JP5727569B2 - Method for manufacturing DLC film-coated member and DLC film-coated member - Google Patents
Method for manufacturing DLC film-coated member and DLC film-coated member Download PDFInfo
- Publication number
- JP5727569B2 JP5727569B2 JP2013207875A JP2013207875A JP5727569B2 JP 5727569 B2 JP5727569 B2 JP 5727569B2 JP 2013207875 A JP2013207875 A JP 2013207875A JP 2013207875 A JP2013207875 A JP 2013207875A JP 5727569 B2 JP5727569 B2 JP 5727569B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dlc film
- film
- metal
- dlc
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 86
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 86
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 80
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 73
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 49
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 40
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 34
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 30
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 23
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 22
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 10
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 6
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 4
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 316
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 47
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 45
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 32
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 31
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 13
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 12
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 12
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 7
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 alkalis Chemical class 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- 241001163841 Albugo ipomoeae-panduratae Species 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000013535 sea water Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 3
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000221535 Pucciniales Species 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000005246 galvanizing Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 description 1
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011255 nonaqueous electrolyte Substances 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000003348 petrochemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000005504 petroleum refining Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M potassium thiocyanate Chemical compound [K+].[S-]C#N ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910006299 γ-FeOOH Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
本発明は、ＤＬＣ膜被覆部材の製造方法とＤＬＣ膜被覆部材に関する。特に、本発明は、ＤＬＣ膜の成膜機構に起因してこの膜中に発生する微細な貫通気孔が海水などの侵入径路となって基材を腐食し、ＤＬＣ膜が有する高硬度、耐摩耗性、潤滑性などの諸機能が短期間のうちに消滅する現象を防止するとともにＤＬＣ膜と金属からなる新しい機能を有する複合ＤＬＣ膜の創生に有効な技術を提案する。 The present invention relates to a method for producing a DLC film-coated member and a DLC film-coated member. In particular, according to the present invention, the fine through-holes generated in the DLC film due to the film forming mechanism corrode the base material as an intrusion path such as seawater, and the DLC film has high hardness and wear resistance. We propose a technology that is effective in creating a composite DLC film having a new function composed of a DLC film and a metal while preventing various functions such as properties and lubricity from disappearing in a short period of time.
近年、炭化水素系ガスを成膜用材料として、炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜が実用化され、多くの産業分野において利用されている。この炭素と水素を主成分とする硬質の膜とは、アモルファスながらダイヤモンド構造（ＰＳ３構造）とグラファイト構造（ＳＰ２構造）とが混在したものであって、ダイヤモンドライクカーボン、所謂、ＤＬＣ膜と呼ばれている。 In recent years, vapor deposition deposition films of carbon and hydrogen solids have been put into practical use using hydrocarbon-based gas as a film forming material, and are used in many industrial fields. The hard film mainly composed of carbon and hydrogen is a mixture of a diamond structure (PS3 structure) and a graphite structure (SP2 structure) although it is amorphous, and is called diamond-like carbon, so-called DLC film. ing.
このＤＬＣ膜は、硬質で優れた耐摩耗性を有することから、当初は切削工具類や摺動部材、回転部材の表面に施工されていたが、最近では、その他の産業分野における表面皮膜としても採用されている。 Since this DLC film is hard and has excellent wear resistance, it was initially applied to the surface of cutting tools, sliding members, and rotating members, but recently, it has also been used as a surface coating in other industrial fields. It has been adopted.
また、このＤＬＣ膜は、無気孔の状態に成膜されたものだと、酸やアルカリあるいはハロゲン化合物などに対して卓越した耐食性を発揮することから、半導体加工装置用部材の表面皮膜として有用であり、この分野において、耐食性の向上、あるいは酸や純水による洗浄時において良好な汚染物質除去作用を示す皮膜として利用されている（特許文献１〜７）。 In addition, when the DLC film is formed in a non-porous state, it exhibits excellent corrosion resistance against acids, alkalis, halogen compounds, etc., and thus is useful as a surface film for semiconductor processing apparatus members. In this field, it is used as a film showing improved anti-corrosion properties, or a good pollutant removing action during cleaning with acid or pure water (Patent Documents 1 to 7).
さらに、このＤＬＣ膜としては、ＣとＨからなる構造のものに、Ｆを結合させたＣＦ２基やＣＦ３基を付与することによって、皮膜に一段と高い潤滑性と親水性とを付与する技術（特許文献８〜１５）も開示されている。これらの技術は、磁気ディスクや医療用器材の分野で利用されている。その他、ＤＬＣ膜の優れた滑り特性は、樹脂形成用金型の表面処理技術として開発されている（特許文献１６、１７）。
Furthermore, as this DLC film, a technique of imparting higher lubricity and hydrophilicity to the film by imparting CF 2 group or CF 3 group combined with F to the structure composed of C and H (
一方、ＤＬＣ膜を形成するための方法やその装置に関する研究も盛んに行われている。最近では、イオン化蒸着法やアークイオンプレーディング法、高周波・高電圧パルス重畳型成膜法、プラズマブースター法、プラズマＣＶＤ法などのＤＬＣ膜形成方法とそのための装置などが開発されている。これらの方法によって形成されるＤＬＣ膜は、硬質で耐摩耗性に優れたアモルファス状の皮膜になる点では共通している。しかし、複雑な形状を有する被処理体に対して均一に成膜できるか否かについては差があり、課題が残っていた。ただし、前記高周波・高電圧パルス重畳型のプラズマＣＶＤ方法は、膜厚の均等な被覆形成性能を有し、初期残留応力の小さいＤＬＣ膜の形成が可能である。 On the other hand, research on a method and an apparatus for forming a DLC film has been actively conducted. Recently, DLC film forming methods such as ionized vapor deposition, arc ion-plating, high-frequency / high-voltage pulse superposition, plasma booster, plasma CVD, and the like have been developed. The DLC film formed by these methods is common in that it is an amorphous film that is hard and has excellent wear resistance. However, there is a difference in whether or not a film to be processed having a complicated shape can be uniformly formed, and a problem remains. However, the high-frequency / high-voltage pulse superposition type plasma CVD method can form a DLC film having a uniform film thickness and a small initial residual stress.
発明者らは、高周波・高電圧パルス重畳型プラズマＣＶＤ法（以下、「プラズマＣＶＤ法」と略記する）の適用により、従来型ＤＬＣ皮膜の膜質や硬度、摩擦係数などの機械的特性の改良、適用範囲の拡大により、汎用的な工学分野への展開を進めてきた。その結果、上記プラズマＣＶＤ法の適用によって形成されたＤＬＣ膜は、残留応力が小さく、硬さこそ他の方法で得られるＤＬＣ膜に比較して低いものの、複雑形状の部材に対しても、均一なＤＬＣ膜を形成できる上で有効である。例えば、この技術は、半導体加工装置用部材への耐食、耐プラズマ・エロージョン性（特許文献１８〜２０）や溶射皮膜の開口気孔への充填（特許文献２１、２２）、ポンプインペラー、圧縮機翼などの防食、防汚対策（特許文献２３〜２６）などの付与を目的とした技術に応用できることを提案してきた。
The inventors have improved the mechanical properties such as film quality, hardness and friction coefficient of the conventional DLC film by applying a high-frequency / high-voltage pulse superposition type plasma CVD method (hereinafter abbreviated as “plasma CVD method”). By expanding the scope of application, we have been expanding into general engineering fields. As a result, the DLC film formed by the application of the above plasma CVD method has a small residual stress and a hardness lower than that of the DLC film obtained by other methods, but it is uniform even for a member having a complicated shape. It is effective in that a DLC film can be formed. For example, this technique includes corrosion resistance, plasma erosion resistance (Patent Documents 18 to 20) to semiconductor processing device members, and filling of open pores of a sprayed coating (
前述したＤＬＣ膜に限らず、溶射法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法などで形成される皮膜については、それぞれの皮膜に発生する気孔の存在が共通の課題となっている。例えば、粒径１０〜５０μｍ程度の粉末をプラズマ熱源によって溶融しつつ、基材表面に吹き付けて堆積層を形成する溶射皮膜では、気孔が不可避に発生する。このことから、従来、成膜後に封孔処理を施すことが奨励されている。例えば、ＪＩＳ Ｈ ９３０２セラミック溶射作業標準では、セラミック溶射皮膜を形成した後、その表面に、無機系あるいは有機高分子系の封孔剤を塗布したり噴霧したりして、気孔内部に充填する方法が記載されている。 Not only the aforementioned DLC film but also the coatings formed by thermal spraying, PVD, CVD, etc., the presence of pores generated in each coating is a common problem. For example, pores are inevitably generated in a sprayed coating in which a powder having a particle size of about 10 to 50 μm is melted by a plasma heat source and sprayed onto the substrate surface to form a deposited layer. For this reason, it has been conventionally recommended to perform a sealing treatment after film formation. For example, in the JIS H 9302 ceramic spraying work standard, after forming a ceramic sprayed coating, an inorganic or organic polymer sealing agent is applied or sprayed on the surface of the ceramic sprayed coating to fill the pores. Is described.
さらに、溶射皮膜の気孔を封孔するための方法、および封孔剤ついては、次のような提案がある。即ち、特許文献２８〜３０には、耐食性を有するシリコーン、エチルシリケートなどの珪素化合物、合成樹脂などの有機高分子材料を用いて封孔する方法が開示されている。 Furthermore, there are the following proposals for the method for sealing the pores of the thermal spray coating and the sealing agent. That is, Patent Documents 28 to 30 disclose a method of sealing using an organic polymer material such as silicone having a corrosion resistance, a silicon compound such as ethyl silicate, or a synthetic resin.
また、特許文献３１、３２には、溶射皮膜を金属アルコキシドや金属酸化物粒子などの非金属化合物を含む電解液中に浸漬して電解し、電気泳動法の原理を利用して皮膜の表面や気孔中に溶質成分や酸化物粒子を充填し、その後、これを加熱焼成して封孔する方法が開示されている。
In
さらに、特許文献３３には、溶射皮膜の表面に可視光線によって硬化する有機高分子剤を塗布し、気孔を封孔するとともに、自然光によって硬化させる技術が開示されている。
Furthermore,
また、発明者らも、特許文献３４において、溶射皮膜の表面を電子ビームまたはレーザビームなどの高エネルギーを照射した後、その表面に炭素と水素を主成分とするアモルファス状のＤＬＣ膜を被覆形成する方法を提案している。
In addition, in the
さらに、溶射皮膜の表面に対して、電子ビームまたはレーザビームなどの高エネルギー照射を行って、表面近傍の溶射粒子を溶融させて気孔を熱的に消滅させる技術（特許文献３５）の提案もある。 Further, there is a proposal of a technique (Patent Document 35) in which the surface of the thermal spray coating is irradiated with high energy such as an electron beam or a laser beam to melt the thermal spray particles in the vicinity of the surface and thermally eliminate the pores. .
しかし、前述した各従来技術の場合、プラズマＣＶＤ法で形成されたＤＬＣ膜の貫通気孔の有効な封孔技術を提案するものではない。それは、ＤＬＣ膜については、気孔の大きさが前記溶射皮膜のものに比較すると非常に小さいため、溶射皮膜の封孔処理に適用されている各種の無機質および有機質の封孔剤を用いても、微小な気孔内部への充填はできず、単に気孔の入口部を封孔剤によって蓋をするような状態になるだけである。また、ＤＬＣ膜の気孔は、非常に小さく、皮膜自体が透明体に近い色調を有するため、拡大鏡や光学顕微鏡を用いても、その存在を容易に確認できないからである。また、ＤＬＣ膜の使用環境は、気孔に起因する腐食障害の少ない場所が多く、貫通気孔があっても、その影響を受け難いか、容認できる程度と考えられているために、ＤＬＣ膜の封孔処理技術が提案されてこなかったのが実情である。 However, each of the above-described conventional techniques does not propose an effective sealing technique for the through-holes of the DLC film formed by the plasma CVD method. It is because the DLC film has a very small pore size compared to that of the sprayed coating, so even if various inorganic and organic sealing agents applied to the sealing treatment of the sprayed coating are used, The inside of the minute pores cannot be filled, and the state is such that the entrance portion of the pores is covered with a sealing agent. In addition, the pores of the DLC film are very small and the film itself has a color tone close to that of a transparent body, so that the presence of the film cannot be easily confirmed even using a magnifying glass or an optical microscope. In addition, the use environment of the DLC film is considered to be acceptable because there are many places where there is little corrosion damage due to pores, and even if there are through-holes. In fact, no hole processing technology has been proposed.
