JP5699783B2 - ワークの研磨方法及び研磨装置 - Google Patents
ワークの研磨方法及び研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5699783B2 JP5699783B2 JP2011100550A JP2011100550A JP5699783B2 JP 5699783 B2 JP5699783 B2 JP 5699783B2 JP 2011100550 A JP2011100550 A JP 2011100550A JP 2011100550 A JP2011100550 A JP 2011100550A JP 5699783 B2 JP5699783 B2 JP 5699783B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- temperature
- carrier plate
- slurry
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
特に近年、半導体素子の微細化と、半導体ウェーハの大口径化により、露光時における半導体ウェーハの平坦度要求が厳しくなってきているという背景から、ウェーハの研磨量を適切に制御する手法が強く希求されている。
しかし、両面研磨においては、ウェーハが主に研磨される時間と、キャリアプレートが磨耗する時間とを含むため、バッチ内での研磨レートは一定でなく、また、バッチ間にドレス工程などを行う場合には、バッチ間の時間によっても研磨レートが変化してしまう。従って、直前の両面研磨処理の実績から次のバッチ処理での研磨時間を設定する場合、誤差が生じる。
さらに、研磨パッドのライフ、キャリアプレートの磨耗状態など、副資材の劣化により、直前の研磨と次バッチでの研磨とでは研磨条件が異なってくるため、フィードバック制御による研磨時間の設定は、研磨量の精度に問題があった。特に、両面研磨においては研磨時間が長いため、この副資材の劣化による精度の低下が大きくなる。
これに対し、例えば特許文献1には、研磨中における両面研磨装置の定盤駆動トルクの低下量から、ウェーハの研磨量を制御する方法が記載されている。
その結果、ワークの両面研磨において、排スラリーの温度変化率の変化がウェーハの研磨量の正確な指標となることを新たに見出した。
そして、発明者らは、研磨後の研磨スラリーの温度を計測することにより、該温度変化率の変化の割合を指標として、目標とする研磨量を達成するための研磨量の制御を正確に行うことができることの新規知見を得た。
(1)ワークを保持する保持孔を1つ以上有するキャリアプレートにワークを保持し、研磨スラリーを供給しながら、研磨パッドが貼付された上定盤及び下定盤の間で前記キャリアプレートを回転させることにより、前記ワークの表裏面を同時に研磨する方法において、
研磨に供された、排水槽又は排水路にある前記研磨スラリーの温度を測定し、測定された前記研磨スラリーの温度変化率及び、該温度変化率の変化率を算出し、
前記温度変化率の変化率が所定の値以上となる時点を、前記ワークの厚さと前記キャリアプレートの厚さとが等しくなった時点であると判断して、研磨の終了や続行を判断して、前記ワークの研磨量の制御を行うことを特徴とする、ワークの研磨方法。
研磨後の、前記排水槽又は前記排水路にある前記研磨スラリーの温度を測定する手段と、
測定された前記研磨スラリーの温度変化率及び、該温度変化率の変化率を算出する手段と、
前記温度変化率の変化率が所定の値以上となる時点を、前記ワークの厚さと前記キャリアプレートの厚さとが等しくなった時点であると判断して、研磨の終了や続行を判断して、前記研磨装置を制御する手段と、
をさらに備えていることを特徴とする、ワークの研磨装置。
また、研磨量の正確な制御によって、研磨不足による再研磨の必要がなくなり、ウェーハ製造工程における生産性が向上する。
さらに、所期した磨耗量を超えることもなくなるため、ウェーハ不良の発生やキャリアプレートの磨耗を防止することもできる。
発明者らは、上述した従前のトルク変化に基づくウェーハの研磨量の制御が不十分であることから、これに代わる手段について鋭意模索した。
まず、発明者らは、研磨中にウェーハ及びキャリアプレートと研磨パッドとの摩擦熱や、研磨スラリーと被研磨対象物(ウェーハ)との反応熱が発生することから、ウェーハの研磨量の指標として、ウェーハ研磨装置の各部及び供給材等の何某かの温度変化が適合する可能性を見出し、特に、研磨スラリーの温度に着目し、これを測定するために、図1、2に示す研磨装置を試作した。
図1、2に示すように、この両面研磨装置1は、ウェーハ2を保持する保持孔3を有する、1枚又は複数枚の、図示例で5枚のキャリアプレート4と、これらキャリアプレート4を載置する下定盤5と、下定盤5と対をなす上定盤6とを備えている。
上下定盤5、6の対向面には、それぞれ研磨パッド7が貼布されている。
また、キャリアプレート4は、回転可能である。図示例では、サンギア8とインターナルギア9とによって、各キャリアプレート4を回転させることができる。
キャリアプレート4は、保持孔3を1つ以上、図示例では1つ有しており、図示例で、当該保持孔3は、キャリアプレート4の中心に対して偏心している。
さらに、この研磨装置は、図示例で、排水槽10及び排水路11を有し、研磨に供された研磨スラリーが、遠心力により径方向外側へと移動して、この排水槽10から排水路11へと排出される。
さらにまた、この研磨装置は、キャリアプレート4の温度を測定する温度計測手段12を備えている。図示例では、温度計測手段12は、排水路11を流れるスラリーを測定するように設置されている。
その後ウェーハが研磨されるにつれ、図3に示すように、研磨パッド7の弾性によりキャリアプレート4と研磨パッド7が接触する面積が徐々に増大する。これにより、キャリアプレート4と研磨パッド7との摺動により生じる摩擦熱が増大する。特にこの摩擦熱によるキャリアプレート4の温度変化は顕著であるため、図4に示すように、研磨スラリーの温度も徐々に上昇する(ステップ2)。
さらに、図3に示すように、ウェーハ2が研磨されるにつれ、キャリアプレート4と研磨パッド7とがほぼ全面にわたって接触する状態となる(ステップ3初期)。この全面接触した状態で、ウェーハ2がさらに研磨され、ウェーハ2とキャリアプレート4とが同じ厚さ(定寸状態)となる(ステップ3終期)。このステップ3の初期から終期の間は、図4に示すように、研磨スラリーの温度変化率が顕著に小さくなる。これは、キャリアプレート4の接触面積が一定であり、特にスラリー温度に影響を与えるキャリアプレート4の温度変化が小さいためである。
そして、図3に示すように、定寸状態からさらに研磨を続行すると、特に、キャリアプレート4が磨耗することによるキャリアプレート4の温度増大により、図4に示すように、スラリーの温度変化率が増大する(ステップ4)。
つまり、発明者らは、研磨パッド7の弾性により、研磨パッド7とキャリアプレート4との接触状態が経時的に変化すること、キャリアプレート4が温度上昇しやすい特性を有すること、両面研磨は研磨時間が長いことなど、ワークの両面研磨方法及び装置に特有の事情により、スラリー温度が特異な時間変化を示すことを新たに見出したものである。
その結果、図5に示すように、ウェーハの厚さとキャリアプレートの厚さとが同一になる、定寸状態において、研磨に供したスラリーの温度変化率が変化することを見出した。
発明者らは、斯くの如くして、研磨スラリーの温度変化率の変化の割合を検出することにより、定寸状態となった時点を判定することができることの知見を得て、本発明を完成させるのに至ったものである。
なお、図5においてGap(μm)とは、ウェーハの厚さとキャリアプレートの厚さとの差を意味する。より具体的には、ウェーハ中心部の厚さと、ウェーハが装填されるキャリアプレートのホール内縁高さとの差を意味するものである。
図6に示す装置は、図1、2に示す装置構成に加え、測定された研磨スラリーの温度の時間変化率の変化に基づき、ウェーハの研磨量を制御する手段13をさらに備えている。
図6に示す装置を用いることにより、ウェーハ2を保持する保持孔3を有するキャリアプレート4にウェーハ2を保持し、研磨スラリーを供給しながら、研磨パッド7が貼付された上定盤6及び下定盤5の間でキャリアプレート4を回転させることにより、ウェーハ2の表裏面を同時に研磨することができる。
なお、キャリアプレート4のみならず、上下定盤5、6も回転させることができ、この場合、上下定盤5、6は互いに反対方向に回転させる。
また、研磨スラリーの種類は特に制限されないが、粒径が0.5〜2.0μm程度のコロイダルシリカ等を用いることができる。
そして、上記両面研磨に際し、温度測定手段12により、研磨に供された研磨スラリー(排スラリー)の温度を測定し、その測定された研磨スラリーの温度変化率の変化を検出することができる。
なお、温度測定手段12は、例えば、赤外センサを用いた温度計や、抵抗温度計、熱電対などを用いることができ、排水槽10、排水路11の上方など、研磨に供した直後のスラリー温度を測定できる位置に設置することが好ましい。
これにより、研磨スラリーの温度変化率の変化を捉え、以下のように研磨状態を判定することができる。
例えば、研磨スラリーの温度の時間による変化率と、該変化率の時間による変化率(スラリー温度変化率の割合)とを算出して、研磨状態を判定することができる。
具体的には、スラリーの温度変化の時間による一次微分、二次微分を算出し、二次微分値が設定した上限閾値を超えた時点を定寸状態として判断とすることができる。
ここでいう一次微分とは、算出手段を用いて、例えば1秒間の時間間隔における温度の変化量を求め、その変化量を上記時間間隔で除することにより求める。
また、二次微分とは、算出手段を用いて、例えば1秒間の時間間隔における温度変化率の変化量を求め、その温度変化率の変化量を上記時間間隔で除することにより求める。
上記のようにして求めた二次微分の値が、例えば0.00001℃/s2以上となる点が検出された時点をウェーハの厚さとキャリアプレートの厚さが等しくなる、定寸状態であると判断することができる。
スラリーの温度変化率の変化を検出して定寸状態となったものと判断した場合、要求されるウェーハの形状に応じて、研磨の終了や続行を判断して、ウェーハの研磨量を制御することができる。
例えば、定寸状態で研磨を終了する場合には、定寸状態に達したと判断すべき、スラリーの温度変化率の変化を検出した時点で、研磨装置制御手段13により、研磨装置1を停止させて研磨を終了させることができる。
なお、スラリーの温度変化率、及び該変化率の時間変化率は、温度計測手段12によって計測された温度に基づいて制御手段13にて算出しても良いし、温度計測手段12内に算出手段を設けることにより算出しても良い。さらに、温度計測手段12と制御手段13との間に、他の算出手段を介在させて行うこともできる。
また、過去における研磨の実績とは独立して、研磨量を制御することができるため、副資材の経時劣化の影響による誤差が生じない。
加えて、スラリー温度自体や、スラリー温度の変化量ではなく、スラリーの温度変化率の変化を基準として研磨量を制御するため、装置の構成部材や供給材に特別な選定や調整を必要としない。
研磨に供するウェーハとして、直径300mm、結晶方位(100)、p型のシリコンウェーハを使用した。
キャリアプレートは、初期の厚さ775μmのエポキシ樹脂にガラス繊維を複合したガラス繊維強化プラスチック(GFRP:Glass Fiber Reinforced Plastics)のプレートを用いた。
図6に示す装置において、研磨パッドは、ニッタ・ハース社製発泡ウレタン研磨布MHN15、研磨スラリーは、ニッタ・ハース社製Nalco2350を用いた。上下定盤を互いに逆方向に回転させ、キャリアプレートを上定盤と同方向に回転させて、キャリアプレート内に装填したウェーハ表面を研磨した。
温度センサは、オムロン社製E52−P6Dを用いた。
<研磨スラリーの温度の時間変化率の変化の検出方法>
温度測定手段により測定したスラリー温度について、この演算手段により、温度の時間微分を一次微分、二次微分それぞれについて算出した。
本試験では、上記一次微分及び二次微分は差分法により求めた。すなわち、ある時点tでの一次微分は、時点t±1秒の時間範囲での温度の変化量をその時間範囲で除することにより求め、ある時点tでの二次微分は、時点t±1秒の時間範囲での一次微分の値の変化量をその時間範囲で除することにより求めた。
まず、温度の時間変化(一次微分)について、最小値を求めた。最小値は、二次微分の符号が負から正に変化する時点における、一次微分の値を最小値とした。
次いで、二次微分の閾値を0.9×10−5(℃/s2)に設定し、上記一次微分が最小値になった以降において、二次微分がこの閾値を超えた時点を定寸状態となった位置と判定して研磨を終了した。
研磨終了後のウェーハ中心部の厚さをWafersightを用いて測定し、キャリアプレートのホール内縁高さをマイクロメータを用いて測定したところ、ウェーハの厚さは、775.11μm、キャリアプレートの厚さは、775μmであり、Gapは0.11μmであり、ほぼ定寸状態で研磨を終了することができた。
2 ワーク(ウェーハ)
3 保持孔
4 キャリアプレート
5 下定盤
6 上定盤
7 研磨パッド
8 サンギア
9 インターナルギア
10 排水槽
11 排水路
12 温度測定手段
13 研磨装置制御手段
Claims (2)
- ワークを保持する保持孔を1つ以上有するキャリアプレートにワークを保持し、研磨スラリーを供給しながら、研磨パッドが貼付された上定盤及び下定盤の間で前記キャリアプレートを回転させることにより、前記ワークの表裏面を同時に研磨する方法において、
研磨に供された、排水槽又は排水路にある前記研磨スラリーの温度を測定し、測定された前記研磨スラリーの温度変化率及び、該温度変化率の変化率を算出し、
前記温度変化率の変化率が所定の値以上となる時点を、前記ワークの厚さと前記キャリアプレートの厚さとが等しくなった時点であると判断して、研磨の終了や続行を判断して、前記ワークの研磨量の制御を行うことを特徴とする、ワークの研磨方法。 - 研磨に供するワークを保持する1つ以上の保持孔が形成される、回転可能なキャリアプレートと、前記キャリアプレートを載置する下定盤及び、該下定盤と対をなす上定盤と、排水槽及び排水路とを備えた、ワークの両面を研磨する装置において、
研磨後の、前記排水槽又は前記排水路にある前記研磨スラリーの温度を測定する手段と、
測定された前記研磨スラリーの温度変化率及び、該温度変化率の変化率を算出する手段と、
前記温度変化率の変化率が所定の値以上となる時点を、前記ワークの厚さと前記キャリアプレートの厚さとが等しくなった時点であると判断して、研磨の終了や続行を判断して、前記研磨装置を制御する手段と、
をさらに備えていることを特徴とする、ワークの研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011100550A JP5699783B2 (ja) | 2011-04-28 | 2011-04-28 | ワークの研磨方法及び研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011100550A JP5699783B2 (ja) | 2011-04-28 | 2011-04-28 | ワークの研磨方法及び研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012232353A JP2012232353A (ja) | 2012-11-29 |
| JP5699783B2 true JP5699783B2 (ja) | 2015-04-15 |
Family
ID=47433221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011100550A Active JP5699783B2 (ja) | 2011-04-28 | 2011-04-28 | ワークの研磨方法及び研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5699783B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6635003B2 (ja) * | 2016-11-02 | 2020-01-22 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの両面研磨方法 |
