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JP5736879B2 - Manufacturing method of organic EL device - Google Patents
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Description

本発明は、有機EL装置の製造方法、及び有機EL装置の製造装置に関する。   The present invention relates to an organic EL device manufacturing method and an organic EL device manufacturing apparatus.

上記有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置は、陽極と陰極との間に発光層などの有機膜が挟持された構造を有している。有機EL装置の製造方法としては、基板上に設けられた陽極を囲むようにバンク(隔壁)を形成する。次に、バンクで囲まれた開口穴(発光領域)の中に、インクジェット法などを用いて有機膜形成材料を含む機能液を塗布する。次に、例えば、特許文献1に記載のように、不活性ガス雰囲気中で機能液を乾燥させたり機能液に加熱処理を施したりして、有機層(機能層)を形成する。   The organic EL (electroluminescence) device has a structure in which an organic film such as a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode. As a method for manufacturing the organic EL device, banks (partition walls) are formed so as to surround an anode provided on a substrate. Next, a functional liquid containing an organic film forming material is applied into the opening hole (light emitting region) surrounded by the bank using an inkjet method or the like. Next, as described in Patent Document 1, for example, the functional liquid is dried in an inert gas atmosphere, or the functional liquid is subjected to heat treatment to form an organic layer (functional layer).

しかし、この有機層が酸素と接触すると、有機EL装置としての特性(例えば、寿命や光効率)が大きく低下する場合がある。よって、有機層が酸素と接触しないように、有機層を形成した後も、グローブボックスなどを利用し、大気(酸素)と遮断した状態にしておく必要がある。   However, when this organic layer comes into contact with oxygen, characteristics (for example, lifetime and light efficiency) as an organic EL device may be greatly reduced. Therefore, after the organic layer is formed, it is necessary to use a glove box or the like to keep it from the atmosphere (oxygen) so that the organic layer does not come into contact with oxygen.

特開2006−278005号公報JP 2006-278005 A

しかしながら、量産工程において、有機層を大気(酸素)と遮断した状態に維持しようとすると(保管しようとすると)、グローブボックスなどの製造装置を大型化する必要がある。大型化すると、グローブボックス内の環境にばらつきが生じて有機EL装置の品質が低下したり、設備投資のためのコストがかかったりするという課題がある。   However, in the mass production process, if the organic layer is to be maintained in a state of being cut off from the atmosphere (oxygen) (storing), it is necessary to enlarge a manufacturing apparatus such as a glove box. When the size is increased, there is a problem in that the environment in the glove box varies and the quality of the organic EL device is deteriorated or the cost for capital investment is increased.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]本適用例に係る有機EL装置の製造方法は、基板上の発光領域を区画するために隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記隔壁で囲まれた領域に機能液を吐出する吐出工程と、前記機能液を乾燥して機能層を形成する機能層形成工程と、前記隔壁とフィルムとが接するように前記基板に対して前記フィルムをラミネートするラミネート工程と、を有することを特徴とする。   [Application Example 1] In a method for manufacturing an organic EL device according to this application example, a partition wall forming step for forming a partition wall to partition a light emitting region on a substrate, and a functional liquid is discharged to the region surrounded by the partition wall. A discharge layer; a functional layer forming step for drying the functional liquid to form a functional layer; and a laminating step for laminating the film on the substrate so that the partition wall and the film are in contact with each other. And

この方法によれば、機能層をフィルムでラミネート(封止)して大気と遮断するので、機能層と大気(酸素や水分)とが接触することによる機能層の特性(品質)が低下することを抑えることができる。また、機能層が大気と遮断されているので、量産工程において、有機EL装置を大気中に保管することが可能となり、大気と遮断するための装置を新たに設備投資することなく、かかるコストを抑えることができる。また、大気中で保管できるので、量産における工程管理がしやすくなる。   According to this method, since the functional layer is laminated (sealed) with a film and shielded from the atmosphere, the characteristics (quality) of the functional layer due to contact between the functional layer and the atmosphere (oxygen and moisture) are reduced. Can be suppressed. In addition, since the functional layer is shielded from the atmosphere, it is possible to store the organic EL device in the atmosphere in the mass production process, and this cost can be reduced without newly investing in equipment for shielding from the atmosphere. Can be suppressed. In addition, since it can be stored in the air, process management in mass production becomes easy.

[適用例2]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記ラミネート工程は、減圧下でラミネートすることが好ましい。   Application Example 2 In the method for manufacturing an organic EL device according to the application example, it is preferable that the laminating step is performed under a reduced pressure.

この方法によれば、減圧下で基板をラミネートするので、機能層とフィルムとの間に大気が入り込むことを抑えることができる。よって、機能層と大気(酸素や水分)とが接触することによる機能層の特性(品質)が低下することを抑えることができる。   According to this method, since the substrate is laminated under a reduced pressure, air can be prevented from entering between the functional layer and the film. Therefore, it can suppress that the characteristic (quality) of a functional layer by the functional layer and air | atmosphere (oxygen and moisture) contacting falls.

[適用例3]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記ラミネート処理工程の後に、前記機能層にベーク処理を施すベーク処理工程を有することが好ましい。   Application Example 3 In the method for manufacturing an organic EL device according to the application example described above, it is preferable to include a baking process step for baking the functional layer after the laminating process step.

この方法によれば、フィルムによって機能層が大気と遮断されているので、大気中の雰囲気下においても、ベーク処理工程において機能層と酸素や水分と接触することを防ぐことが可能となる。よって、酸素や水分との接触に起因する、機能層が発光しないなどの不良を抑えることができる。更に、ベーク処理によって、有機溶媒への不溶化機能を付加することができる。   According to this method, since the functional layer is shielded from the atmosphere by the film, it is possible to prevent the functional layer from coming into contact with oxygen or moisture in the baking process even in an atmosphere in the air. Therefore, defects such as the functional layer not emitting light due to contact with oxygen or moisture can be suppressed. Furthermore, the insolubilizing function in an organic solvent can be added by baking.

[適用例4]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記ラミネート処理工程の後、ラミネートされた前記フィルムを剥離する剥離工程と、前記フィルムが剥離された前記基板に表面処理を施す表面処理工程と、前記表面処理が施された前記基板に対して再びフィルムをラミネートする再ラミネート処理工程と、を有することが好ましい。   Application Example 4 In the method of manufacturing an organic EL device according to the application example, after the laminating process, a peeling process for peeling the laminated film, and a surface treatment is performed on the substrate from which the film has been peeled. It is preferable to have a surface treatment step and a re-lamination treatment step of laminating a film again on the substrate that has been subjected to the surface treatment.

この方法によれば、フィルムを剥離することによって除去するので、液体を用いて溶解させる場合のように、既に形成されている機能層に悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。よって、機能層の特性が低下することを防ぐことができる。   According to this method, since the film is removed by peeling, it is possible to prevent adverse effects on the already formed functional layer as in the case of dissolving using a liquid. Therefore, it can prevent that the characteristic of a functional layer falls.

[適用例5]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記フィルムは、ポリエチレンテレフタレートを用いて構成されていることが好ましい。   Application Example 5 In the method for manufacturing an organic EL device according to the application example, it is preferable that the film is formed using polyethylene terephthalate.

この方法によれば、フィルムとしてポリエチレンテレフタレートを用いるので、酸素や水分が透過することを防ぐことができる。よって、基板にフィルムをラミネートすることにより、機能層の上側を大気と遮断された状態でにすることが可能となり、その後、大気中に保管しても機能層が酸素や水分と接触することを防ぐことができる。よって、機能層の特性が低下することを抑えることができる。   According to this method, since polyethylene terephthalate is used as the film, it is possible to prevent oxygen and moisture from permeating. Therefore, by laminating a film on the substrate, it becomes possible to keep the upper side of the functional layer in a state of being shielded from the atmosphere, and then the functional layer can come into contact with oxygen and moisture even when stored in the atmosphere. Can be prevented. Therefore, it can suppress that the characteristic of a functional layer falls.

[適用例6]本適用例に係る有機EL装置の製造装置は、基板上の発光領域に設けられた機能層上に、前記機能層と大気とが触れないためのフィルムをラミネートするラミネート処理部と、前記フィルムがラミネートされた前記基板を加熱処理するベーク処理部と、を備えたことを特徴とする。   Application Example 6 An organic EL device manufacturing apparatus according to this application example includes a laminating unit that laminates a film for preventing the functional layer and the air from coming into contact with the functional layer provided in the light emitting region on the substrate. And a baking processing unit for heat-treating the substrate on which the film is laminated.

この構成によれば、ラミネート処理部によって機能層上にフィルムをラミネートするので、機能層と酸素や水分と接触することを防ぐことができる。更に、ベーク処理部によって、機能層が大気と遮断された状態で機能層に加熱処理を施すので、特性を低下させることなく、有機溶媒への不溶化機能を付加することができる。更に、常に真空中(不活性ガスの雰囲気)で処理する場合のように、新たに製造装置を大型化する必要がなく、設備投資を抑えることが可能となり、かかるコストを抑えることができる。   According to this configuration, since the film is laminated on the functional layer by the laminating unit, it is possible to prevent the functional layer from coming into contact with oxygen or moisture. Furthermore, since the functional layer is subjected to heat treatment in a state where the functional layer is shielded from the atmosphere by the bake treatment unit, an insolubilizing function in an organic solvent can be added without deteriorating the characteristics. Furthermore, unlike the case where the processing is always performed in a vacuum (inert gas atmosphere), it is not necessary to newly increase the size of the manufacturing apparatus, so that the capital investment can be suppressed and the cost can be suppressed.

[適用例7]上記適用例に係る有機EL装置の製造装置において、前記ラミネート処理部は、減圧下に調整されていることが好ましい。   Application Example 7 In the organic EL device manufacturing apparatus according to the application example, it is preferable that the laminating unit is adjusted under reduced pressure.

この構成によれば、減圧下に調整されたラミネート処理部において基板をラミネートするので、機能層とフィルムとの間に大気が入り込むことを抑えることができる。よって、機能層と大気(酸素や水分)とが接触することによる機能層の特性(品質)が低下することを抑えることができる。   According to this configuration, since the substrate is laminated in the laminating section adjusted under reduced pressure, it is possible to suppress the air from entering between the functional layer and the film. Therefore, it can suppress that the characteristic (quality) of a functional layer by the functional layer and air | atmosphere (oxygen and moisture) contacting falls.

有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of the organic EL device. 有機EL装置の構成を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the structure of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の構造を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the structure of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。The schematic cross section which shows a one part process among the manufacturing methods of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法の一部、及び製造装置の構造を示す模式側面図。The schematic side view which shows a part of manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus, and the structure of a manufacturing apparatus. 有機EL装置の製造方法の一部、及び製造装置の構造を示す模式側面図。The schematic side view which shows a part of manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus, and the structure of a manufacturing apparatus.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。また、本実施形態の有機EL装置は、トップエミッション構造でもよいし、ボトムエミッション構造でも適用可能である。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized. Further, the organic EL device of the present embodiment may have a top emission structure or a bottom emission structure.

<有機EL装置の構成>
図1は、有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機EL装置の構成を、図1を参照しながら説明する。
<Configuration of organic EL device>
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the organic EL device. Hereinafter, the configuration of the organic EL device will be described with reference to FIG.

図1に示すように、有機EL装置11は、複数の走査線12と、走査線12に対して交差する方向に延びる複数の信号線13と、信号線13に並行に延びる複数の電源線14とを備えている。そして、走査線12と信号線13とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線13は、信号線駆動回路15に接続されている。また、走査線12は、走査線駆動回路16に接続されている。   As shown in FIG. 1, the organic EL device 11 includes a plurality of scanning lines 12, a plurality of signal lines 13 extending in a direction intersecting the scanning lines 12, and a plurality of power supply lines 14 extending in parallel to the signal lines 13. And. An area partitioned by the scanning line 12 and the signal line 13 is configured as a pixel area. The signal line 13 is connected to the signal line drive circuit 15. The scanning line 12 is connected to the scanning line driving circuit 16.

各画素領域には、走査線12を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT(Thin Film Transistor)21と、このスイッチング用TFT21を介して信号線13から供給される画素信号を保持する保持容量22と、保持容量22によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT23とが設けられている。更に、各画素領域には、駆動用TFT23を介して電源線14に電気的に接続したときに、電源線14から駆動電流が流れ込む陽極24と、陰極25と、この陽極24と陰極25との間に挟持された機能層26とが設けられている。   Each pixel region holds a switching TFT (Thin Film Transistor) 21 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 12 and a pixel signal supplied from the signal line 13 via the switching TFT 21. A storage capacitor 22 is provided, and a driving TFT 23 to which a pixel signal held by the storage capacitor 22 is supplied to the gate electrode is provided. Further, in each pixel region, when electrically connected to the power supply line 14 via the driving TFT 23, an anode 24 into which a drive current flows from the power supply line 14, a cathode 25, and the anode 24 and the cathode 25 A functional layer 26 sandwiched therebetween is provided.

有機EL装置11は、陽極24と陰極25と機能層26とにより構成される発光素子27を複数備えている。また、有機EL装置11は、複数の発光素子27で構成される表示領域を備えている。   The organic EL device 11 includes a plurality of light emitting elements 27 including an anode 24, a cathode 25, and a functional layer 26. In addition, the organic EL device 11 includes a display area composed of a plurality of light emitting elements 27.

この構成によれば、走査線12が駆動されてスイッチング用TFT21がオン状態になると、そのときの信号線13の電位が保持容量22に保持され、保持容量22の状態に応じて、駆動用TFT23のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用TFT23のチャネルを介して、電源線14から陽極24に電流が流れ、更に、機能層26を介して陰極25に電流が流れる。機能層26は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。   According to this configuration, when the scanning line 12 is driven and the switching TFT 21 is turned on, the potential of the signal line 13 at that time is held in the holding capacitor 22, and the driving TFT 23 depends on the state of the holding capacitor 22. ON / OFF state is determined. A current flows from the power supply line 14 to the anode 24 through the channel of the driving TFT 23, and further a current flows to the cathode 25 through the functional layer 26. The functional layer 26 emits light with a luminance corresponding to the amount of current flowing therethrough.

図2は、有機EL装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機EL装置の構成を、図2を参照しながら説明する。   FIG. 2 is a schematic plan view showing the configuration of the organic EL device. Hereinafter, the configuration of the organic EL device will be described with reference to FIG.

図2に示すように、有機EL装置11は、ガラス等からなる基板31に表示領域32(図中一点鎖線の内側の領域)と非表示領域33(一点鎖線の外側の領域)とを有する構成になっている。表示領域32には、実表示領域32a(二点鎖線の内側の領域)とダミー領域32b(図中二点鎖線の外側の領域)とが設けられている。   As shown in FIG. 2, the organic EL device 11 includes a display region 32 (a region inside a one-dot chain line in the drawing) and a non-display region 33 (a region outside a one-dot chain line) on a substrate 31 made of glass or the like. It has become. The display area 32 is provided with an actual display area 32a (area inside the two-dot chain line) and a dummy area 32b (area outside the two-dot chain line in the figure).

実表示領域32a内には、光が射出されるサブ画素34(発光領域)がマトリクス状に配列されている。この、サブ画素34の各々は、スイッチング用TFT21及び駆動用TFT23(図1参照)の動作に伴って、R(赤)、G(緑)、B(青)各色を発光する構成となっている。   In the actual display area 32a, sub-pixels 34 (light emitting areas) from which light is emitted are arranged in a matrix. Each of the sub-pixels 34 emits light of R (red), G (green), and B (blue) in accordance with the operation of the switching TFT 21 and the driving TFT 23 (see FIG. 1). .

ダミー領域32bには、主として各サブ画素34を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域32aの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路16が配置されており、実表示領域32aの図中上辺に沿うように検査回路35が配置されている。   In the dummy area 32b, a circuit for mainly causing each sub-pixel 34 to emit light is provided. For example, the scanning line driving circuit 16 is disposed along the left side and the right side of the actual display region 32a in the drawing, and the inspection circuit 35 is disposed along the upper side of the actual display region 32a in the drawing.

基板31の下辺には、フレキシブル基板36が設けられている。フレキシブル基板36には、各配線と接続された駆動用IC37が備えられている。   A flexible substrate 36 is provided on the lower side of the substrate 31. The flexible substrate 36 is provided with a driving IC 37 connected to each wiring.

図3は、有機EL装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機EL装置の構造を、図3を参照しながら説明する。なお、図3は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the organic EL device. Hereinafter, the structure of the organic EL device will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows the cross-sectional positional relationship of each component and is represented on a scale that can be clearly shown.

図3に示すように、有機EL装置11は、発光領域42において発光が行われるものであり、基板31と、基板31上に形成された回路素子層43と、回路素子層43上に形成された発光素子層44と、発光素子層44上に形成されたフィルムとしてのラミネートフィルム38と、ラミネートフィルム38上に形成された陰極(共通電極)25とを有する。基板31としては、例えば、透光性を有するガラス基板が挙げられる。   As shown in FIG. 3, the organic EL device 11 emits light in the light emitting region 42, and is formed on the substrate 31, the circuit element layer 43 formed on the substrate 31, and the circuit element layer 43. The light emitting element layer 44, a laminate film 38 as a film formed on the light emitting element layer 44, and a cathode (common electrode) 25 formed on the laminate film 38. Examples of the substrate 31 include a glass substrate having translucency.

回路素子層43には、基板31上にシリコン酸化膜(SiO2)からなる下地保護膜45が形成され、下地保護膜45上に駆動用TFT23が形成されている。詳しくは、下地保護膜45上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜46が形成されている。半導体膜46には、ソース領域47及びドレイン領域48が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域51となっている。 In the circuit element layer 43, a base protective film 45 made of a silicon oxide film (SiO 2 ) is formed on the substrate 31, and a driving TFT 23 is formed on the base protective film 45. Specifically, an island-shaped semiconductor film 46 made of a polysilicon film is formed on the base protective film 45. A source region 47 and a drain region 48 are formed in the semiconductor film 46 by introducing impurities. A portion where no impurity is introduced is a channel region 51.

更に、回路素子層43には、下地保護膜45及び半導体膜46を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜52が形成されている。ゲート絶縁膜52上には、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)などからなるゲート電極53(走査線)が形成されている。   Further, a transparent gate insulating film 52 made of a silicon oxide film or the like that covers the base protective film 45 and the semiconductor film 46 is formed in the circuit element layer 43. A gate electrode 53 (scanning line) made of aluminum (Al), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), tungsten (W), or the like is formed on the gate insulating film 52.

ゲート絶縁膜52及びゲート電極53上には、透明な第1層間絶縁膜54、第2層間絶縁膜55が形成されている。第1層間絶縁膜54及び第2層間絶縁膜55は、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)、チタン酸化膜(TiO2)などから構成されている。ゲート電極53は、半導体膜46のチャネル領域51に対応する位置に設けられている。 A transparent first interlayer insulating film 54 and a second interlayer insulating film 55 are formed on the gate insulating film 52 and the gate electrode 53. The first interlayer insulating film 54 and the second interlayer insulating film 55 are composed of, for example, a silicon oxide film (SiO 2 ), a titanium oxide film (TiO 2 ), or the like. The gate electrode 53 is provided at a position corresponding to the channel region 51 of the semiconductor film 46.

半導体膜46のソース領域47は、ゲート絶縁膜52及び第1層間絶縁膜54を貫通して設けられたコンタクトホール56を介して、第1層間絶縁膜54上に形成された信号線13と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域48は、ゲート絶縁膜52、第1層間絶縁膜54、第2層間絶縁膜55を貫通して設けられたコンタクトホール57を介して、第2層間絶縁膜55上に形成された陽極24と電気的に接続されている。   The source region 47 of the semiconductor film 46 is electrically connected to the signal line 13 formed on the first interlayer insulating film 54 through a contact hole 56 provided through the gate insulating film 52 and the first interlayer insulating film 54. Connected. On the other hand, the drain region 48 is formed on the second interlayer insulating film 55 through a contact hole 57 provided through the gate insulating film 52, the first interlayer insulating film 54, and the second interlayer insulating film 55. It is electrically connected to the anode 24.

陽極24は、例えば、発光領域42ごとに形成されている。また、陽極24は、透明のITO(Indium Tin Oxide)膜からなり、例えば、平面的に略矩形状の形状となっている。なお、回路素子層43には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスターが形成されている。また、上記したように、回路素子層43には、各陽極24に接続された駆動用のトランジスター(駆動用TFT23)が形成されている。   The anode 24 is formed for each light emitting region 42, for example. The anode 24 is made of a transparent ITO (Indium Tin Oxide) film, and has, for example, a substantially rectangular shape in plan view. In the circuit element layer 43, a storage capacitor and a switching transistor (not shown) are formed. Further, as described above, in the circuit element layer 43, driving transistors (driving TFTs 23) connected to the respective anodes 24 are formed.

発光素子層44は、マトリックス状に配置された発光素子27を具備して基板31上に形成されている。詳述すると、発光素子層44は、陽極24上に形成された機能層26と、機能層26を区画するバンク(隔壁)62とを主体として構成されている。機能層26は、例えば、正孔注入層63と、発光層64などとから構成されている。   The light emitting element layer 44 includes the light emitting elements 27 arranged in a matrix and is formed on the substrate 31. More specifically, the light emitting element layer 44 is mainly composed of a functional layer 26 formed on the anode 24 and banks (partition walls) 62 that partition the functional layer 26. The functional layer 26 includes, for example, a hole injection layer 63, a light emitting layer 64, and the like.

回路素子層43とバンク62との間には、絶縁層66が形成されている。絶縁層66としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)等の無機材料が挙げられる。絶縁層66は、隣り合う陽極24間の絶縁性を確保すると共に、発光領域42の形状を所望の形状(例えば、トラック形状)にするために、陽極24の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、陽極24と絶縁層66とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている。更に言い換えれば、絶縁層66は、発光領域42を除いた領域に形成されていることになる。 An insulating layer 66 is formed between the circuit element layer 43 and the bank 62. Examples of the insulating layer 66 include an inorganic material such as a silicon oxide film (SiO 2 ). The insulating layer 66 is formed so as to run on the peripheral edge of the anode 24 in order to ensure insulation between the adjacent anodes 24 and to make the light emitting region 42 have a desired shape (for example, a track shape). ing. That is, the anode 24 and the insulating layer 66 have a structure in which they are arranged so as to partially overlap each other in plan view. In other words, the insulating layer 66 is formed in a region excluding the light emitting region 42.

バンク62は、例えば、断面に見て傾斜面を有する台形状であり、発光領域42(発光素子27)を囲むように形成されている。つまり、囲まれた領域がバンク62の開口部67となる。バンク62の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機材料が挙げられる。   For example, the bank 62 has a trapezoidal shape having an inclined surface when viewed in cross section, and is formed so as to surround the light emitting region 42 (light emitting element 27). That is, the enclosed area becomes the opening 67 of the bank 62. Examples of the material of the bank 62 include organic materials having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin.

機能層26は、上記したように、正孔注入層63と発光層64とを有して構成されており、バンク62に囲まれた領域、すなわち開口部67(発光領域42)に、インクジェット法を用いて順に形成されている。   As described above, the functional layer 26 is configured to include the hole injection layer 63 and the light emitting layer 64, and in the region surrounded by the bank 62, that is, in the opening 67 (the light emitting region 42), an inkjet method. Are formed in order.

正孔注入層63は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層63は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT−PSS)などから構成することができる。   The hole injection layer 63 is composed of a conductive polymer layer containing a dopant in a conductive polymer material. Such a hole injection layer 63 can be composed of, for example, 3,4-polyethylenedioxythiophene (PEDOT-PSS) containing polystyrene sulfonic acid as a dopant.

発光層64は、正孔注入層63の上に形成されており、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。機能層26の上方、バンク62上を含む基板31上の全体には、機能層26上の空間を減圧の雰囲気(不活性ガスの雰囲気)に維持するためのラミネートフィルム38が全面に貼り付けられている。ラミネートフィルム38上には、陰極25が全面成膜(ベタ成膜)されている。   The light emitting layer 64 is formed on the hole injection layer 63 and is a layer of an organic light emitting material that exhibits an electroluminescence phenomenon. A laminate film 38 for maintaining the space on the functional layer 26 in a reduced-pressure atmosphere (inert gas atmosphere) is attached to the entire surface of the substrate 31 including the bank 62 and above the functional layer 26. ing. On the laminate film 38, the cathode 25 is formed on the entire surface (solid film formation).

陰極25は、例えば、フッ化リチウム(LiF)層、カルシウム(Ca)層及びアルミニウム(Al)層を積層した構成や、マグネシウム銀(MgAg)などの合金が挙げられる。また、それ以外にも、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、銅、銀、金などの単体または合金を用いてもよい。また、炭酸セシウム(Cs2CO3)を用いるようにしてもよい。   Examples of the cathode 25 include a structure in which a lithium fluoride (LiF) layer, a calcium (Ca) layer, and an aluminum (Al) layer are stacked, and an alloy such as magnesium silver (MgAg). In addition, simple substances or alloys such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, copper, silver, and gold may be used. Further, cesium carbonate (Cs2CO3) may be used.

陰極25の上には、水や酸素の侵入を防ぐための、樹脂などからなる封止部材(図示せず)が積層されている。陽極24と、機能層26と、陰極25とによって発光素子27が構成されている。   On the cathode 25, a sealing member (not shown) made of resin or the like for preventing water and oxygen from entering is laminated. The anode 24, the functional layer 26, and the cathode 25 constitute a light emitting element 27.

上述した発光層64は、陽極24と陰極25との間に電圧を印加することによって、発光層64には、正孔注入層63から正孔が、また、陰極25から電子が注入される。発光層64において、これらが結合したときに光を発する。   In the light emitting layer 64 described above, a voltage is applied between the anode 24 and the cathode 25, whereby holes are injected from the hole injection layer 63 and electrons are injected from the cathode 25 into the light emitting layer 64. The light emitting layer 64 emits light when they are combined.

このように、機能層26の上側をラミネートフィルム38で封止することにより、例えば、製造過程において、機能層26と大気とが接触することを防ぐことが可能となり、機能層26の特性が低下することを抑えることができる。以下、有機EL装置11の製造方法を説明する。   Thus, by sealing the upper side of the functional layer 26 with the laminate film 38, for example, it is possible to prevent the functional layer 26 and the atmosphere from coming into contact with each other in the manufacturing process, and the characteristics of the functional layer 26 are deteriorated. Can be suppressed. Hereinafter, a method for manufacturing the organic EL device 11 will be described.

<有機EL装置の製造方法>
図4は、有機EL装置の製造方法を示す工程図である。図5は、有機EL装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。図6及び図7は、有機EL装置の製造方法のうち一部の工程、及び有機EL装置の製造装置の構成を示す模式側面図である。以下、有機EL装置の製造方法、及び有機EL装置の製造装置の構成を、図4〜図7を参照しながら説明する。なお、図5〜図7は、回路素子層43や絶縁層66などの図示を省略している。
<Method for manufacturing organic EL device>
FIG. 4 is a process diagram showing a method for manufacturing an organic EL device. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing some steps in the method of manufacturing the organic EL device. 6 and 7 are schematic side views showing a part of the manufacturing method of the organic EL device and the configuration of the manufacturing device of the organic EL device. Hereinafter, the manufacturing method of the organic EL device and the configuration of the manufacturing device of the organic EL device will be described with reference to FIGS. 5-7, illustration of the circuit element layer 43, the insulating layer 66, etc. is abbreviate | omitted.

まず、ステップS11では、基板31上に公知の成膜技術を用いて回路素子層43を形成する(図3参照)。具体的には、基板31上に駆動用TFT23や走査線12や信号線13などを形成する。   First, in step S11, the circuit element layer 43 is formed on the substrate 31 using a known film forming technique (see FIG. 3). Specifically, the driving TFT 23, the scanning line 12, the signal line 13, and the like are formed on the substrate 31.

ステップS12では、第2層間絶縁膜55上における発光領域42周辺に、図5(a)に示すような、ITOからなる陽極24を形成する。   In step S12, an anode 24 made of ITO as shown in FIG. 5A is formed around the light emitting region 42 on the second interlayer insulating film 55.

ステップS13(隔壁形成工程)では、陽極24の周縁部にバンク62を形成する。具体的には、まず、バンク62の材料である有機材料を、例えば、塗布法などにより、基板31上を覆うように成膜する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、有機材料のうち陽極24の周縁部を除く部分を除去する。これにより、図5(a)に示すような、バンク62が完成する。有機材料としては、ポリイミドやアクリルなどが挙げられる。なお、バンク62の高さは、例えば、2μmである。   In step S <b> 13 (partition wall forming step), a bank 62 is formed on the peripheral edge of the anode 24. Specifically, first, an organic material that is a material of the bank 62 is formed to cover the substrate 31 by, for example, a coating method. Next, the part except the peripheral part of the anode 24 is removed among organic materials using a photolithographic technique and an etching technique. Thereby, the bank 62 as shown in FIG. 5A is completed. Examples of the organic material include polyimide and acrylic. The height of the bank 62 is 2 μm, for example.

ステップS14(吐出工程)では、バンク62の開口部67に機能液26aを吐出する。具体的には、まず、バンク62が形成された基板31を洗浄する。その後、図5(b)に示すように、機能液26aの液滴を、液滴吐出法(例えば、インクジェット法)を用いて、陽極24を底部としバンク62を側壁とする凹部に向けて吐出する。機能液26aとしては、正孔注入層63の材料を含んだ機能液である。   In step S <b> 14 (discharge process), the functional liquid 26 a is discharged to the opening 67 of the bank 62. Specifically, first, the substrate 31 on which the bank 62 is formed is cleaned. After that, as shown in FIG. 5B, the droplet of the functional liquid 26a is discharged toward the recess having the anode 24 as the bottom and the bank 62 as the side wall, using a droplet discharge method (for example, an ink jet method). To do. The functional liquid 26 a is a functional liquid containing the material for the hole injection layer 63.

ステップS15(機能層形成工程)では、図5(c)に示すように、機能液26aを乾燥させて正孔注入層63を形成する。詳しくは、機能液26aを高温環境下又は減圧下で乾燥して溶媒を蒸発させて固形化する。これにより、開口部67の中に正孔注入層63が形成される。   In step S15 (functional layer forming step), as shown in FIG. 5C, the functional liquid 26a is dried to form the hole injection layer 63. Specifically, the functional liquid 26a is dried in a high-temperature environment or under reduced pressure to evaporate the solvent and solidify. Thereby, the hole injection layer 63 is formed in the opening 67.

次に、同様にして、正孔注入層63上に発光層64を形成する。具体的には、図5(d)に示すように、機能液26bの液滴を、液滴吐出法を用いて、バンク62を側壁とする凹部に向けて吐出する。機能液26bとしては、発光層64の材料を含んだ機能液26bなどである。次に、図5(e)に示すように、機能液26bを乾燥させて発光層64を形成する。   Next, a light emitting layer 64 is formed on the hole injection layer 63 in the same manner. Specifically, as shown in FIG. 5 (d), the droplet of the functional liquid 26b is discharged toward the recess having the bank 62 as a side wall by using a droplet discharge method. The functional liquid 26b is a functional liquid 26b containing the material of the light emitting layer 64. Next, as illustrated in FIG. 5E, the functional liquid 26 b is dried to form the light emitting layer 64.

ステップS16(ラミネート処理工程)では、発光層64の上方及びバンク62上に、開口部67で囲まれた領域の雰囲気を不活性ガスの雰囲気(例えば、窒素雰囲気)に維持するためのラミネートフィルム38をラミネート処理する。ラミネート処理は、例えば、図6に示すラミネーター71(有機EL装置11の製造装置を構成する一つ)によって行われる。   In step S16 (lamination process), a laminate film 38 for maintaining the atmosphere of the region surrounded by the opening 67 above the light emitting layer 64 and on the bank 62 in an inert gas atmosphere (for example, a nitrogen atmosphere). Is laminated. The laminating process is performed by, for example, a laminator 71 (one constituting the manufacturing apparatus of the organic EL device 11) shown in FIG.

ラミネーター71は、有機EL装置11となる前の段階の基板11aを搬送する搬送ベルト72及び搬送ローラー73と、ラミネートフィルム38を供給する供給ローラー75と、テンションローラー76と、加圧ローラー77と、圧着ローラー78とを備えている。なお、ラミネート処理は、真空中(不活性ガスの雰囲気)で行われる。   The laminator 71 includes a transport belt 72 and a transport roller 73 that transport the substrate 11a at the stage before becoming the organic EL device 11, a supply roller 75 that supplies a laminate film 38, a tension roller 76, a pressure roller 77, A pressure roller 78. The laminating process is performed in a vacuum (inert gas atmosphere).

ラミネートフィルム38としては、酸素や水分を透過しないものが用いられ、例えば、5μm〜1000μmの厚みのPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムに、25μmの厚みのアクリル系の粘着剤層が積層されたものが用いられる。   As the laminate film 38, a film that does not transmit oxygen or moisture is used. For example, a film in which an acrylic pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 25 μm is laminated on a PET (polyethylene terephthalate) film having a thickness of 5 μm to 1000 μm is used. It is done.

また、ラミネートフィルム38の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ナイロン、ポリビニルアルコール、ナイロン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリカーカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリプロピレンなどが挙げられる。   Examples of the material of the laminate film 38 include polyethylene, polystyrene, polyvinyl chloride, nylon, polyvinyl alcohol, nylon, polyethylene terephthalate, polyester, polycarbonate, polyurethane, polyimide, and polypropylene.

基板11aは、搬送ベルト72に載置されており、複数の搬送ローラー73と圧着ローラー78とによって、所定の方向に搬送される。ラミネートフィルム38は、供給ローラー75から供給され、テンションローラー76によって搬送方向が規定される。ラミネートフィルム38は、加圧ローラー77が圧着ローラー78側に可動することにより、ラミネートフィルム38と基板11aとを圧着(例えば、熱圧着)し、ラミネートフィルム38が基板11aにラミネートされる。   The substrate 11 a is placed on the transport belt 72 and is transported in a predetermined direction by a plurality of transport rollers 73 and a pressure roller 78. The laminate film 38 is supplied from the supply roller 75, and the conveyance direction is defined by the tension roller 76. The laminate film 38 is bonded to the laminate film 38 and the substrate 11a (for example, thermocompression bonding) by moving the pressure roller 77 toward the pressure roller 78, and the laminate film 38 is laminated on the substrate 11a.

加圧ローラー77の圧力は、例えば、0.1MPa〜10MPaである。圧着時の温度は、例えば、80℃〜150℃である。ラミネートフィルム38は、プロテクトフィルムとしてセパレーターが積層されている。このセパレーターを剥がしてラミネートすることで容易に接着することができる。   The pressure of the pressure roller 77 is, for example, 0.1 MPa to 10 MPa. The temperature at the time of pressure bonding is, for example, 80 ° C to 150 ° C. The laminate film 38 has a separator laminated as a protective film. The separator can be peeled off and laminated for easy adhesion.

これによれば、ラミネートフィルム38によって覆われたバンク62の開口部67内の雰囲気が、不活性ガスの雰囲気(窒素雰囲気など)で満たされた状態となる。よって、機能層26が酸素と接触することがなく、機能層26の特性が低下することを抑えることができる。   According to this, the atmosphere in the opening 67 of the bank 62 covered with the laminate film 38 is filled with an inert gas atmosphere (such as a nitrogen atmosphere). Therefore, the functional layer 26 does not come into contact with oxygen, and deterioration of the characteristics of the functional layer 26 can be suppressed.

ステップS17では、機能層26上にラミネート処理が施された基板11aを保管する(例えば、処理工程の都合などにより)。なお、有機EL装置11を量産する場合は、このステップにおいて保管することが好ましく、ステップS18を行った後に保管するようにしてもよい。なお、保管する場所は大気中でよく、真空中であればより好ましい。これによれば、保管中においても、機能層26と大気とが接触しないので、機能層26の特性が低下することを抑えることができる。   In step S17, the substrate 11a that has been laminated on the functional layer 26 is stored (for example, due to the convenience of the processing step). In addition, when mass-producing the organic EL device 11, it is preferable to store it in this step, and it may be stored after performing Step S18. In addition, the place to store may be in air | atmosphere and it is more preferable if it is in a vacuum. According to this, since the functional layer 26 and the atmosphere do not come into contact with each other during storage, it is possible to prevent the characteristics of the functional layer 26 from deteriorating.

ステップS18(ベーク処理工程)では、機能層26にベーク処理(加熱処理)を施す。具体的には、図7に示すベーク装置81(有機EL装置11の製造装置を構成する一つ)において、ホットプレート82上に基板11aを載置し、基板11aを加熱する。加熱する温度は、例えば、100℃〜200℃である。   In step S18 (baking process), the functional layer 26 is baked (heated). Specifically, in the baking apparatus 81 (one of the apparatuses for manufacturing the organic EL device 11) shown in FIG. 7, the substrate 11a is placed on the hot plate 82, and the substrate 11a is heated. The temperature to heat is 100 degreeC-200 degreeC, for example.

このように、ベーク処理を行うことにより、機能層26に含まれる溶媒を更に蒸発させると共に機能層26を固形化することによって、有機溶媒への不溶化機能を付加させることができる。また、その他の不溶化のメカニズムとしては、膜を構成している個々の分子が熱エネルギーを受け、架橋反応を行うことで、薄膜全体がネットワークを組み、その結果、有機溶媒に難溶となる等がある。   As described above, by performing the baking treatment, the solvent contained in the functional layer 26 is further evaporated, and the functional layer 26 is solidified, thereby adding an insolubilizing function to the organic solvent. As another insolubilization mechanism, individual molecules constituting the film receive thermal energy and undergo a crosslinking reaction, so that the entire thin film forms a network, resulting in poor solubility in an organic solvent. There is.

また、機能層26上がラミネートフィルム38によってラミネート(封止)されているので、機能層26と大気とが接触しない。よって、機能層26が、大気中に含まれる酸素や水分によって酸化がされず、ダークスポットなどの不良を抑えることができる。なお、処理能力を高めるため、多段式の加熱装置(ホットプレート)を使用することが望ましい。また、大気中でベーク処理ができる(バンク62の開口部67内は不活性ガスの雰囲気である)ので、不活性ガスの雰囲気をつくるために装置を大型化しなくても済む。   Further, since the functional layer 26 is laminated (sealed) with the laminate film 38, the functional layer 26 and the atmosphere do not contact each other. Therefore, the functional layer 26 is not oxidized by oxygen or moisture contained in the atmosphere, and defects such as dark spots can be suppressed. In order to increase the processing capacity, it is desirable to use a multistage heating device (hot plate). Further, since the baking process can be performed in the atmosphere (the inside of the opening 67 of the bank 62 is an inert gas atmosphere), it is not necessary to enlarge the apparatus in order to create an inert gas atmosphere.

ステップS19では、次の工程で陰極25を形成するために、基板11a上に形成されたラミネートフィルム38を剥離する。   In step S19, in order to form the cathode 25 in the next step, the laminate film 38 formed on the substrate 11a is peeled off.

ステップS20では、基板11a上の略全体に、カルシウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極25(図3参照)を形成する。   In step S20, the cathode 25 (see FIG. 3) is formed by laminating a calcium film and an aluminum film in this order, for example, by vapor deposition on substantially the entire surface of the substrate 11a.

ステップS21では、陰極25上に、例えば、接着剤及びガラス基板を用いて封止を行うことにより有機EL装置11が完成する。   In step S21, the organic EL device 11 is completed by sealing on the cathode 25 using, for example, an adhesive and a glass substrate.

なお、ステップS18の後、例えば、ラミネートフィルム38の下側(開口部67内)に膜を形成する等の必要がある場合、ステップS22(剥離工程)に移行し、ラミネートフィルム38を剥離する。剥離する方法としては、物理的(機械的)に行う(例えば、手で剥がす)。なお、この処理は、真空中で行う。その後、必要な成膜を行う。   In addition, after step S18, for example, when it is necessary to form a film below the laminate film 38 (in the opening 67), the process proceeds to step S22 (peeling process), and the laminate film 38 is peeled off. As a peeling method, it is physically (mechanically) (for example, peeled off by hand). This process is performed in a vacuum. Thereafter, necessary film formation is performed.

ステップS23(再ラミネート処理工程)では、再びラミネート処理する。なお、上述したラミネート処理と同様、真空中で行う。その後、ステップS19に移行する。例えば、この後、基板11aを保管するようにしてもよい。   In step S23 (re-lamination process), the lamination process is performed again. In addition, it carries out in a vacuum similarly to the lamination process mentioned above. Thereafter, the process proceeds to step S19. For example, the substrate 11a may be stored thereafter.

なお、上述した機能層26の材料は、多層構造を形成可能な材料であれば良く、低分子材料であっても良いし、高分子材料であっても良い。   The material of the functional layer 26 described above may be a material that can form a multilayer structure, and may be a low molecular material or a polymer material.

本実施形態では、高分子材料を用いて機能層26を形成した。詳しくは、高分子材料(溶質)を溶媒に溶かした溶液をインクとして用いたインクジェット法によって、機能層26を形成している。なお、溶液の塗布は、インクジェット法に限定するものではなく、溶液を塗布可能な方法であれば良い。例えば、ジェットディスペンサー法や、ニードルディスペンサー法などのディスペンサー法を用いることもできる。または、キャスティング法、スピンコート法であっても良い。   In the present embodiment, the functional layer 26 is formed using a polymer material. Specifically, the functional layer 26 is formed by an inkjet method using a solution obtained by dissolving a polymer material (solute) in a solvent as ink. In addition, application | coating of a solution is not limited to the inkjet method, What is necessary is just the method which can apply | coat a solution. For example, a dispenser method such as a jet dispenser method or a needle dispenser method can also be used. Alternatively, a casting method or a spin coating method may be used.

以下、機能層26の材料としての高分子材料の好適例を列挙する。まず、溶液の溶媒について説明する。なお、インクジェット法に用いるインクの濃度は、0.05wt%〜2wt%程度が望ましい。   Hereinafter, suitable examples of the polymer material as the material of the functional layer 26 will be listed. First, the solvent of the solution will be described. Note that the concentration of the ink used in the ink jet method is preferably about 0.05 wt% to 2 wt%.

溶媒としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラリン、3-フェノキシトルエン、シクロへキシルベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、などの芳香族系溶媒を用いることができる。また、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、エチレングリコール、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒や、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素系溶媒であっても良い。また、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの炭化水素系溶媒、アセトン、N-メチル-2-ピロリジノン、メチルエチルケトン、テトラロン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒であっても良い。また、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶媒、アセトニトリルなどの二トリル系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシドなどの硫黄化合物溶媒、および水であっても良い。また、これらの溶媒を2種類以上混ぜ合わせた溶液を溶媒として用いても良い。   As the solvent, aromatic solvents such as toluene, benzene, xylene, trimethylbenzene, tetralin, 3-phenoxytoluene, cyclohexylbenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene can be used. Further, ether solvents such as tetrahydrofuran, ethyl ether, diisopropyl ether, ethylene glycol, ethylene glycol diethyl ether, dioxane, and anisole, and halogenated hydrocarbon solvents such as methylene chloride, chloroform, and carbon tetrachloride may be used. Also, hydrocarbon solvents such as pentane, hexane, heptane and cyclohexane, ketone solvents such as acetone, N-methyl-2-pyrrolidinone, methyl ethyl ketone, tetralone and cyclohexanone, and ester solvents such as ethyl acetate and butyl acetate. Also good. Further, alcohol solvents such as methanol, ethanol and isopropyl alcohol, nitrile solvents such as acetonitrile, amide solvents such as dimethylformamide and dimethylacetamide, sulfur compound solvents such as dimethyl sulfoxide, and water may be used. A solution obtained by mixing two or more of these solvents may be used as the solvent.

続いて、正孔注入層63の材料について説明する。正孔注入層63の材料としては、上述した材料を含み、更に、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、3,4−ポリエチレンジオシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)を用いることができる。また、これらの物質をエチレングリコールやジエチレングリコールなどのグリコール系溶媒に溶解した溶液として用いる。好適例としては、エーテル系溶媒にPEDOT/PSSを溶解して用いる。   Subsequently, the material of the hole injection layer 63 will be described. The material of the hole injection layer 63 includes the above-described materials, and polythiophene, polyaniline, polypyrrole, and 3,4-polyethylenediosithiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS) can be used. Further, these substances are used as a solution in a glycol solvent such as ethylene glycol or diethylene glycol. As a preferred example, PEDOT / PSS is dissolved in an ether solvent.

また、銅フタロシアニンTAPC、(1,1-ビス[4-(ジ-p-トリル)アミ.ノフェニル]シクロヘキサン))TPD N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス-(3-メチルフェニル)-1,1’ビフェニル-4,4’-ジアミン、α−NPDN,N’-ジフェニル-N,N’-ビス-(1-ナフチル)-1,1’ビフェニル-4,4’-ジアミン、m−MTDATA、4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン2−TNATA、4,4’,4”−トリス(N, N−(2−ナフチル)フェニルアミノ)トリフェニルアミンTCTA、Tris-(4-carbazoyl-9-yl-phenyl)-amineスピローTAD、(DTP)DPPD、HTM1、Tri-p-tolylamineHTM2,1,1-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclohexaneTPT1、1,3,5-tris(4-pyridyl)-2,4,6-triazinTPTE、Triphenylamine-tetramerなども用いることができる。   Also, copper phthalocyanine TAPC, (1,1-bis [4- (di-p-tolyl) ami.nophenyl] cyclohexane)) TPD N, N'-diphenyl-N, N'-bis- (3-methylphenyl) -1,1′biphenyl-4,4′-diamine, α-NPDN, N′-diphenyl-N, N′-bis- (1-naphthyl) -1,1′biphenyl-4,4′-diamine, m -MTDATA, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine 2-TNATA, 4,4', 4" -tris (N, N- (2-naphthyl) phenylamino) tri Phenylamine TCTA, Tris- (4-carbazoyl-9-yl-phenyl) -amine spiro TAD, (DTP) DPPD, HTM1, Tri-p-tolylamineHTM2,1,1-bis [(di-4-tolylamino) phenyl] CyclohexaneTPT1, 1,3,5-tris (4-pyridyl) -2,4,6-triazinTPTE, triphenylamine-tetramer, and the like can also be used.

次に、図示しないが、正孔輸送層の材料について説明する。正孔輸送層は、正孔注入層63の上に形成されている。正孔輸送層の材料としては、ポリフルオレン誘導体(PF)やポリパラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)を含むポリシラン系などの高分子有機材料を用いることができる。また、正孔注入層63で用いた材料、例えば、TAPC、TPD、α−NPD、m−MTDATA、2−TNATA、TCTA、スピローTAD、(DTP)DPPD、HTM1、TPTEなどの材料を用いても良い。   Next, although not shown, the material of the hole transport layer will be described. The hole transport layer is formed on the hole injection layer 63. Materials for the hole transport layer include polyfluorene derivatives (PF), polyparaphenylene vinylene derivatives (PPV), polyparaphenylene derivatives (PPP), polyvinylcarbazole (PVK), polythiophene derivatives, and polymethylphenylsilane (PMPS). A high molecular organic material such as polysilane containing can be used. Further, the material used for the hole injection layer 63, for example, a material such as TAPC, TPD, α-NPD, m-MTDATA, 2-TNATA, TCTA, spiro TAD, (DTP) DPPD, HTM1, and TPTE may be used. good.

次に、発光層64の材料について説明する。発光層64は、正孔輸送層上に形成されている。まず、高分子系の蛍光発光材料としては、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニリン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体を用いることができる。好適例としては、アメリカンダイソース社製のADS109GE、ADS111RE、ADS136BE(いずれも商標)が挙げられる。   Next, the material of the light emitting layer 64 will be described. The light emitting layer 64 is formed on the hole transport layer. First, a polyfluorene derivative, a polyphenylin derivative, or a polyphenylene vinylene derivative can be used as the high-molecular fluorescent material. Preferable examples include ADS109GE, ADS111RE, and ADS136BE (all are trademarks) manufactured by American Dice Source.

また、低分子系の材料を用いる場合、発光層64は、ホスト材料とゲスト材料とから構成される。ホスト材料としては、CBP(4,4’-bis(9-dicarbazolyl)-2,2’-biphenyl)、BAlq(Bis-(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolate)aluminium)、mCP(N,N-dicarbazolyl-3,5-benzene:CBP誘導体)、CDBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl)、DCB(N,N’-Dicarbazolyl-1,4-dimethene-benzene)、P06(2,7-bis(diphenylphosphine oxide)-9,9-dimethylfluorene)、SimCP(3,5-bis(9-carbazolyl)tetraphenylsilane)、UGH3(W-bis(triphenylsilyl)benzene)などを用いることができる。   When a low molecular material is used, the light emitting layer 64 is composed of a host material and a guest material. As host materials, CBP (4,4′-bis (9-dicarbazolyl) -2,2′-biphenyl), BAlq (Bis- (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolate) aluminium), mCP (N, N-dicarbazolyl-3,5-benzene: CBP derivative), CDBP (4,4'-bis (9-carbazolyl) -2,2'-dimethyl-biphenyl), DCB (N, N'-Dicarbazolyl- 1,4-dimethene-benzene), P06 (2,7-bis (diphenylphosphine oxide) -9,9-dimethylfluorene), SimCP (3,5-bis (9-carbazolyl) tetraphenylsilane), UGH3 (W-bis (triphenylsilyl) ) benzene) or the like.

ゲスト材料における燐光材料としては、Ir(ppy)3(Fac-tris(2-phenypyridine)iridium)、Ppy2Ir(acac)(Bis(2-phenyl-pyridinato-N,C2)iridium(acetylacetone)、Bt2Ir(acac)(Bis(2-phenylbenxothiozolato-N,C2’)iridium(III)(acetylacetonate))、Btp2Ir(acac)(Bis(2-2'-benzothienyl)-pyridinato-N,C3)Iridium(acetylacetonate)、FIrpic(Iridium-bis(4,6difluorophenyl-pyridinato-N,C.2.)-picolinate)、Ir(pmb)3(Iridium-tris(1-phenyl-3-methylbenzimidazolin-2-ylidene-C,C(2)')、FIrN4(((Iridium (III)bis(4,6-difluorophenylpyridinato)(5-(pyridin-2-yl)-tetrazolate)、Firtaz((Iridium(III)bis(4,6-difluorophenylpyridinato)(5-(pyridine-2-yl)-1,2,4-triazo-late)、PtOEP(2,3,7,8,12,13,17,18-Octaethyl-21H,23H-porphine,platinum(II)などを用いることができる。   As phosphorescent materials in guest materials, Ir (ppy) 3 (Fac-tris (2-phenypyridine) iridium), Ppy2Ir (acac) (Bis (2-phenyl-pyridinato-N, C2) iridium (acetylacetone), Bt2Ir (acacone) ) (Bis (2-phenylbenxothiozolato-N, C2 ') iridium (III) (acetylacetonate)), Btp2Ir (acac) (Bis (2-2'-benzothienyl) -pyridinato-N, C3) Iridium (acetylacetonate), FIrpic ( Iridium-bis (4,6difluorophenyl-pyridinato-N, C.2.)-Picolinate), Ir (pmb) 3 (Iridium-tris (1-phenyl-3-methylbenzimidazolin-2-ylidene-C, C (2) ' ), FIrN4 ((((Iridium (III) bis (4,6-difluorophenylpyridinato) (5- (pyridin-2-yl) -tetrazolate), Firaz ((Iridium (III) bis (4,6-difluorophenylpyridinato) (5- (pyridine-2-yl) -1,2,4-triazo-late), PtOEP (2,3,7,8,12,13,17,18-Octaethyl-21H, 23H-porphine, platinum (II), etc. Can be used.

ゲスト材料における蛍光材料としては、Alq3(8-ヒドロキシキノリナート)アルミニウム,ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドンなどを用いることができる。なお、ホスト材料にゲスト材料をドーピングする方式に限定するものではなく、これらの材料単一で発光層64として用いてもよい。   As the fluorescent material in the guest material, Alq3 (8-hydroxyquinolinate) aluminum, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, quinacridone, and the like can be used. Note that the host material is not limited to the method of doping the guest material, and these materials may be used alone as the light emitting layer 64.

次に、図示しない正孔阻止層の材料について説明する。正孔阻止層としては、BALq、OXD-1 1,3,5-トリ(5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール)、BCP(Bathocuproine)、PBD(2-(4-ビフェニル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-オキサジアゾール、TAZ(3-(4-ビフェニル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-トリアゾール、DPVBi4,4’-ビス(1,1-ジフェニルエテニル)ビフェニル、BND 2,5-ビス(1-ナフチル)-1,3,4-オキサジアゾール、DTVBi 4,4’-ビス(1,1-ビス(4-メチルフェニル)エテニル)ビフェニル、BBD 2,5-ビス(4-ビフェニリル)-1,3,4-オキサジアゾールなどを用いることができる。また、オキサジアゾール系高分子化合物や、トリアゾール系高分子化合物であっても良い。   Next, a material for a hole blocking layer (not shown) will be described. As the hole blocking layer, BALq, OXD-1, 1,3,5-tri (5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole), BCP (Bathocuproine), PBD (2 -(4-biphenyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-oxadiazole, TAZ (3- (4-biphenyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1 , 2,4-triazole, DPVBi4,4'-bis (1,1-diphenylethenyl) biphenyl, BND 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, DTVBi 4,4 '-Bis (1,1-bis (4-methylphenyl) ethenyl) biphenyl, BBD 2,5-bis (4-biphenylyl) -1,3,4-oxadiazole, etc. can be used. Diazole polymer compounds and triazole polymer compounds may be used.

次に、図示しない電子輸送層の材料について説明する。電子輸送層としては、Alq3(8-ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体などを用いることができる。また、前述した正孔阻止層の材料も、電子輸送層の材料として用いることができる。   Next, materials for an electron transport layer (not shown) will be described. As an electron transport layer, Alq3 (8-hydroxyquinolinate) aluminum, oxadiazole derivative, oxazole derivative, phenanthoroline derivative, anthraquinodimethane derivative, benzoquinone derivative, naphthoquinone derivative, anthraquinone derivative, tetracyanoanthraquinodimethane derivative Fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene derivatives, diphenoquinone derivatives, hydroxyquinoline derivatives, and the like can be used. Moreover, the material of the hole blocking layer described above can also be used as the material of the electron transport layer.

また、上記した有機EL装置11は、テレビ、携帯電話機、ディスプレイ、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、照明機器、光プリンターの光源などの各種電子機器に用いることができる。   The organic EL device 11 described above can be used in various electronic devices such as a television, a mobile phone, a display, a mobile computer, a digital camera, a digital video camera, an in-vehicle device, an audio device, a lighting device, and a light source of an optical printer. .

以上詳述したように、本実施形態の有機EL装置11の製造方法、及び有機EL装置の製造装置によれば、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the method for manufacturing the organic EL device 11 and the device for manufacturing the organic EL device of the present embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本実施形態の有機EL装置11の製造方法によれば、機能層26上をラミネートフィルム38でラミネート(封止)して大気と遮断するので、機能層26と大気(酸素)とが接触することによる機能層26の特性(品質)が低下することを抑えることができる。また、機能層26が大気と遮断されているので、量産工程において、有機EL装置11を大気中に保管することが可能となり、大気と遮断するための装置を新たに設備投資をすることなく、かかるコストを抑えることができる。また、大気中で保管できるので、量産における工程管理がしやすくなる。   (1) According to the manufacturing method of the organic EL device 11 of the present embodiment, the functional layer 26 is laminated (sealed) with the laminate film 38 and shielded from the atmosphere, so that the functional layer 26 and the atmosphere (oxygen) are separated from each other. It can suppress that the characteristic (quality) of the functional layer 26 by contact falls. Moreover, since the functional layer 26 is shielded from the atmosphere, the organic EL device 11 can be stored in the atmosphere in the mass production process, and a device for shielding from the atmosphere is not newly invested. Such costs can be reduced. In addition, since it can be stored in the air, process management in mass production becomes easy.

(2)本実施形態の有機EL装置11の製造方法によれば、ラミネートフィルム38によって機能層26がラミネートされているので、機能層26にベーク処理を施す際に、機能層26が大気と接触することを防ぐことができる。よって、酸素や水分などに起因する、機能層26が発光しないなどの不良を抑えることができる。更に、ベーク処理によって、有機溶媒への不溶化機能を付加することができる。   (2) According to the method for manufacturing the organic EL device 11 of the present embodiment, since the functional layer 26 is laminated by the laminate film 38, the functional layer 26 comes into contact with the atmosphere when the functional layer 26 is baked. Can be prevented. Therefore, defects such as the functional layer 26 not emitting light due to oxygen or moisture can be suppressed. Furthermore, the insolubilizing function in an organic solvent can be added by baking.

(3)本実施形態の有機EL装置11の製造方法によれば、ラミネートフィルム38を剥離によって除去するので、液体を用いて溶解させる場合のように、既に形成されている機能層26に悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。よって、機能層26の特性が劣化することを防ぐことができる。   (3) According to the method of manufacturing the organic EL device 11 of the present embodiment, since the laminate film 38 is removed by peeling, there is an adverse effect on the already formed functional layer 26 as in the case of dissolving using a liquid. Can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the characteristics of the functional layer 26 from deteriorating.

(4)本実施形態の有機EL装置11の製造装置によれば、ラミネーター71によって機能層26上にラミネートフィルム38をラミネートするので、機能層26と酸素や水分と接触することを防ぐことができる。更に、ベーク装置81によって、機能層26が大気と遮断された状態で機能層26にベーク処理を施すので、有機溶媒への不溶化機能を付加することができる。これにより、機能層26と酸素とが接触することによる機能層26の特性が低下することを抑えることができる。更に、常に真空中(不活性ガスの雰囲気)で処理する場合のように、新たに製造装置を大型化する必要がなく、設備投資を抑えることが可能となり、かかるコストを抑えることができる。   (4) According to the manufacturing apparatus of the organic EL device 11 of the present embodiment, since the laminator 71 laminates the laminate film 38 on the functional layer 26, it is possible to prevent the functional layer 26 from coming into contact with oxygen or moisture. . Furthermore, since the functional layer 26 is baked by the baking device 81 in a state where the functional layer 26 is shielded from the atmosphere, an insolubilizing function in an organic solvent can be added. Thereby, it can suppress that the characteristic of the functional layer 26 by the functional layer 26 and oxygen contacting falls. Furthermore, unlike the case where the processing is always performed in a vacuum (inert gas atmosphere), it is not necessary to newly increase the size of the manufacturing apparatus, so that the capital investment can be suppressed and the cost can be suppressed.

なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。   In addition, embodiment is not limited above, It can also implement with the following forms.

(変形例1)
上記したように、有機EL装置11は、赤(R)、緑(G)、青(B)の発光が得られる発光素子27を有するものに限定されない。例えば、白色などの単色発光が可能な照明装置に適用してもよい。また、発光素子27を白色発光するトップエミッション構造として、発光素子27の上方にカラーフィルターを備える構成としてもよい。
(Modification 1)
As described above, the organic EL device 11 is not limited to the one having the light emitting element 27 capable of emitting red (R), green (G), and blue (B) light. For example, the present invention may be applied to a lighting device capable of emitting monochromatic light such as white. Alternatively, the light emitting element 27 may have a top emission structure that emits white light and may include a color filter above the light emitting element 27.

(変形例2)
上記した実施形態では、有機EL装置11における機能層26の製造方法を例に説明したが、これに限定されず、液晶装置などのカラーフィルターの製造方法に適用するようにしてもよい。
(Modification 2)
In the above-described embodiment, the method for manufacturing the functional layer 26 in the organic EL device 11 has been described as an example. However, the method is not limited thereto, and the method may be applied to a method for manufacturing a color filter such as a liquid crystal device.

(変形例3)
上記したように、ベーク処理は、ベーク装置81を用いて行うことに限定されず、例えば、赤外線を用いて行うようにしてもよい。
(Modification 3)
As described above, the baking process is not limited to being performed using the baking apparatus 81, and may be performed using infrared rays, for example.

11…有機EL装置、11a…基板、12…走査線、13…信号線、14…電源線、15…信号線駆動回路、16…走査線駆動回路、21…スイッチング用TFT、22…保持容量、23…駆動用TFT、24…陽極、25…陰極、26…機能層、26a,26b…機能液、27…発光素子、31…基板、32…表示領域、32a…実表示領域、32b…ダミー領域、33…非表示領域、34…サブ画素、35…検査回路、36…フレキシブル基板、37…駆動用IC、38…フィルムとしてのラミネートフィルム、42…発光領域、43…回路素子層、44…発光素子層、45…下地保護膜、46…半導体膜、47…ソース領域、48…ドレイン領域、51…チャネル領域、52…ゲート絶縁膜、53…ゲート電極、54…第1層間絶縁膜、55…第2層間絶縁膜、56,57…コンタクトホール、62…隔壁としてのバンク、63…正孔注入層、64…発光層、66…絶縁層、67…開口部、71…ラミネーター、72…搬送ベルト、73…搬送ローラー、75…供給ローラー、76…テンションローラー、77…加圧ローラー、78…圧着ローラー、81…ベーク装置、82…ホットプレート。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Organic EL device, 11a ... Board | substrate, 12 ... Scan line, 13 ... Signal line, 14 ... Power supply line, 15 ... Signal line drive circuit, 16 ... Scan line drive circuit, 21 ... Switching TFT, 22 ... Retention capacity, 23 ... Driving TFT, 24 ... Anode, 25 ... Cathode, 26 ... Functional layer, 26a, 26b ... Functional liquid, 27 ... Light emitting element, 31 ... Substrate, 32 ... Display area, 32a ... Real display area, 32b ... Dummy area , 33 ... Non-display area, 34 ... Sub-pixel, 35 ... Inspection circuit, 36 ... Flexible substrate, 37 ... Driving IC, 38 ... Laminate film as film, 42 ... Light emitting area, 43 ... Circuit element layer, 44 ... Light emission Element layer 45... Base protective film 46... Semiconductor film 47. Source region 48. Drain region 51. Channel region 52. Gate insulating film 53 53 Gate electrode 54 54 First interlayer insulating film 55 ... second interlayer insulating film, 56, 57 ... contact hole, 62 ... bank as a partition wall, 63 ... hole injection layer, 64 ... light emitting layer, 66 ... insulating layer, 67 ... opening, 71 ... laminator, 72 ... Conveying belt, 73 ... conveying roller, 75 ... supply roller, 76 ... tension roller, 77 ... pressure roller, 78 ... compression roller, 81 ... baking device, 82 ... hot plate.

Claims (5)

基板上の発光領域を区画するために隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記隔壁で囲まれた領域に機能液を吐出する吐出工程と、
前記機能液を乾燥して機能層を形成する機能層形成工程と、
不活性ガス雰囲気中において、前記隔壁とフィルムとが接するように前記基板に対して前記フィルムをラミネートし、前記フィルムと前記隔壁で囲まれた領域内を前記不活性ガスで満たされた状態にするラミネート工程と、
を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
A partition formation step of forming a partition to partition the light emitting region on the substrate;
A discharge step of discharging the functional liquid to the region surrounded by the partition;
A functional layer forming step of drying the functional liquid to form a functional layer;
In an inert gas atmosphere, the film is laminated on the substrate so that the partition and the film are in contact with each other, and the region surrounded by the film and the partition is filled with the inert gas. Laminating process;
A method for producing an organic EL device, comprising:
請求項1に記載の有機EL装置の製造方法であって、
前記ラミネート工程は、減圧下でラミネートすることを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to claim 1,
In the laminating step, the organic EL device is produced by laminating under reduced pressure.
請求項1又は請求項2に記載の有機EL装置の製造方法であって、
前記ラミネート処理工程の後に、前記機能層にベーク処理を施すベーク処理工程を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to claim 1 or 2,
A method for manufacturing an organic EL device, comprising a baking process step of baking the functional layer after the laminating process.
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法であって、
前記ラミネート処理工程の後、ラミネートされた前記フィルムを剥離する剥離工程と、
前記フィルムが剥離された前記基板に表面処理を施す表面処理工程と、
前記表面処理が施された前記基板に対して再びフィルムをラミネートする再ラミネート処理工程と、
を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to any one of claims 1 to 3,
After the laminating step, a peeling step for peeling the laminated film,
A surface treatment step of performing a surface treatment on the substrate from which the film has been peeled;
A relaminating process for laminating a film again on the substrate that has been subjected to the surface treatment;
A method for producing an organic EL device, comprising:
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法であって、
前記フィルムは、ポリエチレンテレフタレートを用いて構成されていることを特徴とする有機EL装置の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic EL device according to any one of claims 1 to 4,
The said film is comprised using the polyethylene terephthalate, The manufacturing method of the organic EL apparatus characterized by the above-mentioned.
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