以上説明したような背景の下で、発明者らは、先に特許文献３６において、電気めっき法によってセラミック溶射皮膜の貫通気孔の内部に、亜鉛を析出させ、その析出亜鉛を成長させることによって気孔を充填封孔することで、多孔質溶射皮膜の貫通気孔に起因する腐食障害を防止する方法を提案した。 Under the background as described above, the inventors previously described in Patent Document 36 that zinc is deposited inside the through-holes of the ceramic sprayed coating by electroplating, and the precipitated zinc is grown to grow the pores. We proposed a method to prevent corrosion failure caused by through-pores in the porous sprayed coating by filling and sealing the material.
従来、アークプレーティング法で炭素のみを使用して形成されたＤＬＣ膜は、水素を含まないか、たとえ含んでいたとしても非常に少ないのが特徴である。このようなＤＬＣ膜は、高硬度、耐摩耗性に優れる一方、成膜時に大きな残留応力を内蔵することになるため、膜厚を大きくすると、基材の密着力よりも残留応力の方が大きくなることが知られている。そのため、通常は１μｍ前後の膜厚に調整されており、例えば、３μｍ以上の膜厚にすると、ＤＬＣ膜が剥離しやすくなり、本来の機能が発揮できなくなることがある。 Conventionally, a DLC film formed using only carbon by an arc plating method is characterized in that it does not contain hydrogen or, if included, very little. Such a DLC film is excellent in high hardness and wear resistance, but incorporates a large residual stress at the time of film formation. Therefore, when the film thickness is increased, the residual stress is larger than the adhesion of the substrate. It is known to be. For this reason, the film thickness is usually adjusted to about 1 μm. For example, when the film thickness is 3 μm or more, the DLC film is likely to be peeled off and the original function may not be exhibited.
一方、炭化水素系ガスを使って成膜したＤＬＣ膜は、主成分が炭素と水素であり、炭素のみを出発原料とするＤＬＣ膜に比較すると、軟質であると共に成膜時の残留応力を低く抑えることができるため、膜厚を大きくすることが可能である。そのため、前者の薄膜の利用分野（例えば、工具類、軸受など）を超越した部材（例えば、ポンプのインペラー、ガスタービンの圧縮翼など）への適用が可能となるなど、ＤＬＣ膜の利用分野の拡大に大きく寄与した。 On the other hand, a DLC film formed using a hydrocarbon-based gas is mainly composed of carbon and hydrogen. Compared to a DLC film using only carbon as a starting material, the DLC film is soft and has low residual stress during film formation. Since the thickness can be suppressed, the film thickness can be increased. For this reason, it can be applied to members (eg, pump impellers, compression blades of gas turbines, etc.) that transcend the fields of use of the former thin film (eg, tools, bearings, etc.). Contributed greatly to expansion.
しかしながら、成膜原料の異なる前記ＤＬＣ膜共通の課題としてなお、次のような改善すべき課題がある。即ち、主として炭素からなるＤＬＣ膜及び炭素と水素とからなるＤＬＣ膜とも、酸（有機酸、無機酸）アルカリ各種の塩類に対して化学的に安定しており、何れも、ＤＬＣ膜自体は優れた耐食性を発揮する。その一方で、いずれのＤＬＣ膜とも、極めて小さな貫通気孔（皮膜の表面から基材まで繋がっている気孔で、液体や気体が通過できる気孔）が存在しているため、雰囲気中の腐食成分（ガス等）が貫通気孔部から皮膜内部に侵入して基材を腐食し、ＤＬＣ膜を根底から剥離させる現象がある。 However, the following problems to be improved are still common problems for the DLC films with different film forming materials. That is, both the DLC film mainly composed of carbon and the DLC film composed of carbon and hydrogen are chemically stable against various salts of acids (organic acids, inorganic acids) and alkalis. High corrosion resistance. On the other hand, all DLC films have extremely small through-holes (pores connected from the surface of the coating to the base material through which liquids and gases can pass), and therefore corrosive components (gases) in the atmosphere. Etc.) penetrates into the inside of the film from the through pores, corrodes the base material, and causes a phenomenon in which the DLC film is peeled off from the bottom.
従って、従来のＤＬＣ膜は、それ自体は化学的に安定な状態に維持されていたとしても、基材の腐食を抑えることができないことがあるため、このＤＬＣ膜の利用範囲は現在でも限定されている。このため、従来のＤＬＣ膜は、この膜が有する高硬度で耐摩耗性や潤滑性に優れる他、化学的安定性などの特性を十分に発揮できていないのが実情である。 Therefore, even if the conventional DLC film itself is maintained in a chemically stable state, the corrosion of the base material may not be suppressed, so the range of use of this DLC film is still limited. ing. For this reason, the conventional DLC film has a high hardness, excellent wear resistance and lubricity, and has not sufficiently exhibited characteristics such as chemical stability.
ところで、ＤＬＣ膜に存在する微細な貫通気孔の存在は、この気孔が原因で基材の鋼鉄が赤さびを発生する場合においては、目視によって判断することが可能である。しかし、赤さびが発生しない基材、具体的には、Ａｌ及びその合金、Ｔｉ及びその合金の表面に形成されたＤＬＣ膜の場合には、ＤＬＣ膜の剥離現象によってのみ判断する方法に頼っている。このため、成膜直後のＤＬＣ膜の貫通気孔の存在の有無について定量化するための評価試験方法の重要性が高まっているが、未だに開発されていない。 By the way, the presence of fine through-holes existing in the DLC film can be judged by visual observation when the base steel generates red rust due to the pores. However, in the case of a DLC film formed on the surface of a base material that does not generate red rust, specifically, Al and its alloys, Ti and its alloys, it relies on a method of judging only by the peeling phenomenon of the DLC film. . For this reason, the importance of an evaluation test method for quantifying the presence or absence of through-holes in a DLC film immediately after film formation has increased, but has not yet been developed.
また、たとえ、ＤＬＣ膜の貫通気孔を定量的に評価できる試験方法が開発されたとしても、貫通気孔に起因する腐食反応を完全に防止する技術の開発につながるものではない。例えば、溶射皮膜のように、粒径１０〜５０μｍの粉末材料をプラズマや燃焼フレームなどの熱源によって溶融しつつ、基材の表面に吹き付けることによって形成されたものに対しては、貫通気孔が大きいため、無機質または有機質のシール剤や塗料などを皮膜の表面に塗布することによって対処できる（例えばＪＩＳ Ｈ９３０２）。しかし、ＤＬＣ膜に存在する貫通気孔は、極めて微細なうえ、金属顕微鏡や電子顕微鏡で観察しても判別することができない程度である。しかも、前記シール剤や塗料をＤＬＣ膜の表面に塗布しても、気孔内部まで浸入させることができないことが実験的に確認されており、既存の封孔処理法では、ＤＬＣ膜の微細な気孔の内部を完全に封孔する技術までは知られていない。また、既存のシール材や塗料の耐食性は、ＤＬＣ膜に比較すると耐久性に乏しく、材質的な課題も存在しており、未だに解決されていない。 Even if a test method capable of quantitatively evaluating the through pores of the DLC film is developed, it does not lead to the development of a technique for completely preventing the corrosion reaction caused by the through pores. For example, a through-hole is large for a material formed by spraying a powder material having a particle size of 10 to 50 μm on a surface of a base material while being melted by a heat source such as a plasma or a combustion flame like a sprayed coating. Therefore, it can be dealt with by applying an inorganic or organic sealing agent or paint to the surface of the film (for example, JIS H9302). However, the through pores existing in the DLC film are extremely fine and are indistinguishable even when observed with a metal microscope or an electron microscope. Moreover, it has been experimentally confirmed that even if the sealing agent or paint is applied to the surface of the DLC film, it cannot be infiltrated into the pores. There is no known technology to completely seal the inside of the. In addition, the corrosion resistance of existing sealing materials and paints is poor in durability as compared with DLC films, and there are problems in terms of materials, which have not yet been solved.
そこで、本発明の目的は、気孔を有するＤＬＣ膜がその気孔に起因して基材表面から剥離するのを防止して耐食性に優れたＤＬＣ膜被覆部材を提供すること、およびＤＬＣと金属からなる新しい機能を有する複合型皮膜を創造するのに有利な上記部材の製造方法を提案することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a DLC film-coated member having excellent corrosion resistance by preventing the DLC film having pores from peeling off from the substrate surface due to the pores, and comprising DLC and a metal. An object of the present invention is to propose a method for producing the above-described member that is advantageous for creating a composite film having a new function.
本発明は、基材表面に形成した、ＤＬＣ膜の気孔（貫通気孔）中に、電気めっき液から析出させた金属・合金を侵入させ、密に充填して該気孔を封孔することにより、前記目的を実現する技術である。 In the present invention, the metal / alloy deposited from the electroplating solution is intruded into the pores (through pores) of the DLC film formed on the surface of the substrate, and the pores are tightly filled to seal the pores. This is a technique for realizing the object.
そこで、本発明では、従来技術が抱えている前述の課題を解決するため、下記の事項についてまず検討した。
（１）本発明では、基材の表面に、炭化水素系のガスを用いたプラズマＣＶＤ法などによって得られる、貫通気孔を有するＤＬＣ膜を対象とする。
（２）上記ＤＬＣ膜は、成膜原料の炭化水素系ガス中の炭素と水素の割合を制御することによって、炭素：８７ａｔ％〜６０ａｔ％、水素：１３ａｔ％〜４０ａｔ％の組成とすると共に、マイクロビッカース硬さ（Ｈｖ）を７００〜２８００の範囲に収まるような比較的軟質のものを対象とすることが好ましい。
（３）上記ＤＬＣ膜は、成膜時の内部残留応力を１ＧＰａ以下にすることによって５０μｍの厚さにもなるような厚膜のものを対象とすることが好ましい。
（４）上記ＤＬＣ膜は、少なくとも表面層は電気伝導性を有する基材の表面に対し、電気めっき法を適用して形成する。従って、その基材として、プラスチックスやセラミックスなどの非電気伝導性の材料を使用する場合には、その表面に予め、電気めっき法や化学めっき法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、溶射法などによって、電気伝導性を有する金属系またはサーメット系の皮膜を施工しておく。
（５）そして、基材表面に形成した多孔質（貫通気孔を有する）な前記ＤＬＣ膜を電気めっき法を利用した封孔処理を行なう。この処理は、ＤＬＣ膜を被覆した基材を導電性金属・合金めっき液中に浸漬し、その基材を陰極として直流を通電することで、該ＤＬＣ膜中の貫通気孔中にめっき液を浸入させ、めっき金属・合金を基材の表面を起点として析出させ、そして、この状態を続けることによって、めっき液から析出する貫通気孔内の金属・合金を次第に成長させ、最終的には、ＤＬＣ膜に存在するすべての該貫通気孔を、該めっき液から析出した金属・合金によって充填することによって、封孔する方法である。
Therefore, in the present invention, in order to solve the above-described problems of the prior art, the following matters were first examined.
(1) The present invention is directed to a DLC film having through-holes obtained by a plasma CVD method using a hydrocarbon-based gas on the surface of a base material.
(2) The DLC film has a composition of carbon: 87 at% to 60 at% and hydrogen: 13 at% to 40 at% by controlling the ratio of carbon and hydrogen in the hydrocarbon-based gas of the film forming raw material, It is preferable to target a relatively soft material whose micro Vickers hardness (Hv) is in the range of 700 to 2800.
(3) The DLC film is preferably directed to those of a thick film, such as is also the internal residual stress upon film formation in a thickness of 50μm by the following 1G P a.
(4) The DLC film is formed by applying an electroplating method to the surface of a base material having at least a surface layer having electrical conductivity. Therefore, when using a non-electrically conductive material such as plastics or ceramics as the substrate, the surface is preliminarily subjected to electroplating method, chemical plating method, PVD method, CVD method, thermal spraying method, etc. A metallic or cermet film having electrical conductivity is applied.
(5) Then, the porous (having through pores) DLC film formed on the surface of the substrate is subjected to sealing treatment using electroplating. In this treatment, the substrate coated with the DLC film is immersed in a conductive metal / alloy plating solution, and direct current is applied to the substrate as a cathode, so that the plating solution enters the through-holes in the DLC film. Then, the plated metal / alloy is deposited starting from the surface of the base material, and by continuing this state, the metal / alloy in the through pores precipitated from the plating solution is gradually grown, and finally the DLC film In this method, all the through-holes existing in (1) are filled with a metal / alloy precipitated from the plating solution.
即ち、本発明は、少なくとも表面層については電気伝導性を示す被処理基材の表面に、貫通気孔をもつＤＬＣ膜を被覆してＤＬＣ膜被覆部材を製造する方法において、該ＤＬＣ膜被覆部材を、封孔用金属・合金を含有するめっき液中に浸漬し、当該基材を陰極として直流を通電することにより、該ＤＬＣ膜中に存在する前記貫通気孔内に、めっき液から析出する封孔用金属・合金を充填して封孔することを特徴とするＤＬＣ膜被覆部材の製造方法である。 That is, the present invention provides a method for producing a DLC film-coated member by coating a DLC film having through pores on the surface of a substrate to be treated which exhibits electrical conductivity at least for the surface layer. A sealant that deposits from the plating solution in the through-holes present in the DLC film by immersing in a plating solution containing a metal / alloy for sealing and applying a direct current with the base material as a cathode. It is a method for producing a DLC film-coated member, which is filled with a metal / alloy for sealing and sealed.
また、本発明は、少なくとも表面層が電気伝導性を示す基材と、その表面に形成されたＤＬＣ膜とからなる部材において、そのＤＬＣ膜は、この膜中に存在する貫通気孔率にして２．６×１０ −５ 〜１５×１０ −１ ％の性状を有する貫通気孔の内部に、封孔用金属・合金を含有する電気めっき液から析出した該封孔用金属・合金が充填され封孔されたものであることを特徴とするＤＬＣ膜被覆部材を提案する。 Further, the present invention provides a member composed of a base material having at least a surface layer exhibiting electrical conductivity and a DLC film formed on the surface, wherein the DLC film has a through-porosity of 2 in the film. .6 × 10 −5 to 15 × 10 −1 % of the inside pores filled with the sealing metal / alloy deposited from the electroplating solution containing the sealing metal / alloy A DLC film-coated member is proposed.
また、本発明においては、
（１）前記封孔用金属・合金は、金や銀、銅、鉛、錫、ニッケル、コバルト、クロム、アンチモン、パラジウム、カドミウムから選ばれる金属およびそれらの合金であること,
（２）前記ＤＬＣ膜は、炭素：８７〜６０ａｔ％と水素：１３〜４０ａｔ％からなり、かつ厚さが１〜５０μｍであること、
（３）ＤＬＣ膜は、プラズマＣＶＤ法によって形成された成膜初期の残留応力が１ＧＰａ以下の膜であること、
（４）ＤＬＣ膜を被覆する前記基材は、電気伝導性を有する金属材料、または非電気伝導性の非金属材料の表面に電気伝導性を有する溶射皮膜やめっき皮膜、ＰＶＤ皮膜およびＣＶＤ皮膜のうちから選ばれるいずれか１種以上のアンダーコート層を有するものであること、
が、より好ましい解決手段になると考えられる。
In the present invention,
(1) The sealing metal / alloy is a metal selected from gold, silver, copper, lead, tin, nickel, cobalt, chromium, antimony, palladium, cadmium, and alloys thereof.
( 2 ) The DLC film is composed of carbon: 87-60 at% and hydrogen: 13-40 at%, and has a thickness of 1-50 μm.
( 3 ) The DLC film is a film having a residual stress of 1 GPa or less at the initial stage of film formation formed by the plasma CVD method.
( 4 ) The base material covering the DLC film is made of an electrically conductive metal material or a non-electrically conductive non-metallic material having a thermal spray coating, a plating film, a PVD film and a CVD film. Having one or more undercoat layers selected from among them,
Is considered to be a more preferable solution.
前記のように構成された本発明によれば、例えば、下記のような効果が期待できる。
（１）電気化学的手法（即ち、電気めっき法）によって、ＤＬＣ膜中の貫通気孔内部に、基材表面部分より金属・合金からなる封孔用めっき析出金属・合金を充填することにより封孔することができるので、部材（基材）の耐食性を向上させることができる。
（２）めっき液から析出する封孔用金属・合金の成長は、該貫通気孔の孔内部のみにて起り、他のＤＬＣ膜部分には析出しないため、貫通気孔部の形状に沿って成長するとともに、しかもその成長の起点が基材の表面からに限定されるので、ほぼ完全な封孔が期待できる。
（３）ＤＬＣ膜の貫通気孔部内に侵入して封孔するための封孔用金属・合金の種類は、めっき液の種類を選択することによって自由に変化できるので、多彩な金属・合金の充填封孔が可能で工学的利用価値が頗る大きい。
（４）本発明の方法は、ＤＬＣ膜自体が有する耐摩耗性や耐食性、潤滑性などの基本特性を損なうことなく、基材の耐食性等を向上させることができるので、ＤＬＣ膜の利用分野の一層の拡大が期待される。
（５）本発明を応用すれば、基材表面にプラズマＣＶＤ法で被覆形成されたＤＬＣ膜、とくに厚膜のＤＬＣ膜中に存在する微細な貫通気孔の欠陥部の有無や、その存在割合を電気的手法によって、定量的に測定することが可能となり、ＤＬＣ膜の耐食性を評価することができるようになる。
（６）微細な貫通気孔内部に析出させた封孔用めっき金属・合金を利用して、ＤＬＣ膜に新しい機能を付与することができる。例えば、耐食性（カドミウムなど）や抗菌性（銀、銅、錫など）、半田金属の接合性（全金属）、電気伝導性（全金属）などの付与が挙げられる。
According to the present invention configured as described above, for example, the following effects can be expected.
(1) Sealing is performed by filling the inside of the through pores in the DLC film with a plating deposited metal / alloy made of metal / alloy from the surface of the substrate by an electrochemical method (that is, electroplating method). Therefore, the corrosion resistance of the member (base material) can be improved.
(2) The growth of the metal / alloy for sealing deposited from the plating solution occurs only inside the through-holes and does not precipitate in other DLC film parts, so it grows along the shape of the through-holes. In addition, since the starting point of the growth is limited to the surface of the substrate, almost complete sealing can be expected.
(3) Since the type of sealing metal / alloy for entering and sealing into the through-hole part of the DLC film can be changed freely by selecting the type of plating solution, filling with various metals / alloys Sealing is possible and engineering value is great.
(4) The method of the present invention can improve the corrosion resistance of the substrate without impairing the basic properties such as wear resistance, corrosion resistance, and lubricity of the DLC film itself. Further expansion is expected.
(5) If the present invention is applied, the presence or absence of a minute through-hole defect portion present in the DLC film coated with the plasma CVD method on the surface of the substrate, particularly the thick DLC film, and the existence ratio thereof are determined. The electric method enables quantitative measurement, and the corrosion resistance of the DLC film can be evaluated.
(6) A new function can be imparted to the DLC film by utilizing a sealing metal / alloy deposited in fine through-holes. For example, imparting corrosion resistance (such as cadmium), antibacterial properties (such as silver, copper, and tin), solder metal bondability (all metals), and electrical conductivity (all metals) can be mentioned.
図１は、本発明において重要な役割を担うアモルファス状の炭素と水素とからなる微小粒子の堆積層からなる気相析出蒸着膜、いわゆるＤＬＣ膜を形成するための気相析出蒸着膜形成装置（即ち、プラズマＣＶＤ装置）を示ものである。このプラズマＣＶＤ装置は、接地された反応容器１と、この反応容器１内の所定に位置に配設される被処理基材２に接続される導体３と、この反応容器１内に成膜用の炭化水素ガスを導入する装置（図示せず）や反応容器１を真空引きする真空装置（図示せず）等を介して、高電圧パルスを印加するための高電圧パルス発生電源４等を備えてなるものである。そして、この装置には、また、被処理基材２の周囲に炭化水素系ガスプラズマを発生させるためのプラズマ発生用電源５が配設されている他、前記導体３および被処理基材２に高電圧パルスおよび高周波電圧の両方を同時に印加するために、高電圧パルス発生電源４およびプラズマ発生用電源５との間に重畳装置６が配設されている。なお、ガス導入装置および真空装置はそれぞれバルブ７ａと７ｂを介して反応容器１に接続され、導体３は高電圧導入部９を介して重畳装置６に接続されている。
FIG. 1 shows an apparatus for forming a vapor deposition / deposition film for forming a vapor deposition / deposition film, which is a so-called DLC film, composed of a deposition layer of fine particles of amorphous carbon and hydrogen, which plays an important role in the present invention. That is, a plasma CVD apparatus) is shown. The plasma CVD apparatus includes a grounded reaction vessel 1, a
上記装置を用い、電気導伝性の被処理基材２の表面に、ＤＬＣの微粒子を吸着させてこれらの堆積層を形成するには、被処理基材２を反応容器１内の所定の位置に設置し、真空装置を稼動させて該反応容器１中の空気を排出して脱気したあと、ガス導入装置によって有機系ガスを該反応容器１内に導入する。次いで、プラズマ発生用電源５からの高周波電源を被処理基材２に印加する。そうすると、反応容器１は、アース線８によって電気的に中性状態にあるため、被処理基材２は相対的に負の電位を有することになる。このため、印加によって発生する有機系ガスのプラズマ（低温プラズマに属し温度２００℃以下）中のプラズマイオンは負に帯電した被処理基材２のまわりに発生することになる。
In order to form these deposited layers by adsorbing the DLC microparticles on the surface of the electrically
この状態において、高電圧パルス発生電源４からの高電圧パルス（負の高電圧パルス）を被処理基材２に印加すると、有機系（炭化水素系）ガスプラズマ中のプラズマイオンの性質をもつＤＬＣの微粒子が、該被処理基材２の表面に誘引吸着されることとなって付着堆積し、時間の経過にともなって膜状に成長して膜を形成する。即ち、反応容器１内では、最終的には炭素と水素とからなるＤＬＣの微粒子が、被処理基材２のまわりに気相析出し、次第に基材表面に堆積してＤＬＣ膜を形成するものと考えられる。
In this state, when a high voltage pulse (negative high voltage pulse) from the high voltage pulse generating
発明者らは、前記プラズマＣＶＤ装置（方法）によって、基材上にアモルファス状の炭素・水素微粒子が堆積した状態の気相析出蒸着膜、即ち、ＤＬＣ膜が形成されるプロセスは、以下の（ａ）〜（ｃ）を経て形成されるものと考えている。
（ａ）導入された炭素水素系ガスのイオン化（ラジカルと呼ばれる活性な中性粒子も存在する）が起こり、
（ｂ）炭化水素系ガスから変化したイオンおよびラジカルは、負の電圧が印加された被処理体の面に衝撃的に衝突し、
（ｃ）衝突時のエネルギーによって、結合エネルギーの小さいＣ−Ｈ間が切断され、その後、活性化されたＣとＨが重合反応を繰り返して高分子化し、炭素と水素を主成分とするアモルファス状の炭素・水素固形物を、基材の表面に気相析出する。
The inventors of the present invention have described the following process for forming a vapor deposition deposition film in which amorphous carbon / hydrogen fine particles are deposited on a substrate, that is, a DLC film, by the plasma CVD apparatus (method). It is considered to be formed through a) to (c).
(A) ionization of the introduced carbon-hydrogen gas (active neutral particles called radicals also exist) occurs,
(B) Ions and radicals changed from the hydrocarbon-based gas collide impactively with the surface of the object to be treated, to which a negative voltage is applied,
(C) C—H having a low binding energy is cut by the energy at the time of collision, and then activated C and H are polymerized by repeating the polymerization reaction to form an amorphous state mainly composed of carbon and hydrogen. The carbon / hydrogen solids are vapor deposited on the surface of the substrate.
上記装置では、高電圧パルス発生電源４の出力電圧を下記（ａ）〜（ｄ）のように変化させることによって、被処理基材２に対して金属（Ｔｉ）等のイオン注入も可能である。特に基材やアンダーコートの表面に、Ｓｉ、Ｃ、Ｔａなどのイオンを注入しておくと、ＤＬＣ膜の密着性が向上するので好適である。
（ａ）イオン注入を重点的に行なう場合：１０〜４０ｋＶ
（ｂ）イオン注入と成膜形成の両方を行なう場合：５〜２０ｋＶ
（ｃ）皮膜形成のみを行なう場合：数百Ｖ〜数ｋＶ（金属Ｔｉの微粒子を共析させる条件）
（ｄ）スパッタリングなどで重点的に行なう場合：数百Ｖ〜数ｋＶ（ＤＬＣ膜の表面をＡｒイオンや研削する条件）
In the above apparatus, by changing the output voltage of the high voltage pulse generating
(A) When ion implantation is focused on: 10 to 40 kV
(B) When performing both ion implantation and film formation: 5 to 20 kV
(C) When only film formation is performed: several hundred V to several kV (conditions for co-depositing fine particles of metal Ti)
(D) When focused on sputtering, etc .: several hundred V to several kV (conditions for Ar ion or grinding of the surface of the DLC film)
なお、前記高電圧パルス発生電源４では、パルス幅：ｌμｓｅｃ〜１０μｓｅｃで、１〜複数回のパルスを繰り返し発生させることができる。また、プラズマ発生用電源５の高周波電力の出力周波数は、数十ｋＨｚから数十ＧＨｚの範囲で変化させることができる。
The high voltage pulse
この装置の反応容器１内に導入するＤＬＣ膜形成用の有機系ガスとしては、炭素と水素からなる炭化水素系ガスが好適である。例えば、次のようなものが用いることができる。
（イ）常温（１８℃）で気相状態のもの；
ＣＨ４、ＣＨ２ＣＨ２、Ｃ２Ｈ２、ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ３、ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３
（ロ）常温で液相状状態のもの；
Ｃ６Ｈ５ＣＨ３、Ｃ６Ｈ５ＣＨ２ＣＨ、Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）２、ＣＨ３（ＣＨ２）４ＣＨ３
As the organic gas for forming the DLC film introduced into the reaction vessel 1 of this apparatus, a hydrocarbon gas composed of carbon and hydrogen is suitable. For example, the following can be used.
(B) Gas phase at normal temperature (18 ° C);
CH 4, CH 2 CH 2, C 2
(B) Liquid state at room temperature;
C 6 H 5 CH 3, C 6
なお、常温で気相状態の有機混合ガスはそのまま反応容器１内に導入できるが、液相状態のものについては、加熱しガス化させて上記反応容器１内に供給することによってＤＬＣ膜の形成が可能である。また、ＤＬＣ膜を構成する炭素と水素の割合は、前記炭素水素系ガス成分の炭素と水素の割合を勘案することによって制御することができる。このため、成膜用の炭化水素ガスは、一種類だけでなく、必要に応じて２種類以上の混合ガスを使用することもできる。 The organic mixed gas in the vapor phase at normal temperature can be introduced into the reaction vessel 1 as it is. However, in the case of the liquid phase, the DLC film is formed by heating, gasifying and supplying the gas into the reaction vessel 1. Is possible. Further, the ratio of carbon to hydrogen constituting the DLC film can be controlled by taking into account the ratio of carbon to hydrogen of the carbon-hydrogen gas component. For this reason, the hydrocarbon gas for film-forming can use not only one type but 2 or more types of mixed gas as needed.
（２）ＤＬＣ膜の残留応力
気相状態の炭化水素ガスから析出するＤＬＣ微粒子の堆積層であるＤＬＣ膜の場合は、必然的に残留応力が発生する。こうした残留応力を内臓するＤＬＣ膜は、膜厚が大きくなればなるほどその残留応力も大きくなる。そして、最終的には、その残留応力が膜の密着強さよりも大きくなると、ＤＬＣ膜が剥離するに至る。現在、ＤＬＣ膜の被覆形成法として多くの種類の装置やプロセスが開発されているが、その適用条件の一つとして、ＤＬＣ膜の残留応力によって決定され限界膜厚がある。この点、本発明では、多くの水素（１５〜４０ａｔ％）を含有させることで、厚膜ＤＬＣがたとえ１０μｍを超えるような膜であったとしても、加熱処理を施すと、ＤＬＣ膜と基材との熱膨張係数の差によって、膜に大きな熱応力が発生することになるので、この対策についての配慮が必要である。
(2) Residual stress of DLC film Residual stress is inevitably generated in the case of a DLC film which is a deposition layer of DLC fine particles precipitated from a hydrocarbon gas in a gas phase. A DLC film containing such residual stress has a larger residual stress as the film thickness increases. Finally, when the residual stress becomes larger than the adhesion strength of the film, the DLC film is peeled off. Currently, many types of apparatuses and processes have been developed as a method for forming a DLC film coating. One of the application conditions is a limit film thickness determined by the residual stress of the DLC film. In this regard, in the present invention, by incorporating a number of hydrogen (15~40at%), as a thick film DL C is a membrane that if more than 10 [mu] m, when subjected to a heat treatment, DLC film and the base Due to the difference in thermal expansion coefficient with the material, a large thermal stress is generated in the film, so this countermeasure needs to be taken into consideration.
そこで、本発明では、まず、基礎となるＤＬＣ膜（マトリックス）本体の初期残留応力（成膜時の残留応力）の許容値を、次に示すような方法によって求めた。ＤＬＣ膜の残留応力の評価は、図３に示すように、試験片の一端を固定した短冊形の薄い石英基板（寸法：幅５ｍｍ×長さ５００ｍｍ×厚さ０．５ｍｍ）の一方の面にＤＬＣ膜を形成し、成膜の前後の石英基板の変位量（δ）を測定することによって、膜の残留応力を求めるが、具体的には、下記Ｓｔｏｎｅｙの式によって残留応力（σ）を計算した。
Therefore, in the present invention, first, the allowable value of the initial residual stress (residual stress at the time of film formation) of the basic DLC film (matrix) body was determined by the following method. As shown in FIG. 3, the evaluation of the residual stress of the DLC film is based on one surface of a strip-shaped thin quartz substrate (size:
ｖ：基板のポアソン比＝０．１４
ｂ：基板の厚さ＝０．５ｍｍ
ｌ：ＤＬＣ膜が形成された基板の長さ
δ：変位量
ｄ：ＤＬＣの膜厚
v: Poisson's ratio of substrate = 0.14
b: substrate thickness = 0.5 mm
l: length of substrate on which DLC film is formed δ: displacement d: film thickness of DLC
表１は各種成膜プロセスによって形成されたＤＬＣ膜（水素１５ａｔ％、炭素８７ａｔ％）について、上記の方法によって初期残留応力値および熱処理後残留応力値を求めたものである。これらの結果から明らかなようにアークイオンプレーティング法、イオン化蒸着法などの方法で形成されたＤＬＣ膜の初期残留応力は１３〜２０ＧＰａである。これに対し、本発明に係るプラズマＣＶＤ法で形成されたＤＬＣ膜の初期残留応力は０．３〜０．９８ＧＰａの範囲にある。つまり、本発明（プラズマＣＶＤ法に従う）に適合するＤＬＣ膜の初期残留応力は、１ＧＰａ以下の非常に小さい膜でなければならないことがわかる。
従って、水素を多量に含むプラズマＣＶＤ法によるＤＬＣ膜であれば、厚膜であっても、また、その後に熱処理するような場合でも、これらにも十分に順応することが可能であることがわかる。
Table 1 shows an initial residual stress value and a post-heat treatment residual stress value obtained by the above-described method for a DLC film (hydrogen 15 at%, carbon 87 at%) formed by various film forming processes. As is apparent from these results, the initial residual stress of the DLC film formed by a method such as arc ion plating or ionized vapor deposition is 13 to 20 GPa . On the other hand, the initial residual stress of the DLC film formed by the plasma CVD method according to the present invention is in the range of 0.3 to 0.98 GPa . That is, it can be seen that the initial residual stress of the DLC film conforming to the present invention (according to the plasma CVD method) must be a very small film of 1 GPa or less.
Therefore, it can be understood that a DLC film formed by a plasma CVD method containing a large amount of hydrogen can sufficiently adapt to a thick film or a case where heat treatment is performed thereafter. .
なお、表１に示すとおり、ＤＬＣ膜の最大形成厚みは、水素含有量１５ａｔ％のＤＬＣ膜を形成した場合、プラズマＣＶＤ法では、成膜時間は長くなるものの、厚さ５０μｍ程度の膜厚のものを得ることができたが、他の成膜方法では３μｍ厚さ以上の膜の形成は困難であった。さらに、表１に示す各ＤＬＣ膜の表面硬さを測定したところ、プラズマＣＶＤ方法により形成したＤＬＣ膜は、マイクロビッカーズ硬さ（Ｈｖ）で１０００程度と低いのに対し、他の方法で形成されたＤＬＣ膜の硬さは、測定していないが、約Ｈｖ＝３０００程度以上であり、硬いのが普通である。これらの結果から判ることは、プラズマＣＶＤ法に比べ、イオンプレーティング法やイオン化蒸着に従うＤＬＣ膜の場合、ＤＬＣ膜の硬さは大きく、ＤＬＣ膜の成膜時における初期残留応力値もまた大きくなると考えられる。 In addition, as shown in Table 1, the maximum formation thickness of the DLC film is such that when the DLC film having a hydrogen content of 15 at% is formed, the film formation time is long in the plasma CVD method, but the film thickness is about 50 μm. However, it was difficult to form a film having a thickness of 3 μm or more by other film forming methods. Furthermore, when the surface hardness of each DLC film shown in Table 1 was measured, the DLC film formed by the plasma CVD method was formed by other methods, whereas the micro Vickers hardness (Hv) was as low as about 1000. Although the hardness of the DLC film is not measured, it is generally about Hv = 3000 or more and is hard. From these results, it can be understood that, in the case of a DLC film according to an ion plating method or ionized vapor deposition, the hardness of the DLC film is large and the initial residual stress value at the time of forming the DLC film is also large compared with the plasma CVD method. Conceivable.
なお、ＤＬＣ膜の初期残留応力測定後の試験片を拡大鏡で観察したところ、アークイオンプレーティング法およびイオン蒸着法で形成された膜には、微細な剥離が多数発生しており、曲げ応力や耐熱性に乏しい傾向も確認された。一方、ＤＬＣ膜の残留応力は、１Ｇｐａ程度以下にとどまっており、厚膜に適した皮膜であることが確認された。 In addition, when the specimen after the initial residual stress measurement of the DLC film was observed with a magnifying glass, the film formed by the arc ion plating method and the ion vapor deposition method had a lot of fine peeling, and the bending stress In addition, a tendency of poor heat resistance was also confirmed. On the other hand, the residual stress of the DLC film is only about 1 Gpa or less, and it was confirmed that the film was suitable for a thick film.
（３）ＤＬＣ膜の気孔率と耐食性
プラズマＣＶＤ法によって基材上に形成された前記ＤＬＣ膜それ自体は、有機及び無機系の酸やアルカリ、海水、有機溶媒などにも反応せず、良好な耐食性を発揮するが、微細な多数の貫通気孔が不可避に生成することが判明した。
(3) Porosity and corrosion resistance of the DLC film The DLC film itself formed on the substrate by plasma CVD method does not react with organic and inorganic acids, alkalis, seawater, organic solvents, etc. Although it exhibits corrosion resistance, it has been found that numerous fine pores are inevitably generated.
この貫通気孔は、成膜材料源の炭化水素系のガスが、プラズマ環境中で分解したりイオン化したりして、ラジカルと呼ばれる活性な中性粒子の生成を経て、固体微粒子となって基材の表面に堆積し皮膜を形成する際に、粒子間同士の結合が不完全な部分が相互に連通し合って発生したものと考えられる。このようにして生成する貫通気孔の大きさや数は、溶射皮膜などの貫通気孔に比較すると小さく、数も少ないので、使用する環境条件によっては無視できる場合も少なくない。しかし、本発明では、ＤＬＣ膜を腐食性の環境中で長期にわたって使用する場合をも考慮したとき、このような場合ではたとえ微細で数も少ない貫通気孔であったとしてもその影響は大きい。従って、このような場合でも貫通気孔の影響が出ないようにする必要がある。なお、前記ＤＬＣ膜に存在する貫通気孔の大きさは、皮膜の断面を切断し、金属顕微鏡や電気顕微鏡で観察しても判別できない程度の大きさである。 These through-holes are formed into solid fine particles by the formation of active neutral particles called radicals by the hydrocarbon-based gas of the film forming material being decomposed or ionized in the plasma environment. It is considered that when the film is deposited on the surface of the particles, the portions where the bonding between the particles is incomplete are communicated with each other. The size and number of through-holes generated in this way are smaller and smaller than the number of through-holes such as a thermal spray coating, and are often negligible depending on the environmental conditions used. However, in the present invention, when considering the case where the DLC film is used in a corrosive environment for a long period of time, the influence is large even in such a case even if it is a fine and few through-hole. Therefore, it is necessary to prevent the influence of the through pores even in such a case. In addition, the size of the through-holes existing in the DLC film is such a size that it cannot be discriminated even when the cross section of the film is cut and observed with a metal microscope or an electric microscope.
