JP5870489B2 - 光導波路、光電気複合基板、光導波路の製造方法、及び光電気複合基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板上に光導波路を製造する方法、その製造方法によって製造される光導波路、電気配線板上に光導波路を製造する光電気複合基板の製造方法、及びその製造方法によって製造される光電気複合基板に関する。

情報容量の増大に伴い、幹線やアクセス系といった通信分野のみならず、ルータやサーバ内の情報処理にも光信号を用いる光インタコネクション技術の開発が進められている。具体的には、ルータやサーバ装置内のボード間あるいはボード内の短距離信号伝送に光を用いるために、電気配線板に光伝送路を複合した光電気複合基板の開発がなされている。光伝送路としては、光ファイバに比べ、配線の自由度が高くかつ高密度化が可能な光導波路を用いることが望ましく、中でも加工性や経済性に優れたポリマー材料を用いた光導波路が有望である。

光導波路の製造方法としては、例えば、特許文献１には、キャリアフィルム上に下部クラッド層を硬化形成した後に、下部クラッド層上にコア層を形成し、露光と現像を行うことによってパターン化されたコア層を形成し、上部クラッド層を積層するビルドアップ法が記載されている。
しかしながら、この方法では、キャリアフィルム全面にクラッド層を形成するため、光導波路の硬化収縮によって基板のそりが大きくなる問題があった。また、キャリアフィルムが電気配線板であると、光導波路形成面側の電気配線板がクラッド層で覆われるため、光導波路形成面の素子実装が困難であった。
また、基板の一部分に光導波路を形成する方法として、特許文献２に記載されているように、半導体チップの表面に光導波路を接着層を用いて接着する方法が提案されている。詳しくは特許文献２では、ダミー基板上に光導波路を形成した後、この光導波路をダミー基板から剥がし（個片化工程）、接着剤を介して半導体チップに接着している（接着工程）。しかし、この方法では、光導波路の個片化工程が必要となり、煩雑であった。また、これら個片化工程及び接着工程において、高精度な位置合わせが困難であった。

特開２００３−１９５０８１ 特開２００６−３９３９０

本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、基板の一部分に位置合わせ精度よく光導波路を形成でき、基板の一部分に光導波路を形成するため基板のそりが少なく、基板のうち光導波路を形成していない部分に素子実装を行うことが可能な光導波路の製造方法、光電気複合基板の製造方法、かかる製造方法によって製造される光導波路及び光電気複合基板を提供することを目的とする。

本発明は、以下の（１）〜（１３）を提供するものである。
（１）下部クラッドパターン及びコアパターンを有する光導波路を、基板の表面の一部に積層形成する光導波路の製造方法であって、前記基板の上面に下部クラッド層形成用樹脂を積層して下部クラッド層を形成した後、前記基板の表面の一部が露出するように前記下部クラッド層をパターン化して下部クラッドパターンとする第１の工程と、前記下部クラッドパターン上及び前記基板上にコア層形成用樹脂を積層してコア層を形成した後、前記コア層をパターン化して前記下部クラッドパターン上のみにコアパターンを形成する第２の工程とを順に有する光導波路の製造方法。
（２）前記第２の工程において、前記下部クラッドパターン上及び前記基板上に前記コア層形成用樹脂を積層した後に、該コア層形成用樹脂を平坦化して前記コア層を形成することにより、前記下部クラッドパターンと該下部クラッドパターン上に形成されたコア層の合計厚みと、前記基板上に形成されたコア層の厚みとを一定にする（１）に記載の光導波路の製造方法。
（３）前記コア層形成用樹脂がコア層形成用樹脂フィルムよりなり、このコア層形成用樹脂フィルムの厚みが、前記コアパターンの厚みよりも厚く、前記下部クラッドパターンの厚みと前記コアパターンの厚みの合計の厚み以下である請求項（１）又は（２）に記載の光導波路の製造方法。
（４）前記下部クラッドパターンは直方体形状であり、前記コアパターンは前記下部クラッドパターンの１対の側面と平行に延在しており、前記下部クラッドパターンは、前記コアパターンの延在方向と直交方向の幅が４０ｍｍ以下であり、前記コアパターンは、前記下部クラッドパターンの表面のうち、前記下部クラッドパターンの１対の側面よりも前記幅方向に０．１μｍ以上内側に位置している（３）に記載の光導波路の製造方法。
（５）前記下部クラッドパターン上に形成された前記コアパターンが３本以上である（１）〜（４）のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
（６）前記第1の工程において、前記下部クラッド層を除去した面積が、前記下部クラッドパターンの面積よりも大きい（１）〜（５）のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
（７）前記第２の工程の後に、前記コアパターン、前記下部クラッドパターン及び前記基板の上面側から上部クラッド層形成用樹脂を積層して上部クラッド層を形成した後、前記基板の表面の一部が露出するように前記上部クラッド層をパターン化して、前記下部クラッドパターン上及び前記コアパターン上に上部クラッドパターンを形成する第３の工程を有する（１）〜（６）に記載の光導波路の製造方法。
（８）前記上部クラッド層形成用樹脂が上部クラッド層形成用樹脂フィルムよりなり、前記上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚みが、前記下部クラッドパターンの厚みと該下部クラッドパターン上に形成したコアパターンの厚みの合計厚み以上であることを特徴とする（７）に記載の光導波路の製造方法。
（９）前記第３の工程において、上部クラッド層形成用樹脂を積層した後に、該上部クラ
ッド層形成用樹脂を平坦化して前記上部クラッド層を形成することにより、前記下部クラッドパターンと該下部クラッドパターン上に形成された前記コアパターンと該コアパターン上に形成された前記上部クラッド層の合計厚みと、前記基板上に形成された上部クラッド層の厚みとを一定にする（７）又は（８）に記載の光導波路の製造方法。
（１０）（１）〜（９）のいずれかの方法によって形成された光導波路。
（１１）電気配線板と、前記電気配線板の表面の一部に形成された光導波路とを有する光電気複合基板の製造方法であって、前記基板として電気配線板を用い、この電気配線板の表面の一部に、（１）〜（１０）に記載の光導波路の製造方法によって光導波路を製造する光電気複合基板の製造方法。
（１２）前記電気配線板が、前記光導波路を形成する側の面に電気配線パターンを有する（１１）に記載の光電気複合基板の製造方法。
（１３）（１１）又は（１２）の方法によって製造された光電気複合基板。

本発明によると、基板の一部分に位置合わせ精度よく光導波路を形成でき、基板の一部分に光導波路を形成するため基板のそりが少なく、基板のうち光導波路を形成していない部分に素子実装を行うことが可能な光導波路の製造方法、光電気複合基板の製造方法、かかる製造方法によって製造される光導波路及び光電気複合基板を提供することができる。

実施の形態に係る光導波路及び光電気複合基板の製造方法を説明する断面図である。 図１（ｆ）の平面図である。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は実施の形態に係る光導波路及び光電気複合基板の製造方法を説明する断面図であり、図２は図１（ｆ）の平面図である。
なお、本実施の形態において、クラッド層形成用樹脂又はコア層形成用樹脂と表記した場合は、積層する前の樹脂や樹脂フィルムを指し、クラッド層又はコア層と表記した場合は、基板上にクラッド層形成用樹脂又はコア層形成用樹脂を積層した後の状態を指し、クラッドパターン又はコアパターンと表記した場合は、クラッド層又はコア層の一部分を除去し、パターン化された後の状態を指すこととする。
詳細は後述するが、本実施の形態に係る光導波路の製造方法は、下部クラッドパターン２０１及びコアパターン３０１を有する光導波路５を、基板１の表面の一部に積層形成する光導波路５の製造方法であって、前記基板１の上面に下部クラッド層形成用樹脂を積層して下部クラッド層２を形成した後、前記基板１の表面の一部が露出するように前記下部クラッド層２をパターン化して下部クラッドパターン２０１とする第１の工程と（図１（ｃ）〜（ｄ））、前記下部クラッドパターン２０１上及び前記基板１上にコア層形成用樹脂を積層してコア層３を形成した後、前記コア層３をパターン化して前記下部クラッドパターン２０１上のみにコアパターン３０１を形成する第２の工程（図１（ｅ）〜（ｆ））とを順に有するものである。
以下に、これら第１の工程及び第２の工程と、これらの工程の前に基板表面に電気配線パターンを形成して電気配線板とする工程（電気配線板の製造工程）と、第２の工程の後に上部クラッドパターンを製造する工程（上部クラッドパターン製造工程）とを詳細に説明する。

＜電気配線板の製造工程（図１（ａ）〜（ｂ））＞
本実施の形態では、基板１として、基板本体１０１の上面及び下面に電気配線パターン１０３を形成してなる電気配線板を用いる。
この基板（電気配線板）１の製造方法には特に限定はなく、例えば、基板本体１０１の上面及び下面の全面に金属層１０２を有する積層材料を用意し（図１（ａ））、この金属層１０２をエッチング等によってパターン化して金属配線パターン１０３を製造することにより、基板（電気配線板）１を製造することができる（図１（ｂ））。
基板本体１０１の材質としては、特に制限はなく、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルムなどが挙げられる。

基板本体１０１として柔軟性及び強靭性のある基材、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドを用いることで、フレキシブルなものとしてもよい。

基板１の厚さは、板の反りや寸法安定性により、適宜変えてよいが、好ましくは０．１〜１０．０ｍｍである。光路変換された光信号が基板１を透過する場合には、光信号の波長に対して透明な基板１を用いると良い。

本実施の形態では、基板本体１０１の上面に、短辺方向に延在する金属配線パターン１０３が、基板の長辺方向に間隔をおいて複数本（４本）設けられている（図２参照）。なお、基板本体１０１の下面にも、同様に複数本（４本）の金属配線パターン１０３が設けられている。電気配線パターン１０３の厚さは好ましくは３〜１８μｍである。電気配線パターン１０３の厚さがこの範囲の下限値以上であると、電気配線パターン１０３の形成が容易であると共に電気抵抗が小さくなる。電気配線パターン１０３の厚さがこの範囲の上限値以下であると、この電気配線パターン１０３上への後述する下部クラッド層２、コア層３及び上部クラッド層４の形成が容易となる。

＜第１の工程（図１（ｃ）〜（ｄ））＞
本工程では、前記基板１の上面に下部クラッド層形成用樹脂を積層して下部クラッド層２を形成した後（図１（ｃ））、基板１の表面の一部が露出するように前記下部クラッド層２をパターン化して下部クラッドパターン２０１とする（図１（ｄ））。

（下部クラッド層の形成方法（図１（ｃ））
この下部クラッド層２の形成方法は特に限定されず、例えば、下部クラッド層形成用樹脂を基板１の上面に塗布してもよく、また、下部クラッド層形成用樹脂よりなるフィルムを基板１の上面にラミネートしてもよい。
塗布による場合には、その方法は限定されず、例えば、後述の樹脂組成物を常法により塗布すれば良い。
また、ラミネートに用いる下部クラッド層形成用樹脂フィルムは、例えば、この樹脂組成物を溶媒に溶解したものを支持体フィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。

下部クラッド層形成用樹脂フィルムは、支持フィルム上に形成しておき、この支持フィルムから剥離して使用すると良い。支持フィルムの種類としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドが好適に挙げられる。支持体フィルムの厚さは、５〜２００μｍであることが好ましい。５μｍ以上であると、支持体フィルムとしての強度が得やすいという利点があり、２００μｍ以下であると、パターン形成時のマスクとのギャップが小さくなり、より微細なパターンが形成できるという利点がある。以上の観点から、支持体フィルムの厚さは１０〜１００μｍの範囲であることがより好ましく、１５〜５０μｍであることが特に好ましい。
なお、後述するコア層形成用樹脂フィルム及び上部クラッド層形成用樹脂フィルムも、上記と同様の支持フィルム上に形成すると良い。

（下部クラッドパターンの形成方法（図１（ｄ））
また、下部クラッド層２から下部クラッドパターン２０１を形成する方法は特に限定されず、例えば、下部クラッド層２をエッチングによって形成すればよく、感光性の下部クラッド層２を用いる場合には、露光及び現像することによって下部クラッドパターン２０１を形成できる。

本実施の形態では、上記電気配線パターン１０３の全体が露出するように、この下部クラッドパターン２０１を形成する。
この下部クラッドパターン２０１は、基板本体１０１の長辺方向に延在する直方体形状であり、その両端が基板本体１０１の１対の短辺にまで延在している。この下部クラッドパターン２０１は、上記電気配線パターン１０３から離隔した位置に形成するのが好ましい。

この下部クラッドパターン２０１の延在方向と直交方向（すなわち、後述するコアパターンの延在方向と直交方向）の幅Ｌは、好ましくは４０ｍｍ以下である。この幅Ｌが４０ｍｍ以下であると、基板１の表面のうち下部クラッドパターン２０１が形成される部分の面積が小さくなり、基板１のそりが低減される。また、この幅Ｌが４０ｍｍ以下であると、後述するようにこの下部クラッドパターン２０１上にコア層形成用樹脂フィルムを積層してコア層３を形成するときに、下部クラッドパターン２０１をコア層形成用樹脂フィルムに容易に食い込ませることができ、これにより、コア層３の上面を容易に平坦化することができる（すなわち、下部クラッドパターン２０１とその上のコア層３の合計厚さと、基板本体１０１上に形成されたコア層３の厚みとを容易に一定にすることができる）。また、この幅Ｌはコアパターン幅より左右に０．１μｍ以上広い幅であることが好ましい。この幅Ｌがコアパターン幅より左右に０．１μｍ以上広い幅であると、下部クラッドパターン２０１上に後述するコアパターン３０１を容易に形成することができる。これらの観点からは、この幅Ｌはより好ましくは５μｍ〜３．５ｍｍであり、更に好ましくは５μｍ〜１．０ｍｍである。
この下部クラッドパターン２０１の面積は、基板１の面積の１／２以下であることが好ましい。コアパターンが複数ある場合には、上記の範囲内で、１つの下部クラッドパターン上にコアパターンを複数形成しても良い。これにより、基板１のそりを良好に低減することができる。この下部クラッドパターン２０１の面積は基板１の面積のより好ましくは１／３以下であり、更に好ましくは１／４以下である。

下部クラッドパターンの厚さは、５〜５００μｍの範囲が好ましい。５μｍ以上であると、光の閉じ込めに必要なクラッド厚さが確保でき、５００μｍ以下であると、膜厚を均一に制御することが容易である。以上の観点から、下部クラッドパターンの厚さは、さらに１０〜１００μｍの範囲であることがより好ましい。

（樹脂組成物）
上記の下部クラッド層形成用樹脂としては、コアパターン３０１より低屈折率で、光又は熱により硬化する樹脂組成物であれば特に限定されず、熱硬化性樹脂組成物や感光性樹脂組成物を好適に使用することができる。より好適にはクラッド層形成用樹脂が、（Ａ）ベースポリマー、（Ｂ）光重合性化合物及び（Ｃ）光重合開始剤を含有する樹脂組成物により構成されることが好ましい。

ここで用いる（Ａ）ベースポリマーはクラッド層を形成し、該クラッド層の強度を確保するためのものであり、該目的を達成し得るものであれば特に限定されず、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルアミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン等、あるいはこれらの誘導体などが挙げられる。これらのベースポリマーは１種単独でも、また２種以上を混合して用いてもよい。上記で例示したベースポリマーのうち、耐熱性が高いとの観点から、主鎖に芳香族骨格を有することが好ましく、特にフェノキシ樹脂が好ましい。また、３次元架橋し、耐熱性を向上できるとの観点からは、エポキシ樹脂、特に室温で固形のエポキシ樹脂が好ましい。さらに、後に詳述する（Ｂ）光重合性化合物との相溶性が、クラッド層形成用樹脂の透明性を確保するために重要であるが、この点からは上記フェノキシ樹脂及び（メタ）アクリル樹脂が好ましい。なお、ここで（メタ）アクリル樹脂とは、アクリル樹脂及びメタクリル樹脂を意味するものである。

フェノキシ樹脂の中でも、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物又はそれらの誘導体、及びビスフェノールＦ、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物又はそれらの誘導体を共重合成分の構成単位として含むものは、耐熱性、密着性及び溶解性に優れるため好ましい。ビスフェノールＡ又はビスフェノールＡ型エポキシ化合物の誘導体としては、テトラブロモビスフェノールＡ、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ化合物等が好適に挙げられる。また、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＦ型エポキシ化合物の誘導体としては、テトラブロモビスフェノールＦ、テトラブロモビスフェノールＦ型エポキシ化合物等が好適に挙げられる。ビスフェノールＡ／ビスフェノールＦ共重合型フェノキシ樹脂の具体例としては、東都化成（株）製「フェノトートＹＰ−７０」（商品名）が挙げられる。

室温で固形のエポキシ樹脂としては、例えば、東都化学（株）製「エポトートＹＤ−７０２０、エポトートＹＤ−７０１９、エポトートＹＤ−７０１７」（いずれも商品名）、ジャパンエポキシレジン（株）製「エピコート１０１０、エピコート１００９、エピコート１００８」（いずれも商品名）などのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が挙げられる。

次に、（Ｂ）光重合性化合物としては、紫外線等の光の照射によって重合するものであれば特に限定されず、分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物や分子内に２つ以上のエポキシ基を有する化合物などが挙げられる。
分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物としては、（メタ）アクリレート、ハロゲン化ビニリデン、ビニルエーテル、ビニルピリジン、ビニルフェノール等が挙げられるが、これらの中で、透明性と耐熱性の観点から、（メタ）アクリレートが好ましい。
（メタ）アクリレートとしては、１官能性のもの、２官能性のもの、３官能性以上の多官能性のもののいずれをも用いることができる。なお、ここで（メタ）アクリレートとは、アクリレート及びメタクリレートを意味するものである。
分子内に２つ以上のエポキシ基を有する化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等の２官能又は多官能芳香族グリシジルエーテル、ポリエチレングリコール型エポキシ樹脂等の２官能又は多官能脂肪族グリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等の２官能脂環式グリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステル等の２官能芳香族グリシジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等の２官能脂環式グリシジルエステル、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン等の２官能又は多官能芳香族グリシジルアミン、アリサイクリックジエポキシカルボキシレート等の２官能脂環式エポキシ樹脂、２官能複素環式エポキシ樹脂、多官能複素環式エポキシ樹脂、２官能又は多官能ケイ素含有エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの（Ｂ）光重合性化合物は、単独で又は２種類以上組み合わせて用いることができる。

次に（Ｃ）成分の光重合開始剤としては、特に制限はなく、例えば（Ｂ）成分にエポキシ化合物を用いる場合の開始剤として、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリアリルセレノニウム塩、ジアルキルフェナジルスルホニウム塩、ジアルキル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム塩、スルホン酸エステルなどが挙げられる。

また、（Ｂ）成分に分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物を用いる場合の開始剤としては、ベンゾフェノン等の芳香族ケトン、２−エチルアントラキノン等のキノン類、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾインエーテル化合物、ベンゾイン等のベンゾイン化合物、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、２−メルカプトベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール類、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド等のフォスフィンオキサイド類、９−フェニルアクリジン等のアクリジン誘導体、Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物などが挙げられる。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と３級アミン化合物とを組み合わせてもよい。なお、コア層及びクラッド層の透明性を向上させる観点からは、上記化合物のうち、芳香族ケトン及びフォスフィンオキサイド類が好ましい。
これらの（Ｃ）光重合開始剤は、単独で又は２種類以上組み合わせて用いることができる。

（Ａ）ベースポリマーの配合量は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総量に対して、５〜８０質量％とすることが好ましい。また、（Ｂ）光重合性化合物の配合量は、（Ａ）及び（Ｂ）成分の総量に対して、９５〜２０質量％とすることが好ましい。
この（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の配合量として、（Ａ）成分が５質量％以上であり、（Ｂ）成分が９５質量％以下であると、樹脂組成物を容易にフィルム化することができる。一方、（Ａ）成分が８０質量％以下あり、（Ｂ）成分が２０質量％以上であると、（Ａ）ベースポリマーを絡み込んで硬化させることが容易にでき、光導波路を形成する際に、パターン形成性が向上し、かつ光硬化反応が十分に進行する。以上の観点から、この（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の配合量として、（Ａ）成分１０〜８５質量％、（Ｂ）成分９０〜１５質量％がより好ましく、（Ａ）成分２０〜７０質量％、（Ｂ）成分８０〜３０質量％がさらに好ましい。
（Ｃ）光重合開始剤の配合量は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総量１００質量部に対して、０．１〜１０質量部とすることが好ましい。この配合量が０．１質量部以上であると、光感度が十分であり、一方１０質量部以下であると、露光時に感光性樹脂組成物の表層での吸収が増大することがなく、内部の光硬化が十分となる。さらに、光導波路として使用する際には、重合開始剤自身の光吸収の影響により光伝搬損失が増大することもなく好適である。以上の観点から、（Ｃ）光重合開始剤の配合量は、０．２〜５質量部とすることがより好ましい。
また、このほかに必要に応じて、クラッド層形成用樹脂中には、酸化防止剤、黄変防止剤、紫外線吸収剤、可視光吸収剤、着色剤、可塑剤、安定剤、充填剤などのいわゆる添加剤を本発明の効果に悪影響を与えない割合で添加してもよい。

＜第２の工程（図１（ｅ）〜（ｆ））＞
本工程では、前記下部クラッドパターン２０１上及び前記基板１上にコア層形成用樹脂を積層してコア層３を形成した後（図１（ｅ））、このコア層３をパターン化して、前記下部クラッドパターン２０１上のみにコアパターン３０１を形成する（図１（ｆ））。

（コア層の形成方法（図１（ｅ））
このコア層３の形成方法は特に限定されず、例えば、コア層形成用樹脂を基板１及び下部クラッドパターン２０１の上面に塗布してもよく、また、コア層形成用樹脂よりなるフィルムを基板１及び下部クラッドパターン２０１の上面にラミネートしてもよい。
塗布による場合には、その方法は限定されず、例えば、樹脂組成物を常法により塗布すれば良い。
また、ラミネートに用いるコア層形成用樹脂フィルムは、例えば、樹脂組成物を溶媒に溶解したものを支持体フィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。

コア層の平坦化方法
なお、本工程において、前記下部クラッドパターン２０１上及び前記基板１上にコア層形成用樹脂を積層した後に、該コア層形成用樹脂を平坦化してコア層３を形成することにより、前記下部クラッドパターン２０１と該下部クラッドパターン２０１上に形成されたコア層３の合計厚みと、前記基板１上に形成されたコア層３の厚みとを一定にすることが好ましい。
上記のコア層３を平坦化する方法としては特に限定はないが、例えば、コア層の基板１と反対面側から剛性のある板で加圧積層する方法が好適に挙げられる。加圧する方法としては、加圧プレスや、真空ラミネータを用いると良い。剛性のある板としては、ＳＵＳ板、Ａｌ板等の各種金属板や、銅張り積層板、ガラス板、シリコン基板などを用いると良い。平坦化の目安としては、基板１上のコア層３の厚みと、基板１上に形成した下部クラッドパターン２０１及び該下部クラッドパターン２０１上のコア層３との合計厚みの差が、１５μｍ以下を一定とみなす。こうすることにより、コア層３の厚みの制御が容易となり、コアパターン３を形成しやすくなるとともに、下部クラッドパターン２０１上に形成する所望のコアパターン３の厚みを得やすくなる。

コア層形成用フィルムの厚さ
コア層３をコア層形成用樹脂フィルムを用いて形成する場合にあっては、コア層形成用樹脂フィルムの厚さは、コアパターン３０１の厚みよりも厚く、下部クラッドパターン２０１の厚みとコアパターン３０１の厚みの合計の厚み以下であることが好ましい。このようにコア層形成用樹脂フィルムの厚さがコアパターン３０１の厚み以上であると、上記のコア層の平坦化方法によりコア層３の上面を平坦化したときに、図１（ｅ）のように、下部クラッドパターン２０１をコア層３で埋没させることができ、コア層３の上面全面の高さを容易に同一にすることができる。また、コア層形成用樹脂フィルムの厚さが、下部クラッドパターン２０１の厚みとコアパターン３０１の厚みの合計の厚み以下であると、コア層形成用フィルムのうちコア層３とならずに廃棄される量が低減される。

理論上は、コア層形成用樹脂フィルムを無駄なく使用するためには、コア層形成用樹脂フィルムの体積がコア層３の体積と同一となるように、このコア層形成用樹脂フィルムの厚みを決定すればよい。また、このコア層３の体積は以下の式で算出することができる。
コア層３の体積＝（基板１上面からコア層３上面までの高さ）×基板１の面積
−下部クラッドパターン２０１の体積
−電気配線パターン１０３の総体積
−その他基板１上に配置された凸部の総体積
＋その他基板１上に配置された凹部の総体積
＝コア層３の厚さ×基板１の面積
−下部クラッドパターン２０１の総面積×厚さ
−電気配線パターン１０３の総面積×厚さ
−その他基板１上に配置された凸部の総体積
＋その他基板１上に配置された凹部の総体積
よって、コア層形成用樹脂フィルムの理論上の最適厚みｄ_cは、以下の式で算出することができる。
ｄ_c＝コア層３の体積／基板１の面積
＝｛コア層３の厚さ×基板１の面積
−下部クラッドパターン２０１の総面積×厚さ
−電気配線パターン１０３の総面積×厚さ
−その他基板１上に配置された凸部の総体積
＋その他基板１上に配置された凹部の総体積｝／基板１の面積
しかし、実際には上記の式に限定されず、（上記の式によって算出されたコア層形成用樹脂フィルムの厚みｄ_c−１５μｍ）〜（上記の式によって算出されたコア層形成用樹脂フィルムの厚みｄ_c＋５μｍ）の範囲で適宜調整したコア層形成用樹脂を用いると、所望のコアパターン３０１の厚みを容易に得ることができる。

また、下部クラッド層２が除去された基板面積が、下部クラッドパターン２０１の面積よりも大きいと、コア層形成用樹脂の厚みが所望するコアパターン３０１の厚みと同一の厚みの樹脂を用いると、所望するコアパターン３０１の厚みを得ることが極めて困難となる。その理由は、コア層形成用樹脂が、下部クラッド層２が除去された部分へ流動し、下部クラッドパターン２０１上のコア層形成用樹脂の厚みが、使用するコア層形成用樹脂の厚みよりも薄く形成されてしまうためである。よって、この場合には特に、上記のとおり、コア層形成用樹脂フィルムの厚さが、コアパターン３０１の厚みよりも厚く、下部クラッドパターン２０１の厚みとコアパターン３０１の厚みの合計の厚み以下であることが好ましい。

（コアパターンの形成方法（図１（ｆ））
本発明においては、コアパターン３０１の形成方法は特に限定されず、例えば、コア層形成用樹脂の塗布又はコア層形成用樹脂フィルムのラミネートによりコア層３を形成し、エッチングによりコアパターン３０１を形成すれば良い。
コア層３に用いるコア層形成用樹脂は、上部クラッド層２及び後述する上部クラッド層４より高屈折率であるように設計される。コア層形成用樹脂は限定されず、前記下部クラッド層２と同様の樹脂組成物が挙げられる。

