JP5978692B2

JP5978692B2 - Semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting device component, semiconductor light emitting device reflector, semiconductor light emitting device reflector composition, and method for manufacturing semiconductor light emitting device reflector

Info

Publication number: JP5978692B2
Application number: JP2012066384A
Authority: JP
Inventors: 安希吉田; 俊之坂井
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2012-03-22
Filing date: 2012-03-22
Publication date: 2016-08-24
Anticipated expiration: 2032-03-22
Also published as: JP2013197544A

Description

本発明は、半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor light emitting device, a semiconductor light emitting device component, a semiconductor light emitting device reflector, a semiconductor light emitting device reflector composition, and a method for manufacturing a semiconductor light emitting device reflector.

現在、地球温暖化防止の対策として、世界規模でＣＯ₂排出抑制の取り組みが行われており、小型で長寿命であるとともに、省電力性に優れることで、ＣＯ₂削減に大いに寄与することができる発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」と記載する。）素子等の半導体発光素子が、表示灯等の光源として広く利用されている。 Currently, as a measure to prevent global warming, efforts are being made to reduce CO ₂ emissions on a global scale. It is small, has a long life span, and is excellent in power saving, contributing greatly to CO ₂ reduction. Semiconductor light-emitting elements such as light-emitting diode (hereinafter referred to as “LED”) elements that can be used are widely used as light sources such as indicator lamps.

光源として半導体発光素子を用いる場合、高い照度を得るために通常、基板に単数または複数の半導体発光素子を配置し、半導体発光素子の周りに、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させる反射体を配置する方式が用いられている。このとき、半導体発光素子は発光時に発熱を伴うことから、半導体発光素子の周りに配設される反射体には、良好な反射性および良好な耐熱性が要求される。 When a semiconductor light emitting device is used as a light source, in order to obtain high illuminance, one or more semiconductor light emitting devices are usually arranged on the substrate, and light emitted from the semiconductor light emitting device is reflected around the semiconductor light emitting device in a predetermined direction. A method of arranging a reflector to be used is used. At this time, since the semiconductor light emitting element generates heat during light emission, the reflector disposed around the semiconductor light emitting element is required to have good reflectivity and good heat resistance.

そこで、たとえば、特許文献１には、熱硬化性オルガノポリシロキサン、白色顔料、無機充填剤（但し、白色顔料を除く）、縮合触媒、所定のカップリング剤を含有する白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物で反射体を構成する光半導体ケースが提案されている。また、特許文献２には、特定の熱硬化樹脂及び無機部材を含有するコーティング部材を所定部にコーティングして光の反射を高めるパッケージ成型体が提案されている。 Therefore, for example, Patent Document 1 discloses a white thermosetting silicone resin composition containing a thermosetting organopolysiloxane, a white pigment, an inorganic filler (excluding a white pigment), a condensation catalyst, and a predetermined coupling agent. An optical semiconductor case in which a reflector is made of an object has been proposed. Further, Patent Document 2 proposes a package molded body that enhances light reflection by coating a predetermined portion with a coating member containing a specific thermosetting resin and an inorganic member.

しかしながら、上記特許文献１に提案がされているシリコーン樹脂組成物は反射体を成型する際の流動性が高く、また粘度調整が困難なため、この樹脂組成物によって得られる反射体には多くのバリが発生するおそれがある。反射体に発生するバリは電気的な不良につながることから除去する必要があるものの、バリの除去時には反射体の表面を傷つけてしまう場合も多く反射率の低下を引き起こす。また、バリの除去にかかるコストは高く、コスト面からもバリの発生は好ましくない。 However, since the silicone resin composition proposed in Patent Document 1 has high fluidity when molding a reflector and it is difficult to adjust the viscosity, there are many reflectors obtained from this resin composition. There is a risk of burrs. Although burrs generated in the reflector need to be removed because they lead to electrical failure, the surface of the reflector is often damaged when removing the burrs, causing a decrease in reflectance. Further, the cost for removing the burrs is high, and the generation of burrs is not preferable from the viewpoint of cost.

また、近時、半導体発光素子から紫外光を発光させて、この紫外光を様々な色の蛍光体と組み合わせて照明やテレビ等の演色性を高めることや、この紫外光を殺菌や消臭効果に利用すること等の検討がなされている。紫外光を発光する半導体発光素子を用いる場合、これらの半導体発光素子の周りに配置される反射体には、紫外光に対する反射性も要求される。 In addition, recently, ultraviolet light is emitted from semiconductor light emitting elements, and this ultraviolet light is combined with phosphors of various colors to improve color rendering properties of lighting, television, etc., and the ultraviolet light is sterilized and deodorized. It is being considered for use. When semiconductor light-emitting elements that emit ultraviolet light are used, the reflectors disposed around these semiconductor light-emitting elements are also required to have reflectivity with respect to ultraviolet light.

特開２００９−２２１３９３号公報JP 2009-221393 A 特開２００５−１３６３７８号公報JP 2005-136378 A

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、半導体発光素子から発光される光の反射性に優れ、かつ電気的な不良の発生や、反射性の低下を長期にわたって防止できる半導体発光装置を提供すること、また、この半導体発光装置に用いられる半導体発光装置用部品や半導体発光装置用反射体を提供すること、及びこの半導体発光装置用反射体を得ることができる半導体発光装置用反射体組成物や半導体発光装置用反射体の製造方法を提供することを主たる課題とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and is a semiconductor light emitting device that is excellent in the reflectivity of light emitted from a semiconductor light emitting element and that can prevent the occurrence of electrical defects and the decrease in reflectivity over a long period of time. Providing a device, and providing a semiconductor light emitting device component and a semiconductor light emitting device reflector used in the semiconductor light emitting device, and a semiconductor light emitting device reflection capable of obtaining the semiconductor light emitting device reflector The main object is to provide a method for manufacturing a body composition and a reflector for a semiconductor light emitting device.

上記課題を解決するための本発明は、基板と、半導体発光素子と、該半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための反射体と、を含む半導体発光装置であって、前記反射体は、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含み、前記六方晶構造の無機粒子が、六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムであることを特徴とする。 The present invention for solving the above-described problems is a semiconductor light-emitting device comprising a substrate, a semiconductor light-emitting element, and a reflector for reflecting light emitted from the semiconductor light-emitting element in a predetermined direction, reflector and polymethyl pentene, viewed contains an inorganic particle having a crystal structure of a hexagonal system, and wherein the inorganic particles of the hexagonal structure, boron nitride hexagonal crystal structure, or barium titanate hexagonal structure To do.

また、上記課題を解決するための本発明は、基板と、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための反射体と、を含む半導体発光装置用部品であって、前記反射体は、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含み、前記六方晶構造の無機粒子が、六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムであることを特徴とする。 Moreover, this invention for solving the said subject is a component for semiconductor light-emitting devices containing a board | substrate and the reflector for reflecting the light light-emitted from a semiconductor light-emitting element in a predetermined direction, Comprising: The said reflector is seen containing a polymethylpentene, a hexagonal crystal structure and an inorganic particle, inorganic particles of the hexagonal crystal structure, and wherein the hexagonal boron nitride crystal structure or barium titanate of the hexagonal structure.

また、上記課題を解決するための本発明は、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための半導体発光装置用反射体であって、前記半導体発光装置用反射体は、ポリメチルペンテンと、無機粒子とを含み、前記六方晶構造の無機粒子が、六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムであることを特徴とする。 Moreover, this invention for solving the said subject is the reflector for semiconductor light-emitting devices for reflecting the light light-emitted from a semiconductor light-emitting element in a predetermined direction, Comprising: The said reflector for semiconductor light-emitting devices is polymethyl. seen containing a pentene, and inorganic particles, inorganic particles of the hexagonal crystal structure, and wherein the hexagonal boron nitride crystal structure or barium titanate of the hexagonal structure.

また、上記課題を解決するための本発明は、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための反射体に用いられる半導体発光装置用反射体組成物であって、前記半導体発光装置用反射体組成物は、ポリメチルペンテンと、無機粒子とを含み、前記六方晶構造の無機粒子が、六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムであることを特徴とする。 Moreover, this invention for solving the said subject is the reflector composition for semiconductor light-emitting devices used for the reflector for reflecting the light light-emitted from a semiconductor light-emitting element in a predetermined direction, Comprising: Said semiconductor light-emitting device use reflector compositions viewed contains a polymethylpentene, and inorganic particles, inorganic particles of the hexagonal crystal structure, and wherein the hexagonal boron nitride crystal structure or barium titanate of hexagonal structure .

また、上記課題を解決するための本発明は、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための半導体発光装置用反射体の製造方法であって、（１）ポリメチルペンテンと、（２）六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムと、を含む半導体発光装置用反射体組成物を用いて半導体発光装置用反射体を製造することを特徴とする。 Moreover, this invention for solving the said subject is a manufacturing method of the reflector for semiconductor light-emitting devices for reflecting the light light-emitted from a semiconductor light-emitting element to a predetermined direction, Comprising: (1) Polymethylpentene, (2) A reflector for a semiconductor light-emitting device is produced using a reflector composition for a semiconductor light-emitting device containing boron nitride having a hexagonal crystal structure or barium titanate having a hexagonal crystal structure .

