JP5941866B2 - Insulated wire - Google Patents
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Description
本発明は、モータのコイル等の形成に使用される絶縁電線に関する。 The present invention relates to an insulated wire used for forming a coil or the like of a motor.
近年、電子機器、電気機器の小型化が進められ、それに伴いこれらの機器内に装着するコイルも、従来の断面円形状のエナメル線(丸エナメル線)を用いたものから、断面矩形状のエナメル線(平角エナメル線)を用いたものが主流になりつつある。この平角エナメル線は断面矩形状の導体(平角導体)上に絶縁塗料を塗布焼き付けて絶縁皮膜を設けたものであり、平角エナメル線を用いることによって、コイルに巻き付けた際のエナメル線同士の隙間を小さくでき、(つまり、エナメル線の占積率を高めることができ)、コイルの小型化を図ることができる。そして、最近では、平角エナメル線の短辺を内径面として縦に巻いたいわゆるエッジワイズ巻きコイルが、放熱性、周波数特性等に優れることから多用されつつある。このようなエッジワイズ巻きコイルでは、平角エナメル線にかかる負荷が非常に大きいため、平角エナメル線には高い可とう性が要求される。 In recent years, electronic devices and electrical devices have been miniaturized, and as a result, coils installed in these devices are also enamels with rectangular cross-sections from those using conventional circular enamel wires (round enamel wires). The one using the wire (flat angle enamel wire) is becoming mainstream. This flat enameled wire is a conductor with a rectangular cross section (flat rectangular conductor) coated with an insulating paint and baked to provide an insulating film. By using a flat enameled wire, the gap between the enameled wires when wound around a coil (That is, the space factor of the enameled wire can be increased), and the coil can be reduced in size. In recent years, so-called edgewise winding coils in which a short side of a flat enameled wire is wound vertically with an inner diameter surface are being used frequently because of excellent heat dissipation and frequency characteristics. In such an edgewise winding coil, since the load applied to the flat enameled wire is very large, the flat enameled wire is required to have high flexibility.
ところで、このようなモータのコイル等に使用されるエナメル線の絶縁皮膜には、可とう性の他、耐熱性、熱劣化性、導体密着性等が一般に要求される。このため、従来、ポリアミドイミドやポリイミド等の耐熱性に優れる樹脂、また、これらの樹脂に密着性向上剤を含有させて導体に対する密着性を高めたもの(高密着性ポリアミドイミド、高密着性ポリイミド等)、分子中に屈曲構造を導入し可とう性を高めたもの(高可とう性ポリアミドイミド等)等、それぞれ単独で、または複数組み合わせて使用されている(例えば、特許文献1〜3参照。)。複数組み合わせた例としては、密着向上剤を添加した高密着性ポリアミドイミド樹脂を導体に密着させて被覆し、その外周に耐熱性に優れる芳香族ポリイミドを被覆したものが挙げられる。 By the way, the insulating film of the enamel wire used for such a motor coil is generally required to have heat resistance, heat deterioration property, conductor adhesion, etc. in addition to flexibility. Therefore, conventionally, resins having excellent heat resistance such as polyamideimide and polyimide, and those having an adhesion improver added to these resins to improve the adhesion to the conductor (high adhesion polyamideimide, high adhesion polyimide) Etc.), those in which a flexible structure is introduced into the molecule to improve flexibility (highly flexible polyamideimide, etc.), etc., are used singly or in combination (for example, see Patent Documents 1 to 3). .) As an example of a combination, a high adhesion polyamide-imide resin to which an adhesion improver is added is coated in close contact with the conductor, and the outer periphery thereof is coated with an aromatic polyimide having excellent heat resistance.
また、近年は、部分放電特性も重要視されてきている。すなわち、絶縁皮膜の表面および内部で部分放電が起きると、電気的劣化が生じ、絶縁破壊に至るおそれがある。省エネ化が進み、高圧インバータの使用が増大している昨今では、エナメル線の部分放電特性を向上させる必要がある。 In recent years, partial discharge characteristics have also been regarded as important. That is, if partial discharge occurs on the surface and inside of the insulating film, electrical deterioration may occur, leading to dielectric breakdown. With the recent progress in energy saving and increased use of high-voltage inverters, it is necessary to improve the partial discharge characteristics of enameled wires.
部分放電特性を向上する方法としては、絶縁皮膜の厚膜化や無機充填材を添加することが考えられる。しかしながら、無機充填材を添加した場合には可とう性が低下する。一方、絶縁皮膜を厚膜化した場合には、絶縁塗料の塗布焼付回数が増えるため、その間の導体の酸化が進み、絶縁皮膜と導体との密着力が低下するおそれがある。 As a method for improving the partial discharge characteristics, it is conceivable to increase the thickness of the insulating film or to add an inorganic filler. However, flexibility is reduced when an inorganic filler is added. On the other hand, when the insulating film is thickened, the number of times the insulating paint is applied and baked increases, so that the conductor is oxidized during that time, and the adhesion between the insulating film and the conductor may be reduced.
このため、導体密着性や可とう性を低下させずに、部分放電特性を向上させることができる技術、すなわち、耐熱性、熱劣化性、導体密着性、可とう性が良好で、かつ部分放電特性にも優れる絶縁皮膜を形成し得る技術が求められている。 For this reason, the technology that can improve the partial discharge characteristics without reducing the conductor adhesion and flexibility, that is, the heat resistance, the heat deterioration property, the conductor adhesion, the flexibility, and the partial discharge. There is a demand for a technique capable of forming an insulating film having excellent characteristics.
本発明はこのような従来の事情に対処してなされたもので、耐熱性、熱劣化性、導体密着性、可とう性が良好で、かつ部分放電特性にも優れる絶縁皮膜を具備し得る絶縁電線を提供することを目的とする。 The present invention has been made in response to such a conventional situation, and has an insulating film that has excellent heat resistance, heat deterioration property, conductor adhesion, flexibility, and excellent partial discharge characteristics. The purpose is to provide electric wires.
本発明の第1の態様である絶縁電線は、導体上に、密着性向上剤を含有しない第1のポリイミドからなる第1の層と、この第1の層上に設けられた、ダイマー酸ジイソシアネートを10〜70モル%含むイソシアネート成分と酸成分を反応させて得られるポリアミドイミドからなる第2の層と、この第2の層上に設けられた第2のポリイミドからなる第3の層とからなる絶縁皮膜を具備し、前記第1〜第3の層の厚みの前記絶縁皮膜全体の厚みに対する比率が、前記第1の層が10〜25%、前記第2の層が10〜75%、前記第3の層が10〜75%であることを特徴とするものである。 The insulated wire according to the first aspect of the present invention is a dimer acid diisocyanate provided on a conductor, a first layer made of a first polyimide not containing an adhesion improver, and the first layer. From the 2nd layer which consists of polyamideimide obtained by making the isocyanate component and acid component which contain 10-70 mol% react, and the 3rd layer which consists of the 2nd polyimide provided on this 2nd layer The ratio of the thickness of the first to third layers to the total thickness of the insulating film is 10 to 25% for the first layer, 10 to 75% for the second layer, The third layer is 10 to 75%.
本発明の第2の態様は、第1の態様である絶縁電線において、前記第1〜第3の層の厚みの前記絶縁皮膜全体の厚みに対する比率が、前記第1の層が10〜25%、前記第2の層が50〜75%、前記第3の層が10〜30%であることを特徴とするものである。 According to a second aspect of the present invention, in the insulated wire according to the first aspect, the ratio of the thickness of the first to third layers to the thickness of the entire insulating film is 10 to 25% for the first layer. The second layer is 50 to 75%, and the third layer is 10 to 30%.
本発明の第3の態様は、第1の態様または第2の態様である絶縁電線において、前記導体と前記第1の層との密着強度が40g/mm以上であることを特徴とするものである。 According to a third aspect of the present invention, in the insulated wire according to the first aspect or the second aspect, the adhesion strength between the conductor and the first layer is 40 g / mm or more. is there.
本発明の第4の態様は、第1の態様乃至第3の態様のいずれかの態様である絶縁電線において、部分放電開始電圧が1000V以上であることを特徴とするものである。 According to a fourth aspect of the present invention, in the insulated wire according to any one of the first to third aspects, the partial discharge start voltage is 1000 V or more.
本発明の第5の態様は、第1の態様乃至第4の態様のいずれかの態様である絶縁電線において、前記ポリアミドイミドのガラス転移点(Tg)が、210〜270℃であることを特徴とするものである。 According to a fifth aspect of the present invention, in the insulated wire according to any one of the first to fourth aspects, the polyamideimide has a glass transition point (Tg) of 210 to 270 ° C. It is what.
本発明の第6の態様は、第1の態様乃至第5の態様のいずれかの態様である絶縁電線において、前記酸成分が、トリメリット酸無水物を含むことを特徴とするものである。 According to a sixth aspect of the present invention, in the insulated wire according to any one of the first to fifth aspects, the acid component includes trimellitic anhydride.
本発明の第7の態様は、第1の態様乃至第6の態様のいずれかの態様である絶縁電線において、前記絶縁皮膜全体の厚みが60〜200μmであることを特徴とするものである。 According to a seventh aspect of the present invention, in the insulated wire according to any one of the first to sixth aspects, the thickness of the entire insulating film is 60 to 200 μm.
本発明の第8の態様は、第1の態様乃至第7の態様のいずれかの態様である絶縁電線において、前記導体が、平角導体からなることを特徴とするものである。 According to an eighth aspect of the present invention, in the insulated wire according to any one of the first to seventh aspects, the conductor is a flat conductor.
本発明の第9の態様は、第8の態様である絶縁電線において、前記平角導体は、幅2.0〜7.0mm、厚さ0.7〜3.0mmの矩形状断面を有することを特徴とするものである。 According to a ninth aspect of the present invention, in the insulated wire according to the eighth aspect, the rectangular conductor has a rectangular cross section having a width of 2.0 to 7.0 mm and a thickness of 0.7 to 3.0 mm. It is a feature.
本発明によれば、耐熱性、熱劣化性、導体密着性、可とう性が良好で、かつ部分放電特性にも優れる絶縁皮膜を具備し得る絶縁電線が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the insulated wire which can comprise the insulating film which is excellent in heat resistance, heat deterioration property, conductor adhesiveness, and flexibility, and is excellent also in partial discharge characteristics is provided.
以下、本発明の実施形態について説明する。なお、説明は図面に基づいて行うが、図面は単に図解のために提供されるものであって、本発明は図面により何ら限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. Although the description will be made based on the drawings, the drawings are provided for illustration only, and the present invention is not limited to the drawings.
図1は、本発明の絶縁電線の一実施形態に係る平角エナメル線を示す横断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing a flat enameled wire according to an embodiment of the insulated wire of the present invention.
図1に示すように、この平角エナメル線は、伸線加工によって形成された断面矩形状の平角導体10と、この平角導体10上に順に形成された3層構造の絶縁皮膜20、すなわち、第1の層21、第2の層22、および第3の層23からなる皮膜を備えている。
As shown in FIG. 1, this flat enameled wire includes a
平角導体10は、例えば、幅(W)が2.0〜7.0mm、厚さ(H)が0.7〜3.0mmの矩形状断面を有する、銅線、銅合金線等の金属線から構成される。矩形状断面における4ヶ所の角部には丸みが付されていても付されていなくてもよいが、コイルに巻き付けた際の占積率を高める観点からは、丸みが付されていない(つまり、断面が矩形である)か、丸みが付されている場合であっても、その丸みの半径が0.3mm以下であることが好ましい。平角導体10の材料としては、銅、銅合金の他、アルミニウム、鉄、銀、これらの合金等も挙げられるが、機械的強度、導電率等の観点からは、銅または銅合金が好ましい。
The
第1の層21は、密着性向上剤を含まないポリイミド(密着性向上剤非含有ポリイミド、または第1のポリイミドともいう。)からなる層であり、密着性向上剤を含まないポリイミド樹脂ワニス(密着性向上剤非含有ポリイミド樹脂ワニス)を平角導体10上に塗布し焼き付けることによって形成される。密着性向上剤非含有ポリイミド樹脂ワニスは、密着性向上剤を含有しないものであれば、いかなるポリイミド樹脂ワニスであってもよい。
The
一般に、ポリイミド樹脂ワニスには、溶剤に可溶なポリイミド樹脂を溶剤に溶解したものと、ポリアミック酸等のポリイミド樹脂の前駆体を溶剤に溶解したもので、高温の熱処理でポリイミド樹脂になるものがあり、いずれも使用可能である。耐熱性の観点からは、ピロメリット酸二無水物(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物等から選ばれた1種もしくは2種以上のテトラカルボン酸二無水物と、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族ジアミン、または芳香族ジイソシアネートとを、N−メチル−2−ピロリドン、N,N’−ジメチルアセトアミド(DMAc)等の有機溶媒中で反応させることによって得られる全芳香族ポリイミド樹脂ワニスが好ましい。 Generally, there are polyimide resin varnishes in which a polyimide resin soluble in a solvent is dissolved in a solvent, and a polyimide resin precursor such as polyamic acid dissolved in a solvent, which becomes a polyimide resin by high-temperature heat treatment. Yes, both can be used. From the viewpoint of heat resistance, it was selected from pyromellitic dianhydride (PMDA), benzophenone tetracarboxylic dianhydride (BTDA), 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, and the like. One or more tetracarboxylic dianhydrides and 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,4′-diaminodiphenylmethane, 1,3-bis (4-aminophenoxy) An aromatic diamine such as benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 3,3′-diaminodiphenylsulfone, or an aromatic diisocyanate is mixed with N-methyl-2-pyrrolidone, N, N′-dimethyl. A wholly aromatic polyimide resin varnish obtained by reacting in an organic solvent such as acetamide (DMAc) is preferred. That's right.
テトラカルボン酸二無水物の他の例としては、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホキシドテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’−ジフェニルスルフィドテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’−ジフェニル(2,2−イソプロピリデン)テトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジフェニルスルホキシドテトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジフェニルスルホントラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジフェニルスルフィドテトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’−ジフェニルスルメタンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジフェニル(2,2−イソプロピリデン)テトラカルボン酸二無水物、4,4'‐(ヘキサフルオロイソプロピル)フタル酸二無水物、ビスフェノール酸二無水物等が挙げられる。 Other examples of tetracarboxylic dianhydrides include 3,3 ′, 4,4′-diphenyl sulfoxide tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, 3,4,3 ′, 4′-diphenylsulfide tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-diphenylmethanetetracarboxylic Acid dianhydride, 3,4,3 ′, 4′-diphenyl (2,2-isopropylidene) tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-diphenylsulfoxide tetracarboxylic dianhydride, 3,4,3 ′, 4′-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, 3,4,3 ′, 4′-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-diphenyl Sulfontracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-diphenylsulfide tetracarboxylic dianhydride, 3,4,3 ′, 4′-diphenylsulfanetetracarboxylic dianhydride, 2,3 , 3 ′, 4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-diphenyl (2,2-isopropylidene) tetracarboxylic dianhydride, 4,4 ′-(hexafluoroisopropyl ) Phthalic dianhydride, bisphenolic dianhydride and the like.
芳香族ジアミンの他の例としては、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、1,4−ジアミノベンゼン、1,3−ジアミノベンゼン、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,4−ジアミノトルエン、3,4’−ビフェニルジアミン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホキシド、2,2−ビス(3−アミノフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ビフェニルジアミン、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、2,6−ジアミノトルエン、4,4’−ビフェニルジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ビス(4−アミノフェニル)スルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−(3−アミノフェニル)(4−アミノフェニル)プロパン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ビス(4−アミノフェニル)スルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、2,5−ジアミノトルエン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ビス(4−アミノフェニル)スルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−(3−アミノフェニル)(4−アミノフェニル)プロパン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,4’−ビス(4−アミノフェニル)スルフィド、3,3’−ビス(4−アミノフェニル)スルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、2,5−ジアミノトルエン、3,3’−ヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、ジアミノベンゾアニリド、メチレンジアニリン等が挙げられる。 Other examples of aromatic diamines include 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, 1,4-diaminobenzene, 1,3-diaminobenzene, 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2, 4-diaminotoluene, 3,4'-biphenyldiamine, 3,4'-diaminodiphenyl sulfoxide, 2,2-bis (3-aminophenyl) propane, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-biphenyldiamine 3,4′-diaminodiphenyl ether, 2,6-diaminotoluene, 4,4′-biphenyldiamine, 3,3′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-bis (4-aminophenyl) sulfide, 3,3 ′ -Diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2- (3-aminophenyl) (4-aminophenyl) propane, 3,3′-diaminobenzophenone, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-bis (4-aminophenyl) sulfide, 4,4′- Diaminodiphenyl sulfoxide, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 2,5-diaminotoluene, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 4,4'- Bis (4-aminophenyl) sulfide, 3,3′-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2- (3-aminophenyl) (4-aminophenyl) propane, 3, 3'-diaminobenzophenone, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2 -Dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-bis (4-aminophenyl) sulfide, 3,3'-bis (4-aminophenyl) sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfoxide, 3, 4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 2,5-diaminotoluene, 3,3'-hydroxy-4,4'-diaminobiphenyl, diaminobenzoanilide, And methylene dianiline.
テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン等との重合において用いる有機溶媒の例としては、上記したN−メチル−2−ピロリドン、N,N’−ジメチルアセトアミド(DMAc)の他、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N’−ジエチルアセトアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、N−メチルカプロラクタム、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,2−ジメトキシエタン、ジグライム、トリグライム、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、γ−ブチロラクトン、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、ジエトキシエタン、ジメチルスルホキシド、スルホランなどが挙げられる。 Examples of the organic solvent used in the polymerization of tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine and the like include N-methyl-2-pyrrolidone and N, N′-dimethylacetamide (DMAc) as well as N, N— Dimethylformamide, N, N′-diethylacetamide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, N-methylcaprolactam, hexamethylphosphoric triamide, 1,2-dimethoxyethane, diglyme, triglyme, tetrahydrofuran, 1, Examples include 4-dioxane, γ-butyrolactone, dimethyl carbonate, diethyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate, diethoxyethane, dimethyl sulfoxide, and sulfolane.
第1の層21の形成に好適な全芳香族ポリイミド樹脂ワニスの市販品を例示すると、例えば、東レ(株)製のトレニース#3000、宇部興産(株)製のU−ワニス、UMC社製のE706(以上、商品名)等が挙げられる。
Examples of commercially available wholly aromatic polyimide resin varnishes suitable for the formation of the
なお、ここでいう密着性向上剤は、導体10に対する密着性を高める作用を有する成分であり、例えば、チアジアゾール、チアゾール、メルカプトベンズイミダゾール、チオフェノール、チオフォン、チオール、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ブチル化メラミン、ヘテロ環状メルカプタン等が例示される。
In addition, the adhesion improver here is a component having an effect of enhancing the adhesion to the
第1の層21を、このような密着性向上剤を含まないポリイミド樹脂ワニスで形成することにより、絶縁皮膜20の膜厚に依存することなくその導体に対する良好な密着性を確保することができる。換言すれば、部分放電特性を高めるために絶縁皮膜20を厚膜化しても、密着性向上剤を含有させたポリイミド樹脂ワニスやポリアミドイミド樹脂の場合のように、導体に対する密着性が低下することはない。これは、密着性向上剤を含まないポリイミド樹脂ワニスを使用した場合に、その後の熱処理に伴う導体の酸化を防止することができるのに対し、密着性向上剤を含有させたポリイミド樹脂ワニスやポリアミドイミド樹脂ワニスでは、導体の酸化を促進させるからと考えられる。なお、密着性向上剤を含まないポリアミドイミド樹脂ワニスを使用した場合には、それ自体、導体に対する密着性が低いために、膜厚にかかわらず所要の導体密着性を確保することができない。
By forming the
第1の層21は、第1〜第3の層21〜23の各膜厚にかかわらず、導体と密着強度が
40g/mm以上であることが好ましく、60g/mm以上であることがより好ましい。なお、この第1の層21と導体との密着力は、絶縁皮膜と導体との180°剥離試験を行い、測定される値である。
Regardless of the thickness of each of the first to
第2の層22は、ダイマー酸ジイソシアネートを10〜70モル%含むイソシアネート成分と酸成分とを反応させて得られるポリアミドイミド(高可とう性ポリアミドイミドともいう。)からなる層であり、高可とう性ポリアミドイミドを含む樹脂ワニスを第1の層21上に塗布し焼き付けることによって形成される。
The
ダイマー酸ジイソシアネートを10〜70モル%含むイソシアネート成分を使用することにより、可とう性のみならず耐摩耗性に優れた第2の層22が形成され、絶縁電線に優れた耐加工性を付与することができる。なお、ダイマー酸ジイソシアネートは30〜60モル%であることが好ましい。
By using an isocyanate component containing 10 to 70 mol% of dimer acid diisocyanate, the
併用する他のイソシアネート成分としては、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(2,4’−MDI)、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(4,4’−MDI)、3,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、3,3’−ジフェニルメタンジイソシアネート、2,3’−ジフェニルメタンジイソシアネート、2,2’−ジフェニルメタンジイソシアネートの他、トリレンジイソシアネート(TDI)、ジフェニルエーテルジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ジフェニルスルホンジイソシアネート、ビトリレンジイソシアネート、ジアニシジンジイソシアネート、これらの異性体等が挙げられる。また、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、メチレンジシクロヘキシルジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、シクロヘキサンジイソシアネート等の脂肪族ジイソシアネート類、トリフェニルメタントリイソシアネート等の多官能イソシアネート、ポリメリックイソシアネート、あるいはトリレンジイソシアネート等の多量体等も併用可能である。 Other isocyanate components used in combination include 2,4′-diphenylmethane diisocyanate (2,4′-MDI), 4,4′-diphenylmethane diisocyanate (4,4′-MDI), 3,4′-diphenylmethane diisocyanate, 3 , 3'-diphenylmethane diisocyanate, 2,3'-diphenylmethane diisocyanate, 2,2'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate (TDI), diphenyl ether diisocyanate, naphthalene diisocyanate, phenylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, diphenylsulfone diisocyanate, biphenyl Examples include tolylene diisocyanate, dianisidine diisocyanate, and isomers thereof. In addition, aliphatic diisocyanates such as hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, methylene dicyclohexyl diisocyanate, xylylene diisocyanate and cyclohexane diisocyanate, polyfunctional isocyanates such as triphenylmethane triisocyanate, multimers such as polymeric isocyanate or tolylene diisocyanate, etc. Can be used together.
また、酸成分としては、トリメリット酸無水物(TMA)、ピロメリット酸二無水物(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)、オキシジフタル酸二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物、およびその異性体、ブタンテトラカルボン酸二無水物、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ−3−フラニル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物等の脂環式テトラカルボン酸二無水物類、トリメシン酸、トリス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレート(CIC酸)等のトリカルボン酸およびその異性体類等が挙げられる。これらのなかでも、安価で安全性にも優れるトリメリット酸無水物(TMA)が好ましい。 The acid component includes trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic dianhydride (PMDA), benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA), biphenyltetracarboxylic dianhydride, diphenylsulfonetetracarboxylic acid. Aromatic tetracarboxylic dianhydrides such as dianhydrides (DSDA) and oxydiphthalic dianhydrides, and isomers thereof, butanetetracarboxylic dianhydrides, 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl ) -3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride and other alicyclic tetracarboxylic dianhydrides, and tricarboxylic acids such as trimesic acid and tris (2-carboxyethyl) isocyanurate (CIC acid) Examples include acids and isomers thereof. Among these, trimellitic anhydride (TMA) that is inexpensive and excellent in safety is preferable.
また、上記イソシアネート成分と酸成分の他にポリカルボン酸を加えてもよい。ポリカルボン酸としては、テレフタル酸、イソフタル酸等の芳香族ジカルボン酸類、トリメリット酸、へミメリット酸等の芳香族トリカルボン酸類、ダイマー酸等の脂肪族ポリカルボン酸類等が挙げられる。 In addition to the isocyanate component and the acid component, a polycarboxylic acid may be added. Examples of the polycarboxylic acid include aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid and isophthalic acid, aromatic tricarboxylic acids such as trimellitic acid and hemmellitic acid, and aliphatic polycarboxylic acids such as dimer acid.
さらに、上記イソシアネート成分と酸成分とを反応させる溶剤としては、2−ピロリドン、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、N,N−ジメチルアセトアミドのような非プロトン系極性溶剤、フェノール、クレゾール、キシレノール等のフェノール系溶剤等が挙げられる。 Furthermore, as a solvent for reacting the isocyanate component and the acid component, aprotic polar solvents such as 2-pyrrolidone, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), N, N-dimethylacetamide, phenol, cresol, Examples thereof include phenol solvents such as xylenol.
イソシアネート成分と酸成分とを反応させる際には、アミン類、イミダゾール類、イミダゾリン類等の反応触媒を使用してもよい。反応触媒は樹脂ワニスの安定性を阻害しないものが好ましい。 When reacting the isocyanate component and the acid component, reaction catalysts such as amines, imidazoles, imidazolines may be used. The reaction catalyst is preferably one that does not inhibit the stability of the resin varnish.
第2の層22を構成する高可とう性ポリアミドイミドは、ガラス転移点(Tg)が210〜270℃であることが好ましく、230〜260℃であることがより好ましい。
The highly flexible polyamideimide constituting the
第3の層23は、ポリイミド(第2のポリイミドともいう)からなる層であり、ポリイミド樹脂ワニスを第2の層22上に塗布し焼き付けることによって形成される。第3の層23を形成するポリイミド樹脂ワニスは、特に限定されるものではなく、従来一般に知られる各種ポリイミド樹脂ワニスを使用することができる。また、第1の層21で用いたものと同種のものを用いてもよく、また異なっていてもよい。耐熱性、熱劣化性を高める観点からは、第1の層21の形成に好適な例として挙げたもの、すなわち、ピロメリット酸二無水物(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物等から選ばれた1種もしくは2種以上のテトラカルボン酸二無水物と、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族ジアミン、または芳香族ジイソシアネートとを、N−メチル−2−ピロリドン、N,N’−ジメチルアセトアミド(DMAc)等の有機溶媒中で反応させることによって得られる全芳香族ポリイミド樹脂ワニスが好ましい。
The
上記のように、第1の層21、第2の層22および第3の層23は、それぞれ密着性向上剤非含有ポリイミド樹脂ワニス、高可とう性ポリアミドイミド樹脂ワニス、およびポリイミド樹脂ワニスを、平角導体10上に順に塗布し焼き付けることにより形成される。各樹脂ワニスを塗布し焼き付ける方法は、特に限定されるものではなく、従来一般に知られる方法、例えば、樹脂ワニスを収容した槽に平角導体10、あるいは第1の層21または第2の層22を形成した平角導体10を通過させた後、焼き付け炉で焼き付ける方法等を用いることができる。
As described above, the
本発明においては、第1の層21、第2の層22および第3の層23の各層厚(t1、t2およびt3)を、それらを合計した厚み、つまり絶縁皮膜20の厚み(T)に対する各層の比率が、第1の層21が10〜25%、第2の層22が10〜70%、第3の層23が10〜70%となるようにする。第1の層21の厚みが前記範囲未満では、平角導体10に対する密着性が低下し、前記範囲を超えると、可とう性が低下する。第2の層22の厚みが前記範囲未満では、可とう性が低下し、前記範囲を超えると、耐熱性、熱劣化性が低下する。第3の層23の厚みが前記範囲未満では、耐熱性、熱劣化性が低下し、前記範囲を超えると、耐摩耗性が低下する。絶縁皮膜20の厚み(T)に対する各層の比率は、第1の層21が10〜25%、第2の層22が50〜75%、第3の層23が10〜30%であることが好ましい。
In the present invention, each layer thickness (t1, t2, and t3) of the
また、絶縁皮膜20の厚み(T)は、60〜200μmであることが好ましく、60〜160μmであることがより好ましい。絶縁皮膜20の厚み(T)が60μm未満では、耐電圧特性が不十分となり、200μmを超えると、絶縁皮膜20が厚くなりすぎてコイルの小型化が困難になる。部分放電特性の観点からは、絶縁皮膜20の厚み(T)は、
80〜120μmとすることが好ましい。このような厚みとすることで、部分放電開始電圧1000V以上を達成することができる。
The thickness (T) of the insulating
It is preferable to set it as 80-120 micrometers. By setting it as such thickness, partial discharge start voltage 1000V or more can be achieved.
本実施形態の平角エナメル線においては、平角導体10上に、密着性向上剤を含まないポリイミドからなる第1の層21と、この第1の層21上に設けられた、ダイマー酸ジイソシアネートを10〜70モル%含むイソシアネート成分と酸成分を反応させて得られるポリアミドイミド、すなわち高可とう性ポリアミドイミドからなる第2の層22と、この第2の層22上に設けられたポリイミドからなる第3の層23からなる絶縁皮膜20を備えているので、部分放電特性を高めるために絶縁皮膜20を厚肉化しても、絶縁皮膜20の平角導体10に対する密着性が低下することはなく、絶縁皮膜20は良好な導体密着性を備えることができる。また、絶縁皮膜20は、可とう性、耐熱性、熱劣化性も良好である。したがって、平角エナメル線は、耐熱性、熱劣化性、導体密着性、可とう性が良好で、かつ部分放電特性にも優れる絶縁皮膜20を具備することができる。
In the flat enameled wire of the present embodiment, the
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化することができる。例えば、上記実施形態は、本発明を平角エナメル線に適用した例であるが、通常の円形導体を用いる丸エナメル線等にも適用できることはいうまでもない。本発明の絶縁電線は、優れた可とう性を有することから、エッジワイズ巻きコイルの巻線としても十分に適用でき、また、優れた部分放電特性を有することができるため、高い部分放電特性が要求される用途にも十分適用できる。 Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. . For example, the above embodiment is an example in which the present invention is applied to a flat enameled wire, but it goes without saying that the present invention can also be applied to a round enameled wire using a normal circular conductor. Since the insulated wire of the present invention has excellent flexibility, it can be sufficiently applied as a winding of an edgewise winding coil and can have excellent partial discharge characteristics. It can be applied to required applications.
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。以下の記載において、「部」は特に断らない限り「質量部」を意味する。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following description, “part” means “part by mass” unless otherwise specified.
[高可とう性ポリアミドイミド樹脂ワニスの調製]
攪拌機、窒素流入管および加熱冷却装置を備えたフラスコ内に、イソシアネート成分として2,4’−MDIと4,4’−MDIの混合物、およびダイマー酸ジイソシアネート(DDI)、酸成分としてトリメリット酸無水物、並びに溶媒としてN−メチル−2−ピロリドンを投入し、窒素雰囲気下で攪拌しながら常温から140℃まで2時間かけて昇温させ、この温度で3時間反応させた後、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)で希釈し、常温まで冷却させ、不揮発分30.0質量%の高可とう性ポリアミドイミド樹脂ワニスを得た。なお、不揮発分は、JIS C 2351にて測定した値である。
[Preparation of highly flexible polyamideimide resin varnish]
In a flask equipped with a stirrer, nitrogen inlet pipe and heating / cooling device, a mixture of 2,4′-MDI and 4,4′-MDI as an isocyanate component, dimer acid diisocyanate (DDI), and trimellitic anhydride as an acid component And N-methyl-2-pyrrolidone as a solvent was added, and the temperature was raised from room temperature to 140 ° C. over 2 hours with stirring in a nitrogen atmosphere. After reacting at this temperature for 3 hours, N, N— Dilution with dimethylformamide (DMF) and cooling to room temperature gave a highly flexible polyamideimide resin varnish having a nonvolatile content of 30.0% by mass. The nonvolatile content is a value measured according to JIS C 2351.
[絶縁電線の製造]
(実施例1)
平角銅導体上に、密着性向上剤を含有しないポリイミド樹脂ワニス(東レ(株)製 商品名 トレニース#3000;PI−1と表記)を塗布し焼付けて11μm厚の皮膜(第1層)を形成し、次いで、この第1層上に上記高可とう性ポリアミドイミド樹脂ワニス(高可とう性PAIと表記)を塗布し焼付けて77μm厚の皮膜(第2層)を形成し、さらに、この第2層上に、第1層と同じポリイミド樹脂ワニス(PI−1)を塗布し焼付けて22μm厚の皮膜(第3層)を形成し、厚さ1.6mm、幅2.4mmの絶縁電線を得た。
[Manufacture of insulated wires]
Example 1
On a flat copper conductor, a polyimide resin varnish that does not contain an adhesion improver (trade name Torenice # 3000; written as PI-1) manufactured by Toray Industries, Inc. is applied and baked to form an 11 μm thick film (first layer). Then, the highly flexible polyamide-imide resin varnish (denoted as highly flexible PAI) is applied onto this first layer and baked to form a 77 μm-thick film (second layer). On the two layers, the same polyimide resin varnish (PI-1) as that of the first layer is applied and baked to form a 22 μm-thick film (third layer). An insulated wire having a thickness of 1.6 mm and a width of 2.4 mm is formed. Obtained.
(実施例2〜10)
導体、第1層〜第3層の皮膜厚、および/または第1層もしくは第3層の形成材料を変えた以外は、実施例1と同様にして、表1に示す構成、寸法の絶縁電線を得た。なお、実施例5および実施例7でそれぞれ第1層および第3層の形成に使用した材料は、密着性向上剤を含有しないポリイミド樹脂ワニスのUワニスA(宇部興産(株)製 商品名;PI−2と表記)である。また、実施例6および実施例8でそれぞれ第1層および第3層の形成に使用した材料は、密着性向上剤を含有しないポリイミド樹脂ワニスのE706(UMC社製 商品名;PI−3と表記)である。
(Examples 2 to 10)
Insulated wires having the configurations and dimensions shown in Table 1 in the same manner as in Example 1 except that the conductor, the film thickness of the first layer to the third layer, and / or the material for forming the first layer or the third layer were changed. Got. In addition, the material used for formation of the first layer and the third layer in Example 5 and Example 7, respectively, is a U-varnish A of polyimide resin varnish that does not contain an adhesion improver (trade name, manufactured by Ube Industries, Ltd.); PI-2). In addition, the materials used for forming the first layer and the third layer in Example 6 and Example 8, respectively, are E706 of polyimide resin varnish that does not contain an adhesion improver (trade name; manufactured by UMC); ).
(比較例1〜6)
表2に記載の構成、寸法により、絶縁電線を得た。比較例1、4で使用した高密着性ポリイミド樹脂ワニス(高密着PAIと表記)、および比較例5で使用した高密着性ポリイミド樹脂ワニス(高密着PIと表記)は次のとおりである。
高密着PAI:HI406−30(日立化成工業(株)製 商品名)に密着性向上剤メルカプトベンズイミダゾールを含有したもの
高密着PI:トレニース#3000(東レ(株)製 商品名)に密着性向上剤メルカプトベンズイミダゾールを含有したもの
(Comparative Examples 1-6)
With the configuration and dimensions described in Table 2, an insulated wire was obtained. The high adhesion polyimide resin varnish (expressed as high adhesion PAI) used in Comparative Examples 1 and 4 and the high adhesion polyimide resin varnish (expressed as high adhesion PI) used in Comparative Example 5 are as follows.
High adhesion PAI: HI406-30 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) containing an adhesion improver, mercaptobenzimidazole Containing the agent mercaptobenzimidazole
得られた各絶縁電線について、下記に示す方法で各種特性を測定・評価した。
[耐熱性]
熱機械分析装置を用いて第2層を構成する材料のガラス転移点(Tg)を測定した。
[軟化温度]
JIS C 3216−6 JA.4に準拠して測定した。
[熱劣化性]
絶縁電線試料を250℃で48時間加熱劣化させた後、フラットワイズ曲げ試験を行い、下記の基準で評価した。
◎:9mmφ未満の曲げ径にて絶縁皮膜の割れや亀裂の発生なし
○:9mmφ以上18mmφ未満の曲げ径にて絶縁皮膜の割れや亀裂の発生なし
△:18mmφ以上27mmφ未満の曲げ径にて絶縁皮膜の割れや亀裂の発生なし
×:27mmφ以上の曲げ径にて絶縁皮膜の割れや亀裂の発生あり
[湿熱性]
絶縁電線試料を150℃、加水量0.2体積%で120時間放置後、フラットワイズ曲げ試験を行い、下記の基準で評価した。
◎:5mmφ未満の曲げ径にて絶縁皮膜の割れや亀裂の発生なし
○:5mmφ以上10mmφ未満の曲げ径にて絶縁皮膜の割れや亀裂の発生なし
△:10mmφ以上20mmφ未満の曲げ径にて絶縁皮膜の割れや亀裂の発生なし
×:20mmφ以上の曲げ径にて絶縁皮膜の割れや亀裂の発生あり
[部分放電開始電圧(PDIV)]
絶縁電線のアローペア試料を用いて60Hz、昇圧速度10V/秒で電圧を印加した際に、100pCの放電が発生した電圧を測定した。測定は各試料について3回行い、その最小値を表記した。
[可とう性]
長さ25cmの絶縁電線試料を30%伸長させ、エッジワイズ曲げ試験を行い、下記の基準で評価した(n=40)。
◎:亀裂の発生なし
○:亀裂発生率5%未満
△:亀裂発生率5%以上10%未満
×:亀裂発生率10%以上
[密着性]
絶縁皮膜と導体との180°剥離試験を行い、絶縁皮膜の密着力(g/mm)を測定した。
About each obtained insulated wire, various characteristics were measured and evaluated by the method shown below.
[Heat-resistant]
The glass transition point (Tg) of the material constituting the second layer was measured using a thermomechanical analyzer.
[Softening temperature]
JIS C 3216-6 JA. Measured according to 4.
[Heat degradation]
The insulated wire sample was heated and deteriorated at 250 ° C. for 48 hours, and then subjected to a flatwise bending test and evaluated according to the following criteria.
◎: Insulation film does not crack or crack when bending diameter is less than 9mmφ ○: Insulation film does not crack or crack when bending diameter is 9mmφ or more but less than 18mmφ △: Insulation with bending diameter less than 18mmφ or less than 27mmφ No cracking or cracking of the film ×: Insulation film cracking or cracking occurred at a bending diameter of 27 mmφ or more [wet heat]
The insulated wire sample was allowed to stand for 120 hours at 150 ° C. and 0.2% by volume of water, then subjected to a flatwise bending test and evaluated according to the following criteria.
◎: Insulation film does not crack or crack when bending diameter is less than 5mmφ ○: Insulation film does not crack or crack when bending diameter is 5mmφ or more but less than 10mmφ △: Insulation with bending diameter of 10mmφ or more but less than 20mmφ No cracking or cracking of film ×: Insulation film cracking or cracking occurred at a bending diameter of 20 mmφ or more [Partial discharge start voltage (PDIV)]
When a voltage was applied at 60 Hz and a boosting rate of 10 V / second using an insulated wire arrow pair sample, the voltage at which discharge of 100 pC occurred was measured. The measurement was performed three times for each sample, and the minimum value was indicated.
[Flexibility]
An insulated wire sample having a length of 25 cm was stretched by 30%, an edgewise bending test was performed, and the following criteria were evaluated (n = 40).
◎: No crack occurrence ○: Crack occurrence rate less than 5% △: Crack occurrence rate 5% or more and less than 10% ×: Crack
A 180 ° peel test between the insulating film and the conductor was performed, and the adhesion (g / mm) of the insulating film was measured.
これらの測定結果を、各絶縁電線の構成、寸法等とともに、表1および表2に示す。 These measurement results are shown in Table 1 and Table 2 together with the configuration and dimensions of each insulated wire.
表1および表2から明らかなように、実施例の絶縁電線は、耐熱性、熱劣化性、湿熱性、密着性、可とう性に優れ、かつ部分放電特性にも優れている。 As is clear from Tables 1 and 2, the insulated wires of the examples are excellent in heat resistance, heat deterioration, wet heat, adhesion, flexibility, and partial discharge characteristics.
10…平角導体、20…絶縁皮膜、21…第1の層、22…第2の層、23…第3の層。
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記第1〜第3の層の厚みの前記絶縁皮膜全体の厚みに対する比率が、前記第1の層が10〜25%、前記第2の層が10〜75%、前記第3の層が10〜75%であることを特徴とする絶縁電線。 A first layer made of a first polyimide containing no adhesion improver on the conductor, an isocyanate component containing 10 to 70 mol% of dimer acid diisocyanate provided on the first layer, and an acid component An insulating film comprising a second layer made of polyamideimide obtained by reaction and a third layer made of second polyimide provided on the second layer,
The ratio of the thickness of the first to third layers to the thickness of the entire insulating film is 10 to 25% for the first layer, 10 to 75% for the second layer, and 10 for the third layer. Insulated electric wire characterized by being -75%.
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