JP5869080B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、発光素子及びそれを備える照明システムに関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、電気エネルギーを光に変換する半導体素子の一種である
。発光ダイオードは蛍光灯、白熱灯など既存の光源に比べ低消費電力、半永久的な寿命、
速い応答速度、安全性、環境に優しい所などの長所を有している。この点から既存の光源
を発光ダイオードに代わりにするための多くの研究が進められており、発光ダイオードは
実内外で使用される各種ランプ、液晶表示装置、電光板、街灯などの照明装置の光源とし
てその使用が増加されている趨勢である。
。発光ダイオードは蛍光灯、白熱灯など既存の光源に比べ低消費電力、半永久的な寿命、
速い応答速度、安全性、環境に優しい所などの長所を有している。この点から既存の光源
を発光ダイオードに代わりにするための多くの研究が進められており、発光ダイオードは
実内外で使用される各種ランプ、液晶表示装置、電光板、街灯などの照明装置の光源とし
てその使用が増加されている趨勢である。
本発明の実施形態は、新たなタイプの発光素子及びそれを備える照明システムを提供す
る。
る。
本発明の実施形態は、複数の金属層を支持する絶縁フィルムと前記複数の金属層に電気
的に接続される発光チップを含む発光素子及びそれを備える照明システムを提供する。
的に接続される発光チップを含む発光素子及びそれを備える照明システムを提供する。
本発明の実施形態は、発光チップの縁に樹脂層及び樹脂層の縁にガイド部材を配置する
発光素子及びそれを備える照明システムを提供する。
発光素子及びそれを備える照明システムを提供する。
本発明の実施形態による発光素子は、互いに離隔される複層の金属層と、前記複数の金
属層の一部が開放されるオープン領域を有し前記複数の金属層の上面に配置される第１絶
縁フィルムと、前記複数の金属層のうち何れか一つの上に配置される発光チップと、前記
複数の金属層と前記発光チップの上に配置される樹脂層と、前記第１絶縁フィルムの上に
非金属材質の第１ガイド部材を含む。
属層の一部が開放されるオープン領域を有し前記複数の金属層の上面に配置される第１絶
縁フィルムと、前記複数の金属層のうち何れか一つの上に配置される発光チップと、前記
複数の金属層と前記発光チップの上に配置される樹脂層と、前記第１絶縁フィルムの上に
非金属材質の第１ガイド部材を含む。
本発明の実施形態において、前記複数の金属層は第１及び第２金属層を含め、前記発光
チップは第１金属層の上に配置され、前記第１及び第２金属層とワイヤで接続される。
チップは第１金属層の上に配置され、前記第１及び第２金属層とワイヤで接続される。
本発明の実施形態において、前記複数の金属層は第１金属層、第２金属層及び前記第１
金属層と前記第２金属層の間に第３金属層を含め、前記発光チップは第３金属層の上に配
置され、前記第１金属層と前記第２金属層にワイヤで接続される。
金属層と前記第２金属層の間に第３金属層を含め、前記発光チップは第３金属層の上に配
置され、前記第１金属層と前記第２金属層にワイヤで接続される。
本発明の実施形態において、前記複数の金属層の間に対応されて、前記複数の金属層の
上面に前記複数の金属層の間の間隔より広い幅を有する第２絶縁フィルムを含む。
上面に前記複数の金属層の間の間隔より広い幅を有する第２絶縁フィルムを含む。
本発明の実施形態において、前記複数の金属層の間に対応されて、前記複数の金属層の
下面に前記複数の金属層の間の間隔より広い幅を有する第３絶縁フィルムを含む。
下面に前記複数の金属層の間の間隔より広い幅を有する第３絶縁フィルムを含む。
本発明の実施形態において、前記複数の金属層の間に絶縁性接着物質を含む。
本発明の実施形態において、前記第１ガイド部材は樹脂物質を含む。
本発明の実施形態において、前記第２絶縁フィルムの上に第２ガイド部材を含め、前記
第１絶縁フィルムと前記第２絶縁フィルムは互いに接続され、前記第１ガイド部材と前記
第２ガイド部材は互いに接続される。
第１絶縁フィルムと前記第２絶縁フィルムは互いに接続され、前記第１ガイド部材と前記
第２ガイド部材は互いに接続される。
本発明の実施形態において、前記発光チップと前記第１絶縁フィルム及び第２絶縁フィ
ルムの間に第３絶縁フィルムを含む。
ルムの間に第３絶縁フィルムを含む。
本発明の実施形態において、前記発光チップと前記第１絶縁フィルム及び第２絶縁フィ
ルムの間に第３ガイド部材を含む。
ルムの間に第３ガイド部材を含む。
本発明の実施形態において、前記複数の金属層と前記第１絶縁フィルムの間に接着層を
含む。
含む。
本発明の実施形態において、前記第１及び第２ガイド部材の一部は前記複数の金属層の
うち何れか一つに接触される。
うち何れか一つに接触される。
本発明の実施形態において、前記第１ガイド部材の一部は前記第１絶縁フィルムより前
記発光チップに近くに配置される。
記発光チップに近くに配置される。
本発明の実施形態において、前記第１絶縁フィルムはＰＩ（ポリイミド）フィルム、Ｐ
ＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）フ
ィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、ＴＡＣ（トリアセチルセルロー
ス）フィルム、ＰＡＩ（ポリアミド−イミド）、ＰＥＥＫ（ポリエーテル−エーテル−ケ
トン）、パーフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、
樹脂フィルムのうち少なくとも一つを含む。
ＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）フ
ィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、ＴＡＣ（トリアセチルセルロー
ス）フィルム、ＰＡＩ（ポリアミド−イミド）、ＰＥＥＫ（ポリエーテル−エーテル−ケ
トン）、パーフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、
樹脂フィルムのうち少なくとも一つを含む。
本発明の実施形態において、前記第１ガイド部材は半田レジスト、二酸化チタニウム（
ＴｉＯ２）を有する樹脂材質、ガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ）を有する樹脂材質
、及び高分子物質のうち少なくとも一つを含む。
ＴｉＯ２）を有する樹脂材質、ガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ）を有する樹脂材質
、及び高分子物質のうち少なくとも一つを含む。
本発明の実施形態は、テープ型またはフィルム型の発光素子を提供することができる。
本発明の実施形態は、パッケージ本体を用いなくて絶縁フィルムを介して金属層を支持
する発光素子を提供することができる。
する発光素子を提供することができる。
本発明の実施形態は、発光素子の製造工程を改善させることができる。
本発明の実施形態は、発光素子の厚さを減らすことができる。
実施形態は、発光素子の光抽出効率を改善させることができる。
本発明の実施形態は、発光素子の信頼性を改善させることができる。
本発明の実施形態は、発光素子の小型化及び集積化を改善させることができる。
本発明の実施形態は、発光素子及びそれを備える照明システムにおいての放熱効率を改
善させることができる。
善させることができる。
実施形態の説明に当たって、各層（膜）、領域、パターン又は構造物が基板、各層（膜
）、領域、パッド又はパターンの「上（ｏｎ）」に又は「下（ｕｎｄｅｒ）」に形成され
ると記載される場合、「上（ｏｎ）」と「下（ｕｎｄｅｒ）」は、「直接（ｄｉｒｅｃｔ
ｌｙ）」又は「他の層を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成されることをすべて含
む。また、各層の「上」又は「下」に対する基準は、図面を基準として説明する。
）、領域、パッド又はパターンの「上（ｏｎ）」に又は「下（ｕｎｄｅｒ）」に形成され
ると記載される場合、「上（ｏｎ）」と「下（ｕｎｄｅｒ）」は、「直接（ｄｉｒｅｃｔ
ｌｙ）」又は「他の層を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成されることをすべて含
む。また、各層の「上」又は「下」に対する基準は、図面を基準として説明する。
図において各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、又は概
略的に示された。また、各構成要素の大きさは、実際の大きさを全的に反映するのではな
い。
略的に示された。また、各構成要素の大きさは、実際の大きさを全的に反映するのではな
い。
以下、添付された図面を参照して、説明する。
図１は、発光素子を示す斜視図で、図２は、図１に示すＡ−Ａから見た側断面図である
。
。
図１及び図２を参照すると、発光素子１００は複数の金属層１１、１３と、前記金属層
１１、１３の上に絶縁フィルム２０（２０、２３）と、前記複数の金属層１１、１３のう
ち第１金属層１１の上に配置される発光チップ４１と、前記絶縁フィルム２１の上にガイ
ド部材３１、及び前記金属層１１、１３の上に前記発光チップ４１をカバーする樹脂層６
１を含む。
１１、１３の上に絶縁フィルム２０（２０、２３）と、前記複数の金属層１１、１３のう
ち第１金属層１１の上に配置される発光チップ４１と、前記絶縁フィルム２１の上にガイ
ド部材３１、及び前記金属層１１、１３の上に前記発光チップ４１をカバーする樹脂層６
１を含む。
前記金属層１１、１３は少なくとも２個を含め、少なくとも２個の金属層１１、１３は
互いに離隔されて電気的にオープンされるか物理的に離隔される構造で配置される。前記
金属層１１、１３は好ましくはリードフレームのような金属プレートで形成されることが
できる。
互いに離隔されて電気的にオープンされるか物理的に離隔される構造で配置される。前記
金属層１１、１３は好ましくはリードフレームのような金属プレートで形成されることが
できる。
前記複数の金属層１１、１３の下面Ｓ３は互いに同一平面上に配置され、すべての側面
Ｓ１は露出される。前記金属層１１、１３の露出される下面Ｓ３と側面Ｓ１を介して放熱
効率は改善されることができる。前記複数の金属層１１、１３のうち少なくとも２個は電
極として用いることができる。
Ｓ１は露出される。前記金属層１１、１３の露出される下面Ｓ３と側面Ｓ１を介して放熱
効率は改善されることができる。前記複数の金属層１１、１３のうち少なくとも２個は電
極として用いることができる。
前記複数の金属層１１、１３は鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、Ｆｅ−Ｎｉのように鉄（Ｆｅ
）を含む合金（ａｌｌｏｙ）、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムを含む合金、ま
たはＣｕ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ｍｇ−Ｓｎのように銅（Ｃｕ）を含む合金で形成されることがで
きる。また前記金属層１１、１３は単層または多層に形成されることができる。前記金属
層１１、１３はＦｅまたはＣｕの材質であり、その上面または／及び下面にはアルミニウ
ム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）のような反射層またはボンディング層が形成される
ことができる。
）を含む合金（ａｌｌｏｙ）、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムを含む合金、ま
たはＣｕ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ｍｇ−Ｓｎのように銅（Ｃｕ）を含む合金で形成されることがで
きる。また前記金属層１１、１３は単層または多層に形成されることができる。前記金属
層１１、１３はＦｅまたはＣｕの材質であり、その上面または／及び下面にはアルミニウ
ム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）のような反射層またはボンディング層が形成される
ことができる。
前記金属層１１、１３がリードフレームで形成される場合、機械的な強度が強く、熱伝
導性が大きく、熱膨張係数が大きく、加工性が良好であり、曲げ動作を繰り返すときの損
失がほぼなく、メッキと半田付けが容易であるという特性がある。
導性が大きく、熱膨張係数が大きく、加工性が良好であり、曲げ動作を繰り返すときの損
失がほぼなく、メッキと半田付けが容易であるという特性がある。
前記金属層１１、１３の厚さは実質的に１５μｍ〜３００μｍの厚さで形成されること
ができ、この厚さは好ましくは１５μｍ〜５０μｍの範囲に形成されることができて、発
光素子全体を支持する支持フレームとして働き、また発光チップ４１から生じる熱を伝導
する放熱部材として動作することができる。前記金属層の外枠領域は第１方向Ｙの長さＹ
１と、第１方向Ｙと直交する第２方向Ｘの長さＸ１が発光素子の大きさに応じて異なるこ
とができる。
ができ、この厚さは好ましくは１５μｍ〜５０μｍの範囲に形成されることができて、発
光素子全体を支持する支持フレームとして働き、また発光チップ４１から生じる熱を伝導
する放熱部材として動作することができる。前記金属層の外枠領域は第１方向Ｙの長さＹ
１と、第１方向Ｙと直交する第２方向Ｘの長さＸ１が発光素子の大きさに応じて異なるこ
とができる。
発光素子１００は、別途の本体、例えば、ＰＰＡ（Ｐｏｌｙｐｈｔａｌａｍｉｄｅ）の
ような樹脂系の本体が不要である。これによって、前記金属層１１、１３と本体を結合す
る射出、成形工程が除去されることができる。前記金属層１１、１３の一部をフレキシブ
ルな曲面形状に使用するか、予め定められた角度に曲げて使用することができ、これに対
して限定するものではない。
ような樹脂系の本体が不要である。これによって、前記金属層１１、１３と本体を結合す
る射出、成形工程が除去されることができる。前記金属層１１、１３の一部をフレキシブ
ルな曲面形状に使用するか、予め定められた角度に曲げて使用することができ、これに対
して限定するものではない。
以下、第１実施形態の説明のために前記金属層１１、１３は第１金属層１１と第２金属
層１３が配置される構造で説明する。前記第１金属層１１と第２金属層１３の下面Ｓ３は
同一平面上に配置されて、ボード（ＰＣＢ）または放熱プレート上に半田でボンディング
される面になることができる。
層１３が配置される構造で説明する。前記第１金属層１１と第２金属層１３の下面Ｓ３は
同一平面上に配置されて、ボード（ＰＣＢ）または放熱プレート上に半田でボンディング
される面になることができる。
前記第１金属層１１と前記第２金属層１３との間には分離部１７が配置され、前記分離
部１７は前記第１金属層１１と前記第２金属層１３との間を物理的に離隔させる。前記分
離部１７は直線、曲線、折曲されるライン形状のうち選択的に形成されることができ、前
記ライン形状の幅または形態は前記第１金属層１１と第２金属層１３の形状や大きさに応
じて異なることができる。前記分離部１７は一つの金属フレームを第１金属層１１と第２
金属層１３に分離し、前記分離部１７の幅及び位置に従って前記第１金属層１１と第２金
属層１３の形状や大きさが異なることができる。
部１７は前記第１金属層１１と前記第２金属層１３との間を物理的に離隔させる。前記分
離部１７は直線、曲線、折曲されるライン形状のうち選択的に形成されることができ、前
記ライン形状の幅または形態は前記第１金属層１１と第２金属層１３の形状や大きさに応
じて異なることができる。前記分離部１７は一つの金属フレームを第１金属層１１と第２
金属層１３に分離し、前記分離部１７の幅及び位置に従って前記第１金属層１１と第２金
属層１３の形状や大きさが異なることができる。
前記第１金属層１１と前記第２金属層１３との間の間隔Ｇ１は１０μｍ以上離隔される
ことができ、この間隔は前記分離部１７の幅であって、二つの金属層１１、１３間の短絡
や電気的な干渉を防止することができる距離である。前記分離部１７は空いている領域で
あるか、絶縁性物質で埋められもよく、これに対して限定するものではない。
ことができ、この間隔は前記分離部１７の幅であって、二つの金属層１１、１３間の短絡
や電気的な干渉を防止することができる距離である。前記分離部１７は空いている領域で
あるか、絶縁性物質で埋められもよく、これに対して限定するものではない。
前記第１金属層１１または前記第２金属層１３は、カッティング工程によって円形状、
多角形状、または半球形状のように多様な形状に形成されることができる。
多角形状、または半球形状のように多様な形状に形成されることができる。
前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の表面には、酸化防止コーティング層を形成
することができ、前記酸化防止コーティング層は前記第１金属層１１及び前記第２金属層
１３の表面が変質されることを防止する。
することができ、前記酸化防止コーティング層は前記第１金属層１１及び前記第２金属層
１３の表面が変質されることを防止する。
前記第１金属層１１及び前記第２金属層１１、１３の上には、絶縁フィルム２１、２３
が配置され、前記絶縁フィルム２１、２３は前記第１金属層１１または／及び前記第２金
属層１３の縁に形成されることができる。
が配置され、前記絶縁フィルム２１、２３は前記第１金属層１１または／及び前記第２金
属層１３の縁に形成されることができる。
前記絶縁フィルム２１、２３は前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の上面に付着
され、前記第１金属層１１と前記第２金属層１３を支持する。前記絶縁フィルム２１、２
３は複数の金属層１１、１３の上面に付着されて金属層を支持し、実際的に本体のような
機能を働く。
され、前記第１金属層１１と前記第２金属層１３を支持する。前記絶縁フィルム２１、２
３は複数の金属層１１、１３の上面に付着されて金属層を支持し、実際的に本体のような
機能を働く。
前記絶縁フィルム２１、２３は透光性または非透光性フィルムを含め、例えば、ＰＩ（
ポリイミド）フィルム、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＥＶＡ（エチ
レンビニルアセテート）フィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、ＴＡ
Ｃ（トリアセチルセルロース）フィルム、ＰＡＩ（ポリアミド−イミド）、ＰＥＥＫ（ポ
リエーテル−エーテル−ケトン）、パーフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、ポリフェニレン
サルファイド（ＰＰＳ）、樹脂フィル（ＰＥ、ＰＰ、ＰＥＴ）などを含むことができる。
ポリイミド）フィルム、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＥＶＡ（エチ
レンビニルアセテート）フィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、ＴＡ
Ｃ（トリアセチルセルロース）フィルム、ＰＡＩ（ポリアミド−イミド）、ＰＥＥＫ（ポ
リエーテル−エーテル−ケトン）、パーフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、ポリフェニレン
サルファイド（ＰＰＳ）、樹脂フィル（ＰＥ、ＰＰ、ＰＥＴ）などを含むことができる。
前記絶縁フィルム２１、２３と前記金属層１１、１３の間には接着層が形成されること
ができ、この接着層は絶縁フィルム２１、２３を前記金属層１１、１３に付着することが
できる。また、前記絶縁フィルム２１、２３は両面または断面接着テープで形成されるこ
とができる。
ができ、この接着層は絶縁フィルム２１、２３を前記金属層１１、１３に付着することが
できる。また、前記絶縁フィルム２１、２３は両面または断面接着テープで形成されるこ
とができる。
前記絶縁フィルム２１、２３の材質は所定の反射率、例えば、３０％以上の反射率を有
することができ、このような反射特性は発光素子内部においての表面反射効率を改善させ
ることができる。
することができ、このような反射特性は発光素子内部においての表面反射効率を改善させ
ることができる。
また、前記絶縁フィルム２１、２３は光学的な機能を含むことができる。ここで、前記
光学的機能は５０％以上の透過率を有する透光性フィルムを含め、好ましくは７０％以上
の透光性フィルムを含む。前記絶縁フィルム２１、２３は蛍光体を含むことができ、前記
蛍光体は前記絶縁フィルム２１、２３の上面または下面に塗布されるか、内部に添加され
ることができる。前記蛍光体の種類はＹＡＧ系、シリケート系、室化物系の蛍光体のうち
少なくとも一つを含むことができ、その発光波長は赤色、黄色、緑色などのような可視光
線系を含むことができる。また前記絶縁フィルム２１、２３は蛍光体フィルムで具現され
ることができ、前記蛍光体フィルムは前記発光チップ４１から放出される光を吸収して他
の波長の光を発光する。
光学的機能は５０％以上の透過率を有する透光性フィルムを含め、好ましくは７０％以上
の透光性フィルムを含む。前記絶縁フィルム２１、２３は蛍光体を含むことができ、前記
蛍光体は前記絶縁フィルム２１、２３の上面または下面に塗布されるか、内部に添加され
ることができる。前記蛍光体の種類はＹＡＧ系、シリケート系、室化物系の蛍光体のうち
少なくとも一つを含むことができ、その発光波長は赤色、黄色、緑色などのような可視光
線系を含むことができる。また前記絶縁フィルム２１、２３は蛍光体フィルムで具現され
ることができ、前記蛍光体フィルムは前記発光チップ４１から放出される光を吸収して他
の波長の光を発光する。
また前記絶縁フィルム２１、２３は耐湿性フィルムを含むことができ、この耐湿性フィ
ルムは湿気が浸透することを抑制し、第１金属層１１と第２金属層１３の酸化防止及び短
絡を防止することができる。
ルムは湿気が浸透することを抑制し、第１金属層１１と第２金属層１３の酸化防止及び短
絡を防止することができる。
前記絶縁フィルム２１、２３は上面、下面、または側面の一部が所定の凹凸構造で形成
されることができ、これに対して限定するものではない。
されることができ、これに対して限定するものではない。
前記絶縁フィルム２１、２３の厚さは前記金属層１１、１３の厚さ以上に形成されるこ
とができ、例えば、３０μｍ〜５００μｍの厚さに形成されることができ、好ましくは４
０μｍ〜６０μｍの厚さに形成されることができる。
とができ、例えば、３０μｍ〜５００μｍの厚さに形成されることができ、好ましくは４
０μｍ〜６０μｍの厚さに形成されることができる。
前記絶縁フィルム２１、２３は２個の金属層１１、１３の上面領域の縁に形成される第
１絶縁フィルム２１と、前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の境界領域の上面に形
成される第２絶縁フィルム２３で区分されることができる。前記第２絶縁フィルム２３は
前記第１絶縁フィルム２１の一部として、前記第１絶縁フィルム２１と一体に接続される
。前記第１絶縁フィルム２１と前記第２絶縁フィルム２３は同一物質であって、一つのフ
ィルムで形成されることができる。
１絶縁フィルム２１と、前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の境界領域の上面に形
成される第２絶縁フィルム２３で区分されることができる。前記第２絶縁フィルム２３は
前記第１絶縁フィルム２１の一部として、前記第１絶縁フィルム２１と一体に接続される
。前記第１絶縁フィルム２１と前記第２絶縁フィルム２３は同一物質であって、一つのフ
ィルムで形成されることができる。
前記第１絶縁フィルム２１の幅Ｗ１は一定の幅に形成されるか、一部が異なる幅に形成
されることができる。前記第１絶縁フィルム２１の幅Ｗ１は少なくとも数十μｍ以上に形
成されることができる。前記第１絶縁フィルム２３の幅Ｗ２は一定の幅に形成されるか、
一部が異なる幅に形成されることができる。前記第２絶縁フィルム２３の幅Ｗ２は前記金
属層１１、１３間の間隔Ｇ１より広い幅に形成されることができ、例えば２０μｍ以上に
形成されることができる。前記第１絶縁フィルム２１の幅Ｗ１と前記第２絶縁フィルム２
３の幅Ｗ２は同じであるか異なることができる。前記第２絶縁フィルム２３は二つの金属
層１１、１３を支持するために、少なくとも２０μｍ以上の幅に形成されることができる
。
されることができる。前記第１絶縁フィルム２１の幅Ｗ１は少なくとも数十μｍ以上に形
成されることができる。前記第１絶縁フィルム２３の幅Ｗ２は一定の幅に形成されるか、
一部が異なる幅に形成されることができる。前記第２絶縁フィルム２３の幅Ｗ２は前記金
属層１１、１３間の間隔Ｇ１より広い幅に形成されることができ、例えば２０μｍ以上に
形成されることができる。前記第１絶縁フィルム２１の幅Ｗ１と前記第２絶縁フィルム２
３の幅Ｗ２は同じであるか異なることができる。前記第２絶縁フィルム２３は二つの金属
層１１、１３を支持するために、少なくとも２０μｍ以上の幅に形成されることができる
。
前記第２絶縁フィルム２３は第１金属層１１と第２金属層１３との間に対応され、前記
第１金属層１１と前記第２金属層１３の上面に前記金属層１１、１３間の間隔より広い幅
に形成されることができる。
第１金属層１１と前記第２金属層１３の上面に前記金属層１１、１３間の間隔より広い幅
に形成されることができる。
前記絶縁フィルム２１、２３の外側面は前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の側
面と同一平面上に配置されるか、前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の側面より内
側に配置されることができる。
面と同一平面上に配置されるか、前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の側面より内
側に配置されることができる。
また前記第１絶縁フィルム２１は連続的または不連続的に形成されることができ、前記
連続的なフィルム構造は一つのフィルムであり、不連続的なフィルム構造は複数のフィル
ム構造で定義されることができる。
連続的なフィルム構造は一つのフィルムであり、不連続的なフィルム構造は複数のフィル
ム構造で定義されることができる。
前記絶縁フィルム２１、２３にはオープン（開口）領域Ａ１、Ａ２を含むことができ、
前記オープン領域Ａ１、Ａ２は孔であるか開放される領域であって、前記絶縁フィルム２
１、２３の内側を介して第１金属層１１または／及び第２金属層１３の上面が露出される
領域である。
前記オープン領域Ａ１、Ａ２は孔であるか開放される領域であって、前記絶縁フィルム２
１、２３の内側を介して第１金属層１１または／及び第２金属層１３の上面が露出される
領域である。
前記オープン領域Ａ１、Ａ２は前記第１金属層１１の上面一部が露出される第１オープ
ン領域Ａ１と、第２金属層１３の上面一部が露出される第２オープン領域Ａ２を含め、前
記第１オープン領域Ａ１の大きさ及び形状は前記第２オープン領域Ａ２の大きさ及び形状
と同じであるか異なることができる。実施形態は２個の金属層１１、１３である場合、２
個のオープン領域Ａ１、Ａ２に対して説明しており、金属層１１、１３の個数が３個以上
である場合オープン領域の個数も増加されることができる。前記オープン領域Ａ１、Ａ２
の大きさ及び形状は前記絶縁フィルム２１、２３の幅及び形状に応じて異なることができ
る。
ン領域Ａ１と、第２金属層１３の上面一部が露出される第２オープン領域Ａ２を含め、前
記第１オープン領域Ａ１の大きさ及び形状は前記第２オープン領域Ａ２の大きさ及び形状
と同じであるか異なることができる。実施形態は２個の金属層１１、１３である場合、２
個のオープン領域Ａ１、Ａ２に対して説明しており、金属層１１、１３の個数が３個以上
である場合オープン領域の個数も増加されることができる。前記オープン領域Ａ１、Ａ２
の大きさ及び形状は前記絶縁フィルム２１、２３の幅及び形状に応じて異なることができ
る。
前記複数のオープン領域Ａ１、Ａ２のうち何れか一つ例えば、第２オープン領域Ａ２は
最小６０μｍの幅を有して形成されることができる。前記第２オープン領域Ａ２は幅が狭
い場合第２ワイヤ５２のボンディングに妨害を与えるので、少なくとも６０μｍの幅に形
成されることができる。前記第１オープン領域Ａ１は発光チップ４１が搭載される程度の
幅に形成されることができ、前記第２オープン領域Ａ２の幅より広い幅に形成されること
ができる。ここで、前記第１オープン領域Ａ１は発光チップ４１が搭載される領域、前記
第２オープン領域Ａ２は第２ワイヤ５２がボンディングされる領域として説明したが、こ
の逆に配置されてもよく、これに対して限定するものではない。
最小６０μｍの幅を有して形成されることができる。前記第２オープン領域Ａ２は幅が狭
い場合第２ワイヤ５２のボンディングに妨害を与えるので、少なくとも６０μｍの幅に形
成されることができる。前記第１オープン領域Ａ１は発光チップ４１が搭載される程度の
幅に形成されることができ、前記第２オープン領域Ａ２の幅より広い幅に形成されること
ができる。ここで、前記第１オープン領域Ａ１は発光チップ４１が搭載される領域、前記
第２オープン領域Ａ２は第２ワイヤ５２がボンディングされる領域として説明したが、こ
の逆に配置されてもよく、これに対して限定するものではない。
前記ガイド部材３１は前記第１絶縁フィルム２１の上に形成されることができ、その材
質は樹脂材質、非金属材質または金属材質で形成されることができる。前記ガイド部材３
１は反射部材または／及び樹脂材質の溢れを防止するためのダム部材として定義されるこ
とができる。
質は樹脂材質、非金属材質または金属材質で形成されることができる。前記ガイド部材３
１は反射部材または／及び樹脂材質の溢れを防止するためのダム部材として定義されるこ
とができる。
前記ガイド部材３１は半田レジスト（ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）のような樹脂材質
であるか、半田ペースト（ｓｏｌｄｅｒ ｐａｓｔｅ）のような伝導性材料を用いること
ができる。前記半田レジストのカラーとしては例えば白色を用いることができ、このカラ
ーは入射される光を効果的に反射させることができる。また前記ガイド部材３１は金属材
質例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ−ａｌｌｏｙ、Ａｌ−ａｌｌｏｙ、Ｃｕ−ａｌ
ｌｏｙ、Ａｕ−ａｌｌｏｙの金属を選択的に含むことができ、この金属は単層または多層
に形成されることができる。また前記ガイド部材３１は金属シード層例えば、Ａｇ、Ａｌ
、Ｎｉのうち少なくとも一つの上に反射層をメッキ工程で形成することができる。
であるか、半田ペースト（ｓｏｌｄｅｒ ｐａｓｔｅ）のような伝導性材料を用いること
ができる。前記半田レジストのカラーとしては例えば白色を用いることができ、このカラ
ーは入射される光を効果的に反射させることができる。また前記ガイド部材３１は金属材
質例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ−ａｌｌｏｙ、Ａｌ−ａｌｌｏｙ、Ｃｕ−ａｌ
ｌｏｙ、Ａｕ−ａｌｌｏｙの金属を選択的に含むことができ、この金属は単層または多層
に形成されることができる。また前記ガイド部材３１は金属シード層例えば、Ａｇ、Ａｌ
、Ｎｉのうち少なくとも一つの上に反射層をメッキ工程で形成することができる。
またガイド部材３１は非金属材料を含むことができ、前記非金属材料は白色樹脂例えば
、半田レジスト、二酸化チタニウム（ＴｉＯ２）とガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ
）のうち少なくとも一つを有する樹脂（例：ＰＰＡ）、または高分子物質（シリコン系、
エポキシ系など）を含むか、前記絶縁フィルムの材質で形成されることができる。
、半田レジスト、二酸化チタニウム（ＴｉＯ２）とガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ
）のうち少なくとも一つを有する樹脂（例：ＰＰＡ）、または高分子物質（シリコン系、
エポキシ系など）を含むか、前記絶縁フィルムの材質で形成されることができる。
前記ガイド部材３１は５０％以上の反射特性（反射率）を有する金属または非金属材料
を含むことができ、好ましくは９０％以上の反射特性を有する。
を含むことができ、好ましくは９０％以上の反射特性を有する。
前記ガイド部材３１は実質的に１５μｍ〜５００μｍの厚さＴ２で形成されることがで
き、前記絶縁フィルム２１、２３の厚さと同じであるか異なることができる。前記ガイド
部材３１は前記絶縁フィルム２１、２３の厚さより厚く形成されることができる。前記ガ
イド部材３１の厚さＴ２は光の指向角分布を考慮してより厚く形成されることができる。
また前記ガイド部材３１の上面は光反射のために前記発光チップ４１の上面より高く形成
されることができる。
き、前記絶縁フィルム２１、２３の厚さと同じであるか異なることができる。前記ガイド
部材３１は前記絶縁フィルム２１、２３の厚さより厚く形成されることができる。前記ガ
イド部材３１の厚さＴ２は光の指向角分布を考慮してより厚く形成されることができる。
また前記ガイド部材３１の上面は光反射のために前記発光チップ４１の上面より高く形成
されることができる。
前記ガイド部材３１は前記第１絶縁フィルム２１の上に形成されて前記発光チップ４１
の縁に対応され、その形態は上側から見るとフレーム、リング形状またはループ形状に形
成されることができる。前記ガイド部材３１は上面から見ると、円形または多角形であっ
て、前記樹脂層６１が溢れることを防止することができる。
の縁に対応され、その形態は上側から見るとフレーム、リング形状またはループ形状に形
成されることができる。前記ガイド部材３１は上面から見ると、円形または多角形であっ
て、前記樹脂層６１が溢れることを防止することができる。
前記ガイド部材３１の幅は前記第１絶縁フィルム２１の幅と同じであるか異なるように
形成されることができる。前記ガイド部材３１と前記第１絶縁フィルム２１の幅が同一で
ある場合、表面反射効率を改善させることができる。前記ガイド部材３１と前記第１絶縁
フィルム２１の幅より狭い場合前記ガイド部材３１を前記第１絶縁フィルム２１の上に安
定的に配置することができる。前記ガイド部材３１は前記第１絶縁フィルム２１に沿って
形成されることによって、オープン領域を備える。
形成されることができる。前記ガイド部材３１と前記第１絶縁フィルム２１の幅が同一で
ある場合、表面反射効率を改善させることができる。前記ガイド部材３１と前記第１絶縁
フィルム２１の幅より狭い場合前記ガイド部材３１を前記第１絶縁フィルム２１の上に安
定的に配置することができる。前記ガイド部材３１は前記第１絶縁フィルム２１に沿って
形成されることによって、オープン領域を備える。
前記ガイド部材３１は電気伝導性がある場合、前記第１絶縁フィルム２１の上面に配置
されることができ、一部は複数の金属層１１、１３のうち何れか一つに接触されることが
できる。また前記ガイド部材３１が絶縁材質である場合、前記金属層１１、１３の上面に
接触されることができる。
されることができ、一部は複数の金属層１１、１３のうち何れか一つに接触されることが
できる。また前記ガイド部材３１が絶縁材質である場合、前記金属層１１、１３の上面に
接触されることができる。
前記発光チップ４１は前記第１金属層１１の上に配置され、前記第１金属層１１と第２
金属層１３に電気的に接続されることができる。
金属層１３に電気的に接続されることができる。
前記発光チップ４１は、赤色、緑色、青色、白色などの光を放出する可視光線帯域の発
光ダイオードであるか紫外線（Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）帯域の発光ダイオードに具現
されることができるが、これに限定されるものではない。
光ダイオードであるか紫外線（Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）帯域の発光ダイオードに具現
されることができるが、これに限定されるものではない。
前記発光チップ４１は二つの電極が平行に配置される水平型チップ、または二つの電極
が互いに反対側面に配置される垂直型チップに具現されることができる。前記水平型チッ
プは少なくとも２個のワイヤ５１、５２に接続されることができて、垂直型チップは少な
くとも１個のワイヤ（例えばワイヤ５２）に接続されることができる。
が互いに反対側面に配置される垂直型チップに具現されることができる。前記水平型チッ
プは少なくとも２個のワイヤ５１、５２に接続されることができて、垂直型チップは少な
くとも１個のワイヤ（例えばワイヤ５２）に接続されることができる。
前記発光チップ４１は前記第１金属層１１上に伝導性または絶縁性接着剤で接着される
ことができる。ここで、前記発光チップ４１の下部に電極が配置される場合、伝導性接着
剤を用いることができ、下部に絶縁基板が配置される場合、伝導性接着剤または絶縁性接
着剤を用いることができる。
ことができる。ここで、前記発光チップ４１の下部に電極が配置される場合、伝導性接着
剤を用いることができ、下部に絶縁基板が配置される場合、伝導性接着剤または絶縁性接
着剤を用いることができる。
前記発光チップ４１は第１ワイヤ５１で第１金属層１１と接続されて、第２ワイヤ５２
で第２金属層１３と接続されることができる。また前記発光チップ４１はフリップチップ
（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ）方式に前記第１金属層１１と第２金属層１３に電気的に接続され
ることができる。
で第２金属層１３と接続されることができる。また前記発光チップ４１はフリップチップ
（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ）方式に前記第１金属層１１と第２金属層１３に電気的に接続され
ることができる。
前記発光チップ４１は第１金属層１１上に配置された例に説明したが、第１金属層１１
及び／または第２金属層１３上に配置されることができ、これに対して限定するものでは
ない。
及び／または第２金属層１３上に配置されることができ、これに対して限定するものでは
ない。
前記発光チップ４１は第１金属層１１と第１ワイヤ５１で接続されて、第２金属層１３
と第２ワイヤ５２で接続されることができる。ここで、前記発光チップ４１は８０μｍの
厚さ以上に形成されることができ、前記ワイヤ５１、５２のうち何れか一つの高点は前記
発光チップ４１の上面から４０μｍ以上に高く形成されることができる。
と第２ワイヤ５２で接続されることができる。ここで、前記発光チップ４１は８０μｍの
厚さ以上に形成されることができ、前記ワイヤ５１、５２のうち何れか一つの高点は前記
発光チップ４１の上面から４０μｍ以上に高く形成されることができる。
前記発光チップ４１の表面には蛍光体層がコーティングされることができ、前記蛍光体
層は前記発光チップ４１の上面に形成されることができる。
層は前記発光チップ４１の上面に形成されることができる。
また前記第１金属層１１と前記第２金属層１３のうち少なくとも一つの上または下には
発光チップ４１を保護するツェナーダイオードまたはＴＶＳ（ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ｖｏ
ｌｔａｇｅ ｓｕｐｐｒｅｓｓｏｒ）ダイオードのような保護素子が配置され、前記発光
チップ４１と電気的に接続されることができる。前記保護素子は第１及び第２金属層１１
、１３に接続されて前記発光チップ４１と並列に接続され、前記発光チップ４１に印加さ
れる異常な電圧から前記発光チップ４１を保護する。このような保護素子を備えないこと
もある。
発光チップ４１を保護するツェナーダイオードまたはＴＶＳ（ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ｖｏ
ｌｔａｇｅ ｓｕｐｐｒｅｓｓｏｒ）ダイオードのような保護素子が配置され、前記発光
チップ４１と電気的に接続されることができる。前記保護素子は第１及び第２金属層１１
、１３に接続されて前記発光チップ４１と並列に接続され、前記発光チップ４１に印加さ
れる異常な電圧から前記発光チップ４１を保護する。このような保護素子を備えないこと
もある。
前記樹脂層６１は前記第１金属層１１及び第２金属層１３上に配置され、一部は前記第
１絶縁フィルム２１の上面に形成されることができる。前記樹脂層６１はガイド部材３１
の内側に形成されるオープン領域に配置される。前記ガイド部材３１のオープン領域は前
記第１及び第２オープン領域Ａ１、Ａ２より大きい領域に形成されることができる。前記
樹脂層６１はガイド部材３１の内側領域例えば、前記第１オープン領域Ａ１と前記第２オ
ープン領域Ａ２をカバーする。前記樹脂層６１は第１オープン領域Ａ１と第２オープン領
域Ａ２各々に物理的に分離されて配置されることができる。
１絶縁フィルム２１の上面に形成されることができる。前記樹脂層６１はガイド部材３１
の内側に形成されるオープン領域に配置される。前記ガイド部材３１のオープン領域は前
記第１及び第２オープン領域Ａ１、Ａ２より大きい領域に形成されることができる。前記
樹脂層６１はガイド部材３１の内側領域例えば、前記第１オープン領域Ａ１と前記第２オ
ープン領域Ａ２をカバーする。前記樹脂層６１は第１オープン領域Ａ１と第２オープン領
域Ａ２各々に物理的に分離されて配置されることができる。
前記樹脂層６１は透光性樹脂系の物質を含め、例えばシリコンまたはエポキシを含むこ
とができる。
とができる。
前記樹脂層６１は８０μｍ〜５００μｍの厚さＴ３に形成されることができ、単層また
は多層に形成されることができ、多層である場合最下層は８０μｍより薄い厚さに形成さ
れることができる。
は多層に形成されることができ、多層である場合最下層は８０μｍより薄い厚さに形成さ
れることができる。
前記樹脂層６１は多層である場合同一物質または他の物質で積層されることができ、ま
た硬度が低い層から硬度が高い層の順に積層されるか、屈折率が高い層から屈折率が低い
層の順に積層されることができる。
た硬度が低い層から硬度が高い層の順に積層されるか、屈折率が高い層から屈折率が低い
層の順に積層されることができる。
前記樹脂層６１の上面の一部は前記ガイド部材３１の上面より低く形成されるか、前記
絶縁フィルム２１、２３の上面より高く形成されることができる。また前記樹脂層６１は
ワイヤ５１、５２をカバーする高さに形成されることができるが、これに対して限定する
ものではない。
絶縁フィルム２１、２３の上面より高く形成されることができる。また前記樹脂層６１は
ワイヤ５１、５２をカバーする高さに形成されることができるが、これに対して限定する
ものではない。
前記樹脂層６１は蛍光体を含むことができ、前記蛍光体は黄色、緑色、赤色などのよう
な可視光線帯域の蛍光体を少なくとも一つ含むことができる。前記樹脂層６１は透光性樹
脂層と蛍光体層に区分されて積層されることができる。前記樹脂層６１の上／下には蛍光
体フィルム例えば、光励起フィルム（ＰＬＦ）が配置されることができ、これに対して限
定するものではない。
な可視光線帯域の蛍光体を少なくとも一つ含むことができる。前記樹脂層６１は透光性樹
脂層と蛍光体層に区分されて積層されることができる。前記樹脂層６１の上／下には蛍光
体フィルム例えば、光励起フィルム（ＰＬＦ）が配置されることができ、これに対して限
定するものではない。
前記樹脂層６１の上にはレンズが形成されることができ、前記レンズは凸レンズ形状、
凹レンズ形状、凸と凹が混在するレンズ形状を含むことができ、また前記樹脂層６１の上
面に接触されるか離隔されることができ、これに対して限定するものではない。
凹レンズ形状、凸と凹が混在するレンズ形状を含むことができ、また前記樹脂層６１の上
面に接触されるか離隔されることができ、これに対して限定するものではない。
図３〜図１０は、図１に示す発光素子の製造過程を示す図である。
図３及び図４を参照すると、金属層１０は図１に示すように一つの発光素子を製造する
ことができる大きさであるか、第１方向（横または縦）に配列される複数の発光素子を製
造できるバー形状の大きさに形成されるか、横及び縦方向に配列される複数の発光素子を
製造できるマトリックス形態の大きさに形成されることができる。前記の複数の発光素子
が製造される金属層は個別発光素子または２個以上の発光素子単位にカッティングして使
用することができる。以下、実施形態の説明のために１個の発光素子を製造する金属層を
説明する。
ことができる大きさであるか、第１方向（横または縦）に配列される複数の発光素子を製
造できるバー形状の大きさに形成されるか、横及び縦方向に配列される複数の発光素子を
製造できるマトリックス形態の大きさに形成されることができる。前記の複数の発光素子
が製造される金属層は個別発光素子または２個以上の発光素子単位にカッティングして使
用することができる。以下、実施形態の説明のために１個の発光素子を製造する金属層を
説明する。
前記金属層１０は例えば、リードフレームのような金属プレートで具現されることがで
き、その物質とは鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、Ｆｅ−Ｎｉのように鉄（Ｆｅ）を含む合金（
ａｌｌｏｙ）、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムを含む合金、またはＣｕ−Ｎｉ
、Ｃｕ−Ｍｇ−Ｓｎのように銅（Ｃｕ）を含む合金で形成されることができる。また前記
金属層１０は単層または多層金属に形成されることができて、その上面または／及び下面
にはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、半田レジストなどのような反射層
またはボンディング層が形成されることができる。この金属層のメッキ過程やコーティン
グ過程は絶縁フィルム２１、２３の形成の前または後に行うことがある。
き、その物質とは鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、Ｆｅ−Ｎｉのように鉄（Ｆｅ）を含む合金（
ａｌｌｏｙ）、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムを含む合金、またはＣｕ−Ｎｉ
、Ｃｕ−Ｍｇ−Ｓｎのように銅（Ｃｕ）を含む合金で形成されることができる。また前記
金属層１０は単層または多層金属に形成されることができて、その上面または／及び下面
にはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、半田レジストなどのような反射層
またはボンディング層が形成されることができる。この金属層のメッキ過程やコーティン
グ過程は絶縁フィルム２１、２３の形成の前または後に行うことがある。
前記金属層１０の厚さは実質的に１５μｍ〜３００μｍの厚さで形成されることができ
、この厚さは発光素子全体を支持する支持フレームとして働く。
、この厚さは発光素子全体を支持する支持フレームとして働く。
前記金属層１０は別途の本体、例えばＰＰＡ（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）のよ
うな樹脂系の本体と射出成形されないため前記金属層１０の一部をフレキシブルな曲面形
状に使用するか、予め設定の角度に曲げて使用することができる。
うな樹脂系の本体と射出成形されないため前記金属層１０の一部をフレキシブルな曲面形
状に使用するか、予め設定の角度に曲げて使用することができる。
図４は、金属層１０の上に絶縁フィルムを形成した断面図であり、図５は、図４の平面
図である。
図である。
図４及び図５を参照すると、前記金属層１０上には絶縁フィルム２０（２１、２３）が
形成される。前記絶縁フィルム２０（２１、２３）は前記金属層１０の厚さ方向に３０μ
ｍ〜５００μｍの厚さＴ１に形成されることができる。また前記絶縁フィルム２０は前記
金属層１０の厚さ以上に形成されることができる。ここで、実施形態は金属層１０上に絶
縁フィルム２０（２１、２３）を付着した構成で説明したが、絶縁フィルム２０（２１、
２３）上に金属層１０を付着することができ、このような工程の順序は互いに変更される
ことができる。
形成される。前記絶縁フィルム２０（２１、２３）は前記金属層１０の厚さ方向に３０μ
ｍ〜５００μｍの厚さＴ１に形成されることができる。また前記絶縁フィルム２０は前記
金属層１０の厚さ以上に形成されることができる。ここで、実施形態は金属層１０上に絶
縁フィルム２０（２１、２３）を付着した構成で説明したが、絶縁フィルム２０（２１、
２３）上に金属層１０を付着することができ、このような工程の順序は互いに変更される
ことができる。
前記絶縁フィルム２０（２１、２３）は前記金属層１０上に接着層を塗布した後付着さ
れることができる。前記絶縁フィルム２１、２３の接着過程は前記金属層１０上に絶縁フ
ィルム２１、２３を付着した後所定の温度でラミネーティング処理過程を介して接着させ
ることができる。
れることができる。前記絶縁フィルム２１、２３の接着過程は前記金属層１０上に絶縁フ
ィルム２１、２３を付着した後所定の温度でラミネーティング処理過程を介して接着させ
ることができる。
前記絶縁フィルム２１、２３は絶縁性フィルムとして、光学的機能、熱伝導性機能、耐
湿性機能のフィルムを選択的に含むことができる。前記絶縁フィルム２１、２３はＰＩ（
ポリイミド）フィルム、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＥＶＡ（エチ
レンビニルアセテート）フィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、ＴＡ
Ｃ（トリアセチルセルロース）フィルム、ＰＡＩ（ポリアミド−イミド）、ＰＥＥＫ（ポ
リエーテル−エーテル−ケトン）、パーフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、ポリフェニレン
サルファイド（ＰＰＳ）、樹脂フィルム（ＰＥ、ＰＰ、ＰＥＴ）などを含むことができる
。
湿性機能のフィルムを選択的に含むことができる。前記絶縁フィルム２１、２３はＰＩ（
ポリイミド）フィルム、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＥＶＡ（エチ
レンビニルアセテート）フィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、ＴＡ
Ｃ（トリアセチルセルロース）フィルム、ＰＡＩ（ポリアミド−イミド）、ＰＥＥＫ（ポ
リエーテル−エーテル−ケトン）、パーフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、ポリフェニレン
サルファイド（ＰＰＳ）、樹脂フィルム（ＰＥ、ＰＰ、ＰＥＴ）などを含むことができる
。
前記絶縁フィルム２１、２３は単面または両面接着テープのように接着層を有するフィ
ルムで形成されることができる。
ルムで形成されることができる。
前記絶縁フィルム２１、２３は透光性材質である場合、蛍光体または／及び散乱剤を含
むことができる。前記蛍光体または散乱剤は前記絶縁フィルム２１、２３の表面に塗布さ
れるか内部に添加されることができる。
むことができる。前記蛍光体または散乱剤は前記絶縁フィルム２１、２３の表面に塗布さ
れるか内部に添加されることができる。
前記絶縁フィルム２１、２３は所定の反射率、例えば３０％以上の反射特性を有するフ
ィルム類を含むことができる。
ィルム類を含むことができる。
前記絶縁フィルム２１、２３は複数のオープン領域Ａ１、Ａ２を形成した後前記金属層
１０上に付着されることができる。前記オープン領域Ａ１、Ａ２は単一フィルムに形成さ
れる孔であるか開放される領域であることができ、前記オープン領域Ａ１、Ａ２により絶
縁フィルム２１、２３の内側を介して金属層の上面が露出される領域である。前記絶縁フ
ィルム２１、２３は第１オープン領域Ａ１の縁または前記金属層１０の縁に形成される第
１絶縁フィルム２１と、前記第２オープン領域Ａ２の縁に形成される第２絶縁フィルム２
３に区分されることができる。前記第２絶縁フィルム２３は前記第１絶縁フィルム２１の
一部として、前記第１絶縁フィルム２１と一体に形成されることができる。前記第１及び
第２絶縁フィルム２１、２３は単一フィルムに具現されることができる。
１０上に付着されることができる。前記オープン領域Ａ１、Ａ２は単一フィルムに形成さ
れる孔であるか開放される領域であることができ、前記オープン領域Ａ１、Ａ２により絶
縁フィルム２１、２３の内側を介して金属層の上面が露出される領域である。前記絶縁フ
ィルム２１、２３は第１オープン領域Ａ１の縁または前記金属層１０の縁に形成される第
１絶縁フィルム２１と、前記第２オープン領域Ａ２の縁に形成される第２絶縁フィルム２
３に区分されることができる。前記第２絶縁フィルム２３は前記第１絶縁フィルム２１の
一部として、前記第１絶縁フィルム２１と一体に形成されることができる。前記第１及び
第２絶縁フィルム２１、２３は単一フィルムに具現されることができる。
前記第１絶縁フィルム２１の幅Ｗ１は一定の幅であるか、一部が異なる幅に形成される
ことができる。前記第１絶縁フィルム２１の幅Ｗ１は数十μｍ以上に形成されることがで
きる。前記第２絶縁フィルム２３の幅Ｗ２は一定の幅であるか、一部が異なる幅に形成さ
れることができる。前記第２絶縁フィルム２３の幅Ｗ２は前記金属層１０間の間隔Ｇ１よ
り広い幅に形成されることができ、例えば２０μｍ以上に形成されることができる。前記
第１絶縁フィルム２１の幅Ｗ１と前記第２絶縁フィルム２３の幅Ｗ２は同じであるか異な
ることができる。
ことができる。前記第１絶縁フィルム２１の幅Ｗ１は数十μｍ以上に形成されることがで
きる。前記第２絶縁フィルム２３の幅Ｗ２は一定の幅であるか、一部が異なる幅に形成さ
れることができる。前記第２絶縁フィルム２３の幅Ｗ２は前記金属層１０間の間隔Ｇ１よ
り広い幅に形成されることができ、例えば２０μｍ以上に形成されることができる。前記
第１絶縁フィルム２１の幅Ｗ１と前記第２絶縁フィルム２３の幅Ｗ２は同じであるか異な
ることができる。
前記複数のオープン領域Ａ１、Ａ２のうち何れか一つ、例えば、第２オープン領域Ａ２
は最小６０μｍの幅を有して形成されることができる。これはワイヤのボンディングに妨
害を与えない範囲に形成されることができる。前記第１オープン領域Ａ１は発光チップが
搭載される程度の幅に形成されることができ、前記第２オープン領域Ａ２の幅より広い幅
に形成されることができる。ここで、前記第１オープン領域Ａ１は発光チップが搭載され
る領域、前記第２オープン領域Ａ２はワイヤがボンディングされる領域として説明したが
、この逆に配置されてもよく、これに対して限定するものではない。
は最小６０μｍの幅を有して形成されることができる。これはワイヤのボンディングに妨
害を与えない範囲に形成されることができる。前記第１オープン領域Ａ１は発光チップが
搭載される程度の幅に形成されることができ、前記第２オープン領域Ａ２の幅より広い幅
に形成されることができる。ここで、前記第１オープン領域Ａ１は発光チップが搭載され
る領域、前記第２オープン領域Ａ２はワイヤがボンディングされる領域として説明したが
、この逆に配置されてもよく、これに対して限定するものではない。
前記第１オープン領域Ａ１と第２オープン領域Ａ２は単一フィルム形態の絶縁フィルム
に対してパンチング（Ｐｕｎｃｈｉｎｇ）工程、カッティング工程、またはエッチング工
程を介して所定形状のオープン領域に形成されることができる。前記第１オープン領域Ａ
１と前記第２オープン領域Ａ２の幅または形状は変更されることができる。前記オープン
領域Ａ１、Ａ２は前記金属層１０上に絶縁フィルム２０（２１、２３）を付着した後形成
するか、前記絶縁フィルム２０（２１、２３）を付着する前に形成することができる。
に対してパンチング（Ｐｕｎｃｈｉｎｇ）工程、カッティング工程、またはエッチング工
程を介して所定形状のオープン領域に形成されることができる。前記第１オープン領域Ａ
１と前記第２オープン領域Ａ２の幅または形状は変更されることができる。前記オープン
領域Ａ１、Ａ２は前記金属層１０上に絶縁フィルム２０（２１、２３）を付着した後形成
するか、前記絶縁フィルム２０（２１、２３）を付着する前に形成することができる。
前記金属層１０の上面は前記絶縁フィルム２１、２３の第１オープン領域Ａ１と前記第
２オープン領域Ａ２を介して露出されることができる。
２オープン領域Ａ２を介して露出されることができる。
前記絶縁フィルム２１、２３は他の物質例えば、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＯ２
、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙなどの酸化物または窒化物のような絶縁物質で印刷するか絶縁
材料をコーティングすることができ、この場合硬化される絶縁フィルム２１、２３はフレ
キシブルであるか所定の粘度を有する材料で形成されることができる。
、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙなどの酸化物または窒化物のような絶縁物質で印刷するか絶縁
材料をコーティングすることができ、この場合硬化される絶縁フィルム２１、２３はフレ
キシブルであるか所定の粘度を有する材料で形成されることができる。
前記絶縁フィルム２１、２３には内側面または内部所定領域にメッシュ形状、凹凸形状
が形成されるか、複数の微細孔がさらに形成されることができ、これに対して限定するも
のではない。
が形成されるか、複数の微細孔がさらに形成されることができ、これに対して限定するも
のではない。
図７は、図６の平面図である。図６及び図７を参照すると、図４の金属層１０は複数の
金属層１１、１３に分割されることができる。前記複数の金属層１１、１３は少なくとも
２個を含め，少なくとも２個は電源を供給する電極として使用されることができる。
金属層１１、１３に分割されることができる。前記複数の金属層１１、１３は少なくとも
２個を含め，少なくとも２個は電源を供給する電極として使用されることができる。
ここで、前記金属層の回路形成過程は例えば、前記リードフレームの表面を活性化させ
た後、フォトレジストを塗布し露光を行う現像工程を含む。そして現像工程が完了される
とエッチング工程を介して要する回路を形成し前記フォトレジストを剥離する。以後、金
属層の表面にＡｇメッキなどを行ってボンディング可能な表面に処理する。
た後、フォトレジストを塗布し露光を行う現像工程を含む。そして現像工程が完了される
とエッチング工程を介して要する回路を形成し前記フォトレジストを剥離する。以後、金
属層の表面にＡｇメッキなどを行ってボンディング可能な表面に処理する。
前記第１金属層１１の幅は第２金属層１３の幅と同じであるか異なることができる。例
えば、前記第１金属層１１の大きさは前記第２金属層１３の大きさより大きくても小さく
てもよく、または前記第１金属層１１と第２金属層１３は同一面積であるか互いに対称的
な形状に形成されることができる。
えば、前記第１金属層１１の大きさは前記第２金属層１３の大きさより大きくても小さく
てもよく、または前記第１金属層１１と第２金属層１３は同一面積であるか互いに対称的
な形状に形成されることができる。
前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の間は所定の分離部１７により互いに離隔さ
れ、その間隔Ｇ１は１０μｍ以上に形成されることができ、このような間隔Ｇ１は第２絶
縁フィルム２３の幅Ｗ１よりは狭く形成されることができる。
れ、その間隔Ｇ１は１０μｍ以上に形成されることができ、このような間隔Ｇ１は第２絶
縁フィルム２３の幅Ｗ１よりは狭く形成されることができる。
前記第２絶縁フィルム２３は前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の間及びその間
隔Ｇ１を維持させ、前記第１絶縁フィルム２１は金属層を互いに支持する。
隔Ｇ１を維持させ、前記第１絶縁フィルム２１は金属層を互いに支持する。
ここで、前記第２金属層１３は前記第１金属層１１の何れか一側面を介して内部に延長
される形態に形成されることができ、長さＤ１、Ｄ２は第２オープン領域Ａ２と絶縁フィ
ルム２１、２３によって変更されることができる。
される形態に形成されることができ、長さＤ１、Ｄ２は第２オープン領域Ａ２と絶縁フィ
ルム２１、２３によって変更されることができる。
図６及び図８を参照すると、絶縁フィルム２１、２３の上面にガイド部材３１を形成す
る。前記ガイド部材３１はプリント方式、コーティング方式、フィルム接着方式のうち何
れか一つの方式を利用することができ、プリント方式はプリントする領域を除いた領域に
マスキングを行った後スクリーンプリント方式に形成されることができ、コーティング方
式は望む領域の上に反射物質で塗布して形成することができ、フィルム接着方式は反射シ
ートのようなフィルム類を接着させて形成することができる。ここで、前記ガイド部材３
１及び前記絶縁フィルム２１、２３の材質はワイヤボンディングまたはリフロー工程に伴
う熱特性を考慮して選択されることができる。
る。前記ガイド部材３１はプリント方式、コーティング方式、フィルム接着方式のうち何
れか一つの方式を利用することができ、プリント方式はプリントする領域を除いた領域に
マスキングを行った後スクリーンプリント方式に形成されることができ、コーティング方
式は望む領域の上に反射物質で塗布して形成することができ、フィルム接着方式は反射シ
ートのようなフィルム類を接着させて形成することができる。ここで、前記ガイド部材３
１及び前記絶縁フィルム２１、２３の材質はワイヤボンディングまたはリフロー工程に伴
う熱特性を考慮して選択されることができる。
前記ガイド部材３１は半田レジスト（ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）、または半田ペー
スト（ｓｏｌｄｅｒ ｐａｓｔｅ）を利用してプリント方式で形成することができ、前記
半田レジストは白色であって、入射される光を効果的に反射させることができる。また前
記ガイド部材３１はＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ−ａｌｌｏｙ、Ａｌ−ａｌｌｏｙ、Ｃ
ｕ−ａｌｌｏｙ、Ａｕ−ａｌｌｏｙなどの高反射物質を選択的に含むことができ、この反
射物質は単層または多層に形成されることができる。また前記ガイド部材３１は金属シー
ド層、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉなどの物質の上にメッキ工程を行って形成することがで
きる。
スト（ｓｏｌｄｅｒ ｐａｓｔｅ）を利用してプリント方式で形成することができ、前記
半田レジストは白色であって、入射される光を効果的に反射させることができる。また前
記ガイド部材３１はＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ−ａｌｌｏｙ、Ａｌ−ａｌｌｏｙ、Ｃ
ｕ−ａｌｌｏｙ、Ａｕ−ａｌｌｏｙなどの高反射物質を選択的に含むことができ、この反
射物質は単層または多層に形成されることができる。また前記ガイド部材３１は金属シー
ド層、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉなどの物質の上にメッキ工程を行って形成することがで
きる。
またガイド部材３１は非金属材料を含むことができ、前記非金属材料は、白色樹脂例え
ば、二酸化チタニウム（ＴｉＯ２）とガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ）を混合した
樹脂（ＰＰＡ）を含むことができる。前記ガイド部材３１が絶縁特性と反射特性を有する
場合前記絶縁フィルムを別途に形成しなくてもよいが、これに対して限定するものではな
い。
ば、二酸化チタニウム（ＴｉＯ２）とガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ）を混合した
樹脂（ＰＰＡ）を含むことができる。前記ガイド部材３１が絶縁特性と反射特性を有する
場合前記絶縁フィルムを別途に形成しなくてもよいが、これに対して限定するものではな
い。
前記ガイド部材３１は５０％以上の反射特性を有する金属または非金属材料を含むこと
ができ、好ましくは９０％以上の反射物質を含む。
ができ、好ましくは９０％以上の反射物質を含む。
前記ガイド部材３１は実質的に１５μｍ〜５００μｍの厚さＴ２で形成されることがで
き、前記絶縁フィルム２１、２３の厚さと同じであるかまたは異なることができる。前記
ガイド部材３１の厚さＴ２及び配置構造は光の指向角分布を考慮して変更されることがで
きる。
き、前記絶縁フィルム２１、２３の厚さと同じであるかまたは異なることができる。前記
ガイド部材３１の厚さＴ２及び配置構造は光の指向角分布を考慮して変更されることがで
きる。
前記ガイド部材３１は前記第１絶縁フィルム２１の上に形成されて前記発光チップ４１
の縁をカバーし、その形態は上側から見るとフレーム、ループ形状、またはリング形状に
形成されることができる。前記ガイド部材３１は前記第１絶縁フィルム２１の上面に連続
的にまたは不連続的に形成されることができる。
の縁をカバーし、その形態は上側から見るとフレーム、ループ形状、またはリング形状に
形成されることができる。前記ガイド部材３１は前記第１絶縁フィルム２１の上面に連続
的にまたは不連続的に形成されることができる。
前記ガイド部材３１の幅Ｗ３は前記第１絶縁フィルム２１の幅と同じであるか異なるよ
うに形成されることができる。前記ガイド部材３１と前記第１絶縁フィルム２１の幅が同
一である場合、表面反射効率を改善させることができる。前記ガイド部材３１と前記第１
絶縁フィルム２１の幅が異なる場合、前記ガイド部材３１を前記第１絶縁フィルム２１の
上に安定的に配置することができる。
うに形成されることができる。前記ガイド部材３１と前記第１絶縁フィルム２１の幅が同
一である場合、表面反射効率を改善させることができる。前記ガイド部材３１と前記第１
絶縁フィルム２１の幅が異なる場合、前記ガイド部材３１を前記第１絶縁フィルム２１の
上に安定的に配置することができる。
前記ガイド部材３１は電気伝導性がある場合、前記第１絶縁フィルム２１の上面に配置
されることができ、一部は二つのリードフレーム１１、１３のうち何れか一つに接触され
ることができる。また前記ガイド部材３１は絶縁材質である場合、前記第１絶縁フィルム
２１の上面から金属層１１、１３の上面まで延長されることができる。
されることができ、一部は二つのリードフレーム１１、１３のうち何れか一つに接触され
ることができる。また前記ガイド部材３１は絶縁材質である場合、前記第１絶縁フィルム
２１の上面から金属層１１、１３の上面まで延長されることができる。
図８及び図９を参照すると、前記発光チップ４１は前記第１金属層１１の上に配置され
、前記第１金属層１１と第２金属層１３に電気的に接続されることができる。
、前記第１金属層１１と第２金属層１３に電気的に接続されることができる。
前記発光チップ４１は、赤色、緑色、青色、白色などの光を放出する可視光線帯域の発
光ダイオードであるか紫外線（Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）帯域の発光ダイオードに具現
されることができるが、これに限定されるものではない。
光ダイオードであるか紫外線（Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）帯域の発光ダイオードに具現
されることができるが、これに限定されるものではない。
前記発光チップ４１は二つの電極が平行に配置される水平型チップ、または二つの電極
が互いに反対側面に配置される垂直型チップに具現されることができる。前記水平型チッ
プは少なくとも２個のワイヤ５１、５２に接続されることができて、垂直型チップは少な
くとも１個のワイヤ（例えばワイヤ５２）に接続されることができる。
が互いに反対側面に配置される垂直型チップに具現されることができる。前記水平型チッ
プは少なくとも２個のワイヤ５１、５２に接続されることができて、垂直型チップは少な
くとも１個のワイヤ（例えばワイヤ５２）に接続されることができる。
前記発光チップ４１は前記第１金属層１１に伝導性または絶縁性接着剤で接着されるこ
とができる。ここで、前記発光チップ４１の下部に電極が配置される場合、伝導性接着剤
を用いることができ、下部に絶縁基板が配置される場合、伝導性接着剤または絶縁性接着
剤を用いることができる。
とができる。ここで、前記発光チップ４１の下部に電極が配置される場合、伝導性接着剤
を用いることができ、下部に絶縁基板が配置される場合、伝導性接着剤または絶縁性接着
剤を用いることができる。
前記発光チップ４１は第１ワイヤ５１で第１金属層１１に接続されて、第２ワイヤ５１
で第２金属層１３と接続されることができる。また前記発光チップ４１はフリップチップ
（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ）などで前記第１金属層１１と第２金属層１３に電気的に接続され
ることができる。
で第２金属層１３と接続されることができる。また前記発光チップ４１はフリップチップ
（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ）などで前記第１金属層１１と第２金属層１３に電気的に接続され
ることができる。
前記発光チップ４１は第１金属層１１上に配置された例に説明したが、第１金属層１１
及び／または第２金属層１３上に配置されることができ、これに対して限定するものでは
ない。
及び／または第２金属層１３上に配置されることができ、これに対して限定するものでは
ない。
前記発光チップ４１は第１金属層１１と第１ワイヤ５１で接続されて、第２金属層１３
と第２ワイヤ５３で接続されることができる。ここで、前記発光チップ４１は８０μｍの
厚さ以上に形成されることができ、前記ワイヤ５１、５２のうち何れか一つの高点は前記
発光チップ４１の上面から４０μｍ以上にさらに高く形成されることができる。
と第２ワイヤ５３で接続されることができる。ここで、前記発光チップ４１は８０μｍの
厚さ以上に形成されることができ、前記ワイヤ５１、５２のうち何れか一つの高点は前記
発光チップ４１の上面から４０μｍ以上にさらに高く形成されることができる。
図９及び図１０を参照すると、前記樹脂層６１は透光性樹脂系の物質を含め、例えばシ
リコンまたはエポキシを含むことができる。
リコンまたはエポキシを含むことができる。
前記樹脂層６１は８０μｍ〜５００μｍの厚さＴ３に形成されることができ、単層また
は多層に形成されることができ、多層である場合最下層は８０μｍより薄い厚さに形成さ
れることができる。
は多層に形成されることができ、多層である場合最下層は８０μｍより薄い厚さに形成さ
れることができる。
前記樹脂層６１は多層である場合同一物質または他の物質で積層されることができ、ま
た硬度が低い物質から硬度が高い物質の順に順次的に積層するか、屈折率が高い物質から
屈折率が低い物質の順に順次的に積層することができる。
た硬度が低い物質から硬度が高い物質の順に順次的に積層するか、屈折率が高い物質から
屈折率が低い物質の順に順次的に積層することができる。
前記樹脂層６１の上面の一部は前記ガイド部材３１の上面より低く形成されるか、前記
絶縁フィルム２１、２３の上面より高く形成されることができる。また前記樹脂層６１は
ワイヤ５１、５２をカバーする高さに形成されることができ、これに対して限定するもの
ではない。
絶縁フィルム２１、２３の上面より高く形成されることができる。また前記樹脂層６１は
ワイヤ５１、５２をカバーする高さに形成されることができ、これに対して限定するもの
ではない。
前記樹脂層６１は蛍光体を含むことができ、前記蛍光体は黄色、緑色、赤色のような可
視光線帯域の蛍光体を少なくとも一つ含むことができる。前記樹脂層６１は透光性樹脂層
と蛍光体層に区分されて積層されることができる。前記樹脂層６１の上／下には蛍光体フ
ィルム例えば、光励起フィルム（ＰＬＦ）が配置されることができ、これに対して限定す
るものではない。
視光線帯域の蛍光体を少なくとも一つ含むことができる。前記樹脂層６１は透光性樹脂層
と蛍光体層に区分されて積層されることができる。前記樹脂層６１の上／下には蛍光体フ
ィルム例えば、光励起フィルム（ＰＬＦ）が配置されることができ、これに対して限定す
るものではない。
前記樹脂層６１はガイド部材３１の内側領域例えば、前記第１オープン領域Ａ１と前記
第２オープン領域Ａ２をカバーする。前記樹脂層６１は第１オープン領域Ａ１と第２オー
プン領域Ａ２各々に物理的に分離されて配置されることができる。
第２オープン領域Ａ２をカバーする。前記樹脂層６１は第１オープン領域Ａ１と第２オー
プン領域Ａ２各々に物理的に分離されて配置されることができる。
前記樹脂層６１の上にはレンズが形成されることができ、前記レンズは凸レンズ形状、
凹レンズ形状、凸と凹が混ざり合ったレンズ形状を含むことができ、これに対して限定す
るものではない。前記レンズは前記樹脂層６１の上面に接触されるか離隔されることがで
き、これに対して限定しない。
凹レンズ形状、凸と凹が混ざり合ったレンズ形状を含むことができ、これに対して限定す
るものではない。前記レンズは前記樹脂層６１の上面に接触されるか離隔されることがで
き、これに対して限定しない。
図１１は、第２実施形態に係る発光素子を示す側断面図である。
図１１を参照すると、発光チップ４１は第１金属層１１上にボンディングされて前記第
１金属層１１と電気的に接続されて、第２金属層１３とワイヤ５２で接続される。
１金属層１１と電気的に接続されて、第２金属層１３とワイヤ５２で接続される。
前記第１金属層１１及び第２金属層１３の間の下には絶縁フィルム２４が付着され、前
記絶縁フィルム２４は前記第１金属層１１と第２金属層１３の間の間隔を予め定められた
間隔に維持させ、前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の間を支持する。
記絶縁フィルム２４は前記第１金属層１１と第２金属層１３の間の間隔を予め定められた
間隔に維持させ、前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の間を支持する。
前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の上には樹脂層６１が形成され、前記樹脂層
６１はトランスファー（Ｔｒａｎｓｆｅｒ）モールディング方式により所定の形状を有す
るように射出成形されることができる。前記トランスファーモールディング方式は所定形
状を有する枠内に液相の樹脂を充填させた後硬化することで、望みの形状の樹脂層６１を
形成することができる。前記樹脂層６１の外形状は円柱形状、多角柱形状、表面が凸であ
るか凹の形状などに形成することができ、これに対して限定するものではない。
６１はトランスファー（Ｔｒａｎｓｆｅｒ）モールディング方式により所定の形状を有す
るように射出成形されることができる。前記トランスファーモールディング方式は所定形
状を有する枠内に液相の樹脂を充填させた後硬化することで、望みの形状の樹脂層６１を
形成することができる。前記樹脂層６１の外形状は円柱形状、多角柱形状、表面が凸であ
るか凹の形状などに形成することができ、これに対して限定するものではない。
前記樹脂層６１の一部６１Ａは前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の間に配置さ
れることができ、前記絶縁フィルム２４の上面に接触する。
れることができ、前記絶縁フィルム２４の上面に接触する。
前記樹脂層６１の外側面は前記第１金属層１１または第２金属層１３の外枠部より内側
に所定間隔Ｔ３に離隔されて配置されることができる。これに伴い前記第１金属層１１と
前記第２金属層１３の外側上面は露出されることができる。前記間隔Ｔ３は１μｍ以上に
形成されることができる。
に所定間隔Ｔ３に離隔されて配置されることができる。これに伴い前記第１金属層１１と
前記第２金属層１３の外側上面は露出されることができる。前記間隔Ｔ３は１μｍ以上に
形成されることができる。
また前記樹脂層６１の上面の一部または側面には反射層がさらに形成されることができ
、これに対して限定するものではない。
、これに対して限定するものではない。
図１２は、第３施形態に係る複数の発光チップを備える発光素子を示す側断面図である
。
。
図１２を参照すると、３個以上の金属層１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃと２個以上の発光チッ
プ４１Ａ、４１Ｂを含む。前記発光チップ４１Ａ、４１Ｂ、は同一ピーク波長を有するか
異なるピーク波長を有する光を発光することができる。
プ４１Ａ、４１Ｂを含む。前記発光チップ４１Ａ、４１Ｂ、は同一ピーク波長を有するか
異なるピーク波長を有する光を発光することができる。
前記金属層１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃは同一平面上に配列され、第１絶縁フィルム２１は
金属層１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃの縁に形成され第２絶縁フィルム２３Ａ、２３Ｂは隣接の
金属層１１Ａ、１１Ｂと金属層１１Ｂ、１１Ｃとの間に各々形成されて、隣接の金属層１
１Ａ、１１Ｂと金属層１１Ｂ、１１Ｃとを支持及び固定させることができる。前記第３絶
縁フィルム２２は前記第２金属層１１Ｂの中央側に形成されて２個の領域に分割する。
金属層１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃの縁に形成され第２絶縁フィルム２３Ａ、２３Ｂは隣接の
金属層１１Ａ、１１Ｂと金属層１１Ｂ、１１Ｃとの間に各々形成されて、隣接の金属層１
１Ａ、１１Ｂと金属層１１Ｂ、１１Ｃとを支持及び固定させることができる。前記第３絶
縁フィルム２２は前記第２金属層１１Ｂの中央側に形成されて２個の領域に分割する。
前記第１〜第３絶縁フィルム２１、２３Ａ、２３Ｂ、２２は単一フィルムであるか互い
に分離されるフィルムに形成されることができ、これに対して限定するものではない。
に分離されるフィルムに形成されることができ、これに対して限定するものではない。
前記第２金属層１１Ｂの上には第１発光チップ４１Ａと第２発光チップ４１Ｂが離隔さ
れて配置され、前記第１発光チップ４１Ａと第２発光チップ４１Ｂとの間には第３絶縁フ
ィルム２２が配置される。
れて配置され、前記第１発光チップ４１Ａと第２発光チップ４１Ｂとの間には第３絶縁フ
ィルム２２が配置される。
前記第１絶縁フィルム２１及び第３絶縁フィルム２２の上にはガイド部材３１が形成さ
れ、前記ガイド部材３１は前記発光チップ４１の上面より高く形成されて、前記発光チッ
プ４１Ａ、４１Ｂから放出される光を反射する。
れ、前記ガイド部材３１は前記発光チップ４１の上面より高く形成されて、前記発光チッ
プ４１Ａ、４１Ｂから放出される光を反射する。
前記第１及び第２発光チップ４１Ａ、４１Ｂの上には樹脂層６２、６３が各々形成され
、前記樹脂層６２、６３の一部は前記ガイド部材３１の上面高さと同一の高さに形成され
るかまたは低く形成されることができ、これに対して限定するものではない。
、前記樹脂層６２、６３の一部は前記ガイド部材３１の上面高さと同一の高さに形成され
るかまたは低く形成されることができ、これに対して限定するものではない。
前記第２金属層１１Ｂは第１発光チップ４１Ａと第２発光チップ４１Ｂの共通電極とし
て使用され、前記第１金属層１１Ａは第１発光チップ４１Ａを制御するための電極であっ
て、前記第３金属層１１Ｃは第２発光チップ４１Ｂを制御するための電極として使用され
ることができる。
て使用され、前記第１金属層１１Ａは第１発光チップ４１Ａを制御するための電極であっ
て、前記第３金属層１１Ｃは第２発光チップ４１Ｂを制御するための電極として使用され
ることができる。
実施形態は２個の発光チップ４１Ａ、４１Ｂを左／右に配置する構造で説明したが、３
個以上の発光チップをマトリックス形態または同じ中心を通過するライン形態に配置する
ことができ、前記発光チップを互いに直列または互いに並列に接続することができ、これ
に対して限定するものではない。また上述の発光素子は第３絶縁フィルム２２の中央部分
をカッティングする場合、２個の発光素子に製造されることができる。
個以上の発光チップをマトリックス形態または同じ中心を通過するライン形態に配置する
ことができ、前記発光チップを互いに直列または互いに並列に接続することができ、これ
に対して限定するものではない。また上述の発光素子は第３絶縁フィルム２２の中央部分
をカッティングする場合、２個の発光素子に製造されることができる。
図１３及び図１４は、第４実施形態に係る発光素子の斜視図及びその側断面図である。
図１３及び図１４を参照すると、絶縁フィルム２５は第２金属層１３の上面領域の中で
縁に接着され、前記第１金属層１１と前記第２金属層１３を支持する。前記絶縁フィルム
２５は前記第１金属層１１と前記第２金属層１３間の分離部１７を覆う構造に形成されて
前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の間を支持する。
縁に接着され、前記第１金属層１１と前記第２金属層１３を支持する。前記絶縁フィルム
２５は前記第１金属層１１と前記第２金属層１３間の分離部１７を覆う構造に形成されて
前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の間を支持する。
ガイド部材３２は前記第１金属層１１の上面領域の縁に形成されて、一部は前記絶縁フ
ィルム２５の外側上面の上に形成されることができる。前記ガイド部材３２は前記第１金
属層１１の上面領域の縁と前記絶縁フィルム２５の外側上面に配置されることができる。
前記ガイド部材３２は前記第１金属層１１の上面の上に電気的に接続することができ、前
記第２金属層１３の上面とは前記絶縁フィルム２５により電気的に分離される。前記ガイ
ド部材３２は前記第１金属層１１及び前記絶縁フィルム２５の縁にループ形状、フレーム
形状、またはリング形状に形成されることができ、前記絶縁フィルム２５は前記第２金属
層１３の上面領域の縁にループ形状、フレーム形状、またはリング形状に形成されること
ができる。
ィルム２５の外側上面の上に形成されることができる。前記ガイド部材３２は前記第１金
属層１１の上面領域の縁と前記絶縁フィルム２５の外側上面に配置されることができる。
前記ガイド部材３２は前記第１金属層１１の上面の上に電気的に接続することができ、前
記第２金属層１３の上面とは前記絶縁フィルム２５により電気的に分離される。前記ガイ
ド部材３２は前記第１金属層１１及び前記絶縁フィルム２５の縁にループ形状、フレーム
形状、またはリング形状に形成されることができ、前記絶縁フィルム２５は前記第２金属
層１３の上面領域の縁にループ形状、フレーム形状、またはリング形状に形成されること
ができる。
前記絶縁フィルム２５は前記ガイド部材３２と前記第２金属層１３の物理的または電気
的な接触を防止する機能を働き、第１金属層１１と第２金属層１３の間の短絡を防止する
ことができる。前記絶縁フィルム２５及び前記ガイド部材３２は隣接の二つの金属層１１
、１３を支持及び固定させることができる。前記ガイド部材３１の厚さは樹脂層６１の厚
さと同一厚さに形成されることができる。
的な接触を防止する機能を働き、第１金属層１１と第２金属層１３の間の短絡を防止する
ことができる。前記絶縁フィルム２５及び前記ガイド部材３２は隣接の二つの金属層１１
、１３を支持及び固定させることができる。前記ガイド部材３１の厚さは樹脂層６１の厚
さと同一厚さに形成されることができる。
このような実施形態は絶縁フィルム２５の面積は減らして、ガイド部材３２の面積はさ
らに増やし、光反射効率を改善させることができる。
らに増やし、光反射効率を改善させることができる。
図１５及び図１６は第５実施形態に係る発光素子を示す平面図及びその側断面図である
。
。
図１５及び図１６を参照すると、絶縁フィルム２１、２３は第１及び第２金属層１１、
１３の上面全体に形成され、複数のオープン領域Ａ１、Ａ２、Ａ３を含む。前記複数のオ
ープン領域Ａ１、Ａ２、Ａ３は第１金属層１１の上に発光チップ４１が搭載される第１オ
ープン領域Ａ１、第２金属層１２の上に第２ワイヤ５２がボンディングされる第２オープ
ン領域Ａ２、そして第１金属層１１の上に第１ワイヤ５１がボンディングされる第３オー
プン領域Ａ３を含む。他の例として、前記第３ボンディング領域Ａ３は前記発光チップ４
１が垂直型電極構造を有するチップの場合形成しないことがある。
１３の上面全体に形成され、複数のオープン領域Ａ１、Ａ２、Ａ３を含む。前記複数のオ
ープン領域Ａ１、Ａ２、Ａ３は第１金属層１１の上に発光チップ４１が搭載される第１オ
ープン領域Ａ１、第２金属層１２の上に第２ワイヤ５２がボンディングされる第２オープ
ン領域Ａ２、そして第１金属層１１の上に第１ワイヤ５１がボンディングされる第３オー
プン領域Ａ３を含む。他の例として、前記第３ボンディング領域Ａ３は前記発光チップ４
１が垂直型電極構造を有するチップの場合形成しないことがある。
前記第１〜第３オープン領域Ａ１、Ａ２、Ａ３は円形状または多角形状に形成されるこ
とができる。ここで、前記第２オープン領域Ａ２は前記発光チップ４１の下部面積より少
なくとも４倍以下の大きさに形成されることができ、前記第１及び第３オープン領域Ａ１
、Ａ３の幅または直径はワイヤ直径（例：２０〜５０μｍ）より大きく例えば、６０μｍ
〜１２０μｍに形成されることができる。
とができる。ここで、前記第２オープン領域Ａ２は前記発光チップ４１の下部面積より少
なくとも４倍以下の大きさに形成されることができ、前記第１及び第３オープン領域Ａ１
、Ａ３の幅または直径はワイヤ直径（例：２０〜５０μｍ）より大きく例えば、６０μｍ
〜１２０μｍに形成されることができる。
前記絶縁フィルム２１、２３の接着領域が図１の構造に比べて広いので、第１金属層１
１と第２金属層１３をより固く支持する事ができる。ガイド部材３１は前記絶縁フィルム
２１、２３の上面縁に形成されることができて、樹脂層６１は前記ガイド部材３１の内側
にモールディングされることができる。
１と第２金属層１３をより固く支持する事ができる。ガイド部材３１は前記絶縁フィルム
２１、２３の上面縁に形成されることができて、樹脂層６１は前記ガイド部材３１の内側
にモールディングされることができる。
図１７は図１５の他の例を示す平面図である。
図１７を参照すると、発光素子は３個の金属層１１、１３、１５及び前記金属層１１、
１３、１５の上に絶縁フィルム２１が付着される。前記絶縁フィルム２１には複数のオー
プン領域Ａ１、Ａ２、Ａ３が形成され、前記複数のオープン領域Ａ１、Ａ２、Ａ３は各金
属層１１、１３、１５の上面一部を各々開口（オープン）させる。
１３、１５の上に絶縁フィルム２１が付着される。前記絶縁フィルム２１には複数のオー
プン領域Ａ１、Ａ２、Ａ３が形成され、前記複数のオープン領域Ａ１、Ａ２、Ａ３は各金
属層１１、１３、１５の上面一部を各々開口（オープン）させる。
第１金属層１１と第２金属層１３の間に第３金属層１５が配置され、前記第３金属層１
５上に発光チップ４１が搭載される。前記発光チップ４１は絶縁フィルム２１の第１オー
プン領域Ａ１に配置され、第２オープン領域Ａ２及び第３オープン領域Ａ３はワイヤボン
ディング領域であることができる。
５上に発光チップ４１が搭載される。前記発光チップ４１は絶縁フィルム２１の第１オー
プン領域Ａ１に配置され、第２オープン領域Ａ２及び第３オープン領域Ａ３はワイヤボン
ディング領域であることができる。
発光チップ４１は第３オープン領域Ａ３に配置される第１金属層１１とは第１ワイヤ５
１で接続され、第２オープン領域Ａ２に配置される第２金属層１３とは第２ワイヤ５２で
接続される。
１で接続され、第２オープン領域Ａ２に配置される第２金属層１３とは第２ワイヤ５２で
接続される。
前記絶縁フィルム２１のオープン領域Ａ１、Ａ２、Ａ３は各金属層１１、１３、１５の
上面に対して発光チップ４１及びワイヤ５１、５２が配置される領域であり、前記絶縁フ
ィルム２１は金属層１１、１３、１５の間を固く支持して、金属層１１、１３、１５の下
面間の段差を防止して半田ボンディングによる電気的信頼性を改善させて、熱伝達効率を
改善させることができる。
上面に対して発光チップ４１及びワイヤ５１、５２が配置される領域であり、前記絶縁フ
ィルム２１は金属層１１、１３、１５の間を固く支持して、金属層１１、１３、１５の下
面間の段差を防止して半田ボンディングによる電気的信頼性を改善させて、熱伝達効率を
改善させることができる。
図１８〜図２７は、本発明の実施形態において金属層と絶縁フィルムの変更例を示す図
である。
である。
図１８を参照すると、第２金属層１３は第１金属層１１の少なくとも一部に配置されて
、前記第１金属層１１の一側部に円形、多角形、ランダムの形状に形成される。前記第１
金属層１１と第２金属層１３間の分離部１７は一定の幅であるか不規則な幅に形成される
ことができる。
、前記第１金属層１１の一側部に円形、多角形、ランダムの形状に形成される。前記第１
金属層１１と第２金属層１３間の分離部１７は一定の幅であるか不規則な幅に形成される
ことができる。
前記第１金属層１１と第２金属層１３は互いに対応する面が凹凸構造１１Ｄ、１３Ｄに
形成されることができ、前記凹凸構造１１Ｄ、１３Ｄは第２絶縁フィルム２３の接着効率
を改善させることができる。
形成されることができ、前記凹凸構造１１Ｄ、１３Ｄは第２絶縁フィルム２３の接着効率
を改善させることができる。
図１９のように、第２金属層１３は第１金属層１１の少なくとも一つの角領域に所定形
状例えば、円形または多角形状に形成されることができる。
状例えば、円形または多角形状に形成されることができる。
図２０及び図２１に示すように、第２金属層１３は第１金属層１１の少なくとも一部に
半球型形状に形成されるか、第１金属層１１の角領域に多角形状に形成されることができ
る。
半球型形状に形成されるか、第１金属層１１の角領域に多角形状に形成されることができ
る。
図２２のように、第２及び第３金属層１３Ａ、１３Ｂは前記第１金属層１１の少なくと
も２個の角領域に円形または多角形状に形成されることができる。第２及び第３金属層１
３Ａ、１３Ｂは前記第１金属層１１の互いに対向する角領域に各々形成されることができ
、電極として各々使用されるか、何れか一つはダミーパターンに使用されることができる
。前記絶縁フィルム２１、２３は３個の金属層１１、１３Ａ、１３Ｂの縁に形成され、オ
ープン領域Ａ１、Ａ２を介して３個の金属層１１、１３Ａ、１３Ｂの上面を露出させるこ
とができる。
も２個の角領域に円形または多角形状に形成されることができる。第２及び第３金属層１
３Ａ、１３Ｂは前記第１金属層１１の互いに対向する角領域に各々形成されることができ
、電極として各々使用されるか、何れか一つはダミーパターンに使用されることができる
。前記絶縁フィルム２１、２３は３個の金属層１１、１３Ａ、１３Ｂの縁に形成され、オ
ープン領域Ａ１、Ａ２を介して３個の金属層１１、１３Ａ、１３Ｂの上面を露出させるこ
とができる。
図２３のように、第１金属層１１と第２金属層１３は中央側に配置される分離部１７に
より分割され、互いに同一面積であるか互いに対称になるように形成されることができる
。前記第２金属層１３の第１辺の長さＬ１は反対側第２辺が長さＬ２より短いであっても
よく、これに対して限定するものではない。
より分割され、互いに同一面積であるか互いに対称になるように形成されることができる
。前記第２金属層１３の第１辺の長さＬ１は反対側第２辺が長さＬ２より短いであっても
よく、これに対して限定するものではない。
図２４を参照すると、第２金属層１３は第１金属層１１の一部に形成され、第１方向幅
Ｘ３は第２金属層１１の第１方向幅Ｘ２より１／２以上になるように形成されることがで
きる。
Ｘ３は第２金属層１１の第１方向幅Ｘ２より１／２以上になるように形成されることがで
きる。
前記第２金属層１３の第１方向幅Ｙ３は前記第１金属層１１の第２方向幅Ｙ１に比べて
１／２以上に形成されることができる。
１／２以上に形成されることができる。
前記第１及び第２金属層１１、１３の境界部上には絶縁フィルム２１が形成され、前記
絶縁フィルム２１は第２オープン領域Ａ２を除いた領域をカバーし、前記第２金属層１３
の外側上面は前記絶縁フィルム２１を形成せずに露出させることができる。
絶縁フィルム２１は第２オープン領域Ａ２を除いた領域をカバーし、前記第２金属層１３
の外側上面は前記絶縁フィルム２１を形成せずに露出させることができる。
前記第２金属層１３のオープン領域Ａ１に発光チップが搭載されて、前記発光チップは
二つの金属層１１、１３に電気的に接続されることができる。
二つの金属層１１、１３に電気的に接続されることができる。
図２５を参照すると、第２金属層１３は前記第１金属層１１の角部分に形成されること
ができ、前記第２金属層１３の第１方向幅Ｘ４と第２方向幅Ｙ４は前記第１金属層１１の
第１方向幅Ｘ１と第２方向幅Ｘ１、Ｙ１に比べて１／２以上に形成されることができる。
ができ、前記第２金属層１３の第１方向幅Ｘ４と第２方向幅Ｙ４は前記第１金属層１１の
第１方向幅Ｘ１と第２方向幅Ｘ１、Ｙ１に比べて１／２以上に形成されることができる。
前記第２金属層１３の外側上面には絶縁フィルムを形成しなくて、ガイド部材を形成す
ることができ、ガイド部材によりカバーする領域を改善させることができる。
ることができ、ガイド部材によりカバーする領域を改善させることができる。
図２６を参照すると、第２金属層１３は第１金属層１１の何れか一側面部を介して内部
まで延長されるか、第１金属層１１の内部に形成されることができる。
まで延長されるか、第１金属層１１の内部に形成されることができる。
前記第２金属層１３の外側部１３−１の幅Ｗ５は内側部１３−２の幅Ｗ６より狭く形成
されることができる。前記第２金属層１３の第１オープン領域Ａ１に発光チップが配置さ
れることができ、これに対して限定するものではない。
されることができる。前記第２金属層１３の第１オープン領域Ａ１に発光チップが配置さ
れることができ、これに対して限定するものではない。
図２７を参照すると、第２金属層１３は前記第１金属層１１の幅程度の直径を有して、
半球形状に形成されることができる。絶縁フィルム２１は第１金属層１１と第２金属層１
３の境界部上面に形成されることができ、金属層１１、１３の上面縁にはガイド部材を形
成することができる。
＜第６実施形態＞
図２８を参照すると、第１金属層１１と第２金属層１３の上面領域の縁に第１絶縁フィ
ルム２１が形成されて、前記第１金属層１１と第２金属層１３の間を覆う第２絶縁フィル
ム２３を形成する。前記第１絶縁フィルム２１と前記第２絶縁フィルム２３は互いに接続
されることができ、前記第１絶縁フィルム２１と前記第２絶縁フィルム２３の間はオープ
ン領域が配置される。
半球形状に形成されることができる。絶縁フィルム２１は第１金属層１１と第２金属層１
３の境界部上面に形成されることができ、金属層１１、１３の上面縁にはガイド部材を形
成することができる。
＜第６実施形態＞
図２８を参照すると、第１金属層１１と第２金属層１３の上面領域の縁に第１絶縁フィ
ルム２１が形成されて、前記第１金属層１１と第２金属層１３の間を覆う第２絶縁フィル
ム２３を形成する。前記第１絶縁フィルム２１と前記第２絶縁フィルム２３は互いに接続
されることができ、前記第１絶縁フィルム２１と前記第２絶縁フィルム２３の間はオープ
ン領域が配置される。
樹脂層６３は第１絶縁フィルム２１のオープン領域に形成されて発光チップ４１をカバ
ーする。前記樹脂層６３は液状の樹脂系の絶縁物質でディスペンシングして硬化させるが
、この時前記第１絶縁フィルム２１は前記樹脂層６３の縁でダム（Ｄａｍ）の役割を果た
す。前記樹脂層６３は表面が凸レンズ形状に形成されることができる。前記樹脂層６３の
中央部は前記第１絶縁フィルム２１及び前記第２絶縁フィルム２３の厚さより厚く形成さ
れることができる。
ーする。前記樹脂層６３は液状の樹脂系の絶縁物質でディスペンシングして硬化させるが
、この時前記第１絶縁フィルム２１は前記樹脂層６３の縁でダム（Ｄａｍ）の役割を果た
す。前記樹脂層６３は表面が凸レンズ形状に形成されることができる。前記樹脂層６３の
中央部は前記第１絶縁フィルム２１及び前記第２絶縁フィルム２３の厚さより厚く形成さ
れることができる。
前記樹脂層６３の縁はガイド部材３１や反射物質がさらに形成されることができるが、
これに対して限定するものではない。
＜第７実施形態＞
図２９を参照すると、発光チップ４５は第１金属層１１にダイボンディングされて、第
２金属層１３とワイヤ５３で接続される。前記樹脂層６３は第１金属層１１と第２金属層
１３の上に形成される。
これに対して限定するものではない。
＜第７実施形態＞
図２９を参照すると、発光チップ４５は第１金属層１１にダイボンディングされて、第
２金属層１３とワイヤ５３で接続される。前記樹脂層６３は第１金属層１１と第２金属層
１３の上に形成される。
前記樹脂層６３は前記金属層１１、１３の上面に配置され、前記樹脂層６３の縁には絶
縁フィルム２１が配置される。前記樹脂層６３は凸レンズ形状に形成されることができる
。前記樹脂層６３の縁はガイド部材３１や反射物質がさらに形成されることができ、これ
に対して限定するものではない。
縁フィルム２１が配置される。前記樹脂層６３は凸レンズ形状に形成されることができる
。前記樹脂層６３の縁はガイド部材３１や反射物質がさらに形成されることができ、これ
に対して限定するものではない。
前記第１金属層１１と第２金属層１３間の分離部１７にはスペーサ１８が配置され、前
記スペーサ１８は第１金属層１１と第２金属層１３の間に配置され、絶縁性の材質を含む
。前記スペーサ１８は第１金属層１１と第２金属層１３の間に接着され、前記第１金属層
１１と前記第２金属層１３間の間隔を離隔させ電気的短絡を防止することができる。前記
スペーサ１８はＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２
のうち少なくとも一つを含むことができる。
記スペーサ１８は第１金属層１１と第２金属層１３の間に配置され、絶縁性の材質を含む
。前記スペーサ１８は第１金属層１１と第２金属層１３の間に接着され、前記第１金属層
１１と前記第２金属層１３間の間隔を離隔させ電気的短絡を防止することができる。前記
スペーサ１８はＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２
のうち少なくとも一つを含むことができる。
前記樹脂層６３の下面は前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の上面と前記スペー
サ１８の上面に接触されることができる。
＜第８実施形態＞
図３０を参照すると、樹脂層６３の表面にラフネス６３Ａが形成される構造である。前
記ラフネス６３Ａは前記樹脂層６１の表面に対してエッチングまたは射出することで凹凸
面に形成されることができ、このようなラフネス６３Ａは樹脂層６３の外部に進行する光
の臨界角を変化させ、光抽出効率を改善させることができる。
＜第９実施形態＞
図３１を参照すると、発光チップ４１は第１金属層１１と第２金属層１３の上にフリッ
プ方式に搭載されることができ、前記発光チップ４１は第１金属層１１と前記第２金属層
１３上に搭載される。第１金属層１１と第２金属層１３の幅は互いに同一に形成されるこ
とができる。
サ１８の上面に接触されることができる。
＜第８実施形態＞
図３０を参照すると、樹脂層６３の表面にラフネス６３Ａが形成される構造である。前
記ラフネス６３Ａは前記樹脂層６１の表面に対してエッチングまたは射出することで凹凸
面に形成されることができ、このようなラフネス６３Ａは樹脂層６３の外部に進行する光
の臨界角を変化させ、光抽出効率を改善させることができる。
＜第９実施形態＞
図３１を参照すると、発光チップ４１は第１金属層１１と第２金属層１３の上にフリッ
プ方式に搭載されることができ、前記発光チップ４１は第１金属層１１と前記第２金属層
１３上に搭載される。第１金属層１１と第２金属層１３の幅は互いに同一に形成されるこ
とができる。
第２絶縁フィルム２４は前記第１金属層１１と第２金属層１３の下面に付着され、二つ
の金属層１１、１３の間を絶縁させて支持する。
の金属層１１、１３の間を絶縁させて支持する。
前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の上面領域の縁に第１絶縁フィルム２１が付
着され、二つの金属層１１、１３を固定させることができる。
着され、二つの金属層１１、１３を固定させることができる。
前記第２絶縁フィルム２１はダムの役割を果たし、樹脂層６３が溢れることを防止する
ことができる。前記樹脂層６３の一部は前記第１及び第２金属層１１、１３間に埋められ
ることができ、第２絶縁フィルム２１と共に金属層１１、１３間の間隔を維持させる。
ことができる。前記樹脂層６３の一部は前記第１及び第２金属層１１、１３間に埋められ
ることができ、第２絶縁フィルム２１と共に金属層１１、１３間の間隔を維持させる。
前記樹脂層６３は凸の半球形状に形成されることができ、その中央部分には所定深さを
有する凹部６３Ｂが形成される。前記凹部６３Ｂは角形状または半球形状に形成されるこ
とができ、その内部には反射物質７２が形成されることができる。前記反射物質７２は金
属酸化物を含め、例えばＴｉＯ２、または／及びＳｉＯ２などの物質であって少なくとも
一層に形成されることができ、入射される光をサイド方向に反射させることができる。前
記樹脂層６３と前記反射物質７２は屈折率が互いに異なる物質であることができ、例えば
前記反射物質７２の屈折率がさらに高く形成されることができる。前記樹脂層６３は中央
方向の光をサイド（側面）方向に反射させて、光の指向角分布を均一に形成することがで
きる。
有する凹部６３Ｂが形成される。前記凹部６３Ｂは角形状または半球形状に形成されるこ
とができ、その内部には反射物質７２が形成されることができる。前記反射物質７２は金
属酸化物を含め、例えばＴｉＯ２、または／及びＳｉＯ２などの物質であって少なくとも
一層に形成されることができ、入射される光をサイド方向に反射させることができる。前
記樹脂層６３と前記反射物質７２は屈折率が互いに異なる物質であることができ、例えば
前記反射物質７２の屈折率がさらに高く形成されることができる。前記樹脂層６３は中央
方向の光をサイド（側面）方向に反射させて、光の指向角分布を均一に形成することがで
きる。
また前記凹部６３Ｂには反射物質ではなく散乱剤で形成されることができ、これに対し
て限定するものではない。
＜第１０実施形態＞
図３２を参照すると、樹脂層６１の側面にガイド部材３３を形成しており、前記ガイド
部材３３は前記樹脂層６１を形成した後、前記樹脂層６１の少なくとも２側面にスパッタ
リングまたは蒸着方法を利用して蒸着されることができる。このようなガイド部材３３に
より製造工程は変更されることができ、前記ガイド部材３３の幅及び厚さなどを蒸着時間
によって調節することができる。前記ガイド部材３３はＡｌ、またはＡｇのような金属を
有する反射物質であるか、屈折率が高い透光性物質であることができる。
＜第１１実施形態＞
図３３を参照すると、発光素子は樹脂層６１上にレンズ７１を配置する構造である。樹
脂層６１上に形成されるレンズ７１は半球形状であって凸な形状を有し前記樹脂層６１及
び前記ガイド部材３１の上面に接着されることができる。前記ガイド部材３１と前記レン
ズ７１の表面は凹凸構造が形成されることができ、これに対して限定するものではない。
＜第１２実施形態＞
図３４を参照すると、発光素子は３個の金属層１１、１３、１５を配列して、３個の金
属層１１、１３、１５のうち第１及び第２金属層１１、１３は電極として使用され、第３
金属層１５は第１及び第２金属層１１、１３間に配置されて放熱プレートとして使用され
ることができる。
て限定するものではない。
＜第１０実施形態＞
図３２を参照すると、樹脂層６１の側面にガイド部材３３を形成しており、前記ガイド
部材３３は前記樹脂層６１を形成した後、前記樹脂層６１の少なくとも２側面にスパッタ
リングまたは蒸着方法を利用して蒸着されることができる。このようなガイド部材３３に
より製造工程は変更されることができ、前記ガイド部材３３の幅及び厚さなどを蒸着時間
によって調節することができる。前記ガイド部材３３はＡｌ、またはＡｇのような金属を
有する反射物質であるか、屈折率が高い透光性物質であることができる。
＜第１１実施形態＞
図３３を参照すると、発光素子は樹脂層６１上にレンズ７１を配置する構造である。樹
脂層６１上に形成されるレンズ７１は半球形状であって凸な形状を有し前記樹脂層６１及
び前記ガイド部材３１の上面に接着されることができる。前記ガイド部材３１と前記レン
ズ７１の表面は凹凸構造が形成されることができ、これに対して限定するものではない。
＜第１２実施形態＞
図３４を参照すると、発光素子は３個の金属層１１、１３、１５を配列して、３個の金
属層１１、１３、１５のうち第１及び第２金属層１１、１３は電極として使用され、第３
金属層１５は第１及び第２金属層１１、１３間に配置されて放熱プレートとして使用され
ることができる。
第１〜第３金属層１１、１３、１５の上面領域の縁には第１絶縁フィルム２１が形成さ
れ、樹脂層６１の障壁役割と金属層１１、１３、１５を支持する。第２及び第３絶縁フィ
ルム２４Ａ、２４Ｂは前記第１及び第３金属層１１、１５間と第３金属層１５と第２金属
層１３間の領域の下に接着され、前記第１金属層１１と前記第３金属層１５の間の領域と
前記第３金属層１５と前記第２金属層１３間を支持する。前記第２及び第３絶縁フィルム
２４Ａ、２４Ｂは隣接の金属層間の短絡を防止することができる。前記第２及び第３絶縁
フィルム２４Ａ、２４Ｂは互いに異なる領域に単一フィルムで配置するか、互いに分離さ
れて配置されることができる。
れ、樹脂層６１の障壁役割と金属層１１、１３、１５を支持する。第２及び第３絶縁フィ
ルム２４Ａ、２４Ｂは前記第１及び第３金属層１１、１５間と第３金属層１５と第２金属
層１３間の領域の下に接着され、前記第１金属層１１と前記第３金属層１５の間の領域と
前記第３金属層１５と前記第２金属層１３間を支持する。前記第２及び第３絶縁フィルム
２４Ａ、２４Ｂは隣接の金属層間の短絡を防止することができる。前記第２及び第３絶縁
フィルム２４Ａ、２４Ｂは互いに異なる領域に単一フィルムで配置するか、互いに分離さ
れて配置されることができる。
また前記樹脂層６１の一部６１Ａは前記第１及び第３金属層１１，１５間と第３金属層
１５と第２金属層１３間に埋められ、隣接の金属層の側面に付着されることができる。こ
こで、前記第２及び第３絶縁フィルム２４Ａ、２４Ｂは前記樹脂層６１の硬化の後に除去
されることができ、前記金属層１１、１３、１５は前記樹脂層６１及び前記第１絶縁フィ
ルム２１により支持されて、その下面は平らに形成されることができる。
１５と第２金属層１３間に埋められ、隣接の金属層の側面に付着されることができる。こ
こで、前記第２及び第３絶縁フィルム２４Ａ、２４Ｂは前記樹脂層６１の硬化の後に除去
されることができ、前記金属層１１、１３、１５は前記樹脂層６１及び前記第１絶縁フィ
ルム２１により支持されて、その下面は平らに形成されることができる。
前記樹脂層６１の上側には蛍光体層７３が形成され、前記蛍光体層７３は蛍光体を含む
フィルム類であるか蛍光体が添加される樹脂層であることができる。前記蛍光体層７３は
前記樹脂層６１の上面から前記ガイド部材３１の上面まで延長されて形成されることがで
きる。前記蛍光体層７３は発光チップ４１から放出される光の一部を吸収して前記光より
長波長の光に発光させることができ、色座標分布を所望の分布に移動させることができる
。
＜第１３実施形態＞
図３５を参照すると、発光素子は第２及び第３絶縁フィルム２３Ａ、２３Ｂ上に第２ガ
イド部材３５をさらに配置する構造である。
フィルム類であるか蛍光体が添加される樹脂層であることができる。前記蛍光体層７３は
前記樹脂層６１の上面から前記ガイド部材３１の上面まで延長されて形成されることがで
きる。前記蛍光体層７３は発光チップ４１から放出される光の一部を吸収して前記光より
長波長の光に発光させることができ、色座標分布を所望の分布に移動させることができる
。
＜第１３実施形態＞
図３５を参照すると、発光素子は第２及び第３絶縁フィルム２３Ａ、２３Ｂ上に第２ガ
イド部材３５をさらに配置する構造である。
第２及び第３絶縁フィルム２３Ａ、２３Ｂは隣接の金属層１１、１３、１５間の分離部
１７Ａ、１７Ｂを覆って前記金属層１１、１３、１５の境界部上面に付着され、前記第２
絶縁フィルム２３Ａ、２３Ｂ上に第２ガイド部材３４を形成する。第１絶縁フィルム２１
上には第１ガイド部材３１が形成される。前記第１ガイド部材３１及び前記第２ガイド部
材３４のオープン領域には前記発光チップ４１、４２、４３が配置される。前記第１ガイ
ド部材３１及び前記第２ガイド部材３４は前記発光チップ４１、４２、４３の縁に配置さ
れ、入射される光を効果的に反射させることができる。
１７Ａ、１７Ｂを覆って前記金属層１１、１３、１５の境界部上面に付着され、前記第２
絶縁フィルム２３Ａ、２３Ｂ上に第２ガイド部材３４を形成する。第１絶縁フィルム２１
上には第１ガイド部材３１が形成される。前記第１ガイド部材３１及び前記第２ガイド部
材３４のオープン領域には前記発光チップ４１、４２、４３が配置される。前記第１ガイ
ド部材３１及び前記第２ガイド部材３４は前記発光チップ４１、４２、４３の縁に配置さ
れ、入射される光を効果的に反射させることができる。
第１発光チップ４１は第１金属層１１上に配置されて、第２発光チップ４２は第３金属
層１５上に配置され、第３発光チップ４３は第２金属層１３上に配置される。前記第１発
光チップ４１は第１金属層１１と第２発光チップ４２の第１電極にワイヤ５１、５３で接
続されて、前記第２発光チップ４２は第２電極が第３発光チップ４３の第１電極にワイヤ
５４で接続され、第３発光チップ４３は第２電極が第２金属層１３にワイヤ５２に接続さ
れる。前記第２発光チップ４２は他の発光チップとワイヤで直接接続される形態であるが
、これに対して限定するものではない。
層１５上に配置され、第３発光チップ４３は第２金属層１３上に配置される。前記第１発
光チップ４１は第１金属層１１と第２発光チップ４２の第１電極にワイヤ５１、５３で接
続されて、前記第２発光チップ４２は第２電極が第３発光チップ４３の第１電極にワイヤ
５４で接続され、第３発光チップ４３は第２電極が第２金属層１３にワイヤ５２に接続さ
れる。前記第２発光チップ４２は他の発光チップとワイヤで直接接続される形態であるが
、これに対して限定するものではない。
第１発光チップ４１は第１金属層１１にワイヤ５１、５２で接続されて、第１発光チッ
プ４１と第２発光チップ４２はワイヤ５１、５２でチップ対チップに接続され、前記第２
発光チップ４２は第３金属層にワイヤ５１、５２で接続されることができる。
＜第１４実施形態＞
図３６を参照すると、発光素子は樹脂層６１の表面Ｓ５が凹である表面に形成されるこ
とができる。前記樹脂層６１は、例えば樹脂層６１のサイド部が高くて中央部が低いレン
ズ形状に形成されることができる。前記樹脂層６１のサイド部と中央部の間のギャップＴ
６は０．００１〜１ｍｍ程度に形成されることができる。このようなギャップＴ６は光ガ
イドプレートの接触を遮断することができ、光ガイドプレートとの接触による色拡散現象
のような非正常的な色分布を遮断することができる。
＜第１５実施形態＞
図３７を参照すると、第１絶縁フィルム２１上に第１ガイド部材３１を形成して、発光
チップ４１の縁に第２ガイド部材３６を形成することができ、前記第２ガイド部材３６は
前記発光チップ４１の縁に前記発光チップ４１の厚さより厚くまたは薄く形成されること
ができる。前記第２ガイド部材３６の一部は前記発光チップ４１と前記第２絶縁フィルム
２３間に配置される。前記第２ガイド部材３６の他の部分は前記発光チップ４１と第１ワ
イヤ５１間に配置されることができる。
プ４１と第２発光チップ４２はワイヤ５１、５２でチップ対チップに接続され、前記第２
発光チップ４２は第３金属層にワイヤ５１、５２で接続されることができる。
＜第１４実施形態＞
図３６を参照すると、発光素子は樹脂層６１の表面Ｓ５が凹である表面に形成されるこ
とができる。前記樹脂層６１は、例えば樹脂層６１のサイド部が高くて中央部が低いレン
ズ形状に形成されることができる。前記樹脂層６１のサイド部と中央部の間のギャップＴ
６は０．００１〜１ｍｍ程度に形成されることができる。このようなギャップＴ６は光ガ
イドプレートの接触を遮断することができ、光ガイドプレートとの接触による色拡散現象
のような非正常的な色分布を遮断することができる。
＜第１５実施形態＞
図３７を参照すると、第１絶縁フィルム２１上に第１ガイド部材３１を形成して、発光
チップ４１の縁に第２ガイド部材３６を形成することができ、前記第２ガイド部材３６は
前記発光チップ４１の縁に前記発光チップ４１の厚さより厚くまたは薄く形成されること
ができる。前記第２ガイド部材３６の一部は前記発光チップ４１と前記第２絶縁フィルム
２３間に配置される。前記第２ガイド部材３６の他の部分は前記発光チップ４１と第１ワ
イヤ５１間に配置されることができる。
前記第２ガイド部材３６はフレーム形状、ループ形状、またはリング形状に形成される
ことができる。前記第２ガイド部材３６は前記第１金属層１１の第１オープン領域Ａ１内
に形成されることができ、前記発光チップ４１から放出される光を効果的に反射させるこ
とができる。
ことができる。前記第２ガイド部材３６は前記第１金属層１１の第１オープン領域Ａ１内
に形成されることができ、前記発光チップ４１から放出される光を効果的に反射させるこ
とができる。
前記第１ガイド部材３１は前記第１絶縁フィルム２１の幅と同一幅に形成されることが
でき、これは第１絶縁フィルム２１上に第１ガイド部材３１を予め接着した後、パンチン
グなどの工程を行って形成することができる。
でき、これは第１絶縁フィルム２１上に第１ガイド部材３１を予め接着した後、パンチン
グなどの工程を行って形成することができる。
この実施形態は発光チップ４１の縁にガイド部材３１、３６を二重に配置することによ
って、光反射効率及び指向角分布を改善させることができる。
＜第１６実施形態＞
図３８を参照すると、発光素子は第１絶縁フィルム２１上に第１及び第３ガイド部材３
７Ａ、３７Ｂを形成する。前記第１ガイド部材３７Ａは前記第１絶縁フィルム２１の上面
及び内側面上に配置され、一部は前記第１絶縁フィルム２１より前記発光チップ４５に近
く配置され前記第１金属層１１の上面に接触されることができる。第３ガイド部材３７Ｂ
は前記第１絶縁フィルム２１の上面及び内側面上に配置され、一部は前記第１絶縁フィル
ム２１より前記発光チップ４５に近く配置され前記第２金属層１３の上面に接触されるこ
とができる。前記第１ガイド部材３７Ａは前記金属層１１、１３の上面まで所定距離Ｄ３
に延長されるが、その距離Ｄ３は０．１ｍｍ以上になることができる。
って、光反射効率及び指向角分布を改善させることができる。
＜第１６実施形態＞
図３８を参照すると、発光素子は第１絶縁フィルム２１上に第１及び第３ガイド部材３
７Ａ、３７Ｂを形成する。前記第１ガイド部材３７Ａは前記第１絶縁フィルム２１の上面
及び内側面上に配置され、一部は前記第１絶縁フィルム２１より前記発光チップ４５に近
く配置され前記第１金属層１１の上面に接触されることができる。第３ガイド部材３７Ｂ
は前記第１絶縁フィルム２１の上面及び内側面上に配置され、一部は前記第１絶縁フィル
ム２１より前記発光チップ４５に近く配置され前記第２金属層１３の上面に接触されるこ
とができる。前記第１ガイド部材３７Ａは前記金属層１１、１３の上面まで所定距離Ｄ３
に延長されるが、その距離Ｄ３は０．１ｍｍ以上になることができる。
前記第１及び第3ガイド部材３７Ａ、３７Ｂは非金属材質または絶縁性樹脂材質である場合、互いに接続されることができる。
前記第１及び第３ガイド部材３７Ａ、３７Ｂが伝導性材質である場合、物理的に分離さ
れることができ、その分離領域は前記第１金属層１１と前記第２金属層１３間の境界部上
にて互いに離隔されることができる。これによって、前記第１金属層１１上に接触される
ガイド部材３７Ａと第２金属層１３上に接触される第３ガイド部材３７Ｂは互いに分離さ
れて電気的短絡を防止することができる。
れることができ、その分離領域は前記第１金属層１１と前記第２金属層１３間の境界部上
にて互いに離隔されることができる。これによって、前記第１金属層１１上に接触される
ガイド部材３７Ａと第２金属層１３上に接触される第３ガイド部材３７Ｂは互いに分離さ
れて電気的短絡を防止することができる。
また前記第２ガイド部材３７Ｃは第２絶縁フィルム２３の上面及び内側面に形成され、前記第１金属層１１の上面と接触されることができる。前記第２ガイド部材３７Ｃは前記第１ガイド部材３７Ａと互いに接続されることができ、前記第３ガイド部材３７Ｂと分離されることができる。前記第２ガイド部材３７Ｃは前記第２金属層１３と物理的に離隔される。
前記第１ガイド部材３７Ａと前記第２ガイド部材３７Ｃは前記発光チップ４５の縁に対
応されるように配置されることによって、前記発光チップ４５から放出される光を効果的
に反射させることができる。前記第１ガイド部材３７Ａと前記第２ガイド部材３７Ｃは樹
脂材質であるか、非金属材質であることができ、または反射性金属で形成されることがで
きる。
応されるように配置されることによって、前記発光チップ４５から放出される光を効果的
に反射させることができる。前記第１ガイド部材３７Ａと前記第２ガイド部材３７Ｃは樹
脂材質であるか、非金属材質であることができ、または反射性金属で形成されることがで
きる。
また前記第１ガイド部材３７Ａと前記第２ガイド部材３７Ｃの内側面は前記発光チップ
４５に対応され、前記第１金属層１１の上面に対して曲面形状または斜めの形状に形成さ
れることができる。
４５に対応され、前記第１金属層１１の上面に対して曲面形状または斜めの形状に形成さ
れることができる。
前記第１〜第３ガイド部材３７Ａ、３７Ｃ、３７Ｂは同一材質であるか、互いに異なる
材質であることができ、これに対して限定するものではない。前記第１〜第３ガイド部材
３７Ａ、３７Ｃ、３７Ｂは金属材質であることができ、他の例として絶縁材質であること
ができる。
＜第１７実施形態＞
図３９を参照すると、発光素子はガイド部材３１上に反射層８１Ａ、８１Ｂをさらに含
む。
材質であることができ、これに対して限定するものではない。前記第１〜第３ガイド部材
３７Ａ、３７Ｃ、３７Ｂは金属材質であることができ、他の例として絶縁材質であること
ができる。
＜第１７実施形態＞
図３９を参照すると、発光素子はガイド部材３１上に反射層８１Ａ、８１Ｂをさらに含
む。
前記反射層８１Ａ、８１Ｂは銀、アルミニウムのように７０％以上の反射率を有する高
反射金属で形成され、前記高反射金属はメッキやコーティング工程で形成されることがで
きる。前記反射層８１Ａ、８１Ｂは前記ガイド部材３１及び第１絶縁フィルム２１の上面
及び側面に形成されることができる。前記反射層８１Ａ、８１Ｂは不連続的に形成されて
互いに離隔されることができ、第１金属層１１と第２金属層１３間の短絡を防止すること
ができる。
反射金属で形成され、前記高反射金属はメッキやコーティング工程で形成されることがで
きる。前記反射層８１Ａ、８１Ｂは前記ガイド部材３１及び第１絶縁フィルム２１の上面
及び側面に形成されることができる。前記反射層８１Ａ、８１Ｂは不連続的に形成されて
互いに離隔されることができ、第１金属層１１と第２金属層１３間の短絡を防止すること
ができる。
また前記実施形態において、前記金属層１１、１３の上面領域の縁に絶縁フィルム２１
、２３Ａ、２３Ｂを付着することによって、前記金属層１１、１３の側面と絶縁フィルム
２１間は１μｍ以上離隔されることができ、これに対して限定するものではない。
＜第１８実施形態＞
図４０を参照すると、発光素子は第１金属層１１に発光チップ４５がボンディングされ
て、第２金属層１３と発光チップ４５はワイヤ５３で接続される。前記第１金属層１１と
第２金属層１３の間の上面に第２絶縁フィルム２３を付着されることができる。
、２３Ａ、２３Ｂを付着することによって、前記金属層１１、１３の側面と絶縁フィルム
２１間は１μｍ以上離隔されることができ、これに対して限定するものではない。
＜第１８実施形態＞
図４０を参照すると、発光素子は第１金属層１１に発光チップ４５がボンディングされ
て、第２金属層１３と発光チップ４５はワイヤ５３で接続される。前記第１金属層１１と
第２金属層１３の間の上面に第２絶縁フィルム２３を付着されることができる。
ガイド部材３１は第１金属層１１と第１絶縁フィルム２１の上に形成され、連続的なま
たは不連続的な形態を有して、フレーム形状、ループ形状、またはリング形状に形成され
ることができる。
たは不連続的な形態を有して、フレーム形状、ループ形状、またはリング形状に形成され
ることができる。
前記ガイド部材３１内には樹脂層６３が形成され、前記樹脂層６３上には蛍光体層７３
が形成されることができる。前記蛍光体層７３の蛍光体は全領域に分散されることができ
、発光チップ４５から離隔されていることから変色の問題を防止することができる。
＜第１９実施形態＞
図４１を参照すると、発光素子は樹脂層を除去して、発光チップ４１の上に光励起フィ
ルム７４を配置する。前記光励起フィルム７４は金属層１１、１３、１５から離隔されて
配置され、前記ガイド部材３１により支持される。
が形成されることができる。前記蛍光体層７３の蛍光体は全領域に分散されることができ
、発光チップ４５から離隔されていることから変色の問題を防止することができる。
＜第１９実施形態＞
図４１を参照すると、発光素子は樹脂層を除去して、発光チップ４１の上に光励起フィ
ルム７４を配置する。前記光励起フィルム７４は金属層１１、１３、１５から離隔されて
配置され、前記ガイド部材３１により支持される。
第２絶縁フィルム２４Ａ、２４Ｂは金属層１１、１３、１５の間の上面または下面に配
置されることができ、これに対して限定するものではない。
＜第２０実施形態＞
図４２は発光素子の側断面図であり、図４３は図４２の平面図である。
置されることができ、これに対して限定するものではない。
＜第２０実施形態＞
図４２は発光素子の側断面図であり、図４３は図４２の平面図である。
図４２及び図４３を参照すると、発光チップ４１は第１金属層１１と第２金属層１３の
上にフリップ方式に搭載され、前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の縁に絶縁フィ
ルム２１が形成される。前記第１金属層１１と第２金属層１３の間に絶縁物質のスペーサ
１８が形成されることができる。
上にフリップ方式に搭載され、前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の縁に絶縁フィ
ルム２１が形成される。前記第１金属層１１と第２金属層１３の間に絶縁物質のスペーサ
１８が形成されることができる。
前記スペーサ１８は樹脂層６６が流出されることを防止することができる。
前記樹脂層６６は前記発光チップ４１の縁に形成されて、その一部６６Ａは前記絶縁フ
ィルム２１の上面まで延長されることができる。
＜第２１実施形態＞
図４４を参照すると、発光素子は第１金属層１１と第２金属層１３間の上面及び下面に
絶縁フィルム２３、２４が付着される。発光チップ４５は第１金属層１１上に配置されて
、樹脂層６７は前記発光チップ４５上にモールディングされる。
ィルム２１の上面まで延長されることができる。
＜第２１実施形態＞
図４４を参照すると、発光素子は第１金属層１１と第２金属層１３間の上面及び下面に
絶縁フィルム２３、２４が付着される。発光チップ４５は第１金属層１１上に配置されて
、樹脂層６７は前記発光チップ４５上にモールディングされる。
前記樹脂層６７の側面は前記第１金属層１１と前記第２金属層１３の側面と同一側面に
形成されることができる。前記樹脂層６７の幅は前記第１金属層１１と前記第２金属層１
３の両側面間の間隔に形成されることができる。
形成されることができる。前記樹脂層６７の幅は前記第１金属層１１と前記第２金属層１
３の両側面間の間隔に形成されることができる。
ここで、樹脂層６７は中央部６７Ａが最も厚くて、外側部６７Ａ方に近づくほど低い厚
さＴ４で形成されることができ、前記中央部５７Ａは凸レンズ形状に形成され、前記厚さ
Ｔ４は発光チップ４５より低いか高く形成されることができる。このような樹脂層６７は
射出成形枠を利用して製造することができる。また発光素子は樹脂層６７の硬化の後に各
発光素子の大きさ単位にカッティングして分離されることによって、製造工程時金属層１
１、１３上に発光チップ４５を搭載するか、樹脂層６７を形成することができる。前記金
属層１１、１３間の分離部１７は最終樹脂層を形成した後にレーザや、カッティング工程
を利用して形成することができるが、これに対して限定するものではない。
＜第２２実施形態＞
図４５を参照すると、発光素子は絶縁フィルム２１、２３と金属層１１、１３間に接着
層２９が形成され、前記接着層２９はシリコンまたはエポキシのように絶縁性接着剤を使
用することができる。前記接着層２９の厚さは１２μｍ以上に形成されることができる。
さＴ４で形成されることができ、前記中央部５７Ａは凸レンズ形状に形成され、前記厚さ
Ｔ４は発光チップ４５より低いか高く形成されることができる。このような樹脂層６７は
射出成形枠を利用して製造することができる。また発光素子は樹脂層６７の硬化の後に各
発光素子の大きさ単位にカッティングして分離されることによって、製造工程時金属層１
１、１３上に発光チップ４５を搭載するか、樹脂層６７を形成することができる。前記金
属層１１、１３間の分離部１７は最終樹脂層を形成した後にレーザや、カッティング工程
を利用して形成することができるが、これに対して限定するものではない。
＜第２２実施形態＞
図４５を参照すると、発光素子は絶縁フィルム２１、２３と金属層１１、１３間に接着
層２９が形成され、前記接着層２９はシリコンまたはエポキシのように絶縁性接着剤を使
用することができる。前記接着層２９の厚さは１２μｍ以上に形成されることができる。
また前記樹脂層６１の上面は第１ガイド部材３１または第２ガイド部材３１Ｃの上面よ
り高く形成されることができる。
り高く形成されることができる。
前記第２ガイド部材３１Ｃは前記絶縁フィルム２１上に配置され、発光チップ４１から
放出される光を効率的に反射させることができる。
＜第２３実施形態＞
図４６を参照すると、金属層１１、１３の上面は凹凸構造１１Ｅ、１３Ｅを含む。前記
凹凸構造１１Ｅ、１３Ｅは第１絶縁フィルム２１の下に配置されるか、各金属層１１、１
３のオープン領域Ａ１、Ａ２にまで延長されることができる。
放出される光を効率的に反射させることができる。
＜第２３実施形態＞
図４６を参照すると、金属層１１、１３の上面は凹凸構造１１Ｅ、１３Ｅを含む。前記
凹凸構造１１Ｅ、１３Ｅは第１絶縁フィルム２１の下に配置されるか、各金属層１１、１
３のオープン領域Ａ１、Ａ２にまで延長されることができる。
前記凹凸構造１１Ｅ、１３Ｅは前記金属層１１、１３上に絶縁フィルム２１、２３の接
触面積を改善させるか、放熱効率を改善させることができる。
＜第２４実施形態＞
図４７を参照すると、第１絶縁フィルム２１及びガイド部材３１の内側面のうち少なく
とも一つは斜めの側面２１ｄ、３１ｄに形成されることができる。前記斜めの側面２１ｄ
、３１ｄは前記第１絶縁フィルム２１の内側面から前記ガイド部材３１の内側面まで形成
されることができる。前記斜めの側面２１ｄ、３１ｄは前記第１絶縁フィルム２１及び前
記ガイド部材３１のうち何れか一側面に形成されるか、二つの側面に形成されることがで
きる。
触面積を改善させるか、放熱効率を改善させることができる。
＜第２４実施形態＞
図４７を参照すると、第１絶縁フィルム２１及びガイド部材３１の内側面のうち少なく
とも一つは斜めの側面２１ｄ、３１ｄに形成されることができる。前記斜めの側面２１ｄ
、３１ｄは前記第１絶縁フィルム２１の内側面から前記ガイド部材３１の内側面まで形成
されることができる。前記斜めの側面２１ｄ、３１ｄは前記第１絶縁フィルム２１及び前
記ガイド部材３１のうち何れか一側面に形成されるか、二つの側面に形成されることがで
きる。
前記斜めの側面２１ｄ、３１ｄの傾斜角度は前記金属層１１、１３の上面から１５〜８
９゜に形成されることができ、このような斜めの側面２１ｄ、３１ｄは光を効率的に放射
方向に反射させることができる。また前記斜めの面２１ｄ、３１ｄには反射物質がコーテ
ィングされることができ、前記反射物質は非伝導性材質であるか、前記接着層のような絶
縁物質の上に形成されて金属層間の電気的短絡を除去することができる。
９゜に形成されることができ、このような斜めの側面２１ｄ、３１ｄは光を効率的に放射
方向に反射させることができる。また前記斜めの面２１ｄ、３１ｄには反射物質がコーテ
ィングされることができ、前記反射物質は非伝導性材質であるか、前記接着層のような絶
縁物質の上に形成されて金属層間の電気的短絡を除去することができる。
前記樹脂層６１の上面は平らであることができ、その上部の幅は前記斜めの側面２１ｄ
、３１ｄにより下部の幅より広く形成されることができる。
、３１ｄにより下部の幅より広く形成されることができる。
また第２絶縁フィルム２３の内側面すなわち、前記発光チップ４５に対応される面は斜
めに形成されることができ、これに対して限定するものではない。また前記第２絶縁フィ
ルム２３上には第２ガイド部材が配置されて、その内側面が斜めの面に形成されることが
できる。
＜第２５実施形態＞
図４８の（ａ）は発光素子の側断面図であり、（ｂ）は（ａ）の金属層上に絶縁フィル
ムが配置された例を示す平面図である。
めに形成されることができ、これに対して限定するものではない。また前記第２絶縁フィ
ルム２３上には第２ガイド部材が配置されて、その内側面が斜めの面に形成されることが
できる。
＜第２５実施形態＞
図４８の（ａ）は発光素子の側断面図であり、（ｂ）は（ａ）の金属層上に絶縁フィル
ムが配置された例を示す平面図である。
図４８を参照すると、第１金属層１１上に配置される第１絶縁フィルム２１内部には孔
２１Ｅを形成して、前記孔２１Ｅは前記第１金属層１１の上面を露出させる。前記第１及
び第２絶縁フィルム２１、２３上にガイド部材３１が形成され、前記ガイド部材３１の一
部３１Ｅは前記孔２１Ｅを介して第１金属層１１上に接触されることができる。前記ガイ
ド部材３１の一部３１Ｅは突起形状に形成され、その幅は第１絶縁フィルム２１の幅より
狭く形成されることができる。
２１Ｅを形成して、前記孔２１Ｅは前記第１金属層１１の上面を露出させる。前記第１及
び第２絶縁フィルム２１、２３上にガイド部材３１が形成され、前記ガイド部材３１の一
部３１Ｅは前記孔２１Ｅを介して第１金属層１１上に接触されることができる。前記ガイ
ド部材３１の一部３１Ｅは突起形状に形成され、その幅は第１絶縁フィルム２１の幅より
狭く形成されることができる。
前記ガイド部材３１の一部３１Ｅは前記第１絶縁フィルム２１が透光性材質である場合
、入射される光を反射させることができる。またガイド部材３１の材質と第１金属層１１
の材質が金属である場合、互いに接合されることができ、第１絶縁フィルム２１を固定さ
せることができる。
、入射される光を反射させることができる。またガイド部材３１の材質と第１金属層１１
の材質が金属である場合、互いに接合されることができ、第１絶縁フィルム２１を固定さ
せることができる。
ここで、前記ガイド部材３１が非金属材質であるか電気伝導性がない樹脂系である場合
、前記第１絶縁フィルム２１のスルーホール２１Ｅは前記二つの金属層１１、１３の境界
部上面を除いた前記第１金属層１１と第２金属層１３上に各々形成されることができ、こ
のような孔２１Ｅにはガイド部材３１の一部が各々形成されることができる。前記孔２１
Ｅは第１絶縁フィルム２１上に複数に形成されることができる。
＜第２６実施形態＞
図４９は実施形態に係る平面図であり、図５０は図４９のＢ−Ｂ側断面図であって、図
５１は図４９のＣ−Ｃ側断面図である。
、前記第１絶縁フィルム２１のスルーホール２１Ｅは前記二つの金属層１１、１３の境界
部上面を除いた前記第１金属層１１と第２金属層１３上に各々形成されることができ、こ
のような孔２１Ｅにはガイド部材３１の一部が各々形成されることができる。前記孔２１
Ｅは第１絶縁フィルム２１上に複数に形成されることができる。
＜第２６実施形態＞
図４９は実施形態に係る平面図であり、図５０は図４９のＢ−Ｂ側断面図であって、図
５１は図４９のＣ−Ｃ側断面図である。
図４９〜図５１を参照すると、第１及び第２金属層１１、１３の全上面に樹脂層６８を
形成して発光チップ４５をモールディングし、前記樹脂層６８の縁に溝１９を含む。前記
溝１９はリング形状、フレーム形状、多角形状に形成され、前記第１金属層１１の上面を
露出させ、前記第２金属層１３から離隔されることができる。前記エッチング方式は湿式
または乾式のエッチング方式を使用することができ、これに対して限定するものではない
。
形成して発光チップ４５をモールディングし、前記樹脂層６８の縁に溝１９を含む。前記
溝１９はリング形状、フレーム形状、多角形状に形成され、前記第１金属層１１の上面を
露出させ、前記第２金属層１３から離隔されることができる。前記エッチング方式は湿式
または乾式のエッチング方式を使用することができ、これに対して限定するものではない
。
前記溝１９にはガイド部材３８が形成され、前記ガイド部材３８は反射材質に形成され
ることができる。前記ガイド部材３８は前記発光チップ４５の縁に円形または多角形のよ
うなリング形状に配置されて、第１金属層１１とは接触され、第２金属層１３とは所定間
隔Ｔ５に離隔され、樹脂層６８の下部６８Ａにより接触されないことがある。ここで、前
記下部６８Ａは樹脂層材質であるか、絶縁性接着層であることができる。
ることができる。前記ガイド部材３８は前記発光チップ４５の縁に円形または多角形のよ
うなリング形状に配置されて、第１金属層１１とは接触され、第２金属層１３とは所定間
隔Ｔ５に離隔され、樹脂層６８の下部６８Ａにより接触されないことがある。ここで、前
記下部６８Ａは樹脂層材質であるか、絶縁性接着層であることができる。
前記ガイド部材３８は樹脂層６８内に埋め込みされ、前記第１金属層１１の上面とは接
触され、前記第２金属層１３とは離隔されている。また前記ガイド部材３８は前記第１金
属層１１においての高さと第２金属層１３においての高さが異なる高さを有する。前記ガ
イド部材３８は発光チップ４５から放出される光を反射させることができる。このような
構造は絶縁フィルムを別途に付着しない構造として製造工程を簡単にすることができる。
触され、前記第２金属層１３とは離隔されている。また前記ガイド部材３８は前記第１金
属層１１においての高さと第２金属層１３においての高さが異なる高さを有する。前記ガ
イド部材３８は発光チップ４５から放出される光を反射させることができる。このような
構造は絶縁フィルムを別途に付着しない構造として製造工程を簡単にすることができる。
前記第１金属層１１と前記第２金属層１３間に配置される分離部１７には前記樹脂層６
８の一部６８Ｃが詰められるか、絶縁フィルムが金属層の上面または／及び下面に付着さ
れることができる。
８の一部６８Ｃが詰められるか、絶縁フィルムが金属層の上面または／及び下面に付着さ
れることができる。
前記ガイド部材３８は下部幅より上部幅が大きく形成されることができ、また内側面が
前記金属層１１、１３の上面を基準に所定角度に斜めに形成されることができる。
前記金属層１１、１３の上面を基準に所定角度に斜めに形成されることができる。
前記各実施形態の特徴は他の実施形態に選択的に適用されることができ、各実施形態の
特徴に限定しない。
特徴に限定しない。
ここで、前記ガイド部材３８が非金属材質であるか、絶縁性樹脂系である場合、前記樹
脂層６８の溝１９は前記二つの金属層１１、１２の境界部上面を除いた第１及び第２金属
層１１、１３の上面に各々延長されて形成されることができ、このような溝１９各々に前
記ガイド部材３８が各々形成されることができる。
脂層６８の溝１９は前記二つの金属層１１、１２の境界部上面を除いた第１及び第２金属
層１１、１３の上面に各々延長されて形成されることができ、このような溝１９各々に前
記ガイド部材３８が各々形成されることができる。
図５２及び図５３は、本発明の実施形態に係る発光素子及びその回路構成図である。
図５２を参照すると、発光素子は３個以上の金属層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃと２個以上
の発光チップ４１Ａ、４１Ｂを含む。前記発光チップ４１Ａ、４１Ｂは同一ピーク波長を
有するか異なるピーク波長を有する光を発光することができる。
の発光チップ４１Ａ、４１Ｂを含む。前記発光チップ４１Ａ、４１Ｂは同一ピーク波長を
有するか異なるピーク波長を有する光を発光することができる。
前記金属層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃは同一平面上に配列され、第１絶縁フィルム２１は
金属層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの縁に形成され第２絶縁フィルム２３Ａ、２３Ｂは隣接の
金属層１２Ａ、１２Ｂと金属層１２Ｂ、１２Ｃとの間に各々形成されて、隣接の金属層１
２Ａ、１２Ｂと金属層１２Ｂ、１２Ｃとを支持及び固定させることができる。
金属層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの縁に形成され第２絶縁フィルム２３Ａ、２３Ｂは隣接の
金属層１２Ａ、１２Ｂと金属層１２Ｂ、１２Ｃとの間に各々形成されて、隣接の金属層１
２Ａ、１２Ｂと金属層１２Ｂ、１２Ｃとを支持及び固定させることができる。
第１金属層１２Ａの上には第１発光チップ４１Ａが配置され、第２金属層１２Ｂの上に
は第２発光チップ４１Ｂが離隔されて配置される。
は第２発光チップ４１Ｂが離隔されて配置される。
前記第２金属層１２Ｂは第１発光チップ４１Ａと第２発光チップ４１Ｂの共通電極とし
て使用され、前記第１金属層１２Ａは第１発光チップ４１Ａを制御するための電極であっ
て、前記第３金属層１２Ｃは第２発光チップ４１Ｂを制御するための電極として使用され
ることができる。
て使用され、前記第１金属層１２Ａは第１発光チップ４１Ａを制御するための電極であっ
て、前記第３金属層１２Ｃは第２発光チップ４１Ｂを制御するための電極として使用され
ることができる。
前記第１発光チップ４１Ａと第２発光チップ４１Ｂが水平型チップである場合、前記第
１発光チップ４１Ａは第１ワイヤ５１Ａ及び第２ワイヤ５１Ｂを介して各々第１金属層１
２Ａと第２金属層１２Ｂに電気的に接続されることができ、前記第２発光チップ４１Ｂは
第３ワイヤ５１Ｃ及び第４ワイヤ５１Ｄを介して各々第２金属層１２Ｂと第３金属層１２
Ｃに電気的に接続されることができる。
１発光チップ４１Ａは第１ワイヤ５１Ａ及び第２ワイヤ５１Ｂを介して各々第１金属層１
２Ａと第２金属層１２Ｂに電気的に接続されることができ、前記第２発光チップ４１Ｂは
第３ワイヤ５１Ｃ及び第４ワイヤ５１Ｄを介して各々第２金属層１２Ｂと第３金属層１２
Ｃに電気的に接続されることができる。
前記第１発光チップ４１Ａと第２発光チップ４１Ｂが垂直型チップである場合、第１ワ
イヤ５１Ａ及び第３ワイヤ５１Ｃは省略されることがある。
イヤ５１Ａ及び第３ワイヤ５１Ｃは省略されることがある。
前記第１絶縁フィルム２１の上にはガイド部材３１が形成され、前記ガイド部材３１は
前記発光チップ４１Ａ、４１Ｂより少なくとも高い位置に形成されて、前記発光チップ４
１Ａ、４１Ｂから放出される光を反射する。
前記発光チップ４１Ａ、４１Ｂより少なくとも高い位置に形成されて、前記発光チップ４
１Ａ、４１Ｂから放出される光を反射する。
前記第１及び第２発光チップ４１Ａ、４１Ｂの上には樹脂層６１が形成され、前記樹脂
層６１の一部は前記ガイド部材３１の上面高さと同一高さに形成されるかまたは低く形成
されることができるが、これに対して限定するものではない。
層６１の一部は前記ガイド部材３１の上面高さと同一高さに形成されるかまたは低く形成
されることができるが、これに対して限定するものではない。
図５３を参照すると、前記発光チップ４１Ａ、４１Ｂは水平電極構造で形成されること
ができ、第１金属層１２Ａは正極として作用して、第３金属層１２Ｂは負極として作用す
る回路で具現されることができる。勿論、図１４に示す回路と逆に、発光チップ４１Ａ、
４１Ｂの各電極が変えて第１金属層１２Ａは負極として作用して、第３金属層１２Ｂは正
極として作用する回路で具現されることができる。
ができ、第１金属層１２Ａは正極として作用して、第３金属層１２Ｂは負極として作用す
る回路で具現されることができる。勿論、図１４に示す回路と逆に、発光チップ４１Ａ、
４１Ｂの各電極が変えて第１金属層１２Ａは負極として作用して、第３金属層１２Ｂは正
極として作用する回路で具現されることができる。
図５４及び図５５は、本発明の実施形態に係る発光素子及びその回路構成図である。
図５４を参照すると、発光素子は３個以上の金属層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃと２個以上
の発光チップ４１Ａ、４１Ｂを含む。前記発光チップ４１Ａ、４１Ｂは同一ピーク波長を
有するか異なるピーク波長を有する光を発光することができる。
の発光チップ４１Ａ、４１Ｂを含む。前記発光チップ４１Ａ、４１Ｂは同一ピーク波長を
有するか異なるピーク波長を有する光を発光することができる。
前記金属層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃは同一平面上に配列され、第１絶縁フィルム２１は
金属層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの縁に形成され第２絶縁フィルム２３は隣接の金属層１２
Ａ、１２Ｂと金属層１２Ａ、１２Ｃと金属層１２Ｂ、１２Ｃとの間に各々形成されて、隣
接の金属層１２Ａ、１２Ｂと金属層１２Ａ、１２Ｃと金属層１２Ｂ、１２Ｃとを支持及び
固定させることができる。
金属層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの縁に形成され第２絶縁フィルム２３は隣接の金属層１２
Ａ、１２Ｂと金属層１２Ａ、１２Ｃと金属層１２Ｂ、１２Ｃとの間に各々形成されて、隣
接の金属層１２Ａ、１２Ｂと金属層１２Ａ、１２Ｃと金属層１２Ｂ、１２Ｃとを支持及び
固定させることができる。
第１金属層１２Ａの上には第１発光チップ４１Ａと第２発光チップ４１Ｂが離隔されて
配置される。
配置される。
前記第１金属層１２Ａは第１発光チップ４１Ａと第２発光チップ４１Ｂの共通電極とし
て使用され、前記第２金属層１２Ｂは第１発光チップ４１Ａを制御するための電極であっ
て、前記第３金属層１２Ｃは第２発光チップ４１Ｂを制御するための電極として使用され
ることができる。
て使用され、前記第２金属層１２Ｂは第１発光チップ４１Ａを制御するための電極であっ
て、前記第３金属層１２Ｃは第２発光チップ４１Ｂを制御するための電極として使用され
ることができる。
前記第１発光チップ４１Ａと第２発光チップ４１Ｂが水平型チップである場合、前記第
１発光チップ４１Ａは第１ワイヤ５１Ａ及び第２ワイヤ５１Ｂを介して各々第１金属層１
２Ａと第２金属層１２Ｂに電気的に接続されることができ、前記第２発光チップ４１Ｂは
第２ワイヤ５１Ｂ及び第４ワイヤ５１Ｄを介して各々第１金属層１２Ａと第３金属層１２
Ｃに電気的に接続されることができる。
１発光チップ４１Ａは第１ワイヤ５１Ａ及び第２ワイヤ５１Ｂを介して各々第１金属層１
２Ａと第２金属層１２Ｂに電気的に接続されることができ、前記第２発光チップ４１Ｂは
第２ワイヤ５１Ｂ及び第４ワイヤ５１Ｄを介して各々第１金属層１２Ａと第３金属層１２
Ｃに電気的に接続されることができる。
前記第１発光チップ４１Ａと第２発光チップ４１Ｂが垂直型チップである場合、第１ワ
イヤ５１Ａ及び第２ワイヤ５１Ｂは省略されることがある。
イヤ５１Ａ及び第２ワイヤ５１Ｂは省略されることがある。
前記第１絶縁フィルム２１の上にはガイド部材３１が形成され、前記ガイド部材３１は
前記発光チップ４１Ａ、４１Ｂより少なくとも高い位置に形成されて、前記発光チップ４
１Ａ、４１Ｂから放出される光を反射する。
前記発光チップ４１Ａ、４１Ｂより少なくとも高い位置に形成されて、前記発光チップ４
１Ａ、４１Ｂから放出される光を反射する。
前記第１及び第２発光チップ４１Ａ、４１Ｂの上には樹脂層６１が形成され、前記樹脂
層６１の一部は前記ガイド部材３１の上面高さと同一高さに形成されるかまたは低く形成
されることができるが、これに対して限定するものではない。
層６１の一部は前記ガイド部材３１の上面高さと同一高さに形成されるかまたは低く形成
されることができるが、これに対して限定するものではない。
図５５に示す（ａ）を参照すると、前記発光チップ４１Ａ、４１Ｂは水平電極構造で形
成されることができ、第１金属層１２Ａは正極の共通電極として作用して、第２金属層１
２Ｂ及び第３金属層１２Ｃは負極とする回路で具現されることができる。逆に、図５５に
示す（ｂ）を参照すると、前記発光チップ４１Ａ、４１Ｂの各電極が変えて第１金属層１
２Ａは負極の共通電極として作用して、第２金属層１２Ｂ及び第３金属層１２Ｃは正極と
する回路で具現されることができる。
成されることができ、第１金属層１２Ａは正極の共通電極として作用して、第２金属層１
２Ｂ及び第３金属層１２Ｃは負極とする回路で具現されることができる。逆に、図５５に
示す（ｂ）を参照すると、前記発光チップ４１Ａ、４１Ｂの各電極が変えて第１金属層１
２Ａは負極の共通電極として作用して、第２金属層１２Ｂ及び第３金属層１２Ｃは正極と
する回路で具現されることができる。
図５６は、第１実施形態に係る発光素子の変更例を示す側断面図である。
図５６を参照すると、発光素子１００は複数の金属層１１、１３と、前記金属層１１、
１３の上に絶縁フィルム２１、２３と、前記複数の金属層１１、１３のうち少なくとも金
属層１１の上に配置される発光チップ４１と、前記絶縁フィルム２１の上にガイド部材３
１と、前記金属層１１、１３の上に前記発光チップ４１をカバーする樹脂層６１と、を含
む。
１３の上に絶縁フィルム２１、２３と、前記複数の金属層１１、１３のうち少なくとも金
属層１１の上に配置される発光チップ４１と、前記絶縁フィルム２１の上にガイド部材３
１と、前記金属層１１、１３の上に前記発光チップ４１をカバーする樹脂層６１と、を含
む。
前記金属層１１、１３は別途の本体、例えばＰＰＡ（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ
）のような樹脂系の本体で金属層を固定する構造を使用しなくて、前記金属層１１、１３
の一部をフレキシブルな曲面形状に使用するか、予め設定の角度に曲げて使用するか、ま
たは一部を部分エッチングして使用することができる。
）のような樹脂系の本体で金属層を固定する構造を使用しなくて、前記金属層１１、１３
の一部をフレキシブルな曲面形状に使用するか、予め設定の角度に曲げて使用するか、ま
たは一部を部分エッチングして使用することができる。
すなわち、前記金属層１１、１３は外側部Ｂ１、内側部Ｂ２、傾斜部Ｂ３を含むことが
でき、前記金属層１１、１３の外側部Ｂ１の上面の高さＨ２は前記金属層１１、１３の内
側部Ｂ２の上面が高さＨ１より高く形成されることができる。
でき、前記金属層１１、１３の外側部Ｂ１の上面の高さＨ２は前記金属層１１、１３の内
側部Ｂ２の上面が高さＨ１より高く形成されることができる。
ここで、前記金属層１１、１３の外側部Ｂ１の厚さＴ５は前記金属層１１、１３の内側
部Ｂ２の厚さＴ４は同一であることができる。
部Ｂ２の厚さＴ４は同一であることができる。
このような、前記金属層１１、１３は内側部Ｂ２及び外側部Ｂ１を含め、外側部Ｂ１は
前記内側部Ｂ２の上面の高さより高く形成される。前記金属層１１、１３の外側部は前記
金属層１１、１３を折曲する工程を介して形成されることができるが、このような折曲工
程にて前記金属層１１、１３の内側部Ｂ２と外側部Ｂ１の間に斜めの側面を有する傾斜部
Ｂ３が形成されることができる。
前記内側部Ｂ２の上面の高さより高く形成される。前記金属層１１、１３の外側部は前記
金属層１１、１３を折曲する工程を介して形成されることができるが、このような折曲工
程にて前記金属層１１、１３の内側部Ｂ２と外側部Ｂ１の間に斜めの側面を有する傾斜部
Ｂ３が形成されることができる。
前記複数の金属層１１、１３の傾斜部Ｂ３は互いに向き合う対向側面を有するものの、
互いに傾斜した状態に向き合うことができ、前記傾斜部Ｂ３の傾斜角図は前記金属層１１
、１３の内側部Ｂ２上面から１５〜８９°の角度で形成されることができる。前記傾斜部
Ｂ３の斜めの側面は光を効率的に放射方向に反射させることができる。
互いに傾斜した状態に向き合うことができ、前記傾斜部Ｂ３の傾斜角図は前記金属層１１
、１３の内側部Ｂ２上面から１５〜８９°の角度で形成されることができる。前記傾斜部
Ｂ３の斜めの側面は光を効率的に放射方向に反射させることができる。
前記発光チップ４１及び第２絶縁フィルム２３は前記金属層１１、１３の内側部Ｂ２上
に形成されることができる。
また、前記第１絶縁フィルム２１は前記金属層１１、１３の外側部Ｂ１上に形成されるこ
とができ、前記第１絶縁フィルム２１上にガイド部材３１が形成されることができる。
に形成されることができる。
また、前記第１絶縁フィルム２１は前記金属層１１、１３の外側部Ｂ１上に形成されるこ
とができ、前記第１絶縁フィルム２１上にガイド部材３１が形成されることができる。
図示していないが、前記外側部Ｂ１上に形成される第１絶縁フィルム２１とガイド部材
３１のうち少なくとも一つの内側面各々は前記金属層１１、１３の傾斜部Ｂ３の傾斜角度
に沿って傾斜を有する構造で形成されることができる。
３１のうち少なくとも一つの内側面各々は前記金属層１１、１３の傾斜部Ｂ３の傾斜角度
に沿って傾斜を有する構造で形成されることができる。
図５７〜図５９は、本発明の実施形態に係る発光素子の金属層の変更例を示す図である
。
。
図５７を参照すると、金属層１１、１３の上面、下面及び側面のうち何れか一つの表面
は凹部と凸部からなる一つ以上の凹凸構造１１Ｅ、１３Ｅを含む。前記凹凸構造１１Ｅ、
１３Ｅは第１絶縁フィルム２１の下に配置されるか、各金属層１１、１３のオープン領域
Ａ１、Ａ２にまで延長されることができる。
は凹部と凸部からなる一つ以上の凹凸構造１１Ｅ、１３Ｅを含む。前記凹凸構造１１Ｅ、
１３Ｅは第１絶縁フィルム２１の下に配置されるか、各金属層１１、１３のオープン領域
Ａ１、Ａ２にまで延長されることができる。
また、前記凹凸構造１１Ｅ、１３Ｅは前記金属層１１、１３と前記発光チップ４１及び
前記ワイヤ５１、５２の接触特性を向上させるために前記発光チップ４１が配置される領
域または前記ワイヤ５１、５２がボンディングされる領域を除いた残り領域の金属層１１
、１３の表面上に位置することができる。
前記ワイヤ５１、５２の接触特性を向上させるために前記発光チップ４１が配置される領
域または前記ワイヤ５１、５２がボンディングされる領域を除いた残り領域の金属層１１
、１３の表面上に位置することができる。
また、前記凹凸構造１１Ｅ、１３Ｅの形状は三角形、四角形、台形またはサイン曲線形
の形状のうち何れか一つの形状を有することができ、これに限定されるものではない。
の形状のうち何れか一つの形状を有することができ、これに限定されるものではない。
前記凹凸構造１１Ｅ、１３Ｅは前記金属層１１、１３上に絶縁フィルム２１、２３の接
触面積を改善させるか、放熱効率を改善させることができる。
触面積を改善させるか、放熱効率を改善させることができる。
図５８を参照すると、複数の金属層１１、１３の下面が凹凸構造１１Ｅ、１３Ｅで形成
されることができ、前記凹凸構造１１Ｅ、１３Ｅの凸部はストライプ形状またはマトリッ
クス形状に形成されることができ、これに対して限定するものではない。
されることができ、前記凹凸構造１１Ｅ、１３Ｅの凸部はストライプ形状またはマトリッ
クス形状に形成されることができ、これに対して限定するものではない。
一方、図５９を参照すると、複数の金属層のうち何れか一つの金属層１１の何れか一側
面に放熱フレーム１２が含む。前記放熱フレーム１２は金属層１１と同一材質であるか熱
伝導性がさらに良い材質でありうる。前記放熱フレーム１２の表面は凹部と凸部からなる
一つ以上の凹凸構造１２Ｅを含む。
面に放熱フレーム１２が含む。前記放熱フレーム１２は金属層１１と同一材質であるか熱
伝導性がさらに良い材質でありうる。前記放熱フレーム１２の表面は凹部と凸部からなる
一つ以上の凹凸構造１２Ｅを含む。
また、前記凹凸構造１２Ｅの形状は三角形、四角形、台形またはサイン曲線型の形状の
うち何れか一つの形状を有することができるが、これに限定されるものではない。
うち何れか一つの形状を有することができるが、これに限定されるものではない。
前記放熱フレーム１２の凹凸構造１２Ｅを介して前記金属層１１、１３の放熱効率を改
善させことができる。
善させことができる。
また他の例として、前記複数の金属層１１、１３の側面が凹凸構造に形成されることが
でき、前記凹凸構造は表面積を増加させ、放熱効率を改善させることができる。
＜発光チップ＞
実施形態に係る発光チップは図６０及び図６１を参照して、説明する。
でき、前記凹凸構造は表面積を増加させ、放熱効率を改善させることができる。
＜発光チップ＞
実施形態に係る発光チップは図６０及び図６１を参照して、説明する。
図６０を参照すると、発光チップ４１は基板１１１、バッファ層１１２、第１導電型半
導体層１１３、活性層１１４、第２導電型半導体層１１５、第１電極１１６、及び第２電
極１１７を含む。前記第１導電型半導体層１１３、活性層１１４及び第２導電型半導体層
１１５は発光構造物１１０で定義されることができる。
導体層１１３、活性層１１４、第２導電型半導体層１１５、第１電極１１６、及び第２電
極１１７を含む。前記第１導電型半導体層１１３、活性層１１４及び第２導電型半導体層
１１５は発光構造物１１０で定義されることができる。
前記基板１１１はサファイア基板（Ａｌ２Ｏ３）、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ、Ｇ
ａＰ、ＩｎＰ、Ｇａ２Ｏ３、導電性基板、そしてＧａＡｓなどからなる群から選択される
ことができる。前記基板１１１は成長基板であることができ、前記成長基板の上にはＩｎ
ｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有す
る半導体に成長されることができる。
ａＰ、ＩｎＰ、Ｇａ２Ｏ３、導電性基板、そしてＧａＡｓなどからなる群から選択される
ことができる。前記基板１１１は成長基板であることができ、前記成長基板の上にはＩｎ
ｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有す
る半導体に成長されることができる。
前記バッファ層１１２は前記基板１１１と半導体との格子定数差を緩和させるための層
として、２族〜６族化合物半導体に形成されることができる。前記バッファ層１１２上に
はドーピングされる３族−５族化合物半導体層がさらに形成されることができ、これに対
して限定するものではない。
として、２族〜６族化合物半導体に形成されることができる。前記バッファ層１１２上に
はドーピングされる３族−５族化合物半導体層がさらに形成されることができ、これに対
して限定するものではない。
前記バッファ層１１２の上には第１導電型半導体層１１３が形成されて、前記第１導電
型半導体層１１３の上には活性層１２４が形成され、前記活性層１２４上には第２導電型
半導体層１１５が形成される。
型半導体層１１３の上には活性層１２４が形成され、前記活性層１２４上には第２導電型
半導体層１１５が形成される。
前記第１導電型半導体層１１３は第１導電型ドーパントがドーピングされる３族−５族
元素の化合物半導体例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡ
ｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ
などで選択されることができる。前記第１導電型がＮ型半導体である場合、前記第１導電
型ドーパントはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、ＴｅなどのようなＮ型ドーパントを含む。前記
第１導電型半導体層１１４は単層または多層に形成されることができ、これに対して限定
するものではない。
元素の化合物半導体例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡ
ｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ
などで選択されることができる。前記第１導電型がＮ型半導体である場合、前記第１導電
型ドーパントはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、ＴｅなどのようなＮ型ドーパントを含む。前記
第１導電型半導体層１１４は単層または多層に形成されることができ、これに対して限定
するものではない。
前記活性層１１４は単一量子井戸構造、多重量子井戸構造、量子線構造、量子点構造に
形成されることができる。前記活性層１１４は３族−５族元素の化合物半導体材料を利用
して井戸層と障壁層の周期，例えばＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮ障壁層またはＩｎＧａＮ井
戸層／ＡｌＧａＮ障壁層の周期に形成されることができる。
形成されることができる。前記活性層１１４は３族−５族元素の化合物半導体材料を利用
して井戸層と障壁層の周期，例えばＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮ障壁層またはＩｎＧａＮ井
戸層／ＡｌＧａＮ障壁層の周期に形成されることができる。
前記活性層１１４の上または／及び下には導電型クラッド層が形成されることができ、
前記導電型クラッド層はＡｌＧａＮ系半導体に形成されることができる。
前記導電型クラッド層はＡｌＧａＮ系半導体に形成されることができる。
前記活性層１１４上には前記第２導電型半導体層１１５が形成され、前記第２導電型半
導体層１１５は第２導電型ドーパントがドーピングされる３族−５族元素の化合物半導体
例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎ
Ｎ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰなどから選択される
ことができる。前記第２導電型がＰ型半導体である場合、前記第２導電型ドーパントはＭ
ｇ、ＺｅなどのようなＰ型ドーパントを含む。前記第２導電型半導体層１１５は単層また
は多層に形成されることができ、これに対して限定するものではない。
導体層１１５は第２導電型ドーパントがドーピングされる３族−５族元素の化合物半導体
例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎ
Ｎ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰなどから選択される
ことができる。前記第２導電型がＰ型半導体である場合、前記第２導電型ドーパントはＭ
ｇ、ＺｅなどのようなＰ型ドーパントを含む。前記第２導電型半導体層１１５は単層また
は多層に形成されることができ、これに対して限定するものではない。
また前記第２導電型半導体層１１５上には第３導電型半導体層例えば、Ｎ型半導体層が
形成されることができる。前記発光構造物１３５はＮ−Ｐ接合、Ｐ−Ｎ接合、Ｎ−Ｐ−Ｎ
接合、Ｐ−Ｎ−Ｐ接合構造のうち少なくとも一つが形成されることができる。
形成されることができる。前記発光構造物１３５はＮ−Ｐ接合、Ｐ−Ｎ接合、Ｎ−Ｐ−Ｎ
接合、Ｐ−Ｎ−Ｐ接合構造のうち少なくとも一つが形成されることができる。
前記第２導電型半導体層１１５上には電流拡散層が形成されることができ、前記電流拡
散層はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ
ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ
（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ
ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ
ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ
（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘ
ｉｄｅ）などから選択的に形成されることができる。
散層はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ
ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ
（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ
ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ
ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ
（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘ
ｉｄｅ）などから選択的に形成されることができる。
前記第１導電型半導体層１１３上には第１電極１１６が形成され、第２導電型半導体層
１１５上には第２電極１１７が形成されることができる。
１１５上には第２電極１１７が形成されることができる。
前記第１電極１１６及び第２電極１１７はワイヤを介して図１に示すような金属層に接
続されることができる。
続されることができる。
図６１は垂直型チップ構造を示す図面である。
図６１を参照すると、発光チップ４５は、発光素子４５は発光構造物１１０下にオーミ
ック層１２１が形成され、前記オーミック層１２１下に反射層１２４が形成され、前記反
射層１２４下に伝導性支持部材１２５が形成され、前記反射層１２４と前記発光構造物１
１０の縁に保護層１２３が形成されることができる。
ック層１２１が形成され、前記オーミック層１２１下に反射層１２４が形成され、前記反
射層１２４下に伝導性支持部材１２５が形成され、前記反射層１２４と前記発光構造物１
１０の縁に保護層１２３が形成されることができる。
このような発光素子４５は図５２の構造にて第１導電型半導体層１１３を露出するエッ
チング過程を行わなくて、第２導電型半導体層１１５上にオーミック層１２１及びチャネ
ル層１２３、そして反射層１２５及び伝導性支持部材１２５を形成した後に、前記基板１
１１及びバッファ層１１２を除去する方法で形成されることができる。
チング過程を行わなくて、第２導電型半導体層１１５上にオーミック層１２１及びチャネ
ル層１２３、そして反射層１２５及び伝導性支持部材１２５を形成した後に、前記基板１
１１及びバッファ層１１２を除去する方法で形成されることができる。
前記オーミック層１２１は発光構造物１１０の下層例えば第２導電型半導体層１１５に
オーミック接触され、その材料はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ
（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ
ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）
、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎ
ｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎ
ｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌ
ｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ
、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ及びこれらの選択的な組合に構成される物質うちから形成され
ることができる。また前記金属物質とＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ
、ＡＺＯ、ＡＴＯなどの透光性伝導性物質を利用して多層に形成でき、例えば、ＩＺＯ／
Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ、ＩＺＯ／Ａｇ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ／Ｎｉなどで積層することがで
きる。前記オーミック層１２１内部は電極１１６と対応されるように電流をブロッキング
（遮断）する層がさらに形成されることができる。
オーミック接触され、その材料はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ
（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ
ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）
、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎ
ｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎ
ｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌ
ｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ
、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ及びこれらの選択的な組合に構成される物質うちから形成され
ることができる。また前記金属物質とＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ
、ＡＺＯ、ＡＴＯなどの透光性伝導性物質を利用して多層に形成でき、例えば、ＩＺＯ／
Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ、ＩＺＯ／Ａｇ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ／Ｎｉなどで積層することがで
きる。前記オーミック層１２１内部は電極１１６と対応されるように電流をブロッキング
（遮断）する層がさらに形成されることができる。
前記保護層１２３はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉ
ｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄ
ｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ
（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ
ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉ
ｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ
ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３
、ＴｉＯ２などから選択的に形成されることができる。前記保護層１２３はスパッタリン
グ方法または蒸着方法などを利用して形成することができ、反射層１２４のような金属が
発光構造物１１０の層を短絡させることを防止することができる。
ｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄ
ｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ
（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ
ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉ
ｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ
ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３
、ＴｉＯ２などから選択的に形成されることができる。前記保護層１２３はスパッタリン
グ方法または蒸着方法などを利用して形成することができ、反射層１２４のような金属が
発光構造物１１０の層を短絡させることを防止することができる。
前記反射層１２４はＡｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、
Ａｕ、Ｈｆ及びこれらの選択的な組合に構成される物質で形成されることができる。前記
反射層１２４は前記発光構造物１１０の幅より大きく形成されることができ、これは光反
射効率を改善させることができる。
Ａｕ、Ｈｆ及びこれらの選択的な組合に構成される物質で形成されることができる。前記
反射層１２４は前記発光構造物１１０の幅より大きく形成されることができ、これは光反
射効率を改善させることができる。
前記伝導性支持部材１２５はベース基板として、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（
Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）、キャリアウエハ（例：Ｓ
ｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、Ｓｉｃなど）で具現されることができる。前記伝導性支持
部材１２５と前記反射層１２４間には接合層がさらに形成されることができ、前記接合層
は二つの層を互いに接合させることができる。
Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）、キャリアウエハ（例：Ｓ
ｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、Ｓｉｃなど）で具現されることができる。前記伝導性支持
部材１２５と前記反射層１２４間には接合層がさらに形成されることができ、前記接合層
は二つの層を互いに接合させることができる。
上述の開示される発光チップは一例であり、上述の開示される特徴に限定するものでは
ない。上記の発光チップは上記の発光素子の実施形態に選択的に適用されることができ、
これに対して限定するものではない。
＜照明システム＞
上述の開示される実施形態の発光素子は発光チップをパッケージングする構造として、
ボードの上に複数個配置して発光モジュールや照明ユニットなどのような照明システムに
提供されることができる。上述の実施形態のうち選択される発光素子を照明システムに適
用されることができる。
ない。上記の発光チップは上記の発光素子の実施形態に選択的に適用されることができ、
これに対して限定するものではない。
＜照明システム＞
上述の開示される実施形態の発光素子は発光チップをパッケージングする構造として、
ボードの上に複数個配置して発光モジュールや照明ユニットなどのような照明システムに
提供されることができる。上述の実施形態のうち選択される発光素子を照明システムに適
用されることができる。
実施の形態に係る発光素子は、照明ユニットに適用されることができる。前記照明ユニ
ットは複数の発光素子が配列される構造を含め、図６２及び図６３に示す表示装置、図６
４に示す照明装置を含めて、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれることが
できる。
ットは複数の発光素子が配列される構造を含め、図６２及び図６３に示す表示装置、図６
４に示す照明装置を含めて、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれることが
できる。
図６２は実施形態に係る表示装置の分解斜視図である。
図６２を参照すると、実施形態に係る表示装置１０００は導光板１０４１と、前記導光
板１０４１に光を提供する発光モジュール１０３１と、前記導光板１０４１の下に反射部
材１０２２と、前記導光板１０４１の上に光学シート１０５１と、前記光学シート１０５
１の上に表示パネル１０６１と、前記導光板１０４１、発光モジュール１０３１及び反射
部材１０２２を格納するボトムカバー１０１１を含むことができるが、これに限定される
ものではない。
板１０４１に光を提供する発光モジュール１０３１と、前記導光板１０４１の下に反射部
材１０２２と、前記導光板１０４１の上に光学シート１０５１と、前記光学シート１０５
１の上に表示パネル１０６１と、前記導光板１０４１、発光モジュール１０３１及び反射
部材１０２２を格納するボトムカバー１０１１を含むことができるが、これに限定される
ものではない。
前記ボトムカバー１０１１、反射部材１０２２、導光板１０４１、光学シート１０５１
は、ライトユニット１０５０と定義されうる。
は、ライトユニット１０５０と定義されうる。
前記導光板１０４１は、光を拡散させて面光源化させる機能を果たす。前記導光板１０
４１は、透明な材質からなり、例えば、ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔａａｃｒ
ｙｌａｔｅ）のようなアクリル樹脂系、ＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈ
ｔｈｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＣＯＣ（ｃｙｃｌｏｏｌｅｆｉ
ｎ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）及びＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａ
ｔｅ）樹脂のうち、何れか一つを含むことができる。
４１は、透明な材質からなり、例えば、ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔａａｃｒ
ｙｌａｔｅ）のようなアクリル樹脂系、ＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈ
ｔｈｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＣＯＣ（ｃｙｃｌｏｏｌｅｆｉ
ｎ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）及びＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａ
ｔｅ）樹脂のうち、何れか一つを含むことができる。
前記発光モジュール１０３１は、前記導光板１０４１の少なくとも一側面に光を提供し
、窮極的には、表示装置の光源として作用するようになる。
、窮極的には、表示装置の光源として作用するようになる。
前記発光モジュール１０３１は少なくとも一つを含め、前記導光板１０４１の一側面か
ら直接又は間接的に光を提供できる。前記発光モジュール１０３１は基板１０３３と上記
の実施形態に係る発光素子１００とを含め、前記発光素子１００は前記基板１０３３上に
所定間隔で配列されうる。
ら直接又は間接的に光を提供できる。前記発光モジュール１０３１は基板１０３３と上記
の実施形態に係る発光素子１００とを含め、前記発光素子１００は前記基板１０３３上に
所定間隔で配列されうる。
前記基板１０３３は回路パターン（図示せず）を含む印刷回路ボード（ＰＣＢ、Ｐｒｉ
ｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）でありうる。ただし、前記基板１０３３は一般
ＰＣＢのみだけでなく、メタルコアＰＣＢ（ＭＣＰＣＢ、Ｍｅｔａｌ Ｃｏｒｅ ＰＣＢ
）、フレキシブルＰＣＢ（ＦＰＣＢ、Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ＰＣＢ）などを含むこともでき
、これに対して限定するものではない。前記発光素子１００は、前記ボトムカバー１０１
１の側面又は放熱プレート上に搭載される場合、前記基板１０３３は除去されうる。ここ
で、前記放熱プレートの一部は、前記ボトムカバー１０１１の上面に接触されうる。
ｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）でありうる。ただし、前記基板１０３３は一般
ＰＣＢのみだけでなく、メタルコアＰＣＢ（ＭＣＰＣＢ、Ｍｅｔａｌ Ｃｏｒｅ ＰＣＢ
）、フレキシブルＰＣＢ（ＦＰＣＢ、Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ＰＣＢ）などを含むこともでき
、これに対して限定するものではない。前記発光素子１００は、前記ボトムカバー１０１
１の側面又は放熱プレート上に搭載される場合、前記基板１０３３は除去されうる。ここ
で、前記放熱プレートの一部は、前記ボトムカバー１０１１の上面に接触されうる。
そして、前記複数の発光素子１００は前記基板１０３３上に光が放出される出射面が前
記導光板１０４１と所定距離が離隔されるように搭載されることができ、これに対して限
定しない。前記発光素子１００は、前記導光板１０４１の一側面である入光部に光を直接
又は間接的に提供でき、これに対して限定しない。
記導光板１０４１と所定距離が離隔されるように搭載されることができ、これに対して限
定しない。前記発光素子１００は、前記導光板１０４１の一側面である入光部に光を直接
又は間接的に提供でき、これに対して限定しない。
前記導光板１０４１下には、前記反射１０２２が配置されることができる。前記反射部
材１０２２は、前記導光板１０４１の下面に入射された光を反射させて上に向かうように
することによって、前記ライトユニット１０５０の輝度を向上させることができる。前記
反射部材１０２２は、例えば、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどから形成されることがで
きるが、これに対して限定しない。前記反射部材１０２２は、前記ボトムカバー１０１１
の上面でありえ、これに対して限定しない。
材１０２２は、前記導光板１０４１の下面に入射された光を反射させて上に向かうように
することによって、前記ライトユニット１０５０の輝度を向上させることができる。前記
反射部材１０２２は、例えば、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどから形成されることがで
きるが、これに対して限定しない。前記反射部材１０２２は、前記ボトムカバー１０１１
の上面でありえ、これに対して限定しない。
前記ボトムカバー１０１１は、前記導光板１０４１、発光モジュール１０３１及び反射
部材１０２２などを収納できる。このために、前記ボトムカバー１０１１は、上面が開口
したボックス（ｂｏｘ）形状を有する収納簿１０１２が備えられることができ、これに対
して限定しない。前記ボトムカバー１０１１は、トップカバーと結合されることができ、
これに対して限定しない。
部材１０２２などを収納できる。このために、前記ボトムカバー１０１１は、上面が開口
したボックス（ｂｏｘ）形状を有する収納簿１０１２が備えられることができ、これに対
して限定しない。前記ボトムカバー１０１１は、トップカバーと結合されることができ、
これに対して限定しない。
前記ボトムカバー１０１１は、金属材質又は樹脂材質から形成されることができ、プレ
ス成形又は圧出成形などの工程を利用して製造できる。また、前記ボトムカバー１０１１
は、熱導電性の良い金属又は非金属材料を含むことができ、これに対して限定しない。
ス成形又は圧出成形などの工程を利用して製造できる。また、前記ボトムカバー１０１１
は、熱導電性の良い金属又は非金属材料を含むことができ、これに対して限定しない。
前記表示パネル１０６１は、例えば、ＬＣＤパネルとして、互いに対向する透明な材質
の第１及び第２基板、そして第１及び第２基板の間に介在された液晶層を含む。前記表示
パネル１０６１の少なくとも一面には、偏光板が付着されることができ、このような偏光
板の付着構造に限定しない。前記表示パネル１０６１は、光学シート１０５１を通過した
光により情報を表示するようになる。このような表示装置１０００は、各種携帯端末機、
ノート型パーソナルコンピュータのモニター、ラップトップコンピュータのモニター、テ
レビなどに適用されることができる。
の第１及び第２基板、そして第１及び第２基板の間に介在された液晶層を含む。前記表示
パネル１０６１の少なくとも一面には、偏光板が付着されることができ、このような偏光
板の付着構造に限定しない。前記表示パネル１０６１は、光学シート１０５１を通過した
光により情報を表示するようになる。このような表示装置１０００は、各種携帯端末機、
ノート型パーソナルコンピュータのモニター、ラップトップコンピュータのモニター、テ
レビなどに適用されることができる。
前記光学シート１０５１は、前記表示パネル１０６１と前記導光板１０４１との間に配
置され、少なくとも一枚の透光性シートを含む。前記光学シート１０５１は、例えば拡散
シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのようなシートのうち、
少なくとも一つを含むことができる。前記拡散シートは、入射される光を拡散させ、前記
水平又は／及び垂直プリズムシートは、入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強
化シートは、損失される光を再使用して輝度を向上させる。また前記表示パネル１０６１
上には、保護シートが配置されることができ、これに対して限定しない。
置され、少なくとも一枚の透光性シートを含む。前記光学シート１０５１は、例えば拡散
シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのようなシートのうち、
少なくとも一つを含むことができる。前記拡散シートは、入射される光を拡散させ、前記
水平又は／及び垂直プリズムシートは、入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強
化シートは、損失される光を再使用して輝度を向上させる。また前記表示パネル１０６１
上には、保護シートが配置されることができ、これに対して限定しない。
ここで、前記発光モジュール１０３１の光経路上には、光学部材として、前記導光板１
０４１、及び光学シート１０５１を含むことができ、これに対して限定しない。
０４１、及び光学シート１０５１を含むことができ、これに対して限定しない。
図６３は、実施形態に係る表示装置を示した図である。
図６３に示すように、表示装置１１００は、ボトムカバー１１５２、前記に開示された
発光素子１００が配列される基板１１２０、光学部材１１５４、及び表示パネル１１５５
を含む。
発光素子１００が配列される基板１１２０、光学部材１１５４、及び表示パネル１１５５
を含む。
前記基板１１２０と前記発光素子１００は、発光モジュール１０６０と定義できる。前
記ボトムカバー１１５２、少なくとも一つの発光モジュール１０６０、光学部材１１５４
は、ライトユニットと定義できる。
記ボトムカバー１１５２、少なくとも一つの発光モジュール１０６０、光学部材１１５４
は、ライトユニットと定義できる。
前記ボトムカバー１１５２には、収納部１１５３を具備でき、これに対して限定しない
。
。
ここで、前記光学部材１１５４は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズ
ムシート、及び輝度強化シートなどのうち、少なくとも一つを含むことができる。前記導
光板は、ＰＣ材質又はＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙ ｍｅｔｈｙ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）材
質からなることができ、このような導光板は除去されることができる。前記拡散シートは
、入射される光を拡散させ、前記水平及び垂直プリズムシートは、入射される光を表示領
域に集光させ、前記輝度強化シートは、損失される光を再使用して輝度を向上させる。
ムシート、及び輝度強化シートなどのうち、少なくとも一つを含むことができる。前記導
光板は、ＰＣ材質又はＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙ ｍｅｔｈｙ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）材
質からなることができ、このような導光板は除去されることができる。前記拡散シートは
、入射される光を拡散させ、前記水平及び垂直プリズムシートは、入射される光を表示領
域に集光させ、前記輝度強化シートは、損失される光を再使用して輝度を向上させる。
前記光学部材１１５４は、前記発光モジュール１０６０上に配置され、前記発光モジュ
ール１０６０から放出された光を面光源にするか、又は拡散、集光などを行うようになる
。
ール１０６０から放出された光を面光源にするか、又は拡散、集光などを行うようになる
。
図６４は、実施形態に係る照明装置の斜視図である。
図６４に示すように、照明装置１５００は、ケース１５１０と、前記ケース１５１０に
設置された発光モジュール１５３０と、前記ケース１５１０に設置され外部電源から電源
が提供される接続端子１５２０を含むことができる。
設置された発光モジュール１５３０と、前記ケース１５１０に設置され外部電源から電源
が提供される接続端子１５２０を含むことができる。
前記ケース１５１０は、放熱特性が良好な材質から形成されることが好ましく、例えば
金属材質又は樹脂材質から形成されることができる。
金属材質又は樹脂材質から形成されることができる。
前記発光モジュール１５３０は、基板１５３２と、前記基板１５３２に搭載される実施
形態に係る発光素子１００とを含むことができる。前記発光素子１００は、複数がマトリ
ックス状又は所定間隔で離隔されて配列されうる。
形態に係る発光素子１００とを含むことができる。前記発光素子１００は、複数がマトリ
ックス状又は所定間隔で離隔されて配列されうる。
前記基板１５３２は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであってもよく、例えば
、一般の印刷回路ボード（ＰＣＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）、メ
タルコアＰＣＢ、フレキシブルＰＣＢ、セラミックＰＣＢなどがありうる。
、一般の印刷回路ボード（ＰＣＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）、メ
タルコアＰＣＢ、フレキシブルＰＣＢ、セラミックＰＣＢなどがありうる。
また、前記基板１５３２は、光を効率的に反射する材質から形成されるか、表面が光を
効率的に反射するカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層からなりうる。
効率的に反射するカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層からなりうる。
前記基板１５３２上には、少なくとも一つの発光素子１００が搭載されることができる
。前記発光素子１００の各々は、少なくとも一つの発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ
Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）チップを含むことができる。前記ＬＥＤチップは、赤
色、緑色、青色または白色の有色の光を各々発光する有色の発光ダイオード及び紫外線（
ＵＶ：Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）を発光するＵＶ発光ダイオードを含むことができる。
。前記発光素子１００の各々は、少なくとも一つの発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ
Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）チップを含むことができる。前記ＬＥＤチップは、赤
色、緑色、青色または白色の有色の光を各々発光する有色の発光ダイオード及び紫外線（
ＵＶ：Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）を発光するＵＶ発光ダイオードを含むことができる。
前記発光モジュール１５３０は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子１００の組
み合わせを有するように配置されることができる。例えば、高演色性（ＣＲＩ）を確保す
るために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード及び緑色発光ダイオードを組み合わ
せて配置できる。
み合わせを有するように配置されることができる。例えば、高演色性（ＣＲＩ）を確保す
るために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード及び緑色発光ダイオードを組み合わ
せて配置できる。
前記接続端子１５２０は、前記発光モジュール１５３０と電気的に接続されて電源を供
給できる。前記接続端子１５２０は、ソケット方式で外部電源にまわし挟まれて結合され
るが、これに対して限定しない。例えば、前記接続端子１５２０は、ピン（ｐｉｎ）状に
形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に接続されることもできる。
給できる。前記接続端子１５２０は、ソケット方式で外部電源にまわし挟まれて結合され
るが、これに対して限定しない。例えば、前記接続端子１５２０は、ピン（ｐｉｎ）状に
形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に接続されることもできる。
以上、実施の形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実
施の形態に含まれ、必ず一つの実施の形態にのみ限定されることではない。なお、各実施
の形態にて例示された特徴、構造、効果などは、実施の形態が属する分野の通常の知識を
有する者により、他の実施の形態に対しても組合又は変形されて実施可能である。したが
って、このような組合と変形に関係された内容は、本発明の範囲に含まれるものと解析さ
れなければならない。
施の形態に含まれ、必ず一つの実施の形態にのみ限定されることではない。なお、各実施
の形態にて例示された特徴、構造、効果などは、実施の形態が属する分野の通常の知識を
有する者により、他の実施の形態に対しても組合又は変形されて実施可能である。したが
って、このような組合と変形に関係された内容は、本発明の範囲に含まれるものと解析さ
れなければならない。
また、上述の実施形態を中心として説明したがこれは但し例示に過ぎなく本発明を限定
するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば本実施形態の本質
的な特性を外さない範囲で以上に例示されない多様な変形と応用が可能であることがわか
る。例えば、実施形態に具体的に示した各構成要素は変形して実施することができる。そ
してこのような変形と応用にかかる差異点は添付の請求範囲で規定する本発明の範囲に含
まれることに解析されるべきである。
するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば本実施形態の本質
的な特性を外さない範囲で以上に例示されない多様な変形と応用が可能であることがわか
る。例えば、実施形態に具体的に示した各構成要素は変形して実施することができる。そ
してこのような変形と応用にかかる差異点は添付の請求範囲で規定する本発明の範囲に含
まれることに解析されるべきである。
１１、１３、１５：金属層
２１、２３、２４、２５：絶縁フィルム
３１、３２、３３、３４：ガイド部材
４１、４５：発光チップ
５１、５２、５３：ワイヤ
１００：発光素子
２１、２３、２４、２５：絶縁フィルム
３１、３２、３３、３４：ガイド部材
４１、４５：発光チップ
５１、５２、５３：ワイヤ
１００：発光素子
Claims (16)
- 相互離隔した複数の金属層と、
前記複数の金属層の一部が開放されたオープン領域を有し、前記複数の金属層の上面に配置される第１絶縁フィルムと、
前記複数の金属層の間に対応し、前記複数の金属層の上面に前記複数の金属層の間の間隔より広い幅を有する第２絶縁フィルムと、
前記複数の金属層の少なくとも一つの上に配置された発光チップと、
前記複数の金属層と前記発光チップ上に配置された樹脂層と、
前記第１絶縁フィルムの上に非金属材質の第１ガイド部材と、
前記第２絶縁フィルムの上に非金属材質の第２ガイド部材と、
を含み、
前記第１ガイド部材は、前記樹脂層の周りに配置され、
前記複数の金属層は、第１及び第２金属層を含み、
前記発光チップは、第１金属層上に配置され、前記第２金属層と電気的に連結され、
前記第１ガイド部材の一部は、前記第１及び第２金属層に接触し、
前記第２ガイド部材の一部は、前記第１金属層に接触し、
前記第１ガイド部材の一部は、前記第１絶縁フィルムよりも前記発光チップにより近く配置され、
前記第１絶縁フィルムと前記第２絶縁フィルムは、相互連結される発光素子。 - 前記第１ガイド部材の内側面は、傾斜状または曲面状である請求項１に記載の発光素子。
- 前記第２ガイド部材は、前記第２金属層と物理的に離隔する請求項１または２に記載の発光素子。
- 前記第１及び第２金属層と前記第１絶縁フィルムとの間に接着層を含む請求項１ないし３のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第１絶縁フィルムの厚さは、前記第１及び第２金属層の厚さ以上に形成される請求項１ないし４のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第１ガイド部材は、前記第１及び第２絶縁フィルムの厚さより厚い厚さを有する請求項５に記載の発光素子。
- 前記樹脂層は、センター部の厚さが外側部より厚い請求項１ないし６のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第１及び第２ガイド部材は、半田レジスト材質を含む請求項１ないし７のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第１及び第２ガイド部材は、二酸化チタニウム(TiO２)を有する樹脂材質または高分子物質を含む請求項１ないし７のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第１及び第２絶縁フィルムは、PI(ポリイミド)フィルム、PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム、EVA(エチレンビニルアセテート)フィルム、PEN(ポリエチレンナフタレート)フィルム、TAC(トリアセチルセルロース)フィルム、PAI(ポリアミドイミド)、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、パーフルオロアルコキシ(PFA)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、樹脂フィルムのうち少なくとも一つを含む請求項１ないし９のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第１及び第２絶縁フィルムは蛍光体を含む請求項１ないし９のいずれかに記載の発光素子。
- 前記樹脂層は蛍光体を含む請求項１ないし１０のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第１及び第２絶縁フィルムは、前記複数の金属層を支持し、
前記第１及び第２金属層の下面及び側面は露出し、
前記第１及び第２金属層の下面は同一平面に配置される請求項１ないし１２のいずれかに記載の発光素子。 - 前記第１及び第２金属層の間の分離部は空いている領域である請求項１ないし１３のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第１及び第２金属層の厚さは、１５μｍ〜５０μｍの範囲であり、
前記第１及び第２絶縁フィルムの厚さは、３０μｍ〜５００μｍの範囲である請求項６に記載の発光素子。 - 前記複数の金属層の間に対応されて、前記複数の金属層の下面に前記複数の金属層の間の間隔より広い幅を有する第３絶縁フィルムを含む請求項１乃至１５のうち何れか一項に記載の発光素子。
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