JP5740866B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ボンディングワイヤが電気的に接続されたリードフレームが封止部材により封止される半導体装置の製造方法に関するものである。

従来、ボンディングワイヤが電気的に接続されたリードフレームが封止部材により封止される半導体装置の製造方法に関する技術として、下記特許文献１に開示されるリードオンチップ用リードフレームが知られている。このリードフレームは、封止前では、一方のタイバーに連結したインナーリードの先端部の一方の角部より、ボンディングパッド上方を迂回するように反対側のタイバーに向かって延びた連結用リード部が、連結部分において対向する反対側のタイバーと連結している。同様に、ボンディングパッド上方の空間を挟んで対向し合った他方のインナーリードの先端部の一方の角部より、ボンディングパッド上方を迂回するように反対側のタイバーに向かって延びた連結用リード部が、連結部分において対向する反対側のタイバーと連結している。これにより、インナーリードの強度が補強されて、インナーリードの先端部のばたつきや横ずれを抑制して、ワイヤボンディング強度を向上している。

そして、インナーリードの先端部とボンディングパッドとに対してワイヤボンディングを行った後は、樹脂によって、半導体素子の表面とその上方にあたるインナーリードの一部分とダイパッドとを封止する。その後、タイバーカット部を切断する際に、封止後露出している連結用リード部の一部と、当該連結用リード部と反対側のタイバーとの連結部分とを切断して、インナーリードないし連結用リード部と反対側のタイバーとを分離している。

また、下記特許文献２に開示されるリードフレームでは、以下のようにして半導体装置を製造する。まず、リードフレームのダイパッド上へ半導体チップを固定させ、インナーリードと半導体チップ上の電極パッドとを金線を介して電気的に接続した後、これらを組み立てた状態で金型内に設置して封止樹脂を流し込んでパッケージに組み込む。そして、タイバーを切断し、アウターリードを互いに切り離した後に、吊りリードと外枠の境界部を切断することで、半導体装置が完成する。特に、このリードフレームでは、吊りリードと外枠の上記境界部に貫通孔を設けることで、切断時に作用するパンチ力を小さくしている。

また、下記特許文献３に開示される回路部品実装デバイスでは、以下のようにして回路部品実装デバイスを製造する。まず、金属板をプレスで打ち抜きして互いに隣接するリード同士が連結部で繋がれたリードフレームを形成し、このリードフレームを樹脂ケースにモールドした後、樹脂ケースの外に露出した連結部を除去する。このとき、不要となった中央連結部を打ち抜き処理により除去する際に、中央連結部の一部を残し、複数のリードに連結する同電位の電源線とし、この電源線を樹脂ケースの下側開口部へ向けて曲げる。次に、複数の半導体チップがダイボンディングされた基板を樹脂ケースの底に接着剤を用いて組み付ける。続いて、各半導体チップと対応するリードとを大電流用のボンディングワイヤにより電気的に接続する。そして、樹脂ケースの上に枠体を接着剤により固着し、ゾル状のシリコーンゴムをボンディングワイヤが完全に没するまで流し込み硬化させてゲル状にすることで、回路部品実装デバイスが完成する。この回路部品実装デバイスでは、樹脂ケースの内側にせり出している電源線がゲルの揺れを抑制することで、外部から受ける振動に伴うボンディングワイヤへのストレスを低減している。

特開平０９−０５１０６６号公報 特開平１１−１２１６８０号公報 特開平１１−１６３２４１号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載のリードフレームでは、対向するタイバーまでの距離が長くなる場合には、連結用リードが細長くなってしまうため、インナーリードを保持する効果が大幅に低下してしまう。このため、リードフレーム（インナーリード）に対するボンディングワイヤの接合性が悪化するという問題がある。また、半導体素子上に連結用リードが配置されるため、ダイパッドや半導体素子に高さがある他部品を搭載できないという問題や、ボンディングパッド位置・数が制限されるため、設計自由度が低くなるという問題がある。

また、上記特許文献２に記載のリードフレームでは、吊りリードと外枠の境界部との切断時に作用する力を低減できるものの、リードフレームに対するボンディングワイヤの接合性に関しては何ら記載されていない。また、上記特許文献３に記載の回路部品実装デバイスでは、外部から受ける振動に伴うボンディングワイヤへのストレスを低減できるものの、モールド前におけるリードフレームに対するボンディングワイヤの接合性に関しては何ら記載されていない。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、作業性を悪化させることなくリードフレームに対するボンディングワイヤの接合性を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、上記目的を達成するため、特許請求の範囲に記載の請求項１の半導体装置の製造方法では、複数のボンディングワイヤがリードフレームの各ワイヤ接続部にそれぞれ電気的に接続され、少なくともこのワイヤ接続部が封止部材により封止される半導体装置の製造方法において、前記ワイヤ接続部同士が連結部を介して連結するように前記リードフレームを形成する第１工程と、前記複数のボンディングワイヤを前記各ワイヤ接続部にそれぞれ電気的に接続する第２工程と、前記連結部が前記封止部材に形成される開口部から露出するか薄膜部に覆われるように少なくとも前記各ワイヤ接続部を当該封止部材により封止する第３工程と、前記開口部から露出するか前記薄膜部に覆われる前記連結部を除去する第４工程と、を備えることを特徴とする。

請求項２の発明は、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記第４工程は、前記開口部から露出するか前記薄膜部に覆われる前記連結部を除去するとともに前記封止部材から露出する部位を除去することを特徴とする。

請求項３の発明は、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、前記開口部から露出する前記連結部の一部には、当該連結部の切断除去時における切断面の断面積を残部よりも小さくした断面縮小部が形成されることを特徴とする。

請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記連結部は、前記封止部材よりも低融点の部材により形成されることを特徴とする。

請求項５の発明は、複数のボンディングワイヤがリードフレームの各ワイヤ接続部にそれぞれ電気的に接続され、少なくともこのワイヤ接続部が封止部材により封止される半導体装置の製造方法において、前記ワイヤ接続部同士が連結部を介して連結するように前記リードフレームを形成する第１工程と、前記複数のボンディングワイヤを前記各ワイヤ接続部にそれぞれ電気的に接続する第２工程と、少なくとも前記各ワイヤ接続部を前記連結部とともに前記封止部材により封止する第３工程と、前記連結部を覆う部分の前記封止部材を当該連結部とともに除去する第４工程と、を備えることを特徴とする。

請求項１の発明では、第１工程により、ワイヤ接続部同士が連結部を介して連結するようにリードフレームが形成される。そして、第２工程により、複数のボンディングワイヤが各ワイヤ接続部にそれぞれ電気的に接続される。そして、第３工程により、連結部が封止部材に形成される開口部から露出するか薄膜部に覆われるように少なくとも各ワイヤ接続部が当該封止部材により封止される。そして、第４工程により、開口部から露出するか薄膜部に覆われる連結部が除去される。

これにより、複数のボンディングワイヤをリードフレームの各ワイヤ接続部に対して超音波接合等によりそれぞれ電気的に接続する場合には、ワイヤ接続部同士が連結部を介して連結されているので、各ワイヤ接続部の剛性が補強されて、リードフレームに対するボンディングワイヤの接合性を向上させることができる。また、封止部材の開口部から連結部が露出するか薄膜部に覆われているので、連結部を容易に除去することができる。
したがって、作業性を悪化させることなくリードフレームに対するボンディングワイヤの接合性を向上させることができる。

請求項２の発明では、第４工程により、開口部から露出するか薄膜部に覆われる連結部が除去されるとともに封止部材から露出する部位が除去されるため、連結部による連結を解除するための工程を通常実施される封止部材から露出する部位の除去工程と別工程で設ける必要がなく、連結部を設けることによる作業性の悪化を確実に抑制することができる。

請求項３の発明では、開口部から露出する連結部の一部には、当該連結部の切断除去時における切断面の断面積を残部よりも小さくした断面縮小部が形成されている。これにより、連結部をプレス加工等により容易に切断除去できるので、連結部の剛性を維持しつつ、当該連結部の除去時に装置全体に作用する応力を低減することができる。

請求項４の発明では、連結部は、封止部材よりも低融点の部材により形成されるため、封止後の製品を所定の温度に加熱することで、開口部から露出する連結部を容易に除去することができる。

請求項５の発明のように、第３工程において開口部の形成することなく、第４工程において連結部を覆う部分の封止部材を当該連結部とともに除去してもよい。

第１実施形態に係る半導体装置の構成を概略的に示す説明図である。 図１のモールド部材の開口部近傍を示す説明図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す説明図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す説明図である。 図５（Ａ）は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図であり、図５（Ｂ）は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図である。 図６（Ａ）は、第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図であり、図６（Ｂ）は、第１実施形態の第４変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図である。 図７（Ａ）は、第１実施形態の第５変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図であり、図７（Ｂ）は、第１実施形態の第６変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図である。 図８（Ａ）は、第１実施形態の第７変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図であり、図８（Ｂ）は、第１実施形態の第８変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図である。 図９（Ａ）は、第１実施形態の第９変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図であり、図９（Ｂ）は、第１実施形態の第１０変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図である。 図１０（Ａ）は、第１実施形態の第１１変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図であり、図１０（Ｂ）は、第１実施形態の第１２変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図である。 第１実施形態の第１３変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図である。 第２実施形態に係る半導体装置の要部を示す説明図である。 第３実施形態に係る半導体装置の要部を示す説明図である。 第４実施形態に係る半導体装置の要部を示す説明図である。 第４実施形態の変形例に係る半導体装置の要部を示す説明図である。

［第１実施形態］
以下、本発明の半導体装置の製造方法を具現化した第１実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る半導体装置１０の構成を概略的に示す説明図である。図２は、図１のモールド部材３０の開口部３１近傍を示す説明図である。

図１に示すように、半導体装置１０は、複数の半導体素子等が実装された回路基板１１と、この回路基板１１を搭載するためのダイパッド２１が形成されるリードフレーム２０とがモールド部材３０により封止されて構成されている。回路基板１１の実装面には、複数のボンディングパッド１２が形成されており、これら各ボンディングパッド１２と対応するリードフレーム２０のインナーリード２２とは、ボンディングワイヤ４０を介してそれぞれ電気的に接続されている。

リードフレーム２０は、ダイパッド２１と、このダイパッド２１から外周に向かって複数の帯状に形成される複数のインナーリード２２と、これら各インナーリード２２の延長上に帯状に形成されて当該半導体装置１０の入出力端子となるアウターリード２３と、を備えている。各インナーリード２２は、モールド部材３０により封止されており、各アウターリード２３は、モールド部材３０から露出している。なお、インナーリード２２は、特許請求の範囲に記載の「ワイヤ接続部」の一例に相当し得る。

図２に示すように、モールド部材３０には、特定のインナーリード２２間にて開口する開口部３１が形成されている。具体的には、本第１実施形態では、開口部３１は、図２に示すように、インナーリード２２ａおよびインナーリード２２ｂ間と、インナーリード２２ｂおよびインナーリード２２ｃ間とにそれぞれ設けられている。これらインナーリード２２ａ〜２２ｃは、他のインナーリードと比較して大電流が流れるように設定されており、各インナーリード２２ａ〜２２ｃと対応するボンディングパッド１２とは、ボンディングワイヤ４０として、比較的大径（例えば、線径が１００μｍ程度）のアルミワイヤ４１を介して接続されている。なお、モールド部材３０および開口部３１は、特許請求の範囲に記載の「封止部材」および「開口部」の一例に相当し得る。

次に、本第１実施形態に係る半導体装置１０の製造方法の工程を図３および図４を用いて詳細に説明する。図３（Ａ），（Ｂ）および図４（Ｃ），（Ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置１０の製造工程を示す説明図である。

まず、図３（Ａ）に示すように、ダイパッド２１と、各インナーリード２２および各アウターリード２３を有するリードフレーム２０をプレス加工等により所定の形状に形成する。このとき、隣接するアウターリード２３同士は、モールド材料漏出防止を主な目的として、タイバー２４によりそれぞれ連結されている。

また、比較的大電流が流れるインナーリード２２には、隣接する周辺部位に対して連結するように連結部が形成されている。具体的には、上述したインナーリード２２ａおよびインナーリード２２ｂ間と、インナーリード２２ｂおよびインナーリード２２ｃ間とに、両インナーリードを連結する連結部２５がそれぞれ形成される。なお、図３（Ａ）に示す工程は、特許請求の範囲に記載の「第１工程」の一例に相当し得る。

次に、図３（Ｂ）に示すように、回路基板１１と対応するアウターリード２３とをそれぞれ電気的に接続するため、ボンディングワイヤ４０をインナーリード２２および対応するボンディングパッド１２に対して超音波接合等によりそれぞれ電気的に接続する。

このとき、インナーリード２２ａおよびインナーリード２２ｂ間と、インナーリード２２ｂおよびインナーリード２２ｃ間とは、連結部２５によりそれぞれ連結されており、各インナーリード２２ａ〜２２ｃの剛性が高められている。このため、比較的大径のアルミワイヤ４１を接続するために各インナーリード２２ａ〜２２ｃに比較的大きな応力が作用する場合でも、インナーリード２２ａ〜２２ｃの変形が抑制されて、リードフレーム２０に対するボンディングワイヤ４０の接合性を向上させることができる。なお、図３（Ｂ）に示す工程は、特許請求の範囲に記載の「第２工程」の一例に相当し得る。

続いて、図４（Ｃ）に示すように、回路基板１１や各インナーリード２２等をモールド部材３０により封止する。このとき、連結部２５の少なくとも一部がモールド部材３０に形成される両開口部３１からそれぞれ露出するように、回路基板１１や各インナーリード２２等がモールド部材３０により封止される。なお、図４（Ｃ）および後述する図５〜図１３、図１５では、便宜上、モールド部材３０を波線にて示す。また、図４（Ｃ）に示す工程は、特許請求の範囲に記載の「第３工程」の一例に相当し得る。

そして、図４（Ｄ）に示すように、モールド部材３０の両開口部３１からそれぞれ露出する連結部２５を、各タイバー２４等とともにプレス加工等により切断除去する。これにより、図１に示す半導体装置１０が完成する。なお、連結部２５は、プレス加工に限らず、例えば、ブレードダイシング加工やレーザー加工、エッチング加工により除去されてもよい。また、図４（Ｄ）に示す工程は、特許請求の範囲に記載の「第４工程」の一例に相当し得る。

以上説明したように、本第１実施形態に係る半導体装置１０の製造方法では、図３（Ａ）に示す工程により、インナーリード２２ａ〜２２ｃが隣接する他のインナーリードに対して連結部２５を介して連結するようにリードフレーム２０が形成される。そして、図３（Ｂ）に示す工程により、アルミワイヤ４１がインナーリード２２ａ〜２２ｃに電気的に接続されるとともに、他のボンディングワイヤ４０が他のインナーリード２２に電気的に接続される。そして、図４（Ｃ）に示す工程により、連結部２５がモールド部材３０に形成される開口部３１から露出するように回路基板１１や各インナーリード２２等が当該モールド部材３０により封止される。そして、図４（Ｄ）に示す工程により、開口部３１から露出する連結部２５が除去される。

これにより、比較的大径のアルミワイヤ４１をリードフレーム２０のインナーリード２２ａ〜２２ｃに対して超音波接合等により電気的に接続する場合には、インナーリード２２ａ〜２２ｃが隣接する他のインナーリードに対して連結部２５を介して連結されているので、各インナーリード２２ａ〜２２ｃの剛性が補強されて、リードフレーム２０に対するボンディングワイヤ４０の接合性を向上させることができる。また、モールド部材３０の開口部３１から連結部２５が露出しているので、連結部２５を容易に除去することができる。
したがって、作業性を悪化させることなくリードフレーム２０に対するボンディングワイヤ４０の接合性を向上させることができる。

また、本第１実施形態に係る半導体装置１０の製造方法では、図４（Ｄ）に示す工程により、開口部３１から露出する連結部２５が除去されるとともにモールド部材３０から露出するタイバー２４等が除去されるため、連結部２５による連結を解除するための工程を通常実施されるタイバー２４等の除去工程と別工程で設ける必要がなく、連結部２５を設けることによる作業性の悪化を確実に抑制することができる。

図５〜図１１は、第１実施形態の各変形例に係る半導体装置１０の要部を示す説明図である。
インナーリード２２は、ボンディングワイヤ４０の接合性を高めるために、隣接する他のインナーリードに対して連結部２５を介して連結されることに限らず、隣接する周辺部位に対して連結部を介して連結されてもよい。

具体的には、図５（Ａ）に示すように、第１実施形態の第１変形例として、開口部３１内に相当する位置にて連結部２５とタイバー２４とを連結する第２連結部２６を設けてもよい。また、図５（Ｂ）に示すように、第１実施形態の第２変形例として、連結部２５に代えて、開口部３１内に相当する位置にて両インナーリードとタイバー２４とをＸ字状に連結する連結部２５ａを設けてもよい。

また、図６（Ａ）に示すように、第１実施形態の第３変形例として、連結部２５に加えて、開口部３１内に相当する位置にて両インナーリードとタイバー２４とをＹ字状に連結する第２連結部２６ａを設けてもよい。また、図６（Ｂ）に示すように、第１実施形態の第４変形例として、連結部２５に加えて、開口部３１内に相当する位置にて両インナーリードとタイバー２４とをＸ字状に連結する第２連結部２６ｂを設けてもよい。

また、図７（Ａ）に示すように、第１実施形態の第５変形例として、開口部３１内に相当する位置にて連結部２５とダイパッド２１とを連結する第２連結部２６ｃを設けてもよい。また、図７（Ｂ）に示すように、第１実施形態の第６変形例として、連結部２５に代えて、各インナーリード２２の１つ、例えばインナーリード２２ａのダイパッド側と、インナーリード２２ｂのタイバー側と、ダイパッド２１とを連結する連結部２５ｂを設けてもよい。なお、連結部２５ｂは、インナーリード２２ｂのタイバー側と連結する部位が開口部３１内に露出するように形成されている。

また、図８（Ａ）に示すように、第１実施形態の第７変形例として、上述した第２連結部２６により連結部２５とタイバー２４とを連結するとともに、上述した第２連結部２６ｃにより連結部２５とダイパッド２１とを連結してもよい。また、図８（Ｂ）に示すように、第１実施形態の第８変形例として、各インナーリード２２の１つ、例えばインナーリード２２ａのダイパッド側とダイパッド２１とを連結する第３連結部２７を設けてもよい。

また、図９（Ａ）に示すように、第１実施形態の第９変形例として、連結部２５に代えて、インナーリード２２ａのダイパッド側とインナーリード２２ｂのタイバー側とを連結する連結部２５ｃを設けてもよい。なお、連結部２５ｃは、インナーリード２２ｂのタイバー側と連結する部位が開口部３１内に露出するように形成されている。また、図９（Ｂ）に示すように、第１実施形態の第１０変形例として、連結部２５に代えて、開口部３１内に相当する位置にてインナーリード２２ａのタイバー側とインナーリード２２ｂのタイバー側とをタイバー２４に個々に連結する連結部２５ｄを設けてもよい。

また、図１０（Ａ）に示すように、第１実施形態の第１１変形例として、連結部２５およびタイバー２４に代えて、開口部３１内に相当する位置にて連結部２５とタイバー２４とを一体とした連結部２５ｅを設けてもよい。また、図１０（Ｂ）に示すように、第１実施形態の第１２変形例として、ダイパッド２１の材質がインナーリード２２等の材質と異なることからダイパッド２１とタイバー２４等とがカシメにより連結される場合に、このカシメ用の連結部２８の１つを開口部３１内に相当する位置にて連結部２５に連結してもよい。

また、図１１に示すように、第１実施形態の第１３変形例として、ダイパッド２１の材質がインナーリード２２等の材質と異なることからダイパッド２１とタイバー２４等とが溶接接合により連結される場合に、この溶接接合用の連結部２８ａの１つを開口部３１内に相当する位置にて連結部２５に連結してもよい。

［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法について図１２を参照して説明する。図１２は、第２実施形態に係る半導体装置１０の要部を示す説明図である。
図１２に示すように、本第２実施形態に係る半導体装置１０は、連結部２５に代えて連結部２５ｆを採用する点が、上記第１実施形態に係る半導体装置と異なる。したがって、第１実施形態の半導体装置と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。

連結部２５ｆの一部、具体的には、開口部３１にかかる部分に、当該連結部２５ｆの切断除去時における切断面の断面積を残部よりも小さくするために、貫通穴２９がそれぞれ形成されている。なお、貫通穴２９が形成される連結部２５ｆの一部は、特許請求の範囲に記載の「断面縮小部」の一例に相当し得る。

これにより、連結部２５ｆをプレス加工等により容易に切断除去できるので、連結部２５ｆの剛性を維持しつつ、当該連結部２５ｆの除去時に装置全体に作用する応力を低減することができる。なお、連結部２５ｆにおいて、貫通穴２９に限らず、例えば、凹状の幅狭部等により切断除去時における切断面の断面積を残部よりも小さくした部位を断面縮小部として、開口部３１にかかる部分等に設けてもよい。また、上記第１実施形態の各変形例において、開口部３１から露出する連結部に、貫通穴２９や凹状の幅狭部等の断面縮小部を設けても同等の効果が得られる。

［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法について図１３を参照して説明する。図１３は、第３実施形態に係る半導体装置１０の要部を示す説明図である。
図１３に示すように、本第３実施形態に係る半導体装置１０は、連結部２５に代えて連結部２５ｇを採用する点が、上記第１実施形態に係る半導体装置と異なる。したがって、第１実施形態の半導体装置と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。

連結部２５ｇは、モールド部材３０よりも低融点の部材、例えば、低融点金属により形成されており、この連結部２５ｇにより、インナーリード２２ａおよびインナーリード２２ｂ間と、インナーリード２２ｂおよびインナーリード２２ｃ間とが、開口部３１内に相当する位置にて連結されている。

これにより、上述した図４（Ｄ）に示す工程にて、モールド部材３０にて封止後の製品を所定の温度に加熱することで、開口部３１から露出する連結部２５ｇを容易に除去することができる。また、上記第１実施形態の各変形例および第２実施形態において、開口部３１から露出する連結部として上述した低融点の部材を採用しても同等の効果が得られる。

［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法について図１４を参照して説明する。図１４は、第４実施形態に係る半導体装置１０の要部を示す説明図であり、図１４（Ａ）は、モールド成形直後の状態を示し、図１４（Ｂ）は、連結部２５を除去した状態を示す。

図１４（Ａ）に示すように、本第４実施形態に係る半導体装置１０は、モールド成形時にモールド部材３０に開口部３１を形成しない点が、上記第１実施形態に係る半導体装置と異なる。
すなわち、図１４（Ａ）に示すように、図４（Ｃ）に示す工程において開口部３１の形成することなく、図１４（Ｂ）に示すように、図４（Ｄ）に示す工程において、ブレードダイシング加工等により、上述した開口部３１に対応するモールド部材３０の部位を除去すると同時に連結部２５を除去する。このようにしても、除去すべき部分が明確であれば、作業性を悪化させることなくリードフレーム２０に対するボンディングワイヤ４０の接合性を向上させることができる。また、上記各実施形態および各変形例において、上述のように、開口部３１に対応するモールド部材３０の部位を除去すると同時に連結部を除去しても、同等の効果が得られる。

図１５は、第４実施形態の変形例に係る半導体装置１０の要部を示す説明図である。
図１５に示すように、第４実施形態の変形例として、モールド部材３０に形成される開口部３１は、凹状に形成されることなく貫通穴状に形成されてもよい。また、上記各実施形態およびその変形例において、連結部を除去するための開口部３１も同様に、凹状に形成されることなく貫通穴状に形成されてもよい。

なお、本発明は上記実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよい。
（１）上記第１実施形態において、連結部２５は、インナーリード２２ａおよびインナーリード２２ｂ間と、インナーリード２２ｂおよびインナーリード２２ｃ間とに設けられることに限らず、ボンディングワイヤ４０の接合性を向上させる必要がある他のインナーリード２２と隣接する他のインナーリードとを連結部２５により連結してもよい。この場合、モールド後における連結部２５の除去を容易にするために開口部３１を形成することで、作業性を悪化させることなくリードフレーム２０に対するボンディングワイヤ４０の接合性を向上させることができる。

（２）比較的大電流が流れるために、連結部２５により連結されることで剛性が高められたインナーリード２２には、アルミワイヤ４１を接続することに限らず、金線等の比較的大径のワイヤを接続してもよい。

（３）上記第１施形態において、モールド部材３０に形成される開口部３１から連結部２５が露出することに限らず、連結部２５が薄膜部に覆われるように当該連結部２５の一面にモールド材料が薄く形成されてもよい。このようにしても、図４（Ｄ）に示す工程により、連結部２５を容易に除去することができる。また、上記各実施形態および変形例においても同様である。

１０…半導体装置
１１…回路基板
１２…ボンディングパッド
２０…リードフレーム
２１…ダイパッド
２２，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ…インナーリード（ワイヤ接続部）
２３…アウターリード
２４…タイバー
２５，２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅ，２５ｆ，２５ｇ…連結部
２６，２６ａ，２６ｂ，２６ｃ…第２連結部
２７…第３連結部
２９…貫通穴
３０…モールド部材（封止部材）
３１…開口部
４０…ボンディングワイヤ
４１…アルミワイヤ

Claims (5)

1. 複数のボンディングワイヤがリードフレームの各ワイヤ接続部にそれぞれ電気的に接続され、少なくともこのワイヤ接続部が封止部材により封止される半導体装置の製造方法において、
   前記ワイヤ接続部同士が連結部を介して連結するように前記リードフレームを形成する第１工程と、
   前記複数のボンディングワイヤを前記各ワイヤ接続部にそれぞれ電気的に接続する第２工程と、
   前記連結部が前記封止部材に形成される開口部から露出するか薄膜部に覆われるように少なくとも前記各ワイヤ接続部を当該封止部材により封止する第３工程と、
   前記開口部から露出するか前記薄膜部に覆われる前記連結部を除去する第４工程と、
   を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記第４工程は、前記開口部から露出するか前記薄膜部に覆われる前記連結部を除去するとともに前記封止部材から露出する部位を除去することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記開口部から露出する前記連結部の一部には、当該連結部の切断除去時における切断面の断面積を残部よりも小さくした断面縮小部が形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記連結部は、前記封止部材よりも低融点の部材により形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 複数のボンディングワイヤがリードフレームの各ワイヤ接続部にそれぞれ電気的に接続され、少なくともこのワイヤ接続部が封止部材により封止される半導体装置の製造方法において、
   前記ワイヤ接続部同士が連結部を介して連結するように前記リードフレームを形成する第１工程と、
   前記複数のボンディングワイヤを前記各ワイヤ接続部にそれぞれ電気的に接続する第２工程と、
   少なくとも前記各ワイヤ接続部を前記連結部とともに前記封止部材により封止する第３工程と、
   前記連結部を覆う部分の前記封止部材を当該連結部とともに除去する第４工程と、
   を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

Images