JP5774838B2 - 部分的に埋められたページの数が削減された固体メモリ - Google Patents
部分的に埋められたページの数が削減された固体メモリ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5774838B2 JP5774838B2 JP2010242561A JP2010242561A JP5774838B2 JP 5774838 B2 JP5774838 B2 JP 5774838B2 JP 2010242561 A JP2010242561 A JP 2010242561A JP 2010242561 A JP2010242561 A JP 2010242561A JP 5774838 B2 JP5774838 B2 JP 5774838B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- page
- data
- state
- logical unit
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/10—Providing a specific technical effect
- G06F2212/1004—Compatibility, e.g. with legacy hardware
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/10—Providing a specific technical effect
- G06F2212/1016—Performance improvement
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/10—Providing a specific technical effect
- G06F2212/1041—Resource optimization
- G06F2212/1044—Space efficiency improvement
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
- G06F2212/7203—Temporary buffering, e.g. using volatile buffer or dedicated buffer blocks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Memory System (AREA)
Description
SizeinternalBuffer≧SizePage+TimePageProgramCycle*BitrateInputData
これには、ページのプログラミング中に内部バッファにおいて次のページをプログラムするためのデータを受信することもできるという利点がある。例えば2ページのサイズの内部バッファは、入力データのビットレートが十分高い場合、別のページのプログラミングサイクル中にプログラムされるページ全体のためのデータを受信することができる。したがって、全待ち時間が低減し、固体メモリのビットレートがさらに向上する。
少なくとも1つの入来データストリームを格納するための固体メモリであって、複数の論理ユニットを有し、前記論理ユニットのそれぞれは、少なくとも1つのページを有し、前記論理ユニットのそれぞれは、前記入来データが少なくとも1つのページにプログラムされる前に、前記入来データストリームを一時的に格納するための内部バッファメモリを含み、前記内部バッファメモリは、他の前記論理ユニットへの切り替え操作が実行されると、まだプログラムされていないデータを保持する、前記固体メモリ。
(付記2)
前記論理ユニットのそれぞれは、前記メモリの消去可能な最小単位である少なくとも1つのブロックを含み、前記ブロックのそれぞれは、前記メモリのプログラム可能な最小単位である少なくとも1つのページを含む、付記1に記載の固体メモリ。
(付記3)
複数の前記論理ユニットの複数の前記内部バッファのうちの少なくとも1つは、ページ全体、および最高許容入力ビットレートでページの前記プログラムのサイクル中に受信された前記データを格納するための最小サイズを有する、付記1または2に記載の固体メモリ。
(付記4)
前記記憶装置は、Open NAND Flash Interface仕様に従って動作するNANDフラッシュ装置である、付記1乃至3の一項に記載の固体メモリ。
(付記5)
1つまたは複数のカメラを含むカメラシステムであって、請求項1乃至4のいずれか一項による固体メモリを含む、カメラシステム。
(付記6)
少なくとも2つのカメラを含み、異なるカメラによって捕捉されるデータストリームが異なる論理ユニットに格納される、付記5に記載のカメラシステム。
(付記7)
少なくとも1つのデータストリームを固体メモリにプログラムするための方法であって、前記固体メモリは、少なくとも1つの論理ユニットを含み、前記論理ユニットのそれぞれは、少なくとも1つのページを含み、ページは、一度にプログラミングされる方法において、
少なくとも1つの入来データストリームを前記固体メモリに順次入力するステップと、
1つの前記論理ユニットに含まれる内部バッファに前記1つの前記論理ユニットに関連付けられたデータを格納するステップと、
前記バッファは少なくとも1つの完全なページをプログラムするためのデータを含むかどうかのチェックを行うステップと、
前記チェックステップが肯定である場合、少なくとも1つのページをプログラムするステップと、
異なる前記論理ユニット間で切り替え操作が行われる場合、前記内部バッファメモリ内にまだプログラムされていない前記データを保持するステップと
を含む、前記方法。
(付記8)
異なるカメラを有するカメラシステムによって捕捉される前記入力データストリームを異なる複数の前記論理ユニットに格納するステップ
をさらに含む、付記7に記載の方法。
(付記9)
データレジスタ内の前記データを受信した後、Page Program Interleavedコマンド11hを使用して、ターゲットを状態T_PP_IlvWaitに設定し、論理ユニットを状態L_PP_IlvWaitに設定するステップと、
LUNの前記データレジスタがフルページで埋められるまで、前記ターゲットを状態T_PP_IlvWaitに保持し、前記論理ユニットを状態L_PP_IlvWaitに保持するステップと、
前記コマンド10hまたは15hを使用してこれらの前記データをページにプログラするステップであって、これらの状態およびコマンドはONFI標準に準拠する、ステップと
をさらに含む、付記7または8に記載の方法。
(付記10)
前記コマンド10hまたは15hを使用して前記論理ユニットにフルページをプログラムした後、ターゲットを状態T_PP_LUN_DataWaitに設定し、論理ユニットを状態L_PP_WaitForDataに設定して、前記ターゲットが前記アドレス指定された論理ユニットの前記ページレジスタから前記データを削除するのを防ぐステップであって、これらの状態およびコマンドはONFI標準に準拠する、ステップ
をさらに含む、付記7乃至9のいずれか一項に記載の方法。
Claims (9)
- 複数の論理ユニットを有する、少なくとも1つの入来データストリームを格納するための固体メモリであって、前記論理ユニットのそれぞれは、少なくとも1つのページを有し、前記論理ユニットのそれぞれは、前記入来データが少なくとも1つのページにプログラムされる前に、前記入来データストリームを一時的に格納するための内部バッファメモリを含み、前記内部バッファメモリにおいて前記データを受信した後、Page Program Interleavedコマンド11hを使用して、ターゲットが状態T_PP_Ilv_Waitに設定され、前記論理ユニットが状態L_PP_Ilv_Waitに設定され、前記論理ユニットの前記内部バッファメモリがフルページで埋められるまで前記ターゲットを状態T_PP_Ilv_Waitに保持し、前記論理ユニットを状態L_PP_Ilv_Waitに保持しコマンド10hまたは15hを使用してこれらの前記データをページにプログラムする、ようにして、他の論理ユニットへの切り替え操作が実行されるときに、前記内部バッファメモリは、まだプログラムされていないデータを保持し、これらの状態およびコマンドはONFI標準に準拠する、前記固体メモリ。
- 前記論理ユニットのそれぞれは、前記メモリの消去可能な最小単位である少なくとも1つのブロックを含み、前記ブロックのそれぞれは、前記メモリのプログラム可能な最小単位である少なくとも1つのページを含む、請求項1に記載の固体メモリ。
- 前記論理ユニットの前記内部バッファメモリのうちの少なくとも1つは、ページ全体、および最高許容入力ビットレートでページの前記プログラムのサイクル中に受信された前記データを格納するための最小サイズを有する、請求項1または2に記載の固体メモリ。
- Open NAND Flash Interface仕様に従って動作するNANDフラッシュ装置として構成される、請求項1乃至3のうちのいずれか一項に記載の固体メモリ。
- 1つまたは複数のカメラを含むカメラシステムであって、請求項1乃至4のいずれか一項による固体メモリを含む、前記カメラシステム。
- 少なくとも2つのカメラを含み、異なるカメラによって捕捉されるデータストリームが異なる論理ユニットに格納される、請求項5に記載のカメラシステム。
- 少なくとも1つのデータストリームを固体メモリにプログラムするための方法であって、前記固体メモリは、少なくとも1つの論理ユニットを含み、前記論理ユニットのそれぞれは、少なくとも1つのページを含み、ページは、一度にプログラムされる方法において、
少なくとも1つの入来データストリームを前記固体メモリに順次入力するステップと、
前記論理ユニットに含まれる内部バッファメモリに、論理ユニットに関連付けられたデータを格納するステップと、
異なる論理ユニット間で切り替え操作が行われる場合、前記内部バッファメモリ内にまだプログラムされていない前記データを保持するステップと、
前記内部バッファメモリにおいて前記データを受信した後、Page Program Interleavedコマンド11hを使用して、ターゲットを状態T_PP_Ilv_Waitに設定し、論理ユニットを状態L_PP_Ilv_Waitに設定するステップと、
前記論理ユニットの前記内部バッファメモリがフルページで埋められるまで、前記ターゲットを状態T_PP_Ilv_Waitに保持し、前記論理ユニットを状態L_PP_Ilv_Waitに保持するステップと、
前記内部バッファメモリが少なくとも1つの完全なページをプログラムするためのデータを含むかどうかをチェックするステップと、前記チェックするステップが肯定である場合、前記内部バッファメモリ内の前記データをコマンド10hまたは15hを使用してページにプログラムするステップと、を含み、
これらの状態およびコマンドはONFI標準に準拠する、前記方法。 - 異なるカメラを有するカメラシステムによって捕捉された前記入力データストリームを異なる論理ユニットに格納するステップ
をさらに含む、請求項7に記載の方法。 - 前記コマンド10hまたは15hを使用して前記論理ユニットにフルページをプログラムした後、前記ターゲットを状態T_PP_LUN_DataWaitに設定し、前記論理ユニットを状態L_PP_WaitForDataに設定して、前記ターゲットが、アドレス指定された前記論理ユニットの前記内部バッファメモリから前記データを削除するのを防ぐステップをさらに含む、請求項7又は8に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP09306027A EP2317442A1 (en) | 2009-10-29 | 2009-10-29 | Solid state memory with reduced number of partially filled pages |
| EP09306027.5 | 2009-10-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011096257A JP2011096257A (ja) | 2011-05-12 |
| JP5774838B2 true JP5774838B2 (ja) | 2015-09-09 |
Family
ID=42026310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010242561A Expired - Fee Related JP5774838B2 (ja) | 2009-10-29 | 2010-10-28 | 部分的に埋められたページの数が削減された固体メモリ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9122578B2 (ja) |
| EP (2) | EP2317442A1 (ja) |
| JP (1) | JP5774838B2 (ja) |
| CN (1) | CN102053924B (ja) |
| TW (1) | TWI526826B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9588883B2 (en) * | 2011-09-23 | 2017-03-07 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | Flash memory system |
| CN103914397B (zh) * | 2013-01-09 | 2018-01-30 | 深圳市江波龙电子有限公司 | 闪存存储设备及其管理方法 |
| US10396741B2 (en) | 2015-05-14 | 2019-08-27 | Voyetra Turtle Beach, Inc. | Headset with programmable microphone modes |
| EP3394758A4 (en) * | 2017-01-23 | 2019-02-20 | Micron Technology, Inc. | TREATMENT OF A PARTLY WRITTEN BLOCK |
| US11354357B2 (en) * | 2019-01-29 | 2022-06-07 | Sap Se | Database mass entry insertion |
| US11132292B2 (en) * | 2019-12-10 | 2021-09-28 | Micron Technology, Inc. | Active input/output expander of a memory sub-system |
| KR20220021796A (ko) * | 2020-08-14 | 2022-02-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 스토리지 장치 및 그 동작 방법 |
| CN113228185B (zh) | 2021-03-30 | 2023-01-20 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维存储器件和用于增强的页寄存器复位的方法 |
| US12192563B2 (en) * | 2022-10-03 | 2025-01-07 | Playback Inc. | Video streaming synchronization |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69024086T2 (de) | 1989-04-13 | 1996-06-20 | Sundisk Corp | EEprom-System mit Blocklöschung |
| US8037234B2 (en) | 2003-12-02 | 2011-10-11 | Super Talent Electronics, Inc. | Command queuing smart storage transfer manager for striping data to raw-NAND flash modules |
| US8108590B2 (en) * | 2000-01-06 | 2012-01-31 | Super Talent Electronics, Inc. | Multi-operation write aggregator using a page buffer and a scratch flash block in each of multiple channels of a large array of flash memory to reduce block wear |
| US6426893B1 (en) | 2000-02-17 | 2002-07-30 | Sandisk Corporation | Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks |
| US6760805B2 (en) | 2001-09-05 | 2004-07-06 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. | Flash management system for large page size |
| JP2006003966A (ja) | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | フラッシュメモリの書込方法 |
| US7882299B2 (en) | 2004-12-21 | 2011-02-01 | Sandisk Corporation | System and method for use of on-chip non-volatile memory write cache |
| KR100713984B1 (ko) | 2005-09-15 | 2007-05-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 멀티-플레인 구조를 갖는 비휘발성 메모리 장치의 프로그램방법 |
| US7652922B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-01-26 | Mosaid Technologies Incorporated | Multiple independent serial link memory |
| US7428610B2 (en) * | 2006-02-14 | 2008-09-23 | Atmel Corporation | Writing to flash memory |
| KR100694978B1 (ko) | 2006-05-12 | 2007-03-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 데이터 입출력 속도를 증가시키는 구조를 가지는 플래시메모리 장치 및 그 데이터 입출력 동작 방법 |
| US7809994B2 (en) | 2006-05-17 | 2010-10-05 | Sandisk Corporation | Error correction coding for multiple-sector pages in flash memory devices |
| US7953954B2 (en) | 2007-01-26 | 2011-05-31 | Micron Technology, Inc. | Flash storage partial page caching |
| KR100866959B1 (ko) * | 2007-02-13 | 2008-11-05 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치의 부분 페이지 데이터 기입 방법 |
| WO2009079014A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-25 | President And Fellows Of Harvard College | Nand implementation for high bandwidth applications |
| ATE509350T1 (de) * | 2007-12-21 | 2011-05-15 | Em Microelectronic Marin Sa | Lesevorrichtung eines nichtflüchtigen speichers mit geringem energieverbrauch und ihr anwendungsverfahren |
| US8001316B2 (en) | 2007-12-27 | 2011-08-16 | Sandisk Il Ltd. | Controller for one type of NAND flash memory for emulating another type of NAND flash memory |
| US20090187701A1 (en) | 2008-01-22 | 2009-07-23 | Jin-Ki Kim | Nand flash memory access with relaxed timing constraints |
-
2009
- 2009-10-29 EP EP09306027A patent/EP2317442A1/en not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-08-27 TW TW099128728A patent/TWI526826B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-09-13 EP EP10176342.3A patent/EP2323038A3/en not_active Withdrawn
- 2010-10-02 US US12/924,687 patent/US9122578B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-15 CN CN201010511756.4A patent/CN102053924B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-28 JP JP2010242561A patent/JP5774838B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9122578B2 (en) | 2015-09-01 |
| TWI526826B (zh) | 2016-03-21 |
| US20110102636A1 (en) | 2011-05-05 |
| EP2323038A3 (en) | 2015-12-30 |
| CN102053924B (zh) | 2014-12-31 |
| CN102053924A (zh) | 2011-05-11 |
| EP2317442A1 (en) | 2011-05-04 |
| TW201115338A (en) | 2011-05-01 |
| JP2011096257A (ja) | 2011-05-12 |
| EP2323038A2 (en) | 2011-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5774838B2 (ja) | 部分的に埋められたページの数が削減された固体メモリ | |
| CN101504629B (zh) | 闪速存储器控制器高速缓存架构 | |
| US11385831B2 (en) | Memory controller and storage device including the same | |
| US8645617B2 (en) | Memory device for concurrent and pipelined memory operations | |
| KR100971405B1 (ko) | 플래시 메모리 디바이스 및 그 방법 | |
| US8140747B2 (en) | Operating method for a memory subsystem and devices for executing the operating method | |
| CN101965559B (zh) | 包括将处理器与内部存储器连接的交叉切换器的用于闪存的存储控制器 | |
| EP1850348B1 (en) | Method and device for writing to a flash memory | |
| KR101252317B1 (ko) | 적어도 하나의 공통 데이터 i/o 버스에 접속된 다수의비휘발성 메모리의 플래시 블록에 논리 데이터 블록을저장하는 방법 및 시스템 | |
| JP2011175615A (ja) | ホスト装置およびメモリデバイス | |
| CN114746834A (zh) | 基于分区状态的分区附加命令调度 | |
| US10747659B2 (en) | Flash fast program mode for high definition video recording and high resolution camera burst mode recording | |
| US20210373809A1 (en) | Write Data-Transfer Scheduling in ZNS Drive | |
| JP4843222B2 (ja) | 半導体記憶装置の制御方法、メモリカード、及びホスト機器 | |
| TWI503828B (zh) | 資訊資料書寫入快閃記憶體裝置內書寫錯誤之處理方法和裝置 | |
| US20100211738A1 (en) | Mass storage system with improved usage of buffer capacity | |
| US20240168684A1 (en) | Efficient Deallocation and Reset of Zones in Storage Device | |
| WO2024043087A1 (ja) | ホスト装置、不揮発性記憶装置およびメモリシステム | |
| KR20110047144A (ko) | 부분 채워진 페이지의 수가 감소된 고체 상태 메모리 | |
| US20240311027A1 (en) | Storage device, electronic device, and method for controlling memory | |
| JP2017167658A (ja) | 記録装置 | |
| CN121233042A (zh) | 支持Zoned NameSpace的页条带断点续传 | |
| CN121233043A (zh) | 可调度的页条带写入方法及其存储设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130801 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140326 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140408 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140708 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140711 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140925 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150210 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150508 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150602 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150702 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5774838 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |