JP5877245B2 - 気相蒸着方法及び気相蒸着装置 - Google Patents
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Description
本発明の第5の態様では、伝導性三次元オープンセル網状構造体は、好適にはガラス質炭素発泡体である。高融点金属材料又はセラミック材料のコーティングが、先ず、伝導性三次元オープンセル網状構造体上に蒸着されてもよく、選択された気相蒸着材料の固体コーティングは、高融点金属材料又はセラミック材料のコーティングの上に存在してもよい。選択された気相蒸着材料の固体コーティングは、約1nmから約2μmまでの範囲の厚さを有し、実質的に不純物を含まない。選択された気相蒸着材料は、OLED材料等の有機材料又は有機金属材料である。
網状カーボン発泡構造体の製造方法は、特許文献14に開示されている。特許文献14は、ガラス質炭素発泡体がしばしば、化学気相蒸着プロセスにより他の材料でコーティングされることを記載している。基本的なガラス質炭素発泡体において、1に比べて大きく異なるアスペクト比をもつセルが大半を占めている場合、それから得られるコーティングされた発泡構造体は、異方性をもつ可能性がある。化学気相蒸着は、SiC又はBN等のセラミック及びW又はTa等の金属により炭素発泡構造体をコーティングするために用いられる。
ペレットを形成するための、精確な粉末計量又は液体の使用若しくは粉末の前処理の必要性を排除する、改良された蒸発プロセスが開発されてきた。この改良された蒸発プロセスは、有機材料の熱暴露を低減する一方、高速応答制御システムの必要性を排除する。その設計は、材料の蒸発すなわち昇華を支配する基本因子である温度、表面積、分圧及び全圧を一般的すなわちマクロな意味で典型的に制御するのみである、観察によって導かれる。るつぼの壁とるつぼが収容する有機粉末の間の限定された接触、有機粉末全体に存在し得る大きな熱勾配、粉末粒子サイズのばらつき、及び、粉末の加熱される質量中での局所的分圧勾配及び全圧勾配の全てが、蒸発制御の不正確さに関与するとともに、所与の蒸着速度を得るために必要な理論値を超えるるつぼ温度を必要とすることに関与する。以下の原理は、局所的蒸発条件が平均的蒸発条件といかに大きく異なる可能性があるかを理解するために有用である。
これに替えて、蒸発装置14は、精製される材料を蒸発させるために、るつぼ20の変わりに本開示の装置を利用すると有益である。蒸気は、凝縮物収集管22を通過するように流される。凝縮物収集管22は、添付グラフ(図1A参照)に示される温度勾配を有する。これにより、凝縮物収集管22の温度は、蒸発装置14に隣接する端部において高く、反対側の端部において低くなっている。凝縮物収集管22の2つの端部の間に、1又は複数のオープンセル発泡構造体10が設置されている。オープンセル発泡構造体10の温度が所望する凝縮温度Tcに制御されかつ維持されることにより、所望する分子構造を持つ蒸気がオープンセル発泡構造体10上に好適に凝縮することができる。オープンセル発泡構造体10は、図1のように、凝縮物収集管22の軸に対して垂直に位置する面をもつように配置される。あるいは、オープンセル発泡構造体10は、多面体形状又は管体形状を有しかつ凝縮物収集管22内に同心的に配置されてもよい。オープンセル発泡構造体10は、凝縮物収集管22の壁に対してほぼ沿うように形成された平板の形態をとることもできる。真空チャンバ16は、圧力センサ24及び圧力コントローラ26と組み合わされた真空ポンプ21により所望する圧力に維持される。
図2は、オープンセル発泡構造体10における、相互接続された柱状物又は索状物28から構成されるオープンセル多面体構造の拡大図である。ガラス状炭素から作製されるこのような発泡構造体は、ERG Aerospaceから市販されており入手可能である。これらの発泡材料は、化学気相蒸着により金属及びセラミックをコーティングされてもよい。
図3は、発泡構造体の索状物28をさらに大きく拡大した断面である。発泡構造体は、ほぼ三角形であり、この図では凝縮材料のコーティング30である非常に厚いコーティングで取り囲まれている。
ガス分配マニホールド110、ヒーター130と任意のガスヒーター106、入口ダクト108、配線112及び113並びに接点114及び116と、オープンセル発泡構造体10及び132とを組み合わせたものを、本明細書では、気相蒸着ヘッド140と称する場合がある。
オープンセル発泡構造体602に供給する電力を制御する基本ループにおける持続的な正又は負の制御信号に基づいて、蒸気ソース604及び606の平均補充蒸気フラックスを調整するために、制御システムが直列的制御ループを含むことが有利な場合もある。
11 昇華精製装置
12 精製される材料
14 蒸発装置
16 真空チャンバ
18 ヒーター
20 るつぼ
21 真空ポンプ
22 凝縮物収集管
24 圧力センサ
26 圧力コントローラ
28 柱状物又は索状物
30 凝縮材料のコーティング
32 気相蒸着装置
34 入口管
36 マスフローコントローラ
38 ガスヒーター
40 入口ダクト
42 ガス分配マニホールドすなわちプレナム
44、45 配線
46、48 接点
50 真空チャンバ
52 基板ホルダ
54 基板
56 真空ポンプ
58 圧力センサ
60 圧力コントローラ
62 ヒーター
64、66 電極
68、70 電気リード配線
72、74 補完部材
76、78 接点
80 絶縁部材
84 クランプ構造材
86 サーモカップル
100 気相蒸着装置
102 入口管
104 マスフローコントローラ
106 ガスヒーター
108 入口ダクト
110 ガス分配マニホールドすなわちプレナム
112、113 配線
114、116 接点
118 真空チャンバ
120 基板ホルダ
122 基板
124 真空ポンプ
126 圧力センサ
128 圧力コントローラ
130 ヒーター
131、133 補完部材
132 第2のオープンセル発泡構造体すなわち加熱素子
134、136 接点
135、137 電極
138、139 配線
140 気相蒸着ヘッド
142、144 電極
146、148 補完部材
150 絶縁部材
152 クランプ構造材
154 ヒーター
300 蒸着ソース供給ヘッド
302 ロータ
304 ステータ
306 フレーム
308 供給管
309 接点
310 ダクト