本発明の半導体発光装置によれば、半導体発光素子から発光される光の反射性に優れ、かつ電気的な不良の発生や、反射性の低下を長期にわたって防止できる。また、本発明の半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体によれば、上記効果を奏する半導体発光装置を得ることができる。また、本発明の半導体発光装置用反射体組成物や、半導体発光装置用反射体の製造方法によれば、上記の効果を奏する半導体発光装置を得るための半導体発光装置用反射体を得ることができる。 According to the semiconductor light emitting device of the present invention, it is excellent in the reflectivity of light emitted from the semiconductor light emitting element, and it is possible to prevent the occurrence of electrical defects and the decrease in reflectivity over a long period of time. Moreover, according to the semiconductor light emitting device component and the semiconductor light emitting device reflector of the present invention, a semiconductor light emitting device having the above-described effects can be obtained. Moreover, according to the reflector composition for a semiconductor light-emitting device and the method for manufacturing a reflector for a semiconductor light-emitting device of the present invention, it is possible to obtain a reflector for a semiconductor light-emitting device for obtaining a semiconductor light-emitting device that exhibits the above effects. it can.

本発明の半導体発光装置の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the semiconductor light-emitting device of this invention. 本発明の半導体発光装置の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the semiconductor light-emitting device of this invention. 実施例１と参考例１の反射体の光反射率と波長との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the light reflectivity and wavelength of the reflector of Example 1 and Reference Example 1.

「半導体発光装置」
図１に示すように、本発明の一実施形態の半導体発光装置１００は、表面実装（ＳｕｒｆａｃｅＭｏｕｎｔｅｄＤｅｖｉｃｅ：ＳＭＤ）型の半導体発光装置１００であり、必須の構成である基板１４と、半導体発光素子１０と、該半導体発光素子１０から発光される光を所定方向に反射させるための反射体１２と、から構成されている。以下、本発明の半導体発光装置１００の必須の構成である基板１４、反射体１２、半導体発光素子１０を中心に具体的に説明する。なお、本発明の半導体発光装置は、種々の形態をとることができ、以下の実施形態によって何ら限定されるものではない。たとえば、基板１４と、半導体発光素子１０と、反射体１２とを含むものであれば、砲弾型の半導体発光装置であってもよく、ＣＯＢ（ＣｈｉｐＯｎＢｏａｒｄ）型の半導体発光装置であってもよい。以下、半導体発光装置１００として、表面実装型の半導体発光装置を中心に説明する。 "Semiconductor light-emitting device"
As shown in FIG. 1, a semiconductor light emitting device 100 according to an embodiment of the present invention is a surface mounted device (SMD) type semiconductor light emitting device 100, and includes a substrate 14 that is an essential configuration, and a semiconductor light emitting element. 10 and a reflector 12 for reflecting light emitted from the semiconductor light emitting element 10 in a predetermined direction. Hereinafter, the substrate 14, the reflector 12, and the semiconductor light emitting element 10 which are essential components of the semiconductor light emitting device 100 of the present invention will be specifically described. In addition, the semiconductor light-emitting device of this invention can take a various form, and is not limited at all by the following embodiment. For example, a bullet-type semiconductor light-emitting device or a COB (Chip On Board) -type semiconductor light-emitting device may be used as long as it includes the substrate 14, the semiconductor light-emitting element 10, and the reflector 12. Good. Hereinafter, the surface-mount type semiconductor light emitting device will be mainly described as the semiconductor light emitting device 100.

図１に示す形態の半導体発光装置は、半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０の周りに設けられ、半導体発光素子１０から発光される光を所定方向に反射させる反射体１２とを基板１４上に有する。 The semiconductor light emitting device of the form shown in FIG. 1 includes a semiconductor light emitting element 10 and a reflector 12 provided around the semiconductor light emitting element 10 and reflecting light emitted from the semiconductor light emitting element 10 in a predetermined direction. Have.

（基板）
本発明の半導体発光装置１００を構成する基板１４について特に限定はなく、半導体発光装置の分野で用いられるものあればいかなるものであっても使用可能である。基板１４の材料としては、たとえば、アルミナや、窒化アルミ、ムライト、ガラス等の焼結体から構成されるセラミック等を挙げることができる。これ以外にも、ポリイミド樹脂等のフレキシブル性を有する樹脂材料等を挙げることができる。 (substrate)
The substrate 14 constituting the semiconductor light emitting device 100 of the present invention is not particularly limited, and any substrate used in the field of semiconductor light emitting devices can be used. Examples of the material of the substrate 14 include ceramics made of a sintered body such as alumina, aluminum nitride, mullite, and glass. In addition, a resin material having flexibility such as polyimide resin can be used.

基板１４の厚みについて特に限定はなく、半導体発光装置の形態等に応じて適宜設定することができ、その厚みについていかなる限定もされない。 The thickness of the substrate 14 is not particularly limited, and can be set as appropriate according to the form of the semiconductor light emitting device, and the thickness is not limited at all.

（反射体）
図１に示すように、基板１４上には、反射体１２が設けられている。反射体１２は、本発明の半導体発光装置における必須の構成であり、半導体発光素子１０から発光される光を所定方向、すなわち出光部側へ反射させる役割を果たす。 (Reflector)
As shown in FIG. 1, a reflector 12 is provided on the substrate 14. The reflector 12 is an essential component in the semiconductor light emitting device of the present invention, and plays a role of reflecting the light emitted from the semiconductor light emitting element 10 in a predetermined direction, that is, the light emitting part side.

＜ポリメチルペンテン＞
反射体１２には、バインダーとしてのポリメチルペンテンが含まれる。ポリメチルペンテンは、耐熱性に優れることから、半導体発光素子からの発熱による反射体１２の変色を防止でき、長期にわたって反射体１２の性能を維持することができる。また、ポリメチルペンテンは成型性に優れることから、バリの発生なく反射体１２を成型可能である。これにより、バリによって生じ得る半導体発光装置の電気的な不良の発生を長期にわたって防止することができる。さらに、ポリメチルペンテンは、可視域から紫外域までの波長の光線透過率に優れる。したがって、六方晶構造の無機粒子として、紫外光に対する反射性能を有するものを用いた場合には、ポリメチルペンテンとの相乗効果によって、紫外光を発光する半導体発光素子１０を用いた場合に、殺菌効果および消臭効果、また演色性などの点で、特に有利な効果を奏し得る。なお、本願明細書において、紫外光とは２３０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光を意味する。 <Polymethylpentene>
The reflector 12 includes polymethylpentene as a binder. Since polymethylpentene is excellent in heat resistance, discoloration of the reflector 12 due to heat generation from the semiconductor light emitting element can be prevented, and the performance of the reflector 12 can be maintained over a long period of time. Further, since polymethylpentene is excellent in moldability, it is possible to mold the reflector 12 without generation of burrs. Thereby, it is possible to prevent the occurrence of an electrical failure of the semiconductor light emitting device that may be caused by burrs over a long period of time. Furthermore, polymethylpentene is excellent in light transmittance of wavelengths from the visible region to the ultraviolet region. Therefore, when the inorganic particles having a hexagonal structure reflecting property to ultraviolet light are used, when the semiconductor light emitting element 10 that emits ultraviolet light is used due to a synergistic effect with polymethylpentene, sterilization is performed. Particularly advantageous effects can be obtained in terms of effects, deodorization effects, color rendering properties and the like. In the present specification, ultraviolet light means light having a wavelength of 230 nm to 400 nm.

ポリメチルペンテンとしては、たとえば、４−メチルペンテン−１の単独重合体や、４−メチルペンテン−１と他のオレフィンとの共重合体等を挙げることができる。４−メチルペンテン−１と他のオレフィンとの共重合体としては、４−メチルペンテン−１と、α−オレフィン、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−オクタデセン、１−エイコセン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン等の炭素数２ないし２０のα−オレフィンとの共重合体を挙げることができる。４−メチルペンテン−１と他のオレフィンとの共重合体を用いる場合には、該共重合体は、４−メチル−１−ペンテンを９０モル％以上含んでいることが好ましい。 Examples of polymethylpentene include a homopolymer of 4-methylpentene-1 and a copolymer of 4-methylpentene-1 and other olefins. Examples of copolymers of 4-methylpentene-1 and other olefins include 4-methylpentene-1 and α-olefins such as ethylene, propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 1-hexene, With an α-olefin having 2 to 20 carbon atoms such as octene, 1-decene, 1-dodecene, 1-tetradecene, 1-octadecene, 1-eicocene, 3-methyl-1-butene, 3-methyl-1-pentene, etc. Mention may be made of copolymers. When a copolymer of 4-methylpentene-1 and another olefin is used, the copolymer preferably contains 90 mol% or more of 4-methyl-1-pentene.

本発明では、上記に例示したポリメチルペンテンの中でも、４−メチルペンテン−１の単独重合体を好ましく使用可能である。なかでも、重合平均分子量（Ｍｗ）が１０００以上、特には、５０００以上の４−メチルペンテン−１の単独重合体が好ましい。これらのポリメチルペンテンによれば、反射体１２の耐熱性を更に向上させることができる。なお、４−メチルペンテン−１の単独重合体の分子量はゲルパーミッションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量である。 In the present invention, among the polymethylpentenes exemplified above, a homopolymer of 4-methylpentene-1 can be preferably used. Among these, a homopolymer of 4-methylpentene-1 having a polymerization average molecular weight (Mw) of 1000 or more, particularly 5000 or more is preferable. According to these polymethylpentenes, the heat resistance of the reflector 12 can be further improved. In addition, the molecular weight of the homopolymer of 4-methylpentene-1 is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography.

ポリメチルペンテンは市販品を用いることもでき、市販品としては、例えば、三井化学（株）製のＴＰＸ（登録商標）等を挙げることができる。 As the polymethylpentene, a commercially available product can be used, and examples of the commercially available product include TPX (registered trademark) manufactured by Mitsui Chemicals.

また、ポリメチルペンテンは、三次元網目構造のポリメチルペンテンであることが好ましい。三次元網目構造のポリメチルペンテンを含む反射体１２によれば、耐熱性や、反射性能の更なる向上が見込まれる。また、反射体１２から後述する六方晶構造の無機粒子が脱落することを防止することができる。三次元網目構造のポリメチルペンテンは、例えば、紫外線硬化剤や電子線硬化剤とポリメチルペンテンとを反応させて、ポリメチルペンテンの分子間を架橋させることで得ることができる。これ以外にも、ポリメチルペンテンと、紫外線硬化剤や電子線硬化剤のモノマーを共重合せしめた共重合体を用いて三次元網目構造のポリメチルペンテンを得ることもできる。 The polymethylpentene is preferably a polymethylpentene having a three-dimensional network structure. According to the reflector 12 including polymethylpentene having a three-dimensional network structure, further improvement in heat resistance and reflection performance is expected. Further, it is possible to prevent the inorganic particles having a hexagonal crystal structure described later from dropping from the reflector 12. The polymethylpentene having a three-dimensional network structure can be obtained, for example, by reacting an ultraviolet curing agent or an electron beam curing agent with polymethylpentene to crosslink the molecules of polymethylpentene. In addition, polymethylpentene having a three-dimensional network structure can be obtained by using a copolymer obtained by copolymerizing polymethylpentene and a monomer of an ultraviolet curing agent or an electron beam curing agent.

＜六方晶構造の無機粒子＞
反射体１２には、六方晶構造の無機粒子が含まれる。六方晶構造の無機粒子を含む反射体１２によれば、該反射体１２に高い反射性を付与することができる。さらに、六方晶構造の無機粒子は、光触媒作用によりポリメチルペンテンの劣化を起こすことがないことから、反射体１２の劣化を防止でき、半導体発光装置１００の長寿命化に貢献し得る。なお、六方晶構造とは、ＪＣＰＤＳカード２８−０１２４の結晶相を示すものである。 <Hexagonal structure inorganic particles>
The reflector 12 includes inorganic particles having a hexagonal crystal structure. According to the reflector 12 including the hexagonal structure inorganic particles, high reflectivity can be imparted to the reflector 12. Furthermore, since the hexagonal structure inorganic particles do not cause deterioration of the polymethylpentene due to photocatalytic action, the reflection body 12 can be prevented from being deteriorated, which can contribute to extending the life of the semiconductor light emitting device 100. The hexagonal crystal structure indicates the crystal phase of JCPDS card 28-0124.

六方晶構造の無機粒子について特に限定はなく、六方晶構造の窒化ホウ素（ＢＮ）、六方晶構造のランタンシリケート（Ｌａ_9.33(ＳｉＯ₄)₆Ｏ₂、六方晶構造の緑柱石（Ｂｅ₃Ａｌ₂Ｓｉ₆Ｏ₁₈）、六方晶構造のマグネシウム（Ｍｇ）、六方晶構造の水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）₂）、六方晶構造の水酸化マンガン（Ｍｎ（ＯＨ）₂）、六方晶構造の硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ₃）、六方晶構造の炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ₃）、六方晶構造の炭酸亜鉛（ＺｎＣＯ₃）、六方晶構造の炭酸鉄（ＦｅＣＯ₃）、六方晶構造の炭酸カルシウム（ＣａＣＯ₃）、六方晶構造のドロマイト（ＣａＭｇ(ＣＯ₃)₂）、六方晶構造の針ニッケル鉱（ＮｉＳ）、六方晶構造のウルツ鉱（ＺｎＳ）、六方晶構造のＲＭｎＯ₃(Ｒ＝Ｙ，Ｙｂ，Ｌｕ)、六方晶構造のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃）、六方晶構造のイリドスミン、六方晶構造のヒ素（Ａｓ）、六方晶構造のビスマス（Ｂｉ）、六方晶構造のテルル（Ｔｅ）、六方晶構造のカスミ石（ＫＮａ₃(ＡｌＳｉＯ₄)₄）、六方晶構造のミメット鉱（Ｐｂ₅（ＡｓＯ₄）₃Ｃｌ)）、六方晶構造の緑鉛鉱（Ｐｂ₅(（ＰＯ₄）₃Ｃｌ））、六方晶構造の鉄ミョウバン石（ＫＦｅ₃（ＳＯ₄）₂（ＯＨ）₆）、六方晶構造のミョウバン石（ＫＡｌ₃（ＯＨ）₆（ＳＯ₄）₂）等を挙げることができる。 There are no particular limitations on the hexagonal structure inorganic particles, hexagonal structure boron nitride (BN), hexagonal structure lanthanum silicate (La _9.33 (SiO ₄ ) ₆ O ₂ , hexagonal structure beryl (Be ₃ Al _2). Si ₆ O ₁₈ ), hexagonal magnesium (Mg), hexagonal magnesium hydroxide (Mg (OH) ₂ ), hexagonal manganese hydroxide (Mn (OH) ₂ ), hexagonal nitric acid sodium (NaNO _3), magnesium carbonate hexagonal structure (MgCO _3), zinc carbonate hexagonal structure (ZnCO _3), iron carbonate (FeCO ₃₎ of hexagonal structure, calcium carbonate having a hexagonal crystal structure (CaCO _3), Hexagonal structure dolomite (CaMg (CO ₃ ) ₂ ), hexagonal structure needle nickel ore (NiS), hexagonal structure wurtzite (ZnS), hexagonal structure RMnO ₃ (R = Y, Yb, Lu) , Six Tetragonal structure barium titanate (BaTiO ₃ ), hexagonal structure iridosmine, hexagonal structure arsenic (As), hexagonal structure bismuth (Bi), hexagonal structure tellurium (Te), hexagonal structure mist Stone (KNa ₃ (AlSiO ₄ ) ₄ ), hexagonal mimetite (Pb ₅ (AsO ₄ ) ₃ Cl)), hexagonal galena (Pb ₅ ((PO ₄ ) ₃ Cl)), hexagonal Examples thereof include iron alumite having a crystal structure (KFe ₃ (SO ₄ ) ₂ (OH) ₆ ), alumite having a hexagonal structure (KAl ₃ (OH) ₆ (SO ₄ ) ₂ ), and the like.

反射性のさらなる向上の点からは、六方晶構造の無機粒子は、白色、或いは白色に近いものを用いることが好ましい。また、これとともに、耐熱性に優れるものを用いることが好ましい。本発明では、上記に例示した六方晶構造の無機粒子のなかでも、六方晶構造の窒化ホウ素（ＢＮ）や、六方晶構造のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃）が好ましい。これらの無機粒子は、白色を呈するとともに、耐熱性にすぐれ、かつ、波長が２３０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外光に対する反射性にも優れる。したがって、上述した紫外光を殆ど吸収しないポリメチルペンテンと、六方晶構造の窒化ホウ素（ＢＮ）又は、六方晶構造のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃）とを含む反射体１２によれば、紫外光を発光する半導体発光素子１０を用いる場合に特に有利な効果を奏し得る。なお、六方晶構造の窒化ホウ素（ＢＮ）や、六方晶構造のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃）以外にも、六方晶構造を有し、紫外光に対する反射性を有するものであれば、いずれのものであっても、紫外光を発光する半導体素子１０を含む半導体発光装置１００に使用可能である。 From the viewpoint of further improving the reflectivity, it is preferable to use white or nearly white inorganic particles having a hexagonal crystal structure. In addition, it is preferable to use a material having excellent heat resistance. In the present invention, among the hexagonal structure inorganic particles exemplified above, hexagonal structure boron nitride (BN) and hexagonal structure barium titanate (BaTiO ₃ ) are preferable. These inorganic particles exhibit a white color, excellent heat resistance, and excellent reflectivity for ultraviolet light having a wavelength of 230 nm to 400 nm. Therefore, according to the reflector 12 containing polymethylpentene that hardly absorbs ultraviolet light and hexagonal structure boron nitride (BN) or hexagonal structure barium titanate (BaTiO ₃ ), the ultraviolet light is absorbed. A particularly advantageous effect can be obtained when the semiconductor light emitting element 10 that emits light is used. Any hexagonal structure boron nitride (BN) or hexagonal structure barium titanate (BaTiO ₃ ) may be used as long as it has a hexagonal structure and is reflective to ultraviolet light. Even so, it can be used in the semiconductor light emitting device 100 including the semiconductor element 10 that emits ultraviolet light.

六方晶構造の無機粒子の粒径について特に限定はないが、体積平均粒径が、０．１μｍ未満である場合には、無機粒子同士が凝集し加工性が落ちる傾向にあり、３００μｍを超えると、ポリメチルペンテンとの混練が不良となり、反射性が低下する傾向にある。したがって、この点を考慮すると、六方晶構造の無機粒子は、体積平均粒径が０．１μｍ以上３００μｍ以下の範囲内であることが好ましい。より好ましくは、０．１μｍ以上１２μｍ以下の範囲内であり、さらに好ましくは１μｍ以上２μｍ以下の範囲内である。なお、体積平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ５０として求めた粒径である。 There is no particular limitation on the particle size of the hexagonal structure inorganic particles, but when the volume average particle size is less than 0.1 μm, the inorganic particles tend to agglomerate and the workability tends to decrease. The kneading with polymethylpentene tends to be poor and the reflectivity tends to decrease. Therefore, considering this point, the inorganic particles having a hexagonal crystal structure preferably have a volume average particle size in the range of 0.1 μm to 300 μm. More preferably, it is in the range of 0.1 μm to 12 μm, and more preferably in the range of 1 μm to 2 μm. In addition, a volume average particle diameter is a particle diameter calculated | required as the mass average value D50 in the particle size distribution measurement by a laser beam diffraction method.

六方晶構造の無機粒子の形状についても特に限定はなく、たとえば、鱗片形状、偏平形状、紡錘形状、球形状、円錐形状、楕円形状のものを例示することができる。なかでも、反射性のさらなる向上の点からは、球形状のものを好ましく用いることができる。 There are no particular limitations on the shape of the inorganic particles having a hexagonal crystal structure, and examples thereof include a scale shape, a flat shape, a spindle shape, a spherical shape, a conical shape, and an elliptical shape. Among these, a spherical shape can be preferably used from the viewpoint of further improving the reflectivity.

六方晶構造の無機粒子は疎水化処理が施されたものであってもよい。疎水化処理が施された六方晶構造の無機粒子を用いることで、反射体１２中に六方晶構造の無機微粒子を均一に分散させることができ、反射性の更なる向上が見込まれる。疎水化処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、シリコーンオイル、脂肪酸、及び脂肪酸金属塩等を挙げることができる。これらの中でも、分散性を向上させる効果が高いことから、シランカップリング剤、及びシリコーンオイルが好ましく用いられる。 The inorganic particles having a hexagonal crystal structure may be subjected to a hydrophobic treatment. By using the inorganic particles having a hexagonal crystal structure subjected to the hydrophobization treatment, the inorganic fine particles having the hexagonal crystal structure can be uniformly dispersed in the reflector 12, and further improvement in reflectivity is expected. Examples of the hydrophobizing agent include silane coupling agents, silicone oils, fatty acids, and fatty acid metal salts. Among these, a silane coupling agent and silicone oil are preferably used because they have a high effect of improving dispersibility.

ポリメチルペンテン、及び六方晶構造の無機粒子の含有量について特に限定はないが、ポリメチルペンテン１００質量部に対し、六方晶構造の無機粒子の含有量が１０質量部未満である場合には、反射性が低下する傾向にあり、３００質量部を超えると、成型性が低下する傾向にある。したがって、この点を考慮すると、六方晶構造の無機粒子は、ポリメチルペンテン１００質量部に対し、１０質量部以上３００質量部以下の範囲内で含有されていることが好ましい。より好ましくは、１５質量部以上２００質量部以下の範囲内であり、さらに好ましくは、２０質量部以上２００質量部の範囲内である。なお、成型性の低下を生じさせない場合には、３００質量部をこえて含有されていてもよい。 There is no particular limitation on the content of polymethylpentene and hexagonal structure inorganic particles, but when the content of hexagonal structure inorganic particles is less than 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of polymethylpentene, The reflectivity tends to decrease, and if it exceeds 300 parts by mass, the moldability tends to decrease. Therefore, in consideration of this point, the hexagonal structure inorganic particles are preferably contained within a range of 10 parts by mass or more and 300 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of polymethylpentene. More preferably, it is in the range of 15 parts by mass or more and 200 parts by mass or less, and further preferably in the range of 20 parts by mass or more and 200 parts by mass. In addition, when not making a moldability fall, you may contain over 300 mass parts.

また、反射体１２は、上記必須の構成であるポリメチルペンテン、六方晶構造の無機粒子のほかに、本発明の趣旨を妨げない範囲内で、各種の添加剤が含有されていてもよい。これらの成分としては、難燃剤、異形断面ガラス繊維、シランカップリング剤やチタンカップリング剤等の基板密着助剤、酸化防止剤、光安定化材等を挙げることができる。 The reflector 12 may contain various additives in addition to polymethylpentene and hexagonal structure inorganic particles, which are essential components, as long as the gist of the present invention is not impaired. Examples of these components include flame retardants, modified cross-section glass fibers, substrate adhesion assistants such as silane coupling agents and titanium coupling agents, antioxidants, and light stabilizers.

反射体１２に含まれる六方晶構造の無機粒子が、紫外光に対する反射性能を有する無機粒子である場合には、該反射体１２は、酸化チタン粒子を実質的に含有していないことが好ましい。酸化チタン粒子を含まない反射体１２とすることで、４００ｎｍ以下の紫外光に対する反射性を良好な状態とすることができる。また、酸化チタンの触媒作用により生じ得るポリメチルペンテンの劣化を未然に防ぐことができる。なお、酸化チタンは、ルチル結晶で４１１ｎｍ付近、アナターゼ結晶で波長３８７ｎｍ付近にて光の吸収が起こることから、反射体１２に酸化チタン粒子が含まれる場合には、紫外光に対する反射性能が著しく低下する。ここで、酸化チタン粒子を実質的に含有しないとは、反射体１２中の酸化チタン粒子の含有量が０質量％であることを意味する。なお、このことは、反射体１２に酸化チタン粒子が含有されることを禁止するものではなく、本発明の趣旨を妨げない範囲内で含有されていてもよい。 In the case where the hexagonal structure inorganic particles contained in the reflector 12 are inorganic particles having the ability to reflect ultraviolet light, the reflector 12 preferably contains substantially no titanium oxide particles. By setting it as the reflector 12 which does not contain a titanium oxide particle, the reflectivity with respect to the ultraviolet light of 400 nm or less can be made into a favorable state. Further, it is possible to prevent deterioration of polymethylpentene that can be caused by the catalytic action of titanium oxide. Titanium oxide absorbs light at about 411 nm in the rutile crystal and near 387 nm in the anatase crystal. Therefore, when the reflector 12 contains titanium oxide particles, the reflection performance for ultraviolet light is significantly reduced. To do. Here, substantially not containing titanium oxide particles means that the content of titanium oxide particles in the reflector 12 is 0% by mass. In addition, this does not prohibit that the titanium oxide particle is contained in the reflector 12, and may be contained within a range that does not hinder the gist of the present invention.

反射体１２に酸化チタン粒子が含まれているか否かは、Ｘ線光電子分光法（ＥｌｅｃｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙｆｏｒＣｈｅｍｉｃａｌＡｎａｌｙｓｉｓ）によって反射体１２を組成分析することで判定可能である。具体的には、チタン元素が検出されなかった場合には、反射体１２に酸化チタン粒子が実質的に含有されていないものと判定することができる。さらに具体的には、（株）島津製作所製Ｘ線光電子分光分析装置ＥＳＣＡ−３４００を用い、狭域スキャン測定：４５０〜４７０ｅＶ範囲で、測定元素名を「Ｔｉ２ｐ」としてスキャンした場合、４５９ｅＶ付近にＴｉ２ｐ３／２のピークがなく、スペクトル強度と感度定数から自動計算される相対原子％でも、Ｔｉ０．１％以下であれば、反射体１２に酸化チタン粒子が実質的に含有されていないものと判定することができる。 Whether or not titanium oxide particles are contained in the reflector 12 can be determined by analyzing the composition of the reflector 12 by X-ray photoelectron spectroscopy (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis). Specifically, when no titanium element is detected, it can be determined that the reflector 12 does not substantially contain titanium oxide particles. More specifically, when using an X-ray photoelectron spectroscopic analyzer ESCA-3400 manufactured by Shimadzu Corporation, narrow scan measurement: in the range of 450 to 470 eV, when the measurement element name is “Ti 2p”, it is around 459 eV There is no Ti 2p3 / 2 peak, and even if the relative atomic% is automatically calculated from the spectral intensity and the sensitivity constant, if the Ti is 0.1% or less, the reflector 12 does not substantially contain titanium oxide particles. Can be determined.

反射体１２の形状は、レンズ１８の端部、すなわち接合部の形状に準じており特に限定はない。通常は、通常、角形、円形、楕円形等の筒状又は輪状である。図１に示す形態では、反射体１２は、筒状体、換言すれば輪状体であり、反射体１２のすべての端面が基板１４の表面に接触、固定されている。 The shape of the reflector 12 conforms to the shape of the end of the lens 18, that is, the joint, and is not particularly limited. Usually, it is a cylindrical shape such as a square shape, a circular shape, an oval shape, or a ring shape. In the form shown in FIG. 1, the reflector 12 is a cylindrical body, in other words, a ring-shaped body, and all end surfaces of the reflector 12 are in contact with and fixed to the surface of the substrate 14.

反射体１２の内面は、図示するように半導体発光素子１０から発光される光の指向性を高めるために、テーパー状に上方に広げられていることが好ましい。また、反射体１２は、レンズ１８側の端部を、当該レンズ１８の形状に応じた形に加工された場合には、レンズホルダーとしても機能させることができる。 The inner surface of the reflector 12 is preferably widened upward in a tapered shape in order to increase the directivity of light emitted from the semiconductor light emitting element 10 as shown in the figure. The reflector 12 can also function as a lens holder when the end portion on the lens 18 side is processed into a shape corresponding to the shape of the lens 18.

反射体１２は、これ以外の種々の態様をとることができ、たとえば、図２に示すように上記で説明した反射体１２の必須の成分を含む反射層１２ａが部材１２ｂの光反射面側に設けられた反射体１２を用いることもできる。図１に示す反射体と、図２に示す反射体とは、図１に示す形態の反射体１２が、反射体１２の全体が上記で説明した反射体１２の必須の成分を含む材料から構成されているのに対し、図２に示す形態の反射体１２が、上記で説明した反射体１２の必須の成分を含まない部材１２ｂと、反射体１２の必須の成分を含む反射層１２ａとが組み合わされた構成である点で相違する。図２に示す形態では、部材１２ｂの光反射面側にのみ反射層１２ａが形成された構成をとる反射体１２となっているが、部材１２ｂの全面に反射層１２ａが形成された構成をとっていてもよい。反射層１２ａの厚さは、熱抵抗を低くする等の観点から、５００μｍ以下とすることが好ましく、３００μｍ以下とすることがより好ましい。 The reflector 12 can take various other modes. For example, as shown in FIG. 2, the reflection layer 12a including the essential components of the reflector 12 described above is disposed on the light reflection surface side of the member 12b. The provided reflector 12 can also be used. The reflector shown in FIG. 1 and the reflector shown in FIG. 2 are configured such that the reflector 12 in the form shown in FIG. 1 is made of a material in which the entire reflector 12 includes the essential components of the reflector 12 described above. In contrast, the reflector 12 having the configuration shown in FIG. 2 includes a member 12b that does not include the essential components of the reflector 12 described above, and a reflective layer 12a that includes the essential components of the reflector 12. It is different in that it is a combined configuration. In the embodiment shown in FIG. 2, the reflector 12 has a configuration in which the reflection layer 12a is formed only on the light reflection surface side of the member 12b. However, the reflection layer 12a is formed on the entire surface of the member 12b. It may be. The thickness of the reflective layer 12a is preferably 500 μm or less, and more preferably 300 μm or less, from the viewpoint of reducing the thermal resistance.

図１に示す形態では、反射体１２上にはレンズ１８が設けられている。レンズ１８は従来公知のものを適宜選択して用いることができる。なお、レンズ１８は通常、樹脂から構成され、着色されることもある。 In the form shown in FIG. 1, a lens 18 is provided on the reflector 12. As the lens 18, a conventionally known lens can be appropriately selected and used. The lens 18 is usually made of resin and may be colored.

基板１４と反射体１２とレンズ１８とで形成される空間部は、透明なシリコーン樹脂等が充填された透明封止部であってもよく、空隙部であってもよい。 The space formed by the substrate 14, the reflector 12 and the lens 18 may be a transparent sealing portion filled with a transparent silicone resin or the like, or may be a gap.

（半導体発光素子）
基板１４上には、光を発光する半導体発光素子１０が設けられている。半導体発光素子について特に限定はなく、例えば、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ又はＧａＮからなる活性層を、ｎ型及びｐ型のクラッド層により挟んだダブルヘテロ構造を有し、一辺の長さが０．５ｍｍ程度の六面体の形状のＬＥＤチップ等を用いることができる。 (Semiconductor light emitting device)
A semiconductor light emitting element 10 that emits light is provided on the substrate 14. There is no particular limitation on the semiconductor light emitting device. For example, the semiconductor light emitting device has a double hetero structure in which an active layer made of AlGaAs, AlGaInP, GaP or GaN is sandwiched between n-type and p-type cladding layers, and the length of one side is 0.5 mm. An LED chip having a hexahedron shape or the like can be used.

半導体発光素子１０が白色のＬＥＤチップである場合には、紫外光又は青色が発光される。発光色についても特に限定はなく、白色光であってもよく、所望の発光色の半導体発光素子を用いることもできる。白色光を発色させるためには、赤色系の発光波長が６１０ｎｍ〜７００ｎｍ、緑色系の発光波長が４９５ｎｍ〜５６５ｎｍ、青色系の発光波長が４３０ｎｍ〜４９０ｎｍの３原色を発光するＬＥＤチップを１個の発光素子内に内蔵して混色することにより白色光にしてもよいし、発光波長が４００ｎｍ〜５３０ｎｍの青色光を発光するＬＥＤチップの表面に黄色に変換する発光色変換部材を設けてもよく、発光波長が４００ｎｍより短い紫外光を発光するＬＥＤチップの表面にそれぞれ赤、緑、青に変換する発光色変換部材を設けてそれぞれの色に変換した光を混合することによっても白色光にすることもできる。 When the semiconductor light emitting element 10 is a white LED chip, ultraviolet light or blue light is emitted. There is no particular limitation on the emission color, and white light may be used, and a semiconductor light emitting element having a desired emission color may be used. In order to develop white light, one LED chip emitting three primary colors having a red emission wavelength of 610 nm to 700 nm, a green emission wavelength of 495 nm to 565 nm, and a blue emission wavelength of 430 nm to 490 nm is provided. A light emitting color conversion member that converts to yellow may be provided on the surface of the LED chip that emits blue light having a light emission wavelength of 400 nm to 530 nm, and may be provided by mixing and mixing in the light emitting element. White light can also be obtained by providing light emitting color conversion members that convert red, green, and blue on the surface of the LED chip that emits ultraviolet light having an emission wavelength shorter than 400 nm, and mixing the light converted into the respective colors. You can also.

また、本発明において、反射体１２に含まれる六方晶構造の無機粒子が、紫外光に対する反射性能を有する無機粒子である場合には、紫外光を発光する半導体発光素子１０を用いた場合に極めて有効である。紫外光を発光する半導体発光素子１０を備える半導体発光装置１００によれば、様々な色の蛍光体と組合せて演色性を高めることや、消臭効果および殺菌効果を得ること等ができる。 Further, in the present invention, when the hexagonal structure inorganic particles contained in the reflector 12 are inorganic particles having a reflection performance with respect to ultraviolet light, it is extremely difficult to use the semiconductor light emitting element 10 that emits ultraviolet light. It is valid. According to the semiconductor light emitting device 100 including the semiconductor light emitting element 10 that emits ultraviolet light, it is possible to enhance color rendering properties in combination with phosphors of various colors, to obtain a deodorizing effect and a bactericidal effect.

「半導体発光装置用部品」
本発明の半導体発光装置用部品は、基板１４と、半導体発光素子１０から発光される光を所定方向に反射させるための反射体１２とを含み、該反射体が、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含むことを特徴とする。 "Parts for semiconductor light emitting devices"
The component for a semiconductor light emitting device of the present invention includes a substrate 14 and a reflector 12 for reflecting light emitted from the semiconductor light emitting element 10 in a predetermined direction. The reflector includes polymethylpentene, hexagonal crystal, and the like. And inorganic particles having a structure.

基板１４、反射体１２は、上記本発明の半導体発光装置１００で説明したものをそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。本発明の半導体発光装置用部品によれば、この部品を用いて、半導体発光素子から発光される光の反射性に優れ、かつ電気的な不良の発生や、反射性の低下を長期にわたって防止できる半導体発光装置を得ることができる。また、本発明の半導体発光装置用部品に含まれる反射体１２が、紫外光に対する反射性を有する六方晶の無機粒子を含有する場合には、この部品を用いて得られる半導体発光装置に、上記の効果に加え、様々な色の蛍光体と組合せて演色性を高めることや、消臭効果および殺菌効果等を付与することができる。 As the substrate 14 and the reflector 12, those described in the semiconductor light emitting device 100 of the present invention can be used as they are, and detailed description thereof is omitted here. According to the semiconductor light-emitting device component of the present invention, by using this component, it is excellent in the reflectivity of light emitted from the semiconductor light-emitting element, and it is possible to prevent the occurrence of electrical defects and the decrease in reflectivity over a long period of time. A semiconductor light emitting device can be obtained. Further, when the reflector 12 included in the semiconductor light-emitting device component of the present invention contains hexagonal inorganic particles having reflectivity for ultraviolet light, the semiconductor light-emitting device obtained by using this component has the above-described structure. In addition to the above effects, it is possible to enhance color rendering properties in combination with phosphors of various colors, and to impart a deodorizing effect and a bactericidal effect.

「半導体発光装置用反射体」
本発明の半導体発光装置用反射体は、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための半導体発光装置用反射体であって、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含むことを特徴とする。 "Reflectors for semiconductor light emitting devices"
The reflector for a semiconductor light emitting device of the present invention is a reflector for a semiconductor light emitting device for reflecting light emitted from a semiconductor light emitting element in a predetermined direction, and comprises polymethylpentene and inorganic particles having a hexagonal crystal structure. It is characterized by including.

本発明の半導体発光装置用反射体は、上記で説明した半導体発光装置の反射体１２として説明したものをそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。配合比等の好ましい範囲についても同様である。本発明の半導体発光装置用反射体によれば、この反射体を用いて、半導体発光素子から発光される光の反射性に優れ、かつ電気的な不良の発生や、反射性の低下を長期にわたって防止できる半導体発光装置を得ることができる。また、本発明の半導体発光装置用反射体が、紫外光に対する反射性を有する六方晶の無機粒子を含有する場合には、この反射体を用いて得られる半導体発光装置に、上記の効果に加え、様々な色の蛍光体と組合せて演色性を高めることや、消臭効果および殺菌効果等を付与することができる。 As the reflector for a semiconductor light-emitting device of the present invention, the reflector described in the semiconductor light-emitting device described above can be used as it is, and detailed description thereof is omitted here. The same applies to a preferable range such as a blending ratio. According to the reflector for a semiconductor light emitting device of the present invention, by using this reflector, it is excellent in the reflectivity of light emitted from the semiconductor light emitting element, and the occurrence of an electrical failure or a decrease in reflectivity is prolonged over a long period of time. A semiconductor light emitting device that can be prevented can be obtained. In addition, in the case where the reflector for a semiconductor light emitting device of the present invention contains hexagonal inorganic particles having reflectivity for ultraviolet light, in addition to the above effects, the semiconductor light emitting device obtained using this reflector is used. In combination with phosphors of various colors, the color rendering property can be enhanced, and the deodorizing effect and the bactericidal effect can be imparted.

「半導体発光装置用反射体組成物」
本は追銘の半導体発光装置用反射体組成物は、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための反射体に用いられる半導体発光装置用反射体組成物であって、該半導体発光装置用反射体組成物は、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含むことを特徴とする。 "Reflector composition for semiconductor light emitting device"
The present invention is a reflector composition for a semiconductor light emitting device, which is a reflector composition for a semiconductor light emitting device used as a reflector for reflecting light emitted from a semiconductor light emitting element in a predetermined direction. A reflector composition for a light emitting device includes polymethylpentene and inorganic particles having a hexagonal crystal structure.

本発明の半導体発光装置用反射体組成物に含まれるポリメチルペンテン、六方晶構造の無機粒子は、上記本発明の半導体発光装置の反射体１２で説明したポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子をそのまま用いることができここでの詳細な説明は省略する。本発明の半導体発光装置用反射体組成物によれば、この組成物を用いて、半導体発光素子から発光される光の反射性に優れ、かつ電気的な不良の発生や、反射性の低下を長期にわたって防止できる半導体発光装置を構成する反射体を得ることができる。また、本発明の半導体発光装置用反射体組成物が、紫外光に対する反射性を有する六方晶の無機粒子を含有する場合には、上記の効果に加え、様々な色の蛍光体と組合せて演色性を高めることや、消臭効果および殺菌効果等が付与された半導体発光装置を構成する反射体を得ることができる。 The polymethylpentene and the hexagonal structure inorganic particles contained in the reflector composition for a semiconductor light emitting device of the present invention are the polymethylpentene and the hexagonal structure inorganic particles described in the reflector 12 of the semiconductor light emitting device of the present invention. The particles can be used as they are, and a detailed description thereof is omitted here. According to the reflector composition for a semiconductor light-emitting device of the present invention, this composition is excellent in the reflectivity of light emitted from the semiconductor light-emitting element, and causes the occurrence of electrical defects and the decrease in reflectivity. A reflector constituting a semiconductor light emitting device that can be prevented over a long period of time can be obtained. In addition, when the reflector composition for a semiconductor light emitting device of the present invention contains hexagonal inorganic particles having reflectivity for ultraviolet light, in addition to the above effects, color rendering is performed in combination with phosphors of various colors. The reflector which comprises the semiconductor light-emitting device to which the property was improved, the deodorizing effect, the bactericidal effect, etc. were provided can be obtained.

また、本発明の半導体発光装置用反射体組成物には、本発明の趣旨を妨げない範囲内で、各種の添加剤が含有されていてもよい。これらの成分としては、上記で説明した半導体発光装置の反射体１２として説明したものをそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。 In addition, the reflector composition for a semiconductor light emitting device of the present invention may contain various additives within a range that does not interfere with the gist of the present invention. As these components, those described as the reflector 12 of the semiconductor light emitting device described above can be used as they are, and detailed description thereof is omitted here.

「半導体発光装置の製造方法」
次に、図１に示す一実施形態の半導体発光装置１００の製造方法の一例について説明する。所定形状のキャビティ空間を備える金型を用いたトランスファー成型、圧縮成型、射出成型等により、上記本発明の半導体反射装置用反射体組成物から所定形状の反射体１２を成型する。その後、別途、準備した半導体発光素子１０、電極及びリード線１６を、接着剤又は接合部材により基板１４に固定し、さらに反射体１２に基板１４上に固定する。次いで、基板１４及び反射体１２により形成された凹部に、シリコーン樹脂等を含む透明封止剤組成物を注入し、加熱、乾燥等により硬化させて透明封止部とする。その後、透明封止部上にレンズ１８を配設することで、図１に示す半導体発光装置が得られる。なお、透明封止剤組成物が未硬化の状態でレンズ１８を載置してから、透明封止剤組成物を硬化させてもよい。 "Method of manufacturing a semiconductor light emitting device"
Next, an example of a method for manufacturing the semiconductor light emitting device 100 of the embodiment shown in FIG. 1 will be described. The reflector 12 having a predetermined shape is molded from the above-described reflector composition for a semiconductor reflector of the present invention by transfer molding, compression molding, injection molding or the like using a mold having a cavity space having a predetermined shape. Thereafter, the separately prepared semiconductor light emitting device 10, electrodes and lead wires 16 are fixed to the substrate 14 with an adhesive or a bonding member, and further fixed to the reflector 12 on the substrate 14. Next, a transparent sealant composition containing a silicone resin or the like is poured into the recess formed by the substrate 14 and the reflector 12, and cured by heating, drying, or the like to form a transparent sealing portion. Thereafter, the semiconductor light emitting device shown in FIG. 1 is obtained by disposing the lens 18 on the transparent sealing portion. In addition, after mounting the lens 18 in a state where the transparent sealant composition is uncured, the transparent sealant composition may be cured.

「半導体発光装置用反射体の製造方法」
次に、本発明の半導体発光装置用反射体の製造方法について説明する。本発明の製造方法は、半導体発光装置用反射体の製造方法であって、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含む半導体発光装置用反射体組成物を用いて半導体発光装置用反射体を製造する点を特徴とするものである。 "Manufacturing method of reflector for semiconductor light emitting device"
Next, the manufacturing method of the reflector for semiconductor light-emitting devices of this invention is demonstrated. The manufacturing method of the present invention is a method for manufacturing a reflector for a semiconductor light emitting device, and includes a reflector composition for a semiconductor light emitting device including polymethylpentene and hexagonal structure inorganic particles. It is characterized by the point of manufacturing the body.

半導体発光装置用反射体組成物は、上記本発明の半導体発光装置用反射体組成物で説明したものをそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。また、該組成物を用いて製造される半導体発光装置用反射体が、三次元網目構造のポリメチルペンテンを含むことが好ましい点についても同様である。三次元網目構造のポリメチルペンテンを得るための方法についても上記で説明した通りであり、半導体発光装置用反射体組成物に、ポリメチルペンテンと、紫外線硬化剤や電子線硬化剤の双方を含ませてもよく、ポリメチルペンテンと、紫外線硬化剤や電子線硬化剤のモノマーを共重合せしめた共重合体を含ませてもよい。この場合、該半導体発光装置用反射体組成物に紫外線や電子線を照射することで、三次元網目構造のポリメチルペンテンを含む半導体発光装置用反射体を得ることができる。 As the reflector composition for a semiconductor light-emitting device, those described in the above-mentioned reflector composition for a semiconductor light-emitting device of the present invention can be used as they are, and detailed description thereof is omitted here. The same applies to the point that the reflector for a semiconductor light-emitting device produced using the composition preferably contains a polymethylpentene having a three-dimensional network structure. The method for obtaining a polymethylpentene having a three-dimensional network structure is also as described above, and the reflector composition for a semiconductor light-emitting device contains both polymethylpentene and an ultraviolet curing agent or an electron beam curing agent. Alternatively, a copolymer obtained by copolymerizing polymethylpentene and a monomer of an ultraviolet curing agent or an electron beam curing agent may be included. In this case, a reflector for a semiconductor light emitting device containing polymethylpentene having a three-dimensional network structure can be obtained by irradiating the reflector composition for a semiconductor light emitting device with ultraviolet rays or an electron beam.

本発明の半導体発光装置用反射体の製造方法は、上記で説明した半導体発光装置用反射体組成物を用いる点に特徴を有し、これ以外の要件についていかなる限定もされることはなく、従来公知の製造方法、たとえば射出成型法等を用いて半導体発光装置用反射体を製造することができる。 The method for producing a reflector for a semiconductor light-emitting device of the present invention is characterized in that the reflector composition for a semiconductor light-emitting device described above is used, and any other requirements are not limited. A reflector for a semiconductor light emitting device can be manufactured using a known manufacturing method such as an injection molding method.

射出成型法では、半導体発光装置用反射体組成物をシリンダーに投入し、該組成物に含まれるポリメチルペンテンを溶融させる。次いで、スクリューを回転させて、所定の射出圧で上記組成物を、金型に嵌められた基板上に射出する。そして、保圧・背圧をかけて保持した後に、金型から半導体発光装置用反射体を取出すことで半導体発光装置用反射体を得ることができる。このときの各種条件についても特に限定はないが、シリンダー温度；２５０℃〜３００℃、金型温度；４０℃〜１００℃、射出成型圧；１０ＭＰａ〜２００ＭＰａの条件下で製造を行うことが好ましい。この条件下で製造することにより、成型性の特に高い半導体発光装置用反射体を製造することができる。射出成型装置としては、例えば、（株）ソディックプラステック製の射出成型装置（ＬＡ４０最大型締力３９２ｋＮ）等を用いることができる。 In the injection molding method, a reflector composition for a semiconductor light emitting device is put into a cylinder, and polymethylpentene contained in the composition is melted. Next, the screw is rotated, and the composition is injected onto the substrate fitted in the mold at a predetermined injection pressure. And after holding and holding pressure and back pressure, the reflector for semiconductor light-emitting devices can be obtained by taking out the reflector for semiconductor light-emitting devices from a metal mold | die. Various conditions at this time are also not particularly limited, but it is preferable to carry out the production under the conditions of cylinder temperature; 250 ° C. to 300 ° C., mold temperature; 40 ° C. to 100 ° C., injection molding pressure; By manufacturing under these conditions, a reflector for a semiconductor light emitting device with particularly high moldability can be manufactured. As the injection molding apparatus, for example, an injection molding apparatus (LA40 maximum mold clamping force 392 kN) manufactured by Sodick Plastic Co., Ltd. can be used.

以下に実施例と比較例を挙げて本発明を説明する。なお、文中の「部」は特に断りの内限り質量基準である。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples and comparative examples. “Parts” in the text are based on mass unless otherwise noted.

（実施例１）
下記配合比で各種成分を配合し、ロールで混練を行うことで得られた反射体組成物１を、（株）ソディックプラステック製の射出成型装置（ＬＡ４０最大型締力３９２ｋＮ）により、シリンダー温度２８０℃で溶融状態にし、金型（温度：８０℃）に、射出圧力１１０ＭＰａで注入。５０ｍｍ×５５ｍｍのメタル基板上に、４０ｍｍ×５０ｍｍ×０．３ｍｍサイズに半導体発光装置用反射体を射出成形し、実施例１の反射体を成形した。
（反射体組成物１）
・ポリメチルペンテン（Ａ）１００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８三井化学（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状体積平均粒径１１．８μｍ）４５部
（ＵＨＰ−２昭和電工（株）製） Example 1
Reflector composition 1 obtained by blending various components at the following blending ratio and kneading with a roll is subjected to cylinder temperature using an injection molding device (LA40 maximum clamping force 392 kN) manufactured by Sodick Plastic. It was melted at 280 ° C. and poured into a mold (temperature: 80 ° C.) at an injection pressure of 110 MPa. On a 50 mm × 55 mm metal substrate, a reflector for a semiconductor light emitting device was injection molded to a size of 40 mm × 50 mm × 0.3 mm, and the reflector of Example 1 was molded.
(Reflector composition 1)
・ 100 parts of polymethylpentene (A) (TPX-RT-18 manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.)
-Hexagonal boron nitride (A) (scale-like volume average particle size 11.8 μm) 45 parts (UHP-2 Showa Denko KK)

（実施例２）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物２に変更し、電子線照射を、加速電圧を２５０ｋＶとし、吸収線量を所定の値として行った以外は全て実施例１と同様にして実施例２の反射体を成型した。
（反射体組成物２）
・ポリメチルペンテン（Ａ）１００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８三井化学（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状体積平均粒径１１．８μｍ）４５部
（ＵＨＰ−２昭和電工（株）製）
・電子線架橋処理剤（トリアリルイソシアヌレート）２部
（ＴＡＩＣ日本化成（株）製） (Example 2)
The reflector composition 1 was changed to the reflector composition 2 shown below, and the electron beam irradiation was performed in the same manner as in Example 1 except that the acceleration voltage was 250 kV and the absorbed dose was a predetermined value. The reflector of Example 2 was molded.
(Reflector composition 2)
・ 100 parts of polymethylpentene (A) (TPX-RT-18 manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.)
-Hexagonal boron nitride (A) (scale-like volume average particle size 11.8 μm) 45 parts (UHP-2 Showa Denko KK)
・ Electron beam crosslinking agent (triallyl isocyanurate) 2 parts (TAIC Nippon Kasei Co., Ltd.)

（実施例３）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物３に変更した以外は全て実施例１と同様にして実施例３の反射体を成型した。
（反射体組成物３）
・ポリメチルペンテン（Ａ）１００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８三井化学（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状体積平均粒径１１．８μｍ）４５部
（ＵＨＰ−２昭和電工（株）製）
・メラミンシアヌレート（平均粒径２．０μｍ）１０部
（ＭＣ−６０００（日産化学（株）製） (Example 3)
The reflector of Example 3 was molded in the same manner as in Example 1 except that the reflector composition 1 was changed to the reflector composition 3 shown below.
(Reflector composition 3)
・ 100 parts of polymethylpentene (A) (TPX-RT-18 manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.)
-Hexagonal boron nitride (A) (scale-like volume average particle size 11.8 μm) 45 parts (UHP-2 Showa Denko KK)
Melamine cyanurate (average particle size 2.0 μm) 10 parts (MC-6000 (manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.))

（実施例４）
反射体組成物１における、ポリメチルペンテン（Ａ）にかえて、ポリメチルペンテン（Ｂ）（ＴＰＸＲＴ−３１三井化学（株）製）を１００部配合した反射体組成物４を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例４の反射体を成型した。 Example 4
In the reflector composition 1, instead of the polymethylpentene (A), a reflector composition 4 containing 100 parts of polymethylpentene (B) (manufactured by TPX RT-31 Mitsui Chemicals) was used. The reflector of Example 4 was molded in the same manner as Example 1.

（実施例５）
反射体組成物１における、ポリメチルペンテン（Ａ）にかえて、ポリメチルペンテン（Ｂ）：（ＴＰＸＲＴ−３１三井化学（株）製）を１００部配合し、六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）にかえて、六方晶構造の窒化ホウ素（Ｂ）：（ＵＨＰ−ＥＸ（昭和電工（株）製顆粒状の六方晶構造、体積平均粒径５０μｍ））を４５部配合した反射体組成物５を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例５の反射体を成型した。 (Example 5)
Instead of polymethylpentene (A) in reflector composition 1, 100 parts of polymethylpentene (B): (TPX RT-31, Mitsui Chemicals, Inc.) is blended to form hexagonal boron nitride (A ) In place of 45 parts of hexagonal boron nitride (B): (UHP-EX (manufactured by Showa Denko KK, granular hexagonal crystal structure, volume average particle size 50 μm)). Except that was used, the reflector of Example 5 was molded in the same manner as Example 1.

（実施例６）
反射体組成物１における、六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）にかえて、六方晶構造の窒化ホウ素（Ｃ）：（ＵＨＰ−Ｓ１（昭和電工（株）製鱗片状の六方晶構造、体積平均粒径１．５μｍ））を４５部配合した反射体組成物６を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例６の反射体を成型した。 (Example 6)
Instead of hexagonal boron nitride (A) in reflector composition 1, hexagonal boron nitride (C): (UHP-S1 (manufactured by Showa Denko KK, scaly hexagonal crystal structure, volume average) The reflector of Example 6 was molded in the same manner as Example 1 except that the reflector composition 6 containing 45 parts of a particle size of 1.5 μm) was used.

（実施例７）
反射体組成物１における、六方晶構造のホウ素（Ａ）の配合量を２０部に変更した反射体組成物７を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例７の反射体を成型した。 (Example 7)
The reflector of Example 7 was the same as Example 1 except that the reflector composition 7 in which the amount of hexagonal boron (A) in the reflector composition 1 was changed to 20 parts was used. Molded.

（実施例８）
反射体組成物１における、六方晶構造のホウ素（Ａ）の配合量を６０部に変更した反射体組成物８を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例８の反射体を成型した。 (Example 8)
The reflector of Example 8 was the same as Example 1 except that the reflector composition 8 in which the amount of hexagonal boron (A) in the reflector composition 1 was changed to 60 parts was used. Molded.

（比較例１）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ａに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例１の反射体を成型した。
（反射体組成物Ａ）
・シリコーン樹脂１００部
ＯＥ−６３３６Ａ及びＯＥ−６３３６Ｂを質量比１：１で混合したもの（いずれも東レ・ダウコーニング（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状体積平均粒径１１．８μｍ）４５部
（ＵＨＰ−２昭和電工（株）製） (Comparative Example 1)
The reflector of Comparative Example 1 was molded in the same manner as in Example 1 except that the reflector composition 1 was changed to the reflector composition A shown below.
(Reflector composition A)
-Silicone resin 100 parts OE-6336A and OE-6336B mixed at a mass ratio of 1: 1 (both manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.)
-Hexagonal boron nitride (A) (scale-like volume average particle size 11.8 μm) 45 parts (UHP-2 Showa Denko KK)

（比較例２）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｂに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例２の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｂ）
・半芳香族ポリアミド樹脂（融点３０５℃ ガラス転移温度１２５℃）１００部
（ザイテルＨＴＮ５０１（デュポン社製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状体積平均粒径１１．８μｍ）４５部
（ＵＨＰ−２昭和電工（株）製） (Comparative Example 2)
The reflector of Comparative Example 2 was molded in the same manner as in Example 1 except that the reflector composition 1 was changed to the reflector composition B shown below.
(Reflector composition B)
Semi-aromatic polyamide resin (melting point 305 ° C., glass transition temperature 125 ° C.) 100 parts (Zytel HTN501 (manufactured by DuPont)
-Hexagonal boron nitride (A) (scale-like volume average particle size 11.8 μm) 45 parts (UHP-2 Showa Denko KK)

（比較例３）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｃに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例３の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｃ）
・半芳香族ポリアミド樹脂（融点３０５℃ ガラス転移温度１２５℃）１００部
（ザイテルＨＴＮ５０１デュポン社製）
・チタン酸カリウム（平均繊維長１０〜２０μｍ繊維径０．２〜０．６μｍ）４５部
（ティスモＤ−１０２大塚化学（株）製） (Comparative Example 3)
The reflector of Comparative Example 3 was molded in the same manner as in Example 1 except that the reflector composition 1 was changed to the reflector composition C shown below.
(Reflector composition C)
・ Semi-aromatic polyamide resin (melting point 305 ° C., glass transition temperature 125 ° C.) 100 parts (Zytel HTN501 DuPont)
・ Potassium titanate (average fiber length: 10-20 μm, fiber diameter: 0.2-0.6 μm) 45 parts (Tismo D-102 manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd.)

（比較例４）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｄに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例４の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｄ）
・半芳香族ポリアミド樹脂（融点３０５℃ ガラス転移温度１２５℃）１００部
（ザイテルＨＴＮ５０１デュポン社製）
・チタン酸カリウム（平均繊維長１０〜２０μｍ繊維径０．２〜０．６μｍ）４５部
（ティスモＮ−１０２大塚化学（株）製） (Comparative Example 4)
The reflector of Comparative Example 4 was molded in the same manner as in Example 1 except that the reflector composition 1 was changed to the reflector composition D shown below.
(Reflector composition D)
・ Semi-aromatic polyamide resin (melting point 305 ° C., glass transition temperature 125 ° C.) 100 parts (Zytel HTN501 DuPont)
・ Potassium titanate (average fiber length: 10 to 20 μm, fiber diameter: 0.2 to 0.6 μm) 45 parts (Tismo N-102, Otsuka Chemical Co., Ltd.)

（比較例５）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｅに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例５の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｅ）
・ポリメチルペンテン（Ａ）１００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８三井化学（株）製）
・チタン酸カリウム（平均繊維長１０〜２０μｍ繊維径０．２〜０．６μｍ）４５部
（ティスモＤ−１０２大塚化学（株）製） (Comparative Example 5)
The reflector of Comparative Example 5 was molded in the same manner as in Example 1 except that the reflector composition 1 was changed to the reflector composition E shown below.
(Reflector composition E)
・ 100 parts of polymethylpentene (A) (TPX-RT-18 manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.)
・ Potassium titanate (average fiber length: 10-20 μm, fiber diameter: 0.2-0.6 μm) 45 parts (Tismo D-102 manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd.)

（比較例６）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｆに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例６の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｆ）
・変性ポリアミド１００部
（Ｔ「アーレンＡＥ４２００」三井化学（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状体積平均粒径１１．８μｍ）４５部
（ＵＨＰ−２昭和電工（株）製） (Comparative Example 6)
The reflector of Comparative Example 6 was molded in the same manner as in Example 1 except that the reflector composition 1 was changed to the reflector composition F shown below.
(Reflector composition F)
・ Modified polyamide 100 parts (T "Aalen AE4200" manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.)
-Hexagonal boron nitride (A) (scale-like volume average particle size 11.8 μm) 45 parts (UHP-2 Showa Denko KK)

（参考例１）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ａ１に変更した以外は全て実施例１と同様にして参考例１の反射体を成型した。
（反射体組成物Ａ１）
・ポリメチルペンテン（Ａ）１００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８三井化学（株）製）
・酸化チタン（ルチル型構造平均粒径０．２５μｍ）４５部
（ＰＦＣ−１０７石原産業（株）製） (Reference Example 1)
The reflector of Reference Example 1 was molded in the same manner as in Example 1 except that the reflector composition 1 was changed to the reflector composition A1 shown below.
(Reflector composition A1)
・ 100 parts of polymethylpentene (A) (TPX-RT-18 manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.)
・ 45 parts of titanium oxide (rutile structure average particle size 0.25 μm) (PFC-107 manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.)

（耐熱性評価）
各実施例、比較例、及び参考例の反射体を、１５０℃で５００時間放置する前と放置した後で、表面の色の変化を目視で観察した。放置前後で白色を維持しているものを○、それ以外を×とした。評価結果を色と併せて表１に示す。なお、放置前の白色を保っていれば良好な耐熱性を有することになる。 (Heat resistance evaluation)
The reflectors of the examples, comparative examples, and reference examples were visually observed for changes in surface color before and after being left at 150 ° C. for 500 hours. Those that maintained white color before and after being left out were marked with ◯, and others were marked with x. The evaluation results are shown in Table 1 together with the colors. In addition, if it keeps the white color before leaving, it will have favorable heat resistance.

（反射率の測定１）
各実施例、比較例、及び参考例の反射体を、１５０℃で５００時間放置する前と放置した後で、波長２３０〜７８０ｎｍにおける光反射率を分光光度計ＵＶ−２５５０（島津製作所製）を使用して測定した。表１に、波長３８０ｎｍ、４５０ｎｍにおける光反射率の測定結果を示す。また、図３に、実施例１及び参考例１の反射体の光反射率と波長との関係を示す（いずれも「１５０℃で５００時間放置」する前）。 (Measurement of reflectance 1)
Before and after leaving the reflectors of the examples, comparative examples, and reference examples at 150 ° C. for 500 hours, spectrophotometer UV-2550 (manufactured by Shimadzu Corporation) was used to measure the light reflectance at a wavelength of 230 to 780 nm. Measured using. Table 1 shows the measurement results of light reflectance at wavelengths of 380 nm and 450 nm. FIG. 3 shows the relationship between the light reflectance and the wavelength of the reflectors of Example 1 and Reference Example 1 (both before leaving at 150 ° C. for 500 hours).

（反射率の測定２）
各実施例、比較例、及び参考例の反射体を１５０℃のホットプレートの上で、露光機により光（４００ｎｍ以上カットしたもの）を２４時間照射後、３８０ｎｍにおける光反射率を分光光度計ＵＶ−２５５０（島津製作所製）を使用して測定した。表１には、波長３８０ｎｍの場合の結果を示す。 (Measurement of reflectance 2)
The reflector of each example, comparative example, and reference example was irradiated with light (400 nm or more cut) by an exposure machine on a hot plate at 150 ° C. for 24 hours, and then the light reflectance at 380 nm was measured with a spectrophotometer UV. Measurement was performed using -2550 (manufactured by Shimadzu Corporation). Table 1 shows the results for a wavelength of 380 nm.

（成型性評価）
各実施例、比較例、及び参考例の反射体のエッジ状態を目視で観察した。良好なエッジ状態を保っているものをＯＫ、バリ等が発生し、エッジに欠け等があるものをＮＧとした。評価結果を表１に併せて示す。なお、良好なエッジ状態を保っていれば成型性を有することになる。一方、バリ等が発生し、エッジに欠け等がある場合は、成型性不良とする。 (Formability evaluation)
The edge states of the reflectors of each example, comparative example, and reference example were visually observed. Those having a good edge state were judged as OK, burrs and the like were generated, and those having a chipped edge were judged as NG. The evaluation results are also shown in Table 1. In addition, if the favorable edge state is maintained, it will have moldability. On the other hand, if burrs or the like occur and the edge has a chip or the like, the moldability is considered poor.

表１からも明らかなように、本発明の反射体組成物の要件を全て充足する反射体組成物を用いて形成された実施例１〜８の反射体によれば、バリの発生がなく、耐熱性や、反射性にも優れる。また、六方晶構造の無機粒子として六方晶構造の窒化ホウ素を含む実施例では、紫外光に対する優れた反射性が確認された。一方、本発明の反射体組成物の要件の一部、もしくは全てを満たさない比較例の反射体によれば、成型性、耐熱性、反射性のいずれか、あるいは全てを満足させることができていない。具体的には、比較例２〜６の反射体では、耐熱性が不十分であり、比較例１の反射体では、成型性が低い。また、参考例１の反射体では、耐熱性や４５０ｎｍの波長領域における反射性は実施例の反射体と同等の性能を得ることができているが、紫外光に対する反射性は著しく低くなっていることがわかる。このことから、本発明の反射体組成物を用いて得られる本発明の反射体の優位性が明らかである。また、この反射体を用いた半導体発光装置用部品や、半導体発光装置においても上記の効果が発揮されることは明らかである。 As is clear from Table 1, according to the reflectors of Examples 1 to 8 formed using the reflector composition that satisfies all the requirements of the reflector composition of the present invention, there is no occurrence of burrs, Excellent heat resistance and reflectivity. Further, in the example containing hexagonal structure boron nitride as the hexagonal structure inorganic particles, excellent reflectivity with respect to ultraviolet light was confirmed. On the other hand, according to the reflector of the comparative example that does not satisfy some or all of the requirements of the reflector composition of the present invention, any or all of moldability, heat resistance, and reflectivity can be satisfied. Absent. Specifically, the reflectors of Comparative Examples 2 to 6 have insufficient heat resistance, and the reflector of Comparative Example 1 has low moldability. Moreover, in the reflector of Reference Example 1, the heat resistance and the reflectivity in the wavelength region of 450 nm can obtain the same performance as the reflector of the example, but the reflectivity for ultraviolet light is remarkably low. I understand that. From this, the superiority of the reflector of the present invention obtained using the reflector composition of the present invention is clear. In addition, it is clear that the above-described effect is also exhibited in a semiconductor light emitting device component using the reflector and a semiconductor light emitting device.

１０・・・半導体発光素子
１２・・・反射体
１４・・・基板
１６・・・リード線
１８・・・レンズ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Semiconductor light emitting element 12 ... Reflector 14 ... Board | substrate 16 ... Lead wire 18 ... Lens

Claims

A semiconductor light emitting device including a substrate, a semiconductor light emitting element, and a reflector for reflecting light emitted from the semiconductor light emitting element in a predetermined direction,
The reflector comprises a polymethylpentene, a hexagonal structure and inorganic particles seen including,
The semiconductor light-emitting device, wherein the hexagonal structure inorganic particles are hexagonal structure boron nitride or hexagonal structure barium titanate .

A semiconductor light emitting device component comprising a substrate and a reflector for reflecting light emitted from the semiconductor light emitting element in a predetermined direction,
The reflector comprises a polymethylpentene, a hexagonal structure and inorganic particles seen including,
The semiconductor light emitting device component, wherein the hexagonal structure inorganic particles are hexagonal structure boron nitride or hexagonal structure barium titanate .

A reflector for a semiconductor light emitting device for reflecting light emitted from a semiconductor light emitting element in a predetermined direction,
The semiconductor light emitting device for reflectors, a polymethylpentene, a hexagonal structure and inorganic particles seen including,
The reflector for a semiconductor light-emitting device, wherein the hexagonal structure inorganic particles are hexagonal structure boron nitride or hexagonal structure barium titanate .

A reflector composition for a semiconductor light emitting device used as a reflector for reflecting light emitted from a semiconductor light emitting element in a predetermined direction,
The semiconductor light emitting device for reflectors composition comprises polymethylpentene, the hexagonal structure and inorganic particles seen including,
The reflector composition for a semiconductor light-emitting device, wherein the hexagonal structure inorganic particles are hexagonal structure boron nitride or hexagonal structure barium titanate .

A method of manufacturing a reflector for a semiconductor light emitting device for reflecting light emitted from a semiconductor light emitting element in a predetermined direction,
(1) polymethylpentene;
(2) hexagonal structure boron nitride or hexagonal structure barium titanate;
A method for producing a reflector for a semiconductor light-emitting device, comprising producing a reflector for a semiconductor light-emitting device using a reflector composition for a semiconductor light-emitting device.