JP5963004B2 - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、窒化物半導体発光素子に関し、特に、発光効率が高く、動作電圧が低い窒化物半導体発光素子に関する。

窒化ガリウム（ＧａＮ）に代表されるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系化合物半導体、いわゆる窒化物半導体が注目を集めている。窒化物半導体は、一般式がＩｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）で表され、ＩＩＩ族元素であるインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の少なくとも１つと、Ｖ族元素である窒素（Ｎ）とからなる化合物半導体である。これらの窒化物半導体を用いたデバイスにおいて、特に、電気を光に変換する発光素子の開発が盛んに行われている。

半導体発光素子の種類としては、大きく２種類あり、一つは注入されたキャリア（電子、正孔）を自然放出により光に変換する発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）であり、もう一つは、デバイス上に導波路を設け、その中に注入されたキャリアを誘導放出により光に変換するレーザダイオード（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）等の半導体レーザである。

窒化物半導体を用いた発光ダイオードは、蛍光体と組み合わせた白色ＬＥＤとして、照明装置や液晶表示装置のバックライト光源として盛んに開発されている。一方、窒化物半導体を用いた半導体レーザについては、発光波長が４００〜４１０ｎｍのレーザ光を出射する青紫色レーザダイオードが、ブルーレイ（Ｂｌｕ−ｒａｙ）ディスクの記録及び再生装置の光源として用いられている。

また、近年では、発光波長が青色領域から緑色領域へと長波長化した窒化物半導体発光素子もディスプレイ用光源として開発及び生産されるようになってきた。この用途向けに、スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ：Ｓｕｐｅｒ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｏｄｅ）のような、レーザ光の欠点であるスペックルノイズを低減させることが可能な光を出射する窒化物半導体発光素子も開発されるようになってきた。

半導体レーザやＳＬＤのような窒化物半導体発光素子においては、前述のように光導波路中で、誘導放出光を生成することで、高効率の発光素子を実現する。この誘導放出光を効率よく得るためには、光導波路の光閉じ込め係数を高くする必要がある。光閉じ込め係数を高くする方法としては、例えば従来技術では、ガイド層としてＧａＮを用いて、クラッド層としてＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）を用いる方法が挙げられる。この場合、クラッド層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮにおいてＡｌ組成を大きくすることで、ガイド層のＧａＮよりも屈折率を大幅に小さくし、その結果、屈折率差が大きくなり光閉じ込め係数を高くすることができる。

一方、このようにクラッド層のＡｌ組成を大きくした場合の副作用も上げられる。特に、発光層上方に設けられるｐ型のクラッド層においては、ドーパントに用いられるＭｇアクセプタのイオン化エネルギーが、Ａｌ組成に比例して増大する。このため、ｐ型のクラッド層に高い正孔濃度を実現することが困難となり、結果的にクラッド層における直列抵抗が増加し、窒化物半導体発光素子の動作電圧が増加する課題がある。

上記課題に対し、高い光閉じ込めを実現すると同時に、低い動作電圧を得ることができるとされるレーザダイオードが特許文献１に開示されている。以下、図１７を用いて、特許文献１に開示された従来のレーザダイオードの構造について説明する。

図１７に示すように、従来のレーザダイオード２１００は、サファイア基板等からなる基板２１０１上に、ｎ型コンタクト層２１１０、ｎ型下部クラッド層２１３０、ｎ型下部導波路層２１４０、多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）領域２１５０、ｐ型閉じ込め層２１６０、及び、ｐ型上部導波路層２１７０が形成される。

また、ＭＱＷ領域２１５０の活性領域２１５５の上方におけるｐ型上部導波路層２１７０上には、透明導電膜からなる上部クラッド層２１８０が形成される。さらに、一対の絶縁層部分２１８５が、上部クラッド層２１８０を挟んで向かい合うように形成される。

また、金属からなるｐ側電極２１９０が、上部クラッド層２１８０上及び絶縁層部分２１８５上に形成される。一方、金属からなるｎ側電極２１２０が、ｎ型コンタクト層２１１０の第１の露出領域上に形成される。

特開２００４−２８９１５７号公報

しかしながら、本願発明者らが上記構成のレーザダイオード２１００を作製して検討した結果、従来のレーザダイオード２１００の構造では、動作電圧を低くすることはできるが、使用範囲内での注入電流では誘導放出を起こさないために所望の光出力が得られないというということが分かった。

これは、上部クラッド層２１８０の透明導電膜の材料として現在最も特性が安定しているＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）を用いたとしても、バルク抵抗が十分に低くかつ発光光の光吸収が小さい高結晶性の透明導電膜を作製することが難しいからである。

このように、透明導電膜の結晶性を高くすることが難しいので、図１７に示す構造を有するレーザダイオード２１００を作製しても、ｐ型上部導波路層２１７０と透明導電膜からなる上部クラッド層２１８０との界面において光吸収による内部損失が発生し、発効効率が低下するという問題がある。

本発明は、このような点を鑑みてなされたものであり、高発光効率で低動作電圧の窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。

本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様は、光導波路を有する窒化物半導体発光素子であって、当該半導体発光素子は、第１クラッド層と、活性層と、第２クラッド層とを少なくともこの順に含み、前記第２クラッド層は、透明導電体によって構成された透明導電体層と、当該透明導電体層よりも前記活性層側に形成され、窒化物半導体によって構成された窒化物半導体層とを有するものである。

この構成にすることで、第２クラッド層のうちの活性層に近い窒化物半導体層によって光閉じ込めを行うことができる。これにより、透明導電体層が結晶性の低い透明導電性酸化膜によって構成される場合であっても、透明導電体層の単層で光閉じ込めを行うような構成の窒化物半導体発光素子と比較して、内部損失の増大を抑制することができる。その結果、発光効率が高い窒化物半導体発光素子を実現することが可能となる。

また、第２クラッド層のうちの透明導電体層は、縦方向の光閉じ込めに寄与する。これにより、活性層に近い側に形成される窒化物半導体層を薄膜化することができるので、当該窒化物半導体層の直列抵抗を低減させることができる。その結果、低い電圧で動作可能な窒化物半導体発光素子を実現することが可能となる。

さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記窒化物半導体層は、少なくともＡｌを含むことが好ましい。

さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記窒化物半導体層は、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０＜ｘ≦０．８２、０≦ｙ≦０．１８、０≦１−ｘ−ｙ＜１）からなることが好ましい。

さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記活性層と前記第２クラッド層との間に設けられたガイド層を備え、前記ガイド層と前記第２クラッド層との合計膜厚ｄは、０．１μｍ＜ｄ＜０．５μｍであることが好ましい。

さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記光導波路は、前記第２クラッド層から前記第１クラッド層の一部までを掘り込んで形成された垂直メサ構造であることが好ましい。

さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記透明導電体の材料は、錫が添加された酸化インジウム、アンチモンが添加された酸化錫、及び酸化亜鉛のうちのいずれか１つであることが好ましい。

さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記透明導電体層の膜厚は、１００ｎｍより大きいことが好ましい。

本発明に係る窒化物半導体発光素子によれば、高発光効率で低動作電圧の窒化物半導体発光素子を実現することができる。

図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の上面図である。 図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ’線における本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の断面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の製造方法を説明するための図である。 図３は、構造の異なる６種類の窒化物半導体発光素子における計算パラメータとその特性とを比較した図である。 図４Ａは、本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子において、第２上部クラッド層の設計例を説明するための構造を示す図である。 図４Ｂは、図４Ａの構造を用いたときにおけるＩＴＯの消衰係数（Ｋ）と導波損失（αｉ）との関係を示す図である。 図５Ａは、本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子において、上部ガイド層及び第１上部クラッド層の設計例を説明するための構造を示す図である。 図５Ｂは、図５Ａに示す窒化物半導体発光素子において第２ガイド層及び第１上部クラッド層の膜厚と導波損失との関係を示す図である。 図５Ｃは、図５Ａに示す窒化物半導体発光素子において第２ガイド層及び第１上部クラッド層の膜厚と光閉じ込め係数との関係を示す図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子における第２上部クラッド層の膜厚と導波損失との関係を示す図である。 図７Ａは、本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の上面図である。 図７Ｂは、図７ＡのＡ−Ａ’線における本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の断面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の製造方法を説明するための図である。 図９は、構造の異なる６種類の窒化物半導体発光素子における計算パラメータとその特性とを比較した図である。 図１０Ａは、第２上部クラッド層の設計例を説明するために用いた窒化物半導体発光素子の構造を示す図である。 図１０Ｂは、図１０Ａの構造を用いたときにおけるＩＴＯの消衰係数（Ｋ）と導波損失（αｉ）との関係を示す図である。 図１１Ａは、上部ガイド層及び第１上部クラッド層の設計例を説明するために用いた窒化物半導体発光素子の構造を示す図である。 図１１Ｂは、図１１Ａに示す窒化物半導体発光素子における第２ガイド層及び第１上部クラッド層の膜厚と導波損失との関係を示す図である。 図１１Ｃは、図１１Ａに示す窒化物半導体発光素子における第２ガイド層及び第１上部クラッド層の膜厚と光閉じ込め係数との関係を示す図である。 図１２Ａは、本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の上面図である。 図１２Ｂは、図１２ＡのＡ−Ａ’線における本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の断面図である。 図１３Ａは、本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体発光素子において、図９に示すパラメータを用いて作製した窒化物半導体発光素子（構造Ｇ）における電流−光出力特性及び電流−電圧特性を示す図である。 図１３Ｂは、本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体発光素子において、図９に示すパラメータを用いて作製した窒化物半導体発光素子（構造Ｊ）における電流−光出力特性及び電流−電圧特性を示す図である。 図１３Ｃは、本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体発光素子において、図９に示すパラメータを用いて作製した窒化物半導体発光素子（構造Ｋ）における電流−光出力特性及び電流−電圧特性を示す図である。 図１４は、本発明の第４の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の断面図である。 図１５は、本発明の第５の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の断面図である。 図１６は、本発明の第５の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の製造方法を説明するための図である。 図１７は、従来のレーザダイオードの構造を説明するための図である。

以下、本発明に係る窒化物半導体発光素子の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定されず、本発明は請求の範囲の記載に基づいて特定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、請求項に記載されていない構成要素は、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。

（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００は、窒化物半導体を用いたレーザダイオードであり、発光波長は３９０ｎｍ〜４２０ｎｍであって、好ましくは中心波長が４０５ｎｍである。

図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の上面図であり、図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ’線における同窒化物半導体発光素子の断面図である。

図１Ａ及び図１Ｂに示すように、本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００は、例えば（０００１）面のｎ型ＧａＮバルク基板である基板１０１上に、例えばｎ型のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層である下部クラッド層１０２（第１クラッド層）、例えばｎ型のＧａＮ層である下部ガイド層１０３（第１ガイド層）、例えばＩｎＧａＮ活性層である量子井戸構造の活性層１０４、例えばｐ型のＧａＮ層である上部ガイド層１０５（第２ガイド層）、例えば薄膜のｐ型のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層である電子障壁層１０６、及び、上部クラッド層１０７（第２クラッド層）が順次積層された層構造を有する。

上部クラッド層１０７は、複数層からなり、本実施形態では、第１上部クラッド層１０８と第２上部クラッド層１０９との２層構造である。

第１上部クラッド層１０８は、窒化物半導体によって構成されており、第２上部クラッド層１０９よりも活性層１０４に近い側に形成された窒化物半導体クラッド層（窒化物半導体層）である。第１上部クラッド層１０８は、例えばｐ型のＡｌ_ｘ＋ｙＩｎ_１−ｙＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦０．８２、０≦ｙ≦０．１８、０≦１−ｘ−ｙ＜１）によって構成することができる。

第２上部クラッド層１０９は、透明導電膜（透明導電体）によって構成されており、第１上部クラッド層１０８よりも活性層１０４から離れて形成された透明導電体クラッド層（透明導電体層）である。第２上部クラッド層１０９は、例えばＩＴＯによって構成することができる。

本実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００は、活性層１０４の下の層までをエッチングによって深く掘り込むことによって形成されたリッジ（凸部）を有するリッジ型の光導波路１２０を備える。本実施形態における光導波路１２０は、第２上部クラッド層１０９から下部クラッド層１０２の一部までを深堀りすることによって形成された垂直メサ構造の光導波路である。

下部クラッド層１０２の上面と光導波路１２０のリッジの側面とには、ＳｉＯ_２からなる絶縁膜１３０が形成されている。また、下部クラッド層１０２と光導波路１２０のリッジを覆うようにして、絶縁膜１３０上及び第２上部クラッド層１０９の上面（光導波路１２０の凸部のコンタクト面１２５）には、ｐ側電極１４０が形成されている。また、ｐ側電極１４０を覆うようにパッド電極１４１が形成されている。さらに、基板１０１の裏面、すなわち、下部クラッド層１０２が形成されている面とは反対側の面には、ｎ側電極１５０が形成されている。

このように、上部クラッド層１０７において、透明導電膜からなる第２上部クラッド層１０９の直下に、窒化物半導体からなる第１上部クラッド層１０８を設けることによって、第１上部クラッド層１０８とその直下のｐ型のＧａＮからなる上部ガイド層１０５との間に屈折率差が発生する。すなわち、活性層１０４に近い第１上部クラッド層１０８によって光閉じ込めを行うことができる。これにより、第２上部クラッド層１０９が結晶性の低い透明導電性酸化膜によって構成されて消衰係数が高い場合であっても、光吸収による内部損失（αｉ）の増大を抑制することができる。その結果、高発光効率の窒化物半導体発光素子を実現することが可能となる。

また、透明導電膜からなる第２上部クラッド層１０９は、光やキャリアを閉じ込めるクラッド層としても機能し、第２上部クラッド層１０９によって縦方向の光閉じ込めを行うことができる。これにより、ｐ型のＡｌ_ｘ＋ｙＩｎ_１−ｙＧａ_１−ｘＮからなる第１上部クラッド層１０８の膜厚を薄膜化することができるので、第１上部クラッド層１０８の直列抵抗を低減することができる。その結果、低電圧動作の窒化物半導体発光素子を実現することができる。

このように、本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００によれば、高発光効率及び低動作電圧の窒化物半導体発光素子を実現することが可能となる。

次に、本実施の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００の製造方法について、図２を用いて説明する。図２は、本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の製造方法を説明するための図である。

図２の（ａ）に示すように、まず、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）により、基板１０１上に、例えばＳｉをドープしたＡｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎを１．５μｍの膜厚で成膜し、下部クラッド層１０２を形成する。続いて、例えばＳｉをドープしたｎ型のＧａＮである下部ガイド層１０３、例えばＩｎ_０．６Ｇａ_０．９４Ｎ井戸層／Ｉｎ_０．０２Ｇａ_０．９８Ｎ障壁層が複数（例えば３層）成膜された活性層１０４、例えばＭｇをドープしたＧａＮである上部ガイド層１０５（膜厚１００ｎｍ）、及び、例えばＭｇをドープしたｐ型のＡｌ_０．２Ｇａ_０．８Ｎである電子障壁層１０６（膜厚１０ｎｍ）を順次成膜する。

その後、上部クラッド層１０７として、窒化物半導体層と透明導電体層との積層膜を成膜する。具体的には、電子障壁層１０６上に、例えばＭｇをドープしたｐ型のＡｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎを１５０ｎｍの膜厚で成膜することにより、窒化物半導体層である第１上部クラッド層１０８を形成する。その後、成長炉から取り出し、スパッタ装置又は電子ビーム蒸着装置などを用いて、例えばＩＴＯを２００ｎｍの膜厚で成膜することにより、透明導電体層である第２上部クラッド層１０９を形成する。

次に、第２上部クラッド層１０９の上に、プラズマＣＶＤ法を用いて厚さ８００ｎｍのＳｉＯ_２膜を形成する。その後、フォトリソグラフィー及びフッ酸を用いたエッチングにより、ＳｉＯ_２膜を選択的に除去して、後にリッジ型の光導波路１２０となる幅が例えば１．５μｍのＳｉＯ_２マスクを形成する。その後、Ｃｌ_２ガスを用いてドライエッチングを行い、ＳｉＯ_２マスクに覆われていない領域について下部クラッド層１０２（一部あるいは全部）までをエッチングをする。これにより、図２の（ｂ）に示すような幅が１．５μｍの凸型（リッジ）のパターンが形成される。

次に、基板１０１の上方の全面を覆うように、プラズマＣＶＤ法により、厚さ３００ｎｍのＳｉＯ_２膜を形成して絶縁膜１３０を形成する。その後、ＳｉＯ_２マスクを除去することにより、図２の（ｃ）に示すように、２層構造の上部クラッド層１０７を有するリッジ型の光導波路１２０を形成することができる。

次に、図２の（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー及びＥＢ蒸着法を用いて、光導波路１２０を覆うように、厚さが４５ｎｍのパラジウム（Ｐｄ）と厚さが５０ｎｍの白金（Ｐｔ）とからなるｐ側電極１４０を形成する。続いて、フォトリソグラフィー及びＥＢ蒸着法を用いて、厚さが５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）と厚さが１０００ｎｍの金（Ａｕ）を積層させた膜を形成した後、電解メッキ法によりＡｕの厚さを１０μｍまで増やし、パッド電極１４１を形成する。

その後、ダイヤモンドスラリーを用いて、基板１０１の厚さを１００μｍ程度まで研磨することにより薄片化した後、ＥＢ蒸着装置を用いて、基板１０１の裏面にｎ側電極１５０として厚さが５ｎｍのＴｉ、厚さが１０ｎｍのＰｔ及び厚さが１０００ｎｍのＡｕを形成する。その後、劈開を行うことによりチップ分離され、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００が製造される。

ここで、上部クラッド層１０７として、活性層１０４に近い側に形成される窒化物半導体からなる第１上部クラッド層１０８と、その上に形成される透明導電体からなる第２上部クラッド層１０９との２層構造とする理由について、図３を用いて説明する。

図３は、構造の異なる６種類（「構造Ａ」〜「構造Ｆ」）の窒化物半導体発光素子における計算パラメータとその特性とを比較した図である。なお、図３における各構造の窒化物半導体発光素子は、各構造の各層を図１Ｂに示す窒化物半導体発光素子の各層に対応させて条件を設定した。

「構造Ａ」は、上部クラッド層１０７として、Ａｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎのみを用いた構造であって、透明導電体層を用いない標準的な構造である。「構造Ｂ」は、第１上部クラッド層（窒化物半導体層）１０８がなく、ＩＴＯからなる第２上部クラッド層１０９のみを用いた構造である。「構造Ｃ」は、第１上部クラッド層１０８の材料としてＧａＮを用い、且つ、第２上部クラッド層１０９の材料としてＩＴＯを用いた構造である。「構造Ｄ」は、第１上部クラッド層１０８の材料としてＡｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎを用い、第２上部クラッド層１０９の材料としてＩＴＯを用いた構造である。「構造Ｅ」は、「構造Ａ」と同様に透明導電体層を用いない構造であるが、上部クラッド層１０７の膜厚が薄い構造であり、第１上部クラッド層１０８の材料としてＡｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎを用い、かつ第２上部クラッド層１０９を用いない構造である。「構造Ｆ」は、第１上部クラッド層１０８の材料としてＡｌ_０．２Ｉｎ_０．１Ｇａ_０．７Ｎを用い、第２上部クラッド層１０９の材料としてＩＴＯを用いた構造である。

なお、図３の６種類の構造のうち本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００は、構造Ｄ及び構造Ｆであり、構造Ｄでは、第１上部クラッド層１０８にＩｎ（インジウム）が含まれていない。

図３において、これらの６種類の構造の窒化物半導体発光素子に対して、電流−光出力特性を決定付ける光閉じ込め係数（Γ）と導波損失（αｉ）の値をまとめている。

図３に示す結果より、本実施形態に係る構造である構造Ｄ及び構造Ｆにおける窒化物半導体発光素子においては、標準的なレーザ構造である構造Ａの窒化物半導体発光素子よりも高い光閉じ込め係数を得ることができるとともに、当該構造Ａと同等レベルの導波損失を得ることができる。この結果、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００によれば、標準的な構造Ａの窒化物半導体発光素子と比べて、電流−光出力特性を低下させることなく電流−電圧特性を向上させることができる。

次に、上記の「構造Ａ」〜「構造Ｆ」（「構造Ｅ」を除く）に関し、第２上部クラッド層１０９の材料であるＩＴＯと窒化物半導体発光素子の特性との関係について、図４Ａ及び図４Ｂを用いて説明する。図４Ａは、第２上部クラッド層１０９の設計例を説明するために用いた窒化物半導体発光素子の構造を示す図である。図４Ｂは、図４Ａの構造を用いたときにおけるＩＴＯの消衰係数（Ｋ）と導波損失（αｉ）との関係を示す図であり、導波損失に対するＩＴＯの消衰係数（Ｋ）の依存性を示した図である。

図４Ｂに示すように、「構造Ｂ」又は「構造Ｃ」の窒化物半導体発光素子における導波損失を「構造Ａ」又は「構造Ｄ」や「構造Ｆ」の窒化物半導体発光素子における導波損失と同等レベルにするには、第２上部クラッド層１０９（ＩＴＯ）の消衰係数（Ｋ）を１０^−３程度にまですればよいが、これにはＩＴＯの結晶性を高くする必要がある。しかしながら、現状では、そのようなレベルの結晶性の高いＩＴＯを成膜することは非常に困難である。

これに対し、「構造Ｄ」又は「構造Ｆ」の窒化物半導体発光素子では、第２上部クラッド層１０９（ＩＴＯ）の消衰係数（Ｋ）の値が１０^−２と比較的に大きくても、「構造Ａ」と同等レベルの導波損失（αｉ）とすることができる。すなわち、第２上部クラッド層１０９が結晶性の低いＩＴＯであったとしても、「構造Ａ」の窒化物半導体発光素子と同等レベルの導波損失（αｉ）を実現することができる。これは、「構造Ｄ」又は「構造Ｆ」の窒化物半導体発光素子では、屈折率の低いＡｌＧａＮで構成された第１上部クラッド層１０８が光閉じ込めに寄与しており、第２上部クラッド層１０９への光の染み出しがほとんど無いためである。

このように、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００によれば、第２上部クラッド層１０９が結晶性の低いＩＴＯであっても、光吸収による導波損失（αｉ）の増大を抑制することができる。また、ＩＴＯからなる第２上部クラッド層１０９は、ｐ型のＡｌＧａＮからなる第１上部クラッド層１０８よりも屈折率が低いので、第２上部クラッド層１０９は光閉じ込め層としても機能する。これにより、第１上部クラッド層１０８の膜厚を薄膜化することが可能となり、直列抵抗を低くすることが可能となる。従って、高発光効率及び低動作電圧の窒化物半導体発光素子を実現することができる。

次に、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００における上部ガイド層１０５の好ましい膜厚について、図５Ａ、図５Ｂ及び図５Ｃを用いて説明する。

図５Ａは、上部ガイド層１０５及び第１上部クラッド層１０８の設計例を説明するために用いた窒化物半導体発光素子の構造を示す図である。図５Ｂは、図５Ａに示す窒化物半導体発光素子において、第２ガイド層及び第１上部クラッド層の膜厚と導波損失との関係を示す図である。図５Ｃは、図５Ａに示す窒化物半導体発光素子において、第２ガイド層及び第１上部クラッド層の膜厚と光閉じ込め係数との関係を示す図である。

上述の構造では、上部ガイド層１０５であるｐ型のＧａＮの膜厚を１００ｎｍとし、第１上部クラッド層１０８であるｐ型のＡｌＧａＮの膜厚を１５０ｎｍとし、第２上部クラッド層１０９の膜厚を２００ｎｍとした。

ここで、光閉じ込め係数（Γ）や導波損失（αｉ）は、上部ガイド層１０５であるｐ型のＧａＮの膜厚（Ｔ１）と、第１上部クラッド層１０８であるｐ型のＡｌＧａＮの膜厚（Ｔ２）とから決まる。

このため、上部ガイド層１０５であるｐ型のＧａＮの膜厚及び第１上部クラッド層１０８であるｐ型のｌＧａＮの膜厚次第では、上記の本実施形態に係る窒化物半導体発光素子の効果が十分に得られないことがある。

そこで、図５Ａの構造に示すように、ｐ型のＧａＮからなる上部ガイド層１０５の膜厚をＴ１とし、ｐ型のＡｌＧａＮからなる第１上部クラッド層１０８の膜厚をＴ２として、これらの膜厚の変化に対する光閉じ込め係数（Γ）及び導波損失（αｉ）を計算した。その計算結果を図５Ｂ及び図５Ｃに示す。

図５Ｂ及び図５Ｃに示すように、標準的な構造Ａ（光閉じ込め係数：３．４％、導波損失：３．５ｃｍ^−１）よりも高い光閉じ込め係数かつ低い導波損失の窒化物半導体発光素子を得るためには、上部ガイド層１０５の膜厚（Ｔ１）が１００ｎｍの場合においては、第１上部クラッド層１０８の膜厚（Ｔ２）は、１５０ｎｍ以上にすることが好ましい。

同様に、上部ガイド層１０５の膜厚（Ｔ１）が１５０ｎｍの場合には、第１上部クラッド層１０８の膜厚（Ｔ２）は、１００ｎｍ以上にすることが好ましい。

上部ガイド層１０５の膜厚（Ｔ１）及び第１上部クラッド層１０８の膜厚（Ｔ２）の組み合わせを図５Ｂ及び図５Ｃに示す範囲内とすることによって、ＩＴＯの消衰係数が大きい場合であっても導波損失（αｉ）の増大を抑制することができるとともに、所望の光閉じ込め係数を得ることができる。

なお、上部ガイド層１０５の膜厚（Ｔ１）を、１００ｎｍ未満又は１５０ｎｍよりも大きくすると、標準的な構造Ａよりも導波損失（αｉ）が増大し、また、光閉じ込め係数の低下が起こるので閾値電流特性が増大する。

次に、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００における第２上部クラッド層１０９の好ましい膜厚について、図６を用いて説明する。図６は、本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子において、第２上部クラッド層の膜厚と導波損失との関係を示す図である。

上述の構造では、第２上部クラッド層１０９（ＩＴＯ）の膜厚は２００ｎｍとしたが、本実施形態の構造である構造Ｄ又は構造Ｆにおいて、標準的な構造Ａ（導波損失：３．５ｃｍ^−１）と同等の導波損失とするためには、図６に示すように、少なくとも第２上部クラッド層１０９の膜厚は１００ｎｍ以上することが好ましい。これにより、第２上部クラッド層１０９のコンタクト面上の電極による光吸収を十分小さくすることができる。

以上の膜厚の計算結果から、上部ガイド層１０５と上部クラッド層１０７（第１上部クラッド層１０８及び第２上部クラッド層１０９）との合計膜厚ｄは、０．１μｍ＜ｄ＜０．５μｍとすることが好ましい。

以上、本実施形態では、第１上部クラッド層１０８としてｐ型のＡｌＧａＮを用いた場合を中心に説明した。この場合、第１上部クラッド層１０８は、少なくともＡｌを含む窒化物半導体層であれば、本発明の効果を得ることができる。第１上部クラッド層１０８の最も好ましいＡｌ組成は、Ａｌ組成ｘが０＜ｘ≦０．１の場合である。Ａｌ組成ｘが０．１より高くなると、第１上部クラッド層１０８の直列抵抗が高くなって閾値電流特性が劣化したり、また、ＧａＮとの格子定数差が大きくなりクラックが発生して歩留まりに悪影響を及ぼしたりするからである。

また、第１上部クラッド層１０８の材料としては、ＡｌＧａＮに限らず、ＡｌＧａＮのＡｌ組成ｘが０＜ｘ≦０．１の場合の屈折率よりも低くなるｐ型ＡｌＩｎＮ又は４元混晶のｐ型のＡｌＩｎＧａＮを用いても同様の効果を得ることができる。

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体発光素子２００について、図面を参照しながら説明する。

上述の第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００では、下部ガイド層１０３及び上部ガイド層１０５の材料としてＧａＮを用いたが、第２の実施形態では、下部ガイド層２０３及び上部ガイド層２０５の材料としてＩｎＧａＮを用いた。これにより、第２の実施形態に係る窒化物半導体発光素子２００は、第１の実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００に対して、ＩＴＯの消衰係数に対する許容上限値を更に高くすることができるとともに、光閉じ込め係数を増大させることができる。従って、より高効率の窒化物半導体発光素子を実現させることが可能となる。

なお、第２の実施形態に係る窒化物半導体発光素子としては、窒化物半導体を用いたスーパールミネッセントダイオードを例にとって説明する。本実施形態に係る窒化物半導体発光素子の発光波長は、例えば４２０ｎｍ〜４９０ｎｍであり、好ましくは、中心波長が４５０ｎｍである。

図７Ａは、本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の上面図であり、図７Ｂは、図７ＡのＡ−Ａ’線における同窒化物半導体発光素子の断面図である。

図７Ａ及び図７Ｂに示すように、本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体発光素子２００は、例えば（０００１）面のｎ型ＧａＮバルク基板である基板２０１上に、例えばｎ型のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層である下部クラッド層２０２（第１クラッド層）、例えばｎ型のＩｎ_０．０２Ｇａ_０．９８Ｎ層である下部ガイド層２０３（第１ガイド層）、例えばＩｎ_０．１５Ｇａ_０．８５Ｎ／ＧａＮ活性層である量子井戸構造の活性層２０４、例えばｐ型のＩｎ_０．０２Ｇａ_０．９８Ｎ層である上部ガイド層２０５（第２ガイド層）、例えば薄膜のｐ型のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層である電子障壁層２０６、及び、上部クラッド層２０７（第２クラッド層）が順次積層された層構造を有する。

上部クラッド層２０７は、複数層からなり、本実施形態では、第１上部クラッド層２０８と第２上部クラッド層２０９との２層構造である。

第１上部クラッド層２０８は、窒化物半導体によって構成されており、第２上部クラッド層２０９よりも活性層２０４に近い側に形成された窒化物半導体クラッド層（窒化物半導体層）である。第１上部クラッド層２０８は、例えばｐ型のＡｌ_ｘ＋ｙＩｎ_１−ｙＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦０．８２、０≦ｙ≦０．１８、０≦１−ｘ−ｙ＜１）によって構成することができる。

第２上部クラッド層２０９は、透明導電膜（透明導電体）によって構成されており、第１上部クラッド層２０８よりも活性層２０４から離れて形成された透明導電体クラッド層（透明導電体層）である。第２上部クラッド層２０９は、例えばＩＴＯによって構成することができる。

本実施形態に係る窒化物半導体発光素子２００は、活性層２０４の下の層までを深く掘り込むことによって形成されたリッジ（凸部）を有するリッジ型の光導波路２２０を備える。但し、本実施形態における光導波路２２０は、第１の実施形態における光導波路１２０と異なり、第１上部クラッド層２０８から下部クラッド層２０２の一部までを深堀りすることによって形成された垂直なメサ構造の光導波路である。すなわち、本実施形態では、第２上部クラッド層２０９は、リッジを覆う構成となっている。

下部クラッド層２０２の上面と光導波路２２０のリッジの側面とには、ＳｉＯ_２からなる絶縁膜２３０が形成されている。また、下部クラッド層２０２と光導波路２２０のリッジを覆うようにして、絶縁膜２３０上及び第１上部クラッド層２０８の上面には、第２上部クラッド層２０９が形成されている。また、第２上部クラッド層２０９を覆うように、第２上部クラッド層の凸部のコンタクト面２２５にはｐ側電極２４０が形成されている。また、ｐ側電極２４０を覆うようにパッド電極２４１が形成されている。さらに、基板２０１の裏面上にはｎ側電極２５０が形成されている。

そして、本実施形態では、図７Ａに示すように、光導波路２２０は出射端近傍にて曲率半径３０００μｍ以上で曲がっており、光導波路２２０は光出射端面に対して傾斜している。本実施形態において、光出射端面と光導波路２２０とのなす角度は、例えば１０度としている。

このように、本実施形態においても、上部クラッド層２０７において、透明導電膜からなる第２上部クラッド層２０９の直下に窒化物半導体からなる第１上部クラッド層２０８が設けられているので、第１上部クラッド層２０８とその直下のｐ型のＩｎＧａＮからなる上部ガイド層２０５との間に屈折率差が発生する。すなわち、活性層２０４に近い第１上部クラッド層２０８によって光閉じ込めを行うことができる。これにより、第２上部クラッド層２０９が結晶性の低い透明導電性酸化膜によって構成され、消衰係数が高い場合であっても、光吸収による内部損失（αｉ）の増大を抑制することができる。その結果、高発光効率の窒化物半導体発光素子を実現することが可能となる。

また、透明導電膜からなる第２上部クラッド層２０９は、光やキャリアを閉じ込めるクラッド層としても機能し、第２上部クラッド層２０９によって縦方向の光閉じ込めを行うことができる。これにより、ｐ型のＡｌ_ｘ＋ｙＩｎ_１−ｙＧａ_１−ｘＮからなる第１上部クラッド層２０８の膜厚を薄膜化することができるので、第１上部クラッド層２０８の直列抵抗を低減することができる。その結果、低電圧動作の窒化物半導体発光素子を実現することができる。

このように、本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体発光素子２００によれば、高発光効率及び低動作電圧の窒化物半導体発光素子を実現することが可能となる。

次に、本実施の第２の実施形態に係る窒化物半導体発光素子２００の製造方法について、図８を用いて説明する。図８は、本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の製造方法を説明するための図である。

まず、ＭＯＣＶＤ法により、基板２０１上に、例えばＳｉをドープしたＡｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎを１．５μｍの膜厚で成膜し、下部クラッド層２０２を形成する。続いて、例えばＳｉをドープしたＩｎ_０．０２Ｇａ_０．９８Ｎである下部ガイド層２０３、例えばＩｎ_０．１５Ｇａ_０．８５Ｎ井戸層／ＧａＮ障壁層が複数（例えば３層）成膜された活性層２０４、例えばＭｇをドープしたＩｎ_０．０２Ｇａ_０．９８Ｎである上部ガイド層２０５（膜厚１００ｎｍ）、及び、例えばＭｇをドープしたｐ型のＡｌ_０．２Ｇａ_０．８Ｎである電子障壁層２０６（膜厚１０ｎｍ）を順次成膜する。

その後、上部クラッド層２０７を構成する１つの層として、まず、例えばＭｇをドープしたｐ型のＡｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎを１５０ｎｍの膜厚で成膜することにより、窒化物半導体層である第１上部クラッド層１０８を形成する。

次に、第１上部クラッド層２０８の上に、プラズマＣＶＤ法を用いて厚さ８００ｎｍのＳｉＯ_２膜を形成する。その後、フォトリソグラフィー及びフッ酸を用いたエッチングにより、ＳｉＯ_２膜を選択的に除去して、後にリッジ型の光導波路２２０となる幅が例えば１．５μｍのＳｉＯ_２マスクを形成する。その後、Ｃｌ_２ガスを用いてドライエッチングを行い、ＳｉＯ_２マスクに覆われていない領域について下部クラッド層１０２（一部あるいは全部）までをエッチングをする。これにより、図８の（ａ）に示すような幅が１．５μｍの凸型（リッジ）のパターンが形成される。

次に、基板１０１の上方の全面を覆うように、プラズマＣＶＤ法により、厚さ３００ｎｍのＳｉＯ_２膜を形成して絶縁膜２３０を形成する。その後、ＳｉＯ_２マスクを除去することにより、図８の（ｂ）に示すように、リッジ型の光導波路２２０を形成することができる。

その後、スパッタ装置又は電子ビーム蒸着装置などを用いて、例えばＩＴＯを２００ｎｍの膜厚で成膜してパターニングすることによって、所定形状の第２上部クラッド層２０９を形成することができる。これにより、図８の（ｃ）に示すように、２層構造の上部クラッド層２０７を形成することができる。

次に、図８の（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー及びＥＢ蒸着法を用いて、光導波路２２０を覆うように、厚さが４５ｎｍのパラジウム（Ｐｄ）と厚さが５０ｎｍの白金（Ｐｔ）とからなるｐ側電極２４０を形成する。続いて、フォトリソグラフィー及びＥＢ蒸着法を用いて、厚さが５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）と厚さが１０００ｎｍの金（Ａｕ）を積層させた膜を形成した後、電解メッキ法によりＡｕの厚さを１０μｍまで増やし、パッド電極２４１を形成する。

その後、ダイヤモンドスラリーを用いて、基板２０１の厚さを１００μｍ程度まで研磨することにより薄片化した後、ＥＢ蒸着装置を用いて、基板２０１の裏面にｎ側電極２５０として厚さが５ｎｍのＴｉ、厚さが１０ｎｍのＰｔ及び、厚さが１０００ｎｍのＡｕを形成する。その後、劈開を行うことによりチップ分離され、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子２００が製造される。

ここで、上部クラッド層２０７として、活性層２０４に近い側に形成された窒化物半導体からなる第１上部クラッド層２０８と、その上に形成された透明導電体からなる第２上部クラッド層２０９との２層構造とする理由について、図９を用いて説明する。

図９は、構造の異なる６種類（「構造Ｇ」〜「構造Ｌ」）の窒化物半導体発光素子における計算パラメータとその特性とを比較した図である。なお、図９における各構造の窒化物半導体発光素子は、各構造の各層を図７Ｂに示す窒化物半導体発光素子の各層に対応させて条件を設定した。

図９において、「構造Ｇ」は、上部クラッド層２０７として、Ａｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎのみを用いた構造であって、透明導電体層を用いない標準的な構造である。「構造Ｈ」は、第１上部クラッド層（窒化物半導体層）２０８がなく、ＩＴＯからなる第２上部クラッド層２０９のみを用いた構造である。「構造Ｉ」は、第１上部クラッド層２０８の材料としてＧａＮを用い、且つ、第２上部クラッド層２０９の材料としてＩＴＯを用いた構造である。「構造Ｊ」は、第１上部クラッド層２０８の材料としてＡｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎを用い、第２上部クラッド層２０９の材料としてＩＴＯを用いた構造である。「構造Ｋ」は、「構造Ｇ」と同様に透明導電体層を用いない構造であるが、上部クラッド層２０７の膜厚が薄い構造であり、第１上部クラッド層２０８の材料として膜厚が１５０ｎｍのＡｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎを用い、かつ第２上部クラッド層２０９を用いない構造である。「構造Ｌ」は、第１上部クラッド層２０８の材料としてＡｌ_０．２Ｉｎ_０．１Ｇａ_０．７Ｎを用い、第２上部クラッド層２０９の材料としてＩＴＯを用いた構造である。

なお、図９の６種類の構造のうち本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体発光素子２００は、構造Ｊ及び構造Ｌであり、構造Ｊでは、第１上部クラッド層２０８にＩｎ（インジウム）が含まれていない。

図９において、これらの６種類の構造の窒化物半導体発光素子に対して、電流−光出力特性を決定付ける光閉じ込め係数（Γ）と導波損失（αｉ）の値をまとめている。

図９に示す結果より、本実施形態に係る構造である構造Ｊ及び構造Ｌにおける窒化物半導体発光素子においては、標準的なレーザ構造である構造Ｇの窒化物半導体発光素子よりも高い光閉じ込め係数を得ることができるとともに、当該構造Ｇと同等レベルの導波損失を得ることができる。この結果、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子２００によれば、標準的な構造Ｇの窒化物半導体発光素子と同等の電流−光出力特性を得るとことができるとともに、電流−電圧特性を改善することができる。

次に、上記の「構造Ｇ」〜「構造Ｌ」（「構造Ｋ」を除く）に関し、第２上部クラッド層２０９の材料であるＩＴＯと窒化物半導体発光素子の特性との関係について、図１０Ａ及び図１０Ｂを用いて説明する。図１０Ａは、第２上部クラッド層２０９の設計例を説明するために用いた窒化物半導体発光素子の構造を示す図である。図１０Ｂは、図１０Ａの構造を用いたときにおけるＩＴＯの消衰係数（Ｋ）と導波損失（αｉ）との関係を示す図であり、導波損失に対するＩＴＯの消衰係数（Ｋ）の依存性を示した図である。

図１０Ｂに示すように、「構造Ｈ」又は「構造Ｉ」の窒化物半導体発光素子における導波損失を「構造Ｇ」又は「構造Ｊ」や「構造Ｌ」の窒化物半導体発光素子における導波損失と同等レベルにするには、第２上部クラッド層２０９（ＩＴＯ）の消衰係数（Ｋ）を１０^−３程度にまですればよいが、これにはＩＴＯの結晶性を高くする必要がある。しかしながら、現状では、そのようなレベルの結晶性の高いＩＴＯを成膜することは非常に困難である。

これに対し、「構造Ｊ」又は「構造Ｌ」の窒化物半導体発光素子では、第２上部クラッド層２０９（ＩＴＯ）の消衰係数（Ｋ）の値が１０^−２と比較的に大きくても、「構造Ｇ」と同等レベルの導波損失（αｉ）とすることができる。すなわち、第２上部クラッド層２０９が結晶性の低いＩＴＯであったとしても、「構造Ｇ」の窒化物半導体発光素子と同等レベルの導波損失（αｉ）を実現することができる。これは、「構造Ｊ」又は「構造Ｌ」の窒化物半導体発光素子では、屈折率の低いＡｌＧａＮで構成された第１上部クラッド層２０８が光閉じ込めに寄与しており、第２上部クラッド層２０９への光の染み出しがほとんど無いためである。

このように、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子２００によれば、第２上部クラッド層２０９が結晶性の低いＩＴＯであっても、光吸収による導波損失（αｉ）の増大を抑制することができる。また、ＩＴＯからなる第２上部クラッド層２０９は、ｐ型のＡｌＧａＮからなる第１上部クラッド層２０８よりも屈折率が低いので、第２上部クラッド層２０９は光閉じ込め層としても機能する。これにより、第１上部クラッド層２０８の膜厚を薄膜化することが可能となる。従って、高発光効率及び低動作電圧の窒化物半導体発光素子を実現することができる。

次に、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子２００における上部ガイド層２０５の好ましい膜厚について、図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１１Ｃを用いて説明する。

図１１Ａは、上部ガイド層２０５及び第１上部クラッド層２０８の設計例を説明するために用いた窒化物半導体発光素子の構造を示す図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示す窒化物半導体発光素子において、第２ガイド層及び第１上部クラッド層の膜厚と導波損失との関係を示す図である。図１１Ｃは、図１１Ａに示す窒化物半導体発光素子において、第２ガイド層及び第１上部クラッド層の膜厚と光閉じ込め係数との関係を示す図である。

上述の構造では、上部ガイド層２０５であるｐ型のＩｎＧａＮの膜厚を１００ｎｍとし、第１上部クラッド層２０８であるｐ型のＡｌＧａＮの膜厚を１５０ｎｍとし、第２上部クラッド層２０９の膜厚を２００ｎｍとした。

ここで、光閉じ込め係数（Γ）や導波損失（αｉ）は、上部ガイド層２０５であるｐ型のＩｎＧａＮの膜厚（Ｔ１）と第１上部クラッド層２０８であるｐ型のＡｌＧａＮの膜厚（Ｔ２）とから決まる。

このため、上部ガイド層２０５であるｐ型のＩｎＧａＮの膜厚及び第１上部クラッド層２０８であるｐ型のＡｌＧａＮの膜厚次第では、上記の本実施形態に係る窒化物半導体発光素子の効果が十分に得られないことがある。

そこで、図１１Ａの構造に示すように、ｐ型のＩｎＧａＮからなる上部ガイド層２０５の膜厚をＴ１とし、ｐ型のＡｌＧａＮからなる第１上部クラッド層２０８の膜厚をＴ２として、これらの膜厚の変化に対する光閉じ込め係数（Γ）及び導波損失（αｉ）を計算した。その結果を図１１Ｂ及び図１１Ｃに示す。

図１１Ｂ及び図１１Ｃに示すように、標準的な構造Ｇ（光閉じ込め係数：２．４６％、導波損失：３．５ｃｍ^−１）よりも高い光閉じ込め係数かつ低い導波損失の窒化物半導体発光素子を得るためには、第２上部クラッド層２０９の膜厚（Ｔ２）が５０ｎｍの場合、第２ガイド層の膜厚（Ｔ１）は、２００ｎｍにすることが好ましい。また、第２上部クラッド層２０９の膜厚（Ｔ２）が１００ｎｍの場合、第２ガイド層の膜厚（Ｔ１）は、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下にすることが好ましい。また、第２上部クラッド層２０９の膜厚（Ｔ２）が１５０ｎｍの場合、第２ガイド層の膜厚（Ｔ１）は、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下にすることが好ましい。また、第２上部クラッド層２０９の膜厚（Ｔ２）が２００ｎｍの場合、第２ガイド層の膜厚（Ｔ１）は、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下にすることが好ましい。また、第２上部クラッド層２０９の膜厚（Ｔ２）が３００ｎｍの場合、第２ガイド層の膜厚（Ｔ１）は、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下にすることが好ましい。

上部ガイド層２０５の膜厚（Ｔ１）及び第１上部クラッド層２０８の膜厚（Ｔ２）の組み合わせを図１１Ｂ及び図１１Ｃに示す範囲内にすることによって、ＩＴＯの消衰係数が大きい場合であっても導波損失（αｉ）の増大を抑制することができるとともに、所望の光閉じ込め係数を得ることができる。

なお、上部ガイド層２０５の膜厚（Ｔ１）及び第１上部クラッド層２０８の膜厚（Ｔ２）が上記の範囲外の場合、標準的な構造Ｇよりも導波損失（αｉ）が増大し、また、光閉じ込め係数の低下が起こるので電流−光出力特性が悪くなる。

以上、本実施形態では、第１上部クラッド層２０８としてｐ型のＡｌＧａＮを用いた場合を中心に説明した。この場合、第１上部クラッド層２０８は、少なくともＡｌを含む窒化物半導体層であれば、本発明の効果を得ることができる。第１上部クラッド層２０８の最も好ましいＡｌ組成は、Ａｌ組成ｘが０＜ｘ≦０．１の場合である。Ａｌ組成ｘが０．１より高くなると、第１上部クラッド層２０８の直列抵抗が高くなって閾値電流特性が劣化したり、また、ＧａＮとの格子定数差が大きくなりクラックが発生して歩留まりに悪影響を及ぼしたりするからである。

また、第１上部クラッド層２０８の材料としては、ＡｌＧａＮに限らず、ＡｌＧａＮのＡｌ組成ｘが０＜ｘ≦０．１の場合の屈折率と同等かそれよりも低くなるＡｌＩｎＮ又は４元混晶のＡｌＩｎＧａＮを用いても同様の効果を得ることができる。

また、本実施形態（構造Ｊ）の第２上部クラッド層２０９の膜厚は２００ｎｍとしたが、少なくとも１００ｎｍより厚くすることが好ましい。第２上部クラッド層２０９を厚膜化することにより、第２上部クラッド層２０９の上に形成する電極による光吸収を小さくすることができる。

（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体発光素子３００について、図面を参照しながら説明する。

本実施形態に係る窒化物半導体発光素子３００は、第１及び第２の実施形態に係る窒化物半導体発光素子１００、２００と基本構成は同じである。従って、本実施形態では、第１及び第２の実施形態と異なる点を中心に説明する。

なお、第３の実施形態に係る窒化物半導体発光素子としては、窒化物半導体を用いたレーザダイオードを例にとって説明する。

図１２Ａは、本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の上面図であり、図１２Ｂは、図１２ＡのＡ−Ａ’線における同窒化物半導体発光素子の断面図である。

図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体発光素子３００は、例えば（０００１）面のｎ型ＧａＮバルク基板である基板３０１上に、例えばｎ型のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層である下部クラッド層３０２（第１クラッド層）、例えばｎ型のＩｎ_０．０２Ｇａ_０．９８Ｎ層である下部ガイド層３０３（第１ガイド層）、例えばＩｎ_０．１５Ｇａ_０．８５Ｎ／ＧａＮ活性層である量子井戸構造の活性層３０４、例えばｐ型のＩｎ_０．０２Ｇａ_０．９８Ｎ層である上部ガイド層３０５（第２ガイド層）、例えば薄膜のｐ型のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層である電子障壁層３０６、及び、上部クラッド層３０７（第２クラッド層）が順次積層された層構造を有する。

上部クラッド層３０７は、複数層からなり、本実施形態では、第１上部クラッド層３０８と第２上部クラッド層３０９との２層構造である。

第１上部クラッド層３０８は、窒化物半導体によって構成されており、第２上部クラッド層３０９よりも活性層３０４に近い側に形成された窒化物半導体クラッド層（窒化物半導体層）である。第１上部クラッド層３０８は、例えばｐ型のＡｌ_ｘ＋ｙＩｎ_１−ｙＧａ_１−ｘＮによって構成することができる。

第２上部クラッド層３０９は、透明導電膜（透明導電体）によって構成されており、第１上部クラッド層３０８よりも活性層３０４から離れて形成された透明導電体クラッド層（透明導電体層）である。第２上部クラッド層３０９は、例えばＩＴＯによって構成することができる。

本実施形態に係る窒化物半導体発光素子３００は、第１上部クラッド層３０８の一部又は全てを垂直なメサ構造にした、リッジを有するリッジ型の光導波路３２０を備える。光導波路３２０の最上部以外の第１上部クラッド層３０８の表面、すなわち、第１上部クラッド層３０８のリッジ側面及び平坦部の表面は、例えばＳｉＯ_２からなる絶縁膜３３０によって覆われている。

また、光導波路３２０の最上部の第１上部クラッド層３０８の表面と接合するように、第２上部クラッド層３０９が形成される。さらに、第２上部クラッド層３０９は、光導波路３２０の凸部（リッジ）上面よりも横方向に大きく広がるように形成されており、光導波路３２０の凸部と絶縁膜３３０の表面の一部を覆うように形成される。

また、第２上部クラッド層３０９の上部には、コンタクト面３２５を介してｐ側電極３４０が形成される。さらに、ｐ側電極を覆うようにパッド電極３４１が形成されている。さらに、基板３０１の裏面上にはｎ側電極３５０が形成されている。

このように、本実施形態においても、上部クラッド層３０７において、透明導電膜からなる第２上部クラッド層３０９の直下に窒化物半導体からなる第１上部クラッド層３０８が設けられているので、第１上部クラッド層３０８とその直下のｐ型のＩｎＧａＮからなる上部ガイド層３０５との間に屈折率差が発生する。すなわち、活性層３０４に近い第１上部クラッド層３０８によって光閉じ込めを行うことができる。これにより、第２上部クラッド層３０９が結晶性の低い透明導電性酸化膜によって構成され、消衰係数が高い場合であっても、光吸収による内部損失（αｉ）の増大を抑制することができる。その結果、高発光効率の窒化物半導体発光素子を実現することが可能となる。

また、透明導電膜からなる第２上部クラッド層３０９は、光やキャリアを閉じ込めるクラッド層としても機能し、第２上部クラッド層３０９によって縦方向の光閉じ込めを行うことができる。これにより、ｐ型のＡｌ_ｘ＋ｙＩｎ_１−ｙＧａ_１−ｘＮからなる第１上部クラッド層３０８の膜厚を薄膜化することができるので、第１上部クラッド層３０８の直列抵抗を低減することができる。しかも、本実施形態では、第２上部クラッド層３０９は、光導波路３２０の凸部よりも横方向に大きく形成されており、ｐ側電極３４０とのコンタクト面３２５を大きく設定することができる。これにより、コンタクト面３２５におけるコンタクト抵抗を低減することができる。その結果、より低い電圧で動作可能な窒化物半導体発光素子を実現することができる。

以上、本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体発光素子３００によれば、高発光効率で、より低動作電圧である窒化物半導体発光素子を実現することが可能となる。

次に、本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体発光素子３００の作用効果について図１３Ａ〜図１３Ｃを用いて説明する。図１３Ａ〜図１３Ｃは、本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体発光素子において、図９に示すパラメータを用いて作製した窒化物半導体発光素子（構造Ｇ、構造Ｊ、構造Ｋ）における電流−光出力特性及び電流−電圧特性を示す図である。

具体的に、図１３Ａは、Ａｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎのみを用い、第２上部クラッド層（ＩＴＯ）を用いない標準的な構造Ｇのパラメータを用いて試作した窒化物半導体発光素子の特性を示している。図１３Ｂは、上部クラッド層として第１上部クラッド層（窒化物半導体）と第２上部クラッド層（ＩＴＯ）とを用いた構造Ｊのパラメータを用いて試作した窒化物半導体発光素子の特性を示している。図１３Ｃは、第１上部クラッド層として膜厚１５０ｎｍのＡｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎを用い、第２上部クラッド層（ＩＴＯ）を用いない構造Ｋのパラメータを用いて試作した窒化物半導体発光素子の特性を示している。

図１３Ａ〜図１３Ｃを比較すると、図１３Ｂに示される本実施形態の構造に相当する窒化物半導体発光素子は、図１３Ａに示される標準的な窒化物半導体発光素子に対して、電流−光出力特性は同等であるが、動作電圧については大幅に低減できていることがわかる。

一方、図１３Ｃに示される本実施形態の構造ではない、膜厚１５０ｎｍのＡｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎのみのクラッド層構造である窒化物半導体発光素子は、図１３Ａに示される標準的な窒化物半導体発光素子に対して、動作電圧は低減されるものの、ｐ側電極への光吸収が大きくなり所望の光出力が得られないことがわかる。

以上の結果から、本実施形態に係る構造の窒化物半導体発光素子３００によれば、電流−光出力特性を劣化させることなく、動作電圧を低減することができる。

（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態に係る窒化物半導体発光素子４００について、図１４を用いて説明する。図１４は、本発明の第４の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の断面図である。

本実施形態に係る窒化物半導体発光素子４００は、第３の実施形態に係る窒化物半導体発光素子３００と基本構成は同じである。従って、本実施形態では、第３の実施形態と異なる点を中心に説明する。