312 ダクト
314 基板
316 基板ホルダ
320 多角柱
322 基板ホルダ
324 標的基板
400 蒸着ソース供給ヘッド
402 ロータ
404、406 ステータ部分
408 フレーム
410 供給管
412、414 ダクト
416 基板
418 基板ホルダ
420、422 ダクト
500 気相蒸着ヘッド
502 供給管
504 ダクト
506 ステータ部分
508 ダクト
510 ロータ
512 基板
514 基板ホルダ
516 供給管
518 ダクト
520 ステータ部分
522 ダクト
524 基板
600 気相蒸着装置
602 オープンセル発泡構造体
604、606 蒸気生成ソース
608、610 キャリアガス入口
612、614 ガスフローコントローラ
616 蒸気混合器
618 希釈キャリアガス入口
620 ガスフローコントローラ
622 ガス温度コントローラ
624 送管
626 ガス入口管
628 ガス分配マニホールドすなわちプレナム
630 オープンセル発泡構造体
631 ヒーター
632、633 配線
634、635 接点
636 基板ホルダ
637 基板
638 真空チャンバ
639 真空ポンプ
640 圧力センサ
642 圧力コントローラ
644、646 接点
648、650 配線
652 気相蒸着ヘッド
654 標的基板
656 基板ホルダ
658、660 蒸着チャンバ
662 真空ポンプ
664 圧力センサ
666 圧力コントローラ
668、670 電極
672、674 補完部材
676 絶縁部材
678 クランプ構造材
680 サーモカップル
682 センサ
684 変動する流入量
686 流出量
700 インライン蒸着システム
702 気相蒸着ヘッド
704 基板
705 コーティングされた基板
706 コンベアシステム
708 基板供給マガジン
710 基板受容マガジン
712 真空チャンバ
714 圧力センサ
716 圧力コントローラ
718 真空ポンプ
800 ロールトゥロール蒸着システム
802 気相蒸着ヘッド
804 基板
805 コーティングされた基板
806 コンベアシステム
808 基板供給ロール
810 基板受容ロール
812 真空チャンバ
814 圧力センサ
816 圧力コントローラ
818 真空ポンプ
Claims (15)
- (a)三次元オープンセル網状構造体上に予め気相蒸着されていた、選択された固体材料の固体コーティングを、前記三次元オープンセル網状構造体に加熱のための電気エネルギーを与えてその温度を制御することにより蒸発させて蒸着ガスを生成し、
(b)前記三次元オープンセル網状構造体にキャリアガスを通過させて前記蒸着ガスの制御可能な分圧を生じさせつつ前記固体コーティングを蒸発させることにより、前記キャリアガスと前記蒸着ガスの混合物を生成し、
(c)温度制御された基板に対して前記混合物を安定な流量にて供給し、
(d)前記蒸着ガスを前記温度制御された基板の表面上で凝縮させ、かつ、
(e)前記キャリアガスを排気する、
気相蒸着方法。 - 前記選択された固体材料の前記固体コーティングが有機材料又は有機金属材料であり、1nmから2μmまでの範囲の厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記三次元オープンセル網状構造体が電気伝導性のガラス質炭素発泡体であり、前記蒸発させるステップが、前記三次元オープンセル網状構造体に電圧を印加することにより行われる、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記三次元オープンセル網状構造体上の固体コーティングが消耗した後、又は、前記三次元オープンセル網状構造体上の固体コーティングが蒸発させられ前記基板の表面上に蒸着させられつつ、前記三次元オープンセル網状構造体上に前記選択された固体材料を気相蒸着により補充する、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- さらに、
(a)補充蒸着蒸気を前記三次元オープンセル網状構造体に供給し、
(b)前記固体コーティングを補充するべく前記補充蒸着蒸気を前記三次元オープンセル網状構造体上に凝縮させる、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。 - (a)選択された気相蒸着材料の固体コーティングをその上に気相蒸着されておりかつ電極の間に挟まれた第1の電気伝導性の三次元オープンセル網状構造体と、
(b)蒸着ガスを生成するべく前記第1の三次元オープンセル網状構造体の固体コーティングを加熱する手段と、
(c)キャリアガスが前記第1の三次元オープンセル網状構造体を通過して前記蒸着ガスの制御可能な分圧を生じつつ前記固体コーティングが蒸発させられ、蒸発した固体コーティングである前記蒸着ガスと前記キャリアガスが混合物を形成するように、前記キャリアガスが供給される第1の送管と、
(d)蒸着チャンバ内の温度制御された基板に対して安定な流量にて前記混合物を供給するために、前記混合物が通過する第2の送管とを備えた、
気相蒸着装置。 - 前記第1の三次元オープンセル網状構造体に電流を供給するための電源をさらに備えた、請求項6に記載の気相蒸着装置。
- 前記固体コーティングが固体有機材料若しくは固体有機金属材料であるか、又は、前記固体コーティングが金属材料若しくはセラミック材料である、請求項6又は7に記載の気相蒸着装置。
- ガス分配マニホールド内にて第2の三次元オープンセル網状構造体を前記第1の三次元オープンセル網状構造体の上方にさらに設けた、請求項6〜8のいずれかに記載の気相蒸着装置。
- 前記第1及び第2の三次元オープンセル網状構造体がガラス質炭素発泡体である、請求項9に記載の気相蒸着装置。
- 前記キャリアガスが前記第1及び第2の三次元オープンセル網状構造体を通過する不活性ガスであり、前記第1及び第2の三次元オープンセル網状構造体が複数の索状物を有し、前記索状物は前記キャリアガスと該索状物の周囲に生成された蒸発した固体コーティングとの混合を促進する曲がりくねった流路を形成し、かつ、前記ガスの流れ及び温度が、蒸着標的に向かう蒸発した固体コーティングの生成及び移送の速度を制御することに寄与する、請求項9又は10に記載の気相蒸着装置。
- 加熱されたガス分配マニホールドをさらに備え、前記第1及び第2の三次元オープンセル網状構造体が前記加熱されたガス分配マニホールド内に設けられる、請求項9〜11のいずれかに記載の気相蒸着装置。
- 前記第1の三次元オープンセル網状構造体上に高融点金属の均一なコーティングをさらに有し、選択された気相蒸着材料の前記固体コーティングが前記高融点金属の均一なコーティングの上に存在し、前記高融点金属がタングステン、タンタル又はモリブデンであるか、又は、前記第1の三次元オープンセル網状構造体上にセラミックの均一なコーティングをさらに有し、選択された気相蒸着材料の前記コーティングが前記セラミックの均一なコーティングの上に存在する、請求項6〜12のいずれかに記載の気相蒸着装置。
- 前記第1の三次元オープンセル網状構造体の温度を計測して前記第1の三次元オープンセル網状構造体に供給する電流を制御するべくフィードバックする温度センサと、前記温度制御された基板上への材料蒸着速度を計測して前記第1の三次元オープンセル網状構造体に供給する電流を制御するべくフィードバックする気相蒸着速度センサの、いずれか又は双方をさらに備えた、請求項6〜13のいずれかに記載の気相蒸着装置。
- (a)前記第1の三次元オープンセル網状構造体が設けられるガス分配マニホールドと、
(b)補充蒸着ガスを前記ガス分配マニホールドに供給するための少なくとも1つの蒸気生成ソースと、をさらに備え、前記補充蒸着ガスが凝縮して前記第1の三次元オープンセル網状構造体上に新たな蒸着材料の固体コーティングを形成する、請求項6〜14のいずれかに記載の気相蒸着装置。
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| DE102016100625A1 (de) | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschichtungseinrichtung |
| US10100410B2 (en) | 2016-08-05 | 2018-10-16 | Industrial Technology Research Institute | Film thickness monitoring system and method using the same |
| KR20180081952A (ko) * | 2017-01-09 | 2018-07-18 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 상 변화 물질을 이용한 유기 전계 발광 소자 제조용 장치 및 유기 전계 발광 소자를 제조하는 방법 |
| DE102017112668A1 (de) | 2017-06-08 | 2018-12-13 | Aixtron Se | Verfahren zum Abscheiden von OLEDs |
| CN107699864B (zh) * | 2017-09-14 | 2019-08-20 | 中山大学 | Mocvd设备进气装置和反应腔的结构及该设备的薄膜生长方法 |
| DE102017126126A1 (de) | 2017-11-08 | 2019-05-09 | Aixtron Se | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes durch die Verwendung von in einem Regelmodus gewonnenen Steuerdaten |
| EP3712295A4 (en) * | 2017-11-14 | 2021-12-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | METAL PLATE FOR PRODUCING STEAM DEPOSIT MASKS, METAL PLATE INSPECTION PROCESS, METAL PLATE PRODUCTION PROCESS, STEAM DEPOSIT MASK, STEAM PHASE DEPOSIT MASK DEVICE AND PRODUCTION PROCESS IN STEAM PHASE |
| CN112007829B (zh) * | 2019-05-31 | 2022-02-22 | 奥特风系统有限公司 | 鱼尾形进料结构以及发泡层涂覆装置 |
| FR3112148B1 (fr) * | 2020-07-01 | 2022-07-15 | Safran Ceram | Dispositif pour le dépôt chimique en phase vapeur en lit fluidisé |
| DE102020123764A1 (de) | 2020-09-11 | 2022-03-17 | Apeva Se | Verfahren zum Erzeugen eines zeitlich konstanten Dampfflusses sowie Verfahren zum Einstellen eines Arbeitspunktes einer Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes |
| US20240290581A1 (en) * | 2022-03-09 | 2024-08-29 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
| US20250372351A1 (en) * | 2022-10-31 | 2025-12-04 | Lam Research Corporation | Refractory components for a semiconductor processing chamber |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4885211A (en) | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
| US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
| US5059292A (en) | 1989-02-28 | 1991-10-22 | Collins George J | Single-chamber apparatus for in-situ generation of dangerous polyatomic gases and radicals from a source material contained within a porous foamed structure |
| US5104695A (en) * | 1989-09-08 | 1992-04-14 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for vapor deposition of material onto a substrate |
| US5204314A (en) | 1990-07-06 | 1993-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor |
| JPH0483871A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機薄膜の作製方法及びその作製装置 |
| US6103149A (en) | 1996-07-12 | 2000-08-15 | Ultramet | Method for producing controlled aspect ratio reticulated carbon foam and the resultant foam |
| US5820678A (en) | 1997-05-30 | 1998-10-13 | The Regents Of The University Of California | Solid source MOCVD system |
| JP3738869B2 (ja) * | 1997-06-05 | 2006-01-25 | 松下電器産業株式会社 | 蒸着方法および蒸着装置 |
| US6037241A (en) | 1998-02-19 | 2000-03-14 | First Solar, Llc | Apparatus and method for depositing a semiconductor material |
| DE10048759A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Aixtron Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD |
| JP4054561B2 (ja) * | 2000-10-26 | 2008-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法 |
| US20030026601A1 (en) * | 2001-07-31 | 2003-02-06 | The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Vapor deposition and in-situ purification of organic molecules |
| JP2004022401A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Sony Corp | 有機膜形成装置および有機膜形成方法 |
| JP2004043853A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-02-12 | Sony Corp | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
| US20050079278A1 (en) | 2003-10-14 | 2005-04-14 | Burrows Paul E. | Method and apparatus for coating an organic thin film on a substrate from a fluid source with continuous feed capability |
| JP4476019B2 (ja) * | 2004-05-20 | 2010-06-09 | 東北パイオニア株式会社 | 成膜源、真空成膜装置、有機el素子の製造方法 |
| US7288286B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-10-30 | Eastman Kodak Company | Delivering organic powder to a vaporization zone |
| US8128753B2 (en) | 2004-11-19 | 2012-03-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for depositing LED organic film |
| DE102005013875A1 (de) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Creaphys Gmbh | Heizeinrichtung, Beschichtungsanlage und Verfahren zur Verdampfung oder Sublimation von Beschichtungsmaterialien |
| JP4815447B2 (ja) | 2006-05-19 | 2011-11-16 | 株式会社アルバック | 有機蒸着材料用蒸着装置、有機薄膜の製造方法 |
| WO2008117690A1 (ja) | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Ulvac, Inc. | 蒸着源、蒸着装置、成膜方法 |
| CN101754859B (zh) * | 2007-06-14 | 2012-05-30 | 麻省理工学院 | 用于沉积膜的方法和设备 |
| US8027574B2 (en) * | 2007-08-06 | 2011-09-27 | Global Oled Technology Llc | Vaporization of thermally sensitive materials |
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