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JP5728381B2 - マイクロアレイにおけるプローブ位置決定の方法 - Google Patents
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JP5728381B2 - マイクロアレイにおけるプローブ位置決定の方法 - Google Patents

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Description

本発明は、マイクロアレイを用いてプローブポリヌクレオチドとターゲットポリヌクレオチドのハイブリダイゼーションを検出する方法に関する。
多種多様な生物の遺伝子構造を明らかにするのみならず、その遺伝子機能をゲノムスケールで解明しようとする試みが行われつつあり、遺伝子機能を効率的に解析するための技術開発も急速に進んでいる。マイクロアレイは、スライドガラス等の担体に多数のポリヌクレオチドを所定の領域毎に整列固定させた高密度のアレイであり、遺伝子の塩基配列の決定、並びに遺伝子の発現、変異、多型性などの同時解析に非常に有用である。このマイクロアレイを用いた遺伝子情報の解析は、創薬研究、疾病の診断や予防法の開発などに極めて有用である。
マイクロアレイを用いた検出では、まず担体表面に高密度に整列したプローブポリヌクレオチドに対して、放射性同位体や蛍光色素で標識したターゲットポリヌクレオチドをハイブリダイズさせる。このとき、プローブポリヌクレオチドと相補的な塩基配列をもつターゲットポリヌクレオチドは、プローブポリヌクレオチドと相補的にハイブリダイズするが、ハイブリダイズしなかったポリヌクレオチドは洗浄により除去される。
マイクロアレイを用いたハイブリダイゼーションの検出では、マイクロアレイごとの性能劣化や洗浄不良などにより誤判定が起こる場合がある。しかし、その誤判定か否かの判断は、マイクロアレイを使用するユーザーに委ねられており、非常にあいまいであった。このような状況では検出器と反応装置と組み合わせた自動装置で多数の試料を処理することは不可能であった。
特許文献1には、スポットの輝度が検出器の検出下限以下である場合や検出上限以上である場合に生じる判定誤差をなくすために、プローブDNAを濃度を変えてスポットしたマイクロアレイを用い、特定の範囲の輝度を有するスポットの結果のみで判定する方法が記載されている。しかし、当該方法では、マイクロアレイごとの性能劣化や洗浄不良などを判定することはできない。
特許文献2には、プローブアレイにマーカー物質を共有結合させ、このマーカー物質の位置に基づき、各プローブのスポットの位置の特定を迅速かつ正確に行う方法が記載されている。しかし、当該方法では、プローブアレイごとの性能劣化や洗浄不良などを判定することはできても、ハイブリダイゼーションに不具合があったどうかなどを判定することはできない。
特許第0880361号 特許第4261661号
本発明の課題は、マイクロアレイごとの性能劣化や洗浄不良などに加え、ハイブリダイゼーションの不良を客観的に判定する手段を提供することである。
本発明者らは、プローブポリヌクレオチドが固定化された検出用スポットに加えて、基準ポリヌクレオチドが固定化された基準スポットを有するマイクロアレイを用い、ターゲットポリヌクレオチドとともに、基準ポリヌクレオチドにハイブリダイズする蛍光標識されたマーカーポリヌクレオチドを接触させてハイブリダイゼーション反応させ、まず基準スポットの蛍光を測定することによりマイクロアレイごとの信頼性ならびにハイブリダイズ反応の信頼性を判定できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は以下の発明を包含する。
(1)マイクロアレイを用いてプローブポリヌクレオチドとターゲットポリヌクレオチドのハイブリダイゼーションを検出する方法であって、
1)プローブポリヌクレオチドが固定化された複数の検出用スポットに加えて、基準ポリヌクレオチドが固定化された基準スポットを一箇所以上有するマイクロアレイに、蛍光標識されたターゲットポリヌクレオチドと、基準ポリヌクレオチドにハイブリダイズする蛍光標識されたマーカーポリヌクレオチドとを接触させる工程、
2)マイクロアレイを洗浄することにより、未反応のターゲットポリヌクレオチドを除去する工程、
3)基準スポットにおける蛍光を測定し、所定の値を満たせば測定可と判断する工程、及び
4)測定可と判断されたら、プローブポリヌクレオチドが固定化された各検出用スポットにおける蛍光を測定する工程、
を含む、前記方法。
(2)マーカーポリヌクレオチドの蛍光標識とターゲットポリヌクレオチドの蛍光標識が同一である、(1)記載の方法。
(3)マイクロアレイにおいて、検出用スポットと基準スポットが整列して配置されており、基準スポットが少なくとも二箇所存在し、いずれか二箇所の基準スポットを結ぶ線を基準線として、基準スポットからの距離と基準線からの角度に基づいて検出用スポットの位置が検出される、(1)又は(2)記載の方法。
(4)検出用スポットと基準スポットが、外周が四角形の格子状に配置されており、基準スポットが四角形の異なる頂点に存在する、(3)記載の方法。
(5)マイクロアレイにおいて、検出用スポットと基準スポットが、外周が正方形又は長方形の格子状に整列して配置されており、基準スポットがその対角線上の頂点に二箇所存在し、各基準スポット上を通る二つの直線が垂直に交わる交点を検出し、前記交点と各基準スポットとを結ぶ二つの結線の長さを検出し、前記結線の長さとスポット数から結線上の各検出用スポット位置が検出される、(1)又は(2)記載の方法。
(6)マーカーポリヌクレオチドが、基準ポリヌクレオチドに相補的なポリヌクレオチドと95%以上の相同性を有する、(1)〜(5)のいずれかに記載の方法。
(7)プローブポリヌクレオチドとターゲットポリヌクレオチドのハイブリダイゼーションを検出するためのキットであって、プローブポリヌクレオチドが固定化された複数の検出用スポットに加えて、基準ポリヌクレオチドが固定化された基準スポットを一箇所以上有するマイクロアレイ、ならびに基準ポリヌクレオチドにハイブリダイズする蛍光標識されたマーカーポリヌクレオチドを含む、前記キット。
本明細書は本願の優先権の基礎である日本国特許出願2009−143390号の明細書および/または図面に記載される内容を包含する。
図1は、マイクロアレイにおけるプローブDNA及び基準DNAのスポットの配置の一態様を示す。
図2は、マイクロアレイの蛍光検出に用いる検出器の一態様を示す。
図3は、マイクロアレイにおいてハイブリダイズ反応を実施した後、蛍光を測定した画像を示す。
図4は、2点の基準スポットの座標から各検出用スポットの座標を算出し配置したものを赤丸で示した図である。
図5は、PCR産物を入れずに蛍光標識オリゴDNAだけをハイブリダイズさせた場合(検体不良の場合)の蛍光画像を示す。
図6は、鋳型DNAを入れずにPCR増幅を行い、その反応液2μLと、蛍光標識オリゴDNAを添加したハイブリダイズバッファー1μLとを混ぜてハイブリダイズを行った場合(検体不良の場合)の蛍光画像を示す。
図7は、ハイブリダイズバッファーの替わりに超純水を使用してハイブリダイズを行った場合(ハイブリダイズ不良の場合)の蛍光画像を示す。
図8は、バックグラウンド値の算出例として輝度を測定する、スポットの中心から一定の範囲の位置を示す。
本発明は、マイクロアレイを用いてプローブポリヌクレオチドとターゲットポリヌクレオチドのハイブリダイゼーションを検出する方法に関する。
本発明においてポリヌクレオチドには、オリゴヌクレオチドが包含され、DNA及びRNAを含む核酸が包含される。DNAには、一本鎖DNA及び二本鎖DNAが包含される。また、核酸には、リン酸ジエステル部位を修飾した人工核酸;フラノース部位のグリコシル結合やヒドロキシル基を修飾した人工核酸;核酸塩基部位を修飾した人工核酸;及び糖・リン酸骨格以外の構造を利用した人工核酸なども包含され、より具体的には、リン酸部位の酸素原子を硫黄原子で置換したホスホロチオエート型、ホスホロジチオエート型、ホスホロジアミデート型、メチルホスホネート型又はメチルホスホノチオエート型の人工核酸;フラノース環上の置換基修飾型、糖環骨格が1炭素増炭したピラノース型、又は多環式糖骨格型の人工核酸;ピリミジンC−5位修飾塩基型、プリンC−7位修飾塩基型、又は環拡張修飾塩基型の人工核酸などが包含される。
本発明においてプローブポリヌクレオチドは、当技術分野で通常用いられる意味を有し、目的遺伝子を検出するために用いられるポリヌクレオチドであって、目的遺伝子に対応するポリヌクレオチド又はその断片と特異的にハイブリダイズするポリヌクレオチドをさす。プローブポリヌクレオチドとしては、通常、合成オリゴヌクレオチド、cDNA及びゲノムDNA、それらの断片、ならびにそれらを変性させたもの(例えば、一本鎖を二本鎖に変性させたもの)等が用いられる。プローブポリヌクレオチドは、通常3〜5000塩基、好ましくは10〜1000塩基を有する。マイクロアレイに固定化するプローブポリヌクレオチドのスポッティング溶液の濃度は、通常1μM〜10μMの範囲である。
本発明においてターゲットポリヌクレオチドは、当技術分野で通常用いられる意味を有し、検出対象であるポリヌクレオチドをさす。ターゲットは標的と称される場合もある。通常、被検試料由来のポリヌクレオチド及びそれを基にして酵素的に合成/増幅されたポリヌクレオチド、具体的には、mRNA、cDNA、aRNA、それらの断片、ならびにそれらを変性させたもの等が用いられる。
ハイブリダイズ、ハイブリダイズ反応又はハイブリダイゼーションは、当技術分野で通常用いられる意味を有し、相補的な配列を持つポリヌクレオチド同士、例えば、一本鎖のDNA同士、一本鎖のRNA同士、又は一本鎖のDNAと一本鎖のRNAが適切な条件下で二本鎖を形成することをいう。本発明においてハイブリダイゼーションは、好ましくはストリンジェントな条件下で実施する。
本発明においては、蛍光標識されたターゲットポリヌクレオチドを用いる。標識方法や標識の種類は、プローブポリヌクレオチドとターゲットポリヌクレオチドとのハイブリダイゼーションを検出できるものであれば特に制限されず、当技術分野で公知である。例えば、ターゲットポリヌクレオチドを合成又は増幅する際に蛍光標識を共有結合させた基質(主にUTP)を取り込ませることにより、蛍光標識されたターゲットポリヌクレオチドを得ることができる。蛍光標識としては、Cy3及びCy5などのCyDye、FITC、RITC、ローダミン、テキサスレッド、TET、TAMRA、FAM、HEX、ROXなどが挙げられる。
本発明では、マイクロアレイとして、プローブポリヌクレオチドが固定化された複数の検出用スポットに加えて、基準ポリヌクレオチドが固定化された基準スポットを一箇所以上、好ましくは少なくとも2箇所、より好ましくは2〜4箇所、さらに好ましくは2箇所有するマイクロアレイを用いる。基準ポリヌクレオチドは、通常、3〜5000塩基、好ましくは10〜1000塩基を有する。基準スポットに固定化する基準ポリヌクレオチドのスポッティング溶液の濃度は、通常1μM〜10μMの範囲である。
本発明においては、上記マイクロアレイに、蛍光標識されたターゲットポリヌクレオチドと、基準ポリヌクレオチドにハイブリダイズする蛍光標識されたマーカーポリヌクレオチドとを接触させることによりハイブリダイゼーション反応を実施し、洗浄により未反応のターゲットポリヌクレオチドを除去した後、まず基準スポットにおける蛍光を測定する。基準ポリヌクレオチドにハイブリダイズする蛍光標識されたマーカーポリヌクレオチドとは、通常、ストリンジェントな条件下で基準ポリヌクレオチドにハイブリダイズする蛍光標識されたマーカーポリヌクレオチドをさす。
ストリンジェントな条件とは、特異的なハイブリッドが形成され、非特異的なハイブリッドが形成されない条件をいい、低ストリンジェントな条件及び高ストリンジェントな条件が挙げられるが、高ストリンジェントな条件が好ましい。低ストリンジェントな条件とは、ハイブリダイゼーション後の洗浄において、例えば42℃、5×SSC、0.1%SDSで洗浄する条件であり、好ましくは50℃、5×SSC、0.1%SDSで洗浄する条件である。高ストリンジェントな条件とは、ハイブリダイゼーション後の洗浄において、例えば65℃、0.1×SSC及び0.1%SDSで洗浄する条件である。上記のようなストリンジェントな条件下では、基準ポリヌクレオチドに相補的なポリヌクレオチドと高い相同性(相同性が80%以上、好ましくは90%以上、より好ましくは95%以上、より好ましくは98%以上)を有する塩基配列からなるポリヌクレオチドが、基準ポリヌクレオチドとハイブリダイズすることができる。
上記のように、マーカーポリヌクレオチドは基準ポリヌクレオチドにハイブリダイズするように設計されており、かつ蛍光標識を有することから、ターゲットポリヌクレオチドがプローブにハイブリダイズしなくとも基準スポットにおいては蛍光が検出されるはずである。蛍光が検出されない、又は蛍光の値が低いということは、基準ポリヌクレオチドがマイクロアレイから失われていること、すなわち、その他のプローブポリヌクレオチドも同様に失われていることを意味する。あるいは、ハイブリダイズ反応に不具合があることを意味する。従って、基準スポットの蛍光を測定し、所定の値を満たすかどうか判定することにより、マイクロアレイが劣化しているか否か、換言すればマイクロアレイの信頼性を判断することができる。さらには、ハイブリダイズ反応の信頼性を判定することができる。
マーカーポリヌクレオチドの蛍光標識は、特に制限されないが、ターゲットポリヌクレオチドの蛍光標識と同じものを用いるのが好ましい。同じものを用いることで、同じ検出器を用いて双方の蛍光標識を一括して測定することができ、迅速且つ簡便に測定を実施できる。
本発明で用いるマイクロアレイにおいては、好ましくは、プローブポリヌクレオチドのスポット(検出用スポット)と基準スポットとが整列して、好ましくは格子状に配置されている。そして、好ましくは基準スポットが少なくとも二箇所存在し、いずれか二箇所の基準スポットを結ぶ線を基準線として、基準スポットからの距離及び基準線からの角度に基づいて各検出用スポットの位置(スポットの中心)が検出される。より具体的には、基準スポットからの距離及び基準線からの角度(各検出用スポットと基準スポットを結ぶ線と基準線とがなす角度)、並びに所望によりスポットピッチ等から各スポットの中心位置を決定することができる。
また、検出用スポットと基準スポットを、外周が正方形又は長方形の格子状に整列して配置し、基準スポットをその対角線上の向かい合う頂点に二箇所存在させることができる。この場合には、それぞれの基準スポット上を通る二つの直線が垂直に交わる交点を検出し、この交点とそれぞれの二箇所の基準スポットを結ぶ二つの結線を検出する。そして、結線の長さを算出しこの距離を、あらかじめ決定されている(四角形の外周上のスポット数−1)の数で割ることで、結線上の各スポット間隔が求められ、このスポット間隔から各スポット位置を検出することができる。例えば、スポットが4行×4列のマイクロアレイを用いたとする。このときは結線上のスポット数は4点である。結線の長さが900μmだったとすると、900÷(4−1)=300となり、スポット間隔は300μmとなる。これを用いて、基準スポットから結線上に300μm移動したところをスポットの中心とすることができ、さらにこの中心から結線上に300μm移動したところが次のスポットの中心となる。
基準線を構成する二箇所の基準スポットは、マイクロアレイ上に整列したスポット群において、遠い位置に存在することが好ましい。検出用スポットと基準スポットは、外周が四角形の格子状に配置されており(例えば、図1)、基準スポットが四角形の異なる頂点に存在することが好ましい。
検出用スポットと基準スポットにおける蛍光を測定するための検出器としては、例えば、蛍光レーザー顕微鏡、冷却CCDカメラ及びコンピュータを連結した蛍光スキャニング装置が用いられ、マイクロアレイ上の蛍光強度を自動的に測定することができる。CCDカメラの代わりに共焦点型又は非焦点型のレーザーを用いてもよい。これにより、画像データが得られる。得られたデータから、マイクロアレイ上に固定化されたプローブポリヌクレオチドに対して相補性を有するターゲットポリヌクレオチドを同定することができ、これに基づいて遺伝子発現プロファイルを作成したり、ポリヌクレオチドの塩基配列を決定したりすることが可能になる。
本発明で用いるマイクロアレイは、担体上にプローブポリヌクレオチドと基準ポリヌクレオチドを固定化したものである。担体の材料としては、当技術分野で公知のものを使用でき、特に制限されない。例えば、白金、白金黒、金、パラジウム、ロジウム、銀、水銀、タングステン及びそれらの化合物などの貴金属、及びグラファイト、カ−ボンファイバ−に代表される炭素などの導電体材料;単結晶シリコン、アモルファスシリコン、炭化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素などに代表されるシリコン材料、SOI(シリコン・オン・インシュレータ)などに代表されるこれらシリコン材料の複合素材;ガラス、石英ガラス、アルミナ、サファイア、セラミクス、フォルステライト、感光性ガラスなどの無機材料;ポリエチレン、エチレン、ポリプロピレン、環状ポリオレフィン、ポリイソブチレン、ポリエチレンテレフタレート、不飽和ポリエステル、含フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、アクリル樹脂、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン、アセタール樹脂、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノール樹脂、ユリア樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、スチレン・アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル・ブタジエンスチレン共重合体、ポリフェニレンオキサイド及びポリスルホンなどの有機材料等が挙げられる。担体の形状も特に制限されないが、好ましくは平板状である。
担体として、好ましくは表面にカーボン層と化学修飾基とを有する担体を用いる。表面にカーボン層と化学修飾基とを有する担体には、基板の表面にカーボン層と化学修飾基とを有するもの、及びカーボン層からなる基板の表面に化学修飾基を有するものが包含される。基板の材料としては、当技術分野で公知のものを使用でき、特に制限されず、上述の担体材料として挙げたものと同様のものを使用できる。
微細な平板状の構造を有する担体が好適に用いられる。形状は、長方形、正方形及び丸形など限定されないが、通常、1〜75mm四方のもの、好ましくは1〜10mm四方のもの、より好ましくは3〜5mm四方のものを用いる。微細な平板状の構造の担体を製造しやすいことから、シリコン材料や樹脂材料からなる基板を用いるのが好ましく、特に単結晶シリコンからなる基板の表面にカーボン層及び化学修飾基を有する担体がより好ましい。単結晶シリコンには、部分部分でごくわずかに結晶軸の向きが変わっているものや(モザイク結晶と称される場合もある)、原子的尺度での乱れ(格子欠陥)が含まれているものも包含される。
基板上に形成させるカーボン層としては、特に制限されないが、合成ダイヤモンド、高圧合成ダイヤモンド、天然ダイヤモンド、軟ダイヤモンド(例えば、ダイヤモンドライクカーボン)、アモルファスカーボン、炭素系物質(例えば、グラファイト、フラーレン、カーボンナノチューブ)のいずれか、それらの混合物、又はそれらを積層させたものを用いることが好ましい。また、炭化ハフニウム、炭化ニオブ、炭化珪素、炭化タンタル、炭化トリウム、炭化チタン、炭化ウラン、炭化タングステン、炭化ジルコニウム、炭化モリブデン、炭化クロム、炭化バナジウム等の炭化物を用いてもよい。ここで、軟ダイヤモンドとは、いわゆるダイヤモンドライクカーボン(DLC:Diamond Like Carbon)等の、ダイヤモンドとカーボンとの混合体である不完全ダイヤモンド構造体を総称し、その混合割合は、特に限定されない。
カーボン層の形成は公知の方法で行うことができる。例えば、マイクロ波プラズマCVD(Chemical vapor deposit)法、ECRCVD(Electric cyclotron resonance chemical vapor deposit)法、ICP(Inductive coupled plasma)法、直流スパッタリング法、ECR(Electric cyclotron resonance)スパッタリング法、イオン化蒸着法、アーク式蒸着法、レーザ蒸着法、EB(Electron beam)蒸着法、抵抗加熱蒸着法などが挙げられる。
基板の表面にカーボン層を形成する場合、カーボン層の厚さは、通常、単分子層〜100μm程度であり、薄すぎると下地基板の表面が局部的に露出する可能性があり、逆に厚くなると生産性が悪くなるので、好ましくは2nm〜1μm、より好ましくは5nm〜500nmである。
カーボン層が形成された基板の表面に化学修飾基を導入することにより、オリゴヌクレオチドプローブを担体に強固に固定化できる。導入する化学修飾基は、当業者であれば適宜選択することができ、特に制限されないが、例えば、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、ホルミル基、ヒドロキシル基及び活性エステル基が挙げられる。
アミノ基の導入は、例えば、カーボン層をアンモニアガス中で紫外線照射することにより又はプラズマ処理することにより実施できる。又は、カーボン層を塩素ガス中で紫外線を照射して塩素化し、さらにアンモニアガス中で紫外線照射することにより実施できる。又は、メチレンジアミン、エチレンジアミンで等の多価アミン類ガス中を、塩素化したカーボン層と反応させることによって実施することもできる。
カルボキシル基の導入は、例えば、前記のようにアミノ化したカーボン層に適当な化合物を反応させることにより実施できる。カルボキシル基を導入するために用いられる化合物としては、例えば、式:X−R−COOH(式中、Xはハロゲン原子、Rは炭素数10〜12の2価の炭化水素基を表す)で示されるハロカルボン酸、例えばクロロ酢酸、フルオロ酢酸、ブロモ酢酸、ヨード酢酸、2−クロロプロピオン酸、3−クロロプロピオン酸、3−クロロアクリル酸、4−クロロ安息香酸;式:HOOC−R−COOH(式中、Rは単結合又は炭素数1〜12の2価の炭化水素基を表す)で示されるジカルボン酸、例えばシュウ酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸;ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、トリメリット酸、ブタンテトラカルボン酸などの多価カルボン酸;式:R−CO−R−COOH(式中、Rは水素原子又は炭素数1〜12の2価の炭化水素基、Rは炭素数1〜12の2価の炭化水素基を表す)で示されるケト酸又はアルデヒド酸;式:X−OC−R−COOH(式中、Xはハロゲン原子、Rは単結合又は炭素数1〜12の2価の炭化水素基を表す。)で示されるジカルボン酸のモノハライド、例えばコハク酸モノクロリド、マロン酸モノクロリド;無水フタル酸、無水コハク酸、無水シュウ酸、無水マレイン酸、無水ブタンテトラカルボン酸などの酸無水物が挙げられる。
エポキシ基の導入は、例えば、前記のようにアミノ化したカーボン層に適当な多価エポキシ化合物を反応させることによって実施できる。あるいは、カーボン層が含有する炭素=炭素2重結合に有機過酸を反応させることにより得ることができる。有機過酸としては、過酢酸、過安息香酸、ジペルオキシフタル酸、過ギ酸、トリフルオロ過酢酸などが挙げられる。
ホルミル基の導入は、例えば、前記のようにアミノ化したカーボン層に、グルタルアルデヒドを反応させることにより実施できる。
ヒドロキシル基の導入は、例えば、前記のように塩素化したカーボン層に、水を反応させることにより実施できる。
活性エステル基は、エステル基のアルコール側に酸性度の高い電子求引性基を有して求核反応を活性化するエステル群、すなわち反応活性の高いエステル基を意味する。エステル基のアルコール側に、電子求引性の基を有し、アルキルエステルよりも活性化されたエステル基である。活性エステル基は、アミノ基、チオール基、水酸基等の基に対する反応性を有する。さらに具体的には、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N−ヒドロキシアミンエステル類、シアノメチルエステル、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等がアルキルエステル等に比べてはるかに高い活性を有する活性エステル基として知られている。より具体的には、活性エステル基としては、たとえばp−ニトロフェニル基、N−ヒドロキシスクシンイミド基、コハク酸イミド基、フタル酸イミド基、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミド基等が挙げられ、特に、N−ヒドロキシスクシンイミド基が好ましく用いられる。
活性エステル基の導入は、例えば、前記のように導入したカルボキシル基を、シアナミドやカルボジイミド(例えば、1−[3−(ジメチルアミノ)プロピル]−3−エチルカルボジイミド)などの脱水縮合剤とN−ヒドロキシスクシンイミドなどの化合物で活性エステル化することにより実施できる。この処理により、アミド結合を介して炭化水素基の末端に、N−ヒドロキシスクシンイミド基等の活性エステル基が結合した基を形成することができる(特開2001−139532)。
