JP5777656B2 - 基板支持装置及び基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板支持装置及び基板処理装置に係り、さらに詳しくは、複数枚の基板に伝熱ガスを供給して伝熱効率を高めることのできる基板支持装置及び基板処理装置に関する。

一般に、半導体、発光ダイオード（ＬＥＤ）、フラットパネルディスプレイ装置の製造に用いられるプラズマ処理装置は、反応チャンバー内に電界及び磁界を形成してプラズマを発生させ、そのプラズマを用いて各種の工程を行う装置である。従来のプラズマ処理装置は基板を固定する基板支持装置を有しており、特に、生産性を向上させるべく、多数枚の基板を同時に固定して処理する基板支持装置を有している。このようなプラズマ処理中に、基板支持装置に取り付けられた基板はプラズマの温度によって昇温され、それが過剰に昇温すると工程不良などが発生する虞がある。

このような問題点に鑑みて、本発明の出願人が登録権者である下記の特許文献１には、流路を形成して冷却ガスを供給することにより、基板の温度を所定の範囲内に保持する基板支持装置の構造が開示されている。このとき、基板支持装置には、基板チャックの上部に位置する下板と、前記下板の上面に結合されて基板の上面を露出させ、前記下板から離れて下板を介して供給される冷却ガスが基板の底面に供給されるようにする上板と、が設けられている。

前記上板及び下板は互いにボルトなどによって組み合わせられ、これらの間に冷却ガスの供給を制限する多数のＯリングが介装されている。多数のＯリングによって前記下板の流路を介して供給された冷却ガスが基板の背面に接するように供給可能であるが、多数のＯリングによって前記上板の下部には冷却ガスが供給できなくなり、上板の昇温を防ぐことはできなかった。このような上板の昇温は、基板の上面を露出させる上板の開口部の周りの基板温度にバラツキを生じさせる原因となり、プラズマエッチングのために基板に形成されたフォトレジストパターンの不均一な硬化や焼き付きが発生して工程不良を引き起こす虞がある。

また、多数のＯリングを用いることに起因して、下板と上板との組み合わせ時にＯリングの位置が変わる確率が高くなって組み合わせの際に細かい注意が求められ、しかも、コストが高騰するという問題点がある。

大韓民国登録特許第１０−０７３４０１６号公報

本発明の目的は、基板だけではなく、基板支持装置そのものの温度を所定の範囲内に保持することのできる基板支持装置及び基板処理装置を提供することである。

また、本発明の他の目的は、基板支持装置を簡単に取り付けることができ、しかも、Ｏリングの数を減らしてコストを節減することのできる基板支持装置及び基板処理装置を提供することである。

本発明の実施形態に係る基板支持装置は、上部に基板が支持され、冷却ガスが通過する複数の供給管が形成された下板と、前記下板の上に脱着自在に設けられ、前記下板に支持される基板の上面を露出させるポケットが形成された上板と、前記下板に結合され、前記上板と前記下板との間及び前記基板と前記下板との間にそれぞれ冷却空間を形成する封止部材と、を備えることを特徴とする。

好ましくは、前記上板は前記下板の上部及び側面を取り囲み、前記下板の側面と前記上板の側壁との間には前記冷却ガスが通過する流路を形成し、前記封止部材は前記基板と前記上板との間を封止する。

また、好ましくは、前記上板には前記下板が収容される凹状の収容部が設けられ、前記収容部の直径は前記下板の直径よりも大きく、前記下板の側面と前記収容部の側壁との間に前記流路を形成して、前記流路を介して前記冷却ガスが前記上板の背面の縁部に供給されるようにする。

さらに、好ましくは、前記上板は前記下板の上部を覆い、前記封止部材は前記基板と前記上板との間を封止し、前記基板支持装置は、前記上板の縁部と前記下板の縁部との間に配設される封止リングを備える。

さらに、好ましくは、前記冷却空間は、前記基板と前記下板との間に形成される第１冷却空間と、前記上板と前記下板との間に形成される第２冷却空間と、を備え、前記下板は、前記冷却ガスを前記第１冷却空間に供給する第１供給管と、前記冷却ガスを前記第２冷却空間に供給する第２供給管と、を備える。

さらに、好ましくは、前記下板は、前記封止部材の下部の一部が嵌着されるリング状の収容溝を備える。

さらに、好ましくは、前記封止部材は、前記収容溝に嵌入する下部と、前記収容溝の上部側に突出する上部と、を備え、前記上部の外側が前記上板に接し、内側が前記基板に接して、前記冷却ガスが前記基板と前記上板との間の空間に流出されることを防ぐ。

さらに、好ましくは、前記封止部材の前記上部の断面幅は、前記下部の断面幅よりも大きいか、等しいか、あるいは小さい。

さらに、好ましくは、前記封止部材の前記上部の断面形状は、上部側が左右に分岐された形状、多角形、円形または長円形である。

さらに、好ましくは、前記封止部材の前記下部は、上下方向に断面幅が等しいか、あるいは、下方に進むにつれて断面幅が増大する。

さらに、好ましくは、前記封止部材は、前記基板に接触される第１封止部材と、前記上板に接触される第２封止部材と、を備える。

本発明に係る基板支持装置及び基板処理装置は、基板が実装される下板と基板を固定する上板との間にも冷却ガスが供給されるようにして基板の温度均一性を向上させて工程不良の発生を防ぐことにより、歩留まりを向上させることができるという効果がある。

また、本発明に係る基板支持装置及び基板処理装置は、Ｏリングの数を減らすと共にＯリングの位置を固定して、基板支持装置の取り付け中にＯリングの位置が変わることを防ぐことができて、組み立てを簡単に行うことができ、しかも、コストを節減することができるという効果がある。

本発明の実施形態に係る基板処理装置の断面図である。 本発明の実施形態に係る基板支持装置の分解斜視図である。 図２の結合状態の断面構成図である。 本発明の実施形態に係る封止部材の断面構成図である。 本発明の変形例に係る封止部材の断面図である。 本発明の変形例に係る封止部材の断面図である。 本発明の変形例に係る封止部材の断面図である。 本発明の変形例に係る封止部材の断面図である。 本発明の変形例に係る封止部材の断面図である。 本発明の変形例に係る封止部材の断面図である。 本発明の変形例に係る基板支持装置の断面図である。

以下、添付図面に基づき、本発明の実施形態を詳述する。しかしながら、本発明は後述する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる態様で実現され、単にこれらの実施形態は本発明の開示を完全たるものにし、且つ、通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。図面は本発明の実施形態を正確に説明するために大きさが部分的に誇張されており、図中、同じ符号は同じ構成要素を示す。

以下、添付図面に基づき、本発明の実施形態に係る基板支持装置及び基板処理装置について詳述する。

図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の断面図であり、図２は、本発明の実施形態に係る基板支持装置の分解斜視図であり、図３は、図２の結合状態の断面構成図であり、図４から図１０は、封止部材の種々の実施形態の断面図であり、そして図１１は、本発明の変形例に係る基板支持装置の断面図である。

図１を参照すると、基板処理装置、例えば、プラズマ処理装置は、反応チャンバー９と、反応チャンバー９内の上部に配設される上部電極部３と、反応チャンバー９内の下部に上部電極部３と対向して配設される下部電極部１０と、を備える。

反応チャンバー９は、プラズマ工程、例えば、エッチング工程が行われるように外部と密閉された所定の空間を提供する役割を果たす。

反応チャンバー９の下部には排気口７が接続されており、排気口７には排気装置８が接続されている。このとき、排気装置８としてはターボ分子ポンプなどの真空ポンプを用い、これは、反応チャンバー９の内部を所定の減圧雰囲気、例えば、０．１ｍＴｏｒｒ以下の所定の圧力まで真空吸入する。このとき、排気口７及び排気装置８は、反応チャンバー９の下部に加えて、反応チャンバー９の下部側面に形成されてもよい。

反応チャンバー９の一方の側壁にはゲート弁（図示せず）が設けられており、ゲート弁を開いた状態で、基板１が隣り合う未図示のロードロック室との間で搬送されるようになっている。このとき、反応チャンバー９には一つのゲート弁を設けて基板１を搬入及び搬出することもできるが、基板１の搬入及び搬出をそれぞれ別々に行うように反応チャンバー９の一方の側壁及び他方の側壁にゲート弁を備えていてもよい。

反応チャンバー９内の上部に配設された上部電極部３の下部には、多数の噴射孔を有し、その表面が金属、例えば、アルミニウムからなる上部電極板３ｂと、上部電極板３ｂを支持し、表面が導電性材料からなる電極支持体３ａと、が設けられている。

電極支持体３ａにはガス導入口４が設けられ、ガス導入口４にはガス供給源１３が接続されている。また、ガス導入口４とガス供給源１３との間には、弁１４及びマスフローコントローラ（図示せず）がさらに配設されており、弁１４及びマスフローコントローラの制御により反応ガスが反応チャンバー９内に供給される。反応ガスとしては、フルオロカーボンガスやヒドロフルオロカーボンガスなどのハロゲン元素を含有するガスが適切に使用可能であり、これらに加えて、Ａｒ、ＣＦ_３、Ｏ_２などの処理ガスが使用可能である。

また、上部電極部３には上部整合器（図示せず）を介して上部高周波電源１１が接続されており、上部高周波電源１１により発生された高周波電力は上部電極部３に取り込まれた反応ガスを励起させてプラズマを形成する。

反応チャンバー９の下部には上部電極部３と対向する下部電極部１０が配設され、この下部電極部１０は、基板昇降器１０ｃと、基板昇降器１０ｃの上部に配設された下部電極１０ｂ及び基板チャック１０ａを備える。

基板昇降器１０ｃは絶縁体から構成され、基板昇降器１０ｃの下部は反応チャンバー９の底面に設けられ、基板昇降器１０ｃの上部には下部電極１０ｂ及び基板チャック１０ａが取り付けられて下部電極及び基板チャック１０ａを下部から支持し、基板１を上下動させる役割を果たす。

下部電極部１０にはチラー（図示せず）が接続されており、チラーに接続される冷媒導入管（図示せず）及び冷媒排出管（図示せず）が下部電極部１０に形成される。このため、チラーから供給された冷媒は冷媒導入管を介して冷媒排出管に排出されて循環することにより、その冷熱が基板チャック１０ａを介して基板１に伝えられる。基板チャック１０ａとしては静電チャックまたは機械チャックが使用可能であり、静電チャックを基板チャック１０ａとして用いるときに、基板支持装置に静電力を発生させるために、基板支持装置２をセラミック材質から形成してもよい。このとき、基板支持装置２は、静電力を発生させて静電力を印加し得る程度の厚さに製造することが好ましい。

もし、基板支持装置２が厚過ぎると、基板１に静電力が働かないため基板１を固定することができず、静電力を強めるために直流電圧を増大させると、反応チャンバー９の内部の絶縁力の弱い部品の絶縁破壊を引き起こして反応チャンバー９の内部が損傷されてしまうという問題点がある。

下部電極部１０、すなわち、下部電極１０ｂには、下部整合器（図示せず）を介して下部高周波電源１２が接続されており、基板１をプラズマ処理する場合に、下部高周波電源１２によって高周波電力が下部電極部１０に供給される。このとき、下部に印加される高周波電力によって上部電極部３と下部電極部１０との間に形成されたプラズマ中のイオンを下部電極部１０に引っ張り、これによって基板処理が行われる。

下部電極１０ｂ及び基板チャック１０ａの外周面には、環状のフォーカスリングが設けられていてもよい。フォーカスリングは、シリコンなどの導電性材料からなり、プラズマ中のイオンを基板１に向かって集中させることにより、エッチングの均一性を向上させる。

下部電極部１０には、下部電極部１０の内部を貫通するガス通路５が形成されており、ガス通路５は、冷却ガスを貯留する冷却ガス供給源６と接続されている。ガス通路５を介してヘリウムガスなどが基板支持装置２を介して基板１の下部に供給される。上記の伝熱ガスは、基板１に発生される熱を効率よく冷却することができる。

図中、下部電極部１０に単一のガス通路５が形成されている場合が例示されているが、本発明はこれに何ら制限されるものではなく、ガス通路５を複数形成してもよい。

一方、基板チャック１０ａの上部には、複数枚の基板１を載置し、且つ、伝熱ガスを基板１に伝えるために基板支持装置２が設けられている。

図２及び図３をそれぞれ参照すると、本発明の実施形態に係る基板支持装置２は、冷却ガスが供給される基板チャック１０ａの上部に配設され、垂直に基板チャック１０ａを介して供給された冷却ガスを上部側に伝える多数の第１供給管２１及び多数の第２供給管２２を備える下板２０と、前記下板２０が底面に収容されるが、その下板２０の側面から離れて流路３１を形成する上板３０と、前記下板２０に設けられた収容溝２３に固定されて前記基板１の底面縁部を支持すると共に、基板１と上板３０との間に冷却ガスが流出されることを遮断する封止部材４０と、を備えてなる。換言すると、基板支持装置２は、下板２０と、上板３０及び封止部材４０が組み合わせられて一つのユニットをなすように形成される。

以下、このような構成を有する本発明の好適な実施形態に係る基板処理装置の構成及び作用について詳述する。

先ず、下板２０は円板状を呈し、この下板には、多数の第１供給管２１及び第２供給管２２が上下に貫設されている。前記多数の第１供給管２１は基板１の中央下部側に配設され、第２供給管２２は前記基板１の間の境界領域の上板３０の下に配設される。

すなわち、第１供給管２１は、基板チャック１０ａを介して供給される冷却ガスを基板１の底面に直接的に供給して基板１がプラズマ処理されるときに過熱されることを防ぐためのものであり、第２供給管２２は、前記基板チャック１０ａを介して供給される冷却ガスを上板３０の下面に直接的に供給してその上板３０が過熱されることを防ぐためのものである。

前記図３の断面図には前記第２供給管２２が単数設けられる場合が例示されているが、図２から明らかなように、第２供給管２２は、取り付けられる前記基板１の間の領域に少なくとも１以上形成されてもよい。

前記下板２０には、リング状の封止部材４０が嵌着される収容溝２３が設けられている。収容溝２３は、載置される基板１の縁部の側面部分がその収容溝２３の中央に位置する程度の大きさであればよい。

前記下板２０には、基板１の取付数に見合う分だけの収容溝２３が設けられている。

図４は、本発明の実施形態に係る封止部材４０の断面図である。

図４を参照すると、前記収容溝２３に嵌着される封止部材４０は、下部４１の一部が収容溝２３に完全に収容されて固定され、その収容溝２３の外側に突出する上部４２は、収容溝２３の断面中央を基準として左右側に分岐されて幅が増大する形状であってもよい。

このような形状は、リング状に形成される前記封止部材４０の上部４２の外側（リングの外側）は後述する上板３０の底面を支持して封止する役割を果たし、封止部材４０の上部４２の内側は基板１の底面の縁部を支持する役割を果たすようにする。これにより、前記封止部材４０は、基板１と上板３０との間の空間に冷却ガスが流出されることを防ぐことができる。

図５から図１０は、それぞれ本発明の実施形態に係る封止部材４０の断面図である。

先ず、図５及び図６をそれぞれ参照すると、前記封止部材４０は、収容溝２３に嵌入する下部４１と、前記収容溝２３の上部側に露出されて基板１及びその基板１の周りの上板３０の縁部を支持する上部４２と、を備え、該上部は、断面を矩形にし、その上部４２の幅を下部４１の幅よりも大きくしてもよく、断面を円形にし、その円の直径を下部４１の幅よりも大きくしてもよい。

このように本発明の封止部材４０は様々な形状に変形可能であり、封止部材４０の断面幅が前記基板１と上板３０との間の隙間よりも広いところに特徴がある。

図７及び図８をそれぞれ参照すると、図５及び図６に示す封止部材４０とは異なり、上部４２及び下部４１の断面幅を等しくしてもよく、上部４２の断面幅を下部４１の断面幅よりも狭くしてもよい。

また、図９を参照すると、封止部材４０は、下部４１の断面幅が下方に進むにつれて増大するように形成されてもよい。この場合、封止部材４０は収容溝２３に押し込まれてもよく、基板１を処理する間に発生する衝撃などによって封止部材４０が収容溝２３から外れることを抑制または防止することができる。

図１０を参照すると、封止部材４０は、リング状の第１封止部材４０ａと、第１封止部材４０ａの外側に隔設されるリング状の第２封止部材４０ｂと、を備えていてもよい。このとき、下板２０には、第１封止部材４０ａ及び第２封止部材４０ｂを収容するための一対の収容溝２３ａ、２３ｂが同心をなして形成されてもよい。第１封止部材４０ａ及び第２封止部材４０ｂの断面形状は、円形、長円形または多角形であってもよく、第１及び第２封止部材４０ａ、４０ｂのそれぞれの下部４１ａ、４１ｂは収容溝２３ａ、２３ｂに収容され、上部４２ａ、４２ｂは収容溝２３ａ、２３ｂから突設されてもよい。このような構成により、内側に配設される第１封止部材４０ａは上部４２ａを介して基板１を支持することができ、第２封止部材４０ｂは上部４２ｂを介して上板３０を支持することができる。

このように、封止部材４０の形状は必要または設計仕様に応じて変形可能であり、上述した冷却ガスが供給可能である限り、種々に変形可能である。

前記上板３０は、円板状を呈するが、その直径が下板２０の直径よりも大きく、かつ、厚さも下板２０の厚さよりも厚いところに特徴がある。

前記上板３０の背面には、前記下板２０が収容可能な凹状の収容部３２が設けられており、その収容部３２の直径は下板２０の直径よりも大きく、収容される下板２０の側面及び収容部３２の内側壁面は互いに等間隔を隔てて離間されて上述した流路３１を形成する。

前記流路３１は、基板チャック１０ａを介して供給された冷却ガスが下板２０と上板３０との間、具体的には、上板３０の縁部の下部側に供給されるようにして上板３０を冷却させて過熱を防ぐ。

このため、基板１だけではなく、上板３０をも均一に冷却可能になり、プラズマ処理中に基板１の表面温度を所定のレベルに維持することが可能になる。

また、前記上板３０には、基板１の上部を露出させるポケット３３が形成されており、そのポケット３３の縁部には、基板１の上部側に突出して基板１が離脱することを防ぐ突出部３４が設けられている。

本発明の基板支持装置の取り付け状態は、図３により確認可能である。本発明に係る基板支持装置の取り付けは、下板２０の収容溝２３に封止部材４０を固定して準備し、前記上板３０を、図３の状態から上下にひっくり返した状態で基板１をポケット３３に実装し、前記準備された下板２０の組合体をひっくり返して前記基板１と上板３０との間に前記封止部材４０が位置するように嵌入し、ボルトを締め付けることにより行われる。このとき、前記封止部材４０は収容溝２３に固定された状態であるため、取り付け中にその位置が変わることが防がれ、作業者は別途の注意を払うことなく取り付けを簡単に行うことができる。

このように上板３０及び下板２０を基板１が取り付けられた状態で組み合わせ、再び図３の状態にひっくり返して基板チャック１０ａの上部に実装する。

このとき、前記下板２０と基板チャック１０ａとを離間させるために、前記上板３０の縁部の背面と基板チャック１０ａとの間には封止リング５０、例えば、Ｏリングが配設されて前記基板チャック１０ａを介して供給された冷却ガスが外部に流出されることを防ぎながら、下板２０と基板チャック１０ａとを離間させて冷却ガスが第１供給管２１、第２供給管２２及び流路３１を介して供給されるようにする。

一方、上板３０は、図１１に示すように、下板２０と同じサイズに形成されてもよい。このとき、上板３０は、収容部が形成されていない板状に形成されてもよい。この場合、上板３０、下板２０及び基板１を組み合わせたときに封止部材４０の上部４２によって上板３０と下板２０とが離間して上板と下板との間に空間が形成される虞がある。これにより、第１供給管２１と、第２供給管２２及び流路３１に供給される冷却ガスが上板と下板との間に形成される空間を介して外部に流出する虞がある。

このため、下板２０と基板チャック１０ａとを離間させて冷却ガスが第１供給管２１と、第２供給管２２及び流路３１に供給されるように下板２０と基板チャック１０ａとの間に封止リング５０を配設すると共に、上板３０と下板２０との間に冷却ガスが流出されることを防ぐために下板２０及び上板３０の縁部にも別の封止リング６０をさらに配設してもよい。

このような構成により、基板１と下板２０との間には第１供給管２１と連通される第１冷却空間Ｃ１が形成され、上板３０と下板２０との間には第２供給管２２及び流路３１と連通される第２冷却空間Ｃ２が形成される。第１供給管２１と、第１冷却空間Ｃ１と、第２供給管２２及び第２冷却空間Ｃ２は、ガス通路を介して供給される冷却ガスの冷却経路を形成する。

すなわち、上述したように、第１供給管２１を介して供給される冷却ガスは第１冷却空間Ｃ１に流入して基板１の背面に供給されて基板１の過熱を防ぎ、第２供給管２２及び流路３１を介して供給される冷却ガスは第２冷却空間Ｃ２に流入して基板１の間の上板３０の背面及び上板３０の背面の縁部に供給されて上板３０が過熱されることを防ぐ。

このため、上板３０は基板１と略等温になり、上板３０と基板１との間の温度差による工程不良の発生を防ぐことが可能になる。

前記冷却ガスは熱を伝える伝熱ガスであり、前記第１供給管２１と、第２供給管２２及び流路３１を介して供給された状態で前記基板１及び上板３０の熱はその冷却ガスの供給方向とは逆方向である下向きに熱が伝えられる。

以上、本発明について好適な実施形態を挙げて詳述したが、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲と、発明の詳細な説明及び添付図面の範囲内において種々に変形して実施することが可能であり、これらもまた本発明に属する。

本発明に係る基板支持装置及び基板処理装置は、工程不良の発生を防ぐことにより歩留まりを向上させることができ、組み立てが容易である他、コストを節減することができるという効果を有する。したがって、本発明は、産業上の利用可能性が向上される。

Claims (10)

1. 上部に基板が支持され、冷却ガスが通過する複数の供給管が形成された下板と、
   前記下板の上に脱着自在に設けられ、前記下板に支持される基板の上面を露出させるポケットが形成された上板と、
   前記下板に結合され、前記上板と前記下板との間及び前記基板と前記下板との間にそれぞれ冷却空間を形成する封止部材と、
   を備え、
   前記上板は前記下板の上部及び側面を取り囲み、前記下板の側面と前記上板の側壁との間には前記冷却ガスが通過する流路を形成し、
   前記封止部材は前記基板と前記上板との間を封止することを特徴とする基板支持装置。
2. 前記上板には前記下板が収容される凹状の収容部が設けられ、前記収容部の直径は前記下板の直径よりも大きく、前記下板の側面と前記収容部の側壁との間に前記流路を形成して、前記流路を介して前記冷却ガスが前記上板の背面の縁部に供給されるようにすることを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
3. 上部に基板が支持され、冷却ガスが通過する複数の供給管が形成された下板と、
   前記下板の上に脱着自在に設けられ、前記下板に支持される基板の上面を露出させるポケットが形成された上板と、
   前記下板に結合され、前記上板と前記下板との間及び前記基板と前記下板との間にそれぞれ冷却空間を形成する封止部材と、
   を備え、
   前記上板は前記下板の上部を覆い、前記封止部材は前記基板と前記上板との間を封止し、
   前記上板の縁部と前記下板の縁部との間に配設される封止リングを備えることを特徴とする基板支持装置。
4. 前記冷却空間は、前記基板と前記下板との間に形成される第１冷却空間と、前記上板と前記下板との間に形成される第２冷却空間と、を備え、
   前記下板は、前記冷却ガスを前記第１冷却空間に供給する第１供給管と、前記冷却ガスを前記第２冷却空間に供給する第２供給管と、を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の基板支持装置。
5. 前記下板は、前記封止部材の下部の一部が嵌着されるリング状の収容溝を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の基板支持装置。
6. 前記封止部材は、前記収容溝に嵌入する下部と、前記収容溝の上部側に突出する上部と、を備え、
   前記上部の外側が前記上板に接し、内側が前記基板に接して、前記冷却ガスが前記基板と前記上板との間の空間に流出されることを防ぐことを特徴とする請求項５に記載の基板支持装置。
7. 前記封止部材の前記上部の断面幅は、前記下部の断面幅よりも大きいか、等しいか、あるいは小さいことを特徴とする請求項６に記載の基板支持装置。
8. 前記封止部材の前記上部の断面形状は、上部側が左右に分岐された形状、多角形、円形または長円形であることを特徴とする請求項６に記載の基板支持装置。
9. 前記封止部材の前記下部は、上下方向に断面幅が等しいか、あるいは、下方に進むにつれて断面幅が増大することを特徴とする請求項６に記載の基板支持装置。
10. 前記封止部材は、前記基板に接触される第１封止部材と、前記上板に接触される第２封止部材と、を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の基板支持装置。

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