成して製造されたものである。そして、これらの配線回路用積層体10を準備した後、これらの配線回路用積層体10を大気雰囲気下、24時間放置した。その後、実施例1と同様の方法により複数のサスペンション用基板を得た。
[Example 3]
In this example, a laminate 10 for a wiring circuit as shown in Table 5 below was prepared. The
[比較例3]
本比較例においては、以下の表6に示されるような配線回路用積層体10を準備した。本比較例において準備した配線回路用積層体10は、図2に示した製造方法のように、Niメッキ層25を導体層24上に形成することなく製造されたものである。そして、これらの配線回路用積層体10を準備した後、これらの配線回路用積層体10を大気雰囲気下、24時間放置した。その後、実施例1と同様の方法により複数のサスペンション用基板を得た。
[Comparative Example 3]
In this comparative example, a laminate 10 for a wiring circuit as shown in Table 6 below was prepared. The
[比較例4]
本比較例においては、以下の表7に示されるような配線回路用積層体10を準備したこと以外は実施例1と全て同様にして複数のサスペンション用基板を得た。
[Comparative Example 4]
In this comparative example, a plurality of suspension substrates were obtained in the same manner as in Example 1 except that a
[評価1]
実施例1および比較例1において得られたサスペンション用基板について、配線間における短絡発生頻度を測定した。具体的には、電気検査機を用いて、4端子法によって、電流値100mA、電圧値40mV、試験回数6回の条件下において、配線間における短絡の発生を検査した。そして、このような方法で、実施例1および比較例1において得られたサスペンション用基板について複数個ずつ短絡の発生を検査して、実施例1および比較例1において得られたサスペンション用基板ごとに短絡発生頻度を測定した。
[Evaluation 1]
For the suspension substrates obtained in Example 1 and Comparative Example 1, the frequency of occurrence of a short circuit between wirings was measured. Specifically, the occurrence of a short circuit between wirings was inspected using an electric inspection machine by a four-terminal method under the conditions of a current value of 100 mA, a voltage value of 40 mV, and the number of tests of six. Then, by such a method, a plurality of suspension substrates obtained in Example 1 and Comparative Example 1 are inspected for occurrence of a short circuit, and each suspension substrate obtained in Example 1 and Comparative Example 1 is checked. The frequency of occurrence of short circuit was measured.
図9は、実施例1および比較例1において得られたサスペンション用基板における短絡発生頻度の測定結果を示したグラフである。図9に示したグラフにおいて、横軸はZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方の含有量を示し、縦軸は短絡発生頻度を示している。このグラフからは、当該大きい方の含有量の19.8%という値を変曲点として、当該大きい方の含有量が19.8%以上になると、短絡発生頻度が急激に増加することがわかった。また、当該大きい方の含有量が16.0%以下になると、短絡がほとんど発生しないことが確認された。 FIG. 9 is a graph showing a measurement result of the frequency of occurrence of a short circuit in the suspension substrate obtained in Example 1 and Comparative Example 1. In the graph shown in FIG. 9, the horizontal axis indicates the larger content of the Zn content and the Cr content, and the vertical axis indicates the short-circuit occurrence frequency. From this graph, it can be seen that the frequency of short-circuiting increases rapidly when the larger content is 19.8% or more with the value of 19.8% of the larger content as the inflection point. It was. Further, it was confirmed that short-circuiting hardly occurred when the larger content was 16.0% or less.
そして、図10は、実施例1において得られた短絡発生頻度が増加しなかったサスペンション用基板における原子の含有量の分布を示したグラフである。図10に示したグラフには、短絡発生頻度が増加しなかったサスペンション用基板を構成した配線回路用積層体10における銅箔層13について、防錆層の上面15cからのSiO2換算の深さが2nm〜8nmの領域におけるCu、Cr、Ni、およびZnの含有量をそれぞれ測定して、それらの分布を示したものである。このグラフからは、実施例1において得られた短絡発生頻度が増加しなかったサスペンション用基板を構成した配線回路用積層体10における銅箔層13においては、上記領域におけるCuの含有量が23%at以下となることが確認された。
FIG. 10 is a graph showing the distribution of the content of atoms in the suspension substrate obtained in Example 1 in which the frequency of short-circuit occurrence did not increase. In the graph shown in FIG. 10, the depth in terms of SiO 2 from the top surface 15c of the anticorrosive layer is shown for the
[評価2]
実施例2および比較例2において得られたサスペンション用基板について、配線パターンにおける錆の発生を、大気雰囲気下、24時間放置の条件下において、評価した。表8は、防錆層の上面15cからのSiO2換算の深さが2nm〜8nmの領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方の含有量と、配線パターンの変色の有無(錆の発生の有無)の評価結果の関係を示した表である。
[Evaluation 2]
With respect to the suspension substrates obtained in Example 2 and Comparative Example 2, the occurrence of rust in the wiring pattern was evaluated under the condition of being left for 24 hours in an air atmosphere. Table 8 shows that the larger of the Zn content and the Cr content in the region where the SiO 2 conversion depth from the top surface 15c of the rust preventive layer is 2 nm to 8 nm, and whether or not the wiring pattern is discolored It is the table | surface which showed the relationship of the evaluation result of (the presence or absence of generation | occurrence | production of rust).
表8からは、サスペンション用基板において、Znの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方の含有量が1.65at%以下である場合には、配線パターンに錆が発生することがわかった。そして、当該含有量が1.70at%以上である場合には、配線パターンに錆が発生しないことがわかった。 Table 8 shows that, in the suspension substrate, when the larger content of Zn and Cr is 1.65 at% or less, rust is generated in the wiring pattern. . And when the said content was 1.70 at% or more, it turned out that rust does not generate | occur | produce in a wiring pattern.
[評価3]
実施例3および比較例3で得られたサスペンション用基板について、配線パターンにおける錆の発生を、大気雰囲気下、24時間放置の条件下において、評価した。表9は、防錆層の上面15cからのSiO2換算の深さが2nm〜8nmの領域におけるNiの含有量と、配線パターンにおける変色の有無(錆の発生の有無)の評価結果の関係を示した表である。
[Evaluation 3]
About the suspension substrate obtained in Example 3 and Comparative Example 3, the occurrence of rust in the wiring pattern was evaluated under the condition of being left for 24 hours in an air atmosphere. Table 9 shows the relationship between the Ni content in the region where the SiO 2 conversion depth from the top surface 15c of the anticorrosive layer is 2 nm to 8 nm and the evaluation result of the presence or absence of discoloration (whether rust is generated) in the wiring pattern. It is the table shown.
表9から、実施例3において得られた配線回路用積層体10においては、比較例3において得られた配線回路用積層体10とは異なり、変色(錆の発生)が確認されなかった。これは、実施例3において得られた配線回路用積層体10においては、防錆層15にNiが含有されることによって、導体層14から防備層15へのCuの拡散が防止されることによるものと推定される。
From Table 9, in the
[評価4]
実施例1および比較例4で得られたサスペンション用基板について、配線間における短絡発生頻度を測定した。具体的には、電気検査機を用いて、4端子法によって、電流値100mA、電圧値40mV、試験回数6回の条件下において、配線間における短絡の発生を検査した。そして、このような方法で、実施例1および比較例4において得られたサスペンション用基板について複数個ずつ短絡の発生を検査して、実施例1および比較例4において得られたサスペンション用基板ごとに短絡発生頻度を測定した。
[Evaluation 4]
With respect to the suspension substrates obtained in Example 1 and Comparative Example 4, the frequency of occurrence of a short circuit between wirings was measured. Specifically, the occurrence of a short circuit between wirings was inspected using an electric inspection machine by a four-terminal method under the conditions of a current value of 100 mA, a voltage value of 40 mV, and the number of tests of six. Then, by such a method, a plurality of suspension substrates obtained in Example 1 and Comparative Example 4 are inspected for occurrence of a short circuit, and each suspension substrate obtained in Example 1 and Comparative Example 4 is checked. The frequency of occurrence of short circuit was measured.
図11は、実施例1および比較例4において得られたサスペンション用基板における短絡発生頻度の分布を示したグラフである。図11に示したグラフから、実施例1で得られたサスペンション用基板においては、短絡がほとんど発生していないのに対して、比較例4で得られたサスペンション用基板においては、短絡が頻繁に発生していることが確認された。これは、防錆層の上面15cからの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるNiの含有量が10at%より大きい配線回路用積層体10はエッチング特性が劣化し、このような配線回路用積層体10から得られるサスペンション用基板において、短絡が頻繁に発生することを示している。
FIG. 11 is a graph showing the distribution of short-circuit occurrence frequency in the suspension substrates obtained in Example 1 and Comparative Example 4. From the graph shown in FIG. 11, in the suspension substrate obtained in Example 1, almost no short circuit occurred, whereas in the suspension substrate obtained in Comparative Example 4, short circuit occurred frequently. It was confirmed that it occurred. This is because, in the
10…配線回路用積層体、11…金属支持層、12…絶縁層、13…銅箔層、14…導体層、15…防錆層、15c…防錆層の上面、21…(製造工程の)金属支持層、22…(製造工程の)絶縁層、23…(製造工程の)合金層、24…(製造工程の)導体層、26…(製造工程の)Zn/Crメッキ層、26c…(製造工程の)Zn/Crメッキ層の上面、30…サスペンション用基板、31…素子実装領域、32…外部回路基板接続領域、33…配線、40…サスペンション用基板、41…金属支持層、42…絶縁層、43…配線層、44…導体層、45…防錆層、45c…防錆層の上面、50…配線回路用積層体、51…金属支持層、52…絶縁層、53…銅箔層、54…配線パターン、55…カバーレイヤー、60…サスペンション、61…素子実装領域、62…ロードビーム、70…素子付サスペンション、71…素子、80…ハードディスクドライブ、81…ディスク、82…スピンドルモータ、83…アーム、84…ボイスコイルモータ、85…ケース
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記銅箔層が、メッキ銅から構成された導体層と、前記導体層上に形成され、ZnおよびCrを含有する防錆層と、を有し、
前記銅箔層において、前記防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が、1.7at%〜10.9at%であることを特徴とする配線回路用積層体。 A laminate for a wiring circuit having a metal support layer, an insulating layer formed on the metal support layer, and a copper foil layer formed on the insulating layer,
The copper foil layer has a conductor layer made of plated copper, and a rust prevention layer formed on the conductor layer and containing Zn and Cr,
In the copper foil layer, the larger one of the Zn content and the Cr content in a region having a depth from the top surface of the anticorrosive layer of 2 nm to 8 nm (in terms of SiO 2 ) is 1.7 at% to 10. .9 at%, a laminate for a printed circuit.
前記銅箔層において、前記防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるNiの含有量が10at%以下であることを特徴とする請求項1に記載の配線回路用積層体。 The rust preventive layer contains Ni;
2. The wiring according to claim 1, wherein the copper foil layer has a Ni content of 10 at% or less in a region having a depth of 2 nm to 8 nm (in terms of SiO 2 ) from the top surface of the rust prevention layer. Laminate for circuit.
前記配線層が、メッキ銅から構成された導体層と、前記導体層上に形成され、ZnおよびCrを含有する防錆層と、を有し、
前記配線層において、前記防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるZnの含有量およびCrの含有量のうちの大きい方が、1.7at%〜10.9at%であることを特徴とするサスペンション用基板。 A suspension substrate having a metal support layer, an insulating layer formed on the metal support layer, and a wiring layer formed on the insulating layer,
The wiring layer has a conductor layer made of plated copper, and a rust prevention layer formed on the conductor layer and containing Zn and Cr,
In the wiring layer, the larger one of the Zn content and the Cr content in a region having a depth from the top surface of the rust prevention layer of 2 nm to 8 nm (SiO 2 conversion) is 1.7 at% to 10. A suspension substrate, characterized by 9 at%.
前記配線層において、前記防錆層の上面からの深さが2nm〜8nm(SiO2換算)の領域におけるNiの含有量が10at%以下であることを特徴とする請求項3に記載のサスペンション用基板。 The rust preventive layer contains Ni;
4. The suspension according to claim 3, wherein the wiring layer has a Ni content of 10 at% or less in a region having a depth of 2 nm to 8 nm (in terms of SiO 2 ) from the upper surface of the rust prevention layer. substrate.
前記配線回路用積層体における銅箔層をエッチングすることにより、配線パターンを形成するパターン形成工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。 A preparation step for preparing the multilayer body for a wiring circuit according to claim 1 or 2,
A pattern forming step of forming a wiring pattern by etching the copper foil layer in the laminate for a wiring circuit;
A method for manufacturing a suspension substrate, comprising:
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