JP5686227B2 - ワイヤグリッド偏光子の製造方法、ナノメートルサイズのマルチステップの素子、およびその製造方法 - Google Patents
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Description
ナノメートルサイズの素子（たとえば、ワイヤグリッド偏光子）は、隣接するフィーチャ間の距離、または、フィーチャ間のピッチによってパフォーマンスが制約を受ける。たとえば、電磁放射を効果的に偏光するためには、ワイヤグリッド偏光子のピッチは、電磁放射の波長の半分未満とするべきである。可視光の波長の半分未満のピッチをもつワイヤグリッド偏光子が、既に開示されている。たとえば米国特許第6,208,463号、6, 122, 103号、および6,243, 199号を参照されたい。より高い偏光のコントラスト、および、より小さい波長の偏光を実現するためには（たとえば紫外線光およびＸ線の偏光）、より小さいピッチが必要となる。この問題を解決するために、様々な方法が提案されている。たとえば、米国特許第7,692,860号、および米国特許出願公報第2009/0041971号および2009/0053655号を参照のこと。
ワイヤグリッド偏光子の望ましい特徴は、１つの偏光子をもつ電磁放射の幅広いスペクトルを偏光することである。ワイヤグリッド偏光子は、通常、同じ高さのワイヤで形成される。多くの波長用にワイヤグリッド偏光子を調節して、より滑らかなＴｓ曲線を作成するためには、ワイヤの高さが可変であるワイヤグリッド偏光子を形成すると有用だと思われる。異なる高さのワイヤをもつワイヤグリッド偏光子のための方法が提案されている。例えば、米国特許公報第20080037 01号および20080038467号を参照のこと。
ワイヤグリッド偏光子は、通常、１つの平面沿いに設けられた複数のワイヤで形成される。複数の平面沿いに設けられた複数のワイヤをもつワイヤグリッド偏光子を形成すると有用であると思われる。複数の平面沿いに設けられたワイヤをもつワイヤグリッド偏光子は、複数の波長用の調節が可能であり、より滑らかなＴｓ曲線の作成のために有用である。例えば、米国特許公報20080037101号および 20080038467号を参照のこと。
通常、ワイヤグリッド偏光子は、全体が１つの材料からなるワイヤで形成される。複数の波長用にワイヤグリッド偏光子を調節するためには、一部のワイヤが１つの材料からなり、他のワイヤが別の材料からなるワイヤグリッド偏光子が有用であると思われる。
隣接するフィーチャ同士の間の間隔が非常に小さい（つまりピッチが小さい）ナノメートルサイズの素子（ワイヤグリッド偏光子など）を作成すると有利であることが認識されている。高さが可変のワイヤをもち、複数の平面に設けられた複数のワイヤをもち、および／または、ワイヤが隣接するワイヤと異なる材料からなっていてよいワイヤアレイをもつ、ナノメートルサイズの素子（ワイヤグリッド偏光子など）を作成すると有利であることが認識されている。
ここに記載する発明は、複数の用途を持っていてよいが、主要な用途はワイヤグリッド偏光子としての用途である。簡略にするために、主に、「ワイヤグリッド偏光子」または「偏光子」という用語が利用されているが、本発明は他の用途にも利用可能である。
一実施形態では、本発明は、基板上に設けられた、平行で細長いワイヤのアレイを含むワイヤグリッド偏光子に関しており、ワイヤは、８０ナノメートル未満のピッチを有している。このような小さいピッチをもつこのワイヤグリッド偏光子は、ここに記載する様々な方法で作成可能である。
別の実施形態では、本発明は、精細なピッチのワイヤグリッド偏光子を製造する方法であって、基板に設けられた平行で細長いワイヤのアレイを含むワイヤグリッド偏光子を得、ワイヤの表面には保護層が形成されており、次いで、ワイヤグリッド偏光子を異方性エッチングして、２つの平行で細長いロッドを、実質的にワイヤが基板に接触する隅部に、形成する製造方法に関する。ロッドは、偏光素子の要素であってよい。「ロッド」という用語は、元のワイヤから区別するために利用されている。別の実施形態では、分割された膜がロッド上に設けられてよい。分割された膜は、入ってくる電磁放射を偏光または吸収するために利用することができる。この方法は、各レジスト特徴部から少なくとも２つの偏光ロッドを形成することができるので、より小さいピッチのワイヤグリッド偏光子の形成が可能である。この方法は、元のワイヤをそれぞれ利用して２つの偏光ロッドを形成することができるという利点がある。元のワイヤのピッチは、パターニング機能によって制約されうるが、２つのロッドが元のワイヤそれぞれについて形成されてよい。プロセスは再度繰り返されることで、元のロッドそれぞれについて２つのレールを形成することができる。「レール」という用語は、元のワイヤおよびロッドから区別するために利用される。
別の実施形態として、本発明は、基板の上に設けられた複数群の平行で細長いワイヤの繰り返しパターンをもつ偏光子を対象としている。細長いワイヤの各群は、少なくとも３つのワイヤを含む。各群内の少なくとも１つのワイヤは、各群の最も外側のワイヤよりも３ナノメートル（"ｎｍ"）を超える値分、高い。各群の最も外側のワイヤ間の距離は、約１マイクロメートル未満である。本実施形態は、あるワイヤが他のワイヤより高い、高さが可変のワイヤの利点をもつ。ワイヤは、非常に精細なピッチを有することもできる。
別の実施形態では、本発明は、基板の上に設けられ、エッチング反応の副産物である材料を含む、平行で細長いワイヤ群のアレイをもつ偏光子に関している。各群の最も外側のワイヤ間の距離は、約１マイクロメートル未満である。本実施形態は、エッチング反応により形成されるワイヤの利点を有している。ワイヤは、非常に精細なピッチを有することもできる。
別の実施形態では、本発明は、偏光子の製造方法にも関している。方法は、ベースの上にレジストを形成し、次に、レジストをパターニングして、レジスト幅を生成する。次にベースを等方性エッチングして、レジストの外側の横方向においてベース内へ垂直方向に、且つ、レジストの下に水平方向に、エッチングを行って、レジストの下に脚部を残す。脚部の垂直側壁に、エッチング再堆積を行うことで、エッチング再堆積ワイヤを作成する。レジスト外のベースも、垂直にエッチングして、ベースの下部ステップを残すことができる。エッチング再堆積が、ベースの下部ステップの垂直側壁に形成されてよく、これにより、さらなるエッチング再堆積ワイヤが形成される。本実施形態は、エッチング反応が生成するワイヤという利点を有する。ワイヤは、非常に精細なピッチを有することもできる。
別の実施形態では、本発明は、複数の平行なマルチステップのリブを含むベースを含む、マルチステップ（multi-step）のワイヤグリッド偏光素子の要素に関する。各リブは、複数の隣接したステップを含む。ステップの垂直表面に沿って被膜を設ける。あるステップの上の垂直表面に沿った被膜は、隣接しているステップの垂直表面に沿った被膜とは分離されていてよい。１つのレジスト特徴部の下に、マルチステップのリブがそれぞれ形成されてよい。本実施形態は、非常に精細なピッチを有してよいワイヤ、および／または、複数の平面に設けられる複数のワイヤという利点を有して、ワイヤグリッド偏光子を複数の波長用に調節することができる、という利点を有する。
別の実施形態では、本発明は、上述した素子の製造方法に関しており、製造方法は、（１）マルチステップのリブを形成する工程であって、ベースにリブが取り付けられる工程と、（２）ベースおよびステップの表面を被膜する工程と、（３）水平表面の被膜のより薄い部分を除去しつつ、垂直表面の被膜の大半を残す工程とを備える。本実施形態は、非常に精細なピッチを有してよいワイヤ、および／または、複数の平面に設けられるワイヤをもつワイヤグリッド偏光子を製造することで、ワイヤグリッド偏光子を複数の波長用に調節することができる、という利点を有する。
＜定義＞
この明細書および添付請求項では、「電磁放射」という用語は、電磁スペクトルの赤外線、可視光、紫外線、および、ｘ線領域を含む。
・ここで利用される、ワイヤ、ロッド、レール、およびリブという用語は、長さが幅または高さよりも実質的に大きい様々な細長い構造のことを示す。ワイヤ、ロッド、レール、およびリブは、様々な断面形状を有してよい。ワイヤ、ロッド、およびレールは、ワイヤグリッド偏光子の偏光構造のことを示し、リブは、ワイヤの細長い支持構造のことを示してよい。
・ここで利用される「実質的」という用語は、動作、特徴、特性、状態、構造、アイテム、または結果が、完全なまたは略完全な程度または度合いであることを示す。たとえば、「実質的に」囲まれているオブジェクトという表現は、該オブジェクトが、完全に囲まれている、または略完全に囲まれていることを示す。絶対的に完全な状態からの許容される厳密なずれの程度は、場合によって、文脈に応じて変化してよい。しかし、一般的には、完全さに近い程度は（nearness of completion）、絶対的かつ全体的な完全さが得られた場合と、全体的な結果が同じであるようなものである。「実質的」という用語の利用は、動作、特徴、特性、状態、構造、アイテム、または結果が完全にない、または略完全にないこと、といった否定的な意味でも利用可能である。
この明細書および添付請求項では、「電磁放射」という用語は、電磁スペクトルの赤外線、可視光、紫外線、および、ｘ線領域を含む。
・ここで利用される、ワイヤ、ロッド、レール、およびリブという用語は、長さが幅または高さよりも実質的に大きい様々な細長い構造のことを示す。ワイヤ、ロッド、レール、およびリブは、様々な断面形状を有してよい。ワイヤ、ロッド、およびレールは、ワイヤグリッド偏光子の偏光構造のことを示し、リブは、ワイヤの細長い支持構造のことを示してよい。
・ここで利用される「実質的」という用語は、動作、特徴、特性、状態、構造、アイテム、または結果が、完全なまたは略完全な程度または度合いであることを示す。たとえば、「実質的に」囲まれているオブジェクトという表現は、該オブジェクトが、完全に囲まれている、または略完全に囲まれていることを示す。絶対的に完全な状態からの許容される厳密なずれの程度は、場合によって、文脈に応じて変化してよい。しかし、一般的には、完全さに近い程度は（nearness of completion）、絶対的かつ全体的な完全さが得られた場合と、全体的な結果が同じであるようなものである。「実質的」という用語の利用は、動作、特徴、特性、状態、構造、アイテム、または結果が完全にない、または略完全にないこと、といった否定的な意味でも利用可能である。
以下に、図面に示す実施形態の例を参照して説明を行うが、ここでは特定の用語を利用して同じことを説明する場合がある。しかし、これは本発明の範囲を限定する意図はない。本開示を読んだ関連技術分野の当業者であれば想到するであろう、ここに示す本発明の特徴の変更例およびさらなる変形例、および、本発明の原理のさらなる適用例は、本発明の範囲内に含まれるものとする。
＜精細なピッチのワイヤグリッド偏光子＞
図１に示す偏光子１０は、基板１１に設けられた、平行で細長いワイヤ１２のアレイを含む。基板１１は、利用される電磁放射の波長を透過することができる。ワイヤは、８０ナノメートル未満のピッチを有していてよい。一実施形態では、ワイヤは６０−８０ナノメートルのピッチを有してよい。別の実施形態では、ワイヤは８−８５ナノメートルのピッチを有してよい。別の実施形態では、ワイヤは２０−８５ナノメートルのピッチを有してよい。一実施形態では、ワイヤは５５ナノメートル未満の幅ｗを有してよい。別の実施形態では、ワイヤは３５ナノメートル未満の幅ｗを有してよい。別の実施形態では、ワイヤは１５ナノメートル未満の幅ｗを有してよい。ピッチが８−８５ナノメートルである偏光子は、約１６−１７０ナノメートルの波長を有する電磁放射の偏光に利用されてよい。この電磁放射を偏光するためには、ワイヤ１２の材料としては、バナジウムおよびハフニウムが望ましいと思われる。
図１に示す偏光子１０は、基板１１に設けられた、平行で細長いワイヤ１２のアレイを含む。基板１１は、利用される電磁放射の波長を透過することができる。ワイヤは、８０ナノメートル未満のピッチを有していてよい。一実施形態では、ワイヤは６０−８０ナノメートルのピッチを有してよい。別の実施形態では、ワイヤは８−８５ナノメートルのピッチを有してよい。別の実施形態では、ワイヤは２０−８５ナノメートルのピッチを有してよい。一実施形態では、ワイヤは５５ナノメートル未満の幅ｗを有してよい。別の実施形態では、ワイヤは３５ナノメートル未満の幅ｗを有してよい。別の実施形態では、ワイヤは１５ナノメートル未満の幅ｗを有してよい。ピッチが８−８５ナノメートルである偏光子は、約１６−１７０ナノメートルの波長を有する電磁放射の偏光に利用されてよい。この電磁放射を偏光するためには、ワイヤ１２の材料としては、バナジウムおよびハフニウムが望ましいと思われる。
ワイヤ１２は、酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、三酸化アンチモン、硫化アンチモン、酸化ベリリウム、酸化ビスマス、フッ化ビスマス、窒化ホウ素、酸化ホウ素、硫化カドミウム、テルル化カドミウム、フッ化カルシウム、セリウム酸化物、チオライト、氷晶石、酸化第二銅、塩化第二銅、塩化第一銅、硫化物、ゲルマニウム、二酸化ハフニウム、フッ化ランタン、酸化ランタン、塩化鉛、フッ化鉛、テルル化鉛、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、酸化マグネシウム、フッ化ネオジム、酸化ネオジム、酸化ニオブ、酸化プラセオジム、酸化スカンジウム、シリコン、酸化ケイ素、二ケイ酸三酸化物（disilicon trioxide）、シリコンカーバイド、二酸化ケイ素、フッ化ナトリウム、窒化ケイ素、酸化タンタル、五酸化タンタル、テルル、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、炭化チタン、塩化タリウム、タングステン、酸化イットリウム、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、二酸化ジルコニウム、およびこれらの組み合わせから形成されてよい。
＜第１のワイヤグリッド偏光子の製造方法＞
図１から図４は、精細なピッチのワイヤグリッド偏光子の１つの製造方法を示す。基板１１に設けられた、平行で細長いワイヤ１２のアレイを有するワイヤグリッド偏光子１０（図１参照）は、ワイヤ１２の表面に設けられた保護層２１−２２を有してよい（図２参照）。保護層２１−２２は、ワイヤ１２の上面２２に設けられてよく、さらに、ワイヤ１２の側面２１にも設けられてよい。保護層２１−２２は、ワイヤ１２のパッシベーションによって形成することができるので、ワイヤ１２内に埋め込むことができる。保護層２１−２２を作成する目的は、ワイヤの表面を、ワイヤの中央部分よりもエッチングに対して耐性をもつようにする、ということである。
図１から図４は、精細なピッチのワイヤグリッド偏光子の１つの製造方法を示す。基板１１に設けられた、平行で細長いワイヤ１２のアレイを有するワイヤグリッド偏光子１０（図１参照）は、ワイヤ１２の表面に設けられた保護層２１−２２を有してよい（図２参照）。保護層２１−２２は、ワイヤ１２の上面２２に設けられてよく、さらに、ワイヤ１２の側面２１にも設けられてよい。保護層２１−２２は、ワイヤ１２のパッシベーションによって形成することができるので、ワイヤ１２内に埋め込むことができる。保護層２１−２２を作成する目的は、ワイヤの表面を、ワイヤの中央部分よりもエッチングに対して耐性をもつようにする、ということである。
