JP5709558B2 - Inspection method, imprint apparatus, and article manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、検査方法、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。 The present invention relates to an inspection method, an imprint apparatus, and an article manufacturing method.
インプリント技術は、真空プロセスなどの大がかりな装置を必要とせず、半導体デバイスを低コストで大量生産することが可能であるため、微細パターンを形成する技術として注目されている。インプリント技術では、シリコンウエハやガラスプレートなどの基板上の樹脂に微細なパターンを有するモールド(原版)を押し付けた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを剥離することで微細なパターンを形成する。 The imprint technique is attracting attention as a technique for forming a fine pattern because it does not require a large-scale apparatus such as a vacuum process and can mass-produce semiconductor devices at a low cost. In the imprint technology, the resin is cured in a state where a mold (original) having a fine pattern is pressed against the resin on a substrate such as a silicon wafer or a glass plate, and the mold is peeled off from the cured resin to form a fine pattern. Form.
インプリント技術を用いたインプリント装置においては、半導体デバイスの製造に用いられている露光装置と同様に、インプリントにより形成されたパターンの重ね合わせを検査する必要があり、それに関連する技術が提案されている(特許文献1参照)。特許文献1には、基板に既に形成されている下地マークとインプリントにより形成されたパターンとの位置ずれを検査する技術が開示されている。
In an imprint apparatus using imprint technology, it is necessary to inspect the overlay of patterns formed by imprint, as with the exposure apparatus used in the manufacture of semiconductor devices, and related technologies are proposed. (See Patent Document 1).
一方、露光装置では、レジスト・ツー・レジスト(RtoR)による重ね合わせの検査方法が提案されている(特許文献2参照)。特許文献2では、基板上のレジストに対して、第1のマークを投影した後、基板とレチクルとの相対的な位置関係を変更し、第1のマークの近傍に第2のマークを投影する。そして、第1のマーク及び第2のマークが投影された基板を現像して重ね合わせ検査装置に導入し(或いは、露光装置に備えられたアライメントスコープで)、第1のマークと第2のマークとの相対的な位置(第1のマークと第2のマークとの位置ずれ)を計測する。このようにして計測された第1のマークと第2のマークとの位置ずれに基づいて、露光装置では、重ね合わせ性能を改善するための調整や較正が行われている。 On the other hand, in the exposure apparatus, a registration inspection method using resist-to-resist (RtoR) has been proposed (see Patent Document 2). In Patent Document 2, after the first mark is projected onto the resist on the substrate, the relative positional relationship between the substrate and the reticle is changed, and the second mark is projected in the vicinity of the first mark. . Then, the substrate on which the first mark and the second mark are projected is developed and introduced into the overlay inspection apparatus (or with an alignment scope provided in the exposure apparatus), and the first mark and the second mark Relative position (positional deviation between the first mark and the second mark) is measured. Based on the positional deviation between the first mark and the second mark thus measured, the exposure apparatus performs adjustment and calibration for improving the overlay performance.
しかしながら、特許文献2に提案されている検査方法は、インプリント装置に適用することができない。これは、インプリント装置と露光装置との違いに起因する。露光装置では、基板上(のレジスト)において、マーク(第1のマーク)以外の領域には光が照射されない(即ち、第1のマーク以外の領域は露光されない)ため、次のマーク(第2のマーク)を基板上の非露光領域に続けて投影することができる。一方、インプリント装置では、基板上の樹脂にモールドを押し付けた状態で樹脂を硬化させることでパターン(マーク)を形成する(即ち、基板上の全ての樹脂が硬化した状態となっている)ため、次のマークを続けて形成することができない。なお、第1のマークを形成した後に、再度、樹脂を塗布して第2のマークを形成することも考えられる。但し、この場合には、基板上に既に形成されている第1のマークがモールドによって押し潰されてしまったり、第1のマークを覆う樹脂によって第1のマークの位置を高精度に計測できなくなったりしてしまう。 However, the inspection method proposed in Patent Document 2 cannot be applied to an imprint apparatus. This is due to the difference between the imprint apparatus and the exposure apparatus. In the exposure apparatus, on the substrate (the resist), the region other than the mark (first mark) is not irradiated with light (that is, the region other than the first mark is not exposed). Can be projected onto a non-exposed area on the substrate. On the other hand, in the imprint apparatus, a pattern (mark) is formed by curing the resin while pressing the mold against the resin on the substrate (that is, all the resins on the substrate are cured). The next mark cannot be formed continuously. In addition, after forming a 1st mark, apply | coating resin again and forming a 2nd mark is also considered. However, in this case, the first mark already formed on the substrate is crushed by the mold, or the position of the first mark cannot be measured with high accuracy by the resin covering the first mark. I will.
従って、インプリント装置では、特許文献1に提案されているように、下地マークが予め形成された基板上にインプリント装置によりマークを形成して、重ね合わせの検査を行うことが現実的である。但し、この場合には、下地マークを形成する際に成膜工程やエッチング工程が必要となるため、基板を製作するための時間やコストがかかったり、プロセス歪みなどの誤差によりマークの位置を高精度に計測できなくなったりしてしまう。
Therefore, in the imprint apparatus, as proposed in
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされたものであり、インプリント装置の重ね合わせ検査に有利な技術を提供することを例示的目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a technique advantageous for overlay inspection of an imprint apparatus.
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての検査方法は、基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置の検査方法であって、第1インプリント材を基板上に供給する第1ステップと、前記第1ステップで供給された第1インプリント材をモールドで成形して硬化させ、該硬化させた前記第1インプリント材からなる第1マークを形成する第2ステップと、第2インプリント材を前記基板上に供給する第3ステップと、前記第3ステップで供給された第2インプリント材をモールドで成形して硬化させ、該硬化させた前記第2インプリント材からなる第2マークを形成する第4ステップと、前記第2ステップで形成された前記第1マークと前記第4ステップで形成された前記第2マークとの相対位置を計測する第5ステップと、を有し、前記第3ステップでは、前記第2ステップで形成された前記第1マークに前記第2インプリント材が接触しないように、前記第2インプリント材の供給位置と供給量とを含む条件を設定して、前記第2インプリント材を供給する、ことを特徴とする。 In order to achieve the above object, an inspection method according to one aspect of the present invention is an inspection method for an imprint apparatus that performs imprint processing for forming a pattern on the substrate by forming an imprint material on the substrate with a mold. A first step of supplying a first imprint material onto a substrate; and curing the first imprint material supplied in the first step by molding with a mold. A second step of forming a first mark made of a printing material ; a third step of supplying a second imprinting material onto the substrate; and a second imprinting material supplied in the third step is molded by a mold. cured Te, fourth step and said fourth step and said first mark formed in the second step of forming a second mark consisting of the was cured second imprint material A fifth step of measuring a relative position with respect to the formed second mark, and in the third step, the second imprint material contacts the first mark formed in the second step. In order to prevent this, the second imprint material is supplied by setting conditions including the supply position and supply amount of the second imprint material.
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。 Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.
本発明によれば、例えば、インプリント装置の重ね合わせ検査に有利な技術を提供することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to provide a technique advantageous for overlay inspection of an imprint apparatus.
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member and the overlapping description is abbreviate | omitted.
<第1の実施形態>
図1は、本発明の一側面としてのインプリント装置100の構成を示す概略図である。インプリント装置100は、基板上のインプリント材(典型的には、樹脂であり、以下では、「樹脂」とする)をモールドで成形して基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an
図1を参照するに、基板(ウエハ)1は、チャック2に保持される。微動ステージ3は、基板1のZ軸回りの回転を補正する機能、基板1のZ軸方向の位置を補正する機能及び基板1の傾きを補正する機能を有する。微動ステージ3は、基板1をX軸方向及びY軸方向の所定の位置に位置決めするためのXYステージ4に配置される。なお、微動ステージ3とXYステージ4とは、基板1を移動させる基板ステージを構成する。
Referring to FIG. 1, a substrate (wafer) 1 is held by a chuck 2. The
XYステージ4は、ベース定盤5に載置される。微動ステージ3には、微動ステージ3のX軸方向及びY軸方向の位置を計測するレーザ干渉計からの光を反射するバーミラー(不図示)が取り付けられている。
The
モールド10は、基板1に転写すべきパターンを表面に有し、モールドチャック11に固定される。モールドチャック11は、モールドステージ12に載置される。モールドステージ12は、モールド10のZ軸回りの傾きを補正する機能を有する。モールドチャック11のX軸方向及びY軸方向の位置は、アライメント棚18に支持されたレーザ干渉計によって計測される。
The
モールドチャック11及びモールドステージ12のそれぞれは、UV光源16からコリメータレンズを介して照射されるUV光を通過させる開口(不図示)を有する。また、モールドチャック11(又はモールドステージ12)には、モールド10の押し付け力(押印圧)を検出するためのロードセルが配置されている。
Each of the
ガイドバープレート13は、一端がモールドステージ12に固定され、天板9を貫通するガイドバー14の他端を固定する。モールド昇降用アクチュエータ15は、エアシリンダ又はリニアモータで構成され、ガイドバー14をZ軸方向に駆動して、モールドチャック11に保持されたモールド10を基板1に押し付けたり、基板1から引き離したりする。アライメント棚18は、支柱19を介して天板9に懸架される。アライメント棚18には、ガイドバー14が貫通している。また、アライメント棚18には、例えば、斜入射像ずれ方式を用いて、チャック2に保持された基板1の高さ(平坦度)を計測するための高さ計測系(不図示)が配置されている。
One end of the
モールドアライメント用のTTM(スルー・ザ・モールド)アライメントスコープ20は、基板ステージ上の基準マークとモールド10に設けられたアライメントマークとを観察するための光学系及び撮像系を有する。TTMアライメントスコープ20は、基板ステージとモールド10とのX軸方向及びY軸方向の位置ずれを計測する。
A TTM (through-the-mold)
樹脂供給部27は、基板1の表面に液状の光硬化型の樹脂(レジスト)を滴下するノズルを含むディスペンサヘッドで構成され、基板上に樹脂を供給(塗布)する機能を有する。樹脂供給部27は、例えば、ピエゾジェット方式やマイクロソレノイド方式などを採用し、基板上に1pL(ピコリットル)程度の非常に微小な容積の樹脂を供給することができる。また、樹脂供給部27を構成するディスペンサヘッドは、シングルノズルであってもよいし、ノズルの数が100を超えるリニアノズルアレイであってもよい。
The resin supply unit 27 includes a dispenser head including a nozzle that drops liquid photo-curing resin (resist) onto the surface of the
オフアクシスアライメント(OA)スコープ40は、基板上の複数のショットに設けられたアライメントマークを計測し、複数のショットのそれぞれの位置を決定するグローバルアライメント処理を行う。TTMアライメントスコープ20によってモールド10と基板ステージとの位置関係を求め、OAスコープ40によって基板ステージと基板1との位置関係を求めることでモールド10と基板1との相対的な位置合わせを行うことができる。
The off-axis alignment (OA)
制御部50は、CPUやメモリなどを含み、インプリント装置100の全体(動作)を制御する。制御部50は、インプリント処理に関する動作を調整する際に必要となるインプリント装置100の性能(例えば、重ね合わせ)を検査する検査処理を制御する。また、制御部50は、かかる検査処理の検査結果に基づいて、インプリント処理に関する動作を制御する。
The
図2を参照して、制御部50によるインプリント装置100の検査処理(即ち、インプリント装置100の検査方法)について説明する。図2(a)は、インプリント装置100の検査処理を説明するためのフローチャートであって、図2(b)は、インプリント装置100の検査処理の各処理における基板1及びモールドの状態を示す概略断面図である。なお、図2(b)では、説明をわかりやすくするために、モールドのパターン(段差量)や基板1に形成されるマーク(段差量)を誇張して図示している。
With reference to FIG. 2, the inspection process of the imprint apparatus 100 (that is, the inspection method of the imprint apparatus 100) by the
S100(第1ステップ)では、樹脂供給部27を用いて、基板ステージに載置された基板1に樹脂(第1インプリント材)R1を供給する。なお、S100の前に、スピンコートなどを用いて、基板1に密着剤を供給(塗布)しておいてもよい。かかる密着剤は、基板1と樹脂との密着性を向上させる目的で使用される。
In S100 (first step), the resin (first imprint material) R1 is supplied to the
S101(第2ステップ)では、第1の樹脂マーク(検査用の第1マーク)WM1を形成する。具体的には、S100で供給された樹脂R1に第1のマークパターンTM1を有するモールドを押し付けた状態でUV光を照射して樹脂R1を硬化させ、硬化させた樹脂R1からモールドを剥離することで第1の樹脂マークWM1を形成する。このように、S101では、インナーマークである第1の樹脂マークWM1が基板上に形成される。この際、基板上の第1の樹脂マークWM1が形成されない領域(非マーク領域)には、モールドの押し付け力や樹脂R1の供給量で決まる残膜が発生する。残膜は、一般に、10nmから数十nm程度の厚さとなる。 In S101 (second step), a first resin mark (first mark for inspection) WM1 is formed. Specifically, the resin R1 is irradiated with UV light in a state where the mold having the first mark pattern TM1 is pressed against the resin R1 supplied in S100, and the mold is peeled off from the cured resin R1. Thus, the first resin mark WM1 is formed. Thus, in S101, the first resin mark WM1 that is an inner mark is formed on the substrate. At this time, a remaining film determined by the pressing force of the mold and the supply amount of the resin R1 is generated in a region (non-mark region) where the first resin mark WM1 is not formed on the substrate. The remaining film generally has a thickness of about 10 nm to several tens of nm.
S102では、S101で第1の樹脂マークWM1が形成された基板上に供給すべき樹脂(第2インプリント材)R2の供給位置(供給領域)を決定する。なお、樹脂R2の供給位置の決定に関しては、後で詳細に説明する。 In S102, the supply position (supply region) of the resin (second imprint material) R2 to be supplied on the substrate on which the first resin mark WM1 has been formed in S101 is determined. The determination of the supply position of the resin R2 will be described later in detail.
S103(第3ステップ)では、樹脂供給部27を用いて、S102で決定した供給位置に基づいて、第1の樹脂マークWM1が形成された基板1に樹脂(第2の樹脂)R2を供給する。後述するように、S103では、樹脂R2に第2のマークパターンTM2を有するモールドを押し付けたときに樹脂R2が第1の樹脂マークWM1に接触しないように、樹脂R2が供給される。本実施形態では、図2(b)に示すように、基板1に形成された第1の樹脂マークWM1の外側に樹脂R2が供給される。なお、樹脂R2の供給量は、S100で供給された樹脂R1の供給量と同じでよい。また、図2(b)では、樹脂R1と樹脂R2とを区別して示しているが、樹脂R1と樹脂R2とは同じ種類の樹脂であってもよいし、異なる種類の樹脂であってもよい。
In S103 (third step), the resin (second resin) R2 is supplied to the
S104(第4ステップ)では、第2の樹脂マーク(検査用の第2マーク)WM2を形成する。具体的には、S103で供給された樹脂R2に第2のマークパターンTM2を有するモールドを押し付けた状態でUV光を照射して樹脂R2を硬化させ、硬化させた樹脂R2からモールドを剥離することで第2の樹脂マークWM2を形成する。このように、S104では、アウターマークである第2の樹脂マークWM2が基板上に形成される。この際、樹脂R2は、モールドを押し付けることで広がるが、上述したように、第1の樹脂マークWM1に接触することはない。 In S104 (fourth step), a second resin mark (second mark for inspection) WM2 is formed. Specifically, the resin R2 supplied in S103 is irradiated with UV light in a state where the mold having the second mark pattern TM2 is pressed, and the resin R2 is cured, and the mold is peeled from the cured resin R2. Then, the second resin mark WM2 is formed. Thus, in S104, the second resin mark WM2 that is the outer mark is formed on the substrate. At this time, the resin R2 spreads by pressing the mold, but does not contact the first resin mark WM1 as described above.
図2(b)に示すように、第2のマークパターンTM2の下の基板上には、第1の樹脂マークWM1を形成する際に発生した残膜が存在する。第2のマークパターンTM2を有するモールドは、基板1に形成された第1の樹脂マークWM1の上に、モールドを樹脂R2に押し付けた状態において第1の樹脂マークWM1が押し潰されることを防止する凹部Aを含む。なお、モールドの凹部Aの段差量は、基板1に残膜が存在しているため、他のパターンの段差量(第2のマークパターンTM2の段差量)と同じでよく、特別に段差量を大きくする必要はない。
As shown in FIG. 2B, a residual film generated when the first resin mark WM1 is formed exists on the substrate below the second mark pattern TM2. The mold having the second mark pattern TM2 prevents the first resin mark WM1 from being crushed on the first resin mark WM1 formed on the
本実施形態では、S101とS104では、同じモールドを用いている。具体的には、第1のマークパターンTM1と第2のマークパターンTM2とを所定の距離だけ離してモールドに形成し、S101とS104との間に、基板1(基板ステージ)を所定の距離だけ移動させている。但し、第1のマークパターンTM1を有するモールドと、第2のマークパターンTM2を有するモールドとを準備して、S101とS103との間でモールドを交換するようにしてもよい。 In the present embodiment, the same mold is used in S101 and S104. Specifically, the first mark pattern TM1 and the second mark pattern TM2 are formed on the mold with a predetermined distance apart, and the substrate 1 (substrate stage) is moved by a predetermined distance between S101 and S104. It is moved. However, a mold having the first mark pattern TM1 and a mold having the second mark pattern TM2 may be prepared, and the mold may be exchanged between S101 and S103.
S105(第5ステップ)では、S101で形成された第1の樹脂マークWM1とS104で形成された第2の樹脂マークWM2との相対位置(即ち、第1の樹脂マークWM1と第2の樹脂マークWM2の相対的なずれ量)を計測する。なお、第1の樹脂マークWM1と第2の樹脂マークWM2との相対位置は、OAスコープ40を用いて計測することができるため、基板ステージに基板1を載置させたままの状態でS100乃至S105を実施することができる。但し、第1の樹脂マークWM1及び第2の樹脂マークWM2が形成された基板1をインプリント装置100から取り出して重ね合わせ検査装置に導入し、第1の樹脂マークWM1と第2の樹脂マークWM2との相対位置を計測してもよい。
In S105 (fifth step), the relative position between the first resin mark WM1 formed in S101 and the second resin mark WM2 formed in S104 (that is, the first resin mark WM1 and the second resin mark). WM2 relative displacement amount) is measured. Note that the relative position between the first resin mark WM1 and the second resin mark WM2 can be measured by using the
モールドのパターンの段差は、一般には、半導体デバイスのパターンの最小線幅の2倍から3倍程度のアスペクト比で形成される。例えば、最小線幅が28nm、アスペクト比が2.5倍である場合、モールドのパターンの段差は70nmとなる。第1の樹脂マークWM1及び第2の樹脂マークWM2の段差(高さ)は、モールドの第1のマークパターンTM1及び第2のマークパターンTM2の段差と同じであるため、70nmとなる。70nmの段差を有する1のマークパターンTM1及び第2のマークパターンTM2は、OAスコープ40や重ね合わせ検査装置において十分なコントラストで計測することが可能である。従って、テンプレートマッチング法や対称処理法などの公知の技術を用いて第1のマークパターンTM1及び第2のマークパターンTM2の位置を特定して、第1のマークパターンTM1と第2のマークパターンTM2との相対位置を求めることができる。
The step of the mold pattern is generally formed with an aspect ratio of about 2 to 3 times the minimum line width of the semiconductor device pattern. For example, when the minimum line width is 28 nm and the aspect ratio is 2.5 times, the level difference of the mold pattern is 70 nm. The level difference (height) between the first resin mark WM1 and the second resin mark WM2 is 70 nm because it is the same as the level difference between the first mark pattern TM1 and the second mark pattern TM2 of the mold. The one mark pattern TM1 and the second mark pattern TM2 having a step of 70 nm can be measured with sufficient contrast in the
ここで、図3を参照して、基板上に供給すべき樹脂R2の供給位置の決定(S102)について説明する。本実施形態では、第1の樹脂マークWM1が形成された基板上に樹脂R2を供給して第2の樹脂マークWM2を形成する際に、樹脂R2が第1の樹脂マークWM1に接触しないようにすることが重要である。また、基板上に第2の樹脂マークWM2を形成するためには、モールドの第2のマークパターンTM2が樹脂R2で満たされる(即ち、第2のマークパターンTM2が樹脂R2で完全に充填される)必要がある。 Here, with reference to FIG. 3, the determination of the supply position of the resin R2 to be supplied onto the substrate (S102) will be described. In the present embodiment, when the resin R2 is supplied onto the substrate on which the first resin mark WM1 is formed to form the second resin mark WM2, the resin R2 does not come into contact with the first resin mark WM1. It is important to. Further, in order to form the second resin mark WM2 on the substrate, the second mark pattern TM2 of the mold is filled with the resin R2 (that is, the second mark pattern TM2 is completely filled with the resin R2). )There is a need.
図3(a)は、インナーマークである第1の樹脂マークWM1X及びWM1Yと、アウターマークである第2の樹脂マークWM2X及びWM2Yと、第2の樹脂R2の供給位置と、第2の樹脂R2が広がる領域との関係を示している。なお、本実施形態では、第2の樹脂R2を基板上の4箇所に供給する場合を例として説明する。 FIG. 3A shows the first resin marks WM1X and WM1Y that are inner marks, the second resin marks WM2X and WM2Y that are outer marks, the supply position of the second resin R2, and the second resin R2. Shows the relationship with the area where In the present embodiment, a case where the second resin R2 is supplied to four locations on the substrate will be described as an example.
樹脂R2の供給量Vは、モールドのマークパターンの段差をt、残膜の厚さをtr、1つの樹脂マークの面積をS’とすると、樹脂R2が広がる領域の面積Sを用いて、以下の式(1)で表すことができる。
V=S・(t+tr)−S’・t ・・・式(1)
式(1)は、基板上に供給した樹脂R2の体積は、モールドを押し付けて樹脂R2が広がった場合でも保存されることを意味する。式(1)を変形すると、樹脂R2が広がる領域の面積Sは、以下の式(2)で表される。また、樹脂R2が広がる領域の半径rは、以下の式(3)で表される。
S=(V+S’・t)/(t+tr) ・・・式(2)
r=√(S/π) ・・・式(3)
基板上の4箇所に供給した樹脂R2が広がった場合に、それぞれの樹脂R2が重ならない条件から、樹脂マーク群(第1の樹脂マークWM1及び第2の樹脂マークWM2)の中心位置から樹脂R2の供給位置までの距離Dsは、以下の式(4)で表される。また、樹脂マーク群の中心位置から第2の樹脂マークWM2Xまでの距離Dmは、以下の式(5)で表される。
Ds=√2・r ・・・式(4)
Dm=(√2−1)r ・・・式(5)
従って、式(2)、式(3)及び式(4)から樹脂R2の供給位置を決定し、更に、式(5)から第2の樹脂マークWM2の位置を決定することができる。なお、樹脂供給部27による樹脂の供給量や供給位置にばらつきがある場合には、かかるばらつきを考慮して、樹脂R2の供給位置や第2の樹脂マークWM2の位置を樹脂マーク群の中心位置から離すようにするとよい。
The supply amount V of the resin R2 is as follows using the area S of the region where the resin R2 spreads, where t is the step of the mark pattern of the mold, tr is the thickness of the remaining film, and S 'is the area of one resin mark. (1).