プローブポリヌクレオチド及び基準ポリヌクレオチドを、それぞれスポッティング用バッファーに溶解してスポッティング用溶液を調製し、これを96穴もしくは384穴プラスチックプレートに分注し、分注した溶液をスポッター装置等によって担体上にスポッティングすることにより、マイクロアレイを製造することができる。又は、スポッティング溶液をマイクロピペッターにて手動でスポッティングしてもよい。
スポッティング後、プローブポリヌクレオチド及び基準ポリヌクレオチドが担体に結合する反応を進行させるため、インキュベーションを行うことが好ましい。インキュベーションは、通常−20〜100℃、好ましくは0〜90℃の温度で、通常0.5〜16時間、好ましくは1〜2時間にわたって行う。インキュベーションは、高湿度の雰囲気下、例えば、湿度50〜90%の条件で行うのが望ましい。インキュベーションに続き、担体に結合していないDNAを除去するため、洗浄液(例えば、50mM TBS/0.05%Tween20、2×SSC/0.2%SDS溶液、超純水など)を用いて洗浄を行うことが好ましい。
本発明の一実施形態では、マイクロアレイを洗浄することにより、未反応のターゲットポリヌクレオチドを除去する工程の後、実際の測定、すなわちプローブポリヌクレオチドが固定化された各検出用スポットにおける蛍光の測定の前に、さらに以下の工程を実施することが好ましい。下記工程は、基準スポットにおける蛍光測定の前に実施してもよいし、後に実施してもよい。
複数のスポットについて、スポットの中心から一定の距離の位置の輝度をそれぞれ測定して、複数のバックグラウンド値を得る工程、得られた複数のバックグラウンド値を代表するバックグラウンド代表値を算出する工程、及びすべてのスポットについて、又は、バックグラウンド値を測定したすべてのスポットについて、バックグラウンド値とバックグラウンド代表値の差をそれぞれ算出し、所定の値以上の差を有するスポットが存在する場合には測定不可と判断する工程。
ここで、スポットには、検出用スポットと基準スポットの双方が包含される。バックグラウンド値を得る複数のスポットとしては、マイクロアレイに整列して配置されたスポットのうち、少なくとも外周を形成するスポットすべてについてバックグラウンド値を測定することが好ましい。また、すべてのスポットについてバックグラウンド値を測定する必要はないが、すべてのスポットについてバックグラウンド値を測定してもよい。バックグラウンド値を測定する複数のスポットは、例えば、検出用スポットと基準スポットが、外周が四角形の格子状に配置されている場合、通常、少なくとも四角形の頂点の2スポット好ましくは少なくとも四角形の頂点の4スポット、より好ましくは最外周のスポットすべてである。より具体的には、16行×16列のスポットであったときの最外周の60スポット、又は16行×16列のスポットであったときの全スポットである256スポットである。
スポットの中心から一定の範囲の位置の輝度をそれぞれ測定して、バックグラウンド値とする際、中心から一定の範囲は、スポットの大きさとスポット間隔等に基づいて適宜設定される。例えば、図8に示すように、スポットの中心から一定の距離以上で、スポット間隔長を一辺としスポットの中心位置を中心とした四角形の範囲内とすることができる。例えば、スポット中心から70μm以上で一辺が1000μmの四角形の範囲内、好ましくはスポット中心から70μm以上で一辺が380μmの四角形の範囲内である。また、一定の範囲の位置のスポット全て又は一部について輝度を測定した平均値をバックグラウンド値としてもよいし、一定の範囲の位置の一スポットのみの輝度を測定してそれをバックグラウンド値としてもよい。
スポットの中心の位置決め方法は特に制限されないが、例えば、各スポットにおいて、所定の蛍光強度(例えば、3000以上)を有する部分を検出し、その部分の中心とすることができる。あるいは、二箇所の基準スポットの中心を結ぶ線を基準線とし、基準スポットからの距離及び基準線からの角度、並びにスポットピッチ等から各スポットの中心位置を決定してもよい。
バックグラウンド代表値は、測定した複数のバックグラウンド値を代表する値であれば特に制限されないが、好ましくは複数のバックグラウンド値の平均値又はメディアン値である。
すべてのスポットについて、又は、バックグラウンド値を測定した全てのスポットについてのバックグラウンド値とバックグラウンド代表値の差をそれぞれ算出し、所定の値以上の差を有するスポットが存在する場合は、スポット周囲のバックグラウンド値にばらつきが大きいと判定でき、従って、当該マイクロアレイは洗浄不良であり、信頼性に欠けることから測定不可と判断することができる。ここで、所定の値は、条件等によって異なるが、例えば、画像の表示が16ビット諧調であるときは1000以上に設定することができる。画像の表示が例えば8ビット諧調であるときは、50よりも小さい値を設定することができる。
本発明の別の実施形態では、マイクロアレイを洗浄することにより、未反応のターゲットポリヌクレオチドを除去する工程の後、実際の測定、すなわちプローブポリヌクレオチドが固定化された各検出用スポットにおける蛍光の測定の前に、さらに以下の工程を実施することが好ましい。下記工程は、基準スポットにおける蛍光測定の前に実施してもよいし、後に実施してもよい。
複数のスポットについて、スポットの中心から一定の距離の位置の輝度をそれぞれ測定して、複数のバックグラウンド値を得る工程、複数のバックグラウンド値の平均値又はメディアン値をバックグラウンド代表値として算出する工程、バックグラウンド代表値が所定の値以上の場合には測定不可と判断する工程。
ここで、スポットには、検出用スポットと基準スポットの双方が包含される。バックグラウンド値を得る複数のスポットとしては、マイクロアレイに整列して配置されたスポットのうち、少なくとも外周を形成するスポットすべてについてバックグラウンド値を測定することが好ましい。また、すべてのスポットについてバックグラウンド値を測定する必要はないが、すべてのスポットについてバックグラウンド値を測定してもよい。バックグラウンド値を測定する複数のスポットは、例えば、検出用スポットと基準スポットが、外周が四角形の格子状に配置されている場合、通常、少なくとも四角形の頂点の2スポット、好ましくは少なくとも四角形の頂点の4スポット、より好ましくは最外周のスポットすべてである。より具体的には、16行×16列のスポットであったときの最外周の60スポット、又は16行×16列のスポットであったときの全スポットである256スポットである。
スポットの中心から一定の距離、及び中心の決定方法については、上述のとおりである。
複数のバックグラウンド値の平均値又はメディアン値であるバックグラウンド代表値が所定の値以上の場合には、スポット周囲のバックグラウンド値が全体的に大きいと判定でき、従って、当該マイクロアレイは洗浄不良であり、信頼性に欠けることから測定不可と判断することができる。ここで、所定の値は、条件等によって異なるが、例えば、16ビットのときは1000以上に設定することができる。
本発明はまた、上記のとおりのプローブポリヌクレオチドとターゲットポリヌクレオチドのハイブリダイゼーションの検出に使用するためのキットに関する。本発明のキットは、プローブポリヌクレオチドが固定化された複数の検出用スポットに加えて、基準ポリヌクレオチドが固定化された基準スポットを一箇所以上有するマイクロアレイ、ならびに基準ポリヌクレオチドにハイブリダイズする蛍光標識されたマーカーポリヌクレオチドを含む。プローブポリヌクレオチド、ターゲットポリヌクレオチド、基準ポリヌクレオチド、マイクロアレイ、及びマーカーポリヌクレオチド等については、上述のとおりである。本発明のキットは、さらに、ハイブリダイゼーションバッファー、洗浄バッファー、マイクロプレート、ナイロンメンブレンなどを含んでいてもよい。
以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明の技術的範囲は以下の実施例に限定されるものではない。
実施例1 担体の調製
3mm角のシリコン基板にイオン化蒸着法を用いて、下記の条件で2層のDLC層の製膜を行った。
得られた表面にDLC層を有するシリコン基板上に、下記の条件でアンモニアプラズマを用いて、アミノ基を導入した。
140mM 無水コハク酸及び0.1M ホウ酸ナトリウムを含む1−メチル−2−ピロリドン溶液に30分間浸漬し、カルボキシル基を導入した。0.1M リン酸カリウムバッファー、0.1M 1−[3−(ジメチルアミノ)プロピル]−3−エチルカルボジイミド、20mM N−ヒドロキシスクシイミドを含む溶液に30分間浸漬し、活性化を行い、シリコン基板表面にDLC層及び化学修飾基としてのN−ヒドロキシスクシイミド基を有する担体を得た。
実施例2 マイクロアレイの作製
基準DNA(基準ポリヌクレオチド)及びプローブDNA(プローブポリヌクレオチド)をそれぞれSol.6に溶解し、実施例1で作製した担体上に図1のような配置でスポット(日立ソフトウエア製 SPBIO)した。すなわち、基準DNAは基準スポットに、プローブDNAは検出用スポットにスポットした。図1において、基準スポットとして示されたスポット以外のスポットは検出用スポットである。なお、プローブDNAは、異なる濃度でスポットした。スポットピッチは、280μmとした。基準DNA及びプローブDNAの配列は、以下のとおりである。
80℃で1時間ベーキングを実施した後に、2×SSC/0.2%SDS中、室温で、攪拌しながら15分間洗浄し、プローブDNA及び基準DNAがスポットされたマイクロアレイを作製した。
実施例3 ターゲットDNAとのハイブリダイゼーション
(1)ラムダファージのゲノムDNAを鋳型とし、上記プローブDNAとハイブリダイズする領域を以下のプライマーセットを用いてPCRで増幅した。
標識は、CyDye(Cy5)を用いて行った。PCR溶液の組成は以下のとおりとした。
(2)ハイブリダイズバッファー(3×SSC/0.3%SDS)にCy5で蛍光標識したオリゴDNA(マーカーポリヌクレオチド)を添加した。当該オリゴDNAは、基準DNAの相補鎖である。
