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JP5754166B2 - Method for producing base generator - Google Patents
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Description

本発明は、電磁波の照射及び加熱により塩基を発生する塩基発生剤の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for producing a base generator that generates a base by irradiation with electromagnetic waves and heating.

感光性樹脂組成物は、例えば、電子部品、光学製品、光学部品の成形材料、層形成材料又は接着剤などに用いられ、特に、電磁波によるパターニング工程を経て形成される製品又は部材に好適に利用されてきている。   The photosensitive resin composition is used for, for example, an electronic component, an optical product, a molding material of an optical component, a layer forming material or an adhesive, and particularly preferably used for a product or a member formed through a patterning process using electromagnetic waves. Has been.

例えば、高分子材料であるポリイミドは、耐熱性、寸法安定性、絶縁特性といった性能が有機物の中でもトップクラスの性能を示すため、電子部品の絶縁材料等へ広く適用され、半導体素子の中のチップコーティング膜や、フレキシブルプリント配線板の基材などとして盛んに利用されてきている。
しかし、一般にポリイミドは溶媒への溶解性に乏しく、加工が困難なため、ポリイミドを所望の形状にパターニングする方法として、溶媒溶解性に優れるポリイミド前駆体の状態で露光と現像によるパターニングを行い、その後、熱処理等によりイミド化を行いポリイミドのパターンを得るという方法がある。
For example, polyimide, which is a polymer material, exhibits top-class performance among organic materials such as heat resistance, dimensional stability, and insulation characteristics, so it is widely applied to insulating materials for electronic components. It has been actively used as a coating film, a base material for flexible printed wiring boards, and the like.
However, in general, polyimide is poorly soluble in a solvent and difficult to process. Therefore, as a method of patterning polyimide into a desired shape, patterning is performed by exposure and development in the state of a polyimide precursor having excellent solvent solubility, and then There is a method of obtaining a polyimide pattern by imidization by heat treatment or the like.

ポリイミド前駆体のパターニング手法の一つとして、ポリイミド前駆体のポリアミック酸に、光塩基発生剤を混合し、露光後加熱することで露光によって発生した塩基の作用によって環化を進行させ、現像液に対する溶解性を低下させることで、露光部と未露光部の現像液に対する溶解速度のコントラストを大きくすることでパターン形成を行い、その後にイミド化を行い、ポリイミドパターンを得る手法が報告されている(特許文献1)。   As one of the polyimide precursor patterning methods, the polyamic acid of the polyimide precursor is mixed with a photobase generator and heated after exposure to advance the cyclization by the action of the base generated by the exposure. A technique for obtaining a polyimide pattern by reducing the solubility, forming a pattern by increasing the contrast of the dissolution rate in the developing solution of the exposed part and the unexposed part, and then imidizing is reported ( Patent Document 1).

光塩基発生剤を用いた感光性樹脂組成物としては、その他に、エポキシ系化合物を用いた例がある(例えば、特許文献2)。光塩基発生剤に光を照射することによってエポキシ系化合物を含む層中でアミン類を発生させることで、アミン類が開始剤あるいは触媒として作用し、露光部だけエポキシ系化合物を硬化させることができ、パターン形成を行うことができる。   As another example of the photosensitive resin composition using the photobase generator, there is an example using an epoxy compound (for example, Patent Document 2). By irradiating the photobase generator with light, amines are generated in the layer containing the epoxy compound, so that the amines act as an initiator or a catalyst, and the epoxy compound can be cured only in the exposed area. Pattern formation can be performed.

光塩基発生剤を用いた感光性樹脂組成物は、既存の高分子前駆体に、光塩基発生剤を一定比率で混合するだけで感光性高分子前駆体を得ることができるため、樹脂組成物を製造するプロセスが簡便である。特に、従来用いる前駆体化合物の構造が制約されたポリイミド前駆体にとっては、種々の構造のポリイミド前駆体に適用できるため汎用性が高いという利点がある。しかし、従来の光塩基発生剤は感度が低いため、電磁波の照射量が多くなってしまうという問題があった。電磁波の照射量が多くなってしまうと、単位時間の処理量(スループット)が低下する問題もあった。   A photosensitive resin composition using a photobase generator is a resin composition because a photosensitive polymer precursor can be obtained simply by mixing a photobase generator at a certain ratio with an existing polymer precursor. The process for manufacturing is simple. In particular, a polyimide precursor in which the structure of a precursor compound used in the past is restricted has an advantage of high versatility because it can be applied to polyimide precursors having various structures. However, since conventional photobase generators have low sensitivity, there has been a problem that the amount of electromagnetic wave irradiation increases. When the amount of electromagnetic wave irradiation increases, there is also a problem that the processing amount (throughput) per unit time decreases.

感度が高い光塩基発生剤として、本発明者らは、ヒドロキシ桂皮酸アミド誘導体からなる光塩基発生剤を開発した(特許文献3)。   As a photobase generator having high sensitivity, the present inventors have developed a photobase generator comprising a hydroxycinnamic amide derivative (Patent Document 3).

特開平8−227154号公報JP-A-8-227154 特開2003−212856号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-212856 国際公開第2009/123122号パンフレットInternational Publication No. 2009/123122 Pamphlet

特許文献3に記載されたヒドロキシ桂皮酸アミド誘導体からなる塩基発生剤は、これまで、縮合剤として1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩(EDC)やN,N’−ジシクロヘキシルカルボジイミド(DCC)を用いて、カルボン酸と塩基性化合物を縮合して製造していた。しかしながら、EDCは工業的に用いるには高価であるという問題があり、DCCは縮合剤由来の固形の廃棄物が大量に生成されるため、目的物との分離が困難であるとともに環境負荷が大きいという問題があった。加えて、前記方法により製造する場合、得られる塩基発生剤の収率は十分なものではないという問題があった。したがって、環境負荷が小さく、安価に製造でき、より収率の高い製造方法が求められていた。   Until now, a base generator composed of a hydroxycinnamic amide derivative described in Patent Document 3 has been used as a condensing agent such as 1-ethyl-3- (3-dimethylaminopropyl) carbodiimide hydrochloride (EDC) or N, N′-. Dicyclohexylcarbodiimide (DCC) was used to produce a product by condensing a carboxylic acid and a basic compound. However, EDC has a problem that it is expensive for industrial use, and DCC produces a large amount of solid waste derived from a condensing agent, so that it is difficult to separate from the target product and has a large environmental load. There was a problem. In addition, when it is produced by the above method, there is a problem that the yield of the base generator obtained is not sufficient. Therefore, there has been a demand for a production method that has a low environmental load, can be produced at low cost, and has a higher yield.

本発明は、上記実情を鑑みてなされたものであり、その主目的は、高感度の塩基発生剤を、小さな環境負荷で、安価に、高い収率で製造できる塩基発生剤の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and its main object is to provide a method for producing a base generator capable of producing a high-sensitivity base generator at a low cost and in a high yield with a small environmental load. There is to do.

本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、出発物質として、ベンズアルデヒド誘導体とアセトアミド誘導体を用いることにより、前記縮合剤を用いることなく塩基発生剤を製造することができるとの知見を得た。
更に、本発明者らは、塩基存在下でベンズアルデヒド誘導体とアセトアミド誘導体を反応させることにより、塩基発生剤が高い反応収率で得られることを見出した。
As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors can produce a base generator without using the condensing agent by using a benzaldehyde derivative and an acetamide derivative as starting materials. And gained knowledge.
Furthermore, the present inventors have found that a base generator can be obtained with a high reaction yield by reacting a benzaldehyde derivative and an acetamide derivative in the presence of a base.

本発明の下記一般式(1)で表される塩基発生剤の製造方法は、下記一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体に、ジメチルホルムアミド中、塩基存在下で、下記一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体を反応させる工程を有することを特徴とする。
In the method for producing a base generator represented by the following general formula (1) of the present invention, a benzaldehyde derivative represented by the following general formula (A) is added to the benzaldehyde derivative in the presence of a base in dimethylformamide. It has the process of reacting the acetamide derivative represented by these.

Figure 0005754166
(一般式(A)、一般式(B)及び一般式(1)において、Rは、水素原子、或いは、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である。R、R、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、アジド基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R、R、R及びRは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。R及びRは、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R及びRは、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R及びRのうち少なくとも1つは有機基である。)
Figure 0005754166
(In General Formula (A), General Formula (B), and General Formula (1), R 1 is a hydrogen atom or a protecting group that can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves. R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group Phosphinyl group, phosphono group, phosphonato group, amino group, ammonio group, azide group or organic group, which may be the same or different, and R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are Two or more may combine to form a cyclic structure, and may include a heteroatom bond, and R 6 and R 7 are each independently a hydrogen atom or an organic group, and are the same. The May be different .R 6 and R 7, which may be they are attached to form a cyclic structure, may contain a binding heteroatom. Provided that at least one of R 6 and R 7 Is an organic group.)

本発明で製造される塩基発生剤の製造方法においては、前記塩基が、金属アルコキシドであることが、工業的に入手が容易であり、塩基性が強く、塩基発生剤の収率が高い点から好ましく、中でも、求核性の低いカリウム−t−ブトキシドであることが、塩基発生剤の収率が高い点からより好ましい。   In the method for producing a base generator produced in the present invention, the base is a metal alkoxide, because it is easily available industrially, has a strong basicity, and has a high yield of the base generator. Among them, potassium tert-butoxide having low nucleophilicity is more preferable from the viewpoint of high yield of the base generator.

本発明で製造される塩基発生剤の製造方法においては、有機溶媒がジメチルホルムアミドであるため、塩基発生剤の収率が高い。
In the production method of the base generator prepared in the present invention, since the organic solvent is dimethyl formamide, yield of base generator is not high.

本発明に係る製造方法によれば、高感度の塩基発生剤を、小さな環境負荷で、安価に、高い収率で製造できる塩基発生剤の製造方法を提供することができる。原料となるベンズアルデヒド誘導体やアセトアミド誘導体は、化成品を購入出来るかあるいは少ない工程数で得ることができるため、本発明の製造方法は、工業生産性の高い製造方法である。   According to the production method of the present invention, it is possible to provide a production method of a base generator that can produce a highly sensitive base generator with a small environmental load at low cost and in high yield. Since the benzaldehyde derivative or acetamide derivative used as a raw material can be obtained as a chemical product or obtained with a small number of steps, the production method of the present invention is a production method with high industrial productivity.

以下、本発明について詳しく説明する。
なお、本発明において、電磁波とは、波長を特定した場合を除き、可視及び非可視領域の波長の電磁波だけでなく、電子線のような粒子線、及び、電磁波と粒子線を総称する放射線又は電離放射線が含まれる。本明細書では、電磁波の照射を露光ともいう。なお、波長365nm、405nm、436nmの電磁波をそれぞれ、i線、h線、g線とも表記することがある。
The present invention will be described in detail below.
In the present invention, unless otherwise specified, the electromagnetic wave is not only an electromagnetic wave having a wavelength in the visible and invisible regions, but also a particle beam such as an electron beam, and radiation or a general term for the electromagnetic wave and the particle beam. Contains ionizing radiation. In this specification, irradiation with electromagnetic waves is also referred to as exposure. Note that electromagnetic waves with wavelengths of 365 nm, 405 nm, and 436 nm may be referred to as i-line, h-line, and g-line, respectively.

(塩基発生剤の製造方法)
本発明の下記一般式(1)で表される塩基発生剤の製造方法は、下記一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体に、有機溶剤中、塩基存在下で、下記一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体を反応させる工程を有することを特徴とする。
(Method for producing base generator)
In the method for producing a base generator represented by the following general formula (1) of the present invention, the benzaldehyde derivative represented by the following general formula (A) is added to the following general formula (B) in an organic solvent in the presence of a base. It has the process of reacting the acetamide derivative represented by these.

Figure 0005754166
(一般式(A)、一般式(B)及び一般式(1)において、Rは、水素原子、或いは、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である。R、R、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、アジド基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R、R、R及びRは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。R及びRは、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R及びRは、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R及びRのうち少なくとも1つは有機基である。)
Figure 0005754166
(In General Formula (A), General Formula (B), and General Formula (1), R 1 is a hydrogen atom or a protecting group that can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves. R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group Phosphinyl group, phosphono group, phosphonato group, amino group, ammonio group, azide group or organic group, which may be the same or different, and R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are Two or more may combine to form a cyclic structure, and may include a heteroatom bond, and R 6 and R 7 are each independently a hydrogen atom or an organic group, and are the same. The May be different .R 6 and R 7, which may be they are attached to form a cyclic structure, may contain a binding heteroatom. Provided that at least one of R 6 and R 7 Is an organic group.)

本発明に係る塩基発生剤の製造方法は、上記一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体に、有機溶媒中、塩基存在下で、上記一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体を反応させる工程を有することにより、小さな環境負荷で、安価に、且つ、高収率で優れた感度を有する塩基発生剤を製造することができる。   In the method for producing a base generator according to the present invention, the benzaldehyde derivative represented by the general formula (A) is reacted with the acetamide derivative represented by the general formula (B) in the presence of a base in an organic solvent. By having a process, it is possible to produce a base generator having excellent sensitivity at a low yield and high yield with a small environmental load.

上記一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体に、有機溶媒中、塩基存在下で、上記一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体を反応させる工程を有することにより、環境負荷が低く、安価に、優れた感度を有する塩基発生剤を製造することができるのは、未解明ではあるが、次のように推定される。   By having the step of reacting the benzaldehyde derivative represented by the general formula (A) with the acetamide derivative represented by the general formula (B) in an organic solvent in the presence of a base, the environmental load is low and inexpensive. In addition, it is not yet elucidated that a base generator having excellent sensitivity can be produced, but it is presumed as follows.

一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体を用いると、脱水縮合反応を用いなくても発生する塩基性化合物を予め導入することができる。このため、従来のようなカルボン酸と塩基性化合物の脱水縮合反応は不要となり、高価な1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩(EDC)や、反応時に大量の固形物を生成するN,N’−ジシクロヘキシルカルボジイミド(DCC)等の縮合剤が不要となるため、環境負荷が低く、安価に製造できる。
また、一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体は、塩基存在下でエノラートアニオンを生じ、当該エノラートアニオンは、前記一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体に対して反応性が高く、位置選択性が高いことが推定される。このため、一般式(1)で表されるようなトランス体が優位に生成され、高収率で優れた感度を有する塩基発生剤を製造することができるものと推定される。なお、有機溶媒中、酸存在下で、一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体に一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体を反応させると、一般式(1)で表される塩基発生剤の反応収率は極めて低いものとなった。
When the acetamide derivative represented by the general formula (B) is used, a basic compound generated without using a dehydration condensation reaction can be introduced in advance. For this reason, the conventional dehydration condensation reaction of carboxylic acid and basic compound is unnecessary, and expensive 1-ethyl-3- (3-dimethylaminopropyl) carbodiimide hydrochloride (EDC) and a large amount of solids during the reaction Since a condensing agent such as N, N′-dicyclohexylcarbodiimide (DCC) is not required, it can be produced at low cost and at low cost.
Further, the acetamide derivative represented by the general formula (B) generates an enolate anion in the presence of a base, and the enolate anion is highly reactive with the benzaldehyde derivative represented by the general formula (A). It is estimated that the selectivity is high. For this reason, it is presumed that a trans isomer represented by the general formula (1) is preferentially produced, and a base generator having a high yield and excellent sensitivity can be produced. In addition, when an acetamide derivative represented by the general formula (B) is reacted with a benzaldehyde derivative represented by the general formula (A) in an organic solvent in the presence of an acid, a base represented by the general formula (1) is generated. The reaction yield of the agent was extremely low.

本発明で製造される上記式(1)で表される塩基発生剤は、光塩基発生剤の1種であり、電磁波が照射されるだけでも塩基を発生するが、適宜加熱をすることにより、塩基の発生が促進される。本発明で製造される塩基発生剤は、電磁波の照射と加熱を組み合わせることにより、少ない電磁波照射量で、効率的に塩基を発生することが可能であり、従来の光塩基発生剤と比べて高い感度を有する。   The base generator represented by the above formula (1) produced in the present invention is a kind of photobase generator, and generates a base only by being irradiated with electromagnetic waves, but by appropriately heating, Generation of base is promoted. The base generator produced in the present invention can efficiently generate a base with a small amount of electromagnetic wave irradiation by combining electromagnetic wave irradiation and heating, and is higher than conventional photobase generators. Has sensitivity.

本発明の製造方法により製造される上記式(1)で表される塩基発生剤は、電磁波が照射されることにより、下記式で示されるように、式(1)中の(−CH=CH−C(=O)−)部分がトランス体からシス体へと異性化し、さらに、場合により加熱及び/又は電磁波の照射によって保護基Rが脱保護されると共に、環化し、塩基(NHR)を生成する。 When the base generator represented by the above formula (1) produced by the production method of the present invention is irradiated with electromagnetic waves, as shown by the following formula, (—CH═CH in the formula (1) The —C (═O) —) moiety is isomerized from the trans isomer to the cis isomer, and the protecting group R 1 is optionally deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves, and cyclized to give a base (NHR 6 R 7 ) is generated.

Figure 0005754166
Figure 0005754166

上記塩基発生剤は、種々の高分子前駆体と組み合わせることにより、容易に感光性樹脂組成物を調製することができる。上記の反応により発生した塩基の触媒作用によって、高分子前駆体が最終生成物となる際の反応が開始される温度を下げたり、高分子前駆体が最終生成物となる硬化反応を開始することができる。   A photosensitive resin composition can be easily prepared by combining the base generator with various polymer precursors. Due to the catalytic action of the base generated by the above reaction, the temperature at which the reaction when the polymer precursor becomes the final product is lowered, or the curing reaction where the polymer precursor becomes the final product is started. Can do.

[一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体、一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体、一般式(1)で表される塩基発生剤]
上記一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体と上記一般式(1)で表される塩基発生剤におけるR〜Rは同じであり、上記一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体と上記一般式(1)で表される塩基発生剤におけるR及びR同じであるため、R〜Rについて、以下順に説明する。
[Benzaldehyde derivative represented by general formula (A), acetamide derivative represented by general formula (B), base generator represented by general formula (1)]
R 1 to R 5 in the benzaldehyde derivative represented by the general formula (A) and the base generator represented by the general formula (1) are the same, and the acetamide derivative represented by the general formula (B) Since R 6 and R 7 in the base generator represented by the general formula (1) are the same, R 1 to R 7 will be described below in order.

<R
上記一般式(A)及び上記一般式(1)において、Rは、水素原子、或いは、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である。ここで、“脱保護可能な”とは、−ORから−OHに変化する可能性があることを表す。Rが水素原子の場合には、本発明に係る塩基発生剤は、環化することで、フェノール性水酸基を消失し、溶解性が変化し、塩基性水溶液等の場合には溶解性が低下する。前記塩基発生剤を感光性樹脂組成物として用いる場合、例えば、感光性樹脂組成物に含まれる高分子前駆体がポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体である場合、当該前駆体の最終生成物への反応による溶解性の低下を更に補助する機能を有し、露光部と未露光部の溶解性コントラストを大きくすることが可能となる。
<R 1 >
In the general formula (A) and the general formula (1), R 1 is a hydrogen atom or a protecting group that can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves. Here, “deprotectable” means that there is a possibility of changing from —OR 1 to —OH. When R 1 is a hydrogen atom, the base generator according to the present invention loses the phenolic hydroxyl group by cyclization to change the solubility, and the solubility decreases in the case of a basic aqueous solution or the like. To do. When the base generator is used as a photosensitive resin composition, for example, when the polymer precursor contained in the photosensitive resin composition is a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor, the final product of the precursor It has a function of further assisting in lowering the solubility due to the reaction, and it is possible to increase the solubility contrast between the exposed portion and the unexposed portion.

また、Rが加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である場合、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護されて、水酸基を生成する。Rは、本発明で製造される塩基発生剤において脱保護以外の分解が起こらない条件下で、例えば式(1)中に存在するアミド基が分解しない条件下で、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能なフェノール性水酸基の保護基であれば、特に限定されず用いることができる。例えば、アミド基は、三臭化ホウ素や三塩化アルミニウム等の強ルイス酸や硫酸、塩酸、硝酸等の強酸等が存在する強酸性下における加熱や、水酸化ナトリウム等の強塩基が存在する強塩基性下における加熱により分解する。従って、このような強酸性又は強塩基性条件下での加熱でしか脱保護されない保護基は、本発明の塩基発生剤に用いられる保護基としては不適切である。Rは、溶解性や相溶性の向上或いは合成時の反応性の変化などを目的として、当該塩基発生剤と組み合わせて用いられる化合物の種類や、塩基発生剤の適用方法や合成方法により適宜選択されるものである。 In addition, when R 1 is a protecting group that can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves, it is deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves to generate a hydroxyl group. R 1 is heated and / or electromagnetic wave-free under conditions where decomposition other than deprotection does not occur in the base generator produced in the present invention, for example, under conditions where the amide group present in formula (1) does not decompose. Any protecting group of a phenolic hydroxyl group that can be deprotected by irradiation can be used without particular limitation. For example, amide groups can be heated under strong acidic conditions such as strong Lewis acids such as boron tribromide and aluminum trichloride, strong acids such as sulfuric acid, hydrochloric acid and nitric acid, and strong bases such as sodium hydroxide. Decomposes on heating under basic conditions. Accordingly, such a protecting group that can be deprotected only by heating under strongly acidic or strongly basic conditions is inappropriate as a protecting group used in the base generator of the present invention. R 1 is appropriately selected depending on the type of compound used in combination with the base generator, the application method of the base generator, and the synthesis method for the purpose of improving solubility and compatibility or changing the reactivity during synthesis. It is what is done.

加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基としてのRは、シリル基、シラノール基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、又は1価の有機基から選択することができる。 R 1 as a protective group that can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves can be selected from a silyl group, a silanol group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, or a monovalent organic group.

としては、下記式(2−1)〜下記式(2−6)で表される有機基よりなる群から選択される1種以上であることが、式(1)中に存在するアミド基が分解しない条件下で、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な点から好ましい。 R 1 is an amide present in the formula (1) that is at least one selected from the group consisting of organic groups represented by the following formulas (2-1) to (2-6) It is preferable from the viewpoint that it can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves under conditions where the group does not decompose.

Figure 0005754166
(式(2−1)中、R20、R21、R22はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、または1価の有機基であり、R23は1価の有機基であり、R20、R21、R22、R23はそれぞれ互いに結合して環状構造を示していても良い。式(2−2)中、R24は、1価の有機基である。式(2−3)中、R25、R26、R27はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、または1価の有機基である。式(2−4)中、R28は、1価の有機基である。式(2−5)中、R29は、置換基を有していても良い芳香環である。式(2−6)中、R30は、1価の有機基である。)
Figure 0005754166
(In formula (2-1), R 20 , R 21 and R 22 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic group, R 23 is a monovalent organic group, R 20 , R 21 , R 22 and R 23 may be bonded to each other to show a cyclic structure, wherein R 24 is a monovalent organic group in formula (2-3). , R 25 , R 26 and R 27 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic group, wherein R 28 is a monovalent organic group. In 2-5), R 29 is an aromatic ring which may have a substituent, and in formula (2-6), R 30 is a monovalent organic group.

上記式(2−1)で表される有機基は、例えば以下のように、フェノール性水酸基とビニルエーテル化合物との反応により得ることができる。   The organic group represented by the above formula (2-1) can be obtained, for example, by a reaction between a phenolic hydroxyl group and a vinyl ether compound as follows.

Figure 0005754166
(式中、R20、R21、R22、及びR23はそれぞれ式(2−1)と同じである。)
Figure 0005754166
(Wherein R 20 , R 21 , R 22 , and R 23 are the same as those in formula (2-1)).

上記式(2−1)で表される有機基のR20、R21、R22、R23は、上記反応により得る場合には、用いられるビニルエーテル化合物の構造によって決まる。前記塩基発生剤を感光性樹脂組成物に用いる場合には、上記式(2−1)で表される有機基は、当該塩基発生剤と組み合わせて用いられる高分子前駆体などの化合物の種類や、適用方法により適宜選択されれば良く、特に限定されるものではない。
20、R21、R22は、水素原子、または、置換または無置換のアルキル基、アリル基、アリール基が好ましい。特に原料入手の容易性から、水素原子であることが好ましい。また、1級、2級、3級のアミノ基や、水酸基などの活性水素原子を有する置換基は化合物の安定性の点から含まないことが好ましい。
When R 20 , R 21 , R 22 and R 23 of the organic group represented by the above formula (2-1) are obtained by the above reaction, they are determined by the structure of the vinyl ether compound used. When the base generator is used in a photosensitive resin composition, the organic group represented by the above formula (2-1) is a kind of compound such as a polymer precursor used in combination with the base generator. However, it may be appropriately selected depending on the application method, and is not particularly limited.
R 20 , R 21 and R 22 are preferably a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group, allyl group or aryl group. In particular, a hydrogen atom is preferable from the viewpoint of easy availability of raw materials. Moreover, it is preferable that the substituent which has active hydrogen atoms, such as a primary, secondary, tertiary amino group, and a hydroxyl group, is not included from the point of stability of a compound.

上記式(2−1)で表される有機基のR23は、炭素数が1以上の1価の有機基である。R23は、炭化水素原子骨格を有する基が例示される。炭化水素原子骨格を有する基は、ヘテロ原子等の炭化水素原子以外の結合や置換基を含んでいてもよいし、そのようなヘテロ原子の部分が芳香環に組み込まれて複素環となっていても良い。炭化水素原子骨格を有する基としては、例えば、直鎖、分岐鎖、又は環状の飽和又は不飽和炭化水素原子基、直鎖、分岐鎖又は環状の飽和又は不飽和ハロゲン原子化アルキル基、或いは、フェニル、ナフチル等の芳香族基、さらには、直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭化水素原子骨格中にエーテル結合を含有する基(例えば、−(R−O)−R’、ここでR及びR’は置換又は無置換の飽和又は不飽和炭化水素原子、nは1以上の整数;−R”−(O−R”’)、ここでR”及びR”’は置換又は無置換の飽和又は不飽和炭化水素原子、mは1以上の整数、−(O−R”’)はR”の末端とは異なる炭素に結合している;などが挙げられる。)、直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭化水素原子骨格中にチオエーテル結合を含有する基、直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭化水素原子骨格上にシアノ基、シリル基、ニトロ基、アセチル基、アセトキシ基等のヘテロ原子又はヘテロ原子を含有する基が結合してなるさまざまな基が挙げられる。また、上記式(2−1)で表される有機基のR23は、R20やR21と連結して環状構造を有していても良い。R23も、1級、2級、3級のアミノ基や、水酸基などの活性水素原子を有する置換基は化合物の安定性の点から含まないことが好ましい。 R 23 of the organic group represented by the above formula (2-1) is a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms. R 23 is exemplified by a group having a hydrocarbon atomic skeleton. The group having a hydrocarbon atom skeleton may contain a bond other than a hydrocarbon atom such as a hetero atom or a substituent, and such a hetero atom part is incorporated into an aromatic ring to form a heterocyclic ring. Also good. Examples of the group having a hydrocarbon atom skeleton include a linear, branched, or cyclic saturated or unsaturated hydrocarbon atomic group, a linear, branched, or cyclic saturated or unsaturated halogenated alkyl group, or Aromatic groups such as phenyl and naphthyl, and further a group containing an ether bond in a linear or branched saturated or unsaturated hydrocarbon atom skeleton (for example, — (R—O) n —R ′, wherein Wherein R and R ′ are substituted or unsubstituted saturated or unsaturated hydrocarbon atoms, n is an integer of 1 or more; —R ″ — (O—R ″ ′) m , where R ″ and R ″ ′ are substituted or An unsubstituted saturated or unsaturated hydrocarbon atom, m is an integer of 1 or more,-(O—R ″ ′) m is bonded to a carbon different from the terminal of R ″; A group containing a thioether bond in a saturated or unsaturated hydrocarbon atom skeleton of a chain or branched chain Various groups comprising hetero atoms or hetero atom-containing groups such as cyano group, silyl group, nitro group, acetyl group, acetoxy group, etc., bonded on a linear or branched saturated or unsaturated hydrocarbon atom skeleton. Groups. Further, R 23 in the organic group represented by the above formula (2-1) may have a cyclic structure linked to R 20 or R 21. R 23 also preferably does not contain a substituent having an active hydrogen atom such as a primary, secondary, tertiary amino group, or a hydroxyl group from the viewpoint of stability of the compound.

下記式(2−1)で表される有機基は、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護するが、脱保護する温度は、一般に上記式中のR23において、ビニルエーテル化合物のエーテル結合の酸素原子と直接結合している炭素が、第3級炭素原子(以下、単に「3級炭素」という場合がある)<第2級炭素原子(以下、単に「2級炭素」という場合がある)<第1級炭素原子(以下、単に「1級炭素」という場合がある)の置換基の順で高くなる傾向がある。一方、保護するためのビニルエーテル化合物と水酸基の反応は、一般に上記式中のR23において、酸素原子と結合する炭素が1級炭素<2級炭素<3級炭素の置換基の順で高い反応率を示す傾向がある。そのため、当該塩基発生剤と組み合わせる化合物と使用方法により、脱保護するための加熱温度が選択され、その加熱温度から保護基を適宜選択することが好ましい。
なお、本発明において、エーテル酸素に結合する炭素原子(式(2−1)のR23において酸素原子と結合している炭素原子)、又は式(2−1)の有機基を誘導するビニルエーテル化合物のビニル基に結合したエーテル酸素に結合するもう一方の炭素原子について、第1級炭素原子とは、結合している他の炭素原子が0個又は1個の場合をいい、第2級炭素原子とは、結合している他の炭素原子が2個の場合をいい、第3級炭素原子とは、結合している他の炭素原子が3個の場合をいう。
The organic group represented by the following formula (2-1) is deprotected by irradiation of heat and / or electromagnetic waves, the temperature of the deprotection is generally in the R 23 in the above formula, the ether bond vinyl ether compounds oxygen The carbon directly bonded to the atom is a tertiary carbon atom (hereinafter sometimes simply referred to as “tertiary carbon”) <secondary carbon atom (hereinafter sometimes simply referred to as “secondary carbon”) < It tends to increase in the order of the substituent of a primary carbon atom (hereinafter sometimes simply referred to as “primary carbon”). On the other hand, the reaction of the vinyl ether compound and a hydroxyl group to protect generally the R 23 in the above formula, the order at a high reaction rate of the substituents of carbon bonded to the oxygen atom is primary carbon <secondary carbon <tertiary carbon There is a tendency to show. Therefore, it is preferable that the heating temperature for deprotection is selected depending on the compound combined with the base generator and the method of use, and the protecting group is appropriately selected from the heating temperature.
In the present invention, a vinyl ether compound for deriving a carbon atom bonded to ether oxygen (a carbon atom bonded to an oxygen atom in R 23 of formula (2-1)) or an organic group of formula (2-1). As for the other carbon atom bonded to the ether oxygen bonded to the vinyl group, the primary carbon atom means the case where the other carbon atom bonded is 0 or 1, and the secondary carbon atom Means the case where there are two other carbon atoms bonded, and the tertiary carbon atom means the case where there are three other carbon atoms bonded.

前記式(2−1)中のR23は、炭素数が1〜18であることが、分解物の揮発性の点から好ましく、炭素数が3〜10であることが更に好ましい。 R 23 in the formula (2-1) preferably has 1 to 18 carbon atoms from the volatility of the decomposition product, and more preferably 3 to 10 carbon atoms.

前記式(2−1)のR23としては特に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、エチニル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、n−ヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、シクロヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、シクロヘキシロキシプロピル基、2−テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。また、前記式(2−1)においてR23が、R20やR21と連結して環状構造となり、2−テトラヒドロピラニル基等の環状エーテルとなったもの等が挙げられる。 R 23 in the formula (2-1) is not particularly limited, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an ethynyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an n-hexyl group, and a cyclohexyl group. Group, cyclohexylmethyl group, methoxyethyl group, ethoxyethyl group, propoxyethyl group, butoxyethyl group, cyclohexyloxyethyl group, methoxypropyl group, ethoxypropyl group, propoxypropyl group, butoxypropyl group, cyclohexyloxypropyl group, 2- Tetrahydropyranyl group etc. are mentioned. Moreover, in the formula (2-1), R 23 is linked to R 20 or R 21 to form a cyclic structure, and a cyclic ether such as a 2-tetrahydropyranyl group is exemplified.

上記式(2−2)で表される有機基は、例えば、フェノール性水酸基と所謂カーボネート系保護基との反応により得ることができる。カーボネート系保護基としては、例えば、tert−ブトキシカルボニル基(Boc−)、ベンジルオキシカルボニル基(Z−)、9−フルオレニルメトキシカルボニル基(Fmoc−)、1,1−ジオキソベンゾ[b]チオフェン−2−イルメトキシカルボニル基(Bsmoc−)、2−(4−ニトロフェニルスルホニル)エトキシカルボニル基(Nsc−)、p−メトキシベンジルオキシカルボニル基(Z(OMe−))、アリルオキシカルボニル基(Alloc−)、2,2,2−トリクロロエトキシカルボニル基(Troc−)等が挙げられる。   The organic group represented by the above formula (2-2) can be obtained, for example, by a reaction between a phenolic hydroxyl group and a so-called carbonate-based protecting group. Examples of carbonate-based protecting groups include tert-butoxycarbonyl group (Boc-), benzyloxycarbonyl group (Z-), 9-fluorenylmethoxycarbonyl group (Fmoc-), 1,1-dioxobenzo [b] thiophene. 2-ylmethoxycarbonyl group (Bsmoc-), 2- (4-nitrophenylsulfonyl) ethoxycarbonyl group (Nsc-), p-methoxybenzyloxycarbonyl group (Z (OMe-)), allyloxycarbonyl group (Alloc) -), 2,2,2-trichloroethoxycarbonyl group (Troc-) and the like.

前記式(2−2)のR24としては特に限定されないが、例えば、tert−ブチル基、ベンジル基、9−フルオレニルメチル基、2,2,2−トリクロロエチル基、アリル基、p−メトキシベンジル基、1,1−ジオキソベンゾ[b]チオフェン−2−イルメチル基、2−(4−ニトロフェニルスルホニル)エチル基、o−ニトロベンジル基等が挙げられる。o−ニトロベンジル基の場合には、電磁波照射により脱保護が可能である。 R 24 in the formula (2-2) is not particularly limited, and examples thereof include tert-butyl group, benzyl group, 9-fluorenylmethyl group, 2,2,2-trichloroethyl group, allyl group, p- Examples include a methoxybenzyl group, 1,1-dioxobenzo [b] thiophen-2-ylmethyl group, 2- (4-nitrophenylsulfonyl) ethyl group, o-nitrobenzyl group and the like. In the case of an o-nitrobenzyl group, deprotection is possible by irradiation with electromagnetic waves.

上記式(2−3)で表される有機基は、例えば、フェノール性水酸基とシリルエーテル系保護基との反応により得ることができる。
シリルエーテル系保護基としては例えば、トリメチルシリル基(TMS−)、tert−ブチルジメチルシリル基(TBDMS−)、tert−ブチルジフェニルシリル基(TBDPS−)、トリイソプロピルシリル基(TIPS−)等が挙げられる。
The organic group represented by the above formula (2-3) can be obtained, for example, by a reaction between a phenolic hydroxyl group and a silyl ether protecting group.
Examples of the silyl ether protecting group include trimethylsilyl group (TMS-), tert-butyldimethylsilyl group (TBDMS-), tert-butyldiphenylsilyl group (TBDPS-), triisopropylsilyl group (TIPS-) and the like. .

前記式(2−3)のR25、R26、R27としては特に限定されないが、例えば、メチル基、tert−ブチル基、イソプロピル基等のアルキル基、フェニル基のアリール基が好適に用いられる。 Although it does not specifically limit as R < 25 >, R <26> , R < 27 > of said Formula (2-3), For example, alkyl groups, such as a methyl group, a tert- butyl group, an isopropyl group, and the aryl group of a phenyl group are used suitably. .

上記式(2−4)で表される有機基は、例えば、フェノール性水酸基と酸塩化物または酸無水物により得ることができる。
式(2−4)で表されるエステル系保護基としては、例えば、アセチル基(Ac−)、ピバロイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
The organic group represented by the above formula (2-4) can be obtained, for example, from a phenolic hydroxyl group and an acid chloride or acid anhydride.
Examples of the ester protecting group represented by the formula (2-4) include an acetyl group (Ac-), a pivaloyl group, and a benzoyl group.

前記式(2−4)のR28としては特に限定されないが、例えば、メチル基、tert−ブチル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基等が好適に用いられる。 R 28 in the formula (2-4) is not particularly limited. For example, an alkyl group such as a methyl group or a tert-butyl group, an aryl group such as a phenyl group, an aralkyl group such as a benzyl group, or the like is preferably used. .

上記式(2−5)で表される有機基は、例えば、Williamson反応を用いてフェノール性水酸基とハロゲン原子化物により得ることができる。
式(2−5)で表されるエーテル系保護基としては、例えば、置換基を有していても良いベンジル基等が挙げられる。
The organic group represented by the above formula (2-5) can be obtained, for example, from a phenolic hydroxyl group and a halogen atomized product using the Williamson reaction.
Examples of the ether protecting group represented by the formula (2-5) include a benzyl group which may have a substituent.

前記式(2−5)のR29は置換基を有していても良い芳香環であり、特に限定されないが、置換基を有していても良いフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。特に、式(2−5)で表される有機基が、o−ニトロベンジル基の場合、すなわち、R29が2−ニトロフェニル基の場合には、電磁波照射により脱保護が可能である。 R 29 in the formula (2-5) is an aromatic ring which may have a substituent, and is not particularly limited, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group which may have a substituent. In particular, when the organic group represented by the formula (2-5) is an o-nitrobenzyl group, that is, when R 29 is a 2-nitrophenyl group, deprotection is possible by electromagnetic wave irradiation.

上記式(2−6)で表される有機基は、例えば、フェノール性水酸基とイソシアネートとの反応により得ることができる。カルバメート系保護基としては、例えば、ベンジルイソシアネート等が挙げられる。
前記式(2−6)のR30としては特に限定されないが、例えば、ベンジル基等が挙げられる。
The organic group represented by the above formula (2-6) can be obtained, for example, by a reaction between a phenolic hydroxyl group and an isocyanate. Examples of the carbamate protecting group include benzyl isocyanate.
Formula is not particularly limited as R 30 in (2-6), for example, it is mentioned a benzyl group.

<R、R、R及びR
上記一般式(A)及び一般式(1)において、R、R、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、アジド基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R、R、R及びRは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素などが挙げられる。
有機基としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に制限がなく、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン原子化アルキル基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、ヒドロキシイミノ基、エポキシ基、オキセタン基、チイラン基、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、(メタ)アクリロイル基(−CO−CR=CH;ここでRは水素又はメチル基)等が挙げられる。これらの有機基は、当該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素原子基以外の結合や置換基を含んでよく、これらは、直鎖状でも分岐状でも良い。
<R 2 , R 3 , R 4 and R 5 >
In the above general formula (A) and general formula (1), R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, or a silanol group. Nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, amino group, ammonio group, azido group or organic group, which may be the same or different Also good. Two or more of R 2 , R 3 , R 4, and R 5 may be bonded to form a cyclic structure, or may include a hetero atom bond.
Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and the like.
The organic group is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and is saturated or unsaturated alkyl group, saturated or unsaturated cycloalkyl group, aryl group, aralkyl group, and saturated or unsaturated halogen atomized alkyl. Group, cyano group, isocyano group, cyanato group, isocyanato group, thiocyanato group, isothiocyanato group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, hydroxyimino group , An epoxy group, an oxetane group, a thiirane group, a glycidyl ether group, a glycidyl ester group, a (meth) acryloyl group (—CO—CR═CH 2, where R is hydrogen or a methyl group), and the like. These organic groups may contain a bond or substituent other than a hydrocarbon atom group such as a hetero atom in the organic group, and these may be linear or branched.

前記R〜Rの有機基中の炭化水素原子基以外の結合としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、アゾ結合等が挙げられる。
耐熱性の点から、有機基中の炭化水素原子基以外の結合としては、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合(−N=C(−R)−、−C(=NR)−:ここでRは水素原子又は1価の有機基)、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合が好ましい。
The bond other than the hydrocarbon atom group in the organic group of R 2 to R 5 is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and is an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester. Examples include a bond, an amide bond, a urethane bond, a carbonate bond, a sulfonyl bond, a sulfinyl bond, and an azo bond.
From the viewpoint of heat resistance, the bond other than the hydrocarbon atom group in the organic group includes an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, and an imino bond (—N═C ( -R)-, -C (= NR)-: where R is a hydrogen atom or a monovalent organic group), a carbonate bond, a sulfonyl bond, or a sulfinyl bond.

前記R〜Rの有機基中の炭化水素原子基以外の置換基としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基、エポキシ基、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、オキセタン基、チイラン基、(メタ)アクリロイル基(−CO−CR=CH;ここでRは水素又はメチル基)、アミノ基(−NH2, −NHR, −NRR’:ここで、R及びR’はそれぞれ独立に炭化水素原子基)、アンモニオ基、アジド基(−N−N≡N)等が挙げられる。上記置換基に含まれる水素原子は、炭化水素原子基によって置換されていても良い。また、上記置換基に含まれる炭化水素原子基は、直鎖、分岐、及び環状のいずれでも良い。
中でも、R〜Rの有機基中の炭化水素原子基以外の置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基、エポキシ基、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、オキセタン基、チイラン基、(メタ)アクリロイル基(−CO−CR=CH;ここでRは水素又はメチル基)、が好ましい。
The substituent other than the hydrocarbon atom group in the organic group of R 2 to R 5 is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and is a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group. , Isocyano group, cyanato group, isocyanato group, thiocyanato group, isothiocyanato group, silyl group, silanol group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, acyl Group, acyloxy group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, hydroxyimino group, saturated or unsaturated alkyl ether group, saturated or unsaturated alkyl thioether group, aryl ether group, And an aryl thioether group, Epoxy group, a glycidyl ether group, glycidyl ester group, an oxetane group, a thiirane group, (meth) acryloyl groups (-CO-CR = CH 2; where R is hydrogen or a methyl group), an amino group (--NH2, -NHR, —NRR ′: Here, R and R ′ are each independently a hydrocarbon atom group), an ammonio group, an azide group (—N—N≡N), or the like. The hydrogen atom contained in the substituent may be substituted with a hydrocarbon atom group. Moreover, the hydrocarbon atom group contained in the substituent may be linear, branched, or cyclic.
Among them, examples of the substituent other than the hydrocarbon atom group in the organic group represented by R 2 to R 5 include a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group, an isocyano group, a cyanato group, an isocyanato group, a thiocyanato group, and an isothiocyanato group. Group, silyl group, silanol group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, Phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonato group, hydroxyimino group, saturated or unsaturated alkyl ether group, saturated or unsaturated alkyl thioether group, aryl ether group, and aryl thioether group, epoxy group, glycidyl ether group, glycidyl Ester group, an oxetane group, a thiirane group, (meth) acryloyl groups (-CO-CR = CH 2; where R is hydrogen or a methyl group), is preferable.

また、R〜Rは、それらのうち2つ以上が結合して環状構造になっていても良い。
環状構造は、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素原子、複素環、及び縮合環、並びに当該脂環式炭化水素原子、複素環、及び縮合環よりなる群から選ばれる2種以上が組み合されてなる構造であっても良い。例えば、R〜Rは、それらの2つ以上が結合して、R〜Rが結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン等の縮合環を形成していても良い。
Two or more of R 2 to R 5 may be bonded to form a cyclic structure.
The cyclic structure is a combination of two or more selected from the group consisting of saturated or unsaturated alicyclic hydrocarbon atoms, heterocyclic rings, and condensed rings, and the alicyclic hydrocarbon atoms, heterocyclic rings, and condensed rings. The structure formed may be sufficient. For example, R 2 to R 5 are formed by combining two or more of them, naphthalene share atoms of the benzene ring of R 2 to R 5 are attached, anthracene, phenanthrene, and fused ring indene You may do it.

本発明においては置換基R〜Rに、置換基を1つ以上導入することが好ましい。すなわち、R、R、R及びRの少なくとも1つが、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、アジド基又は1価の有機基であることが好ましい。置換基R〜Rに、上記のような置換基を少なくとも1つ導入することにより、吸収する光の波長を調整することが可能であり、置換基を導入することで所望の波長を吸収させるようにすることもできる。芳香族環の共役鎖を伸ばすような置換基を導入することにより、吸収波長を長波長にシフトすることができる。また、溶解性を向上させることもできる。本発明の製造方法により製造される塩基発生剤を感光性樹脂組成物に用いる場合には、組み合わせる高分子前駆体との相溶性が向上するようにすることもできる。これにより、組み合わせる高分子前駆体の吸収波長も考慮しながら、感光性樹脂組成物の感度を向上させることが可能である。 In the present invention, it is preferable to introduce one or more substituents into the substituents R 2 to R 5 . That is, at least one of R 2 , R 3 , R 4 and R 5 is a halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, A phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonato group, an amino group, an ammonio group, an azido group or a monovalent organic group is preferred. By introducing at least one substituent as described above into the substituents R 2 to R 5 , the wavelength of light to be absorbed can be adjusted, and the desired wavelength is absorbed by introducing the substituent. It can also be made to do. The absorption wavelength can be shifted to a longer wavelength by introducing a substituent that extends the conjugated chain of the aromatic ring. Moreover, solubility can also be improved. When the base generator produced by the production method of the present invention is used in a photosensitive resin composition, the compatibility with the polymer precursor to be combined can be improved. Thereby, it is possible to improve the sensitivity of the photosensitive resin composition in consideration of the absorption wavelength of the polymer precursor to be combined.

所望の波長に対して吸収波長をシフトさせる為に、どのような置換基を導入したら良いかという指針として、Interpretation of the Ultraviolet Spectra of Natural Products(A.I.Scott 1964)や、有機化合物のスペクトルによる同定法第5版(R.M.Silverstein 1993)に記載の表を参考にすることができる。   As a guideline of what substituents should be introduced to shift the absorption wavelength with respect to a desired wavelength, the Interspection of the Ultraviolet Products (AI Scott 1964) and the spectrum of organic compounds The table described in the identification method 5th edition (RM Silverstein 1993) can be referred to.

〜Rとしては、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数1〜20のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数4〜23のシクロアルキル基;シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数4〜23のシクロアルケニル基;フェノキシメチル基、2−フェノキシエチル基、4−フェノキシブチル基等の炭素数7〜26のアリールオキシアルキル基(−ROAr基);ベンジル基、3−フェニルプロピル基等の炭素数7〜20のアラルキル基;シアノメチル基、β−シアノエチル基等のシアノ基をもつ炭素数2〜21のアルキル基;ヒドロキシメチル基等の水酸基をもつ炭素数1〜20のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜20のアルコキシ基、アセトアミド基、ベンゼンスルホナミド基(CSONH−)等の炭素数2〜21のアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基等の炭素数1〜20のアルキルチオ基(−SR基)、アセチル基、ベンゾイル基等の炭素数1〜20のアシル基、メトキシカルボニル基、アセトキシ基等の炭素数2〜21のエステル基(−COOR基及び−OCOR基)、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、トリル基等の炭素数6〜20のアリール基、電子供与性基及び/又は電子吸引性基が置換した炭素数6〜20のアリール基、電子供与性基及び/又は電子吸引性基が置換したベンジル基、シアノ基、及びメチルチオ基(−SCH)、エポキシ基、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、オキセタン基、チイラン基、(メタ)アクリロイル基(−CO−CR=CH;ここでRは水素又はメチル基)であることが好ましい。また、上記のアルキル部分は直鎖でも分岐状でも環状でも良い。
また、R〜Rとしては、それらの2つ以上が結合して、R〜Rが結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン等の縮合環を形成している場合も、吸収波長が長波長化する点から好ましい。
R 2 to R 5 include, for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group; a cycloalkyl group having 4 to 23 carbon atoms such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group; a cyclopentenyl group and a cyclohexenyl group. A cycloalkenyl group having 4 to 23 carbon atoms such as a group; an aryloxyalkyl group having 7 to 26 carbon atoms (-ROAr group) such as a phenoxymethyl group, a 2-phenoxyethyl group and a 4-phenoxybutyl group; a benzyl group, 3 An aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms such as phenylpropyl group; an alkyl group having 2 to 21 carbon atoms having a cyano group such as cyanomethyl group and β-cyanoethyl group; 1 to 20 carbon atoms having a hydroxyl group such as hydroxymethyl group Alkyl group, methoxy group, ethoxy group, etc., C1-C20 alkoxy group, acetamide group, benzenesulfonamide group C 6 H 5 SO 2 NH 2 -) amide group having a carbon number of 2 to 21, such as a methylthio group, an alkylthio group (-SR group having 1 to 20 carbon atoms such as an ethylthio group), an acetyl group, carbon atoms such as benzoyl group 6 to 20 carbon atoms such as an acyl group having 1 to 20 carbon atoms, a methoxycarbonyl group, an acetoxy group and the like, an ester group having 2 to 21 carbon atoms (—COOR group and —OCOR group), a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a tolyl group, etc. ˜20 aryl group, electron donating group and / or electron withdrawing group substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, electron donating group and / or electron withdrawing group substituted benzyl group, cyano group, and Methylthio group (—SCH 3 ), epoxy group, glycidyl ether group, glycidyl ester group, oxetane group, thiirane group, (meth) acryloyl group (—CO—CR═CH 2 ; R is preferably hydrogen or a methyl group. The alkyl moiety may be linear, branched or cyclic.
In addition, as R 2 to R 5 , two or more of them are bonded to each other and a condensed ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, or indene is shared by sharing the atoms of the benzene ring to which R 2 to R 5 are bonded. Even if it forms, it is preferable from the point which absorption wavelength becomes long.

また、本発明で製造される塩基発生剤において、R、R、R及びRの少なくとも1つが水酸基である場合、R、R、R及びRに水酸基を含まない化合物と比べ、塩基性水溶液等に対する溶解性の向上、および吸収波長の長波長化が可能な点から好ましい。また、特にRがフェノール性水酸基である場合、シス体に異性化した化合物が環化する際の反応サイトが増えるため、環化しやすくなる点から好ましい。 Further, the base generator prepared in the present invention, R 2, R 3, if at least one of R 4 and R 5 is a hydroxyl group, R 2, R 3, R 4 and not containing a hydroxyl group at R 5 Compound In view of the ability to improve the solubility in a basic aqueous solution and to increase the absorption wavelength. In particular, when R 5 is a phenolic hydroxyl group, a reaction site for cyclization of a compound isomerized to a cis isomer increases, which is preferable from the viewpoint of easy cyclization.

また、R〜Rのうち、RとR、RとR、RとR、並びに、RとR及びRとRのいずれかに下記式(3)の部分構造を有することも、感度に優れる点から好ましい。 Of R 2 to R 5 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 4 and R 5 , R 2 and R 3, and R 4 and R 5 are represented by the following formula (3): It is also preferable to have the partial structure from the viewpoint of excellent sensitivity.

Figure 0005754166
(式(3)において、Xは、2つの酸素原子と結合可能な連結基である。)
Figure 0005754166
(In Formula (3), X is a linking group capable of binding to two oxygen atoms.)

該−O−X−O−部位は、ベンゼン環の3位〜6位のうち隣り合う位置に吸収波長を長波長にシフトさせる効果のあるアルコキシ基に類似の置換基が導入され、この2つの置換基が結合した構造である。そのため、このような置換基を有する塩基発生剤は、該ベンゼン環の3位〜6位のうち隣り合う位置にアルコキシ基をそれぞれ導入した場合と比べ、−O−X−O−と結合することで、酸素原子が固定され効率よく吸収波長を長波長化し、少ない電磁波照射量で塩基性化合物を発生でき、感度を高めることができると推定される。   In the —O—X—O— moiety, a substituent similar to an alkoxy group having an effect of shifting the absorption wavelength to a long wavelength is introduced into adjacent positions among the 3rd to 6th positions of the benzene ring. It is a structure in which a substituent is bonded. Therefore, the base generator having such a substituent is bonded to —O—X—O— as compared to the case where an alkoxy group is introduced into each of adjacent positions among the 3rd to 6th positions of the benzene ring. Thus, it is presumed that oxygen atoms are fixed, the absorption wavelength is efficiently increased, a basic compound can be generated with a small amount of electromagnetic wave irradiation, and the sensitivity can be increased.

上記化学式(3)の部分構造におけるXは、2つの酸素原子と結合可能な連結基であれば特に限定されない。
本発明においては、得られる塩基発生剤の高感度化の観点から、上記Xはヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖、分岐又は環状の飽和又は不飽和脂肪族、或いは芳香族炭化水素原子基、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよいケイ素数1〜20の直鎖、分岐又は環状のケイ素−ケイ素二重結合を含んでいてもよいケイ化水素原子基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、カーボネート結合、及びスルホニル結合、並びにこれらの組み合わせよりなる群から選ばれる連結基であることが好ましい。
X in the partial structure of the chemical formula (3) is not particularly limited as long as it is a linking group capable of binding to two oxygen atoms.
In the present invention, from the viewpoint of increasing the sensitivity of the base generator to be obtained, the above X may contain a hetero atom and may have a substituent, a straight chain having 1 to 20 carbon atoms, branched or Linear, branched or cyclic silicon having 1 to 20 silicon atoms, which may contain a cyclic saturated or unsaturated aliphatic or aromatic hydrocarbon atom group or hetero atom, and may have a substituent From a hydrogen silicide atom group that may contain a silicon double bond, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, a carbonate bond, and a sulfonyl bond, and combinations thereof A linking group selected from the group consisting of

上記Xにおける直鎖、分岐、又は環状の飽和脂肪族炭化水素原子基は、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい。当該飽和脂肪族炭化水素原子基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキシレン基、デシレン基、ドデシレン基、ヘキサデシレン基、オクタデシレン基等のアルキレン基;エチリデン基、プロピリデン基;シクロヘキシレン基、ノルボナレン基、アダマンタレン基等のシクロアルキレン基等が挙げられる。
上記Xにおける直鎖、分岐、又は環状の不飽和脂肪族炭化水素原子基は、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい。当該不飽和脂肪族炭化水素原子基としては、例えば、ビニレン基等が挙げられる。
また、上記飽和脂肪族炭化水素原子基、及び不飽和脂肪族炭化水素原子基が有していてもよい置換基としては、上記R〜Rの有機基中の炭化水素原子基以外の置換基と同様であってよい。
また、上記飽和脂肪族炭化水素原子基、及び不飽和脂肪族炭化水素原子基がヘテロ原子を含む場合としては、飽和脂肪族炭化水素原子基、又は不飽和脂肪族炭化水素原子基に、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、カーボネート結合、スルホニル結合等を含む場合が挙げられる。
上記Xにおける芳香族炭化水素原子基は、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい。当該芳香族炭化水素原子基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。
また、上記芳香族炭化水素原子基が有していてもよい置換基としては、上記飽和脂肪族炭化水素原子基が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
また、上記芳香族炭化水素原子基が、ヘテロ原子を含む場合(複素環)、その具体例としては、フラン、チオフェン等が挙げられる。
The linear, branched, or cyclic saturated aliphatic hydrocarbon atom group in X above may contain a hetero atom, and may have a substituent. Examples of the saturated aliphatic hydrocarbon atom group include alkylene groups such as a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, a pentamethylene group, a hexylene group, a decylene group, a dodecylene group, a hexadecylene group, and an octadecylene group; Group, propylidene group; cycloalkylene group such as cyclohexylene group, norbonalene group, adamantalene group and the like.
The linear, branched, or cyclic unsaturated aliphatic hydrocarbon atom group in X above may contain a hetero atom, and may have a substituent. Examples of the unsaturated aliphatic hydrocarbon atom group include a vinylene group.
In addition, the substituent that the saturated aliphatic hydrocarbon atom group and the unsaturated aliphatic hydrocarbon atom group may have is a substituent other than the hydrocarbon atom group in the organic group of R 2 to R 5. It may be the same as the group.
In the case where the saturated aliphatic hydrocarbon atom group and the unsaturated aliphatic hydrocarbon atom group include a hetero atom, an ether bond is formed on the saturated aliphatic hydrocarbon atom group or the unsaturated aliphatic hydrocarbon atom group. Thioether bond, carbonyl bond, thiocarbonyl bond, ester bond, amide bond, urethane bond, carbonate bond, sulfonyl bond and the like.
The aromatic hydrocarbon atom group in X may contain a hetero atom, and may have a substituent. Examples of the aromatic hydrocarbon atom group include a phenylene group and a naphthylene group.
Moreover, as a substituent which the said aromatic hydrocarbon atom group may have, the same thing as the substituent which the said saturated aliphatic hydrocarbon atom group may have is mentioned.
When the aromatic hydrocarbon atom group includes a hetero atom (heterocycle), specific examples thereof include furan and thiophene.

上記Xにおける直鎖、分岐、又は環状のケイ化水素原子基は、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい。また、ケイ素−ケイ素二重結合を含んでいてもよい。
ここで、本発明において、ケイ化水素原子基とは、2価の場合が−(SiH−、1価の場合が−(SiH−Hのケイ素と水素原子のみからなる基であり、nは1以上の自然数である。
The linear, branched, or cyclic hydrogen silicide atom group in X may contain a hetero atom, and may have a substituent. Moreover, the silicon-silicon double bond may be included.
Here, in the present invention, the silicide hydrogen atom group, for divalent is - (SiH 2) n -, 1 -valent when the - (SiH 2) n -H in silicon and consisting only group hydrogen atom And n is a natural number of 1 or more.

当該ケイ化水素原子基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、1価の有機基等が挙げられる。これらの置換基は、上記R〜Rにおいて説明したのと同様であってよい。
また、当該ケイ化水素原子基がヘテロ原子を含む場合、Xが含む結合としては、上記飽和脂肪族炭化水素原子基において例示したものを挙げることができる。
Examples of the substituent that the hydrogen silicide atom group may have include a halogen atom, a hydroxyl group, and a monovalent organic group. These substituents may be the same as those described for R 2 to R 5 above.
Moreover, when the said hydrogen silicide atom group contains a hetero atom, what was illustrated in the said saturated aliphatic hydrocarbon atom group as a bond which X contains can be mentioned.

中でも、更に、前記化学式(3)で表される部分構造が、下記化学式(3’)で表される部分構造であることが好ましい。   Among these, the partial structure represented by the chemical formula (3) is preferably a partial structure represented by the following chemical formula (3 ′).

Figure 0005754166
Figure 0005754166

(化学式(3’)中、Zは、炭素原子、ケイ素原子、炭素−炭素二重結合(−C=C−)、又はケイ素−ケイ素二重結合(−Si=Si−)である。R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、ニトロソ基、メルカプト基、シラノール基、置換基を有していてもよい1価のケイ化水素原子基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基又は1価の有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R及びRは、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいてもよい。nは1〜10の整数を表す。) (In the chemical formula (3 '), Z is a carbon atom, a silicon atom, a carbon - carbon double bond (-C = C-), or silicon - is a silicon double bond (-Si = Si-) .R a And R b each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a nitroso group, a mercapto group, a silanol group, a monovalent hydrogen silicide atom group optionally having a substituent, a phosphino group, A phosphinyl group, a phosphono group or a monovalent organic group, which may be the same or different, and R a and R b may be bonded to form a cyclic structure; (It may contain a bond. N represents an integer of 1 to 10.)

及びRが結合して形成する環状構造としては、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素原子、複素環、及び芳香族炭化水素原子、並びに当該脂環式炭化水素原子、複素環、及び芳香族炭化水素原子よりなる群から選ばれる2種以上が組み合されてなる構造であってもよい。
例えば、Zが炭素原子である場合に、n個のR及びRのうちのいずれか2個が結合して脂環式炭化水素原子や複素環を形成してもよい。また、Zが炭素−炭素二重結合である場合に、R及びRはZの炭素−炭素二重結合とともに環状構造を形成し、芳香族環を形成していてもよい。
Examples of the cyclic structure formed by combining R a and R b include saturated or unsaturated alicyclic hydrocarbon atoms, heterocyclic rings, and aromatic hydrocarbon atoms, and the alicyclic hydrocarbon atoms, heterocyclic rings, And a structure in which two or more selected from the group consisting of aromatic hydrocarbon atoms are combined.
For example, when Z is a carbon atom, any two of n R a and R b may be bonded to form an alicyclic hydrocarbon atom or a heterocyclic ring. In addition, when Z is a carbon-carbon double bond, R a and R b may form a cyclic structure together with the carbon-carbon double bond of Z to form an aromatic ring.

Zがケイ素原子である場合に、n個のR及びRがそれぞれ有機基であって、炭素原子同士が結合して環状構造を形成していてもよい。n個のR及びRがそれぞれ置換基を有していてもよいケイ化水素原子基であって、ケイ素原子同士が結合して環状構造を形成していてもよい。また、当該環状構造は酸素等のヘテロ原子の結合を含んでいてもよい。
また、Zがケイ素−ケイ素二重結合である場合に、R及びRはZのケイ素−ケイ素二重結合とともに炭素原子及び/又はケイ素原子により環状構造を形成していてもよく、当該環状構造は、更に、ケイ素−ケイ素二重結合を含んでいても良い。
また、R及びRのうちのハロゲン原子及び1価の有機基は、上記R〜Rにおいて説明したのと同様であってよい。
nは1〜10の整数を表し、好ましくは1〜6の整数、更に好ましくは1〜3である。
When Z is a silicon atom, n R a and R b may each be an organic group, and carbon atoms may be bonded to each other to form a cyclic structure. Each of n R a and R b may be a hydrogen silicide atomic group which may have a substituent, and silicon atoms may be bonded to each other to form a cyclic structure. In addition, the cyclic structure may include a bond of a hetero atom such as oxygen.
When Z is a silicon-silicon double bond, R a and R b may form a cyclic structure with carbon atoms and / or silicon atoms together with the silicon-silicon double bond of Z, The structure may further include a silicon-silicon double bond.
Moreover, the halogen atom and monovalent organic group of R a and R b may be the same as those described in the above R 2 to R 5 .
n represents an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 6, and more preferably 1 to 3.

以下に、上記式(3’)で表される部分構造を有する例を示すが、これらに限定されるものではない。   Examples having a partial structure represented by the above formula (3 ′) are shown below, but are not limited thereto.

Figure 0005754166
Figure 0005754166

また、R、R、R及びRのいずれかが、下記式(4)で表される部分構造を有することも、感度が高く、且つ、有機溶剤に対する溶解性や組み合わせる高分子前駆体との親和性に優れる点から好ましい。式(4)で表される部分構造は、アルコキシ基に類似の置換基であるため、吸収波長を長波長にシフトさせる効果があり、少ない電磁波照射量で塩基性化合物を発生でき、感度を高めることができると推定される。また、式(4)で表される部分構造は、繰り返し構造であるRO部位を有するため、溶解性や親和性が良好になると推定される。 In addition, any of R 2 , R 3 , R 4, and R 5 has a partial structure represented by the following formula (4), which is highly sensitive and has high solubility in organic solvents and a polymer precursor to be combined. It is preferable from the viewpoint of excellent affinity with the body. Since the partial structure represented by the formula (4) is a substituent similar to an alkoxy group, it has an effect of shifting the absorption wavelength to a long wavelength, can generate a basic compound with a small amount of electromagnetic wave irradiation, and increases sensitivity. Is estimated to be possible. The partial structure represented by formula (4) has a R c O site a repeating structure, solubility and affinity can be estimated to be good.

Figure 0005754166
(式(4)において、Rは、2つの酸素原子と結合可能な連結基である。Rは、水素原子、シリル基、シラノール基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、又は1価の有機基である。nは1以上の整数である。)
Figure 0005754166
(In Formula (4), R c is a linking group capable of binding to two oxygen atoms. R d is a hydrogen atom, a silyl group, a silanol group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, or a monovalent group. (It is an organic group. N is an integer of 1 or more.)

上記式(4)の部分構造は、R、R、R及びRの少なくとも1つに含まれれば良い。典型的には、R、R、R及びRのいずれかの位置において、上記式(4)の部分構造が置換基として直接ベンゼン環に結合している構造が挙げられる。R、R、R及びRのいずれかが有機基であって、その有機基の一部として上記化学式(4)の部分構造を有していても良い。R〜Rの2つ以上が結合して、シクロヘキシル基等の脂環式炭化水素原子構造を形成している場合や、R〜Rの2つ以上が結合してそれらが結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン、フルオレン等の縮合環を形成している場合に、当該環状構造に上記式(4)の部分構造を置換基として有していても良い。 The partial structure of the above formula (4) may be included in at least one of R 2 , R 3 , R 4 and R 5 . Typically, a structure in which the partial structure of the above formula (4) is directly bonded to the benzene ring as a substituent at any position of R 2 , R 3 , R 4 and R 5 is exemplified. Any of R 2 , R 3 , R 4 and R 5 is an organic group, and may have a partial structure of the above chemical formula (4) as a part of the organic group. When two or more of R 2 to R 5 are bonded to form an alicyclic hydrocarbon atom structure such as a cyclohexyl group, or two or more of R 2 to R 5 are bonded to bond them. When the condensed benzene ring atom is shared to form a condensed ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, indene, fluorene, etc., the cyclic structure has a partial structure of the above formula (4) as a substituent. May be.

上記化学式(4)の部分構造におけるRは、2つの酸素原子と結合可能な連結基であれば特に限定されない。また、繰り返し単位に含まれるn個のRは、それぞれ同一であっても異なっていても良い。
本発明においては、高感度化の観点から、上記Rはヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖、分岐又は環状の飽和又は不飽和脂肪族、或いは芳香族炭化水素原子基、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよいケイ素数1〜20の直鎖、分岐又は環状のケイ素−ケイ素二重結合を含んでいてもよいケイ化水素原子基、カルボニル結合、チオカルボニル結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、及びアゾ結合よりなる群から選ばれる連結基であることが好ましい。
耐熱性の点から、上記Rはヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖、分岐又は環状の飽和又は不飽和脂肪族、或いは芳香族炭化水素原子基、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよいケイ素数1〜20の直鎖、分岐又は環状のケイ素−ケイ素二重結合を含んでいてもよいケイ化水素原子基、カルボニル結合、チオカルボニル結合、スルホニル結合、及びスルフィニル結合よりなる群から選ばれる連結基であることが好ましい。これらは、上記式(3’)におけるZと同様のものを用いることができる。
R c in the partial structure of the chemical formula (4) is not particularly limited as long as it is a linking group capable of binding to two oxygen atoms. Further, the n R c included in the repeating unit may be the same or different.
In the present invention, from the viewpoint of increasing sensitivity, the above R c may contain a hetero atom, and may have a substituent, a linear, branched or cyclic saturated or unsaturated group having 1 to 20 carbon atoms. A saturated aliphatic or aromatic hydrocarbon atom group, a hetero atom, a linear, branched or cyclic silicon-silicon double bond having 1 to 20 silicon atoms which may have a substituent. A linking group selected from the group consisting of a hydrogen silicide atom group, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, a sulfonyl bond, a sulfinyl bond, and an azo bond that may be contained is preferable.
From the viewpoint of heat resistance, the above R c may contain a hetero atom, and may have a substituent, a linear, branched or cyclic saturated or unsaturated aliphatic group having 1 to 20 carbon atoms, or aromatic. A hydrocarbon group, a hetero atom, a silicon group having 1 to 20 silicon atoms which may have a substituent, and a silicon atom which may contain a silicon-silicon double bond having a linear, branched or cyclic structure. A linking group selected from the group consisting of a hydrogen halide atom group, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, a sulfonyl bond, and a sulfinyl bond is preferable. As these, those similar to Z in the above formula (3 ′) can be used.

中でも、Rとしては、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖、分岐又は環状の飽和又は不飽和脂肪族、或いは芳香族炭化水素原子基であることが好ましく、置換基を有していてもよい炭素数1〜10の直鎖、分岐又は環状の飽和又は不飽和脂肪族炭化水素原子基であることが好ましい。中でも、置換基を有していてもよい炭素数1〜6の直鎖、分岐又は環状の飽和脂肪族炭化水素原子基であることが好ましく、更に置換基を有していてもよい炭素数1〜3の直鎖、分岐又は環状の飽和脂肪族炭化水素原子基であることが好ましい。 Among them, as R c , a C1-C20 linear, branched or cyclic saturated or unsaturated aliphatic or aromatic hydrocarbon which may contain a hetero atom and may have a substituent It is preferably an atomic group, and is preferably a linear, branched or cyclic saturated or unsaturated aliphatic hydrocarbon atomic group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent. Especially, it is preferable that it is a C1-C6 linear, branched or cyclic saturated aliphatic hydrocarbon atom group which may have a substituent, and also the carbon number 1 which may have a substituent. It is preferable that it is a -3 linear, branched or cyclic saturated aliphatic hydrocarbon atom group.

ORの繰り返し数であるnは、1以上の整数である。nは、Rの構造や分子量によって適宜調整されることが好ましいが、中でも1〜20が好ましく、更に1〜10が好ましい。 N which is the number of repetitions of OR c is an integer of 1 or more. n is preferably adjusted as appropriate depending on the structure and molecular weight of R c , but 1 to 20 is preferable and 1 to 10 is more preferable.

は、水素原子、シリル基、シラノール基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、又は1価の有機基であるが、1価の有機基としては、上記R〜Rで挙げた1価の有機基と同様のものを用いることができる。
中でも、感度と溶剤溶解性の点から、Rとしては、1価の有機基が好ましい。
R d is a hydrogen atom, a silyl group, a silanol group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, or a monovalent organic group, and examples of the monovalent organic group include those described in R 2 to R 5 above. A thing similar to a valent organic group can be used.
Among these, from the viewpoints of sensitivity and solvent solubility, R d is preferably a monovalent organic group.

、R、R及びRとしては、例えば、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化して水酸基、カルボキシル基、又はアミノ基となる置換基や、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化してイソシアナト基又はチオイソシアナト基となる置換基や、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化してアルキニル基となる置換基を有していても良い。 As R 2 , R 3 , R 4 and R 5 , for example, a substituent in which a part of the structure is changed by heating and / or irradiation with an electromagnetic wave to become a hydroxyl group, a carboxyl group, or an amino group, or heating and / or It has a substituent that becomes part of an isocyanato group or thioisocyanato group by irradiation with electromagnetic waves and becomes a alkynyl group that changes part of its structure by irradiation with heat and / or electromagnetic waves. Also good.

加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化して水酸基となる置換基としては、水酸基の末端の水素が上記式(2−1)〜上記式(2−6)で表わされる有機基よりなる群から選択される1種以上で置換された構造を有することが、合成が容易な点から好ましい。
上記式(2−1)〜上記式(2−6)内の各置換基は、前記Rの中で説明したものと同様のものとすることができる。
As a substituent that is partially hydroxylated by heating and / or irradiation with an electromagnetic wave, the terminal hydrogen atom of the hydroxyl group is an organic group represented by the above formula (2-1) to the above formula (2-6). From the viewpoint of easy synthesis, it is preferable to have a structure substituted with one or more selected from the group consisting of:
Each substituent in the above formula (2-1) to the above formula (2-6) can be the same as that described in the above R 1 .

また、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化してカルボキシル基となる置換基としては、カルボキシル基の末端の水素が上記式(2−1)で表わされる有機基、上記式(2−3)で表わされる有機基、及び有機基よりなる群から選択される1種以上で置換された構造を有することが、合成が容易な点から好ましい。カルボキシル基の末端の水素が有機基により置換された構造は、エステル基(−COOR41;ここで、R41は有機基である)である。中でも、カルボキシル基の末端の水素が、上記式(2−1)又は上記式(2−3)で表わされる有機基で置換された構造を有することが、合成が容易な点から好ましい。 Moreover, as a substituent which a part of structure changes by heating and / or electromagnetic wave irradiation and becomes a carboxyl group, the hydrogen of the terminal of a carboxyl group is an organic group represented by the said Formula (2-1), said Formula ( From the viewpoint of easy synthesis, it is preferable to have a structure substituted with one or more selected from the group consisting of the organic group represented by 2-3) and the organic group. The structure in which the hydrogen at the terminal of the carboxyl group is substituted with an organic group is an ester group (—COOR 41 ; where R 41 is an organic group). Especially, it is preferable from the point with an easy synthesis | combination that the hydrogen of the terminal of a carboxyl group has the structure substituted by the organic group represented by the said Formula (2-1) or the said Formula (2-3).

カルボキシル基の末端の水素が有機基により置換された構造、エステル基(−COOR41)としては、Williamson反応を用いて、カルボキシル基と水酸基の反応により得ることができる。
上記エステル基のR41としては特に限定されないが、例えば、メチル基、tert−ブチル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基等が好適に用いられる。
A structure in which the hydrogen at the terminal of the carboxyl group is substituted with an organic group, an ester group (—COOR 41 ) can be obtained by a reaction between a carboxyl group and a hydroxyl group using the Williamson reaction.
No particular limitation is imposed on the R 41 of the above ester groups, for example, a methyl group, an alkyl group such as a tert- butyl group, an aryl group such as a phenyl group, aralkyl groups such as benzyl group is preferably used.

また、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化してアミノ基(−NH)となる置換基としては、アミノ基(−NH)の末端の1つの水素が上記式(2−2)で表わされる有機基で置換された構造を有することが、合成が容易な点から好ましい。 In addition, as a substituent in which a part of the structure is changed to be an amino group (—NH 2 ) by heating and / or electromagnetic wave irradiation, one hydrogen at the terminal of the amino group (—NH 2 ) is represented by the above formula (2 It is preferable from the viewpoint of easy synthesis that it has a structure substituted with an organic group represented by -2).

また、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化してイソシアナト基又はチオイソシアナト基となる置換基としては、公知のイソシアナト基をブロック化する反応や、転移によりイソシアナト基を形成する反応を利用して得ることができる。
加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化してイソシアナト基又はチオイソシアナト基となる置換基としては、下記式(5−1)〜下記式(5−6)で表わされる置換基よりなる群から選択される1種以上の構造を含むことが、合成が容易な点から好ましい。下記式(5−1)〜下記式(5−6)で表わされる置換基は、加熱及び/又は電磁波の照射により解離又は転移して、イソシアナト基又はチオイソシアナト基となる。
In addition, as a substituent that is partially converted into an isocyanato group or a thioisocyanato group by heating and / or irradiation with electromagnetic waves, a reaction for blocking a known isocyanato group or a reaction for forming an isocyanato group by transfer. It can be obtained using it.
Substituents whose structure is partially changed by heating and / or irradiation with electromagnetic waves to become isocyanato groups or thioisocyanato groups are composed of substituents represented by the following formulas (5-1) to (5-6). One or more structures selected from the group are preferably included from the viewpoint of easy synthesis. Substituents represented by the following formulas (5-1) to (5-6) are dissociated or transferred by heating and / or irradiation with electromagnetic waves to become isocyanato groups or thioisocyanato groups.

Figure 0005754166
(式(5−1)中、Qは酸素原子又は硫黄原子であり、R42は有機基である。式(5−2)中、Ewはそれぞれ独立に電子吸引性基であり、Qは酸素原子又は硫黄原子である。式(5−3)中、Qは酸素原子又は硫黄原子であり、R43及びR44はそれぞれ独立に水素原子又は有機基である。式(5−4)中、Qは酸素原子又は硫黄原子であり、nは3〜7である。)
Figure 0005754166
(In Formula (5-1), Q is an oxygen atom or a sulfur atom, R 42 is an organic group. In Formula (5-2), Ew is each independently an electron-withdrawing group, and Q is oxygen. In formula (5-3), Q is an oxygen atom or sulfur atom, and R 43 and R 44 are each independently a hydrogen atom or an organic group, in formula (5-4), Q is an oxygen atom or a sulfur atom, and n is 3-7.)

上記式(5−1)で表される置換基は、イソシアナト基又はチオイソシアナト基と、アルコールやフェノール等の水酸基含有化合物との反応により得ることができる。
式(5−1)のR42としては特に限定されないが、例えば、メチル基、tert−ブチル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基等が好適に用いられる。
The substituent represented by the above formula (5-1) can be obtained by reacting an isocyanato group or a thioisocyanato group with a hydroxyl group-containing compound such as alcohol or phenol.
No particular limitation is imposed on the R 42 of formula (5-1), for example, a methyl group, an alkyl group such as a tert- butyl group, an aryl group such as a phenyl group, aralkyl groups such as benzyl group is preferably used.

上記式(5−2)で表される置換基は、イソシアナト基又はチオイソシアナト基と、活性メチレン基を有する化合物との反応により得ることができる。ここで活性メチレン基とは、反応活性を有するメチレン基(−CH−)をいい、2つの電子吸引性基で挟まれたメチレン基を意味する。ここでの電子吸引性基とは、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基、スルホニル基、スルフィニル基、ホスホノ基などが挙げられる。
活性メチレン基を有する化合物としては、例えば、マロン酸ジメチルやマロン酸ジエチル等のマロン酸エステル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル等のアセト酢酸エステル、アセチルアセトン、マロノニトリル、シアノ酢酸エチル、ニトロ酢酸エチル、p−トリススルホニル酢酸エチル、フェニルスルフィニル酢酸 エチル、ホスホノ酢酸トリメチル等を用いることができる。中でも、マロン酸エステル、アセト酢酸エステルが反応性の点から好ましい。
The substituent represented by the above formula (5-2) can be obtained by reacting an isocyanato group or a thioisocyanato group with a compound having an active methylene group. Here, the active methylene group means a methylene group (—CH 2 —) having reaction activity, and means a methylene group sandwiched between two electron-withdrawing groups. Examples of the electron withdrawing group include a carbonyl group, a cyano group, a nitro group, a sulfonyl group, a sulfinyl group, and a phosphono group.
Examples of the compound having an active methylene group include malonic acid esters such as dimethyl malonate and diethyl malonate, acetoacetate esters such as methyl acetoacetate and ethyl acetoacetate, acetylacetone, malononitrile, ethyl cyanoacetate, ethyl nitroacetate, p -Ethyl trissulfonyl acetate, ethyl phenylsulfinyl acetate, trimethyl phosphonoacetate and the like can be used. Of these, malonic acid ester and acetoacetic acid ester are preferable from the viewpoint of reactivity.

式(5−2)のEwは、活性メチレン基を有する化合物における残基であり、特に限定されない。例えば、エステル基(−COOR)、アシル基(−COR)、シアノ基(−CN)、ニトロ基(−NO)、スルホニル基(−S(=O)R)、スルフィニル基(−S(=O)R)、ホスホ基(−P(=O)(OR)))等(ここで、Rは有機基)が挙げられる。 Ew in the formula (5-2) is a residue in the compound having an active methylene group, and is not particularly limited. For example, an ester group (—COOR), an acyl group (—COR), a cyano group (—CN), a nitro group (—NO 2 ), a sulfonyl group (—S (═O) 2 R), a sulfinyl group (—S ( ═O) R), a phospho group (—P (═O) (OR) 2 )) and the like (where R is an organic group).

上記式(5−3)で表される置換基は、イソシアナト基又はチオイソシアナト基と、ホルマルドオキシム、アセタルドオキシム、メチルエチルケトンオキシム、シクロヘキサノンオキシム、アセトフェノンオキシム、ベンゾフェノンオキシム、2−ブタノンオキシム又はジエチルグリオキシムなどのオキシムとの反応により得ることができる。
式(5−3)のR43及びR44としては特に限定されないが、例えば、メチル基、tert−ブチル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基等が好適に用いられる。
The substituent represented by the above formula (5-3) includes an isocyanato group or a thioisocyanato group, and formal oxime, acetal oxime, methyl ethyl ketone oxime, cyclohexanone oxime, acetophenone oxime, benzophenone oxime, 2-butanone oxime, or diethylglyoxime It can obtain by reaction with oximes.
R 43 and R 44 in the formula (5-3) are not particularly limited. For example, an alkyl group such as a methyl group and a tert-butyl group, an aryl group such as a phenyl group, and an aralkyl group such as a benzyl group are preferable. Used.

上記式(5−4)で表される置換基は、イソシアナト基又はチオイソシアナト基と、ε−カプロラクタム、δ−バレロラクタム、γ−ブチロラクタムなどのラクタムとの反応により得ることができる。   The substituent represented by the above formula (5-4) can be obtained by reacting an isocyanato group or a thioisocyanato group with a lactam such as ε-caprolactam, δ-valerolactam, and γ-butyrolactam.

上記式(5−5)で表される置換基は、下記式のように、触媒を用いてイソシアナト基を二量化させてカルボジイミド化することにより得ることができる。上記式(5−5)で表される置換基は、加熱により解離し、イソシアナト基を生成する。本発明においては、末端にイソシアナト基を有する塩基発生剤を準備し、当該塩基発生剤を、触媒を用いて二量化することにより得ることができる。ここで触媒としては、例えば、公知のリン系触媒がいずれも好適に用いられ、例えば1−フェニル−2−ホスホリン−1−オキシド、3−メチル−2−ホスホリン−1−オキシド、1−エチル−2−ホスホリン−1−オキシド、3−メチル−1−フェニル−2−ホスホリン−1−オキシド、あるいはこれらの3−ホスホリン異性体などのホスホリンオキシドが挙げられる。   The substituent represented by the above formula (5-5) can be obtained by dimerizing an isocyanato group using a catalyst and carbodiimidizing as shown in the following formula. The substituent represented by the above formula (5-5) is dissociated by heating to generate an isocyanato group. In the present invention, a base generator having an isocyanato group at the terminal is prepared, and the base generator can be obtained by dimerization using a catalyst. Here, as the catalyst, for example, any known phosphorus catalyst is preferably used. For example, 1-phenyl-2-phosphorin-1-oxide, 3-methyl-2-phosphorin-1-oxide, 1-ethyl- Examples include 2-phosphorin-1-oxide, 3-methyl-1-phenyl-2-phosphorin-1-oxide, and phospholine oxides such as these 3-phosphorin isomers.

Figure 0005754166
(式中、Rは有機基である。)
Figure 0005754166
(In the formula, R is an organic group.)

上記式(5−6)で表される置換基は、カルボキシル基に、例えばジフェニルリン酸アジド等の酸アジドを反応することにより得ることができる。上記式(5−6)で表される置換基は、加熱により、クルチウス転移が起こり、イソシアナト基を生成する。本発明においては、末端にカルボキシル基を有する塩基発生剤を準備し、当該塩基発生剤のカルボキシル基に、ジフェニルリン酸アジド等の酸アジドを反応することにより得ることができる。   The substituent represented by the above formula (5-6) can be obtained by reacting the carboxyl group with an acid azide such as diphenyl phosphate azide. The substituent represented by the above formula (5-6) undergoes a Curtius transition by heating to generate an isocyanato group. In this invention, it can obtain by preparing the base generator which has a carboxyl group at the terminal, and reacting acid azides, such as diphenylphosphoric acid azide, with the carboxyl group of the said base generator.

また、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化してアルキニル基となる置換基としては、公知のアルキニル基をブロック化する反応を利用して得ることができる。
アルキニル基をブロック化する反応としては、例えば、上記式(2−3)で表されるシリル基でブロック化する反応等が挙げられる。
Moreover, as a substituent which a part of structure changes by heating and / or electromagnetic wave irradiation, and becomes an alkynyl group, it can obtain using the reaction which blocks a well-known alkynyl group.
Examples of the reaction for blocking an alkynyl group include a reaction for blocking with a silyl group represented by the above formula (2-3).

加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化する官能基は、R、R、R及びRのいずれかの位置において、置換基として直接ベンゼン環に結合していても良いし、適宜連結基を介してベンゼン環に結合していても良い。 The functional group whose structure is partially changed by heating and / or irradiation with electromagnetic waves may be directly bonded to the benzene ring as a substituent at any position of R 2 , R 3 , R 4 and R 5. In addition, it may be bonded to a benzene ring through a linking group as appropriate.

〜Rの2つ以上が結合して、シクロヘキシル基等の脂環式炭化水素構造を形成している場合や、R〜Rの2つ以上が結合してそれらが結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン、フルオレン等の縮合環を形成している場合に、当該環状構造に、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化する官能基を有していても良い。 When two or more of R 2 to R 5 are bonded to form an alicyclic hydrocarbon structure such as a cyclohexyl group, or two or more of R 2 to R 5 are bonded to bond them When a condensed ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, indene, and fluorene is formed by sharing the atoms of the benzene ring, a part of the structure is changed to the cyclic structure by heating and / or irradiation with electromagnetic waves. It may have a functional group.

<R及びR
上記一般式(B)及び一般式(1)において、R及びRは、それぞれ、独立に水素原子又は有機基であるが、R及びRのうち少なくとも1つは有機基である。
有機基としては、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン原子化アルキル基等が挙げられる。これらの有機基は、当該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素原子基以外の結合や置換基を含んでよく、これらは、直鎖状でも分岐状でも良い。
及びRにおける有機基は、通常、1価の有機基であるが、後述する環状構造を形成する場合や、生成するNHRがジアミン等のアミド結合を形成可能なNH基を2つ以上有する塩基性物質の場合等には、2価以上の有機基となり得る。
<R 6 and R 7>
In the general formula (B) and the general formula (1), R 6 and R 7 are each independently a hydrogen atom or an organic group, but at least one of R 6 and R 7 is an organic group.
Examples of the organic group include a saturated or unsaturated alkyl group, a saturated or unsaturated cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a saturated or unsaturated halogen atomized alkyl group. These organic groups may contain a bond or substituent other than a hydrocarbon atom group such as a hetero atom in the organic group, and these may be linear or branched.
The organic group in R 6 and R 7 is usually a monovalent organic group. However, in the case of forming a cyclic structure to be described later, the generated NHR 6 R 7 is an NH group capable of forming an amide bond such as diamine. In the case of a basic substance having two or more, it can be a divalent or higher organic group.

また、R及びRは、それらが結合して環状構造になっていても良い。
環状構造は、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素原子、複素環、及び縮合環、並びに当該脂環式炭化水素原子、複素環、及び縮合環よりなる群から選ばれる2種以上が組み合されてなる構造であっても良い。
R 6 and R 7 may be bonded to form a cyclic structure.
The cyclic structure is a combination of two or more selected from the group consisting of saturated or unsaturated alicyclic hydrocarbon atoms, heterocyclic rings, and condensed rings, and the alicyclic hydrocarbon atoms, heterocyclic rings, and condensed rings. The structure formed may be sufficient.

前記R及びRの有機基中の炭化水素原子基以外の結合としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合(−N=C(−R)−、−C(=NR)−、ここでRは水素原子又は1価の有機基)、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、アゾ結合等が挙げられる。耐熱性の点から、有機基中の炭化水素原子基以外の結合としては、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合(−N=C(−R)−、−C(=NR)−:ここでRは水素原子又は1価の有機基)、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合が好ましい。 The bond other than the hydrocarbon atom group in the organic group of R 6 and R 7 is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired. An ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester Bond, amide bond, urethane bond, imino bond (-N = C (-R)-, -C (= NR)-, where R is a hydrogen atom or a monovalent organic group), carbonate bond, sulfonyl bond, sulfinyl Examples include a bond and an azo bond. From the viewpoint of heat resistance, the bond other than the hydrocarbon atom group in the organic group includes an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, and an imino bond (—N═C ( -R)-, -C (= NR)-: where R is a hydrogen atom or a monovalent organic group), a carbonate bond, a sulfonyl bond, or a sulfinyl bond.

前記R及びRの有機基中の炭化水素原子基以外の置換基としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基、アミノ基(−NH2, −NHR, −NRR’:ここで、R及びR’はそれぞれ独立に炭化水素原子基)等が挙げられる。上記置換基に含まれる水素原子は、炭化水素原子基によって置換されていても良い。また、上記置換基に含まれる炭化水素原子基は、直鎖、分岐、及び環状のいずれでも良い。
前記R及びRの有機基中の炭化水素原子基以外の置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基が好ましい。
The substituent other than the hydrocarbon atom group in the organic group of R 6 and R 7 is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and is a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group. , Isocyano group, cyanato group, isocyanato group, thiocyanato group, isothiocyanato group, silyl group, silanol group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, acyl Group, acyloxy group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, hydroxyimino group, saturated or unsaturated alkyl ether group, saturated or unsaturated alkyl thioether group, aryl ether group, And arylthioether groups Amino group (-NH2, -NHR, -NRR ': wherein, R and R' are each independently a hydrocarbon atom group). The hydrogen atom contained in the substituent may be substituted with a hydrocarbon atom group. Moreover, the hydrocarbon atom group contained in the substituent may be linear, branched, or cyclic.
Examples of the substituent other than the hydrocarbon atom group in the organic group of R 6 and R 7 include a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group, an isocyano group, a cyanato group, an isocyanato group, a thiocyanato group, and an isothiocyanato group. , Silyl group, silanol group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino A group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonato group, a hydroxyimino group, a saturated or unsaturated alkyl ether group, a saturated or unsaturated alkyl thioether group, an aryl ether group, and an aryl thioether group are preferred.

本発明の製造方法により製造される一般式(1)で表される塩基発生剤より生ずる塩基はNHRであるため、1級アミン、2級アミン、又は複素環式化合物が挙げられる。また当該塩基には、それぞれ、脂肪族アミン及び芳香族アミンがある。なお、ここでの複素環式化合物は、NHRが環状構造を有し且つ芳香族性を有しているものをいう。芳香族複素環式化合物ではない、非芳香族複素環式化合物は、ここでは脂環式アミンとして脂肪族アミンに含まれる。 Since the base produced from the base generator represented by the general formula (1) produced by the production method of the present invention is NHR 6 R 7 , primary amines, secondary amines, or heterocyclic compounds can be mentioned. The bases include aliphatic amines and aromatic amines, respectively. In addition, the heterocyclic compound here means that NHR 6 R 7 has a cyclic structure and has aromaticity. Non-aromatic heterocyclic compounds that are not aromatic heterocyclic compounds are included here in aliphatic amines as alicyclic amines.

更に、一般式(1)で表される塩基発生剤より生ずる塩基は、アミド結合を形成可能なNH基を1つだけ有するモノアミン等の塩基性化合物だけでなく、ジアミン、トリアミン、テトラアミン等のアミド結合を形成可能なNH基を2つ以上有する塩基性化合物であってもよい。このような塩基性化合物を発生させる塩基発生剤は、一般式(B)で表される構造のR及び/又はRの1つ以上の末端に、更にN(C=O)CH構造を有するアセトアミド誘導体を用いて製造することができる。更に、このような構造を有するアセトアミド誘導体は、例えば、NHRで表される塩基性化合物と無水酢酸を反応させることにより合成する場合には、当該塩基性化合物として、ジアミン、トリアミン、テトラアミン等のアミド結合を形成可能なNH基を2つ以上有する塩基性化合物を用いることにより合成することができる。 Furthermore, the base generated from the base generator represented by the general formula (1) is not only a basic compound such as monoamine having only one NH group capable of forming an amide bond, but also an amide such as diamine, triamine and tetraamine. It may be a basic compound having two or more NH groups capable of forming a bond. The base generator for generating such a basic compound is further provided with an N (C═O) CH 3 structure at one or more terminals of R 6 and / or R 7 having the structure represented by the general formula (B). It can manufacture using the acetamide derivative which has this. Furthermore, when the acetamide derivative having such a structure is synthesized by reacting a basic compound represented by NHR 6 R 7 with acetic anhydride, for example, diamine, triamine, tetraamine can be used as the basic compound. It can be synthesized by using a basic compound having two or more NH groups capable of forming an amide bond.

脂肪族1級アミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、n−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、tert−ブチルアミン、ペンチルアミン、イソアミルアミン、tert−ペンチルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘプタンアミン、オクチルアミン、2−オクタンアミン、2,4,4−トリメチルペンタン−2−アミン、シクロオクチルアミン等が挙げられる。   Aliphatic primary amines include methylamine, ethylamine, propylamine, isopropylamine, n-butylamine, sec-butylamine, tert-butylamine, pentylamine, isoamylamine, tert-pentylamine, cyclopentylamine, hexylamine, cyclohexylamine , Heptylamine, cycloheptaneamine, octylamine, 2-octaneamine, 2,4,4-trimethylpentan-2-amine, cyclooctylamine and the like.

芳香族1級アミンとしては、アニリン、2−アミノフェノール、3−アミノフェノール、及び4−アミノフェノール等が挙げられる。   Examples of the aromatic primary amine include aniline, 2-aminophenol, 3-aminophenol, and 4-aminophenol.

脂肪族2級アミンとしては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、エチルメチルアミン、アジリジン、アゼチジン、ピロリジン、ピペリジン、アゼパン、アゾカン、メチルアジリジン、ジメチルアジリジン、メチルアゼチジン、ジメチルアゼチジン、トリメチルアゼチジン、メチルピロリジン、ジメチルピロリジン、トリメチルピロリジン、テトラメチルピロリジン、メチルピペリジン、ジメチルピペリジン、トリメチルピペリジン、テトラメチルピペリジン、ペンタメチルピペリジン等が挙げられ、中でも脂環式アミンが好ましい。   Aliphatic secondary amines include dimethylamine, diethylamine, dipropylamine, diisopropylamine, dibutylamine, ethylmethylamine, aziridine, azetidine, pyrrolidine, piperidine, azepan, azocan, methylaziridine, dimethylaziridine, methylazetidine, dimethyl Examples thereof include azetidine, trimethylazetidine, methylpyrrolidine, dimethylpyrrolidine, trimethylpyrrolidine, tetramethylpyrrolidine, methylpiperidine, dimethylpiperidine, trimethylpiperidine, tetramethylpiperidine, pentamethylpiperidine and the like, among which alicyclic amine is preferable.

芳香族2級アミンとしては、メチルアニリン、ジフェニルアミン、及びN−フェニル−1−ナフチルアミンが挙げられる。また、アミド結合を形成可能なNH基を有する芳香族複素環式化合物としては、塩基性の点から分子内にイミノ結合(−N=C(−R)−、−C(=NR)−、ここでRは水素原子又は1価の有機基)を有することが好ましく、イミダゾール、プリン、トリアゾール、及びこれらの誘導体等が挙げられる。   Aromatic secondary amines include methylaniline, diphenylamine, and N-phenyl-1-naphthylamine. In addition, as an aromatic heterocyclic compound having an NH group capable of forming an amide bond, an imino bond (—N═C (—R) —, —C (═NR) —, Here, R preferably has a hydrogen atom or a monovalent organic group), and examples thereof include imidazole, purine, triazole, and derivatives thereof.

ジアミン以上のアミンとしてはエチレンジアミン、1,3−プロパンジアミン、1,4−ブタンジアミン、1,5−ペンタンジアミン、1,6−ヘキサンジアミン、1,7−ヘプタンジアミン、1,8−オクタンジアミン、1,9−ノナンジアミン、1,10−デカンジアミン等の直鎖状脂肪族アルキレンジアミン;1−ブチル−1,2−エタンジアミン、1,1−ジメチル−1,4−ブタンジアミン、1−エチル−1,4−ブタンジアミン、1,2−ジメチル−1,4−ブタンジアミン、1,3−ジメチル−1,4−ブタンジアミン、1,4−ジメチル−1,4−ブタンジアミン、2,3−ジメチル−1,4−ブタンジアミン等の分岐状脂肪族アルキレンジアミン;ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン等の一般式NH(CHCHNH)Hで示されるポリエチレンアミン類;シクロヘキサンジアミン、メチルシクロヘキサンジアミン、イソホロンジアミン、ノルボルナンジメチルアミン、トリシクロデカンジメチルアミン、メンセンジアミン等の脂環式ジアミン;p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、p−キシリレンジアミン、m−キシリレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族ジアミン;ベンゼントリアミン、メラミン、2,4,6−トリアミノピリミジン等のトリアミン;2,4,5,6−テトラアミノピリミジン等のテトラアミンを挙げることができる。 As amines higher than diamine, ethylenediamine, 1,3-propanediamine, 1,4-butanediamine, 1,5-pentanediamine, 1,6-hexanediamine, 1,7-heptanediamine, 1,8-octanediamine, Linear aliphatic alkylenediamines such as 1,9-nonanediamine and 1,10-decanediamine; 1-butyl-1,2-ethanediamine, 1,1-dimethyl-1,4-butanediamine, 1-ethyl- 1,4-butanediamine, 1,2-dimethyl-1,4-butanediamine, 1,3-dimethyl-1,4-butanediamine, 1,4-dimethyl-1,4-butanediamine, 2,3- Branched aliphatic alkylenediamines such as dimethyl-1,4-butanediamine; diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepenta Formula NH 2 (CH 2 CH 2 NH ) polyethylene amines represented by n H such emissions; cyclohexane diamine, methylcyclohexane diamine, isophorone diamine, norbornane dimethylamine, tricyclodecane dimethylamine, alicyclic such as menthenediamine Formula diamines; aromatic diamines such as p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-xylylenediamine, m-xylylenediamine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone; benzenetriamine, melamine, 2,4 And triamines such as 2,6-triaminopyrimidine; and tetraamines such as 2,4,5,6-tetraaminopyrimidine.

及びRの位置に導入される置換基によって、一般式(1)で表される塩基発生剤から生成する塩基の熱物性や塩基性度が異なる。
当該塩基発生剤を感光性樹脂組成物として用いる場合、高分子前駆体から最終生成物への反応に対する反応開始温度を低下させる等の触媒作用は、塩基性の大きい塩基の方が触媒としての効果が大きく、より少量の添加で、より低い温度での最終生成物への反応が可能となる。一般に1級アミンよりは2級アミンの方が塩基性は高く、その触媒効果が大きい。
また、芳香族アミンよりも脂肪族アミンの方が、塩基性が強いため好ましい。
The thermal properties and basicity of the base produced from the base generator represented by the general formula (1) differ depending on the substituent introduced at the positions of R 6 and R 7 .
When the base generator is used as a photosensitive resin composition, the catalytic action, such as lowering the reaction start temperature for the reaction from the polymer precursor to the final product, is more effective as a base having a higher basicity. The smaller the addition, the lower the temperature enables the reaction to the final product. In general, secondary amines have higher basicity than primary amines, and their catalytic effect is greater.
In addition, aliphatic amines are preferred over aromatic amines because they are more basic.

また、一般式(1)で表される塩基発生剤から生成する塩基が、2級アミン及び/又は複素環式化合物である場合には、当該塩基発生剤の感度が高くなる点から好ましい。これは、2級アミンや複素環式化合物を用いることで、アミド結合部位の活性水素原子がなくなり、このことにより、電子密度が変化し、異性化の感度が向上するからではないかと推定される。   Moreover, when the base produced | generated from the base generator represented by General formula (1) is a secondary amine and / or a heterocyclic compound, it is preferable from the point that the sensitivity of the said base generator becomes high. It is presumed that the use of a secondary amine or a heterocyclic compound eliminates the active hydrogen atom at the amide bond site, which changes the electron density and improves the isomerization sensitivity. .

また、脱離する塩基の熱物性、及び塩基性度の点から、R及びRの有機基は、それぞれ独立に炭素数1〜20が好ましく、更に炭素数1〜12が好ましく、特に炭素数1〜8であることが好ましい。 Further, from the viewpoint of the thermophysical properties of the base to be eliminated and the basicity, the organic groups of R 6 and R 7 are each independently preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, and particularly preferably carbon atoms. It is preferable that it is number 1-8.

一般式(1)で表される塩基発生剤は、幾何異性体が存在するが、トランス体のみを用いることが好ましい。しかし、合成および精製工程、並びに、保管時等において幾何異性体であるシス体が混ざる可能性もあり、この場合トランス体とシス体の混合物を用いても良いが、溶解性コントラストを高められる点から、シス体の割合が10%未満であることが好ましい。   The base generator represented by the general formula (1) has a geometric isomer, but it is preferable to use only the trans isomer. However, there is a possibility that the cis isomer, which is a geometric isomer, may be mixed during the synthesis and purification steps, storage, etc. In this case, a mixture of the trans isomer and the cis isomer may be used, but the solubility contrast can be increased. Therefore, it is preferable that the ratio of cis-isomer is less than 10%.

また、一般式(1)で表される塩基発生剤から生ずる塩基は、アミド結合を形成可能なNH基を1つ有するものであることが、合成後の精製の容易性の点から好ましい。中でも特に、感光性樹脂組成物としてポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体と組み合わせた場合には、アミド結合を形成可能なNH基を1つ有するものであることが好ましい。   Moreover, it is preferable from the point of the ease of the refinement | purification after a synthesis | combination that the base produced from the base generator represented by General formula (1) has one NH group which can form an amide bond. In particular, when the photosensitive resin composition is combined with a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor, it preferably has one NH group capable of forming an amide bond.

一方、感光性樹脂組成物としてエポキシ系化合物と組み合わせる場合には、一般式(1)で表される塩基発生剤から生ずる塩基は、アミド結合を形成可能なNH基を2つ以上有するものであるものも、硬化促進剤としてだけでなく硬化剤としても機能することが可能な点から好適に用いることができる。   On the other hand, when combined with an epoxy compound as a photosensitive resin composition, the base generated from the base generator represented by the general formula (1) has two or more NH groups capable of forming an amide bond. A thing can also be used suitably from the point which can function not only as a hardening accelerator but as a hardening | curing agent.

本発明に係る製造方法においては、一般式(B)におけるR及びRがいずれも有機基である場合に、一般式(1)で表される塩基発生剤の反応収率がより高くなる傾向があるので、本発明に係る塩基発生剤の製造方法は、2級アミンを発生させる塩基発生剤の製造に好適である。 In the production method according to the present invention, when both R 6 and R 7 in the general formula (B) are organic groups, the reaction yield of the base generator represented by the general formula (1) becomes higher. Since there exists a tendency, the manufacturing method of the base generator which concerns on this invention is suitable for manufacture of the base generator which generates a secondary amine.

前記一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体は、所望の構造の誘導体が市販で入手可能ならば、市販品を用いることができる。当該ベンズアルデヒド誘導体は、適宜合成して得てもよい。Rが保護基の場合、前述のように得ることができる。また、R〜Rに各置換基を有するアルデヒドは、例えば、対応する置換基を有するフェノールにDuff反応やVilsmeier−Haack反応を行う、またはジヒドロキシベンズアルデヒドにWilliamson反応などの一般的なエーテル合成手法を用いることで合成できる。その他置換基の導入は、適宜公知の方法を用いて行うことができる。 As the benzaldehyde derivative represented by the general formula (A), a commercially available product can be used if a derivative having a desired structure is commercially available. The benzaldehyde derivative may be obtained by appropriately synthesizing. When R 1 is a protecting group, it can be obtained as described above. The aldehyde having each substituent in R 2 to R 5 is, for example, a general ether synthesis method such as a Duff reaction or a Vilsmeier-Haack reaction with a phenol having a corresponding substituent, or a Williamson reaction with dihydroxybenzaldehyde. Can be synthesized. The introduction of other substituents can be appropriately performed using a known method.

前記一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体は、所望の構造の誘導体が市販で入手可能ならば、市販品を用いることができる。当該アセトアミド誘導体は、公知の方法を用いて適宜合成して得てもよい。例えば、NHRで表される塩基性化合物に無水酢酸、ハロゲン化アセチル、アセチルアジド等を反応させることにより合成することができる。 As the acetamide derivative represented by the general formula (B), a commercially available product can be used if a derivative having a desired structure is commercially available. The acetamide derivative may be obtained by appropriately synthesizing using a known method. For example, it can be synthesized by reacting a basic compound represented by NHR 6 R 7 with acetic anhydride, acetyl halide, acetyl azide or the like.

本発明に係る塩基発生剤の製造方法において用いられる一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体の使用量は、一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体に対して、1.0〜2.0モル当量であることが好ましく、更に1.0〜1.3モル当量であることが、副生成物の生成を抑制し、一般式(1)で表される塩基発生剤の反応収率を向上させる点から好ましい。   The use amount of the acetamide derivative represented by the general formula (B) used in the method for producing a base generator according to the present invention is 1.0 to 2 with respect to the benzaldehyde derivative represented by the general formula (A). It is preferably 0 molar equivalent, and further 1.0 to 1.3 molar equivalent suppresses the formation of by-products, and increases the reaction yield of the base generator represented by the general formula (1). It is preferable from the point of improving.

[有機溶媒]
一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体と、一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体を反応させる工程は、有機溶媒中で行われる。
前記有機溶媒は、一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体、後述する塩基、及び、一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体が溶解し、又これらの化合物と反応しない溶媒を用いることが、塩基発生剤の反応収率を向上させる点から好ましい。中でも、トルエン、ジメチルホルムアミド及びテトラヒドロフランよりなる群から選択される1種以上の溶媒であることが塩基発生剤の反応収率を向上させる点から、より好ましく、更に、ジメチルホルムアミドであることが、塩基発生剤の反応収率を向上させる点からより好ましい。
有機溶媒の使用量としては、特に限定されないが、通常、一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体の質量に対して、5倍から30倍程度の量が用いられる。
[Organic solvent]
The step of reacting the benzaldehyde derivative represented by the general formula (A) with the acetamide derivative represented by the general formula (B) is performed in an organic solvent.
As the organic solvent, a solvent in which a benzaldehyde derivative represented by the general formula (A), a base described later, and an acetamide derivative represented by the general formula (B) are dissolved and does not react with these compounds may be used. From the viewpoint of improving the reaction yield of the base generator. Among these, one or more solvents selected from the group consisting of toluene, dimethylformamide, and tetrahydrofuran are more preferable from the viewpoint of improving the reaction yield of the base generator, and further, dimethylformamide is preferable. This is more preferable from the viewpoint of improving the reaction yield of the generator.
The amount of the organic solvent to be used is not particularly limited, but usually an amount of about 5 to 30 times the mass of the benzaldehyde derivative represented by the general formula (A) is used.

[塩基]
本発明に係る塩基発生剤の製造方法において、一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体と、一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体の反応は、塩基存在下で行われる。当該塩基は、前記アセトアミド誘導体のα位の水素を引き抜き、前記ベンズアルデヒド誘導体との反応を進行させるものと推測される。
本発明において用いられる塩基としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウムの他、金属アルコキシド、金属アミド等が挙げられる。中でも、求核性の低い強塩基を用いることが、副反応を抑え、塩基発生剤の反応収率を向上させる点から好ましく、例えば、カリウム−t−ブトキシド、ナトリウム−t−ブトキシド、リチウム−t−ブトキシド、リチウムジイソプロピルアミド、カリウムヘキサメチルジシラジド、リチウムテトラメチルピペリジド等が好適に用いられる。求核性の低い強塩基の中でも、カリウム−t−ブトキシドを用いることが、塩基発生剤の反応収率を向上させる点からより好ましい。
[base]
In the method for producing a base generator according to the present invention, the reaction of the benzaldehyde derivative represented by the general formula (A) and the acetamide derivative represented by the general formula (B) is performed in the presence of a base. The base is presumed to extract the hydrogen at the α-position of the acetamide derivative and to proceed with the reaction with the benzaldehyde derivative.
Examples of the base used in the present invention include sodium hydroxide, potassium hydroxide, potassium carbonate, metal alkoxide, metal amide and the like. Among them, it is preferable to use a strong base having low nucleophilicity from the viewpoint of suppressing side reactions and improving the reaction yield of the base generator. For example, potassium-t-butoxide, sodium-t-butoxide, lithium-t -Butoxide, lithium diisopropylamide, potassium hexamethyldisilazide, lithium tetramethylpiperidide and the like are preferably used. Among strong bases having low nucleophilicity, it is more preferable to use potassium t-butoxide from the viewpoint of improving the reaction yield of the base generator.

前記塩基の添加量は、特に限定されないが、一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体に対して2.0〜6.0モル当量であることが好ましく、さらに2.1〜4.0モル当量であることが塩基発生剤の反応収率を向上させる点から好ましい。   The addition amount of the base is not particularly limited, but is preferably 2.0 to 6.0 molar equivalents, more preferably 2.1 to 4.0 moles with respect to the acetamide derivative represented by the general formula (B). It is preferable that it is equivalent from the point which improves the reaction yield of a base generator.

[その他の反応条件]
上記一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体に、有機溶媒中、塩基存在下で、上記一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体を反応させることができれば、手順は特に限定されない。例えば、当該工程においては、溶媒中に、まず、上記一般式(A)で表されるベンズアルデヒド誘導体及び上記一般式(B)で表されるアセトアミド誘導体を加えて攪拌し、次に塩基を添加することが挙げられる。
[Other reaction conditions]
The procedure is not particularly limited as long as the benzaldehyde derivative represented by the general formula (A) can be reacted with the acetamide derivative represented by the general formula (B) in an organic solvent in the presence of a base. For example, in this step, first, a benzaldehyde derivative represented by the above general formula (A) and an acetamide derivative represented by the above general formula (B) are added and stirred in a solvent, and then a base is added. Can be mentioned.

上記反応工程における反応温度は、特に制限はないが、10℃〜110℃程度であることが望ましい。このような範囲の温度では、反応が遅くならず、良好な収率で生成物を得ることができる。
また、これらの反応の反応圧力に特に制限はないが、常圧〜0.1MPaが望ましく、常圧がさらに望ましい。
また当該工程における反応時間は、上記一般式(B)で表されるホスホネート誘導体及び塩基の使用量や反応温度等により変動する場合があるので一概には言えないが、通常1〜48時間、好ましくは3〜24時間の範囲に設定される。
Although the reaction temperature in the said reaction process does not have a restriction | limiting in particular, It is desirable that it is about 10 degreeC-110 degreeC. At such a temperature range, the reaction is not slow and the product can be obtained in good yield.
Moreover, there is no restriction | limiting in particular in the reaction pressure of these reaction, but normal pressure-0.1 MPa are desirable, and normal pressure is further more desirable.
In addition, the reaction time in this step cannot be generally stated because it may vary depending on the phosphonate derivative represented by the above general formula (B) and the amount of base used, reaction temperature, etc., but usually 1 to 48 hours, preferably Is set in the range of 3-24 hours.

なお、本発明の製造方法で製造された一般式(1)で表される塩基発生剤は、その後、更に置換基を導入する反応が行われても良い。例えば、予めR〜Rのいずれかとして導入しておいた水酸基等の官能基に、エピクロロヒドリンを反応させてエポキシ基等の反応性官能基を導入したり、保護基を導入しても良い。 The base generator represented by the general formula (1) produced by the production method of the present invention may be further subjected to a reaction for introducing a substituent thereafter. For example, a reactive functional group such as an epoxy group is introduced by reacting epichlorohydrin with a functional group such as a hydroxyl group that has been introduced in advance as any of R 2 to R 5 , or a protective group is introduced. May be.

(実施例1:塩基発生剤の合成)
1000mLフラスコ中、ジメチルホルムアミド195mLに下記化合物(6)(東京化成工業製、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンズアルデヒド)19.5g、下記化合物(7)(東京化成工業、1−アセチルピペリジン)20.2gを加え攪拌し、カリウム−t−ブトキシド(和光純薬製)40.3gを加えた。約110℃で約4時間反応し、冷却後、水195mL及び酢酸32.4gを順に加え、更に氷冷し、析出した結晶をろ過した。得られた結晶20.0gをメタノール600mLに加温、溶解した後、冷却し、晶析させた。氷冷したのち析出した結晶をろ過、乾燥させることにより、化学式(8)で表される塩基発生剤27.6gを得た(収率82.5%)。なお、固形の廃棄物は生じなかった。
得られた塩基発生剤は、NMR(日本電子製、JNM−EX270)及びLC−MS(Waters社製、micromass ZQ)により構造を確認した。
(Example 1: Synthesis of base generator)
In a 1000 mL flask, 19.5 g of the following compound (6) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, 2-hydroxy-4-methoxybenzaldehyde), 195 mL of dimethylformamide, 20.2 g of the following compound (7) (Tokyo Chemical Industry, 1-acetylpiperidine) The mixture was stirred and 40.3 g of potassium t-butoxide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added. The reaction was carried out at about 110 ° C. for about 4 hours. After cooling, 195 mL of water and 32.4 g of acetic acid were added in order, and the mixture was further cooled with ice, and the precipitated crystals were filtered. After heating and dissolving 20.0 g of the obtained crystals in 600 mL of methanol, the mixture was cooled and crystallized. After cooling with ice, the precipitated crystals were filtered and dried to obtain 27.6 g of a base generator represented by the chemical formula (8) (yield 82.5%). Solid waste did not occur.
The structure of the obtained base generator was confirmed by NMR (manufactured by JEOL, JNM-EX270) and LC-MS (manufactured by Waters, micromass ZQ).

Figure 0005754166
Figure 0005754166

参考例2:塩基発生剤の合成)
試験管中、テトラヒドロフラン3mLに上記化合物(6)(東京化成工業製、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンズアルデヒド)0.304g、上記化合物(7)(東京化成工業製、1−アセチルピペリジン)0.254gを加え攪拌し、カリウム−t−ブトキシド(和光純薬製)0.45gを加えた。反応温度は最高50℃までとして、47時間反応し、冷却後、水3mL及び酢酸0.36gを順に加え、更に氷冷し、析出した結晶をろ過した。得られた結晶0.35gをメタノール7mLに加温、溶解した後、冷却し、晶析させた。氷冷したのち析出した結晶をろ過、乾燥させることにより、上記化学式(8)で表される塩基発生剤0.28gを得た(収率54%)。なお、固形の廃棄物は生じなかった。
高速液体クロマトグラフィー(日本分光社製、ガリバー)により塩基発生剤の合成を確認した。
( Reference Example 2 : Synthesis of base generator)
In a test tube, 3 mL of tetrahydrofuran was mixed with 0.304 g of the above compound (6) (2-hydroxy-4-methoxybenzaldehyde, manufactured by Tokyo Chemical Industry), 0.254 g of the above compound (7) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, 1-acetylpiperidine). The mixture was stirred and 0.45 g of potassium t-butoxide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added. The reaction temperature was set to a maximum of 50 ° C., and the reaction was conducted for 47 hours. After cooling, 3 mL of water and 0.36 g of acetic acid were added in order, and the mixture was further cooled with ice, and the precipitated crystals were filtered. 0.35 g of the obtained crystal was heated and dissolved in 7 mL of methanol, then cooled and crystallized. After cooling with ice, the precipitated crystals were filtered and dried to obtain 0.28 g of a base generator represented by the above chemical formula (8) (yield 54%). Solid waste did not occur.
The synthesis of the base generator was confirmed by high performance liquid chromatography (manufactured by JASCO Corporation, Gulliver).

参考例3:塩基発生剤の合成)
試験管中、トルエン21mLに上記化合物(6)(東京化成工業製、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンズアルデヒド)2.13g、上記化合物(7)(東京化成工業製、商品名:1−アセチルピペリジン)1.78gを加え攪拌し、カリウム−t−ブトキシド(和光純薬製)3.14gを加えた。反応温度は最高100℃までとして、8時間反応し、冷却後、水21mL及び酢酸1.7gを順に加え、更に氷冷し、析出した結晶をろ過した。得られた結晶1.9gをメタノール38mLに加温、溶解した後、冷却し、晶析させた。氷冷したのち析出した結晶をろ過、乾燥させることにより、上記化学式(8)で表される塩基発生剤1.5gを得た(収率41%)。なお、固形の廃棄物は生じなかった。
高速液体クロマトグラフィーにより塩基発生剤の合成を確認た。
( Reference Example 3 : Synthesis of base generator)
In a test tube, 21 mL of toluene was charged with 2.13 g of the above compound (6) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, 2-hydroxy-4-methoxybenzaldehyde), the above compound (7) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, trade name: 1-acetylpiperidine). 1.78 g was added and stirred, and 3.14 g of potassium t-butoxide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added. The reaction temperature was up to 100 ° C., and the reaction was performed for 8 hours. After cooling, 21 mL of water and 1.7 g of acetic acid were sequentially added, and the mixture was further cooled with ice, and the precipitated crystals were filtered. After heating and dissolving 1.9 g of the obtained crystals in 38 mL of methanol, the mixture was cooled and crystallized. After cooling with ice, the precipitated crystals were filtered and dried to obtain 1.5 g of a base generator represented by the above chemical formula (8) (yield 41%). Solid waste did not occur.
It confirmed the synthesis of base generator by high performance liquid chromatography.

(比較例1:塩基発生剤の合成)
試験管中、ジメチルホルムアミド3mLに上記化合物(6)(東京化成工業製、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンズアルデヒド)0.304g、上記化合物(7)(東京化成工業製、商品名:1−アセチルピペリジン)0.254gを加え攪拌し、濃硫酸10μLを加えた。反応温度は最高100℃までとして、4時間反応させた。得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、上記化学式(8)で表される塩基発生剤の生成はほとんど見られなかった。
(Comparative Example 1: Synthesis of base generator)
In a test tube, 3 mL of dimethylformamide was combined with 0.304 g of the above compound (6) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, 2-hydroxy-4-methoxybenzaldehyde), and the above compound (7) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, trade name: 1-acetylpiperidine). ) 0.254 g was added and stirred, and 10 μL of concentrated sulfuric acid was added. The reaction temperature was up to 100 ° C., and the reaction was performed for 4 hours. When the obtained crystal was measured by high performance liquid chromatography, the production of the base generator represented by the chemical formula (8) was hardly observed.

(比較例2:塩基発生剤の合成)
試験管中、テトラヒドロフラン3mLに化合物(6)(東京化成工業製、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンズアルデヒド)0.304g、化合物(7)(東京化成工業製、1−アセチルピペリジン)0.254gを加え攪拌し、濃硫酸10μLを加えた。反応温度は最高65℃までとして、4時間反応させた。得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、上記化学式(8)で表される塩基発生剤の生成はほとんど見られなかった。
(Comparative Example 2: Synthesis of base generator)
In a test tube, 0.304 g of compound (6) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, 2-hydroxy-4-methoxybenzaldehyde) and 0.254 g of compound (7) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, 1-acetylpiperidine) are added to 3 mL of tetrahydrofuran. Stir and add 10 μL of concentrated sulfuric acid. The reaction temperature was up to 65 ° C., and the reaction was performed for 4 hours. When the obtained crystal was measured by high performance liquid chromatography, the production of the base generator represented by the chemical formula (8) was hardly observed.

(比較例3:塩基発生剤の合成)
試験管中、トルエン3mLに化合物(6)(東京化成工業製、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンズアルデヒド)0.304g、化合物(7)(東京化成工業製、1−アセチルピペリジン)0.254gを加え攪拌し、濃硫酸10μLを加えた。反応温度は最高100℃までとして、4時間反応させた。得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、上記化学式(8)で表される塩基発生剤の生成はほとんど見られなかった。
(Comparative Example 3: Synthesis of base generator)
In a test tube, 0.304 g of compound (6) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, 2-hydroxy-4-methoxybenzaldehyde) and 0.254 g of compound (7) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, 1-acetylpiperidine) are added to 3 mL of toluene. Stir and add 10 μL of concentrated sulfuric acid. The reaction temperature was up to 100 ° C., and the reaction was performed for 4 hours. When the obtained crystal was measured by high performance liquid chromatography, the production of the base generator represented by the chemical formula (8) was hardly observed.

(比較例4:塩基発生剤の合成)
試験管中、ジメチルホルムアミド3mLに化合物(6)(東京化成工業製、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンズアルデヒド)0.304g、化合物(7)(東京化成工業製、1−アセチルピペリジン)0.254gを加え攪拌し、塩化アルミニウム(和光純薬製)0.027gを加えた。反応温度は最高100℃までとして、8時間反応させた。得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、上記化学式(8)で表される塩基発生剤の生成はほとんど見られなかった。
(Comparative Example 4: Synthesis of base generator)
In a test tube, 0.34 g of compound (6) (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., 2-hydroxy-4-methoxybenzaldehyde) and 0.354 g of compound (7) (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., 1-acetylpiperidine) were added to 3 mL of dimethylformamide. The mixture was stirred and 0.027 g of aluminum chloride (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added. The reaction temperature was up to 100 ° C., and the reaction was performed for 8 hours. When the obtained crystal was measured by high performance liquid chromatography, the production of the base generator represented by the chemical formula (8) was hardly observed.

(比較例5:塩基発生剤の合成)
試験管中、テトラヒドロフラン3mLに化合物(6)(東京化成工業製、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンズアルデヒド)0.304g、化合物(7)(東京化成工業製、1−アセチルピペリジン)0.254gを加え攪拌し、塩化アルミニウム(和光純薬製)0.027gを加えた。反応温度は最高65℃までとして、8時間反応させた。得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、上記化学式(8)で表される塩基発生剤の生成はほとんど見られなかった。
(Comparative Example 5: Synthesis of base generator)
In a test tube, 0.304 g of compound (6) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, 2-hydroxy-4-methoxybenzaldehyde) and 0.254 g of compound (7) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, 1-acetylpiperidine) are added to 3 mL of tetrahydrofuran. The mixture was stirred and 0.027 g of aluminum chloride (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added. The reaction temperature was up to 65 ° C., and the reaction was performed for 8 hours. When the obtained crystal was measured by high performance liquid chromatography, the production of the base generator represented by the chemical formula (8) was hardly observed.

(比較例6:塩基発生剤の合成)
試験管中、トルエン3mLに化合物(6)(東京化成工業製、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンズアルデヒド)0.304g、化合物(7)(東京化成工業製、1−アセチルピペリジン)0.254gを加え攪拌し、塩化アルミニウム(和光純薬製)0.027gを加えた。反応温度は最高100℃までとして、8時間反応させた。得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、上記化学式(8)で表される塩基発生剤の生成はほとんど見られなかった。
(Comparative Example 6: Synthesis of base generator)
In a test tube, 0.304 g of compound (6) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, 2-hydroxy-4-methoxybenzaldehyde) and 0.254 g of compound (7) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, 1-acetylpiperidine) are added to 3 mL of toluene. The mixture was stirred and 0.027 g of aluminum chloride (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added. The reaction temperature was up to 100 ° C., and the reaction was performed for 8 hours. When the obtained crystal was measured by high performance liquid chromatography, the production of the base generator represented by the chemical formula (8) was hardly observed.

(比較例7:塩基発生剤の合成)
試験管中、トルエン3mLに化合物(6)(東京化成工業製、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンズアルデヒド)0.304g、化合物(7)(東京化成工業製、1−アセチルピペリジン)0.254gを加え攪拌し、p−トルエンスルホン酸水和物(和光純薬製)0.190gを加えた。反応温度は最高120℃までとして、5時間反応させた。得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、上記化学式(8)で表される塩基発生剤の生成はほとんど見られなかった。
(Comparative Example 7: Synthesis of base generator)
In a test tube, 0.304 g of compound (6) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, 2-hydroxy-4-methoxybenzaldehyde) and 0.254 g of compound (7) (manufactured by Tokyo Chemical Industry, 1-acetylpiperidine) are added to 3 mL of toluene. The mixture was stirred and 0.190 g of p-toluenesulfonic acid hydrate (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added. The reaction temperature was up to 120 ° C., and the reaction was performed for 5 hours. When the obtained crystal was measured by high performance liquid chromatography, the production of the base generator represented by the chemical formula (8) was hardly observed.

Claims (3)

下記一般式(A)で表れるベンズアルデヒド誘導体に、ジメチルホルムアミド中、塩基存在下で、下記一般式(B)で表れるアセトアミド誘導体を反応させる工程を有することを特徴とする、下記一般式(1)で表される塩基発生剤の製造方法。
Figure 0005754166
(一般式(A)、一般式(B)及び一般式(1)において、Rは、水素原子、或いは、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である。R、R、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、アジド基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R、R、R及びRは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。R及びRは、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R及びRは、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R及びRのうち少なくとも1つは有機基である。)
Benzaldehyde derivatives table by the following general formula (A), in dimethylformamide, in the presence of a base, characterized by having a step of reacting the acetamide derivative as tables in the following general formula (B), the following general formula The manufacturing method of the base generator represented by (1).
Figure 0005754166
(In General Formula (A), General Formula (B), and General Formula (1), R 1 is a hydrogen atom or a protecting group that can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves. R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group Phosphinyl group, phosphono group, phosphonato group, amino group, ammonio group, azide group or organic group, which may be the same or different, and R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are Two or more may combine to form a cyclic structure, and may include a heteroatom bond, and R 6 and R 7 are each independently a hydrogen atom or an organic group, and are the same. The May be different .R 6 and R 7, which may be they are attached to form a cyclic structure, may contain a binding heteroatom. Provided that at least one of R 6 and R 7 Is an organic group.)
前記塩基が、金属アルコキシドであることを特徴とする、請求項1に記載の塩基発生剤の製造方法。   The method for producing a base generator according to claim 1, wherein the base is a metal alkoxide. 前記塩基が、カリウム−t−ブトキシドであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の塩基発生剤の製造方法。   The method for producing a base generator according to claim 1 or 2, wherein the base is potassium-t-butoxide.
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