図３に示す第２のステップ３０では、ワイヤグリッド偏光子を異方性エッチングして、ワイヤと基板１１との接触部である隅部２４ａ―ｂに実質的に位置する、２つの平行で細長いロッド３２を形成する。異方性エッチングによって、ワイヤ１２の中央部分２５のワイヤを優先的に除去することができるので、ワイヤ１２の前の中央２５の位置にある基板３４を露呈させつつ、隅部２４ａ―ｂのワイヤ材料は残すことができる。中央部分２５を優先的に除去するのは、保護層２１−２２に、ワイヤ１２自身よりも異方性エッチングに対して耐性を持たせることができるので、ワイヤの上面の保護層２２をエッチングした後で、ワイヤの中央部分２５から下方に向かい基板３４へと異方性エッチングを迅速に行うことができ、同時に、ワイヤの側面部２６のエッチングは、エッチングに耐性をもつ保護層２１のために、より遅々として進めることができるからである。したがって、元のワイヤは基本的に半分に切断されて、元のワイヤ１２の位置に２つのロッド３２が形成される。ここで、異方性エッチングの前に追加される別のステップでは、ワイヤ１２の上部をイオン・ミリングして、異方性エッチングの前に、保護層２２を部分的または全体的に除去する点に留意されたい。
２つのロッド３２は、それぞれ、偏光素子の要素であってよい。したがって今のワイヤグリッド偏光子は、このステップ３０における偏光素子の要素の２倍の偏光素子の要素を持つことができる。例えば図３において、ロッド群３２ａが、１つの元のワイヤ１２ａから形成されており、ロッド群３２ｂが、別の元のワイヤ１２ｂから形成されている。１つのワイヤ群におけるピッチはＰ１であり、ワイヤ群間のピッチはＰ２であってよい。これら２種類のピッチは、元のワイヤ幅ｗ、元のワイヤピッチＰ、ワイヤ材料、保護層２１−２２の種類、および、エッチングの性質に応じて、同じであっても異なっていてもよい。
上述した精細なピッチに関する方法３０で形成されないワイヤグリッド偏光子は、標準的なリソグラフィーおよびエッチング法で、約１００−１５０ナノメートルのピッチ、および、約５０−７５ナノメートルのワイヤ幅に形成される。したがって、この方法によって、基本的にピッチを半分にすることができ、この方法で形成したワイヤグリッド偏光子は、現行のリソグラフィーおよびエッチング法を利用した場合であっても、約５０−７５ナノメートルのピッチ、および、約２５−３８ナノメートルのワイヤ幅とすることができる。
一部のワイヤグリッド偏光子に対して利用すると有用であると思われる図４に示す追加工程４０は、分割された被膜４２をロッド３２の上部に適用する。分割された被膜４２は、ロッド３２と位置合わせすることができ、ロッド３２の間に露呈している基板４４を被膜することなく、ロッド３２の両側面４３を部分的に下へと垂れるよう形成することができる。この分割された被膜は、米国特許出願第12/507,570号（２００９年７月２２日出願）および第13/075,470号（２０１１年３月３０日出願）に記載されている方法によって適用することができ、これら特許文献をここに参照として組み込む。
＜エッチング再堆積によるワイヤグリッド偏光子＞
図５に示す偏光子５０は、利用される電磁放射の波長を透過することができる基板１１を含む。たとえばゲルマニウムを赤外線には利用して、可視光にはシリコンを利用して、水晶を紫外線には利用することができるだろう。平行で細長いワイヤ５２の群５３の繰り返しパターンを、基板上に設けることができる。ワイヤ５２は、入射する電磁放射を偏光することができる材料を含んでいてよい。細長いワイヤ５２の各群５３が、少なくとも３つのワイヤを含んでよい。各群が、１以上の内側ワイヤ５２ｃ（たとえば１以上の中央ワイヤ）と最も外側のワイヤ５２ｏとを含んでよい。内側または中央のワイヤ５２ｃは、最も外側のワイヤ５２ｏよりも、たとえばあるアスペクトでは３ｎｍより高くてよく、別のアスペクトでは、約１０ｎｍより高くてよく、別のアスペクトでは、約２０ｎｍより高くてよく、別のアスペクトでは、約５０ｎｍより高くてよい。最も外側のワイヤ５２ｏの間の距離、したがって、各群５３の幅ｄ３は、あるアスペクトでは１マイクロメートル未満であってよく、別のアスペクトでは、約１５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは、約１００ｎｍ未満であってよく、または、別のアスペクトでは、約５０ｎｍ未満であってよい。ワイヤ５２は、エッチング反応の副産物であってよく、この材料が、用途によっては望ましい場合がある。各群５３の幅ｄ３は、後述するようにレジストの幅であってよく、複数のワイヤを１つのレジスト幅について形成することができるので、非常に精細なピッチのワイヤグリッド偏光子を製造することができるようになる。
図５に示す偏光子５０は、利用される電磁放射の波長を透過することができる基板１１を含む。たとえばゲルマニウムを赤外線には利用して、可視光にはシリコンを利用して、水晶を紫外線には利用することができるだろう。平行で細長いワイヤ５２の群５３の繰り返しパターンを、基板上に設けることができる。ワイヤ５２は、入射する電磁放射を偏光することができる材料を含んでいてよい。細長いワイヤ５２の各群５３が、少なくとも３つのワイヤを含んでよい。各群が、１以上の内側ワイヤ５２ｃ（たとえば１以上の中央ワイヤ）と最も外側のワイヤ５２ｏとを含んでよい。内側または中央のワイヤ５２ｃは、最も外側のワイヤ５２ｏよりも、たとえばあるアスペクトでは３ｎｍより高くてよく、別のアスペクトでは、約１０ｎｍより高くてよく、別のアスペクトでは、約２０ｎｍより高くてよく、別のアスペクトでは、約５０ｎｍより高くてよい。最も外側のワイヤ５２ｏの間の距離、したがって、各群５３の幅ｄ３は、あるアスペクトでは１マイクロメートル未満であってよく、別のアスペクトでは、約１５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは、約１００ｎｍ未満であってよく、または、別のアスペクトでは、約５０ｎｍ未満であってよい。ワイヤ５２は、エッチング反応の副産物であってよく、この材料が、用途によっては望ましい場合がある。各群５３の幅ｄ３は、後述するようにレジストの幅であってよく、複数のワイヤを１つのレジスト幅について形成することができるので、非常に精細なピッチのワイヤグリッド偏光子を製造することができるようになる。
図５は、各グループが４つのワイヤを含む、ワイヤ５３ａおよび５３ｂの２つの群を示している。各群５３の中央の２つのワイヤ５２ｃは、高さが略等しく、両方とも、各群の最も外側のワイヤ５２ｏよりも高くてよい（ｈ１＜ｈ２）。一群のワイヤ５３の中央のワイヤ５２ｃは、最初の等方性エッチング（１回または複数回）中に最初に形成されることから、中央のワイヤ５２ｃは、グループの外側のワイヤ５２ｃの高さｈ１より高い高さｈ２であってよい。それぞれ異なる高さｈをもつワイヤをもつことで、それぞれ異なる波長用に偏光子を調節することができるようになり、透過した電磁放射のｓ分極方位を、入射された電磁放射のスペクトルまたはＴｓ曲線において、平滑化することができるようになる。ワイヤの一部の高さをより高くすることで、偏光子のコントラストを上げ、かつ、他のワイヤの高さを低くすることで、透過率を向上させることができる。
一実施形態では、化学機械研磨、フィル・アンド・ポリッシュ（fill and polish）、スピン・オン・バック・エッチ（spin on back etch）、その他の公知の平坦化法によって、中央のワイヤ５２ｃおよび外側のワイヤ５２ｏが、同じ高さｈとされてよい（つまりｈ２＝ｈ１）。したがって、中央ワイヤ５２ｃと外側のワイヤ５２ｏとの間の高さの差は、エッチングの強度、期間、および種類、作成するワイヤの高さ、および、ワイヤが平坦化されているか、に応じて、約０ｎｍから約１５０ｎｍの間であってよく、あるアスペクトでは約３ｎｍを超える値であってよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍを超える値であってよく、別のアスペクトでは約５０ｎｍを超える値であってよい。
図５には、ワイヤ幅ｗが示されている。ワイヤ幅は、該ワイヤ５２、薄膜材料および／または基板材料の作成中のエッチングの種類によって、および、隣接するワイヤ同士が組み合わせられて、図１１の説明で後述するような１つのワイヤを形成するか、に応じて、決定されてよい。偏光子１０のすべてのワイヤ５２の最大ワイヤ幅は、あるアスペクトでは約１５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約１０ｎｍ未満であってよい。あるワイヤのワイヤ幅は、隣接するワイヤのワイヤ幅ｗから、あるアスペクトでは、５ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは、１０ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは、２０ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは、５０ｎｍを超える値分異なっていてよい。
ワイヤ群５３のワイヤｄの間の距離は、レジストの幅およびエッチングの性質および長さに応じて変化してよい。たとえば、最初の等方性エッチングが、横方向に長く（more lateral）、より強固な場合、図５に示すように、群５３内の中央ワイヤ５２ｃの間の距離がより短くなる（ｄ２）。中央ワイヤ５２ｃおよび外側のワイヤ５２ｏの間の距離ｄ１は、図６に示すレジスト幅Ｒ、中央ワイヤ５２ｃ間の距離ｄ２、およびワイヤ幅ｗに応じていてよい。したがって、上述したパラメータを調節することで、中央ワイヤ５２ｃ間の距離ｄ２が最も外側のワイヤと隣接する中央ワイヤとの間の距離ｄ１から、あるアスペクトで約３ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは約１０ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍを超える値分異なっていてよい。言い換えると、ｄ２からｄ１を差し引いた値の絶対値が、あるアスペクトでは約３ｎｍを超える値であってよく、別のアスペクトでは約１０ｎｍを超える値であってよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍを超える値であってよい。隣接するワイヤ間の最少距離ｄは、あるアスペクトでは約１５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍ未満であってよい。
図５に示すように、ピッチＰは、１つのワイヤのエッジと、隣接するワイヤの対応するエッジとの間の距離である。隣接するワイヤ間の最小ピッチは、あるアスペクトでは約３００ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約１００ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約３０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍ未満であってよい。したがってワイヤのピッチは、レジストのピッチよりずっと小さくてよい（レジストのピッチの約１／４であってもよい）。
隣接する群５３間の距離ｄ４は、グループの隣接するレジスト６１の間の距離ｄ５と最も外側のワイヤ５２ｏの幅ｗ（図６参照）によって決定することができる。この距離ｄ４は、所望の波長用に偏光子を調節するために変更することができる。
図６に示すように、本発明の偏光子は、レジスト６１をベース６３に設けることで形成することができる。ベース６３は、単一の材料を含んでもよいし、複数の材料からなる複数の層であってもよい。たとえば一実施形態では、ベース６３は、基板１１の上に設けられた薄膜層６２を含んでよい。薄膜６２は、化学気相成長法または物理気相成長法等の方法によって基板１１に設けられてよい。薄膜は、単一材料からなる単一の層であってもよいし、それぞれ異なる材料からなる複数の層であってもよい。基板１１は、水晶、シリコン、またはゲルマニウム等の可撓性のない材料（rigid material）であってよい。基板１１はさらに、ポリマー等の可撓性の材料であってもよい。
レジスト６１は、パターニングされて、レジスト幅Ｒが提供されてよい。レジスト幅Ｒは、あるアスペクトでは約１マイクロメートル未満であってよく、別のアスペクトでは約１００ナノメートル未満であってよく、別のアスペクトでは約７５ナノメートル未満であってよく、別のアスペクトでは約５５ナノメートル未満であってよい。レジスト幅Ｒは、群の最も外側のワイヤ５２ｃ間の距離ｄ３程度（approximate distance d3）であってよい。
次に、図７に示すように、等方性エッチングを行い、レジストの外側の横方向においてベース６３内へ垂直方向７１に、且つ、レジストの下に水平方向７２に、エッチングを行って、レジスト６１の下に、垂直側壁をもつ脚部７３が残る。上述した等方性エッチング、または、後で行われる等方性エッチングは、化学エッチング（etching chemistry）によってエッチング再堆積のために最適化され、脚部７３の垂直側壁沿いにエッチング再堆積を行って、エッチング再堆積ワイヤ７４を作成することができる。エッチング再堆積ワイヤ７４は、偏光ワイヤであってよいので、偏光ワイヤは、エッチング反応の副産物として形成することができる。
次に、図８に示すように、異方性エッチングを行って、ベース６３内のレジストの外側に、垂直にエッチングを行い７１、垂直側壁を持つ下部ステップ８３をベース６３内に残す。上述した異方性エッチング、または、後で行われる異方性エッチングは、エッチング再堆積のために最適化され、下部ステップの垂直側壁に沿ってエッチング再堆積を行い、さらなるエッチング再堆積ワイヤ８４を作成する。
ベースおよび／または薄膜の材料およびエッチングの種類に応じて、エッチング再堆積ワイヤ７４および８４が、金属酸化物、金属合金、金属ハロゲン化物、金属炭化物、および有機金属、またはこれらの組み合わせからなっていてよい。異方性エッチングの前に複数の等方性エッチングを行い、各後続する等方性エッチングに、本質的に前の等方性エッチングよりも少ない等方性を持たせることで、全てのレジスト幅Ｒについて４を超える数のワイヤが製造される。
図９から図１０に示すように、異方性エッチングを続け、レジストを除去して、９１とワイヤとの間のベース６３をエッチングして、１０１とエッチング再堆積ワイヤ７４および８４との間のベース６３を実質的にまたは完全に除去して、元のレジスト幅Ｒそれぞれについて、少なくとも４つの別個のエッチング再堆積ワイヤ７４および８４を残す。
図１１に示すように、１つのワイヤ群は、中央ワイヤ１１２ｃと外側のワイヤ１１２ｏとを含む３つのワイヤを有してよい。この構造の製造方法は、脚部７３が２つの中央ワイヤが望ましい場合より小さいことを除いて、上述したものに類似している。したがって、脚部７３の両側からエッチング再堆積を始めるが、図５に示すように２つの中央ワイヤ５２ｃではなくて、１つの中央ワイヤ１１２ｃを残して、脚部７３が実質的にまたは完全にエッチングにより除去される。１つの中央ワイヤ１１２ｃは、少なくとも４つのワイヤをもつ構造について上述したように、外側のワイヤ１１２ｏより高くてもよいし、または、外側のワイヤと実質的に同じ高さであってもよい。中央ワイヤが収束して、異方性エッチングの前に複数の等方性エッチングを行う場合には、各群に少なくとも５つの奇数の数のワイヤを持つ構造があってよい。