| JP7031491B2 (ja) * | 2018-05-22 | 2022-03-08 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 |
| JP2025074660A (ja) * | 2023-10-30 | 2025-05-14 | 株式会社Sumco | ワークの研磨装置及び研磨方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11104955A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨終点検出方法、研磨方法及び研磨装置 |
| JP4372291B2 (ja) * | 1999-11-22 | 2009-11-25 | グンゼ株式会社 | データ生成装置及びデータ生成プログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP2005268330A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの研磨方法 |
| JP2006108125A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの両面研磨方法およびそれに用いる研磨装置 |
| JP2006216648A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板研磨装置及び基板研磨方法 |
| JP2007222988A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Ntn Corp | ラッピング加工方法および加工装置 |
| DE102007056628B4 (de) * | 2007-03-19 | 2019-03-14 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum gleichzeitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben |
-
2011
- 2011-04-28 JP JP2011100550A patent/JP5699783B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012232353A (ja) | 2012-11-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5983422B2 (ja) | ガラス基板の研磨方法及び製造方法 | |
| EP2225070B1 (en) | Nanotopography control and optimization using feedback from warp data | |
| KR101669491B1 (ko) | 워크의 양면 연마 장치 및 방법 | |
| TWI614802B (zh) | 晶圓研磨方法及研磨裝置 | |
| JP5708864B2 (ja) | ワークの研磨装置 | |
| JP7010166B2 (ja) | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 | |
| CN105980105B (zh) | 工件的加工装置及工件的加工方法 | |
| KR102274886B1 (ko) | 웨이퍼의 양면 연마 방법 | |
| JP5699783B2 (ja) | ワークの研磨方法及び研磨装置 | |
| WO2017073265A1 (ja) | 半導体ウェーハの両面研磨方法及びその両面研磨装置 | |
| TWI740068B (zh) | 工件的雙面研磨裝置及雙面研磨方法 | |
| KR102896814B1 (ko) | 워크의 양면 연마 장치 및 양면 연마 방법 | |
| JP6539467B2 (ja) | 研削加工装置 | |
| TW201943496A (zh) | 載具、載具的製造方法、載具的評估方法及半導體晶圓的研磨方法 | |
| CN100473501C (zh) | 一种化学机械抛光中延长研磨垫寿命的方法 | |
| US9511474B2 (en) | CMP head structure with retaining ring | |
| CN110303423B (zh) | 工件的研磨方法及研磨装置 | |
| JP4717472B2 (ja) | 基板研磨方法 | |
| KR20220047645A (ko) | 워크의 양면 연마 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140428 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141125 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141225 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150120 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150202 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5699783 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |