JP5884655B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置等の電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。

液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置に用いられる素子基板では、画素電極を備えた画素がマトリクス状に配置されており、画素電極は、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して下層側の導電層に導通している（例えば、特許文献１参照）。かかる電気光学装置において、コンタクトホールの平面サイズが大きいと、表示品位が低下する。例えば、液晶装置において、コンタクトホールが原因で画素電極の表面に大きな凹凸が形成されると、配向膜を好適に形成できなくなり、表示品位が低下する。また、反射型の液晶装置の場合、画素電極の表面に大きな凹凸が形成されると、凹凸が発生した箇所では、光の反射方向が乱れる結果、凹凸が形成された部分は表示に寄与しなくなる。

一方、層間絶縁膜のコンタクトホール内にプラグを埋め込み、かかるプラグを介して画素電極と下層側の電極とを導通させる構成が採用される場合がある（例えば、特許文献２参照）。かかる構成によれば、コンタクトホールの平面サイズが小さくて済むとともに、画素電極の表面に大きな凹凸が形成されない。

特開２００６−３１７９０３号公報 特開２０１１−６４８４９号公報

しかしながら、プラグを利用した導通構造の場合、プラグを形成するために、電気光学装置で通常、用いられていないタングステン等の金属材料を新たに準備する必要があるため、コストが増大する。また、プラグによる導通構造を採用する場合には、コンタクトホールが埋まるまでプラグ用の金属膜を厚くスパッタ成膜する工程と、化学機械研磨等の方法で層間絶縁膜を平坦化する工程とを行う必要があり、これらの工程のうち、プラグ用の金属膜を厚くスパッタ成膜するには多大な時間を必要とするため、生産性が低下する。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、プラグ用の特殊な金属を用いなくても、画素電極の表面に大きな凹凸を発生させずに画素電極に対する電気的な接続を行うことのできる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、基板の一方面側に設けられた複数の画素電極と、前記基板と前記画素電極との間に設けられ、前記画素電極と平面視で重なる位置に前記画素電極に向けて突出した柱状凸部を備えた第１絶縁膜と、金属または金属化合物からなり、前記柱状凸部の先端面に設けられ、当該先端面の周囲には形成されていない金属材料層と、該金属材料層と前記画素電極との間に設けられ、前記金属材料層に重なる導通部を備えた導電層と、前記導電層と前記画素電極との間に設けられ、前記画素電極側の面で前記導通部を露出させる第２絶縁膜と、を有し、前記画素電極は、前記第２絶縁膜の当該画素電極側の面に積層されて前記導通部と導通していることを特徴とする。

また、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板の一方面側に第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、前記第１絶縁膜上に金属または金属化合物からなる金属材料層を形成する金属材料層形成工程と、前記金属材料層の表面にレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程と、前記レジストマスクを介して前記金属材料層をエッチングしてハードマスクを形成する第１エッチング工程と、前記ハードマスクから露出する前記第１絶縁膜の表面をエッチングして、前記第１絶縁膜の表面上で突出し、先端面に前記ハードマスクが残る柱状凸部を形成する柱状凸部形成工程と、前記柱状凸部の形成領域を含む前記第１絶縁膜上に導電層を形成する導電層形成工程と、前記導電層上に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、前記第２絶縁膜を表面側から除去して、前記導電層の前記柱状凸部に平面視で重なる部分を、導通部として前記第２絶縁膜の表面から露出させる導通部露出工程と、前記導通部の露出領域を含む前記第２絶縁膜上に画素電極を形成する画素電極形成工程と、を有していることを特徴とする。

本発明では、画素電極と基板との間に設けられた第１絶縁膜には、画素電極と重なる位置に画素電極に向けて突出した柱状凸部が形成されており、かかる柱状凸部の先端面には、金属材料層を介して導電層の導通部が重なっている。また、導電層と画素電極との間には第２絶縁膜が設けられているが、かかる第２絶縁膜の画素電極側の面では導通部が露出している。このため、第２絶縁膜上に画素電極を積層すると、画素電極は導通部と導通する。従って、絶縁膜に形成したコンタクトホールを利用して画素電極と導電層とを導通させる構造に比して、コンタクト部の平面サイズが小さく済むとともに、画素電極の表面に大きな凹凸が発生することもない。また、導電層や絶縁膜等といった電気光学装置に他の目的で形成されている膜を利用して画素電極の導通を行うことができ、プラグ用の特殊な金属を厚く蒸着する必要がない。さらに、柱状凸部の先端面に形成された金属材料層は、製造工程において第１絶縁膜に対するハードマスクとして機能するため、柱状凸部の先端には十分な面積を備えた先端面が形成される。このため、導通部は、金属材料層上の平坦面に形成され、それ故、導通部の表面が平坦面である。よって、画素電極と導電層の導通部とが広い面積で接続するので、接続抵抗が低い。

本発明に係る電気光学装置において、前記導通部の前記画素電極側の面と前記第２絶縁膜の前記画素電極側の面とは、連続した平坦面を形成していることが好ましい。すなわち、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記導通部露出工程では、研磨により、前記第２絶縁膜を表面側から除去することが好ましい。かかる構成によれば、画素電極を平坦面上に形成することができる。

本発明において、前記金属材料層は導電性を有し、前記導通部は、前記金属材料層に直接、重なっていることが好ましい。かかる構成によれば、導通部の下層には、導電性の金属材料層が重なっている。従って、導通部を露出させた際、導通部の表面が過剰に除去されても、導通部と画素電極との接続抵抗が低い。

本発明において、前記金属材料層は光吸収性を有していることが好ましい。かかる構成によれば、柱状凸部を形成するためのレジストマスクを形成する際、下層側には、光吸収性の金属材料層が形成されている。このため、レジストマスクを形成するための露光の際、下層側からの反射がないので、レジストマスクを適正な位置に形成することができる。従って、柱状凸部を適正な位置に適正な平面形状で形成することができる。それ故、画素電極と導電層とのコンタクト部分を適正な位置に適正な平面形状で形成することができる。

本発明に係る電気光学装置において、前記導通部における前記導電層の層厚は、前記画素電極と平面視で重なる領域のうち、前記導通部以外の前記導電層の層厚より薄いことが好ましい。すなわち、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記導通部露出工程では、前記導電層の表面が除去されるまで研磨して前記導通部を露出させることが好ましい。かかる構成によれば、導通部を確実に露出させることができる。

本発明において、電気光学装置を液晶装置として構成する場合、前記基板は、前記一方面側に対向配置された対向基板との間に液晶層を保持する構成となる。

本発明を適用した電気光学装置は、各種電子機器において直視型表示装置等の各種の表示装置に用いることができる。また、本発明を適用した電気光学装置は、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。かかる投射型表示装置は、本発明を適用した電気光学装置に照射される照明光を出射する光源部と、前記電気光学装置により変調された光を投射する投射光学系と、を有している。

本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。 本発明を適用した電気光学装置に用いた液晶パネルの説明図である。 本発明を適用した電気光学装置の画素の説明図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造工程の要部を示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造工程の要部を示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造工程の要部を示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置およびその製造方法において、ハードマスクを用いたことの効果を示す説明図である。 本発明の別の実施の形態に係る電気光学装置およびその製造方法において、ハードマスクを用いたことの効果等を示す説明図である。 本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、各種の電気光学装置のうち、液晶装置およびその製造方法において、画素電極９ａと第２電極層７ａ（導電層）とを導通させる場合に本発明を適用した例を中心に説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、画素トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、本説明では、画素電極が接続されている側（画素側ソースドレイン領域）をドレインとし、データ線が接続されている側（データ線側ソースドレイン領域）をソースとする。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側（対向基板が位置する側とは反対側）を意味する。

［電気光学装置（液晶装置）の説明］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。なお、図１は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であるため、容量電極層等が延在している方向等、レイアウトについては模式的に示してある。

図１において、本形態の電気光学装置１００（液晶装置）は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。

素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨る第１電極層５ａが容量電極層として形成されている。本形態において、第１電極層５ａは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃに導通している。

（液晶パネル１００ｐの構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。

図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０（電気光学装置用の素子基板）と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。

かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画像表示領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０において、画像表示領域１０ａの外側では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。

詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、一方面１０ｓ側では、画像表示領域１０ａに、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。

また、素子基板１０の一方面１０ｓ側において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂ（図２（ｂ）参照）が形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。

対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域と重なる領域等にブラックマトリクス部として形成されることもある。

このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる領域に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。かかる基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１０９を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。

かかる構成の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯやＩＺＯ等の透光性の導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極２１をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。電気光学装置１００が反射型である場合、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。電気光学装置１００が透過型である場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。

電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差フィルムや偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。

本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。

（画素の具体的構成）
図３は、本発明を適用した電気光学装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、素子基板１０において隣り合う画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、各領域を以下の線で表してある。
走査線３ａ＝太い実線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂ＝一点鎖線
第１電極層５ａおよび中継電極５ｂ＝細くて長い破線
第２電極層７ａ＝二点鎖線
画素電極９ａ＝太くて短い破線

図３（ａ）に示すように、素子基板１０には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた縦横の画素間領域１０ｆと重なる領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。より具体的には、画素間領域１０ｆのうち、第１方向（Ｘ方向）に延在する第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿って走査線３ａが延在し、第２方向（Ｙ方向）に延在する第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿ってデータ線６ａが延在している。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。素子基板１０には、データ線６ａと重なるように、図１を参照して説明した第１電極層５ａ（容量電極層）が形成されている。