V = S · (t + tr) −S ′ · t (1)
Equation (1) means that the volume of the resin R2 supplied onto the substrate is preserved even when the resin R2 spreads by pressing the mold. When the equation (1) is transformed, the area S of the region where the resin R2 spreads is expressed by the following equation (2). Further, the radius r of the region where the resin R2 spreads is expressed by the following formula (3).
S = (V + S ′ · t) / (t + tr) (2)
r = √ (S / π) (3)
When the resin R2 supplied to four locations on the substrate spreads, the resin R2 from the center position of the resin mark group (first resin mark WM1 and second resin mark WM2) from the condition that the respective resins R2 do not overlap. The distance Ds to the supply position is expressed by the following equation (4). The distance Dm from the center position of the resin mark group to the second resin mark WM2X is expressed by the following formula (5).
Ds = √2 · r (4)
Dm = (√2−1) r (5)
Therefore, the supply position of the resin R2 can be determined from the expressions (2), (3), and (4), and further, the position of the second resin mark WM2 can be determined from the expression (5). If there is a variation in the amount and position of the resin supplied by the resin supply unit 27, the supply position of the resin R2 and the position of the second resin mark WM2 are set to the center position of the resin mark group in consideration of such variation. It is good to keep away from.
以下、樹脂R2の供給位置や第2の樹脂マークWM2の位置について数値例を挙げて説明する。樹脂R2の供給量Vを1pL(1000μm3)、モールドのマークパターンの段差tを70nm、残膜の厚さtrを15nmとする。また、樹脂マークの寸法を幅1μm、高さ20μmとし、1つの樹脂マークの面積S’を20μm2とする。 Hereinafter, the supply position of the resin R2 and the position of the second resin mark WM2 will be described with numerical examples. The supply amount V of the resin R2 is 1 pL (1000 μm 3 ), the step t of the mark pattern of the mold is 70 nm, and the thickness tr of the remaining film is 15 nm. The resin mark has a width of 1 μm and a height of 20 μm, and an area S ′ of one resin mark is 20 μm 2 .
この場合、上述した式から、樹脂R2が広がる領域の半径rは61.2μm、樹脂マーク群の中心位置から樹脂R2の供給位置までの距離Dsは86.6μm、樹脂マーク群の中心位置から第2の樹脂マークWM2Xまでの距離Dmは25.4μmと求まる。 In this case, from the above equation, the radius r of the region where the resin R2 spreads is 61.2 μm, the distance Ds from the center position of the resin mark group to the supply position of the resin R2 is 86.6 μm, and the distance from the center position of the resin mark group is The distance Dm to the second resin mark WM2X is 25.4 μm.
次いで、樹脂供給部27による樹脂の供給量のばらつきが±10%である場合、即ち、樹脂供給部27による樹脂の供給量が0.9pL〜1.1pLの範囲でばらつく場合を考える。 Next, consider the case where the variation in the amount of resin supplied by the resin supply unit 27 is ± 10%, that is, the case where the amount of resin supplied by the resin supply unit 27 varies in the range of 0.9 pL to 1.1 pL.
まず、樹脂供給部27による樹脂の最大の供給量Vmaxを式(2)のVに代入し、樹脂R2が広がる領域の半径r_max及び樹脂マーク群の中心位置から樹脂R2の供給位置までの距離Ds_maxを求める。上述した数値例の場合には、樹脂R2が広がる領域の半径r_maxは64.2μm、樹脂マーク群の中心位置から樹脂R2の供給位置までの距離Ds_maxは90.8μmと求まる。 First, the maximum resin supply amount Vmax by the resin supply unit 27 is substituted into V in Expression (2), the radius r_max of the region where the resin R2 spreads, and the distance Ds_max from the center position of the resin mark group to the supply position of the resin R2 Ask for. In the case of the numerical example described above, the radius r_max of the region where the resin R2 spreads is 64.2 μm, and the distance Ds_max from the center position of the resin mark group to the resin R2 supply position is 90.8 μm.
次に、樹脂供給部27による樹脂の最小の供給量Vmaxを式(2)のVに代入し、樹脂R2が広がる領域の半径r_min及び樹脂マーク群の中心位置から樹脂R2の供給位置までの距離Ds_minを求める。上述した数値例の場合には、樹脂R2が広がる領域の半径r_minは58.1μm、樹脂マーク群の中心位置から樹脂R2の供給位置までの距離Ds_minは82.2μmと求まる。 Next, the minimum supply amount Vmax of the resin by the resin supply unit 27 is substituted into V in Expression (2), the radius r_min of the region where the resin R2 spreads, and the distance from the center position of the resin mark group to the supply position of the resin R2 Ds_min is obtained. In the numerical example described above, the radius r_min of the region where the resin R2 spreads is 58.1 μm, and the distance Ds_min from the center position of the resin mark group to the supply position of the resin R2 is 82.2 μm.
樹脂R2の供給位置を決定するための条件は、上述したように、樹脂R2が基板上に形成された第1の樹脂マークWM1に接触しないように、且つ、第2の樹脂マークWM2を形成するための第2のマークパターンTM2を満たす条件となる。樹脂供給部27による樹脂の供給量Vが設計量よりも多い場合には、樹脂R2が広がる領域の半径rが大きくなり、樹脂R2が基板上に形成された第1の樹脂マークWM1に接触する可能性がある。一方、樹脂供給部27による樹脂の供給量Vが設計量よりも少ない場合には、樹脂R2が第2の樹脂マークWM2を形成するための第2のマークパターンTM2を満たさない可能性がある。 As described above, the condition for determining the supply position of the resin R2 is that the resin R2 is not in contact with the first resin mark WM1 formed on the substrate, and the second resin mark WM2 is formed. Therefore, the second mark pattern TM2 is satisfied. When the resin supply amount V by the resin supply unit 27 is larger than the design amount, the radius r of the region where the resin R2 spreads increases, and the resin R2 comes into contact with the first resin mark WM1 formed on the substrate. there is a possibility. On the other hand, when the resin supply amount V by the resin supply unit 27 is smaller than the design amount, the resin R2 may not satisfy the second mark pattern TM2 for forming the second resin mark WM2.
従って、樹脂供給部27による樹脂の供給量にばらつきがある場合には、樹脂マーク群の中心位置から樹脂R2の供給位置までの距離Ds’をDs_maxとすればよい。また、樹脂マーク群の中心位置から第2の樹脂マークWM2Xまでの距離Dm’は、以下の式(6)から求めることができる。
Dm’=Ds_max−r_min ・・・式(6)
上述した数値例の場合には、樹脂マーク群の中心位置から樹脂R2の供給位置までの距離Ds’は90.8μm、樹脂マーク群の中心位置から第2の樹脂マークWM2Xまでの距離Dm’は32.9μmと求まる。
Accordingly, when there is a variation in the amount of resin supplied by the resin supply unit 27, the distance Ds ′ from the center position of the resin mark group to the supply position of the resin R2 may be set to Ds_max. The distance Dm ′ from the center position of the resin mark group to the second resin mark WM2X can be obtained from the following equation (6).
Dm ′ = Ds_max−r_min (6)
In the numerical example described above, the distance Ds ′ from the center position of the resin mark group to the supply position of the resin R2 is 90.8 μm, and the distance Dm ′ from the center position of the resin mark group to the second resin mark WM2X is It is obtained as 32.9 μm.
