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JP5874501B2 - High frequency module - Google Patents
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JP5874501B2 - High frequency module - Google Patents

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Description

この発明は、複数の通信信号を共通のアンテナで送受信する高周波モジュールに関する。   The present invention relates to a high-frequency module that transmits and receives a plurality of communication signals using a common antenna.

通信端末における通信信号のマルチバンド化によって、複数の通信信号を、これら複数の通信信号に共通のアンテナで送受信する高周波モジュールが各種考案されている。   Various high-frequency modules that transmit and receive a plurality of communication signals with a common antenna to the plurality of communication signals have been devised by the multiband communication signal in the communication terminal.

例えば、特許文献1に記載の高周波モジュールは、第1送信信号と第1受信信号からなる第1通信信号と、第2送信信号と第2受信信号からなる第2通信信号とを共通のアンテナで送受信している。   For example, the high-frequency module described in Patent Document 1 uses a common antenna for a first communication signal composed of a first transmission signal and a first reception signal, and a second communication signal composed of a second transmission signal and a second reception signal. Sending and receiving.

特許文献1の高周波モジュールでは、アンテナ接続端子がスイッチICの共通端子に接続されている。スイッチICの第1切替端子は、受信側ダイプレクサに接続されている。スイッチICの第2切替端子は、送信側ダイプレクサに接続されている。   In the high frequency module of Patent Document 1, the antenna connection terminal is connected to the common terminal of the switch IC. The first switching terminal of the switch IC is connected to the receiving diplexer. The second switching terminal of the switch IC is connected to the transmission side diplexer.

受信側ダイプレクサには、第1受信端子と第2受信端子とが接続されている。受信側ダイプレクサは、スイッチICから入力された第1受信信号を第1受信端子に出力し、第2受信信号を第2受信信号に出力する。   A first reception terminal and a second reception terminal are connected to the reception-side diplexer. The reception-side diplexer outputs the first reception signal input from the switch IC to the first reception terminal, and outputs the second reception signal to the second reception signal.

送信側ダイプレクサには、第1送信端子と第2送信端子とが接続されている。送信側ダイプレクサは、第1送信端子から入力される第1送信信号をスイッチICに出力し、第2送信端子から入力される第2送信信号をスイッチICに出力する。   A first transmission terminal and a second transmission terminal are connected to the transmission-side diplexer. The transmission-side diplexer outputs a first transmission signal input from the first transmission terminal to the switch IC, and outputs a second transmission signal input from the second transmission terminal to the switch IC.

このような高周波モジュールは、内部導体パターンによりインダクタやキャパシタが形成された積層体を備え、当該積層体の天面に、内蔵されないスイッチIC等が実装された構造からなる。そして、送信側ダイプレクサや受信側ダイプレクサは、インダクタやキャパシタからなるので、その全部もしくは大部分が積層体の内部導体パターンによって形成されることが多く行われている。   Such a high-frequency module has a laminated body in which an inductor and a capacitor are formed by an internal conductor pattern, and has a structure in which a switch IC or the like that is not incorporated is mounted on the top surface of the laminated body. Since the transmission-side diplexer and the reception-side diplexer are composed of inductors and capacitors, the whole or most of the transmission-side diplexer and the reception-side diplexer are often formed by the internal conductor pattern of the multilayer body.

特開2003−318773号公報JP 2003-318773 A

しかしながら、通信端末の小型化に伴って、高周波モジュールも小型化されている。高周波モジュールが小型化されると、積層体内に形成される内部導体パターン間の距離も短くなる。したがって、内部導体パターンで形成されるインダクタ間の距離も短くなる。このため、例えば、送信側ダイプレクサ内において、第1送信信号が伝送するインダクタと、第2送信信号が伝送するインダクタとの間で不要な電磁界結合が生じてしまい、第1送信端子と第2送信端子との間のアイソレーションが劣化してしまうことがある。   However, with the miniaturization of communication terminals, high frequency modules are also miniaturized. When the high-frequency module is downsized, the distance between the internal conductor patterns formed in the multilayer body is also shortened. Therefore, the distance between the inductors formed by the internal conductor pattern is also shortened. For this reason, for example, in the transmission diplexer, unnecessary electromagnetic coupling occurs between the inductor that transmits the first transmission signal and the inductor that transmits the second transmission signal, and the first transmission terminal and the second transmission terminal Isolation with the transmission terminal may deteriorate.

このような現象は、受信側ダイプレクサや、送信信号と受信信号とを分波するデュプレクサでも生じる可能性があるが、送信信号は受信信号と比較してパワーが大きいため、第1送信端子と第2送信端子との間のアイソレーションが最も劣化し易い。   Such a phenomenon may also occur in a reception-side diplexer or a duplexer that demultiplexes a transmission signal and a reception signal. However, since the transmission signal has higher power than the reception signal, the first transmission terminal and the first transmission terminal Isolation between two transmission terminals is most likely to deteriorate.

本発明の目的は、共通のアンテナを用いて送受信を行うための各送信端子間のアイソレーションを向上させた高周波モジュールを提供することにある。   The objective of this invention is providing the high frequency module which improved the isolation between each transmission terminal for performing transmission / reception using a common antenna.

この発明は、第1送信信号と第2送信信号とをこれらに共通のアンテナで送信するための高周波モジュールにおいて、所定の導体パターンが形成された複数の絶縁体層が積層されてなる積層体を備え、該積層体に次の特徴を有する。   The present invention provides a high-frequency module for transmitting a first transmission signal and a second transmission signal using an antenna common to the first transmission signal and a laminated body in which a plurality of insulator layers each having a predetermined conductor pattern are laminated. The laminate has the following characteristics.

積層体は、共通のアンテナに接続する共通アンテナ端子と、第1送信信号が入力される第1送信端子と、第2送信信号が入力される第2送信端子と、第1送信端子と共通アンテナ端子との間に接続される第1フィルタ回路の少なくとも一部と、第2送信端子と共通アンテナ端子との間に接続される第2フィルタ回路の少なくとも一部とを備える。   The laminate includes a common antenna terminal connected to a common antenna, a first transmission terminal to which a first transmission signal is input, a second transmission terminal to which a second transmission signal is input, a first transmission terminal, and a common antenna. At least a part of a first filter circuit connected between the terminal and a second filter circuit connected between the second transmission terminal and the common antenna terminal.

積層体の内部には、第1内部導体パターン、第2内部導体パターン、第3内部導体パターンが形成されている。第1内部導体パターンは、第1フィルタ回路を構成し、該第1フィルタ回路における等価回路上で第1送信端子に最も近い第1インダクタを備える。第2内部導体パターンは、第2フィルタ回路を構成し、該第2フィルタ回路における等価回路上で第2送信端子に最も近い第2インダクタを備える。第3内部導体パターンは、第1内部導体パターンと第2内部導体パターンとの間に配置され、第1フィルタ回路および第2フィルタ回路を構成する回路素子とは異なる回路素子を構成する。   A first internal conductor pattern, a second internal conductor pattern, and a third internal conductor pattern are formed inside the multilayer body. The first inner conductor pattern constitutes a first filter circuit, and includes a first inductor closest to the first transmission terminal on an equivalent circuit in the first filter circuit. The second inner conductor pattern constitutes a second filter circuit and includes a second inductor closest to the second transmission terminal on the equivalent circuit in the second filter circuit. The third inner conductor pattern is disposed between the first inner conductor pattern and the second inner conductor pattern, and constitutes a circuit element different from the circuit elements constituting the first filter circuit and the second filter circuit.

この構成では、第1送信信号が伝送される第1インダクタと、第2送信信号が伝送される第2インダクタとの距離が長くなる。したがって、第1インダクタと第2インダクタとの間の電磁界結合が生じ難くなり、第1送信端子と第2送信端子との間のアイソレーションが向上する。   In this configuration, the distance between the first inductor that transmits the first transmission signal and the second inductor that transmits the second transmission signal is increased. Therefore, the electromagnetic coupling between the first inductor and the second inductor is difficult to occur, and the isolation between the first transmission terminal and the second transmission terminal is improved.

また、この発明の高周波モジュールでは、第1内部導体パターン、第2内部導体パターン、および、第3内部導体パターンは、積層体の主面から平面視したときに、互いに重ならないように配置されていることが好ましい。   In the high frequency module of the present invention, the first inner conductor pattern, the second inner conductor pattern, and the third inner conductor pattern are arranged so as not to overlap each other when viewed from the main surface of the multilayer body. Preferably it is.

この構成では、さらにアイソレーションを向上させることができる。   With this configuration, the isolation can be further improved.

また、この発明の高周波モジュールでは、第1フィルタ回路の共通アンテナ端子側の端部と、第2フィルタ回路の共通アンテナ端子側の端部とが接続され、第1フィルタ回路と第2フィルタ回路とを含む第1ダイプレクサを備えることが好ましい。   In the high frequency module of the present invention, the end of the first filter circuit on the common antenna terminal side and the end of the second filter circuit on the common antenna terminal side are connected, and the first filter circuit, the second filter circuit, It is preferable to provide the 1st diplexer containing.

この構成では、本発明の具体的な構成例を示している。通常、このように第1フィルタ回路と第2フィルタ回路とでダイプレクサ(第1ダイプレクサ)を構成する場合、第1フィルタ回路と第2フィルタ回路との間隔が狭くなりやすいが、本発明の構成を用いることで、第1フィルタ回路に接続する第1送信端子と、第2フィルタ回路に接続する第2送信端子との間のアイソレーションを向上させることができる。   This configuration shows a specific configuration example of the present invention. Usually, when a diplexer (first diplexer) is configured by the first filter circuit and the second filter circuit as described above, the interval between the first filter circuit and the second filter circuit tends to be narrowed. By using it, the isolation between the first transmission terminal connected to the first filter circuit and the second transmission terminal connected to the second filter circuit can be improved.

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。高周波モジュールは、第1送信信号と対をなす第1受信信号を出力する第1受信端子と、第2送信信号と対をなす第2受信信号を出力する第2受信端子と、第1受信端子と共通アンテナ端子との間に接続される第3フィルタ回路と、第2受信端子と共通アンテナ端子との間に接続される第4フィルタ回路と、を備える。第3フィルタ回路の少なくとも一部は積層体の内部に形成された第4内部導体パターンで形成されている。第4フィルタ回路の少なくとも一部は積層体の内部に形成された第5内部導体パターンで形成されている。第3内部導体パターンは第4内部導体パターンと第5内部導体パターンを備える。   Moreover, in the high frequency module of this invention, it is preferable that it is the following structure. The high-frequency module includes a first reception terminal that outputs a first reception signal that forms a pair with the first transmission signal, a second reception terminal that outputs a second reception signal that forms a pair with the second transmission signal, and a first reception terminal And a third filter circuit connected between the common antenna terminal and a fourth filter circuit connected between the second reception terminal and the common antenna terminal. At least a part of the third filter circuit is formed by a fourth internal conductor pattern formed inside the multilayer body. At least a part of the fourth filter circuit is formed of a fifth internal conductor pattern formed inside the multilayer body. The third inner conductor pattern includes a fourth inner conductor pattern and a fifth inner conductor pattern.

この構成では、第1インダクタと第2インダクタとの間に、複数のフィルタ回路を構成する内部導体パターンが配置されるので、第1送信端子と第2送信端子との間のアイソレーションをさらに向上させることができる。   In this configuration, since the internal conductor patterns constituting the plurality of filter circuits are arranged between the first inductor and the second inductor, the isolation between the first transmission terminal and the second transmission terminal is further improved. Can be made.

また、この発明の高周波モジュールでは、第4内部導体パターンは、第5内部導体パターンよりも第1内部導体パターン側に形成されていることが好ましい。   Moreover, in the high frequency module of this invention, it is preferable that the 4th internal conductor pattern is formed in the 1st internal conductor pattern side rather than the 5th internal conductor pattern.

第1内部導体パターンと伝送する第1送信信号と、第4内部導体パターンを伝送する第1受信信号は、1種類の通信信号を構成する対の信号であるので、基本周波数帯域および2倍波周波数帯域、3倍波周波数帯域が殆ど重ならない。一方、第5内部導体パターンを伝送する第2受信信号は、第1送信信号と異なる通信信号を構成するため、基本周波数帯域および2倍波周波数帯域、3倍波周波数帯域が重なる可能性がある。しかしながら、この構成を用いることで、周波数帯域が重なる可能性のある2種類の信号を伝送する内部導体パターンと距離を長くすることができ、これら信号を入出力する端子間でのアイソレーションを向上させることができる。   Since the first transmission signal transmitted with the first inner conductor pattern and the first reception signal transmitted with the fourth inner conductor pattern are a pair of signals constituting one type of communication signal, the fundamental frequency band and the second harmonic wave The frequency band and the third harmonic frequency band hardly overlap each other. On the other hand, since the second received signal that transmits the fifth inner conductor pattern constitutes a communication signal different from the first transmitted signal, the fundamental frequency band, the second harmonic frequency band, and the third harmonic frequency band may overlap. . However, by using this configuration, it is possible to increase the distance between the internal conductor pattern that transmits two types of signals that may overlap the frequency band and improve the isolation between the terminals that input and output these signals. Can be made.

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。高周波モジュールは、第2ダイプレクサ、スイッチ素子、を備える。第2ダイプレクサは、第3フィルタ回路の共通アンテナ端子側の端部と、第4フィルタ回路の共通アンテナ端子側の端部とが接続され、第3フィルタ回路と第4フィルタ回路とを含む。スイッチ素子は、第1ダイプレクサにおける第1フィルタ回路の共通アンテナ端子側の端部と第2フィルタ回路の前記共通アンテナ端子側の端部とが接続される第1接続点と、第2ダイプレクサにおける第3フィルタ回路の共通アンテナ端子側の端部と第4フィルタ回路の共通アンテナ端子側の端部とが接続される第2接続点と、を切り替えて、共通アンテナ端子に接続する。   Further, the high frequency module of the present invention may have the following configuration. The high frequency module includes a second diplexer and a switch element. The second diplexer is connected to the common antenna terminal side end of the third filter circuit and the common antenna terminal side end of the fourth filter circuit, and includes a third filter circuit and a fourth filter circuit. The switch element includes a first connection point where an end of the first filter circuit on the common antenna terminal side of the first filter circuit and an end of the second filter circuit on the side of the common antenna terminal are connected, and a second connection point in the second diplexer. The second connection point where the end of the third filter circuit on the common antenna terminal side and the end of the fourth filter circuit on the common antenna terminal side are connected is switched to connect to the common antenna terminal.

この構成では、共通のアンテナで、第1、第2送信信号を送信し、第1、第2受信信号を受信する高周波モジュールのより具体的な構成例を示している。   In this configuration, a more specific configuration example of the high-frequency module that transmits the first and second transmission signals and receives the first and second reception signals with a common antenna is shown.

また、この発明の高周波モジュールでは、第2送信信号の基本周波数は、第1送信信号の2倍波周波数または3倍波周波数であることが好ましい。   Moreover, in the high frequency module of this invention, it is preferable that the fundamental frequency of a 2nd transmission signal is a 2nd harmonic frequency or a 3rd harmonic frequency of a 1st transmission signal.

この構成では、第1送信信号の周波数と第2送信信号の周波数との具体的な関係例を示している。このような構成の場合、第2フィルタ回路の通過帯域と第1送信信号の2倍波周波数、3倍波周波数が重なり合ってしまい、第1送信信号の2倍波信号または3倍波信号が第2送信端子側に漏洩しやすい。したがって、少なくとも上述の構成のように、第1送信端子に近い第1インダクタと第2送信端子に近い第2インダクタとの間の電磁界結合を抑制できていれば、第1送信端子と第2送信端子との間のアイソレーションの向上効果が大きい。   This configuration shows a specific example of the relationship between the frequency of the first transmission signal and the frequency of the second transmission signal. In such a configuration, the pass band of the second filter circuit overlaps the second harmonic frequency and the third harmonic frequency of the first transmission signal, and the second harmonic signal or the third harmonic signal of the first transmission signal becomes the first harmonic signal. 2 Easy to leak to the transmission terminal side. Accordingly, as long as at least the electromagnetic coupling between the first inductor close to the first transmission terminal and the second inductor close to the second transmission terminal can be suppressed as described above, the first transmission terminal and the second transmission terminal The effect of improving the isolation with the transmission terminal is great.

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。積層体は、配列形成された複数の導電性ビアホールと内部グランド導体とを備える。導電性ビアホールは、積層体の積層方向に連続する形状からなり、第1フィルタ回路を構成する内部導体パターンが形成される第1の領域と第2フィルタ回路を構成する内部導体パターンが形成される第2の領域との間に形成されている。内部グランド導体は、所定の絶縁体層に形成され、外部のグランドに接続されている。配列形成された複数の導電性ビアホールは内部グランド導体に接続されている。   Moreover, in the high frequency module of this invention, it is preferable that it is the following structure. The multilayer body includes a plurality of conductive via holes and internal ground conductors arranged in an array. The conductive via hole has a shape that is continuous in the stacking direction of the multilayer body, and is formed with a first region in which the inner conductor pattern that forms the first filter circuit is formed and an inner conductor pattern that forms the second filter circuit. It is formed between the second region. The internal ground conductor is formed in a predetermined insulator layer and connected to the external ground. The plurality of arrayed conductive via holes are connected to the internal ground conductor.

この構成では、複数の導電性ビアホールにより、第1フィルタ回路を構成する内部導体パターンと、第2フィルタ回路を構成する内部導体パターンとの間の電磁界結合が抑制される。これにより、第1送信端子と第2送信端子との間のアイソレーションをさらに向上させることができる。   In this configuration, the electromagnetic coupling between the internal conductor pattern forming the first filter circuit and the internal conductor pattern forming the second filter circuit is suppressed by the plurality of conductive via holes. Thereby, the isolation between a 1st transmission terminal and a 2nd transmission terminal can further be improved.

この発明によれば、高周波モジュールの各送信端子、受信端子間のアイソレーションを向上させることができる。   According to this invention, the isolation between each transmission terminal and reception terminal of a high frequency module can be improved.

本発明の実施形態に係る高周波モジュール10の回路図である。1 is a circuit diagram of a high-frequency module 10 according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る高周波モジュール10の外観斜視図である。1 is an external perspective view of a high-frequency module 10 according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る高周波モジュール10の積層図である。It is a lamination figure of high frequency module 10 concerning the embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る高周波モジュール10と従来構成の高周波モジュールのアイソレーション特性図である。It is the isolation characteristic figure of the high frequency module 10 which concerns on embodiment of this invention, and the high frequency module of conventional structure.

この発明の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図1は、本実施形態の高周波モジュール10の等価回路図である。   A high-frequency module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the high-frequency module 10 of the present embodiment.

高周波モジュール10は、共通アンテナ端子P(ANT)、第1送信端子P(TxG)、第2送信端子P(TxA)、第1受信端子P(RxG)、および第2受信端子P(RxA)を備える。   The high-frequency module 10 includes a common antenna terminal P (ANT), a first transmission terminal P (TxG), a second transmission terminal P (TxA), a first reception terminal P (RxG), and a second reception terminal P (RxA). Prepare.

共通端子P(ANT)は、整合用のキャパシタC1を介して、スイッチ素子SWのスイッチ共通端子に接続されている。   The common terminal P (ANT) is connected to the switch common terminal of the switch element SW via the matching capacitor C1.

スイッチ素子SWは、スイッチ共通端子と、第1切替端子および第2切替端子とを備え、外部からの制御信号によって、スイッチ共通端子を第1切替端子または第2切替端子のいずれかに接続する。   The switch element SW includes a switch common terminal, a first switching terminal, and a second switching terminal, and connects the switch common terminal to either the first switching terminal or the second switching terminal by an external control signal.

スイッチ素子SWの第1切替端子は、キャパシタC2を介してダイプレクサDIPtに接続されている。スイッチ素子SWの第2切替端子は、キャパシタC3を介してダイプレクサDIPrに接続されている。ダイプレクサDIPtが本発明の「第1ダイプレクサ」に相当する。ダイプレクサDIPrが本発明の「第2ダイプレクサ」に相当する。   The first switching terminal of the switch element SW is connected to the diplexer DIPt via the capacitor C2. The second switching terminal of the switch element SW is connected to the diplexer DIPr via the capacitor C3. The diplexer DIPt corresponds to the “first diplexer” of the present invention. The diplexer DIPr corresponds to the “second diplexer” of the present invention.

ダイプレクサDIPtは、ローパスフィルタLPF1とバンドパスフィルタBPF1とを備える。ローパスフィルタLPF1が本発明の「第1フィルタ回路」に相当する。バンドパスフィルタBPF1が本発明の「第2フィルタ回路」に相当する。   The diplexer DIPt includes a low pass filter LPF1 and a band pass filter BPF1. The low-pass filter LPF1 corresponds to the “first filter circuit” of the present invention. The band pass filter BPF1 corresponds to the “second filter circuit” of the present invention.

ローパスフィルタLPF1は、一方端が第1送信端子P(TxG)に接続されており、他方端がキャパシタC2およびバンドパスフィルタBPF1に接続されている。バンドパスフィルタBPF1は、一方端が第2送信端子P(TxA)に接続されており、他方端がキャパシタC2およびローパスフィルタLPF1に接続されている。ローパスフィルタLPF1とバンドパスフィルタBPF1との接続点が本発明の「第1接続点」に相当する。   The low-pass filter LPF1 has one end connected to the first transmission terminal P (TxG) and the other end connected to the capacitor C2 and the band-pass filter BPF1. The band pass filter BPF1 has one end connected to the second transmission terminal P (TxA) and the other end connected to the capacitor C2 and the low-pass filter LPF1. A connection point between the low-pass filter LPF1 and the band-pass filter BPF1 corresponds to the “first connection point” of the present invention.

ローパスフィルタLPF1は、第1送信端子P(TxG)と第1接続点との間に直列接続されたインダクタL11,L13,L15を備える。この際、第1送信端子P(TxG)側から第1接続点に向かって、インダクタL15、インダクタL13、インダクタL11の順に接続されている。   The low-pass filter LPF1 includes inductors L11, L13, and L15 connected in series between the first transmission terminal P (TxG) and the first connection point. At this time, the inductor L15, the inductor L13, and the inductor L11 are connected in this order from the first transmission terminal P (TxG) side toward the first connection point.

インダクタL11とインダクタL13との接続点は、インダクタL12とキャパシタC11との直列回路を介してグランドに接続されている。インダクタL13とインダクタL15との接続点は、インダクタL14とキャパシタC12との直列回路を介してグランドに接続されている。インダクタL15の第1送信端子P(TxG)側は、インダクタL16とキャパシタC13との直列回路を介してグランドに接続されている。   A connection point between the inductor L11 and the inductor L13 is connected to the ground through a series circuit of the inductor L12 and the capacitor C11. A connection point between the inductor L13 and the inductor L15 is connected to the ground through a series circuit of the inductor L14 and the capacitor C12. The first transmission terminal P (TxG) side of the inductor L15 is connected to the ground through a series circuit of an inductor L16 and a capacitor C13.

ローパスフィルタLPF1における第1送信端子P(TxG)に最も近いインダクタL15,L16が本発明の「第1インダクタ」に相当する。   The inductors L15 and L16 closest to the first transmission terminal P (TxG) in the low-pass filter LPF1 correspond to the “first inductor” of the present invention.

ローパスフィルタLPF1は、これらインダクタL11,L12,L13,L14,L15,L16のインダクタンスと、キャパシタC11,C12,C13のキャパシタンスを適宜設定することで、第1送信端子P(TxG)から入力される第1送信信号の基本周波数帯域を通過させ、2倍波周波数帯域および3倍波周波数帯域で所定の減衰量が得られるローパスフィルタ(低域通過フィルタ)を構成する。   The low-pass filter LPF1 sets the inductances of the inductors L11, L12, L13, L14, L15, and L16 and the capacitances of the capacitors C11, C12, and C13 as appropriate, so that the first input from the first transmission terminal P (TxG). A low-pass filter (low-pass filter) that passes the fundamental frequency band of one transmission signal and obtains a predetermined amount of attenuation in the second harmonic frequency band and the third harmonic frequency band is configured.

バンドパスフィルタBPF1は、第2送信端子P(TxA)と第1接続点との間に直列接続されたインダクタL23、キャパシタC22,C21を備える。この際、第2送信端子P(TxA)側から第1接続点に向かって、インダクタL23、キャパシタC22、キャパシタC21の順に接続されている。   The band pass filter BPF1 includes an inductor L23 and capacitors C22 and C21 connected in series between the second transmission terminal P (TxA) and the first connection point. At this time, the inductor L23, the capacitor C22, and the capacitor C21 are connected in this order from the second transmission terminal P (TxA) side toward the first connection point.

キャパシタC22には、インダクタL22が並列接続されている。キャパシタC21とキャパシタC22の接続点は、インダクタL21、キャパシタC23の直列回路を介してグランドに接続されている。   An inductor L22 is connected in parallel to the capacitor C22. A connection point between the capacitor C21 and the capacitor C22 is connected to the ground via a series circuit of an inductor L21 and a capacitor C23.

バンドパスフィルタBPF1における第2送信端子P(TxA)に最も近いインダクタL23が本発明の「第2インダクタ」に相当する。   The inductor L23 closest to the second transmission terminal P (TxA) in the bandpass filter BPF1 corresponds to the “second inductor” of the present invention.

バンドパスフィルタBPF1は、これらインダクタL21,L22,L23のインダクタンスと、キャパシタC21,C22,C23のキャパシタンスを適宜設定することで、第2送信端子P(TxA)から入力される第2送信信号の基本周波数帯域を通過させ、2倍波周波数帯域および3倍波周波数帯域、第1送信信号の基本周波数帯域で所定の減衰量が得られるバンドパスフィルタ(帯域通過フィルタ)を構成する。   The band pass filter BPF1 appropriately sets the inductances of the inductors L21, L22, and L23 and the capacitances of the capacitors C21, C22, and C23, so that the basic of the second transmission signal input from the second transmission terminal P (TxA) is set. A band pass filter (band pass filter) that passes the frequency band and obtains a predetermined attenuation amount in the second frequency band, the third frequency band, and the fundamental frequency band of the first transmission signal is configured.

ダイプレクサDIPrは、ローパスフィルタLPF2とハイパスフィルタHPF1とを備える。ローパスフィルタLPF2が本発明の「第3フィルタ回路」に相当する。ハイパスフィルタHPF1が本発明の「第4フィルタ回路」に相当する。   The diplexer DIPr includes a low-pass filter LPF2 and a high-pass filter HPF1. The low-pass filter LPF2 corresponds to the “third filter circuit” of the present invention. The high pass filter HPF1 corresponds to the “fourth filter circuit” of the present invention.

ローパスフィルタLPF2は、一方端が第1受信端子P(RxG)に接続されており、他方端がキャパシタC3およびハイパスフィルタHPF1に接続されている。ハイパスフィルタHPF1は、一方端が第2受信端子P(RxA)に接続されており、他方端がキャパシタC3およびローパスフィルタLPF2に接続されている。ローパスフィルタLPF2とハイパスフィルタBPF1との接続点が本発明の「第2接続点」に相当する。   The low-pass filter LPF2 has one end connected to the first receiving terminal P (RxG) and the other end connected to the capacitor C3 and the high-pass filter HPF1. The high-pass filter HPF1 has one end connected to the second receiving terminal P (RxA) and the other end connected to the capacitor C3 and the low-pass filter LPF2. A connection point between the low-pass filter LPF2 and the high-pass filter BPF1 corresponds to the “second connection point” of the present invention.

ローパスフィルタLPF2は、第1受信端子P(RxG)と第2接続点との間に直列接続されたインダクタL31を備える。インダクタL31の第1受信端子(RxG)側は、インダクタL32、キャパシタC31の直列回路を介してグランドに接続されている。   The low-pass filter LPF2 includes an inductor L31 connected in series between the first reception terminal P (RxG) and the second connection point. The first receiving terminal (RxG) side of the inductor L31 is connected to the ground via a series circuit of an inductor L32 and a capacitor C31.

ローパスフィルタLPF2は、これらインダクタL31,L32のインダクタンスと、キャパシタC31のキャパシタンスを適宜設定することで、第1受信端子P(RxG)へ出力する第1受信信号の基本周波数帯域を通過させ、第2受信信号の基本周波数帯域に対して所定の減衰量が得られるローパスフィルタ(低域通過フィルタ)を構成する。   The low-pass filter LPF2 appropriately sets the inductances of the inductors L31 and L32 and the capacitance of the capacitor C31, thereby passing the fundamental frequency band of the first reception signal output to the first reception terminal P (RxG). A low-pass filter (low-pass filter) capable of obtaining a predetermined attenuation with respect to the fundamental frequency band of the received signal is configured.

ハイパスフィルタHPF1は、第2受信端子P(RxA)と第2接続点との間に直列接続されたキャパシタC41,C42を備える。キャパシタC41とキャパシタC42の接続点は、インダクタL41とキャパシタC43との直列回路を介してグランドに接続されている。   The high pass filter HPF1 includes capacitors C41 and C42 connected in series between the second reception terminal P (RxA) and the second connection point. A connection point between the capacitor C41 and the capacitor C42 is connected to the ground through a series circuit of the inductor L41 and the capacitor C43.

ハイパスフィルタHPF1は、これらインダクタL41のインダクタンスと、キャパシタC41,C42,C43のキャパシタンスを適宜設定することで、第2受信端子P(RxA)へ出力する第2受信信号の基本周波数帯域を通過通過させ、第1受信信号の基本周波数帯域に対して所定の減衰量が得られるハイパスフィルタ(高域通過フィルタ)を構成する。   The high-pass filter HPF1 allows the fundamental frequency band of the second reception signal to be output to the second reception terminal P (RxA) to pass through by appropriately setting the inductance of the inductor L41 and the capacitances of the capacitors C41, C42, and C43. A high-pass filter (high-pass filter) that provides a predetermined attenuation with respect to the fundamental frequency band of the first received signal is configured.

このような回路構成からなる高周波モジュール10は、次に示すような構造によって実現される。図2は本発明の実施形態に係る高周波モジュール10の外観斜視図である。図3は本発明の実施形態に係る高周波モジュール10の積層図である。なお、図3における各絶縁体層の小丸印は導電性ビアホールを示している。   The high frequency module 10 having such a circuit configuration is realized by the following structure. FIG. 2 is an external perspective view of the high-frequency module 10 according to the embodiment of the present invention. FIG. 3 is a stack diagram of the high-frequency module 10 according to the embodiment of the present invention. In addition, the small circle mark of each insulator layer in FIG. 3 has shown the conductive via hole.

図2に示すように、高周波モジュール10は、積層体100、および実装回路部品201,202,203,204を備える。   As shown in FIG. 2, the high-frequency module 10 includes a laminate 100 and mounted circuit components 201, 202, 203, and 204.

積層体100は、図3に示すような複数の絶縁体層101−119を積層してなる。この際、絶縁体層101が最下層となり、絶縁体層119が最上層となるように、積層されている。   The laminate 100 is formed by laminating a plurality of insulator layers 101-119 as shown in FIG. At this time, the layers are stacked so that the insulator layer 101 is the lowermost layer and the insulator layer 119 is the uppermost layer.

積層体100の最下層となる絶縁体層101の底面側には、高周波モジュール10を外部回路や外部グランドへ接続するための外部接続用ランド301,302が、所定の配置パターンで形成されている。   External connection lands 301 and 302 for connecting the high-frequency module 10 to an external circuit or an external ground are formed in a predetermined arrangement pattern on the bottom surface side of the insulating layer 101 which is the lowest layer of the multilayer body 100. .

絶縁体層102には、内部グランド導体401が形成されている。内部グランド導体401は、絶縁体層102の略全面に形成されている。   An internal ground conductor 401 is formed on the insulator layer 102. The internal ground conductor 401 is formed on substantially the entire surface of the insulator layer 102.

絶縁体層103には、絶縁体層103および積層体100を積層方向に沿って見て矩形状からなる平板導体501,502,503,504が形成されている。以下、積層体100を積層方向に沿って見て矩形状からなる導体を平板導体と称する。平板導体501,502,503,504は所定面積からなり、内部グランド導体401および絶縁体層104の内部グランド導体402と対向するように形成されている。   The insulator layer 103 is formed with flat conductors 501, 502, 503, and 504 having a rectangular shape when the insulator layer 103 and the laminate 100 are viewed along the lamination direction. Hereinafter, a rectangular conductor when the multilayer body 100 is viewed along the stacking direction is referred to as a flat conductor. The flat conductors 501, 502, 503, and 504 have a predetermined area, and are formed so as to face the internal ground conductor 401 and the internal ground conductor 402 of the insulator layer 104.

絶縁体層104には、内部グランド導体402が形成されている。内部グランド導体402は、絶縁体層104の略全面に形成されている。   An internal ground conductor 402 is formed on the insulator layer 104. The internal ground conductor 402 is formed on substantially the entire surface of the insulator layer 104.

絶縁体層105には、平板導体504,505,506,507,508が形成されている。平板導体504,505,506,507,508は、内部グランド導体402と対向するように形成されている。これら絶縁体層102−105の導体パターンの構成から、キャパシタC11,C12,C13,C23,C31,C43が形成されている。   In the insulator layer 105, flat conductors 504, 505, 506, 507, and 508 are formed. The flat conductors 504, 505, 506, 507 and 508 are formed to face the internal ground conductor 402. Capacitors C11, C12, C13, C23, C31, and C43 are formed from the configuration of the conductor pattern of these insulator layers 102-105.

絶縁体層106には、線状の導体パターン601,602が形成されている。   In the insulator layer 106, linear conductor patterns 601 and 602 are formed.

絶縁体層107には、線状の導体パターン601,602,603,604,607が形成されている。   On the insulator layer 107, linear conductor patterns 601, 602, 603, 604, and 607 are formed.

絶縁体層108には、線状の導体パターン601,603,604,607,611が形成されている。   On the insulator layer 108, linear conductor patterns 601, 603, 604, 607, 611 are formed.

絶縁体層109には、線状の導体パターン603,607,608,609,610,611,612が形成されている。   On the insulator layer 109, linear conductor patterns 603, 607, 608, 609, 610, 611, and 612 are formed.

絶縁体層110には、線状の導体パターン603,607,608,609,610,611,612が形成されている。   On the insulator layer 110, linear conductor patterns 603, 607, 608, 609, 610, 611, and 612 are formed.

絶縁体層111には、線状の導体パターン603,607,608,609,610,611,612が形成されている。   On the insulator layer 111, linear conductor patterns 603, 607, 608, 609, 610, 611, and 612 are formed.

絶縁体層112には、線状の導体パターン603,607,608,609,611,612が形成されている。   On the insulator layer 112, linear conductor patterns 603, 607, 608, 609, 611, and 612 are formed.

これら絶縁体層106−112に形成された導体パターンと導電性ビアホールとにより、高周波モジュール10を構成する全てのインダクタL11,L12,L13,L14,L15,L16,L21,L22,L23,L31,L32,L41が形成されている。   All of the inductors L11, L12, L13, L14, L15, L16, L21, L22, L23, L31, L32 constituting the high-frequency module 10 are formed by the conductive patterns and conductive via holes formed in these insulator layers 106-112. , L41 are formed.

絶縁体層113には、導電性ビアホールのみが形成されている。   In the insulator layer 113, only conductive via holes are formed.

絶縁体層114には、内部グランド導体403と、平板導体509,510が形成されている。   An inner ground conductor 403 and flat conductors 509 and 510 are formed on the insulator layer 114.

絶縁体層115には、平板導体511,512,513が形成されている。平板導体511は、絶縁体層114の平板導体509に対向するように形成されている。平板導体512は、絶縁体層114の内部グランド導体403に対向するように形成されている。   Flat conductors 511, 512 and 513 are formed on the insulator layer 115. The flat conductor 511 is formed to face the flat conductor 509 of the insulator layer 114. The flat conductor 512 is formed to face the internal ground conductor 403 of the insulator layer 114.

絶縁体層116には、内部グランド導体404と、平板導体514,515が形成されている。内部グランド導体404は、絶縁体層115の平板導体512と対向するように形成されている。平板導体514は、絶縁体層115の平板導体511と対向するように形成されている。平板導体515は、絶縁体層115の平板導体513と対向するように形成されている。   In the insulator layer 116, an internal ground conductor 404 and flat conductors 514 and 515 are formed. The internal ground conductor 404 is formed to face the flat conductor 512 of the insulator layer 115. The flat conductor 514 is formed to face the flat conductor 511 of the insulator layer 115. The flat conductor 515 is formed to face the flat conductor 513 of the insulator layer 115.

絶縁体層117には、平板導体516が形成されている。平板導体516は、絶縁体層114の平板導体509と対向するように形成されている。   A flat conductor 516 is formed on the insulator layer 117. The flat conductor 516 is formed to face the flat conductor 509 of the insulator layer 114.

これら絶縁体層114−117の導体パターンの構成から、キャパシタC21,C22,C41,C42が形成されている。   Capacitors C21, C22, C41, and C42 are formed from the configuration of the conductor pattern of these insulator layers 114-117.

絶縁体層118には、接続導体700が形成されている。絶縁体層119の天面(積層体100の天面)には、実装用ランド800が所定のパターンで形成されている。接続導体700は、絶縁体層119の天面に形成された実装用ランドに実装されたスイッチ素子や他の回路部品と上述のインダクタやキャパシタとを、図1に示した回路パターンで接続するように形成されている。実装用ランド800には、実装回路部品201,202,203,204が実装されている。   A connection conductor 700 is formed on the insulator layer 118. A mounting land 800 is formed in a predetermined pattern on the top surface of the insulator layer 119 (the top surface of the multilayer body 100). The connection conductor 700 connects the switching element or other circuit component mounted on the mounting land formed on the top surface of the insulator layer 119 and the above-described inductor or capacitor with the circuit pattern shown in FIG. Is formed. Mounting circuit components 201, 202, 203, and 204 are mounted on the mounting land 800.

実装回路部品201はスイッチ素子SWを形成するスイッチICであり、実装回路部品202,203,204は、それぞれキャパシタC1,C2,C3を形成する実装型コンデンサである。   The mounted circuit component 201 is a switch IC that forms a switch element SW, and the mounted circuit components 202, 203, and 204 are mounted capacitors that form capacitors C1, C2, and C3, respectively.

より具体的には、各インダクタは次のように形成されている。   More specifically, each inductor is formed as follows.

インダクタL11は、絶縁体層109から絶縁体層112に形成された導体パターン609と、各層の導体パターン609を順次繋ぐように接続する導電性ビアホールとによって形成されている。   The inductor L11 is formed by a conductor pattern 609 formed from the insulator layer 109 to the insulator layer 112 and conductive via holes that connect the conductor patterns 609 of the respective layers in order.

インダクタL12は、絶縁体層107と絶縁体層108に形成された導体パターン604と、各層の導体パターン604を順次繋ぐように接続する導電性ビアホールとによって形成されている。   The inductor L12 is formed by the insulator layer 107, the conductor pattern 604 formed in the insulator layer 108, and conductive via holes that connect the conductor patterns 604 of the respective layers in order.

インダクタL13は、絶縁体層109から絶縁体層112に形成された導体パターン608と、各層の導体パターン608を順次繋ぐように接続する導電性ビアホールとによって形成されている。   The inductor L13 is formed by a conductor pattern 608 formed from the insulator layer 109 to the insulator layer 112 and conductive via holes that connect the conductor patterns 608 of the respective layers in order.

インダクタL14は、絶縁体層106から絶縁体層108まで形成された導体パターン601と、各層の導体パターン601を順次繋ぐように接続する導電性ビアホールとによって形成されている。   The inductor L14 is formed by a conductor pattern 601 formed from the insulator layer 106 to the insulator layer 108 and conductive via holes that connect the conductor patterns 601 of the respective layers in order.

インダクタL15は、絶縁体層109から絶縁体層112に形成された導体パターン603と、各層の導体パターン603を順次繋ぐように接続する導電性ビアホールとによって形成されている。   The inductor L15 is formed by a conductor pattern 603 formed from the insulator layer 109 to the insulator layer 112 and conductive via holes that connect the conductor patterns 603 of the respective layers in order.

インダクタL16は、絶縁体層107から絶縁体層109に形成された導体パターン603と、各層の導体パターン603を順次繋ぐように接続する導電性ビアホールとによって形成されている。このインダクタL15,L16を形成する導体パターン603が本発明の「第1内部導体パターン」に相当する。   The inductor L16 is formed by a conductor pattern 603 formed from the insulator layer 107 to the insulator layer 109 and conductive via holes that connect the conductor patterns 603 of the respective layers in order. The conductor pattern 603 forming the inductors L15 and L16 corresponds to the “first inner conductor pattern” of the present invention.

インダクタL21は、絶縁体層109から絶縁体層111に形成された導体パターン610と、各層の導体パターン610を順次繋ぐように接続する導電性ビアホールとによって形成されている。   The inductor L21 is formed by a conductor pattern 610 formed from the insulator layer 109 to the insulator layer 111 and conductive via holes that connect the conductor patterns 610 of each layer in order.

インダクタL22は、絶縁体層109から絶縁体層112に形成された導体パターン607と、各層の導体パターン607を順次繋ぐように接続する導電性ビアホールとによって形成されている。   The inductor L22 is formed by a conductor pattern 607 formed from the insulator layer 109 to the insulator layer 112 and conductive via holes that connect the conductor patterns 607 of the respective layers in order.

インダクタL23は、絶縁体層107から絶縁体層109に形成された導体パターン607と、各層の導体パターン607を順次繋ぐように接続する導電性ビアホールとによって形成されている。このインダクタL23を形成する導体パターン607が本発明の「第2内部導体パターン」に相当する。   The inductor L23 is formed by a conductor pattern 607 formed from the insulator layer 107 to the insulator layer 109 and conductive via holes that connect the conductor patterns 607 of the respective layers in order. The conductor pattern 607 forming the inductor L23 corresponds to the “second inner conductor pattern” of the present invention.

インダクタL31は、絶縁体層109から絶縁体層112に形成された導体パターン612と、各層の導体パターン612を順次繋ぐように接続する導電性ビアホールとによって形成されている。   The inductor L31 is formed by a conductor pattern 612 formed from the insulator layer 109 to the insulator layer 112 and conductive via holes that connect the conductor patterns 612 of the respective layers in order.

インダクタL32は、絶縁体層106と絶縁体層107とに形成された導体パターン602と、各層の導体パターン602を順次繋ぐように接続する導電性ビアホールとによって形成されている。このインダクタL31,L32を形成する導体パターン602,612が本発明の「第4内部導体パターン(第3内部導体パターン)」に相当する。   The inductor L32 is formed by a conductor pattern 602 formed in the insulator layer 106 and the insulator layer 107, and conductive via holes that connect the conductor patterns 602 of the respective layers in order. The conductor patterns 602 and 612 forming the inductors L31 and L32 correspond to the “fourth inner conductor pattern (third inner conductor pattern)” of the present invention.

インダクタL41は、絶縁体層108から絶縁体層112に形成された導体パターン611と、各層の導体パターン611を順次繋ぐように接続する導電性ビアホールとによって形成されている。このインダクタL41を形成する導体パターン611が本発明の「第5内部導体パターン(第3内部導体パターン)」に相当する。   The inductor L41 is formed by a conductor pattern 611 formed from the insulator layer 108 to the insulator layer 112 and conductive via holes that connect the conductor patterns 611 of the respective layers in order. The conductor pattern 611 forming the inductor L41 corresponds to the “fifth inner conductor pattern (third inner conductor pattern)” of the present invention.

このような構成により、インダクタL11,L12,L13,L14,L15,L16,L21,L22,L23,L31,L32,L41は、積層方向に沿った軸を有し、螺旋状に形成された形状のインダクタとなる。   With such a configuration, the inductors L11, L12, L13, L14, L15, L16, L21, L22, L23, L31, L32, and L41 have an axis along the stacking direction and have a spiral shape. It becomes an inductor.

インダクタL11,L12,L13,L14,L15,L16が形成される領域(ローパスフィルタLPF1のインダクタの形成領域)と、インダクタL21,L22,L23が形成される領域(バンドパスフィルタBPF1のインダクタ形成領域)とは、積層体100を平面視して(積層体100を積層方向に沿って見て)、重ならず、異なる位置となるように配置されている。   Regions where the inductors L11, L12, L13, L14, L15, and L16 are formed (regions where the low pass filter LPF1 is formed) and regions where the inductors L21, L22, and L23 are formed (regions where the band pass filter BPF1 is formed) Means that the stacked body 100 is arranged in a different position without overlapping when viewed from the top (viewing the stacked body 100 along the stacking direction).

そして、ローパスフィルタLPF1のインダクタL15,L16が形成される領域を、積層体100の一方側面の近傍にし、バンドパスフィルタBPF1のインダクタL23が形成される領域を、積層体100の他方側面(一方側面と反対側の側面)の近傍にする。このような配置構成は、インダクタL15,L16,L23の導体パターンが形成される全ての絶縁体層に亘って実現されている。このような構成とすることで、インダクタL15,L16の導体パターンとインダクタL23の導体パターンとの距離が長くなるので、インダクタL15,L16とインダクタL23との間の電磁界結合を抑制することができる。これにより、等価回路上でインダクタL15,L16に近接する第1送信端子P(TxG)と、等価回路上でインダクタL23に近接する第2送信端子P(TxA)との間のアイソレーションを向上させることができる。   The region where the inductors L15 and L16 of the low-pass filter LPF1 are formed is in the vicinity of one side surface of the multilayer body 100, and the region where the inductor L23 of the bandpass filter BPF1 is formed is the other side surface (one side surface) of the multilayer body 100. Near the opposite side). Such an arrangement is realized over all the insulator layers on which the conductor patterns of the inductors L15, L16, and L23 are formed. By adopting such a configuration, the distance between the conductor pattern of the inductors L15 and L16 and the conductor pattern of the inductor L23 is increased, so that electromagnetic field coupling between the inductors L15 and L16 and the inductor L23 can be suppressed. . Thereby, the isolation between the first transmission terminal P (TxG) close to the inductors L15 and L16 on the equivalent circuit and the second transmission terminal P (TxA) close to the inductor L23 on the equivalent circuit is improved. be able to.

さらに、ローパスフィルタLPF1のインダクタL15,L16が形成される領域と、バンドパスフィルタBPF1のインダクタL23が形成される領域との間には、積層体100を平面視して、インダクタL31,L32が形成される領域(ローパスフィルタLPF2のインダクタ形成領域)と、インダクタL41(ハイパスフィルタHPF1のインダクタ形成領域)とが配置されている。このような配置構成も、インダクタL15,L16,L23の導体パターンが形成される全ての絶縁体層に亘って実現されている。この構成により、インダクタL15,L16の導体パターンと、インダクタL23の導体パターンとの間に、他の回路素子の導体パターンが介在し、インダクタL15,L16とインダクタL23との間の電磁界結合をさらに抑制することができる。これにより、等価回路上でインダクタL15,L16に近接する第1送信端子P(TxG)と、等価回路上でインダクタL23に近接する第2送信端子P(TxA)との間のアイソレーションをさらに向上させることができる。   Furthermore, between the region where the inductors L15 and L16 of the low-pass filter LPF1 are formed and the region where the inductor L23 of the bandpass filter BPF1 is formed, the inductors L31 and L32 are formed in a plan view of the multilayer body 100. Region (inductor forming region of the low-pass filter LPF2) and the inductor L41 (inductor forming region of the high-pass filter HPF1) are arranged. Such an arrangement is also realized over all the insulating layers where the conductor patterns of the inductors L15, L16, and L23 are formed. With this configuration, the conductor pattern of the other circuit element is interposed between the conductor pattern of the inductors L15 and L16 and the conductor pattern of the inductor L23, and the electromagnetic coupling between the inductors L15 and L16 and the inductor L23 is further increased. Can be suppressed. This further improves the isolation between the first transmission terminal P (TxG) close to the inductors L15 and L16 on the equivalent circuit and the second transmission terminal P (TxA) close to the inductor L23 on the equivalent circuit. Can be made.

また、さらに、図3に示すように、ローパスフィルタLPF1のインダクタの形成領域と、バンドパスフィルタBPF1のインダクタの形成領域と、ローパスフィルタLPF2およびハイパスフィルタHPF1のインダクタの形成領域との間には、内部グランド導体402に導通する導電性ビアホールVHGが複数配列形成されている。なお、図3では、図を見やすくするために、代表の導電性ビアホールにのみ「VHG」の記号を付しているが、積層図の導電性ビアホールの配置から、この構成は明らかである。   Further, as shown in FIG. 3, between the inductor formation region of the low-pass filter LPF1, the inductor formation region of the bandpass filter BPF1, and the inductor formation region of the low-pass filter LPF2 and the high-pass filter HPF1, A plurality of conductive via holes VHG that are electrically connected to the internal ground conductor 402 are formed. In FIG. 3, the symbol “VHG” is attached only to the representative conductive via hole for easy understanding of the drawing, but this configuration is clear from the arrangement of the conductive via hole in the laminated diagram.

このように、各フィルタのインダクタ形成領域間に複数の導電性ビアホールVHGを配列形成することで、各領域内の導体パターン間の電磁界結合を抑制できる。これにより、ローパスフィルタLPF1のインダクタの形成領域と、バンドパスフィルタBPF1のインダクタの形成領域と間の電磁界結合を抑制できる。したがって、等価回路上でインダクタL15,L16に近接する第1送信端子P(TxG)と、等価回路上でインダクタL23に近接する第2送信端子P(TxA)との間のアイソレーションを、さらに向上させることができる。   Thus, by forming a plurality of conductive via holes VHG between the inductor formation regions of each filter, it is possible to suppress electromagnetic field coupling between conductor patterns in each region. Thereby, the electromagnetic coupling between the inductor formation region of the low-pass filter LPF1 and the inductor formation region of the bandpass filter BPF1 can be suppressed. Therefore, the isolation between the first transmission terminal P (TxG) close to the inductors L15 and L16 on the equivalent circuit and the second transmission terminal P (TxA) close to the inductor L23 on the equivalent circuit is further improved. Can be made.

なお、図3に示すように、ローパスフィルタLPF1のインダクタの形成領域と、バンドパスフィルタBPF1のインダクタの形成領域とが近接する箇所も存在することがある。この場合、図3に示すように、等価回路上でローパスフィルタLPF1における第1接続点に最も近いインダクタL11と、等価回路上でバンドパスフィルタBPF1における第1接続点に最も近いインダクタL21とが、他のインダクタよりも近くなるように配置するとよい。これにより、たとえこれらのインダクタが電磁界結合して送信信号が漏洩しても、ローパスフィルタLPF1やバンドパスフィルタBPF1で減衰されるので、第1送信端子P(TxG)と第2送信端子P(TxA)との間のアイソレーションを所定レベル以上で確保することができる。   As shown in FIG. 3, there may be a portion where the inductor formation region of the low-pass filter LPF1 and the inductor formation region of the bandpass filter BPF1 are close to each other. In this case, as shown in FIG. 3, an inductor L11 closest to the first connection point in the low-pass filter LPF1 on the equivalent circuit and an inductor L21 closest to the first connection point in the bandpass filter BPF1 on the equivalent circuit are It may be arranged so as to be closer than other inductors. As a result, even if these inductors are electromagnetically coupled and the transmission signal leaks, it is attenuated by the low-pass filter LPF1 and the band-pass filter BPF1, so the first transmission terminal P (TxG) and the second transmission terminal P ( Isolation with TxA) can be ensured at a predetermined level or higher.

図4は、本発明の実施形態に係る高周波モジュール10と従来構成の高周波モジュールのアイソレーション特性図である。図4は、第1送信端子P(TxG)から第2送信端子P(TxA)への信号の通過特性を示している。また、図4では、第1送信信号の2倍波周波数帯域が第2送信信号の基本周波数帯域と重なることを想定して各回路素子値を設定した場合のシミュレーション結果である。図4に示すように、本実施形態の高周波モジュール10の構成を用いることで、第1送信信号の2倍波周波数帯域であり、第2送信信号の基本周波数帯域である5.0GHz付近の減衰量が増加し、当該帯域での第1送信端子P(TxG)と第2送信端子P(TxA)との間のアイソレーションが向上していることが分かる。   FIG. 4 is an isolation characteristic diagram of the high-frequency module 10 according to the embodiment of the present invention and a conventional high-frequency module. FIG. 4 shows the pass characteristic of a signal from the first transmission terminal P (TxG) to the second transmission terminal P (TxA). FIG. 4 is a simulation result when each circuit element value is set on the assumption that the second harmonic frequency band of the first transmission signal overlaps the fundamental frequency band of the second transmission signal. As shown in FIG. 4, by using the configuration of the high frequency module 10 of the present embodiment, the second transmission frequency band of the first transmission signal is attenuated near 5.0 GHz, which is the fundamental frequency band of the second transmission signal. It can be seen that the amount increases and the isolation between the first transmission terminal P (TxG) and the second transmission terminal P (TxA) in the band is improved.

また、さらに、図3に示すように、ローパスフィルタLPF2のインダクタを形成する導体パターンは、ローパスフィルタLPF1のインダクタを形成する導体パターンに近く、バンドパスフィルタBPF1のインダクタを形成する導体パターンから遠く配置する。ハイパスフィルタHPF1のインダクタを形成する導体パターンは、バンドパスフィルタBPF1のインダクタを形成する導体パターンに近く、ローパスフィルタLPF1のインダクタを形成する導体パターンから遠く配置する。すなわち、積層体100を平面視して、ローパスフィルタLPF1のインダクタを形成する導体パターン、ローパスフィルタLPF2のインダクタを形成する導体パターン、ハイパスフィルタHPF1のインダクタを形成する導体パターン、バンドパスフィルタBPF1のインダクタを形成する導体パターンの順に並ぶように形成する。   Further, as shown in FIG. 3, the conductor pattern forming the inductor of the low-pass filter LPF2 is close to the conductor pattern forming the inductor of the low-pass filter LPF1, and is arranged far from the conductor pattern forming the inductor of the band-pass filter BPF1. To do. The conductor pattern forming the inductor of the high-pass filter HPF1 is arranged close to the conductor pattern forming the inductor of the band-pass filter BPF1, and far from the conductor pattern forming the inductor of the low-pass filter LPF1. That is, when the laminate 100 is viewed in plan, a conductor pattern that forms an inductor of the low-pass filter LPF1, a conductor pattern that forms an inductor of the low-pass filter LPF2, a conductor pattern that forms an inductor of the high-pass filter HPF1, and an inductor of the band-pass filter BPF1 The conductor patterns are formed so as to be arranged in the order of the conductor patterns.

ここで、第1送信信号と第1受信信号とは、第1通信信号を構成する対となるように設定されている。また、第2送信信号と第2受信信号とは、第2通信信号を構成する対となるように設定されている。この場合、第1送信信号の基本周波数帯域と第1受信信号の基本周波数帯域とは、殆ど重ならない。同様に、第2送信信号の基本周波数帯域と第2受信信号の基本周波数帯域とは、殆ど重ならない。一方で、第1送信信号の基本周波数帯域と第2受信信号の基本周波数帯域とは重なる可能性があり、第2送信信号の基本周波数帯域と第1受信信号の基本周波数帯域とは重なる可能性がある。   Here, the first transmission signal and the first reception signal are set to be a pair constituting the first communication signal. Further, the second transmission signal and the second reception signal are set so as to form a pair constituting the second communication signal. In this case, the fundamental frequency band of the first transmission signal and the fundamental frequency band of the first reception signal hardly overlap each other. Similarly, the fundamental frequency band of the second transmission signal and the fundamental frequency band of the second reception signal hardly overlap each other. On the other hand, the fundamental frequency band of the first transmission signal and the fundamental frequency band of the second reception signal may overlap, and the fundamental frequency band of the second transmission signal and the fundamental frequency band of the first reception signal may overlap. There is.

したがって、このような通信仕様であって、ローパスフィルタLPF1のインダクタがローパスフィルタLPF2のインダクタに近接して、ハイパスフィルタHPF1のインダクタから離間し、バンドパスフィルタBPF1のインダクタがハイパスフィルタHPF1のインダクタに近接して、ローパスフィルタLPF2のインダクタから離間することで、周波数帯域が重なる可能性のある2種類の信号を伝送するインダクタの導体パターン間の距離を長くすることができ、これら信号を入出力する端子間でのアイソレーションを向上させることができる。   Therefore, in this communication specification, the inductor of the low-pass filter LPF1 is close to the inductor of the low-pass filter LPF2, is separated from the inductor of the high-pass filter HPF1, and the inductor of the band-pass filter BPF1 is close to the inductor of the high-pass filter HPF1. By separating from the inductor of the low-pass filter LPF2, the distance between the conductor patterns of the inductor that transmits two types of signals that may overlap the frequency bands can be increased, and terminals for inputting and outputting these signals Isolation between the two can be improved.

なお、上述の実施形態の構成は、第1送信信号の2倍波周波数帯域もしくは3倍波周波数帯域(例えば第1送信信号の基本周波数帯域:約2.4GHzから約2.5GHz)と第2送信信号の基本周波数帯域(例えば約4.9GHzから約5.0GHz)とが重なる場合に、有効であるが、このような場合に限るものではない。第1送信信号の2倍波周波数帯域もしくは3倍波周波数帯域と第2送信信号の基本周波数帯域とが重なる場合、バンドパスフィルタBPF1の通過帯域と第1送信信号の2倍波周波数、3倍波周波数が重なり合ってしまい、第1送信信号の2倍波信号または3倍波信号が第2送信端子側に漏洩しやすい。したがって、第1送信端子に近い第1インダクタと第2送信端子に近い第2インダクタとの間の電磁界結合を抑制できていれば、第1送信端子P(TxG)と第2送信端子P(TxA)との間のアイソレーションの向上効果が大きくなる。   In the configuration of the above-described embodiment, the second transmission frequency band or the third harmonic frequency band of the first transmission signal (for example, the fundamental frequency band of the first transmission signal: about 2.4 GHz to about 2.5 GHz) and the second This is effective when the fundamental frequency band (for example, about 4.9 GHz to about 5.0 GHz) of the transmission signal overlaps, but is not limited to such a case. When the second or third harmonic frequency band of the first transmission signal and the fundamental frequency band of the second transmission signal overlap, the passband of the bandpass filter BPF1 and the second harmonic frequency or third of the first transmission signal Wave frequencies overlap, and the second or third harmonic signal of the first transmission signal is likely to leak to the second transmission terminal side. Therefore, if the electromagnetic coupling between the first inductor close to the first transmission terminal and the second inductor close to the second transmission terminal can be suppressed, the first transmission terminal P (TxG) and the second transmission terminal P ( The effect of improving the isolation with TxA) is increased.

また、上述の実施形態では、第1送信端子P(TxG)が接続されるローパスフィルタLPF1と、第2送信端子P(TxA)が接続されるバンドパスフィルタBPF1とで、ダイプレクサDIPtを構成する例を示したが、第1送信端子P(TxG)が接続されるローパスフィルタLPF1と、第2送信端子P(TxA)が接続されるバンドパスフィルタBPF1とが異なる送受切替用のデュプレクサをそれぞれ構成するような場合にも、上述の導体パターンの構成を適用することができる。   In the above-described embodiment, an example in which the diplexer DIPt is configured by the low-pass filter LPF1 to which the first transmission terminal P (TxG) is connected and the band-pass filter BPF1 to which the second transmission terminal P (TxA) is connected. However, the low-pass filter LPF1 to which the first transmission terminal P (TxG) is connected and the band-pass filter BPF1 to which the second transmission terminal P (TxA) is connected constitute different duplexers for transmission / reception switching, respectively. Even in such a case, the above-described configuration of the conductor pattern can be applied.

10:高周波モジュール、
100:積層体、
101,102,103,104,105,106,107,108,109,110,111,112,113,114,115,116,117,118,119:絶縁体層、
201,202,203,204:実装回路部品、
301,302:外部接続用ランド、
401,402,403,404:内部グランド導体、
501,502,503,504,505,506,507,508,509,510,511,512,513,514,515,516:平板導体、
601,602,603,604,607,608,609,610,611,612:導体パターン、
700:接続導体、
800:実装用ランド、
BPF1:バンドパスフィルタ、LPF1,LPF2:ローパスフィルタ、HPF1:ハイパスフィルタ、DIPt、DIPr:ダイプレクサ、
L11,L12,L13,L14,L15,L16,L21,L22,L23,L31,L32,L41:インダクタ、
C1,C2,C11,C12,C13,C21,C22,C23,C31,C41,C42,C43:キャパシタ、
SW:スイッチ素子、
VHG:導電性ビアホール、
P(ANT):共通アンテナ端子、P(TxG):第1送信端子、P(TxA):第2送信端子、P(RxG):第1受信端子、P(RxA):第2受信端子
10: high frequency module,
100: laminate,
101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119: insulator layer,
201, 202, 203, 204: mounted circuit components,
301, 302: Land for external connection,
401, 402, 403, 404: internal ground conductor,
501, 502, 503, 504, 505, 506, 507, 508, 509, 510, 511, 512, 513, 514, 515, 516: flat plate conductors,
601, 602, 603, 604, 607, 608, 609, 610, 611, 612: conductor pattern,
700: connecting conductor,
800: mounting land,
BPF1: band pass filter, LPF1, LPF2: low pass filter, HPF1: high pass filter, DIPt, DIPr: diplexer,
L11, L12, L13, L14, L15, L16, L21, L22, L23, L31, L32, L41: inductors,
C1, C2, C11, C12, C13, C21, C22, C23, C31, C41, C42, C43: capacitors,
SW: Switch element,
VHG: Conductive via hole,
P (ANT): common antenna terminal, P (TxG): first transmission terminal, P (TxA): second transmission terminal, P (RxG): first reception terminal, P (RxA): second reception terminal

Claims (7)

所定の導体パターンが形成された複数の絶縁体層が積層されてなる積層体を備え、第1送信信号と第2送信信号とをこれらに共通のアンテナで送信するための高周波モジュールであって、
前記積層体は、
前記共通のアンテナに接続する共通アンテナ端子と
前記第1送信信号が入力される第1送信端子と
前記第2送信信号が入力される第2送信端子と
前記第1送信信号と対をなす第1受信信号を出力する第1受信端子と、
前記第2送信信号と対をなす第2受信信号を出力する第2受信端子と、
を備え、
前記積層体の内部には、
前記第1送信端子と前記共通アンテナ端子との間に接続される第1フィルタ回路の少なくとも一部を構成し、該第1フィルタ回路における等価回路上で前記第1送信端子に最も近い第1インダクタを形成する第1内部導体パターンと、
前記第2送信端子と前記共通アンテナ端子との間に接続される第2フィルタ回路の少なくとも一部を構成し、該第2フィルタ回路における等価回路上で前記第2送信端子に最も近い第2インダクタを形成する第2内部導体パターンと、
前記第1受信端子と前記共通アンテナ端子との間に接続される第3フィルタ回路の少なくとも一部を構成し、前記第1内部導体パターンと前記第2内部導体パターンとの間に配置される第4内部導体パターンと、
前記第2受信端子と前記共通アンテナ端子との間に接続される第4フィルタ回路の少なくとも一部を構成し、前記第1内部導体パターンと前記第2内部導体パターンとの間に配置される第5内部導体パターンと、
が形成される、高周波モジュール。
A high-frequency module comprising a laminated body in which a plurality of insulator layers on which a predetermined conductor pattern is formed is laminated, and for transmitting a first transmission signal and a second transmission signal with an antenna common to them,
The laminate is
A common antenna terminal connected to the common antenna ;
A first transmission terminal to which the first transmission signal is input ;
A second transmission terminal to which the second transmission signal is input ;
A first reception terminal that outputs a first reception signal that is paired with the first transmission signal;
A second reception terminal that outputs a second reception signal that is paired with the second transmission signal;
With
Inside the laminate,
A first inductor that constitutes at least a part of a first filter circuit connected between the first transmission terminal and the common antenna terminal and is closest to the first transmission terminal on an equivalent circuit in the first filter circuit A first inner conductor pattern forming
A second inductor that forms at least a part of a second filter circuit connected between the second transmission terminal and the common antenna terminal, and is closest to the second transmission terminal on an equivalent circuit in the second filter circuit; A second inner conductor pattern forming
Forming at least part of a third filter circuit connected between the first receiving terminal and the common antenna terminal, and disposed between the first inner conductor pattern and the second inner conductor pattern; 4 internal conductor patterns;
Forming at least part of a fourth filter circuit connected between the second receiving terminal and the common antenna terminal, and disposed between the first inner conductor pattern and the second inner conductor pattern; 5 internal conductor patterns;
A high frequency module is formed.
前記第1内部導体パターン、前記第2内部導体パターン、および、前記第4内部導体パターンは、前記積層体の主面から平面視したときに、互いに重ならないように配置され、かつ、前記第1内部導体パターン、前記第2内部導体パターン、および、前記第5内部導体パターンは、前記積層体の主面から平面視したときに、互いに重ならないように配置されている、請求項1に記載の高周波モジュール。 The first internal conductor pattern, the second internal conductor pattern, and the fourth internal conductor pattern are arranged so as not to overlap each other when viewed from the main surface of the multilayer body , and the first The internal conductor pattern, the second internal conductor pattern, and the fifth internal conductor pattern are arranged so as not to overlap each other when viewed from the main surface of the multilayer body . High frequency module. 前記第1フィルタ回路の前記共通アンテナ端子側の端部と、前記第2フィルタ回路の前記共通アンテナ端子側の端部とが接続され、前記第1フィルタ回路と前記第2フィルタ回路とを含む第1ダイプレクサを備える、請求項1または請求項2に記載の高周波モジュール。   An end of the first filter circuit on the common antenna terminal side is connected to an end of the second filter circuit on the common antenna terminal side, and includes a first filter circuit and a second filter circuit. The high frequency module according to claim 1 or 2, comprising one diplexer. 前記第3フィルタ回路の前記共通アンテナ端子側の端部と、前記第4フィルタ回路の前記共通アンテナ端子側の端部とが接続され、前記第3フィルタ回路と前記第4フィルタ回路とを含む第2ダイプレクサと、
前記第1ダイプレクサにおける、前記第1フィルタ回路の前記共通アンテナ端子側の端部と前記第2フィルタ回路の前記共通アンテナ端子側の端部とが接続される第1接続点と、前記第3フィルタ回路の前記共通アンテナ端子側の端部と前記第4フィルタ回路の前記共通アンテナ端子側の端部とが接続される第2接続点と、を切り替えて、前記共通アンテナ端子に接続するスイッチ素子と、
を備えた、請求項3に記載の高周波モジュール。
An end of the third filter circuit on the common antenna terminal side is connected to an end of the fourth filter circuit on the common antenna terminal side, and includes a third filter circuit and a fourth filter circuit. 2 diplexers,
A first connection point in the first diplexer where an end of the first filter circuit on the common antenna terminal side and an end of the second filter circuit on the common antenna terminal side are connected; and the third filter A switching element connected to the common antenna terminal by switching between a second connection point to which an end of the circuit on the common antenna terminal side and an end of the fourth filter circuit on the common antenna terminal side are connected ,
The high frequency module according to claim 3 , comprising:
前記第4内部導体パターンは、前記第5内部導体パターンよりも前記第1内部導体パターン側に形成されている、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の高周波モジュール。 5. The high-frequency module according to claim 1 , wherein the fourth inner conductor pattern is formed closer to the first inner conductor pattern than the fifth inner conductor pattern. 前記第2送信信号の基本周波数は、前記第1送信信号の2倍波周波数または3倍波周波数である、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の高周波モジュール。 The high frequency module according to claim 1 , wherein a fundamental frequency of the second transmission signal is a second harmonic frequency or a third harmonic frequency of the first transmission signal. 前記積層体は、前記積層体の積層方向に連続する形状からなり、前記第1フィルタ回路を構成する内部導体パターンが形成される第1の領域と前記第2フィルタ回路を構成する内部導体パターンが形成される第2の領域との間に、配列形成された複数の導電性ビアホールと、
所定の絶縁体層に形成され、外部のグランドに接続される内部グランド導体と、を備え、
前記複数の導電性ビアホールは、前記内部グランド導体に接続されている、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の高周波モジュール。
The multilayer body has a shape that is continuous in the stacking direction of the multilayer body, and a first region in which an internal conductor pattern constituting the first filter circuit is formed and an internal conductor pattern that constitutes the second filter circuit are provided. A plurality of conductive via holes arranged between the second region to be formed;
An internal ground conductor formed in a predetermined insulator layer and connected to an external ground, and
The high frequency module according to claim 1, wherein the plurality of conductive via holes are connected to the internal ground conductor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4297368B2 (en) * 2005-06-16 2009-07-15 Tdk株式会社 High frequency module
JP2009159328A (en) * 2007-12-26 2009-07-16 Ngk Spark Plug Co Ltd Multiplexers, triplexers and diplexers
JP5382507B2 (en) * 2009-04-06 2014-01-08 日立金属株式会社 Filter module and communication device

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