JP5697239B2 - サセプタ基材の加工方法及びサセプタ基材 - Google Patents

Description

本発明は、サセプタ基材の加工方法及びサセプタ基材に関する。

黒鉛材からなるサセプタ基材のウエハが載置される部分（ウエハポケット）は、切削、研削などの加工方法によって形成される（例えば特許文献１）。従来、図６に示すように、サセプタ基材５０１に形成されるウエハポケット５０３が曲面の場合、（１）刃物を曲面に沿って移動させる方法、（２）刃面が被加工面に相当するカーブ形状に形成された刃物を用いる方法、（３）上記の（１）と（２）を複合させた方法が加工方法として用いられる。（１）の加工方法は、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の３軸のＮＣ加工機でボールエンドミル等の刃物５０５の高さを制御しながら加工することができる。また、（２）の加工方法は、刃物の高さを制御するだけで、目的の曲面とすることができる。

特開２００４−２００４３６号公報

ところで、３軸のＮＣ加工機で刃物の高さを制御しながら加工する従来の加工方法では、切削痕（ツールマーク）が形成される。このツールマークは、後工程のサセプタ基材５０１にＳｉＣ被膜を形成しても残留する。そのため、Ｓｉ、ＳｉＣ、化合物半導体などのエピタキシャル成長の際にこのようなサセプタ基材を用いると、ツールマークの残留（切削痕）がウエハに転写される問題がある。また、あらかじめ指定された所定のカーブ（曲線）を持った刃物で加工する従来の加工方法は、一つの形状を大量に生産する場合には適しているが、刃物の摩耗により、徐々に加工された形状の設計値との誤差が大きくなるという問題がある。そのため、加工形状の誤差を低減するために、刃物の交換が必要となり、研削加工の設備費が増大する。

本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、その目的は、ウエハが載置される部分に切削痕ができないサセプタ基材の加工方法及びサセプタ基材を提供することにある。

本発明に係る上記目的は、下記構成により達成される。
（１） 回転刃物を用いて切削加工を行うサセプタ基材の加工方法であって、前記回転刃物の軸先端がＲ形状であり、前記回転刃物が前記サセプタ基材の上面の法線に対して所定角度傾斜させて前記サセプタ基材の切削を行い、該サセプタ基材の切削加工が行われた凹部に切削痕のない加工面を形成し、前記切削加工はダウンカット加工であることを特徴とするサセプタ基材の加工方法。

このサセプタ基材の加工方法によれば、回転刃物が、サセプタ基材の上面の法線に対して傾斜することで、切削速度「０」の非切削点、すなわち加工能力のない回転刃物の回転中心が加工面に触れ移動しなくなり、切削痕が加工面に形成されなくなる。
また、このサセプタ基材の加工方法によれば、回転刃物が高速回転することによる刃の移動方向と、回転刃物自体の移動方向とが反対方向となるため、サセプタ基材の加工面がむしれ加工になることがなく、平滑な加工面を得ることができる。なお、むしれ加工については、後ほど図４を用いて説明する。

（２） 前記サセプタ基材は、ウエハが載置される凹部を有し、前記回転刃物は該凹部の中心軸を中心に渦巻き状に黒鉛材を切削加工することを特徴とする（１）のサセプタ基材の加工方法。

このサセプタ基材の加工方法によれば、円形の面となる凹部の加工面を、回転刃物を接触させたまま連続して切削加工が行え、回転刃物が離反、再接触することによる段部等が加工面に生じないため、切削痕が発生しない。

（３） 前記回転刃物は前記サセプタ基材の凹部の中心から外周に向かって切削加工することを特徴とする（２）のサセプタ基材の加工方法。

このサセプタ基材の加工方法によれば、サセプタ基材の中心から外周に向かって渦巻き状に切削加工するので、切削加工の途中及び切削加工の完了時の加工残りの小さな突起が形成されない。そのため、突起の脱落による凹みができず加工面を欠け、あるいはむしれなく加工することができる。

（４） 前記サセプタ基材の移動は、該サセプタ基材の中心を軸とした回転であることを特徴とする（１）のサセプタ基材の加工方法。

このサセプタ基材の加工方法によれば、回転刃物をサセプタ基材に接触させたまま連続して切削加工が行える。

（５） 前記回転刃物の前記サセプタ基材の上面の法線に対する所定角度は、２０〜７０度であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１つのサセプタ基材の加工方法。

