JP5877103B2 - 光学素子成形用型、光学素子の製造方法、および光学素子成形用型の製造方法 - Google Patents
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Description
一方、このような成形用型によって成形されるガラス成形レンズは、屈折力を高めることにより小型化を図るため、高屈折率のガラス材料が用いられるようになってきた。このような高屈折率のガラス材料は、低屈折率のガラス材料に比べて、成形温度が高くなっている。
このため、成形用型の基材として、より高温での成形に耐えられる炭化ケイ素を用いることが提案されている。しかし、炭化ケイ素を基材として使用し、貴金属系の離型膜を用いる場合、基材と離型膜との密着性が低いため、成形時に離型膜が基材より剥離してしまうという問題があった。
このような成形用型の基材と離型膜との密着性を向上する技術として、特許文献1には、基材が超硬合金であって、離型膜が炭素膜の場合に、基材と離型膜との間に、基材および離型膜の双方に高い密着性を有するクロム(Cr)やタンタル(Ta)といった中間層膜を設け、この中間層膜上にガスクラスターイオンビーム援用照射下に炭素膜を形成する技術が提案されている。
特許文献1に記載の技術のように、成形用型の基材と離型膜との間にクロム(Cr)やタンタル(Ta)といった中間層膜を設ける場合、離型膜が貴金属系の離型膜では良好な耐久性が得られないという問題がある。
まず、ガラス成形を繰り返すことにより中間層膜成分が離型膜である貴金属層に拡散し、離型膜の組成を変えてしまうため、離型性を損なってしまうという問題がある。
また、中間層膜成分が離型膜に拡散することによって、中間層膜が消耗され、密着性を失ってしまうという問題がある。
このような中間層膜成分の拡散は成形温度が高くなるほど発生しやすくなるため、特に、高屈折率ガラスの成形など、成形温度を高くしなければならない場合に、離型膜の耐久性が低下してしまうという問題がある。
前記基材部を熱処理して、表面のケイ素成分を揮発させるとともに前記基材部の表面から延びた形態の複数のカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブ形成工程と、金属を、前記カーボンナノチューブの間に埋めて、前記基材部上に堆積させることにより中間金属層を形成する中間金属層形成工程と、前記中間金属層上に離型膜を成膜する離型膜形成工程と、を備える方法とする。
まず、本発明の実施形態の光学素子成形用型について説明する。
図1は、本発明の実施形態の光学素子成形用型の一例を示す模式的な断面図である。図2は、図1におけるA(B)部の模式的な部分拡大図である。図3は、本発明の実施形態の光学素子成形用型に用いる離型膜の膜構成の一例を示す模式的な部分断面図である。
光学素子の種類としては、ガラス製であれば、特に限定されず、例えば、レンズ、プリズム、ミラー、フィルタ、基板などの適宜の種類を採用することができる。光学素子が曲率を有する場合には、凸面でも凹面でもよい。
以下では、光学素子の一例として、凸レンズ面と凹レンズ面とを有するメニスカス形状のレンズ(不図示)を成形する場合の例で説明する。
下型2は、円筒状の側面2bを有する略円柱状部材であり、軸方向の一端部(図1の下側)に側面2bから外周方向に突出するフランジ部2cが形成され、軸方向の他端部(図1の上側)に、凸レンズ面の形状をガラス材料に転写する凹面形状を有する成形面2aが形成されている。
基材2Aの材質としては、炭化ケイ素(SiC)の焼結体を採用している。
カーボンナノチューブ10は、基材表面S2A上で、稠密もしくは微小な間隔を空けた状態で密集しており、基材表面S2Aに対して略直角な方向に突出されている。
また、カーボンナノチューブ10の密度は、基材表面S2Aの全体にわたって略均一である。
各カーボンナノチューブ10の直径は、例えば、1nm〜15nm程度が可能である。また各カーボンナノチューブ10の長さは、例えば、10μm以下程度の適宜長さが可能であり、後述する中間金属層2Bに対する必要な密着強度を得られるような略均一な長さを有している。
このため、カーボンナノチューブ10は、基材表面S2A上において、略一定の高さの層状範囲に起毛状態に形成されている。
また、カーボンナノチューブ10は、炭素結合により高強度を有している。またカーボンナノチューブ10は、基材表面S2Aにおいて基材2Aとも化学的に結合されている。
すなわち、中間金属層2Bは、カーボンナノチューブ10による層状範囲には、各カーボンナノチューブ10の間に金属11が埋め込まれた金属埋め込み層L1と、金属11のみからなり、金属埋め込み層L1を覆うように積層され、中間金属層2Bの離型膜2C側の最外面S2Bを構成する被覆層L2とからなる。
金属埋め込み層L1は、金属11がカーボンナノチューブ10の間の微小な隙間に埋め込まれているため、カーボンナノチューブ10と櫛歯状に噛み合っている。
また、金属11は、炭化物を形成しやすい材質であれば、カーボンナノチューブ10の表面において炭化物を形成して化学結合によって強固に結合することができるため、より好ましい。また、金属11は、基材2Aの材質との密着強度が良好であればさらに好ましい。
離型膜2Cが金属系の離型膜である場合、金属11としては、多くの金属に対する密着強度が良好なTiが特に好適である。
Tiは、例えば、化学気相成長(CVD)などによってカーボンナノチューブ10の間に埋め込むと、カーボンナノチューブ10の表面で炭化物を形成して、化学的に強固に結合するため、金属埋め込み層L1においてカーボンナノチューブ10との密着強度が良好となる。
また、金属11は、離型膜2Cに用いられている金属であれば、離型膜2Cとの密着強度が良好となるため好ましい。すなわち、離型膜2Cが貴金属系からなる場合に、離型膜2Cに用いられる貴金属のうち、炭素との密着性に優れる材質を好適に採用することができる。
金属11が離型膜2Cに用いられている金属の場合、金属11が離型膜2Cに拡散したとしても、離型膜2Cの組成の変化が少なくなるため、離型膜2Cの組成の変化による離型性の低下を抑制しやすくなる。
広く用いられている貴金属系の離型膜2Cは、金属に対する密着強度は優れているもの、カーボンナノチューブ10に対する密着強度は低い。このため、カーボンナノチューブ10の表面が露出している部分が多いと、密着強度に寄与する面積が低下するため、離型膜2Cの密着強度が低下してしまう。
被覆層L2を設けることにより、離型膜2Cとの密着可能な金属11の面積が増大するため、離型膜2Cとの密着性を向上することができる。
また、カーボンナノチューブ10の表面に密着した金属11は、容易に拡散しないため、被覆層L2を薄くすることにより、被覆層L2において相対的に離型膜2Cに拡散する金属11が少なくなる。また、一部の金属11が拡散するとしても、拡散の絶対量が少なくなる。このため、金属11が離型膜2C内に拡散することによる離型性の劣化を抑制しやすくなる。
一般に、基材がタングステンカーバイド(WC)を主成分とする超硬合金からなる場合に好適な離型膜の構成は、SiCの焼結体に対しては良好な密着強度を有しないが、本実施形態では、基材2Aとの間に中間金属層2Bが形成されているため、このような超硬合金を基材とする場合の離型膜も好適である。
また、離型膜2Cとしては、金属11との密着強度が良好であれば、超硬合金用の離型膜に限らず、周知の他の離型膜も好適である。
本実施形態では、離型膜2Cの一例として、このような超硬合金に好適な膜構成を採用している。
すなわち、離型膜2Cの膜構成は、図3に示すように、中間金属層2B側から、下地層5(最下層)、金属層6、窒化物層7、および表面層8(最外層)がこの順に積層されている。
離型膜2Cの成膜方法は、例えば、蒸着法、スパッタ法、CVD法などを用いることができるが、膜密度、膜組成の純度などからイオンビームスパッタ法が特に好適である。
金属層6は、下地層5との密着強度が良好な材料からなる層状部分であり、クロム(Cr)、Ti、およびモリブデン(Mo)のうち少なくとも1種類の金属材料からなる。
窒化物層7は、金属層6との密着強度が良好な材料からなる層状部分であり、Cr、Ti、およびMoのうち少なくとも1種類の元素を含む窒化物からなる。
表面層8は、窒化物層7との密着強度が良好であって、成形に用いるガラス材料に対する離型性が良好となる材料からなる層状部分である。
表面層8の表面は成形面2aを構成するため、表面粗さが小さい鏡面とされる。例えば、算術平均粗さRaで0.005μm以下とする。
表面層8に好適な材料としては、貴金属類を挙げることができる。特に好適な材料としては、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)、ルテニウム(Ru)、およびレニウム(Re)から構成される元素群の中の少なくとも1種類の元素、または前記元素群の中の少なくとも1種類の元素を含む合金、また前記元素群の中の少なくとも1種類の元素を含む化合物を挙げることができる。
下地層5がWC、金属層6がCr、窒化物層7がCrNからなる場合、またはこれらを主成分とする場合には、表面層8として、PtとIrとの合金、IrとReとの合金、またはPtからなる金属が特に好適である。
また、下地層5がWC、金属層6がTi、窒化物層7がTiNからなる場合、またはこれらを主成分とする場合には、表面層8としては、PtとIrとの合金、IrとReとの合金、Ptからなる金属が特に好適である。
基材3Aの軸方向の他端側には、図2に示すように、成形面3aの形状に沿う凹面として形成された基材表面S3A上に、中間金属層3B、離型膜3Cがこの順に積層され、離型膜3Cの最外面によって、成形面3aが構成されている。
中間金属層3Bは、下型2の中間金属層2Bと同様な構成を有し、同様な材料で形成されている。
また、離型膜3Cは、離型膜2Cと同様な構成を有し、同様な材料で形成されている。このため、離型膜3Cは、中間金属層3Bを覆うように形成されている。
これにより、胴型4の一端部(図1の下側)を下型2のフランジ部2cに係止した状態で、下型2に外嵌され、他端部(図1の上側)には、成形面3aを成形面2aと対向させた状態で、上型3が着脱可能に挿入できるようになっている。
このように、胴型4の両端部に下型2、上型3が挿入された状態では、互いに対向する成形面2a、3aの間に成形空間が形成される。
胴型4の材質は、炭化ケイ素、超硬合金を採用することができる。
また、これらの製造工程は、下型2と上型3の外形状の違いを除いて同一であり、成形面2aの形成に関する製造工程の説明は、成形面3aの形成に関する製造工程にも同様に適用できる。したがって、以下では、下型2に成形面2aを形成する場合の例で説明する。
また、具体的な製造条件について説明する場合には、金属11がTiからなる場合の例で説明する。
図4は、本発明の実施形態の光学素子成形用型の製造方法の工程フローを示すフローチャートである。図5(a)、(b)、(c)は、本発明の実施形態の光学素子成形用型の製造方法の模式的な工程説明図である。図6(a)、(b)、(c)は、本発明の実施形態の光学素子成形用型の製造方法の中間金属層形成工程を説明する模式的な工程説明図である。
下型2の外形は、SiCを焼結して形成する。このとき、成形面2aを形成する部位は、成形面2aと略同一の曲率半径を有する湾曲面であって、成形面2aの形状よりもわずかに低い形状とする。
次に、成形面2aを形成する部位の表面に、CVDによりSiC層を形成する。これにより、基材2Aの表面が焼結粒子よりも格段に粒径が小さいSiC粒子で覆われる。
このSiC層の層厚は、金属埋め込み層L1の層厚を超える層厚であって、表面が成形面2aの形状よりも突出する形状とする。
次に、このSiC層の表面を研磨加工して、成形面2aとほぼと同様の形状に平滑化し、例えば、表面粗さがRaで0.005μm以下程度の鏡面に仕上げる。
図5に示す断面は、このように鏡面加工された基材2Aの表面S0の近傍の拡大断面図である。
以上で、基材部形成工程S1が終了する。
このような真空中での熱処理によりSiCが分解し、Siが揮発し、散逸した後に残ったC同士が炭素結合により再結合して、カーボンナノチューブ10が形成される。
一方、CVDによるSiC層は緻密な構造を有しているため、Siが揮発すると、表面S0は徐々に均等に後退していく。このため、熱処理終了後には、表面S0から一定距離離れた位置に、基材表面S2Aが形成されている。
この熱処理において、徐々に後退していく表面上のCは、基材2AのSiCのバルクに対してSiの揮発前のSiCと同様な化学的な結合が保たれており、ファンデアワールス力などの物理的な吸着とは異なり強い結合力を有している。
このため、カーボンナノチューブ10は、後退していく表面との連続性が保たれており、各表面から略垂直に延びた状態になる。したがって、カーボンナノチューブ10は、基材表面S2Aと強固に結合され、基材表面S2Aから表面S0に向かって成長したのと同じ状態で延びている。
以上で、カーボンナノチューブ形成工程S2が終了する。
本工程では、カーボンナノチューブ10を形成した基材2Aを、CVD装置へ移して、Tiを成膜する。
例えば、原料ガス、キャリアガスであるTiCl4、H2、Arを、それぞれ2sccm、80sccm、120sccmの流量で供給し、装置内のガス圧力を0.7Paとして、マイクロ波パワー2.5kW(2.45GHz)を印加してCVDを行う。
このとき、カーボンナノチューブ10の表面には、エネルギーの高い金属粒子11Aが付着するため、カーボンナノチューブ10との間に化学反応が発生する場合がある。この場合には、カーボンナノチューブ10の表面に金属粒子11Aの炭化物が形成されて化学結合されるため、カーボンナノチューブ10の表面に強固に接合される。
さらにCVDが進行すると、図6(c)に示すように、金属層11Bの厚みを増していく。このため、隣り合うカーボンナノチューブ10間の隙間が狭まり、さらに穴状になった隙間の上方から金属粒子11Aが堆積していく。
この結果、図5(c)に示すように、各カーボンナノチューブ10の間に金属11が埋め込まれた中間金属層2Bが形成される。
金属粒子11Aは、各カーボンナノチューブ10の周囲から満遍なく付着していくため、カーボンナノチューブ10の先端にも金属粒子11Aが付着していき、カーボンナノチューブ10全体を覆うように堆積して中間金属層2Bが形成される。
このようにして、中間金属層2Bは、基材表面S2A上に、金属埋め込み層L1と、被覆層L2とがこの順に積層された層状部として形成される。
以上で中間金属層形成工程S3が終了する。
また、金属11がTiなどの、炭化物を形成しやすい金属の場合には、カーボンナノチューブ10の表面において、TiCの化学結合が形成されやすいため、さらに高い接合力が得られる。
また、金属埋め込み層L1は、微細構造を有するカーボンナノチューブ10と金属11とが、複合化(混合)された状態にあるとも言える。そのため、金属11にカーボンナノチューブが添加して強化した複合材料と同様に、機械的特性(強度、硬度)の向上が期待できる。
中間金属層2Bが形成された基材2Aを、スパッタリング装置に移し、例えば、従来超硬合金で用いていたのと同じ条件で、中間金属層2B側から下地層5、金属層6、窒化物層7、および表面層8をこの順に成膜する。
各層の具体例としては、下地層5がWC、金属層6がCr、窒化物層7がCrN、表面層8がIrとPtとの組成比が1:1の混合膜からなる例を挙げることができる。
特に、金属11が、活性が高いため様々な材料と接合されやすく接合材料として好適なTiの場合、離型膜2Cの下地層5のWCとも、化学結合して強い接合力が得られる。
以上で、離型膜形成工程S4が終了する。
このようにして下型2が製造される。
ガラス材料は、L−LAH53(商品名;オハラ株式会社製)からなる直径4mmの球状のものを使用した。
成形温度620℃で成形を繰り返したところ、本実施形態の光学素子成形用型は1000ショットの成形後においても成形面の劣化が見られなかったのに対し、比較例の光学素子成形用型では60ショットの成形後に離型膜の一部に剥離が生じた。
このため、本実施形態の光学素子成形用型では、中間金属層2Bおよびカーボンナノチューブ10を備えるため、比較例に比べて離型膜2Cの耐久性が格段に向上していることが分かる。
カーボンナノチューブ10は、基材表面S2Aに対してはSiCと同様の化学結合によって強固に結合され、カーボンナノチューブ10自体は、その炭素結合によって強固な機械的強度を有している。金属11は、このようなカーボンナノチューブ10の隙間に櫛歯状に埋め込まれているため、カーボンナノチューブ10と強固に密着されている。
そして、離型膜2Cは、このように基材表面S2A上にカーボンナノチューブ10を介して強固に密着された中間金属層2Bの表面の金属11と強固に密着している。
これにより、離型膜2Cが貴金属系であるため基材2Aと接合されにくい場合であっても、離型膜2Cは基材2A上に良好に接合される。
このため、下型2の耐久性を向上することができる。
また、光学素子成形用型は、面精度が良好な成形面を要する適宜の成形品を製造することが可能である。
このような構成によれば、基材2Aの材質が、超硬合金以外の場合でも、従来の超硬合金基材向け離型膜、および離型膜を形成する製造工程を、変更無しにそのまま使うことができる。このため、離型膜を変えることなく、光学素子成形用型の基材2Aとの密着強度を向上することができる。
しかし、このような離型膜の膜構成は一例であり、中間金属層2Bに用いる金属11との密着強度が良好であれば、離型膜は、適宜の膜構成を構成することができる。すなわち、上記実施形態の膜構成は、最外層である表面層8と、その他の中間層である下地層5、金属層6、および窒化物層7という構成を有しているが、中間層の材質、層構成(層の組合せや順序)は、最外層の材質や必要な密着強度に応じて適宜の材質、層構成を採用することができる。
例えば、これらの中間層の一部の層を削除したり、それぞれを材質や組成を変えて複数設けるようにしたり、他の異なる中間層を挿入したり、層の積層順序を変えたりしてもよい。
また、離型膜の中間層は、少なくとも一部が、材料の組成が層厚方向に変化する材料傾斜層であってもよい。
また、離型膜は、同一材質が均質に分布した単層であってもよく、材料傾斜層からなる単層でもよい。
2 下型(光学素子成形用型)
2A、3A 基材(基材部)
2B、3B 中間金属層
2C、3C 離型膜
2a、3a 成形面
3 上型(光学素子成形用型)
4 胴型
5 下地層(最下層)
6 金属層
7 窒化物層
8 表面層(最外層)
10 カーボンナノチューブ
11 金属
S2A、S3A 基材表面
S2B、S3B 最外面
S1 基材部形成工程
S2 カーボンナノチューブ(CNT)形成工程
S3 中間金属層形成工程
S4 離型膜形成工程
Claims (8)
- 成形品の表面形状に沿う形状の表面を有し、炭化ケイ素からなる基材部と、
前記表面から延びた複数のカーボンナノチューブと、
該カーボンナノチューブの間に埋められて前記基材部上に堆積した金属からなる中間金属層と、
該中間金属層上に積層された離型膜と、
を備えることを特徴とする、光学素子成形用型。 - 前記金属は、チタン、ジルコニウム、およびモリブデンのうちの1以上の金属からなる
ことを特徴とする、請求項1に記載の光学素子成形用型。 - 前記中間金属層と前記カーボンナノチューブとの間に、前記金属の炭化物が形成されている
ことを特徴とする、請求項1または2に記載の光学素子成形用型。 - 前記離型膜は、前記中間金属層に積層される最下層と、前記成形品の材料と離型可能に密着する成形面を有する最外層とを、少なくとも含む多層膜である
ことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光学素子成形用型。 - 前記金属は、前記離型膜に用いられている金属である
ことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光学素子成形用型。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の光学素子成形用型を用いて前記成形品の材料を成形して前記成形品を得る、
ことを特徴とする光学素子の製造方法。 - 成形品の表面形状に沿う形状の表面を有するように、炭化ケイ素からなる基材部を形成する基材部形成工程と、
前記基材部を熱処理して、表面のケイ素成分を揮発させるとともに前記基材部の表面から延びた形態の複数のカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブ形成工程と、
金属を、前記カーボンナノチューブの間に埋めて、前記基材部上に堆積させることにより中間金属層を形成する中間金属層形成工程と、
前記中間金属層上に離型膜を成膜する離型膜形成工程と、
を備えることを特徴とする、光学素子成形用型の製造方法。 - 請求項7に記載の光学素子成形用型の製造方法により得られた光学素子成形用型を用いて、前記成形品の材料を成形して該成形品を得る、
ことを特徴とする、光学素子の製造方法。
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