(3)この蛍光標識オリゴDNAを添加したハイブリダイズバッファー1μLと(1)で得たPCR産物2μLを混ぜ、実施例2で作製したマイクロアレイに滴下し、55℃で1時間ハイブリダイズを行った。2×SSC/0.2%SDS、続いて2×SSCで洗浄した。
(4)蛍光の測定は、図2に示すような検出器を用いて実施した。レーザーで励起光をマイクロアレイ全面に照射した。蛍光フィルターにより、目的の波長以外の波長を有する光をカットした。
図3にハイブリダイズ後、蛍光を測定した画像を示す。図4は2点の基準スポットの座標から各検出用スポットの座標を算出し配置したものを赤丸で示したものである。スポットの平均蛍光強度は59473であった。PCR産物と蛍光標識オリゴDNAを同時にハイブリダイズさせても双方に影響のないことが示された。
(3)においてPCR産物を入れずに蛍光標識オリゴDNAだけをハイブリダイズさせた場合の蛍光画像を図5に示す。基準スポットにのみ十分な蛍光強度が得られた。また、その他のスポットに非特異的な蛍光も見られなかった。このことから、蛍光標識オリゴDNAは検出結果に影響を及ぼさないと考えられる。
(1)で鋳型DNA(ラムダファージのゲノムDNA)を入れずにPCR増幅を行い、その反応液2μLと、蛍光標識オリゴDNAを添加したハイブリダイズバッファー1μLとを混ぜてハイブリダイズを行った場合の蛍光画像を図6に示す。基準スポットにだけ蛍光が観察され、検出用スポットには蛍光が観察されなかった。
(2)においてハイブリダイズバッファー(3×SSC/0.3%SDS)の替わりに超純水を使用してハイブリダイズを行った場合の蛍光画像を図7に示す。基準スポットを含めいずれのスポットにも蛍光が観察されなかった。適切な条件でハイブリダイズを行わないと基準スポットの蛍光が観察されないこと、従って、基準スポットにおける蛍光の有無によってハイブリダイゼーションの不良を判定できることがわかった。
図6と図7を比較すると、どちらも検出用スポットには蛍光が観察されなかったが、図6は基準スポットにおいてのみ蛍光が観察された。実際の試験において、検出用スポットに蛍光が観察されなかった場合、通常は検体・PCR増幅の不具合かハイブリダイズの不具合かを判定することは困難である。しかし、本発明の方法によれば、基準スポットのみで蛍光が観察された場合、少なくともマイクロアレイの品質及びハイブリダイズは良好であることを判定でき、検体又はPCRに不具合がある可能性を推察することができる。
本発明により、マイクロアレイごとの信頼性が判定でき、信頼性のあるマイクロアレイを用いて測定を実施することができる。さらに、ハイブリダイズ反応の信頼性を判定することができる。従って、誤判定を抑えることができる。また、自動反応装置などと組み合わせることで、自動でマイクロアレイの測定を高い信頼性をもって実施できる。
本明細書で引用した全ての刊行物、特許および特許出願をそのまま参考として本明細書にとり入れるものとする。
[配列表]

Claims (6)

  1. マイクロアレイを用いてプローブポリヌクレオチドとターゲットポリヌクレオチドのハイブリダイゼーションを検出する方法であって、
    1)プローブポリヌクレオチドが固定化された複数の検出用スポットに加えて、基準ポリヌクレオチドが固定化された基準スポットを一箇所以上有するマイクロアレイに、蛍光標識されたターゲットポリヌクレオチドと、基準ポリヌクレオチドにハイブリダイズする蛍光標識されたマーカーポリヌクレオチドとを接触させる工程、
    2)マイクロアレイを洗浄することにより、未反応のターゲットポリヌクレオチドを除去する工程、
    3)基準スポットにおける蛍光を測定し、所定の値を満たせば測定可と判断する工程、及び
    4)測定可と判断されたら、プローブポリヌクレオチドが固定化された各検出用スポットにおける蛍光を測定する工程、
    を含む、前記方法。
  2. マーカーポリヌクレオチドの蛍光標識とターゲットポリヌクレオチドの蛍光標識が同一である、請求項1記載の方法。
  3. マイクロアレイにおいて、検出用スポットと基準スポットが整列して配置されており、基準スポットが少なくとも二箇所存在し、いずれか二箇所の基準スポットを結ぶ線を基準線として、基準スポットからの距離と基準線からの角度に基づいて検出用スポットの位置が検出される、請求項1記載の方法。
  4. 検出用スポットと基準スポットが、外周が四角形の格子状に配置されており、基準スポットが四角形の異なる頂点に存在する、請求項3記載の方法。
  5. マイクロアレイにおいて、検出用スポットと基準スポットが、外周が正方形又は長方形の格子状に整列して配置されており、基準スポットがその対角線上の頂点に二箇所存在し、
    各基準スポット上を通る二つの直線が垂直に交わる交点を検出し、
    前記交点と各基準スポットとを結ぶ二つの結線の長さを検出し、
    前記結線の長さとスポット数から結線上の各検出用スポット位置が検出される、請求項1記載の方法。
  6. マーカーポリヌクレオチドが、基準ポリヌクレオチドに相補的なポリヌクレオチドと95%以上の相同性を有する、請求項1記載の方法。
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