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JP5772392B2 - Electric field probe and electric field measuring device - Google Patents
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Description

本件は、電界を検出するための電界プローブ及び電界測定装置に関する。   The present case relates to an electric field probe and an electric field measurement device for detecting an electric field.

従来、無線通信,光無線通信等の移動体通信システムの普及に伴い、家電機器やコンピュータ,航空機器,携帯電話機といった電子機器類の電磁両立性(EMC;Electro-Magnetic Compatibility)に関するEMC規格が世界的に整備されつつある。EMC規格とは、電子機器類から放射される電磁波の及ぼす影響に関する評価尺度を定めたものであり、国際規格及びこれに準拠する地域規格,各国規格として種々制定されている。   Conventionally, with the spread of mobile communication systems such as wireless communication and optical wireless communication, the EMC standard for electromagnetic compatibility (EMC) of electronic devices such as home appliances, computers, aircraft equipment, and mobile phones has been around the world. Is being developed. The EMC standard defines an evaluation scale relating to the influence of electromagnetic waves radiated from electronic devices, and has been established in various ways as an international standard, a regional standard that complies with this standard, and a national standard.

電子機器類の電磁両立性は、主に二つの側面から評価される。一つは外来の電磁波に対する耐性の評価であり、もう一つは電子機器から外部へ放射される電磁波ノイズ強度の評価である。前者は他の機器からの影響の受けやすさ(感受性)を評価対象とし、後者は他の機器への影響の与えやすさ(影響力)を評価対象とする。つまり、これらの両側面の性能を確保することで、複数の電子機器類が混在する電磁環境下での動作安定性を向上させることが意図されている。   The electromagnetic compatibility of electronic devices is mainly evaluated from two aspects. One is evaluation of resistance to external electromagnetic waves, and the other is evaluation of electromagnetic wave noise intensity radiated from an electronic device to the outside. The former is subject to evaluation of the susceptibility (sensitivity) to influence from other devices, and the latter is subject to evaluation of the susceptibility (influence) to other devices. In other words, it is intended to improve the operational stability in an electromagnetic environment where a plurality of electronic devices are mixed by ensuring the performance of these both side surfaces.

一方、近年の電子機器類は、電子回路の高密度化,動作周波数の高周波化,動作電圧の低電圧化等により、外来の電磁波だけでなく内部で発生した電磁波に対する耐性が低下しやすい傾向にある。例えば、ワンセグ(地上デジタルテレビ放送のワンセグメント部分受信サービス)対応の携帯電話機において、無線モジュールから発生する電磁波ノイズによってテレビアンテナの感度が低下する場合があることが知られている。   On the other hand, recent electronic devices tend to be less resistant to external electromagnetic waves as well as external electromagnetic waves due to higher density of electronic circuits, higher operating frequency, lower operating voltage, etc. is there. For example, it is known that the sensitivity of a television antenna may be reduced due to electromagnetic wave noise generated from a wireless module in a mobile phone compatible with one-segment broadcasting (one-segment partial reception service for digital terrestrial television broadcasting).

また、通話送受信用の電磁波が画像処理回路内に混入すると、表示画面にちらつきやノイズを発生させる場合もある。このように、電子機器で生じる電磁波が自らの性能に影響を与える現象は、自家中毒(又はイントラEMC)と呼ばれている。
自家中毒を予防するには、従来の電磁両立性への配慮だけでなく、電子機器で発生する電磁波の強度と発生源の位置とを正確に把握することが肝要である。とりわけ、電磁波発生源の近傍における電磁界の状態を正確に可視化する測定技術が望まれる。
Further, when electromagnetic waves for call transmission / reception are mixed in the image processing circuit, flickering or noise may occur on the display screen. Thus, the phenomenon in which electromagnetic waves generated in electronic devices affect their performance is called self-poisoning (or intra EMC).
In order to prevent self-poisoning, it is important not only to consider conventional electromagnetic compatibility, but also to accurately grasp the intensity of electromagnetic waves generated by electronic devices and the position of the source. In particular, a measurement technique that accurately visualizes the state of the electromagnetic field in the vicinity of the electromagnetic wave generation source is desired.

近傍界の電界を把握するための手法としては、電界プローブ及び測定器(スペクトラムアナライザやオシロスコープ等)を用いた手法が知られている。すなわち、同軸型の探針を用いて電磁波の放射源に対して非接触の状態で電界の変動を検出し、これを測定器で分析するものである(例えば、特許文献1参照)。電界の強度分布を測定することで、電磁波の放射状態を観察することが容易となり、例えばプリント回路基板の回路設計や電子部品の選定にこれを役立てることができる。   As a technique for grasping the electric field in the near field, a technique using an electric field probe and a measuring instrument (such as a spectrum analyzer or an oscilloscope) is known. That is, a change in an electric field is detected in a non-contact state with respect to an electromagnetic wave radiation source using a coaxial probe, and this is analyzed by a measuring instrument (for example, see Patent Document 1). By measuring the intensity distribution of the electric field, it becomes easy to observe the radiation state of the electromagnetic wave, which can be used for, for example, circuit design of a printed circuit board and selection of electronic components.

特開2007−278820号公報JP 2007-278820 A

しかしながら、電界を検出する電界プローブ自身によって、その検出対象の電界が乱されてしまう場合がある。すなわち、同軸型の電界プローブは基準電位(グランド)を規定する外導体に内挿された中心導体で電界強度を検出する構造を持つため、導電性の外導体によって中心導体に作用する電界が変化してしまい、正確な電界強度を検出できない。事実、電界プローブを用いた電界強度の実測結果は、有限差分時間領域法(FDTD法)等のシミュレーションで得られる理論的な電界分布と必ずしも一致しない。電界プローブの侵襲性による測定精度の劣化現象は、従来の電磁界解析分野における懸案事項の一つであり、それゆえ、非侵襲性の高い電界プローブの開発が待望されている。   However, the electric field probe itself that detects the electric field may disturb the electric field to be detected. In other words, the coaxial electric field probe has a structure in which the electric field strength is detected by the central conductor inserted in the outer conductor that defines the reference potential (ground), so that the electric field applied to the central conductor is changed by the conductive outer conductor. As a result, an accurate electric field strength cannot be detected. In fact, the actual measurement result of the electric field intensity using the electric field probe does not necessarily coincide with the theoretical electric field distribution obtained by simulation such as the finite difference time domain method (FDTD method). The degradation phenomenon of measurement accuracy due to the invasiveness of an electric field probe is one of the concerns in the field of conventional electromagnetic field analysis. Therefore, the development of a highly non-invasive electric field probe is awaited.

また、電子機器の近傍界における電界ベクトルの方向は、電磁波の放射源を中心とした放射方向とは限らない。例えば、高周波回路や部品の接続に用いられるマイクロストリップライン構造では、信号線路が設けられる基板の裏面側に接地面(グランドパターン)が設けられるため、信号線路から放射された電気力線の進行方向が基板表面に向かって湾曲し、その曲率は信号線路との位置関係によって大きく変化する。一方、電界プローブはその先端に作用する電界の傾き(方向)を識別することができないため、電界プローブによる測定結果から電磁波の放射源の位置を特定することが難しい。   In addition, the direction of the electric field vector in the near field of the electronic device is not necessarily a radiation direction centering on the radiation source of the electromagnetic wave. For example, in a microstrip line structure used for connecting high-frequency circuits and components, a ground plane (ground pattern) is provided on the back side of the substrate on which the signal line is provided, so the traveling direction of the lines of electric force radiated from the signal line Is curved toward the substrate surface, and its curvature varies greatly depending on the positional relationship with the signal line. On the other hand, since the electric field probe cannot identify the gradient (direction) of the electric field acting on the tip of the electric field probe, it is difficult to specify the position of the electromagnetic wave radiation source from the measurement result by the electric field probe.

なお、マイクロストリップライン構造の基板の板面に対して平行な方向にx軸,y軸を設定し、板面に垂直な方向にz軸を設定すると、放射源の位置はxy平面内で最もz軸方向の電界成分が大きい座標に相当するものと考えられる。換言すると、z軸方向の電界成分が正確に把握されれば、放射源の位置も特定される。
しかし、電界プローブの先端にはz軸方向の成分だけでなくx軸,y軸方向の電界成分が作用し、三軸の電界成分が反映された電界が検出されることになる。つまり、電界のx軸成分やy軸成分の存在によって正確なz軸成分の値が不明確となり、このことが放射源の位置の特定を困難にしているという実情がある。
If the x-axis and y-axis are set in the direction parallel to the plate surface of the microstrip line structure substrate and the z-axis is set in the direction perpendicular to the plate surface, the position of the radiation source is the most in the xy plane. It is considered that the electric field component in the z-axis direction corresponds to a large coordinate. In other words, if the electric field component in the z-axis direction is accurately grasped, the position of the radiation source is also specified.
However, not only the z-axis direction component but also the x-axis and y-axis direction electric field components act on the tip of the electric field probe, and an electric field reflecting the triaxial electric field component is detected. In other words, there is an actual situation that the accurate z-axis component value becomes unclear due to the presence of the x-axis component and the y-axis component of the electric field, which makes it difficult to specify the position of the radiation source.

本件の目的の一つは、このような課題に鑑み創案されたもので、電界の測定精度を向上させることである。
また、前記目的に限らず、後述する「発明を実施するための形態」に示す各構成により導かれる作用効果であって、従来の技術によっては得られない作用効果を奏することも本件の他の目的として位置づけることができる。
One of the purposes of the present case was invented in view of such problems, and is to improve the measurement accuracy of the electric field.
In addition, the present invention is not limited to the above-described purpose, and is an operational effect derived from each configuration shown in “Mode for Carrying Out the Invention” to be described later. It can be positioned as a purpose.

開示の電界プローブは、中心導体と、誘電体材料からなり前記中心導体の外周に設けられた第一誘電体部と、前記第一誘電体部の外周に設けられた外導体とを備える。また、前記外導体の先端側の外周面上に、前記第一誘電体部をなす前記誘電体材料よりも比誘電率の大きい誘電体材料を被覆してなる第二誘電体部を備える。 The disclosed electric field probe includes a center conductor, a first dielectric portion made of a dielectric material and provided on the outer periphery of the center conductor, and an outer conductor provided on the outer periphery of the first dielectric portion. In addition, a second dielectric portion formed by coating a dielectric material having a relative dielectric constant larger than that of the dielectric material forming the first dielectric portion is provided on the outer peripheral surface on the front end side of the outer conductor.

開示の技術によれば、電界の検出精度を向上させることができる。   According to the disclosed technology, the detection accuracy of the electric field can be improved.

実施形態に係る電界測定装置の構成を例示する図である。It is a figure which illustrates the composition of the electric field measuring device concerning an embodiment. 本電界測定装置の電界プローブを例示する図であり、(a)は縦断面図〔(b)のB−B断面図〕、(b)は横断面図〔(a)のA−A断面図〕である。It is a figure which illustrates the electric field probe of this electric field measuring apparatus, (a) is a longitudinal cross-sectional view [BB sectional drawing of (b)], (b) is a transverse sectional view [AA sectional drawing of (a). ]. 本電界プローブによる電界測定の数値解析モデルを説明するための模式的な斜視図である。It is a typical perspective view for demonstrating the numerical analysis model of the electric field measurement by this electric field probe. 数値解析による電界分布の演算結果をグラフ化したものである。It is a graph of the calculation result of electric field distribution by numerical analysis. 本電界プローブとその近傍の電気力線とを示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows this electric field probe and the electric force line of the vicinity. 本電界プローブによる電界強度の推定値の理論値との一致度を示す図であり、(a)〜(d)はそれぞれ異なる比誘電率及び損失を持つ誘電体を用いた場合の一致度を示すグラフ、(e)は電界プローブのモデルを示す斜視図、(f)はグラフ内の各ハッチングと絶対値誤差の合計和との関係を示す凡例である。It is a figure which shows a coincidence with the theoretical value of the estimated value of the electric field strength by this electric field probe, (a)-(d) shows the coincidence when using dielectrics having different relative permittivity and loss respectively. (E) is a perspective view showing a model of an electric field probe, and (f) is a legend showing the relationship between each hatching in the graph and the total sum of absolute value errors. マイクロストリップラインの近傍界での電界分布を示す模式図であり、(a)は比較用プローブを用いた場合の電界分布、(b)は変形例としての電界プローブを用いた場合の電界分布を示す。It is a schematic diagram which shows the electric field distribution in the near field of a microstrip line, (a) is an electric field distribution at the time of using a comparative probe, (b) is an electric field distribution at the time of using the electric field probe as a modification. Show. (a),(b),(c),(d),(e)のそれぞれは、変形例としての電界測定装置の電界プローブを例示する縦断面図である。Each of (a), (b), (c), (d), and (e) is a longitudinal sectional view illustrating an electric field probe of an electric field measuring device as a modification.

以下、図面を参照して電界プローブ及び電界測定装置に係る実施の形態を説明する。ただし、以下に示す実施形態はあくまでも例示に過ぎず、実施形態で明示しない種々の変形や技術の適用を排除する意図はない。すなわち、本実施形態を、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形(実施形態及び各変形例を組み合わせる等)して実施することができる。   Hereinafter, embodiments of an electric field probe and an electric field measurement device will be described with reference to the drawings. However, the embodiment described below is merely an example, and there is no intention of excluding various modifications and technical applications that are not explicitly described in the embodiment. In other words, the present embodiment can be implemented with various modifications (combining the embodiments and modifications) without departing from the spirit of the present embodiment.

[1.装置構成]
図1は、実施形態に係る電界測定装置10の構成を例示する斜視図である。この電界測定装置10は、例えば電子部品を実装したプリント回路基板12や、電子回路を内蔵した家電機器,コンピュータ,無線送受信装置,携帯電話機といった電子機器類の近傍における電界を測定するものであり、スペクトラムアナライザ6(計測装置)及び電界プローブ1を備える。
[1. Device configuration]
FIG. 1 is a perspective view illustrating the configuration of an electric field measurement apparatus 10 according to the embodiment. This electric field measuring device 10 measures an electric field in the vicinity of electronic devices such as a printed circuit board 12 on which electronic components are mounted, a home appliance that incorporates an electronic circuit, a computer, a wireless transmission / reception device, a mobile phone, and the like. A spectrum analyzer 6 (measuring device) and an electric field probe 1 are provided.

電子機器類から放射される電磁波による電界及び磁界の特性は、放射源からの距離によって大きく変動する。およそ電磁波の一波長よりも距離が小さい範囲は近傍界と呼ばれ、これよりも距離が大きい範囲は遠方界と呼ばれる。本電界測定装置10は、電子機器類の近傍界における電界強度の測定に用いて好適であるが、遠方界での測定に適用することも可能である。   The characteristics of an electric field and a magnetic field due to electromagnetic waves radiated from electronic devices greatly vary depending on the distance from the radiation source. A range having a distance smaller than one wavelength of the electromagnetic wave is called a near field, and a range having a distance larger than this is called a far field. The electric field measuring apparatus 10 is suitable for use in measuring the electric field strength in the near field of electronic equipment, but can also be applied to the measurement in the far field.

スペクトラムアナライザ6は、入力される高周波信号の周波数スペクトルを測定し表示する装置である。ここでは、電界プローブ1から入力される電圧信号がスペクトラムアナライザ6の測定対象となる。スペクトラムアナライザ6は、電界プローブ1から入力される信号の周波数スペクトル毎の強度をディスプレイに表示する。   The spectrum analyzer 6 is a device that measures and displays the frequency spectrum of an input high-frequency signal. Here, the voltage signal input from the electric field probe 1 is a measurement target of the spectrum analyzer 6. The spectrum analyzer 6 displays the intensity for each frequency spectrum of the signal input from the electric field probe 1 on the display.

電界プローブ1は、探査対象と非接触状態で電界を検出する同軸型のプローブであり、電界プローブ1の先端部近傍に作用した電界強度の変化に対応する信号を出力するものである。この電界プローブ1は、図2(a),(b)に示すように、中心導体2,第一誘電体部3,外導体4及び第二誘電体部5を有する。   The electric field probe 1 is a coaxial probe that detects an electric field in a non-contact state with an object to be searched, and outputs a signal corresponding to a change in electric field intensity that has acted near the tip of the electric field probe 1. As shown in FIGS. 2A and 2B, the electric field probe 1 includes a central conductor 2, a first dielectric part 3, an outer conductor 4, and a second dielectric part 5.

中心導体2は、例えば銅線からなる芯線であり、電界プローブ1の中心に配置される。中心導体2は導体損失の低い物質で形成することが好ましく、また表皮効果を考慮して中心導体2の表面に銀めっき加工等を施してもよい。   The center conductor 2 is a core wire made of, for example, a copper wire, and is arranged at the center of the electric field probe 1. The center conductor 2 is preferably formed of a material with low conductor loss, and the surface of the center conductor 2 may be subjected to silver plating in consideration of the skin effect.

外導体4は、中空円筒状の導体として形成され、中心導体2と同軸に配置される部位である。外導体4は、その中心軸が中心導体2の中心軸Cに一致するように配置され、内部に中心導体2を挿通した状態で第一誘電体部3を介して中心導体2と一体に固定される。この外導体4は、中心導体2に入力される電界の基準電位(グラウンド)を規定する機能を持つ。なお、中心導体2と同様に、導体損失の低い物質で外導体4を形成することが好ましい。   The outer conductor 4 is a portion formed as a hollow cylindrical conductor and disposed coaxially with the central conductor 2. The outer conductor 4 is arranged so that its central axis coincides with the central axis C of the central conductor 2, and is fixed integrally with the central conductor 2 via the first dielectric portion 3 with the central conductor 2 inserted inside. Is done. The outer conductor 4 has a function of defining a reference potential (ground) of an electric field input to the central conductor 2. As with the central conductor 2, it is preferable to form the outer conductor 4 with a material having a low conductor loss.

電界プローブ1をセミリジッド型の同軸プローブとする場合には、外導体4を銅管で形成してもよい。また、電界プローブ1をフレキシブル型の同軸プローブとする場合には、外導体4を網組み銅線等で形成してもよい。   When the electric field probe 1 is a semi-rigid coaxial probe, the outer conductor 4 may be formed of a copper tube. When the electric field probe 1 is a flexible coaxial probe, the outer conductor 4 may be formed of a braided copper wire or the like.

第一誘電体部3は、中心導体2及び外導体4間に充填された誘電体材料(絶縁物)からなる層である。第一誘電体部3の比誘電率は、電界プローブ1に要求される特性インピーダンスに応じて設定される。なお、特性インピーダンスは、外導体4の内径と中心導体2の外径との比、及び、第一誘電体部3の比誘電率によって定められる。   The first dielectric portion 3 is a layer made of a dielectric material (insulator) filled between the central conductor 2 and the outer conductor 4. The relative dielectric constant of the first dielectric part 3 is set according to the characteristic impedance required for the electric field probe 1. The characteristic impedance is determined by the ratio between the inner diameter of the outer conductor 4 and the outer diameter of the center conductor 2 and the relative dielectric constant of the first dielectric portion 3.

この第一誘電体部3は、誘電体損失の低い物質で形成することが好ましく、例えば化学的活性の低いフッ素樹脂やポリエチレン等を用いることが考えられる。また、絶縁体として空気を利用する場合には、第一誘電体部3を省略してもよい。この場合、中心導体2を外導体4に対して任意の絶縁物を介して固定すれば、中心導体2と外導体4との間の空間が誘電層として機能する。   The first dielectric part 3 is preferably formed of a substance having a low dielectric loss, and for example, it is conceivable to use a fluorine resin or polyethylene having a low chemical activity. Further, when air is used as an insulator, the first dielectric portion 3 may be omitted. In this case, if the center conductor 2 is fixed to the outer conductor 4 via an arbitrary insulator, the space between the center conductor 2 and the outer conductor 4 functions as a dielectric layer.

第二誘電体部5は、空気よりも大きい比誘電率(交流電場に対する比誘電率)を持つ誘電体材料からなり、外導体4の外周面に装荷された中空円筒状の部材である。第二誘電体部5の内径は外導体4の外形に一致する寸法に形成され、第二誘電体部5はその内筒面を外導体4の外周面4bに対して接触させた状態で固定される。なお、第二誘電体部5は、少なくとも外導体4の先端4a側の端部における外周面4bを被覆するように設けられる。外導体4と第二誘電体部5との接触状態は、密嵌状態としてもよいし、着脱自在に摺接させてもよい。   The second dielectric portion 5 is a hollow cylindrical member made of a dielectric material having a relative permittivity (relative permittivity with respect to an AC electric field) larger than that of air and loaded on the outer peripheral surface of the outer conductor 4. The inner diameter of the second dielectric part 5 is formed so as to coincide with the outer shape of the outer conductor 4, and the second dielectric part 5 is fixed in a state where its inner cylindrical surface is in contact with the outer peripheral surface 4 b of the outer conductor 4. Is done. The second dielectric portion 5 is provided so as to cover at least the outer peripheral surface 4b at the end portion of the outer conductor 4 on the front end 4a side. The contact state between the outer conductor 4 and the second dielectric portion 5 may be a close fitting state or may be slidably contacted.

第二誘電体部5の材質は、第一誘電体部3の材質と同一であってもよいが、異なるものとしてもよく、比誘電率の大きい材料とすることが好ましい。比誘電率が大きいほど、電界プローブ1の先端部近傍における電界の矯正作用が強化される。ここでいう比誘電率とは高周波域の交流電場に対する比誘電率である。本実施形態では、比誘電率の周波数依存特性を考慮して、500[MHz]以上の高周波域の電磁波に対して空気よりも大きい比誘電率を有する材質とする。より好ましくは、1[GHz]以上の高周波域の電磁波に対して空気よりも大きい比誘電率を有する材質とする。   The material of the second dielectric part 5 may be the same as the material of the first dielectric part 3, but may be different, and is preferably a material having a high relative dielectric constant. The greater the relative permittivity, the stronger the electric field correcting action near the tip of the electric field probe 1. The relative permittivity here is a relative permittivity with respect to an AC electric field in a high frequency range. In the present embodiment, in consideration of the frequency dependence characteristics of the relative permittivity, a material having a relative permittivity greater than that of air with respect to electromagnetic waves in a high frequency range of 500 [MHz] or higher is used. More preferably, a material having a relative dielectric constant larger than that of air with respect to electromagnetic waves in a high frequency range of 1 [GHz] or more is used.

電界プローブ1の先端形状に着目すると、図2(a)に示すように、中心導体2の先端2a,第一誘電体部3の先端3a,外導体4の先端4a及び第二誘電体部5の先端5aは全て同一平面上に位置し、これにより電界プローブ1の先端はフラットに形成されている。つまり、中心導体2,第一誘電体部3,外導体4及び第二誘電体部5の端面は全て一致している。また、電界プローブ1の断面形状に着目すると、図2(b)に示すように、中心導体2,第一誘電体部3,外導体4及び第二誘電体部5は全て同心円状に配置されている。   Focusing on the tip shape of the electric field probe 1, as shown in FIG. 2A, the tip 2a of the center conductor 2, the tip 3a of the first dielectric part 3, the tip 4a of the outer conductor 4, and the second dielectric part 5 are used. All the tips 5a are located on the same plane, so that the tip of the electric field probe 1 is formed flat. That is, the end surfaces of the center conductor 2, the first dielectric portion 3, the outer conductor 4, and the second dielectric portion 5 are all coincident. Focusing on the cross-sectional shape of the electric field probe 1, as shown in FIG. 2B, the central conductor 2, the first dielectric part 3, the outer conductor 4 and the second dielectric part 5 are all arranged concentrically. ing.

[2.数値解析]
[2−1.理論値]
上記の電界プローブ1による電界測定の数値解析モデルとして用意されたマイクロストリップライン9(電磁波伝送路)を図3に例示する。このマイクロストリップライン9は、誘電体からなる基板8の上面に直線状の導体線路7を設けたものである。また、基板8の下面は全面がグラウンド層13である。この数値解析に際し、マイクロストリップライン9の基板8を200[mm]角の正方形状とし、その厚さ(導体線路7とグラウンド層13との距離)を1[mm] ,導体線路7の幅を2[mm]に設定し、基板端部で導体線路7を終端させた。なお、基板の比誘電率は4とした。
[2. Numerical analysis]
[2-1. Theoretical value]
FIG. 3 illustrates a microstrip line 9 (electromagnetic wave transmission path) prepared as a numerical analysis model for electric field measurement by the electric field probe 1 described above. The microstrip line 9 is obtained by providing a linear conductor line 7 on the upper surface of a substrate 8 made of a dielectric. The entire bottom surface of the substrate 8 is a ground layer 13. In this numerical analysis, the substrate 8 of the microstrip line 9 has a square shape of 200 [mm] square, its thickness (distance between the conductor line 7 and the ground layer 13) is 1 [mm], and the width of the conductor line 7 is 2 [mm] was set, and the conductor line 7 was terminated at the end of the substrate. The relative dielectric constant of the substrate was 4.

マイクロストリップライン9に1[GHz]の高周波電圧を印加した場合における電界分布の数値解析結果を図4に示す。ここでは、導体線路7の中心にy軸(x=0)を設定し、これと直交する水平方向にx軸を設定するとともに、鉛直方向にz軸を設定した。また、板面から鉛直上方に1[mm]の高さの水平面内において、導体線路7の直上方(x=0)を解析位置の始点とし、走査方向をx軸方向(xの増大方向)とした。
図4中に太実線で示すように、数値解析による電界強度の理論値は、距離x=0で最大値をとり、距離xが増大するに連れて減少する。また、x=x1で極小値,x=x2で極大値をとり、距離x2よりも遠方では大きく減衰する。
FIG. 4 shows the numerical analysis result of the electric field distribution when a high frequency voltage of 1 [GHz] is applied to the microstrip line 9. Here, the y-axis (x = 0) is set at the center of the conductor line 7, the x-axis is set in the horizontal direction orthogonal thereto, and the z-axis is set in the vertical direction. In addition, in the horizontal plane with a height of 1 mm from the plate surface, the position directly above the conductor line 7 (x = 0) is the starting point of the analysis position, and the scanning direction is the x-axis direction (increase direction of x) It was.
As shown by the thick solid line in FIG. 4, the theoretical value of the electric field strength by numerical analysis takes the maximum value at the distance x = 0, and decreases as the distance x increases. Also, the minimum value at x = x 1, takes a maximum value at x = x 2, greatly attenuated in farther than the distance x 2.

[2−2.比較用プローブ]
次に、上記の数値解析モデルに対し、従来の同軸型プローブに相当する比較用プローブ11を適用した場合に検出される電界強度の推定値を数値解析し、比較用プローブ11の侵襲性を確認した。この解析で想定した比較用プローブ11は、図3中に示すように、前述の電界プローブ1から第二誘電体部5を取り除いたものに相当する。
[2-2. Comparison probe]
Next, the estimated value of the electric field intensity detected when the comparison probe 11 corresponding to the conventional coaxial probe is applied to the above numerical analysis model is numerically analyzed, and the invasiveness of the comparison probe 11 is confirmed. did. The comparison probe 11 assumed in this analysis corresponds to a structure obtained by removing the second dielectric portion 5 from the electric field probe 1 as shown in FIG.

すなわち、比較用プローブ11は、上述の中心導体2,第一誘電体部3及び外導体4を有するプローブとした。また、比較用プローブ11の諸元は、外径1[mm],長さ48[mm],中心導体の直径を0.27[mm],誘電体の比誘電率を2.2とした。比較用プローブ11による走査方向は、図3に示すように、導体線路7の直上方(x=0)を始点とするx軸方向とした。なお、比較用プローブ11の配置方向は、z軸方向(板面に垂直)とした。   That is, the comparative probe 11 is a probe having the above-described center conductor 2, first dielectric portion 3, and outer conductor 4. The specifications of the comparative probe 11 were as follows: outer diameter 1 [mm], length 48 [mm], center conductor diameter 0.27 [mm], and dielectric relative permittivity 2.2. As shown in FIG. 3, the scanning direction by the comparison probe 11 was set to the x-axis direction starting from the position immediately above the conductor line 7 (x = 0). The arrangement direction of the comparative probe 11 was the z-axis direction (perpendicular to the plate surface).

図4中に破線で示すように、比較用プローブ11による電界強度の検出推定値は、理論値から大きく乖離していることが読みとれる。特に、破線グラフの極小値となる距離x3が理論値の場合の極小値をとる距離x1と大きく相違し、距離x2よりも遠方に位置している。 As indicated by a broken line in FIG. 4, it can be read that the estimated value of the electric field intensity detected by the comparison probe 11 is greatly deviated from the theoretical value. In particular, significantly different from the distance x 1 distance x 3 as the minimum value of the broken line graph has the minimum value when the theoretical value is located farther than the distance x 2.

また、その位置での電界強度が過小評価されていることがわかる。さらに、その後の距離xの増大に対して電界強度の減衰作用が極めて小さく、あたかも強度が一定の電界が広範囲に渡って拡散しているかのような結果となる。
これは、比較用プローブ11がマイクロストリップライン9の電界のうち、z方向の電界成分(Ez成分)だけでなくx方向の電界成分(Ex成分)をも検出しているためであると考えられる。
It can also be seen that the electric field strength at that position is underestimated. Further, the electric field strength attenuation effect is extremely small with respect to the subsequent increase in the distance x, and the result is as if the electric field having a constant strength is diffused over a wide range.
This is probably because the comparison probe 11 detects not only the electric field component in the z direction (Ez component) but also the electric field component in the x direction (Ex component) in the electric field of the microstrip line 9. .

[2−3.電界プローブ]
続いて、上記の数値解析モデルに対し、上述の電界プローブ1を適用した場合に検出される電界強度の推定値を数値解析した。ここで想定した電界プローブ1は、上記の比較用プローブ11の先端に第二誘電体部5を装荷したものである。ここでは、第二誘電体部5の外径を11[mm]とし、長さを25[mm]とした。また、第二誘電体部5の化学的組成は誘電体材料とし、比誘電率を100,損失を0とした。
[2-3. Electric field probe]
Subsequently, the estimated value of the electric field strength detected when the above-described electric field probe 1 was applied to the above numerical analysis model was numerically analyzed. The electric field probe 1 assumed here is one in which the second dielectric portion 5 is loaded on the tip of the above-described comparison probe 11. Here, the outer diameter of the second dielectric portion 5 was 11 [mm], and the length was 25 [mm]. The chemical composition of the second dielectric part 5 was a dielectric material, the relative dielectric constant was 100, and the loss was 0.

図4中に細実線で示すように、電界プローブ1による電界強度の推定値は、理論値との類似性が強く、精度よく電界強度が検出されることが読みとれる。特に、理論値の極小値となる距離x1がほぼ一致しているだけでなく、距離x2よりも遠方での電界の減衰特性も酷似している。 As shown by a thin solid line in FIG. 4, it can be read that the estimated value of the electric field intensity by the electric field probe 1 has a strong similarity to the theoretical value and the electric field intensity is detected with high accuracy. In particular, not only the distance x 1 that is the minimum value of the theoretical values almost coincides, but also the attenuation characteristics of the electric field farther than the distance x 2 are very similar.

[2−4.電界の矯正作用]
マイクロストリップライン9の近傍における電気力線の状態を図5に模式的に示す。ここでは、導体線路7上の電荷が正である瞬間の状態を例示する。電界プローブ1が存在しないとき、マイクロストリップライン9を中心として放射方向に延びるそれぞれの電気力線がグラウンド層13に向かって垂直に進入する。一方、電界プローブ1が導体線路7の上方に位置するとき、電界プローブ1の下方で電気力線が中心導体2側に引き寄せられる。
[2-4. Electric field correction]
The state of the lines of electric force in the vicinity of the microstrip line 9 is schematically shown in FIG. Here, the state at the moment when the charge on the conductor line 7 is positive is illustrated. When the electric field probe 1 is not present, the electric lines of force extending in the radial direction around the microstrip line 9 enter vertically toward the ground layer 13. On the other hand, when the electric field probe 1 is positioned above the conductor line 7, the lines of electric force are drawn toward the center conductor 2 below the electric field probe 1.

このとき、もしも電界プローブ1の外導体4の周囲に第二誘電体部5が設けられていなければ、図5中に破線で示すように、電気力線が外導体4の表面に対して回り込むように配向され、外導体4近傍のEx成分(電界ベクトルのうちx軸方向の成分)が中心導体2に作用する。この結果、Ex成分に由来する乱れがEz成分の検出信号に混入する。つまり、第二誘電体部5が設けられていない比較用プローブ11を用いた場合には、電界のEz成分だけでなくEx成分も併せて検出されてしまい、これらの各成分を識別することができない。   At this time, if the second dielectric portion 5 is not provided around the outer conductor 4 of the electric field probe 1, the electric lines of force wrap around the surface of the outer conductor 4 as indicated by a broken line in FIG. 5. The Ex component near the outer conductor 4 (the x-axis direction component of the electric field vector) acts on the central conductor 2. As a result, the disturbance derived from the Ex component is mixed in the detection signal of the Ez component. That is, when the comparison probe 11 not provided with the second dielectric portion 5 is used, not only the Ez component of the electric field but also the Ex component is detected together, and each of these components can be identified. Can not.

これに対し、第二誘電体部5が装荷された電界プローブ1を用いた場合には、図5中に実線で示すように、電気力線が第二誘電体部5の下面に引き寄せられ、外導体4近傍のEx成分がz軸方向に矯正される。
これにより、中心導体2に作用する電界はEz成分が優位となり、Ex成分に由来する乱れが減少し、電界プローブ1は中心導体2の先端2aに作用するEz成分に対応する電圧信号を生成する。したがって、マイクロストリップライン9の近傍界の電界測定において、電界プローブ1はEx成分の影響を受けにくくなり、電界のEz成分の検出精度が向上する。
On the other hand, when the electric field probe 1 loaded with the second dielectric part 5 is used, as shown by a solid line in FIG. 5, the electric lines of force are attracted to the lower surface of the second dielectric part 5, The Ex component near the outer conductor 4 is corrected in the z-axis direction.
As a result, the Ez component predominates in the electric field acting on the central conductor 2, disturbances derived from the Ex component are reduced, and the electric field probe 1 generates a voltage signal corresponding to the Ez component acting on the tip 2 a of the central conductor 2. . Therefore, in the electric field measurement of the near field of the microstrip line 9, the electric field probe 1 is not easily affected by the Ex component, and the detection accuracy of the Ez component of the electric field is improved.

[2−5.電界の一致度の評価]
第二誘電体部5の組成及び形状を変更したときに電界の検出精度がどのように変化するかを推定したシミュレーション結果を図6(a)〜(d)に示す。ここでは、第二誘電体部5の比誘電率及び損失の大きさを以下の表1に示すような設定とし、それぞれの場合のシミュレーション結果を図6(a)〜(d)に示す。
[2-5. Evaluation of electric field coincidence]
FIGS. 6A to 6D show simulation results obtained by estimating how the detection accuracy of the electric field changes when the composition and shape of the second dielectric portion 5 are changed. Here, the relative dielectric constant and the magnitude of loss of the second dielectric part 5 are set as shown in Table 1 below, and the simulation results in each case are shown in FIGS.

Figure 0005772392
Figure 0005772392

上記のシミュレーションに際し、図6(e)に示すように、第二誘電体部5の外径と内径との差の寸法を厚さDとし、電界プローブ1の延在方向の寸法を長さLとして、これらの厚さD,長さLを変更したときの電界強度の推定値を数値解析した。また、この推定値と理論値との一致度を数値化するために、推定値と理論値との絶対値誤差の合計を演算した。   In the above simulation, as shown in FIG. 6 (e), the dimension of the difference between the outer diameter and the inner diameter of the second dielectric part 5 is the thickness D, and the dimension in the extending direction of the electric field probe 1 is the length L. As a result, the estimated values of the electric field strength when the thickness D and the length L were changed were numerically analyzed. Further, in order to quantify the degree of coincidence between the estimated value and the theoretical value, the sum of absolute value errors between the estimated value and the theoretical value was calculated.

ここでいう絶対値誤差とは、例えば図4に示すグラフでいえば、太実線で示される理論値グラフと、細実線で示される推定値グラフとに囲まれた領域の面積に相当するパラメータであり、絶対値誤差が小さいほどグラフの形状が類似しているものと評価される。ハッチングの種類及びそのハッチングが意味する絶対値誤差の大小関係は、図6(f)に示す通りであり、絶対値誤差が小さいほど濃度が薄くなるハッチングを施して、厚さD及び長さLと絶対値誤差との関係を視覚化した。   The absolute value error referred to here is, for example, a parameter corresponding to the area of a region surrounded by a theoretical value graph indicated by a thick solid line and an estimated value graph indicated by a thin solid line in the graph shown in FIG. Yes, it is evaluated that the smaller the absolute value error, the more similar the shape of the graph. The magnitude relationship between the types of hatching and the absolute value error that is meant by the hatching is as shown in FIG. 6 (f). The smaller the absolute value error, the lower the density, and the thickness D and the length L The relationship between the absolute value error and the absolute value error was visualized.

図6(a)〜(d)のそれぞれに示すように、第二誘電体部5の組成が一定の場合、厚さD,長さLがそれぞれ過大であっても過小であっても絶対値誤差が増大する。これは、厚さD,長さLが過小である場合には、図5に示すような第二誘電体部5による電界の矯正作用が微弱となり、電界のEx成分が誤って検出されてしまうことを意味する。逆に、厚さD,長さLが過大である場合には、電界の矯正作用が過剰となり、第二誘電体部5によってマイクロストリップライン9の本来の電界が乱されてしまうものと考えられる。   As shown in each of FIGS. 6A to 6D, when the composition of the second dielectric portion 5 is constant, the absolute value regardless of whether the thickness D and the length L are too large or too small. The error increases. This is because, when the thickness D and the length L are too small, the electric field correcting action by the second dielectric portion 5 as shown in FIG. 5 becomes weak, and the Ex component of the electric field is erroneously detected. Means that. On the contrary, when the thickness D and the length L are excessive, it is considered that the electric field correction action becomes excessive, and the original electric field of the microstrip line 9 is disturbed by the second dielectric portion 5. .

つまり、第二誘電体部5の形状を考慮するとき、絶対値誤差を最も小さくする厚さD,長さLのそれぞれの最適値が存在し、厚さD,長さLのそれぞれが最適値から離れるほど絶対値誤差が増大し、推定値と理論値との一致度が低下する。また、図6(a),(b)を比較すると、比誘電率がほとんど同一の場合、絶対値誤差の大きさは第二誘電体部5の損失の大きさにほとんど影響を受けないことがわかる。   That is, when considering the shape of the second dielectric portion 5, there are optimum values of the thickness D and the length L that minimize the absolute value error, and the thickness D and the length L are optimum values, respectively. The absolute value error increases and the degree of coincidence between the estimated value and the theoretical value decreases as the distance from the distance increases. 6A and 6B, when the relative permittivity is almost the same, the magnitude of the absolute value error is hardly influenced by the magnitude of the loss of the second dielectric portion 5. Recognize.

一方、図6(c),(d)に示すように、第二誘電体部5の比誘電率を増大させると、厚さD,長さLの値に関わらず、絶対値誤差が全体的に減少し、推定値と理論値との一致度が上昇するものと判断できる。したがって、電界プローブ1の第二誘電体部5には、損失の大小に関わらず、比誘電率の大きい材料を用いることが好ましいといえる。   On the other hand, as shown in FIGS. 6C and 6D, when the relative dielectric constant of the second dielectric portion 5 is increased, the absolute value error is totally increased regardless of the values of the thickness D and the length L. It can be determined that the degree of coincidence between the estimated value and the theoretical value increases. Therefore, it can be said that it is preferable to use a material having a large relative dielectric constant for the second dielectric portion 5 of the electric field probe 1 regardless of the magnitude of the loss.

[3.効果]
(1)開示の電界プローブ1によれば、外導体4の先端4a側の外周面4bを第二誘電体部5で被覆することにより、電界プローブ1の先端部近傍に作用する電界の向きを電界プローブ1の延在方向(すなわちz軸方向)に矯正することができる。これにより、x軸方向の電界成分を減少させることができ、測定対象の電界強度を精度よく検出することができる。
[3. effect]
(1) According to the disclosed electric field probe 1, the outer peripheral surface 4 b on the distal end 4 a side of the outer conductor 4 is covered with the second dielectric portion 5, thereby changing the direction of the electric field acting in the vicinity of the distal end portion of the electric field probe 1. Correction can be made in the extending direction of the electric field probe 1 (that is, in the z-axis direction). As a result, the electric field component in the x-axis direction can be reduced, and the electric field strength of the measurement target can be detected with high accuracy.

(2)また、図2(a)に示すように、上記の電界プローブ1は外導体4の先端4aと第二誘電体部5の先端5aとが同一平面上に位置するように設けられ、外導体4の外周面4bが電界に対して露出しない。このような端部形状により、電気力線を外導体4に引き寄せにくくすることができ、電界のEx成分によって電界プローブ1での検出結果が攪乱されることを防止できる。したがって、電界プローブ1による電界の検出精度を向上させることができる。 (2) Also, as shown in FIG. 2 (a), the electric field probe 1 is provided such that the tip 4a of the outer conductor 4 and the tip 5a of the second dielectric part 5 are located on the same plane, The outer peripheral surface 4b of the outer conductor 4 is not exposed to the electric field. Such an end shape can make it difficult for the lines of electric force to be attracted to the outer conductor 4, and can prevent the detection result of the electric field probe 1 from being disturbed by the Ex component of the electric field. Therefore, the detection accuracy of the electric field by the electric field probe 1 can be improved.

また、電気力線の密度が高い外導体4の先端4a側が第二誘電体部5で覆われるため、電界プローブ1を測定対象物に近接させた場合であっても電界のEx成分の影響を受けにくくすることができる。さらに、電界のEz成分の検出精度が高いこのような電界プローブ1を用いた電界検知により、スペクトラムアナライザ6で測定される電界分布の精度をも向上させることができる。   In addition, since the tip 4a side of the outer conductor 4 having a high density of electric lines of force is covered with the second dielectric portion 5, the influence of the Ex component of the electric field is affected even when the electric field probe 1 is brought close to the measurement object. It can be made difficult to receive. Furthermore, the accuracy of the electric field distribution measured by the spectrum analyzer 6 can be improved by the electric field detection using the electric field probe 1 having high detection accuracy of the Ez component of the electric field.

(3)なお、第二誘電体部5は、空気よりも大きい比誘電率を有する誘電体材料からなるため、電界プローブ1の先端部近傍における電気力線を確実に引き寄せることができる。これにより、外導体4近傍の電界のEx成分をz軸方向に矯正することができ、換言すれば電界のEx成分の影響を減少させることができ、電界の検出精度を向上させることができる。 (3) Since the second dielectric portion 5 is made of a dielectric material having a relative dielectric constant larger than that of air, the electric lines of force in the vicinity of the tip portion of the electric field probe 1 can be reliably drawn. Thereby, the Ex component of the electric field in the vicinity of the outer conductor 4 can be corrected in the z-axis direction, in other words, the influence of the Ex component of the electric field can be reduced, and the electric field detection accuracy can be improved.

[4.変形例]
開示の実施形態の一例に関わらず、本実施形態の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。本実施形態の各構成及び各処理は、必要に応じて取捨選択することができ、あるいは適宜組み合わせてもよい。以下の変形例において、上述の実施形態と同一の要素については同一の符号を用いて説明を省略する。
[4. Modified example]
Regardless of an example of the disclosed embodiment, various modifications can be made without departing from the spirit of the present embodiment. Each structure and each process of this embodiment can be selected as needed, or may be combined suitably. In the following modifications, the same elements as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

[4−1.第二誘電体部の組成]
上述の実施形態では、第二誘電体部5に空気よりも大きい比誘電率を有する誘電体材料を含む電界プローブ1を例示したが、さらに損失性材料を第二誘電体部5に含ませることで電界の検出精度をより向上させることが可能となる。
損失性材料とは、電磁波を吸収して熱エネルギーに変換する機能を持つ材料であり、エネルギーの変換メカニズムの相違により、おもに磁性損失材料と誘電性損失材料との二種類に分類される。
[4-1. Composition of second dielectric part]
In the above-described embodiment, the electric field probe 1 including the dielectric material having the relative dielectric constant larger than that of the air is exemplified in the second dielectric part 5. However, the lossy material is further included in the second dielectric part 5. Thus, the detection accuracy of the electric field can be further improved.
A lossy material is a material having a function of absorbing electromagnetic waves and converting it into thermal energy, and is classified into two types, namely, a magnetic loss material and a dielectric loss material, depending on the energy conversion mechanism.

磁性損失材料とは、磁性材料の磁性損失能により電磁波のエネルギーを熱に変換する材料である。例えば、酸化鉄Fe2O3に二価酸化金属NiO,ZnO等を焼結したフェライト系電波吸収体や、ケイ素鋼Fe-Si,パーマロイFe-Ni,ステンレスFe-Cr-Si等の粉末を焼結した合金系電波吸収体、希土類磁石化合物等を用いることが考えられる。また、これらの金属の粉末をゴムや樹脂中に混入させたゴムフェライト等の複合材料を用いてもよい。なお、使用する材料の比透磁率の複素成分が大きいほど電磁波のエネルギー損失量が増大し、すなわち電磁波の吸収量が増大する。 The magnetic loss material is a material that converts electromagnetic wave energy into heat by the magnetic loss ability of the magnetic material. For example, ferritic wave absorbers obtained by sintering iron oxide Fe 2 O 3 with divalent metal oxides such as NiO and ZnO, and powders such as silicon steel Fe-Si, permalloy Fe-Ni, and stainless steel Fe-Cr-Si. It is conceivable to use a bonded alloy-based electromagnetic wave absorber, rare earth magnet compound, or the like. Alternatively, a composite material such as rubber ferrite in which these metal powders are mixed in rubber or resin may be used. As the complex component of the relative permeability of the material used increases, the amount of electromagnetic wave energy loss increases, that is, the amount of electromagnetic wave absorption increases.

一方、誘電性損失材料とは、誘電材料の誘電損失能により電磁波のエネルギーを熱に変換する材料である。例えば、チタン酸バリウムBaTi3及び炭素粒子を樹脂中に混合した電波吸収体や、生体等価ファントム用の材料、高分子材料等を用いることが考えられる。なお、第二誘電体部5の誘電性損失材料としては、第一誘電体部3に適用される低損失の材料とは逆の特性を持つもの、すなわち誘電体損失の大きいものが好ましい。使用する材料の比誘電率の複素成分が大きいほど、電磁波のエネルギー損失量が増大し、電磁波の吸収量が増大する。 On the other hand, the dielectric loss material is a material that converts electromagnetic wave energy into heat by the dielectric loss ability of the dielectric material. For example, it is conceivable to use a radio wave absorber in which barium titanate BaTi 3 and carbon particles are mixed in a resin, a material for a biological equivalent phantom, a polymer material, or the like. The dielectric loss material of the second dielectric portion 5 is preferably a material having a characteristic opposite to that of the low loss material applied to the first dielectric portion 3, that is, a material having a large dielectric loss. As the complex component of the relative permittivity of the material used increases, the amount of electromagnetic wave energy loss increases and the amount of electromagnetic wave absorption increases.

[4−2.電界ベクトル分析]
ここで、第二誘電体部5の代わりに誘電体材料及び磁性損失材料を含む損失性材料部15を取り付けた電界プローブ14を用いた電界測定を想定して、マイクロストリップライン9の近傍界における電界分布の変化について説明する。
[4-2. Electric field vector analysis]
Here, assuming the electric field measurement using the electric field probe 14 to which the lossy material part 15 including the dielectric material and the magnetic loss material is attached instead of the second dielectric part 5, in the near field of the microstrip line 9 A change in the electric field distribution will be described.

図7(a)は、導体線路7の直上部に比較用プローブ11が位置する状態での電界分布であり、図7(b)は、損失性材料部15を取り付けた電界プローブ14の場合のものである。なお、図7(a),(b)中の矢印の向きが電界の向きを表し、矢印の大きさが電界強度を表す。   FIG. 7A shows the electric field distribution in a state in which the comparison probe 11 is located immediately above the conductor line 7, and FIG. 7B shows the case of the electric field probe 14 to which the lossy material portion 15 is attached. Is. 7A and 7B, the direction of the arrow indicates the direction of the electric field, and the size of the arrow indicates the electric field strength.

比較用プローブ11を用いた場合には、図7(a)中に符号Dで示すように、導体線路7を始点とした電気力線が、破線で囲まれた範囲において外導体4の表面に対して回り込むように発生し、外導体4近傍のEx成分(電界ベクトルのうちx軸方向の成分)が中心導体2に作用する。この結果、Ez成分の変動によって中心導体2に発生する検出信号に対し、Ex成分に由来する乱れが混入する。つまり、比較用プローブ11は電界のEz成分だけでなく、Ex成分も検出してしまう。   When the comparison probe 11 is used, as indicated by the symbol D in FIG. 7A, the electric lines of force starting from the conductor line 7 are formed on the surface of the outer conductor 4 within the range surrounded by the broken line. The Ex component near the outer conductor 4 (the component in the x-axis direction of the electric field vector) acts on the central conductor 2. As a result, the disturbance derived from the Ex component is mixed into the detection signal generated in the central conductor 2 due to the variation of the Ez component. That is, the comparison probe 11 detects not only the Ez component of the electric field but also the Ex component.

一方、損失性材料部15が装荷された電界プローブ14を用いた場合には、図7(b)に符号Eで示すように、損失性材料部15の存在により外導体4の表面への電気力線の回り込みが抑制され、破線で囲まれた範囲内の電界成分が減少する。また、損失性材料部15の内部では、電界のエネルギーが磁性損失能により熱エネルギーに変換されるため、損失性材料部15の内部に進入した電界強度が減衰し、電界の変動が抑制される。さらに、上述の実施形態と同様に、損失性材料部15に含まれる誘電体の作用によって電気力線が第二誘電体部5の下面に引き寄せられ、外導体4近傍のEx成分がz軸方向に矯正される。   On the other hand, when the electric field probe 14 loaded with the lossy material part 15 is used, as indicated by the symbol E in FIG. The wraparound of the force line is suppressed, and the electric field component within the range surrounded by the broken line is reduced. In addition, since the electric field energy is converted into thermal energy by the magnetic loss ability inside the lossy material part 15, the electric field strength that has entered the inside of the lossy material part 15 is attenuated and the fluctuation of the electric field is suppressed. . Further, as in the above-described embodiment, the lines of electric force are attracted to the lower surface of the second dielectric part 5 by the action of the dielectric contained in the lossy material part 15, and the Ex component near the outer conductor 4 is in the z-axis direction. Will be corrected.

これらの電界の矯正作用と減衰作用との協働によって、中心導体2に作用する電界はEz成分が強く優位となり、電界プローブ14は中心導体2の先端2aに作用するEz成分の変化に対応する電圧信号を生成する。このように、マイクロストリップライン9の近傍界の電界測定において、電界プローブ14はEx成分の影響を受けにくくなり、非侵襲性が向上する。   Due to the cooperation between the correction action and the attenuation action of these electric fields, the electric field acting on the central conductor 2 is strongly dominant in the Ez component, and the electric field probe 14 responds to the change in the Ez component acting on the tip 2a of the central conductor 2. Generate a voltage signal. Thus, in the electric field measurement of the near field of the microstrip line 9, the electric field probe 14 becomes less susceptible to the Ex component and the noninvasiveness is improved.

このように、損失性材料部15に含まれる損失性材料により、外導体4の外周面4bよりも外側での電界変動を抑制することができる。これにより、中心導体2に作用する電界のEx成分を減衰させることができ、電界プローブ1による電界の測定精度を向上させることができる。   Thus, the lossy material included in the lossy material portion 15 can suppress electric field fluctuations outside the outer peripheral surface 4b of the outer conductor 4. Thereby, the Ex component of the electric field acting on the center conductor 2 can be attenuated, and the measurement accuracy of the electric field by the electric field probe 1 can be improved.

特に、損失性材料部15に磁性損失材料を用いた場合には、その磁性損失能を利用して確実に電磁波のエネルギーを熱に変換することができ、外導体に作用する電界のEx成分を減衰させることができる。なお、比透磁率の複素成分を増大させることでEx成分による中心導体2への影響を減少させることができ、電界の検出精度をさらに向上させることができる。   In particular, when a magnetic loss material is used for the lossy material portion 15, the energy of electromagnetic waves can be reliably converted into heat by using the magnetic loss ability, and the Ex component of the electric field acting on the outer conductor can be reduced. Can be attenuated. Note that by increasing the complex component of the relative magnetic permeability, the influence of the Ex component on the central conductor 2 can be reduced, and the detection accuracy of the electric field can be further improved.

一方、損失性材料部15に誘電性損失材料を用いた場合であっても、その誘電損失能を利用した電磁エネルギーの変換が可能であり、外導体に作用する電界のEx成分を減衰させることができる。なお、磁性損失材料の場合と同様に、比誘電率の複素成分を増大させることでEx成分による中心導体2への影響を低めることができ、電界の検出精度をさらに向上させることができる。   On the other hand, even when a dielectric loss material is used for the lossy material portion 15, it is possible to convert electromagnetic energy using the dielectric loss ability and attenuate the Ex component of the electric field acting on the outer conductor. Can do. As in the case of the magnetic loss material, the influence of the Ex component on the center conductor 2 can be reduced by increasing the complex component of the relative permittivity, and the electric field detection accuracy can be further improved.

[4−3.電界プローブの先端形状]
上述の実施形態では、電界プローブ1の先端がフラットに形成されたものを例示したが、図8(a)に示すように、中心導体2を第一誘電体部3,外導体4及び第二誘電体部5の端面から突出させてもよい。この場合、第一誘電体部3及び第二誘電体部5の端面を外導体4の端面と一致させて、外導体4の内周面及び外周面4bを露出させないようにすることが考えられる。
[4-3. Tip shape of electric field probe]
In the above embodiment, the electric field probe 1 has a flat tip formed as an example. However, as shown in FIG. 8A, the central conductor 2 is made of the first dielectric portion 3, the outer conductor 4, and the second conductor. You may make it protrude from the end surface of the dielectric part 5. FIG. In this case, it is conceivable that the end surfaces of the first dielectric part 3 and the second dielectric part 5 coincide with the end faces of the outer conductor 4 so that the inner peripheral surface and the outer peripheral surface 4b of the outer conductor 4 are not exposed. .

ここで、外導体4の端面からの中心導体2の突出量をH1とおき、中心導体2の先端2aから測定対象までの距離をH2とおくと、この電界プローブ1で検出される電界強度は、測定対象からの距離がH1+H2の位置での電界強度に相当する。このように、中心導体2を第二誘電体部5の端面よりも突設させることにより、外導体4の端面と中心導体2との交点(すなわち、中心導体2が突出している根元部分)に作用する微弱な電界を検出することが可能となり、電界の検出感度を向上させることができる。 Here, if the amount of protrusion of the center conductor 2 from the end face of the outer conductor 4 is H 1 and the distance from the tip 2a of the center conductor 2 to the measurement object is H 2 , the electric field detected by the electric field probe 1 The intensity corresponds to the electric field intensity at a position where the distance from the measurement object is H 1 + H 2 . In this way, by projecting the center conductor 2 beyond the end face of the second dielectric portion 5, the intersection of the end face of the outer conductor 4 and the center conductor 2 (that is, the root portion from which the center conductor 2 protrudes) is provided. It is possible to detect a weak electric field that acts, and the detection sensitivity of the electric field can be improved.

なお、第二誘電体部5の端面は、必ずしも外導体4の端面に一致していなくてもよい。ただし、第二誘電体部5の先端5aよりも下方で外導体4の外周面4bが露出してしまうと、第二誘電体部5による電界の矯正作用が弱められてしまう。したがって、少なくとも第二誘電体部5の先端5aを外導体4の先端4aと同一平面上に位置させるか、あるいは第二誘電体部5の先端5aを外導体4の先端4aよりも下方まで延設する(つまり、外導体4の外周面4bを覆うように突出させる)ことが好ましい。
第一誘電体部3に関しても同様であり、第一誘電体部3の先端3aを外導体4の先端4aと同一平面上に位置させるか、あるいは先端4aよりも下方まで延設することが好ましい。
Note that the end face of the second dielectric portion 5 does not necessarily coincide with the end face of the outer conductor 4. However, if the outer peripheral surface 4b of the outer conductor 4 is exposed below the tip 5a of the second dielectric part 5, the electric field correcting action by the second dielectric part 5 is weakened. Therefore, at least the tip 5a of the second dielectric part 5 is positioned on the same plane as the tip 4a of the outer conductor 4, or the tip 5a of the second dielectric part 5 extends below the tip 4a of the outer conductor 4. It is preferable to provide (that is, project so as to cover the outer peripheral surface 4b of the outer conductor 4).
The same applies to the first dielectric portion 3, and it is preferable that the tip 3 a of the first dielectric portion 3 is located on the same plane as the tip 4 a of the outer conductor 4 or extends below the tip 4 a. .

[4−4.第二誘電体部の形状]
また、上述の実施形態では、円筒状に形成された第二誘電体部5を例示したが、第二誘電体部5の具体的な形状はこれに限定されない。例えば、図8(b)に示すように、外導体4の先端4a側ほど外径が縮径した形状としてもよい。第二誘電体部5の先端を細く形成することにより、狭隘な箇所の電界を検出しやすくすることができる。
[4-4. Shape of second dielectric part]
Moreover, in the above-mentioned embodiment, although the 2nd dielectric material part 5 formed in the cylindrical shape was illustrated, the specific shape of the 2nd dielectric material part 5 is not limited to this. For example, as shown in FIG. 8B, the outer conductor 4 may have a shape in which the outer diameter is reduced toward the tip 4a side. By forming the tip of the second dielectric portion 5 thin, it is possible to easily detect an electric field in a narrow portion.

また、図8(c)に示すように、外導体4の先端4a側ほど外径が拡径した形状としてもよい。すなわち、検出対象に近い(電界から受ける影響が大きい)第二誘電体部5の先端の厚みを大きくすることにより、中心導体2に作用しうる電界のEx成分への矯正効果を向上させることができ、電界の検出精度をさらに向上させることができる。   Moreover, as shown in FIG.8 (c), it is good also as a shape where the outer diameter expanded toward the front-end | tip 4a side of the outer conductor 4. As shown in FIG. That is, the correction effect on the Ex component of the electric field that can act on the center conductor 2 can be improved by increasing the thickness of the tip of the second dielectric portion 5 that is close to the detection target (the influence of the electric field is large). This can further improve the electric field detection accuracy.

あるいは、図8(d)に示すように、第二誘電体部5を電界プローブ1の延在方向に分割した二段構造としてもよい。この場合、先端側に位置する一方を先端誘電体部51,他方を基端誘電体部52とおき、先端誘電体部51側を基端誘電体部52よりも比誘電率の大きい材料で形成する。あるいは、先端誘電体部51側を基端誘電体部52よりも電磁波の吸収率が高い材料で形成する。また、第二誘電体部5を三段以上の複数段に分割した場合には、外導体4の先端4a側ほど比誘電率が大きく、あるいは電磁波の吸収率が高い材料で形成することが考えられる。   Alternatively, as shown in FIG. 8 (d), the second dielectric part 5 may have a two-stage structure in which the electric field probe 1 is divided in the extending direction. In this case, the tip dielectric part 51 is placed on the tip side and the base dielectric part 52 is placed on the other side, and the tip dielectric part 51 side is formed of a material having a relative dielectric constant larger than that of the base dielectric part 52. To do. Alternatively, the distal dielectric part 51 side is formed of a material having a higher electromagnetic wave absorption rate than the proximal dielectric part 52. Further, when the second dielectric portion 5 is divided into a plurality of stages of three or more stages, it is considered to form the outer conductor 4 from a material having a higher relative dielectric constant or higher electromagnetic wave absorption rate toward the tip 4a side. It is done.

これらのような構成により、図8(c)に示すものと同様に、電界プローブ1の先端側における不要な電界干渉を抑制することが可能となり、電界の検出精度をさらに向上させることができるとともに、非侵襲性をさらに向上させることができる。特に、電界プローブ1の先端側ほど電界強度が大きく干渉しやすいため、電界の矯正作用や減衰作用を強めることが可能となり、電界の検出精度の向上に大きく寄与しうる。   With such a configuration, it is possible to suppress unnecessary electric field interference on the distal end side of the electric field probe 1 as in the case shown in FIG. 8C, and the electric field detection accuracy can be further improved. The noninvasiveness can be further improved. In particular, since the electric field intensity is larger and more likely to interfere with the distal end side of the electric field probe 1, it is possible to enhance the electric field correcting action and attenuation action, which can greatly contribute to the improvement of the electric field detection accuracy.

また、図8(e)に示すように、第二誘電体部5の縮径部53を他の部位よりも比誘電率の大きい材料や電磁波の吸収率が高い材料で形成してもよい。これにより、電界プローブ1の利便性を向上させつつ電界の検出精度を向上させることができる。   Moreover, as shown in FIG.8 (e), you may form the diameter reduction part 53 of the 2nd dielectric material part 5 with a material with a larger relative dielectric constant or a material with a higher absorption factor of electromagnetic waves than another site | part. Thereby, the detection accuracy of the electric field can be improved while improving the convenience of the electric field probe 1.

また、上述の実施形態では、図2(b)に示すように、中心導体2,第一誘電体部3,外導体4及び第二誘電体部5が同心円状に配置されたものを例示したが、これらの各要素の断面形状や外形状はこれに限定されない。例えば、各要素の断面形状を円形状や多角形状にしてもよいし、各要素の立体形状を球形状や楕円の回転体形状等としてもよい。また、第二誘電体部5に損失性材料を含ませる場合には、電波吸収性を考慮して、第二誘電体部5の外表面に凹凸を設けてもよい。   Moreover, in the above-mentioned embodiment, as shown in FIG.2 (b), the center conductor 2, the 1st dielectric material part 3, the outer conductor 4, and the 2nd dielectric material part 5 illustrated what was arrange | positioned concentrically. However, the cross-sectional shape and outer shape of each of these elements are not limited to this. For example, the cross-sectional shape of each element may be a circular shape or a polygonal shape, and the three-dimensional shape of each element may be a spherical shape or an elliptical rotating body shape. Further, when a lossy material is included in the second dielectric part 5, unevenness may be provided on the outer surface of the second dielectric part 5 in consideration of radio wave absorption.

なお、上述の実施形態では、電界プローブ1をスペクトラムアナライザ6に直接的に接続した電界測定装置10を例示したが、具体的な電界の測定手法はこれに限定されない。例えば、増幅器や安定器をこれらの間に介装させてもよいし、スペクトラムアナライザ6に加えて(あるいは代えて)他の計測装置やコンピュータを接続してもよい。   In the above-described embodiment, the electric field measurement device 10 in which the electric field probe 1 is directly connected to the spectrum analyzer 6 is illustrated, but a specific electric field measurement method is not limited to this. For example, an amplifier or a ballast may be interposed between them, or another measurement device or computer may be connected in addition to (or instead of) the spectrum analyzer 6.

1 電界プローブ
2 中心導体
3 第一誘電体部
4 外導体
5 第二誘電体部
6 スペクトラムアナライザ(計測装置)
10 電界測定装置
1 Electric Field Probe 2 Center Conductor 3 First Dielectric Part 4 Outer Conductor 5 Second Dielectric Part 6 Spectrum Analyzer (Measurement Device)
10 Electric field measuring device

Claims (13)

中心導体と、
誘電体材料からなり前記中心導体の外周に設けられた第一誘電体部と、
前記第一誘電体部の外周に設けられた外導体と、
前記外導体の先端側の外周面上に、前記第一誘電体部をなす前記誘電体材料よりも比誘電率の大きい誘電体材料を被覆してなる第二誘電体部と
を備えたことを特徴とする、電界プローブ。
A central conductor;
A first dielectric portion made of a dielectric material and provided on the outer periphery of the central conductor;
An outer conductor provided on the outer periphery of the first dielectric portion;
A second dielectric part formed by coating a dielectric material having a relative dielectric constant larger than that of the dielectric material forming the first dielectric part on an outer peripheral surface on a front end side of the outer conductor; An electric field probe.
前記第二誘電体部が、空気よりも大きい比誘電率を有する誘電体材料を含有する
ことを特徴とする、請求項1記載の電界プローブ。
The electric field probe according to claim 1, wherein the second dielectric portion contains a dielectric material having a relative dielectric constant larger than that of air.
前記第二誘電体部の端面が、前記外導体の端面に一致する
ことを特徴とする、請求項1又は2記載の電界プローブ。
The electric field probe according to claim 1, wherein an end face of the second dielectric portion coincides with an end face of the outer conductor.
前記中心導体が、前記外導体の端面から突出して設けられる
ことを特徴とする、請求項1〜3の何れか1項に記載の電界プローブ。
The electric field probe according to claim 1, wherein the central conductor is provided so as to protrude from an end face of the outer conductor.
前記第二誘電体部が、電磁波を吸収する損失性材料を含有する
ことを特徴とする、請求項1〜4の何れか1項に記載の電界プローブ。
The electric field probe according to claim 1, wherein the second dielectric portion contains a lossy material that absorbs electromagnetic waves.
前記損失性材料が、磁性損失材料を含有する
ことを特徴とする、請求項5記載の電界プローブ。
6. The electric field probe according to claim 5, wherein the lossy material contains a magnetic loss material.
前記損失性材料が、誘電性損失材料を含有する
ことを特徴とする、請求項5又は6記載の電界プローブ。
The electric field probe according to claim 5 or 6, wherein the lossy material contains a dielectric loss material.
前記第二誘電体部が、前記外導体の端部側ほど前記電磁波の吸収率が高く設定されている
ことを特徴とする、請求項5〜7の何れか1項に記載の電界プローブ。
The electric field probe according to any one of claims 5 to 7, wherein the second dielectric portion is set such that an absorption rate of the electromagnetic wave is higher toward an end portion side of the outer conductor.
前記第二誘電体部が、前記外導体の端部側ほど細く形成されたテーパ形状である
ことを特徴とする、請求項1〜8の何れか1項に記載の電界プローブ。
The electric field probe according to any one of claims 1 to 8, wherein the second dielectric portion has a tapered shape formed so as to be thinner toward an end portion of the outer conductor.
前記第二誘電体部が、前記外導体の端部側ほど比誘電率が大きく設定されている
ことを特徴とする、請求項1〜9の何れか1項に記載の電界プローブ。
10. The electric field probe according to claim 1, wherein the second dielectric portion is set to have a higher relative dielectric constant toward an end portion of the outer conductor.
電界強度に応じた信号を出力する電界プローブと、前記電界プローブから出力された信号の強度を表示する計測装置とを備えた電界測定装置において、
前記電界プローブが、
軸状の中心導体と、
誘電体材料からなり前記中心導体の外周に設けられた第一誘電体部と、
前記第一誘電体部の外周に設けられた外導体と、
前記外導体の先端側の外周面上に、前記第一誘電体部をなす前記誘電体材料よりも比誘電率の大きい誘電体材料を被覆してなる第二誘電体部と、を有する
ことを特徴とする、電界測定装置。
In an electric field measurement apparatus comprising an electric field probe that outputs a signal according to electric field strength, and a measurement device that displays the intensity of the signal output from the electric field probe.
The electric field probe is
An axial center conductor;
A first dielectric portion made of a dielectric material and provided on the outer periphery of the central conductor;
An outer conductor provided on the outer periphery of the first dielectric portion;
A second dielectric portion formed by coating a dielectric material having a relative dielectric constant larger than that of the dielectric material forming the first dielectric portion on an outer peripheral surface on a front end side of the outer conductor. An electric field measuring device.
中心導体と、
誘電体材料からなり前記中心導体の外周に設けられた第一誘電体部と、
前記第一誘電体部の外周に設けられた外導体と、
前記外導体の先端側の外周面上に誘電体材料を被覆してなり、誘電性損失材料を含んで電磁波を吸収する損失性材料を含有する第二誘電体部と
を備えたことを特徴とする、電界プローブ。
A central conductor;
A first dielectric portion made of a dielectric material and provided on the outer periphery of the central conductor;
An outer conductor provided on the outer periphery of the first dielectric portion;
Ri Na covering the dielectric material on the outer surface of the distal end of the outer conductor, further comprising a second dielectric portion you containing lossy material that absorbs electromagnetic waves comprise a dielectric loss material An electric field probe.
中心導体と、
誘電体材料からなり前記中心導体の外周に設けられた第一誘電体部と、
前記第一誘電体部の外周に設けられた外導体と、
前記外導体の先端側の外周面上に誘電体材料を被覆してなり、電磁波を吸収する損失性材料を含有するとともに、前記外導体の端部側ほど前記電磁波の吸収率が高く設定された第二誘電体部と
を備えたことを特徴とする、電界プローブ。
A central conductor;
A first dielectric portion made of a dielectric material and provided on the outer periphery of the central conductor;
An outer conductor provided on the outer periphery of the first dielectric portion;
Ri Na covering the dielectric material on the outer surface of the distal end of the outer conductor, as well as containing a lossy material that absorbs electromagnetic radiation, the absorption rate of the end portion side as the electromagnetic wave of the outer conductor is set higher An electric field probe comprising a second dielectric part.
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JP7172084B2 (en) * 2018-03-23 2022-11-16 Tdk株式会社 Electric field probe and electric field measurement system
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Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5295274A (en) * 1976-02-06 1977-08-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Coaxial probe for high frequency measurement
JPS5912059U (en) * 1982-07-15 1984-01-25 松下電工株式会社 probe
JP2007278820A (en) * 2006-04-06 2007-10-25 Murata Mfg Co Ltd Electric field probe and system for measuring electric field
JP2008232963A (en) * 2007-03-23 2008-10-02 Hioki Ee Corp Probe, probe device and inspection device

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