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JP5750883B2 - Probe apparatus and probe measuring method - Google Patents
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Description

本発明は、プローブを含むプローブ装置、及びプローブ測定方法に関する。   The present invention relates to a probe apparatus including a probe and a probe measurement method.

半導体装置をはじめとする電子デバイスの製造過程では、その特性評価が行われる。例えば、チップを形成したウェハに設けられている被測定パッドにプローブを接触させ、そのプローブを用いて、チップやウェハの電気特性を測定する方法が知られている。また、プリント基板等の回路基板にコネクタを接続してその電気特性を測定する方法や、回路基板上の被測定パッドにプローブを接触させてその電気特性を測定する方法等も知られている。   In the manufacturing process of electronic devices such as semiconductor devices, the characteristics are evaluated. For example, a method is known in which a probe is brought into contact with a measurement pad provided on a wafer on which a chip is formed, and the electrical characteristics of the chip and the wafer are measured using the probe. Also known are a method for measuring electrical characteristics by connecting a connector to a circuit board such as a printed circuit board, and a method for measuring electrical characteristics by bringing a probe into contact with a measured pad on the circuit board.

プローブを用いた測定に関しては、イオンビーム照射等によって試料から発生する二次電子等を検出器で検出してその表面画像を得る試料表面観察と、プローブを用いた試料特性の測定を行うプローブ装置が知られている。このようなプローブ装置においては、プローブを試料へ接近、接触させる際に、二次電子等が検出器到達前にプローブで遮蔽されることで表面画像内に映し出されるプローブの影を利用して、そのプローブの試料からの高さを決定する技術も知られている。   Regarding the measurement using a probe, a probe device that observes the surface of a sample to obtain a surface image by detecting secondary electrons generated from the sample by ion beam irradiation and the like, and the measurement of the sample characteristics using the probe It has been known. In such a probe device, when the probe is brought close to and in contact with the sample, secondary electrons and the like are shielded by the probe before reaching the detector, and the shadow of the probe displayed in the surface image is used. Techniques for determining the height of the probe from the sample are also known.

電気特性の測定に使用されるプローブには、グランド用と信号用といった複数のプローブ(端子)を、被測定物に一度で接触できるように、1つのプローブにユニット化したものもある。   Some probes used for measuring electrical characteristics are unitized into a single probe so that a plurality of probes (terminals) for ground and signals can be brought into contact with an object to be measured at a time.

国際公開第WO2005/093437号パンフレットInternational Publication No. WO2005 / 093437 Pamphlet 特開平10−311850号公報JP-A-10-31850 特許第4408538号公報Japanese Patent No. 4408538 特開2001−133482号公報JP 2001-133482 A

ウェハのように比較的平坦な被測定物では、複数の測定箇所を、上記のような複数の端子を含むプローブを用いて測定する際、プローブの各端子と被測定物との距離が、同じか或いは同程度となるように、予め両者の位置関係を調整しておく。それにより、被測定物の各測定箇所に、プローブの複数の端子を一度で接近、接触させ易くなる。   In a relatively flat object to be measured such as a wafer, when measuring a plurality of measurement points using a probe including a plurality of terminals as described above, the distance between each terminal of the probe and the object to be measured is the same. Alternatively, the positional relationship between the two is adjusted in advance so as to be the same level. Thereby, it becomes easy to approach and contact the plurality of terminals of the probe at one time with each measurement location of the object to be measured.

一方、比較的平坦でない被測定物について、その複数の測定箇所を、上記のような複数の端子を含むプローブを用いて測定する場合には、次のような問題が生じ得る。
例えば、回路基板には、反りやうねりが生じている場合がある。この回路基板のように、比較的平坦でないものを被測定物とした場合には、プローブの各端子と被測定物との距離が、測定箇所によって変わり得る。そのため、測定箇所ごとに位置関係を求めないと、各端子を被測定物に一度で接触させることができず、いずれかの端子が被測定物と接触しないといった状況が起こり得る。プローブの端子に弾性を持たせ、全ての端子が被測定物に接触するまで、プローブを被測定物に押し当てる方法もある。しかし、この場合には、プローブの端子が測定前に行われる校正時とは異なる形状に変形し、また、1つのプローブ内に他の端子とは形状の異なる端子が出てくることで、適正な測定を行うことができないことがある。
On the other hand, when measuring a plurality of measurement points of a measurement object that is relatively non-flat using a probe including a plurality of terminals as described above, the following problems may occur.
For example, the circuit board may be warped or swelled. When the object to be measured is a relatively non-flat object such as this circuit board, the distance between each terminal of the probe and the object to be measured can vary depending on the measurement location. Therefore, unless the positional relationship is obtained for each measurement location, each terminal cannot be brought into contact with the object to be measured at one time, and one of the terminals may not come into contact with the object to be measured. There is also a method of giving elasticity to the terminals of the probe and pressing the probe against the object to be measured until all the terminals are in contact with the object to be measured. However, in this case, the probe terminal is deformed to a shape different from that at the time of calibration performed before measurement, and a terminal having a shape different from that of the other terminal appears in one probe. Measurement may not be possible.

尚、比較的平坦な被測定物であっても、プローブの各端子と被測定物との距離の調整が適切でなかった場合には、各端子を一度で接触できない、端子の変形によって適正な測定が行えない、といった同様の問題が生じ得る。   Even if the object to be measured is relatively flat, if adjustment of the distance between each terminal of the probe and the object to be measured is not appropriate, each terminal cannot be contacted at one time. Similar problems can occur, such as inability to measure.

本発明の一観点によれば、被測定物の上方に配置され、側方の一方側に延びて設けられた複数の端子を含むプローブと、前記被測定物の上方に配置され、前記プローブの前記一方側とは反対の他方側を保持する保持部と、前記被測定物の上方に配置され、前記保持部の、前記被測定物と対向する側に設けられ、前記プローブの前記複数の端子が延びる方に向かって、前記複数の端子に対して、光を照射する照射部と、前記被測定物の上方に配置され、前記光によって前記被測定物上に投影される前記複数の端子の影を含む像を、前記被測定物の上方から取得する取得部とを含むプローブ装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a probe including a plurality of terminals disposed above the object to be measured and extending to one side of the object, a probe disposed above the object to be measured , a holding unit above and one side for holding the opposite other side of the disposed above the object to be measured, of the holding portion, provided on the side facing the object to be measured, the plurality of terminals of the probe towards the extending, the relative plurality of terminals, an irradiation unit for irradiating light, the disposed above the object to be measured, the plurality of terminals to be projected onto the object to be measured by the light A probe device is provided that includes an acquisition unit that acquires an image including a shadow from above the object to be measured .

開示のプローブ装置によれば、プローブの各端子と被測定物との位置関係を簡便且つ適正に求めてプローブ測定を行うことが可能になる。   According to the disclosed probe device, it is possible to easily and appropriately obtain the positional relationship between each terminal of the probe and the object to be measured to perform the probe measurement.

プローブ装置の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of a probe apparatus. プローブ装置の平面図である。It is a top view of a probe apparatus. 第1の実施の形態に係るプローブ装置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the probe apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るプローブの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the probe which concerns on 1st Embodiment. プローブ測定を行う際の説明図(その1)である。It is explanatory drawing (the 1) at the time of performing a probe measurement. プローブ測定を行う際の説明図(その2)である。It is explanatory drawing at the time of performing a probe measurement (the 2). プローブ測定を行う際の説明図(その3)である。It is explanatory drawing (the 3) at the time of performing a probe measurement. 平行度合わせの一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of parallelism adjustment. 回路基板のプローブ測定の一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of the probe measurement of a circuit board. 回路基板のプローブ測定の別例を説明する図である。It is a figure explaining another example of the probe measurement of a circuit board. 回路基板上に端子の影を投影する例の説明図(その1)である。It is explanatory drawing (the 1) of the example which projects the shadow of a terminal on a circuit board. 回路基板上に端子の影を投影する例の説明図(その2)である。It is explanatory drawing (the 2) of the example which projects the shadow of a terminal on a circuit board. プローブ装置での平行度合わせの一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of parallelism adjustment in a probe apparatus. 第2の実施の形態に係るプローブ装置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the probe apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 被測定物上に端子の影を投影する例の説明図である。It is explanatory drawing of the example which projects the shadow of a terminal on a to-be-measured object. 第3の実施の形態に係るプローブの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the probe which concerns on 3rd Embodiment.

図1はプローブ装置の構成例を示す図、図2は図1のプローブ装置の平面図である。
図1及び図2に示すプローブ装置10は、プローブ11、保持部12、照射部13、及び取得部14を有している。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of the probe device, and FIG. 2 is a plan view of the probe device of FIG.
A probe apparatus 10 shown in FIGS. 1 and 2 includes a probe 11, a holding unit 12, an irradiation unit 13, and an acquisition unit 14.

プローブ11は、複数の端子(プローブ端子)、ここでは一例として図2に示したように、3つの端子11a,11b,11cを含んでいる。例えば、このような3つの端子11a,11b,11cのうち、両端の一対の端子11a,11cがグランド用端子として用いられ、残る中央の端子11bが信号用端子として用いられる。プローブ11は、端子11a,11b,11cが、ステージ等(図示せず)に載置された被測定物20の所定位置(被測定パッド等)に接触されることで、被測定物20に信号を入力し、或いは、被測定物20から出力される信号を検出する。   The probe 11 includes a plurality of terminals (probe terminals), here, as shown in FIG. 2 as an example, three terminals 11a, 11b, and 11c. For example, among such three terminals 11a, 11b, and 11c, the pair of terminals 11a and 11c at both ends are used as ground terminals, and the remaining central terminal 11b is used as a signal terminal. The probe 11 has terminals 11a, 11b, and 11c brought into contact with a predetermined position (measurement pad or the like) of the measurement object 20 placed on a stage or the like (not shown), whereby a signal is sent to the measurement object 20. Or a signal output from the DUT 20 is detected.

保持部12は、このような端子11a,11b,11cを含むプローブ11を保持する。更に、この保持部12には、照射部13が設けられる。照射部13は、例えば、保持部12の、被測定物20と対向する側に設けられる。照射部13は、プローブ11の方向に向かって光13aを照射する。   The holding unit 12 holds the probe 11 including such terminals 11a, 11b, and 11c. Further, the holding unit 12 is provided with an irradiation unit 13. The irradiation unit 13 is provided, for example, on the side of the holding unit 12 that faces the object to be measured 20. The irradiation unit 13 irradiates the light 13a toward the probe 11.

照射部13からプローブ11に光13aが照射されると、図2に示したように、被測定物20上に、プローブ11の端子11a,11b,11cの影(投影像)30が投影される。被測定物20上に投影される影30の形状は、プローブ11の各端子11a,11b,11cと被測定物20との距離によって変化する。例えば、先端位置の揃った各端子11a,11b,11cと被測定物20との距離が等しければ、図2に示したように、被測定物20上には、先端位置の揃った影30a,30b,30cが投影されるようになる。尚、端子11a,11b,11cが被測定物20と接触していれば、端子11a,11b,11cの先端から影30a,30b,30cが延びるようになる。影30は、端子11a,11b,11cと被測定物20との距離が近くなるほど、より鮮明になる。   When the probe 13 is irradiated with light 13a from the irradiation unit 13, as shown in FIG. 2, shadows (projected images) 30 of the terminals 11a, 11b, and 11c of the probe 11 are projected onto the object 20 to be measured. . The shape of the shadow 30 projected on the device under test 20 varies depending on the distance between each terminal 11a, 11b, 11c of the probe 11 and the device under test 20. For example, if the distances between the terminals 11a, 11b, 11c having the tip positions equal to the object 20 to be measured are equal, the shadow 30a having the tip positions aligned on the object 20 as shown in FIG. 30b and 30c are projected. If the terminals 11a, 11b, and 11c are in contact with the object to be measured 20, the shadows 30a, 30b, and 30c extend from the tips of the terminals 11a, 11b, and 11c. The shadow 30 becomes clearer as the distance between the terminals 11a, 11b, and 11c and the DUT 20 decreases.

取得部14は、端子11a,11b,11c、及び照射部13から照射される光13aによって被測定物20上に投影される影30a,30b,30cを含む像を取得する。取得部14は、例えば、被測定物20の上方から、端子11a,11b,11c及びそれらの影30a,30b,30cを含む像を取得する。   The acquisition unit 14 acquires an image including the shadows 30 a, 30 b, and 30 c projected on the object to be measured 20 by the light 11 a irradiated from the terminals 11 a, 11 b, and 11 c and the irradiation unit 13. For example, the acquisition unit 14 acquires an image including the terminals 11a, 11b, and 11c and their shadows 30a, 30b, and 30c from above the DUT 20.

プローブ装置10は、プローブ測定の際、照射部13からプローブ11に向かって光13aを照射し、被測定物20上に端子11a,11b,11cの影30を投影する。そして、プローブ装置10は、端子11a,11b,11c、及び被測定物20上に投影されたそれらの影30a,30b,30cを含む像を、取得部14で取得する。   In the probe measurement, the probe device 10 irradiates light 13a from the irradiation unit 13 toward the probe 11, and projects the shadow 30 of the terminals 11a, 11b, and 11c on the object 20 to be measured. Then, the probe device 10 acquires an image including the terminals 11a, 11b, and 11c and the shadows 30a, 30b, and 30c projected on the object to be measured 20 by the acquisition unit 14.

プローブ装置10のオペレータは、このようにして取得部14で取得される影30a,30b,30cの像を見て、プローブ11の各端子11a,11b,11cと被測定物20との距離を求めることができる。   The operator of the probe device 10 obtains the distance between each terminal 11a, 11b, 11c of the probe 11 and the object 20 to be measured by looking at the images of the shadows 30a, 30b, 30c thus acquired by the acquisition unit 14. be able to.

即ち、上記のように、先端位置の揃った各端子11a,11b,11cと被測定物20との距離が等しければ、先端位置の揃った影30a,30b,30cが投影される(図2)。各端子11a,11b,11cと被測定物20との距離が等しくなければ、当該距離の違いに応じて、影30a,30b,30cの先端位置にも違いが現れる。端子11a,11b,11cが被測定物20に接触していれば、影30a,30b,30cは、端子11a,11b,11cの先端から延びるようになる。オペレータは、このような影30a,30b,30cから得られる情報に基づき、プローブ11と被測定物20の位置関係を調整することができる。   That is, as described above, if the distances between the terminals 11a, 11b, and 11c with the aligned tip positions and the DUT 20 are equal, the shadows 30a, 30b, and 30c with the aligned tip positions are projected (FIG. 2). . If the distances between the terminals 11a, 11b, and 11c and the DUT 20 are not equal, differences also appear in the tip positions of the shadows 30a, 30b, and 30c according to the difference in the distances. If the terminals 11a, 11b, and 11c are in contact with the DUT 20, the shadows 30a, 30b, and 30c extend from the tips of the terminals 11a, 11b, and 11c. The operator can adjust the positional relationship between the probe 11 and the DUT 20 based on information obtained from the shadows 30a, 30b, and 30c.

以下、プローブ装置、及びプローブ装置を用いたプローブ測定について、より詳細に説明する。
まず、第1の実施の形態について説明する。
Hereinafter, the probe device and probe measurement using the probe device will be described in more detail.
First, the first embodiment will be described.

図3は第1の実施の形態に係るプローブ装置の一例を示す図である。図4は第1の実施の形態に係るプローブの一例を示す図であって、(A)は平面図、(B)は正面図、(C)は側面図である。   FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the probe apparatus according to the first embodiment. 4A and 4B are diagrams showing an example of the probe according to the first embodiment, in which FIG. 4A is a plan view, FIG. 4B is a front view, and FIG. 4C is a side view.

図3に示すプローブ装置100は、プローブ110、プローブ110を保持するアーム部(保持部)120、及びアーム部120に設けられた照射部130を有している。
プローブ110は、図3に示すように、プローブ筐体部111と、プローブ筐体部111から突出する端子部112を含む。
A probe apparatus 100 illustrated in FIG. 3 includes a probe 110, an arm unit (holding unit) 120 that holds the probe 110, and an irradiation unit 130 provided on the arm unit 120.
As shown in FIG. 3, the probe 110 includes a probe housing part 111 and a terminal part 112 protruding from the probe housing part 111.

プローブ110には、端子部112として、例えば、図4に示すように、先端位置の揃った、即ち先端が一直線上(図4(A)の点線113)に位置する、3つの端子112a,112b,112cが設けられている。端子112a,112b,112cは、例えば、両端の一対の端子112a,112cがグランド用端子として、中央の端子112bが信号用端子として、それぞれ用いられる。   As shown in FIG. 4, for example, as shown in FIG. 4, the probe 110 has three terminals 112a and 112b whose tip positions are aligned, that is, whose tips are located on a straight line (dotted line 113 in FIG. 4A). , 112c are provided. As the terminals 112a, 112b, and 112c, for example, the pair of terminals 112a and 112c at both ends are used as ground terminals, and the center terminal 112b is used as a signal terminal.

プローブ筐体部111には、端子112a,112b,112cをプローブ110の外部と電気的に接続するための同軸ケーブル(同軸線路)、回路素子等が収容される。
プローブ110は、ステージ等(図示せず)に載置された被測定物200に設けられた、被測定パッド部210に接近、接触され、被測定パッド部210からの信号を検出する。被測定パッド部210には、例えば、図4に示したように、プローブ110の端子112a,112b,112cの先端部に対応する位置に、被測定パッド210a,210b,210cが設けられている。プローブ110の端子部112は、端子112a,112b,112cが被測定パッド210a,210b,210cにそれぞれ接触可能な形状となるように、形成されている。
The probe casing 111 accommodates a coaxial cable (coaxial line), a circuit element, and the like for electrically connecting the terminals 112a, 112b, and 112c to the outside of the probe 110.
The probe 110 approaches and comes into contact with the measured pad unit 210 provided on the measured object 200 placed on a stage or the like (not shown), and detects a signal from the measured pad unit 210. For example, as shown in FIG. 4, the measured pad portion 210 is provided with measured pads 210 a, 210 b, and 210 c at positions corresponding to the tips of the terminals 112 a, 112 b, and 112 c of the probe 110. The terminal portion 112 of the probe 110 is formed so that the terminals 112a, 112b, and 112c can be brought into contact with the measured pads 210a, 210b, and 210c, respectively.

アーム部120は、プローブ110側に設けられたアーム回転部121と、アーム回転部121のプローブ110側と反対の側に設けられたアーム固定部122を含む。
アーム回転部121は、アーム固定部122に軸支され、プローブ110の端子部112が突出する方向を軸にして、図3のθ方向に回転できるようになっている。プローブ110は、このアーム回転部121に固定されており、アーム回転部121と共に回転するようになっている。アーム部120のアーム固定部122及びアーム回転部121、並びにそれに保持されたプローブ110は、一体で、x,y方向(水平方向)及びz方向(鉛直方向)に移動できるようになっている。
The arm part 120 includes an arm rotating part 121 provided on the probe 110 side and an arm fixing part 122 provided on the side of the arm rotating part 121 opposite to the probe 110 side.
The arm rotating portion 121 is pivotally supported by the arm fixing portion 122 and can rotate in the θ direction of FIG. 3 with the direction in which the terminal portion 112 of the probe 110 protrudes as an axis. The probe 110 is fixed to the arm rotating unit 121 and rotates together with the arm rotating unit 121. The arm fixing part 122 and the arm rotating part 121 of the arm part 120 and the probe 110 held by the arm part 120 are integrally movable in the x, y direction (horizontal direction) and the z direction (vertical direction).

照射部130は、例えば、アーム部120の下側、即ちアーム部120の被測定物200と対向する側に、設けられる。照射部130は、アーム部120に保持されているプローブ110の方向に向かって、光131を照射するようになっている。照射部130には、例えば、平行光源を用いることができる。照射部130は、アーム部120とそれに保持されたプローブ110と共に、一体で、x,y,z方向に移動する。   For example, the irradiation unit 130 is provided on the lower side of the arm unit 120, that is, on the side of the arm unit 120 facing the object to be measured 200. The irradiation unit 130 irradiates light 131 toward the probe 110 held by the arm unit 120. For the irradiation unit 130, for example, a parallel light source can be used. The irradiation unit 130 moves together with the arm unit 120 and the probe 110 held by the arm unit 120 in the x, y, and z directions.

プローブ装置100は、更に、信号処理部140、取得部150及び表示部160を有している。
信号処理部140は、プローブ110と電気的に接続される。信号処理部140は、例えば、プローブ110の端子112a,112b,112cによって被測定パッド210a,210b,210cから検出され、プローブ筐体部111を経て送られてくる信号を処理する。信号処理部140は、プローブ110から送られてくる信号を用い、例えば、電流、電圧、周波数、位相等、電気特性の測定処理を行う。信号処理部140には、例えば、オシロスコープ、アナライザ等、各種計測器を利用することができる。
The probe apparatus 100 further includes a signal processing unit 140, an acquisition unit 150, and a display unit 160.
The signal processing unit 140 is electrically connected to the probe 110. For example, the signal processing unit 140 processes signals detected from the pads to be measured 210 a, 210 b, and 210 c by the terminals 112 a, 112 b, and 112 c of the probe 110 and sent through the probe housing unit 111. The signal processing unit 140 uses the signal sent from the probe 110 to perform measurement processing of electrical characteristics such as current, voltage, frequency, and phase. For the signal processing unit 140, for example, various measuring instruments such as an oscilloscope and an analyzer can be used.

取得部150は、被測定物200の被測定パッド210a,210b,210c、及びそれらに接触させるプローブ110の各端子112a,112b,112cが含まれる被測定物200上の領域の像を取得する。照射部130からの光131により、被測定物200上に端子112a,112b,112cの影が投影されている場合には、その影の像も、取得部150によって取得される。尚、この点の詳細については後述する。   The acquisition unit 150 acquires an image of a region on the device under test 200 including the devices under test 210a, 210b, and 210c of the device under test 200 and the terminals 112a, 112b, and 112c of the probe 110 that are in contact with the pads. When the shadows of the terminals 112 a, 112 b, and 112 c are projected on the DUT 200 by the light 131 from the irradiation unit 130, the shadow images are also acquired by the acquisition unit 150. Details of this point will be described later.

取得部150は、被測定物200上方から、被測定パッド210a,210b,210c及び端子112a,112b,112cの像、或いは更に端子112a,112b,112cの影の像を取得する。取得部150には、光学顕微鏡、CCD(Charge Coupled Device)カメラ等を利用することができる。   The acquisition unit 150 acquires the images of the measured pads 210a, 210b, and 210c and the terminals 112a, 112b, and 112c or the shadow images of the terminals 112a, 112b, and 112c from above the measured object 200. As the acquisition unit 150, an optical microscope, a CCD (Charge Coupled Device) camera, or the like can be used.

取得部150によって取得された像のデータは、例えば、CRT(Cathode Ray Tube)を用いた表示装置や液晶表示装置等のモニタを含む、表示部160によって表示される。
上記のようなプローブ装置100を用いた、被測定物200のプローブ測定は、例えば、次のようにして行われる。
The image data acquired by the acquisition unit 150 is displayed by the display unit 160 including a monitor such as a display device using a CRT (Cathode Ray Tube) or a liquid crystal display device.
For example, the probe measurement of the DUT 200 using the probe device 100 as described above is performed as follows.

図5から図7はプローブ測定を行う際の説明図である。尚、図5はプローブの端子部を含む平面図、図6(A)はプローブの端子部を含む側面図、図6(B)及び図7はプローブの端子部を含む正面図である。   5 to 7 are explanatory diagrams when performing probe measurement. 5 is a plan view including the terminal portion of the probe, FIG. 6A is a side view including the terminal portion of the probe, and FIGS. 6B and 7 are front views including the terminal portion of the probe.

プローブ測定にあたっては、まず、被測定物200上の、所定の測定箇所にある被測定パッド210a,210b,210c付近まで、プローブ110を移動させる。プローブ110は、アーム部120を移動させることで、所定の被測定パッド210a,210b,210c付近まで移動させることができる。   In the probe measurement, first, the probe 110 is moved to the vicinity of the measurement pads 210a, 210b, and 210c at predetermined measurement locations on the measurement object 200. The probe 110 can be moved to the vicinity of predetermined measured pads 210a, 210b, and 210c by moving the arm portion 120.

このプローブ110の移動には、図5に示すような、プローブ110のx,y方向への移動が含まれる。プローブ110のx,y方向への移動は、例えば、被測定物200上方から取得部150で取得されて表示部160で表示される像を観察しながら、行うことができる。   The movement of the probe 110 includes movement of the probe 110 in the x and y directions as shown in FIG. The movement of the probe 110 in the x and y directions can be performed, for example, while observing an image acquired by the acquisition unit 150 from above the DUT 200 and displayed on the display unit 160.

プローブ110の移動には、更に、図6(A),(B)に示すような、アーム回転部121による、プローブ110のθ方向への回転が含まれる。このプローブ110の回転は、図6(B)に示したような、端子112a,112b,112cの先端を結ぶ線113(図6(B)に点線で図示)が、被測定物200と平行になるようにするため(平行度を合わせるため)に行う。   The movement of the probe 110 further includes rotation of the probe 110 in the θ direction by the arm rotating unit 121 as shown in FIGS. 6 (A) and 6 (B). The rotation of the probe 110 is such that a line 113 (shown by a dotted line in FIG. 6B) connecting the tips of the terminals 112a, 112b, and 112c as shown in FIG. This is done so that the parallelism can be achieved.

プローブ110の移動には、更に、図7に示すような、プローブ110のz方向への移動が含まれる。このプローブ110のz方向への移動により、端子112a,112b,112cの先端を、被測定物200の被測定パッド210a,210b,210cに接近させ、或いは接触させる。端子112a,112b,112cと被測定物200との平行度が合っていれば、端子112a,112b,112cは、被測定パッド210a,210b,210cに一度で接触するようになる。   The movement of the probe 110 further includes movement of the probe 110 in the z direction as shown in FIG. By moving the probe 110 in the z direction, the tips of the terminals 112a, 112b, and 112c are brought close to or in contact with the measured pads 210a, 210b, and 210c of the measured object 200. If the parallelism between the terminals 112a, 112b, and 112c and the DUT 200 matches, the terminals 112a, 112b, and 112c come into contact with the DUTs 210a, 210b, and 210c at a time.

端子112a,112b,112cの被測定パッド210a,210b,210cへの接触後は、例えば、被測定物200に所定の信号を入力し、端子112a,112b,112cで出力を検出する。プローブ装置100は、端子112a,112b,112cで検出された出力を用いて、被測定物200の電気特性を信号処理部140によって測定する。   After the terminals 112a, 112b, and 112c contact the pads to be measured 210a, 210b, and 210c, for example, a predetermined signal is input to the device to be measured 200, and the output is detected by the terminals 112a, 112b, and 112c. The probe device 100 uses the signal processing unit 140 to measure the electrical characteristics of the DUT 200 using the outputs detected at the terminals 112a, 112b, and 112c.

同じ被測定物200上の別の測定箇所について、或いは別の被測定物200について、測定を行う場合には、その別の測定箇所、或いは別の被測定物200の被測定パッド210a,210b,210cに、プローブ110を移動させ、測定を行えばよい。   When measurement is performed on another measurement location on the same measurement object 200 or another measurement object 200, the other measurement measurement points or measurement pads 210a, 210b, The probe 110 may be moved to 210c for measurement.

ところで、このようなプローブ測定において、プローブ110と被測定物200の間の、x,y方向及びz方向の移動(位置合わせ)は、取得部150で取得される像を観察しながら、比較的容易に行うことができる。一方、端子112a,112b,112cと被測定物200との平行度は、被測定物200の上方に設けた取得部150で取得される像から求めることが難しい。尚、プローブ110のθ方向の回転を観測できるような位置には、被測定物200のx,y方向の広がりがあり、焦点距離の観点から、カメラ等を用いた取得部150を設けることも難しい。   By the way, in such probe measurement, the movement (alignment) in the x, y and z directions between the probe 110 and the DUT 200 is relatively observed while observing the image acquired by the acquisition unit 150. It can be done easily. On the other hand, it is difficult to determine the parallelism between the terminals 112a, 112b, and 112c and the device under test 200 from an image acquired by the acquisition unit 150 provided above the device under test 200. Note that the position where the rotation of the probe 110 in the θ direction can be observed has a spread in the x and y directions of the DUT 200, and an acquisition unit 150 using a camera or the like may be provided from the viewpoint of the focal length. difficult.

プローブ110と被測定物200との平行度を合わせるための方法としては、例えば、次のようなものが考えられる。
図8は平行度合わせの一例を説明する図である。尚、図8はプローブの端子部を含む平面図である。
As a method for matching the parallelism between the probe 110 and the DUT 200, for example, the following can be considered.
FIG. 8 is a diagram for explaining an example of alignment adjustment. FIG. 8 is a plan view including the terminal portion of the probe.

例えば、被測定物200と同様の形状を有する基板1000であって、プローブ110を押し当てて引くと、表面に引っかき傷(傷)1001ができるような基板1000を用意する。このような基板1000にプローブ110を押し当てて引くと、端子112a,112b,112cが強く押し当てられている所ほど、大きな傷1001ができる。図8の例では、端子112aが最も基板1000に強く押し当てられており、次に端子112b、そして、端子112cは基板1000と接触していないことがわかる。   For example, a substrate 1000 having a shape similar to that of the DUT 200 and having a scratch (scratch) 1001 on the surface when the probe 110 is pressed and pulled is prepared. When the probe 110 is pressed against the substrate 1000 and pulled, a larger scratch 1001 is formed as the terminals 112a, 112b, and 112c are strongly pressed. In the example of FIG. 8, it can be seen that the terminal 112 a is most strongly pressed against the substrate 1000, and then the terminal 112 b and the terminal 112 c are not in contact with the substrate 1000.

端子112a,112b,112cでできる傷1001の大きさが同じであれば、端子112a,112b,112cと基板1000との平行度が合ったことになる。傷1001の大きさが同じになるように、プローブ110を回転させ、それにより、端子112a,112b,112cと基板1000との平行度を合わせる。   If the size of the scratches 1001 formed by the terminals 112a, 112b, and 112c is the same, the parallelism between the terminals 112a, 112b, and 112c and the substrate 1000 is matched. The probe 110 is rotated so that the sizes of the scratches 1001 are the same, thereby matching the parallelism between the terminals 112a, 112b, and 112c and the substrate 1000.

このようにしてプローブ110と基板1000との平行度合わせを行った後、そのプローブ110の回転位置(角度)を保持したまま、基板1000と被測定物200とを置き換える。これにより、プローブ110をx,y方向に移動させて被測定パッド部210との位置合わせを行い、更にz方向に移動させれば、端子112a,112b,112cを一度で被測定パッド210a,210b,210cに接触させることが可能になる。   After aligning the parallelism between the probe 110 and the substrate 1000 in this manner, the substrate 1000 and the DUT 200 are replaced while the rotational position (angle) of the probe 110 is maintained. Thus, if the probe 110 is moved in the x and y directions to align with the measured pad portion 210 and further moved in the z direction, the terminals 112a, 112b, and 112c are measured at a time in the measured pads 210a and 210b. 210c can be brought into contact with each other.

この図8に示したような方法は、1つの被測定物200につき測定箇所が1箇所のみである場合や、1つの被測定物200に複数の測定箇所があってもその被測定物200がウェハ等のように比較的平坦である場合等には、利用し易い。基板1000を用いて一旦プローブ110の角度を合わせておけば、測定箇所が変わっても、その角度を保持したまま、x,y方向及びz方向への移動を行うことで、端子112a,112b,112cを各測定箇所に一度で接触させることができるためである。   In the method as shown in FIG. 8, when there is only one measurement location per measurement object 200, or even if there is a plurality of measurement locations in one measurement object 200, the measurement object 200 is It is easy to use when it is relatively flat such as a wafer. Once the angle of the probe 110 is adjusted using the substrate 1000, even if the measurement location changes, the terminal 112a, 112b, This is because 112c can be brought into contact with each measurement location at once.

しかし、測定箇所ごとにプローブ110との平行度が変わってしまうような被測定物200の場合には、図8に示したような方法は利用し難い。この点について、プリント基板のような回路基板を例に、図9を参照して説明する。   However, in the case of the DUT 200 whose parallelism with the probe 110 changes for each measurement location, the method as shown in FIG. 8 is difficult to use. This point will be described with reference to FIG. 9, taking a circuit board such as a printed board as an example.

図9は回路基板のプローブ測定の一例を説明する図である。
上記の被測定物200として、プリント基板のような回路基板200Aを用いる場合、回路基板200Aには、反りやうねりといった変形が生じている場合がある。例えば、図9に示したように、回路基板200Aに反りが生じており、このように反った回路基板200Aの、異なる測定箇所201,202,203について、プローブ110を用いた測定を行う場合を想定する。尚、各測定箇所201,202,203に、被測定パッド210a,210b,210cが存在しているものとする。
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of probe measurement of a circuit board.
When a circuit board 200A such as a printed board is used as the object to be measured 200, the circuit board 200A may be deformed such as warpage or swell. For example, as shown in FIG. 9, the circuit board 200 </ b> A is warped, and the measurement using the probe 110 is performed on different measurement locations 201, 202, and 203 of the circuit board 200 </ b> A warped in this way. Suppose. It is assumed that measured pads 210a, 210b, and 210c exist at each measurement location 201, 202, and 203.

ここで、仮にプローブ110を予め一定の角度に合わせておき、その角度を保持したまま、各測定箇所201,202,203に接触させようとすると、図9に示したような状況が起こり得る。   Here, if the probe 110 is preliminarily adjusted to a certain angle, and the angle 110 is maintained, the probe 110 may be brought into contact with the measurement points 201, 202, and 203, and the situation shown in FIG. 9 may occur.

即ち、回路基板200Aの、大きく反った一端部側の測定箇所201では、端子112aは被測定パッド210aに接触するが、端子112b,112cは被測定パッド210b,210cに接触せず、浮いた状態になる。測定箇所201よりは小さいものの反りがある測定箇所202でも同様に、端子112aは被測定パッド210aに接触するが、端子112b,112cは被測定パッド210b,210cに接触しない状態になる。回路基板200Aの、反った他端部側の測定箇所203では、端子112cは被測定パッド210cに接触するが、端子112a,112bは被測定パッド210a,210bに接触しない状態になる。   That is, in the measurement location 201 on one end side of the circuit board 200A that is greatly warped, the terminal 112a is in contact with the measured pad 210a, but the terminals 112b and 112c are not in contact with the measured pads 210b and 210c and are in a floating state. become. Similarly, in the measurement location 202 having a warp that is smaller than the measurement location 201, the terminal 112a is in contact with the measured pad 210a, but the terminals 112b and 112c are not in contact with the measured pads 210b and 210c. At the measurement location 203 on the other end side of the circuit board 200A, the terminal 112c contacts the measured pad 210c, but the terminals 112a and 112b do not contact the measured pads 210a and 210b.

このように測定箇所201,202,203によって被測定パッド210a,210b,210cと端子112a,112b,112cとの平行度が変わる場合には、平行度を、測定箇所201,202,203ごとに、調整する。   Thus, when the parallelism between the measured pads 210a, 210b, and 210c and the terminals 112a, 112b, and 112c varies depending on the measurement points 201, 202, and 203, the parallelism is determined for each of the measurement points 201, 202, and 203. adjust.

このとき、上記図8に示したような方法で平行度を合わせようとすると、回路基板200Aの反りが各測定箇所201,202,203で異なるため、その回路基板200Aと同様の形状を有する、引っかき傷形成用の基板1000を用意することは難しい。測定箇所201,202,203ごとに、各反り形状に合わせて基板1000を傾けて配置し、そのうえで上記図8に示したような方法で平行度を合わせることも可能ではある。しかし、各測定箇所201,202,203について、基板1000の傾き調整、引っかき傷形成、プローブ110の角度(平行度)合わせを行うことになり、プローブ測定工程が複雑になる。   At this time, if the degree of parallelism is adjusted by the method shown in FIG. 8, the warp of the circuit board 200A is different at each measurement location 201, 202, 203, and thus has the same shape as the circuit board 200A. It is difficult to prepare a substrate 1000 for forming scratches. It is also possible to place the substrate 1000 at an angle in accordance with each warp shape at each measurement location 201, 202, 203, and then adjust the parallelism by the method shown in FIG. However, for each measurement location 201, 202, 203, the tilt adjustment of the substrate 1000, the formation of scratches, and the angle (parallelism) adjustment of the probe 110 are performed, which complicates the probe measurement process.

このように予め引っかき傷形成用の基板1000を用いて平行度を合わせる方法のほか、プローブ110の端子112a,112b,112cに弾性を持たせ、全てが被測定パッド210a,210b,210cに接触するまで押し当てるという方法も考えられる。   In addition to the method of adjusting the parallelism using the scratch-forming substrate 1000 in advance as described above, the terminals 112a, 112b, and 112c of the probe 110 are made elastic so that all contact with the pads 210a, 210b, and 210c to be measured. A method of pushing up to is also conceivable.

図10は回路基板のプローブ測定の別例を説明する図である。
例えば、上記図9の測定箇所201において、端子112aが被測定パッド210aに接触した後、更に、端子112b,112cが被測定パッド210b,210cに接触するまで、プローブ110をz方向に移動させる。これにより、図10に示すように、端子112a,112b,112cを全て、被測定パッド210a,210b,210cに接触させた状態を得ることができる。このとき、少なくとも端子112a,112bには、端子112cが被測定パッド210cに接触するまで押し当てられていることで、変形が生じる。
FIG. 10 is a diagram illustrating another example of probe measurement of a circuit board.
For example, at the measurement location 201 in FIG. 9, after the terminal 112 a comes into contact with the measured pad 210 a, the probe 110 is further moved in the z direction until the terminals 112 b and 112 c come into contact with the measured pads 210 b and 210 c. Thereby, as shown in FIG. 10, it is possible to obtain a state in which all of the terminals 112a, 112b, and 112c are in contact with the pads to be measured 210a, 210b, and 210c. At this time, at least the terminals 112a and 112b are deformed by being pressed until the terminal 112c contacts the pad to be measured 210c.

別の測定箇所202,203でも、これと同様のことを行うことができる。但し、測定箇所201,202,203ごとに反り形状が異なっていれば、測定箇所201,202,203ごとに各端子112a,112b,112cの変形の程度は異なってくる。   The same measurement can be performed at the other measurement points 202 and 203. However, if the warp shape is different for each of the measurement points 201, 202, and 203, the degree of deformation of each of the terminals 112a, 112b, and 112c is different for each of the measurement points 201, 202, and 203.

プローブ110は、測定前に予め校正が行われるが、この図10に示したような方法では、端子112a,112b,112cの形状が、その変形のために、校正時とは異なる形状になり得る。また、ある測定箇所に接触しているプローブ110の中に、他の端子とは形状の異なる端子が出てくる場合がある。これらの場合、プローブ110内のグランド用端子と信号用端子の間のキャパシタンスが、測定箇所201,202,203によって変動するといったことが起こり得る。そのような場合、各測定箇所201,202,203について、更には回路基板200A全体について、適正な測定結果を得ることができない可能性が生じてくる。   The probe 110 is calibrated in advance before measurement, but in the method as shown in FIG. 10, the shapes of the terminals 112a, 112b, and 112c may be different from those at the time of calibration due to the deformation. . Further, there may be a case where a terminal having a different shape from the other terminals appears in the probe 110 in contact with a certain measurement location. In these cases, the capacitance between the ground terminal and the signal terminal in the probe 110 may vary depending on the measurement locations 201, 202, and 203. In such a case, there is a possibility that an appropriate measurement result cannot be obtained for each of the measurement points 201, 202, and 203, and for the entire circuit board 200A.

尚、ここでは、1つの回路基板200A内の異なる測定箇所201,202,203について述べたが、異なる回路基板200A間でも同様に、適正な測定結果を得ることができないことが起こり得る。   Although different measurement locations 201, 202, and 203 in one circuit board 200A have been described here, it may happen that an appropriate measurement result cannot be obtained between different circuit boards 200A as well.

そこで、上記プローブ装置100を用いたプローブ測定では、回路基板200A上に投影される端子112a,112b,112cの影を、回路基板200Aとプローブ110の平行度合わせに利用する。   Therefore, in the probe measurement using the probe apparatus 100, the shadows of the terminals 112a, 112b, and 112c projected onto the circuit board 200A are used for adjusting the parallelism between the circuit board 200A and the probe 110.

図11及び図12は回路基板上に端子の影を投影する例の説明図であって、(A)は平面図、(B)は正面図、(C)は側面図である。
プローブ装置100では、上記図3に示したように、アーム部120の下側に照射部130が設けられており、この照射部130からプローブ110に向かって光131が照射される。照射部130から照射された光131は、プローブ110をその下側(裏側)から照らし、回路基板200A上には、その光131によって端子112a,112b,112cの影300が投影される。
11 and 12 are explanatory diagrams of an example in which the shadow of the terminal is projected on the circuit board, where (A) is a plan view, (B) is a front view, and (C) is a side view.
In the probe apparatus 100, as shown in FIG. 3, an irradiation unit 130 is provided below the arm unit 120, and light 131 is irradiated from the irradiation unit 130 toward the probe 110. The light 131 emitted from the irradiation unit 130 illuminates the probe 110 from the lower side (back side), and a shadow 300 of the terminals 112a, 112b, and 112c is projected onto the circuit board 200A by the light 131.

例えば、上記図9の測定箇所201,202の場合は、図11(A)に示したように、照射部130から照射される光131(図11(C))により、各端子112a,112b,112cの影300a,300b,300cが、回路基板200A上に投影される。回路基板200Aとの距離が最も近い端子112a(図11(B))の影300aは、図11(A)のように上方から見ると、端子112aの先端のすぐ近くから延びる。回路基板200Aとの距離がより遠くなる端子112b(図11(B))の先端とその影300bの先端との、上方から見たときの間隔は、図11(A)に示したように、端子112aとその影300aの間隔よりも広がる。そして、回路基板200Aとの距離が最も遠い端子112c(図11(B))とその影300cの先端との、上方から見たときの間隔は、図11(A)に示したように、更に広がる。   For example, in the case of the measurement locations 201 and 202 in FIG. 9, as shown in FIG. 11A, each terminal 112 a, 112 b, The shadows 300a, 300b, and 300c of 112c are projected onto the circuit board 200A. The shadow 300a of the terminal 112a (FIG. 11B) that is closest to the circuit board 200A extends from the vicinity of the tip of the terminal 112a when viewed from above as shown in FIG. 11A. As shown in FIG. 11 (A), the distance between the tip of the terminal 112b (FIG. 11 (B)) and the tip of the shadow 300b of which the distance from the circuit board 200A is larger as seen from above. It is wider than the distance between the terminal 112a and its shadow 300a. The distance between the terminal 112c (FIG. 11B), which is the farthest from the circuit board 200A, and the tip of the shadow 300c when viewed from above is further as shown in FIG. 11A. spread.

上記図9の測定箇所203の場合も、同様のことが言える。即ち、図12(A)に示したように、回路基板200A上には、照射部130からの光131(図12(C))により、各端子112a,112b,112cの影300a,300b,300cが投影される。回路基板200Aとの距離が最も近い端子112c(図12(B))の影300cは、図12(A)のように上方から見ると、端子112cの先端のすぐ近くから延びる。そして、図12(A)に示したように、端子112b,112aの順に回路基板200Aとの距離が遠くなるにつれ(図12(B))、それらの先端と影300b,300aの先端との、上方から見たときの間隔が広がっていく。   The same can be said for the measurement point 203 in FIG. That is, as shown in FIG. 12A, the shadows 300a, 300b, and 300c of the terminals 112a, 112b, and 112c are formed on the circuit board 200A by the light 131 from the irradiation unit 130 (FIG. 12C). Is projected. The shadow 300c of the terminal 112c (FIG. 12B) that is closest to the circuit board 200A extends from the vicinity of the tip of the terminal 112c when viewed from above as shown in FIG. 12A. Then, as shown in FIG. 12 (A), as the distance from the circuit board 200A increases in the order of the terminals 112b and 112a (FIG. 12 (B)), the tip of those and the tips of the shadows 300b and 300a, The interval when viewed from above increases.

このように、影300a,300b,300cは、各端子112a,112b,112cと回路基板200Aとの距離の違いを反映した位置、形状で、回路基板200A上に投影される。換言すれば、回路基板200A上の影300a,300b,300cの位置、形状を見れば、その時点での各端子112a,112b,112cと回路基板200Aとの位置関係を求めることができる。   As described above, the shadows 300a, 300b, and 300c are projected onto the circuit board 200A in positions and shapes that reflect the difference in distance between the terminals 112a, 112b, and 112c and the circuit board 200A. In other words, if the positions and shapes of the shadows 300a, 300b, and 300c on the circuit board 200A are viewed, the positional relationship between the terminals 112a, 112b, and 112c and the circuit board 200A at that time can be obtained.

そのため、プローブ装置100は、回路基板200Aの上方から、取得部150によって、この図11(A)や図12(A)のような領域の像を取得し、表示部160によって表示する。オペレータは、その像を見て、各端子112a,112b,112cと回路基板200Aとの位置関係を求めることができる。   Therefore, the probe apparatus 100 acquires an image of the region as shown in FIG. 11A or FIG. 12A from the upper side of the circuit board 200A by the acquisition unit 150 and displays it on the display unit 160. The operator can determine the positional relationship between the terminals 112a, 112b, and 112c and the circuit board 200A by viewing the image.

図13はプローブ装置での平行度合わせの一例を説明する図である。
例えば、取得部150で取得され、表示部160に表示される像に基づいて、プローブ110と回路基板200Aとの平行度を合わせる際は、影300a,300b,300cの位置、形状を見ながら、プローブ110をアーム回転部121によって回転させる。ここでは、端子112a,112b,112cの先端位置が揃ったプローブ110を使用しているが、図13に示すように、回路基板200A上の影300a,300b,300cの先端位置も揃うような角度まで、プローブ110を回転させる。このようにプローブ110を回転させることにより、プローブ110と回路基板200Aとの平行度を合わせることができる。
FIG. 13 is a diagram for explaining an example of adjusting the parallelism in the probe device.
For example, when matching the parallelism between the probe 110 and the circuit board 200A based on the image acquired by the acquisition unit 150 and displayed on the display unit 160, while looking at the positions and shapes of the shadows 300a, 300b, and 300c, The probe 110 is rotated by the arm rotating unit 121. Here, the probe 110 in which the tip positions of the terminals 112a, 112b, and 112c are aligned is used. However, as shown in FIG. Until the probe 110 is rotated. By rotating the probe 110 in this way, the parallelism between the probe 110 and the circuit board 200A can be matched.

尚、影300a,300b,300cの像は、端子112a,112b,112cと回路基板200Aとの距離が近くなるほど、より鮮明になる。プローブ110の回転に伴い、回路基板200Aとの距離が遠くなり、影の像が不鮮明になってしまうような場合には、プローブ110を、適宜z方向に移動させて回路基板200Aに近付けながら、回転させるようにしてもよい。勿論、プローブ110の回転と共に、x,y方向への移動(位置合わせ)を行うようにしてもよい。   The images of the shadows 300a, 300b, and 300c become clearer as the distance between the terminals 112a, 112b, and 112c and the circuit board 200A becomes shorter. When the distance from the circuit board 200A is increased with the rotation of the probe 110 and the shadow image becomes unclear, the probe 110 is appropriately moved in the z direction and brought close to the circuit board 200A. You may make it rotate. Of course, as the probe 110 rotates, movement (position alignment) in the x and y directions may be performed.

プローブ110と回路基板200Aとの平行度合わせ、及び端子112a,112b,112cと被測定パッド210a,210b,210cのx,y方向の位置合わせを行った後、プローブ110をz方向(回路基板200A側)に移動させる。これにより、端子112a,112b,112cを、被測定パッド210a,210b,210cに一度で接触させることが可能になる。   After adjusting the parallelism between the probe 110 and the circuit board 200A and aligning the terminals 112a, 112b, and 112c with the pads to be measured 210a, 210b, and 210c in the x and y directions, the probe 110 is moved in the z direction (the circuit board 200A). To the side). Thus, the terminals 112a, 112b, and 112c can be brought into contact with the measured pads 210a, 210b, and 210c at a time.

端子112a,112b,112cを被測定パッド210a,210b,210cに接触させた後は、例えば、回路基板200Aに所定の信号を入力し、端子112a,112b,112cで出力を検出する。プローブ装置100は、端子112a,112b,112cで検出された出力を用いて、回路基板200Aの電気特性を信号処理部140によって測定する。   After the terminals 112a, 112b, and 112c are brought into contact with the pads to be measured 210a, 210b, and 210c, for example, a predetermined signal is input to the circuit board 200A and the output is detected by the terminals 112a, 112b, and 112c. The probe device 100 measures the electrical characteristics of the circuit board 200 </ b> A by the signal processing unit 140 using the outputs detected by the terminals 112 a, 112 b, and 112 c.

このように、プローブ110と回路基板200Aとの平行度合わせに、端子112,112b,112cの影300a,300b,300cを利用することで、平行度を適正に合わせることが可能になる。また、このような影300a,300b,300cを利用した平行度合わせは、変形状態が異なる測定箇所201,202,203ごとに、それぞれ簡便且つ適正に行うことができる。平行度合わせのために、別途上記のような引っかき傷形成用の基板1000を用いることを要しない。そのため、回路基板200A上の測定箇所201,202,203をはじめ、様々な測定箇所について、プローブ110との平行度合わせを行い、適正な測定結果を得ることが可能になる。   Thus, the parallelism can be appropriately adjusted by using the shadows 300a, 300b, and 300c of the terminals 112, 112b, and 112c for the parallelism of the probe 110 and the circuit board 200A. Further, the parallelism adjustment using the shadows 300a, 300b, and 300c can be easily and appropriately performed for each of the measurement locations 201, 202, and 203 having different deformation states. In order to adjust the parallelism, it is not necessary to separately use the scratch forming substrate 1000 as described above. Therefore, it is possible to adjust the parallelism with the probe 110 at various measurement locations including the measurement locations 201, 202, and 203 on the circuit board 200A and obtain appropriate measurement results.

尚、ここでは、影300を利用したプローブ110と回路基板200Aとの平行度合わせを例にして説明した。このような影300を利用した平行度合わせは、プローブ110と様々な被測定物200の間、例えば、ウェハのような比較的平坦なものとの間の平行度合わせに適用することもできる。   Here, the parallelism alignment between the probe 110 using the shadow 300 and the circuit board 200A has been described as an example. Such parallelism adjustment using the shadow 300 can also be applied to parallelism adjustment between the probe 110 and various objects 200 to be measured, for example, a relatively flat object such as a wafer.

比較的平坦な被測定物200においても、端子112a,112b,112cと被測定物200との距離の調整が適切でなかった場合には、適正な測定結果を得ることができなくなる。例えば、プローブ110の中に、被測定パッドと接触しない端子がでてきたり、弾性を利用して端子を押し付けたときに変形が生じてしまったりする場合がある。比較的平坦な被測定物200についても、上記のような影300を利用した平行度合わせを行うようにすることで、端子の未接触や変形を回避して、適正な測定結果を得ることが可能になる。比較的平坦な被測定物200の場合は、引っかき傷形成用の基板1000で平行度合わせを行った後に、或いは、そのような基板1000で平行度合わせを行うことなく、上記のような影300を利用した平行度合わせを行うことが可能である。   Even in a relatively flat object 200, if the distance between the terminals 112a, 112b, and 112c and the object 200 is not properly adjusted, an appropriate measurement result cannot be obtained. For example, a terminal that does not come into contact with the measured pad may appear in the probe 110, or deformation may occur when the terminal is pressed using elasticity. Even for a relatively flat object 200, by adjusting the parallelism using the shadow 300 as described above, it is possible to avoid non-contact and deformation of the terminal and obtain an appropriate measurement result. It becomes possible. In the case of a relatively flat object to be measured 200, the shadow 300 as described above is obtained after the parallelism is adjusted with the substrate 1000 for forming scratches, or without the parallelism adjustment with such a substrate 1000. It is possible to perform parallelism alignment using.

尚、上記プローブ装置100では、アーム部120の下側に照射部130が設けられている。今、プローブ110と被測定物200の平行度が合っているときの、端子部112と被測定物200とのなす角をαとし、照射部130からの光131の照射方向と被測定物200とのなす角をβとする。このとき、照射部130からプローブ110に向かって照射される光131によって、被測定物200上に影300を投影するためには、tanβ<tanαの条件が満足されることが望ましい。例えば、端子部112と被測定物200とのなす角αについて、tanα=0.3〜0.4程度である場合、光131の照射方向と被測定物200とのなす角βについて、tanβ=0.2程度となるようにする。   In the probe device 100, the irradiation unit 130 is provided below the arm unit 120. Now, let α be the angle formed by the terminal portion 112 and the device under test 200 when the parallelism of the probe 110 and the device under test 200 matches, and the direction of irradiation of the light 131 from the irradiation unit 130 and the device under test 200. Let β be the angle between. At this time, in order to project the shadow 300 on the DUT 200 by the light 131 irradiated from the irradiation unit 130 toward the probe 110, it is desirable that the condition of tan β <tan α is satisfied. For example, when the angle α formed between the terminal portion 112 and the device under test 200 is tan α = about 0.3 to 0.4, the angle β formed between the irradiation direction of the light 131 and the device under test 200 is tan β = It should be about 0.2.

tanβの設定にあたっては、光131をアーム部120やプローブ筐体部111が大きく遮らないような位置に照射部130を設置するようにして、tanβの上限を設定するとよい。光131が端子部112への到達前に遮られるほど、被測定物200上に投影される影300が薄くなり、視認し難くなるためである。また、被測定物200の凹凸等によって影300が投影できない、或いは影300が被測定物200上に広がり過ぎ、鮮明な影300が投影されない、といったことが抑えられるように、tanβの下限を設定するとよい。tanβの上限及び下限は、プローブ110やアーム部120の構造、被測定物200の光反射特性や凹凸等によって変化し得るので、適宜調整できるようにしておくことが望ましい。   In setting tan β, it is preferable to set the upper limit of tan β by setting the irradiation unit 130 at a position where the arm 131 and the probe housing unit 111 do not largely block the light 131. This is because as the light 131 is blocked before reaching the terminal portion 112, the shadow 300 projected on the object 200 to be measured becomes thinner and difficult to see. Further, the lower limit of tan β is set so that the shadow 300 cannot be projected due to the unevenness of the object 200 to be measured, or the shadow 300 is excessively spread on the object 200 and the clear shadow 300 is not projected. Good. Since the upper limit and the lower limit of tan β can vary depending on the structure of the probe 110 and the arm unit 120, the light reflection characteristics, unevenness, and the like of the object to be measured 200, it is desirable to be able to adjust as appropriate.

次に、第2の実施の形態について説明する。
図14は第2の実施の形態に係るプローブ装置の一例を示す図である。
図14に示すプローブ装置100Bは、照射部130が、アーム部120の上側、即ちアーム部120の被測定物200と対向する側と反対の側に、設けられている。プローブ装置100Bでは、このようにアーム部120の上側に設けられた照射部130から、プローブ110に向かって、光131が照射される。
Next, a second embodiment will be described.
FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a probe device according to the second embodiment.
In the probe device 100B shown in FIG. 14, the irradiation unit 130 is provided on the upper side of the arm unit 120, that is, on the side opposite to the side of the arm unit 120 facing the object to be measured 200. In the probe apparatus 100B, the light 131 is irradiated from the irradiation unit 130 provided on the upper side of the arm unit 120 toward the probe 110 in this way.

図15は被測定物上に端子の影を投影する例の説明図であって、(A)は平面図、(B)は正面図、(C)は側面図である。
プローブ装置100Bでは、図14及び図15(C)に示したように、プローブ110をその上側から光131で照らす。そのため、図15(A)に示すように、各端子112a,112b,112cの影300a,300b,300cは、プローブ110の下とその先に延びるように、被測定物200上に投影されるようになる。このようにプローブ110の上側から光131を照射した場合にも、影300a,300b,300cは、図15(B)に示したような各端子112a,112b,112cと被測定物200との距離の違いを反映した位置、形状で、被測定物200上に投影される。
FIG. 15 is an explanatory diagram of an example in which the shadow of the terminal is projected onto the object to be measured, where (A) is a plan view, (B) is a front view, and (C) is a side view.
In the probe device 100B, as shown in FIGS. 14 and 15C, the probe 110 is illuminated with light 131 from above. Therefore, as shown in FIG. 15A, the shadows 300a, 300b, and 300c of the terminals 112a, 112b, and 112c are projected onto the DUT 200 so as to extend below and beyond the probe 110. become. Thus, even when the light 131 is irradiated from the upper side of the probe 110, the shadows 300a, 300b, and 300c are distances between the terminals 112a, 112b, and 112c as shown in FIG. Are projected onto the DUT 200 in a position and shape reflecting the difference.

プローブ装置100Bは、被測定物200の上方から、取得部150によって、この図15(A)のような像を取得し、表示部160によって表示する。オペレータは、その像を見て、各端子112a,112b,112cと被測定物200との位置関係を求める。   The probe device 100 </ b> B acquires an image as shown in FIG. 15A from the upper side of the DUT 200 by the acquisition unit 150 and displays it on the display unit 160. The operator looks at the image and obtains the positional relationship between the terminals 112a, 112b, and 112c and the DUT 200.

オペレータは、例えば、影300a,300b,300cの位置、形状を見ながら、プローブ110を回転させ、被測定物200との平行度を合わせる。そして、プローブ110と被測定物200との平行度合わせ、及びプローブ110のx,y方向の位置合わせを行った後、プローブ110をz方向に移動させ、被測定物200に接触させる。それにより、端子112a,112b,112cを、被測定パッド210a,210b,210cに一度で接触させる。その後は、例えば、被測定物200に所定の信号を入力し、端子112a,112b,112cによって出力を検出し、信号処理部140によって電気特性を測定する。   For example, the operator rotates the probe 110 while viewing the positions and shapes of the shadows 300a, 300b, and 300c, and adjusts the parallelism with the DUT 200. Then, after adjusting the parallelism between the probe 110 and the DUT 200 and aligning the probe 110 in the x and y directions, the probe 110 is moved in the z direction and brought into contact with the DUT 200. Thereby, the terminals 112a, 112b, and 112c are brought into contact with the measured pads 210a, 210b, and 210c at a time. Thereafter, for example, a predetermined signal is input to the device under test 200, the output is detected by the terminals 112a, 112b, and 112c, and the electrical characteristics are measured by the signal processing unit 140.

このようなプローブ装置100Bによっても、プローブ110と被測定物200との平行度合わせを、被測定物200の測定箇所ごとに、その変形に応じて、それぞれ簡便且つ適正に行うことができる。それにより、被測定物200の様々な測定箇所について、プローブ110との平行度合わせを行い、適正な測定結果を得ることが可能になる。   Also with such a probe device 100B, the parallelism between the probe 110 and the object to be measured 200 can be easily and appropriately performed for each measurement location of the object to be measured 200 according to the deformation. Thereby, it is possible to adjust the parallelism with the probe 110 at various measurement locations of the DUT 200 and obtain appropriate measurement results.

次に、第3の実施の形態について説明する。
図16は第3の実施の形態に係るプローブの一例を示す図であって、(A)は平面図、(B)は正面図、(C)は側面図である。
Next, a third embodiment will be described.
FIG. 16 is a diagram illustrating an example of a probe according to the third embodiment, in which (A) is a plan view, (B) is a front view, and (C) is a side view.

図16に示すプローブ110Dは、3つの端子112a,112b,112cに加え、最外端に、それらと先端位置を揃えた、信号の入出力に寄与しない、ダミー端子112dが設けられている。例えば、上記第1の実施の形態に係るプローブ装置100において、そのプローブ110に替えて、この図16に示したようなダミー端子112dを設けたプローブ110Dを用いる。被測定物200には、例えば、ダミー端子112dに対応する位置に、信号の入出力に寄与しないダミーパッド210dを設けておく。   In addition to the three terminals 112a, 112b, and 112c, the probe 110D shown in FIG. 16 is provided with a dummy terminal 112d that does not contribute to signal input / output and is aligned with the tip position at the outermost end. For example, in the probe apparatus 100 according to the first embodiment, a probe 110D provided with a dummy terminal 112d as shown in FIG. 16 is used instead of the probe 110. The DUT 200 is provided with a dummy pad 210d that does not contribute to signal input / output, for example, at a position corresponding to the dummy terminal 112d.

このようなプローブ110Dを用いる場合、プローブ110Dと被測定物200との平行度合わせは、次のようにして行うことができる。
まず、プローブ110Dを被測定物200に接近させたときに、最外端のダミー端子112dが最初に被測定物200に接触するような角度まで、プローブ110Dを回転させておく。即ち、プローブ110Dの端子112a,112b,112c及びダミー端子112dのうち、ダミー端子112dと被測定物200との距離が最も短くなるように、プローブ110Dを回転させておく。そして、プローブ110Dをx,y方向に移動させ、端子112a,112b,112c及びダミー端子112dを、被測定パッド210a,210b,210d及びダミーパッド210dの領域に移動させる。次いで、照射部130から光131を照射しながら、プローブ110Dをz方向に移動させ、被測定物200に接近、或いは接触させる。
When such a probe 110D is used, the parallelism between the probe 110D and the DUT 200 can be adjusted as follows.
First, when the probe 110D is brought close to the device under test 200, the probe 110D is rotated to such an angle that the outermost dummy terminal 112d first contacts the device under test 200. That is, the probe 110D is rotated so that the distance between the dummy terminal 112d and the DUT 200 among the terminals 112a, 112b, 112c and the dummy terminal 112d of the probe 110D is the shortest. Then, the probe 110D is moved in the x and y directions, and the terminals 112a, 112b, 112c and the dummy terminal 112d are moved to the areas of the measured pads 210a, 210b, 210d and the dummy pad 210d. Next, the probe 110 </ b> D is moved in the z direction while irradiating the light 131 from the irradiating unit 130, and approaches or comes into contact with the DUT 200.

光131の照射により(図16(C))、被測定物200上には、図16(A)にしたように、端子112a,112b,112cの影300a,300b,300cのほか、ダミー端子112dの影300dも投影される。プローブ110Dの中でダミー端子112dが最も被測定物200に近いため(図16(B))、表示部160で表示される像では、ダミー端子112dと影300dとの間隔が最も狭くなる。ダミー端子112dがダミーパッド210dに接触していれば、ダミー端子112dの先端から影300dが延びるようになる。   By irradiation with light 131 (FIG. 16C), on the DUT 200, as shown in FIG. 16A, in addition to the shadows 300a, 300b, and 300c of the terminals 112a, 112b, and 112c, the dummy terminal 112d. A shadow 300d is also projected. Since the dummy terminal 112d is closest to the DUT 200 in the probe 110D (FIG. 16B), in the image displayed on the display unit 160, the distance between the dummy terminal 112d and the shadow 300d is the narrowest. If the dummy terminal 112d is in contact with the dummy pad 210d, the shadow 300d extends from the tip of the dummy terminal 112d.

オペレータは、このような影300a,300b,300c,300dの位置、形状に基づき、プローブ110Dを回転させ、被測定物200との平行度を合わせる。そして、プローブ110Dと被測定物200との平行度合わせ、及びプローブ110Dのx,y方向の位置合わせを行った後、プローブ110Dをz方向に移動させ、被測定物200に接触させる。それにより、端子112a,112b,112cを、被測定パッド210a,210b,210cに一度で接触させる。尚、このとき、ダミー端子112dもダミーパッド210dに接触するようになる。その後は、例えば、被測定物200に所定の信号を入力し、端子112a,112b,112cによって出力を検出し、信号処理部140によって電気特性を測定する。   The operator rotates the probe 110D based on the positions and shapes of the shadows 300a, 300b, 300c, and 300d, and adjusts the parallelism with the DUT 200. Then, after adjusting the parallelism between the probe 110D and the DUT 200 and aligning the probe 110D in the x and y directions, the probe 110D is moved in the z direction and brought into contact with the DUT 200. Thereby, the terminals 112a, 112b, and 112c are brought into contact with the measured pads 210a, 210b, and 210c at a time. At this time, the dummy terminal 112d also comes into contact with the dummy pad 210d. Thereafter, for example, a predetermined signal is input to the device under test 200, the output is detected by the terminals 112a, 112b, and 112c, and the electrical characteristics are measured by the signal processing unit 140.

このように、ダミー端子112dを設けたプローブ110Dを用いても、プローブ110Dと被測定物200との平行度合わせを行うことが可能である。ダミー端子112dは、それ自体が信号の入出力に寄与しないダミーの端子であり、それが接触するのもダミーパッド210dである。そのため、影300dを利用した平行度合わせの際に、ダミー端子112dがダミーパッド210dに接触し、その結果、それらに多少の損傷が生じたとしても、そのことが被測定物200の電気特性の測定結果や品質に影響を及ぼすのを抑えることが可能になる。   As described above, even when the probe 110D provided with the dummy terminal 112d is used, it is possible to adjust the parallelism between the probe 110D and the DUT 200. The dummy terminal 112d itself is a dummy terminal that does not contribute to signal input / output, and it is also the dummy pad 210d that contacts it. Therefore, even when the parallelism is adjusted using the shadow 300d, even if the dummy terminal 112d comes into contact with the dummy pad 210d and as a result, some damage occurs, this is the fact that the electrical characteristics of the DUT 200 are measured. It is possible to suppress the influence on measurement results and quality.

ここでは、上記第1の実施の形態に係るプローブ装置100のプローブ110に替えて、ダミー端子112dを設けたプローブ110Dを用いる場合を例にして述べた。このほか、上記第2の実施の形態に係るプローブ装置100Bのプローブ110に替えて、ダミー端子112dを設けたプローブ110Dを用いることも可能である。   Here, the case where the probe 110D provided with the dummy terminal 112d is used instead of the probe 110 of the probe apparatus 100 according to the first embodiment has been described as an example. In addition, it is also possible to use a probe 110D provided with a dummy terminal 112d instead of the probe 110 of the probe apparatus 100B according to the second embodiment.

尚、以上説明したプローブ装置100,100B等では、表示部160を設けず、取得部150に光学顕微鏡を用い、オペレータが光学顕微鏡像を観察しながら、プローブ110,110Dと被測定物200との平行度合わせを行うことも可能である。   In the probe devices 100 and 100B described above, the display unit 160 is not provided, an optical microscope is used for the acquisition unit 150, and an operator observes the optical microscope image while the probe 110, 110D and the DUT 200 are measured. It is also possible to adjust the parallelism.

また、以上の説明では、端子112a,112b,112cの先端位置が揃ったプローブ110、或いは端子112a,112b,112c及びダミー端子112dの先端位置が揃ったプローブ110Dを例にした。このような端子の先端位置の揃ったプローブ110,110Dに限らず、端子の先端位置の揃っていないプローブであっても、その影を利用して、被測定物との位置関係を求めることが可能である。   In the above description, the probe 110 in which the tip positions of the terminals 112a, 112b, and 112c are aligned, or the probe 110D in which the tip positions of the terminals 112a, 112b, 112c and the dummy terminal 112d are aligned is taken as an example. Not only the probes 110 and 110D in which the tip positions of the terminals are aligned but also the probes in which the tip positions of the terminals are not aligned, the positional relationship with the object to be measured can be obtained using the shadow. Is possible.

以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
(付記1) 複数の端子を含むプローブと、
前記プローブを保持する保持部と、
前記保持部に設けられ、前記プローブに向かって光を照射する照射部と、
前記光によって被測定物上に投影される前記複数の端子の影を含む像を取得する取得部と
を含むことを特徴とするプローブ装置。
Regarding the embodiment described above, the following additional notes are further disclosed.
(Supplementary note 1) a probe including a plurality of terminals;
A holding unit for holding the probe;
An irradiating unit provided on the holding unit and irradiating light toward the probe;
An acquisition unit that acquires an image including shadows of the plurality of terminals projected onto the object to be measured by the light.

(付記2) 前記保持部は、前記プローブを、該プローブの方向を軸にして回転させる回転部を含むことを特徴とする付記1に記載のプローブ装置。
(付記3) 前記保持部は、水平方向及び鉛直方向に移動可能であり、
前記照射部は、前記保持部の移動に連動することを特徴とする付記1又は2に記載のプローブ装置。
(Additional remark 2) The said holding | maintenance part contains the rotation part which rotates the said probe centering on the direction of this probe, The probe apparatus of Additional remark 1 characterized by the above-mentioned.
(Additional remark 3) The said holding | maintenance part is movable to a horizontal direction and a perpendicular direction,
The probe device according to appendix 1 or 2, wherein the irradiation unit is interlocked with the movement of the holding unit.

(付記4) 前記照射部は、前記保持部の、前記被測定物と対向する側に設けられることを特徴とする付記1乃至3のいずれかに記載のプローブ装置。
(付記5) 前記取得部は、前記被測定物上方からの前記像を取得することを特徴とする付記1乃至4のいずれかに記載のプローブ装置。
(Additional remark 4) The said irradiation part is provided in the side facing the said to-be-measured object of the said holding | maintenance part, The probe apparatus in any one of Additional remark 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned.
(Additional remark 5) The said acquisition part acquires the said image from the said to-be-measured object upper direction, The probe apparatus in any one of Additional remark 1 thru | or 4 characterized by the above-mentioned.

(付記6) 前記プローブは、前記複数の端子の各先端が一直線上に並ぶことを特徴とする付記1乃至5のいずれかに記載のプローブ装置。
(付記7) 前記照射部は、平行光源を含むことを特徴とする付記1乃至6のいずれかに記載のプローブ装置。
(Supplementary note 6) The probe device according to any one of supplementary notes 1 to 5, wherein the probe has tips of the plurality of terminals arranged in a straight line.
(Additional remark 7) The said irradiation part contains a parallel light source, The probe apparatus in any one of Additional remark 1 thru | or 6 characterized by the above-mentioned.

(付記8) 前記取得部で取得された前記像を表示する表示部を更に含むことを特徴とする付記1乃至7のいずれかに記載のプローブ装置。
(付記9) 前記複数の端子のうち、最外端の端子は、ダミー端子であることを特徴とする付記1乃至8のいずれかに記載のプローブ装置。
(Additional remark 8) The probe apparatus in any one of additional remark 1 thru | or 7 further including the display part which displays the said image acquired by the said acquisition part.
(Supplementary note 9) The probe device according to any one of supplementary notes 1 to 8, wherein an outermost terminal among the plurality of terminals is a dummy terminal.

(付記10) 複数の端子を含むプローブを保持する保持部に設けられた照射部から、前記プローブに向かって光を照射する工程と、
前記光によって被測定物上に投影される前記複数の端子の影を含む像を取得部によって取得する工程と
を含むことを特徴とするプローブ測定方法。
(Additional remark 10) The process of irradiating light toward the said probe from the irradiation part provided in the holding | maintenance part holding the probe containing a some terminal,
And a step of acquiring, by an acquisition unit, an image including shadows of the plurality of terminals projected onto the object to be measured by the light.

(付記11) 前記取得部によって取得された前記像を表示部によって表示する工程を更に含むことを特徴とする付記10に記載のプローブ測定方法。   (Additional remark 11) The probe measuring method of Additional remark 10 characterized by further including the process of displaying the said image acquired by the said acquisition part by a display part.

10,100,100B プローブ装置
11,110,110D プローブ
11a,11b,11c,112a,112b,112c 端子
12 保持部
13,130 照射部
13a,131 光
14,150 取得部
20,200 被測定物
30,30a,30b,30c,300,300a,300b,300c,300d 影
111 プローブ筐体部
112 端子部
112d ダミー端子
113 点線
120 アーム部(保持部)
121 アーム回転部
122 アーム固定部
140 信号処理部
160 表示部
200A 回路基板(被測定物)
201,202,203 測定箇所
210 被測定パッド部
210a,210b,210c 被測定パッド
210d ダミーパッド
1000 基板
1001 傷
10, 100, 100B Probe device 11, 110, 110D Probe 11a, 11b, 11c, 112a, 112b, 112c Terminal 12 Holding unit 13, 130 Irradiation unit 13a, 131 Light 14, 150 Acquisition unit 20, 200 Device under test 30, 30a, 30b, 30c, 300, 300a, 300b, 300c, 300d Shadow 111 Probe housing part 112 Terminal part 112d Dummy terminal 113 Dotted line 120 Arm part (holding part)
121 Arm Rotating Unit 122 Arm Fixing Unit 140 Signal Processing Unit 160 Display Unit 200A Circuit Board (Measurement Object)
201, 202, 203 Measurement point 210 Pad portion under measurement 210a, 210b, 210c Pad under measurement 210d Dummy pad 1000 Substrate 1001 Scratch

Claims (5)

被測定物の上方に配置され、側方の一方側に延びて設けられた複数の端子を含むプローブと、
前記被測定物の上方に配置され、前記プローブの前記一方側とは反対の他方側を保持する保持部と、
前記被測定物の上方に配置され、前記保持部の、前記被測定物と対向する側に設けられ、前記プローブの前記複数の端子が延びる方に向かって、前記複数の端子に対して、光を照射する照射部と、
前記被測定物の上方に配置され、前記光によって前記被測定物上に投影される前記複数の端子の影を含む像を、前記被測定物の上方から取得する取得部と
を含むことを特徴とするプローブ装置。
A probe including a plurality of terminals disposed above the object to be measured and extending to one side of the side;
A holding unit disposed above the object to be measured and holding the other side of the probe opposite to the one side;
It is disposed above the object to be measured , provided on the side of the holding part facing the object to be measured, and is directed toward the plurality of terminals toward the direction in which the terminals of the probe extend. Irradiating part for irradiating
Characterized in that it comprises a said arranged above the object to be measured, obtaining an image including the shadow of the plurality of terminals to be projected onto the object to be measured by the light, to obtain from the top of the object to be measured unit The probe device.
前記保持部は、前記プローブを、該プローブの方向を軸にして回転させる回転部を含むことを特徴とする請求項1に記載のプローブ装置。   The probe apparatus according to claim 1, wherein the holding unit includes a rotating unit that rotates the probe about the direction of the probe. 前記保持部は、水平方向及び鉛直方向に移動可能であり、
前記照射部は、前記保持部の移動に連動することを特徴とする請求項1又は2に記載のプローブ装置。
The holding part is movable in the horizontal direction and the vertical direction,
The probe device according to claim 1, wherein the irradiation unit is interlocked with the movement of the holding unit.
前記取得部で取得された前記像を表示する表示部を更に含むことを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載のプローブ装置。 Probe device according to any one of claims 1 to 3, further comprising a display unit for displaying the image acquired by the acquisition unit. 被測定物の上方に配置され、側方の一方側に延びて設けられた複数の端子を含むプローブと、
前記被測定物の上方に配置され、前記プローブの前記一方側とは反対の他方側を保持する保持部と、
前記被測定物の上方に配置され、前記保持部の、前記被測定物と対向する側に設けられた照射部と、
前記被測定物の上方に配置された取得部と
を含むプローブ装置を用いたプローブ測定方法であって、
前記照射部から、前記プローブの前記複数の端子が延びる方に向かって、前記複数の端子に対して、光を照射する工程と、
前記光によって前記被測定物上に投影される前記複数の端子の影を含む像を、前記被測定物の上方から前記取得部によって取得する工程と
を含むことを特徴とするプローブ測定方法。
A probe including a plurality of terminals disposed above the object to be measured and extending to one side of the side;
A holding unit disposed above the object to be measured and holding the other side of the probe opposite to the one side;
An irradiation unit disposed above the object to be measured and provided on a side of the holding unit facing the object to be measured;
An acquisition unit disposed above the object to be measured;
A probe measurement method using a probe device including:
From the irradiation unit, towards the plurality of terminals of said probe extends, to the plurality of terminals, comprising the steps of irradiating light,
Probe measurement method which comprises a step of obtaining the image including the shadow of the plurality of terminals to be projected onto the object to be measured, by the acquisition section from above of the object to be measured by the light.
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