JP5911642B2 - 粒子線治療装置および線量校正係数の設定方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施の形態1にかかる粒子線治療装置の構成について説明する。図1〜図5は、本発明の実施の形態1にかかる粒子線治療装置および線量校正係数の設定方法について説明するためのもので、図1は粒子線治療装置の構成および線量校正係数の設定方法を説明するための全体の機能ブロック図、図2は粒子線治療を行う際の機器構成を模式的に説明するための全体図、図3は粒子線治療装置の構成および線量校正係数の設定方法を説明するための線量評価部の機能ブロック図、図4はキャリブレーションステージにおいて線量校正を行う際の機器構成を説明するための図、図5は照射線量を構成するための線量校正係数を算出するための各層の水等価深度と実測した線量校正係数および補間した線量校正係数との関係を表したグラフである。
βi=k0+k1xi+k2xi 2 ・・(2)
ただし、k0,k1,k2は未知係数であり、A、Bを以下の式(D1)のようにおいたとき、式(3)のように求める。
上記実施の形態1においては、補間値βiの算出において、水等価深度に注目して重みづけを行った例について記載したが、本実施の形態2では、水等価深度以外の照射条件も考慮に入れて重みづけを行うようにした。図6は本実施の形態2にかかる粒子線治療装置あるいは線量校正係数の設定方法を説明するためのもので、粒子線治療装置におけるそれぞれ照射条件が異なる層の水等価深度と実測した線量校正係数との関係を模式的に表したグラフである。なお、粒子線治療装置および制御に関する構成については、実施の形態1で用いた図を援用し、同様部分の説明は省略する。
上述したように、照射装置10は、加速器30から供給されたペンシル状の細いビームを、患部形状に合わせて成形し、治療計画された線量分布を実現するためのものである。そのため、供給されたビームは、横方向照射野形成部11に設置された、散乱体若しくはワブラー電磁石でxy方向に拡大され(ブロードビーム方式(積層原体照射の場合を含む))、あるいはスキャニング電磁石によりxy方向に走査される(スキャニング方式)。
粒子線の飛程を変える方法として主として2つの方法がある。第1は、加速器30側で加速する粒子の運動エネルギーを変える方法である。第2は、所定のエネルギーで供給された粒子線を厚みの異なるレンジシフタ15を通過させることによって粒子の持つ運動エネルギーの消失する量を調節する方法である。加速器30による方法は、おおまかなエネルギーレベルの調整、レンジシフタ15の種類を変える方法は細かなエネルギーの調整に向いており、実際の装置においては、2つの方法が併用されることが一般的である。
前述のとおり、ブロードビーム方式の場合、患部形状に合わせて治療計画された線量分布を実現するため、照射装置10に供給されたペンシル状の細いビームは、ワブラー電磁石等を用いてxy方向に拡大される。より詳細には、ワブラー電磁石はペンシル状の細いビームを例えば円を描くように走査し、その後粒子線は散乱体を通過するように照射される。このことによって、拡大された照射野内で概ね均一な線量分布が実現される。このときに、ビームが描く円の半径のことを「ワブラー半径」とよぶ。
上記実施の形態2では、補間値を得たい層と同じ条件の層の線量校正係数のみを使用する例について説明した。しかし、実務的には、多項式モデルが必要な領域は、「水ファントムで測定可能な深さ以下」の一定の幅のある領域である。そのため、その領域においては、複数のパラメータの影響が存在する。つまり、その領域においては、「加速器パラメータ」「レンジシフタパラメータ」「ワブラー半径パラメータ」等の影響が重畳的に顕れる。そこで、本実施の形態3にかかる粒子線治療装置あるいは照射線量の校正方法では、補間値を得るためのデータとして線量校正係数を「使う/使わない」の白黒ではなく、複数の条件を勘案して重みづけするようにした。なお、本実施の形態3においても、粒子線治療装置および制御に関する構成については、実施の形態1で用いた図を援用し、同様部分の説明は省略する。
12:線量モニタ、13:深さ方向照射野形成部、14:リッジフィルタ、
15:レンジシフタ、20:粒子線輸送部、30:加速器、
40:位置制御部、41:治療台、50:治療計画部、60:照射制御部、
70:線量評価部、71:線量データ処理部、72:評価部、
73:線量算出部、74:補間値生成部、75:重み設定部、
76:補間値算出部、77:校正係数算出部、80:校正装置、
81:水ファントム(模擬ファントム)、82:校正線量計、
Ci:計測値、Di:物理線量、IC:アイソセンタ、K:患者、
αi:実測線量校正係数(校正線量係数)、
βi:補間値(補間値もしくは推定値(校正線量係数))。
Claims (9)
- 照射対象を体表面からの深さに応じて複数の層に分割し、層ごとに照射線量を管理して照射を行う粒子線治療装置であって、
加速器から供給された粒子線を前記層ごとに成形して照射する照射装置と、
前記照射装置に設置され、線量をリアルタイムで計測する線量モニタと、
前記線量モニタが計測した計測値と前記層ごとに設定された線量校正係数を用いて算出した線量と治療計画で定められた線量とに基づいて、前記層ごとの照射線量を評価する線量評価部と、
前記線量評価部の評価結果に基づき、前記層ごとの照射量を制御する照射制御装置と、
校正線量計を設置した模擬ファントムに前記粒子線を照射することによって得られた実測線量校正係数を用いて、少なくとも前記実測線量校正係数が得られていない層に対する前記線量校正係数の補間値もしくは推定値を生成する補間値生成部と、を備え、
前記補間値生成部は、前記補間値もしくは推定値の対象となる層ごとに、当該層の照射条件に基づいて、前記実測線量校正係数ごとの重みづけを行うことを特徴とする粒子線治療装置。 - 前記補間値生成部は、前記深さが所定値以上の層に対する補間値もしくは推定値を生成する際、前記実測線量校正係数のうち、深い層の実測線量校正係数の重みが、浅い層の実測線量校正係数の重みよりも大きくなるように、前記重みづけを行うことを特徴とする請求項1に記載の粒子線治療装置。
- 前記照射装置には、前記粒子線のエネルギーを調整するレンジシフタが設けられ、
前記補間値生成部は、前記加速器から出射された粒子線のエネルギー、前記レンジシフタの厚みと材質のうち、少なくともいずれかの条件に基づいて、前記重みづけを行うことを特徴とする請求項1または2に記載の粒子線治療装置。 - 前記照射装置には、前記粒子線の照射野の径を拡大するワブラー電磁石が設けられ、
前記補間値生成部は、前記拡大された径に基づいて、前記重みづけを行うことを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の粒子線治療装置。 - 照射対象を体表面からの深さに応じて複数の層に分割し、層ごとに照射線量を管理して照射を行う粒子線治療において、照射装置に設置された線量モニタの計測値を用いて、前記照射対象での線量を算出するための線量校正係数の設定方法であって、
校正線量計を設置した模擬ファントムに粒子線を照射し、前記線量モニタの計測値と、前記校正線量計の測定値に基づいて、前記校正線量計の前記模擬ファントム内での深さをパラメータとする実測線量校正係数を得る工程と、
前記実測線量校正係数に基づいて、前記深さを変数とする前記線量校正係数の関数を構築し、前記実測線量校正係数が得られていない層に対応する前記線量校正係数の補間値もしくは推定値を生成する補間値生成工程と、を含み、
前記補間値生成工程では、前記補間値もしくは推定値の対象となる層に応じて、当該層に対応する照射条件に基づいて、前記実測線量校正係数ごとの重みづけを行うことを特徴とする線量校正係数の設定方法。 - 前記補間値生成工程では、深さが所定値以上の層に対する補間値もしくは推定値を生成する際、前記実測線量校正係数のうち、前記校正線量計の深さが深い実測線量校正係数の重みが、浅い実測線量校正係数の重みよりも大きくなるように、前記重みづけを行うことを特徴とする請求項5に記載の線量校正係数の設定方法。
- 前記粒子線治療では、前記粒子線のエネルギーがレンジシフタを用いて調整され、
前記補間値生成工程では、加速器から出射された粒子線のエネルギー、前記レンジシフタの厚みと材質のうち、少なくともいずれかの条件に基づいて、前記重みづけを行うことを特徴とする請求項5または6に記載の線量校正係数の設定方法。 - 前記粒子線治療では、ワブラー電磁石によって、前記粒子線の照射野の径が拡大され、
前記補間値生成工程では、前記拡大された径に基づいて、前記重みづけを行うことを特徴とする請求項5から7までのいずれか1項に記載の線量校正係数の設定方法。 - 前記補間値生成工程では、当該層に対応する照射条件に基づいて、前記照射条件を構成する複数の条件ごとに定めた単位係数を乗じた値を用いて前記重みづけを行うことを特徴とする請求項5から8までのいずれか1項に記載の線量校正係数の設定方法。
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