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JP5928268B2 - Conductive film, touch panel, and display device - Google Patents
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JP5928268B2 - Conductive film, touch panel, and display device - Google Patents

Conductive film, touch panel, and display device Download PDF

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Description

本発明は、導電性フィルム、タッチパネル、及び、表示装置に関し、特には薄型化に適する導電性フィルムと、これを備えたタッチパネル、および表示装置に関する。   The present invention relates to a conductive film, a touch panel, and a display device, and particularly relates to a conductive film suitable for thinning, a touch panel including the conductive film, and a display device.

テキスト、グラフィック等の情報入力が可能な入力装置としてタッチパネルが開発され、液晶表示装置、有機ELディスプレイ、プラズマディスプレイ、電子手帳などのフラットパネルディスプレイ装置の表示面に取付けられている。   A touch panel has been developed as an input device capable of inputting information such as text and graphics, and is attached to a display surface of a flat panel display device such as a liquid crystal display device, an organic EL display, a plasma display, and an electronic notebook.

タッチパネルの種類は、抵抗膜方式(Resistive)、静電容量方式(Capacitive)、電磁方式(Electro‐Magnetic)、表面弾性波方式(SAW;Surface Acoustic Wave)及び赤外線方式(Infrared)に区分される。このような様々な方式のタッチパネルは、信号増幅の問題、解像度の差異、設計及び加工技術の難易度、光学的特性、電気的特性、機械的特性、耐環境特性、入力特性、耐久性及び経済性を考慮して、電子製品に採用されている。現在もっとも幅広い分野で用いる方式は、抵抗膜方式と静電容量方式のタッチパネルである。   Types of touch panels are classified into a resistive film method (Resistive), a capacitance method (Capacitive), an electromagnetic method (Electro-Magnetic), a surface acoustic wave method (SAW), and an infrared method (Infrared). Such various types of touch panels have signal amplification problems, resolution differences, difficulty of design and processing technology, optical characteristics, electrical characteristics, mechanical characteristics, environmental resistance characteristics, input characteristics, durability and economy. In consideration of the characteristics, it is used in electronic products. Currently, the most widely used method is a resistive touch panel and a capacitive touch panel.

一般的に、抵抗膜方式タッチパネルや静電容量方式タッチパネルの製作に用いるタッチパネル用透明導電膜は、ガラスにITOをスパッタ形成した透明導電層を用いるのが一般的であった。しかし、ガラスにITOを形成した透明導電層には低抵抗化に限界が有り、タッチ感度向上のための更なる低抵抗導電膜が望まれている。   In general, the transparent conductive film for a touch panel used for manufacturing a resistive film type touch panel or a capacitive touch panel generally uses a transparent conductive layer formed by sputtering ITO on glass. However, the transparent conductive layer in which ITO is formed on glass has a limit in reducing resistance, and a further low resistance conductive film for improving touch sensitivity is desired.

また、近年のディスプレイの大型化やディスプレイのフレキシブル化に伴い、タッチパネルにも更なる薄膜化や軽量化、フレキシブル性が求められている。このため、ガラスのかわりに、PET等の透明プラスティック基板上にITO導電膜を形成する方法が開示されている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
また、低抵抗、高耐久の銀薄膜を用いた透明導電性フィルムの技術が開示されている(例えば、特許文献3、特許文献4参照)。
しかし、この技術においても、透過率、抵抗値、画像視認性、経時安定性を両立することができていない。
In addition, with recent increases in display size and display flexibility, touch panels are also required to be thinner, lighter, and more flexible. For this reason, a method of forming an ITO conductive film on a transparent plastic substrate such as PET instead of glass is disclosed (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).
Moreover, the technique of the transparent conductive film using the low resistance and highly durable silver thin film is disclosed (for example, refer patent document 3 and patent document 4).
However, even in this technique, the transmittance, the resistance value, the image visibility, and the stability over time are not compatible.

国際公開第04/070737号パンフレットInternational Publication No. 04/070737 Pamphlet 特開平11−245344号公報JP-A-11-245344 特開2000−329934号公報JP 2000-329934 A 特開2000−238169号公報JP 2000-238169 A

しかしながら、透明プラスティック基板上にITO導電膜を形成する方法では、抵抗値、透明性の両立や、ディスプレイと組み合わせた時の視認性に課題がある。さらに、ITO導電膜では工程での連続生産時での幅手方向の抵抗値ムラや、高い熱処理が必要なため、プラスティック基板に損傷が発生し、またロール状態での経時安定性(湿熱耐久性)が劣り、好ましくない。
また、銀薄膜を用いた透明導電性フィルムの技術においても、透過率、抵抗値、画像視認性、経時安定性を両立することができていない。
However, in the method of forming an ITO conductive film on a transparent plastic substrate, there are problems in compatibility between resistance value and transparency and visibility when combined with a display. In addition, the ITO conductive film requires uneven resistance in the width direction during continuous production in the process, and high heat treatment is required, so that the plastic substrate is damaged, and the aging stability in the roll state (damp heat resistance) ) Is inferior and is not preferred.
Moreover, even in the technique of a transparent conductive film using a silver thin film, the transmittance, resistance value, image visibility, and stability over time cannot be achieved at the same time.

上述した問題の解決のため、本発明においては、低抵抗且つ高透過率を有し、経時安定性に優れる導電性フィルム、タッチパネル、及び、表示装置を提供するものである。   In order to solve the above-described problems, the present invention provides a conductive film, a touch panel, and a display device that have low resistance and high transmittance and are excellent in stability over time.

本発明の導電性フィルムは、面方向リタデーション(R0)値が、+50nm≧R0≧−50nmを満たす熱可塑性樹脂からなる基板と、基板上に形成された銀を主成分とする透明導電層とを備える。
本発明のタッチパネルは、上記導電性フィルムを電極として備える。
本発明の表示装置は、上記タッチパネルと、このタッチパネルに重ねて配置された表示パネルとを備える。
The conductive film of the present invention comprises a substrate made of a thermoplastic resin having a plane direction retardation (R0) value satisfying +50 nm ≧ R0 ≧ −50 nm, and a transparent conductive layer mainly composed of silver formed on the substrate. Prepare.
The touch panel of this invention is equipped with the said electroconductive film as an electrode.
The display device of the present invention includes the above touch panel and a display panel disposed on the touch panel.

本発明の導電性フィルムによれば、面方向リタデーション(R0)値が+50nm≧R0≧−50nmを満たす熱可塑性樹脂を基板に用いることにより、透過率の高い導電性フィルムを構成することができる。また、銀を主成分とする透明導電層を用いることにより、電極形成時のアニール処理を行うことなく、低抵抗な導電性フィルムとなる。さらに、透明導電層形成時に、アニール処理が不要となるため、熱による熱可塑性樹脂への損傷を防ぐことができ、熱可塑性樹脂の面方向リタデーションに影響を与えることなく、経時安定性に優れる導電性フィルムを構成することができる。
また、この導電性フィルムを備えることにより、低抵抗且つ高透過率を有し、経時安定性に優れるタッチパネル、及び、表示装置を構成することができる。
According to the conductive film of the present invention, a conductive film having a high transmittance can be formed by using, as the substrate, a thermoplastic resin having a plane direction retardation (R0) value satisfying +50 nm ≧ R0 ≧ −50 nm. In addition, by using a transparent conductive layer containing silver as a main component, a low-resistance conductive film can be obtained without performing an annealing process during electrode formation. In addition, since the annealing process is not required when forming the transparent conductive layer, it is possible to prevent damage to the thermoplastic resin due to heat, and to have excellent temporal stability without affecting the surface direction retardation of the thermoplastic resin. A conductive film can be formed.
Further, by providing this conductive film, it is possible to configure a touch panel and a display device that have low resistance and high transmittance and are excellent in stability over time.

本発明によれば、低抵抗且つ高透過率を有し、経時安定性に優れる導電性フィルム、タッチパネル、及び、表示装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a conductive film, a touch panel, and a display device that have low resistance and high transmittance and are excellent in stability over time.

実施の形態の導電性フィルムの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the electroconductive film of embodiment. 導電性フィルムの変形例の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the modification of an electroconductive film. 導電性フィルムを用いたタッチパネルの概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of the touchscreen using an electroconductive film. タッチパネルの電極構成を示す2枚の透明電極の平面図である。It is a top view of two transparent electrodes which shows the electrode structure of a touch panel. タッチパネルの電極部分の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the electrode part of a touch panel. 図5に示すA−A断面に相当する断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram equivalent to the AA cross section shown in FIG. タッチパネルの変形例を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the modification of a touchscreen. タッチパネルの変形例を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the modification of a touchscreen. タッチパネルの変形例を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the modification of a touchscreen. 実施の形態の表示装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the display apparatus of embodiment.

以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて次に示す順に説明する。
1.導電性フィルム
2.導電性フィルムの変形例(中間層を設けた例)
3.タッチパネル(透明基板上に二層の透明導電層を設けた構成)
4.タッチパネルの変形例1(2枚の透明基板を用いた構成)
5.タッチパネルの変形例2(透明基板の両面に一層ずつ透明電極を設けた構成)
6.タッチパネルの変形例3(透明基板の同一平面上に2パターンの透明電極を設けた構成)
7.表示装置(タッチパネルを用いた構成)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in the following order based on the drawings.
1. 1. Conductive film Modified example of conductive film (example with intermediate layer)
3. Touch panel (configuration with two transparent conductive layers on a transparent substrate)
4). Modification 1 of touch panel (configuration using two transparent substrates)
5. Modification 2 of touch panel (configuration in which transparent electrodes are provided on each side of a transparent substrate)
6). Modification 3 of touch panel (configuration in which two patterns of transparent electrodes are provided on the same plane of a transparent substrate)
7). Display device (configuration using touch panel)

〈1.導電性フィルム〉
以下本発明の導電性フィルムの具体的な実施の形態について説明する。
図1に、本実施の形態の導電性フィルムの概略構成図(断面図)を示す。図1に示すように、導電性フィルム10は、基板11上に、透明電極12として透明導電層が設けられた構成である。
<1. Conductive film>
Hereinafter, specific embodiments of the conductive film of the present invention will be described.
In FIG. 1, the schematic block diagram (sectional drawing) of the electroconductive film of this Embodiment is shown. As shown in FIG. 1, the conductive film 10 has a configuration in which a transparent conductive layer is provided as a transparent electrode 12 on a substrate 11.

[基板]
基板11は、例えば表示パネルの前面板を兼ねていてもよい。このような透明基板11としては、熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを用いることができる。
基板11には、面方向リタデーション(R0値)が下記式(1)を満たす熱可塑性樹脂を用いる。
+50nm≧R0≧−50nm ・・・(1)
また、好ましくは、面方向リタデーション(R0値)が下記式(2)を満たす熱可塑性樹脂を用いる。
+20nm≧R0≧−20nm ・・・(2)
さらに好ましくは、面方向リタデーション(R0値)が下記式(2)を満たす熱可塑性樹脂を用いる。
+5nm≧R0≧−5nm ・・・(2)
[substrate]
The board | substrate 11 may serve as the front board of the display panel, for example. As such a transparent substrate 11, a resin film made of a thermoplastic resin can be used.
For the substrate 11, a thermoplastic resin whose surface direction retardation (R0 value) satisfies the following formula (1) is used.
+50 nm ≧ R0 ≧ −50 nm (1)
Preferably, a thermoplastic resin having a plane direction retardation (R0 value) satisfying the following formula (2) is used.
+20 nm ≧ R0 ≧ −20 nm (2)
More preferably, a thermoplastic resin whose surface direction retardation (R0 value) satisfies the following formula (2) is used.
+5 nm ≧ R0 ≧ −5 nm (2)

なお、面方向リタデーション値とは、波長590nmにおいて、基板の遅相軸方向の屈折率をnx、進相軸方向の屈折率をny、基板の厚さをd(nm)とした場合にR0=(nx−ny)・d(nm)で表される値である。
基板の面内リタデーション値は自動複屈折率測定装置(王子計測機器(株)製、商品名KOBRA−21ADH)を用いて測定することができるが、これに限定されるものではない。
The plane direction retardation value is R0 = when the refractive index in the slow axis direction of the substrate is nx, the refractive index in the fast axis direction is ny, and the thickness of the substrate is d (nm) at a wavelength of 590 nm. It is a value represented by (nx−ny) · d (nm).
Although the in-plane retardation value of a board | substrate can be measured using an automatic birefringence measuring apparatus (Oji Scientific Instruments Co., Ltd. make, brand name KOBRA-21ADH), it is not limited to this.

面方向リタデーション(R0値)が上記式(1)を満たす熱可塑性樹脂フィルムの材料としては、例えば、セルロースジアセテート(DAC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート(CAB)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースアシレート樹脂又はそれらの誘導体、アートン(商品名JSR社製)、アペル(商品名三井化学社製)、トパス(ポリプラスチックス社製)といった環状オレフィン系樹脂、といったノルボルネン系樹脂、ピュアエース(帝人社製)といったポリカーボネート樹脂、及び、(メタ)アクリル樹脂、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン等が挙げられる。
なかでもセルロースアシレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、環状オレフィン系、ノルボルネン系樹脂が好ましい。
セルロースアシレート樹脂としては、平均アシル基置換度が2.6以上3.0以下であることが好ましい。
Examples of the material of the thermoplastic resin film whose surface direction retardation (R0 value) satisfies the above formula (1) include cellulose diacetate (DAC), cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate (CAB), cellulose acetate pro Cellulose acylate resins such as pionate (CAP), cellulose acetate phthalate (TAC), cellulose nitrate or derivatives thereof, Arton (trade name, manufactured by JSR), Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals), Topas (polyplastic) Norbornene resins such as cyclic olefin resins (manufactured by Seisaku), polycarbonate resins such as pure ace (manufactured by Teijin), and (meth) acrylic resins, amorphous polyarylate, polyether sulfone, polysulfone, etc. It is.
Of these, cellulose acylate resins, polycarbonate resins, cyclic olefin resins, and norbornene resins are preferable.
The cellulose acylate resin preferably has an average acyl group substitution degree of 2.6 or more and 3.0 or less.

また、基板11は、厚さが60μm〜20μmであることが好ましい。基板11は、上記熱可塑性樹脂が幅手方向、及び、搬送方向に延伸されて、上記厚さの範囲の樹脂フィルムとなることが好ましい。
また、樹脂フィルムは、幅手方向の寸法が0.3m以上、長手方向の寸法が200m以上とすることができる。このため、導電性フィルムを長手方向に巻回することにより、ロール状の導電性フィルムとすることができる。
The substrate 11 preferably has a thickness of 60 μm to 20 μm. The substrate 11 is preferably a resin film having a thickness within the above range by stretching the thermoplastic resin in the width direction and the transport direction.
Moreover, the dimension of the width direction of a resin film can be 0.3 m or more, and the dimension of a longitudinal direction can be 200 m or more. For this reason, it can be set as a roll-shaped electroconductive film by winding an electroconductive film in a longitudinal direction.

一般的に導電性フィルムの基板に適用されるポリエチレンテレフタレート(PET)やポリエチレンナフタレート(PEN)では、面方向リタデーション(R0値)が大きく、デバイスの他の構成との間で干渉縞が発生する。この干渉縞が、導電性フィルムを備えるデバイスの視認性を悪化させている。
また、導電性フィルムは、カーナビゲーション用タッチパネルやスマートフォンやタブレットと呼ばれる携帯用画像表示機器等においても多く使用されている。こうしたタッチパネルは屋外で使用されることが多く、その表示表面が反射して視認性が低下する。このため、タッチパネル表面の反射を抑えるために、偏光フィルム等が用いられることが多い。しかし、ポリエチレンテレフタレート(PET)やポリエチレンナフタレート(PEN)では、面方向リタデーション(R0値)が大きく、偏光フィルムを通して視認したタッチパネル表面画面は色むらが生じるという問題があった。
このため、PET等の基板を用いた場合には、色むらを解消する目的で、λ/4波長板等の光学機能フィルムが導電性フィルムに合わせて設けられている。このような光学機能フィルムを用いることにより、デバイスの視認性を向上させている。
In general, polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), which are applied to a conductive film substrate, have a large surface direction retardation (R0 value) and generate interference fringes with other components of the device. . This interference fringe deteriorates the visibility of a device including a conductive film.
In addition, conductive films are often used in touch screens for car navigation, portable image display devices called smartphones and tablets, and the like. Such a touch panel is often used outdoors, and the display surface is reflected to reduce visibility. For this reason, in order to suppress reflection of the touch panel surface, a polarizing film or the like is often used. However, polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN) have a large surface direction retardation (R0 value), and there is a problem that color unevenness occurs on the touch panel surface screen viewed through the polarizing film.
For this reason, when a substrate such as PET is used, an optical functional film such as a λ / 4 wavelength plate is provided in accordance with the conductive film for the purpose of eliminating color unevenness. By using such an optical functional film, the visibility of the device is improved.

これに対し、面方向リタデーション(R0値)が±50nm以下、好ましくは±20nm以下の基板を用いた導電性フィルムでは、この導電性フィルムをデバイスに適用した場合にも、干渉縞や色むらの発生がない。このため、λ/4波長板等の光学機能フィルムを設けなくても、導電性フィルムを用いたタッチパネルや表示装置等のデバイスの視認性が向上する。   On the other hand, in the case of a conductive film using a substrate having a plane direction retardation (R0 value) of ± 50 nm or less, preferably ± 20 nm or less, even when this conductive film is applied to a device, interference fringes and color unevenness are observed. There is no occurrence. For this reason, the visibility of devices such as a touch panel and a display device using a conductive film is improved without providing an optical functional film such as a λ / 4 wavelength plate.

基板11の表面には、バリア層やハードコート層があってもよい。バリア層やハードコート層としては、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜およびハイブリッド被膜は、JIS−K−7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度90±2%RH)が0.01g/(m・24時間)以下のバリア性フィルム(バリア膜等ともいう)であることが好ましい。またさらには、JIS−K−7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が10−3ml/(m・24時間・atm)以下、水蒸気透過度が10−5g/(m・24時間)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 There may be a barrier layer or a hard coat layer on the surface of the substrate 11. As the barrier layer or the hard coat layer, a film made of an inorganic material or an organic material, or a hybrid film combining these films may be formed. Such coatings and hybrid coatings have a water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C., relative humidity 90 ± 2% RH) of 0.01 g / (measured by a method according to JIS-K-7129-1992. m 2 · 24 hours) or less of a barrier film (also referred to as a barrier film or the like) is preferable. Furthermore, the oxygen permeability measured by a method according to JIS-K-7126-1987 is 10 −3 ml / (m 2 · 24 hours · atm) or less, and the water vapor permeability is 10 −5 g / (m (2 · 24 hours) or less is preferable.

以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層(有機層)の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。   The material for forming the barrier film as described above may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like is used. be able to. Furthermore, in order to improve the brittleness of the barrier film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers (organic layers) made of an organic material. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.

バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。   The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the molecular beam epitaxy method, the cluster ion beam method, the ion plating method, the plasma polymerization method, the atmospheric pressure plasma weighting. A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

基板11の表面は、表面活性処理により清浄化されていることが好ましい。このような表面活性処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、フレーム処理が挙げられる。   The surface of the substrate 11 is preferably cleaned by surface activation treatment. Examples of such surface activation treatment include corona treatment, plasma treatment, and flame treatment.

[透明導電層]
透明導電層12は、光透過性を保てる程度、かつ、照射された光がプラズモン損失されない程度に極薄い金属膜である。さらに、透明導電層は、導電性を有する程度に連続した金属膜である。具体的には、波長550nmにおける光透過率が60%以上であることが好ましく、特に80%以上であることが好ましく、全光線透過率が80%以上であることが好ましい。また、膜厚が1〜30nm、好ましくは1〜20nmであり、シート抵抗が0.0001〜50Ω/□、好ましくは0.01〜40Ω/□である。膜厚が上記範囲以下であることにより、層の吸収成分又は反射成分が低く抑えられ、光透過率が維持されるため好ましい。また、膜厚が上記範囲以上であることにより、導電性も確保される。
[Transparent conductive layer]
The transparent conductive layer 12 is an extremely thin metal film to such an extent that the light transmission can be maintained and the irradiated light is not lost to plasmon. Further, the transparent conductive layer is a metal film that is continuous to the extent that it has conductivity. Specifically, the light transmittance at a wavelength of 550 nm is preferably 60% or more, particularly preferably 80% or more, and the total light transmittance is preferably 80% or more. The film thickness is 1 to 30 nm, preferably 1 to 20 nm, and the sheet resistance is 0.0001 to 50Ω / □, preferably 0.01 to 40Ω / □. When the film thickness is not more than the above range, the absorption component or reflection component of the layer can be suppressed low, and the light transmittance is maintained, which is preferable. Moreover, electroconductivity is ensured because a film thickness is more than the said range.

透明導電層は、銀又は銀を主成分とする合金を用いて構成された層であって、基板11上に形成された層である。このような透明導電層の形成方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法(抵抗加熱、EB法など)、スパッタ法、CVD法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。また、透明導電層は、形成後の高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とする。   The transparent conductive layer is a layer formed using silver or an alloy containing silver as a main component, and is a layer formed on the substrate 11. As a method of forming such a transparent conductive layer, a method using a wet process such as a coating method, an inkjet method, a coating method, a dip method, a vapor deposition method (resistance heating, EB method, etc.), a sputtering method, a CVD method, etc. Examples include a method using a dry process. Of these, the vapor deposition method is preferably applied. In addition, the transparent conductive layer is sufficiently conductive even if there is no high-temperature annealing after formation.

透明導電層が銀で構成される場合には、銀の純度が99%以上であることが好ましい。また、銀の安定性を確保するためにパラジウム(Pd)、銅(Cu)、金(Au)等が添加されていてもよい。   When the transparent conductive layer is composed of silver, the purity of silver is preferably 99% or more. Further, palladium (Pd), copper (Cu), gold (Au), or the like may be added in order to ensure the stability of silver.

透明導電層が銀を主成分とする合金から構成される場合には、銀の含有率が50%以上であることが好ましい。このような合金の一例として、銀マグネシウム(AgMg)、銀銅(AgCu)、銀パラジウム(AgPd)、銀パラジウム銅(AgPdCu)、銀インジウム(AgIn)、銀金(AgAu)、銀アルミ(AgAl)、銀亜鉛(AgZn)、銀錫(AgSn)、銀白金(AgPt)、銀チタン(AgTi)、銀ビスマス(AgBi)等が挙げられる。   When the transparent conductive layer is composed of an alloy containing silver as a main component, the silver content is preferably 50% or more. Examples of such alloys include silver magnesium (AgMg), silver copper (AgCu), silver palladium (AgPd), silver palladium copper (AgPdCu), silver indium (AgIn), silver gold (AgAu), silver aluminum (AgAl) , Silver zinc (AgZn), silver tin (AgSn), silver platinum (AgPt), silver titanium (AgTi), silver bismuth (AgBi), and the like.

また、以上のような透明導電層は、銀又は銀を主成分とする合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。つまり、銀の層と、合金の層とが交互に複数回積層された構成であってもよく、又は異なる合金の層が複数層積層された構成であってもよい。   Further, the transparent conductive layer as described above may have a configuration in which silver or an alloy layer mainly composed of silver is divided into a plurality of layers as necessary. That is, a configuration in which silver layers and alloy layers are alternately stacked a plurality of times may be used, or a configuration in which a plurality of layers of different alloys are stacked may be used.

〈2.導電性フィルムの変形例〉
次に、導電性フィルムの変形例について説明する。
図2に変形例の導電性フィルムの概略構成図(断面図)を示す。図2に示すように、導電性フィルム10は、基板11上に、透明電極12が設けられた構成である。透明電極12は、中間層13と、この中間層13上に設けられた透明導電層14とを備える。なお、図2に示す導電性フィルムの変形例は、中間層13を備えることを除き、上述の導電性フィルムの実施形態と同様の構成である。このため、第1実施形態と同様の構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
<2. Modification Example of Conductive Film>
Next, a modified example of the conductive film will be described.
The schematic block diagram (sectional drawing) of the electroconductive film of a modification is shown in FIG. As shown in FIG. 2, the conductive film 10 has a configuration in which a transparent electrode 12 is provided on a substrate 11. The transparent electrode 12 includes an intermediate layer 13 and a transparent conductive layer 14 provided on the intermediate layer 13. In addition, the modification of the electroconductive film shown in FIG. 2 is the structure similar to embodiment of the above-mentioned electroconductive film except providing the intermediate | middle layer 13. As shown in FIG. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to 1st Embodiment, and detailed description is abbreviate | omitted.

[中間層]
中間層13は、接着層や窒素含有層等から構成される。中間層13は、接着層、又は、窒素含有層のいずれか一方を含んで構成されていることが好ましい。また、接着層、及び、窒素含有層の両方を含んで構成されていてもよい。また透明導電層が、複数の層に分けて積層された構成の場合、導電層と中間層が交互に複数回積層された構成であってもよい。
[Middle layer]
The intermediate layer 13 is composed of an adhesive layer, a nitrogen-containing layer, and the like. The intermediate layer 13 is preferably configured to include either an adhesive layer or a nitrogen-containing layer. Moreover, you may be comprised including both the contact bonding layer and the nitrogen containing layer. In addition, in the case where the transparent conductive layer is configured to be divided into a plurality of layers, the conductive layer and the intermediate layer may be alternately stacked a plurality of times.

中間層13上に透明導電層14を形成することにより、透明導電層14を構成する銀原子が中間層13と相互作用し、銀原子の中間層13表面における拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。このため、一般的には核成長型(Volumer−Weber:VW型)での膜成長により島状に孤立し易い銀薄膜が、単層成長型(Frank−van der Merwe:FM型)の膜成長によって形成され、均一な膜厚の銀薄膜が得られる。従って、薄い膜厚でありながらも、均一な膜厚の透明導電層14が得られるようになる。   By forming the transparent conductive layer 14 on the intermediate layer 13, the silver atoms constituting the transparent conductive layer 14 interact with the intermediate layer 13, and the diffusion distance of silver atoms on the surface of the intermediate layer 13 is reduced. Is suppressed. Therefore, in general, a silver thin film that is easily isolated in an island shape by film growth of a nuclear growth type (Volume-Weber: VW type) is a single-layer growth type (Frank-van der Merwe: FM type). A silver thin film having a uniform film thickness is obtained. Therefore, the transparent conductive layer 14 having a uniform film thickness can be obtained even though the film thickness is small.

(接着層)
接着層は、チタン、白金、パラジウム、コバルト、ニッケル、モリブデン等の原子を含む化合物から構成された層であり、透明電極層14若しくは窒素含有層に隣接して設けられる。接着層は、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法(抵抗加熱、EB法等)、スパッタ法、CVD法等のドライプロセスを用いる方法等によって形成される。なかでも酸化チタンを用い、蒸着法により形成されることが好ましい。
(Adhesive layer)
The adhesive layer is a layer made of a compound containing atoms such as titanium, platinum, palladium, cobalt, nickel, molybdenum, and is provided adjacent to the transparent electrode layer 14 or the nitrogen-containing layer. The adhesive layer is formed by a method using a wet process such as a coating method, an ink jet method, a coating method, or a dip method, or a method using a dry process such as a vapor deposition method (resistance heating, EB method, etc.), a sputtering method, or a CVD method. Is done. Among these, it is preferable to use titanium oxide and form by vapor deposition.

(窒素含有層)
窒素含有層は、窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された層であり、透明導電層14に隣接して設けられる。窒素含有層は、基板11上に形成される場合、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法(抵抗加熱、EB法など)、スパッタ法、CVD法などのドライプロセスを用いる方法等によって形成される。なかでも蒸着法が好ましく適用される。
(Nitrogen-containing layer)
The nitrogen-containing layer is a layer configured using a compound containing a nitrogen atom, and is provided adjacent to the transparent conductive layer 14. When the nitrogen-containing layer is formed on the substrate 11, a method using a wet process such as a coating method, an inkjet method, a coating method, a dip method, a vapor deposition method (resistance heating, EB method, etc.), a sputtering method, a CVD method, or the like. It is formed by a method using a dry process such as. Of these, the vapor deposition method is preferably applied.

窒素含有層を構成する窒素原子を含んだ化合物は、分子内に窒素原子を含んでいる化合物であれば、特に限定はないが、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物が好ましい。窒素原子をヘテロ原子とした複素環としては、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、アゾリジン、アゾール、アジナン、ピリジン、アゼパン、アゼピン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、モルホリン、チアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾ−C−シンノリン、ポルフィリン、クロリン、コリン等が挙げられる。
また、窒素原子を含有する化合物としては、次のような化合物1〜3が例示される。
The compound containing a nitrogen atom constituting the nitrogen-containing layer is not particularly limited as long as it is a compound containing a nitrogen atom in the molecule, but a compound having a heterocycle having a nitrogen atom as a heteroatom is preferable. Examples of the heterocycle having a nitrogen atom as a hetero atom include aziridine, azirine, azetidine, azeto, azolidine, azole, azinane, pyridine, azepan, azepine, imidazole, pyrazole, oxazole, thiazole, imidazoline, pyrazine, morpholine, thiazine, indole, Examples include isoindole, benzimidazole, purine, quinoline, isoquinoline, quinoxaline, cinnoline, pteridine, acridine, carbazole, benzo-C-cinnoline, porphyrin, chlorin, choline and the like.
Moreover, the following compounds 1-3 are illustrated as a compound containing a nitrogen atom.

(化合物−1)
窒素含有層を構成する化合物の一例として、当該化合物に含有される窒素原子のうち、特に透明導電層14を構成する主材料である銀と安定的に結合する窒素原子の非共有電子対を[有効非共有電子対]とし、この[有効非共有電子対]の含有率が所定範囲である化合物が好ましく用いられる。
(Compound-1)
As an example of the compound constituting the nitrogen-containing layer, among the nitrogen atoms contained in the compound, an unshared electron pair of a nitrogen atom that is stably bonded to silver, which is the main material constituting the transparent conductive layer 14, in particular [ [Effective unshared electron pair], and a compound in which the content of [effective unshared electron pair] is within a predetermined range is preferably used.

ここで[有効非共有電子対]とは、化合物に含有される窒素原子が有する非共有電子対のうち、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない非共有電子対であることとする。ここでの芳香族性とは、π電子を持つ原子が環状に並んだ不飽和環状構造を言い、いわゆる「ヒュッケル則」に従う芳香族性であって、環上のπ電子系に含まれる電子の数が「4n+2」(n=0、又は自然数)個であることを条件としている。   Here, “effective unshared electron pair” means an unshared electron pair that is not involved in aromaticity and is not coordinated to a metal among the unshared electron pairs of the nitrogen atom contained in the compound. And The aromaticity here refers to an unsaturated cyclic structure in which atoms having π electrons are arranged in a ring, and is aromatic according to the so-called “Hückel's rule”. The condition is that the number is “4n + 2” (n = 0 or a natural number).

以上のような[有効非共有電子対]は、その非共有電子対を備えた窒素原子自体が、芳香環を構成するヘテロ原子であるか否かにかかわらず、窒素原子が有する非共有電子対が芳香族性と関与しているか否かによって選択される。例えば、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子であっても、その窒素原子が芳香族性に関与しない非共有電子対を有していれば、その非共有電子対は[有効非共有電子対]の一つとしてカウントされる。
これに対して、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子でない場合であっても、その窒素原子の非共有電子対の全てが芳香族性に関与していれば、その窒素原子の非共有電子対は[有効非共有電子対]としてカウントされることはない。尚、各化合物において、上述した[有効非共有電子対]の数nは、[有効非共有電子対]を有する窒素原子の数と一致する。
[Effective unshared electron pair] as described above refers to an unshared electron pair possessed by a nitrogen atom regardless of whether or not the nitrogen atom itself provided with the unshared electron pair is a hetero atom constituting an aromatic ring. Is selected depending on whether or not is involved in aromaticity. For example, even if a nitrogen atom is a heteroatom constituting an aromatic ring, if the nitrogen atom has an unshared electron pair that does not participate in aromaticity, the unshared electron pair is [effective unshared electron. It is counted as one of the pair.
In contrast, even if a nitrogen atom is not a heteroatom that constitutes an aromatic ring, if all of the non-shared electron pairs of the nitrogen atom are involved in aromaticity, the nitrogen atom is not shared. An electron pair is not counted as a [valid unshared electron pair]. In each compound, the number n of [effective unshared electron pairs] described above matches the number of nitrogen atoms having [effective unshared electron pairs].

特に本実施形態においては、このような化合物の分子量Mに対する[有効非共有電子対]の数nを、例えば有効非共有電子対含有率[n/M]と定義する。そして窒素含有層は、この[n/M]が、2.0×10-3≦[n/M]となるように選択された化合物を用いて構成されていることが好ましい。また窒素含有層は、以上のように定義される有効非共有電子対含有率[n/M]が、3.9×10-3≦[n/M]の範囲であればさらに好ましい。 Particularly in the present embodiment, the number n of [effective unshared electron pairs] with respect to the molecular weight M of such a compound is defined as, for example, the effective unshared electron pair content [n / M]. The nitrogen-containing layer is preferably composed of a compound selected such that [n / M] is 2.0 × 10 −3 ≦ [n / M]. Further, the nitrogen-containing layer is more preferable if the effective unshared electron pair content [n / M] defined as described above is in the range of 3.9 × 10 −3 ≦ [n / M].

また、窒素含有層は、有効非共有電子対含有率[n/M]が上述した所定範囲である化合物を用いて構成されていればよく、このような化合物のみで構成されていてもよく、またこのような化合物と他の化合物とを混合して用いて構成されていてもよい。他の化合物は、窒素原子が含有されていてもいなくてもよく、さらに有効非共有電子対含有率[n/M]が上述した所定範囲でなくてもよい。   Further, the nitrogen-containing layer only needs to be configured using a compound whose effective unshared electron pair content [n / M] is in the predetermined range described above, or may be configured only with such a compound, Further, such a compound and another compound may be mixed and used. The other compound may or may not contain a nitrogen atom, and the effective unshared electron pair content [n / M] may not be within the predetermined range described above.

窒素含有層が、複数の化合物を用いて構成されている場合、例えば化合物の混合比に基づき、これらの化合物を混合した混合化合物の分子量Mを求め、この分子量Mに対しての[有効非共有電子対]の合計の数nを、有効非共有電子対含有率[n/M]の平均値として求め、この値が上述した所定範囲であることが好ましい。つまり窒素含有層自体の有効非共有電子対含有率[n/M]が所定範囲であることが好ましい。   When the nitrogen-containing layer is composed of a plurality of compounds, for example, based on the mixing ratio of the compounds, the molecular weight M of the mixed compound obtained by mixing these compounds is obtained, and [effective non-sharing with respect to this molecular weight M is obtained. The total number n of [electron pairs] is obtained as an average value of the effective unshared electron pair content [n / M], and this value is preferably within the predetermined range described above. That is, the effective unshared electron pair content [n / M] of the nitrogen-containing layer itself is preferably within a predetermined range.

尚、窒素含有層が、複数の化合物を用いて構成されている場合であって、膜厚方向に化合物の混合比(含有比)が異なる構成であれば、透明導電層14と接する側の窒素含有層の表面層における有効非共有電子対含有率[n/M]が所定範囲であることが好ましい。   If the nitrogen-containing layer is composed of a plurality of compounds and the composition ratio (content ratio) of the compounds is different in the film thickness direction, the nitrogen on the side in contact with the transparent conductive layer 14 The effective unshared electron pair content [n / M] in the surface layer of the containing layer is preferably within a predetermined range.

以下に、窒素含有層を構成する化合物として、上述した有効非共有電子対含有率[n/M]が2.0×10−3≦[n/M]を満たす化合物の具体例(No.1〜No.40)を示す。各化合物No.1〜No.40には、[有効非共有電子対]を有する窒素原子に対して○を付した。また、下記表1には、これらの化合物No.1〜No.40の分子量M、[有効非共有電子対]の数n、及び有効非共有電子対含有率[n/M]を示す。下記化合物33の銅フタロシアニンにおいては、窒素原子が有する非共有電子対のうち銅に配位していない非共有電子対が[有効非共有電子対]としてカウントされる。 Specific examples of compounds that satisfy the above-described effective unshared electron pair content [n / M] of 2.0 × 10 −3 ≦ [n / M] (No. 1) To No. 40). Each compound No. 1-No. 40 is marked with a circle with respect to a nitrogen atom having [effective unshared electron pair]. Table 1 below shows these compound Nos. 1-No. The molecular weight M of 40, the number n of [effective unshared electron pairs], and the effective unshared electron pair content [n / M] are shown. In the copper phthalocyanine of the following compound 33, unshared electron pairs that are not coordinated to copper among the unshared electron pairs of the nitrogen atom are counted as [effective unshared electron pairs].

尚、上記表1には、これらの例示化合物が、次に説明する[化合物-2]を表す一般式(1)〜(6)の何れかにも属する場合の該当一般式を示した。   Table 1 shows the corresponding general formulas when these exemplary compounds belong to any one of the general formulas (1) to (6) representing [Compound-2] described below.

(化合物−2)
窒素含有層を構成する化合物の他の例として、以上のような有効非共有電子対含有率[n/M]が上述した所定範囲である化合物の他、その形成性の観点から、以降に説明する一般式(1)〜(6)で表される化合物が用いられる。
(Compound-2)
As other examples of the compound constituting the nitrogen-containing layer, in addition to the compound having the above-mentioned effective unshared electron pair content [n / M] within the predetermined range described above, from the viewpoint of its formability, the following description will be given. The compounds represented by the general formulas (1) to (6) are used.

これらの一般式(1)〜(6)で示される化合物の中には、上述した有効非共有電子対含有率[n/M]の範囲に当てはまる化合物も含まれ、このような化合物であれば単独で窒素含有層を構成する化合物として好ましく用いられる(上記表1参照)。一方、下記一般式(1)〜(6)で示される化合物が、上述した有効非共有電子対含有率[n/M]の範囲に当てはまらない化合物であれば、有効非共有電子対含有率[n/M]が上述した範囲の化合物と混合することで窒素含有層を構成する化合物として好ましく用いられる。   Among the compounds represented by the general formulas (1) to (6), there are also compounds that fall within the range of the effective unshared electron pair content [n / M] described above. It is preferably used alone as a compound constituting the nitrogen-containing layer (see Table 1 above). On the other hand, if the compound represented by the following general formulas (1) to (6) is a compound that does not fall within the above-mentioned range of the effective unshared electron pair content [n / M], the effective unshared electron pair content [ n / M] is preferably used as a compound constituting the nitrogen-containing layer by mixing with a compound in the above-described range.

上記一般式(1)の式中、E101〜E108は、各々−C(R12)=又は−N=を表し、E101〜E108のうち少なくとも1つは−N=である。また、一般式(1)中のR11、及び上記R12は水素原子又は置換基を表す。   In the general formula (1), E101 to E108 each represent -C (R12) = or -N =, and at least one of E101 to E108 is -N =. Moreover, R11 in General formula (1) and said R12 represent a hydrogen atom or a substituent.

この置換基の例としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素基(芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基)、芳香族複素環基(例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わった構造を有する)、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基、ピペリジル基(ピペリジニル基ともいう)、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニル基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)、リン酸エステル基(例えば、ジヘキシルホスホリル基等)、亜リン酸エステル基(例えばジフェニルホスフィニル基等)、ホスホノ基等が挙げられる。   Examples of this substituent include alkyl groups (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group). Etc.), cycloalkyl groups (for example, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl groups (for example, vinyl group, allyl group, etc.), alkynyl groups (for example, ethynyl group, propargyl group, etc.), aromatic hydrocarbon groups (aromatic Also called group carbocyclic group, aryl group, etc., for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group , Pyrenyl group, biphenylyl group), aromatic heterocyclic group (for example, Furyl group, thienyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (carbolinyl group carboline) A structure in which one of the carbon atoms constituting the ring is replaced by a nitrogen atom), a phthalazinyl group, etc.), a heterocyclic group (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), an alkoxy group (eg, Methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (for example, , Fe Xy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (eg, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group) Etc.), arylthio groups (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl groups (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryl Oxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (eg, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl) Group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group (for example, Acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group ( For example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenyl Sulfonyloxy group, etc.), amide groups (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonyl) Amino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexyl) Aminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl Nyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group naphthylureido) Group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2 -Pyridylsulfinyl group etc.), alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2- Ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (eg, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (eg, amino group, ethylamino group, dimethyl) Amino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, piperidyl group (also called piperidinyl group), 2,2,6,6- Tetramethylpiperidinyl group, etc.), halogen atoms (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, etc.), fluorinated hydrocarbon groups (eg, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl) Group), cyano group, di B, hydroxy group, mercapto group, silyl group (eg, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.), phosphate ester group (eg, dihexyl phosphoryl group, etc.), phosphorous acid An ester group (for example, diphenylphosphinyl group etc.), a phosphono group etc. are mentioned.

これらの置換基の一部は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。   Some of these substituents may be further substituted with the above substituents. In addition, a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.

上記一般式(2)は、一般式(1)の一形態でもある。上記一般式(2)の式中、Y21は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。E201〜E216、E221〜E238は、各々−C(R21)=又は−N=を表し、R21は水素原子又は置換基を表す。ただし、E221〜E229の少なくとも1つ及びE230〜E238の少なくとも1つは−N=を表す。k21及びk22は0〜4の整数を表すが、k21+k22は2以上の整数である。   The general formula (2) is also an embodiment of the general formula (1). In the general formula (2), Y21 represents a divalent linking group composed of an arylene group, a heteroarylene group, or a combination thereof. E201 to E216 and E221 to E238 each represent -C (R21) = or -N =, and R21 represents a hydrogen atom or a substituent. However, at least one of E221 to E229 and at least one of E230 to E238 represent -N =. k21 and k22 represent an integer of 0 to 4, but k21 + k22 is an integer of 2 or more.

一般式(2)において、Y21で表されるアリーレン基としては、例えば、o−フェニレン基、p−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基(例えば、[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジイル基、3,3’−ビフェニルジイル基、3,6−ビフェニルジイル基等)、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等が例示される。   In the general formula (2), examples of the arylene group represented by Y21 include o-phenylene group, p-phenylene group, naphthalenediyl group, anthracenediyl group, naphthacenediyl group, pyrenediyl group, naphthylnaphthalenediyl group, and biphenyldiyl. Groups (for example, [1,1′-biphenyl] -4,4′-diyl group, 3,3′-biphenyldiyl group, 3,6-biphenyldiyl group, etc.), terphenyldiyl group, quaterphenyldiyl group And kinkphenyldiyl group, sexiphenyldiyl group, septiphenyldiyl group, octiphenyldiyl group, nobiphenyldiyl group, deciphenyldiyl group and the like.

また、一般式(2)において、Y21で表されるヘテロアリーレン基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す)、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される2価の基等が例示される。   In the general formula (2), examples of the heteroarylene group represented by Y21 include a carbazole ring, a carboline ring, a diazacarbazole ring (also referred to as a monoazacarboline ring, and one of carbon atoms constituting the carboline ring). Derived from the group consisting of triazole ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyrazine ring, quinoxaline ring, thiophene ring, oxadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, indole ring) And the like.

Y21で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる2価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基又はジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。   As a preferred embodiment of the divalent linking group consisting of an arylene group, heteroarylene group or a combination thereof represented by Y21, among the heteroarylene groups, a condensed aromatic heterocycle formed by condensation of three or more rings. A group derived from a condensed aromatic heterocyclic ring formed by condensing three or more rings is preferably included, and a group derived from a dibenzofuran ring or a dibenzothiophene ring is preferable. Are preferred.

一般式(2)において、E201〜E216、E221〜E238で各々表される−C(R21)=のR21が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式(1)のR11,R12として例示した置換基が同様に適用される。   In the general formula (2), when R21 of —C (R21) ═ represented by E201 to E216 and E221 to E238 is a substituent, examples of the substituent include R11 of the general formula (1), The substituents exemplified as R12 apply similarly.

一般式(2)において、E201〜E208のうちの6つ以上、及びE209〜E216のうちの6つ以上が、各々−C(R21)=で表されることが好ましい。   In General formula (2), it is preferable that 6 or more of E201-E208 and 6 or more of E209-E216 are each represented by -C (R21) =.

一般式(2)において、E225〜E229の少なくとも1つ、及びE234〜E238の少なくとも1つが−N=を表すことが好ましい。   In the general formula (2), it is preferable that at least one of E225 to E229 and at least one of E234 to E238 represent -N =.

さらには、一般式(2)において、E225〜E229のいずれか1つ、及びE234〜E238のいずれか1つが−N=を表すことが好ましい。   Furthermore, in General formula (2), it is preferable that any one of E225-E229 and any one of E234-E238 represent -N =.

また、一般式(2)において、E221〜E224及びE230〜E233が、各々−C(R21)=で表されることが好ましい態様として挙げられる。   Moreover, in General formula (2), it is mentioned as a preferable aspect that E221-E224 and E230-E233 are each represented by -C (R21) =.

さらに、一般式(2)で表される化合物において、E203が−C(R21)=で表され、かつR21が連結部位を表すことが好ましく、さらに、E211も同時に−C(R21)=で表され、かつR21が連結部位を表すことが好ましい。   Further, in the compound represented by the general formula (2), it is preferable that E203 is represented by -C (R21) = and R21 represents a linking site, and E211 is also represented by -C (R21) =. And R21 preferably represents a linking site.

さらに、E225及びE234が−N=で表されることが好ましく、E221〜E224及びE230〜E233が、各々−C(R21)=で表されることが好ましい。   Further, E225 and E234 are preferably represented by -N =, and E221 to E224 and E230 to E233 are each preferably represented by -C (R21) =.

上記一般式(3)は、一般式(1)の一形態でもある。上記一般式(3)の式中、E301〜E312は、各々−C(R31)=を表し、R31は水素原子又は置換基を表す。また、Y31は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。   The general formula (3) is also an embodiment of the general formula (1). In the general formula (3), E301 to E312 each represent —C (R31) ═, and R31 represents a hydrogen atom or a substituent. Y31 represents a divalent linking group composed of an arylene group, a heteroarylene group, or a combination thereof.

上記一般式(3)において、E301〜E312で各々表される−C(R31)=のR31が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式(1)のR11,R12として例示した置換基が同様に適用される。   In the general formula (3), when R31 in —C (R31) ═ represented by E301 to E312 is a substituent, examples of the substituent are exemplified as R11 and R12 in the general formula (1). The same substituents apply as well.

また一般式(3)において、Y31で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる2価の連結基の好ましい態様としては、一般式(2)のY21と同様の構成が挙げられる。   Moreover, in General formula (3), as a preferable aspect of the bivalent coupling group which consists of an arylene group represented by Y31, heteroarylene group, or those combinations, the structure similar to Y21 of General formula (2) is mentioned. .

上記一般式(4)は、一般式(1)の一形態でもある。上記一般式(4)の式中、E401〜E414は、各々−C(R41)=を表し、R41は水素原子又は置換基を表す。またAr41は、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を表す。さらに、k41は3以上の整数を表す。   The general formula (4) is also a form of the general formula (1). In the general formula (4), E401 to E414 each represent -C (R41) =, and R41 represents a hydrogen atom or a substituent. Ar41 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring. Furthermore, k41 represents an integer of 3 or more.

上記一般式(4)において、E401〜E414で各々表される−C(R41)=のR41が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式(1)のR11,R12として例示した置換基が同様に適用される。   In the general formula (4), when R41 in —C (R41) ═ represented by E401 to E414 is a substituent, examples of the substituent are R11 and R12 in the general formula (1). The same substituents apply as well.

また、一般式(4)において、Ar41が芳香族炭化水素環を表す場合、この芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は、さらに一般式(1)のR11,R12として例示した置換基を有してもよい。   In the general formula (4), when Ar41 represents an aromatic hydrocarbon ring, examples of the aromatic hydrocarbon ring include a benzene ring, a biphenyl ring, a naphthalene ring, an azulene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyrene ring, Chrysene ring, naphthacene ring, triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, Examples include a pentaphen ring, a picene ring, a pyrene ring, a pyranthrene ring, and an anthraanthrene ring. These rings may further have the substituents exemplified as R11 and R12 in the general formula (1).

また、一般式(4)において、Ar41が芳香族複素環を表す場合、この芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。尚、アザカルバゾール環とは、カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が1つ以上窒素原子で置き換わった構造を有する。これらの環は、さらに一般式(1)において、R11,R12として例示した置換基を有してもよい。   In the general formula (4), when Ar41 represents an aromatic heterocycle, the aromatic heterocycle includes a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, and a pyrazine ring. , Triazine ring, benzimidazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, phthalazine ring, carbazole Ring, azacarbazole ring and the like. The azacarbazole ring has a structure in which one or more carbon atoms of the benzene ring constituting the carbazole ring are replaced with nitrogen atoms. These rings may further have the substituents exemplified as R11 and R12 in the general formula (1).

上記一般式(5)の式中、E501及びE502のうちの少なくとも1つは窒素原子であり、E511〜E515のうちの少なくとも1つは窒素原子であり、E521〜E525のうちの少なくとも1つは窒素原子である。またR51は置換基を表す。   In the general formula (5), at least one of E501 and E502 is a nitrogen atom, at least one of E511 to E515 is a nitrogen atom, and at least one of E521 to E525 is Nitrogen atom. R51 represents a substituent.

上記一般式(5)において、R51が置換基を表す場合、その置換基の例としては、一般式(1)のR11,R12として例示した置換基が同様に適用される。   In the general formula (5), when R51 represents a substituent, the substituents exemplified as R11 and R12 in the general formula (1) are similarly applied as examples of the substituent.

上記一般式(6)の式中、E601〜E612は、各々−C(R61)=又は−N=を表し、R61は水素原子又は置換基を表す。またAr61は、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を表す。   In the general formula (6), E601 to E612 each represent —C (R61) ═ or —N═, and R61 represents a hydrogen atom or a substituent. Ar61 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring.

上記一般式(6)において、E601〜E612で各々表される−C(R61)=のR61が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式(1)のR11,R12として例示した置換基が同様に適用される。   In the general formula (6), when R61 of —C (R61) ═ represented by E601 to E612 is a substituent, examples of the substituent include R11 and R12 of the general formula (1). The same substituents apply as well.

また一般式(6)において、Ar61が表す、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環は、一般式(4)のAr41と同様の構成が挙げられる。   In General Formula (6), the substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring represented by Ar 61 has the same configuration as Ar 41 in General Formula (4).

(化合物−3)
窒素含有層を構成する化合物のさらに他の例として、以上のような一般式(1)〜(6)で表される化合物の他、下記に具体例を示す化合物1〜118が例示される。これらの化合物は、化合物の安定性が高いため、好ましい。尚、これらの化合物1〜118の中には、上述した有効非共有電子対含有率[n/M]の範囲に当てはまる化合物も含まれ、このような化合物であれば単独で窒素含有層を構成する化合物として好ましく用いられる。さらに、これらの化合物1〜118の中には、上述した一般式(1)〜(6)に当てはまる化合物もある。
(Compound-3)
As still another example of the compound constituting the nitrogen-containing layer, in addition to the compounds represented by the general formulas (1) to (6) as described above, compounds 1 to 118 shown below as specific examples are exemplified. These compounds are preferable since the stability of the compounds is high. In addition, these compounds 1-118 include compounds that fall within the range of the effective unshared electron pair content [n / M] described above, and such compounds constitute a nitrogen-containing layer alone. It is preferably used as a compound. Further, among these compounds 1-118, there are compounds that fall under the general formulas (1)-(6) described above.

[化合物の合成例]
以下に代表的な化合物の合成例として、化合物5の具体的な合成例を示すが、これに限定されない。
[Examples of compound synthesis]
Specific examples of the synthesis of compound 5 are shown below as typical synthesis examples of the compound, but are not limited thereto.

工程1:(中間体1の合成)
窒素雰囲気下、2,8−ジブロモジベンゾフラン(1.0モル)、カルバゾール(2.0モル)、銅粉末(3.0モル)、炭酸カリウム(1.5モル)を、DMAc(ジメチルアセトアミド)300ml中で混合し、130℃で24時間撹拌した。これによって得た反応液を室温まで冷却後、トルエン1Lを加え、蒸留水で3回洗浄し、減圧雰囲気下において洗浄物から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー(n−ヘプタン:トルエン=4:1〜3:1)にて精製し、中間体1を収率85%で得た。
Step 1: (Synthesis of Intermediate 1)
Under a nitrogen atmosphere, 2,8-dibromodibenzofuran (1.0 mol), carbazole (2.0 mol), copper powder (3.0 mol), potassium carbonate (1.5 mol), DMAc (dimethylacetamide) 300 ml Mixed in and stirred at 130 ° C. for 24 hours. The reaction solution thus obtained was cooled to room temperature, 1 L of toluene was added, washed with distilled water three times, the solvent was distilled off from the washed product under a reduced pressure atmosphere, and the residue was subjected to silica gel flash chromatography (n-heptane: Purification was performed using toluene = 4: 1 to 3: 1), and Intermediate 1 was obtained with a yield of 85%.

工程2:(中間体2の合成)
室温、大気下で中間体1(0.5モル)をDMF(ジメチルホルムアミド)100mlに溶解し、NBS(N−ブロモコハク酸イミド)(2.0モル)を加え、一晩室温で撹拌した。得られた沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、中間体2を収率92%で得た。
Step 2: (Synthesis of Intermediate 2)
Intermediate 1 (0.5 mol) was dissolved in 100 ml of DMF (dimethylformamide) at room temperature under air, NBS (N-bromosuccinimide) (2.0 mol) was added, and the mixture was stirred overnight at room temperature. The resulting precipitate was filtered and washed with methanol, yielding intermediate 2 in 92% yield.

工程3:(化合物5の合成)
窒素雰囲気下、中間体2(0.25モル)、2−フェニルピリジン(1.0モル)、ルテニウム錯体[(η−C)RuCl(0.05モル)、トリフェニルホスフィン(0.2モル)、炭酸カリウム(12モル)を、NMP(N−メチル−2−ピロリドン)3L中で混合し、140℃で一晩撹拌した。
Step 3: (Synthesis of Compound 5)
Under a nitrogen atmosphere, intermediate 2 (0.25 mol), 2-phenylpyridine (1.0 mol), ruthenium complex [(η 6 -C 6 H 6 ) RuCl 2 ] 2 (0.05 mol), triphenyl Phosphine (0.2 mol) and potassium carbonate (12 mol) were mixed in 3 L of NMP (N-methyl-2-pyrrolidone) and stirred at 140 ° C. overnight.

反応液を室温まで冷却後、ジクロロメタン5Lを加え、反応液を濾過した。次いで減圧雰囲気下(800Pa、80℃)において濾液から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー(CHCl:EtN=20:1〜10:1)にて精製した。 After cooling the reaction solution to room temperature, 5 L of dichloromethane was added, and the reaction solution was filtered. Next, the solvent was distilled off from the filtrate under reduced pressure (800 Pa, 80 ° C.), and the residue was purified by silica gel flash chromatography (CH 2 Cl 2 : Et 3 N = 20: 1 to 10: 1).

減圧雰囲気下において、精製物から溶媒を留去した後、その残渣をジクロロメタンに再び溶解し、水で3回洗浄した。洗浄によって得られた物質を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧雰囲気下において乾燥後の物質から溶媒を留去することにより、化合物5を収率68%で得た。   After distilling off the solvent from the purified product under reduced pressure, the residue was dissolved again in dichloromethane and washed three times with water. The material obtained by washing was dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off from the dried material in a reduced-pressure atmosphere to obtain Compound 5 in a yield of 68%.

[窒素含有層の形成方法]
以上のような窒素含有層が基板11上に形成されている場合、その形成方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法(抵抗加熱、EB法など)、スパッタ法、CVD法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。
[Method for forming nitrogen-containing layer]
When the nitrogen-containing layer as described above is formed on the substrate 11, the forming method includes a method using a wet process such as a coating method, an ink jet method, a coating method, a dip method, a vapor deposition method (resistance heating, EB method, etc.), a method using a dry process such as a sputtering method and a CVD method. Of these, the vapor deposition method is preferably applied.

特に、複数の化合物を用いて窒素含有層を形成する場合であれば、複数の蒸着源から複数の化合物を同時に供給する共蒸着が適用される。また化合物として高分子材料を用いる場合であれば、塗布法が好ましく適用される。この場合、化合物を溶媒に溶解させた塗布液を用いる。化合物を溶解させる溶媒が限定されることはない。さらに、複数の化合物を用いて窒素含有層を形成する場合であれば、複数の化合物を溶解させることが可能な溶媒を用いて塗布液を作製すればよい。   In particular, in the case of forming a nitrogen-containing layer using a plurality of compounds, co-evaporation in which a plurality of compounds are simultaneously supplied from a plurality of evaporation sources is applied. If a polymer material is used as the compound, a coating method is preferably applied. In this case, a coating solution in which the compound is dissolved in a solvent is used. The solvent in which the compound is dissolved is not limited. Furthermore, if the nitrogen-containing layer is formed using a plurality of compounds, a coating solution may be prepared using a solvent that can dissolve the plurality of compounds.

(アルミニウム層)
また、以上のような中間層13は、窒素含有層と透明導電層14との界面上に、アルミニウム(Al)の層を設けてよい。アルミニウム層は、透明電極14と窒素含有層との相互作用を阻害しない厚さで形成する。また、アルミニウム層は連続膜ではなく、島状や孔を有する層であってもよい。この場合には、銀の層の一部が窒素含有層に隣接して設けられる。このように、窒素含有層と銀を主成分とする膜との間に他の金属を挟んだ構成であってもよい。この場合には、透明導電層14を構成する銀又は銀を主成分とする合金と、窒素含有層上に設けられたアルミニウム層との間に、合金の層が形成された構成となっていてもよい。
(Aluminum layer)
The intermediate layer 13 as described above may be provided with an aluminum (Al) layer on the interface between the nitrogen-containing layer and the transparent conductive layer 14. The aluminum layer is formed with a thickness that does not hinder the interaction between the transparent electrode 14 and the nitrogen-containing layer. Further, the aluminum layer may be a layer having an island shape or a hole instead of a continuous film. In this case, a part of the silver layer is provided adjacent to the nitrogen-containing layer. Thus, the structure which pinched | interposed another metal between the nitrogen containing layer and the film | membrane which has silver as a main component may be sufficient. In this case, an alloy layer is formed between silver constituting the transparent conductive layer 14 or an alloy containing silver as a main component and an aluminum layer provided on the nitrogen-containing layer. Also good.

(表面保護層)
また、以上の透明導電層14の上に、表面保護層(図示省略)を設けてもよい。表面保護層は連続膜であることが好ましく、アクリル系モノマー又はオリゴマーの硬化性組成物や、上記中間層で用いられる金属化合物及び窒素化合物から形成された膜であってもよい。
(Surface protective layer)
Further, a surface protective layer (not shown) may be provided on the transparent conductive layer 14 described above. The surface protective layer is preferably a continuous film, and may be a film formed from a curable composition of an acrylic monomer or oligomer, or a metal compound and a nitrogen compound used in the intermediate layer.

なお、上述の導電性フィルムの実施形態及び変形例では、透明導電層を用いて透明電極を構成する例について説明しているが、透明導電層の構成は透明電極に限定されず、透明電極以外を構成するものとしてもよい。   In addition, in embodiment and the modification of the above-mentioned electroconductive film, although the example which comprises a transparent electrode using a transparent conductive layer is demonstrated, the structure of a transparent conductive layer is not limited to a transparent electrode, Other than a transparent electrode It is good also as what comprises.

[プロセス]
導電性フィルム11の形成プロセスでは、面方向リタデーション(R0値)が+50nm≧R0≧−50nmを満たす熱可塑性樹脂からなる基板上に、透明電極12を形成する。このとき、透明導電層14及び中間層13の形成プロセスは、透明基板11のガラス転位温度(Tg)を越えないことが好ましい。形成プロセス温度は、透明基板11のガラス転位温度(Tg)から20℃以上低いことが好ましく、40℃以上低いことが更に好ましい。
プロセス中で透明基板の温度を熱可塑性樹脂のガラス転移点以下とすることにより、熱による熱可塑性樹脂への損傷を防ぐことができる。このため、熱可塑性樹脂の面方向リタデーションに影響を与えることなく、透明性、及び、経時安定性に優れる導電性フィルムを形成することができる。また、銀を主成分とする透明導電層を形成することにより、熱可塑性樹脂のガラス転移点以下の温度で、低抵抗な導電性フィルムを形成することができる。
[process]
In the formation process of the conductive film 11, the transparent electrode 12 is formed on a substrate made of a thermoplastic resin whose plane direction retardation (R0 value) satisfies +50 nm ≧ R0 ≧ −50 nm. At this time, it is preferable that the formation process of the transparent conductive layer 14 and the intermediate layer 13 does not exceed the glass transition temperature (Tg) of the transparent substrate 11. The formation process temperature is preferably 20 ° C. or more lower than the glass transition temperature (Tg) of the transparent substrate 11, and more preferably 40 ° C. or less.
By making the temperature of the transparent substrate lower than the glass transition point of the thermoplastic resin during the process, damage to the thermoplastic resin due to heat can be prevented. For this reason, the conductive film which is excellent in transparency and temporal stability can be formed, without affecting the surface direction retardation of a thermoplastic resin. Further, by forming a transparent conductive layer containing silver as a main component, a low-resistance conductive film can be formed at a temperature not higher than the glass transition point of the thermoplastic resin.

〈3.タッチパネル〉
次に、タッチパネルの実施形態について説明する。
図3に、上述の導電性フィルムを用いたタッチパネルの概略構成の斜視図を示す。
また、図4に、タッチパネルの電極構成を示す2枚の透明電極の平面図を示す。図5に、図3及び図4に示すタッチパネルの電極部分の平面模式図を示す。図6に、図5に示すA−A断面に相当する断面模式図を示す。
なお、本例のタッチパネルには、上述の窒素含有層を中間層として備える導電性フィルムを適用した構成について説明する。
<3. Touch panel>
Next, an embodiment of the touch panel will be described.
In FIG. 3, the perspective view of schematic structure of the touchscreen using the above-mentioned electroconductive film is shown.
FIG. 4 is a plan view of two transparent electrodes showing the electrode configuration of the touch panel. FIG. 5 shows a schematic plan view of the electrode portion of the touch panel shown in FIGS. 3 and 4. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view corresponding to the AA cross section shown in FIG.
In addition, the structure which applied the electroconductive film provided with the above-mentioned nitrogen containing layer as an intermediate layer is demonstrated to the touch panel of this example.

これらの図に示すタッチパネル20は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル20は、基板21の一主面上に、第1の透明電極22、及び第2の透明電極23がこの順に配置され、この上部が前面板24で覆われている。基板21、第1の透明電極22、及び、第2の透明電極23は、上述の図3を用いて説明した導電性フィルムにおいて、透明電極12が2層積層された構成である。従って、第1の透明電極22は、第1の窒素含有層25と第1の透明導電層26とがこの順に積層された構成である。同様に、第2の透明電極23は、第2の窒素含有層27と第2の透明導電層28とがこの順に積層された構成である。
以下、タッチパネル20を構成する主要各層の詳細を、基板21側から順に説明する。尚、ここでは、図3及び図4と共に、図5の電極部分の平面模式図及び、そのA−A断面に相当する図6の断面模式図を用いて説明を行う。また、図2で説明したと同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
The touch panel 20 shown in these drawings is a projected capacitive touch panel. In the touch panel 20, a first transparent electrode 22 and a second transparent electrode 23 are arranged in this order on one main surface of a substrate 21, and an upper portion thereof is covered with a front plate 24. The substrate 21, the first transparent electrode 22, and the second transparent electrode 23 have a configuration in which two layers of the transparent electrode 12 are stacked in the conductive film described with reference to FIG. Therefore, the first transparent electrode 22 has a configuration in which the first nitrogen-containing layer 25 and the first transparent conductive layer 26 are laminated in this order. Similarly, the second transparent electrode 23 has a configuration in which a second nitrogen-containing layer 27 and a second transparent conductive layer 28 are laminated in this order.
Hereinafter, details of each main layer constituting the touch panel 20 will be described in order from the substrate 21 side. Here, description will be made with reference to FIGS. 3 and 4 and a schematic plan view of the electrode portion of FIG. 5 and a schematic cross-sectional view of FIG. 6 corresponding to the AA cross section. Further, the same components as those described in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

[基板21]
図3及び図5に示す基板21は、上述の導電性フィルムの実施形態において説明した、面方向リタデーション(R0値)が±50nm、好ましくは±20nmの基板である。
[Substrate 21]
The substrate 21 shown in FIGS. 3 and 5 is a substrate having a surface direction retardation (R0 value) of ± 50 nm, preferably ± 20 nm, as described in the above-described embodiment of the conductive film.

[第1の窒素含有層25(第1の透明電極22)]
第1の窒素含有層25は、上述の導電性フィルムの変形例において説明した窒素含有層であり、基板21上に形成されている。ここでは一例として、第1の窒素含有層25は、基板21の全面を覆う状態で設けられていることとするが、次に説明する第1の透明導電層26と同一形状にパターニングされていてもよい。
透明導電層
[第1の透明導電層26(第1の透明電極22)]
第1の透明導電層26は、上述の導電性フィルムの実施形態で説明した透明導電層であり、第1の窒素含有層25上においてパターニングされた複数のx電極パターンx1,x2,・・・として構成されている。各x電極パターンx1,x2,・・・は、それぞれがx方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各x電極パターンx1,x2,・・・は、例えばx方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてx方向に直線状に連結した形状であることとする。
[First Nitrogen-Containing Layer 25 (First Transparent Electrode 22)]
The first nitrogen-containing layer 25 is the nitrogen-containing layer described in the above-described modification of the conductive film, and is formed on the substrate 21. Here, as an example, the first nitrogen-containing layer 25 is provided so as to cover the entire surface of the substrate 21, but is patterned in the same shape as a first transparent conductive layer 26 described below. Also good.
Transparent conductive layer [first transparent conductive layer 26 (first transparent electrode 22)]
The first transparent conductive layer 26 is the transparent conductive layer described in the embodiment of the conductive film described above, and a plurality of x electrode patterns x1, x2,... Patterned on the first nitrogen-containing layer 25. It is configured as. Each of the x electrode patterns x1, x2,... Is arranged in parallel with an interval between each other, with each extending in the x direction. Each of these x electrode patterns x1, x2,... Has, for example, a shape in which rhombus pattern portions arranged in the x direction are linearly connected in the x direction in the vicinity of the apex of the rhombus.

また、各x電極パターンx1,x2,・・・には、それぞれの端部にx配線29xが接続されている。これらのx配線29xは、基板21上における周縁領域において配線され、基板21の端縁に引き出されている。このような各x配線29xは、x電極パターンx1,x2,・・・と同様に、銀を主成分とする第1の透明導電層26として構成されたものであってもよいし、別途形成した電極層で構成されたものであってもよい。   Moreover, x wiring 29x is connected to each edge part to each x electrode pattern x1, x2, .... These x wirings 29 x are wired in the peripheral region on the substrate 21 and are drawn out to the edge of the substrate 21. Each of such x wirings 29x may be configured as the first transparent conductive layer 26 mainly composed of silver, as in the case of the x electrode patterns x1, x2,. It may be composed of an electrode layer.

[第2の窒素含有層27(第2の透明電極23)]
第2の窒素含有層27は、上述の導電性フィルムの変形例で説明した窒素含有層であり、基板21上に形成されている。ここでは一例として、第2の窒素含有層27は、x配線29xの端子部分を露出させ、他の部分は基板21の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、次に説明する第2の透明導電層28と同一形状にパターニングされていてもよい。
[Second Nitrogen-Containing Layer 27 (Second Transparent Electrode 23)]
The second nitrogen-containing layer 27 is the nitrogen-containing layer described in the above-described modification of the conductive film, and is formed on the substrate 21. Here, as an example, the second nitrogen-containing layer 27 is provided in a state in which the terminal portion of the x wiring 29x is exposed and the other portion covers the entire surface of one main surface of the substrate 21. It may be patterned in the same shape as the second transparent conductive layer 28 described in (1).

[第2の透明導電層28(第2の透明電極23)]
第2の透明導電層28は、上述の導電性フィルムの実施形態で説明した電極層であり、第2の窒素含有層27上においてパターニングされた複数のy電極パターンy1,y2,・・・として構成されている。各y電極パターンy1,y2,・・・は、それぞれがx電極パターンx1,x2,・・・と直交するy方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各y電極パターンy1,y2,・・・は、例えばy方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてy方向に直線状に連結した形状であることとする。
[Second Transparent Conductive Layer 28 (Second Transparent Electrode 23)]
The second transparent conductive layer 28 is the electrode layer described in the above-described embodiment of the conductive film, and as a plurality of y electrode patterns y1, y2,... Patterned on the second nitrogen-containing layer 27. It is configured. The y electrode patterns y1, y2,... Are arranged in parallel while being spaced apart from each other in a state of extending in the y direction orthogonal to the x electrode patterns x1, x2,. Each of these y electrode patterns y1, y2,... Has, for example, a shape in which rhombus pattern portions arranged in the y direction are linearly connected in the y direction in the vicinity of the apex of the rhombus.

ここで、図5に示すように、各y電極パターンy1,y2,・・・を構成するひし形のパターン部分は、x電極パターンx1,x2,・・・を形成するひし形のパターン部分に対して、平面視的に重ならない位置に配置され、重ならない範囲でできるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、基板21の中央部の領域においては、第1の透明導電層26で構成されたx電極パターンx1,x2,・・・、及び第2の透明導電層28で構成されたy電極パターンy1,y2,・・・が視認され難い構成となっている。   Here, as shown in FIG. 5, the rhombus pattern portions constituting the respective y electrode patterns y1, y2,... Are in contrast to the rhombus pattern portions forming the x electrode patterns x1, x2,. It is arranged at a position that does not overlap in plan view, and has a shape that occupies as large a range as possible without overlapping. As a result, in the central region of the substrate 21, the x electrode patterns x 1, x 2,... Constituted by the first transparent conductive layer 26 and the y electrode pattern constituted by the second transparent conductive layer 28. y1, y2,... are hardly visible.

各y電極パターンy1,y2,・・・は、ひし形の電極パターンの連結部分においてのみ、各x電極パターンx1,x2,・・・と積層される。これらの積層部分には、第2の窒素含有層27が挟持されるため、x電極パターンx1,x2,・・・とy電極パターンy1,y2,・・・との絶縁性が確保される。   Each of the y electrode patterns y1, y2,... Is stacked with each of the x electrode patterns x1, x2,. Since the second nitrogen-containing layer 27 is sandwiched between these laminated portions, insulation between the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2,.

また、各y電極パターンy1,y2,・・・には、それぞれの端部にy配線29yが接続されている。これらのy配線29yは、基板21上における周縁領域において配線され、x配線29xと並ぶように基板21の端縁に引き出されている。このような各y配線29yは、y電極パターンy1,y2,・・・と同様に、銀を主成分とする第2の透明導電層28として構成されたものであってもよいし、別途形成した電極層で構成されたものであってもよい。   Moreover, y wiring 29y is connected to each edge part to each y electrode pattern y1, y2, .... These y wirings 29y are wired in the peripheral region on the substrate 21, and are drawn out to the edge of the substrate 21 so as to be aligned with the x wirings 29x. Each of the y wirings 29y may be configured as the second transparent conductive layer 28 mainly composed of silver, as in the case of the y electrode patterns y1, y2,. It may be composed of an electrode layer.

尚、基板21の端縁に引き出されたx配線29x及びy配線29yには、フレキシブルプリント基板などが接続される構成となっている。   A flexible printed circuit board or the like is connected to the x wiring 29x and the y wiring 29y drawn to the edge of the substrate 21.

[前面板24]
図3及び図6に図示した前面板24は、タッチパネル20において入力位置に対応する部分が押圧される板材である。このような前面板24は、基板21と同様に光透過性を有する板材が用いられる。また、この前面板24は、必要に応じた光学特性を備えた材料を選択して用いてもよい。このような前面板24は、例えば接着層31に(図6参照)よって第2の透明電極23側に張り合わせられている。この接着層31は、光透過性を有するものであれば特に材料が限定されることはない。
[Front plate 24]
The front plate 24 illustrated in FIGS. 3 and 6 is a plate material on which a portion corresponding to the input position on the touch panel 20 is pressed. The front plate 24 is made of a light-transmitting plate material like the substrate 21. Further, the front plate 24 may be used by selecting a material having optical characteristics as required. Such a front plate 24 is bonded to the second transparent electrode 23 side by, for example, an adhesive layer 31 (see FIG. 6). The material of the adhesive layer 31 is not particularly limited as long as it has optical transparency.

またこの前面板24には、基板21の周縁を覆う遮光膜が設けられ、x電極パターンx1,x2,・・・から引き出されたx配線29x、及びy電極パターンy1,y2,・・・から引き出されたy配線29yが、前面板24側から視認されることを防いでいる。   Further, the front plate 24 is provided with a light-shielding film that covers the periphery of the substrate 21, from the x wiring 29 x drawn from the x electrode patterns x 1, x 2,... And the y electrode patterns y 1, y 2,. The drawn out y wiring 29y is prevented from being visually recognized from the front plate 24 side.

[タッチパネルの動作]
以上のようなタッチパネル20を動作させる場合、x配線29x及びy配線29yに接続させたフレキシブルプリント基板等から、x電極パターンx1,x2,・・・及びy電極パターンy1,y2,・・・に対して電圧を印加する。電圧を印加した状態で、前面板24の表面に指又はタッチペンが触れると、タッチパネル20内に存在する各部の容量が変化し、x電極パターンx1,x2,・・・及びy電極パターンy1,y2,・・・の電圧の変化となって現れる。この変化は、指又はタッチペンが触れた位置からの距離によって異なり、指又はタッチペンが触れた位置で最も大きくなる。このため、電圧の変化が最大となる、x電極パターンx1,x2,・・・及びy電極パターンy1,y2,・・・で指定された位置が、指又はタッチペンが触れた位置として検出される。
[Touch panel operation]
When operating the touch panel 20 as described above, the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2,... From the flexible printed circuit board connected to the x wiring 29x and the y wiring 29y. In contrast, a voltage is applied. When a finger or a touch pen touches the surface of the front plate 24 with a voltage applied, the capacitance of each part existing in the touch panel 20 changes, and the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2 It appears as a change in voltage. This change differs depending on the distance from the position touched by the finger or touch pen, and is greatest at the position touched by the finger or touch pen. For this reason, the position designated by the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2,. .

[タッチパネルの効果]
以上のようなタッチパネル20は、2層の透明電極22,23として、光透過性と共に充分な導電性を備えた導電性フィルムを用いている。これにより、下地の表示画像の視認性を良好に保ちつつ、導電性フィルムを大型化した際の電圧降下を抑えることができ、タッチパネル20の大型化が可能となる。
[Effect of touch panel]
The touch panel 20 as described above uses, as the two-layer transparent electrodes 22 and 23, a conductive film having sufficient conductivity as well as light transmittance. Thereby, the voltage drop at the time of enlarging an electroconductive film can be suppressed, maintaining the visibility of the display image of a foundation | substrate, and the enlargement of the touch panel 20 is attained.

特に、このタッチパネル20は、x電極パターンx1,x2,・・・及びこれに直交して配置されたy電極パターンy1,y2,・・・を有する投影型静電容量式である。このため、x電極パターンx1,x2,・・・及びy電極パターンy1,y2,・・・には、高い導電性が要求される。本例のタッチパネルでは、x電極パターンx1,x2,・・・及びy電極パターンy1,y2,・・・が、銀を主成分とする透明導電層であるため、導電性を維持しつつ薄膜化が可能である。従って、x電極パターンx1,x2,・・・及びy電極パターンy1,y2,・・・自体が視認され難くなり、タッチパネル20を介した表示画像の視認性の劣化も防止できる。   In particular, the touch panel 20 is a projection capacitive type having x electrode patterns x1, x2,... And y electrode patterns y1, y2,. Therefore, the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2,. In the touch panel of this example, the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2,... Are transparent conductive layers mainly composed of silver. Is possible. Therefore, the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2,.

〈3.タッチパネルの変形例1〉
(2枚の透明基板を用いた構成)
図7は、実施形態のタッチパネルの変形例を説明するための断面模式図であり、図5のA−A断面に相当する図である。この図に示すタッチパネル30は、2枚の基板21A,21Bの一主面上に、第1の透明電極22及び第2の透明電極23を設けた構成であり、それ以外の構成は上述の実施形態と同様である。このため、上述の実施形態のタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。
<3. Modification Example 1 of Touch Panel>
(Configuration using two transparent substrates)
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining a modification of the touch panel of the embodiment, and corresponds to a cross section taken along line AA in FIG. 5. The touch panel 30 shown in this figure has a configuration in which the first transparent electrode 22 and the second transparent electrode 23 are provided on one main surface of the two substrates 21A and 21B. It is the same as the form. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to the touch panel of the above-mentioned embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち変形例のタッチパネル30は、第1の透明電極22が設けられた第1の基板21Aと、第2の透明電極23が設けられた第2の基板21Bとを有する。これらの基板21A,21Bは、第1の透明電極22及び第2の透明電極23の形成面を同一方向に向け、第1の基板21Aにおける第1の透明電極22の形成面上に、第2の基板21Bが位置するように重ねて配置されている。   In other words, the touch panel 30 according to the modification includes a first substrate 21A provided with the first transparent electrode 22 and a second substrate 21B provided with the second transparent electrode 23. These substrates 21A and 21B have the first transparent electrode 22 and the second transparent electrode 23 formed in the same direction with the first transparent electrode 22 formed on the first transparent electrode 22 formed on the first substrate 21A. The substrates 21B are arranged so as to be positioned.

第1の基板21A及び第2の基板21Bは、上述の導電性フィルムと同様の基板21である。また、第1の透明電極22及び第2の透明電極23は、それぞれが上述の実施形態と同様の構成であり、それぞれが基板21A,21B上に、窒素含有層25,27、及び透明導電層26,28をこの順に積層した構成となっている。   The first substrate 21A and the second substrate 21B are the same substrates 21 as the conductive film described above. The first transparent electrode 22 and the second transparent electrode 23 have the same configuration as that of the above-described embodiment, respectively, and the nitrogen-containing layers 25 and 27 and the transparent conductive layer on the substrates 21A and 21B, respectively. 26 and 28 are stacked in this order.

さらに各透明導電層26,28の構成も、上述の実施形態と同様であり、第1の透明導電層26で構成されたx電極パターンx1,x2,・・・、及び第2の透明導電層28で構成されたy電極パターンy1,y2,・・・が視認され難いパターン構成及び配置構成となっている。ただし、第1の透明導電層26と第2の透明導電層28との間は、第2の基板21Bと第2の窒素含有層27とによって絶縁性が確保されている。   Further, the configuration of each of the transparent conductive layers 26 and 28 is the same as that of the above-described embodiment, and the x electrode patterns x1, x2,... Configured by the first transparent conductive layer 26, and the second transparent conductive layer. The y electrode patterns y1, y2,... However, insulation between the first transparent conductive layer 26 and the second transparent conductive layer 28 is ensured by the second substrate 21 </ b> B and the second nitrogen-containing layer 27.

また、積層された第1の基板21Aと第2の基板21Bとの間は、ここでの図示を省略した接着層によって貼り合せられ、この接着層によっても、第1の透明導電層26と第2の透明導電層28とが絶縁されている。   Further, the laminated first substrate 21A and second substrate 21B are bonded together by an adhesive layer (not shown), and the first transparent conductive layer 26 and the second substrate 21B are also bonded by this adhesive layer. The two transparent conductive layers 28 are insulated.

以上のようなタッチパネル30であっても、上述の実施形態のタッチパネルと同様に動作させることができる。   Even the touch panel 30 as described above can be operated in the same manner as the touch panel of the above-described embodiment.

[タッチパネルの効果]
このような変形例のタッチパネル30であっても、光透過性と共に充分な導電性を備えた導電性フィルムを用いたことにより、上述の実施形態のタッチパネルと同様に大型化が可能であり、タッチパネル30を介した表示画像の視認性の劣化を防止できる。
[Effect of touch panel]
Even in the touch panel 30 of such a modified example, the use of a conductive film having sufficient light conductivity as well as light transmission can be increased in size as with the touch panel of the above-described embodiment. Deterioration of the visibility of the display image via 30 can be prevented.

〈4.タッチパネルの変形例2〉
(透明基板の両面に一層ずつ透明電極を設けた構成)
図8は、実施形態のタッチパネルの変形例を説明するための断面模式図であり、図5のA−A断面に相当する図である。この図に示すタッチパネル32は、基板21の両面に第1の透明電極22及び第2の透明電極23を設けた構成であり、それ以外の構成は上述の実施形態と同様である。このため、上述の実施形態のタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。
<4. Modification Example 2 of Touch Panel>
(Configuration with transparent electrodes on both sides of the transparent substrate)
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining a modification of the touch panel of the embodiment, and corresponds to a cross section taken along the line AA of FIG. The touch panel 32 shown in this figure has a configuration in which the first transparent electrode 22 and the second transparent electrode 23 are provided on both surfaces of the substrate 21, and the other configuration is the same as that of the above-described embodiment. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to the touch panel of the above-mentioned embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図8に示すタッチパネル32は、一枚の基板21と、基板21の一主面側に設けられた第1の透明電極22と、基板21の他主面側に設けられた第2の透明電極23とを有する。このうち第1の透明電極22は、窒素含有層25、及び透明導電層26がこの順に基板21の一主面上に積層された構成である。一方、第2の透明電極23は、窒素含有層27、及び透明導電層28がこの順に基板21の他主面上に積層された構成である。   The touch panel 32 shown in FIG. 8 includes a single substrate 21, a first transparent electrode 22 provided on one main surface side of the substrate 21, and a second transparent electrode provided on the other main surface side of the substrate 21. 23. Among these, the 1st transparent electrode 22 is the structure by which the nitrogen containing layer 25 and the transparent conductive layer 26 were laminated | stacked on the one main surface of the board | substrate 21 in this order. On the other hand, the 2nd transparent electrode 23 is the structure by which the nitrogen containing layer 27 and the transparent conductive layer 28 were laminated | stacked on the other main surface of the board | substrate 21 in this order.

基板21は、上述の導電性フィルムで説明したと同様のものである。また第1の透明電極22及び第2の透明電極23を構成する上記の各層は、上述の実施形態と同様のものである。   The substrate 21 is the same as that described for the conductive film. Moreover, each said layer which comprises the 1st transparent electrode 22 and the 2nd transparent electrode 23 is the same as that of the above-mentioned embodiment.

さらに各透明導電層26,28の構成も、上述の実施形態と同様であり、第1の透明導電層26で構成されたx電極パターンx1,x2,・・・、及び第2の透明導電層28で構成されたy電極パターンy1,y2,・・・が視認され難いパターン構成及び配置構成となっている。ただし、第1の透明導電層26と第2の透明導電層28との間は、第1の窒素含有層25、基板21、及び第2の窒素含有層27によって絶縁性が確保されている。
以上のようなタッチパネル32は、上述の実施形態のタッチパネルと同様に動作させることができる。
Further, the configuration of each of the transparent conductive layers 26 and 28 is the same as that of the above-described embodiment, and the x electrode patterns x1, x2,... Configured by the first transparent conductive layer 26, and the second transparent conductive layer. The y electrode patterns y1, y2,... However, insulation between the first transparent conductive layer 26 and the second transparent conductive layer 28 is ensured by the first nitrogen-containing layer 25, the substrate 21, and the second nitrogen-containing layer 27.
The touch panel 32 as described above can be operated in the same manner as the touch panel of the above-described embodiment.

[タッチパネルの効果]
このような変形例2のタッチパネル32であっても、光透過性と共に充分な導電性を備えた導電性フィルムを用いたことにより、上述の実施形態のタッチパネルと同様に大型化が可能であり、タッチパネル32を介した表示画像の視認性の劣化を防止できる。
[Effect of touch panel]
Even in the touch panel 32 of Modification 2 as described above, it is possible to increase the size as in the touch panel of the above-described embodiment by using a conductive film having sufficient conductivity as well as light transmittance. Deterioration of the visibility of the display image via the touch panel 32 can be prevented.

〈5.タッチパネルの変形例3〉
(透明基板の同一平面上に2パターンの透明電極を設けた構成)
図9は、実施形態のタッチパネルの変形例を説明するための断面模式図であり、図5のB−B断面に相当する図である。ただし、変形例3のタッチパネル40の積層構造と、図5に示すタッチパネル20の積層構造とは、次に説明するとおりに異なる。すなわちこの図に示すタッチパネル40は、基板21の同一平面上に、x電極パターンx1,x2,・・・を有する透明導電層26と、y電極パターンy1,y2,・・・を有する透明導電層28とを設けた構成であり、それ以外の構成は上述の実施形態と同様である。このため、上述の実施形態のタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。
<5. Modification Example 3 of Touch Panel>
(Configuration with two patterns of transparent electrodes on the same plane of the transparent substrate)
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining a modified example of the touch panel of the embodiment, and corresponds to a cross section taken along the line BB in FIG. 5. However, the laminated structure of the touch panel 40 of Modification 3 and the laminated structure of the touch panel 20 shown in FIG. 5 are different as described below. That is, the touch panel 40 shown in this figure includes a transparent conductive layer 26 having x electrode patterns x1, x2,... And a transparent conductive layer having y electrode patterns y1, y2,. 28, and the other configuration is the same as that of the above-described embodiment. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to the touch panel of the above-mentioned embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち変形例3のタッチパネル40は、基板21と、基板21上に順に積層された窒素含有層25、及び透明導電層26,28を有する。さらに透明導電層26,28上に層間絶縁膜41と接続電極42とが順に積層されている。このうち透明導電層26,28が、窒素含有層25上に互いに絶縁状態を保って設けられたx電極パターンx1,x2,・・・とy電極パターンy1,y2,・・・とを有するところが特徴的である。   That is, the touch panel 40 of Modification 3 includes the substrate 21, the nitrogen-containing layer 25 and the transparent conductive layers 26 and 28 that are sequentially stacked on the substrate 21. Further, an interlayer insulating film 41 and a connection electrode 42 are sequentially stacked on the transparent conductive layers 26 and 28. Among these, the transparent conductive layers 26 and 28 have x electrode patterns x1, x2,... And y electrode patterns y1, y2,... Provided on the nitrogen-containing layer 25 so as to be insulated from each other. It is characteristic.

(基板、窒素含有層)
基板21、及び窒素含有層25は、それぞれ上述の導電性フィルムで説明したと同様の構成である。また、窒素含有層25は、一例として、基板21の一主面の全面を覆うように設けられているが、上述の実施形態と同様に、透明導電層26,28と同一形状にパターニングされていてもよい。
(Substrate, nitrogen-containing layer)
The board | substrate 21 and the nitrogen-containing layer 25 are the structures similar to having demonstrated with the above-mentioned electroconductive film, respectively. Further, the nitrogen-containing layer 25 is provided as an example so as to cover the entire surface of one main surface of the substrate 21, but is patterned in the same shape as the transparent conductive layers 26 and 28 as in the above-described embodiment. May be.

(透明導電層)
透明導電層26,28は、上述の導電性フィルムで説明した電極層であり、窒素含有層25上においてパターニングされた複数のx電極パターンx1,x2,・・・と複数のy電極パターンy1,y2,・・・とを有して構成されている。
(Transparent conductive layer)
The transparent conductive layers 26 and 28 are the electrode layers described in the above conductive film, and a plurality of x electrode patterns x1, x2,... Patterned on the nitrogen-containing layer 25 and a plurality of y electrode patterns y1, y2, and so on.

各x電極パターンx1,x2,・・・は、それぞれがx方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各x電極パターンx1,x2,・・・は、例えばx方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてx方向に直線状に連結した形状である。   Each of the x electrode patterns x1, x2,... Is arranged in parallel with an interval between each other, with each extending in the x direction. Each of these x electrode patterns x1, x2,... Has a shape in which rhombus pattern portions arranged in the x direction are linearly connected in the x direction in the vicinity of the apex of the rhombus, for example.

各y電極パターンy1,y2,・・・は、それぞれがx電極パターンx1,x2,・・・と直交するy方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各y電極パターンy1,y2,・・・は、y方向に配列された複数のパターンで構成される。   The y electrode patterns y1, y2,... Are arranged in parallel while being spaced apart from each other in a state of extending in the y direction orthogonal to the x electrode patterns x1, x2,. Each of these y electrode patterns y1, y2,... Is composed of a plurality of patterns arranged in the y direction.

y電極パターンは、例えばひし形であり、x電極パターンx1,x2,・・・と重なることなく絶縁状態を保てる程度の間隔を有して配置される。これにより、x電極パターンx1,x2,・・・とy電極パターンy1,y2,・・・とは、絶縁性が確保された状態となっている。またy電極パターンは、x電極パターンx1,x2,・・・と絶縁状態を保てる程度の間隔を有する範囲内で、できるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、基板21の中央部の領域においては、x電極パターンx1,x2,・・・及びy電極パターンy1,y2,・・・が視認され難い構成となっている。   The y electrode pattern is, for example, a rhombus, and is arranged with an interval enough to maintain an insulating state without overlapping with the x electrode patterns x1, x2,. Accordingly, the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2,. In addition, the y electrode pattern has a shape that occupies as large a range as possible within a range having an interval sufficient to maintain an insulation state with the x electrode patterns x1, x2,. Thus, the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2,.

また、各x電極パターンx1,x2,・・・及び各y電極パターンy1,y2,・・・には、上述の実施形態と同様に、それぞれの端部に図示しないx配線又はy配線が接続されている。   Further, each of the x electrode patterns x1, x2,... And each of the y electrode patterns y1, y2,. Has been.

(層間絶縁膜、接続電極)
接続電極42は、各y電極パターンを構成する、例えばひし形のy電極パターンの頂点付近においてy方向に直線状に連結する。接続電極42は、x電極パターンx1,x2,・・・のひし形のパターンを連結する部分と平面視的に交差する各位置に配置される。これらの交差部分において、層間絶縁膜41がx電極パターンx1,x2,・・・のひし形のパターンを連結する部分を覆い、接続電極42はx電極パターンx1,x2,・・・上に層間絶縁膜41を介して積層されている。従って、x電極パターンx1,x2,・・・とy電極パターンy1,y2,・・・との絶縁性が確保された状態となっている。なお、接続電極42には、銀等の一般的な電極材料、又はITO等の光透過性を有する電極材料を用いればよく、タッチパネル40を介しての下地の表示画像の視認性の観点から、好ましくは、光透過性を有する電極材料を用いる。
(Interlayer insulation film, connection electrode)
The connection electrode 42 is connected in a straight line in the y direction in the vicinity of the apex of, for example, a rhombus y electrode pattern that constitutes each y electrode pattern. The connection electrode 42 is disposed at each position where the connection electrode 42 intersects the portion connecting the rhombic patterns of the x electrode patterns x1, x2,. In these intersecting portions, the interlayer insulating film 41 covers the portion connecting the rhombic patterns of the x electrode patterns x1, x2,..., And the connection electrode 42 is interlayer insulating on the x electrode patterns x1, x2,. They are stacked via the film 41. Therefore, the insulation between the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2,. The connection electrode 42 may be made of a general electrode material such as silver, or an electrode material having optical transparency such as ITO. From the viewpoint of the visibility of the underlying display image via the touch panel 40, Preferably, an electrode material having optical transparency is used.

なお、接続電極42が透明導電層26,28の上層に設けられた例を先に説明したが、接続電極42は透明導電層26,28の下層に設けられてもよい。この際、接続電極42は、上述の例と同様に、x電極パターンx1,x2,・・・のひし形のパターンを連結する部分と平面視的に交差する各位置に配置される。これらの交差部分において、接続電極42とx電極パターンx1,x2,・・・のひし形のパターンを連結する部分との間には、少なくとも窒素含有層25が挟持される。従って、接続電極42が透明導電層26,28の下層に設けられた例においても、上述の例と同様に、x電極パターンx1,x2,・・・とy電極パターンy1,y2,・・・との絶縁性が確保されている。   The example in which the connection electrode 42 is provided in the upper layer of the transparent conductive layers 26 and 28 has been described above. However, the connection electrode 42 may be provided in the lower layer of the transparent conductive layers 26 and 28. At this time, the connection electrode 42 is disposed at each position where the connection electrode 42 intersects the portion connecting the rhombic patterns of the x electrode patterns x1, x2,. At these intersecting portions, at least the nitrogen-containing layer 25 is sandwiched between the connection electrode 42 and the portion connecting the rhombic patterns of the x electrode patterns x1, x2,. Therefore, in the example in which the connection electrode 42 is provided below the transparent conductive layers 26 and 28, the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2,. Insulation is ensured.

以上のようなタッチパネル40であっても、上述の実施形態のタッチパネルと同様に動作させることができる。   Even the touch panel 40 as described above can be operated in the same manner as the touch panel of the above-described embodiment.

[タッチパネルの効果]
上述の変形例3のタッチパネル40は、光透過性と共に充分な導電性を備えた導電性フィルムを用いたことにより、上述の実施形態のタッチパネルと同様に大型化が可能であり、タッチパネル40を介した表示画像の視認性の劣化を防止できる。
[Effect of touch panel]
The touch panel 40 of the above-described modification 3 can be enlarged in the same manner as the touch panel of the above-described embodiment by using a conductive film having sufficient conductivity as well as light transmittance. The deterioration of the visibility of the displayed image can be prevented.

尚、本発明のタッチパネルは上述した実施形態及び変形例の構成に限定されることはなく、透明電極を用いた構成であれば、広く適用可能である。例えば、投影型静電容量式のタッチパネルであれば、x電極パターンx1,x2,・・・、及びこれらに直交して配置されたy電極パターンy1,y2,・・・が、絶縁性を保って配置されればよく、パター形状が限定されることはない。また、タッチパネルは、べた膜状の透明導電層26,28を備えた2枚の透明電極22,23を、スペーサを挟んで配置した抵抗膜式のものであってもよく、表面型静電容量式であってもよく、同様に大型化の効果を得ることができる。   The touch panel of the present invention is not limited to the configurations of the above-described embodiments and modifications, and can be widely applied as long as the configuration uses a transparent electrode. For example, in the case of a projected capacitive touch panel, the x electrode patterns x1, x2,... And the y electrode patterns y1, y2,. The putter shape is not limited. Further, the touch panel may be a resistance film type in which two transparent electrodes 22 and 23 each having a solid film-like transparent conductive layer 26 and 28 are arranged with a spacer interposed therebetween. A formula may be sufficient and the effect of enlargement can be obtained similarly.

〈6.表示装置〉
[タッチパネルを用いた構成]
次に、上述のタッチパネルを用いた表示装置の実施の形態について説明する。図10に、本実施の形態の表示装置の構成の斜視図を示す。この図に示す表示装置50は、表示パネル52における表示面上に、タッチパネル51を設けた情報入力機能付きの表示装置である。表示装置50のタッチパネル51には、上述の実施形態及び変形例のタッチパネルを適用することができる。
<6. Display device>
[Configuration using touch panel]
Next, an embodiment of a display device using the touch panel described above will be described. FIG. 10 is a perspective view of the configuration of the display device of this embodiment. The display device 50 shown in this figure is a display device with an information input function in which a touch panel 51 is provided on the display surface of the display panel 52. As the touch panel 51 of the display device 50, the touch panel of the above-described embodiment and the modified example can be applied.

表示パネル52は、特に限定されるものではないが、例えば、液晶表示パネル、有機電界発光素子を用いた表示パネル等の平面型の表示パネルや、CRT(Cathode Ray Tube)ディスプレイを用いることができる。また、表示パネル52は、動画を表示する表示パネルに限定されることはなく、静止画用の表示パネルであってもよい。   The display panel 52 is not particularly limited. For example, a flat display panel such as a liquid crystal display panel or a display panel using an organic electroluminescent element, or a CRT (Cathode Ray Tube) display can be used. . The display panel 52 is not limited to a display panel that displays a moving image, and may be a display panel for a still image.

表示パネル52では、画像の表示面上に表示面を覆う状態でタッチパネル51が重ねて配置されている。また、タッチパネル51と表示パネル52とは、必要に応じてさらに枠状のケース部材53に収容されている。さらに、ケース部材53にさらに透明板材からなる前面板がもうけられていてもよい。   In the display panel 52, the touch panel 51 is disposed so as to cover the display surface on the image display surface. The touch panel 51 and the display panel 52 are further accommodated in a frame-shaped case member 53 as necessary. Furthermore, a front plate made of a transparent plate material may be provided on the case member 53.

これにより、ユーザは、表示パネル52で表示された表示画像の一部に対して、タッチパネル51を介して指やタッチペンを接触させることにより、接触部分の位置情報をタッチパネル51に入力することができる。   Thus, the user can input the position information of the contact portion to the touch panel 51 by bringing a finger or a touch pen into contact with a part of the display image displayed on the display panel 52 via the touch panel 51. .

[表示装置の効果]
本実施形態の表示装置50によれば、上述した実施形態及び各変形例のタッチパネル51を用いることにより、薄型化及び大型化が可能である。
[Effect of display device]
According to the display device 50 of the present embodiment, it is possible to reduce the thickness and increase the size by using the above-described embodiment and the touch panel 51 of each modification.

以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

[実施例1]
〈導電性フィルムの作製〉
(透明基板の準備)
実施例に使用する透明基板を以下のように準備した。
なお、以下に示す各透明基板の膜厚は接触式膜厚計 DIGIMICRO MH−15M(ニコン社製)を用いて測定した。また、面内リタデーション値(R0値)は、各透明基板を温度23℃、相対湿度55%RHの環境下で24時間以上放置した後、自動複屈折率測定装置(王子計測機器社製、商品名KOBRA−21ADH)を用い、波長590nmにて測定した。
[Example 1]
<Preparation of conductive film>
(Preparation of transparent substrate)
The transparent substrate used for an Example was prepared as follows.
In addition, the film thickness of each transparent substrate shown below was measured using the contact-type film thickness meter DIGIMICRO MH-15M (made by Nikon Corporation). Also, the in-plane retardation value (R0 value) is determined based on the automatic birefringence measuring device (manufactured by Oji Scientific Instruments) after leaving each transparent substrate for 24 hours or more in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 55% RH No. KOBRA-21ADH) and measured at a wavelength of 590 nm.

(透明基板101)
ポリエチレンテレフタレートフィルムとして、コスモシャインA4300(東洋紡製)を準備した。膜厚は50μm、R0値は4200nmであった。
(Transparent substrate 101)
Cosmo Shine A4300 (manufactured by Toyobo) was prepared as a polyethylene terephthalate film. The film thickness was 50 μm and the R0 value was 4200 nm.

(透明基板102)
ポリカーボネートフィルムとして、ピュアエースC110−100(帝人社製)を準備した。膜厚は100μm、R0値は10nmであった。
(Transparent substrate 102)
Pure Ace C110-100 (manufactured by Teijin Ltd.) was prepared as a polycarbonate film. The film thickness was 100 μm and the R0 value was 10 nm.

(透明基板103)
環状オレフィンフィルムとして、アートン(JSR社製)を準備した。膜厚は50μm、R0値は4nmであった。
(Transparent substrate 103)
Arton (manufactured by JSR) was prepared as a cyclic olefin film. The film thickness was 50 μm and the R0 value was 4 nm.

(透明基板104)
シクロオレフィンフィルムとして、ゼオノアZF14(ゼオン社製)を準備した。膜厚は100μm、R0値は3nmであった。
(Transparent substrate 104)
As a cycloolefin film, Zeonore ZF14 (manufactured by Zeon Corporation) was prepared. The film thickness was 100 μm and the R0 value was 3 nm.

(透明基板105)
トリアセチルセルロースフィルムとして、コニカミノルタタックKC−4UY(コニカミノルタ社製)を準備した。膜厚は40μm、R0値は4nmであった。なお、樹脂のアシル置換度は、2.90であった。
(Transparent substrate 105)
As a triacetyl cellulose film, Konica Minolta Tac KC-4UY (manufactured by Konica Minolta) was prepared. The film thickness was 40 μm and the R0 value was 4 nm. The acyl substitution degree of the resin was 2.90.

(透明基板106)
アクリルフィルムとして、アクリプレンHBS006(三菱レイヨン社製)を準備した。膜厚は50μm、R0値は3nmであった。
(Transparent substrate 106)
As an acrylic film, acryloprene HBS006 (manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.) was prepared. The film thickness was 50 μm and the R0 value was 3 nm.

(透明基板107)
透明基板105を20cm角に切り出し、フィルム2軸延伸機(ヒラノテクシード社製)を用い、180℃にて縦1.4倍、横1.4倍の2軸延伸を施した。膜厚は23μm、R0値は5nmであった。
(Transparent substrate 107)
The transparent substrate 105 was cut into a 20 cm square, and biaxial stretching of 1.4 times in length and 1.4 times in width was performed at 180 ° C. using a film biaxial stretching machine (manufactured by Hirano Tech Seed). The film thickness was 23 μm and the R0 value was 5 nm.

(透明基板108〜113)
上記透明基板102〜107の両面に、下記ハードコート層塗布液をダイコーターにより塗布し、ハードコート層となる塗膜を形成した。その塗膜を70℃で乾燥後、酸素濃度が1.0体積%以下の雰囲気になるように窒素パージしながら、紫外線ランプを用い、照射部の照度が300mW/cm、照射量を0.3J/cmとして塗膜を硬化させ、さらに加熱処理ゾーンにおいて、130℃で5分間加熱処理し、透明基板108〜113を作製した。なお、硬化後のハードコート層の膜厚は各々5μmであった。
(Transparent substrates 108 to 113)
The following hard coat layer coating solution was applied to both surfaces of the transparent substrates 102 to 107 with a die coater to form a coating film to be a hard coat layer. After drying the coating film at 70 ° C., with a nitrogen purge so that the oxygen concentration is below the ambient 1.0% by volume, using a UV lamp, the illuminance of the irradiation unit is 300 mW / cm 2, irradiation amount 0. The coating film was cured as 3 J / cm 2 , and further, heat treatment was performed at 130 ° C. for 5 minutes in the heat treatment zone to produce transparent substrates 108 to 113. In addition, the film thickness of the hard-coat layer after hardening was 5 micrometers each.

(ハードコート層塗布液の調製)
下記の各構成材料を混合、攪拌、溶解して、ハードコート層塗布液を調製した。
・ハードコート層塗布液
ペンタエリスリトールテトラアクリレート 30質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート 60質量部
ジペンタエリスリトールペンタアクリレート 50質量部
イルガキュア184(BASF社製) 5質量部
イルガキュア907(BASF社製) 5質量部
ZX−212(フッ素−シロキサングラフトポリマー、ティーアンドケイ東華社製)
5質量部
シーホスターKEP−50(粉体のシリカ粒子、平均粒径0.47〜0.61μm、日本触媒株式会社製) 24.3質量部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20質量部
酢酸メチル 40質量部
メチルエチルケトン 60質量部
(Preparation of hard coat layer coating solution)
The following constituent materials were mixed, stirred and dissolved to prepare a hard coat layer coating solution.
Hard coat layer coating solution Pentaerythritol tetraacrylate 30 parts by weight Dipentaerythritol hexaacrylate 60 parts by weight Dipentaerythritol pentaacrylate 50 parts by weight Irgacure 184 (BASF) 5 parts by weight Irgacure 907 (BASF) 5 parts by weight ZX -212 (fluorine-siloxane graft polymer, manufactured by T & K Toka)
5 parts by mass Seahoster KEP-50 (powdered silica particles, average particle size 0.47 to 0.61 μm, manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.) 24.3 parts by mass Propylene glycol monomethyl ether 20 parts by mass Methyl acetate 40 parts by mass Methyl ethyl ketone 60 Parts by mass

透明基板101〜113の膜厚及びR0値を表2に示す。   Table 2 shows the film thicknesses and R0 values of the transparent substrates 101 to 113.

(導電性フィルム201の作製)
透明基板101の片面上に、上述の表1の化合物No.10を用いて中間層13(膜厚25nm)を蒸着法によって形成し、これに続けて銀(Ag)からなる電極層5(膜厚8nm)を蒸着法によって形成した。さらに続けて、酸化チタン(TiO)からなる表面保護層(膜厚30nm)を蒸着法によって形成した。これにより、中間層と透明導電層、表面保護層との3層構造の透明電極を有する導電性フィルム201を作製した。
(Preparation of conductive film 201)
On one side of the transparent substrate 101, the compound Nos. 10 was used to form an intermediate layer 13 (film thickness of 25 nm) by a vapor deposition method, and subsequently, an electrode layer 5 (film thickness of 8 nm) made of silver (Ag) was formed by a vapor deposition method. Subsequently, a surface protective layer (thickness 30 nm) made of titanium oxide (TiO 2 ) was formed by vapor deposition. Thereby, the electroconductive film 201 which has the transparent electrode of 3 layer structure of an intermediate | middle layer, a transparent conductive layer, and a surface protective layer was produced.

この際、先ず透明基板101を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定した。また、表1の化合物No.10をタンタル製抵抗加熱ボートに入れた。これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第1真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、第2真空槽内に取り付けた。さらに、タンタル製抵抗加熱ボートに酸化チタン(TiO)を入れ、第3真空槽内に取り付けた。 At this time, first, the transparent substrate 101 was fixed to a base material holder of a commercially available vacuum deposition apparatus. In addition, Compound No. 1 in Table 1 was used. 10 was placed in a resistance heating boat made of tantalum. These substrate holder and heating boat were attached to the first vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached in the 2nd vacuum chamber. Further, titanium oxide (TiO 2 ) was placed in a tantalum resistance heating boat and attached in the third vacuum chamber.

次に、第1真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、各化合物の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で透明基板101上に膜厚25nmの中間層13を設けた。 Next, after depressurizing the first vacuum tank to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing each compound was energized and heated, and the transparent substrate 101 was deposited at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second. An intermediate layer 13 having a film thickness of 25 nm was provided thereon.

次に、中間層13まで成膜した透明基板101を真空のまま第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で膜厚8nmの銀からなる透明導電層を形成した。 Next, the transparent substrate 101 formed up to the intermediate layer 13 is transferred to the second vacuum chamber while being vacuumed, and after the pressure of the second vacuum chamber is reduced to 4 × 10 −4 Pa, a heating boat containing silver is energized. Heated. Thereby, a transparent conductive layer made of silver having a film thickness of 8 nm was formed at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second.

次に中間層、電極層を製膜した透明基板101を真空のまま第3真空槽に移し、第3真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、酸化チタン(TiO)の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で膜厚30nmの酸化チタン(TiO)からなる表面保護層を形成した。 Next, the transparent substrate 101 on which the intermediate layer and the electrode layer were formed was transferred to the third vacuum chamber while maintaining a vacuum, and after the pressure in the third vacuum chamber was reduced to 4 × 10 −4 Pa, titanium oxide (TiO 2 ) was contained. The heating boat was energized and heated. Thereby, a surface protective layer made of titanium oxide (TiO 2 ) having a film thickness of 30 nm was formed at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second.

以上の工程により、中間層とこの上部の透明導電層、及び、表面保護層との積層構造からなる導電性フィルム201を得た。
なお蒸着膜厚は、J.A.Woollam Co.Inc.製のVB−250型VASEエリプソメータで測定した。
Through the above-described steps, a conductive film 201 having a laminated structure of the intermediate layer, the transparent conductive layer above this, and the surface protective layer was obtained.
The vapor deposition film thickness is J. A. Woollam Co. Inc. It measured with the VB-250 type | mold VASE ellipsometer made from.

(導電性フィルム202の作製)
透明基板111の片面に、上述の表1の化合物No.10を用いて中間層13(膜厚25nm)を蒸着法により成膜した後、第1真空層から取り出し、その後、中間層13上にITO膜をスパッタ法によって作製した。なお、ITO膜厚は20nmであった。
(Preparation of conductive film 202)
On one side of the transparent substrate 111, the compound Nos. 10 was used to form an intermediate layer 13 (film thickness: 25 nm) by vapor deposition, then taken out from the first vacuum layer, and then an ITO film was formed on the intermediate layer 13 by sputtering. The ITO film thickness was 20 nm.

(導電性フィルム203の作製)
導電性フィルム202の作製において、ITO膜厚が130nmとなるよう、スパッタ時間を変えた以外は同様にして、導電性フィルム203を作製した。
(Preparation of conductive film 203)
In the production of the conductive film 202, the conductive film 203 was produced in the same manner except that the sputtering time was changed so that the ITO film thickness was 130 nm.

(導電性フィルム204〜220の作製)
導電性フィルム201の作製において、透明基材の種類、中間層の化合物及び膜厚、電極層の膜厚を表3に示す条件に変えた以外は同様にして、導電性フィルム204〜220を作製した。
(Preparation of conductive films 204-220)
In the production of the conductive film 201, the conductive films 204 to 220 were produced in the same manner except that the type of the transparent substrate, the compound and film thickness of the intermediate layer, and the film thickness of the electrode layer were changed to the conditions shown in Table 3. did.

(各試料の評価)
作製した導電性フィルム201〜220について、表面抵抗率、耐屈曲性、干渉ムラ、湿熱耐久後の表比抵抗劣化を測定した。
(Evaluation of each sample)
About the produced conductive films 201-220, the surface resistivity, the bending resistance, the interference unevenness, and the surface resistivity deterioration after wet heat durability were measured.

(表面抵抗率)
作製した導電性フィルムを温度23℃、相対湿度55%RHの環境下で24時間放置した後、20cm角に切り出し、25μmの両面接着テープ(リンテック社製 基材レステープ MO−3005C)を介し、表面を予めエタノールで洗浄したガラス板(厚さ1.2mm)に、導電層が表となるようガラス面に貼合した。
その後、抵抗率計(三菱化学社製MCP−T610)を用い、4端子4探針法定電流印加方式で任意の10点を測定し、平均値をサンプルの表面抵抗率とした。
(Surface resistivity)
The produced conductive film was allowed to stand for 24 hours in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 55% RH, then cut into a 20 cm square and passed through a 25 μm double-sided adhesive tape (substrate-less tape MO-3005C, manufactured by Lintec). The glass plate (thickness 1.2 mm) whose surface was previously washed with ethanol was bonded to the glass surface so that the conductive layer was the front.
Thereafter, using a resistivity meter (MCP-T610 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), arbitrary 10 points were measured by a four-terminal four-probe method constant current application method, and the average value was taken as the surface resistivity of the sample.

(透過率)
作製した導電性フィルムを温度23℃、相対湿度55%RHの環境下で24時間放置した後、透過率をヘイズメーター(濁度計)(型式:NDH 2000、日本電色(株)製)を用いて測定した。
(Transmittance)
The produced conductive film was allowed to stand for 24 hours in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 55% RH, and the transmittance was measured using a haze meter (turbidimeter) (model: NDH 2000, manufactured by Nippon Denshoku Co., Ltd.). And measured.

(耐屈曲性)
作製した導電性フィルムを、JIS K 5400に規定の方法に準じて耐屈曲性を評価した。耐屈曲性評価にあたり、光学フィルム試料の巻き付けには直径10mmのステンレス棒を用いた。
電極層の状態について、下記のようにランク評価を行った。
◎ : 何らの変化もなかった
○ : 僅かに変形したが、実用上問題ない
△ : 電極層に微細なクラックが発生した
× : 電極層に割れが発生した
(Flexibility)
The produced conductive film was evaluated for bending resistance according to a method defined in JIS K 5400. In evaluating the bending resistance, a stainless steel rod having a diameter of 10 mm was used for winding the optical film sample.
As for the state of the electrode layer, rank evaluation was performed as follows.
◎: No change ○: Slightly deformed but no problem in practical use △: Fine cracks occurred in the electrode layer ×: Cracks occurred in the electrode layer

(色むら)
New iPad(Apple社製 9.7インチIPS液晶のタブレット型コンピューター)のタッチパネルを外し、作製した導電性フィルムを25μmの両面接着テープ(リンテック社製 基材レステープ MO−3005C)を介し、導電層がディスプレイ面に向くように貼り合せた。ディスプレイに白色を表示し、斜め45°より偏光サングラスを通してディスプレイ表面を観察した。
試験の結果、下記のようにランク評価を行った。
◎ : 色むらは全く観察されなかった
○ : 僅かに色むらが見られたが、実用上問題ない
△ : 色むらが見られた
× : 非常に濃い虹状の色むらが観察された
(Color unevenness)
The touch panel of New iPad (9.7-inch IPS liquid crystal tablet computer manufactured by Apple) is removed, and the conductive film thus produced is subjected to a conductive layer via a 25 μm double-sided adhesive tape (substrate-less tape MO-3005C manufactured by Lintec). It was pasted to face the display surface. White color was displayed on the display, and the display surface was observed through polarized sunglasses from 45 ° obliquely.
As a result of the test, rank evaluation was performed as follows.
◎: Color unevenness was not observed at all ○: Color unevenness was slightly observed, but there was no problem in practical use △: Color unevenness was observed ×: Very dark rainbow-shaped color unevenness was observed

(湿熱耐久による表面抵抗劣化)
表面抵抗率を測定したサンプルを、温度60℃、相対湿度90%RHの環境下で300時間放置した後、任意の10点の表比抵抗値を測定し、平均値をサンプルの湿熱耐久後の表面抵抗率とした。
試験の結果、下記のようにランク評価を行った。
[表面抵抗劣化]=[(湿熱耐久後の表面抵抗率)−(湿熱耐久前の表面抵抗率)]/[湿熱耐久前の表面抵抗率]としたとき、
◎ : 表面抵抗劣化が、±10%未満である
○ : 表面抵抗劣化が、±10%以上、±20%未満である
△ : 表面抵抗劣化が、±20%以上、±30%未満である
× : 表面抵抗劣化が、±30%である
(Surface resistance degradation due to wet heat durability)
The sample whose surface resistivity was measured was allowed to stand for 300 hours in an environment of a temperature of 60 ° C. and a relative humidity of 90% RH, and then the surface specific resistance value at any 10 points was measured, and the average value after the wet heat durability of the sample was measured. The surface resistivity was used.
As a result of the test, rank evaluation was performed as follows.
When [surface resistance deterioration] = [(surface resistivity after wet heat durability) − (surface resistivity before wet heat durability)] / [surface resistivity before wet heat durability]
◎: Surface resistance degradation is less than ± 10% ○: Surface resistance degradation is ± 10% or more and less than ± 20% △: Surface resistance degradation is ± 20% or more and less than ± 30% × : Surface resistance degradation is ± 30%

導電性フィルムの構成と、評価結果を表3に示す。
No.204〜220の導電性フィルムは、表面抵抗率、透過率、屈曲性に優れ、また、湿熱耐久による表面抵抗劣化も少なく、表示パネルに貼り合せた時の色むらに優れている。
また、No.204〜220の導電性フィルムにおいて、各試料の基材のR0値、及び、基材膜厚の影響により、色むらの評価に差が出る傾向が見られる。各試料では、基材のR0値が小さい方が、導電性フィルムの色むらの評価が高くなる傾向にある。さらに、基材膜厚が小さい方が、色むらの評価が高くなる傾向にある。また、耐屈曲性は、基材の材質に影響を受けていると考えられる。
Table 3 shows the configuration of the conductive film and the evaluation results.
No. The conductive films 204 to 220 are excellent in surface resistivity, transmittance, and flexibility, and have little deterioration in surface resistance due to wet heat durability, and are excellent in color unevenness when bonded to a display panel.
No. In the conductive films of 204 to 220, there is a tendency that the evaluation of the color unevenness is different due to the R0 value of the base material of each sample and the influence of the base material film thickness. In each sample, the smaller the R0 value of the base material, the higher the evaluation of the uneven color of the conductive film. Furthermore, the smaller the substrate film thickness, the higher the evaluation of color unevenness. Further, it is considered that the bending resistance is influenced by the material of the base material.

[実施例2]
〈ロール状導電性フィルムの作製〉
(ロール状導電性フィルム301の作製)
幅手1000mm、長手500mのロール状の透明基板101の片面上に、真空下のロールツーロール方式でロール間を連続走行させながら、上述の表1の化合物No.10を用いて中間層13(膜厚25nm)を蒸着法によって形成し、これに続けて銀(Ag)からなる電極層5(膜厚8nm)を蒸着法によって形成した。さらに続けて、酸化チタン(TiO)からなる表面保護層(膜厚30nm)を蒸着法によって形成した。これにより、中間層と透明導電層との3層構造の透明電極を有するロール状導電性フィルム301を作製した。
[Example 2]
<Production of roll-shaped conductive film>
(Preparation of roll-shaped conductive film 301)
While continuously running between rolls in a roll-to-roll manner under vacuum on one side of a roll-shaped transparent substrate 101 having a width of 1000 mm and a length of 500 m, the compound Nos. 10 was used to form an intermediate layer 13 (film thickness of 25 nm) by a vapor deposition method, and subsequently, an electrode layer 5 (film thickness of 8 nm) made of silver (Ag) was formed by a vapor deposition method. Subsequently, a surface protective layer (thickness 30 nm) made of titanium oxide (TiO 2 ) was formed by vapor deposition. This produced the roll-shaped conductive film 301 which has the transparent electrode of the three-layer structure of an intermediate | middle layer and a transparent conductive layer.

この際、先ず透明基板101を繰り出し部の繰り出し軸にセットした。また、表1の化合物No.10を、第1形成部の蒸着源の化合物No.10をタンタル製抵抗加熱ボートに入れた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、第2形成部内に取り付けた。   At this time, first, the transparent substrate 101 was set on the feeding shaft of the feeding portion. In addition, Compound No. 1 in Table 1 was used. 10 is the compound No. of the vapor deposition source of the first forming part. 10 was placed in a resistance heating boat made of tantalum. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached in the 2nd formation part.

次に、第1形成部内を4×10−4Paまで減圧した後、各化合物の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒でロール上を走行する透明基板101上に膜厚25nmの中間層を設けた。 Next, after reducing the pressure in the first forming portion to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing each compound was energized and heated, and the top of the roll was applied at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second. An intermediate layer having a film thickness of 25 nm was provided on the traveling transparent substrate 101.

次に、中間層まで成膜した透明基板101を真空のまま第2形成部まで走行させ、第2形成部を4×10−4Paまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で膜厚8nmの銀からなる電極層を、ロール上を走行する透明基板101上に形成した。 Next, the transparent substrate 101 that has been formed up to the intermediate layer is run to the second forming portion in a vacuum, the second forming portion is depressurized to 4 × 10 −4 Pa, and then a heating boat containing silver is energized. Heated. As a result, an electrode layer made of silver having a film thickness of 8 nm and a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second was formed on the transparent substrate 101 running on the roll.

次に中間層、電極層を製膜した透明基板101を真空のまま第3形成部まで走行させ、第3形成部を4×10−4Paまで減圧した後、酸化チタン(TiO)の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で膜厚30nmの酸化チタン(TiO)からなる表面保護層を、ロール上を走行する透明基板101上に形成した。 Next, the transparent substrate 101 on which the intermediate layer and the electrode layer are formed is allowed to travel to the third forming portion while being vacuumed. After the third forming portion is depressurized to 4 × 10 −4 Pa, titanium oxide (TiO 2 ) is contained. The heated boat was energized and heated. Thereby, a surface protective layer made of titanium oxide (TiO 2 ) having a film thickness of 30 nm and a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second was formed on the transparent substrate 101 running on the roll.

以上の工程により、中間層とこの上部の透明導電層、及び、表面保護層との積層構造を有するロール状導電性フィルム301を得た。
なお蒸着膜厚は、J.A.Woollam Co.Inc.製のVB−250型VASEエリプソメータで測定した。
Through the above steps, a roll-shaped conductive film 301 having a laminated structure of the intermediate layer, the upper transparent conductive layer, and the surface protective layer was obtained.
The vapor deposition film thickness is J. A. Woollam Co. Inc. It measured with the VB-250 type | mold VASE ellipsometer made from.

(ロール状導電性フィルム302〜309の作製)
ロール状導電性フィルム301の作製において、透明基材の種類、中間層の化合物及び膜厚、電極層の膜厚を表4に示す材料に変えた以外は同様にして、ロール状導電性フィルム302〜309を作製した。
(Production of roll-shaped conductive films 302 to 309)
In the production of the roll-shaped conductive film 301, the roll-shaped conductive film 302 was similarly obtained except that the type of the transparent substrate, the compound and film thickness of the intermediate layer, and the film thickness of the electrode layer were changed to the materials shown in Table 4. -309 were produced.

(耐久性評価:ロール体を高温多湿下で保存後の表面抵抗率のムラ)
作製したロール状導電性フィルムを、温度60℃、相対湿度90%の高温多湿環境下で1000時間放置した。その後、得られたロール体の最外周側の表面抵抗率について、幅方向に一方の端部から全幅の25%の点、50%の点、75%の点での表面抵抗率をそれぞれ測定した。次に、導電性フィルムの長手方向に、ロール体の巻外側から巻芯側への500mの範囲について、10mおきに同様の測定を繰り返し、計150点(3点×50)の表面抵抗率を測定した。そして、全測定点の平均値を100としたときの、全測定点における表面抵抗率の最大値と最小値の差の割合(%)を「導電性フィルム1のバラツキ」として求めた。
(Durability evaluation: Unevenness of surface resistivity after storage of roll body under high temperature and high humidity)
The produced roll-shaped conductive film was left for 1000 hours in a high-temperature and high-humidity environment at a temperature of 60 ° C. and a relative humidity of 90%. Then, about the surface resistivity of the outermost periphery side of the obtained roll body, the surface resistivity in the point of 25% of the full width, the point of 50%, and the point of 75% was measured from the one end part in the width direction, respectively. . Next, in the longitudinal direction of the conductive film, the same measurement is repeated every 10 m for a range of 500 m from the roll outer side of the roll body to the core side, and the total surface resistivity of 150 points (3 points × 50) is obtained. It was measured. Then, the ratio (%) of the difference between the maximum value and the minimum value of the surface resistivity at all measurement points when the average value of all measurement points was 100 was determined as “variability of the conductive film 1”.

同様にして、高温多湿下で保存していない、製造直後のロール体についても、合計150点の表面抵抗率を測定した。そして、全測定点の平均値を100としたときの、全測定点における表面抵抗率の最大値と最小値の差の割合(%)を「表面抵抗率2のバラツキ」として求めた。
そして、得られた表面抵抗率1のバラツキと表面抵抗率2のバラツキを以下の式に当てはめて、表面抵抗率のバラツキの増大幅を求めた。
バラツキの増大幅(%)=表面抵抗率1のバラツキ(%)−表面抵抗率2のバラツキ(%)
そして、ロール体を高温多湿下で保存後の表面抵抗率のムラを、下記の基準に従って評価した。
◎:バラツキの増大幅が1.0%未満である
○:バラツキの増大幅が1.0%以上2.0%未満である
△:バラツキの増大幅が2.0%以上5.0%未満である
×:バラツキの増大幅が5.0%以上である
Similarly, the surface resistivity of a total of 150 points was also measured for the rolls immediately after production that were not stored under high temperature and high humidity. Then, the ratio (%) of the difference between the maximum value and the minimum value of the surface resistivity at all the measurement points when the average value of all the measurement points was 100 was determined as “variation of surface resistivity 2”.
Then, the obtained variation in the surface resistivity 1 and the variation in the surface resistivity 2 were applied to the following equation to obtain an increase in the variation in the surface resistivity.
Increase width of variation (%) = variation of surface resistivity 1 (%)-variation of surface resistivity 2 (%)
And the nonuniformity of the surface resistivity after preservation | save of a roll body under high temperature and humidity was evaluated in accordance with the following reference | standard.
A: Increase in variation is less than 1.0% B: Increase in variation is 1.0% or more and less than 2.0% Δ: Increase in variation is 2.0% or more and less than 5.0% X: Increase in variation is 5.0% or more

ロール状導電性フィルムの構成と、評価結果を表4に示す。
No.304〜309のロール状導電性フィルムは、ロール体での保存においても、表面抵抗率の変化が少なく良好である。
Table 4 shows the configuration of the roll-shaped conductive film and the evaluation results.
No. The roll-shaped conductive films of 304 to 309 are good with little change in surface resistivity even when stored in a roll body.

[実施例3]
〈タッチパネル付き液晶表示装置の作製〉
(タッチパネル付き液晶表示装置401〜409の作製)
VAモード型液晶表示装置(画像表示装置)として、SONY製BRAVIAV1、40インチ型を準備した。
実施例2で作製したロール状の導電性フィルム301〜309を長辺900mm×短辺500mmの大きさに2枚切りだした。一方を長辺方向、一方を短辺方向に導電性を有するようフォトエッチングでパターニングを行い、表面を予めエタノールで洗浄したガラス板(長辺900mm×短辺500mm、厚さ1.2mm)の片面に、25μmの両面接着テープ(リンテック社製 基材レステープ MO−3005C)を介し、ガラス、両面テープ、導電性フィルム、両面テープ、導電性フィルムとなるよう積層した。引き出し電極及びドライバICと接続し、上記VAモード型液晶表示装置の表示面に、空隙が1.5mmとなるよう重ね合わせ、簡易タッチパネル付きVAモード型液晶表示装置401〜409を作製した。
[Example 3]
<Production of LCD with touch panel>
(Production of liquid crystal display devices 401 to 409 with a touch panel)
As a VA mode type liquid crystal display device (image display device), a Sony BRAVIAV1, 40 inch type was prepared.
Two roll-shaped conductive films 301 to 309 prepared in Example 2 were cut into a size of 900 mm long side × 500 mm short side. One side of a glass plate (long side 900 mm × short side 500 mm, thickness 1.2 mm) that is patterned by photoetching so that one side is conductive in the long side direction and one side is conductive in the short side direction, and the surface is previously washed with ethanol In addition, the film was laminated so as to be glass, double-sided tape, conductive film, double-sided tape, and conductive film via a 25 μm double-sided adhesive tape (substrate-less tape MO-3005C, manufactured by Lintec Corporation). The VA mode type liquid crystal display devices 401 to 409 with a simple touch panel were manufactured by connecting to the extraction electrode and the driver IC and overlapping the display surface of the VA mode type liquid crystal display device with a gap of 1.5 mm.

作製した液晶表示装置について、以下の評価を行った。
(タッチパネル性能)
タッチパネルの操作において、
○ : 良好に操作できる
× : タッチパネルが反応しない
The following evaluation was performed about the produced liquid crystal display device.
(Touch panel performance)
In the operation of the touch panel,
○: Good operation ×: Touch panel does not respond

(干渉むら)
ディスプレイにカラーバーを表示し、斜め45°より目視にてディスプレイ表面を観察した。試験の結果、下記のようにランク評価を行った。
◎ : 干渉むらは全く観察されなかった
○ : 僅かに干渉むらが見られたが、実用上問題ない
△ : 干渉むらが見られた
× : 非常に濃い虹状の干渉むらが観察された
(Uneven interference)
A color bar was displayed on the display, and the display surface was observed visually at an angle of 45 °. As a result of the test, rank evaluation was performed as follows.
◎: Interference unevenness was not observed at all ○: Interference unevenness was slightly observed, but there was no problem in practical use △: Interference unevenness was observed ×: Very dark rainbow-shaped interference unevenness was observed

液晶表示装置の構成と、評価結果を表5に示す。   Table 5 shows the configuration of the liquid crystal display device and the evaluation results.

表5に示す結果より、導電性フィルム304〜309のを用いたタッチパネル404〜409は、大型テレビにおいても、操作性が良好であり、かつ干渉ムラが発生せず好ましい。   From the results shown in Table 5, the touch panels 404 to 409 using the conductive films 304 to 309 are preferable because they have good operability and no interference unevenness even in a large television.

なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。   The present invention is not limited to the configuration described in the above-described embodiment, and various modifications and changes can be made without departing from the configuration of the present invention.

10 導電性フィルム、11 透明基板、11,21,21A 基板、12 透明電極、13 中間層、14 透明導電層、20,30,32,40,51 タッチパネル、21A 第1の基板、21B 第2の基板、22 第1の透明電極、23 第2の透明電極、24 前面板、25 第1の窒素含有層、26 第1の透明導電層、27 第2の窒素含有層、28 第2の透明導電層、29x x配線、29y y配線、31 接着層、41 層間絶縁膜、42 接続電極、50 表示装置、52 表示パネル、53 ケース部材、x1,x2,x3 x電極パターン、y1,y2,y3 y電極パターン   10 conductive film, 11 transparent substrate, 11, 21, 21A substrate, 12 transparent electrode, 13 intermediate layer, 14 transparent conductive layer, 20, 30, 32, 40, 51 touch panel, 21A first substrate, 21B second Substrate, 22 First transparent electrode, 23 Second transparent electrode, 24 Front plate, 25 First nitrogen-containing layer, 26 First transparent conductive layer, 27 Second nitrogen-containing layer, 28 Second transparent conductive Layer, 29x x wiring, 29y y wiring, 31 adhesive layer, 41 interlayer insulating film, 42 connection electrode, 50 display device, 52 display panel, 53 case member, x1, x2, x3 x electrode pattern, y1, y2, y3 y Electrode pattern

Claims (11)

面方向リタデーション(R0値)が、+50nm≧R0≧−50nmを満たす熱可塑性樹脂からなる基板と、
前記基板上に形成された銀を主成分とする透明導電層と
を備える導電性フィルム。
A substrate made of a thermoplastic resin having a surface direction retardation (R0 value) satisfying +50 nm ≧ R0 ≧ −50 nm;
A conductive film comprising: a transparent conductive layer mainly composed of silver formed on the substrate.
前記透明導電層の厚さが1nm以上20nm以下であり、全光線透過率が80%以上である請求項1に記載の導電性フィルム。   2. The conductive film according to claim 1, wherein the transparent conductive layer has a thickness of 1 nm to 20 nm and a total light transmittance of 80% or more. 前記熱可塑性樹脂が、セルロースアシレート樹脂、環状オレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、及び(メタ)アクリル樹脂から選ばれる少なくともいずれか一つである請求項1又は2に記載の導電性フィルム。   The conductive film according to claim 1, wherein the thermoplastic resin is at least one selected from a cellulose acylate resin, a cyclic olefin resin, a polycarbonate resin, and a (meth) acrylic resin. 前記導電性フィルムが幅手方向の寸法が0.3m以上、長手方向の寸法が200m以上であり、長手方向に巻回されたロール状である請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電性フィルム。 Said conductive film is the size of the width direction more than 0.3 m, the longitudinal dimension is at least 200 meters, according to claim 1 which is rolled wound longitudinally Conductive film. 前記透明導電層が、窒素含有層に隣接して設けられている請求項1〜4のいずれか1項に記載の導電性フィルム。The conductive film according to claim 1, wherein the transparent conductive layer is provided adjacent to the nitrogen-containing layer. 前記窒素含有層は、分子量Mと有効非共有電子対の数nとの関係が、2.0×10In the nitrogen-containing layer, the relationship between the molecular weight M and the number n of effective unshared electron pairs is 2.0 × 10 -3-3 ≦[n/M]を満たす化合物を含む請求項5に記載の導電性フィルム。The conductive film according to claim 5, comprising a compound satisfying ≦ [n / M]. 前記窒素含有層は、一般式(1)で示される化合物を含む請求項5に記載の導電性フィルム。
[一般式(1)の式中、E101〜E108は、各々−C(R12)=又は−N=を表し、E101〜E108のうち少なくとも1つは−N=である。また、一般式(1)中のR11、及び上記R12は水素原子又は置換基を表す。]
The conductive film according to claim 5, wherein the nitrogen-containing layer contains a compound represented by the general formula (1).
[In the formula of the general formula (1), E101 to E108 each represent -C (R12) = or -N =, and at least one of E101 to E108 is -N =. Moreover, R11 in General formula (1) and said R12 represent a hydrogen atom or a substituent. ]
前記窒素含有層は、一般式(5)で示される化合物を含む請求項5に記載の導電性フィルム。
[一般式(5)の式中、E501及びE502のうちの少なくとも1つは窒素原子であり、E511〜E515のうちの少なくとも1つは窒素原子であり、E521〜E525のうちの少なくとも1つは窒素原子である。またR51は置換基を表す。]
The conductive film according to claim 5, wherein the nitrogen-containing layer contains a compound represented by the general formula (5).
[In the formula (5), at least one of E501 and E502 is a nitrogen atom, at least one of E511 to E515 is a nitrogen atom, and at least one of E521 to E525 is Nitrogen atom. R51 represents a substituent. ]
前記窒素含有層は、一般式(6)で示される化合物を含む請求項5に記載の導電性フィルム。
[一般式(6)の式中、E601〜E612は、各々−C(R61)=又は−N=を表し、R61は水素原子又は置換基を表す。またAr61は、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を表す。]
The conductive film according to claim 5, wherein the nitrogen-containing layer contains a compound represented by the general formula (6).
[In the formula of the general formula (6), E601 to E612 each represent —C (R61) ═ or —N═, and R61 represents a hydrogen atom or a substituent. Ar61 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring. ]
請求項1〜9のいずれか1項に記載の導電性フィルムを電極として備えるタッチパネル。 A touch panel provided with the conductive film according to claim 1 as an electrode. 請求項10に記載のタッチパネルと、前記タッチパネルに重ねて配置された表示パネルを備える表示装置。 A display device comprising: the touch panel according to claim 10; and a display panel disposed on the touch panel.
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