Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP5740466B2 - フルオロスルホニルイミド塩の製造方法 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP5740466B2 - フルオロスルホニルイミド塩の製造方法 - Google Patents

フルオロスルホニルイミド塩の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5740466B2
JP5740466B2 JP2013502286A JP2013502286A JP5740466B2 JP 5740466 B2 JP5740466 B2 JP 5740466B2 JP 2013502286 A JP2013502286 A JP 2013502286A JP 2013502286 A JP2013502286 A JP 2013502286A JP 5740466 B2 JP5740466 B2 JP 5740466B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
salt
fluorosulfonyl
cation
imide
bromide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013502286A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2012117961A1 (ja
Inventor
史朗 坪倉
史朗 坪倉
恭幸 相浦
恭幸 相浦
徹 鈴木
徹 鈴木
道明 丸山
道明 丸山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Soda Co Ltd
Original Assignee
Nippon Soda Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=46757898&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP5740466(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nippon Soda Co Ltd filed Critical Nippon Soda Co Ltd
Priority to JP2013502286A priority Critical patent/JP5740466B2/ja
Publication of JPWO2012117961A1 publication Critical patent/JPWO2012117961A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5740466B2 publication Critical patent/JP5740466B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C311/00—Amides of sulfonic acids, i.e. compounds having singly-bound oxygen atoms of sulfo groups replaced by nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups
    • C07C311/48—Amides of sulfonic acids, i.e. compounds having singly-bound oxygen atoms of sulfo groups replaced by nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups having nitrogen atoms of sulfonamide groups further bound to another hetero atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
    • C01B21/087—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more hydrogen atoms
    • C01B21/092—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more hydrogen atoms containing also one or more metal atoms
    • C01B21/0923—Metal imides or amides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
    • C01B21/087—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more hydrogen atoms
    • C01B21/093—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more hydrogen atoms containing also one or more sulfur atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C303/00—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides
    • C07C303/36—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of amides of sulfonic acids
    • C07C303/40—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of amides of sulfonic acids by reactions not involving the formation of sulfonamide groups
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/052—Li-accumulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/056—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes
    • H01M10/0564—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes the electrolyte being constituted of organic materials only
    • H01M10/0566—Liquid materials
    • H01M10/0568—Liquid materials characterised by the solutes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30—Hydrogen technology
    • Y02E60/50—Fuel cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

本発明は、フルオロスルホニルイミドアンモニウム塩の製造方法に関する。より詳細に、本発明は、電解質特性などを低下させる金属不純物の混入が限りなく抑制されたフルオロスルホニルイミドアンモニウム塩を効率良く製造する方法に関する。
本願は、２０１１年３月３日に、日本に出願された特願２０１１−０４６７３８号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
フルオロスルホニルイミド塩は、電解質や、燃料電池の電解液への添加物、選択的吸電子材などとして様々な分野において有用な化合物である（特許文献１）。アルカリ金属化合物やオニウム化合物を用いたカチオン交換反応によって、フルオロスルホニルイミドアルカリ金属塩や各種のフルオロスルホニルイミドオニウム塩を得ることができる。フルオロスルホニルイミドアンモニウム塩は、フルオロスルホニルイミドアルカリ金属塩や当該アンモニウム塩以外のフルオロスルホニルイミドオニウム塩の製造中間体として有用である。
フルオロスルホニルイミドアンモニウム塩の合成法が種々提案されている。例えば、非特許文献１には、ジ（フルオロスルホニル）イミドとアンモニアとからジ（フルオロスルホニル）イミドアンモニウム塩を合成する方法が開示されている。
特許文献２には、ジ（クロロスルホニル）イミドとオニウム化合物とを反応させてクロロスルホニルイミドオニウム塩を得、これと第１１族〜第１５族、第４周期〜第６周期の元素（但し、砒素およびアンチモンは除く）からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含むフッ化物とを反応させることによってビス［ジ（フルオロスルホニル）イミド］オニウム塩を合成する方法が開示されている。特許文献２に記載の製法で用いられるフッ化物として、フッ化亜鉛（ＺｎＦ2）、フッ化銅（ＣｕＦ2）、フッ化ビスマス（ＢｉＦ2）などが開示されている。これらはいずれも常温固体の物質である。
また、非特許文献２または３には、三フッ化ヒ素（ＡｓＦ3）、三フッ化アンチモン（ＳｂＦ3）をフッ素化剤として用いてジ（クロロスルホニル）イミドからジ（フルオロスルホニル）イミドを合成する方法が開示されている。
特表平０８−５１１２７４号公報 特開２０１０−１６８３０８号公報
Zeitschrift fuer Chemie (1987), 27(6), 227-8 John K. Ruff, and Max Lustig, Inorg. Synth. 11, 138-140(1968年) Jean'ne M. Shreeve et al., Inorg. Chem. 1998, 37(24), 6295-6303
非特許文献１に記載の合成法の原料であるジ（フルオロスルホニル）イミドは、ジ（フルオロスルホニル）イミド塩を強酸で処理してフリー化することによって得られる。しかし、ジ（フルオロスルホニル）イミド自体が強酸であるため工業的な製造は容易でない。イオン交換樹脂を用いてジ（フルオロスルホニル）イミドを合成する方法があるが、工程が煩雑で、工業的な生産には適していない。
特許文献２に記載の合成法では、前記フッ化物由来の金属元素が電解質の特性を低下させるので、フッ化物由来の金属元素を取り除くことが必要である。当該金属元素を完全に除去するためには、煩雑な精製操作を行わなければならない。
非特許文献２または３に記載の合成法に使用されるＡｓＦ3は比較的に高価である。ＡｓおよびＳｂはいずれも高い毒性を有する元素であるので、作業性に難がある。特にＡｓＦ3を用いる合成法では、目的生成物との分離が困難な化合物が副生する。そのため、非特許文献２または３に開示される合成法は工業的生産に不適である。
本発明の課題は、電解質特性などを低下させる金属不純物の混入が限りなく抑制されたフルオロスルホニルイミドアンモニウム塩を効率良く製造する方法を提供すること、および、電解質特性などを低下させる金属不純物を含まないフルオロスルホニルイミド塩をフルオロスルホニルイミドアンモニウム塩から製造する方法を提供することにある。
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた。その結果、特定のクロロスルホニルイミドとＮＨ4Ｆ（ＨＦ）p（ｐは０〜１０いずれかの実数を示す。）で表されるフッ素化剤とを反応させることによってフルオロスルホニルイミドアンモニウム塩を工業的に容易に合成できることを見出した。また、そのようにして得られたフルオロスルホニルイミドアンモニウム塩に金属化合物などを作用させてカチオン交換することによって電解質特性などを低下させる金属不純物を含まないフルオロスルホニルイミド金属塩などが得られることを見出した。本発明はこれらの知見に基づいて完成するに至ったものである。
すなわち、本発明は、以下のものを包含する。
（１） 式〔I〕で表される化合物（以下、化合物〔I〕と表記することがある。）と、式〔III〕で表されるフッ素化剤（以下、フッ素化剤〔III〕と表記することがある。）とを反応させて得られた式〔II〕で表されるフルオロスルホニルイミドアンモニウム塩（以下、化合物〔II〕と表記することがある。）に、アルカリ金属水酸化物を反応させることを含む式〔IV〕で表されるフルオロスルホニルイミド塩（以下、化合物〔IV〕と表記することがある。）の製造方法。
Figure 0005740466
（式〔I〕中、Ｒ1は、１〜６個の炭素原子を有するフッ化アルキル基、フッ素原子、または塩素原子を示す。）
Figure 0005740466
（式〔II〕中、Ｒ2は、１〜６個の炭素原子を有するフッ化アルキル基、またはフッ素原子を示す。）
Figure 0005740466
（式〔III〕中、ｐは０〜１０いずれかの実数を示す。）
Figure 0005740466
（式〔IV〕中、Ｍn+は金属カチオンまたはオニウムカチオン（ＮＨ4 +を除く。）を示し、ｎは金属カチオンまたはオニウムカチオン（ＮＨ4 +を除く。）の価数に相当し且つ１〜４のいずれかの整数を示し、Ｒ2は式〔II〕におけるものと同じものを示す。）
本発明によれば、フルオロスルホニルイミドアンモニウム塩を工業的に効率よく製造することができる。また、このようにして得られたフルオロスルホニルイミドアンモニウム塩をカチオン交換反応させることによって電解質特性などを低下させる金属不純物を含まない他のフルオロスルホニルイミド塩を製造することができる。
（化合物〔II〕の製造方法）
本発明に係る化合物〔II〕の製造方法は、化合物〔I〕と、フッ素化剤〔III〕とを反応させることを含むものである。
本発明に用いられる化合物〔I〕は、式〔I〕で表される化合物である。
Figure 0005740466
式〔I〕中、Ｒ1は、１〜６個の炭素原子を有するフッ化アルキル基、フッ素原子、または塩素原子を示す。これらのうち、Ｒ1は、塩素原子が好ましい。
Ｒ1における、フッ化アルキル基を構成する炭素原子の数は、１〜６個、好ましくは１〜４個、より好ましくは１〜２個である。フッ化アルキル基としては、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、ペルフルオロ−ｎ−プロピル基、フルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、フルオロブチル基、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル基、ペルフルオロ−ｎ−ブチル基、ペルフルオロイソブチル基、ペルフルオロ−ｔ−ブチル基、ペルフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、フルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロイソペンチル基、ペルフルオロ−ｔ−ペンチル基、フルオロヘキシル基、ペルフルオロ−ｎ−ヘキシル基、ペルフルオロイソヘキシル基などを挙げることができる。これらの中でも、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基またはペルフルオロ−ｎ−プロピル基が好ましく、トリフルオロメチル基またはペンタフルオロエチル基がより好ましい。
化合物〔I〕の具体例としては、Ｎ−（クロロスルホニル）−Ｎ−（フルオロスルホニル）イミド、ジ（クロロスルホニル）イミド、Ｎ−（クロロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、Ｎ−（クロロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド、Ｎ−（クロロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミドなどを挙げることができる。
化合物〔I〕は、市販品であってもよいし、例えば、Z. Anorg. Allg. Chem 2005, 631, 55-59に記載の方法で合成したものであってもよい。例えば、式〔I〕で表される化合物の一つであるジ（クロロスルホニル）イミドは、クロロスルホニルイソシアネートとクロロスルホン酸との反応によって得ることができる（Chemisch Berichte 1964, 95, 849-850を参照）。
また、Ｎ−（クロロスルホニル）−Ｎ−（フルオロアルキルスルホニル）イミドは、クロロスルホニルイソシアネートとフッ化アルキルスルホン酸との反応や、フッ化アルキルスルホニルイソシアネートとクロロスルホン酸との反応などによって得ることができる。
本発明に用いられるフッ素化剤〔III〕は、式〔III〕で表される化合物である。
Figure 0005740466
式〔III〕中、ｐは、０〜１０いずれかの実数を示し、０〜４いずれかの実数であるのが好ましく、０〜４いずれかの整数であるのがより好ましい。フッ素化剤〔III〕の具体例としては、ＮＨ4Ｆ、ＮＨ4Ｆ ＨＦ、ＮＨ4Ｆ ２ＨＦ、ＮＨ4Ｆ ３ＨＦ、ＮＨ4Ｆ ４ＨＦなどを挙げることができる。これらのうち、ＮＨ4Ｆ、ＮＨ4Ｆ ＨＦが好ましい。
フッ素化剤〔III〕は、市販のものを用いることができる。また、ＮＨ4Ｆは、無水フッ化水素にアンモニアを通じて析出させることによって得ることができる。塩化アンモニウムとフッ化ナトリウムの混合物を加熱し、昇華させることによっても得ることができる。
ＮＨ4Ｆ ＨＦ、ＮＨ4Ｆ ２ＨＦ、ＮＨ4Ｆ ３ＨＦ、ＮＨ4Ｆ ４ＨＦなどは、無水フッ化水素に任意の割合でアンモニアを通じて得ることができるし、フッ化水素酸（水溶液）にアンモニア水溶液を混合し、水を蒸発濃縮して得ることもできる。また、ＮＨ4Ｆを熱分解して得ることができる。更に、ＮＨ4Ｆ ＨＦ、ＮＨ4Ｆ ２ＨＦ、ＮＨ4Ｆ ３ＨＦに無水フッ化水素を通じて得ることができる。
フッ素化剤〔III〕の使用量は、化合物〔I〕１モルに対して、好ましくは１モル〜２０モル、より好ましくは１モル〜１０モル、さらに好ましくは１モル〜５モルである。
化合物〔I〕とフッ素化剤〔III〕との反応は、有機溶媒中で若しくは無溶媒で行うことができる。該反応において用いることができる有機溶媒は、フッ素化反応を阻害しないものであれば特に限定されない。例えば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、ジメトキシメタン、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，３−ジオキサン、４−メチル−１，３−ジオキソラン、メチルホルメート、メチルアセテート、メチルプロピオネート、ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、スルホラン、３−メチルスルホラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルオキサゾリジノン、アセトニトリル、バレロニトリル、ベンゾニトリル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、ニトロメタン、ニトロベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、塩化メチレン、四塩化炭素、クロロホルムなどの非プロトン性溶媒を挙げることができる。フッ素化反応を円滑に進行させる観点から極性溶媒を使用することが好ましい。好適な溶媒として、アセトニトリル、酢酸エチル、酢酸イソプロピルまたは酢酸ブチルを挙げることができる。
当該有機溶媒は脱水して使用することが好ましい。水が存在すると、化合物〔I〕が分解しやすくなるので、収率が低下するおそれがある。
フッ素化反応時の温度は、反応の進行状況に応じて適宜調整することができるが、好ましくは−４０℃〜２００℃、より好ましくは−２０℃〜１００℃である。反応に要する時間は、反応規模によって異なるが、好ましくは０．１時間〜４８時間、より好ましくは０．５時間〜２４時間である。
本発明に係る製造方法によって、化合物〔II〕を得ることができる。化合物〔II〕は、式〔II〕で表されるフルオロスルホニルイミドアンモニウム塩である。
Figure 0005740466
式〔II〕中、Ｒ2は、１〜６個の炭素原子を有するフッ化アルキル基、またはフッ素原子を示す。フッ化アルキル基は、Ｒ1の説明において挙げたものと同じものを挙げることができる。
式〔II〕で表される化合物の具体例としては、ジ（フルオロスルホニル）イミドアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミドアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミドアンモニウム塩などを挙げることができる。これらのうちジ（フルオロスルホニル）イミドアンモニウム塩が好ましい。
化合物〔II〕は、式〔IV〕で表されるフルオロスルホニルイミド塩を製造するための中間体として有用である。また、化合物〔II〕は、一次電池、リチウム（イオン）二次電池などの二次電池、電解コンデンサ、電気二重層キャパシタ、燃料電池、太陽電池、エレクトロクロミック素子などの電気化学デバイスを構成するイオン伝導体の材料としても有用である。
（化合物〔IV〕の製造方法）
本発明に係る化合物〔IV〕の製造方法は、前記製造方法によって得られる化合物〔II〕に、金属化合物、オニウム化合物および有機アミン化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を反応（以下、カチオン交換反応と表記することがある。）させることを含むものである。
このカチオン交換反応は溶媒の存在下で、化合物〔II〕と、金属化合物、オニウム化合物および有機アミン化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物とを混合することによって行うことができる。前記少なくとも１種の化合物は、アルカリ金属化合物、オニウム化合物、および有機アミン化合物からなる群から選ばれることが好ましく、アルカリ金属化合物であることがより好ましい。
カチオン交換反応に用いられる金属化合物は、化合物〔II〕とカチオン交換反応するものであれば特に限定されないが、アルカリ金属化合物であるのが好ましい。アルカリ金属化合物としては、ＬｉＯＨ、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＲｂＯＨ、ＣｓＯＨなどの水酸化物； Ｌｉ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、Ｋ2ＣＯ3、Ｒｂ2ＣＯ3、Ｃｓ2ＣＯ3などの炭酸塩； ＬｉＨＣＯ3、ＮａＨＣＯ3、ＫＨＣＯ3、ＲｂＨＣＯ3、ＣｓＨＣＯ3などの炭酸水素塩； ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＲｂＣｌ、ＣｓＣｌなどの塩化物； ＬｉＢｒ、ＮａＢｒ、ＫＢｒ、ＲｂＢｒ、ＣｓＢｒなどの臭化物； ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦなどのフッ化物； ＣＨ3ＯＬｉ、ＥｔＯＬｉ、ｔ−ＢｕＯＫ、ｔ−ＢｕＯＮａなどのアルコキシド化合物； ＮａＨ、ＫＨ，ＬｉＨなどのヒドリド化合物； ｉ−Ｐｒ2ＮＬｉ、ＥｔＬｉ、ＢｕＬｉ、ｔ−ＢｕＬｉ（尚、Ｅｔはエチル基、Ｐｒはプロピル基、Ｂｕはブチル基を示す）などのアルキルリチウム化合物などを挙げることができる。これらのうち、水酸化物が好ましい。水酸化物を用いると、カチオン交換反応ではアンモニアが副生するので、このアンモニアを減圧除去することによって平衡をカチオン交換反応が促進される状態にすることができる。アルカリ金属化合物を用いると、副生する無機塩を濾過や水洗で除去できるので容易に精製することができる。
アルカリ金属化合物の使用量は、化合物〔II〕１モルに対して、好ましくは１モル〜１０モル、より好ましくは１モル〜５モルである。
カチオン交換反応に用いられるオニウム化合物としては、イミダゾリウム化合物、ピラゾリウム化合物、ピリジニウム化合物、ピロリジニウム化合物、ピペリジニウム化合物、モルホリニウム化合物、４級アンモニウム化合物などの窒素系オニウム化合物；４級ホスホニウム化合物、３級ホスフィン化合物などのリン系オニウム化合物；スルホニウム化合物などの硫黄系オニウム化合物、グアニジニウム化合物、イソウロニウム化合物、イソチオウロニウム化合物などを挙げることができる。これらのうち、有機オニウム化合物が好ましい。また、オニウム化合物は、電解質特性などを低下させる金属元素を含まないものであることが好ましい。
イミダゾリウム化合物の具体例としては、１，３−ジメチルイミダゾリウムクロリド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムクロリド、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムクロリド、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムクロリド、１−オクチル−３−メチルイミダゾリウムクロリド、１−アリル−３−エチルイミダゾリウムクロリド、１−アリル−３−ブチルイミダゾリウムクロリド、１，３−ジアリルイミダゾリウムクロリド、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムクロリド、１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムクロリド、１−ヘキシル−２，３−ジメチルイミダゾリウムクロリドなどの塩化物； １，３−ジメチルイミダゾリウムブロミド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムブロミド、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムブロミド、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムブロミド、１−オクチル−３−メチルイミダゾリウムブロミド、１−アリル−３−エチルイミダゾリウムブロミド、１−アリル−３−ブチルイミダゾリウムブロミド、１，３−ジアリルイミダゾリウムブロミド、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムブロミド、１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムブロミド、１−ヘキシル−２，３−ジメチルイミダゾリウムブロミドなどの臭化物；
１，３−ジメチルイミダゾリウムヨージド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヨージド、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムヨージド、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムヨージド、１−オクチル−３−メチルイミダゾリウムヨージド、１−アリル−３−エチルイミダゾリウムヨージド、１−アリル−３−ブチルイミダゾリウムヨージド、１，３−ジアリルイミダゾリウムヨージド、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムヨージド、１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムヨージド、１−ヘキシル−２，３−ジメチルイミダゾリウムヨージドなどのヨウ化物； １，３−ジメチルイミダゾリウムヒドロキシド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヒドロキシド、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムヒドロキシド、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムヒドロキシド、１−オクチル−３−メチルイミダゾリウムヒドロキシド、１−アリル−３−エチルイミダゾリウムヒドロキシド、１−アリル−３−ブチルイミダゾリウムヒドロキシド、１，３−ジアリルイミダゾリウムヒドロキシド、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムヒドロキシド、１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムヒドロキシド、１−ヘキシル−２，３−ジメチルイミダゾリウムヒドロキシド；などの水酸化物を挙げることができる。
ピラゾリウム化合物の具体例としては、２−エチル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムクロリド、２−プロピル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムクロリド、２−ブチル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムクロリド、２−ヘキシル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムクロリドなどの塩化物；２−エチル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムブロミド、２−プロピル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムブロミド、２−ブチル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムブロミド、２−ヘキシル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムブロミドなどの臭化物；２−エチル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムヒドロキシド、２−プロピル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムヒドロキシド、２−ブチル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムヒドロキシド、２−ヘキシル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムヒドロキシド；などの水酸化物を挙げることができる。
ピリジニウム化合物の具体例としては、１−アセトニルピリジニウムクロリド、１−アミノピリジニウムヨージド、２−ベンジルオキシ−１−メチルピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート、１，１’−［ビフェニル−４，４’−ジイルビス（メチレン）］ビス（４，４’−ビピリジニウム）ビス（ヘキサフルオロホスファート）、１，１’−［ビフェニル−４，４’−ジイルビス（メチレン）］ビス（４，４’−ビピリジニウム）ジブロミド、１，１’−ビス（２，４−ジニトロフェニル）−４，４’−ビピリジニウムジクロリド、ビス（２，４，６−トリメチルピリジン）ブロモニウムヘキサフルオロホスファート、テトラフルオロほう酸２−ブロモ−１−エチルピリジニウム、臭化水素酸４−ブロモピリジン、４−ブロモピリジン塩酸塩、１−ブチル−４−メチルピリジニウムブロミド、１−ブチル−３−メチルピリジニウムブロミド、１−ブチル−３−メチルピリジニウムクロリド、１−ブチル−４−メチルピリジニウムクロリド、１−ブチル−４−メチルピリジニウムヘキサフルオロホスファート、１−ブチルピリジニウムブロミド、１−ブチルピリジニウムクロリド、１−ブチルピリジニウムヘキサフルオロホスファート、１−ブチルピリジニウムテトラフルオロボラート、４−カルバモイル−１−ヘキサデシルピリジニウムクロリド、１−（カルバモイルメチル）ピリジニウムクロリド、３−カルバミル−１−メチルピリジニウムクロリド、４−ピコリルクロリド塩酸塩、２−（クロロメチル）ピリジン塩酸塩、３−（クロロメチル）ピリジン塩酸塩、
２−クロロ−１−メチルピリジニウムヨージド、２−クロロ−１−メチルピリジニウムｐ−トルエンスルホナート、４−クロロピリジン塩酸塩、セチルピリジニウムクロリド、１−シアノ−４−（ジメチルアミノ）ピリジニウムテトラフルオロボラート、１−（シアノメチル）ピリジニウムクロリド、シクロビス（パラクアット−１，４−フェニレン）テトラキス（ヘキサフルオロホスファート）、１，１’−ジベンジル−４，４’−ビピリジニウムジクロリド水和物、２，６−ジクロロ−１−フルオロピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート、１，１’−ジフルオロ−２，２’−ビピリジニウムビス（テトラフルオロボラート）、１，１’−ジヘプチル−４，４’−ビピリジニウムジブロミド、２，６−ピリジンジオール塩酸塩、４−ジメチルアミノ−１−ネオペンチルピリジニウムクロリド、４−ジメチルアミノピリジニウムブロミドペルブロミド、４−（ジメチルアミノ）−１−（トリフェニルメチル）ピリジニウムクロリド、１，１’−ジメチル−４，４’−ビピリジニウムジクロリド水和物、１，１’−ジメチル−４，４’−ビピリジニウムジクロリド、１−（ジメチルカルバモイル）−４−（２−スルホエチル）ピリジニウムヒドロキシド分子内塩、２，６−ジメチルピリジニウムｐ−トルエンスルホナート、１，１’−ジ−ｎ−オクチル−４，４’−ビピリジニウムジブロミド、１，１’−ジフェニル−４，４’−ビピリジニウムジクロリド、１−ドデシルピリジニウムクロリド、
１−エチル−３−（ヒドロキシメチル）ピリジニウムエチルスルファート、１−エチル−４−（メトキシカルボニル）ピリジニウムヨージド、１−エチル−３−メチルピリジニウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−エチル−３−メチルピリジニウムエチルスルファート、１−エチルピリジニウムブロミド、１−エチルピリジニウムクロリド、１−フルオロ−２，６−ジクロロピリジニウムテトラフルオロボラート、２−フルオロ−１−メチルピリジニウムｐ−トルエンスルホナート、１−フルオロピリジニウムピリジン ヘプタフルオロジボラート、１−フルオロピリジニウムテトラフルオロボラート、１−フルオロピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート、１−フルオロ−２，４，６−トリメチルピリジニウムテトラフルオロボラート、１−フルオロ−２，４，６−トリ
メチルピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジラール試薬Ｐ、１−ヘキサデシル−４−メチルピリジニウムクロリド水和物、ヘキサデシルピリジニウムブロミド水和物、ヘキサデシルピリジニウムクロリド一水和物、イソニコチノイルクロリド塩酸塩、ＭＤＥＰＡＰ、１−メチルピリジニウム−２−アルドキシムクロリド、１−メチルピリジニウムクロリド、ＮＤＥＰＡＰ、１−オクタデシル−４−（４−フェニル−１，３−ブタジエニル）ピリジニウムブロミド、
Ｎ−オクタデシル−４−スチルバゾールブロミド、１−（１０，１２−ペンタコサジイニル）ピリジニウムブロミド、１−フェナシルピリジニウムブロミド、１，１’−［１，４−フェニレンビス（メチレン）］ビス（４，４’−ビピリジニウム）ビス（ヘキサフルオロホスファート）、１，１’−［１，４−フェニレンビス（メチレン）］ビス（４，４’−ビピリジニウム）ジブロミド、Ｎ−フェニルニコチンアミド塩酸塩、１−プロピルピリジニウムクロリド、ピリジン−２−カルボニルクロリド塩酸塩、ピリジン−２−カルボン酸塩酸塩、ピリジン臭化水素酸塩、ピリジン塩酸塩、ピリジニウムブロミドペルブロミド、クロロクロム酸ピリジニウム、重クロム酸ピリジニウム、フルオロクロム酸ピリジニウム、ピリジニウム３−ニトロベンゼンスルホナート、ピリジニウムポリ（ヒドロゲンフルオリド）、ピリジニウムｐ−トルエンスルホナート、ピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート、ピリドスチグミンブロミド、ピリドキサミン二塩酸塩一水和物、ピリドキシン塩酸塩、３−ピリジル酢酸塩酸塩、２−ピリジル酢酸塩酸塩、１−（４−ピリジル）ピリジニウムクロリド塩酸塩水和物、１−（３−スルホプロピル）ピリジニウムヒドロキシド分子内塩、α，β，γ，δ−テトラキス（１−メチルピリジニウム−４−イル）ポルフィリンｐ−トルエンスルホナート、１−（トリフルオロアセチル）−４−（ジメチルアミノ）ピリジニウムトリフルオロアセタート、１−メチルピリジニウム−３−カルボン酸塩酸塩、２，４，６−トリメチルピリジニウムｐ−トルエンスルホナートなどを挙げることができる。
ピロリジニウム化合物の具体例としては、１−ブチル−１−メチルピロリジニウムブロミド、１−ブチル−１−メチルピロリジニウムクロリド、１−ブチル−１−プロピルピロリジニウムブロミド、１−ブチル−１−プロピルピロリジニウムクロリドなどを挙げることができる。
ピペリジニウム化合物の具体例としては、１−ブチル−１−メチルピペリジニウムブロミドなどを挙げることができる。
モルホリニウム化合物の具体例としては、４−プロピル−４−メチルモルホリニウムクロリド、４−（２−メトキシエチル）−４−メチルモルホリニウムクロリド、４−プロピル−４−メチルモルホリニウムブロミド、４−（２−メトキシエチル）−４−メチルモルホリニウムブロミド、４−プロピル−４−メチルモルホリニウムヒドロキシド、４−（２−メトキシエチル）−４−メチルモルホリニウムヒドロキシドなどを挙げることができる。
４級アンモニウム化合物の具体例としては、プロピルトリメチルアンモニウムクロリド、ジエチル−２−メトキシエチルメチルアンモニウムフルオリド、メチルトリオクチルアンモニウムフルオリド、シクロヘキシルトリメチルアンモニウムフルオリド、２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムフルオリドなどのフッ化物； プロピルトリメチルアンモニウムクロリド、ジエチル−２−メトキシエチルメチルアンモニウムクロリド、メチルトリオクチルアンモニウムクロリド、シクロヘキシルトリメチルアンモニウムクロリド、２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムクロリドなどの塩化物； プロピルトリメチルアンモニウムブロミド、ジエチル−２−メトキシエチルメチルアンモニウムブロミド、メチルトリオクチルアンモニウムブロミド、シクロヘキシルトリメチルアンモニウムブロミド、２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムブロミドなどの臭化物； プロピルトリメチルアンモニウムヨージド、ジエチル−２−メトキシエチルメチルアンモニウムヨージド、メチルトリオクチルアンモニウムヨージド、シクロヘキシルトリメチルアンモニウムヨージド、２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヨージドなどのヨウ化物； プロピルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジエチル−２−メトキシエチルメチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリオクチルアンモニウムヒドロキシド、シクロヘキシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシドなどの水酸化物； プロピルトリメチルアンモニウムアセテート、ジエチル−２−メトキシエチルメチルアンモニウムアセテート、メチルトリオクチルアンモニウムアセテート、シクロヘキシルトリメチルアンモニウムアセテート、２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムアセテートなどのアセテート； 硫酸水素プロピルトリメチルアンモニウム、硫酸水素ジエチル−２−メトキシエチルメチルアンモニウム、硫酸水素メチルトリオクチルアンモニウム、硫酸水素シクロヘキシルトリメチルアンモニウム、硫酸水素２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムなどの硫酸水素塩を挙げることができる。
ホスホニウム化合物の具体例としては、アセトニルトリフェニルホスホニウムクロリド、アリルトリフェニルホスホニウムブロミド、アリルトリフェニルホスホニウムクロリド、アミルトリフェニルホスホニウムブロミド、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリピロリジノホスホニウムヘキサフルオロホスファート、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イルオキシトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムヘキサフルオロホスファート、ベンジルトリフェニルホスホニウムブロミド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロリド、（ブロモメチル）トリフェニルホスホニウムブロミド、３−ブロモプロピルトリフェニルホスホニウムブロミド、ｔｒａｎｓ−２−ブテン−１，４−ビス（トリフェニルホスホニウムクロリド）、ブチルトリフェニルホスホニウムブロミド、（４−カルボキシブチル）トリフェニルホスホニウムブロミド、（３−カルボキシプロピル）トリフェニルホスホニウムブロミド、（４−クロロベンジル）トリフェニルホスホニウムクロリド、（２−クロロベンジル）トリフェニルホスホニウムクロリド、（クロロメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド、シンナミルトリフェニルホスホニウムブロミド、（シアノメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド、シクロプロピルトリフェニルホスホニウムブロミド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスホニウムテトラフェニルボラート、（２，４−ジクロロベンジル）トリフェニルホスホニウムクロリド、２−ジメチルアミノエチルトリフェニルホスホニウムブロミド、２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチルトリフェニルホスホニウムブロミド、２−（１，３−ジオキソラン−２−イル）エチルトリフェニルホスホニウムブロミド、
（１，３−ジオキソラン−２−イル）メチルトリフェニルホスホニウムブロミド、４−エトキシベンジルトリフェニルホスホニウムブロミド、エトキシカルボニルメチル（トリフェニル）ホスホニウムブロミド、エチルトリフェニルホスホニウムブロミド、エチルトリフェニルホスホニウムヨージド、（ホルミルメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド、ヘプチルトリフェニルホスホニウムブロミド、ヘキシルトリフェニルホスホニウムブロミド、（２−ヒドロキシベンジル）トリフェニルホスホニウムブロミド、イソプロピルトリフェニルホスホニウムヨージド、メトキシカルボニルメチル（トリフェニル）ホスホニウムブロミド、（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド、（Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルホスホニウムヨージド、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド、メチルトリフェニルホスホニウム ヨージド、（１−ナフチルメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド、（４−ニトロベンジル）トリフェニルホスホニウムブロミド、ビス（テトラフルオロほう酸）μ−オキソビス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホニウム］、フェナシルトリフェニルホスホニウムブロミド、テトラブチルホスホニウムベンゾトリアゾラート、テトラブチルホスホニウムビス（１，３−ジチオール−２−チオン−４，５−ジチオラト）ニッケル（III） コンプレックス、テトラブチルホスホニウムブロミド、テトラブチルホスホニウムクロリド、テトラブチルホスホニウムヘキサフルオロホスファート、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド、テトラブチルホスホニウムテトラフルオロボラート、テトラブチルホスホニウムテトラフェニルボラート、テトラエチルホスホニウムブロミド、テトラエチルホスホニウムヘキサフルオロホスファート、テトラエチルホスホニウムテトラフルオロボラート、テトラキス（ヒドロキシメチル）ホスホニウムクロリド、テトラキス（ヒドロキシメチル）ホスホニウムスルファート、テトラ−ｎ−オクチルホスホニウムブロミド、
テトラフェニルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムクロリド、テトラフェニルホスホニウムヨージド、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリルボラート、トリブチル（シアノメチル）ホスホニウムクロリド、トリブチル（１，３−ジオキソラン−２−イルメチル）ホスホニウムブロミド、トリブチルドデシルホスホニウムブロミド、トリブチルヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリブチルメチルホスホニウムヨージド、トリブチル−ｎ−オクチルホスホニウムブロミド、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボラート、トリシクロヘキシルホスホニウムテトラフルオロボラート、２−（トリメチルシリル）エトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド、（２−トリメチルシリルエチル）トリフェニルホスホニウムヨージド、（３−トリメチルシリル−２−プロピニル）トリフェニルホスホニウムブロミド、トリフェニルプロパルギルホスホニウムブロミド、トリフェニルプロピルホスホニウムブロミド、トリフェニル（テトラデシル）ホスホニウムブロミド、トリフェニルビニルホスホニウムブロミドなどを挙げることができる。
また、ホスホニウムカチオンを誘導できる、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン化合物などを挙げることができる。
スルホニウム化合物の具体例としては、ジメチルスルホニオプロピオナート、トリメチルスルホニルクロリド、トリメチルスルホニルブロミド、トリメチルスルホニルヨージドなどを挙げることができる。
グアニジニウム化合物の具体例としては、グアニジニウムクロリド、２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルグアニジニウムクロリド、グアニジニウムブロミド、２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルグアニジニウムブロミド、グアニジニウムヒドロキシド、２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルグアニジニウムヒドロキシドなどを挙げることができる。
イソウロニウム化合物の具体例としては、２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソウロニウムクロリド、２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソウロニウムブロミド、２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソウロニウムヒドロキシドなどを挙げることができる。
イソチオウロニウム化合物の具体例としては、２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソチオウロニウムクロリド、２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソチオウロニウムブロミド、２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソチオウロニウムヒドロキシドなどを挙げることができる。
これらのうち、水酸化オニウム化合物が好ましい。水酸化オニウム化合物を用いるとカチオン交換反応ではアンモニアが副生するので、このアンモニアを減圧除去することによって平衡をカチオン交換反応が促進させる状態にすることができる。オニウム化合物を用いると副生する無機塩を濾過や水洗で除去できるので容易に精製することができる。
オニウム化合物の使用量は、化合物〔II〕１モルに対して、好ましくは０．３モル〜１０モル、より好ましくは０．３モル〜５モルである。
カチオン交換反応に用いられる有機アミン化合物としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどの三級アミンや、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタンなどの環状アミンや、トリメチルアミン塩酸塩、トリエチルアミン塩酸塩、トリブチルアミン塩酸塩、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン塩酸塩や、トリメチルアミン臭化水素酸塩、トリエチルアミン臭化水素酸塩、トリブチルアミン臭化水素酸塩などの三級アミン塩や、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン臭化水素酸塩などの環状アミン塩を挙げることができる。
これらのうち、三級アミン、環状アミンが好ましい。三級アミン、環状アミンを用いると、カチオン交換反応ではアンモニアが副生するので、このアンモニアを減圧除去することによって平衡を反応が促進させる状態にすることができる。三級アミン塩、環状アミン塩を用いると副生する無機塩を濾過や水洗で除去できるので容易に精製することができる。
有機アミン化合物の使用量は、化合物〔II〕１モルに対して、好ましくは０．３モル〜１０モル、より好ましくは０．３モル〜５モルである。
カチオン交換反応に用いられる有機溶媒は、特に限定されない。例えば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、ジメトキシメタン、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，３−ジオキサン、４−メチル−１，３−ジオキソラン、メチルホルメート、メチルアセテート、メチルプロピオネート、ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、スルホラン、３−メチルスルホラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルオキサゾリジノン、アセトニトリル、バレロニトリル、ベンゾニトリル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、ニトロメタン、ニトロベンゼンなどの非プロトン性溶媒を好適なものとして挙げることができる。これらの中で、アセトニトリル、酢酸エチル、酢酸イソプロピルまたは酢酸ブチルは、化合物〔I〕とフッ化水素との反応および化合物〔II〕のカチオン交換反応のいずれにも用いることができるので、溶媒の入れ替えを要せず、同一の溶媒で上記反応を続けて行うことができるので、好ましい。
カチオン交換反応時の温度は、特に限定されないが、好ましくは０℃〜２００℃、より好ましくは１０℃〜１００℃である。反応に要する時間は、反応規模によって異なるが、好ましくは０．１時間〜４８時間、より好ましくは０．５時間〜２４時間である。
反応は、常圧下でも実施可能であるが、カチオン交換時に水酸化物イオンを有する化合物を使用する場合、減圧下で実施すると副生するアンモニアが除去され、平衡が偏り、目的物が合成しやすい。減圧する場合、反応圧力は特に限定されないが、大気圧〜０．０１ｔｏｒｒ、が好ましく、０℃〜１００℃で溶媒が還流する程度の減圧度がより好ましい。
反応容器はガラスでもフッ素樹脂やポリエチレン製等の樹脂製でも問題ないが、式〔III〕で表されるフッ素化剤のｐが１以上の場合、ガラス製であると収率低下するため、樹脂製が好ましく、フッ素樹脂製がより好ましい。
上記のカチオン交換反応によって化合物〔IV〕を得ることができる。化合物〔IV〕は、式〔IV〕で表されるフルオロスルホニルイミド塩である。
Figure 0005740466
式〔IV〕中、Ｍn+は金属カチオン、オニウムカチオン（ＮＨ4 +を除く。）を示し、ｎは金属カチオンまたはオニウムカチオン（ＮＨ4 +を除く。）の価数に相当し且つ１〜４のいずれかの整数（好ましくは１〜３のいずれかの整数）を示し、Ｒ2は式〔II〕におけるものと同じものを示す。
金属カチオンとしては、特に制限されないが、アルカリ金属カチオンであるのが好ましい。アルカリ金属カチオンとしては、リチウムカチオン、ナトリウムカチオン、カリウムカチオン、ルビジウムカチオン、セシウムカチオンを挙げることができる。これらのうちリチウムカチオン、ナトリウムカチオン、カリウムカチオンが好ましい。
オニウムカチオン（ＮＨ4 +カチオンを除く。）としては、ホスホニウムカチオン、オキソニウムカチオン、スルホニウムカチオン、フルオロニウムカチオン、クロロニウムカチオン、ブロモニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、セレノニウムカチオン、テルロニウムカチオン、アルソニウムカチオン、スチボニウムカチオン、ビスムトニウムカチオン； イミニウムカチオン、ジアゼニウムカチオン、ニトロニウムカチオン、ジアゾニウムカチオン、ニトロソニウムカチオン、ヒドラゾニウムジカチオン、ジアゼニウムジカチオン、ジアゾニウムジカチオン； イミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン、４級アンモニウムカチオン、３級アンモニウムカチオン、２級アンモニウムカチオン、１級アンモニウムカチオン、ピペリジニウムカチオン、ピロリジニウムカチオン、モルホリニウムカチオン、ピラゾリウムカチオン、グアニジニウムカチオン、イソウロニウムカチオン、イソチオウロニウムカチオンなどを挙げることができる。
オニウムカチオンは、有機基を有するオニウムカチオン、すなわち有機オニウムカチオンが好ましい。有機基としては、飽和または不飽和炭化水素基などを挙げることができる。飽和または不飽和炭化水素基は、直鎖、分岐鎖または環状のものであってもよい。飽和または不飽和炭化水素基は、それを構成する炭素原子の数が、好ましくは１〜１８個、より好ましくは１〜８個である。有機基は、それを構成する原子または原子団として、好ましくは、水素原子、フッ素原子、アミノ基、イミノ基、アミド基、エーテル基、水酸基、エステル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルバモイル基、シアノ基、スルホン基、スルフィド基、 窒素原子、酸素原子、または硫黄原子を； より好ましくは、水素原子、フッ素原子、エーテル基、水酸基、シアノ基またはスルホン基を有するものである。これら原子若しくは原子団は１個だけ有してもよいし、２個以上有してもよい。なお、２個以上の有機基が結合している場合は、当該結合は、有機基の主骨格間に形成されたものでも、また、有機基の主骨格と上述の原子団との間、あるいは、上記原子団間に形成されたものであっても良い。
有機基を有するオニウムカチオンとしては、１，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−プロピル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−ペンチル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−ヘプチル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−オクチル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−デシル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−テトラデシル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−ヘキサデシル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−オクタデシル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−アリル−３−エチルイミダゾリウムカチオン、１−アリル−３−ブチルイミダゾリウムカチオン、１，３−ジアリルイミダゾリウムカチオン、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン、１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン、１−ヘキシル−２，３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−ヘキサデシル−２，３−メチルイミダゾリウムカチオンなどのイミダゾリウムカチオン；
１−エチルピリジニウムカチオン、１−ブチルピリジニウムカチオン、１−ヘキシルピリジニウムカチオン、１−オクチルピリジニウムカチオン、１−エチル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−エチル−３−ヒドロキシメチルピリジニウムカチオン、１−ブチル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−ブチル−４−メチルピリジニウムカチオン、１−オクチル−４−メチルピリジニウムカチオン、１−ブチル−３，４−ジメチルピリジニウムカチオン、１−ブチル−３，５−ジメチルピリジニウムカチオンなどのピリジニウムカチオン；
テトラメチルアンモニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオン、テトラプロピルアンモニウムカチオン、テトラブチルアンモニウムカチオン、テトラヘプチルアンモニウムカチオン、テトラヘキシルアンモニウムカチオン、テトラオクチルアンモニウムカチオン、トリエチルメチルアンモニウムカチオン、プロピルトリメチルアンモニウムカチオン、ジエチル−２−メトキシエチルメチルアンモニウムカチオン、メチルトリオクチルアンモニウムカチオン、シクロヘキシルトリメチルアンモニウムカチオン、２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムカチオン、トリメチルフェニルアンモニウムカチオン、ベンジルトリメチルアンモニウムカチオン、ベンジルトリブチルアンモニウムカチオン、ベンジルトリエチルアンモニウムカチオン、ジメチルジステアリルアンモニウムカチオン、ジアリルジメチルアンモニウムカチオン、２−メトキシエトキシメチルトリメチルアンモニウムカチオン、テトラキス（ペンタフルオロエチル）アンモニウムカチオンなどの４級アンモニウムカチオン；
トリメチルアンモニウムカチオン、トリエチルアンモニウムカチオン、トリブチルアンモニウムカチオン、ジエチルメチルアンモニウムカチオン、ジメチルエチルアンモニウムカチオン、ジブチルメチルアンモニウムカチオン、４−アザ−１−アゾニアビシクロ［２．２．２］オクタンカチオンなどの３級アンモニウムカチオン；
ジメチルアンモニウムカチオン、ジエチルアンモニウムカチオン、ジブチルアンモニウムカチオンなどの２級アンモニウムカチオン；
メチルアンモニウムカチオン、エチルアンモニウムカチオン、ブチルアンモニウムカチオン、ヘキシルアンモニウムカチオン、オクチルアンモニウムカチオンなどの１級アンモニウムカチオン；
Ｎ−メトキシトリメチルアンモニウムカチオン、Ｎ−エトキシトリメチルアンモニウムカチオン、Ｎ−プロポキシトリメチルアンモニウムなどの有機アンモニウムカチオン；
１−プロピル−１−メチルピペリジニウムカチオン、１−（２−メトキシエチル）−１−メチルピペリジニウムカチオンなどのピペリジニウムカチオン；
１−プロピル−１−メチルピロリジニウムカチオン、１−ブチル−１−メチルピロリジニウムカチオン、１−ヘキシル−１−メチルピロリジニウムカチオン、１−オクチル−１−メチルピロリジニウムカチオンなどのピロリジニウムカチオン；
４−プロピル−４−メチルモルホリニウムカチオン、４−（２−メトキシエチル）−４−メチルモルホリニウムカチオンなどのモルホリニウムカチオン；
２−エチル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムカチオン、２−プロピル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムカチオン、２−ブチル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムカチオン、２−ヘキシル−１，３，５−トリメチルピラゾリウムカチオンなどのピラゾリウムカチオン；
グアニジニウム、２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルグアニジニウムカチオンなどのグアニジウムカチオン；
トリメチルスルホニウムカチオンなどのスルホニウムカチオン；
トリヘキシルテトラデシルホスホニウムカチオンなどのホスホニウムカチオン；
２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソウロニウムカチオンなどのイソウロニウムカチオン；および
２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソチオウロニウムカチオンなどのイソチオウロニウムカチオン；を挙げることができる。
これらのうち、オニウムカチオンは、電解質特性などを低下させる金属元素を含まないものであることが好ましい。具体的には、１，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−オクチル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−アリル−３−エチルイミダゾリウムカチオン、１−アリル−３−ブチルイミダゾリウムカチオン、１，３−ジアリルイミダゾリウムカチオン、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン、１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン、１−ヘキシル−２，３−ジメチルイミダゾリウムカチオンなどのイミダゾリウムカチオン； プロピルトリメチルアンモニウムカチオン、ジエチル−２−メトキシエチルメチルアンモニウムカチオン、メチルトリオクチルアンモニウムカチオン、シクロヘキシルトリメチルアンモニウムカチオン、２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムカチオン、トリメチルアンモニウムカチオン、トリエチルアンモニウムカチオン、トリブチルアンモニウムカチオン、４−アザ−１−アゾニアビシクロ［２．２．２］オクタンカチオンなどの有機アンモニウムカチオンが好ましい。
化合物〔IV〕の具体例としては、ジ（フルオロスルホニル）イミドリチウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミドリチウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドリチウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミドリチウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミドカリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミドカリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドカリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミドカリウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミドナトリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミドナトリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドナトリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミドナトリウム塩；
ジ（フルオロスルホニル）イミド１，３−ジメチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１，３−ジメチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１，３−ジメチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１，３−ジメチルイミダゾリウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミド１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミド１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミド１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム塩；
ジ（フルオロスルホニル）イミド１−オクチル−３−メチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−オクチル−３−メチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−オクチル−３−メチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−オクチル−３−メチルイミダゾリウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミド１−アリル−３−エチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−アリル−３−エチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−アリル−３−エチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−アリル−３−エチルイミダゾリウム塩；
ジ（フルオロスルホニル）イミド１−アリル−３−ブチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−アリル−３−ブチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−アリル−３−ブチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−アリル−３−ブチルイミダゾリウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミド１，３−ジアリルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１，３−ジアリルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１，３−ジアリルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１，３−ジアリルイミダゾリウム塩；
ジ（フルオロスルホニル）イミド１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩；
ジ（フルオロスルホニル）イミド１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミド１−ヘキシル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−ヘキシル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−ヘキシル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−ヘキシル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩；
ジ（フルオロスルホニル）イミド１−ブチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−ブチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−ブチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−ブチルピリジニウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミド１−ヘキシルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−ヘキシルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−ヘキシルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−ヘキシルピリジニウム塩；
ジ（フルオロスルホニル）イミド１−オクチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−オクチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−オクチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−オクチルピリジニウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミド１−エチル−３−メチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−エチル−３−メチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−エチル−３−メチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−エチル−３−メチルピリジニウム塩；
ジ（フルオロスルホニル）イミド１−ブチル−３−メチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−ブチル−３−メチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−ブチル−３−メチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−ブチル−３−メチルピリジニウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミド１−ブチル−４−メチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−ブチル−４−メチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−ブチル−４−メチルピリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−ブチル−４−メチルピリジニウム塩；
ジ（フルオロスルホニル）イミドジエチル−２−メトキシエチルメチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミドジエチル−２−メトキシエチルメチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドジエチル−２−メトキシエチルメチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミドジエチル−２−メトキシエチルメチルアンモニウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミドメチルトリオクチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミドメチルトリオクチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドメチルトリオクチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミドメチルトリオクチルアンモニウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミドシクロヘキシルトリメチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミドシクロヘキシルトリメチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドシクロヘキシルトリメチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミドシクロヘキシルトリメチルアンモニウム塩；
ジ（フルオロスルホニル）イミドトリメチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミドトリメチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドトリメチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミドトリメチルアンモニウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミドトリエチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミドトリエチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドトリエチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミドトリエチルアンモニウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミドトリブチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミドトリブチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドトリブチルアンモニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミドトリブチルアンモニウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミド４−アザ−１−アゾニアビシクロ［２．２．２］オクタン塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド４−アザ−１−アゾニアビシクロ［２．２．２］オクタン塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド４−アザ−１−アゾニアビシクロ［２．２．２］オクタン塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド４−アザ−１−アゾニアビシクロ［２．２．２］オクタン塩；
ジ（フルオロスルホニル）イミド１−プロピル−１−メチルピペリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−プロピル−１−メチルピペリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−プロピル−１−メチルピペリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−プロピル−１−メチルピペリジニウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミド１−プロピル−１−メチルピロリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−プロピル−１−メチルピロリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド１−プロピル−１−メチルピロリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−プロピル−１−メチルピロリジニウム塩や、ジ（フルオロスルホニル）イミド１−ブチル−１−メチルピロリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１−ブチル−１−メチルピロリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド １−ブチル−１−メチルピロリジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド１−ブチル−１−メチルピロリジニウム塩；
ジ（フルオロスルホニル）イミド４−プロピル−４−メチルモルホリニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド４−プロピル−４−メチルモルホリニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド４−プロピル−４−メチルモルホリニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド４−プロピル−４−メチルモルホリニウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミド２−ブチル−１，３，５−トリメチルピラゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド２−ブチル−１，３，５−トリメチルピラゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド２−ブチル−１，３，５−トリメチルピラゾリウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド２−ブチル−１，３，５−トリメチルピラゾリウム塩；
ジ（フルオロスルホニル）イミド２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルグアニジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド ２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルグアニジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルグアニジニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルグアニジニウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミドトリメチルスルホニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミドトリメチルスルホニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドトリメチルスルホニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミドトリメチルスルホニウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミドトリヘキシルテトラデシルホスホニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミドトリヘキシルテトラデシルホスホニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドトリヘキシルテトラデシルホスホニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミドトリヘキシルテトラデシルホスホニウム塩；
ジ（フルオロスルホニル）イミド２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソウロニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソウロニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソウロニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソウロニウム塩； ジ（フルオロスルホニル）イミド２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソチオウロニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル）イミド２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソチオウロニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソチオウロニウム塩、Ｎ−（フルオロスルホニル）−Ｎ−（ペルフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル）イミド２−エチル−１，１，３，３−テトラメチルイソチオウロニウム塩を挙げることができる。
本発明の製造方法に従って得られる化合物〔IV〕は、電解質特性などを低下させる金属不純物の混入量が従来法で得られるものに比べて少ないので、一次電池、リチウムイオン二次電池などの二次電池、電解コンデンサ、電気二重層キャパシタ、燃料電池、太陽電池、エレクトロクロミック素子などの電気化学デバイスを構成するイオン伝導体の材料として好適に用いることができる。
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例によって制限を受けるものではなく、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適宜に変更を加えて実施することが勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
合成例１
（ジ（クロロスルホニル）イミドの合成）
攪拌器、温度計および還流管を取り付けた５００ｍｌの反応容器に、クロロスルホン酸（ＣｌＳＯ3Ｈ）１２３．９ｇ（１．１０ｍｏｌ）、クロロスルホニルイソシアネート９８．１ｇ（０．７０ｍｏｌ）を仕込んだ。この混合液を撹拌下で２．５時間かけて１３０℃まで昇温し、同温度で９時間反応させた。反応終了後、減圧蒸留を行って９８．５℃〜１０１℃／４．２ｔｏｒｒの留分を分取した。ジ（クロロスルホニル）イミドが無色透明な液状物として７７．９ｇ（０．３６ｍｏｌ）得られた。
実施例１
（ジ（フルオロスルホニル）イミドアンモニウム塩の合成）
フッ素樹脂製反応容器に、合成例１で得られたジ（クロロスルホニル）イミド１．０７ｇ（５．０ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これにアセトニトリル１０ｍｌおよびＮＨ4Ｆ０．８９ｇ（２４．０ｍｍｏｌ）を添加し、８０〜８４℃で４時間還流して反応させた。反応終了後、室温に冷却し、不溶物を濾過し、アセトニトリル１０ｍｌで洗浄した。次いで、溶媒を減圧下で留去した。得られた物質を19Ｆ−ＮＭＲで定量分析したところ、ジ（フルオロスルホニル）イミドアンモニウム塩０．９５ｇ（４．８ｍｍｏｌ）を含有していることを確認した。
実施例２
（ジ（フルオロスルホニル）イミドアンモニウム塩の合成）
フッ素樹脂製反応容器に、合成例１で得られたジ（クロロスルホニル）イミド１．０７ｇ（５．０ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これにアセトニトリル１０ｍｌおよびＮＨ4Ｆ ＨＦ１．３７ｇ（２４．０ｍｍｏｌ）を添加し、８０〜８４℃で４時間還流して反応させた。反応終了後、室温に冷却し、不溶物を濾過し、アセトニトリル１０ｍｌで洗浄した。次いで、溶媒を減圧下で留去した。得られた物質を19Ｆ−ＮＭＲで定量分析したところ、ジ（フルオロスルホニル）イミドアンモニウム塩０．９４ｇ（４．８ｍｍｏｌ）を含有していることを確認した。
実施例３
（ジ（フルオロスルホニル）イミドカリウム塩の合成）
反応容器に、ジ（フルオロスルホニル）イミドアンモニウム塩１．９８ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、酢酸ブチル１０ｍｌ、および水酸化カリウム１．４０ｇ（２５．０ｍｍｏｌ）の２０％水溶液を仕込み、６５ｔｏｒｒ、３７℃で１時間還流した。反応液を２５℃に冷却した。その後、分液し、水相を酢酸ブチル１０ｍｌで３回抽出した。各抽出操作において得られた有機相を混ぜ合わせ、減圧下で溶媒を留去した。ジ（フルオロスルホニル）イミドカリウム塩１．９３ｇが得られた。陽イオンクロマトで定量分析した結果、生成物のすべては、カリウム塩であり、アンモニウムイオンを含まないものであった。
実施例４
（ジ（フルオロスルホニル）イミドリチウム塩の合成）
ジ（フルオロスルホニル）イミドアンモニウム塩３．８ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）に、酢酸ブチル３８ｍｌ、水酸化リチウム・１水和物２．４ｇ（５６．７ｍｍｏｌ）および水１４．３ｍｌを添加し、７５ｔｏｒｒ、４０℃で１時間加熱還流した。反応液を２５℃に冷却した。その後、分液し、水相を酢酸ブチル１９ｍｌで３回抽出した。各抽出操作において得られた有機相を混ぜ合わせ、水１．５ｍｌで洗浄した。その後、減圧下で溶媒を留去した。ジ（フルオロスルホニル）イミドリチウム塩３．４ｇが得られた。陽イオンクロマトで定量分析した結果、生成物のすべてがリチウム塩であり、アンモニウムイオンを含まないものであった。
実施例５
（ジ（フルオロスルホニル）イミドナトリウム塩の合成）
ジ（フルオロスルホニル）イミドアンモニウム塩１５．８ｇ（７９．８ｍｍｏｌ）に、酢酸ブチル１６０ｍｌ、および水酸化ナトリウム４０．０ｇ（２００．０ｍｍｏｌ）の２０％水溶液を添加し、６５ｔｏｒｒ、３７℃で１時間加熱還流した。反応液を２５℃に冷却した。その後、分液し、水相を酢酸ブチル８０ｍｌで３回抽出した。各抽出操作において得られた有機相を混ぜ合わせ、減圧下で溶媒を留去した。これに塩化メチレン８０ｍｌを添加し、室温で１５分間撹拌した。その後、結晶を濾別した。得られた結晶を塩化メチレン８０ｍｌで洗浄し、室温で減圧乾燥させた。ジ（フルオロスルホニル）イミドナトリウム塩１３．４ｇが得られた。陽イオンクロマトで定量分析した結果、生成物のすべてがナトリウム塩であり、アンモニウムイオンを含まないものであった。
本発明によれば、フルオロスルホニルイミドアンモニウム塩を工業的に効率よく製造することができる。また、このようにして得られたフルオロスルホニルイミドアンモニウム塩をカチオン交換反応させることによって電解質特性などを低下させる金属不純物を含まない他のフルオロスルホニルイミド塩を製造することができる。

Claims (1)

  1. 式〔I〕：
    Figure 0005740466
     （式〔I〕中、Ｒ１は、１〜６個の炭素原子を有するフッ化アルキル基、フッ素原子、または塩素原子を示す。）
    で表される化合物と、式〔III〕：
    Figure 0005740466
     （式〔III〕中、ｐは０〜１０いずれかの実数を示す。）
    で表されるフッ素化剤とを反応させて得られた、式〔II〕：
    Figure 0005740466
     （式〔II〕中、Ｒ２は、１〜６個の炭素原子を有するフッ化アルキル基、またはフッ素原子を示す。）
    で表される、フルオロスルホニルイミドアンモニウム塩に、
    アルカリ金属水酸化物を、減圧下で反応させることを含む、式〔IV〕：
    Figure 0005740466
     （式〔IV〕中、Ｍ ｎ＋ はアルカリ金属カチオンを示し、ｎは１であり、Ｒ ２ は式〔II〕におけるものと同じものを示す。）
    で表されるフルオロスルホニルイミド塩の製造方法。
JP2013502286A 2011-03-03 2012-02-24 フルオロスルホニルイミド塩の製造方法 Active JP5740466B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013502286A JP5740466B2 (ja) 2011-03-03 2012-02-24 フルオロスルホニルイミド塩の製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011046738 2011-03-03
JP2011046738 2011-03-03
JP2013502286A JP5740466B2 (ja) 2011-03-03 2012-02-24 フルオロスルホニルイミド塩の製造方法
PCT/JP2012/054566 WO2012117961A1 (ja) 2011-03-03 2012-02-24 フルオロスルホニルイミドアンモニウム塩の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015089637A Division JP5886998B2 (ja) 2011-03-03 2015-04-24 フルオロスルホニルイミド塩の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2012117961A1 JPWO2012117961A1 (ja) 2014-07-07
JP5740466B2 true JP5740466B2 (ja) 2015-06-24

Family

ID=46757898

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013502286A Active JP5740466B2 (ja) 2011-03-03 2012-02-24 フルオロスルホニルイミド塩の製造方法
JP2015089637A Active JP5886998B2 (ja) 2011-03-03 2015-04-24 フルオロスルホニルイミド塩の製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015089637A Active JP5886998B2 (ja) 2011-03-03 2015-04-24 フルオロスルホニルイミド塩の製造方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US9096502B2 (ja)
EP (2) EP3170789B1 (ja)
JP (2) JP5740466B2 (ja)
KR (2) KR20150061024A (ja)
CN (1) CN103391896A (ja)
CA (1) CA2826547C (ja)
ES (2) ES2670053T3 (ja)
SG (1) SG192219A1 (ja)
TW (1) TWI461392B (ja)
WO (1) WO2012117961A1 (ja)

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG192235A1 (en) 2011-03-03 2013-09-30 Nippon Soda Co Process for producing fluorine-containing sulfonylimide salt
US9181173B2 (en) 2012-11-16 2015-11-10 Trinapco, Inc. Synthesis of tetrabutylammonium bis(fluorosulfonyl)imide and related salts
JP2014105115A (ja) * 2012-11-22 2014-06-09 Mitsubishi Materials Corp 高純度ビス（フルオロスルホニル）イミドおよびその製造方法
CA2904489C (en) 2013-03-18 2017-02-14 Nippon Soda Co., Ltd. Method for producing disulfonylamine alkali metal salt
JP2016212947A (ja) * 2013-10-17 2016-12-15 日本曹達株式会社 ジスルホニルアミド塩およびその製造方法
WO2015072353A1 (ja) 2013-11-18 2015-05-21 日本曹達株式会社 ジスルホニルアミド塩の顆粒または粉末、およびその製造方法
FR3014438B1 (fr) * 2013-12-05 2017-10-06 Rhodia Operations Procede de preparation d'un compose fluore et soufre et de ses sels en milieu aqueux
CN103935970A (zh) * 2014-03-24 2014-07-23 深圳新宙邦科技股份有限公司 双氟磺酰亚胺及其碱金属盐的制备方法
CN104230722A (zh) * 2014-03-31 2014-12-24 深圳新宙邦科技股份有限公司 双氟磺酰亚胺鎓盐的制备方法
FR3022695A1 (fr) * 2014-06-18 2015-12-25 Rhodia Operations Procede de recuperation d'un sel d'electrolyte
JP6577317B2 (ja) * 2014-09-30 2019-09-18 株式会社日本触媒 フルオロスルホニルイミド化合物の製造方法
JP6645855B2 (ja) * 2015-02-03 2020-02-14 株式会社日本触媒 フルオロスルホニルイミド化合物の製造方法
US20160289169A1 (en) * 2015-04-02 2016-10-06 Coorstek Fluorochemicals, Inc. N-substituted glycinium bis(fluorosulfonyl)imide ionic liquid
WO2016160857A1 (en) * 2015-04-03 2016-10-06 Coorstek Flourochemicals, Inc. N-substituted glycinium (fluorosulfonyl)(trifluoromethylsulfony)imide compound
KR20180083896A (ko) 2015-11-13 2018-07-23 론자 리미티드 비스(플루오로설포닐)-이미드 및 그 염의 제조 방법
KR101718292B1 (ko) * 2015-11-26 2017-03-21 임광민 리튬 비스(플루오르술포닐)이미드의 신규한 제조방법
JP2019089663A (ja) * 2016-03-31 2019-06-13 セントラル硝子株式会社 ビス（ハロゲン化スルホニル）イミド酸金属塩の製造方法
US20190152792A1 (en) * 2016-05-26 2019-05-23 Morita Chemical Industries Co., Ltd. Method for producing bis(fluorosulfonyl)imide alkali metal salt and bis(fluorosulfonyl)imide alkali metal salt composition
CN106006586B (zh) * 2016-05-27 2018-10-19 上海康鹏科技有限公司 一种双氟磺酰亚胺钾的制备方法
CN106044728B (zh) * 2016-05-27 2018-07-27 上海康鹏科技有限公司 一种双氟磺酰亚胺锂盐的制备方法
US11345657B2 (en) 2016-10-19 2022-05-31 Hydro-Quebec Sulfamic acid derivatives and processes for their preparation
CN106800280B (zh) * 2016-12-29 2018-11-27 衢州康鹏化学有限公司 一种双（氟磺酰基）亚胺盐的制备方法
KR101955452B1 (ko) * 2017-04-28 2019-03-11 주식회사 천보 비스(플루오로술포닐)이미드염의 제조방법
CN107244662B (zh) * 2017-05-31 2019-03-15 上海康鹏科技有限公司 一种双（氟代磺酰基）亚胺钾盐的制备方法
KR101955096B1 (ko) * 2017-06-26 2019-03-06 임광민 매우 간단하고 효율적인 리튬 비스(플루오로술포닐)이미드의 새로운 제조방법
WO2019104016A1 (en) * 2017-11-21 2019-05-31 Nitto Denko Corporation Imidazolium fluorosulfonylimide ionic adhesive compositions and selective debonding thereof
KR102223112B1 (ko) * 2017-11-24 2021-03-04 파미셀 주식회사 플루오로설포닐이미드 알칼리 금속염 및 이의 제조 방법
CN109911870A (zh) * 2017-11-28 2019-06-21 株式会社日本触媒 磺酰亚胺化合物、其制造方法、电解质组合物、电解液及锂离子电池
JP7051512B2 (ja) * 2018-03-22 2022-04-11 Ｍｕアイオニックソリューションズ株式会社 非水電解液用カチオン、非水電解液、それを用いた蓄電デバイス、及びそれに用いるホスホニウム塩
JP6921464B2 (ja) 2018-04-10 2021-08-18 エルジー・ケム・リミテッド リチウムビス（フルオロスルホニル）イミド塩の製造方法
FR3081723B1 (fr) * 2018-06-01 2022-04-15 Arkema France Procede de purification d'un sel de lithium de bis(fluorosulfonyl)imide
US10577327B2 (en) * 2018-06-11 2020-03-03 King Abdulaziz University Pyridine based ionic fluoride for catalyzing indole and tetrazole formation
KR101982602B1 (ko) * 2018-09-11 2019-05-27 주식회사 천보 불소 음이온의 함유량이 저감된 비스(플루오로설포닐)이미드 리튬염(LiFSI)의 제조 방법(1)
KR20200049164A (ko) 2018-10-31 2020-05-08 (주)씨엘에스 매우 효율적인 리튬 비스(플루오로술포닐)이미드의 새로운 제조방법
WO2020099527A1 (en) * 2018-11-16 2020-05-22 Solvay Sa Method for producing alkali sulfonyl imide salts
FR3088931B1 (fr) * 2018-11-28 2021-01-22 Arkema France Procédé de préparation du sel de lithium de bis(fluorosulfonyl)imide
KR102729560B1 (ko) * 2019-04-08 2024-11-14 가부시기가이샤 닛뽕쇼꾸바이 알칼리 금속 비스(플루오로술포닐)이미드 수용액, 수용액이 든 용기, 및 당해 수용액의 보관 또는 수송 방법
CN109941978B (zh) * 2019-04-25 2020-08-18 浙江科峰锂电材料科技有限公司 制备双氟磺酰亚胺铵及双氟磺酰亚胺碱金属盐的方法
FR3096367B1 (fr) 2019-05-22 2021-04-23 Arkema France Procede de preparation de sel d’ammonium contenant un groupement fluorosulfonyle
HUE065608T2 (hu) * 2019-06-26 2024-06-28 Syensqo Sa Eljárás a bisz(fluorszulfonil)-imid alkálisóinak elõállítására
JP2022510124A (ja) * 2019-08-22 2022-01-26 フジアン ヨンジン テクノロジー カンパニー リミテッド リチウムイオン電池用のフッ素化導電性塩の新しい合成プロセス
KR20220084067A (ko) 2019-10-15 2022-06-21 솔베이(소시에떼아노님) 비스(플루오로설포닐)이미드 염 및 이의 제조 방법
KR102175800B1 (ko) 2019-10-18 2020-11-06 주식회사 이브이에스텍 비스(플루오로술포닐)이미드 금속염의 신규한 제조방법
CN110697668B (zh) 2019-11-20 2021-08-06 上海如鲲新材料有限公司 一种高纯度双氟磺酰亚胺盐的制备方法
CN116390894A (zh) 2020-09-10 2023-07-04 索尔维公司 双(氟磺酰基)酰亚胺盐的纯化
US20240051828A1 (en) * 2020-12-16 2024-02-15 Rhodia Operations Method for producing onium sulfonyl imide salts and alkali metal sulfonyl imide salts
US11772967B2 (en) 2021-01-07 2023-10-03 Honeywell International Inc. Integrated processes for treatment of an ammonium fluorosulfate byproduct of the production of bis (fluorosulfonyl) imide
EP4296224A4 (en) 2021-03-01 2025-04-23 Nippon Shokubai Co., Ltd. METHOD FOR PRODUCING AN ELECTROLYTE COMPACT AND ELECTROLYTE COMPACT
JP2024514889A (ja) * 2021-04-12 2024-04-03 イーピー ケミテック カンパニー，リミテッド セシウムイオンまたはルビジウムイオンを含むビスフルオロスルホニルイミドリチウム塩
JP2024525134A (ja) 2021-06-10 2024-07-10 スペシャルティ オペレーションズ フランス ビス（フルオロスルホニル）イミドの塩を調製するための無溶媒方法
CN117480114A (zh) 2021-06-30 2024-01-30 株式会社日本触媒 磺酰亚胺水溶液的精制方法、非水电解液的制造方法及电解质组合物的制造方法
KR20240026207A (ko) 2021-06-30 2024-02-27 가부시키가이샤 닛폰 쇼쿠바이 비수전해액의 제조방법
JP7664393B2 (ja) 2021-06-30 2025-04-17 株式会社日本触媒 組成物の製造方法及び非水電解液
KR20240051958A (ko) 2021-08-27 2024-04-22 스페셜티 오퍼레이션스 프랑스 플루오로설포닐이미드 염을 제조하기 위한 반응 증류 공정
EP4151592A1 (en) 2021-09-15 2023-03-22 Rhodia Operations Solvent-free process for preparing a salt of bis(fluorosulfonyl)imide
DE102022000314A1 (de) 2022-01-27 2023-07-27 Gerhard Ellsässer Automatisches System für das heckseitige Be- und Entladen von Güterverkehrsfahrzeugen
KR20240160576A (ko) 2022-03-07 2024-11-11 스페셜티 오퍼레이션스 프랑스 알칼리 설포닐 이미드 염을 생산하는 방법
CN118843599A (zh) 2022-03-07 2024-10-25 法国特种经营公司 用于生产氟磺酰基酰亚胺锂盐的方法
CN114590785B (zh) * 2022-04-18 2023-01-06 湖北万润新能源科技股份有限公司 一种双氟磺酰亚胺锂的制备方法、锂离子电池
CA3244342A1 (en) 2022-04-21 2023-10-26 Specialty Operations France PROCESS FOR MANUFACTURING LITHIUM SALT OF BIS(FLUOROSULFONYL)IMIDE IN SOLID FORM
WO2023202920A1 (en) 2022-04-21 2023-10-26 Specialty Operations France Process for manufacture lithium salt of bis(fluorosulfonyl)imide in solid form
CA3246752A1 (en) 2022-04-21 2023-10-26 Specialty Operations France PROCESS FOR PURIFICATION OF A LITHIUM SALT OF BIS(FLUOROSULFONYL)IMIDE
MA71316A (fr) 2022-07-01 2025-04-30 Centre National De La Recherche Scientifique Procédé de fluoration de bis(chlorosulfonyl)imide d'hydrogène en phase gazeuse
CN116374965B (zh) * 2023-02-08 2024-12-24 浙江健立化学有限公司 一种非均相催化合成双氟磺酰亚胺锂关键中间体的方法
EP4470972A1 (en) 2023-06-02 2024-12-04 Specialty Operations France Process for producing onium salts of bis(fluorosulfonyl)imide
CN116854614A (zh) * 2023-06-28 2023-10-10 万华化学集团股份有限公司 一种双三氟甲基磺酰亚胺的制备方法
WO2025032030A1 (en) 2023-08-07 2025-02-13 Specialty Operations France High purity ammonium bis(fluorosulfonyl)imide and method for its manufacturing
WO2025132314A1 (en) 2023-12-20 2025-06-26 Specialty Operations France Method for fluorinating hydrogen bis(chlorosulfonyl)imide in gas phase
WO2025132313A1 (en) 2023-12-20 2025-06-26 Specialty Operations France Method for fluorinating hydrogen bis(chlorosulfonyl)imide in gas phase

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3882128A (en) * 1969-01-03 1975-05-06 Petrolite Corp Isocyanated imides of hydrocarbon anhydrides and blends thereof
DE3039021A1 (de) 1980-10-16 1982-05-13 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von alkalisalzen der imidodisulfonsaeure
JP3878206B2 (ja) 1994-03-21 2007-02-07 サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・シャンティフィク 良好な耐食性を示すイオン性伝導材料
JPH1149742A (ja) * 1997-08-01 1999-02-23 Daikin Ind Ltd ２−（トリフルオロメチルチオ）ビフェニルの製造方法、及びその合成中間体とその製造方法
CA2283670C (fr) * 1998-02-03 2011-06-07 Acep Inc. Materiaux utiles en tant que solutes electrolytiques
JP2001031598A (ja) * 1999-07-19 2001-02-06 Nippon Shokubai Co Ltd 含フッ素芳香族化合物およびその中間体の製造方法
JP2009292728A (ja) * 2006-09-22 2009-12-17 Asahi Glass Co Ltd 新規なクロロフルオロスルホンイミド類およびその製造方法
JP4660596B2 (ja) * 2009-01-22 2011-03-30 株式会社日本触媒 フルオロスルホニルイミド類およびその製造方法
JP5208782B2 (ja) 2009-01-22 2013-06-12 株式会社日本触媒 フルオロスルホニルイミド類およびその製造方法
WO2009123328A1 (en) 2008-03-31 2009-10-08 Nippon Shokubai Co., Ltd. Sulfonylimide salt and method for producing the same
KR101291903B1 (ko) * 2008-07-23 2013-07-31 다이이치 고교 세이야쿠 가부시키가이샤 비스(플루오로설포닐)이미드 음이온 화합물의 제조 방법과 이온대화합물
WO2012108284A1 (ja) 2011-02-10 2012-08-16 日本曹達株式会社 フルオロスルホニルイミドアンモニウム塩の製造方法
SG192235A1 (en) 2011-03-03 2013-09-30 Nippon Soda Co Process for producing fluorine-containing sulfonylimide salt

Also Published As

Publication number Publication date
SG192219A1 (en) 2013-09-30
WO2012117961A1 (ja) 2012-09-07
KR20150061024A (ko) 2015-06-03
CA2826547A1 (en) 2012-09-07
EP2660196B1 (en) 2017-05-03
KR20130114738A (ko) 2013-10-17
CN103391896A (zh) 2013-11-13
EP3170789B1 (en) 2018-04-18
TW201240954A (en) 2012-10-16
JPWO2012117961A1 (ja) 2014-07-07
ES2634678T3 (es) 2017-09-28
JP5886998B2 (ja) 2016-03-16
TWI461392B (zh) 2014-11-21
US9096502B2 (en) 2015-08-04
EP2660196A1 (en) 2013-11-06
CA2826547C (en) 2016-03-22
EP3170789A1 (en) 2017-05-24
JP2015157758A (ja) 2015-09-03
KR101702656B1 (ko) 2017-02-03
US20130331609A1 (en) 2013-12-12
EP2660196A4 (en) 2014-06-25
ES2670053T3 (es) 2018-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5740466B2 (ja) フルオロスルホニルイミド塩の製造方法
JP5729885B2 (ja) フルオロスルホニルイミド塩の製造方法
JP5723439B2 (ja) フッ素含有スルホニルイミド塩の製造方法
JP6339091B2 (ja) フルオロスルホニル基を含むイミド塩を調製するための方法
JP5208782B2 (ja) フルオロスルホニルイミド類およびその製造方法
JP2024532337A (ja) フルオロスルホニルイミド塩を調製するための反応蒸留プロセス

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140819

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141014

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150414

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150427

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5740466

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250