図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗ、基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面側）に形成された共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。

素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる走査線３ａが形成されている。本形態において、走査線３ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ_x）等の遮光性導電膜から構成されており、画素トランジスター３０に対する遮光膜としても機能している。本形態において、走査線３ａは、膜厚が２００ｎｍ程度のタングステンシリサイドからなる。なお、基板本体１０ｗと走査線３ａとの間には、シリコン酸化膜等の絶縁膜が設けられることもある。

基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、走査線３ａの上層側には、シリコン酸化膜等の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、例えば、テトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）を用いた減圧ＣＶＤ法やテトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜と、高温ＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜（ＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜）との２層構造を有している。

画素トランジスター３０は、走査線３ａとデータ線６ａとの交差領域において走査線３ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えている。また、画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域１ｂ1、１ｃ1を備え、低濃度領域１ｂ1、１ｃ1に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域１ｂ2、１ｃ2を備えている。

半導体層１ａは、多結晶シリコン膜等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜等からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなり、半導体層１ａの両側において、第２ゲート絶縁層２ｂおよび絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ａ、１２ｂを介して走査線３ａに導通している。本形態において、ゲート電極３ｃは、膜厚が１００ｎｍ程度の導電性のポリシリコン膜と、膜厚が１００ｎｍ程度のタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。

なお、本形態では、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止することを目的に、走査線３ａを遮光膜により形成してある。但し、走査線をゲート絶縁層２の上層に形成し、その一部をゲート電極３ｃとしてもよい。この場合、図３に示す走査線３ａは、遮光のみを目的として形成されることになる。

ゲート電極３ｃの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成されており、層間絶縁膜４１の上層には、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂが同一種類の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４１は、例えば、シランガス（ＳＨ₄）と亜酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）とを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。

データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、膜厚が２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜、膜厚が５０ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）膜、膜厚が３５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜、膜厚が１５０ｎｍのＴｉＮ膜をこの順に積層してなる４層構造を有している。データ線６ａは、層間絶縁膜４１および第２ゲート絶縁層２ｂを貫通するコンタクトホール４１ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。ドレイン電極６ｂは、第１画素間領域１０ｇと重なる領域において、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１および第２ゲート絶縁層２ｂを貫通するコンタクトホール４１ｂを介してドレイン領域１ｃに導通している。

データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成されている。層間絶縁膜４２は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。

層間絶縁膜４２の上層側には、第１電極層５ａおよび中継電極５ｂが同一種類の導電膜によって形成されている。第１電極層５ａおよび中継電極５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、第１電極層５ａおよび中継電極５ｂは、膜厚が３５０ｎｍ程度のＡｌ膜と、膜厚が１５０ｎｍ程度のＴｉＮ膜との２層構造を有している。第１電極層５ａは、データ線６ａと同様、第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿って延在している。中継電極５ｂは、第１画素間領域１０ｇと重なる領域において、ドレイン電極６ｂと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してドレイン電極６ｂに導通している。

第１電極層５ａおよび中継電極５ｂの上層側にはシリコン酸化膜等の透光性の絶縁膜４４（第１絶縁膜）がエッチングストッパー層として形成されており、かかる絶縁膜４４には、第１電極層５ａと重なる領域に開口部４４ｂが形成されている。本形態において、絶縁膜４４は、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。ここで、開口部４４ｂは、図３（ａ）では図示を省略するが、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点として第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿って延在する部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点として第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿って延在する部分とを備えたＬ字形状に形成されている。

絶縁膜４４の上層側には透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には第２電極層７ａが形成されている。第２電極層７ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、第２電極層７ａは、膜厚が３００ｎｍ程度のＴｉＮ膜からなる。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。第２電極層７ａは、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点として第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿って延在する部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域を起点として第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿って延在する部分とを備えたＬ字形状に形成されている。従って、第２電極層７ａのうち、第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿って延在する部分は、絶縁膜４４の開口部４４ｂにおいて、誘電体層４０を介して第１電極層５ａに重なっている。このようにして、本形態では、第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａは、第１画素間領域１０ｇと重なる領域に蓄積容量５５を構成している。

また、第２電極層７ａにおいて、第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿って延在する部分は、中継電極５ｂと部分的に重なっており、誘電体層４０および絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極５ｂに導通している。

第２電極層７ａの上層側には透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、層間絶縁膜４５の上層側には、膜厚が２０ｎｍ程度のＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。画素電極９ａは、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域の近傍で第２電極層７ａと部分的に重なっており、後述するコンタクト部分９ｔにおいて、画素電極９ａと第２電極層７ａとが導通している。

画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。

対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。

なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。

（画素電極９ａ周辺の詳細構成）
本形態の電気光学装置１００において、画素電極９ａと第２電極層７ａとを導通させるコンタクト部分９ｔを形成するにあたって、まず、絶縁膜４４（第１絶縁膜）において画素電極９ａと重なる位置には画素電極９ａに向けて突出した柱状凸部４４０が形成されている。

本形態では、柱状凸部４４０の先端面には、金属または金属化合物からなる金属材料層８ａが形成されており、かかる金属材料層８ａは、柱状凸部４４０を形成する際にハードマスク８ｂとして利用された層である。このため、金属材料層８ａは、柱状凸部４４０の先端面と同一形状をもって先端面に重なっているが、柱状凸部４４０の側面および柱状凸部４４０の先端面の周囲には重なっていない。本形態において、金属材料層８ａは、ＴｉＮ膜からなり、導電性を有している。本形態において、金属材料層８ａは、例えば、膜厚が３００ｎｍ程度である。

第２電極層７ａ（導電層）は、柱状凸部４４０および金属材料層８ａと重なる領域まで形成されており、第２電極層７ａにおいて柱状凸部４４０および金属材料層８ａに平面視で重なる部分は、画素電極９ａと導通する導通部７ｔになっている。第２電極層７ａ上には層間絶縁膜４５（第２絶縁膜）が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の表面４５０では、導通部７ｔの表面７ｓが露出している。従って、層間絶縁膜４５の表面４５０に形成された画素電極９ａは、導通部７ｔの表面７ｓと接し、第２電極層７ａに導通している。

ここで、層間絶縁膜４５の表面４５０は平坦面になっているとともに、層間絶縁膜４５の表面４５０と導通部７ｔの表面７ｓとは連続した平面を形成している。このため、画素電極９ａは平坦面上に形成されており、それ故、画素電極９ａの表面は平坦である。従って、配向膜１６は、画素電極９ａの表面では平坦面上に形成されている。

本形態では、柱状凸部４４０は、第１電極層５ａおよびデータ線６ａと平面視で重なる位置に形成されている。このため、柱状凸部４４０は、第１電極層５ａの膜厚分、およびデータ線６ａの膜厚分は上方に位置している。

また、本形態では、第１方向（Ｘ方向）で隣り合う画素電極９ａの間（第２画素間領域１０ｈ）と重なる領域には、共通電位Ｖcomが印加された第１電極層５ａ、および画素電極９ａと同一の電位Ｖsigが印加された第２電極層７ａが形成されているが、第２電極層７ａは、第１電極層５ａより上層側（画素電極９ａの側）に位置する。また、第２方向（Ｙ方向）で隣り合う画素電極９ａの間（第１画素間領域１０ｇ）と重なる領域には、走査信号が印加された走査線３ａ、および画素電極９ａと同一の電位Ｖsigが印加された第２電極層７ａが形成されているが、第２電極層７ａは、走査線３ａより上層側（画素電極９ａの側）に位置する。

（電気光学装置１００の製造方法）
図４、図５および図６は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造工程の要部を示す説明図である。なお、以下に説明する工程は、素子基板１０を多数取りできる大型基板の状態で行われるが、以下の説明では、サイズにかかわらず、素子基板１０として説明する。また、以下の説明では、第１電極層５ａを形成するまでは周知の方法を採用することができるので、説明を省略する。

本形態の電気光学装置１００の製造工程のうち、素子基板１０を形成する工程では、周知の方法により、図４（ａ）に示すように、第１電極層５ａおよび中継電極５ｂを形成した後、第１絶縁膜形成工程において、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により、膜厚が６００ｎｍ程度のシリコン酸化膜からなる絶縁膜４４（第１絶縁膜）を形成する。第１電極層５ａは、例えば、膜厚が３５０ｎｍ程度のＡｌ膜と、膜厚が１５０ｎｍ程度のＴｉＮ膜との２層構造を有している。

次に、図４（ｂ）〜（ｅ）に示す柱状凸部形成工程により、図４（ｅ）に示すように、絶縁膜４４に柱状凸部４４０を形成する。かかる柱状凸部形成工程において、本形態では、図４（ｂ）に示す金属材料層形成工程において、絶縁膜４４上に金属または金属化合物からなる金属材料層８を形成する。本形態では、金属材料層８としては、膜厚が３００ｎｍ程度のＴｉＮ膜を形成する。

次に、図４（ｃ）に示すレジストマスク形成工程では、金属材料層８の表面のうち、画素電極９ａを形成すべき領域と重なる位置にレジストマスク４４ｒを形成する。

次に、図４（ｄ）に示す第１エッチング工程において、金属材料層８のうち、レジストマスク４４ｒから露出している部分をエッチングし、金属材料層８をパターニングする。その結果、金属材料層８ａからなるハードマスク８ｂが形成される。

次に、図４（ｅ）に示す第２エッチング工程において、絶縁膜４４の表面のうち、レジストマスク４４ｒおよびハードマスク８ｂから露出している領域をエッチングし、柱状凸部４４０を形成する。かかるエッチングとしては、ＣＦ₄（四フッ化炭素）やＣＨＦ₃（三フッ化メタン）等のフッ素系のガスを用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング／Reactive Ion Etching）等を利用することができ、かかるエッチングは、エッチング異方性が高いとともに、エッチング量の制御が容易である。それ故、絶縁膜４４に柱状凸部４４０を容易かつ確実に形成することができる。かかる第２エッチング工程が終了した時点では、柱状凸部４４０の先端面に金属材料層８ａからなるハードマスク８ｂが残るが、金属材料層８ａは柱状凸部４４０の側面および柱状凸部４４０の先端面の周囲には重なっていない。また、第２エッチング工程が終了した時点において、レジストマスク４４ｒはハードマスク８ｂ上から完全に除去される場合がある他、ハードマスク８ｂ上に一部が残る場合もある。レジストマスク４４ｒがハードマスク８ｂ上に残った場合、第２エッチング工程の後、レジストマスク４４ｒを除去する。

次に、図５（ａ）に示す開口部形成工程では、開口部４４ｂを形成すべき領域で開口するマスク４４ｓを絶縁膜４４の表面に形成し、この状態で、絶縁膜４４をエッチングして開口部４４ｂを形成する。

次に、図５（ｂ）に示す誘電体層形成工程では、絶縁膜４４の上層側に誘電体層４０を形成する。

次に、図５（ｃ）に示すコンタクトホール形成工程では、コンタクトホール４４ａを形成すべき領域で開口するマスク４４ｔを誘電体層４０の表面に形成し、この状態で、誘電体層４０および絶縁膜４４をエッチングして、中継電極５ｂと重なる位置にコンタクトホール４４ａを形成する。

次に、図５（ｄ）に示す導電層形成工程では、誘電体層４０の表面に導電層７を形成した後、図６（ａ）に示すように、第２電極層７ａを形成すべき領域にマスク７ｒを形成し、この状態で誘電体層４０および導電層７をエッチングして第２電極層７ａを形成する。その際、第２電極層７ａのうち、柱状凸部４４０および金属材料層８ａ（ハードマスク８ｂ）に重なる部分が導通部７ｔである。かかる工程を行う際、第２電極層７ａの端部と重なる位置には絶縁膜４４がエッチングストッパー層として存在する。このため、誘電体層４０が薄くても、第１電極層５ａと第２電極層７ａとの間での短絡を絶縁膜４４によって防止することができる。本形態において、第２電極層７ａは、例えば、膜厚が３００ｎｍ程度のＴｉＮ膜からなる。

次に、図６（ｂ）に示す第２絶縁膜形成工程では、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により、膜厚が２０００ｎｍ程度のシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４５（第２絶縁膜）を形成する。

次に、図６（ｃ）に示す導通部露出工程では、層間絶縁膜４５を表面４５０側から除去して第２電極層７ａの導通部７ｔの表面７ｓを露出させる。かかる導通部露出工程では、例えば、層間絶縁膜４５の表面を研磨する。かかる研磨工程においては、化学機械研磨を利用でき、化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と素子基板１０との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、素子基板１０を保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と素子基板１０との間に供給する。その結果、層間絶縁膜４５の表面４５０は平坦面になるとともに、層間絶縁膜４５の表面４５０と導通部７ｔの表面７ｓとは連続した平面を形成する。

また、層間絶縁膜４５を表面４５０側から除去して第２電極層７ａの導通部７ｔの表面７ｓを露出させるにあたっては、いわゆるエッチバック法を採用してもよい。かかるエッチバック法では、層間絶縁膜４５の表面に樹脂層を形成した後、導通部７ｔの表面７ｓが露出するまで、樹脂層と層間絶縁膜４５とを同一のエッチング速度でドライエッチングする。

かかる導通部露出工程では、例えば、第２電極層７ａの導通部７ｔの表面７ｓが一部除去される程度に研磨を行えば、第２電極層７ａの導通部７ｔの表面７ｓを確実に露出させることができる。この場合、導通部７ｔにおける第２電極層７ａの層厚は、導通部７ｔ以外の第２電極層７ａの層厚より薄くなる。

次に、画素電極形成工程では、図６（ｄ）に示すように、スパッタ法等により、層間絶縁膜４５の表面４５０に、膜厚が２０ｎｍ程度のＩＴＯ膜等の画素電極用導電膜９を形成した後、図６（ｅ）に示すように、画素電極９ａを形成すべき領域にマスク９ｒを形成し、この状態で画素電極用導電膜９をエッチングして画素電極９ａを形成する。その結果、画素電極９ａは、第２電極層７ａの導通部７ｔの表面７ｓに接し、第２電極層７ａと導通した状態となる。

しかる後に、図３に示すように配向膜１６を形成する。なお、それ以降の工程は、周知の方法を利用できるので、説明を省略する。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００およびその製造方法では、画素電極９ａの下層側（画素電極９ａと基板本体１０ｗとの間）に設けられた絶縁膜４４（第１絶縁膜）には、画素電極９ａと重なる位置に画素電極９ａに向けて突出した柱状凸部４４０が形成されており、かかる柱状凸部４４０の先端面には、第２電極層７ａ（導電層）の導通部７ｔが金属材料層８ａを介して重なっている。また、第２電極層７ａと画素電極９ａとの間には層間絶縁膜４５（第２絶縁膜）が設けられているが、かかる層間絶縁膜４５の表面４５０では導通部７ｔが露出している。このため、層間絶縁膜４５に画素電極９ａを積層すると、画素電極９ａは、導通部７ｔと導通する。このため、絶縁膜に形成したコンタクトホールを利用して画素電極と導電層とを導通させる構造に比して、コンタクト部の平面サイズが小さく済むとともに、画素電極９ａの表面に大きな凹凸が発生することもない。また、第２電極層７ａ（ＴｉＮ膜）や絶縁膜（絶縁膜４４および層間絶縁膜４５）等といった電気光学装置１００に他の目的で形成されている膜を利用して画素電極９ａの導通を行うことができる。すなわち、蓄積容量５５を構成する第２電極層７ａやエッチングストッパー層としての絶縁膜４４を利用して画素電極９ａの導通を行うことができる。それ故、本形態によれば、プラグ用の特殊な金属を厚く蒸着する必要がない等の利点がある。

また、本形態において、導通部７ｔの表面７ｓと層間絶縁膜４５の表面４５０とは、連続した平坦面を形成しているため、画素電極９ａを平坦面上に形成することができる。それ故、画素電極９ａの表面は平坦である。従って、配向膜１６を画素電極９ａの表面では平坦面上に形成することができ、配向膜１６を好適に形成することができる。また、柱状凸部４４０は、第１電極層５ａおよびデータ線６ａと平面視で重なる位置に形成されている。このため、柱状凸部４４０は、第１電極層５ａの膜厚分、およびデータ線６ａの膜厚分は上方に位置しているため、層間絶縁膜４５の表面で導通部７ｔを露出させやすい等、画素電極９ａのコンタクト部分９ｔを形成するのに適している。

また、図４（ｃ）に示すレジストマスク形成工程において、レジストマスク４４ｒを形成する際、下層側には、ＴｉＮ膜からなる光吸収性の金属材料層８ａが形成されている。このため、レジストマスク４４ｒを形成するための露光の際、下層側からの反射がないので、レジストマスク４４ｒを適正な位置に形成することができる。従って、柱状凸部４４０を適正な位置に適正な平面形状で形成することができる。それ故、画素電極９ａと第２電極層７ａとのコンタクト部分９ｔを適正な位置に適正な平面形状で形成することができる。さらに、本形態では、ハードマスク８ｂを利用して柱状凸部４４０を形成したため、図７を参照して説明する以下の効果を奏する。

（ハードマスク８ｂによる効果）
図７は、本発明を適用した電気光学装置１００およびその製造方法において、ハードマスク８ｂを用いたことの効果を示す説明図である。なお、図７（ａ−１）〜（ａ−３）は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造方法において、レジストマスク形成工程を行った後の状態、第２エッチング工程を行った後の状態、および画素電極形成工程を行った後の状態を模式的に拡大して示す説明図である。また、図７（ｂ−１）〜（ｂ−３）は、本発明の比較例に係る電気光学装置１００の製造方法において、レジストマスク形成工程を行った後の状態、第２エッチング工程を行った後の状態、および画素電極形成工程を行った後の状態を模式的に拡大して示す説明図である。

本発明の上記実施の形態に係る電気光学装置１００の製造方法では、図７（ａ−１）に示すように、レジストマスク４４ｒの下層にハードマスク８ｂが形成されているため、図７（ａ−２）に示すように、柱状凸部４４０を形成した際、柱状凸部４４０の先端には十分な面積を備えた先端面が形成される。このため、図７（ａ−３）に示すように、導通部７ｔは、ハードマスク８ｂとして用いた金属材料層８ａ上の平坦面に形成されるので、導通部７ｔの表面７ｓが平坦面である。それ故、画素電極９ａと第２電極層７ａ（導電層）の導通部７ｔとが広い面積で接続するので、接続抵抗が低い。それ故、本発明によれば、画素電極９ａと第２電極層７ａ（導電層）との電気的な接続が確実である。

これに対して、図７（ｂ−１）に示す比較例のように、レジストマスク４４ｒの下層にハードマスク８ｂが形成されていない場合、図７（ｂ−２）に示すように、柱状凸部４４０を形成する際にレジストマスク４４ｒが次第に消失する結果、柱状凸部４４０の先端は湾曲した形状になってしまう。このため、図７（ｂ−３）に示すように、導通部７ｔの表面７ｓが湾曲した形状となる。このため、層間絶縁膜４５を表面側から除去して第２電極層７ａの導通部７ｔの表面７ｓを露出させる際の除去量が少ないと、画素電極９ａと第２電極層７ａ（導電層）の導通部７ｔとの接触面積が狭く、接続抵抗が高くなってしまう。

［別の実施の形態］
図８は、本発明の別の実施の形態に係る電気光学装置１００およびその製造方法において、ハードマスク８ｂを用いたことの効果等を示す説明図である。なお、図８（ａ−１）〜（ａ−４）は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造方法において、レジストマスク形成工程を行った後の状態、第２エッチング工程を行った後の状態、画素電極形成工程を行った後の状態、および層間絶縁膜４５を研磨する量が多かった場合に画素電極形成工程を行った後の状態を模式的に拡大して示す説明図である。また、図８（ｂ−１）〜（ｂ−４）は、本発明の比較例に係る電気光学装置１００の製造方法において、レジストマスク形成工程を行った後の状態、第２エッチング工程を行った後の状態、画素電極形成工程を行った後の状態、および層間絶縁膜４５を研磨する量が多かった場合に画素電極形成工程を行った後の状態を模式的に拡大して示す説明図である。

本形態では、図８（ａ−１）、および図８（ａ−２）に示すように、柱状凸部４４０を形成する際、レジストマスク４４ｒの下層にハードマスク８ｂが形成されている。本形態では、図８（ａ−３）に示すように、導通部７ｔとハードマスク８ｂとして利用した金属材料層８ａとの間に誘電体層４０（図３参照）が形成されておらず、導通部７ｔは、金属材料層８ａに直接、重なっている。かかる構成でも、柱状凸部４４０の先端には十分な面積を備えた先端面が形成される。このため、導通部７ｔは、ハードマスク８ｂとして用いた金属材料層８ａ上の平坦面に形成されるので、導通部７ｔの表面７ｓが平坦面である。それ故、画素電極９ａと第２電極層７ａ（導電層）の導通部７ｔとが広い面積で接続するので、接続抵抗が低い。

本形態では、図６（ｃ）に示す導通部露出工程において、第２電極層７ａの導通部７ｔを露出させる際、第２電極層７ａの表面７ｓが一部除去される程度に研磨を行い、第２電極層７ａの導通部７ｔの表面７ｓを確実に露出させる。この場合、導通部７ｔにおける第２電極層７ａの層厚は、導通部７ｔ以外の第２電極層７ａの層厚より薄くなる。

かかる構成を採用すると、層間絶縁膜４５を研磨する量が多すぎて、金属材料層８ａと重なる導電部７ｔが消失してしまうおそれがあるが、ハードマスク８ｂとして利用した金属材料層８ａは導電性を有している。しかも、金属材料層８ａおよび第２電極層７ａはいずれも同一材料（ＴｉＮ膜）からなる。このため、層間絶縁膜４５を研磨する量が多すぎて、金属材料層８ａと重なる導通部７ｔが消失してしまった場合でも、図８（ａ−４）に示す画素電極９ａは、金属材料層８ａを介して第２電極層７ａ（導電層）と接続するので、接続抵抗が低い。それ故、本発明によれば、画素電極９ａと第２電極層７ａ（導電層）との電気的な接続が確実である。

これに対して、図８（ｂ−１）に示す比較例のように、レジストマスク４４ｒの下層にハードマスク８ｂが形成されていない場合、図８（ｂ−２）に示すように、柱状凸部４４０を形成する際にレジストマスク４４ｒが次第に消失する結果、柱状凸部４４０の先端は湾曲した形状になってしまう。このため、図８（ｂ−３）に示すように、導通部７ｔの表面が湾曲した形状となる。このため、層間絶縁膜４５を表面側から除去して第２電極層７ａの導通部７ｔの表面を露出させる際の除去量が少ないと、画素電極９ａと第２電極層７ａ（導電層）の導通部７ｔとの接触面積が狭く、接続抵抗が高くなってしまう。

また、比較例の場合、図６（ｃ）に示す導通部露出工程において、層間絶縁膜４５を研磨する量が多すぎると、図８（ｂ−４）に示すように、画素電極９ａは、第２電極層７ａ（導電層）の膜厚分でしか接続しないため、画素電極９ａと第２電極層７ａ（導電層）とが略オープン状態となってしまう。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、金属材料層８ａと第２電極層７ａとが同一材料（ＴｉＮ膜）であったが、金属材料層８ａと第２電極層７ａとが異なる材料であってもよい。

上記実施の形態では、透過型の電気光学装置１００に本発明を適用した例を説明したが、反射型の電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。

また、上記実施の形態では、電気光学装置１００に本発明を適用した例を説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置等、電気光学装置１００以外の電気光学装置に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図９は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図であり、図９（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の説明図である。

図９（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、液晶パネルとして透過型の液晶パネルを用いた例であるのに対して、図９（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、液晶パネルとして反射型の液晶パネルを用いた例である。但し、以下に説明するように、投射型表示装置１１０、１０００はいずれも、光源部１３０、１０２１と、光源部１３０、１０２１から互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置１００と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）と、光合成光学系により合成された光を投射する投射光学系１１８、１０２９とを有している。また、投射型表示装置１１０、１０００においては、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）を備えた光学ユニット２００が用いられている。

（投射型表示装置の第１例）
図９（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えている。

光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。

ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。

液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。

λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。

λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。

リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。

なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。

（投射型表示装置の第２例）
図９（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。

かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。

色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）に入射する。

また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。

これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。

このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。

（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。

７ａ・・第２電極層（導電層）、７ｓ・・導通部の表面、７ｔ・・導通部、８、８ａ・・金属材料層、８ｂ・・ハードマスク、９ａ・・画素電極、９ｔ・・コンタクト部分、１０・・素子基板、１０ｆ・・画素間領域、１０ｗ・・基板本体、３０・・画素トランジスター、４４・・絶縁膜（第１絶縁膜）、４４ｒ・・レジストマスク、４５・・層間絶縁膜（第２絶縁膜）、１００・・電気光学装置、１１０、１０００・・投射型表示装置、４４０・・柱状凸部、４５０・・層間絶縁膜の表面

Claims (11)

1. 基板の一方面側に設けられた複数の画素電極と、
   前記基板と前記画素電極との間に設けられ、前記画素電極と平面視で重なる位置に前記画素電極に向けて突出した柱状凸部を備えた第１絶縁膜と、
   金属または金属化合物からなり、前記柱状凸部の先端面に設けられ、当該先端面の周囲には形成されていない金属材料層と、
   該金属材料層と前記画素電極との間に設けられ、前記金属材料層に重なる導通部を備えた導電層と、
   前記導電層と前記画素電極との間に設けられ、前記画素電極側の面で前記導通部を露出させる第２絶縁膜と、
   を有し、
   前記画素電極は、前記第２絶縁膜の当該画素電極側の面に積層されて前記導通部と導通していることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記導通部の前記画素電極側の面と前記第２絶縁膜の前記画素電極側の面とは、連続した平坦面を形成していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記金属材料層は導電性を有し、
   前記導通部は、前記金属材料層に直接、重なっていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記導通部における前記導電層の層厚は、前記画素電極と平面視で重なる領域のうち、前記導通部以外の前記導電層の層厚より薄いことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記金属材料層は光吸収性を有していることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記基板は、前記一方面側に対向配置された対向基板との間に液晶層を保持することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
7. 基板の一方面側に第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、
   前記第１絶縁膜上に金属または金属化合物からなる金属材料層を形成する金属材料層形成工程と、
   前記金属材料層の表面にレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程と、
   前記レジストマスクを介して前記金属材料層をエッチングしてハードマスクを形成する第１エッチング工程と、
   前記ハードマスクから露出する前記第１絶縁膜の表面をエッチングして、前記第１絶縁膜の表面上で突出し、先端面に前記ハードマスクが残る柱状凸部を形成する柱状凸部形成工程と、
   前記柱状凸部の形成領域を含む前記第１絶縁膜上に導電層を形成する導電層形成工程と、
   前記導電層上に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、
   前記第２絶縁膜を表面側から除去して、前記導電層の前記柱状凸部に平面視で重なる部分を、導通部として前記第２絶縁膜の表面から露出させる導通部露出工程と、
   前記導通部の露出領域を含む前記第２絶縁膜上に画素電極を形成する画素電極形成工程と、を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 前記導通部露出工程では、研磨により、前記第２絶縁膜を表面側から除去することを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
9. 前記導通部露出工程では、前記導電層の表面が除去されるまで研磨して前記導通部を露出させることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
10. 前記金属材料層は光吸収性を有していることを特徴とする請求項７乃至９の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
11. 請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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