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JP5716675B2 - Electrode protective film forming agent - Google Patents
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Description

本発明は、液晶表示素子に用いられる、ポリシロキサンを含有する電極保護膜形成剤、電極保護膜及び該電極保護膜を有する液晶表示素子に関する。 The present invention is used in a liquid crystal display device, the electrode protective film forming agent containing a polysiloxane, a liquid crystal display device having the electrode protection film and the electrode protective film.

液晶表示素子の製造において、透明電極の絶縁、保護を目的に透明電極と液晶配向膜の間に酸化物被膜を形成することが行われている。酸化物被膜の形成方法は、蒸着法、スパッタリング法等で代表される気相法と酸化物被膜形成用塗布液を用いる塗布法が知られている。この中で、生産性や大型基板への被膜形成の容易さから、塗布法が多く用いられている。塗布液としては、テトラアルコキシシランの加水分解物及びその他の金属アルコキシドや金属キレート化合物との複合物が知られている。金属アルコキシドを用いて塗布液が調製される場合、一般に金属アルコキシドはケイ素を除いては加水分解速度が速く、反応制御が困難である。そのため、アルコキシドの加水分解速度を調整する目的で、アセチルアセトン等のキレート化剤を作用させることが試みられている。しかし、一般にキレート化された化合物は、熱分解温度が高くなり、450℃以上の焼成が望ましいとされている。(例えば、特許文献1参照。)
別の方法として、シリカ−チタニア系塗布液において、シリコンアルコキシドとチタンアルコキシドの加水分解物に鉱酸を添加することで、キレート化等の安定化手段を用いずに透明なコーティング剤とすることが試みられている。この場合も、少なくとも300℃以上の焼成が必要とされている。(例えば、特許文献2参照。)
また、最近ではプラスチックLCDや電子ペーパー等、基材にプラスチック板やプラスチックフィルムを使用するディスプレイも提案され、200℃以下の低温でも十分な硬度が得られ、かつ上層配向剤が欠陥無く塗布できることが求められている。
In the production of a liquid crystal display element, an oxide film is formed between a transparent electrode and a liquid crystal alignment film for the purpose of insulating and protecting the transparent electrode. As a method for forming an oxide film, a gas phase method represented by a vapor deposition method, a sputtering method, and the like, and a coating method using a coating liquid for forming an oxide film are known. Of these, coating methods are often used because of productivity and ease of film formation on large substrates. Known coating liquids include hydrolysates of tetraalkoxysilane and composites with other metal alkoxides and metal chelate compounds. When a coating solution is prepared using a metal alkoxide, the metal alkoxide generally has a high hydrolysis rate except for silicon, and the reaction control is difficult. Therefore, attempts have been made to act a chelating agent such as acetylacetone for the purpose of adjusting the hydrolysis rate of the alkoxide. However, generally chelated compounds have a high thermal decomposition temperature, and firing at 450 ° C. or higher is desirable. (For example, refer to Patent Document 1.)
Another method is to add a mineral acid to the hydrolyzate of silicon alkoxide and titanium alkoxide in a silica-titania-based coating solution to obtain a transparent coating agent without using a stabilizing means such as chelation. Has been tried. Also in this case, firing at least at 300 ° C. is required. (For example, see Patent Document 2.)
Recently, a display using a plastic plate or a plastic film as a base material such as a plastic LCD or electronic paper has been proposed, and sufficient hardness can be obtained even at a low temperature of 200 ° C. or lower, and the upper alignment agent can be applied without defects. It has been demanded.

特開昭63−258959号公報JP 63-258959 A 特開昭55−25487号公報JP-A-55-25487

上記特許文献1および特許文献2の方法では、200℃以下の焼成温度で十分な硬度の電極保護膜が得られ難い。そして、電極保護膜の上層に液晶配向膜を形成する際に、配向膜にはじきやピンホールが発生するという問題がある。
本発明では、150℃以下の低温で焼成した場合でも十分な硬度の電極保護膜を形成できる電極保護膜形成剤、電極保護膜及び該電極保護膜を有する液晶表示素子を提供することを目的とする。液晶表示素子に用いる場合、電極保護膜の上層にはじきやピンホールの発生が抑制された液晶配向膜を形成できる電極保護膜形成剤の提供を目的とする。
In the methods of Patent Document 1 and Patent Document 2, it is difficult to obtain an electrode protective film having sufficient hardness at a firing temperature of 200 ° C. or lower. And when forming a liquid crystal aligning film on the upper layer of an electrode protective film, there exists a problem that a repelling and a pinhole generate | occur | produce in an alignment film.
An object of the present invention is to provide an electrode protective film forming agent capable of forming an electrode protective film having sufficient hardness even when fired at a low temperature of 150 ° C. or lower, an electrode protective film, and a liquid crystal display device having the electrode protective film. To do. When used for a liquid crystal display element , an object of the present invention is to provide an electrode protective film forming agent capable of forming a liquid crystal alignment film in which generation of repellency and pinholes is suppressed on the upper layer of the electrode protective film.

本発明者らは、上記の状況に鑑み鋭意研究した結果、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明の要旨は以下の通りである。
1.電極保護膜の上層に液晶配向膜が形成される液晶表示素子用の電極保護膜を得るための電極保護膜形成剤であり、式(1)で表されるアルコキシシラン及び式(2)で表されるアルコキシシランを含み、かつ式(1)で表されるアルコキシシランが、全アルコキシシラン中、0.5〜60モル%含まれ、かつ式(2)で表されるアルコキシシランが全アルコキシシラン中、40〜99.5モル%含むアルコキシシランを重縮合して得られるポリシロキサンを含有することを特徴とする電極保護膜形成剤。
{Si(OR (1)
(Rはウレイド基で置換された炭素原子数1〜12の炭化水素基であり、Rは炭素原子数1〜5のアルキル基であり、pは1又は2の整数を表す。)
(RSi(OR4−n (2)
(Rは、水素原子、又はヘテロ原子、ハロゲン原子、ビニル基、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基、メタクリロキシ基、イソシアネート基若しくはアクリロキシ基で置換されていてもよい、炭素原子数1〜8の炭化水素基であり、Rは炭素原子数1〜5のアルキル基であり、nは0〜3の整数を表す。)
2.式(2)におけるnが0である、テトラアルコキシシランである上記1に記載の電極保護膜形成剤。
3.前記式(1)で表されるアルコキシシランが、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン及びγ−ウレイドプロピルトリプロポキシシランからなる群から選ばれる少なくとも1種である、上記1又は2に記載の電極保護膜形成剤。
4.上記1〜のいずれかに記載の電極保護膜形成剤を基板に塗布し、焼成して得られる、その上層に液晶配向膜が形成される液晶表示素子用の電極保護膜。
5.上記1〜のいずれかに記載の電極保護膜形成剤を基板に塗布し、室温〜120℃の温度で乾燥した後、焼成する電極保護膜の形成方法。
6.焼成温度が、100〜180℃である、上記に記載の電極保護膜の形成方法。
7.上記に記載の電極保護膜を有する液晶表示素子。


As a result of intensive studies in view of the above situation, the present inventors have completed the present invention.
That is, the gist of the present invention is as follows.
1. An electrode protective film forming agent for obtaining an electrode protective film for a liquid crystal display element in which a liquid crystal alignment film is formed on the upper layer of the electrode protective film , represented by alkoxysilane represented by formula (1) and formula (2) include alkoxysilane emissions to be, and alkoxysilane represented by the formula (1) is, in the total alkoxysilane, it contains 0.5 to 60 mol%, and the alkoxysilane of formula (2) is the total alkoxy An electrode protective film forming agent comprising polysiloxane obtained by polycondensation of alkoxysilane containing 40 to 99.5 mol% in silane .
R 1 {Si (OR 2 ) 3 } P (1)
(R 1 is a C 1-12 hydrocarbon group substituted with a ureido group, R 2 is a C 1-5 alkyl group, and p represents an integer of 1 or 2.)
(R 3 ) n Si (OR 4 ) 4-n (2)
(R 3 is a hydrogen atom, or a hetero atom, a halogen atom, a vinyl group, an amino group, a glycidoxy group, a mercapto group, a methacryloxy group, an isocyanate group or an acryloxy group, and having 1 to 8 carbon atoms. A hydrocarbon group, R 4 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and n represents an integer of 0 to 3.)
2. 2. The electrode protective film forming agent according to 1 above, wherein n in formula (2) is tetraalkoxysilane.
3. The alkoxysilane represented by the formula (1) is at least one selected from the group consisting of γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-ureidopropyltrimethoxysilane, and γ-ureidopropyltripropoxysilane. Or the electrode protective film forming agent of 2.
4). An electrode protective film for a liquid crystal display element, which is obtained by applying the electrode protective film forming agent according to any one of the above 1 to 3 to a substrate and baking it, and having a liquid crystal alignment film formed thereon .
5. 4. A method for forming an electrode protective film, wherein the electrode protective film forming agent according to any one of 1 to 3 is applied to a substrate, dried at a temperature of room temperature to 120 ° C., and then fired.
6). 6. The method for forming an electrode protective film according to 5 above, wherein the firing temperature is 100 to 180 ° C.
7). 5. A liquid crystal display device having the electrode protective film as described in 4 above.


本発明の電極保護膜形成剤から得られる電極保護膜は、150℃以下という低温の硬化条件で十分な硬度を有するため、プラスチック基板等の耐熱性の低い基板に適用可能である。また、液晶表示素子に用いる場合には、形成した電極保護膜の上にはじきやピンホールを抑制した液晶配向膜を形成することができる。そのためプラスチック基板等の耐熱性の低い基板でも表示特性に優れた液晶表示素子の製造に有用である。   Since the electrode protective film obtained from the electrode protective film forming agent of the present invention has sufficient hardness under low temperature curing conditions of 150 ° C. or lower, it can be applied to substrates having low heat resistance such as plastic substrates. Moreover, when using for a liquid crystal display element, the liquid crystal aligning film which suppressed repellency and a pinhole can be formed on the formed electrode protective film. Therefore, even a substrate having low heat resistance such as a plastic substrate is useful for manufacturing a liquid crystal display element having excellent display characteristics.

本発明の電極保護膜形成剤は、ウレイド基を持つポリシロキサンを含有することを最大の特徴とするものである。そのため100〜150℃という低温においても十分な硬度を有する電極保護膜を形成することが可能である。
従来、シロキサンポリマー又は酸化物前駆物質から形成される酸化物薄膜は、焼成温度が低い場合は、塗膜中に残存するアルコキシ基が十分に分解しない。そのため、液晶表示素子に用いる場合は、界面特性が異なるポリイミド系配向膜と十分な親和性、密着性を得ることができず、配向膜を形成する際にはじきやピンホールが発生する原因になると推定できる。本発明では、電極保護膜形成剤にウレイド基を含有することにより、ポリイミド系配向剤との親和性が向上し、はじきやピンホールが抑制できるだけでなく、電極保護膜形成剤を100〜150℃の低温で焼成した場合でも十分に硬化するものと推察される。
以下に本発明について詳細に説明する。
The electrode protective film forming agent of the present invention is characterized in that it contains polysiloxane having a ureido group. Therefore, it is possible to form an electrode protective film having sufficient hardness even at a low temperature of 100 to 150 ° C.
Conventionally, an oxide thin film formed from a siloxane polymer or an oxide precursor does not sufficiently decompose alkoxy groups remaining in a coating film when the firing temperature is low. Therefore, when used in a liquid crystal display element, sufficient affinity and adhesion cannot be obtained with a polyimide-based alignment film having different interface characteristics, which may cause repellency and pinholes when forming the alignment film. Can be estimated. In the present invention, by containing a ureido group in the electrode protective film forming agent, the affinity with the polyimide-based alignment agent is improved, and not only the repellency and pinholes can be suppressed, but also the electrode protective film forming agent is 100 to 150 ° C. It is presumed that even when baked at a low temperature, it is sufficiently cured.
The present invention is described in detail below.

[ポリシロキサン]
本発明の電極保護膜形成剤は、下記式(1)で表されるアルコキシシランを含むアルコキシシランを重縮合して得られるポリシロキサンである。
{Si(OR (1)
式(1)中、Rはウレイド基で置換された炭素原子数1〜12の炭化水素基であるが、詳述すると、炭素原子数1〜12の炭化水素基の任意の水素原子がウレイド基で置換された基を表す。Rは、好ましくはウレイド基で置換された炭化水素基の炭素原子数1〜7である。Rは炭素原子数1〜5のアルキル基であり、好ましくは炭素原子数が1〜3のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。pは1又は2の整数を表す。R、Rは直鎖構造でも、分岐構造を有していてもよい。
式(1)で表されるアルコキシシランにおいて、pが1の場合は式(1−1)で表されるアルコキシシランである。
Si(OR (1−1)
また、pが2の場合は式(1−2)で表されるアルコキシシランである。
(RO)Si−R1−Si(OR (1−2)
式(1−1)で表されるアルコキシシランの具体例を挙げるが、これらに限定されるものではでない。例えば、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリプロポキシシラン、(R)−N−1−フェニルエチル−N’−トリエトキシシリルプロピルウレア、(R)−N−1−フェニルエチル−N’−トリメトキシシリルプロピルウレア等が挙げられる。
なかでも、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、又はγ−ウレイドプロピルトリメトキシシランは、市販品として入手が容易であるため特に好ましい。
式(1−2)で表されるアルコキシシランの具体例を挙げるが、これらに限定されるものではでない。例えば、ビス[3−(トリエトキシシリル)プロピル]ウレア、ビス[3−(トリエトキシシリル)エチル]ウレア、ビス[3−(トリメトキシシリル)プロピル]ウレア、ビス[3−(トリプロポキシシリル)プロピル]ウレア等が挙げられる。なかでも、ビス[3−(トリエトキシシリル)プロピル]ウレアは、市販品として入手が容易であるため特に好ましい。
式(1)で表されるアルコキシシランは、電極保護膜形成剤を得るために用いる全アルコキシシラン中において、0.5モル%未満の場合には良好な液晶配向膜の印刷性が得られない場合があるため、0.5モル%以上が好ましい。より好ましくは1.0モル%以上である。更に好ましくは2.0モル%以上である。また、60モル%を超える場合は、形成される電極保護膜が十分に硬化しない場合があるため、60モル%以下が好ましい。より好ましくは50モル%以下である。更に好ましくは40モル%以下である。
[Polysiloxane]
The electrode protective film forming agent of the present invention is a polysiloxane obtained by polycondensation of an alkoxysilane containing an alkoxysilane represented by the following formula (1).
R 1 {Si (OR 2 ) 3 } P (1)
In formula (1), R 1 is a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms substituted with a ureido group. More specifically, any hydrogen atom of a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms is converted to ureido. A group substituted with a group is represented. R 1 is preferably 1 to 7 carbon atoms of a hydrocarbon group substituted with a ureido group. R 2 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and more preferably a methyl group or an ethyl group. p represents an integer of 1 or 2. R 1 and R 2 may have a linear structure or a branched structure.
In the alkoxysilane represented by the formula (1), when p is 1, it is an alkoxysilane represented by the formula (1-1).
R 1 Si (OR 2 ) 3 (1-1)
Moreover, when p is 2, it is an alkoxysilane represented by Formula (1-2).
(R 2 O) 3 Si- R 1- Si (OR 2) 3 (1-2)
Although the specific example of the alkoxysilane represented by Formula (1-1) is given, it is not limited to these. For example, γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-ureidopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltripropoxysilane, (R) -N-1-phenylethyl-N′-triethoxysilylpropylurea, (R) — N-1-phenylethyl-N′-trimethoxysilylpropylurea and the like can be mentioned.
Among these, γ-ureidopropyltriethoxysilane or γ-ureidopropyltrimethoxysilane is particularly preferable because it is easily available as a commercial product.
Although the specific example of the alkoxysilane represented by Formula (1-2) is given, it is not limited to these. For example, bis [3- (triethoxysilyl) propyl] urea, bis [3- (triethoxysilyl) ethyl] urea, bis [3- (trimethoxysilyl) propyl] urea, bis [3- (tripropoxysilyl) Propyl] urea and the like. Among these, bis [3- (triethoxysilyl) propyl] urea is particularly preferable because it is easily available as a commercial product.
When the alkoxysilane represented by the formula (1) is less than 0.5 mol% in all alkoxysilanes used for obtaining the electrode protective film forming agent, good printability of the liquid crystal alignment film cannot be obtained. In some cases, 0.5 mol% or more is preferable. More preferably, it is 1.0 mol% or more. More preferably, it is 2.0 mol% or more. Moreover, since it may not fully harden | cure the electrode protective film formed when it exceeds 60 mol%, 60 mol% or less is preferable. More preferably, it is 50 mol% or less. More preferably, it is 40 mol% or less.

また、本発明の電極保護膜形成剤は、式(1)で表されるアルコキシシランとともに、下記式(2)で表されるアルコキシシランの少なくとも1種を含むアルコキシシランを重縮合して得ることができる。
(RSi(OR4−n (2)
(Rは、水素原子、又はヘテロ原子、ハロゲン原子、ビニル基、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基、メタクリロキシ基、イソシアネート基若しくはアクリロキシ基で置換されていてもよい、炭素原子数1〜8、好ましくは炭素原子数1〜6の炭化水素基であり、Rは炭素原子数1〜5、好ましくは1〜3のアルキル基であり、nは0〜3、好ましくは0〜2の整数を表す。)
式(2)で表されるアルコキシシランのRは、水素原子、又はヘテロ原子、ハロゲン原子、ビニル基、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基、メタクリロキシ基、イソシアネート基若しくはアクリロキシ基で置換されていてもよい、炭素原子数1〜8、好ましくは炭素原子数1〜6の炭化水素基である。Rは上述したRと同義であり、好ましい範囲も同様である。Rの例としては、脂肪族炭化水素;脂肪族環、芳香族環若しくはヘテロ環のような環構造;不飽和結合;酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子等を含んでいてもよく、分岐構造を有していてもよい、炭素原子数が1〜6の有機基である。加えて、Rはハロゲン原子、ビニル基、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基、メタクリロキシ基、イソシアネート基、アクリロキシ基などで置換されていてもよい。
Moreover, the electrode protective film forming agent of the present invention is obtained by polycondensing an alkoxysilane containing at least one of the alkoxysilanes represented by the following formula (2) together with the alkoxysilane represented by the formula (1). Can do.
(R 3 ) n Si (OR 4 ) 4-n (2)
(R 3 is a hydrogen atom, or a hetero atom, a halogen atom, a vinyl group, an amino group, a glycidoxy group, a mercapto group, a methacryloxy group, an isocyanate group, or an acryloxy group, having 1 to 8 carbon atoms, Preferably, it is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, R 4 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably 1 to 3 carbon atoms, and n is an integer of 0 to 3, preferably 0 to 2. Represents.)
R 3 of the alkoxysilane represented by the formula (2) is substituted with a hydrogen atom, a hetero atom, a halogen atom, a vinyl group, an amino group, a glycidoxy group, a mercapto group, a methacryloxy group, an isocyanate group or an acryloxy group. Or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, preferably 1 to 6 carbon atoms. R 4 has the same meaning as R 2 described above, and the preferred range is also the same. Examples of R 3 include aliphatic hydrocarbons; ring structures such as aliphatic rings, aromatic rings or heterocycles; unsaturated bonds; heteroatoms such as oxygen atoms, nitrogen atoms, sulfur atoms, etc. It is an organic group having 1 to 6 carbon atoms that may have a branched structure. In addition, R 3 may be substituted with a halogen atom, a vinyl group, an amino group, a glycidoxy group, a mercapto group, a methacryloxy group, an isocyanate group, an acryloxy group, or the like.

以下にこのような式(2)で表されるアルコキシシランの具体例を挙げるが、これに限定されるものではない。
式(2)のアルコキシシランにおいて、Rが水素原子である場合のアルコキシシランの具体例としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、トリブトキシシラン等が挙げられる。
又、その他の式(2)のアルコキシシランの具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−(2−アミノエチルアミノプロピル)トリメトキシシラン、3−(2−アミノエチルアミノプロピル)トリエトキシシラン、2−アミノエチルアミノメチルトリメトキシシラン、2−(2−アミノエチルチオエチル)トリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、メルカプトメチルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、クロロプロピルトリエトキシシラン、ブロモプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、3―アミノプロピルジメチルエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン等が挙げられる。
Although the specific example of the alkoxysilane represented by such Formula (2) below is given, it is not limited to this.
In the alkoxysilane of the formula (2), specific examples of the alkoxysilane when R 3 is a hydrogen atom include trimethoxysilane, triethoxysilane, tripropoxysilane, tributoxysilane and the like.
Other specific examples of the alkoxysilane of formula (2) include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, and methyltripropoxy. Silane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-2 (aminoethyl) 3-aminopropyltriethoxysilane, N-2 (aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethylaminopropyl) trimethoxysilane, 3- (2-aminoethylaminopropyl) triethoxysilane, 2-aminoethylaminomethyltrimethoxysilane, 2- (2-aminoethylthioethyl) triethoxysilane, 3-mel Ptopropyltriethoxysilane, mercaptomethyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, allyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyl Trimethoxysilane, 3-acryloxypropyltriethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, chloropropyltriethoxysilane, bromopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, dimethyldi Ethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyl Silane, 3-aminopropyl methyl diethoxy silane, 3-aminopropyl dimethylethoxysilane, trimethylethoxysilane, trimethylmethoxysilane and the like.

本発明の電極保護膜形成剤は、基板との密着性、膜の硬度、上層液晶配向膜の印刷性等の、本発明の効果を損なわない限りにおいて、このような特定の有機基を一種又は複数種有していてもよい。
式(2)で表されるアルコキシシランにおいて、nが0であるアルコキシシランは、テトラアルコキシシランである。テトラアルコキシシランは、式(1)で表されるアルコキシシランと縮合し易いので、本発明のポリシロキサンを得るために好ましい。
このような式(2)においてnが0であるアルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン又はテトラブトキシシランがより好ましく、テトラメトキシシラン又はテトラエトキシシランが特に好ましい。
式(2)で表されるアルコキシシランを併用する場合、電極保護膜形成剤を得るために用いる全アルコキシシラン中において、式(2)で表されるアルコキシシランが40〜99.5モル%であることが好ましい。より好ましくは、50〜99.5モル%である。更に好ましくは60〜99.5モル%である。
本発明では、電極保護膜形成剤は式(1)で表されるアルコキシシランと、式(2)で表されるアルコキシシランから選ばれる少なくとも1種の化合物とを重縮合して得られるポリシロキサンであることが好ましい。
本発明の電極保護膜形成剤は、膜の硬度、上層液晶配向膜の印刷性等の、本発明の効果を損なわない限りにおいて、このような一種又は複数種のアルコキシシランを併用していてもよい。
The electrode protective film forming agent of the present invention may be one kind of such a specific organic group as long as the effects of the present invention are not impaired, such as adhesion to the substrate, film hardness, and printability of the upper liquid crystal alignment film. You may have multiple types.
In the alkoxysilane represented by the formula (2), the alkoxysilane in which n is 0 is tetraalkoxysilane. Tetraalkoxysilane is preferable for obtaining the polysiloxane of the present invention because it easily condenses with the alkoxysilane represented by the formula (1).
As the alkoxysilane in which n is 0 in the formula (2), tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane or tetrabutoxysilane is more preferable, and tetramethoxysilane or tetraethoxysilane is particularly preferable.
When using together the alkoxysilane represented by Formula (2), in all the alkoxysilanes used in order to obtain an electrode protective film formation agent, the alkoxysilane represented by Formula (2) is 40-99.5 mol%. Preferably there is. More preferably, it is 50-99.5 mol%. More preferably, it is 60-99.5 mol%.
In the present invention, the electrode protective film forming agent is a polysiloxane obtained by polycondensation of an alkoxysilane represented by the formula (1) and at least one compound selected from the alkoxysilanes represented by the formula (2). It is preferable that
As long as the electrode protective film forming agent of the present invention does not impair the effects of the present invention such as the hardness of the film and the printability of the upper liquid crystal alignment film, one or more kinds of such alkoxysilanes may be used in combination. Good.

[ポリシロキサンの製造方法]
本発明に用いるポリシロキサンを得る方法は特に限定されないが、本発明においては、上記した式(1)のアルコキシシランを必須成分とするアルコキシシランを有機溶媒中で縮合させて得られる。通常、ポリシロキサンは、このようなアルコキシシランを重縮合して、有機溶媒に均一に溶解した溶液として得られる。
本発明における重縮合する方法としては、例えば、上記アルコキシシランをアルコール又はグリコールなどの溶媒中で加水分解・縮合する方法が挙げられる。その際、加水分解・縮合反応は、部分加水分解及び完全加水分解のいずれであってもよい。完全加水分解の場合は、理論上、アルコキシシラン中の全アルコキシド基の0.5倍モルの水を加えればよいが、通常は0.5倍モルより過剰量の水を加えるのが好ましい。
本発明においては、上記反応に用いる水の量は、所望により適宜選択することができるが、通常、アルコキシシラン中の全アルコキシ基の0.5〜2.5倍モルであるのが好ましく、より好ましくは0.75〜1.5倍モルである。
また、通常、加水分解・縮合反応を促進する目的で、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、蟻酸、蓚酸、マレイン酸、フマル酸などの酸;アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、エタノールアミン、トリエチルアミンなどのアルカリ;塩酸、硫酸、硝酸などの金属塩などの触媒が用いられる。加えて、アルコキシシランが溶解した溶液を加熱することで、更に、加水分解・縮合反応を促進させることも一般的である。その際、加熱温度及び加熱時間は所望により適宜選択できる。例えば、50℃で24時間加熱・撹拌したり、還流下で1時間加熱・撹拌するなどの方法が挙げられる。
また、別法として、アルコキシシラン、溶媒及び蟻酸、蓚酸、マレイン酸、フマル酸等の有機酸の混合物を加熱して重縮合させる方法が挙げられる。例えば、アルコキシシラン、溶媒及び蓚酸の混合物を加熱して重縮合する方法が挙げられる。具体的には、予めアルコールに蓚酸を加えて蓚酸のアルコール溶液とした後、該溶液を加熱した状態で、アルコキシシランを混合する方法である。その際、用いる蓚酸の量は、アルコキシシランが有する全アルコキシ基の1モルに対して0.2〜2モルとすることが好ましい。この方法における加熱は、液温50〜180℃で行うことができる。好ましくは、液の蒸発、揮散などが起こらないように、還流下で数十分〜十数時間加熱する方法である。
[Production method of polysiloxane]
The method for obtaining the polysiloxane used in the present invention is not particularly limited. In the present invention, the polysiloxane can be obtained by condensing the alkoxysilane having the above-described alkoxysilane of the formula (1) as an essential component in an organic solvent. Usually, polysiloxane is obtained as a solution obtained by polycondensation of such alkoxysilanes and uniformly dissolved in an organic solvent.
Examples of the polycondensation method in the present invention include a method of hydrolyzing and condensing the alkoxysilane in a solvent such as alcohol or glycol. At that time, the hydrolysis / condensation reaction may be either partial hydrolysis or complete hydrolysis. In the case of complete hydrolysis, theoretically, it is sufficient to add 0.5 moles of water of all alkoxide groups in the alkoxysilane, but it is usually preferable to add an excess amount of water over 0.5 moles.
In the present invention, the amount of water used in the above reaction can be appropriately selected as desired, but usually it is preferably 0.5 to 2.5 times the total number of alkoxy groups in the alkoxysilane, more Preferably it is 0.75-1.5 times mole.
Usually, for the purpose of promoting hydrolysis / condensation reaction, acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, acetic acid, formic acid, succinic acid, maleic acid, fumaric acid; alkalis such as ammonia, methylamine, ethylamine, ethanolamine, triethylamine Catalysts such as metal salts such as hydrochloric acid, sulfuric acid and nitric acid are used. In addition, it is also common to further promote the hydrolysis / condensation reaction by heating the solution in which the alkoxysilane is dissolved. At that time, the heating temperature and the heating time can be appropriately selected as desired. For example, heating and stirring at 50 ° C. for 24 hours, heating and stirring for 1 hour under reflux, and the like can be mentioned.
As another method, a method of heating and polycondensing a mixture of an alkoxysilane, a solvent, and an organic acid such as formic acid, oxalic acid, maleic acid, and fumaric acid can be used. For example, a method of polycondensation by heating a mixture of alkoxysilane, solvent and oxalic acid can be mentioned. Specifically, after adding succinic acid to alcohol in advance to make an alcohol solution of succinic acid, alkoxysilane is mixed while the solution is heated. In that case, it is preferable that the quantity of the oxalic acid to be used shall be 0.2-2 mol with respect to 1 mol of all the alkoxy groups which alkoxysilane has. Heating in this method can be performed at a liquid temperature of 50 to 180 ° C. Preferably, it is a method of heating for several tens of minutes to several tens of hours under reflux so that the liquid does not evaporate or volatilize.

ポリシロキサンを得る際に、アルコキシシランを複数種用いる場合は、複数種のアルコキシシランをあらかじめ混合した混合物として用いてもよいし、複数種のアルコキシシランを順次混合して用いてもよい。
アルコキシシランを重縮合する際に用いられる溶媒(以下、重合溶媒ともいう)は、アルコキシシランを溶解するものであれば特に限定されない。また、アルコキシシランが溶解しない場合でも、アルコキシシランの重縮合反応の進行とともに溶解するものであればよい。一般的には、アルコキシシランの重縮合反応によりアルコールが生成するため、アルコール類、グリコール類、グリコールエーテル類、又はアルコール類と相溶性の良好な有機溶媒が用いられる。
When using multiple types of alkoxysilane when obtaining polysiloxane, you may use it as a mixture which mixed multiple types of alkoxysilane previously, and may mix and use multiple types of alkoxysilane sequentially.
The solvent used for polycondensation of alkoxysilane (hereinafter also referred to as polymerization solvent) is not particularly limited as long as it can dissolve alkoxysilane. Moreover, even when alkoxysilane does not melt | dissolve, what is melt | dissolved should just melt | dissolve with the progress of the polycondensation reaction of alkoxysilane. In general, since an alcohol is generated by a polycondensation reaction of alkoxysilane, an alcohol, a glycol, a glycol ether, or an organic solvent having good compatibility with the alcohol is used.

このような重合溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール,ジアセトンアルコール等のアルコール類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、へキシレングリコール、1,3−プロパンジオール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,2−ペンタンジオール、1,3−ペンタンジオール、1,4−ペンタンジオール、1,5−ペンタンジオール、2,4−ペンタンジオール、2,3−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール等のグリコール類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等のグリコールエーテル類;N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホトリアミド、m−クレゾール等が挙げられる。   Specific examples of such a polymerization solvent include alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol, diacetone alcohol; ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, hexylene glycol, 1,3-propanediol, 1,2-butanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 2,3-butanediol, 1,2-pentanediol, 1,3-pentanediol, 1,4-pentanediol, 1 Glycols such as 1,5-pentanediol, 2,4-pentanediol, 2,3-pentanediol, 1,6-hexanediol; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether , Ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dipropyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether , Diethylene glycol dipropyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, Glycol ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol dipropyl ether, propylene glycol dibutyl ether; N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, γ-butyrolactone , Dimethyl sulfoxide, tetramethylurea, hexamethylphosphotriamide, m-cresol and the like.

本発明においては、上記の重合溶媒を複数種混合して用いてもよい。
上記の方法で得られたポリシロキサンの重合溶液(以下、重合溶液ともいう。)は、原料として仕込んだ全アルコキシシランのケイ素原子をSiOに換算した濃度(以下、SiO換算濃度と称す。)を20質量%以下とすることが一般的である。この濃度範囲において任意の濃度を選択することにより、ゲルの生成を抑え、均質な溶液を得ることができる。
本発明においては、上記の方法で得られたポリシロキサンの重合溶液をそのまま電極保護膜形成剤としてもよいし、必要に応じて、上記の方法で得られた溶液を、濃縮したり、溶媒を加えて希釈したり又は他の溶媒に置換して、電極保護膜形成剤としてもよい。
その際、用いる溶媒(以下、添加溶媒ともいう)は、重合溶媒と同じでもよいし、別の溶媒でもよい。この添加溶媒は、ポリシロキサンが均一に溶解している限りにおいて特に限定されず、一種でも複数種でも任意に選択して用いることができる。
かかる添加溶媒の具体例としては、上記の重合溶媒の例として挙げた溶媒のほかに、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類;酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸エチル等のエステル類等が挙げられる。
これらの溶媒は、電極保護膜形成剤の粘度の調整、又はスピンコート、フレキソ印刷、インクジェット、スリットコート等で電極保護膜形成剤を基板上に塗布する際の塗布性を向上できる。
In the present invention, a plurality of the above polymerization solvents may be mixed and used.
The polysiloxane polymerization solution (hereinafter also referred to as polymerization solution) obtained by the above method is a concentration obtained by converting silicon atoms of all alkoxysilanes charged as raw materials into SiO 2 (hereinafter referred to as SiO 2 conversion concentration). ) Is generally 20% by mass or less. By selecting an arbitrary concentration within this concentration range, gel formation can be suppressed and a homogeneous solution can be obtained.
In the present invention, the polysiloxane polymerization solution obtained by the above method may be used as an electrode protective film forming agent as it is, and if necessary, the solution obtained by the above method may be concentrated or a solvent may be used. In addition, it may be diluted or replaced with another solvent to form an electrode protective film forming agent.
In that case, the solvent to be used (hereinafter also referred to as additive solvent) may be the same as the polymerization solvent, or may be another solvent. The additive solvent is not particularly limited as long as the polysiloxane is uniformly dissolved, and one kind or plural kinds can be arbitrarily selected and used.
Specific examples of such an additive solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone; esters such as methyl acetate, ethyl acetate, and ethyl lactate in addition to the solvents mentioned as examples of the polymerization solvent. It is done.
These solvents can improve the coating property when the electrode protective film forming agent is applied onto the substrate by adjusting the viscosity of the electrode protective film forming agent or by spin coating, flexographic printing, ink jetting, slit coating or the like.

[その他の成分]
本発明においては、本発明の効果を損なわない限りにおいて、上記ポリシロキサン以外のその他の成分、例えば、無機微粒子、メタロキサンオリゴマー、メタロキサンポリマー、レベリング剤、更に界面活性剤等の成分が含まれていてもよい。
無機微粒子としては、シリカ微粒子、アルミナ微粒子、チタニア微粒子、又はフッ化マグネシウム微粒子等の微粒子が好ましく、特にコロイド溶液の状態にあるものが好ましい。このコロイド溶液は、無機微粒子を分散媒に分散したものでもよいし、市販品のコロイド溶液であってもよい。本発明においては、無機微粒子を含有させることにより、形成される硬化被膜の表面形状及び屈折率の調整、その他の機能を付与することが可能となる。無機微粒子としては、その平均粒子径が0.001〜0.2μmであることが好ましく、更に好ましくは0.001〜0.1μmである。無機微粒子の平均粒子径が0.2μmを超える場合には、調製される塗布液を用いて形成される硬化被膜の透明性が低下する場合がある。
[Other ingredients]
In the present invention, as long as the effects of the present invention are not impaired, other components other than the above polysiloxane, for example, inorganic fine particles, metalloxane oligomers, metalloxane polymers, leveling agents, and surfactants are included. It may be.
As the inorganic fine particles, fine particles such as silica fine particles, alumina fine particles, titania fine particles, or magnesium fluoride fine particles are preferable, and those in a colloidal solution state are particularly preferable. This colloidal solution may be a dispersion of inorganic fine particles in a dispersion medium, or a commercially available colloidal solution. In the present invention, by containing inorganic fine particles, it is possible to adjust the surface shape and refractive index of the formed cured film and to provide other functions. The inorganic fine particles preferably have an average particle size of 0.001 to 0.2 μm, more preferably 0.001 to 0.1 μm. When the average particle diameter of the inorganic fine particles exceeds 0.2 μm, the transparency of the cured film formed using the prepared coating liquid may be lowered.

無機微粒子の分散媒としては、水及び有機溶剤を挙げることができる。コロイド溶液としては、電極保護膜形成剤の安定性の観点から、pH又はpKaが1〜10に調整されていることが好ましい。pH又はpKaは、より好ましくは2〜7である。
コロイド溶液の分散媒に用いる有機溶剤としては、メタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキシレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル等のアルコール類;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド類;酢酸エチル、酢酸ブチル、γ−ブチロラクトン等のエステル類;テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等のエ−テル類を挙げることができる。これらの中で、アルコール類及びケトン類が好ましい。これら有機溶剤は、単独で又は2種以上を混合して分散媒として使用することができる。
Examples of the dispersion medium for the inorganic fine particles include water and organic solvents. As a colloid solution, it is preferable that pH or pKa is adjusted to 1-10 from a viewpoint of stability of an electrode protective film formation agent. The pH or pKa is more preferably 2-7.
Examples of the organic solvent used for the dispersion medium of the colloidal solution include alcohols such as methanol, propanol, butanol, ethylene glycol, propylene glycol, butanediol, pentanediol, hexylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, and ethylene glycol monopropyl ether; Ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; amides such as dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; esters such as ethyl acetate, butyl acetate and γ-butyrolactone; Examples include ethers such as tetrahydrofuran and 1,4-dioxane. Of these, alcohols and ketones are preferred. These organic solvents can be used alone or in admixture of two or more as a dispersion medium.

メタロキサンオリゴマー、及びメタロキサンポリマーとしては、ケイ素、チタン、アルミニウム、タンタル、アンチモン、ビスマス、錫、インジウム、亜鉛等の単独又は複合酸化物前駆体が用いられる。メタロキサンオリゴマー、及びメタロキサンポリマーとしては、市販品であっても、金属アルコキシド、硝酸塩、塩酸塩、カルボン酸塩等のモノマーから、加水分解等の常法で処理することにより得られたものであってもよい。
市販品のメタロキサンオリゴマー、及びメタロキサンポリマーの具体例としては、コルコート社製のメチルシリケート51、メチルシリケート53A、エチルシリケート40、エチルシリケート48、EMS−485、SS−101等のシロキサンオリゴマー又はシロキサンポリマー、関東化学社製のチタニウム−n−ブトキシドテトラマー等のチタノキサンオリゴマーが挙げられる。これらは単独又は2種以上混合して使用してもよい。
また、レベリング剤及び界面活性剤等は、公知のものを用いることができ、特に市販品は入手が容易なので好ましい。
また、ポリシロキサンに、上記したその他の成分を混合する方法は、ポリシロキサンと同時でも、後であってもよく、特に限定されない。
As the metalloxane oligomer and the metalloxane polymer, single or composite oxide precursors such as silicon, titanium, aluminum, tantalum, antimony, bismuth, tin, indium, and zinc are used. As metalloxane oligomers and metalloxane polymers, even those that are commercially available can be obtained by processing from monomers such as metal alkoxides, nitrates, hydrochlorides, and carboxylates by conventional methods such as hydrolysis. There may be.
Specific examples of commercially available metalloxane oligomers and metalloxane polymers include siloxane oligomers or siloxanes such as methyl silicate 51, methyl silicate 53A, ethyl silicate 40, ethyl silicate 48, EMS-485, and SS-101 manufactured by Colcoat. Examples thereof include titanoxane oligomers such as a polymer and titanium-n-butoxide tetramer manufactured by Kanto Chemical Co., Inc. You may use these individually or in mixture of 2 or more types.
Moreover, a leveling agent, surfactant, etc. can use a well-known thing, and since a commercial item is easy to acquire especially, it is preferable.
Moreover, the method of mixing the above-mentioned other components with polysiloxane may be simultaneous with or after polysiloxane, and is not particularly limited.

[電極保護膜]
本発明の電極保護膜形成剤を、電極又は電極付き基材に塗布し、熱硬化することで所望の電極保護膜を得ることができる。電極保護膜形成剤の塗布方法は、公知又は周知の方法を採用できる。例えば、ディップ法、フローコート法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、ロールコート法、ブレードコート法、エアーナイフコート法、フレキソ印刷法、インクジェット法、スリットコート法等を採用できる。これらの中でも、フレキソ印刷法、スリットコート法、インクジェット法、スプレーコート法、及びグラビアコート法において良好な塗膜を形成することができる。
その際、用いる基材は、プラスチック;ガラス;ATO、FTO(fluorine−doped tin oxide)、ITO、IZO等の透明電極付ガラス;セラミックス等の基材を挙げることができる。プラスチックとしては、ポリカーボネート、ポリ(メタ)アクリレート、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリル、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセテートブチレートセルロース等が挙げられる。基材の形状は、板又はフィルム等が挙げられる。
[Electrode protective film]
A desired electrode protective film can be obtained by applying the electrode protective film forming agent of the present invention to an electrode or a substrate with an electrode, followed by thermosetting. As a method for applying the electrode protective film forming agent, a known or well-known method can be adopted. For example, a dip method, a flow coating method, a spray method, a bar coating method, a gravure coating method, a roll coating method, a blade coating method, an air knife coating method, a flexographic printing method, an ink jet method, a slit coating method and the like can be employed. Among these, a favorable coating film can be formed in the flexographic printing method, the slit coating method, the inkjet method, the spray coating method, and the gravure coating method.
In that case, examples of the base material used include plastics; glass; glass with a transparent electrode such as ATO, FTO (fluorine-doped tin oxide), ITO, IZO; and base materials such as ceramics. Plastics include polycarbonate, poly (meth) acrylate, polyethersulfone, polyarylate, polyurethane, polysulfone, polyether, polyetherketone, polyolefin, polyethylene terephthalate, polyacrylonitrile, triacetylcellulose, diacetylcellulose, acetate butyratecellulose Etc. Examples of the shape of the substrate include a plate or a film.

電極保護膜形成剤は、塗布前に、フィルター等を用いて濾過することが一般的である。
基材に形成された塗膜は、室温〜120℃の温度、好ましくは60〜90℃で乾燥させた後、好ましくは温度100〜180℃、更に好ましくは150〜180℃で熱硬化する。その際、乾燥に要する時間は、30秒間以上であればよいが、10分間以下で充分である。
熱硬化に要する時間は、適宜選択することができるが、5分間以上であればよい。低い硬化温度を選択する場合は、硬化時間を長くすることで充分な硬さを有する電極保護膜を得られやすい。
なお、本発明の電極保護膜形成剤は、温度180℃を超える硬化温度であっても充分な硬さを有する硬化被膜を得ることができる。
また、熱硬化に先立ち、水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマランプ等を用いてエネルギー線(紫外線等)を照射することも有効である。乾燥した塗膜にエネルギー線を照射することで、更に硬化温度を低下できたり、被膜の硬さを高めたりすることができる。エネルギー線の照射量は必要に応じて適宜選択することができるが、通常、数百〜数千mJ/cmが適当である。
本発明の電極保護膜は、この被膜上への液晶配向材の印刷性が良好であるため、はじきやピンホールを抑制した液晶配向膜を形成することができる。
従って、本発明の電極保護膜形成剤は、上記した如き特性を有する電極保護膜を形成できるため、液晶表示素子の表示特性向上に非常に有用である。
The electrode protective film forming agent is generally filtered using a filter or the like before coating.
The coating film formed on the substrate is dried at a temperature of room temperature to 120 ° C., preferably 60 to 90 ° C., and then thermally cured at a temperature of 100 to 180 ° C., more preferably 150 to 180 ° C. At this time, the time required for drying may be 30 seconds or more, but 10 minutes or less is sufficient.
The time required for thermosetting can be selected as appropriate, but may be 5 minutes or longer. When selecting a low curing temperature, it is easy to obtain an electrode protective film having sufficient hardness by increasing the curing time.
In addition, the electrode protective film formation agent of this invention can obtain the cured film which has sufficient hardness even if it is the curing temperature over 180 degreeC.
It is also effective to irradiate energy rays (ultraviolet rays or the like) using a mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, an excimer lamp or the like prior to thermosetting. By irradiating the dried coating with energy rays, the curing temperature can be further lowered, or the hardness of the coating can be increased. The irradiation amount of energy rays can be appropriately selected as necessary, but usually several hundred to several thousand mJ / cm 2 is appropriate.
Since the electrode protective film of the present invention has good printability of the liquid crystal alignment material on the coating film, it can form a liquid crystal alignment film in which repelling and pinholes are suppressed.
Therefore, the electrode protective film forming agent of the present invention can form an electrode protective film having the above-described characteristics, and is thus very useful for improving the display characteristics of liquid crystal display elements.

以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
本実施例において、用いた化合物の略号は以下のとおりである。
TEOS:テトラエトキシシラン
APS:3−アミノプロピルトリエトキシシラン
GPS:3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
MPS:3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
UPS:3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン
MPMS:3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
TET:テトラエトキシチタン
AN:硝酸アルミニウム九水和物
HG:ヘキシレングリコール(別名:2−メチル−2,4−ペンタンジオール)
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル(別名:1−メトキシ−2−プロパノール)
BCS:ブチルセロソルブ(別名:1−ブトキシ−2−エタノール)
PB:プロピレングリコールモノブチルエーテル(別名:1−ブトキシ−2−プロパノール)
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
1,4−BDO:1,4−ブタンジオール
MeOH:メタノール
EtOH:エタノール
EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated concretely, this invention is not restrict | limited to the following Example.
In this example, the abbreviations of the compounds used are as follows.
TEOS: Tetraethoxysilane APS: 3-aminopropyltriethoxysilane GPS: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane MPS: 3-mercaptopropyltrimethoxysilane UPS: 3-ureidopropyltriethoxysilane MPMS: 3-methacryloxypropyl Trimethoxysilane TET: Tetraethoxytitanium AN: Aluminum nitrate nonahydrate HG: Hexylene glycol (also known as 2-methyl-2,4-pentanediol)
PGME: Propylene glycol monomethyl ether (also known as 1-methoxy-2-propanol)
BCS: Butyl cellosolve (alias: 1-butoxy-2-ethanol)
PB: Propylene glycol monobutyl ether (alias: 1-butoxy-2-propanol)
NMP: N-methyl-2-pyrrolidone 1,4-BDO: 1,4-butanediol MeOH: methanol EtOH: ethanol

[合成例1]
温度計、及び還流管を備え付けた200mLの四つ口反応フラスコにMeOH39.0gを投入し、撹拌下でこのMeOHに蓚酸18.0gを少量ずつ添加することにより、蓚酸のメタノール溶液を調製した。次いで、この溶液をその還流温度まで加熱し、還流下のこの溶液中にテトラエトキシシラン10.4g、APS1.1g、GPS2.4g、MPS1.0g、UPSを92%含有するメタノール溶液8.6g(UPS含有量:7.9g)とMeOH19.5gの混合物を45分間かけて滴下した。滴下終了後も、還流下に加熱を5時間続けた後、冷却することによりポリシロキサンの溶液(L1)を調製した。
さらに300mlフラスコ中で、ポリシロキサン溶液L1の100gと、溶媒としてHG64.0g、NMP48.0g、1,及び4−BDO32.0gを混合した。次に、NEWロータリーバキュームエバポレーター(東京理化器械社製、NE−1)により60℃で20mmHg(2.67kPa)まで徐々に減圧しながら溶媒を留去して、184.0gの溶媒をNMPに置換した溶液(以下、置換溶液とも記す。)を得た。その後、この置換溶液184.0gにPGME16.0gを混合して、SiO換算固形分濃度が3質量%のポリシロキサン溶液(LA1)を得た。
[Synthesis Example 1]
A methanol solution of oxalic acid was prepared by charging 39.0 g of MeOH into a 200 mL four-necked reaction flask equipped with a thermometer and a reflux tube, and adding 18.0 g of oxalic acid to this MeOH little by little under stirring. The solution was then heated to its reflux temperature, and 10.4 g of tetraethoxysilane, 1.1 g of APS, 2.4 g of GPS, 1.0 g of MPS, and 8.6 g of a methanol solution containing 92% UPS (in this solution under reflux) A mixture of UPS content: 7.9 g) and MeOH 19.5 g was added dropwise over 45 minutes. Even after completion of the dropwise addition, heating was continued for 5 hours under reflux, followed by cooling to prepare a polysiloxane solution (L1).
Further, in a 300 ml flask, 100 g of the polysiloxane solution L1 was mixed with HG 64.0 g, NMP 48.0 g, 1, and 4-BDO 32.0 g as solvents. Next, the solvent was distilled off while gradually reducing the pressure to 20 mmHg (2.67 kPa) at 60 ° C. using a NEW rotary vacuum evaporator (manufactured by Tokyo Rika Kikai Co., Ltd., NE-1), and 184.0 g of the solvent was replaced with NMP. Solution (hereinafter also referred to as a replacement solution) was obtained. Then, by mixing PGME16.0g to the substitution solution 184.0 g, was obtained in terms of SiO 2 solid content concentration of 3 mass% of a polysiloxane solution (LA1).

[合成例2]
温度計、及び還流管を備え付けた200ml四つ口反応フラスコにMeOH34.8g、TEOS27.8g、及びUPSを92%含有するメタノール溶液9.6g(UPS含有量:8.8g)を投入して撹拌し、アルコキシシランモノマーの溶液を調製した。この溶液に、予めMeOH17.64g、水9.00g及び触媒として蓚酸1.50gを混合した溶液を、室温下で30分かけて滴下し、滴下終了後30分室温下で撹拌した。その後、還流下で1時間加熱後、放冷してSiO換算固形分濃度が10質量%のポリシロキサン溶液を得た。
得られたポリシロキサン溶液30.0gに対し、HG35.0gとBCS35.0gを混合し、SiO換算固形分濃度が3質量%のポリシロキサン希釈溶液(LA2)を得た。
[Synthesis Example 2]
A 200 ml four-necked reaction flask equipped with a thermometer and a reflux tube was charged with 39.6 g of MeOH, 27.8 g of TEOS, and 9.6 g of a methanol solution containing 92% of UPS (UPS content: 8.8 g). Then, a solution of the alkoxysilane monomer was prepared. A solution prepared by previously mixing 17.64 g of MeOH, 9.00 g of water and 1.50 g of oxalic acid as a catalyst was added dropwise to this solution over 30 minutes at room temperature, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes after the completion of the addition. Then, after heating for 1 hour under reflux, the mixture was allowed to cool to obtain a polysiloxane solution having a solid content concentration in terms of SiO 2 of 10% by mass.
To polysiloxane solution 30.0g obtained by mixing HG35.0g and BCS35.0G, was obtained in terms of SiO 2 solid content concentration of 3 mass% of a polysiloxane dilute solution (LA2).

[合成例3]
温度計、及び還流管を備え付けた200ml四つ口反応フラスコにPGME31.8gとTEOS33.0gを投入して撹拌し、アルコキシシランモノマーの溶液を調製した。この溶液に、あらかじめPGME15.9g、水15.0g及び触媒として蓚酸0.2gを混合した溶液を、室温下で30分かけて滴下し、滴下終了後30分室温下で撹拌した。その後、還流下で30分加熱後、UPSを92%含有するメタノール溶液2.4g(UPS含有量:2.2g)、及びPGME1.8gを混合した溶液を投入し、さらに還流下で30分加熱後、放冷してSiO換算固形分濃度が10質量%のポリシロキサン溶液を得た。
得られたポリシロキサン溶液30.0gに対し、PGME60.0g、及びHG10.0gを混合し、SiO換算固形分濃度が3質量%のポリシロキサン希釈溶液(LA3)を得た。
[Synthesis Example 3]
A 200 ml four-necked reaction flask equipped with a thermometer and a reflux tube was charged with 31.8 g of PGME and 33.0 g of TEOS and stirred to prepare an alkoxysilane monomer solution. To this solution, a solution in which 15.9 g of PGME, 15.0 g of water and 0.2 g of oxalic acid as a catalyst were mixed in advance was added dropwise over 30 minutes at room temperature, and stirred at room temperature for 30 minutes after completion of the addition. Then, after heating for 30 minutes under reflux, a solution prepared by mixing 2.4 g of a methanol solution containing 92% UPS (UPS content: 2.2 g) and 1.8 g of PGME was added, and further heated under reflux for 30 minutes. after, SiO 2 in terms of solid concentration was obtained 10 wt% of the polysiloxane solution was allowed to cool.
The obtained polysiloxane solution 30.0g, PGME60.0g, and mixed HG10.0G, was obtained in terms of SiO 2 solid content concentration of 3 mass% of a polysiloxane dilute solution (LA3).

[合成例4]
温度計、及び還流管を備え付けた200ml四つ口反応フラスコにPGME31.5gとTEOS31.2g、及びMPMS2.1gを投入して撹拌し、アルコキシシランモノマーの溶液を調製した。この溶液に、あらかじめPGME15.7g、水15.0g及び触媒として蓚酸0.3gを混合した溶液を、室温下で30分かけて滴下し、滴下終了後30分室温下で撹拌した。その後、還流下で30分加熱後、UPSを92%含有するメタノール溶液2.4g(UPS含有量:2.2g)、及びPGME1.8gを混合した溶液を投入し、さらに還流下で30分加熱後、放冷してSiO換算固形分濃度が10質量%のポリシロキサン溶液を得た。
得られたポリシロキサン溶液30.0gに対し、PGME60.0g、及びHG10.0gを混合し、SiO換算固形分濃度が3質量%のポリシロキサン希釈溶液(LA4)を得た。
[Synthesis Example 4]
A 200 ml four-neck reaction flask equipped with a thermometer and a reflux tube was charged with 31.5 g of PGME, 31.2 g of TEOS, and 2.1 g of MPMS, and stirred to prepare an alkoxysilane monomer solution. A solution prepared by previously mixing 15.7 g of PGME, 15.0 g of water and 0.3 g of oxalic acid as a catalyst was added dropwise to this solution over 30 minutes at room temperature, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes after completion of the addition. Then, after heating for 30 minutes under reflux, a solution prepared by mixing 2.4 g of a methanol solution containing 92% UPS (UPS content: 2.2 g) and 1.8 g of PGME was added, and further heated under reflux for 30 minutes. after, SiO 2 in terms of solid concentration was obtained 10 wt% of the polysiloxane solution was allowed to cool.
The obtained polysiloxane solution 30.0g, PGME60.0g, and mixed HG10.0G, was obtained in terms of SiO 2 solid content concentration of 3 mass% of a polysiloxane dilute solution (LA4).

[合成例5]
温度計、及び還流管を備え付けた200ml四つ口反応フラスコにHG20.6g、BCS6.9g、及びTEOS37.5gを投入して撹拌し、アルコキシシランモノマーの溶液を調製した。この溶液に、あらかじめHG10.3g、BCS3.4g、水10.8g及び触媒として蓚酸0.5gを混合した溶液を、室温下で30分かけて滴下し、滴下終了後30分室温下で撹拌した。その後、還流下で30分加熱後、UPSを92%含有するメタノール溶液5.8g(UPS含有量:5.3g)、HG3.2g、及びBCS1.1gを混合した溶液を投入し、さらに還流下で30分加熱後、放冷してSiO換算固形分濃度が12質量%のポリシロキサン溶液を得た。
得られたポリシロキサン溶液30.0gに対し、HG41.9g、BCS7.1g及びPB40.9gを混合し、SiO換算固形分濃度が3質量%のポリシロキサン希釈溶液(LA5)を得た。
[Synthesis Example 5]
A 200 ml four-necked reaction flask equipped with a thermometer and a reflux tube was charged with 20.6 g of HG, 6.9 g of BCS, and 37.5 g of TEOS, and stirred to prepare an alkoxysilane monomer solution. To this solution, a solution prepared by previously mixing 10.3 g of HG, 3.4 g of BCS, 10.8 g of water and 0.5 g of oxalic acid as a catalyst was added dropwise over 30 minutes at room temperature, and stirred at room temperature for 30 minutes after completion of the addition. . Then, after heating for 30 minutes under reflux, a solution in which 5.8 g of methanol solution containing 92% of UPS (UPS content: 5.3 g), 3.2 g of HG, and 1.1 g of BCS was added and further refluxed. After heating for 30 minutes, the mixture was allowed to cool to obtain a polysiloxane solution having a solid content concentration in terms of SiO 2 of 12% by mass.
To polysiloxane solution 30.0g obtained, HG41.9g, mixed BCS7.1g and PB40.9G, was obtained in terms of SiO 2 solid content concentration of 3 mass% of a polysiloxane dilute solution (LA5).

[合成例6]
合成例2で得られたポリシロキサン溶液LA2の90gと、コロイダルシリカ微粒子(製品名:メタノールシリカゾル、日産化学工業社製;SiO換算固形分濃度が30質量%)3.0g、及びMeOH7.0gを室温下で30分間撹拌して、SiO換算固形分濃度が3質量%のポリシロキサン希釈溶液(LA6)を得た。
[Synthesis Example 6]
90 g of polysiloxane solution LA2 obtained in Synthesis Example 2, 3.0 g of colloidal silica fine particles (product name: methanol silica sol, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd .; solid content concentration in terms of SiO 2 is 30% by mass), and MeOH 7.0 g Was stirred at room temperature for 30 minutes to obtain a polysiloxane diluted solution (LA6) having a solid content concentration in terms of SiO 2 of 3% by mass.

[比較合成例1]
温度計、及び還流管を備え付けた200mLの四つ口反応フラスコにEtOH40.3gを投入し、撹拌下で、このEtOHに蓚酸18.0gを少量ずつ添加することにより、蓚酸のエタノール溶液を調製した。次いで、この溶液をその還流温度まで加熱し、還流下のこの溶液中にTEOS20.8gとEtOH20.8gの混合物を45分間かけて滴下した。滴下終了後も、還流下に加熱を5時間続けた後、冷却することによりポリシロキサンの溶液を調製した。
さらに300mlフラスコ中で、このポリシロキサン溶液100gと、溶媒としてHG64.0g、NMP48.0g、及び1,4−BDO32.0gを混合した。次に、NEWロータリーバキュームエバポレーター(東京理化器械社製、NE−1)により60℃で20mmHg(2.67kPa)まで徐々に減圧しながら溶媒を留去して、184.0gの置換溶液を得た。その後、この置換溶液184.0gにPGME16.0gを混合して、SiO換算固形分濃度が3質量%のポリシロキサン溶液(LB1)を得た。
[Comparative Synthesis Example 1]
A 200 mL four-necked reaction flask equipped with a thermometer and a reflux tube was charged with 40.3 g of EtOH, and 18.0 g of oxalic acid was added little by little to this EtOH with stirring to prepare an ethanol solution of oxalic acid. . The solution was then heated to its reflux temperature and a mixture of 20.8 g TEOS and 20.8 g EtOH was added dropwise over 45 minutes to the solution under reflux. Even after completion of the dropwise addition, heating was continued for 5 hours under reflux, followed by cooling to prepare a polysiloxane solution.
Furthermore, in a 300 ml flask, 100 g of this polysiloxane solution was mixed with 64.0 g of HG, 48.0 g of NMP, and 32.0 g of 1,4-BDO as solvents. Next, the solvent was distilled off with a NEW rotary vacuum evaporator (manufactured by Tokyo Rika Kikai Co., Ltd., NE-1) at 60 ° C. while gradually reducing the pressure to 20 mmHg (2.67 kPa) to obtain 184.0 g of a replacement solution. . Then, by mixing PGME16.0g to the substitution solution 184.0 g, was obtained in terms of SiO 2 solid content concentration of 3 mass% of a polysiloxane solution (LB1).

[比較合成例2]
温度計、及び還流管を備え付けた200ml四つ口反応フラスコにHG23.7g、BCS7.9g、及びTEOS41.7gを投入して撹拌し、アルコキシシランモノマーの溶液を調製した。この溶液に、あらかじめHG11.8g、BCS3.9g、水10.8g及び触媒として蓚酸0.2gを混合した溶液を、室温下で30分かけて滴下し、滴下終了後30分室温下で撹拌した。その後、還流下で60分加熱後、放冷してSiO換算固形分濃度が12質量%のポリシロキサン溶液を得た。
得られたポリシロキサン溶液30.0gに対し、HG55.2g、BCS9.2g及びPB55.6gを混合し、SiO換算固形分濃度が3質量%のポリシロキサン希釈溶液(LB2)を得た。
[Comparative Synthesis Example 2]
A 200 ml four-neck reaction flask equipped with a thermometer and a reflux tube was charged with 23.7 g of HG, 7.9 g of BCS, and 41.7 g of TEOS, and stirred to prepare an alkoxysilane monomer solution. To this solution, a solution in which 11.8 g of HG, 3.9 g of BCS, 10.8 g of water and 0.2 g of oxalic acid as a catalyst were mixed dropwise over 30 minutes at room temperature, and stirred at room temperature for 30 minutes after completion of the dropwise addition. . Then, after heating for 60 minutes under reflux, the mixture was allowed to cool to obtain a polysiloxane solution having a solid content concentration in terms of SiO 2 of 12% by mass.
To polysiloxane solution 30.0g obtained, HG55.2g, mixed BCS9.2g and PB55.6G, was obtained in terms of SiO 2 solid content concentration of 3 mass% of a polysiloxane dilute solution (LB2).

[比較合成例3]
300mlフラスコに純水2.5g、エタノール64.8g及び触媒としてANを2.7g仕込み、撹拌して均一な溶液を得た。この溶液にTEOSを14.3g加え、室温で30分撹拌した。その後、TETを15.7g添加し、室温で30分撹拌した。この溶液を、溶媒をHGに置換する前の溶液(置換前溶液)とした。
さらに300mlフラスコ中で、得られた置換前溶液の24.0gと、HG25.87gを混合した。次に、NEWロータリーバキュームエバポレーター(東京理化器械社製、NE−1)により60℃で20mmHg(2.67kPa)まで徐々に減圧しながら溶媒を留去して、28.9gの置換溶液を得た。その後、置換溶液28.9gにPGME11.1gを混合して、SiO換算固形分濃度が 質量%のポリチタノシロキサン溶液(LB3)を調製した。
[Comparative Synthesis Example 3]
A 300 ml flask was charged with 2.5 g of pure water, 64.8 g of ethanol and 2.7 g of AN as a catalyst, and stirred to obtain a uniform solution. To this solution, 14.3 g of TEOS was added and stirred at room temperature for 30 minutes. Thereafter, 15.7 g of TET was added and stirred at room temperature for 30 minutes. This solution was used as a solution before replacing the solvent with HG (pre-substitution solution).
Furthermore, 24.0 g of the obtained pre-substitution solution and HG 25.87 g were mixed in a 300 ml flask. Next, the solvent was distilled off while gradually reducing the pressure to 20 mmHg (2.67 kPa) at 60 ° C. with a NEW rotary vacuum evaporator (manufactured by Tokyo Rika Kikai Co., Ltd., NE-1) to obtain 28.9 g of a replacement solution. . Thereafter, 11.1 g of PGME was mixed with 28.9 g of the replacement solution to prepare a polytitanosiloxane solution (LB3) having a solid content concentration in terms of SiO 2 of mass%.

[電極保護膜の評価]
得られた溶液(LA1〜LA6)、及び(LB1〜LB3)から形成される電極保護膜について、後述する方法を用いて鉛筆硬度、水接触角及び液晶配向膜印刷性を評価した。結果は表1に示す。
[Evaluation of electrode protection film]
About the electrode protective film formed from the obtained solution (LA1-LA6) and (LB1-LB3), pencil hardness, a water contact angle, and liquid crystal aligning film printability were evaluated using the method mentioned later. The results are shown in Table 1.

Figure 0005716675
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表1の結果から、本発明により得られる電極保護膜は、150℃以下という低温の硬化温度においても、一般的にその被膜を液晶表示素子の電極保護膜(絶縁膜)として使用する場合に充分な硬度とされる5H以上の鉛筆硬度を示した。
そして、この被膜上に、ポリアミド酸タイプだけでなく、可溶性ポリイミドタイプの液晶配向剤を使用した場合であっても、はじきやピンホールのない優れた成膜性を示した。
From the results of Table 1, the electrode protective film obtained by the present invention is generally sufficient when the film is used as an electrode protective film (insulating film) of a liquid crystal display element even at a curing temperature as low as 150 ° C. or less. It showed a pencil hardness of 5H or higher, which is considered to be a high hardness.
And even if it was a case where not only a polyamic-acid type but a soluble polyimide type liquid crystal aligning agent was used on this film, the outstanding film formability without a repellency and a pinhole was shown.

[鉛筆硬度]
合成例(LA1〜LA6)、及び比較合成例(LB1〜LB3)のポリシロキサン溶液(塗布液)をクロマトディスク(倉敷紡績社製、孔径0.45μm)を用いて濾過した。その後、厚さ0.7mmのITO付ガラス基板(ITOの膜厚が140nm)上に滴下して、スピンコーター(ミカサ社製、1H−DX2)を用いて、回転数300rpmで5秒間の予備回転の後、回転数2000〜5000rpmで20秒間回転させて塗膜を形成した。次いで、温度80℃のホットプレート上で3分間乾燥させた後、ホットプレート上で硬化温度150℃として15分間加熱して硬化被膜を得た。得られた硬化被膜の鉛筆硬度を試験法(JIS K5400)に準拠して測定した。
[Pencil hardness]
The polysiloxane solutions (coating solutions) of Synthesis Examples (LA1 to LA6) and Comparative Synthesis Examples (LB1 to LB3) were filtered using a chromatodisc (manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd., pore size: 0.45 μm). Then, it is dropped on a 0.7 mm thick glass substrate with ITO (ITO film thickness is 140 nm) and pre-rotated for 5 seconds at a rotation speed of 300 rpm using a spin coater (Mikasa 1H-DX2). After that, the coating film was formed by rotating at a rotational speed of 2000 to 5000 rpm for 20 seconds. Next, after drying on a hot plate at a temperature of 80 ° C. for 3 minutes, the cured film was obtained by heating on the hot plate at a curing temperature of 150 ° C. for 15 minutes. The pencil hardness of the obtained cured film was measured according to a test method (JIS K5400).

[水接触角]
協和界面科学社製の自動接触角計CA−Z型を使用して、純水の3マイクロリットルを滴下したときの接触角を測定した。なお、使用した基板の態様と保護膜の作製方法は、[鉛筆硬度]の測定の場合と同じである。
[Water contact angle]
Using an automatic contact angle meter CA-Z type manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., the contact angle when 3 microliters of pure water was dropped was measured. In addition, the aspect of the board | substrate used and the preparation methods of a protective film are the same as the case of the measurement of [pencil hardness].

[液晶配向膜印刷性]
上記した[鉛筆硬度]と同様の方法で形成した硬化被膜上に、S15型印刷機(飯沼ゲージ製作所社製、アニロックスロール(300#)、凸版(網点400L30%75°))を用いて、液晶配向剤(日産化学工業社製、サンエバー(登録商標)SE−3140 0735(商品名;ポリアミド酸タイプ)、SE−7492 062M(商品名;ポリアミド酸/可溶性ポリイミドブレンドタイプ)、SE−5291 062B(商品名;可溶性ポリイミドタイプ))を塗布した。その後、温度80℃のホットプレート上で、3分間乾燥して液晶配向膜を形成した。形成した液晶配向膜を目視で観察し、液晶配向膜にはじき、ピンホール及びムラがない良好な場合を○、ピンホール又はムラが生じている場合を△、はじきを生じて基板上に充分に成膜されていない状態を×とした。
[Liquid crystal alignment film printability]
On the cured film formed by the same method as the above [pencil hardness], using an S15 type printing machine (manufactured by Iinuma Gauge Mfg. Co., Ltd., anilox roll (300 #), letterpress (halftone dot 400L 30% 75 °)), Liquid crystal aligning agent (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., Sun Ever (registered trademark) SE-3140 0735 (trade name; polyamic acid type), SE-7492 062M (trade name; polyamic acid / soluble polyimide blend type), SE-5291 062B ( Product name; soluble polyimide type)) was applied. Then, it dried for 3 minutes on the hotplate of temperature 80 degreeC, and formed the liquid crystal aligning film. Visually observe the formed liquid crystal alignment film, repel the liquid crystal alignment film, ◯ if there is no pinhole or unevenness, △ if pinhole or unevenness is generated, The state where no film was formed was marked with x.

本発明の電極保護膜形成剤は、フレキソ印刷法、スリットコート法、インクジェット法、スプレーコート法、及びグラビアコート法での塗膜形成能に優れ、低温で充分に硬化できる電極保護膜を形成することできる。さらに、形成された電極保護膜は、その上層にはじきやピンホールを抑制した液晶配向膜を形成することができる。そのため、特に低温での焼成が必要なプラスチック基板を使用する液晶表示装置、あるいは液晶方式の電子ペーパーなどの電極保護膜として有用である。
なお、2009年12月02日に出願された日本特許出願2009−274662号の明細書、特許請求の範囲、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
The electrode protective film forming agent of the present invention forms an electrode protective film that is excellent in coating film forming ability in flexographic printing method, slit coating method, ink jet method, spray coating method, and gravure coating method, and can be sufficiently cured at low temperature. I can. Furthermore, the formed electrode protective film can form a liquid crystal alignment film in which repelling and pinholes are suppressed on the upper layer. Therefore, it is useful as an electrode protective film for a liquid crystal display device using a plastic substrate that needs to be fired at a low temperature or a liquid crystal electronic paper.
It should be noted that the entire contents of the specification, claims, and abstract of Japanese Patent Application No. 2009-274661 filed on Dec. 02, 2009 are incorporated herein as the disclosure of the specification of the present invention. Is.

Claims (7)

電極保護膜の上層に液晶配向膜が形成される液晶表示素子用の電極保護膜を得るための電極保護膜形成剤であり、式(1)で表されるアルコキシシラン及び式(2)で表されるアルコキシシランをみ、かつ式(1)で表されるアルコキシシランが、全アルコキシシラン中、0.5〜60モル%含まれ、かつ式(2)で表されるアルコキシシランが全アルコキシシラン中、40〜99.5モル%含むアルコキシシランを重縮合して得られるポリシロキサンを含有することを特徴とする電極保護膜形成剤。
{Si(OR (1)
(Rはウレイド基で置換された炭素原子数1〜12の炭化水素基であり、Rは炭素原子数1〜5のアルキル基であり、pは1又は2の整数を表す。)
(RSi(OR4−n (2)
(Rは、水素原子、又はヘテロ原子、ハロゲン原子、ビニル基、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基、メタクリロキシ基、イソシアネート基若しくはアクリロキシ基で置換されていてもよい、炭素原子数1〜8の炭化水素基であり、Rは炭素原子数1〜5のアルキル基であり、nは0〜3の整数を表す。)
An electrode protective film forming agent for obtaining an electrode protective film for a liquid crystal display element in which a liquid crystal alignment film is formed on the upper layer of the electrode protective film , represented by alkoxysilane represented by formula (1) and formula (2) alkoxysilane alkoxysilane down only contains, and is expressed by the formula (1) to be found in the total alkoxysilane, it contains 0.5 to 60 mol%, and the alkoxysilane of formula (2) All An electrode protective film-forming agent comprising polysiloxane obtained by polycondensation of alkoxysilane containing 40 to 99.5 mol% in alkoxysilane .
R 1 {Si (OR 2 ) 3 } P (1)
(R 1 is a C 1-12 hydrocarbon group substituted with a ureido group, R 2 is a C 1-5 alkyl group, and p represents an integer of 1 or 2.)
(R 3 ) n Si (OR 4 ) 4-n (2)
(R 3 is a hydrogen atom, or a hetero atom, a halogen atom, a vinyl group, an amino group, a glycidoxy group, a mercapto group, a methacryloxy group, an isocyanate group or an acryloxy group, and having 1 to 8 carbon atoms. A hydrocarbon group, R 4 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and n represents an integer of 0 to 3.)
式(2)におけるnが0である、テトラアルコキシシランである請求項1に記載の電極保護膜形成剤。   The electrode protective film forming agent according to claim 1, which is tetraalkoxysilane in which n in Formula (2) is 0. 前記式(1)で表されるアルコキシシランが、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン及びγ−ウレイドプロピルトリプロポキシシランからなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項1又は2に記載の電極保護膜形成剤。 The alkoxysilane represented by the formula (1) is at least one selected from the group consisting of γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-ureidopropyltrimethoxysilane, and γ-ureidopropyltripropoxysilane. 3. The electrode protective film forming agent according to 1 or 2 . 請求項1〜のいずれかに記載の電極保護膜形成剤を基板に塗布し、焼成して得られる、その上層に液晶配向膜が形成される液晶表示素子用の電極保護膜。 The electrode protective film for liquid crystal display elements by which the liquid crystal aligning film is formed in the upper layer obtained by apply | coating the electrode protective film forming agent in any one of Claims 1-3 to a board | substrate, and baking. 請求項1〜のいずれかに記載の電極保護膜形成剤を基板に塗布し、室温〜120℃の温度で乾燥した後、焼成する電極保護膜の形成方法。 It claims an electrode protective film formation agent according to any one of claim 1 to 3 is applied to a substrate and dried at a temperature of room temperature to 120 ° C., the method of forming the fired electrode protective film. 焼成温度が、100〜180℃である、請求項に記載の電極保護膜の形成方法。 The formation method of the electrode protective film of Claim 5 whose baking temperature is 100-180 degreeC. 請求項に記載の電極保護膜を有する液晶表示素子。 The liquid crystal display element which has an electrode protective film of Claim 4 .
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