コアパターンの形状
本実施の形態では、下部クラッドパターン２０１上に、複数本（３本）のコアパターン３０１が形成されている。これらのコアパターン３０１は、基板本体１０１の長辺方向に延在する直方体形状であり、その両端が基板本体１０１の１対の短辺にまで延在している。これらのコアパターン３０１は、下部クラッドパターン２０１の短手方向（基板１の短辺方向）に間隔をおいて平行に配置されている。
コアパターン３０１は、下部クラッドパターン２０１の表面のうち、この下部クラッドパターンの１対の側面（基板１の短辺方向に対向する１対の長側面）よりも図１（ｄ）の幅Ｌ方向に０．１μｍ以上内側に位置していることが好ましい。すなわち、図１（ｆ）において、下部クラッドパターン２０１の左側面と左端側のコアパターン３０１の左側面との距離ａが０．１μｍ以上であり、かつ下部クラッドパターン２０１の右側面と右端側のコアパターン３０１の右側面との距離ｂが０．１μｍ以上であることが好ましい。これにより、後述する１（ｈ）のように、左端側のコアパターン３０１の左側及び右端側のコアパターン３０１の右側に、上部クラッドパターン４０１を良好に形成することができ、左右両側のコアパターン３０１の光損失が低減される。また、仮に下部クラッドパターン２０１の図１（ｆ）における上面のうち左右両側面近傍に欠損部が生じていたとしても、欠損部よりも内側にコアパターン３０１を形成することができ、コアパターン３０１の寸法精度の低下が防止される。これらの距離ａ，ｂは、より好ましくは５μｍ以上であり、更に好ましくは２０μｍ以上である。
各コアパターン３０１同士の間にも、上記距離ａ，ｂと同様に０．１μｍ以上の間隙があいていることが好ましい。これにより、後述する図１（ｈ）のとおり、隣接するコアパターン同士の間に上部クラッドパターン４０１を良好に形成することができ、コアパターン３０１の光損失が低減される。各コアパターン３０１同士の間隙は、より好ましくは５０μｍ以上であり、更に好ましくは７５μｍ以上である。

コアパターンの厚さ
下部クラッドパターン２０１上に存在するコアパターン３０１の厚さ（すなわち、下部クラッドパターン２０１の上面からコアパターン３０１の上面までの距離）については特に限定されず、通常は１０〜１００μｍとなるように調整される。該コアパターン３０１の厚さが１０μｍ以上であると、コア形成用樹脂フィルムの膜厚が制御しやすいと共に、光導波路形成後の、発光素子からの光信号との結合や、光ファイバから導入される光信号との位置合わせトレランスが拡大でき、結合が効率的に行えるという利点がある。該コアパターン３０１の厚さが１００μｍ以下であると、コア形成用樹脂フィルムの膜厚が制御しやすいと共に、光導波路形成後の、受光素子からの光信号との結合や、光ファイバへ導入される光信号との位置合わせトレランスが拡大でき、結合が効率的に行えるという利点がある。以上の観点から、コアパターン３０１の厚さは３０〜７０μｍの範囲であることが好ましい。

＜第３の工程（図１（ｇ）〜（ｈ））＞
本工程では、前記第２の工程の後に、前記コアパターン３０１、前記下部クラッドパターン２０１及び前記基板１の上面側から上部クラッド層形成用樹脂を積層して上部クラッド層４を形成した後（図１（ｇ））、前記基板１の表面の一部が露出するように前記上部クラッド層４をパターン化して、前記下部クラッドパターン２０１上及び前記コアパターン３０１上に上部クラッドパターン４０１を形成する（図１（ｈ））。

（上部クラッド層の形成方法（図１（ｇ））
上部クラッド層の形成方法には特に限定はなく、例えば、上部クラッド層形成用樹脂を基板１、下部クラッドパターン２０１及びコアパターン３０１の上面に塗布してもよく、また、これらの上面にラミネートしてもよい。
これら塗布及びラミネートの方法は限定されず、上述の下部クラッド層２の場合と同様にして塗布及びラミネートすれば良い。
上部クラッド層形成用樹脂に用いる樹脂組成物としては、コアパターン３０１より低屈折率で、光又は熱により硬化する樹脂組成物であれば特に限定されず、上述の下部クラッド層形成用樹脂に用いる樹脂組成物と同様の熱硬化性樹脂組成物や感光性樹脂組成物を好適に使用することができる。この上部クラッド形成用樹脂に用いる樹脂組成物は、上述の下部クラッド層形成用樹脂に用いる樹脂組成物と比べて、含有成分が同一であっても異なっていてもよく、屈折率が同一であっても異なっていてもよい。

上部クラッド層の平坦化方法
なお、本工程において、上部クラッド層形成用樹脂を積層した後に、該上部クラッド層形成用樹脂を平坦化して上部クラッド層４を形成することにより、前記下部クラッドパターン２０１と該下部クラッドパターン２０１上に形成された前記コアパターン３０１と該コアパターン３０１上に形成された上部クラッド層４の合計厚みと、前記基板１上に形成された上部クラッド層４厚みとを一定にすることが好ましい。
上部クラッド層４を平坦化する方法として特に限定はないが、上記のコア層３の平坦化方法と同様の方法が挙げられる。平坦化の目安としては、基板１上の上部クラッド層４の厚みと、基板１上に形成した下部クラッドパターン２０１及び該下部クラッドパターン２０１上のコアパターン３０１及び該コアパターン３０１上に積層された上部クラッド層４との合計厚みの差が、１５μｍ以下を一定とみなす。こうすることにより、上部クラッド層４の厚みの制御が容易となり、上部クラッドパターン４０１を形成しやすくなるとともに、コアパターン３０１上に形成する所望の上部クラッドパターン４０１の厚みを得やすくなる。

上部クラッド層形成用フィルムの厚さ
上部クラッド層４を上部クラッド層形成用樹脂フィルムを用いて形成する場合にあっては、上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さは、下部クラッドパターン２０１とコアパターン３０１の合計厚みよりも厚いことが好ましく、また、下部クラッドパターン２０１の厚みとコアパターン３０１の厚みと上部クラッドパターン４０１の合計厚み以下であることが好ましい。このように上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さが、下部クラッドパターン２０１とコアパターン３０１の合計厚みよりも厚いと、上記の上部クラッド層の平坦化方法により上部クラッド層４の上面を平坦化したときに、図１（ｇ）のように、下部クラッドパターン２０１及びコアパターン３０１を上部クラッド層４で埋没させることができ、上部クラッド層４の上面全面の高さを容易に同一にすることができる。また、上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さが、下部クラッドパターン２０１の厚みとコアパターン３０１の厚みと上部クラッドパターン４０１の合計厚み以下であると、上部クラッド層形成用フィルムのうち上部クラッド層４とならずに廃棄される量が低減される。

理論上は、上部クラッド層形成用樹脂フィルムを無駄なく使用するためには、上部クラッド層形成用樹脂フィルムの体積が上部クラッド層４の体積と同一となるように、この上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚みを決定すればよい。また、この上部クラッド層４の体積は以下の式で算出することができる。
上部クラッド層４の体積
＝（基板１上面から上部クラッド層４上面までの高さ）×基板１の面積
−コアパターン３０１の体積
−下部クラッドパターン２０１の体積
−電気配線パターン１０３の総体積
−その他基板１上に配置された凸部の総体積
＋その他基板１上に配置された凹部の総体積
＝上部クラッド層４の厚さ×基板１の面積
−コアパターン３０１の総面積×厚さ
−下部クラッドパターン２０１の総面積×厚さ
−電気配線パターン１０３の総面積×厚さ
−その他基板１上に配置された凸部の総体積
＋その他基板１上に配置された凹部の総体積
よって、上部クラッド層形成用樹脂フィルムの理論上の最適厚みｄ_uは、以下の式で算出することができる。
ｄ_u＝上部クラッド層４の体積／基板１の面積
＝｛上部クラッド層４の厚さ×基板１の面積
−コアパターン３０１の総面積×厚さ
−下部クラッドパターン２０１の総面積×厚さ
−電気配線パターン１０３の総面積×厚さ
−その他基板１上に配置された凸部の総体積
＋その他基板１上に配置された凹部の総体積｝／基板１の面積
しかし、実際には上記の式に限定されず、（上記の式によって算出された上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚みｄ_u−１５μｍ）〜（上記の式によって算出された上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚みｄ_u＋５μｍ）の範囲で適宜調整した上部クラッド層形成用樹脂を用いると、所望の上部クラッドパターン４０１の厚みを容易に得ることができる。

上記方法により、基板１の表面の一部に、光導波路を製造することができる。また、本実施の形態では、基板１として、基板本体１０１の表面に電気配線パターン１０３を形成したものを用いているため、この基板１とこの基板１上の光導波路とにより、光電気複合基板が構成される。
図１（ｈ）のとおり、基板１の表面の一部のみに光導波路５を形成することにより、基板１の表面の残部を露出させることができ、電気配線パターン１０３が露出した光電気複合基板が得られる。

＜その他の実施の形態＞
上記実施の形態は本発明の一例であり、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
例えば、本実施の形態では、コアパターン３０１は３本であったが、１本又は２本であってもよく、４本以上であってもよい。

以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。
なお、実施例及び比較例において、光導波路の作製に用いられる各種フィルム及び基板は、以下の方法により作製した。

［クラッド層形成用樹脂フィルムの作製］
（１）（A）ベースポリマー；（メタ）アクリルポリマー（Ａ−１）の作製
撹拌機、冷却管、ガス導入管、滴下ろうと、及び温度計を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６質量部及び乳酸メチル２３質量部を秤量し、窒素ガスを導入しながら撹拌を行った。液温を６５℃に上昇させ、メチルメタクリレート４７質量部、ブチルアクリレート３３質量部、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１６質量部、メタクリル酸１４質量部、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）３質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６質量部、及び乳酸メチル２３質量部の混合物を３時間かけて滴下後、６５℃で３時間撹拌し、さらに９５℃で１時間撹拌を続けて、（メタ）アクリルポリマー（A−１）溶液（固形分４５質量％）を得た。

（２）重量平均分子量の測定
（A−１）の重量平均分子量（標準ポリスチレン換算）をＧＰＣ（東ソー（株）製「ＳＤ−８０２２」、「ＤＰ−８０２０」、及び「ＲＩ−８０２０」）を用いて測定した結果、３．９×１０⁴であった。なお、カラムは日立化成工業（株）製「Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１５０−Ｓ」及び「Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１６０−Ｓ」を使用した。

（３）酸価の測定
Ａ−１の酸価を測定した結果、７９ｍｇＫＯＨ／ｇであった。なお、酸価はＡ−１溶液を中和するのに要した０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム水溶液量から算出した。このとき、指示薬として添加したフェノールフタレインが無色からピンク色に変色した点を中和点とした。

（４）クラッド層形成用樹脂ワニスの調合
（Ａ）ベースポリマーとして、前記Ａ−１溶液（固形分４５質量％）８４質量部（固形分３８質量部）、（Ｂ）光硬化成分として、ポリエステル骨格を有するウレタン（メタ）アクリレート（新中村化学工業（株）製「Ｕ−２００ＡＸ」）３３質量部、及びポリプロピレングリコール骨格を有するウレタン（メタ）アクリレート（新中村化学工業（株）製「ＵＡ−４２００」）１５質量部、（Ｃ）熱硬化成分として、ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート型三量体をメチルエチルケトンオキシムで保護した多官能ブロックイソシアネート溶液（固形分７５質量％）（住化バイエルウレタン（株）製「スミジュールＢＬ３１７５」）２０質量部、（Ｄ）光重合開始剤として、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（チバ・ジャパン（株）製「イルガキュア２９５９」）１質量部、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド（チバ・ジャパン（株）製「イルガキュア８１９」）１質量部、及び希釈用有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２３質量部を攪拌しながら混合した。孔径２μｍのポリフロンフィルタ（アドバンテック東洋（株）製「ＰＦ０２０」）を用いて加圧濾過後、減圧脱泡し、クラッド層形成用樹脂ワニスを得た。

（５）クラッド層形成用樹脂ワニスのフィルム化
上記で得られたクラッド層形成用樹脂ワニスを、ＰＥＴフィルム（東洋紡績（株）製「コスモシャインＡ４１００」、厚み５０μｍ）の非処理面上に、前記塗工機を用いて塗布し、１００℃で２０分乾燥後、保護フィルムとして表面離型処理ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製「ピューレックスＡ３１」、厚み２５μｍ）を貼付け、各種厚みのクラッド層形成用樹脂フィルムを得た。

［コア層形成用樹脂フィルムの作製］
（Ａ）ベースポリマーとして、フェノキシ樹脂（商品名：フェノトートＹＰ−７０、東都化成株式会社製）２６質量部、（Ｂ）光重合性化合物として、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン（商品名：Ａ−ＢＰＥＦ、新中村化学工業株式会社製）３６質量部、及びビスフェノールＡ型エポキシアクリレート（商品名：ＥＡ−１０２０、新中村化学工業株式会社製）３６質量部、（Ｃ）光重合開始剤として、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド（商品名：イルガキュア８１９、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）１質量部、及び１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（商品名：イルガキュア２９５９、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）１質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４０質量部を用いたこと以外は上記クラッド層形成用樹脂ワニスの製造例と同様の方法及び条件でコア層形成用樹脂ワニスＢを調合した。
上記で得られたコア層形成用樹脂ワニスＢを、ＰＥＴフィルム（商品名：コスモシャインＡ１５１７、東洋紡績株式会社製、厚さ：１６μｍ）の非処理面上に、前記塗工機を用いて塗布し、１００℃で２０分乾燥後、保護フィルムとして表面離型処理ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製「ピューレックスＡ３１」、厚み２５μｍ）を貼付け、各種厚みのコア層形成用樹脂フィルムを得た。

［基板の作製］
（１）サブトラクティブ法による電気配線形成）
金属層１０２として１００ｍｍ角の両面銅箔付きのポリイミドフィルム１０１（（ポリイミド；ユーピレックスＶＴ（宇部日東化成製）、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×厚み２５μｍ）、（銅箔；ＮＡ−ＤＦＦ（三井金属鉱業社製）、厚み；９μｍ））（図１（ａ）参照）の銅箔面に感光性ドライフィルムレジスト（商品名：フォテック、日立化成工業株式会製、厚さ：２５μｍ）をロールラミネータ（日立化成テクノプラント株式会社製、ＨＬＭ−１５００）を用い圧力０．４ＭＰａ、温度１１０℃、ラミネート速度０．４ｍ／ｍｉｎの条件で貼り、次いで紫外線露光機（株式会社オーク製作所製、ＥＸＭ−１１７２）にて感光性ドライフィルムレジスト側から幅１５０μｍ×１ｍｍのネガ型フォトマスクを介し、紫外線（波長３６５ｎｍ）を１２０ｍＪ／ｃｍ²照射し、未露光部分の感光性ドライフィルムレジストを３５℃の０．１〜５重量％炭酸ナトリウムの希薄溶液で除去した。その後、塩化第二鉄溶液を用いて、感光性ドライフィルムレジストが除去されむき出しになった部分の銅箔をエッチングにより除去し、３５℃の１〜１０重量％水酸化ナトリウム水溶液を用いて、露光部分の感光性ドライフィルムレジストを除去し、L（ライン幅）／S（間隙幅）＝１５０／３００μｍの直線の電気配線パターン１０３を形成した。

（２）Ｎｉ／Ａｕめっきの形成
その後、フレキシブル配線板を、脱脂、ソフトエッチング、酸洗浄し、無電解Ｎｉめっき用増感剤（商品名：ＳＡ−１００、日立化成工業株式会社製）に２５℃で５分間浸漬後水洗し、８３℃の無電解Ｎｉめっき液（奥野製薬社製、ＩＣＰニコロンＧＭ−ＳＤ溶液、ｐＨ４．６）に８分間浸漬して３μｍのＮｉ被膜を形成し、その後、純水にて洗浄を実施した。
次に、置換金めっき液（１００ｍＬ；ＨＧＳ−５００及び１．５ｇ；シアン化金カリウム／Ｌで建浴）（商品名：ＨＧＳ−５００、日立化成工業株式会社製、）に８５℃で８分間浸漬し、Ｎｉ被膜上に０．０６μｍの置換金被膜を形成した。これにより、電気配線１０３部分が、Ｎｉ及びＡｕのめっきに被覆された基板１としての両面電気配線付きのフレキシブル配線板を得た（図１（ｂ）参照；Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕを電気配線パターン１０３として図示）。

［実施例１〜６及び比較例１］
実施例１〜６及び比較例１では、上記のとおりにして作製したクラッド層形成用樹脂シート、コア層形成用樹脂シート及び基板を用い、以下の第１の工程〜第３の工程を実施して、図１（ｈ）に示す光電気複合基板を作製した。
なお、これら実施例及び比較例では、コアパターン３０１の厚さが５０μｍ、該コアパターン３０１上面に形成される上部クラッドパターン４０１の厚さが１５μｍであり、これらコアパターン３０１及び上部クラッドパターン４０１の厚さが場所によらず一定である光電気複合基板を作製することを目標とした。

実施例１
（１）第１の工程
上記で得られた１５μｍ厚の下部クラッド層形成用樹脂フィルムを大きさ１００ｍｍ×１００ｍｍに裁断し、保護フィルムを剥離して、基板１面の片側に平板型ラミネータとして真空加圧式ラミネータ（株式会社名機製作所製、ＭＶＬＰ−５００）を用い、下部クラッド層樹脂面側の熱板に厚さ２ｍｍのＳＵＳ板を取り付け、５００Pａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１００℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着して、下部クラッド層２を形成した（図１（ｃ）参照）。次に、電気配線パターン１０３から２ｍｍ離れた位置に、該電気配線パターン１０３と垂直で幅４００μｍ×８０ｍｍのネガ型フォトマスクを介し、上記の紫外線露光機にて支持フィルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を２５０ｍＪ／ｃｍ²照射し、次いで支持フィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、下部クラッド層２をエッチングし、下部クラッドパターン２０１を形成した。続いて、水洗浄し、下部クラッドパターン２０１面側から、上記露光機を用いて紫外線（波長３６５ｎｍ）を４Ｊ／ｃｍ²照射し、その後、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化して、厚さが１５μｍであり、幅Ｌが４００μｍである下部クラッドパターン２０１を形成した（図１（ｄ））。

（２）第２の工程
次に、上記の下部クラッドパターン２０１形成面側から上記の６５μｍのコア層形成用樹脂フィルムを上記の真空ラミネータを用い、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１００℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着して、コア層３を形成した（図１（ｅ）参照）。このとき、真空ラミネータのコア層形成用樹脂面側の熱板に厚さ２ｍｍのＳＵＳ板を取り付け、コア層形成用樹脂の積層と同時に平坦化を行った。下部クラッドパターン２０１及び該下部クラッドパターン２０１上に積層されたコア層３の合計厚みと、基材１上に形成されたコア層３の厚み差を測定したところ、１μｍであった。
次に、コア層３側から５０μｍ×５０ｍｍ（３本）の開口部を有したネガ型フォトマスクを介し、開口部が下部クラッドパターン２０１上になるように位置合わせをして、上記紫外線露光機にて紫外線（波長３６５ｎｍ）を７００ｍＪ／ｃｍ²照射し、次いで８０℃で５分間露光後加熱を行った。その後、支持フィルムであるＰＥＴフィルムを剥離し、現像液（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド＝８／２、質量比）を用いて、コア層３をエッチングし、コアパターン３０１とした。続いて、洗浄液（イソプロパノール）を用いて洗浄し、１００℃で１０分間加熱乾燥した（図１（ｆ）、図２参照）。
＜コアパターン３０１の位置の詳細説明＞
図１（ｆ）における距離ａ，ｂがそれぞれ５０μｍとなり、中央のコアパターン３０１が下部コアパターン２０１の幅Ｌ方向における中央となるように、３本のコアパターン３０１を形成した。

（３）第３の工程
次いで、保護フィルムを剥離した７９μｍ厚の上部クラッド層形成用樹脂フィルムをコアパターン３０１形成面側から上記の真空加圧式ラミネータ（株式会社名機製作所製、ＭＶＬＰ−５００）を用い、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１１０℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着して、ラミネートした。このとき、真空ラミネータの上部クラッド層形成用樹脂面側の熱板に厚さ２ｍｍのＳＵＳ板を取り付け、上部クラッド層形成用樹脂の積層と同時に平坦化を行った。
さらに、下部クラッドパターン２０１形成の際に使用したネガ型フォトマスクを使用して紫外線（波長３６５ｎｍ）を１５０ｍＪ／ｃｍ²照射後、支持フィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて上部クラッド層４をエッチングし、上部クラッドパターン４０１を形成した。続いて、水洗浄し、上部クラッドパターン４０１面側から、上記露光機を用いて紫外線（波長３６５ｎｍ）を４Ｊ／ｃｍ²照射し、その後、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化し、電気配線板１上の一部分に光導波路５が形成された光電気複合基板６を作製した（図１（ｈ）参照）。
表１に、使用した下部クラッド層形成用樹脂シート、コア層形成用樹脂シート、及び上部クラッド層形成用樹脂シートの厚さを示す。また、表１に、下部クラッドパターンの幅Ｌ、距離ａ、及び距離ｂの値を示す。

（４）評価
作製した光電気複合基板６を平坦面に静置し、平坦面から基板１の浮き（反り量）を測
定したところ０．１μｍであった。
３本のコアパターン３０１の厚さと、コアパターン３０１の上面に形成された上部クラッドパターン４０１の厚さとを測定した。また、３本のコアパターン３０１のうち最大厚さのものと最小厚さのものの厚み差△を算出し、この厚み差△が光素子との結合効率が大きく異なってしまう２０μｍ以上を×、１０μｍ〜２０μｍ以下を△、１０μｍ以下を○、５μｍ以下を◎と判定した。これらの値及び判定結果を表１に示す。また、３本のコアパターン３０１上に形成された上部クラッド層のうち最大厚さのものと最小厚さのものの厚み差△を算出し、この厚み差△が２０μｍ以上を×、１０μｍ〜２０μｍ以下を△、１０μｍ以下を○、５μｍ以下を◎と判定した。

実施例２〜６
各種フィルムの寸法、上記幅Ｌ、距離ａ、及び距離ｂを表１のとおりとしたこと以外は実施例１と同様にして光電気複合基板６を作製し、次いで実施例１と同様の評価を行った。その結果を表１に示す。

比較例１
比較例１では、第１の工程において、下部クラッド層２を形成した後、現像を行わなかった。すなわち比較例１では、下部クラッド層２そのものを下部クラッドパターン２０１とした。したがって比較例１では、基板１の表面の全体に下部クラッドパターン２０１が形成され、下部クラッドパターン２０１の上記幅Ｌは１００ｍｍである。
この点と、各種フィルムの寸法、距離ａ、及び距離ｂを表１のとおりとしたこと以外は実施例１と同様にして光電気複合基板を作製した。
得られた光電気複合基板は、電気配線パターン１０３が完全に下部クラッド層２に埋没していた。得られた光電気複合基板は、電気配線パターン１０３が完全に下部クラッド層２に埋没していた。 作製した光電気複合基板６を平坦面に静置し、平坦面から基板１の浮き（反り量）を測定したところ２０ｍｍであった。

以上詳細に説明したように、基板の一部分に位置合わせ精度よく光導波路を形成でき、かつ任意の厚みのコアパターンを形成できるとともに、基板の一部分に光導波路を形成するため、基板のそりの少ない光導波路を製造でき、該基板が電気配線板であれば、光導波路形成面と同一平面に電気配線パターンをむき出しにできるため、素子実装が容易に行える光導波路及び光電気複合基板を製造できる。
このため、基板の一部分に光導波路を有する光電気複合基板として極めて実用性が高い。

１ 基板（電気配線板）
１０１ 基板本体
１０２ 金属層
１０３ 電気配線パターン
２ 下部クラッド層
２０１ 下部クラッドパターン
３ コア層
３０１ コアパターン
４ 上部クラッド層
４０１ 上部クラッドパターン
５ 光導波路
６ 光電気複合基板

Claims (12)

1. 下部クラッドパターン及びコアパターンを有する光導波路を、基板の表面の一部に積層形成する光導波路の製造方法であって、
   前記基板の上面に下部クラッド層形成用樹脂を積層して下部クラッド層を形成した後、前記基板の表面の一部が露出するように前記下部クラッド層をパターン化して下部クラッドパターンとする第１の工程と、
   前記下部クラッドパターン上及び前記基板上にコア層形成用樹脂を加圧積層してコア層を形成した後、前記コア層をパターン化して前記下部クラッドパターン上のみに所望する厚みのコアパターンを形成する第２の工程と
   を順に有し、
   前記第２の工程において、前記加圧積層後に、前記コア層を、前記コア層の前記基板と反対面側から加圧して平坦化し、
   前記コア層形成用樹脂が、コア層形成用樹脂フィルムよりなり、前記コア層形成用樹脂フィルムの積層前の厚みが、前記コアパターンの厚みよりも厚い光導波路の製造方法。
2. 前記コア層形成用樹脂フィルムの積層前の厚みが、前記下部クラッドパターンの厚みと前記コアパターンの厚みの合計の厚み以下である請求項１に記載の光導波路の製造方法。
3. 前記加圧して平坦化する際には、前記コア層を、前記コア層の前記基板と反対面側から剛性のある板で加圧する請求項１又は２に記載の光導波路の製造方法。
4. 前記基板上の前記コア層の厚みと、前記基板上に形成した前記下部クラッドパターン及び前記下部クラッドパターン上の前記コア層との合計厚みの差が１５μｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
5. 前記下部クラッドパターンは直方体形状であり、前記コアパターンは前記下部クラッドパターンの１対の側面と平行に延在しており、
   前記下部クラッドパターンは、前記コアパターンの延在方向と直交方向の幅が４０ｍｍ以下であり、
   前記コアパターンは、前記下部クラッドパターンの表面のうち、前記下部クラッドパターンの１対の側面よりも前記幅方向に０．１μｍ以上内側に位置している請求項１〜４のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
6. 前記下部クラッドパターン上に形成された前記コアパターンが３本以上である請求項１〜５のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
7. 前記第１の工程において、前記下部クラッド層を除去した面積が、前記下部クラッドパターンの面積よりも大きい請求項１〜６のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
8. 前記第２の工程の後に、前記コアパターン、前記下部クラッドパターン及び前記基板の上面側から上部クラッド層形成用樹脂を積層して上部クラッド層を形成した後、前記基板の表面の一部が露出するように前記上部クラッド層をパターン化して、前記下部クラッドパターン上及び前記コアパターン上に上部クラッドパターンを形成する第３の工程を有する請求項１〜７のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
9. 前記上部クラッド層形成用樹脂が上部クラッド層形成用樹脂フィルムよりなり、前記上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚みが、前記下部クラッドパターンの厚みと該下部クラッドパターン上に形成したコアパターンの厚みの合計厚み以上であることを特徴とする請求項８に記載の光導波路の製造方法。
10. 前記第３の工程において、上部クラッド層形成用樹脂を積層した後に、該上部クラッド層形成用樹脂を平坦化して前記上部クラッド層を形成することにより、前記下部クラッドパターンと該下部クラッドパターン上に形成された前記コアパターンと該コアパターン上に形成された前記上部クラッド層の合計厚みと、前記基板上に形成された上部クラッド層の厚みとを一定にする請求項８又は９に記載の光導波路の製造方法。
11. 電気配線板と、前記電気配線板の表面の一部に形成された光導波路とを有する光電気複合基板の製造方法であって、
    前記基板として電気配線板を用い、この電気配線板の表面の一部に、請求項１〜１０のいずれかに記載の光導波路の製造方法によって光導波路を製造する光電気複合基板の製造方法。
12. 前記電気配線板が、前記光導波路を形成する側の面に電気配線パターンを有する請求項１１に記載の光電気複合基板の製造方法。
    

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