このように、樹脂供給部27による樹脂の供給量にばらつきがある場合には、基板上における樹脂マーク群の領域が大きく(上述した数値例の場合には、約66μm2)となる。但し、OAスコープ40の高倍率での視野が100μm程度であれば、樹脂マーク群(第1の樹脂マークWM1及び第2の樹脂マークWM2)を十分に計測することができる。
Thus, when there is a variation in the amount of resin supplied by the resin supply unit 27, the area of the resin mark group on the substrate is large (in the case of the numerical example described above, approximately 66 μm 2 ). However, if the field of view of the
また、樹脂供給部27による樹脂の供給位置にばらつきがある場合にも同様に考えればよい。具体的には、樹脂R2が基板上に形成された第1の樹脂マークWM1に接触しないように、且つ、第2のマークパターンTM2を満たすように、樹脂R2の供給位置及び樹脂マーク群の中心位置から第2の樹脂マークWM2までの距離を決定する。 The same applies to the case where the resin supply position by the resin supply unit 27 varies. Specifically, the supply position of the resin R2 and the center of the resin mark group are set so that the resin R2 does not contact the first resin mark WM1 formed on the substrate and satisfies the second mark pattern TM2. The distance from the position to the second resin mark WM2 is determined.
なお、第1の樹脂マークWM1が形成された基板に対するモールド(第2のマークパターンTM2)及び樹脂供給部27の位置合わせについては、基板ステージに基板が載置されたままであるため、基板ステージの位置決め精度の範囲で高精度に行うことができる。また、第1の樹脂マークWM1が形成された基板をインプリント装置100から取り出した場合においても、OAスコープ40で第1の樹脂マークWM1の位置を計測することで、基板に対するモールド及び樹脂供給部27の位置合わせを行うことができる。
Note that the position of the mold (second mark pattern TM2) and the resin supply unit 27 with respect to the substrate on which the first resin mark WM1 is formed remains on the substrate stage. It can be performed with high accuracy within the range of positioning accuracy. Further, even when the substrate on which the first resin mark WM1 is formed is taken out from the
また、本実施形態では、図3(a)に示すように、インナーマークである第1の樹脂マークWM1X及びWM1Yを形成した後に、アウターマークである第2の樹脂マークWM2X及びWM2Yを形成する場合を説明した。但し、図3(b)に示すように、アウターマークである第2の樹脂マークWM2X及びWM2Yを形成した後に、インナーマークである第1の樹脂マークWM1X及びWM1Yを形成してもよい。この場合、第1の樹脂マークを形成する際に、樹脂R1が第2の樹脂マークに接触しないように、樹脂マーク群の中心位置から樹脂R2の供給位置までの距離Ds1及び樹脂マーク群の中心位置から第2の樹脂マークWM2Xまでの距離Dm1を決定する必要がある。 In the present embodiment, as shown in FIG. 3A, after forming the first resin marks WM1X and WM1Y as inner marks, the second resin marks WM2X and WM2Y as outer marks are formed. Explained. However, as shown in FIG. 3B, after forming the second resin marks WM2X and WM2Y as outer marks, the first resin marks WM1X and WM1Y as inner marks may be formed. In this case, when forming the first resin mark, the distance Ds1 from the center position of the resin mark group to the supply position of the resin R2 and the center of the resin mark group so that the resin R1 does not contact the second resin mark. It is necessary to determine the distance Dm1 from the position to the second resin mark WM2X.
例えば、樹脂R1が広がる領域の半径をrとすると、樹脂マーク群の中心位置から樹脂R2の供給位置までの距離Ds1は2r以上、樹脂マーク群の中心位置から第2の樹脂マークWM2Xまでの距離Dm1はr以上必要である。一方、インナーマークである第1の樹脂マークを形成した後に、アウターマークである第2の樹脂マークを形成する場合、樹脂マーク群の中心位置から樹脂R2の供給位置までの距離Dsは、上述したように、(√2−1)rである(式(5)参照)。従って、インナーマークである第1の樹脂マークを形成した後に、アウターマークである第2の樹脂マークを形成する場合の方が、基板上における樹脂マーク群の領域を小さく(半分以下)することができる。樹脂マーク群の領域が小さければ、OAスコープ40の倍率を高く設定することができ(即ち、分解能が高くなる)、且つ、ショット領域内に形成可能な樹脂マークの数を多くすることができるため、より高精度な検査が可能となる。
For example, if the radius of the region where the resin R1 spreads is r, the distance Ds1 from the center position of the resin mark group to the supply position of the resin R2 is 2r or more, and the distance from the center position of the resin mark group to the second resin mark WM2X Dm1 needs to be r or more. On the other hand, when forming the second resin mark as the outer mark after forming the first resin mark as the inner mark, the distance Ds from the center position of the resin mark group to the supply position of the resin R2 is as described above. Thus, (√2−1) r (see equation (5)). Therefore, in the case of forming the second resin mark as the outer mark after forming the first resin mark as the inner mark, the area of the resin mark group on the substrate can be made smaller (less than half). it can. If the area of the resin mark group is small, the magnification of the
また、本実施形態では、基板1と樹脂(樹脂R1)との密着性を向上させることを目的として、密着剤を基板1に供給することを説明した。なお、樹脂R1と樹脂R2との密着性が不十分である場合には、第1の樹脂マークWM1を形成した後(樹脂R2を基板1に供給する前)に、密着剤を供給して、樹脂R1と樹脂R2との密着性を向上させることも可能である。
Moreover, in this embodiment, supplying adhesive agent to the board |
また、本実施形態では、第1のマークパターンTM1及び第2のマークパターンTM2のそれぞれを凹形状及び凸形状とし、基板上に形成される第1の樹脂マークWM1及び第2の樹脂マークWM2のそれぞれを凸形状及び凹形状としている。但し、第1の樹脂マークWM1及び第2の樹脂マークWM2の形状は限定されるものではない。例えば、図4に示すように、1のマークパターンTM1及び第2のマークパターンTM2を凹形状とし、基板上に形成される第1の樹脂マークWM1及び第2の樹脂マークWM2を凸形状としてもよい。この場合にも、第2のマークパターンTM2を有するモールドは、基板1に形成された第1の樹脂マークWM1の上に、モールドを樹脂R2に押し付けた状態において第1の樹脂マークWM1が押し潰されることを防止する凹部Aを含む。
In the present embodiment, each of the first mark pattern TM1 and the second mark pattern TM2 has a concave shape and a convex shape, and the first resin mark WM1 and the second resin mark WM2 formed on the substrate are formed. Each has a convex shape and a concave shape. However, the shapes of the first resin mark WM1 and the second resin mark WM2 are not limited. For example, as shown in FIG. 4, the first mark pattern TM1 and the second mark pattern TM2 may be concave, and the first resin mark WM1 and the second resin mark WM2 formed on the substrate may be convex. Good. Also in this case, in the mold having the second mark pattern TM2, the first resin mark WM1 is crushed on the first resin mark WM1 formed on the
本実施形態では、第1の樹脂マークWM1及び第2の樹脂マークWM2がBar in Barの検査マークを構成する場合について説明した。但し、第1の樹脂マークWM1及び第2の樹脂マークWM2は、Box in Boxの検査マークを構成してもよい。 In the present embodiment, a case has been described in which the first resin mark WM1 and the second resin mark WM2 constitute a Bar in Bar inspection mark. However, the first resin mark WM1 and the second resin mark WM2 may constitute a Box in Box inspection mark.
このように、本実施形態のインプリント装置100は、第2のマークパターンTM2を有するモールドを押し付けたときに第1の樹脂マークWM1に接触しないように樹脂R2を供給して第2の樹脂マークWM2を形成する。従って、インプリント装置100は、レジスト・ツー・レジスト(RtoR)と同様な検査(例えば、第1の樹脂マークWM1と第2の樹脂マークWM2との位置ずれ検査)を高精度に行うことができる。また、インプリント装置100は、かかる検査結果に基づいて、目標となる相対位置からの第1の樹脂マークWM1と第2の樹脂マークWM2との相対位置ずれが低減するように、インプリント処理に関する動作を高精度に制御することができる。なお、インプリント処理に関する動作は、例えば、基板ステージやモールドステージ12の駆動パターンの設定やシステムオフセットの較正などを含む。
As described above, the
<第2の実施形態>
第1の実施形態では、S101で形成される第1の樹脂マークWM1の位置、S104で形成される第2の樹脂マークWM2の寸法、及び、樹脂R2の供給量に基づいて、S103で供給すべき樹脂R2の供給位置(供給領域)を計算で求めている。第2の実施形態では、条件だしによって、S103で供給すべき樹脂R2の供給位置及び供給量を求める。後述するように、本実施形態では、第1の樹脂マークWM1の位置と樹脂R2の供給位置との間の距離と、樹脂R2の樹脂の供給量とを変数として含む互いに異なる複数の条件を設定する。次いで、複数の条件のそれぞれについて、第1の樹脂マークWM1が形成された基板上に第2の樹脂マークWM2を形成する。そして、複数の条件のうち樹脂R2が第1の樹脂マークWM1に接触せず、且つ、第2の樹脂マークWM2の形状が基準形状を満たす条件に基づいて、S103で供給すべき樹脂R2の供給位置及び供給量を求める。
<Second Embodiment>
In the first embodiment, the supply is made in S103 based on the position of the first resin mark WM1 formed in S101, the dimension of the second resin mark WM2 formed in S104, and the supply amount of the resin R2. The supply position (supply region) of the power resin R2 is obtained by calculation. In the second embodiment, the supply position and supply amount of the resin R2 to be supplied in S103 are obtained based on conditions. As will be described later, in the present embodiment, a plurality of different conditions including the distance between the position of the first resin mark WM1 and the supply position of the resin R2 and the supply amount of the resin of the resin R2 as variables are set. To do. Next, for each of the plurality of conditions, the second resin mark WM2 is formed on the substrate on which the first resin mark WM1 is formed. The supply of the resin R2 to be supplied in S103 based on the condition that the resin R2 does not contact the first resin mark WM1 and the shape of the second resin mark WM2 satisfies the reference shape among the plurality of conditions. Find position and supply.
図5を参照して、基板上に供給すべき樹脂R2の供給位置の決定(S102)について説明する。本実施形態では、図5(a)及び図5(b)に示すように、インプリント装置100を用いて、基板上の各ショット領域に対して、第1の樹脂マークWM1を予め形成する。
With reference to FIG. 5, the determination of the supply position of the resin R2 to be supplied onto the substrate (S102) will be described. In the present embodiment, as shown in FIGS. 5A and 5B, the first resin mark WM1 is formed in advance for each shot region on the substrate using the
図5(a)及び図5(b)に示す基板に対して、第1の樹脂マークWM1の位置(中心位置)と樹脂R2の供給位置との間の距離と、樹脂R2の供給量とを変数として含む条件を設定する。次いで、各ショット領域に対して、条件を変更しながら樹脂R2を供給して第2の樹脂マークWM2を形成する。次に、第2の樹脂マークWM2をOAスコープ40で計測し、第2の樹脂R2が第1の樹脂マークWM1に接触せず、且つ、第2の樹脂マークWM2の形状が許容範囲内となる条件を特定する。そして、特定した条件に対応する第1の樹脂マークWM1の位置(中心位置)と樹脂R2の供給位置との間の距離及び樹脂R2の供給量を、S103で供給すべき樹脂R2の供給位置及び供給量として決定する。
The distance between the position (center position) of the first resin mark WM1 and the supply position of the resin R2 and the supply amount of the resin R2 with respect to the substrates shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b). Set the condition to include as a variable. Next, the second resin mark WM2 is formed by supplying the resin R2 to each shot region while changing the conditions. Next, the second resin mark WM2 is measured by the
本実施形態では、条件だしによって基板上に供給すべき樹脂R2の供給位置及び供給量を求めているため、第1の実施形態よりも基板上に供給すべき樹脂R2の供給位置及び供給量の決定に時間を要することになる。但し、本実施形態では、第2の樹脂マークWM2を実際に形成しているため、基板上に供給すべき樹脂R2の供給位置を第1の実施形態よりも正確に決定することができる。 In the present embodiment, since the supply position and supply amount of the resin R2 to be supplied onto the substrate are determined according to the conditions, the supply position and supply amount of the resin R2 to be supplied onto the substrate are more than those in the first embodiment. The decision will take time. However, since the second resin mark WM2 is actually formed in the present embodiment, the supply position of the resin R2 to be supplied onto the substrate can be determined more accurately than in the first embodiment.
<第3の実施形態>
図6を参照して、制御部50によるインプリント装置100の別の検査処理について説明する。図6(a)は、インプリント装置100の別の検査処理を説明するためのフローチャートであって、図6(b)は、インプリント装置100の別の検査処理の各処理における基板1及びモールドの状態を示す概略断面図である。なお、図6(b)では、説明をわかりやすくするために、モールドのパターン(段差量)や基板1に形成されるマーク(段差量)を誇張して図示している。
<Third Embodiment>
With reference to FIG. 6, another inspection process of the
S200では、樹脂供給部27を用いて、基板ステージに載置された基板1に樹脂R1を供給する。
In S200, the resin R1 is supplied to the
S201では、第1の樹脂マークWM1及びアライメントマークWMAを形成する。具体的には、S200で供給された樹脂R1に第1のマークパターンTM1及びアライメントマークパターンTMAを有するモールドを押し付けた状態でUV光を照射して樹脂R1を硬化させる。そして、硬化させた樹脂R1からモールドを剥離することで第1の樹脂マークWM1及びアライメントマークWMAを形成する。このように、S201では、インナーマークである第1の樹脂マークWM1とアライメントマークWMAとが基板上に形成される。 In S201, the first resin mark WM1 and the alignment mark WMA are formed. Specifically, the resin R1 is cured by irradiating the resin R1 supplied in S200 with UV light while pressing a mold having the first mark pattern TM1 and the alignment mark pattern TMA. Then, the first resin mark WM1 and the alignment mark WMA are formed by peeling the mold from the cured resin R1. Thus, in S201, the first resin mark WM1 and the alignment mark WMA that are inner marks are formed on the substrate.
S202では、S201で形成されたアライメントマークWMAを用いて、基板1のアライメントを行う。基板1のアライメントとして、本実施形態では、基板上の各ショット領域に形成されたアライメントマークWMAの位置をOAスコープ40で計測するグローバルアライメントを行う。但し、基板1のアライメントとして、基板上のショット領域ごとに、アライメントマークWMAの位置をOAスコープ40で計測して位置ずれを補正するダイバイダイアライメントを行ってもよい。
In S202, the
S203では、S201で第1の樹脂マークWM1及びアライメントマークWMAが形成された基板上に供給すべき樹脂R2の供給位置(供給領域)を決定する。なお、樹脂R2の供給位置の決定に関しては、第1の実施形態で説明した通りであるため、ここでの詳細な説明は省略する。 In S203, the supply position (supply region) of the resin R2 to be supplied on the substrate on which the first resin mark WM1 and the alignment mark WMA are formed in S201 is determined. Since the determination of the supply position of the resin R2 is as described in the first embodiment, a detailed description thereof is omitted here.
S204では、樹脂供給部27を用いて、S203で決定した供給位置に基づいて、第1の樹脂マークWM1及びアライメントマークWMAが形成された基板1に樹脂R2を供給する。本実施形態では、図6(b)に示すように、基板1に形成された第1の樹脂マークWM1の外側、且つ、アライメントマークWMAの内側に樹脂R2が供給される。なお、樹脂R2の供給量は、S200で供給された樹脂R1の供給量と同じでよい。S204では、樹脂R2に第2のマークパターンTM2を有するモールドを押し付けたときに樹脂R2が第1の樹脂マークWM1(及びアライメントマークWMA)に接触しないように、樹脂R2が供給される。
In S204, the resin supply unit 27 is used to supply the resin R2 to the
S205では、第2の樹脂マークWM2を形成する。具体的には、S204で供給された樹脂R2に第2のマークパターンTM2を有するモールドを押し付けた状態でUV光を照射して樹脂R2を硬化させ、硬化させた樹脂R2からモールドを剥離することで第2の樹脂マークWM2を形成する。このように、S205では、アウターマークである第2の樹脂マークWM2が基板上に形成される。第2のマークパターンTM2を有するモールドは、基板1に形成された第1の樹脂マークWM1の上に、モールドを樹脂R2に押し付けた状態において第1の樹脂マークWM1が押し潰されることを防止する凹部Aを含む。同様に、第2のマークパターンTM2を有するモールドは、基板1に形成されたアライメントマークWMAの上に、モールドを樹脂R2に押し付けた状態においてアライメントマークWMAが押し潰されることを防止する凹部Bを含む。
In S205, the second resin mark WM2 is formed. More specifically, the resin R2 is irradiated with UV light while the mold having the second mark pattern TM2 is pressed against the resin R2 supplied in S204, and the mold is peeled off from the cured resin R2. Then, the second resin mark WM2 is formed. Thus, in S205, the second resin mark WM2 that is the outer mark is formed on the substrate. The mold having the second mark pattern TM2 prevents the first resin mark WM1 from being crushed on the first resin mark WM1 formed on the
S206では、S201で形成された第1の樹脂マークWM1とS205で形成された第2の樹脂マークWM2との相対位置(即ち、第1の樹脂マークWM1と第2の樹脂マークWM2の相対的なずれ量)を計測する。 In S206, the relative position between the first resin mark WM1 formed in S201 and the second resin mark WM2 formed in S205 (that is, the relative relationship between the first resin mark WM1 and the second resin mark WM2). (Deviation amount) is measured.
このように、本実施形態では、第2の樹脂マークWM2を形成する前に、アライメントマークWMAを用いて基板1のアライメントを行っている。従って、第1の樹脂マークWM1と第2の樹脂マークWM2の相対的なずれ量を計測することで、インプリント装置100(OAスコープ40)のアライメント精度を検査することが可能である。なお、かかる検査結果は、アライメントオフセットとしてインプリント装置100(OAスコープ40)に反映される。
Thus, in the present embodiment, the
<第4の実施形態>
図7を参照して、制御部50によるインプリント装置100の更に別の検査処理について説明する。図7(a)は、インプリント装置100の更に別の検査処理を説明するためのフローチャートであって、図7(b)は、インプリント装置100の更に別の検査処理の各処理における基板1及びモールドの状態を示す概略断面図である。なお、図7(b)では、説明をわかりやすくするために、モールドのパターン(段差量)や基板1に形成されるマーク(段差量)を誇張して図示している。
<Fourth Embodiment>
With reference to FIG. 7, another inspection process of the
S300では、樹脂供給部27を用いて、基板ステージに載置された基板1に樹脂R1を供給する。
In step S300, the resin supply unit 27 is used to supply the resin R1 to the
S301では、第1の樹脂マークWM1を形成する。具体的には、S300で供給された樹脂R1に第1のマークパターンTM1を有するモールドを押し付けた状態でUV光を照射して樹脂R1を硬化させ、硬化させた樹脂R1からモールドを剥離することで第1の樹脂マークWM1を形成する。 In S301, the first resin mark WM1 is formed. Specifically, the resin R1 is irradiated with UV light in a state where the mold having the first mark pattern TM1 is pressed against the resin R1 supplied in S300, and the mold is peeled off from the cured resin R1. Thus, the first resin mark WM1 is formed.
S302では、S301で第1の樹脂マークWM1が形成された基板上に供給すべき樹脂R2の供給位置(供給領域)を決定する。なお、樹脂R2の供給位置の決定に関しては、第1の実施形態で説明した通りである。但し、本実施形態では、第1の樹脂マークWM1に対して十分に離れた位置を、第2の樹脂マークWM2を形成するための樹脂R2の供給位置として決定する。なお、第1の樹脂マークWM1に対して十分に離れた位置とは、第1の樹脂マークWM1及び第2の樹脂マークWM2を形成する際に、樹脂R1と樹脂R2とが重ならない位置である。 In S302, the supply position (supply region) of the resin R2 to be supplied on the substrate on which the first resin mark WM1 is formed in S301 is determined. The determination of the supply position of the resin R2 is as described in the first embodiment. However, in the present embodiment, a position sufficiently separated from the first resin mark WM1 is determined as the supply position of the resin R2 for forming the second resin mark WM2. Note that the position sufficiently separated from the first resin mark WM1 is a position where the resin R1 and the resin R2 do not overlap when the first resin mark WM1 and the second resin mark WM2 are formed. .
S303では、樹脂供給部27を用いて、S302で決定した供給位置に基づいて、第1の樹脂マークWM1が形成された基板1に樹脂R2を供給する。
In S303, the resin supply unit 27 is used to supply the resin R2 to the
S304では、第2の樹脂マークWM2を形成する。具体的には、S204で供給された樹脂R2に第2のマークパターンTM2を有するモールドを押し付けた状態でUV光を照射して樹脂R2を硬化させ、硬化させた樹脂R2からモールドを剥離することで第2の樹脂マークWM2を形成する。S304では、図7(b)に示すように、第1の樹脂マークWM1に対して十分に離れた位置に第2の樹脂マークWM2が形成される。 In S304, the second resin mark WM2 is formed. More specifically, the resin R2 is irradiated with UV light while the mold having the second mark pattern TM2 is pressed against the resin R2 supplied in S204, and the mold is peeled off from the cured resin R2. Then, the second resin mark WM2 is formed. In S304, as shown in FIG. 7B, the second resin mark WM2 is formed at a position sufficiently separated from the first resin mark WM1.
S305では、第1の樹脂マークWM1の位置を計測する。具体的には、基板ステージを用いて、第1の樹脂マークWM1がOAスコープ40の視野内に位置するように基板1を移動させ、S301で形成された第1の樹脂マークWM1の位置をOAスコープ40で計測(検出)する。
In S305, the position of the first resin mark WM1 is measured. Specifically, using the substrate stage, the
S306では、基板ステージを用いて、S305で第1の樹脂マークWM1の位置を計測した位置から第1の樹脂マークWM1と第2の樹脂マークWM2との間の設計距離だけ基板1を移動させる。これにより、第2の樹脂マークWM2がOAスコープ40の視野内に位置することになる。
In S306, using the substrate stage, the
S307では、S304で形成された第2の樹脂マークWM2の位置をOAスコープ40で計測(検出)する。
In S307, the position of the second resin mark WM2 formed in S304 is measured (detected) by the
S308では、S305で計測された第1の樹脂マークWM1の位置とS307で計測された第2の樹脂マークWM2の位置に基づいて、第1の樹脂マークWM1と第2の樹脂マークWM2との相対位置(位置ずれ)を算出する。 In S308, relative to the first resin mark WM1 and the second resin mark WM2 based on the position of the first resin mark WM1 measured in S305 and the position of the second resin mark WM2 measured in S307. The position (positional deviation) is calculated.
本実施形態では、第1の樹脂マークWM1と第2の樹脂マークWM2との距離が十分に離されているため、樹脂R1と樹脂R2とが重なることがない。また、第1の樹脂マークWM1と第2の樹脂マークWM2との距離が十分に離されているため、OAスコープ40では、第1の樹脂マークWM1と第2の樹脂マークWM2とを同時に計測することができない。そこで、第1の樹脂マークWM1及び第2の樹脂マークWM2のそれぞれがOAスコープ40の視野内に位置するように、基板ステージを用いて基板1を移動させている。従って、第1の樹脂マークWM1と第2の樹脂マークWM2との位置ずれに基板ステージの駆動誤差が含まれることになるが、計測を繰り返して平均化することで基板ステージの駆動誤差を低減することができる。
In the present embodiment, since the distance between the first resin mark WM1 and the second resin mark WM2 is sufficiently large, the resin R1 and the resin R2 do not overlap. Further, since the distance between the first resin mark WM1 and the second resin mark WM2 is sufficiently separated, the
また、本実施形態のように、樹脂R1と樹脂R2とが重ならないようにすることで、第1の樹脂マークWM1及び第2の樹脂マークWM2を基板上に直接形成することができる。従って、密着剤を基板上に予め供給しておけば、樹脂R1及びR2が密着剤を介して基板1に密着するため、モールドを引き離す際に基板1から樹脂(第1の樹脂マークWM1及び第2の樹脂マークWM2)が剥離することを防止することができる。
In addition, the first resin mark WM1 and the second resin mark WM2 can be directly formed on the substrate by preventing the resin R1 and the resin R2 from overlapping as in the present embodiment. Accordingly, if the adhesive is supplied on the substrate in advance, the resins R1 and R2 are in close contact with the
第2の樹脂マークWM2を形成する際には、第2のマークパターンTM2を有するモールドと第1の樹脂マークWM1との接触を回避する必要がある。そこで、第2のマークパターンTM2を有するモールドは、基板1に形成された第1の樹脂マークWM1の上に、モールドを樹脂R2に押し付けた状態において第1の樹脂マークWM1が押し潰されることを防止する凹部Aを含む。また、樹脂R2の供給量を樹脂R1の供給量よりも多くすることで、第2の樹脂マークWM2を形成する際に発生する残膜の厚さを第1の樹脂マークWM2を形成する際に発生する残膜の厚さよりも厚くしている。なお、モールドを押し付ける力を変更することで、第2の樹脂マークWM2を形成する際に発生する残膜の厚さを第1の樹脂マークWM2を形成する際に発生する残膜の厚さよりも厚くしてもよい。これにより、第2のマークパターンTM2を有するモールドと第1の樹脂マークWM1との接触をより確実に回避することが可能となる。
When forming the second resin mark WM2, it is necessary to avoid contact between the mold having the second mark pattern TM2 and the first resin mark WM1. Therefore, in the mold having the second mark pattern TM2, the first resin mark WM1 is crushed on the first resin mark WM1 formed on the
<第5の実施形態>
物品としてのデバイス(半導体デバイス、液晶表示素子等)の製造方法は、インプリント装置100を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)にパターンを転写(形成)するステップを含む。かかる製造方法は、パターンが転写された基板をエッチングするステップを更に含む。なお、かかる製造方法は、パターンドットメディア(記録媒体)や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンが転写された基板を加工する他の加工ステップを含む。
<Fifth Embodiment>
A method of manufacturing a device (semiconductor device, liquid crystal display element, etc.) as an article includes a step of transferring (forming) a pattern onto a substrate (wafer, glass plate, film-like substrate, etc.) using the
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。 As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.
Claims (11)
第1インプリント材を基板上に供給する第1ステップと、
前記第1ステップで供給された第1インプリント材をモールドで成形して硬化させ、該硬化させた前記第1インプリント材からなる第1マークを形成する第2ステップと、
第2インプリント材を前記基板上に供給する第3ステップと、
前記第3ステップで供給された第2インプリント材をモールドで成形して硬化させ、該硬化させた前記第2インプリント材からなる第2マークを形成する第4ステップと、
前記第2ステップで形成された前記第1マークと前記第4ステップで形成された前記第2マークとの相対位置を計測する第5ステップと、を有し、
前記第3ステップでは、前記第2ステップで形成された前記第1マークに前記第2インプリント材が接触しないように、前記第2インプリント材の供給位置と供給量とを含む条件を設定して、前記第2インプリント材を供給する、ことを特徴とする検査方法。 An imprint apparatus inspection method for performing an imprint process for forming a pattern on the substrate by forming an imprint material on the substrate with a mold,
Supplying a first imprint material on the substrate;
A second step of forming the first imprint material supplied in the first step with a mold and curing, and forming a first mark made of the cured first imprint material ;
A third step of supplying a second imprint material onto the substrate;
A fourth step of forming and curing the second imprint material supplied in the third step with a mold and forming a second mark made of the cured second imprint material ;
And a fifth step of measuring a relative position between the first mark formed in the second step and the second mark formed in the fourth step,
In the third step, a condition including a supply position and a supply amount of the second imprint material is set so that the second imprint material does not contact the first mark formed in the second step. And supplying the second imprint material.
前記第2マークは、前記インナーマークよりも外側に形成されるアウターマークである、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の検査方法。 The first mark is an inner mark,
The inspection method according to claim 1, wherein the second mark is an outer mark formed outside the inner mark.
前記第2ステップでは、前記第1マークとアライメントマークとを形成し、
前記第3ステップの前に、前記第2ステップで形成された前記アライメントマークを用いて基板のアライメントを行うステップを更に有する、ことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の検査方法。 The mold used in the second step has an alignment mark pattern,
In the second step, the first mark and the alignment mark are formed,
Before the third step, according to any one of claims 1 to 5, further comprising, wherein the step of performing an alignment of the substrate using the alignment mark formed in the second step Inspection method.
前記第5ステップは、
前記第1マークが前記スコープの視野内に位置するように前記ステージを移動させて前記第1マークを前記スコープで検出することにより前記第1マークの位置を計測するステップと、
前記第2マークが前記スコープの視野内に位置するように前記ステージを移動させて前記第2マークを前記スコープで検出することにより前記第2マークの位置を計測するステップと、を含むことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の検査方法。 The imprint apparatus includes a scope for detecting the first mark and the second mark, and a stage for holding the substrate,
The fifth step includes
Measuring the position of the first mark by moving the stage so that the first mark is located in the field of view of the scope and detecting the first mark with the scope;
Measuring the position of the second mark by moving the stage so that the second mark is positioned within the field of view of the scope and detecting the second mark with the scope. The inspection method according to any one of claims 1 to 6 .
請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の検査方法によって求められた検査結果に基づいて、前記インプリント処理に関する動作を制御する制御部を有する、ことを特徴とするインプリント装置。 An imprint apparatus that performs an imprint process for forming a pattern on the substrate by forming an imprint material on the substrate with a mold,
Based on the test results obtained by the inspection method according to any one of claims 1 to 8, having a control unit for controlling the operation for the previous SL imprinting, imprint and wherein the.
前記基板上のマークを検出するためのスコープと、
請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の検査方法における各ステップに係る動作を制御する制御部と、を有することを特徴とするインプリント装置。 An imprint apparatus that performs an imprint process for forming a pattern on the substrate by forming an imprint material on the substrate with a mold,
A scope for detecting a mark on the substrate;
An imprinting apparatus comprising: a control unit that controls an operation according to each step in the inspection method according to claim 1.
前記ステップで前記パターンを形成された前記基板を加工するステップと、を有することを特徴とする物品の製造方法。 Forming a pattern on a substrate using the imprint apparatus according to claim 9 or 10;
And a step of processing the substrate on which the pattern has been formed in the step.
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