そこで、本発明では、ＤＬＣ膜の貫通気孔の有無とその存在割合を定量的に把握するため、（社）日本機械学会が、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法などで形成された蒸着膜の貫通気孔などの欠陥を定量的に評価する手法として制定した「ドライコーティング膜の欠陥評価試験法、ＪＳＭＥ Ｓ０１０（１９９６）」を適用した。 Therefore, in the present invention, in order to quantitatively grasp the presence and the existence ratio of the through-holes in the DLC film, the Japan Society of Mechanical Engineers has made the determination of the through-holes in the deposited film formed by the PVD method, the CVD method, etc. The “defect evaluation test method for dry coating film, JSME S010 (1996)” established as a method for quantitatively evaluating defects was applied.
この評価方法は、基材をＳＵＳ３０４鋼（寸法：３０ｍｍ×２０ｍｍ×ｌｍｍ）とし、その片面にＤＬＣ膜を形成（他面は絶縁塗料を塗布）した後、０．５Ｋｍｏｌ／ｍ３ Ｈ２ＳＯ４＋０．０５Ｋｍｏｌ／ｍ３ＫＳＣＮ水溶液中に浸漬し（液温３０℃±１℃）対極として白金、照合電極として、Ａｇ／ＡｇＣ１ ３．３３Ｋｍｏｌ／ｍ３を用いて、直流へ電流を流しつつ、試験片の電位を−０．４５Ｖ〜＋０．４０Ｖの範囲まで掃引し、このときの電流値（ｉｃｒｉｔ）を記録し、次式によって、ピンホール欠陥面積率（Ｒ）、即ち貫通気孔率を求めるのである。 In this evaluation method, the base material is SUS304 steel (dimensions: 30 mm × 20 mm × 1 mm), a DLC film is formed on one side (insulating paint is applied on the other side), and then 0.5 Kmol / m 3 H 2 SO 4. +0.05 Kmol / m 3 immersing in KSCN aqueous solution (liquid temperature 30 ° C. ± 1 ° C.) using platinum as counter electrode and Ag / AgC1 3.33 Kmol / m 3 as reference electrode The potential of the piece is swept to the range of −0.45 V to +0.40 V, the current value (icrit) at this time is recorded, and the pinhole defect area ratio (R), that is, the through porosity is obtained by the following formula. is there.
表２は、上記の方法によって求めたＤＬＣ膜の貫通気孔率（Ｒ値）である。この結果によると、ＤＬＣ膜の貫通気孔率（Ｒ値）は、成膜用ガス種の影響を受けやすく、トルエン（Ｃ６Ｈ５ＣＨ３）やアセチレン（Ｃ２Ｈ２）より、メタン（ＣＨ４）を使用する方法が緻密な膜が得られる傾向がある。その一方でメタンガスによるＤＬＣ膜の形成速度は、前者に比較して遅く、同一の膜厚を得るには、多くの時間を必要とする傾向が認められた。 Table 2 shows the through porosity (R value) of the DLC film obtained by the above method. According to this result, the through-porosity (R value) of the DLC film is easily affected by the type of film forming gas, and methane (CH 2 ) from toluene (C 6 H 5 CH 3 ) or acetylene (C 2 H 2 ). The method using 4 ) tends to obtain a dense film. On the other hand, the formation speed of the DLC film by methane gas is slower than the former, and a tendency to require a lot of time to obtain the same film thickness was recognized.
一方、長時間の成膜処理をして形成されたＤＬＣ膜の貫通気孔率（Ｒ値）は、薄膜に比較して緻密な膜質となっているものの、貫通気孔の存在を完全に消滅することはできず、何らかの対策が必要であることが判明した。つまり、本発明において、充填封孔することが必要な貫通気孔とは、表２および後述する表３に示す結果から、膜厚が１μｍ〜５０μｍのときの前記Ｒ値は、貫通気孔部の面積率で２．６×１０−５〜１５×１０−１％程度の大きさのものと云える。本発明では、正に膜厚に応じたこのような大きさの貫通気孔を封孔することを目指すものである。 On the other hand, although the through-porosity (R value) of the DLC film formed by the film formation process for a long time has a dense film quality as compared with the thin film, the existence of the through-pores is completely eliminated. It was found that some countermeasures are necessary. That is, in the present invention, the through pores that need to be filled and sealed are the results shown in Table 2 and Table 3 described later, and the R value when the film thickness is 1 μm to 50 μm is the area of the through pore portion. It can be said that the ratio is about 2.6 × 10 −5 to 15 × 10 −1 %. In the present invention, the aim is to seal through-holes of such a size exactly corresponding to the film thickness.
なお、前記電気化学的操作によるＤＬＣ膜の貫通気孔の評価方法（Ｒ値）は、試験液（電解液）が貫通気孔内に浸入することによって、電流値の測定が可能になるという現象を利用する技術でもあることを考えると、試験液をめっき液に変更することで、ＤＬＣ膜の貫通気孔を通じて基材表面にめっき液から金属を析出させることも可能になるとの示唆が得られる。このような示唆、知見こそが本発明を開発する動機になった。 In addition, the evaluation method (R value) of the through-holes of the DLC film by the electrochemical operation utilizes the phenomenon that the current value can be measured when the test solution (electrolytic solution) enters the through-holes. Considering that this is also a technique, it is suggested that by changing the test solution to a plating solution, it is possible to deposit metal from the plating solution on the substrate surface through the through pores of the DLC film. This suggestion and knowledge was the motivation for developing the present invention.
（１）ＳＵＳ３０４鋼基材は、
電解研磨処理（Ｒａ：０．０１３〜０．０１４μｍ、
Ｒｚ：０．１４〜０．１６μｍ）を実施
(1) SUS304 steel substrate
Electropolishing treatment (Ra: 0.013-0.014 μm,
Rz: 0.14 to 0.16 μm)
一方、ＤＬＣ膜の施工は、用途によって、機械研削後にバフ研磨したり、また、ブラスト加工処理後の基材表面に対して形成してもよい。そこで、ＳＵＳ３０４鋼試験片を用いて、ブラスト処理後およびバフ研磨処理後の基材表面に、膜厚５μｍのＤＬＣ膜を施工し、表面粗さの異なる基材表面に形成されたＤＬＣ膜の貫通気孔率を測定した。 On the other hand, depending on the application, the DLC film may be buffed after mechanical grinding or formed on the surface of the base material after blasting. Therefore, using a SUS304 steel test piece, a DLC film with a film thickness of 5 μm was applied to the surface of the base material after blasting and buffing, and the DLC film formed on the surface of the base material with different surface roughness was penetrated. The porosity was measured.
上掲の表３に示す結果から明らかなように、ＤＬＣ膜の貫通気孔率（Ｒ）は、基材表面の粗さが大きいほど飛躍的に増加し、最大で１．５％に達した。このようなＤＬＣ膜を被覆した試験片の耐食性は極めて低く、ＪＩＳ−Ｚ２３７１規定の塩水噴霧試験方法に供しても、短時間で赤錆を発生した。しかし、本発明に係るＤＬＣ膜の気孔内部へのめっき液からの金属析出現象は、気孔が多いほど、また気孔が大きいほど、めっき液の浸入が容易であるため、気孔内部への析出・充填作用も好適に行えることが明らかである。
As is clear from the results shown in Table 3 above, the through-porosity (R) of the DLC film increased dramatically as the roughness of the substrate surface increased, reaching a maximum of 1.5%. The corrosion resistance of the test piece coated with such a DLC film was extremely low, and red rust was generated in a short time even when subjected to the salt water spray test method defined in JIS-Z2371. However, the metal deposition phenomenon from the plating solution inside the pores of the DLC film according to the present invention is that the larger the pores and the larger the pores, the easier the plating solution can enter. It is clear that the action can be suitably performed.
念のため、表３に示したＤＬＣ膜について、電気銅めっき処理を行った。その結果、すべてのＤＬＣ膜の貫通気孔部の内部に、めっき液から析出した金属銅の析出が認められた。前記の表２及び表３の結果から、ＤＬＣ膜に存在する貫通気孔（Ｒ）は、表２の最小値２．６×１０−５％から表３の最大値１５×１０−１％の範囲のものについて、電気めっき法による金属析出反応を利用して、気孔の充填処理が可能であることが確認された。 As a precaution, the DLC film shown in Table 3 was subjected to electrolytic copper plating. As a result, precipitation of metallic copper deposited from the plating solution was observed inside the through pores of all the DLC films. From the results of Tables 2 and 3, the through-pores (R) existing in the DLC film range from the minimum value 2.6 × 10 −5 % in Table 2 to the maximum value 15 × 10 −1 % in Table 3. It was confirmed that pores can be filled using a metal deposition reaction by electroplating.
（４）貫通気孔を有するＤＬＣ膜への電気めっき処理（封孔処理）
以下、電気導電性を有する基材表面に被覆した前記貫通気孔を有するＤＬＣ膜を対象として、導電性金属・合金を含有するめっき液を用いて電気めっき処理して、該ＤＬＣ膜中の前記貫通気孔を封孔する方法について説明する。この処理が可能となるＤＬＣ膜は、次に示す条件を有することが必要である。
（ａ）ＤＬＣ膜を形成するため基材（少なくとも表面層）およびめっき金属・合金が、電気伝導性を有すること。
（ｂ）ＤＬＣ膜に貫通気孔が存在し、その貫通気孔の内部に電気めっき液が浸入して気孔の内部がめっき液によって充填されること。
（ｃ）ＤＬＣ膜自体は、電気抵抗値が大きく、非電気伝導性であること。
(4) Electroplating treatment (sealing treatment) on DLC film having through pores
Hereinafter, for the DLC film having the through-holes coated on the surface of the electrically conductive substrate, electroplating is performed using a plating solution containing a conductive metal / alloy, and the penetration in the DLC film is performed. A method for sealing the pores will be described. A DLC film capable of this treatment must have the following conditions.
(A) In order to form a DLC film, the base material (at least the surface layer) and the plated metal / alloy have electrical conductivity.
(B) There are through-holes in the DLC film, the electroplating solution enters the inside of the through-holes, and the inside of the pores is filled with the plating solution.
(C) The DLC film itself has a large electric resistance value and is non-electrically conductive.
本発明は、このような条件を具えるＤＬＣ膜被覆部材を電気めっき処理することによって、貫通気孔内部にめっき液から析出する封孔用金属・合金を充填する。このことによって、ＤＬＣ膜を「電気めっき析出金属・合金を充填してなるＤＬＣ膜」に改質して、基材の防食およびＤＬＣ膜に新しい機能を付与することにある。 In the present invention, by sealing the DLC film covering member having such a condition, the sealing metal / alloy precipitated from the plating solution is filled in the through-holes. Thus, the DLC film is modified to “a DLC film formed by filling an electroplated deposited metal / alloy” to provide anticorrosion for the base material and provide a new function to the DLC film.
以下は、前記ＤＬＣ膜の貫通気孔内に電気めっき金属・合金を充填する機構について、めっき用導電性金属としてＣｕ（銅）を用い、いわゆる電気銅めっき処理を適用した場合を例にとって説明する。なお、銅でなくとも、例えば、ＡｇやＡｕであっても、めっき機構に特に変わった点はなく、同一のメカニズムで電気めっき処理ができる。 In the following, the mechanism for filling the plated pores of the DLC film with the electroplating metal / alloy will be described by taking as an example a case where Cu (copper) is used as the conductive metal for plating and so-called electrolytic copper plating treatment is applied. In addition, even if it is not copper, for example, it is Ag and Au, there is no point which changed in particular in the plating mechanism, and electroplating can be performed by the same mechanism.
図３は、電気伝導性の基材（ＳＳ４００鋼等）３１の表面に形成された非電気伝導性のＤＬＣ膜３２を電気めっき液（銅めっき液）中に浸漬し、その基材３１を陰極とすると共に、めっき金属（銅）３３を陽極として、直流を通電してめっきする方法である。例えば、めっき金属の析出量は、基本的には通電電気量に略比例するが、電流密度は、０．５Ａ／ｄｍ２〜１０Ａ／ｄｍ２程度、好ましくは１Ａ／ｄｍ２〜５Ａ／ｄｍ２程度の直流電源を用い、温度３０℃〜５５℃程度の条件を採用することが好ましい（銅めっき液の組成は表８に記載）。
FIG. 3 shows a
なお、めっき時間は、溶射皮膜の厚さ、気孔率によって大きく変化するが、その終点は気孔部の充填を目的とする場合には、上述したように、通電後、基材表面から析出しためっき亜鉛が、皮膜の貫通気孔内部を充填しつつ成長し、その先端が表面に露出した状態を外部から観察することによって判定する。つまり、この判定時期に相当する状態が貫通気孔部の充填封孔が完了した目安となる。 The plating time varies greatly depending on the thickness of the sprayed coating and the porosity, but when the end point is intended to fill the pores, the plating deposited from the surface of the substrate after energization as described above. It is determined by observing from the outside that zinc grows while filling the inside of the through-holes of the coating and the tip is exposed on the surface. That is, the state corresponding to this determination time is a standard for completing the filling and sealing of the through-hole portion.
なお、酸性またはアルカリ性の電気めっき液中に、ＤＬＣ膜を浸漬しても、炭素と水素からなるＤＬＣ膜自体は、化学的に安定しており、めっき液中に溶出して変質することはない。しかも、ＤＬＣ膜は非電気伝導性であるため、その表面に、めっき金属が析出することはなく、貫通気孔の内部のみにめっき金属・合金が析出することとなる。 Even if the DLC film is immersed in an acidic or alkaline electroplating solution, the DLC film itself composed of carbon and hydrogen is chemically stable and does not dissolve into the plating solution and change its quality. . In addition, since the DLC film is non-electrically conductive, the plating metal does not deposit on the surface, and the plating metal / alloy precipitates only inside the through-holes.
例えば、電気銅めっき液が非電気伝導性のＤＬＣ膜の貫通気孔部のみに浸入し、そのめっき液の先端が電気伝導性の基材表面に接触することによって、下記に示すような電気めっき回路が形成され、陰極面（基材の表面）では、下記のような反応が起こり、銅が析出する。
めっき液中の金属（Ｃｕ）イオン → 陰極面にて電子を放出して金属（Ｃｕ）として析出する。
For example, an electroplating circuit as shown below is obtained when the electrolytic copper plating solution enters only the through pores of the non-electrically conductive DLC film and the tip of the plating solution contacts the surface of the electrically conductive substrate. And the following reaction occurs on the cathode surface (base material surface), and copper is deposited.
Metal (Cu) ions in the plating solution → Electrons are emitted from the cathode surface and deposited as metal (Cu).
前述した電気めっき処理においては、通電を続けていると、基材表面に析出しためっき金属・合金が、基材表面側から次第にＤＬＣ膜の表面側に向かって順次に析出（成長）し続け、ＤＬＣ膜の貫通気孔部のみが、めっき析出金属・合金によって充填され、結果的にこの孔を封孔することになる。従って、めっき処理終了後のＤＬＣ膜というのは、腐食性の液体（例えば、各種の酸・アルカリ・海水など）が浸入可能な貫通気孔の全部もしくはその大半が、析出金属・合金粒子によって完全に充填されて封孔されることになる。しかも、このような電気めっき析出金属充填形ＤＬＣ膜は、析出金属・合金自体が基材と電気化学的現象から結合しているため、ＤＬＣ膜と基材との密着性向上にも効果を発揮することが期待できる。 In the electroplating process described above, when energization is continued, the plating metal / alloy deposited on the surface of the base material is continuously deposited (grown) sequentially from the base material surface side toward the surface side of the DLC film, Only the through-hole portion of the DLC film is filled with the plating deposited metal / alloy, and as a result, this hole is sealed. Therefore, the DLC film after the completion of the plating process is such that all or most of the through pores into which corrosive liquids (for example, various acids, alkalis, seawater, etc.) can invade are completely formed by the deposited metal / alloy particles. It will be filled and sealed. Moreover, such an electroplated deposited metal-filled DLC film is also effective in improving the adhesion between the DLC film and the substrate because the deposited metal / alloy itself is bonded to the substrate from an electrochemical phenomenon. Can be expected to do.
さらに、電気めっき処理時間を延長すると、ＤＬＣ膜に存在するすべての貫通気孔が完全に充填・封孔され、やがてＤＬＣ膜の表面に達して、その膜表面をも被覆するようになる。このような基材の表面側から貫通気孔内で次第に成長した金属・合金が、貫通気孔内のみに充填され、表面にまで達する現象は、閉気孔（ＤＬＣ膜中に存在するかも知れないが確認する手段がない空隙）では、発生しないことが明らかである。また、ＤＬＣ膜に貫通気孔が存在しても、その皮膜断面を金属顕微鏡や電子顕微鏡で観察しても気孔の形態・分布の判別は、殆んど不可能である現状に対し、本発明に係る電気めっきする封孔用金属・合金の析出現象を適用することによって、貫通気孔の位置、分布、その割合などを評価する方法としても有効である。このようなＤＬＣ膜の評価試験に電気めっき法を適用する場合には、めっき析出金属・合金として銅、金などの有色金属にすることによって、一層の効果が期待できることが考えられる。 Furthermore, when the electroplating treatment time is extended, all the through pores existing in the DLC film are completely filled and sealed, and eventually reach the surface of the DLC film so as to cover the film surface. The phenomenon that the metal / alloy that gradually grows in the through-holes from the surface side of the base material is filled only in the through-holes and reaches the surface is confirmed as closed pores (may be present in the DLC film) Clearly, it does not occur in voids where there is no means to do so. Further, even if there are through pores in the DLC film, even if the cross section of the film is observed with a metal microscope or an electron microscope, it is almost impossible to determine the morphology and distribution of the pores. By applying the precipitation phenomenon of the sealing metal / alloy to be electroplated, it is also effective as a method for evaluating the position, distribution, and ratio of the through-holes. When the electroplating method is applied to the evaluation test of such a DLC film, it is considered that a further effect can be expected by using a colored metal such as copper or gold as the plating deposited metal / alloy.
なお、電気めっき処理によって析出する封孔用金属・合金の量は、各金属等の電気化学当量によって支配されることは周知の通りである。即ち、電気めっき析出金属・合金析出量（析出速度）は、個々の金属固有の数値を有するものの通電量に比例し、また、同じ通電量であれば通電時間に比例するので、通電量と通電時間を制御することによって、皮膜内部の空隙部への充填量および皮膜表面に被覆形成される金属・合金量を調整することができる。 As is well known, the amount of sealing metal / alloy deposited by electroplating is governed by the electrochemical equivalent of each metal. That is, the amount of deposited metal / alloy deposited (precipitation rate) is proportional to the energization amount, although it has a value specific to each metal, and if it is the same energization amount, it is proportional to the energization time. By controlling the time, it is possible to adjust the filling amount in the voids inside the coating and the amount of metal / alloy formed on the coating surface.
なお、ＤＬＣ膜に存在する貫通気孔は、一般に非常に微細であるため、めっき液の浸入が困難もしくは長時間を要することが考えられる。このため、電気めっき処理に当たっては、下記の点について留意し、貫通気孔の内部へのめっき液の浸入と、そのめっき液からの金属・合金の析出を図ることが好ましい。 In addition, since the through pores existing in the DLC film are generally very fine, it is considered that the penetration of the plating solution is difficult or requires a long time. For this reason, in the electroplating process, it is preferable to pay attention to the following points, and to infiltrate the plating solution into the through pores and to deposit the metal / alloy from the plating solution.
（ａ）めっき液の温度を許容する範囲内において、なるべく高くして、めっき液の表面張力を低下させて、貫通気孔部への浸入を容易にすること。
（ｂ）めっき液中の金属・合金の濃度を高くして、貫通気孔の内部に浸入しためっき液からの析出金属・合金のみによって、気孔を充填し封孔できるようにする。
（ｃ）めっき液を攪拌したり、超音波振動を付加することによって、めっき液の貫通気孔部への浸入を容易にするとともに、気孔外部のめっき液との交換を促すようにすること。
（ｄ）さらに好ましくは、ＤＬＣ膜自体の表面を先行特許文献２３〜２６に記載されているように親水性を付与し、めっき液の気孔内部への浸入を容易にすることもよい。
(A) To increase the temperature of the plating solution as much as possible within the range that allows the temperature of the plating solution to decrease the surface tension of the plating solution, thereby facilitating the penetration into the through pores.
(B) The concentration of the metal / alloy in the plating solution is increased so that the pores can be filled and sealed only by the precipitated metal / alloy from the plating solution that has penetrated into the through pores.
(C) Stirring the plating solution or applying ultrasonic vibrations to facilitate the penetration of the plating solution into the through pores and promote the exchange of the plating solution with the plating solution outside the pores.
(D) More preferably, hydrophilicity may be imparted to the surface of the DLC film itself as described in the prior patent documents 23 to 26 to facilitate the penetration of the plating solution into the pores.
（５）封孔用金属・合金
現在、実用化されている水溶液を電解質とする各種の電気めっき液から析出する金属・合金であればすべて適用可能である。本発明では、金、銀、パラジウム、ニッケル、錫、カドミウム、鉛、クロムおよびそれらの合金について実験し、ＤＬＣ膜の貫通気孔部への析出・充填現象を確認したが、コバルト、アンチモン、亜鉛などにも適用できることは明らかである。
なお、電解質として、有機溶媒や溶融塩を用いれば、アルミニウム、チタンなどの利用も理論的に可能であるが、この種の非水溶液電解質は、その管理が困難なうえ、生産コストが大きく、一般的な工業規模の生産には適していないのが現状である。
(5) Metal / Alloy for Sealing Any metal / alloy deposited from various electroplating solutions using an aqueous solution that is currently in practical use as an electrolyte is applicable. In the present invention, experiments on gold, silver, palladium, nickel, tin, cadmium, lead, chromium and their alloys were carried out, and the precipitation / filling phenomenon in the through pores of the DLC film was confirmed, but cobalt, antimony, zinc, etc. It is clear that this can also be applied.
If an organic solvent or molten salt is used as the electrolyte, the use of aluminum, titanium, etc. is theoretically possible, but this type of non-aqueous electrolyte is difficult to manage and has a high production cost. The current situation is not suitable for industrial scale production.
（６）ＤＬＣ膜を形成されるための基材
低残留応力のＤＬＣ膜を形成するための基材としては、炭素鋼、高・低合金鋼、ステンレス鋼の他、Ａｌ及びその合金、Ｔｉ及びその合金などの非鉄系金属・合金のほか、グラファイトや焼結炭素などの非金属材料、あるいプラスチック系の高分子材料、セラミックス材料などの電気伝導率の低い材料でもよいが、この場合は、それらの表面に溶射法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法などによって金属皮膜やサーメット皮膜などの電気伝導性の皮膜を施すことが必要である。
(6) Substrate for forming DLC film Substrate for forming DLC film with low residual stress includes carbon steel, high / low alloy steel, stainless steel, Al and its alloys, Ti and In addition to non-ferrous metals and alloys such as alloys, non-metallic materials such as graphite and sintered carbon, plastic polymer materials, ceramic materials and other materials with low electrical conductivity may be used. It is necessary to apply an electrically conductive film such as a metal film or a cermet film on the surface by thermal spraying, PVD, CVD, or the like.
（実施例１）
この実施例では、Ａｌ基材の表面に形成したＤＬＣ膜の水素含有量と基材の曲げ変形に対する抵抗およびその後のＤＬＣ膜の耐食性の変化について調査した。
Example 1
In this example, the hydrogen content of the DLC film formed on the surface of the Al base material, the resistance to bending deformation of the base material, and the subsequent change in the corrosion resistance of the DLC film were investigated.
（１）供試基材および試験片
供試基材は、Ａｌ（ＪＩＳ−Ｈ４０００規定の１０８５）とし、この基材から、寸法：幅１５ｍｍ×長さ７０ｍｍ×厚さ１．８ｍｍの試験片を作製した。
(1) Test base material and test piece The test base material is Al (JIS-H4000 stipulated 1085), and from this base material, a test piece having dimensions: width 15 mm × length 70 mm × thickness 1.8 mm is used. Produced.
（２）ＤＬＣ膜の形成方法およびその性状
試験片の全面にわたって、ＤＬＣ膜を１．５μｍｍ厚さに形成した。このとき、ＤＬＣ膜中の水素含有量を５ａｔ％〜５０ａｔ％（残部は炭素）の範囲に制御したものを用いた。これらのＤＬＣ膜試験片に電気めっき法による貫通気孔内へのめっき析出亜鉛の充填による封孔処理を施こし、その耐食性の効果を無封孔処理のＤＬＣ膜と比較した。
(2) A DLC film was formed to a thickness of 1.5 μm over the entire surface of the DLC film formation method and its property test piece. At this time, the DLC film whose hydrogen content was controlled in the range of 5 at% to 50 at% (the balance was carbon) was used. These DLC film test pieces were subjected to a sealing treatment by filling plating through-holes into the through-holes by electroplating, and the effect of the corrosion resistance was compared with that of a non-sealing DLC film.
（３）試験方法およびその条件
ＤＬＣ膜を形成した試験片を、９０°の曲げ変形を与え、曲げ部のＤＬＣ膜の外観状況を２０倍の拡大鏡で観察した。ＪＩ
Ｓ−Ｚ２３７１に規定された塩水噴霧試験に供し、合計３００時間の試験を行ったが、途中１００時間ごとに、試験片の外観を観察し、腐食およびＤＬＣ膜の剥離などの有無を調査した。
(3) Test method and conditions The test piece on which the DLC film was formed was subjected to 90 ° bending deformation, and the appearance of the DLC film at the bent portion was observed with a 20 × magnifier. JI
A total of 300 hours of tests were conducted for the salt spray test specified in S-Z2371, and the appearance of the test pieces was observed every 100 hours during the test to investigate the presence or absence of corrosion and peeling of the DLC film.
（４）試験結果
試験結果を表４に示した。この表に示す結果から明らかなように、ＤＬＣ膜の水素含有量が少なく、炭素含有量の多い試験片（Ｎｏ．ｌ〜４）では、皮膜の硬さが大きく（Ｈｖ：３０００以上）また成膜時の残留応力値も高くなっていることもあって、９０°曲げ試験後の皮膜は剥離したり、基材から浮き上がる現象が見られた。このような剥離現象が認められるＤＬＣ膜に対しては、亜鉛めっきによる貫通気孔の封孔処理の効果は認められない。
しかし、Ｎｏ．５試験片のようにＤＬＣ膜の剥離が軽微な場合には、１００時間程度の腐食試験に対しては、亜鉛めっき処理による防食効果が認められた。
(4) Test results The test results are shown in Table 4. As is apparent from the results shown in this table, the test piece (No. 1 to 4) having a low hydrogen content and a high carbon content in the DLC film has a high hardness (Hv: 3000 or more). Since the residual stress value at the time of filming was also high, the film after the 90 ° bending test was peeled off or lifted from the substrate. For the DLC film in which such a peeling phenomenon is recognized, the effect of sealing the through pores by galvanization is not recognized.
However, no. When peeling of the DLC film was slight like the five test pieces, the anticorrosion effect by the galvanizing treatment was recognized for the corrosion test for about 100 hours.
これに対して、水素を１３ａｔ％〜５０ａｔ％（Ｎｏ．７〜１６）含むＤＬＣ膜は、曲げ変形によっても剥離せず、また、１００時間の塩水噴霧試験においても、Ａｌ基材の腐食に起因する白さびの発生も認められず、比較的良好な耐食性を示すことが観察された。しかし、塩水噴霧試験が２００時間を越えると白さびの発生が認められ（Ｎｏ．８、１０，１２）３００時間後には、供試したすべての試験片に、白さびの発生が確認された（Ｎｏ．１４、１６）。 On the other hand, the DLC film containing 13 at% to 50 at% (No. 7 to 16) of hydrogen does not peel off even by bending deformation, and is also caused by corrosion of the Al base material in the salt spray test for 100 hours. No white rust was observed, and a relatively good corrosion resistance was observed. However, when the salt spray test exceeded 200 hours, the occurrence of white rust was observed (No. 8, 10, 12). After 300 hours, the occurrence of white rust was confirmed in all the test specimens tested ( No. 14, 16).
一方、ＤＬＣ膜の貫通気孔部に、電気めっき法によってめっき析出亜鉛を充填して封孔処理した試験片（Ｎｏ．５、７、９、１１、１３、１５）は、３００時間経過後でも、白さびの発生は見られず、長時間にわたって、優れた耐食性を発揮することが確認された。 On the other hand, the test pieces (No. 5, 7, 9, 11, 13, 15) in which the plated pores of the DLC film were filled with plating deposit zinc by an electroplating method and sealed, The generation of white rust was not observed, and it was confirmed that excellent corrosion resistance was exhibited for a long time.
（実施例２）
この実施例では、膜厚の異なるＤＬＣ膜に対する電気カドミウムめっき処理による貫通気孔部へのめっき析出カドミウムの封孔効果について調査した。
（１）供試基材と皮膜
ａ．供試基材として、腐食作用によって赤さびの発生しやすいＳＳ４００鋼（寸 法：幅３０ｍｍ×長さ５０ｍｍ×厚さ３．２ｍｍ）を用いた。
ｂ．ＤＬＣ膜：図１に示したプラズマＣＶＤ装置を用いて、基材の全表面に対して、０．５μｍ、１．０μｍ、３．０μｍ、８．０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、３０μｍ、５０μｍの厚みに形成したＤＬＣ膜を準備した。
ｃ．上記、厚さの異なるＤＬＣ膜試験片について、電気めっき法によって、貫通気孔内に、めっき液から析出したカドミウムを充填した。
また、比較例の試験片として、無処理のＳＳ４００鋼試験片および成膜状態のＤＬＣ膜（貫通気孔部をそのままの状態にしたもの）を同条件で腐食試験に供した。
(Example 2)
In this example, the sealing effect of plating deposited cadmium on the through pores by the electric cadmium plating process for DLC films having different film thicknesses was investigated.
(1) Test substrate and coating a. As the test substrate, SS400 steel (size: width 30 mm × length 50 mm × thickness 3.2 mm), which is susceptible to red rust due to corrosive action, was used.
b. DLC film: 0.5 μm, 1.0 μm, 3.0 μm, 8.0 μm, 15 μm, 20 μm, 30 μm, and 50 μm on the entire surface of the substrate using the plasma CVD apparatus shown in FIG. The formed DLC film was prepared.
c. About the said DLC film test piece from which thickness differs, the cadmium which precipitated from the plating solution was filled in the through-hole by the electroplating method.
Moreover, as a test piece of a comparative example, an untreated SS400 steel test piece and a DLC film in a film-formed state (those in which the through pores were left as they were) were subjected to a corrosion test under the same conditions.
（２）腐食試験方法
実施例１と同じ、ＪＩＳ Ｚ ２３７１に規定されている塩水噴霧試験方法によって、８００時間の連続腐食試験を行い、試験後の各試験片の外観を目視にて、赤さびの発生の有無を調査した。
(2) Corrosion test method By the salt spray test method defined in JIS Z 2371, which is the same as in Example 1, a continuous corrosion test for 800 hours was performed, and the appearance of each test piece after the test was visually observed. The presence or absence of occurrence was investigated.
（３）試験結果
試験結果を表５に示した。この表に示す結果から明らかなように、長時間による塩水噴霧試験の結果、無処理のＳＳ４００鋼をはじめ、膜厚の小さいＤＬＣ膜では、多量の赤さびが発生していることが判明した。これらの赤さびは噴霧状態の塩水によって基材のＳＳ４００鋼が腐食され、その腐食生成物が、赤さび（Ｆｅ（ＯＨ）３、α・β・γ−ＦｅＯＯＨ）となって顕在化したものである。一方、無処理ＤＬＣ膜では、膜厚を１５μｍにしても、赤さびの発生が認められ、貫通気孔部から浸入する塩水の作用を完全に防止できる様子がうかがえる。
(3) Test results The test results are shown in Table 5. As is clear from the results shown in this table, as a result of the salt spray test for a long time, it was found that a large amount of red rust was generated in the DLC film having a small film thickness including untreated SS400 steel. These red rusts are those in which SS400 steel as a base material is corroded by sprayed salt water, and the corrosion products are manifested as red rust (Fe (OH) 3 , α · β · γ-FeOOH). On the other hand, in the untreated DLC film, even when the film thickness is 15 μm, the occurrence of red rust is observed, and it can be seen that the action of salt water entering from the through pores can be completely prevented.
これに対して、カドミウムめっき処理によって、貫通気孔の内部を充填・封孔状態にしたＤＬＣ膜では、膜厚が１．０μｍ程度であっても、充填カドミウムによって基材のＳＳ４００鋼が防食され、良好な耐食性を発揮することが確認された。 On the other hand, in the DLC film in which the inside of the through-holes is filled / sealed by cadmium plating treatment, even if the film thickness is about 1.0 μm, the base material SS400 steel is corroded by the filled cadmium, It was confirmed that good corrosion resistance was exhibited.
（実施例３）
この実施例では、金属、焼結炭素およびプラスチックなどの基材表面に、各種の表面処理法によって、金属膜を形成した後、この金属膜上に形成したＤＬＣ膜に対して、本発明に係る亜鉛めっき法による貫通気孔の封孔処理を施したものの密着性を調査した。
(Example 3)
In this embodiment, a metal film is formed on the surface of a base material such as metal, sintered carbon, and plastic by various surface treatment methods, and then the DLC film formed on the metal film is applied to the present invention. The adhesion of the through-holes sealed by galvanization was investigated.
（１）供試基材と表面処理法
ａ．供試基材として、ＳＳ４００鋼（寸法：幅２０ｍｍ×長さ３０ｍｍ×厚さ１．８ｍｍ）焼結炭素（寸法：幅３５ｍｍ×長さ５０ｍｍ×厚さ５ｍｍ）プラスチックス（寸法：幅１８ｍｍ×長さ５０ｍｍ×厚さ２ｍｍ）を用い、それぞれの基材の表面に対して、所定の前処理を施した後、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、電気めっき法によって、金属膜を０．５〜１．５μｍの厚さで形成された。
ＰＶＤ法：Ｃｒ、Ｔａ
ＣＶＤ法：Ｃｒ
電気めっき法：Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ
ｂ．ＤＬＣ膜：実施例２と同じ方法によって、それぞれの基材上に形成された金属膜の表面にＤＬＣ膜を１μｍ、５μｍ、１０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍの膜厚を形成した試験片を作成した。
ｃ．前記、各試験片に対して、本発明に係る電気めっき法による貫通気孔の封孔処理を施したものを密着性調査用の皮膜とした。
(1) Test substrate and surface treatment method a. SS400 steel (dimensions: width 20 mm x length 30 mm x thickness 1.8 mm) sintered carbon (dimensions: width 35 mm x length 50 mm x
PVD method: Cr, Ta
CVD method: Cr
Electroplating method: Cr, Ni, Cu
b. DLC film: Using the same method as in Example 2, test pieces were prepared by forming a DLC film with a thickness of 1 μm, 5 μm, 10 μm, 30 μm, 40 μm, and 50 μm on the surface of the metal film formed on each substrate. .
c. Each test piece was subjected to a through-hole sealing treatment by an electroplating method according to the present invention and used as a film for adhesion investigation.
（２）ＤＬＣ膜の密着性試験方法
電気亜鉛めっき処理後のＤＬＣ膜の密着性は、ＩＳＯ ２０５０規定のスクラッチ試験方法を適用し、スクラッチ庇からの膜の剥離の有無およびその形状の変化から密着性の良否を判定した。
(2) DLC film adhesion test method The adhesion of the DLC film after electrogalvanization treatment is determined by applying the scratch test method specified in ISO 2050, and whether or not the film is peeled off from the scratch and the shape changes. Sexuality was judged.
（３）試験結果
試験結果を表６に示した。この表に示す結果から明らかなように、基材質が金属質（Ｎｏ．１〜４）はもとより、非金属の焼結炭素（Ｎｏ．５〜６）、有機高分子材料（Ｎｏ．７、８）であっても、それらの基材表面にＣｒ、Ｔａなどの皮膜を形成すると、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、電気めっき法などのプロセスの影響を受けず、密着性に優れたＤＬＣ膜を被覆するにとどまらず、これらのＤＬＣ膜の貫通気孔の内部に電気めっき法によって、めっき析出亜鉛を充填・封孔する処理を行っても、ＤＬＣ膜は良好な密着性を維持していることが確認された。
一方、電気めっき法によって、Ｎｉ皮膜（Ｎｏ．４）やＣｕ皮膜（Ｎｏ．８）を施工した基材面に形成したＤＬＣ膜の密着性は低いことが判明した。
(3) Test results The test results are shown in Table 6. As is clear from the results shown in this table, the base material is not only metallic (No. 1 to 4), but also non-metallic sintered carbon (No. 5 to 6), organic polymer materials (No. 7 and 8). However, if a film such as Cr or Ta is formed on the surface of the base material, it is not affected by processes such as the PVD method, the CVD method, and the electroplating method, and covers a DLC film having excellent adhesion. In addition, it was confirmed that the DLC film maintained good adhesion even when the plated pores were filled and sealed by electroplating inside the through-holes of these DLC films. It was.
On the other hand, it was found that the adhesion of the DLC film formed on the substrate surface on which the Ni film (No. 4) or Cu film (No. 8) was applied by electroplating was low.
（実施例４）
この実施例では、ＳＵＳ３０４鋼（寸法：幅２０ｍｍ×長さ３０ｍｍ×厚さ１．０ｍｍ）試験片の片面に、貫通気孔率が１．５×１０−３％のＤＬＣ膜を３μｍ厚で形成した後、金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、カドミウム、鉛、クロムなどの電気めっき処理を行ない、ＤＬＣ膜の貫通気孔部へのめっき金属の析出・充填状況を調査した。
この実施例に使用したＤＬＣ膜の炭素含有量および水素含有量は、実施例２に供試したものと同じである。また、この実施例に用いた電気めっき液の成分、電気めっき条件は、表７〜９に示すとおりである。
めっき処理の結果、ＤＬＣ膜の貫通気孔部に対しては、それぞれの金属がめっき液から析出し、気孔内部を充填していることが確認された。
Example 4
In this example, a DLC film having a through-porosity of 1.5 × 10 −3 % with a thickness of 3 μm was formed on one side of a SUS304 steel (dimension: width 20 mm × length 30 mm × thickness 1.0 mm) test piece. Thereafter, electroplating treatment of gold, silver, palladium, copper, nickel, tin, cadmium, lead, chromium, etc. was performed, and the deposition / filling state of the plated metal in the through pores of the DLC film was investigated.
The carbon content and hydrogen content of the DLC film used in this example are the same as those used in Example 2. In addition, the components of the electroplating solution and electroplating conditions used in this example are as shown in Tables 7-9.
As a result of the plating treatment, it was confirmed that each metal was deposited from the plating solution and filled in the pores of the DLC film.
（実施例５）
この実施例では、ＳＵＳ３０４鋼（寸法：幅２０ｍｍ×長さ３０ｍｍ×厚さ１。０ｍｍ）試験片を用いて、貫通気孔率が１．５×１０−３％のＤＬＣ膜を３μｍ厚で形成した後、各種ニッケル合金めっき、銅合金めっき、鉄合金めっき処理を行ない、ＤＬＣ膜の貫通気孔部への合金めっき金属の析出・充填状況を調査した。
この実施例に使用したＤＬＣ膜の炭素含有量および水素含有量は、実施例２に供試したものと同じである。また、この実施例に用いた各種合金めっき液の成分、電気めっき条件は、表１０〜１２に示すとおりである。
めっき処理の結果、ＤＬＣ膜の貫通気孔部に対しては、合金めっき液から析出する各種合金も気孔内部を充填していることが確認された。
(Example 5)
In this example, a SUS304 steel (dimension: width 20 mm × length 30 mm × thickness 1.0 mm) test piece was used to form a DLC film having a through-porosity of 1.5 × 10 −3 % with a thickness of 3 μm. Thereafter, various nickel alloy plating, copper alloy plating, and iron alloy plating treatments were performed, and the deposition / filling state of the alloy plating metal in the through pores of the DLC film was investigated.
The carbon content and hydrogen content of the DLC film used in this example are the same as those used in Example 2. Moreover, the components and electroplating conditions of various alloy plating solutions used in this example are as shown in Tables 10-12.
As a result of the plating treatment, it was confirmed that various alloys deposited from the alloy plating solution filled the pores of the through-hole portions of the DLC film.
本発明の技術は、現行のＤＬＣ膜が利用されている分野を含む、下記の産業分野への利用が期待される。
ａ．機械産業では、工作機械、織機、ポンプブロワーなどの回転機械、プラスチック炭素などのフィルムシート、繊維などの製造機、装置類、カメラ、光学機器、印刷機械装置。
ｂ．電（気）機産業では、テレビ、ラジオ、洗濯機、冷蔵庫、冷暖房機などの家電製品をはじめ、パソコン、コピーなどの事務用機器、通信、受信用機器。
ｃ．半導体産業では、Ｓｉ、硝子などの精密研磨および加工装置。
ｄ．バイオ、生物化学、医・薬学分野において要求される無菌および培養部材、化学プラント、石油化学、石油精製プラントなどに使用されている各種部材
以上の各種機械、装置、部材に要求されている機械的、電気的、化学的性能に応える皮膜として特に耐食性能を重複する分野で好適に、さらに本発明の電気めっき処理によるＤＬＣ膜の微細な貫通気孔内部への金属の充填封孔は、銀、銅、金、錫、ニッケル、クロム、パラジウム、鉛、コバルト、アンチモン、カドミウムなどの金属及びそれらの合金めっきの処理によっても可能である。特に、金、銀、銅、錫などの封孔用金属およびそれらの合金類を用いて封孔したＤＬＣ膜は、また、抗菌作用を発揮することが期待されるので、主として室内で用いられる厨房用設備、例えば、食器棚、冷蔵庫、食品格納棚、調理用部品などの衛生環境の維持に効果を発揮することが期待できる。
また、電気抵抗の高いＤＬＣ膜の貫通気孔部への充填と、その皮膜表面へのめっき金属の被覆によって、電気伝導性を付与することが可能となるとともに、半田合金の接合も容易になるなど、これらの皮膜特性を利用した用途への展開も可能となる。
The technology of the present invention is expected to be used in the following industrial fields including fields where current DLC films are used.
a. In the machinery industry, machine tools, looms, rotating machines such as pump blowers, film sheets such as plastic carbon, textile machines, etc., equipment, cameras, optical equipment, and printing machinery.
b. In the electrical machinery industry, home appliances such as televisions, radios, washing machines, refrigerators, air conditioners, office equipment such as personal computers and copiers, and communication and reception equipment.
c. In the semiconductor industry, precision polishing and processing equipment such as Si and glass.
d. Aseptic and culture parts required in bio, biochemistry, medical and pharmaceutical fields, various parts used in chemical plants, petrochemicals, petroleum refining plants, etc. Mechanical required for various machines, devices and parts above As a film that responds to electrical and chemical performance, it is suitable particularly in the field where the corrosion resistance performance overlaps. Further, the metal filling and sealing inside the fine through-holes of the DLC film by the electroplating treatment of the present invention is silver, copper. It is also possible to process metals such as gold, tin, nickel, chromium, palladium, lead, cobalt, antimony, cadmium, and their alloy plating. In particular, a DLC film sealed using a metal for sealing such as gold, silver, copper, and tin and alloys thereof is also expected to exert an antibacterial action, so that it is mainly used indoors. It can be expected to be effective in maintaining a sanitary environment such as equipment, such as cupboards, refrigerators, food storage shelves, and cooking parts.
In addition, by filling the through-hole portion of the DLC film with high electrical resistance and coating the surface of the coating with the plated metal, it is possible to impart electrical conductivity and facilitate the joining of the solder alloy. Further, it is possible to expand to applications using these film characteristics.
１ 反応容器
２ 静電チャック用基材
３ 導体
４ 高電圧パルス発生電源
５ プラズマ発生用電源
６ 重畳装置
７ａ、７ｂ バルブ
８ アース線
９ 高電圧導入部
２１ 基材（石英）
２２ ＤＬＣ膜
３１ 電気伝導性基材または非電気伝導性の基材の表面に電気伝導性皮膜を被覆した基材
３２ ＤＬＣ膜
３３ めっき金属
３４ 直流電源
４１ 基材
４２ ＤＬＣ膜
４３ ＤＬＣ膜中の貫通気孔
４４ 貫通気孔部に充填された導電性金属析出物
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
22
Claims (10)
該ＤＬＣ膜被覆部材を、封孔用金属・合金を含有するめっき液中に浸漬し、当該基材を陰極として直流を通電することにより、該ＤＬＣ膜中に存在する前記貫通気孔内に、めっき液から析出する封孔用金属・合金を充填して封孔することを特徴とするＤＬＣ膜被覆部材の製造方法。 In a method for producing a DLC film-coated member by coating a DLC film having through pores on the surface of a substrate to be treated that exhibits electrical conductivity at least for the surface layer,
By immersing the DLC film covering member in a plating solution containing a metal / alloy for sealing and applying a direct current with the base material as a cathode, plating is performed in the through-holes existing in the DLC film. A method for producing a DLC film-coated member, comprising filling and sealing a metal / alloy for sealing deposited from a liquid.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013207875A JP5727569B2 (en) | 2013-10-03 | 2013-10-03 | Method for manufacturing DLC film-coated member and DLC film-coated member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013207875A JP5727569B2 (en) | 2013-10-03 | 2013-10-03 | Method for manufacturing DLC film-coated member and DLC film-coated member |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015071809A JP2015071809A (en) | 2015-04-16 |
| JP5727569B2 true JP5727569B2 (en) | 2015-06-03 |
Family
ID=53014372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013207875A Expired - Fee Related JP5727569B2 (en) | 2013-10-03 | 2013-10-03 | Method for manufacturing DLC film-coated member and DLC film-coated member |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5727569B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105332028B (en) * | 2015-11-10 | 2017-12-26 | 上海应用技术学院 | A kind of method of electrolyzing organic in metal surface structure DLC film |
| RU2743353C9 (en) * | 2016-12-19 | 2022-01-12 | СМСи КОРПОРЕЙШН | Corrosion-resistant member |
| JP2018206993A (en) * | 2017-06-06 | 2018-12-27 | 日本特殊陶業株式会社 | Substrate holding member and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4728306B2 (en) * | 2007-09-18 | 2011-07-20 | トーカロ株式会社 | Electrostatic chuck member and manufacturing method thereof |
| JP4903104B2 (en) * | 2007-09-18 | 2012-03-28 | トーカロ株式会社 | Components for semiconductor processing equipment |
| JP5205606B2 (en) * | 2010-02-03 | 2013-06-05 | トーカロ株式会社 | DLC film coated member and method for manufacturing the same |
| JP5403816B2 (en) * | 2010-02-03 | 2014-01-29 | トーカロ株式会社 | DLC film coated member and method for manufacturing the same |
| JP5286528B2 (en) * | 2010-10-01 | 2013-09-11 | トーカロ株式会社 | Method for manufacturing member for semiconductor processing apparatus |
-
2013
- 2013-10-03 JP JP2013207875A patent/JP5727569B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015071809A (en) | 2015-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Xie et al. | Corrosion behavior of cold sprayed pure zinc coating on magnesium | |
| Hryniewicz et al. | Magnetoelectropolishing for metal surface modification | |
| Zhang et al. | A comparative study on the corrosion behaviour of Al, Ti, Zr and Hf metallic coatings deposited on AZ91D magnesium alloys | |
| JP5792257B2 (en) | Method for producing antibacterial DLC film-coated member | |
| Liang et al. | Effect of cermet interlayer on the electrochemical behavior of Cr3C2-NiCr/DLC duplex coating | |
| JP5403816B2 (en) | DLC film coated member and method for manufacturing the same | |
| JP4990959B2 (en) | Thick film DLC coated member and method for manufacturing the same | |
| Balasubramanian et al. | Nanocomposite Ti–Si–N coatings deposited by reactive dc magnetron sputtering for biomedical applications | |
| JP5727569B2 (en) | Method for manufacturing DLC film-coated member and DLC film-coated member | |
| Zhang et al. | Effect of treatment time on a PEO‐coated AZ31 magnesium alloy | |
| Ting | Properties of hydrophobic carbon–PTFE composite coating with high corrosion resistance by facile preparation on pure Ti | |
| Suo et al. | Corrosion behaviour of TiN and CrN coatings produced by magnetron sputtering process on aluminium alloy | |
| RU2068032C1 (en) | Method of anti-wear coating application on pieces of titanium and its alloys and piece made of titanium and its alloys | |
| Seifzadeh et al. | Corrosion protection of AM60B magnesium alloy by application of electroless nickel coating via a new chrome-free pretreatment | |
| JP5286528B2 (en) | Method for manufacturing member for semiconductor processing apparatus | |
| JP2006052435A (en) | Member of device for processing semiconductor, and manufacturing method therefor | |
| JP4903104B2 (en) | Components for semiconductor processing equipment | |
| Singh et al. | Deposition and characterization of electroless Ni on fluoride free pretreated AZ91 magnesium alloy | |
| JP5796861B2 (en) | DLC film-coated member having excellent corrosion resistance and method for producing the same | |
| Chang et al. | The effect of MEVVA implanted Cr on the corrosion resistance of CrN coated low alloy steel by cathodic arc plasma deposition | |
| JP2007321194A (en) | Corrosion-resistant thermal spray coating and method of sealing coating of thermal spray coating | |
| JP2007324353A (en) | Member for semiconductor machining device and manufacturing method therefor | |
| Patel et al. | Corrosion behavior of Ti2N thin films in various corrosive environments | |
| JP5245103B2 (en) | Thick film DLC coated member and method for manufacturing the same | |
| Oliveira et al. | Improved corrosion resistance of tool steel H13 by means of cadmium ion implantation and deposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150331 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150402 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5727569 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |