JP5902201B2 - 磁気シールド用システム - Google Patents

Description

本発明は、荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムに関する。

半導体産業では、高精度かつ信頼性の高いより小さな構造体を製造することに関する要望が高まり続けている。荷電粒子リソグラフィは、高い要求を満たすために有望な技術である。このタイプのリソグラフィでは、荷電粒子は、代表的にはウェーハである基板のターゲット面に転写するように操作される。制御された電磁操作を使用して荷電粒子の操作が行われるため、リソグラフィシステムが外部電磁場に晒されると、荷電粒子リソグラフィの精度が低下しうる。

この理由のために、さまざまな磁場シールド技術が、外部磁場から荷電粒子リソグラフィシステムを保護するために開発されてきた。例えば、荷電粒子リソグラフィシステムは、高い透磁率を有する材料の少なくとも１つの層で囲まれることができる。しかしながら、このようなシールドは、外部場を低減させるのに十分でない可能性がある。さらに、シールドは、磁場の変動を補正することができない。

外部磁場から荷電粒子システムを保護する他の例は、所定の方向に場を発生させることができる少なくとも１つのコイル対を使用し、これにより、外部磁場が、コイルにより発生された場によって打ち消されることができる。少なくとも１つのコイル対の使用は、単一の荷電粒子システムが晒される磁場を制御するために完全かつ十分に作用することができる。しかしながら、将来の半導体産業において、複数の荷電粒子リソグラフィシステムが互いに近接して動作することが予期されている。結果として、補正場を発生させることにより、１つの荷電粒子リソグラフィシステムに対する外部場の好ましくない影響を解決することができるが、発生された補正場は、隣接している荷電粒子システムを妨害する外部場として作用する。

本発明は、性能が改良された、荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムを提供する。この目的のために、このシステムは、磁気シールド材料を含む壁を有し、前記荷電粒子リソグラフィ装置を少なくとも部分的に囲んでいる第１のチャンバと、磁気シールド材料を含む壁を有し、前記第１のチャンバを囲んでいる第２のチャンバと、前記第２のチャンバに配置され、前記第１のチャンバの側面に対向している１組の２つのコイルとを具備し、前記２つのコイルは、共通軸を有する。第２のチャンバでの２つのコイルの使用は、第１のチャンバ内の磁場の補正を可能にし、一方、システムの外部の補正磁場の影響は、第２のチャンバのシールド性能により最小に保たれる。好ましくは、システムは、コイルの組の直交系を形成するように、３組のコイルを含む。このような場合には、前記第２のチャンバは、前記第１のチャンバの側面に対向して配置され、第１の方向で共通軸を有する第１の組の２つのコイルと、前記第１のチャンバの側面に対向して配置され、前記第１の方向にほぼ垂直な第２の方向で共通軸を有する第２の組のコイルと、前記第１のチャンバの側面に対向して配置され、前記第１の方向及び前記第２の方向にほぼ垂直な第３の方向で共通軸を有する第３の組のコイルとを囲んでいる。コイルの組のこのような直交配置により、全ての方向で磁場を補正することができる。

いくつかの実施の形態では、前記共通軸にほぼ平行な方向に沿って測定された、コイルと、前記第２のチャンバの最も近い壁との間の距離が、前記コイルと前記第１のチャンバの前記最も近い壁との間の距離よりも小さい。コイルが第１のチャンバから幾分離れていれば、補正場は、それぞれの組のコイルの共通軸にほぼ平行な方向においてより均質である。前記コイルと前記第１のチャンバの前記最も近い壁との間の距離が、前記コイルと前記第２のチャンバの前記最も近い壁との間の距離の少なくとも２倍であれば、外部磁場に関するチャンバの磁気シールド能力がかなり増加する。コイルが第２のチャンバの壁の近傍に配置されたシステムで最適な均質性が得られる。

いくつかの実施の形態では、前記第１のチャンバの壁は、前記第２のチャンバの少なくとも１つの壁よりも荷電粒子リソグラフィ装置に近いように配置されている。２つのシールド壁の間のこのような距離は、少なくとも１つの壁の方向において、組み合わせられた磁気シールド能力を改良することができる。外部磁場に対する全ての方向において、システムの組み合わせた磁場シールド能力に対する最適な結果は、第１のチャンバの壁が第２のチャンバの壁よりも荷電粒子リソグラフィ装置に近いように配置されている場合に得られることができる。

いくつかの実施の形態では、前記磁気シールド材料は、約３００，０００よりも大きな比透磁率を有する材料を含む。適切な材料は、ミューメタルである。

いくつかの実施の形態では、前記第１のチャンバには、消磁構成体が設けられている。消磁構成体は、第１のチャンバ内の残留場の除去を可能にする。さらに、又は代わって、第２のチャンバに消磁構成体が設けられることができる。第２のチャンバの消磁構成体は、その中に存在する残留磁場を除去するために使用されることができる。消磁構成体は、少なくとも１つの消磁コイルを有することができる。このようなコイルは、これらが多くのスペースを占有せず、これらの適用を可能にするためにシステムをあまり改造する必要がないので、実装するのが比較的容易である。

いくつかの実施の形態では、システムは、さらに、前記第１のチャンバ内で磁場を測定するための少なくとも１つの磁場センサを有する。センサの使用は、システム内の少なくとも１つの組のコイルと（１つ又は複数の）消磁構成体との少なくとも一方の性能の監視を可能にすることができる。システムは、さらに、少なくとも１つの磁場センサによって与えられた情報に基づいてコイルを通る電流を制御するための制御システムを含むことができる。従って、外部磁場のわずかな変化が補正されることができる。このような変化は、リソグラフィ装置では、ショートストロークステージのような可動装置によってもたらされうる。このような可動装置は、それ自身のシールドを有し、このシールドは、その周りで場に沿って移動し、引っ張り、磁場の変化をもたらす。

荷電粒子リソグラフィシステムは、少なくとも１つの荷電粒子ビームを発生させるための荷電粒子源と、前記ターゲットを支持するための可動装置と、前記パターンに従って前記ターゲットへの前記少なくとも１つのビームの転写を可能にするためのパターニング装置とを具備することができる。いくつかの実施の形態では、前記第１のチャンバは、前記荷電粒子源及び前記パターニング装置を囲んでおり、前記第１のチャンバには、前記可動装置に面している側面に開口が設けられ、前記可動装置は、前記第１のチャンバの外部に位置されている。

