JP5720496B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
発光装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5720496B2 JP5720496B2 JP2011182612A JP2011182612A JP5720496B2 JP 5720496 B2 JP5720496 B2 JP 5720496B2 JP 2011182612 A JP2011182612 A JP 2011182612A JP 2011182612 A JP2011182612 A JP 2011182612A JP 5720496 B2 JP5720496 B2 JP 5720496B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- resin
- lead frame
- light emitting
- element mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/8506—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
- H10W72/07554—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
以下、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置及びその製造方法につき、図面を参照して詳細に説明する。
図1は発光装置を示す。図2(a)及び(b)はケース及び素子搭載基板を示す。図1及び図2(a),(b)に示すように、発光装置1は、樹脂パッケージ2と、樹脂パッケージ2を素子搭載面(表面)3a側に形成する素子搭載基板3と、素子搭載基板3に搭載されたLED素子4とから大略構成されている。
樹脂パッケージ2は、ケース20及び封止部材21を有し、素子搭載基板3の表面3a及び側面3bに跨って配置されている。樹脂パッケージ2の材料としては、光を遮蔽する例えばポリアミド等の熱可塑性樹脂,エポキシやシリコーン等の熱硬化性樹脂あるいはアルミナ等のセラミックスが用いられる。本実施の形態ではシリコーン樹脂が用いられる。
素子搭載基板3は、第1の絶縁部材30及び第2の絶縁部材31によって互いに絶縁された一対の導体パッド32,33を有し、全体が平面矩形状の板部材によって形成されている。素子搭載基板3の厚さは約1.0mm程度の寸法に設定されている。素子搭載基板3には、ケース20との間に互いに密着する凹凸部A,Bが、また封止部材21との間に互いに密着する凹凸部C,Dがそれぞれ配置されている。
図3はLED素子を示す。図3に示すように、LED素子4は、p側電極40及びn側電極41を有し、p側電極40(p側パッド電極40a)をめっき処理部36(図1に示す)に、またn側電極41をめっき処理部34(図1に示す)にそれぞれワイヤ42(図1に示す)で接続して素子搭載基板3(図1に示す)における素子搭載面3aの略中央部に搭載されている。LED素子4としては例えば平面略正方形状の青色LED素子が用いられる。
次に、本実施の形態に示す発光装置1の製造方法につき、図4(a)〜(e)を参照して説明する。図4(a)〜(e)は発光装置の製造手順を示す。
図4(a)に示すように、予め素子搭載基板3が配置された金型(図示せず)内にケース20となる液状樹脂を注入して硬化させることにより、素子搭載基板3の表面3a及び側面3bにケース20を形成する。なお、ケース20の形成後において、その素子側開口部と素子搭載基板3の表面3aとの間に付着する樹脂ばりは、アルカリ液で溶かすか、あるいはシリカ(SiO2)で飛ばすかして除去する。
図4(b)に示すように、素子搭載基板3における導体パッド32の表裏面にめっき処理を施すことによりめっき処理部34,35を設ける。同様に、素子搭載基板3における導体パッド33の表裏面にめっき処理を施すことによりめっき処理部36,37を設ける。
図4(c)に示すように、例えばエポキシ樹脂等の絶縁性接着剤(図示せず)を用い、素子搭載基板3の導体パッド32上にめっき処理部34を介してLED素子4を接着する。この際、LED素子4の接着は、その光取出側をp側パッド電極40a及びn側電極41(共に図3に示す)が指向するようにして行われる。これにより、素子搭載基板3にはLED素子4が搭載される(所謂、フェイスアップ搭載)。
図4(d)に示すように、例えば銀粉含有の導電性接着剤を用い、LED素子4を導体パッド32上のめっき処理部34及び導体パッド33上のめっき処理部36にワイヤ42によって接続する。この場合、p側パッド電極40aがめっき処理部36に、またn側電極41がめっき処理部34にそれぞれワイヤ42を介して接続される。
図4(e)に示すように、例えばディスペンサ(図示せず)を用いて封止部材21となるシリコーン系の液状樹脂をケース20内に注入して硬化させる。これにより、素子搭載基板3上のLED素子4がワイヤ42と共に封止部材21によって封止される。この場合、LED素子4が封止されると、素子搭載基板3の表面3a側に樹脂パッケージ2が形成される。そして、素子搭載基板3の凹部32aと封止部材21の凸部21aとが、また素子搭載基板3の凹部33cと封止部材21の凸部21bとがそれぞれ密着するため、素子搭載基板3と封止部材21との間において所謂アンカー効果が得られる。
以上説明した第1の実施の形態によれば、次に示す効果が得られる。
次に、本発明の第2実施の形態に係る素子集合搭載基板につき、図5及び図6を用いて説明する。図5は発光装置を示す。図6(a)及び(b)は基板用素材を示す。図5において、図1〜図3と同一又は同等の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
以上説明した第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態に示す効果と同様の効果が得られる。
Claims (6)
- 光取出側に開口する樹脂からなるケース、及び前記ケース内に充填された樹脂からなる封止部材を有する樹脂パッケージと、
前記樹脂パッケージの前記封止部材によって封止された発光素子と、
貫通孔に充填された樹脂によって分離され、前記発光素子を搭載するとともに、前記樹脂パッケージを素子搭載面側に形成するリードフレームとを備え、
前記リードフレームは、前記ケース及び前記封止部材と密着する凹部が前記貫通孔と連通しないように形成され、
前記封止部材と密着する凹部は、前記ケースを構成する樹脂が注入されていない
発光装置。 - 前記リードフレームは、前記凹部に加えて、前記ケースと密着する凹凸部が側面に配置されている請求項1に記載の発光装置。
- 前記リードフレームは、その表裏両面にエッチング処理を施すことにより、前記凹凸部のうち凸部が前記側面に形成されている請求項2に記載の発光装置。
- 前記リードフレームは、その裏面にエッチング処理を施すことにより、前記凹凸のうち凹部が前記側面に切り欠きとして形成されている請求項2に記載の発光装置。
- 光取出側に開口するケース、及び前記ケース内に充填される封止部材を有する樹脂パッケージを素子搭載面側に形成するものであって、樹脂が充填される貫通孔を有し、前記ケース及び前記封止部材と密着する凹部が前記貫通孔と連通しないように形成されたリードフレームを形成する第1の工程と、
前記リードフレームの前記貫通孔に樹脂を充填した状態で前記リードフレームを金型にセットし、前記ケースとなる液状樹脂を注入して前記封止部材と密着する凹部に前記ケースとなる液状樹脂が注入されないように前記リードフレームの素子搭載面側に前記ケースを形成する第2の工程と、
前記ケース内に発光素子を収容して前記リードフレームに搭載する第3の工程と、
前記封止部材となる液状樹脂を前記ケース内に注入して前記発光素子を封止し、前記樹脂パッケージを形成する第4の工程と
を備えた発光装置の製造方法。 - 前記第1の工程は、前記リードフレームの形成が前記第2の工程における前記ケースの形成と同時に行われる請求項5に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011182612A JP5720496B2 (ja) | 2011-08-24 | 2011-08-24 | 発光装置及びその製造方法 |
| US13/489,357 US8823040B2 (en) | 2011-08-24 | 2012-06-05 | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011182612A JP5720496B2 (ja) | 2011-08-24 | 2011-08-24 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013045888A JP2013045888A (ja) | 2013-03-04 |
| JP5720496B2 true JP5720496B2 (ja) | 2015-05-20 |
Family
ID=47742377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011182612A Active JP5720496B2 (ja) | 2011-08-24 | 2011-08-24 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8823040B2 (ja) |
| JP (1) | JP5720496B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190029251A (ko) * | 2017-09-12 | 2019-03-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 조명 모듈 |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012215705B4 (de) * | 2012-09-05 | 2021-09-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Gehäuse für ein optisches bauelement, baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer baugruppe |
| KR102019499B1 (ko) * | 2012-11-05 | 2019-09-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 |
| JP6291713B2 (ja) | 2013-03-14 | 2018-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置、並びにリードフレーム |
| DE102013206225A1 (de) * | 2013-04-09 | 2014-10-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| TWI540769B (zh) | 2013-05-27 | 2016-07-01 | 億光電子工業股份有限公司 | 承載結構及發光裝置 |
| CN203312365U (zh) * | 2013-07-04 | 2013-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种led支架、led以及背光模组 |
| WO2016021476A1 (ja) * | 2014-08-05 | 2016-02-11 | シチズン電子株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP6460390B2 (ja) * | 2015-02-04 | 2019-01-30 | 大口マテリアル株式会社 | リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置 |
| WO2016129658A1 (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | シチズン電子株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP6536992B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2019-07-03 | 大口マテリアル株式会社 | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム及び光半導体装置、並びにそれらの製造方法 |
| JP6455931B2 (ja) * | 2015-06-11 | 2019-01-23 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
| JP6455932B2 (ja) * | 2015-06-16 | 2019-01-23 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
| JP6537136B2 (ja) * | 2015-06-16 | 2019-07-03 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
| JP6525259B2 (ja) * | 2015-06-22 | 2019-06-05 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
| JP6610927B2 (ja) * | 2015-07-31 | 2019-11-27 | 大口マテリアル株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法と、光半導体素子搭載用基板の製造方法 |
| JP6537141B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2019-07-03 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
| JP6468601B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2019-02-13 | 大口マテリアル株式会社 | 多列型led用リードフレーム及びその製造方法、並びにledパッケージの製造方法 |
| JP6213582B2 (ja) * | 2016-01-22 | 2017-10-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP6593841B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2019-10-23 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 |
| JP6593842B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2019-10-23 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 |
| TW201806201A (zh) * | 2016-05-05 | 2018-02-16 | 億光電子工業股份有限公司 | 封裝支架結構及其製造方法 |
| JP2017092500A (ja) * | 2017-02-15 | 2017-05-25 | 大日本印刷株式会社 | Led用リードフレーム、光半導体装置、およびled用リードフレームの製造方法 |
| JP7189413B2 (ja) * | 2017-07-06 | 2022-12-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN109216527B (zh) * | 2017-07-06 | 2023-08-15 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| JP7053249B2 (ja) * | 2017-12-22 | 2022-04-12 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP6543391B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2019-07-10 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP6920619B2 (ja) * | 2018-10-18 | 2021-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP7271130B2 (ja) * | 2018-10-23 | 2023-05-11 | サンコール株式会社 | バスバーアッセンブリ |
| KR102260622B1 (ko) * | 2019-10-28 | 2021-06-08 | 주식회사 코스텍시스 | 고방열 큐에프엔 패키지 |
| JP7483936B2 (ja) * | 2020-11-27 | 2024-05-15 | 京セラ株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
| DE102021108604A1 (de) | 2021-04-07 | 2022-10-13 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Bauelement mit strukturiertem leiterrahmen und gehäusekörper sowie verfahren zur herstellung des bauelements |
| JP2023085831A (ja) * | 2021-12-09 | 2023-06-21 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP2024054731A (ja) * | 2022-10-05 | 2024-04-17 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8030674B2 (en) * | 2008-04-28 | 2011-10-04 | Lextar Electronics Corp. | Light-emitting diode package with roughened surface portions of the lead-frame |
| JP2010080503A (ja) | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| JP2011066144A (ja) | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Dainippon Printing Co Ltd | Led用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびled用リードフレームまたは基板の製造方法 |
| JP5710128B2 (ja) * | 2010-01-19 | 2015-04-30 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームの製造方法 |
| JP5587625B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2014-09-10 | アピックヤマダ株式会社 | リードフレーム及びledパッケージ用基板 |
| KR101064084B1 (ko) * | 2010-03-25 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
-
2011
- 2011-08-24 JP JP2011182612A patent/JP5720496B2/ja active Active
-
2012
- 2012-06-05 US US13/489,357 patent/US8823040B2/en active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190029251A (ko) * | 2017-09-12 | 2019-03-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 조명 모듈 |
| KR102407337B1 (ko) * | 2017-09-12 | 2022-06-10 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 조명 모듈 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8823040B2 (en) | 2014-09-02 |
| US20130049061A1 (en) | 2013-02-28 |
| JP2013045888A (ja) | 2013-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5720496B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| CN104737307B (zh) | 用于制造多个光电子半导体构件的方法 | |
| US9240395B2 (en) | Waterproof surface mount device package and method | |
| JP6074317B2 (ja) | 半導体発光装置および光源ユニット | |
| CN102769076B (zh) | 封装载板的制作方法 | |
| US10651337B2 (en) | Supporting substrate for semiconductor device, semiconductor apparatus comprising the same, and method for manufacturing the same | |
| JP7280820B2 (ja) | 反射性側面コーティングを伴う発光デバイスの製造方法 | |
| CN105409017B (zh) | 可表面安装的光电子半导体组件和用于制造至少一个可表面安装的光电子半导体组件的方法 | |
| CN102272951A (zh) | 多芯片发光二极管模块 | |
| CN103026512A (zh) | 器件和用于制造器件的方法 | |
| KR101426433B1 (ko) | 반도체 발광소자를 제조하는 방법 | |
| KR101181224B1 (ko) | Led 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2007235103A (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR101426434B1 (ko) | 반도체 발광소자를 제조하는 방법 | |
| KR101055074B1 (ko) | 발광 장치 | |
| KR101291092B1 (ko) | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
| KR20150042954A (ko) | 측면발광 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
| TW201448286A (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
| JP2013026416A (ja) | 素子搭載基板及びこれを備えた発光装置 | |
| KR101403640B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 이를 봉지하는 방법 | |
| KR101461156B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 | |
| KR101461153B1 (ko) | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
| KR101647068B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 | |
| KR20140048178A (ko) | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
| KR100866876B1 (ko) | 발광 소자 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130918 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140326 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140812 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141014 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150224 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150309 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5720496 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |