JP5791329B2 - 気相成長装置 - Google Patents
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Description
また、基板ホルダー74の下方には、基板80を加熱するためのヒーター81がリング状に配設され、サセプタ73の外周側にはリング状の排気通路82が設けられている。
特許文献2においては、サセプタ73自体の搬送について詳細は記載されていないが、概ね以下のように行われる。
グローブボックス内に設置された搬送ロボットによって、反応炉内にあるサセプタを保持して交換ボックスに搬送する。一方、交換ボックスで待機している2枚目のサセプタを交換ボックスから交換テーブルへ搬送する。交換テーブルで基板ホルダ(基板トレイ)上に基板を載置した後、交換テーブルから反応炉へサセプタを搬送する。このように、1枚目のサセプタで成長させている間、2枚目のサセプタは交換ボックスで待機しているという2枚運用である。
サセプタのチャンバーへのセットは、サセプタの中心開口部に設けられた嵌合部とチャンバーの回転軸側に設けられた嵌合部を正確に位置合わせして行う必要がある。
そのため、サセプタを交換ボックス内に載置した際に位置ずれが生じていると、サセプタが回転軸に正しく嵌らない事態が生ずる。
また、サセプタをグローブボックス内の例えば交換テーブルに載置してからチャンバーに搬送する場合において、交換テーブル上で意図せずにサセプタの位相がずれてしまった場合には、上記と同様の問題が生ずる。
しかしながら、従来例では、サセプタの位置合わせは交換ボックスにおいて作業者が行っていたが、この作業は慎重を期する必要から作業効率が悪いという問題がある。
また、仮に交換ボックスにおいて位置ずれが生じていたような場合には、サセプタの位置合わせをやり直す必要があるが、そのためには一旦サセプタを交換ボックスに戻して位置合わせをした後、再度サセプタを搬送し直す必要がある。
しかし、サセプタを再搬送するとなると、時間を要し、生産効率が低下するという問題がある。
前記サセプタは位置検出のための2つのマーカーが形成され、
前記交換テーブルは、前記サセプタが載置されると回転して所定の回転位置で停止することで前記サセプタの回転方向の位置を、前記反応炉の回転軸の正しい位置に位置合わせする位置決め装置を備えてなり、
該位置決め装置は、前記交換テーブルに載置された前記サセプタを回転させる回転機構と、前記交換テーブルの近傍に設けられて前記サセプタに設けられた前記2つのマーカーを検出する2つのセンサと、該2つのセンサの信号を入力して前記交換テーブルの回転位置を制御する制御装置とを備えてなることを特徴とするものである。
以下詳細に説明する。
サセプタ3は、図2に示すように、中央に開口部17を有する全体形状がドーナツ状の円盤によって構成されている。
サセプタ3には基板載置部が設置される複数のポケット19が設けられている。ポケット19の数は特に限定されず、例えば図1においては11個のものが図示され、図2では7個のものが図示されている。
サセプタ3の中央の開口部17には嵌合部21が設けられており、サセプタ3は開口部17に形成された嵌合部21が反応炉5側の回転軸側に嵌合して回転する構造になっている。
ポケット19に設置される基板載置部は、自転可能になっており、基板載置部に薄膜が形成される基板が載置される。
サセプタ3は、反応炉5にセットされると、図示しない駆動機構によってサセプタ3全体が公転(回転)し、この公転に連動して基板載置部が自転する機構になっている。
反応炉5はサセプタ3が着脱可能に設置されて気相成長を行うものである。反応炉5の形態は特に限定されるものではなく、例えば特許文献1、2に記載されたものが適用できる。
反応炉5の一形態を概説すると、全体形状が偏平円筒状をしており、下部側のチャンバー本体と、チャンバー本体を開閉するチャンバー蓋とを備えている。
チャンバー本体の中心部には、原料ガス導入ノズルが設置され、サセプタ3に載置された基板に原料ガスを供給できるようになっている。原料ガス導入は、例えば特許文献1のように上方から導入する形態でもよいし、特許文献2のように下方から導入する形態でもよい。
チャンバー本体の外周縁部は本体部フランジとなっており、チャンバー蓋の蓋部フランジと当接して反応炉5を気密に閉止できるようになっている。
チャンバー蓋は、昇降機構によってチャンバー本体に対して昇降するようになっている。
搬送ロボット7は、グローブボックス9内に設置されて、サセプタ3を搬送する。搬送ロボット7は、図2に示すように、複数の腕25が関節で回転可能に連結され、先端の腕25にサセプタ3を保持する保持部27が設けられている。
搬送ロボット7は、各腕25を旋回させることで、サセプタ3を反応炉5、交換テーブル11、交換ボックス13のそれぞれに搬送することができる。
グローブボックス9は、搬送ロボット7及び反応炉5を収容する。グローブボックス9には、窒素ガスを供給して、ボックス内を窒素雰囲気に置換できるようになっている。
グローブボックス9の側面には、サセプタ3の交換を行う交換ボックス13が設けられている。交換ボックス13には、真空ポンプや窒素ガス供給管が接続され、交換ボックス13内の雰囲気を窒素雰囲気に置換できるようになっている。
交換テーブル11は、グローブボックス9内に設置されてサセプタ3の交換時にサセプタ3を一時的に載置するものである。交換テーブル11には、後述する位置決め装置15が搭載されている。
位置決め装置15は、交換テーブル11に載置されたサセプタ3を回転させる回転機構29と、交換テーブル11の近傍に設けられてサセプタ3に設けられたマーカー23を検出するセンサ31と、センサ31の信号を入力して交換テーブル11の回転位置を制御する制御装置33とを備えている。
交換用のサセプタ3が交換ボックス13内に載置される。このとき、従来例ではサセプタ3の位置決めを交換ボックス13で行うようにしていたので、作業者はサセプタ3の位置(位相)合わせをする必要があった。しかし、本実施の形態では、交換テーブル11においてサセプタ3の位置合わせが行われるので、交換ボックス13にサセプタ3を載置する際には、位置合わせを行う必要がない。
まず、交換テーブル11において、作業者がサセプタ3の位置合わせをする必要がなくなるので、作業効率が向上する。
また、交換テーブル11においてサセプタ3の位置を自動的に正しい位置に合わせるため、反応炉5にサセプタ3をセットする際に位置ずれのためにサセプタ3のセットができないということがない。
この点、従来例では、交換ボックス13におけるサセプタ3の位置が正しくなっていない場合には、反応炉5にサセプタ3が正しくセットされず、再度、交換ボックス13に戻して位置合わせを行ったあとで、再度搬送しなければならず、無駄な時間を要することになり生産効率が低下していた。
これに対して、本実施の形態では、このような無駄な時間が発生しないので、生産効率が向上するという効果がある。
しかし、マーカー23の形状をサセプタ3ごとに変えるようにして、サセプタ3の位置の認識に加えてサセプタ3を個体識別ができるようにしてもよい。このようにすれば、サセプタ3ごとに反応条件等を予め設定した気相成長プログラムを準備しておくことで、当該サセプタ3に最も適した条件での気相成長反応を実施することができる。
3 サセプタ
5 反応炉
7 搬送ロボット
9 グローブボックス
11 交換テーブル
13 交換ボックス
15 位置決め装置
17 開口部
19 ポケット
21 嵌合部
23 マーカー
25 腕
27 保持部
29 回転機構
31 センサ
33 制御装置
70 気相成長装置
71 ガス導入管
72 チャンバー
73 サセプタ
74 基板ホルダー
75 反応室
77 チャンバー本体
78 チャンバー蓋
79 回転駆動軸
80 基板
81 ヒーター
82 排気通路
Claims (2)
- 全体形状がドーナツ状の円盤によって構成され、中央の開口部に嵌合部を有するサセプタと、該サセプタの前記嵌合部が嵌合する回転軸を有し、該サセプタが着脱可能に設置されて気相成長を行う反応炉と、前記サセプタを搬送する搬送ロボットと、該搬送ロボット及び前記反応炉が収容されるグローブボックスと、該グローブボックス内に設置されてサセプタの交換時にサセプタを一時的に載置する交換テーブルと、前記グローブボックスの側壁に設けられてサセプタの交換を行う交換ボックスとを備えた気相成長装置であって、
前記サセプタは位置検出のための2つのマーカーが形成され、
前記交換テーブルは、前記サセプタが載置されると回転して所定の回転位置で停止することで前記サセプタの回転方向の位置を、前記反応炉の回転軸の正しい位置に位置合わせする位置決め装置を備えてなり、
該位置決め装置は、前記交換テーブルに載置された前記サセプタを回転させる回転機構と、前記交換テーブルの近傍に設けられて前記サセプタに設けられた前記2つのマーカーを検出する2つのセンサと、該2つのセンサの信号を入力して前記交換テーブルの回転位置を制御する制御装置とを備えてなることを特徴とする気相成長装置。 - 前記マーカーはサセプタごとに異なっており、サセプタの個体識別機能を有することを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。
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| JP2008159097A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Hitachi Ltd | 基板ホルダ及び基板のエッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
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