いくつかの実施の形態では、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの少なくとも一方には、取り外し可能に取着可能なドアが設けられ、前記ドアは、少なくとも１つの接続バーによって取着可能である。取り外し可能に取着可能なドアの使用により、ユーザがそれぞれのチャンバを容易に開くことができる。好ましくは、前記少なくとも１つの接続バーは、中空である。中空バーは、軽量化されている。前記少なくとも１つの接続バーは、それぞれのチャンバの内側で前記ドアに取着するための少なくとも１つの内側バーと、それぞれのチャンバの外側で前記ドアに取着するための少なくとも１つの外側バーとを有し、前記少なくとも１つの内側バー及び前記少なくとも１つの外側バーには、これの対向している両側面に、互いにアライメントされた複数の孔が設けられ、前記少なくとも１つの内側バーと前記少なくとも１つの外側バーとは、前記外側バーの互いにアライメントされた２つの孔を通って、及び前記内側バーの対応する互いにアライメントされた孔を通って延びた接続要素を使用して、前記少なくとも１つの内側バーへの前記少なくとも１つの外側バーの接続によって互いに接続されている。このような配置は、大きな面積にわたる圧力分布との組み合わせで、ドアの比較的迅速な着脱を可能にする。前記接続要素は、ボルトであることができ、前記接続は、ナットを使用して固定されることができる。少なくとも１つのばね要素が、前記バーと前記ドアとの間に設けられることができる。

本発明のさまざまな態様が、図面に示す実施の形態を参照して説明される。

図１は、本発明の実施の形態で使用されることができるマスクレスリソグラフィシステムを概略的に示す図である。 図２ａは、本発明の一実施の形態に係る荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムを概略的に示す図である。 図２ｂは、本発明の一実施の形態に係る荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムを概略的に示す図である。 図３は、センサ構成体を有する荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムの一実施の形態の横断面図である。 図４は、センサ位置決め構成体の一実施の形態を示す図である。 図５は、センサ構成体を有する荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムの他の実施の形態の横断面図である。 図６ａは、立方体のシールドチャンバと組み合わせて使用するための消磁コイルの一実施の形態を概略的に示す図である。 図６ｂは、円筒状のシールドチャンバと組み合わせて使用するための消磁コイルの一実施の形態を概略的に示す図である。 図７ａは、ドアを有するシールドされた真空チャンバを概略的に示す正面図である。 図７ｂは、ドアを有するシールドされた真空チャンバを概略的に示す平面図である。 図８ａは、図７ａ並びに図７ｂのシールドされた真空チャンバの側壁とドアとを接続するためのバーの実施の形態を示す図である。 図８ｂは、図７ａ並びに図７ｂのシールドされた真空チャンバの側壁とドアとを接続するためのバーの実施の形態を示す図である。 図９は、図８ａ並びに図８ｂのバーを互いに接続する方法を示す図である。

以下は、図面を参照しながら単なる例として与えられる本発明のさまざまな実施の形態の説明である。図面は、スケール合わせされておらず、単に例示目的であることを意図している。

図１は、荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステム１の一実施の形態の簡略化されて示される概略図である。このようなリソグラフィシステムは、例えば、本出願人に譲渡された米国特許第６，８９７，４５８号、米国特許第６，９５８，８０４号、米国特許第７，０８４，４１４号及び米国特許第７，１２９，５０２号に開示されており、これらの内容全体が本明細書中に参照として援用される。

このようなリソグラフィシステム１は、好適には、複数の小ビームを発生させる小ビームジェネレータと、変調された小ビームを形成するためにこれら小ビームをパターニングする小ビームモジュレータと、変調された小ビームをターゲット面に投影する小ビームプロジェクタとを有する。

小ビームジェネレータは、代表的には、ソースと、少なくとも１つのビームスプリッタとを有する。図１のソースは、実質的に均質な、拡大する電子ビーム４を生成するように構成された電子源３である。電子ビーム４のビームエネルギは、好ましくは、約１ないし１０ｋｅＶの範囲で比較的低く維持される。これを達成するために、加速電圧は、好ましくは低く、また、電子源３は、接地電位でのターゲットに対して約−１０ないし−１ｋＶの電圧で維持されることができる。なお、他の設定が使用されてもよい。

図１では、電子源３からの電子ビーム４は、電子ビーム４をコリメートするためのコリメータレンズ５を通過する。コリメータレンズ５は、任意のタイプのコリメート光学系であることができる。コリメートする前に、電子ビーム４は、２つのオクトポール（図示せず）を通過することができる。

続いて、電子ビーム４は、図１の実施の形態ではアパーチャアレイ６であるビームスプリッタに衝突する。アパーチャアレイ６は、好ましくは、貫通孔を備えたプレートを有する。アパーチャアレイ６は、ビーム４の一部を遮断するように構成されている。さらに、アレイ６は、複数の平行な電子小ビーム７を生成するように、複数の小ビーム７を通過させる。

図１のリソグラフィシステム１は、非常に多くの小ビーム７を、好ましくは、約１０，０００ないし１，０００，０００の小ビームを発生させる。もちろん、これ以下又はこれ以上の小ビームが発生されることが可能である。他の既知の方法もまた、コリメートされた小ビームを発生させるために使用されうることに留意する。第２のアパーチャアレイは、電子ビーム４からサブビームを生成して、サブビームから電子小ビーム７を生成するように、システム内に追加されることができる。これは、特に、システム中の小ビームの数が５，０００以上であるとき、システムのオペレーションのために有益であることがわかっている、さらなる下流側のサブビームの操作を可能にする。

変調システム８として図１に規定される小ビームモジュレータは、代表的には、複数のブランカの構成体を含む小ビームブランカアレイ９と、小ビーム停止アレイ１０とを有する。これらブランカは、電子小ビーム７の少なくとも１つを偏向することが可能である。本発明の実施の形態では、ブランカは、特に、第１の電極と、第２の電極と、アパーチャとが設けられた静電偏向器である。そして、電極は、アパーチャを横切る電場を発生させるために、アパーチャの対向側に配置されている。一般的に、第２の電極は、接地電極、即ち接地電位に接続される電極である。

ブランカアレイ９の平面内に電子小ビームを集束させるために、リソグラフィシステムは、さらに、コンデンサレンズアレイ（図示せず）を有することができる。

図１の実施の形態では、小ビーム停止アレイ１０は、小ビームを通過させるためのアパーチャのアレイを有する。小ビーム停止アレイ１０は、その基本形態では、代表的には円形孔であるが他の形状を用いてもよい貫通孔が設けられた基板を有する。いくつかの実施の形態では、小ビーム停止アレイ１０の基板は、規則的に離間されたアレイの貫通孔を備えたシリコンウェーハから形成されており、表面帯電を防止するために金属の表層で被覆されることができる。いくつかのさらなる実施の形態において、金属は、例えば、ＣｒＭｏのような自然酸化物皮膜を形成しないタイプである。

小ビームブランカアレイ９と小ビーム停止アレイ１０とは、小ビーム７を遮断するか通過させるように協働する。いくつかの実施の形態では、小ビーム停止アレイ１０のアパーチャは、小ビームブランカアレイ９の静電偏向器のアパーチャとアライメントされている。小ビームブランカアレイ９が小ビームを偏向させると、小ビームは小ビーム停止アレイ１０の対応するアパーチャを通過しない。代わりに、小ビームは、小ビームのブロックアレイ１０の基板によって遮断される。小ビームブランカアレイ９が小ビームを偏向しなければ、小ビームは、小ビーム停止アレイ１０の対応するアパーチャを通過する。いくつかの代わりの実施の形態では、小ビームブランカアレイ９と小ビーム停止アレイ１０との協働は、ブランカアレイ９の偏向器による小ビームの偏向が、小ビーム停止アレイ１０の対応するアパーチャを通る小ビームの通路をもたらし、一方、非偏向が、小ビーム停止アレイ１０の基板による遮断をもたらす。

変調システム８は、制御ユニット６０によって与えられた入力に基づいて、小ビーム７にパターンを追加するように構成されている。制御ユニット６０は、データ記憶部６１と、読み出しユニット６２と、データ変換部６３とを有することができる。制御ユニット６０は、例えば、クリーンルームの内部の外部である、システムの残りの部分から離れて位置されることができる。光ファイバ６４を使用して、パターンデータを保持している変調された光ビーム１４は、（プレート１５として概略的に図示される）ファイバアレイ内のファイバの端部からの光を、点線の箱で概略的に図示され参照符号１８が付された、リソグラフィシステム１の電子光学部分に投影するプロジェクタ６５に送信されることができる。

図１の実施の形態では、変調された光ビームは、小ビームブランカアレイ９に投影される。特に、光ファイバ端からの変調された光ビーム１４は、小ビームブランカアレイ９に位置された対応する感光素子に投影される。感光素子は、光信号を、例えば、電気信号である異なるタイプの信号に変換するように構成されることができる。変調された光ビーム１４は、対応する受光素子に結合された少なくとも１つのブランカを制御するためにパターンデータの一部分を伝達する。好適には、対応する感光素子に光ビーム１４を投影するために、プロジェクタ６５のような光学素子が使用されることができる。さらに、適切な入射角で光ビーム１４を投影するために、例えば、好適には、プロジェクタ６５と小ビームブランカアレイ９との間に配置された鏡が含まれることができる。

プロジェクタ６５は、制御ユニット６０の制御の下でプロジェクタ位置決め装置１７によってプレート１５とアライメントされることができる。結果として、プロジェクタ６５と小ビームブランカアレイ９内の感光素子との間の距離も同様に変化することができる。

いくつかの実施の形態では、光ビームが、少なくとも部分的に、プレートから光導波路によって感光素子に向かって伝送されることができる。光導波路は、好適には、１センチメートル未満、好ましくはミリメートルのオーダで、感光素子に非常に近い位置に光を導くことができる。光導波路と、対応する感光素子との間の短い距離により、光の損失が低減されることができる。一方、荷電粒子小ビームによって占有されうる空間から離れて位置されたプレート１５及びプロジェクタ６５の使用は、小ビームの乱れが最小になり、また、小ビームブランカアレイ９の構成はそれほど複雑ではないという利点を有する。

小ビームモジュレータから出てくる変調された小ビームは、小ビームプロジェクタによってターゲット２４のターゲット面１３上にスポットとして投影される。小ビームプロジェクタは、代表的には、変調されたビームをターゲット面１３上で走査するための走査偏向器と、変調された小ビームをターゲット面１３上に集束させる投影レンズ系とを有する。これらの構成要素は、単一のエンドモジュール内に存在してもよい。

このようなエンドモジュールは、好ましくは、挿入可能で交換可能なユニットとして構成されている。従って、エンドモジュールは、偏向器アレイ１１と、投影レンズ構成体１２とを有することができる。挿入可能で交換可能なユニットはまた、小ビームモジュレータを参照して上述したような小ビーム停止アレイ１０を含むことができる。エンドモジュールを出た後、小ビーム７は、ターゲット面に位置されたターゲット面１３に衝突する。リソグラフィアプリケーションでは、ターゲットは、通常、荷電粒子感光層、即ちレジスト層が設けられたウェーハを有する。

偏向器アレイ１１は、小ビーム停止アレイ１０を通過した各小ビーム７を偏向するように構成された走査偏向器アレイの形態を取ることができる。偏向器アレイ１１は、比較的小さな駆動電圧の印加を可能にする複数の静電偏向器を有することができる。偏向器アレイ１１は、投影レンズ構成体１２の上流に描かれているが、偏向器アレイ１１は、投影レンズ構成体１２とターゲット面１３との間に配置することができる。

投影レンズ構成体１２は、偏向器アレイ１１によって偏向前又は後に小ビーム７を集束させるように構成されている。好ましくは、集束は、直径約１０ないし３０ナノメートルの幾何学的なスポットサイズである。このような好ましい実施の形態において、投影レンズ構成体１２は、好ましくは、約１００ないし５００倍、より好ましくは、できるだけ大きく、例えば、３００ないし５００倍の縮小を与えるように構成されている。この好ましい実施の形態では、投影レンズ構成体１２は、効果的には、ターゲット面１３に近接して配置されることができる。

いくつかの実施の形態では、ビームプロテクタ（図示しない）が、ターゲット面１３と投影レンズ構成体１２との間に配置されることができる。ビームプロテクタは、適切に配置された複数のアパーチャが設けられフォイル又はプレートであることができる。ビームプロテクタは、放出されたレジスト粒子がリソグラフィシステム１内の感光素子に到達する前にこれらレジスト粒子を吸収するように構成されている。

このように、投影レンズ構成体１２は、ターゲット面１３上の単一画素のスポットサイズが正しいことを確実にすることができ、また、偏向器アレイ１１は、ターゲット面１３上の画素の位置がマイクロスケールで正しいことを適切な走査動作によって確実にすることができる。特に、偏向器アレイ１１の動作は、画素がターゲット面１３上のパターンを最終的に構成する画素のグリッドに適合するようになっている。これにより、ターゲット面１３上の画素のマクロスケールの位置決めが、ターゲット２４の下にあるウェーハ位置決めシステムによって適切に与えられることが理解される。

一般に、ターゲット面１３は、基板の上部にレジスト膜を有する。レジスト膜の部分は、荷電粒子、即ち電子の小ビームの適用によって化学的に変更される。その結果として、膜の照射された部分は、現像液で多かれ少なかれ溶解可能であり、ウェーハ上にレジストパターンをもたらす。ウェーハ上のレジストパターンは、半導体製造の分野で周知であるような、インプリメンテーション、エッチング、蒸着工程などによって、下層に転写されることができる。照射が均一でないと、明らかに、一様でないレジストができ、パターンのミスにつながる。それ故、高品質の投影が、再生可能な結果を与えるリソグラフィシステムを得ることに関連している。照射の差は偏向工程に起因すべきである。

図２ａ並びに図２ｂは、本発明の一実施の形態に係る荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステム１００を概略的に示す図である。図２ａ並びに図２ｂは、各々、明確化のために、システム１００内の異なる特徴を示している。システム１００は、シリンダ１１０によって表される、荷電粒子リソグラフィ装置を囲んでいる第１のチャンバ１０１を有する。システム１００はさらに、第１のチャンバ１０１を囲んでいる第２のチャンバ１０２を含む。第１のチャンバ１０１及び第２のチャンバ１０２は、真空チャンバ又はその部分である。第１のチャンバ１０１及び第２のチャンバ１０２は、磁気シールド材料、即ち、高透磁率を有する材料、即ち、約２０，０００よりも大きい透磁率を有する材料を含む壁を有する。好ましくは、磁気シールド材料は、約３００，０００よりも大きい透磁率を有する。好ましくは、磁気シールド材料は、低い残留磁束密度を有する。磁気シールド材料の例は、これらに限定されるものではないが、ミューメタル又はNanovate（商標）である。

図２ｂに概略的に示されるように、システム１００は、さらに、第２のチャンバ１０２に配置され、第１のチャンバの側面に対向している１組のコイル１２０ａ、１２０ｂを有する。２つのコイル１２０ａ、１２０ｂは、共通軸を有する。２つのコイル１２０ａ、１２０ｂは、磁場を生成するために使用されることができる。３次元での補正を可能にするために、システム１００は、好ましくは３組の２つのコイルを有する。第１の方向、例えば、ｘ方向で共通軸を有する第１の組の２つのコイル１２０ａ、１２０ｂに加えて、システム１００は、さらに、第２の組の２つのコイル部１２１ａ、１２１ｂと、第３の組の２つのコイル部１２２ａ、１２２ｂを有する。第２の組及び第３の組の２つのコイルは、各々、共通軸を有し、第２のチャンバ１０２内の第１のチャンバ１０１の側面に対向して配置されている。２つのコイル１２１ａ、１２１ｂの第２の組の共通軸は、第１の方向にほぼ垂直な第２の方向、例えば、ｙ方向に配置されている。コイル１２２ａ、１２２ｂの第３の組の共通軸が、第１及び第２の方向にほぼ垂直な第３の方向、例えば、ｚ方向に向けられている。

１連の組のコイル１２０、１２１、１２２がさらに離れて配置されたとき、コイルを使用して生成されることができる磁場は、荷電粒子リソグラフィ装置１１０が位置される領域においてより均一になる。この理由のために、それぞれの共通軸にほぼ平行な方向に沿って測定された、コイルと、第２のチャンバ１０２の最も近い壁との間の距離は、好ましくは、同じコイルと第１のチャンバ１０１の最も近い壁との間のこのような距離よりも小さい。好ましくは、１連の組のコイルと第１のチャンバ１０１の最も近い壁との間の距離は、そのコイルと第２のチャンバ１０２の最も近い壁との間の距離の少なくとも２倍である。より好ましくは、コイルは、第２のチャンバ１０２の壁に近接して配置されている。さらに、組のコイルの各コイルが大きい領域を囲んでいる場合には、より均一な磁場が生成されることができる。

コイル対１２０、１２１、１２２のうちの少なくとも１つは、いわゆるヘルムホルツコイル対であることができる。ヘルムホルツコイル対のコイルは、共通軸に沿って対称的に配置され、コイルの半径に等しい距離だけ離された、ほぼ同一の円形の磁気コイルである。コイルの半径に等しいコイルの間隔を設定することにより、コイルの中心で発生される磁場の不均一性が最小となる。

シールドされた環境、即ち、第２のチャンバ１０２内での少なくとも１組の補正コイルの使用により、シールドのコンパクトで柔軟な設計が可能となる。さらに、第２のチャンバ１０２によるコイルの補正が、第２のチャンバ１０２の外部で補正場の強度の減少をもたらす。換言すれば、ほとんど、少なくとも１つの組のコイルによって第２のチャンバ１０２内に発生された場の場合には、第２のチャンバ１０２内にとどまる。この結果、複数のリソグラフィシステムが互いに近接して動作されると、１つの荷電粒子リソグラフィ装置１１０の性能を最適化するために発生された補正場が、隣接しているリソグラフィ装置１１０の性能に好ましない影響を全く与えないか、かなり制限された範囲のみに影響する。

第２のチャンバ１０２内に小さなシールドチャンバ１０１を使用することにより、シールドが大幅に改良されることが見出された。特に、第１のチャンバ１０１の壁が、第２のチャンバ１０２の壁よりも荷電粒子リソグラフィ装置に近いように配置された場合には、２つのチャンバのシールド効果の大きさは、効果的には、第１のチャンバ１０１及び第２のチャンバ１０２のシールド効果の大きさの乗算に相当する。第１のチャンバ１０１の壁が、例えば、２層シールドチャンバで使用されるように、第２のチャンバ２０１の壁に近ければ、アセンブリのシールド効果の大きさは、単に、離れたもののシールド効果の大きさの和に相当する。

複数の組の２つのコイル１２０、１２１、１２２の動作は、複数の入力を基にすることができる。いくつかのアプリケーションでは、補正は、単に、平均的な地磁場として安定した外部磁場に適用される。他のいくつかの場合には、少なくとも１つのコイル対の駆動は、センサ装置で実行される測定に基づいている。シールドされた環境の外部にセンサ装置を配置すると、実装するのが比較的容易であるが、測定精度を欠く可能性がある。チャンバのシールドは、完全に均質なやり方で外部磁場をシールドしない可能性がある。結果として、外部の測定に基づいたコイルの駆動は、リソグラフィ装置の位置で受けるような外部磁場の満足な補正につながらない可能性がある。

近い将来における、リソグラフィアプリケーションにおいて望ましいより一層厳しい制度の観点から、このような精度の欠如は望ましくない。

図３は、センサ構成体を有する荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムの一実施の形態の横断面図である。システムは、磁気シールド材料を含む壁を有する２つのシールドチャンバ１０１、１０２を有する。荷電粒子リソグラフィ装置１１０は、第１のチャンバ１０１内に設けられている。システムは、さらに、１組のコイル１２２ａ、１２２ｂを有する。コイルの横断面は、電流方向を示している。×が付けられた横断面の○は、紙面に入ってくる電流を示し、一方、中心に黒い点のある横断面の○は、紙面から出る電流を示している。全てのシステム要素は、真空チャンバ１５０内に設けられている。

システムはさらに、少なくとも１つの磁場センサを含むセンサ構成体を有する。図示される実施の形態では、センサ構成体は、２つの磁場センサ１６０ａ、１６０ｂを有する。センサ１６０ａ、１６０ｂは、リソグラフィ装置１１０の位置の近傍で磁場を測定するために配置されている。好ましくは、センサ１６０ａ、１６０ｂは、３軸磁場センサであり、即ち、センサが同時に三次元磁場を測定することができる。センサ１６０ａ、１６０ｂによって実行される測定に基づいて、制御ユニット１７０は、補正のための少なくとも１つのコイル対１２０、１２１、１２２の電流を制御することができる。

本発明の実施の形態で使用されることができる磁場センサの一例は、ドイツのディンスに位置するステファンマイヤーインスツルメンツ社製の３軸磁場センサＦＬ３−１００である。

システム内の磁気センサの位置は、調整可能であることができる。図４は、磁気センサ１６０の位置の調整を可能にする、センサの位置決め構成体の実施の形態を概略的に示す図である。特に、メンテナンス作業の後、少なくとも１つのセンサ１６０の位置の調整は、測定の最適化を可能にし、それ故、妨害された磁場の補正を改良する。図４では、明確性を改良するために、シールドチャンバ１０１は示されていない。

磁場センサ１６０ａ、１６０ｂは、図３に概略的に示されるように、シールドチャンバ１０１内に配置されることができる。しかし、いくつかのアプリケーションでは、シールドチャンバの外部であるがチャンバ１０２の内部に、センサ装置又はそれの少なくとも１つの磁場センサを配置すれば十分である。

図５は、センサ構成体を有する荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムの他の実施の形態の横断面図である。この構成では、センサ構成体は、チャンバ１０１の外部に磁場センサ１６１を有する。センサ１６１は、好ましくは、放射ビーム又はリソグラフィ装置１１０に由来する小ビームの伝送を可能にするために、ステージ要素１７５とチャンバ１０１のアパーチャ１１１との間に配置されている。磁場センサ１６１は、好ましくは、開口１１１の近傍に配置されている。この配置により、チャンバ１０１のリソグラフィシステム１１０の使用中、磁場センサ１６１が、開口１６１を通って放射される放射線を受けた場の適切な表示をすることが可能となる。ステージ要素１７５は、基板支持構造体を支持するために配置され、基板は、例えば、図１に示される表面１３を備えたターゲット２４に対して配置されている。ステージ要素１７５は、チャンバ１０２内の磁場の変化を誘発する可能性がある。ステージ要素１７５は、いわゆるショートストロークステージの形態を取ることができる。

リソグラフィ装置を有するチャンバ内の磁場を補正する方法におけるセンサ１６１の使用の例示的なやり方は、開口１６２の下で中央位置に基板支持構造体を配置することと、磁場センサ１６１を用いて磁場を測定することとを含む。

そして、磁場は、例えば、センサ１６１によって測定される磁場が全ての方向でほぼゼロに等しくなるまで、チャンバ１０２内でコイル１２２ａ、１２２ｂのようなコイルによって補正されることができる。特に、３つの直交方向での測定に使用されるセンサの場合には、所望の磁場（Ｂｘ、Ｂｙ、Ｂｚ）は、センサによって測定され、一方、補正は、一方向で共通軸を有する１組のコイル１２２ａ、１２２ｂを使用して（０、０、０）で等しく起こり、同様の組のコイルが、コイル１２２ａ、１２２ｂの共通軸にほぼ垂直な軸を有する。

そして、コイルを通る補正電流は、基板支持構造体上に載置された基板の露光中、ステージ要素１７５の後続の移動中に維持されることができる。補正のこの方法は、多くのアプリケーションにとって十分であるが、ステージ要素１７５の移動中にさらに補正が必要とされることもある。

図２ａ並びに図２ｂに示されるシステムは、荷電粒子リソグラフィ装置の内部を効果的シールドする。しかしながら、このようなウェーハとして処理される基板を交換するためにチャンバ１０１、１０２が開かれる場合には、リソグラフィ装置が依然外部磁場に晒される。外部磁場に晒すことは、わずかな残留磁場がチャンバ１０１、１０２の壁に取り入れられるという影響を有する。第２のチャンバ１０２の壁の残留場は、リソグラフィ装置の性能に目立った影響を与えない。なぜならば、場が自然界で一般的に弱く、距離が比較的大きいからである。しかしながら、第１のチャンバ壁内の残留場は、リソグラフィ装置の性能に悪影響を及ぼしうる。

それ故、第１のチャンバ１０１には、消磁構成体が設けられることができる。図６ａは、立方体のシールドチャンバ１０１と組み合わせて使用するための消磁コイル１８０の一実施の形態を示す図であり、また、図６ｂは、円筒状のシールドチャンバ１０１と組み合わせて使用するための消磁コイル１８０の一実施の形態を示す図である。消磁構成体は、シールドチャンバ１０１内の残留磁場の除去を可能にする。

消磁コイル１８０は、孔１８１ａを通ってチャンバ１１０に入り、チャンバ壁の内側に３つのエッジに沿って続き、チャンバ壁の内側の３つのエッジに沿って次の孔１８１ｂを通ってチャンバ１０１を出て、そして、最後に、チャンバ壁に沿って同様の経路に沿って戻る経路をたどる。図６ａ並びに図６ｂでは、図示される消磁装置は、単に明確化のために消磁コイル１８０を示している。実際には、シールドチャンバ１０１には、第１のチャンバ１０１の全ての壁に残留場の除去を可能にするために、複数の消磁コイル１８０が設けられることができる。例えば、立方体シールドチャンバ１０１に関して４つの消磁コイル１８０で良好な結果が得られた。

図７ａは、ドア２０１を有するシールドされた真空チャンバ２００の正面図を概略的に示す図である。図７ｂは、ＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ’に沿った、図７ａのチャンバ２００の上面図である。ドア２０１は、例えば、少なくとも１つの接続バー２０５を使用して、真空チャンバ２００の側壁２０２に取り外し可能に取着可能である。接続バー２０５は、内側バー２０５ａと、外側バー２０５ｂとを有することができる。このような接続バー２０５ａ、２０５ｂを使用することにより、磁気的な連続性を与え、かつ維持するドア開閉機構を与える。さらに、バー２０５ａ、２０５ｂは、簡単に適用可能である。

好ましくは、バー２０５ａ、２０５ｂは、中空であり、はめ輪やバスを形成している。中空バーの使用により、システムの重さを低減させ、システムの構造的完全性を高めることができる。バー２０５ａ、２０５ｂは、アルミニウムのような、非磁性材料で作られている。

図８ａ並びに図８ｂは、それぞれ、バー２０５ａ、２０５ｂの実施の形態を示す図である。バー２０５ａ、２０５ｂは、中空である。バー２０５ａには、対向している両側面に、複数の孔２１０が設けられている。これら孔２１０は、一側面の孔２１０は、バー２０５ａの対向している側面で孔２１０に対応するように互いに対してアライメントされている。同様に、バー２０５ｂには、対向している両側面に、互いにアライメントされた複数の孔２１１が設けられている。バー２０５ａの孔２１０の数は、バー２０５ｂの孔２１１の数よりも多い。

中空のバー２０５ａは、ドア２０１の内側で側壁２０２に接続されている。側壁２０２とバー２０５ａとの間の接続は、貫通孔２１０を通るボルト２２０を使用して確立され、ナット２３０を使用して締め付けられることができる。図９は、側壁２０２なしでのこのような配置を示す図である。接続点の数が多いことにより、大きな面積にわたって迅速に圧力を分散させることができる接続を可能にする。

バー２０５ｂは、外側でドア２０１に接続されている。バー２０５ｂとドア２０１との間の接続は、バー２０５ｂにおける互いにアライメントされた２つの孔２１１を通って、及びバー２０５ａにおける互いにアライメントされた対応する孔２１０を通って延びた大きなボルト２２１を使用して、バー２０５ａにバー２０５ｂを接続することによって確立される。接続は、適切なナット２３１を使用して固定されることができる。バー２０５ｂは、孔の数が限られているので、少数の接続要素のみが、取り除かれるかそれぞれドア２０１の開閉を可能にするように配置される必要がある。バー２０５ａとの接続が、良好な磁気クロージャが果されるようにドアの広い面積にわたる圧力分布を可能にする。少なくとも１つのばね要素が、バー２０５ａ、２０５ｂと、ドア２０１と、側壁２０２との間に設けられることができる。ばね要素を設けることによって、圧力がさらに均等に分散され、磁気クロージャを改良することができる。

バー２０５ａ、２０５ｂに接続されることが理解されるドア２０１及び側壁２０２には、上に説明され図９（明確化のために側壁２０２及びドア２０１を示していない）に示されるような接続を容易にするために、適切な開口が設けられる必要があることが理解される。

本発明は、上述した特定の実施の形態を参照して説明されてきた。これらの実施の形態は、本発明の意図並びに範囲から逸脱することなく、当業者に公知のさまざまな変更及び代替形態が可能であることが認識される。特定の実施の形態を説明したが従って、これらは一例であり、添付の特許請求の範囲に規定される本発明の範囲を限定するものではない。
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムであって、磁気シールド材料を含む壁を有し、前記荷電粒子リソグラフィ装置を少なくとも部分的に囲んでいる第１のチャンバと、磁気シールド材料を含む壁を有し、前記第１のチャンバを囲んでいる第２のチャンバと、前記第２のチャンバに配置され、前記第１のチャンバの側面に対向している１組の２つのコイルとを具備し、前記２つのコイルは、共通軸を有するシステム。
［２］前記第２のチャンバは、前記第１のチャンバの側面に対向して配置され、第１の方向で共通軸を有する第１の組の２つのコイルと、前記第１のチャンバの側面に対向して配置され、前記第１の方向にほぼ垂直な第２の方向で共通軸を有する第２の組のコイルと、
前記第１のチャンバの側面に対向して配置され、前記第１の方向及び前記第２の方向にほぼ垂直な第３の方向で共通軸を有する第３の組のコイルとを囲んでいる［１］のシステム。
［３］前記共通軸にほぼ平行な方向に沿って測定された、コイルと、前記第２のチャンバの最も近い壁との間の距離が、前記コイルと前記第１のチャンバの前記最も近い壁との間の距離よりも小さい［１］又は［２］のシステム。
［４］前記コイルと前記第１のチャンバの前記最も近い壁との間の距離が、前記コイルと前記第２のチャンバの前記最も近い壁との間の距離の少なくとも２倍である［３］のシステム。
［５］前記コイルは、前記第２のチャンバの壁に近接して配置されている［１］ないし［４］のいずれか１のシステム。
［６］前記第１のチャンバの全ての壁が、前記第２のチャンバの少なくとも１つの壁よりも前記荷電粒子リソグラフィ装置に近いように配置されている［１］ないし［４］のいずれか１のシステム。
［７］前記第１のチャンバの全ての壁が、前記第２のチャンバの壁よりも前記荷電粒子リソグラフィ装置に近いように配置されている［１］ないし［６］のいずれか１の装置。
［８］前記磁気シールド材料は、約３００，０００よりも大きな比透磁率を有する材料を含む［１］ないし［７］のいずれか１のシステム。
［９］前記材料は、ミューメタルである［８］のシステム。
［１０］前記第１のチャンバには、消磁構成体が設けられている［１］ないし［９］のいずれか１のシステム。
［１１］前記第２のチャンバには、消磁構成体が設けられている［１］ないし［１０］のいずれか１のシステム。
［１２］前記消磁構成体は、少なくとも１つの消磁コイルを有する［１０］又は［１１］のシステム。
［１３］前記第１のチャンバは、立方体、円筒体、又は箱状の形状である［１］ないし［１２］のいずれか１のシステム。
［１４］前記第１のチャンバ内で前記磁場を測定するための少なくとも１つの磁場センサをさらに具備する［１］ないし［１３］のいずれか１のシステム。
［１５］前記第２のチャンバ内で前記磁場を測定するための少なくとも１つのさらなる磁場センサを具備する［１］ないし［１４］のいずれか１のシステム。
［１６］前記第１のチャンバには、前記第２のチャンバで基板支持構造体に設けられた処理される基板に晒される前記リソグラフィ装置から生じる放射線を与えるための開口が設けられ、前記少なくとも１つのさらなる磁場センサは、前記第１のチャンバと、前記開口に近接している前記支持構造体との間に配置されている［１５］のシステム。
［１７］前記少なくとも１つの磁場センサと前記少なくとも１つのさらなる磁場センサとの少なくとも一方によって与えられる情報に基づいて前記コイルを通る電流を制御するための制御システムをさらに具備する［１４］ないし［１６］のいずれか１のシステム。
［１８］前記荷電粒子リソグラフィシステムは、少なくとも１つの荷電粒子ビームを発生させるための荷電粒子源と、前記ターゲットを支持するための可動装置と、前記パターンで前記ターゲットに前記少なくとも１つのビームの転写を可能にするためのパターニング装置とを具備する［１］ないし［１７］のいずれか１の装置。
［１９］前記第１のチャンバは、前記荷電粒子源及び前記パターニング装置を囲んでおり、前記可動装置は、前記第１のチャンバの外部に位置され、前記第１のチャンバには、前記可動装置に面している側面に開口が設けられている［１８］のシステム。
［２０］前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの少なくとも一方には、取り外し可能に取着可能なドアが設けられ、前記ドアは、少なくとも１つの接続バーによって取着可能である［１］ないし［１９］のいずれか１のシステム。
［２１］前記少なくとも１つの接続バーは、中空である［２０］のシステム。
［２２］前記少なくとも１つの接続バーは、それぞれのチャンバの内側で前記ドアに取着するための少なくとも１つの内側バーと、それぞれのチャンバの外側で前記ドアに取着するための少なくとも１つの外側バーとを有し、前記少なくとも１つの内側バー及び前記少なくとも１つの外側バーには、これの対向している両側面に、互いにアライメントされた複数の孔が設けられ、前記少なくとも１つの内側バーと前記少なくとも１つの外側バーとは、前記外側バーの互いにアライメントされた２つの孔を通って、及び前記内側バーの対応する互いにアライメントされた孔を通って延びた接続要素を使用して、前記少なくとも１つの外側バーへの前記少なくとも１つの外側バーの接続によって互いに接続されている［２０］又は［２１］のシステム。
［２３］前記内側バーの前記互いにアライメントされた孔の数は、前記外側バーの前記互いにアライメントされた孔の数よりも多い［２２］のシステム。
［２４］前記接続要素は、ボルトであり、前記接続は、ナットを使用して固定される［２２］又は［２３］のシステム。
［２５］少なくとも１つのばね要素が、前記バーと前記ドアとの間に設けられている［２０］ないし［２４］のいずれか１のシステム。

米国特許第６，８９７，４５８号 米国特許第６，９５８，８０４号 米国特許第７，０８４，４１４号 米国特許第７，１２９，５０２号

Claims (29)

1. 荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムであって、
   磁気シールド材料を含む壁を有し、前記荷電粒子リソグラフィ装置を少なくとも部分的に囲んでいる第１のチャンバと、
   真空チャンバの一部を形成し、磁気シールド材料を含む壁を有し、前記第１のチャンバを囲んでいる第２のチャンバと、
   基板支持構造体を支持するように配置され、前記第１のチャンバの外部かつ前記第２のチャンバの内部に配置された可動ステージ要素と、
   前記第１のチャンバの外部で前記第２のチャンバに配置され、前記第１のチャンバ及び前記可動ステージ要素の側面に対向して配置された１組の２つのコイルと、
   前記第１のチャンバの外部かつ前記第２のチャンバの内部に配置された、前記第２のチャンバ内で磁場を測定するための少なくとも１つの磁場センサとを具備し、
   前記第１のチャンバには、前記荷電粒子リソグラフィ装置から生じる荷電粒子放射線が前記基板支持構造体に設けられた基板に晒されることを可能にするために、前記可動ステージ要素に面している側面に開口が設けられ、
   前記少なくとも１つの磁場センサは、前記開口と前記可動ステージ要素との間に配置され、
   システムは、動作中、前記開口と前記可動ステージ要素との間で測定された磁場を無効にするように、前記少なくとも１つの磁場センサによって与えられた情報に基づいて前記コイルを通る電流を制御するように構成された制御システムを具備し、
   共通の軸にほぼ平行な方向に沿って測定された、コイルと前記第２のチャンバの最も近い壁との間の距離が、前記コイルと前記第１のチャンバの最も近い壁との間の距離よりも小さいシステム。
2. 前記第２のチャンバは、
   前記第１のチャンバの側面に対向して配置され、第１の方向で共通軸を有する第１の組の２つのコイルと、
   前記第１のチャンバの側面に対向して配置され、前記第１の方向にほぼ垂直な第２の方向で共通軸を有する第２の組のコイルと、
   前記第１のチャンバの側面に対向して配置され、前記第１の方向及び前記第２の方向にほぼ垂直な第３の方向で共通軸を有する第３の組のコイルとを囲んでいる請求項１のシステム。
3. 前記コイルと前記第１のチャンバの最も近い壁との間の距離が、前記コイルと前記第２のチャンバの前記最も近い壁との間の距離の少なくとも２倍である請求項１のシステム。
4. 前記コイルは、前記第２のチャンバの壁に近接して配置されている請求項１のシステム。
5. 前記第１のチャンバの全ての壁が、前記第２のチャンバの少なくとも１つの壁よりも前記荷電粒子リソグラフィ装置に近いように配置されている請求項１のシステム。
6. 前記第１のチャンバの全ての壁が、前記第２のチャンバの壁よりも前記荷電粒子リソグラフィ装置に近いように配置されている請求項５のシステム。
7. 前記磁気シールド材料は、３００，０００よりも大きな比透磁率を有する材料である請求項１のシステム。
8. 前記材料は、ミューメタルである請求項７のシステム。
9. 前記第１のチャンバには、消磁構成体が設けられている請求項１のシステム。
10. 前記消磁構成体は、少なくとも１つの消磁コイルである請求項９のシステム。
11. 前記第２のチャンバには、消磁構成体が設けられている請求項１のシステム。
12. 前記消磁構成体は、少なくとも１つの消磁コイルである請求項１１のシステム。
13. 前記第１のチャンバは、立方体、円筒体、又は箱状の形状である請求項１のシステム。
14. 前記第１のチャンバ内で前記磁場を測定するための少なくとも１つの磁場センサをさらに具備する請求項１のシステム。
15. 前記制御システムは、前記第１のチャンバ内で前記磁場を測定するための前記少なくとも１つの磁場センサによって与えられる情報に基づいて前記コイルを通る電流を制御するように構成されている請求項１４のシステム。
16. 前記荷電粒子リソグラフィ装置は、
    少なくとも１つの荷電粒子ビームを発生させるための荷電粒子源と、
    ターゲットを支持するための前記可動ステージ要素と、
    パターンに従って前記基板の表面に前記少なくとも１つのビームの転写を可能にするためのパターニング装置とを具備する請求項１のシステム。
17. 前記第１のチャンバは、前記荷電粒子源及び前記パターニング装置を囲んでおり、前記可動ステージ要素は、前記第１のチャンバの外部に位置され、前記第１のチャンバには、前記可動ステージ要素に面している側面に前記開口が設けられている請求項１６のシステム。
18. 前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの少なくとも一方には、取り外し可能で取り付け可能なドアが設けられ、前記ドアは、少なくとも１つの接続バーによって取り付け可能である請求項１のシステム。
19. 前記少なくとも１つの接続バーは、中空である請求項１８のシステム。
20. 前記少なくとも１つの接続バーは、それぞれのチャンバの内側で前記ドアに取着するための少なくとも１つの内側バーと、それぞれのチャンバの外側で前記ドアに取着するための少なくとも１つの外側バーとを有し、前記少なくとも１つの内側バー及び前記少なくとも１つの外側バーには、これの対向している両側面に、互いにアライメントされた複数の孔が設けられ、前記少なくとも１つの内側バーと前記少なくとも１つの外側バーとは、前記外側バーの互いにアライメントされた２つの孔を通って、及び前記内側バーの対応する互いにアライメントされた孔を通って延びた接続要素を使用して、前記少なくとも１つの外側バーへの前記少なくとも１つの外側バーの接続によって互いに接続されている請求項１８のシステム。
21. 前記内側バーの前記互いにアライメントされた孔の数は、前記外側バーの前記互いにアライメントされた孔の数よりも多い請求項２０のシステム。
22. 前記接続要素は、ボルトであり、前記接続は、ナットを使用して固定される請求項２０のシステム。
23. 少なくとも１つのばね要素が、前記接続バーと前記ドアとの間に設けられている請求項１８のシステム。
24. 荷電粒子リソグラフィ装置で磁気シールドするための方法であって、
    請求項１の荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためにシステムの第１のチャンバで囲まれた荷電粒子リソグラフィ装置を与えることと、
    前記システムの第２のチャンバに配置された可動ステージ要素上の基板支持構造体上に基板を与えることと、
    前記第１のチャンバの開口を介して前記荷電粒子リソグラフィ装置から生じる荷電粒子放射線で前記基板を露光することと、
    前記開口と前記可動ステージ要素との間で、前記第１のチャンバの外部かつ前記第２のチャンバの内部に配置された少なくとも１つの磁場センサで前記第２のチャンバ内の磁場を測定することとを具備する方法。
25. 前記基板支持構造体上に与えられた前記基板を露光することは、前記第１のチャンバの前記開口の下の位置に前記基板支持構造体を置くことを含む請求項２４の方法。
26. 前記第２のチャンバ内の磁場を測定することは、
    前記少なくとも１つの磁場センサで測定された磁場がほぼゼロに等しくなるまで前記コイルの補正電流を調節することと、
    前記荷電粒子リソグラフィ装置によるターゲットの露光中、前記コイルの前記補正電流を維持することとを含む請求項２４の方法。
27. 前記ターゲットの露光中、前記コイルの前記補正電流を維持することは、前記ターゲットを支持する前記可動ステージ要素の連続する移動中、前記磁場を測定して補正することを含む請求項２６の方法。
28. 荷電粒子リソグラフィ装置を磁気シールドするためのシステムであって、
    磁気シールド材料を含む壁を有し、前記荷電粒子リソグラフィ装置を少なくとも部分的に囲んでいる第１のチャンバと、
    真空チャンバの一部を形成し、磁気シールド材料を含む壁を有し、前記第１のチャンバを囲んでいる第２のチャンバと、
    基板支持構造体を支持するように配置され、前記第１のチャンバの外部かつ前記第２のチャンバの内部に配置された可動ステージ要素とを具備し、
    前記第１のチャンバには、前記荷電粒子リソグラフィ装置から生じる荷電粒子放射線が前記基板支持構造体に設けられた基板に晒されることを可能にするために、前記可動ステージ要素に面している側面に開口が設けられ、
    前記第１のチャンバは、立方体、円筒体、又は箱状の形状であり、前記第１のチャンバには、消磁構成体が設けられ、前記消磁構成体は、前記第１のチャンバの壁の内側にある３つの連続するエッジに沿って、かつ前記第１のチャンバの壁の外側にある３つの連続するエッジに沿って戻る経路を形成している少なくとも１つの消磁コイルを有し、
    前記経路にほぼ垂直な方向に沿って測定された、消磁コイルと前記第１のチャンバの最も近い壁との間の距離が、前記消磁コイルと前記第２のチャンバの最も近い壁との間の距離よりも小さいシステム。
29. 前記第２のチャンバは、立方体又は箱状の形状を有し、前記第２のチャンバには、前記第２のチャンバの壁の内側にある３つの連続するエッジに沿って、かつ前記第２のチャンバの壁の外側にある３つの連続するエッジに沿って戻るさらなる経路をたどる少なくとも１つのさらなる消磁コイルを有し、
    前記さらなる経路にほぼ垂直な方向に沿って測定された、さらなる消磁コイルと前記第２のチャンバの最も近い壁との間の距離は、前記さらなる消磁コイルと前記第１のチャンバの最も近い壁との間の距離よりも小さい請求項２８のシステム。