図１４に示すように、本発明の第４の実施形態に係る窒化物半導体発光素子４００は、例えば（０００１）面のｎ型ＧａＮバルク基板である基板４０１上に、例えばｎ型のＡｌ_ｘＧａ_1-ｘＮ（０≦ｘ≦１）層である下部クラッド層４０２（第１クラッド層）、例えばｎ型のＧａＮ層である下部ガイド層４０３（第１ガイド層）、例えばＩｎＧａＮ活性層である量子井戸構造の活性層４０４、例えばｐ型のＧａＮ層である上部ガイド層４０５（第２ガイド層）、例えば薄膜のｐ型のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層である電子障壁層４０６、及び、上部クラッド層４０７（第２クラッド層）が順次積層された層構造を有する。

上部クラッド層４０７は、複数層からなり、本実施形態では、第１上部クラッド層４０８と、第２上部クラッド層４０９と、第１上部クラッド層４０８と第２上部クラッド層４０９との間に形成された第３上部クラッド層４０８ａの３層構造である。

第１上部クラッド層４０８は、窒化物半導体によって構成されており、第２上部クラッド層４０９及び第３上部クラッド層４０８ａよりも活性層４０４に近い側に形成された窒化物半導体クラッド層（窒化物半導体層）である。第１上部クラッド層４０８は、例えばｐ型のＡｌ_ｘ＋ｙＩｎ_１−ｙＧａ_１−ｘＮによって構成することができる。

第２上部クラッド層４０９は、透明導電膜（透明導電体）によって構成されており、第１上部クラッド層４０８及び第３上部クラッド層４０８ａよりも活性層４０４から離れて形成された透明導電体クラッド層（透明導電体層）である。第２上部クラッド層４０９は、例えばＩＴＯによって構成することができる。

第３上部クラッド層４０８ａは、窒化物半導体によって構成されており、第１上部クラッド層４０８上に形成されたｎ型コンタクト層である。第３上部クラッド層４０８ａは、トンネル電極として形成され、例えば高濃度にＳｉがドープされたｎ型のＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子層によって構成することができる。

本実施形態に係る窒化物半導体発光素子４００は、第１上部クラッド層４０８及び第３上部クラッド層４０８ａの一部をメサ構造にした、リッジを有するリッジ型の光導波路４２０を備える。光導波路４２０のリッジ以外の領域、すなわち、第１上部クラッド層４０８のリッジ側面及び平坦部の表面と第３上部クラッド層４０８ａの側面は、例えばＳｉＯ_２からなる絶縁膜４３０によって覆われている。

また、光導波路４２０の最上部の第３上部クラッド層４０８ａの表面と接合するように、第２上部クラッド層４０９が形成される。さらに、第２上部クラッド層４０９は、光導波路４２０の凸部（リッジ）上面よりも横方向に大きく広がるように形成されており、光導波路４２０の凸部と絶縁膜４３０の表面の一部を覆うように形成される。

また、第２上部クラッド層４０９のコンタクト面４２５上にはｐ側電極４４０が形成されており、そのｐ側電極４４０の上部にはパッド電極４４１が形成されている。さらに、基板４０１の裏面上にはｎ側電極４５０が形成されている。

このように、本実施形態においても、第３の実施形態と同様に、透明導電膜からなる第２上部クラッド層４０９の下方に窒化物半導体からなる第１上部クラッド層４０８が設けられているので、光吸収による内部損失（αｉ）の増大を抑制することができるとともに、第１上部クラッド層４０８の直列抵抗を低減することができる。しかも、第２上部クラッド層４０９は、光導波路４２０の凸部よりも横方向に大きく形成されて、ｐ側電極４４０とのコンタクト面４２５を大きく設定することができるので、コンタクト面４２５におけるコンタクト抵抗を低減することができる。

さらに、本実施形態では、第１上部クラッド層４０８と第２上部クラッド層４０９との間に第３上部クラッド層４０８ａが形成されている。これにより、第１上部クラッド層４０８と第２上部クラッド層４０９との間において、トンネル電流によってキャリアを移動させることができる。この結果、第２上部クラッド層４０９と第１上部クラッド層４０８との間のコンタクト抵抗をさらに低減させることができる。

以上、本発明の第４の実施形態に係る窒化物半導体発光素子４００によれば、窒化物半導体発光素子の動作電圧をより低減させることが可能となるので、高発光効率で、さらに低動作電圧を可能とした窒化物半導体発光素子を実現することができる。

なお、本実施形態において、第３上部クラッド層４０８ａとして、高濃度ＳｉドープのＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子層を用いたが、これに限らない。第３上部クラッド層４０８ａとしては、例えば高濃度ＳｉドープのＧａＮ又はＩｎＧａＮの単層のｎ型コンタクト層を用いてもかまわない。

（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態に係る窒化物半導体発光素子５００について、図１５を用いて説明する。

図１５に示すように、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子５００は、窒化物半導体を用いた埋め込み型（ＲＩＳＡ型）の半導体レーザであって、例えば（０００１）面のｎ型ＧａＮバルク基板である基板５０１上に、例えばｎ型のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層である下部クラッド層５０２（第１クラッド層）、例えばｎ型のＩｎＧａＮ層である下部ガイド層５０３（第１ガイド層）、例えばＩｎＧａＮ活性層である量子井戸構造の活性層５０４、例えばｐ型のＩｎＧａＮ層である第１上部ガイド層５０５ａ（第１の第２ガイド層）、例えば薄膜のｐ型のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層である電子障壁層５０６、例えばｐ型のＧａＮ層である第２上部ガイド層５０５ｂ（第２の第２ガイド層）、第２上部ガイド層５０５ｂ上部に開口部を有する例えばｎ型のＡｌＧａＮである電流ブロック層５３０、及び、開口部を埋めるように電流ブロック層５３０上に形成された上部クラッド層５０７（第２クラッド層）が順次積層された層構造を有する。なお、電流ブロック層５３０は、Ａｌ組成比が高い高Ａｌ組成のＡｌＧａＮによって構成されている。

上部クラッド層５０７は、複数層からなり、本実施形態では、第１上部クラッド層５０８と、第２上部クラッド層５０９と、第１上部クラッド層５０８と第２上部クラッド層５０９との間に形成された第３上部クラッド層５０８ａの３層構造である。

第１上部クラッド層５０８は、窒化物半導体によって構成されており、第２上部クラッド層５０９及び第３上部クラッド層５０８ａよりも活性層５０４に近い側に形成された窒化物半導体クラッド層（窒化物半導体層）である。第１上部クラッド層５０８は、電流ブロック層５３０の開口部を埋めるように、第１上部ガイド層５０５ａ及び電流ブロック層５３０上に形成されており、例えばｐ型のＡｌ_ｘ＋ｙＩｎ_１−ｙＧａ_１−ｘＮによって構成することができる。

第２上部クラッド層５０９は、透明導電膜（透明導電体）によって構成されており、第１上部クラッド層５０８及び第３上部クラッド層５０８ａよりも活性層５０４から離れて形成された透明導電体クラッド層（透明導電体層）である。第２上部クラッド層５０９は、例えばＩＴＯによって構成することができる。

第３上部クラッド層５０８ａは、窒化物半導体によって構成されており、第１上部クラッド層５０８上に形成されたｎ型コンタクト層である。第３上部クラッド層５０８ａは、トンネル電極として形成され、例えば高濃度にＳｉがドープされたｎ型のＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子層によって構成することができる。

本実施形態に係る窒化物半導体発光素子５００は、電流ブロック層５３０の開口部に第１上部クラッド層５０８が埋め込まれることによって形成された埋め込み型の光導波路５２０を備える。

また、第２上部クラッド層５０９のコンタクト面５２５にはｐ側電極５４０が形成されており、そのｐ側電極４４０の上部にはパッド電極５４１が形成されている。さらに、基板５０１の裏面上にはｎ側電極５５０が形成されている。

次に、本発明の第５の実施形態に係る窒化物半導体発光素子５００の製造方法について、図１６を用いて説明する。図１６は、本発明の第５の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の製造方法を説明するための図である。

図１６の（ａ）に示すように、まず、ＭＯＣＶＤ法により、基板５０１上に、例えばＳｉをドープしたＡｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎを１．５μｍの膜厚で成膜し、下部クラッド層５０２を形成する。続いて、例えばＳｉをドープしたｎ型のＩｎＧａＮである下部ガイド層５０３、例えばＩｎ_０．１５Ｇａ_０．９５Ｎ井戸層／ＧａＮ障壁層が複数（例えば３層）成膜された活性層５０４、例えばＭｇをドープしたＩｎＧａＮである第１上部ガイド層５０５ａ、例えばＭｇをドープしたｐ型のＡｌ_０．２Ｇａ_０．８Ｎである電子障壁層５０６、例えばＭｇをドープしたＧａＮである第２上部ガイド層５０５ｂ、及び、例えばｎ型のＡｌＧａＮである電流ブロック層５３０を順次成膜する。

その後、スパッタ装置を用いてＳｉＯ_２マスクを電流ブロック層５３０上に形成し、フォトリソグラフィー及びウェットエッチングを用いて、例えば幅１．５μｍの開口部を形成する。その後、フォトケミカルウェットエッチングを用いて光導波路５２０となる領域を開口し、その後フッ酸によりＳｉＯ_２マスクを除去する。これにより、図１６の（ｂ）に示すように、電流ブロック層５３０に光導波路５２０となる開口部が形成された構成を得ることができる。なお、このとき、開口部内には第１上部ガイド層５０５ａが露出している。

その後、図１６の（ｃ）に示すように、再度ＭＯＣＶＤ法により、例えばｐ型のＡｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎからなる第１上部クラッド層５０８を、開口部を埋めるように第１上部ガイド層５０５ａ及び電流ブロック層５３０の上に形成し、続けて、第１上部クラッド層５０８の上に、例えば高濃度にＳｉがドープされたｎ型のＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子層からなる第３上部クラッド層５０８ａを成膜する。

その後、成長炉から取り出して、同図に示すように、電子ビーム蒸着装置又はスパッタ装置を用いて、例えばＩＴＯを成膜することにより、第２上部クラッド層５０９を成膜する。これにより、３層構造の上部クラッド層５０７を形成することができる。

その後、図１６の（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー及びＥＢ蒸着法を用いて、光導波路５２０を覆うように、厚さが４５ｎｍのパラジウム（Ｐｄ）と厚さが５０ｎｍの白金（Ｐｔ）とからなるｐ側電極５４０を形成する。続いて、フォトリソグラフィー及びＥＢ蒸着法を用いて、厚さが５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）と厚さが１０００ｎｍの金（Ａｕ）を積層させた膜を形成した後、電解メッキ法によりＡｕの厚さを１０μｍまで増やし、パッド電極５４１を形成する。

その後、ダイヤモンドスラリーを用いて、基板５０１の厚さを１００μｍ程度まで研磨することにより薄片化した後、ＥＢ蒸着装置を用いて、基板５０１の裏面にｎ側電極５５０として厚さが５ｎｍのＴｉ、厚さが１０ｎｍのＰｔ及び厚さが１０００ｎｍのＡｕを形成する。その後、劈開を行うことによりチップ分離され、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子５００が製造される。

以上、本発明の第５の実施形態に係る窒化物半導体発光素子５００によれば、第１〜第４の実施形態と同様に、透明導電膜からなる第２上部クラッド層５０９の下方に窒化物半導体からなる第１上部クラッド層５０８が設けられているので、光吸収による内部損失（αｉ）の増大を抑制することができるとともに、第１上部クラッド層５０８の直列抵抗を低減することができる。

また、本実施形態では、第４の実施形態と同様に、第１上部クラッド層５０８と第２上部クラッド層５０９との間に第３上部クラッド層５０８ａが形成されているので、第２上部クラッド層５０９と第１上部クラッド層５０８との間のコンタクト抵抗をさらに低減させることができる。

さらに、本実施形態では、埋め込み型の光導波路５２０であって、電流ブロック層５３０がＳｉＯ_２などの酸化膜よりも熱伝導率の高いｎ型のＡｌＧａＮなどからなる窒化物半導体で構成される。これにより、活性層１０４付近の発光部で発生するジュール熱を効率良く発光部外に放熱させることができる。また、ｎ型のＡｌＧａＮで構成された電流ブロック層５３０のＡｌ組成を高くすることによって、横方向の光閉じ込め効果を高めることができる。これにより、本実施形態における窒化物半導体で構成されたクラッド層の膜厚をさらに薄膜化することができる。この結果、クラッド層の直列抵抗を一層低減することができるので、窒化物半導体発光素子の電流−光出力特性をさらに向上させることができる。従って、電力−光変換効率を一層向上させることができる。

さらに、本実施形態では、他の実施形態と比べて、窒化物半導体からなる上部クラッド層（第３上部クラッド層５０８ａ又は第１上部クラッド層５０８）と透明導電膜からなるクラッド層（第２上部クラッド層５０９）との接触面積が大きいので、窒化物半導体からなる上部クラッド層と透明導電膜からなるクラッド層との間のコンタクト抵抗をさらに低減させることができる。

しかも、本実施形態では、第１上部クラッド層５０８と第２上部クラッド層５０９との間に第３上部クラッド層５０８ａが形成されているので、トンネル電流によってコンタクト抵抗をさらに低減させることができる。

このように、本発明の第５の実施形態に係る窒化物半導体発光素子５００によれば、高発光効率で、さらに低動作電圧を可能とした窒化物半導体発光素子を実現することができる。

以上、本発明に係る窒化物半導体発光素子について、実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではない。

例えば、第１、第３〜５の実施形態では半導体レーザについて述べたが、スーパールミネッセントダイオードについても同様に適用することができる。

また、第１、第３〜第５の実施形態では、直線状の光導波路の例を示したが、第２の実施形態のように、曲線部分を含む曲線状の光導波路であっても同様に適用することができる。

また、上述の実施形態では、劈開を用いて共振器端面を形成する例を示したが、ドライエッチングによって光出射端面及び反射端面を形成するような構造であっても同様に適用することができる。

また、上述の実施形態においては、光導波路のリッジストライプの幅（ストライプ幅）として１．５μｍの例を示したが、１０μｍ以下のストライプ幅であれば、いずれの実施形態にも同様に適用することができる。

また、上述の実施形態においては、基板として（０００１）面を基板の主面としたｎ型ＧａＮ基板の例を示したが、（１０−１０）面、（１１−２０）面、（１０−１１）面、（１１−２１）面などを基板の主面としたｎ型ＧａＮ基板を用いた場合でも同様に適用することができる。

また、上述の実施形態においては、基板としてｎ型ＧａＮ基板を用いた例を示したが、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉなど他の基板を用いた場合でも同様に適用することができる。

また、上述の実施形態においては、第２上部クラッド層の透明導電膜の材料として、錫（Ｓｎ）が添加された酸化インジウム（ＩｎＯ）であるＩＴＯを用いたが、これに限らない。例えば、第２上部クラッド層の透明導電膜の材料としては、Ｇａ又はＡｌなどの材料をドープしたＺｎＯ（酸化亜鉛）、あるいは、アンチモン（Ｓｂ）が添加された酸化錫（ＳｎＯ）などを用いることができる。これらの透明導電膜は、所望の屈折率に合わせて用いることができる。

その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を本実施形態に施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。

本発明に係る窒化物半導体発光素子は、様々な光源として広く利用することができ、特に、ディスプレイ若しくはプロジェクターなどの画像表示装置における光源として、又は、レーザ加工若しくはレーザアニールなどの産業用のレーザ機器などの比較的高い光出力が必要な装置における光源として有用である。

１００、２００、３００、４００、５００ 窒化物半導体発光素子
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、２１０１ 基板
１０２、２０２、３０２、４０２、５０２ 下部クラッド層
１０３、２０３、３０３、４０３、５０３ 下部ガイド層
１０４、２０４、３０４、４０４、５０４ 活性層
１０５、２０５、３０５、４０５ 上部ガイド層
１０６、２０６、３０６、４０６、５０６ 電子障壁層
１０７、２０７、３０７、４０７、５０７、２１８０ 上部クラッド層
１０８、２０８、３０８、４０８、５０８ 第１上部クラッド層
１０９、２０９、３０９、４０９、５０９ 第２上部クラッド層
１２０、２２０、３２０、４２０、５２０ 光導波路
１２５、２２５、３２５、４２５、５２５ コンタクト面
１３０、２３０、３３０、４３０ 絶縁膜
１４０、２４０、３４０、４４０、５４０、２１９０ ｐ側電極
１４１、２４１、３４１、４４１、５４１ パッド電極
１５０、２５０、３５０、４５０、５５０、２１２０ ｎ側電極
４０８ａ、５０８ａ 第３上部クラッド層
５０５ａ 第１上部ガイド層
５０５ｂ 第２上部ガイド層
５３０ 電流ブロック層
２１００ レーザダイオード
２１１０ ｎ型コンタクト層
２１３０ ｎ型下部クラッド層
２１４０ ｎ型下部導波路層
２１５０ 多重量子井戸領域
２１５５ 活性領域
２１６０ ｐ型閉じ込め層
２１７０ ｐ型上部導波路層

Claims (3)

1. 光導波路を有する窒化物半導体発光素子であって、
   当該半導体発光素子は、基板上に、ｎ型の第１クラッド層と、活性層と、ｐ型のガイド層と、第２クラッド層とを少なくともこの順に含み、
   前記第２クラッド層は、透明導電体によって構成された透明導電体層と、当該透明導電体層よりも前記活性層側に形成され、ｐ型のＡｌ _ｘ Ｉｎ _ｙ Ｇａ _{１−ｘ−ｙ} Ｎ（０＜ｘ≦０．８２、０≦ｙ≦０．１８、０≦１−ｘ−ｙ＜１）からなる窒化物半導体によって構成された少なくともＡｌを含む窒化物半導体層とを有し、
   前記ガイド層と前記第２クラッド層との合計膜厚ｄは、０．１μｍ＜ｄ＜０．５μｍであり、
   前記透明導電体層の膜厚は、１００ｎｍより大きい
   窒化物半導体発光素子。
2. 前記光導波路は、前記第２クラッド層から前記第１クラッド層の一部までを掘り込んで形成された垂直メサ構造である
   請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
3. 前記透明導電体の材料は、錫が添加された酸化インジウム、アンチモンが添加された酸化錫、及び酸化亜鉛のうちのいずれか１つである
   請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。

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