群のワイヤの幅の間に大きな差があることが望ましい場合には、各群の中央に１つのワイヤをもつ構造が有利だろう。図１１に示すように、中央ワイヤ７２ｃの幅ｗ１は、群の外側のワイヤ７２ｏの幅ｗ２より実質的に広い。
＜マルチステップのワイヤグリッド偏光子＞
図１２に示すように、マルチステップの、ナノメートルサイズの素子または偏光子１２０は、ベース１２１に設けられた複数の平行なマルチステップのリブ１２２をもつベース１２１を含む。偏光子が、最も通常の用途であるので、偏光子という用語が、今後ナノメートルサイズの素子という代わりに利用されるが、素子１２０は、他の用途にも利用することができる。各リブ１２２は、高さｈの異なる、または、異なる高度に配置された複数の隣接するステップＳを含む。各リブ１２２は、上部の水平表面Ｈ１に上部の垂直表面Ｖ１が側面に設けられた、上部ステップＳ１を含む。水平および垂直という用語は、図面の素子の向きに対して使用されており、素子は様々な異なる角度に配置することができることを理解されたい。各リブはさらに、少なくとも１つの下部ステップ、または、２つの水平表面をもち、それぞれ、そのステップの垂直表面および隣接するステップの垂直表面が側面に設けられた一対のステップ（１つのステップが上部ステップのいずれかの側面に設けられている）を含む。したがってステップまたは一対のステップは、上部ステップの両側面に設けられ、断面でみたとき段をもつピラミッド形状に形成される。
図１２に示すように、マルチステップの、ナノメートルサイズの素子または偏光子１２０は、ベース１２１に設けられた複数の平行なマルチステップのリブ１２２をもつベース１２１を含む。偏光子が、最も通常の用途であるので、偏光子という用語が、今後ナノメートルサイズの素子という代わりに利用されるが、素子１２０は、他の用途にも利用することができる。各リブ１２２は、高さｈの異なる、または、異なる高度に配置された複数の隣接するステップＳを含む。各リブ１２２は、上部の水平表面Ｈ１に上部の垂直表面Ｖ１が側面に設けられた、上部ステップＳ１を含む。水平および垂直という用語は、図面の素子の向きに対して使用されており、素子は様々な異なる角度に配置することができることを理解されたい。各リブはさらに、少なくとも１つの下部ステップ、または、２つの水平表面をもち、それぞれ、そのステップの垂直表面および隣接するステップの垂直表面が側面に設けられた一対のステップ（１つのステップが上部ステップのいずれかの側面に設けられている）を含む。したがってステップまたは一対のステップは、上部ステップの両側面に設けられ、断面でみたとき段をもつピラミッド形状に形成される。
たとえば図１２の素子は、２つの下部ステップＳ２およびＳ３をもつ。中間のステップＳ２は、中間の水平表面Ｈ２と、中間の垂直表面Ｖ２とを含む。中間の水平表面Ｈ２は、上部の垂直表面Ｖ１と中間の垂直表面Ｖ２とを側面に備える。下部ステップＳ３は、下部の水平表面Ｈ３と下部の垂直表面Ｖ３とを含む。下部の水平表面Ｈ３は、中間の垂直表面Ｖ２と下部の垂直表面Ｖ３とを側面に備える。
リブは、２つを超える、または２つ未満の下部ステップを有することもできる。各ステップＳは、ステップＳの垂直表面Ｖに沿って被膜Ｃを含む。いずれかのステップＳの垂直表面Ｖに沿った被膜Ｃは、隣接する（上部または下部）ステップＳの垂直表面Ｖに沿った被膜Ｃからは分離されていてよい（たとえば中間の水平表面Ｈによって）。その水平表面Ｈの幅または長さＨＬは、被膜Ｃの厚みより大きくてよい。たとえば図１２では、ステップ間で被膜が連続しておらず、上部ステップＳ１の被膜Ｃ１は、中間ステップＳ２の被膜Ｃ２とは物理的に別であり、中間ステップＳ２の被膜Ｃ２は、下部ステップＳ３の被膜Ｃ３と物理的に別である。被膜Ｃは、異なる高度に複数の被膜の対または複数の被膜対を形成することができる（たとえば、上部被膜の対Ｃ１、および少なくとも１つの下部被膜の対（たとえば中間被膜の対Ｃ２および下部被膜の対Ｃ３））。素子を偏光子に利用し、対象波長を偏光する被膜Ｃを選択する場合には、被膜Ｃが、偏光被膜リブとして考えることができる。したがって被膜は、導電被膜（conductive coating）であってよく、ワイヤを画定していてよい。
上部ステップおよび下部ステップは、異なる高度（elevatoinal height）ｈにあってよく、これにより断面でみたとき段のあるピラミッド形状が画定されている。たとえば図１２に示すように、高度同士は等しくない（ｈ１≠ｈ２≠ｈ３であり、ｈ１＞ｈ２＞ｈ３である）。ステップの高さは、エッチング深さによって決定することができる。本発明の一部の実施形態は、あるアスペクトでは約２００ｎｍ未満であり、別のアスペクトでは約１００ｎｍ未満である、上部ステップの高度を有していてよい。リブ、または、ステップもしくはステップの対の幅は、上部ステップから増していき、リブが断面でみたときピラミッド形状の段がつくようになっている。
被膜材料Ｃは、アルミニウム、銅、ゲルマニウム、酸化チタン、タンタル、または金属合金等の金属であっても、アルミニウム、銅、ゲルマニウム、酸化チタン、タンタル、または金属合金等の金属を含んでもよい。被膜材料Ｃは、シリコン、シリコンカーバイド、Fe2Si、又はハフニウム等の誘電材料であってもよい。素子がワイヤグリッド偏光子として利用される場合には、被膜材料Ｃは、対象波長を最適に偏光する材料であってよい。たとえばゲルマニウムを赤外線に利用して、可視光にアルミニウムを利用して、酸化チタンを紫外線に利用することができるだろう。
図１３に示すように、偏光子１２０ｂのベース１２１は、基板１３１と少なくとも１つの薄膜層１３２とを含んでよい。基板１３１は、入ってくる電磁放射を透過する材料を含んでよい。基板１３１は、水晶、シリコン、またはゲルマニウム等の可撓性のない材料であってよい。基板１３１はさらに、鋳造膜、ポリマー、または押し型基板等の可撓性の材料であってもよい。膜層１３２は、反射防止被膜、透過膜、吸収膜、その他の所望の光学特性を有する膜であってよい。
素子のリブ１２２は、ベース１２１と同じ材料を含んでよく、たとえばエッチングによってベース１２１に一体形成されてよい（図１２参照）。または、リブが、ベースと物理的に別個であってもよい（図１３参照）。加えて、リブ１２２は、ベース１２１とは別の材料を含んでよい。リブ１２２は、異なる材料からなる少なくとも２つの層を含んでよい。各ステップは、異なる材料からなる複数の層を含んでよい。ステップＳは、別のステップＳとは異なる材料から形成することができる。各ステップＳは、それぞれ別の材料から形成されてよい。所望の偏光特性（たとえばＴｐ、Ｔｓ、コントラスト、または吸収の最適化）を得るために、複数の層を利用することができる。
被膜Ｃは非常に小さな幅ＣＷを有していてよい。被膜の幅は、あるアスペクトでは約３０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約１０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約５ｎｍ未満であってよい。被膜の幅は、予定される電磁放射の波長および／または所望のパフォーマンス特性に基づいて選択または調節することができる。非常に狭い被膜幅も、そのリブまたはステップによる構造上の支持によって支えることができる。
