JP5840873B2 - マザー基板 - Google Patents

Description

本発明は表示装置に係り、特に上基板と下基板の間隔を均一にすることが出来、輝度むら、色むら等の表示品質低下を抑制した表示装置に関する。

表示装置、例えば液晶表示装置に使用される液晶表示パネルは、画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。

液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が優れた特性を有している。

ＩＰＳ方式も種々存在するが、例えば、画素電極を平面ベタで形成し、その上に、絶縁膜を挟んで櫛歯状のコモン電極を配置し、画素電極とコモン電極の間に発生する電界によって液晶分子を回転させる方式が透過率を大きくすることが出来るので、現在主流となりつつある。また、画素電極及びコモン電極とＴＦＴ基板との間に有機パッシベーション膜を設ける構造も存在するが、製造工程を簡略化するために有機パッシベーション膜を設けない構造も主流となりつつある。

液晶表示装置は、ＴＦＴ基板と対向基板の間隔、すなわち、液晶層の層厚が特性に大きく影響する。一般には、表示領域は柱状スペーサで間隔を維持し、シール部はグラスファイバで間隔を維持する構成がとられてきた。しかし、近年は、液晶表示パネルのいわゆる額縁の幅を小さくするために、シール部の下側に２層配線によって走査線あるいは映像信号線の引き出し線を形成している。この場合、グラスファイバは硬いので、ギャップ調整のさい、走査線引き出し線あるいは映像信号線引き出し線を破壊する恐れがある。これを防止するために、「特許文献１」には、シール部においても樹脂で形成された柱状スペーサを用いることが記載されている。

また、「特許文献１」は、シール部付近におけるＴＦＴ基板と対向基板との間隔と、表示領域におけるＴＦＴ基板と対向基板との間隔を合わせるために、シール部あるいはその付近において、有機パッシベーション膜を柱状スペーサの台座として設けることが記載されている。

「特許文献１」には、その実施例３に、有機パッシベーション膜が存在しない液晶表示装置が記載されており、この場合もシール部にはグラスファイバを混入させず、柱状スペーサによって、ＴＦＴ基板と対向基板の間隔を規定する構成が記載されている。また、シール部の内外にも柱状スペーサを形成する構成が記載されている。しかし、「特許文献１」では、有機パッシベーション膜を用いない場合においては、表示領域とシール部付近における柱状スペーサによる間隔規定についての検討は記載されていない。

特開２００９−１６８８７８号公報

表示装置、例えば液晶表示装置では、外形を小さくするためと配線の引き出し線の数を低減するために、駆動回路を液晶表示パネル中に直接形成することが行われている。この場合、駆動回路をポリシリコンで形成すると、回路特性は向上するが、画素領域におけるＴＦＴをａ‐Ｓｉで形成すると、プロセスが複雑となる。一方、走査線駆動回路は、映像信号線駆動回路に比べて回路規模が小さいので、ａ‐Ｓｉによって駆動回路を構成することが出来る。したがって、走査線駆動回路のみをａ−Ｓｉで液晶表示パネル内に直接作りこみ、映像信号線駆動回路はＩＣドライバによって形成することが行われている。このような構成の場合、シール部におけるギャップ調整にグラスファイバを用いると、走査線駆動回路を破壊する恐れがあるので、樹脂で形成された柱状スペーサを用いる必要がある。

また、背景技術に記載したような、有機パッシベーション膜を使用した場合、有機パッシベーション膜は平坦化膜としての役割も有しているので、有機パッシベーション膜を用いない場合は、液晶表示パネルにおける種々の場所において、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔が異なることになり、たとえ、柱状スペーサを用いたとしても、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔を一定に保つことは困難になる。

本発明の課題は、平坦化膜としての役割を有する有機パッシベーション膜を用いない液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔のむらを生じない、したがって、輝度むら、色むら等を生じることの少ない液晶表示装置を実現することである。

本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。すなわち、ＴＦＴ基板と対向基板とがシール材を介して対向し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示パネルを有する液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板の前記シール材の内側には、画素が形成された表示領域と、前記表示領域の外側で、走査線または映像信号線が形成された領域と前記走査線および映像信号線が形成されていない領域を有し、前記表示領域には、有機膜で形成された平坦化膜は存在せず、前記表示領域内には、ＴＦＴ基板と対向基板の間隔を規定する柱状スペーサが形成され、前記シール材の内側で前記表示領域の外側であって、前記走査線および前記映像信号線が存在しない部分には、前記表示領域において前記柱状スペーサが接する前記ＴＦＴ基板に形成された層と同じ層構造が形成されており、前記表示領域の外側に形成された前記層構造のうち、金属で形成された層はフローティングであることを特徴とする液晶表示装置である。

本発明の他の主な手段は次のとおりである。すなわち、第１の基板と、シール材を介して前記第１の基板と対向する第２の基板とを有する表示装置であって、前記第１の基板の前記シール材の内側には、画素が形成された表示領域と、前記表示領域の外側で、配線または駆動回路が形成された領域と前記配線および前記駆動回路が形成されていない領域とを有し、前記表示領域には、有機膜で形成された平坦化膜は存在せず、前記表示領域内には、第１の基板と第２の基板の間隔を規定する柱状スペーサが形成され、前記シール材の内側で前記表示領域の外側であって、前記配線および前記駆動回路が存在しない部分に設けられた柱状スペーサには、前記表示領域において前記柱状スペーサに対応して形成された層と同じ層構造の台座が形成されていることを特徴とする表示装置である。

本発明によれば、液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴ基板と対向基板の間隔を一定にできるので、液晶表示パネルのギャップむら、すなわち、ＴＦＴ基板と対向基板の間隔の不均一に起因する輝度むら、色度むらを抑制することが出来る。本発明の特徴である台座は、液晶表示パネルの表示領域を形成すると同時に形成することが出来るので、製造プロセスが増加することも無い。したがって、製造コストを上昇させることなく、液晶表示装置における輝度むら、色むらを抑制することが出来る。

本発明における液晶表示パネルのＴＦＴ基板の平面図である。 本発明における液晶表示パネルの平面図である。 本発明における液晶表示パネルの表示領域の断面図である。 液晶表示装置における表示領域における断面図と、シール材の内側であって、配線が存在しない部分の断面図である。 本発明における液晶表示装置における表示領域における断面図と、シール材の内側であって、配線が存在しない部分の断面図である。 本発明における液晶表示装置のシール部の断面図である。 本発明におけるマザー基板の平面図である。 マザー基板における表示領域の断面図と液晶セルのシール材外側における断面図である。 マザー基板における表示領域の断面図と液晶セルのシール材外側において、台座を用いた場合の断面図である。 マザー基板における表示領域の断面図と、液晶セルのシール材外側において、柱状スペーサをブラックマトリクスとオーバーコート膜の上に形成し、かつ、台座を用いた場合の断面図である。 表示領域において、柱状スペーサをＴＦＴの上方に配置した場合の液晶表示装置の断面図である。 シール部において、柱状スペーサをＴＦＴの上方に配置した場合の液晶表示装置の断面図である。

以下に本発明の内容を実施例を用いて詳細に説明する。

図１は、本発明によるＴＦＴ基板１００の平面図である。図１において、表示領域には走査線１０が横方向に延在し、縦方向に配列している。走査線駆動回路１２は、ＴＦＴ基板１００の左側に形成されており、走査線１０は、この走査線駆動回１２から横方向に延在している。走査線駆動回路１２は、外部から信号を取り込むための走査線駆動回路引き出し線１１が形成されている。図１において、映像信号線２０が縦方向に延在し、横方向に配列している、映像信号線２０からは、ＩＣドライバ４０に向けて映像信号線引き出し線２１が配置されている。

図１における周辺の点線と端部との領域がシール部５０である。図１において、配線の無いところには、図示しない対向基板２００に形成される柱状スペーサ１５０の台座１４０が形成されている。図１においては、シール部５０の内側で、映像信号線２０と走査線１０が無いところ、および、シール部５０の外側で、映像信号線引き出し線２１、走査線駆動回路引き出し線１１の無いところが該当する。図１においては、台座１４０は、シール部５０の内側に2個、シール部５０の外側には４個の群が２箇所形成されているが、これは例であって、一般には、もっと多くの台座１４０が形成される。図１には図示していないが、表示領域にも所定のピッチで台座１４０が形成されている。一般には、表示領域内のほうが、柱状スペーサ１５０の大きさが小さいので、台座１４０の大きさも小さい。ただし、台座１４０のピッチ、大きさ等は、各製品の必要性に応じて異なる。

図２は図１に対してシール材５０を介して対向基板２００を貼り付けた状態である。シール部５０の内側は、台座１４０以外は、図示を省略している。図２において、端子部１２０には、対向基板２００は存在していないので、図１で説明したのと同様な構造となっている。図２において、シール部５０内の台座１４０には図示しない柱状スペーサ１５０が存在しているが、端子部１２０の台座１４０には柱状スペーサ１４０は存在していない。柱状スペーサ１５０は対向基板２００の端子部に対応する部分を除去したときに同時に除去されているからである。

図３は本発明が対象とするＩＰＳの表示領域における断面図である。図３において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００の上にゲート電極１０１が形成されている。ゲート電極１０１は例えば、ＡｌＮｄ合金の上にＭｏＣｒが積層された構成となっている。ゲート電極１０１の上にゲート絶縁膜１０２がＳｉＮをスパッタリングすることによって形成されている。

ゲート絶縁膜１０２の上で、ゲート電極１０１の上方に半導体層１０３が形成されている。半導体層１０３としてＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜が形成される。半導体層１０３の上には、ドレイン電極１０４とソース電極１０５が対向して形成されている。ドレイン電極１０４とソース電極１０５はＭｏＣｒによって同時に形成される。ドレイン電極１０４とソース電極１０５の間がＴＦＴにおけるチャネル層となる。なお、半導体層１０３とドレイン電極１０４あるいはソース電極１０５との間にはオーミックコンタクトをとるために、図示しないｎ＋Ｓｉ層が形成されている。

図３において、ドレイン電極１０４あるいはソース電極１０５を形成した後、画素電極１０６がＩＴＯによって平面ベタで形成されている。画素電極１０６の一部はソース電極１０５と重なっており、画素電極１０６とソース電極１０５の電気的コンタクトを取っている。その後、ドレイン電極１０４、ソース電極１０５、画素電極１０６等を覆って無機パッシベーション膜１０７が形成さる。パッシベーション膜１０７は、ＣＶＤによるＳｉＮによって形成されている。パッシベーション膜１０７は本来ＴＦＴを保護するために形成されるが、図３においては、コモン電極１０８と画素電極１０６の間の絶縁膜の役割を兼ねている。

パッシベーション膜１０７の上には、櫛歯状のコモン電極１０８が形成されている。コモン電極１０８の上には図示しない配向膜が形成され、その上に液晶層が存在している。図３において、ＴはＴＦＴが形成された領域であり、Ｓはソース電極１０５が形成された領域であり、Ｐは画素電極１０６が形成された領域であり、Ｄは映像信号線２０が形成された領域である。

図３において、対向基板２００には、カラーフィルタ２０１とブラックマトリクス２０２が形成され、その上にオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３の上に柱状スペーサ１５０が形成されている。対向基板２００に形成されたブラックマトリクス２０２は柱状スペーサ１５０、対向基板２００に形成された映像信号線２０等を覆っている。なお、オーバーコート膜２０３の上の配向膜は図示を省略している。

図３に示すように、柱状スペーサ１５０によってＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔を維持している。図３においては、柱状スペーサ１５０の当たるところには、ゲート絶縁膜１０２、映像信号線２０、無機パッシベーション膜１０７、コモン電極１０８が存在しているので、これらの膜が台座と同じ役割を有している。

図４は、シール部５０の内側において、配線等の無いところに柱状スペーサ１５０を形成した場合の断面図である。図４の左側は、図３と同様なので、説明を省略する。図４に示すように、シール部５０の内側においても、配線等のないところでは、ＴＦＴ基板１００にはゲート絶縁膜１０２しか存在していなので、柱状スペーサ１５０の先端は、浮いた状態で、ＴＦＴ基板１００のゲート絶縁膜１０２との間にはギャップｇ１が存在していることになる。したがって、柱状スペーサ１５０を形成しても、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間の正確なギャップ形成を行うことは出来ない。

図５は本発明による、シール部５０の内側における柱状スペーサ１５０部分の断面図である。図５において、配線が無い所における柱状スペーサ１５０に対向するＴＦＴ基板１００の部分には、表示領域において柱状スペーサ１５０が形成されている部分と同じ膜構成による台座１４０が形成されている。図５の台座１４０は、ゲート絶縁膜１０２の上に形成され、映像信号線と同層の金属層１１０、無機パッシベーション膜１０７、コモン電極と同層のＩＴＯ１０８によって形成されている。これらの層のうち、金属層１１０，ＩＴＯ１０８は導電膜であるが、これら導電層はフローティングとなっている。

図６は、シール部５０に走査線駆動回路１２用のＴＦＴが形成されている場合に、シール部５０におけるＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を柱状スペーサ１５０で設定している状態を示す断面図である。図６において、柱状スペーサ１５０は、ＴＦＴ基板１００において、図３と同様な膜構造のところに形成されている。図６において、柱状スペーサ１５０が形成されている対向基板２００にブラックマトリクス２０２およびオーバーコート膜２０３が形成されていると、シール材５０の接着力が低下する場合がある。このような場合は、柱状スペーサ１５０が形成されている部分のみに、島状にブラックマトリクス２０２およびオーバーコート膜２０３を形成してもよい。また、図６では、ＴＦＴが１つのみを開示しているが、走査線駆動回路には複数のＴＦＴが形成され、それらＴＦＴ間を接続する配線も種々設けられているが、それら構造について特に限定されるものではない。

このように、本実施例によれば、少なくとも、シール部５０の内側においては、表示領域も周辺領域もＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔を正確に設定することが出来る。したがって、ギャップむら等に起因する輝度むら、色むら等を抑えることが出来る。

液晶表示パネルは、生産性を向上させるために、マザー基板１０００に多数の液晶表示パネル（液晶セル）を形成し、多数の液晶セルを同時に形成する。したがって、マザー基板１０００の状態において、各液晶セルにおけるＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔が正確に設定されていないとそれがそのまま、製品のギャップむらとなって現れる。

図７はこの問題を対策する構成を示す平面模式図である。図７は、多数の液晶セルが形成されたマザー基板１０００である。マザー基板１０００は、多数のＴＦＴ基板１００が形成されたマザーＴＦＴ基板と多数の対向基板２００が形成されたマザー対向基板をマザー基板シール材５００、および、各液晶表示パネルに形成されたシール材５０によって貼り合わせたものである。

図７において、１個のマザー基板１０００に12個の液晶セルが形成されている。各液晶セルの点線は、表示領域と端子部６０の境界を示すが、図７の状態では、まだ、端子部６０に対向する箇所には対向基板２００が向き合った状態である。したがって、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００を所定の間隔に保つためには、端子部６０においても、対向基板２００に形成された柱状スペーサ１５０、ＴＦＴ基板１００に形成された台座１４０が必要である。なお、図７の各液晶セルの端子部６０において、映像信号線引出し線２１が記載されている。また、ＩＣドライバの位置を点線で示しているが、マザー基板の状態では、ＩＣドライバは搭載されていない。

図７において、各液晶セルが形成されていない部分にも、ＴＦＴ基板１００において柱状スペーサ１５０のための台座１４０、および、対向基板２００において、図示しない柱状スペーサ１５０が形成されている。これによって、マザー基板１０００全体において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔を均一にすることができるので、各液晶セルにおいて、間隔を一定にすることが出来る。図７において、マザー基板１０００の周辺全体にマザー基板シール材５００が形成され、マザー基板１０００の内部を機密に保っている。マザー基板１０００の内部を気密にするのは、マザー基板形成後、基板の外側を研磨してＴＦＴ基板１００あるいは対向基板２００を薄くする場合があるからである。

図８は、図７に示す液晶セル以外の場所に柱状スペーサ１５０を形成した場合の断面図である。図８において、液晶セルの外部において、対向基板２００には膜は形成されておらず、ＴＦＴ基板１００にはゲート絶縁膜１０２のみ形成されているとしている。このような、構造においては、対向基板２００に柱状スペーサ１５０を形成しても、ギャップｇ２が形成され、柱状スペーサ１５０では、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を規定していることにならない。すなわち、図８の状態では、外部から圧力が加わった場合等には、ＴＦＴ基板１００あるいは対向基板２００が変形し、対向基板２００とＴＦＴ基板１００との間隔を一定に保つことが出来ない。

図９は、図８と同様な位置における柱状スペーサ１５０に対してＴＦＴ基板１００に台座１４０を形成した状態を示している。該台座１４０は、ゲート絶縁膜１０２の上に形成された映像信号線と同層の金属層１１０、無機パッシベーション膜１０７、コモン電極と同層のＩＴＯ１０８の３層によって形成されている。この場合の導電膜である金属層１１０とＩＴＯ１０８とはフローティングとなっている。この膜構成は、表示領域における柱状スペーサ１５０がＴＦＴ基板１００と対向している部分の膜構造と同様である。しかしこの場合も、表示領域に比べると、ブラックマトリクス２０２とオーバーコート膜２０３とが形成されていないため、柱状スペーサ１５０と台座１４０との間に間隔ｇ３が形成されており、表示領域における間隔と正確に同一にすることは出来ない。

図１０は、図８と同様な位置における柱状スペーサ１５０に対してＴＦＴ基板１００に台座１４０を形成した状態を示している。台座１４０の構造は図９と同様である。図１０が図９と異なるところは、対向基板２００にもブラックマトリクス２０２とオーバーコート膜２０３からなる柱状スペーサ下地台座１４０が形成されていることである。図１０に示す表示領域での対向基板２００に形成されたブラックマトリクス２０２とオーバーコート膜２０３と同じ構造の積層膜の上に柱状スペーサ１５０が形成されている。

したがって、図１０の構成であれば、表示領域と、図７に示す端子部６０、液晶セルが形成されていない部分の対向基板２００とＴＦＴ基板１００との間隔を確実に同一とすることが出来き、液晶セルにおける液晶層３００が存在する部分においても、ギャップむらを生ずることは無い。

このように、本実施例によれば、マザー基板１０００全体において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔を一定に保つことができる。

本実施例は、表示領域において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を保つための柱状スペーサ１５０をＴＦＴの上に形成した例である。図１１において、表示領域においては、対向基板２００に形成された柱状スペーサ１５０は、ＴＦＴ基板１００に形成されたＴＦＴの上方において、接している。この場合、図１におけるシール部５０内における台座１４０の構成は対向基板２００において下からゲート電極１０１、ゲート絶縁膜１０２、ａ‐Ｓｉ膜１０３、ソース・ドレイン層１０５、無機パッシベーション膜１０７、コモン電極１０８を構成するＩＴＯである。そこで、図１１の右側に示す台座１４０も同じ層構造を有する台座１４０となっている。ここで、図１１の右側の図における台座１４０でのゲート電極１０１、ソース・ドレイン電極１０５、ＩＴＯ１０８が導電膜である。これらの導電膜はフローティングである。

図１２は本実施例に対応する、シール部５０における断面図である。図１２において、柱状スペーサ１５０は、シール材５０の内部に存在している。柱状スペーサ１５０は走査線駆動回路１２を構成するＴＦＴの上方において、ＴＦＴ基板１００に形成されたコモン電極１０８上に形成された配向膜に接している。すなわち、図１２における柱状スペーサ１５０が接する部分のＴＦＴ基板１００側の層構造は、表示領域とシール部５０とで同様である。

図示しないが、図７に示すような、液晶セルの端子部６０に形成される台座１４０、液晶セルが形成されていない部分に形成される台座１４０の層構造も図１１あるいは図１２に示すような層構造、すなわち、ゲート電極１０１、ゲート絶縁膜１０２、ａ‐Ｓｉ膜１０３、ソース・ドレイン層１０５、無機パッシベーション膜１０７、コモン電極１０８を構成するＩＴＯとから構成される。そして、導電膜であるゲート電極１０１、ソース・ドレイン電極１０４、１０５、ＩＴＯ１０８はフローティングである。

このように、本発明においては、表示領域以外に形成する柱状スペーサ１５０の台座１４０は、表示領域における柱状スペーサ１５０が接するＴＦＴ基板側の層構造と同一としているので、液晶表示パネルの表示領域と他の領域との間隔を均一にすることが出来、輝度むら、色むら等の発生を防止することが出来る。

なお、実施例では、映像信号線２０の上方、または、ＴＦＴの上方において柱状スペーサ１５０がＴＦＴ基板１００に接するという構成であるが、これに限らず、表示領域の他の場所において、ＴＦＴ基板１００に接する場合であっても、液晶表示パネルの表示領域以外において、柱状スペーサ１５０が接する台座１４０として、表示領域と同じ層構造の台座１４０を形成すればよい。

また、本発明の台座１４０は、ＴＦＴ基板１００の表示領域の形成プロセスと同時に、あるいは対向基板２００の表示領域の形成プロセスと同時に形成することが出来るので、製造コストの上昇を伴うことは無い。

また、上述の各実施例では、端子部と液晶セルが設けられない領域とに設けられる台座を、表示領域に設けられる台座と同様の構成とすることを開示してきたが、それに限定されるものではない。例えば、各層の膜厚とギャップ形成の尤度とを考慮し、台座として使用している映像信号線と同層の金属層に代えて、走査線と同層の金属層を用いることも可能である。また、コモン電極と同層のＩＴＯに代えて、画素電極と同層のＩＴＯを用いることも可能である。また、柱状スペーサの下地台座として、ブラックマトリクス、或いは、オーバーコート層に代えて、カラーフィルタ層を用いることも可能である。また、台座の導電層をフローティングとしているが、他の導電層と接続させ、台座の導電層の全て、或いは、一部に何かしらの電位が印加される構成であってもよい。

また、上述の実施例では、ａ−Ｓｉによって走査線駆動回路が形成された構成を開示しているが、ポリシリコンによって画素と走査線駆動回路とを形成したものであってもよく、走査線駆動回路がシール下に形成されていないものであっても、本願発明の思想を逸脱しない範囲で適用することが可能である。

また、以上の説明では、ＩＰＳ方式の液晶表示装置を例にとって説明したが、本発明は、これに限らず、ＴＮ方式やＶＡ方式の他の方式の液晶表示装置であって、液晶表示パネルに平坦化膜としても使用される有機パッシベーション膜を有さない液晶表示装置に対しても適用することが出来る。また、液晶表示装置に限らず、ＴＦＴ基板と対向基板とに対応するガラス基板対を所定の間隙で保持する表示装置、例えば、有機ＥＬ表示装置や、機械的な駆動機構を用いて光の透過を制御するようなＭＥＭＳ型の表示装置であっても本願発明を適用することができる。

１０…走査線、 １１…走査線引き出し線、 １２…走査線駆動回路、 ２０…映像信号線、２１…映像信号線引き出し線、４０…ＩＣドライバ、５０…シール部、シール材、６０…端子部、 １００…ＴＦＴ基板、 １０１…ゲート電極、 １０２…ゲート絶縁膜、 １０３…半導体層、 １０４…ドレイン電極、 １０５…ソース電極、 １０６…画素電極、 １０７…パッシベーション膜、 １０８…コモン電極、 １１０…金属層、 １２０…端子部、 １４０…台座、 １５０…柱状スペーサ、 ２００…対向基板、 ２０１…カラーフィルタ、 ２０２…ブラックマトリクス、 ２０３…オーバーコート膜、 ３００…液晶層、 ４００…液晶セル、 ５００…マザー基板シール材、 １０００…マザー基板

Claims (5)

1. 液晶表示パネルが複数形成された第１の領域と、前記第１の領域を囲み前記液晶表示パネルが形成されていない第２の領域を有し、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板からなるマザー基板であって、
   前記液晶表示パネル内の表示領域において、ＴＦＴ基板と対向基板の間隔は第１の柱状スペーサと前記第１の柱状スペーサの先端と接する第１の台座によって規定され、
   前記第２の領域には、前記第１の領域に形成された複数の液晶表示パネルを共通に囲むように複数の第２の柱状スペーサが形成され、かつ、前記第１の領域および前記複数の前記第２の柱状スペーサを囲むようにマザー基板シール材が形成され、
   前記マザー対向基板と前記マザーＴＦＴ基板の前記第２の領域における間隔は前記第２の柱状スペーサと前記第２の柱状スペーサの先端と接する第２の台座によって規定され、
   前記第１の台座と前記第２の台座は同じ層構造を有しており、
   前記第２の台座における導電膜はフロートであり、
   前記マザー基板シール材の内部は気密に保たれていることを特徴とするマザー基板。
2. 前記第１の柱状スペーサは第１の台座の上に形成され、前記第２の柱状スペーサは第２の台座の上に形成され、前記第１の台座と前記第２の台座は同じ層構造を有していることを特徴とする請求項１に記載のマザー基板。
3. 前記第２の台座は島状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のマザー基板。
4. 前記第２の台座は島状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のマザー基板。
5. 前記第１の台座と前記第２の台座は前記マザーＴＦＴ基板側に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに１項に記載のマザー基板。

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