このサセプタ基材の加工方法によれば、回転刃物のサセプタ基材の上面の法線に対しての傾斜角度が、７０度を越えるとサセプタ基材と切削加工機が干渉しやすくなる上に、回転刃物にかかる回転軸に垂直なラジアル荷重成分が大きくなるため、回転刃物が撓んで加工精度が出せなくなる。また、回転刃物のサセプタ基材の上面の法線に対しての傾斜角度が、２０度未満であると光沢のあるサセプタ基材の切削痕が形成されやすくなる。

（６） 前記凹部の形状は、該凹部の底面が曲面であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれか１つのサセプタ基材の加工方法。

このサセプタ基材の加工方法によれば、サセプタ基材の凹部の底面が曲面であるので、サセプタ基材の凹部にウエハが載置されて成膜処理を行う場合、ウエハに熱変形が生じてもサセプタ基材とウエハとの間隔を小さくできるので、サセプタからウエハに均等に伝熱できるサセプタを得ることができる。

（７） 前記凹部の底面が凸状の曲面であることを特徴とする（６）のサセプタ基材の加工方法。

このサセプタ基材の加工方法によれば、サセプタ基材の凹部の底面が凸状の曲線であるので、上面が凸方向に変形する化合物半導体のウエハがサセプタ基材の凹部に載置されて成膜処理を行う場合、ウエハに熱変形が生じてもサセプタ基材とウエハとの間隔を小さくできるので、サセプタからウエハに均等に伝熱できるサセプタを得ることができる。

（８） 前記凹部は、該凹部の底面が曲面を有する形状であるとともに、該底面は、前記ウエハの加工処理を行った際に発生する反りに相似する形状であることを特徴とする（２）のサセプタ基材の加工方法。

このサセプタ基材の加工方法によれば、加工処理を行ったウエハの反りに相似する形状のサセプタ基材の凹部の底面が形成されているので、ウエハ加工処理によってウエハに反りの変形が生じても、変形したウエハ形状をサセプタ基材の凹部の底部の面で確実に支持できる。そのため、サセプタからウエハに均等に伝熱できるサセプタを得ることができる。

（９） 複数の前記ウエハに対応して複数の凹部が形成される（２）のサセプタ基材の加工方法。

このサセプタ基材の加工方法によれば、複数のウエハに対する凹部が形成されるので、一つのサセプタ基材を回転させながら、複数の凹部を順次に切削加工することができる。

（１０） （１）〜（９）のいずれか１つのサセプタ基材の加工方法によって加工されたサセプタ基材。

このサセプタ基材によれば、ウエハが載置される部分に切削痕が存在しないので、面状態による熱放射率の違いによる温度ムラがウエハに生じなくなる。そのため、このサセプタを用いて製造されたウエハは製膜温度のばらつきが小さくなり、切り出される半導体製品の特性にばらつきのないウエハを製造できる。

本発明に係るサセプタ基材の加工方法によれば、ウエハが載置される部分に切削痕ができないサセプタ基材の加工方法及びサセプタ基材を得ることができる。

本発明に係るサセプタ基材によれば、切削痕による熱放射率の違いを抑止でき、ウエハ温度のムラを防止できる。

本発明に係るサセプタ基材の加工方法によって切削されているウエハが載置される部分を回転刃物と共に表した模式図である。 図１の要部拡大図である。 本発明に係るサセプタ基材の加工方法の模式図であり、（ａ）回転刃物の回転方向と、サセプタ基材の加工面の移動方向との関係を表した平面図、（ｂ）はその側面図である。 本発明に係るサセプタ基材の加工方法の模式図であり、（ａ）は図３（ａ）のＰ−Ｐ断面で、ダウンカット加工を説明する図、（ｂ）は図３（ａ）のＰ−Ｐ断面で、アップカット加工を説明する図である。 本発明に係るサセプタ基材の加工方法の模式図であり、（ａ）は５軸加工機の一例を示す側面図、（ｂ）は（ａ）の正面図である。 従来の加工方法によって切削されるサセプタ基材と、その加工状況を表した模式図である。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は本発明に係るサセプタ基材の加工方法によって切削されているウエハが載置される部分を回転刃物と共に表した模式図を示し、図２は図１の要部拡大図を示す。図３は本発明に係るサセプタ基材の加工方法の模式図を示し、（ａ）は回転刃物の回転方向及び移動方向と、サセプタ基材の移動方向との関係を表した平面図、（ｂ）はその側面図である。
本実施の形態に係るサセプタ基材１１の加工方法は、軸先端１３がＲ形状になされた回転刃物１５を用いる。この回転刃物１５には、曲面１７の切削に好適な例えばボールエンドミルを用いることができる。なお、ボールエンドミルの外に、コーナ部がＲ形状のラジアスエンドミルも加工に用いることができる。回転刃物１５は、Ｒ形状となった円周上に刃が設けられる。それぞれの刃における「すくい角」と「逃げ角」の関係は旋盤のバイトと同様となる。Ｒ形状では中心軸を中心に回転させたときに、回転刃物の切削部が凸の曲面を形成していればよく、例えば、切削部の半径０．１〜３ｍｍのボールエンドミルの外、切削部のコーナ部の曲率半径が０．１〜３ｍｍのラジアスエンドミルが利用できる。また、切削部の曲率半径は一定でなくてもよく、連続的あるいは段階的に変化して繋がったＲ形状であってもよい。

回転刃物１５は、サセプタ基材１１の上面２１の法線２３に対して所定角度θだけ傾斜させて切削加工を行い、サセプタ基材１１の切削加工が行われた凹部２５に切削痕のない加工面２７を形成する。なお、この回転刃物１５の所定角度θは、相対角度であり、回転軸２９が鉛直方向となって図に示すようにサセプタ基材１１が傾斜していてもよい。サセプタ基材１１の加工方法では、回転刃物１５が、サセプタ基材１１の上面２１の法線２３に対して傾斜することで、切削速度「０」の非切削点３１が加工面２７に触れなくなり、切削痕がサセプタ基材１１の加工面２７に形成されなくなる。

回転刃物１５は、ウエハが載置される部分の中心軸３３を中心に渦巻き状に黒鉛材からなるサセプタ基材を切削加工する。これにより、円形の面となる凹部２５の加工面２７を、回転刃物１５を接触させたまま連続して切削加工が行える。そのため、回転刃物１５がサセプタ基材の加工面の表面に離反、再接触することによる切削痕の段部等が加工面２７に生じない。

また、回転刃物１５は、サセプタ基材のウエハが載置される部分の中心から外周に向かって渦巻き状に切削加工することが好ましい。サセプタ基材を中心から外周に向かって渦巻き状に切削加工するので、切削加工の途中及び切削加工の完了後に加工残りの小さな突起を形成することがなく、加工面２７を欠け、あるいはむしれなく加工することができる。

図３は、本発明に係るサセプタ基材の加工方法の模式図であり、（ａ）回転刃物の回転方向と、サセプタ基材の加工面の移動方向との関係を表した平面図、（ｂ）はその側面図である。図４は、本発明に係るサセプタ基材の加工方法の模式図であり、（ａ）は図３（ａ）のＰ−Ｐ断面で、ダウンカット加工を説明する図、（ｂ）は図３（ａ）のＰ−Ｐ断面で、アップカット加工を説明する図である。
図３において、回転刃物１５の回転方向と、サセプタ基材１１の加工面２７の送り方向との関係は、回転刃物１５の回転方向が矢印Ａ方向で、サセプタ基材１１の加工面２７の送り方向が矢印Ｌ方向であると、図４に示すように、回転刃物１５の進行方向Ｃに対し、回転刃物１５が加工面２７を削り込むように作用する所謂ダウンカット加工、あるいは、回転刃物１５が加工面２７を削り上げるように作用する所謂ダウンカットのいずれかとなる。つまり、ダウンカット加工は、図４（ａ）に示すような加工物の表面から内部に向いて刃先を回転させて行うことができる。また、アップカット加工は、図４（ｂ）に示すような加工物の内部から表面に向けて刃先を回転させて行うことができる。

アップカット加工は刃先に安定した送り応力が与えられ、安全に加工できるが、加工面に上向きの引張力がかかり、刃先が切屑を巻き込んで加工面２７にむしれ傷を付けることがあり、黒鉛材のような脆性材料の切削加工による仕上げ加工には一般に適しない。一方、ダウンカット加工は、加工面に下向きの圧縮力がかかる。黒鉛材のような脆性材料は、圧縮強度が引張強度に比べて強い性質がある。このため、アップカット加工に比べて大きな力が加工面に必要とされる反面、切り込み深さを少なくして加工すると、切り屑が小さくなり、加工面が平滑で、欠けやむしれ傷のない綺麗な面が得られ、黒鉛材のような脆性材料の仕上げ加工に好適である。

サセプタ基材１１の移動は、サセプタ基材１１の中心を軸とした回転となる。これにより、回転刃物１５を接触させたまま連続して切削加工が行える。サセプタ基材１１にウエハ載置面が複数存在する場合にも、回転刃物１５をＸＹＺ方向にウエハ載置面に追従させて加工することにより、サセプタ基材１１を支持し直すことなく連続的に切削加工を行うことができる。回転刃物１５がサセプタ基材１１の上面２１の法線２３に対して傾斜させて切削加工を行う角度は、２０〜７０度であることが好ましい。回転刃物１５のサセプタ基材１１の上面２１の法線２３に対しての傾斜角度が、７０度を越えるとサセプタ基材と加工機が干渉しやすくなる上に、回転刃物にかかる回転軸に垂直なラジアル荷重成分が大きくなるため、回転刃物が撓んで加工精度が出せなくなる。回転刃物１５のサセプタ基材１１の上面２１の法線２３に対しての傾斜角度が、２０度未満であると光沢のある切削痕が形成されやすくなる。

サセプタ基材１１の加工方法では、サセプタ基材１１に、複数枚のウエハが載置される部分（ウエハ載置面）を形成しても良い。複数のウエハが載置される部分を形成したサセプタ基材１１としては、例えば、図６に示すように３つのウエハが載置される部分を設けたものとすることができる。複数のウエハを載置する凹部２５を有することで、一つのサセプタ基材１１を回転させながら、それぞれの凹部２５を順次に切削加工することができる。

サセプタ基材１１の切削加工が行われた凹部２５の形状は、凹部２５の底面が曲面１７を有する形状とする。曲面１７を有することで、ウエハが載置されて例えば成膜加工処理を行う場合、サセプタとウエハが点接触となりにくく、サセプタからウエハに均等に熱が伝わりやすいので、サセプタ基材１１に載置されたウエハを均熱化して、熱変形をしにくくすることができる。
なお、ウエハの成膜処理としては、例えば化合物半導体のエピタキシャル成長を挙げることができる。

また、サセプタ基材１１の切削加工が行われた凹部２５の形状は、凹部２５の底面が凸状の曲面１７を有する形状であることが好ましい。底面が凸状の曲面１７となることにより、上面が凸方向に変形する化合物半導体のウエハが載置されて成膜処理を行う場合、ウエハに熱変形が生じてもウエハとサセプタとの間隔を小さくできるので、サセプタからウエハに均等に伝熱できるサセプタを得ることができる。

また、サセプタ基材１１の切削加工が行われた凹部２５の形状は、ウエハが載置されてウエハの成膜処理を行う場合に発生するウエハの反りに相似する形状であることが好ましい。ウエハの反った形状とサセプタ基材１１の凹部の底部の形状が相似のため、ウエハ成膜処理によってウエハに反り等の変形が生じても、変形したウエハをサセプタ基材１１の凹部２５の底面で確実に支持できるためである。

次に、サセプタ基材１１の加工を、５軸加工機３９を用いて行う加工方法について説明する。
図５は本発明に係るサセプタ基材の加工方法の模式図であり、（ａ）は５軸加工機３９の一例を示す側面図、（ｂ）は（ａ）の正面図である。
５軸加工機３９は、凸曲面となるウエハ載置面の輪郭制御加工を可能とする。５軸加工機３９は、ベッド４１に不図示のコラムが固定され、コラムは回転刃物１５を高速回転させる主軸４５を備える。主軸４５は、軸線が回転刃物１５の軸中心と一致する。主軸４５は、回転刃物１５の軸中心に直交する平面内におけるＸ方向、Ｙ方向に移動自在に支持される。また、主軸４５はコラムに対して上下方向となるＺ方向に移動自在に支持される。

主軸４５の下方にはワークとなる黒鉛基材を固定する回転テーブル４７が設けられる。回転テーブル４７は、ベッド４１に固定された回動機構部４９に、中心軸４３を中心とした回転方向に回動自在に支持される。回動機構部４９は、回転刃物１５の軸中心に直交する方向の揺動軸５１を中心に、回転テーブル４７を揺動自在に支持する。つまり、５軸加工機３９は、直線３軸、回転２軸となっている。なお、この５軸加工機３９は一例であり、複数のウエハ載置面を有する黒鉛からなるサセプタ基材を、回転刃物１５を用いて傾斜させて切削加工できるものであればこれに限定されるものではない。例えば、回転テーブル側ではなく回転刃物側を揺動させる５軸加工機でも同様に切削加工できる。

次に、サセプタ基材１１の加工方法の作用を説明する。
サセプタ基材１１の加工方法では、回転刃物１５の回転軸２９とサセプタ基材１１の法線２３とを傾斜させて切削加工する。傾斜させて切削加工しているので、回転刃物１５の切削速度「０」の非切削点３１は加工に寄与せず、加工面２７はほぼ同様の加工条件となる。なお、切削速度「０」の非切削点３１は、加工能力がなく、加工面２７をこすりながら移動するだけであるので、光沢のある切削痕が形成され易い。本実施の形態のように、回転刃物１５を傾斜させて加工した場合は、加工能力のない非切削点が加工に寄与しないので、サセプタ基材の凹部の底面の表面に切削痕のない均一な加工面２７が得られることになる。

また、回転刃物１５の回転方向は、ダウンカット加工とすることが好ましい。これにより、サセプタ基材の表面から内部に向けて刃先が回転するので切削痕又はむしれ傷等が生じにくく、切削面をきれいな仕上げ面として得ることができる。

したがって、本実施の形態に係るサセプタ基材１１の加工方法によれば、ウエハが載置される部分に切削痕又はむしれ傷等ができないサセプタ基材１１を得ることができる。

上記サセプタ基材１１の加工方法によって得られたサセプタ基材によれば、加工面２７に切削痕が存在しないので、切削痕による面状態の違いによる熱放射率の違いを抑止でき、放射率の違いによる温度ムラがサセプタ基材に載置されたウエハに生じない。その結果、エピタキシャル成長のサセプタに用いた場合に、切り出される半導体製品の特性にばらつきのない高品質なウエハを製造できる。

次に、回転刃物を用いてサセプタ基材を切削加工した実施例及び比較例について説明する。
試料（黒鉛からなるサセプタ基材）をステージ上に固定し、サセプタ基材の加工部の中心から外周部に向かって２５ｍｍの長さで表面測定を行う。試料はφ１００ｍｍのサセプタ基材で、サセプタ基材の加工面にφ５０ｍｍのウエハポケットが３箇所形成する。表面測定装置には、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ製Ｐ−１５（触針式）の表面粗さ計を使用する。表面測定の条件は、測定長２５ｍｍ、走査速度１００μｍ／ｓｅｃ、荷重５ｍｇとする。
[実施例１]
切削刃物がＸＹＺ方向に移動し、回転テーブルが揺動可能な５軸加工機を使用し、回転テーブルにサセプタ基材をセットしてウエハポケットを加工した。
加工ツールに半径１ｍｍのボールエンドミルを使用し、回転刃物は、傾斜角をサセプタ基材の上面の法線に対して４０度傾斜させるように追従させ、回転数を１８０００ｒｐｍとする。また、サセプタ基材の送り速度は、２１００ｍｍ／ｍｉｎとする。
回転刃物を４０度傾斜させているので、加工速度「０」の非切削点が加工面に触れず、サセプタ基材の加工面に切削痕の発生はなかった。

[比較例１]
切削刃物がＸＹＺ方向に移動可能な３軸加工機を使用し、回転テーブルにサセプタ基材をセットしてウエハポケットを加工した。
加工ツールに半径５ｍｍのフラットエンドミルを使用し、回転刃物は、回転軸を加工面に垂直とし、回転数を１８０００ｒｐｍとする。また、サセプタ基材の送り速度は、２１００ｍｍ／ｍｉｎとする。
回転刃物を傾斜させていないので、加工速度「０」の非切削点が加工面に触れて回転刃物が連続して移動していくため、後述する面粗さが実施例１と同等であるにもかかわらず、光沢のある切削痕の発生が確認された。
[比較例２]
回転刃物は、刃面が被加工面に相当するカーブ形状となる曲率半径が３３０００ｍｍ、半径２５ｍｍの大径の１枚刃を使用し、回転刃物を加工面に垂直とし、回転数を５０００ｒｐｍとして定位置で回転させる。
回転刃物として、大径刃物を用いて回転刃物の送りを行っていないので、非切削点がウエハポケットの中心部の微少領域に形成されるのみで、切削痕の発生はない。
実施例１及び比較例１，２のサセプタ基材の加工条件（ツール、傾斜角、回転数、送り速度）をまとめて表１に示し、合わせて、サセプタ基材の加工面（凹部の底面の表面）の切削痕の発生の有無を示した。

上記表１から、実施例１では比較例１と同様なエンドミルを用いて切削加工しているにもかかわらず、大径刃物を用いた比較例２と同じように切削痕の発生が見られない。
なお、実施例１及び比較例１及び比較例２において、切削加工したサセプタ加工面の表面粗さを測定した。表２に示す、実施例１及び比較例１、２の算術平均粗さ、十点平均粗さのいずれの測定結果にあっても顕著な差異がない。しかしながら、比較例１において切削痕の存在が確認できる。つまり、切削痕は表面粗さを制御することによって、発生を抑えることができず、加工する刃物の非切削点を使用せずに加工することで、切削痕の発生を抑えることができることがわかる。すなわち、非切削点を使用せずに加工する、本発明のサセプタ基材の加工方法を用いれば、確実に切削痕の発生を抑えることができると考えられる。

表中、ｎ１〜ｎ３は、一つのサセプタの３つのウエハ載置部での表面粗さの測定結果を示す。

１１ サセプタ基材
１３ 軸先端
１５ 回転刃物
１７ 曲面
２１ 上面
２３ 法線
２５ 凹部
２７ 加工面
３３ ウエハが載置される部分の中心軸

Claims (10)

1. 回転刃物を用いて切削加工を行うサセプタ基材の加工方法であって、
   前記回転刃物の軸先端がＲ形状であり、前記回転刃物を前記サセプタ基材の上面の法線に対して所定角度傾斜させて前記サセプタ基材の切削加工を行い、
   該サセプタ基材の切削加工が行われた凹部に切削痕のない加工面を形成し、
   前記切削加工はダウンカット加工であることを特徴とするサセプタ基材の加工方法。
2. 前記サセプタ基材はウエハが載置される前記凹部を有し、前記回転刃物は該凹部の中心軸を中心に渦巻き状に黒鉛材を切削加工することを特徴とする請求項１に記載のサセプタ基材の加工方法。
3. 前記回転刃物は前記サセプタ基材の凹部の中心から外周に向かって切削加工することを特徴とする請求項２に記載のサセプタ基材の加工方法。
4. 前記サセプタ基材の移動は、該サセプタ基材の中心を軸とした回転であることを特徴とする請求項１に記載のサセプタ基材の加工方法。
5. 前記回転刃物の前記サセプタ基材の上面の法線に対する角度は、２０〜７０度であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のサセプタ基材の加工方法。
6. 前記凹部は、該凹部の底面が曲面を有する形状であることを特徴とする請求項１〜請求
   項５のいずれか１項に記載のサセプタ基材の加工方法。
7. 前記凹部の形状は、該底面の底面が凸状の曲面であることを特徴とする請求項６に記載のサセプタ基材の加工方法。
8. 前記凹部は、該凹部の底面が曲面を有する形状であるとともに、該底面は、前記ウエハの加工処理を行った際に発生する反りに相似する形状であることを特徴とする請求項２に記載のサセプタ基材の加工方法。
9. 複数枚の前記ウエハに対応して複数の凹部が形成されることを特徴とする請求項２に記載のサセプタ基材の加工方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載のサセプタ基材の加工方法によって形成されるサセプタ基材。

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