図１４に示すように、偏光子のリブ１２２が、垂直表面ＶＬの垂直方向の高さまたは長さを有してよい。一実施形態では、１つのステップＳの垂直方向の長さＶＬは、別のステップＳまたは全ての他のステップＳの垂直方向の長さＶＬと同じであってよい。別の実施形態では、１つのステップＳの垂直方向の長さＶＬは、別のステップＳまたは全ての他のステップＳの垂直方向の長さＶＬと異なっていてよい。例えば、ステップＳは、垂直方向の長さと実質的に等しくてよい（VL1 = VL2 = VL3）。または、ステップＳの垂直方向の長さが、等しくなくてもよい（VL1≠ VL2≠ VL3）。各ステップの垂直表面の垂直方向の長さが異なっている偏光子の被膜はそれぞれ異なる高さを有してよい。各被膜の高さは、対象波長の偏光を最適とするために、調節されてよい。別のいずれかのステップと１つのステップの垂直方向の長さＶＬの差は、あるアスペクトにおいて１０ナノメートルを超える値であってよく、別のアスペクトでは１０から５０ナノメートルであってよく、別のアスペクトでは５０から１００ナノメートルであってよく、または、別のアスペクトでは１００から２００ナノメートルであってよい。たとえばＶＬ１−ＶＬ２およびＶＬ１−ＶＬ３が、５０から１００ナノメートルの間であってよい。
ステップＳの垂直方向の長さＶＬは、ナノメートルサイズであってよい。たとえば、垂直表面のいずれかの垂直方向の長さＶＬは、あるアスペクトでは約１００ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍ未満であってよい。垂直方向の長さＶＬは、予定される電磁放射の波長および／または所望のパフォーマンス特性に基づいて選択または調節することができる。
最も幅の広いステップの水平方向の長さまたは一番下の対のステップの外側の幅（図１４のＳＬ１等）は、ステップＳを形成するために利用されるレジスト特徴部の幅（図１８のＲＷ）に略等しくてよい。可視光について現在製造されているワイヤグリッド偏光子のためのレジスト特徴部は、通常、約５０−１００ｎｍの幅を有している。したがって、外側の幅ＳＬ１ひいてはステップの最も外側の被膜間の距離は、あるアスペクトでは約１００ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約７５ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは５０−１００ｎｍであってよい。ここでも、ステップの最も外側の一番下の対のステップの幅ＳＬ１は、予定される光の波長および／または所望のパフォーマンス特性に基づいて選択または調節することができる。
図１５に示すように、リブ１２２は、隣接する被膜間のおおよそのピッチであるステップの水平表面の奥行（depth）または水平方向の長さＨＬを有してよい。ステップの水平方向の長さＨＬは、あるアスペクトでは約５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約２５ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約１０ｎｍ未満であってよい。隣接する被膜の間の最大距離は、約５０ｎｍ未満であってよく、隣接する被膜の間の最小距離は、約２０ｎｍ未満であってよい。全てのステップの水平方向の長さＨＬは、略等しくてよい(HL1 = HL2 = HL3)。あるステップの水平方向の長さＨＬは、他のステップの水平方向の長さＨＬと異なっていてよい（HL1≠ HL2またはHL1≠ HL2またはHL1≠ HL2≠ HL3）。ステップの水平方向の長さは、所望の波長の偏光を最適化するように調節されてよい。
図１２および図１３に示す実施形態では、一番低いステップまたはベースに一番近いステップとして、一番長いステップの長さＳＬのステップを有している。図１６に示すように、素子１２０ｃまたはリブ１２２ｃの一番長いステップ長ＳＬ３を持つステップが、中間のステップであり、これより短いステップ長ＳＬ５をもつステップが、一番低いステップまたはベースに一番近いステップである。
図１６に示すように、ステップは、ピラミッド形状を形成する必要はなく、リブのステップが、最も外側のリブからベースに向かうにつれて、幅が広くなっていっても、または幅が狭くなっていってもよい。後述する各連続したエッチングの等方性の性質によっては、上部ステップが、一番短いステップ長を有してもよく、または、別のステップが、一番短いステップ長を有してよい。この実施形態は、選択された波長の偏光を最適化させるのに有用だろう。
図１７に示すように、偏光子１２０ｄのワイヤ１７３は、ベース１２１の上に設けられ、マルチステップのリブ１２２から物理的に別であり、マルチステップのリブ１２２と実質的に平行であり、隣接するマルチステップのリブ１２２間に位置していてよい。被膜Ｃは誘電材料または金属であってよい。ワイヤ１７３は、誘電材料または金属であってよい。ワイヤ１７３は、被膜Ｃとは別の材料であってよい。こうすることで、異なる材料からなる偏光リブを利用することができるようになる。これは、偏光子を、電磁放射の複数の異なる波長に調節するときに有用である。
＜マルチステップのワイヤグリッド偏光子−製造方法＞
ベース１２１は、単一材料で、または、異なる材料の複数の層で準備することができる。たとえば図１３は、基板１３１および薄膜１３２からなるベース１２１を示している。リブ１２２は、ベース１２１と同じ材料であっても、基板１３１と同じ材料であっても、薄膜１３２と同じ材料であっても、または、ベース、基板、または薄膜とは異なる材料であってもよい。図１４および図１５に示すように、リブ１２２は複数の層から形成することもできる。各層は、別の層と同じ材料であってもよいし、別の層（１または複数）と別の材料であってもよい。各ステップＳは、別のステップＳとは異なる材料であってもよい。１つのステップＳは、それぞれ異なる材料の複数の層から形成されてもよい。異なる材料の複数の層は、薄膜を、化学気相成長法（ＣＶＤ）または物理気相成長法（ＰＶＤ）等のプロセスで基板に形成することにより、形成することもできる。
ベース１２１は、単一材料で、または、異なる材料の複数の層で準備することができる。たとえば図１３は、基板１３１および薄膜１３２からなるベース１２１を示している。リブ１２２は、ベース１２１と同じ材料であっても、基板１３１と同じ材料であっても、薄膜１３２と同じ材料であっても、または、ベース、基板、または薄膜とは異なる材料であってもよい。図１４および図１５に示すように、リブ１２２は複数の層から形成することもできる。各層は、別の層と同じ材料であってもよいし、別の層（１または複数）と別の材料であってもよい。各ステップＳは、別のステップＳとは異なる材料であってもよい。１つのステップＳは、それぞれ異なる材料の複数の層から形成されてもよい。異なる材料の複数の層は、薄膜を、化学気相成長法（ＣＶＤ）または物理気相成長法（ＰＶＤ）等のプロセスで基板に形成することにより、形成することもできる。
リブ１２２は、ベース１２１上に材料を堆積することで、または、ベース１２１にイオン・ミリングすることで形成することができる。リブ１２２は、図１８−図２１に示すようにベース１２１をエッチングすることでベース１２１に形成することもできる。図１８−図２１を説明する際、「ベース」という用語は、１つの材料または複数の材料の層を含んでもよい。レジスト１８１は、ベース１２１に適用することもでき、レジスト１８１は、パターニングされることで、レジスト幅ＲＷを作成することもできる（図１８参照）。図１９に示すように、等方性エッチングによって、レジスト１９２の外側の横方向にベース内へ垂直方向に、且つ、レジスト１９１の下に水平方向に、エッチングを行うことができる。前の等方性エッチングよりも多いまたは少ない等方性を有する少なくとも１つのさらなる等方性エッチングを実行することができる。例えば図２０に示すように、図１９に示すものよりも本質的に少ない等方性をもつ第２の等方性エッチングを実行して、レジスト１９２の外側の横方向にベース内へ垂直方向に、且つ、レジスト１９１の下に水平方向に、エッチングを行うことができる。前のエッチングより多いまたは少ない等方性をもつ各連続したエッチングを行うことで、さらなるステップを形成することができる。図２１に示すように、異方性エッチングを利用して、レジスト１９２の外側の横方向にベース内へエッチングを行って、レジスト１８１を除去することもできる。異方性エッチングを利用して、レジストＲＷの幅と略等しいステップ長ＳＬをもつステップを作成することができる。
ステップの水平方向の長さＨＬおよびステップの垂直方向の長さＶＬは、実行される等方性エッチングの性質によってステップの形成中に制御することができる。等方性エッチングを多く行うと、ステップの水平方向の長さＨＬが長くなる。エッチング時間を長くすると、垂直方向のステップの長さＶＬが長くなる。
リブを作成した後に、レジストを除去して、構造の表面を被膜Ｃで覆う（図２２参照）。被膜は等角、非等角、分割、原子層堆積法、スピンオン法（spin on）、またはエッチング再堆積法（etch redeposition）であってよい。次に被膜を、異方性エッチングして、被膜を水平表面から実質的に除去しつつ、垂直表面の被膜の大半は残すことができる。異方性エッチングでは、波線Ｐで示す、ベースの主面に垂直な方向の水平表面の上の被膜２２２の厚みが、これと同じ方向Ｐに沿った垂直表面の被膜２２１の厚みより小さいために、水平表面からは被膜を除去しつつ、垂直表面の被膜の実質的な部分を残すことができる。
図１６に示す構造を形成するために、前に説明した異方性エッチングステップで、主にレジスト１９２の幅の外の領域にエッチングを行った後に、さらに等方性エッチング１６１および１６２を実行してよい。等方性エッチングおよび異方性エッチングの様々な組み合わせを実行することで、様々な形状のリブを作成することができる。リブの形成後に、上述したように被膜を作成して、エッチングにより除去する。バイアスの高いエッチング（high bias etch）を利用した被膜のエッチングによって、さらに、マルチステップのリブ１２２ｃとベース１２１との間の水平表面１６３に沿って被膜を除去することができる。
図２３から図２６は、マルチステップのリブ１２２に対する被膜Ｃに加えて、さらなるワイヤ１７３が含まれている図１７の偏光子１２０ｄの製造方法を示している。図２３に示すように、薄い第１の層１７１がベース１２１の上の設けられてよい。この薄い第１の層１７１の材料は、金属等の最終ワイヤ１７３の所望の材料であってよい。第２の層が、第１の層１７１の上に設けられてよい。第２の層は、酸化物または誘電材料等のマルチステップのリブ１２２の所望の材料であってよい。次に、マルチステップのリブの構造１２２を、前述したように形成することができる。第２の層の厚みおよび等方性エッチングの期間は、マルチステップのリブ１２２を形成するエッチングステップが、第１の層１７１の表面で終了するように調節することができる。最後の異方性ステップの時間は、小さい最終ステップを形成するよう、短くすることができる。たとえば２つの上部ステップＶＬ１およびＶＬ２の垂直表面の長さは、一番低いステップの垂直表面ＶＬ３の長さよりも実質的に長い。一番低いステップＶＬ３の垂直表面の長さを抑えることにより、ベースに対して垂直の方向Ｐの被膜においては、上部ステップの垂直表面に沿った厚みよりも、一番低いステップの垂直表面に沿った厚みを、ずっと小さくすることができる。
次に、上述したように被膜Ｃを作成する。図２４に示すように、上部ステップ２４１の垂直表面に沿った被膜Ｃの厚みは、一番低いステップ２４２の垂直表面に沿った被膜の厚みよりもずっと長くすることができる。一番低いステップ２４２に沿った被膜の厚みは、構造２４３の水平な部分に沿った厚みと比較して、あまり大きくない。
異方性エッチングを実行して、水平表面から、および、一番下のステップの垂直表面２５２から被膜を除去することができる。図２５に示すように一番低いステップの垂直表面に沿った被膜２４２の厚みが比較的小さいことによって、被膜の異方性エッチング中に、このステップ２５２の垂直表面から被膜を実質的に除去することができ、同時に、上部ステップ２５１の垂直表面の被膜を残すことができる。
次に、エッチング再堆積のために最適な異方性エッチングを実行してよい。被膜Ｃ、第２の層またはリブ１２２の材料、およびエッチングは、主に第１の層１７１がエッチングされ、被膜Ｃまたはリブ１２２は最小限エッチングされるように選択されるべきである。エッチングは、化学エッチングによって、エッチング再堆積のために最適化することができる。異方性エッチングによって、第１の層１７１内をエッチングして、エッチング再堆積ワイヤ１７３を形成することができる。異方性エッチングを続けて、図１７に示すように、１７５と、エッチング再堆積ワイヤ１７３と、マルチステップのリブ１２２との間の第１の層１７１を除去することができる。異方性エッチングを続けて、ベース内のリブ１７４の間をエッチングすることができる。このようにして、ベース１２１は、１７４と、ワイヤ１７３と、マルチステップのリブ１２２との間を、少なくとも１ｎｍの深さにまでエッチングすることができる。
上述した構成は、本発明の原理の適用を例示したに過ぎない。複数の変形例および変更例である構成が、本発明の範囲および精神を逸脱しない範囲で可能である。本発明は図面に示し、上で、現在最も現実的と思われるものおよび本発明の好適な実施形態を参照して完全に詳述したが、当業者には、複数の変形例が、ここに記載した本発明の原理および思想を逸脱せずに可能である
なお、本願明細書に記載の実施形態によれば、以下の構成もまた開示される。
［項目１］
ナノメートルサイズのマルチステップの素子であって、
（ａ）ベースと、
（ｂ）前記ベースに設けられた、複数の平行なマルチステップのリブと
を備え、
（ｃ）各リブは、各側面に複数の隣接するステップを含み、
前記複数の隣接するステップは、
（ｉ）上部の水平表面と、側面に複数の上部の垂直表面とが設けられた、上部ステップと、
（ｉｉ）前記上部ステップにおける対向する側面に２つの水平表面をもち、下部の垂直表面が側面に設けられた、少なくとも一対の下部ステップと
を有し、
前記素子は、さらに、
（ｄ）前記上部ステップおよび前記少なくとも一対の下部ステップの垂直表面に沿って設けられた被膜を備え、
（ｅ）あるステップの前記垂直表面に沿った前記被膜は、隣接するステップの垂直表面に沿った前記被膜とは別である、素子。
［項目２］
前記少なくとも一対の下部ステップは、少なくとも２対の下部ステップを含む、項目１に記載の素子。
［項目３］
前記上部ステップおよび前記下部ステップは、それぞれ異なる高度であり、断面でみたとき段をもつピラミッド形状を画定する、項目１に記載の素子。
［項目４］
ワイヤをさらに備え、
前記ワイヤは、
（ａ）前記ベースに取り付けられ、
（ｂ）前記マルチステップのリブとは物理的に分離されており、
（ｃ）前記マルチステップのリブと実質的に平行であり、隣接するマルチステップのリブの間に設けられる、項目１に記載の素子。
［項目５］
前記被膜は、原子層堆積法で形成される、項目１に記載の素子。
［項目６］
隣接する被膜間の最大距離は５０ｎｍ未満であり、隣接する被膜間の最小距離は２５ｎｍ未満である、項目１に記載の素子。
［項目７］
各被膜の幅は、約３０ｎｍ未満である、項目１に記載の素子。
［項目８］
項目１に記載の素子の製造方法であって、
（ａ）ベースに取り付けられたマルチステップのリブを形成する工程と、
（ｂ）前記ベースおよびステップの表面を被膜する工程と、
（ｃ）垂直表面の被膜を残しつつ、水平表面の被膜を除去する工程と
を備える、製造方法。
［項目９］
前記マルチステップのリブをベースに形成する工程は、
（ａ）レジストを前記ベースに形成する工程と、
（ｂ）前記レジストをパターニングして、レジストの幅を形成する工程と、
（ｃ）第１の等方性エッチングを実行して、前記レジストの外側の横方向において前記ベース内へ垂直方向に、且つ、前記レジストの下に水平方向に、エッチングを行う工程と、
（ｄ）前の等方性エッチングより小さい等方性をもつ少なくとも１つのさらなる等方性エッチングを実行して、前記レジストの外側の横方向において前記ベース内へ垂直方向に、且つ、前記レジストの下に水平方向に、エッチングを行う工程と、
（ｅ）異方性エッチングを行って、前記ベース内の前記レジストの外側の横方向においてエッチングを行って、前記レジストを除去する工程と
を有する、項目８に記載の製造方法。
［項目１０］
前記レジストの幅は、約１００ｎｍ未満である、項目９に記載の製造方法。
なお、本願明細書に記載の実施形態によれば、以下の構成もまた開示される。
［項目１］
ナノメートルサイズのマルチステップの素子であって、
（ａ）ベースと、
（ｂ）前記ベースに設けられた、複数の平行なマルチステップのリブと
を備え、
（ｃ）各リブは、各側面に複数の隣接するステップを含み、
前記複数の隣接するステップは、
（ｉ）上部の水平表面と、側面に複数の上部の垂直表面とが設けられた、上部ステップと、
（ｉｉ）前記上部ステップにおける対向する側面に２つの水平表面をもち、下部の垂直表面が側面に設けられた、少なくとも一対の下部ステップと
を有し、
前記素子は、さらに、
（ｄ）前記上部ステップおよび前記少なくとも一対の下部ステップの垂直表面に沿って設けられた被膜を備え、
（ｅ）あるステップの前記垂直表面に沿った前記被膜は、隣接するステップの垂直表面に沿った前記被膜とは別である、素子。
［項目２］
前記少なくとも一対の下部ステップは、少なくとも２対の下部ステップを含む、項目１に記載の素子。
［項目３］
前記上部ステップおよび前記下部ステップは、それぞれ異なる高度であり、断面でみたとき段をもつピラミッド形状を画定する、項目１に記載の素子。
［項目４］
ワイヤをさらに備え、
前記ワイヤは、
（ａ）前記ベースに取り付けられ、
（ｂ）前記マルチステップのリブとは物理的に分離されており、
（ｃ）前記マルチステップのリブと実質的に平行であり、隣接するマルチステップのリブの間に設けられる、項目１に記載の素子。
［項目５］
前記被膜は、原子層堆積法で形成される、項目１に記載の素子。
［項目６］
隣接する被膜間の最大距離は５０ｎｍ未満であり、隣接する被膜間の最小距離は２５ｎｍ未満である、項目１に記載の素子。
［項目７］
各被膜の幅は、約３０ｎｍ未満である、項目１に記載の素子。
［項目８］
項目１に記載の素子の製造方法であって、
（ａ）ベースに取り付けられたマルチステップのリブを形成する工程と、
（ｂ）前記ベースおよびステップの表面を被膜する工程と、
（ｃ）垂直表面の被膜を残しつつ、水平表面の被膜を除去する工程と
を備える、製造方法。
［項目９］
前記マルチステップのリブをベースに形成する工程は、
（ａ）レジストを前記ベースに形成する工程と、
（ｂ）前記レジストをパターニングして、レジストの幅を形成する工程と、
（ｃ）第１の等方性エッチングを実行して、前記レジストの外側の横方向において前記ベース内へ垂直方向に、且つ、前記レジストの下に水平方向に、エッチングを行う工程と、
（ｄ）前の等方性エッチングより小さい等方性をもつ少なくとも１つのさらなる等方性エッチングを実行して、前記レジストの外側の横方向において前記ベース内へ垂直方向に、且つ、前記レジストの下に水平方向に、エッチングを行う工程と、
（ｅ）異方性エッチングを行って、前記ベース内の前記レジストの外側の横方向においてエッチングを行って、前記レジストを除去する工程と
を有する、項目８に記載の製造方法。
［項目１０］
前記レジストの幅は、約１００ｎｍ未満である、項目９に記載の製造方法。
Claims (11)
- ワイヤグリッド偏光子を製造する製造方法であって、
（ａ）基板に設けられた平行で細長い偏光ワイヤのアレイを含むワイヤグリッド偏光子を得る工程と、
（ｂ）前記ワイヤの上面および側面に保護層を形成する工程と、
（ｃ）前記ワイヤグリッド偏光子の各ワイヤの中央部分を前記基板まで異方性エッチングして、前記基板を露呈させて、各ワイヤの高さまで、当該ワイヤの当該中央部分に間隙を形成して、２つの平行で細長い偏光ロッドを、実質的に前記ワイヤが前記基板に接触する隅部に、形成する工程と
を備える製造方法。 - 前記保護層を形成する工程は、前記ワイヤをパッシベーションする工程を含む、請求項１に記載の製造方法。
- ナノメートルサイズのマルチステップの素子であって、
（ａ）ベースと、
（ｂ）前記ベースに設けられた、複数の平行なマルチステップのリブと
を備え、
（ｃ）各リブは、各側面に複数の隣接するステップを含み、
前記複数の隣接するステップは、
（ｉ）上部の水平表面と、側面に複数の上部の垂直表面とが設けられた、上部ステップと、
（ｉｉ）前記上部ステップにおける対向する側面に２つの水平表面をもち、下部の垂直表面が側面に設けられた、少なくとも一対の下部ステップと
を有し、
前記素子は、さらに、
（ｄ）前記上部ステップおよび前記少なくとも一対の下部ステップの垂直表面に沿って設けられた被膜を備え、
（ｅ）あるステップの前記垂直表面に沿った前記被膜は、隣接する上部ステップまたは下部ステップの垂直表面に沿った前記被膜とは分離されており、
前記被膜は、偏光材料を含む、素子。 - 前記少なくとも一対の下部ステップは、少なくとも２対の下部ステップを含む、請求項３に記載の素子。
- 前記上部ステップおよび前記下部ステップは、それぞれ異なる高度であり、断面でみたとき段をもつピラミッド形状を画定する、請求項３または４に記載の素子。
- ワイヤをさらに備え、
前記ワイヤは、
（ａ）前記ベースに取り付けられ、
（ｂ）前記マルチステップのリブとは物理的に分離されており、
（ｃ）前記マルチステップのリブと実質的に平行であり、隣接するマルチステップのリブの間に設けられる、請求項３から５の何れか１項に記載の素子。 - 前記被膜は、前記ワイヤとは別の材料を含む、請求項６に記載の素子。
- 前記ワイヤは、エッチング再堆積材料を含む、請求項６または７に記載の素子。
- 前記あるステップの前記垂直表面に沿った前記被膜は、前記隣接する上部ステップまたは下部ステップの垂直表面に沿った前記被膜とは、当該隣接する上部ステップまたは下部ステップの水平表面によって分離されている、請求項３から８のいずれか１項に記載の素子。
- 請求項３から９の何れか１項に記載の素子の製造方法であって、
（ａ）ベースに取り付けられたマルチステップのリブを形成する工程と、
（ｂ）前記ベースおよびステップの表面を被膜する工程と、
（ｃ）垂直表面の被膜を残しつつ、水平表面の被膜を除去する工程と
を備える、製造方法。 - 前記マルチステップのリブをベースに形成する工程は、
（ａ）レジストを前記ベースに形成する工程と、
（ｂ）前記レジストをパターニングして、レジストの幅を形成する工程と、
（ｃ）第１の等方性エッチングを実行して、前記レジストの外側の横方向において前記ベース内へ垂直方向に、且つ、前記レジストの下に水平方向に、エッチングを行う工程と、
（ｄ）前の等方性エッチングより小さい等方性をもつ少なくとも１つのさらなる等方性エッチングを実行して、前記レジストの外側の横方向において前記ベース内へ垂直方向に、且つ、前記レジストの下に水平方向に、エッチングを行う工程と、
（ｅ）異方性エッチングを行って、前記ベース内の前記レジストの外側の横方向においてエッチングを行って、前記レジストを除去する工程と
を有する、請求項１０に記載の製造方法。
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