JP6003333B2 - Lighting device - Google Patents
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Description
本発明は、光源ユニットの光を光拡散体によって拡散させる照明装置に関する。 The present invention relates to an illumination device that diffuses light from a light source unit by a light diffuser.
近年、環境問題への関心の高まりに伴い、照明装置においては、省電力且つ長寿命であることから、光源として発光ダイオード光源を用いたものが急速に普及しつつある。発光ダイオード光源から発せられる光は、直進性が高く、殆ど拡散しないため、通常、発光ダイオード光源を用いた照明装置は光拡散体を備える。
発光ダイオード光源を用いた照明装置としては、例えば、複数個の発光ダイオード光源が線状に配列された長尺の光源ユニットと、該光源ユニットの光出射側に配置されたチューブ状の光拡散体とを備え、光拡散体が、円周方向に沿って凹凸が繰り返す凹凸パターンを有するものが開示されている(特許文献1)。この照明装置における光源ユニットと光拡散体とは、光源ユニットの長手方向と光拡散体の凹凸の繰り返し方向とが直交するように配置されて、照明装置の短手方向の光拡散性を高めて指向性を低下させている。
2. Description of the Related Art In recent years, with increasing interest in environmental problems, lighting devices that use light-emitting diode light sources as light sources are rapidly spreading because of their power saving and long life. The light emitted from the light-emitting diode light source has high straightness and hardly diffuses. Therefore, an illumination device using a light-emitting diode light source usually includes a light diffuser.
Illumination devices using light emitting diode light sources include, for example, a long light source unit in which a plurality of light emitting diode light sources are arranged in a line, and a tube-shaped light diffuser disposed on the light emitting side of the light source unit And the light diffuser has a concavo-convex pattern in which the concavo-convex repeats along the circumferential direction (Patent Document 1). The light source unit and the light diffuser in this lighting device are arranged so that the longitudinal direction of the light source unit and the repetition direction of the unevenness of the light diffuser are orthogonal to improve the light diffusibility in the short direction of the lighting device. The directivity is reduced.
しかし、特許文献1における光拡散体は、凹凸の繰り返し方向のみに光を拡散させるため、凹凸の繰り返し方向と直交する方向の光拡散性が不充分であった。そのため、特許文献1に記載の照明装置では、光拡散体を通過した発光ダイオード光源の光が一定拡散方向に集中した極細い線状になっていた。
そこで、本出願人は、特願2011−242164(以下、「先願1」という。)において、凹凸が一方向に沿って繰り返す凹凸パターンを有する2つの光拡散体を、凹凸の方向が異なるように重ねて使用する照明装置を提案した。この照明装置では、2つの光拡散体のうちの一方(先願1では、「第2の凹凸パターン形成シート」と記載した。)は、凹凸のピッチを1〜30μmという微細なピッチとすることが必要であった。
本発明者らは、先願1の照明装置のコストを削減するため、第2の凹凸パターン形成シートと組み合わせる他方の光拡散体(先願1では、「第1の凹凸パターン形成シート」と記載した。)の凹凸のピッチを、大量生産に適した押出成形が容易なピッチ、具体的には200〜2000μmにすることを検討した。
しかし、第1の凹凸パターン形成シートの凹凸のピッチを200〜2000μmにすると、光拡散体を通した発光ダイオード光源の不視認性が低下する傾向があった。また、光源ユニットの光が、光源ユニットの長手方向に沿った複数の筋状の光(輝線)となり、短手方向において不均一に出光してしまう場合があった。
However, since the light diffuser in Patent Document 1 diffuses light only in the concave and convex repeat direction, the light diffusibility in the direction orthogonal to the concave and convex repeat direction is insufficient. For this reason, in the illumination device described in Patent Document 1, the light from the light-emitting diode light source that has passed through the light diffuser is in an extremely thin line shape in which the light is concentrated in a certain diffusion direction.
In view of this, the applicant of the present application has disclosed in Japanese Patent Application No. 2011-242164 (hereinafter referred to as “Prior Application 1”) two light diffusers having a concavo-convex pattern in which the concavo-convex pattern repeats along one direction so that the concavo-convex direction is different. We proposed a lighting device to be used over and over. In this lighting device, one of the two light diffusers (described as “second uneven pattern forming sheet” in the prior application 1) has an uneven pitch of 1 to 30 μm. Was necessary.
In order to reduce the cost of the lighting device of the prior application 1, the present inventors described the other light diffuser combined with the second uneven pattern forming sheet (in the prior application 1, “first uneven pattern forming sheet”). The pitch of the concavo-convex pitch of the above was studied to make the pitch suitable for mass production and easy to extrusion, specifically 200 to 2000 μm.
However, when the uneven pitch of the first uneven pattern forming sheet is 200 to 2000 μm, the invisibility of the light-emitting diode light source through the light diffuser tends to decrease. In addition, the light from the light source unit may be a plurality of streaky light (bright lines) along the longitudinal direction of the light source unit, and may be unevenly emitted in the short direction.
本発明は、各発光ダイオード光源が点状に視認されることが抑制され、光源ユニットの短手方向の光の拡散性及び短手方向の光の均一性に優れ、しかも低コスト化できる照明装置を提供することを目的とする。 The present invention suppresses each light-emitting diode light source from being viewed in the form of dots, and is excellent in light diffusibility and light uniformity in the short direction of the light source unit, and can be reduced in cost. The purpose is to provide.
本発明の照明装置は、複数個の発光ダイオード光源が線状に配列された光源ユニットと、該光源ユニットの光出射側に設けられた光拡散体とを備える照明装置において、光拡散体は、凹凸が光源ユニットの長手方向と直交する方向に対して±20°の範囲の方向に沿って一定のピッチで繰り返している波状の第1の凹凸パターンと、凹凸が光源ユニットの長手方向に対して±20°の範囲の方向に沿って繰り返していると共に隣り合う凸部同士のピッチがばらついている不規則な第2の凹凸パターンとを備え、第1の凹凸パターンは、凹凸パターンの最頻ピッチA1が200〜2000μm、最頻ピッチA1に対する凹凸の平均深さB1の比(B1/A1)が0.05〜0.4であり、第2の凹凸パターンは、第1の凹凸パターンよりも光源ユニット側に配置され、第2の凹凸パターンの凸部先端は光源ユニットと反対側に向けられ、凹凸パターンの最頻ピッチA2が1.0μmを超え30μm以下、最頻ピッチA2に対する凹凸の平均深さB2の比(B2/A2)が0.1〜3.0である。
本発明の照明装置においては、光源ユニットの光出射側に、光源ユニットを保護するカバーが設けられ、該カバーに前記第1の凹凸パターンが形成されてもよい。
The illuminating device of the present invention is an illuminating device including a light source unit in which a plurality of light-emitting diode light sources are linearly arranged, and a light diffuser provided on the light emitting side of the light source unit. A wavy first concavo-convex pattern in which the concavo-convex repeats at a constant pitch along a direction in a range of ± 20 ° with respect to a direction orthogonal to the longitudinal direction of the light source unit, and the concavo-convex form with respect to the longitudinal direction of the light source unit And an irregular second concavo-convex pattern that repeats along the direction of the range of ± 20 ° and the pitch of adjacent convex portions varies , and the first concavo-convex pattern is the most frequent pitch of the concavo-convex pattern. A 1 is 200 to 2000 μm, the ratio (B 1 / A 1 ) of the average depth B 1 of the unevenness to the most frequent pitch A 1 is 0.05 to 0.4, and the second uneven pattern is the first Light than uneven pattern Is arranged on the unit side, projection end of the second uneven patterns is directed to the opposite side of the light source unit, 30 [mu] m beyond the modal pitch A 2 is 1.0μm concavo-convex pattern following the irregularities with respect to the modal pitch A 2 the ratio of the average depth B 2 (B 2 / a 2 ) is 0.1 to 3.0.
In the illumination device of the present invention, a cover for protecting the light source unit may be provided on the light emission side of the light source unit, and the first uneven pattern may be formed on the cover.
本発明の照明装置は、各発光ダイオード光源が点状に視認されることが抑制され、光源ユニットの短手方向の光の拡散性及び短手方向の光の均一性に優れ、しかも低コスト化できる。 The illuminating device of the present invention suppresses each light emitting diode light source from being viewed in the form of dots, and is excellent in light diffusibility and light uniformity in the short direction of the light source unit, and at low cost. it can.
本発明の照明装置の一実施形態について説明する。
図1に、本実施形態の照明装置の断面図を示す。本実施形態の照明装置1は、光源ユニット10と、光源ユニット10の光出射側に設けられた光拡散体20とを備える。
An embodiment of the lighting device of the present invention will be described.
In FIG. 1, sectional drawing of the illuminating device of this embodiment is shown. The illumination device 1 according to the present embodiment includes a light source unit 10 and a light diffuser 20 provided on the light emission side of the light source unit 10.
<光源ユニット>
本発明で使用する光源ユニットは、複数個の発光ダイオード光源が線状に配列されたものである。本実施形態で使用される光源ユニット10は、複数個の発光ダイオード光源11,11・・・が直線的に1列に配列されたものである。各発光ダイオード光源11は支持体12に固定されているものであり、砲弾型でもよいし、表面実装型でもよいし、チップオンボード型でもよい。
隣接する発光ダイオード光源11,11同士の間隔は、発光ダイオード光源11の発光強度にもよるが、1〜100mmとされていることが好ましい。隣接する発光ダイオード光源11,11同士の間隔が前記上限値以下であれば、光源ユニット10の長手方向の照度を均一化しやすい。しかし、隣接する発光ダイオード光源11,11同士の間隔を前記下限値未満とすると、発光ダイオード光源11の数が多くなるため、高コストになる。
支持体12の材質としては特に制限はなく、樹脂や金属等を適宜使用することができる。支持体12の光拡散体20側の面12aは、光の利用効率が高くなることから、金属の鏡面あるいは白色反射面とされて光反射性を有することが好ましい。
なお、本明細書では、光源ユニット10の長手方向(図1においては左右方向)のことを「X方向」という。また、光源ユニット10に対して平行で且つX方向に対して直交する方向(図1においては紙面と直交する方向)のことを「Y方向」という。また、光源ユニット10に対して垂直で且つX方向に対して直交する方向(図1においては上下方向)のことを「Z方向」という。
<Light source unit>
The light source unit used in the present invention has a plurality of light emitting diode light sources arranged in a line. The light source unit 10 used in the present embodiment is a unit in which a plurality of light emitting diode light sources 11, 11,. Each light-emitting diode light source 11 is fixed to the support 12 and may be a shell type, a surface mount type, or a chip-on-board type.
The interval between the adjacent light emitting diode light sources 11 and 11 is preferably 1 to 100 mm, although it depends on the light emission intensity of the light emitting diode light source 11. If the distance between adjacent light emitting diode light sources 11 and 11 is equal to or less than the upper limit value, the illuminance in the longitudinal direction of the light source unit 10 can be easily made uniform. However, if the interval between the adjacent light-emitting diode light sources 11 and 11 is less than the lower limit value, the number of the light-emitting diode light sources 11 increases, resulting in high cost.
There is no restriction | limiting in particular as a material of the support body 12, Resin, a metal, etc. can be used suitably. The surface 12a on the light diffuser 20 side of the support 12 is preferably made of a metal mirror surface or a white reflective surface and has light reflectivity, since the light use efficiency becomes high.
In the present specification, the longitudinal direction of the light source unit 10 (the horizontal direction in FIG. 1) is referred to as the “X direction”. A direction parallel to the light source unit 10 and orthogonal to the X direction (a direction orthogonal to the paper surface in FIG. 1) is referred to as a “Y direction”. A direction (vertical direction in FIG. 1) perpendicular to the light source unit 10 and perpendicular to the X direction is referred to as a “Z direction”.
<光拡散体>
本実施形態で使用される光拡散体20は、照明装置1の光出射側に配置された透明な第1の凹凸パターン形成体21と、光源ユニット10側に配置された透明な第2の凹凸パターン形成体22とを有する。
第1の凹凸パターン形成体21は、光源ユニット10側の面に第1の凹凸パターン21aを備え、第2の凹凸パターン形成体22は、光源ユニット10と反対側の面に第2の凹凸パターン22aを備える。
<Light diffuser>
The light diffusing body 20 used in the present embodiment includes a transparent first uneven pattern forming body 21 disposed on the light emitting side of the lighting device 1 and a transparent second uneven surface disposed on the light source unit 10 side. Pattern forming body 22.
The first concavo-convex pattern forming body 21 includes the first concavo-convex pattern 21 a on the surface on the light source unit 10 side, and the second concavo-convex pattern forming body 22 is on the surface opposite to the light source unit 10. 22a.
(第1の凹凸パターン)
第1の凹凸パターン21aは、凹凸(凹部21c、凸部21b)がY方向に対して±20°の範囲の方向に沿って一定に繰り返している波形状のパターンである。凸部21bの高さ方向(あるいは凹部21cの深さ方向)はZ方向に沿っている。また、第1の凹凸パターン21aは、凸部21bが、その幅方向の中央で最も高くなるような略半円状となっており、その稜線は直線状となっている。よって、第1の凹凸パターン21aは、レンチキュラーレンズ様のパターンとなっている(図2参照)。
第1の凹凸パターン21aの凹凸は、Y方向に対して±10°の範囲の方向に沿って繰り返すことが好ましく、Y方向に対して±5°の範囲の方向に沿って繰り返すことがより好ましく、Y方向に沿って繰り返すことが特に好ましい。第1の凹凸パターン21aの凹凸が前記範囲を超える範囲の方向に沿って繰り返すと、光源ユニット10の短手方向の光拡散性または短手方向の光の均一性が損なわれることがある。
(First uneven pattern)
The first concavo-convex pattern 21a is a wave-shaped pattern in which the concavo-convex portions (concave portion 21c and convex portion 21b) are repeatedly repeated along a direction in a range of ± 20 ° with respect to the Y direction. The height direction of the convex portion 21b (or the depth direction of the concave portion 21c) is along the Z direction. In addition, the first uneven pattern 21a has a substantially semicircular shape in which the convex portion 21b is highest at the center in the width direction, and the ridge line is linear. Therefore, the first uneven pattern 21a is a lenticular lens-like pattern (see FIG. 2).
The unevenness of the first uneven pattern 21a is preferably repeated along a direction in a range of ± 10 ° with respect to the Y direction, and more preferably repeated along a direction in a range of ± 5 ° with respect to the Y direction. It is particularly preferred to repeat along the Y direction. When the unevenness of the first uneven pattern 21a is repeated along the direction in a range exceeding the above range, the light diffusibility in the short direction or the uniformity of light in the short direction of the light source unit 10 may be impaired.
[最頻ピッチ]
第1の凹凸パターン21aの最頻ピッチA1は200〜2000μmであり、200〜1500μmであることが好ましく、200〜1000μmであることがより好ましい。最頻ピッチA1が前記下限値以下であると、押出成形による凹凸の形成が困難になる傾向にあり、前記上限値を超えると、光源ユニット10の短手方向の光の拡散性が低下する傾向がある。
[Frequent pitch]
The most frequent pitch A1 of the first uneven pattern 21a is 200 to 2000 μm, preferably 200 to 1500 μm, and more preferably 200 to 1000 μm. If the modal pitch A 1 is below the lower limit tends to become difficult to form a concave-convex by extrusion, if more than the upper limit, diffusion of light in the lateral direction of the light source unit 10 is reduced Tend.
最頻ピッチA1は、1/{√(αF1max 2+βF1max 2)}の式から求められた値である。
具体的に、最頻ピッチA1は以下の方法により求められる。
まず、第1の凹凸パターン21aの上面及び断面の光学顕微鏡による観察を行う。次いで、顕微鏡観察により得られた凹凸構造の画像をグレースケール画像に変換した後、2次元フーリエ変換を行う。このフーリエ変換像の頻度(γF1)をスムージング処理し、得られたグラフから、フーリエ変換像の中心部以外で最大頻度を示す位置(αF1max,βF1max)を求める。そして、最頻ピッチA1=1/{√(αF1max 2+βF1max 2)}の式から最頻ピッチA1を求める。
なお、第1の凹凸パターン21aの最頻ピッチA1は、ピッチの均一性が高い場合には、各ピッチの平均値とみてもよい。平均ピッチについては、顕微鏡画像から得られた断面図から、隣り合う凹部同士の水平方向の間隔をピッチとしたとき、無作為に抽出した10個以上のピッチの平均値から求めることもできる。
The most frequent pitch A 1 is a value obtained from an expression of 1 / {√ (α F1max 2 + β F1max 2 )}.
Specifically, the modal pitch A 1 is determined by the following method.
First, the upper surface and cross section of the first uneven pattern 21a are observed with an optical microscope. Subsequently, after converting the image of the concavo-convex structure obtained by microscopic observation into a gray scale image, two-dimensional Fourier transform is performed. The frequency (γ F1 ) of the Fourier transform image is smoothed , and the position (α F1max , β F1max ) indicating the maximum frequency is obtained from the obtained graph other than the central portion of the Fourier transform image. Then, a pitch A 1 modal formulas of the modal pitch A 1 = 1 / {√ ( α F1max 2 + β F1max 2)}.
Note that the most frequent pitch A1 of the first concavo-convex pattern 21a may be regarded as an average value of each pitch when the uniformity of the pitch is high. The average pitch can also be obtained from an average value of 10 or more randomly extracted pitches from the cross-sectional view obtained from the microscope image, where the horizontal interval between adjacent concave portions is defined as the pitch.
[配向度]
第1の凹凸パターン21aにおける隣り合った凸部21b,21b同士のピッチは、光拡散の均一性がより向上することから、ばらつきが小さく、一定であることが好ましい。
ここで、凹凸のピッチのばらつきの程度を配向度という。配向度が小さいほど、凹凸のピッチが一定であり、配向度が大きいほど、凹凸のピッチがばらついている。
[Orientation]
It is preferable that the pitch between the adjacent convex portions 21b and 21b in the first concave / convex pattern 21a is small and constant because the uniformity of light diffusion is further improved.
Here, the degree of variation in the uneven pitch is called the degree of orientation. The smaller the degree of orientation, the more uniform the pitch of the unevenness, and the larger the degree of orientation, the more uneven the pitch of the unevenness.
第1の凹凸パターン21aの配向度C1は0.1未満であることが好ましく、0.05以下であることが好ましく、0.01以下であることが好ましい。配向度C1が前記上限値未満であれば、第1の凹凸パターン形成体21を製造する際の押出成形の適用性がより高くなる。 The degree of orientation C 1 of the first uneven pattern 21a is preferably less than 0.1, preferably 0.05 or less, and preferably 0.01 or less. If the degree of orientation C 1 is less than the upper limit value, the applicability of extrusion in the production of the first uneven patterns forming body 21 becomes higher.
配向度C1は、以下の方法により求められる。
まず、最頻ピッチA1を求める際に得たフーリエ変換像を利用し、αF1軸上に最大照度部分が一致するようにθ回転したフーリエ変換像を作成する。次いで、(αF1max,βF1max)を通るβF1軸に平行補助線β’F1を引き、補助線β’F1を横軸とし、補助線β’F1上の照度(γF1軸)を縦軸としたβ’F1−γF1図を作成する。次いで、β’F1−γF1図のβ’F1軸の値を最頻ピッチA1の逆数(1/A1)で割ったβ”F1−γF1図を作成し、このβ”F1−γF1図からピークの半値幅W(頻度が最大値の半分になる高さでのピークの幅)を求める。この半値幅は配向度C1を表す。
Orientation degree C 1 is determined by the following method.
First, a Fourier transform image obtained by obtaining the most frequent pitch A 1 is used to create a Fourier transform image rotated by θ so that the maximum illuminance portion coincides with the α F1 axis. Next, a parallel auxiliary line β ′ F1 is drawn on the β F1 axis passing through (α F1max , β F1max ), the auxiliary line β ′ F1 is taken as the horizontal axis, and the illuminance (γ F1 axis) on the auxiliary line β ′ F1 is taken as the vertical axis. A β ′ F1- γ F1 diagram is created. Next, a β ″ F1− γ F1 diagram is created by dividing the value of the β ′ F1 axis of the β ′ F1− γ F1 diagram by the reciprocal (1 / A 1 ) of the most frequent pitch A 1 , and this β ″ F1 −γ The half width W of the peak (the width of the peak at a height at which the frequency is half the maximum value) is obtained from the F1 diagram. The half-width represents the degree of orientation C 1.
[アスペクト比]
第1の凹凸パターン21aにおける最頻ピッチA1に対する凹凸の平均深さB1の比(B1/A1、すなわち「アスペクト比」)は0.05〜0.4であり、0.07〜0.25であることが好ましく、0.08〜0.22であることがより好ましい。
(B1/A1)が前記下限値未満であると、光源ユニット10の短手方向の光拡散性が低下する傾向にあり、前記上限値を超えると、発光ダイオード光源11が点状に視認されやすくなり、また、光源ユニット10の短手方向の光の均一性が低くなる傾向にある。とりわけアスペクト比が高くなると、短手方向の拡散性は上がるものの、押出成形法によって成形体を得る場合、形状に乱れが生じやすくなり、輝線が出てしまうおそれがある。
[aspect ratio]
The ratio (B 1 / A 1 , that is, “aspect ratio”) of the average depth B 1 of the unevenness to the most frequent pitch A 1 in the first uneven pattern 21 a is 0.05 to 0.4, 0.07 to It is preferably 0.25, and more preferably 0.08 to 0.22.
When (B 1 / A 1 ) is less than the lower limit value, the light diffusibility in the short direction of the light source unit 10 tends to decrease, and when the upper limit value is exceeded, the light-emitting diode light source 11 is visible in a dot shape. In addition, the uniformity of light in the short direction of the light source unit 10 tends to be low. In particular, when the aspect ratio is high, the diffusibility in the short direction increases, but when a molded body is obtained by an extrusion molding method, the shape is likely to be disturbed and bright lines may be emitted.
第1の凹凸パターン21aにおける平均深さB1は、第1の凹凸パターン21aの凸部21bのピークから凹部21cの底までの深さの平均のことを意味する。平均深さB1は次のようにして求める。すなわち、第1の凹凸パターン21aを顕微鏡により観察し、その観察からY軸方向に沿って切断した断面図を得る。1つの凹部21cの底までの深さは、両隣の2つの凸部21b,21bのピークから凹部21cの底までのZ方向の距離の和の1/2である。すなわち、1つの凹部21cの底の深さbiは、凹部21cに対して一方側の凸部21bのピークから計測した凹部21cの底の深さをLi、他方側の凸部21bのピークから計測した凹部21cの底の深さをRiとした際に、bi=(Li+Ri)/2となる。このようにして求めた各凹部21cの深さbiの平均値が平均深さB1であるが、全ての凹部21cの深さを求めることは現実的でないため、無作為に抽出した10個以上のbiから平均深さB1を求める。 Average depth B 1 of the first uneven patterns 21a means that the average depth to the bottom of the recess 21c from the peak of the convex portion 21b of the first uneven patterns 21a. Average depth B 1 represents determined as follows. That is, the first concavo-convex pattern 21a is observed with a microscope, and a cross-sectional view cut along the Y-axis direction is obtained from the observation. The depth to the bottom of one concave portion 21c is ½ of the sum of the distances in the Z direction from the peaks of the two adjacent convex portions 21b and 21b to the bottom of the concave portion 21c. That is, one depth b i of the bottom of the recess 21c is the depth L i of the bottom of the recess 21c as measured from the peak of one side of the projecting portion 21b with respect to the recess 21c, the peak of the other side of the protrusion 21b B i = (L i + R i ) / 2 where R i is the bottom depth of the recess 21c measured from the above. 10 the average value of the depth b i of each recess 21c thus determined is the average depth B 1, since it is not realistic to determine the depth of all the concave portions 21c, which is randomly The average depth B 1 is obtained from the above b i .
[材質]
第1の凹凸パターン形成体21は、1層で形成されていてもよいし、2層で形成されていてもよい。
第1の凹凸パターン形成体21が1層で構成されている場合には、透明樹脂で構成されることが好ましい。透明樹脂は、熱可塑性樹脂であってもよいし、熱硬化性樹脂(熱硬化性プレポリマーまたはモノマーの硬化物)であってもよい。熱可塑性樹脂としては、アクリル樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート等が挙げられる。熱硬化性プレポリマーとしては、エポキシアクリレート、エポキシ化油アクリレート、ウレタンアクリレート、不飽和ポリエステル、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ビニル/アクリレート、ポリエン/アクリレート、シリコーンアクリレート、ポリブタジエン、ポリスチリルメチルメタクリレート等が挙げられる。熱硬化性モノマーとしては、脂肪族アクリレート、脂環式アクリレート、芳香族アクリレート、水酸基含有アクリレート、アリル基含有アクリレート、グリシジル基含有アクリレート、カルボキシ基含有アクリレート、ハロゲン含有アクリレート等が挙げられる。
1層で構成された第1の凹凸パターン形成体21を製造する方法としては、第1の凹凸パターン21aが形成されるように開口したダイスを用いて透明樹脂を押出成形する方法(押出成形法)、切削加工などにより凹凸パターンを形成した金属ロールを型として透明樹脂に転写する方法(転写法)などが挙げられるが、大量生産に適していることから、押出成形法が好ましい。
第1の凹凸パターン形成体21が2層で構成されている場合には、前記1層で構成された凹凸パターン形成体の第1の凹凸パターン21aが形成されていない面にポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートなどのポリマーからなる基材が積層されている。
[Material]
The 1st uneven | corrugated pattern formation body 21 may be formed by 1 layer, and may be formed by 2 layers.
When the 1st uneven | corrugated pattern formation body 21 is comprised by 1 layer, it is preferable to comprise with transparent resin. The transparent resin may be a thermoplastic resin or a thermosetting resin (thermosetting prepolymer or monomer cured product). Examples of the thermoplastic resin include acrylic resin, polyolefin, polyester, and polycarbonate. Examples of thermosetting prepolymers include epoxy acrylate, epoxidized oil acrylate, urethane acrylate, unsaturated polyester, polyester acrylate, polyether acrylate, vinyl / acrylate, polyene / acrylate, silicone acrylate, polybutadiene, and polystyrylmethyl methacrylate. It is done. Examples of the thermosetting monomer include aliphatic acrylate, alicyclic acrylate, aromatic acrylate, hydroxyl group-containing acrylate, allyl group-containing acrylate, glycidyl group-containing acrylate, carboxy group-containing acrylate, and halogen-containing acrylate.
As a method for manufacturing the first concave / convex pattern forming body 21 composed of one layer, a method of extruding a transparent resin using an opening die so that the first concave / convex pattern 21a is formed (extrusion molding method). ), A method of transferring a metal roll on which a concavo-convex pattern has been formed by cutting or the like to a transparent resin as a mold (transfer method), and the like. The extrusion method is preferable because it is suitable for mass production.
When the first concavo-convex pattern formed body 21 is composed of two layers, the surface of the concavo-convex pattern formed body composed of the one layer on which the first concavo-convex pattern 21a is not formed is polyethylene terephthalate, A substrate made of a polymer such as polymethyl methacrylate is laminated.
第1の凹凸パターン形成体21においては、光透過率等の光学性能を大きく損なわない範囲内で、無機化合物からなる無機光拡散剤、有機化合物からなる有機光拡散剤等の光拡散剤を含むことが好ましい。これら光拡散材を含めば、光拡散効果がより高くなり、発光ダイオード光源が点状に抑制されることをより抑制できる。
無機光拡散剤としては、シリカ、ホワイトカーボン、タルク、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化チタン、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、ガラス、マイカ等が挙げられる。
有機光拡散剤としては、スチレン系重合体粒子、アクリル系重合体粒子、シロキサン系重合体粒子等が挙げられる。これらの光拡散剤はそれぞれ単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
光拡散剤の含有量は、光透過性を損ないにくいことから、第1の凹凸パターン形成体21を構成する樹脂100質量部に対して10質量部以下であることが好ましい。
The first concavo-convex pattern forming body 21 includes a light diffusing agent such as an inorganic light diffusing agent composed of an inorganic compound and an organic light diffusing agent composed of an organic compound within a range that does not significantly impair optical performance such as light transmittance. It is preferable. When these light diffusing materials are included, the light diffusing effect is further enhanced, and the light-emitting diode light source can be further suppressed from being suppressed in a dot shape.
Examples of the inorganic light diffusing agent include silica, white carbon, talc, magnesium oxide, zinc oxide, titanium oxide, calcium carbonate, aluminum hydroxide, barium sulfate, glass, mica and the like.
Examples of the organic light diffusing agent include styrene polymer particles, acrylic polymer particles, and siloxane polymer particles. These light diffusing agents can be used alone or in combination of two or more.
The content of the light diffusing agent is preferably 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the resin constituting the first concavo-convex pattern forming body 21 because the light transmittance is hardly impaired.
通常、光源ユニット10の光出射側には、光源ユニット10を保護するカバーが設けられる。そのカバー自体を第1の凹凸パターン形成体21とし、カバーに第1の凹凸パターン21aを形成してもよい。第1の凹凸パターン21aの最頻ピッチA1が前記範囲であると、押出成形が容易であるため、押出成形によってカバーを作製すると同時に第1の凹凸パターン21aを形成できる。これにより、第1の凹凸パターン形成体21を第2の凹凸パターン形成体22に組み合わせる作業が容易になる。
カバー自体が第1の凹凸パターン形成体21である場合、その材質は、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレンが好ましい。
カバーの厚さは0.5〜3mmが好ましく、0.7〜2.0mmであることがより好ましい。カバーの厚さが前記下限値以上であれば、第1の凹凸パターン21aが透けて見えることを防止でき、前記上限値以下であれば、充分な光透過率を確保できる。
Usually, a cover for protecting the light source unit 10 is provided on the light emitting side of the light source unit 10. The cover itself may be used as the first uneven pattern forming body 21, and the first uneven pattern 21a may be formed on the cover. When the most frequent pitch A1 of the first concavo-convex pattern 21a is in the above range, extrusion molding is easy. Therefore, the first concavo-convex pattern 21a can be formed simultaneously with the production of the cover by extrusion molding. Thereby, the operation | work which combines the 1st uneven | corrugated pattern formation body 21 with the 2nd uneven | corrugated pattern formation body 22 becomes easy.
When the cover itself is the first concavo-convex pattern forming body 21, the material is preferably acrylic resin, polycarbonate, or polystyrene.
The thickness of the cover is preferably 0.5 to 3 mm, and more preferably 0.7 to 2.0 mm. If the cover thickness is equal to or greater than the lower limit value, the first uneven pattern 21a can be prevented from being seen through, and if the cover thickness is equal to or less than the upper limit value, sufficient light transmittance can be ensured.
(第2の凹凸パターン)
第2の凹凸パターン22aは、凹凸(凹部22c、凸部22b)がX方向に対して±20°の範囲の方向に沿って繰り返している波形状のパターンである(図3参照)。凸部22bの先端は丸みを帯びており、凸部22bの高さ方向(あるいは凹部22cの深さ方向)はZ方向に沿っている。
第2の凹凸パターン22aの凹凸は、X方向に対して±10°の範囲の方向に沿って繰り返すことが好ましく、X方向に対して±5°の範囲の方向に沿って繰り返すことがより好ましく、X方向に沿って繰り返すことが特に好ましい。第2の凹凸パターン22aにおいて、凹凸が前記範囲を超える範囲の方向に沿って繰り返すと、光源ユニット10の長手方向の光拡散性または長手方向の光の均一性が損なわれることがある。
また、第2の凹凸パターン22aの繰り返し方向は、第1の凹凸パターン21aの繰り返し方向と90°±20°の範囲で交差することが好ましく、90°±10°の範囲で交差することがより好ましく、90°で交差することが特に好ましい。
(Second uneven pattern)
The second concavo-convex pattern 22a is a wave-shaped pattern in which the concavo-convex portions (concave portion 22c and convex portion 22b) are repeated along a direction in a range of ± 20 ° with respect to the X direction (see FIG. 3). The tip of the convex portion 22b is rounded, and the height direction of the convex portion 22b (or the depth direction of the concave portion 22c) is along the Z direction.
The unevenness of the second uneven pattern 22a is preferably repeated along a direction within a range of ± 10 ° with respect to the X direction, and more preferably repeated along a direction within a range of ± 5 ° with respect to the X direction. It is particularly preferred to repeat along the X direction. In the second concavo-convex pattern 22a, when the concavo-convex is repeated along the direction of the range exceeding the range, the light diffusibility in the longitudinal direction of the light source unit 10 or the uniformity of light in the longitudinal direction may be impaired.
In addition, the repeating direction of the second uneven pattern 22a preferably intersects the repeating direction of the first uneven pattern 21a within a range of 90 ° ± 20 °, and more preferably intersects within a range of 90 ° ± 10 °. It is preferable to cross at 90 °.
[最頻ピッチ]
第2の凹凸パターン22aの最頻ピッチA2は1μmを超え30μm以下であり、1μmを超え25μm以下であることが好ましく、1μmを超え20μm以下であることがより好ましい。最頻ピッチA2が前記下限値以下であると、光の拡散性が低下する傾向があり、前記上限値を超えると、輝線が出やすくなる場合がある。
[Frequent pitch]
The most frequent pitch A2 of the second uneven pattern 22a is more than 1 μm and 30 μm or less, preferably more than 1 μm and 25 μm or less, more preferably more than 1 μm and 20 μm or less. If the modal pitch A 2 is not more than the lower limit, there is a tendency that the diffusion of the light is reduced, if it exceeds the upper limit, there is a case where the bright line is readily released.
最頻ピッチA2は、1/{√(αF2max 2+βF2max 2)}の式から求められた値である。
具体的に、最頻ピッチA2は以下の方法により求められる。
まず、第2の凹凸パターン22aの上面及び断面の電子顕微鏡による写真観察を行う。次いで、顕微鏡観察により得られた凹凸構造の画像をグレースケール画像に変換した後、2次元フーリエ変換を行う。このフーリエ変換像の頻度(γF2)をスムージング処理し、得られたグラフから、フーリエ変換像の中心部以外で最大頻度を示す位置(αF2max,βF2max)を求める。そして、最頻ピッチA2=1/{√(αF2max 2+βF2max 2)}の式から最頻ピッチA2を求める。
The most frequent pitch A 2 is a value obtained from an expression of 1 / {√ (α F2max 2 + β F2max 2 )}.
Specifically, the modal pitch A 2 is obtained by the following method.
First, the top surface and cross section of the second uneven pattern 22a are observed with an electron microscope. Subsequently, after converting the image of the concavo-convex structure obtained by microscopic observation into a gray scale image, two-dimensional Fourier transform is performed. The frequency (γ F2 ) of the Fourier transform image is smoothed , and the position (α F2max , β F2max ) indicating the maximum frequency is obtained from the obtained graph other than the center portion of the Fourier transform image. Then, a pitch A 2 modal formulas of the modal pitch A 2 = 1 / {√ ( α F2max 2 + β F2max 2)}.
[配向度]
第2の凹凸パターン22aの稜線は蛇行して、隣り合った凸部22b,22b同士のピッチが第2の凹凸パターン22aの方向に沿ってばらついている。
第2の凹凸パターン22aの配向度C2は0.1〜0.5であることが好ましい。配向度C2が0.1〜0.5であれば、第2の凹凸パターン22aのピッチのばらつきが大きいため、光源ユニット10の短手方向の光の均一性がより高くなる。配向度C2が0.5を超えると、第2の凹凸パターン22aの方向性が低くなりすぎて、照度が低くなる傾向にある。
配向度を上記所定の範囲にするためには、第2の凹凸パターン形成体22を製造する際の収縮応力の作用方法を適宜選択すればよい。
[Orientation]
The ridgeline of the second concavo-convex pattern 22a meanders, and the pitch between the adjacent convex portions 22b, 22b varies along the direction of the second concavo-convex pattern 22a.
The degree of orientation C2 of the second uneven pattern 22a is preferably 0.1 to 0.5. If the degree of orientation C 2 is 0.1 to 0.5, for variations in the pitch of the second uneven patterns 22a is large, the uniformity of the lateral direction of the light source unit 10 becomes higher. When the degree of orientation C 2 is more than 0.5, too direction is low in the second uneven patterns 22a, tends to illuminance is low.
In order to make the degree of orientation within the predetermined range, a method of applying contraction stress when manufacturing the second concavo-convex pattern forming body 22 may be appropriately selected.
配向度C2は、以下の方法により求められる。
まず、最頻ピッチA2を求める際に得たフーリエ変換像を利用し、αF2軸上に最大照度部分が一致するようにθ回転したフーリエ変換像を作成する。次いで、(αF2max,βF2max)を通るβF2軸に平行補助線β’F2を引き、補助線β’F2を横軸とし、補助線β’F2上の照度(γF2軸)を縦軸としたβ’F2−γF2図を作成する。次いで、β’F2−γF2図のβ’F2軸の値を最頻ピッチA2の逆数(1/A2)で割ったβ”F2−γF2図を作成し、このβ”F2−γF2図からピークの半値幅W(頻度が最大値の半分になる高さでのピークの幅)を求める。この半値幅は配向度C2を表す。
Orientation degree C 2 is determined by the following method.
First, a Fourier transform image obtained when obtaining the most frequent pitch A 2 is used to create a Fourier transform image rotated by θ so that the maximum illuminance portion coincides with the α F2 axis. Next, the parallel auxiliary line β ′ F2 is drawn on the β F2 axis passing through (α F2max , β F2max ), the auxiliary line β ′ F2 is taken as the horizontal axis, and the illuminance (γ F2 axis) on the auxiliary line β ′ F2 is taken as the vertical axis. A β ′ F2- γ F2 diagram is created. Next, a β ″ F2− γ F2 diagram is created by dividing the value of the β ′ F2 axis of the β ′ F2− γ F2 diagram by the reciprocal (1 / A 2 ) of the most frequent pitch A 2 , and this β ″ F2 −γ The half width W of the peak (the width of the peak at a height at which the frequency is half the maximum value) is obtained from the F2 diagram. The half-width represents the degree of orientation C 2.
[アスペクト比]
第2の凹凸パターン22aにおける最頻ピッチA2に対する凹凸の平均深さB2の比(B2/A2、すなわち「アスペクト比」)は0.1〜3.0であり、0.5〜2.5であることが好ましく、0.5〜1.0であることがより好ましい。
(B2/A2)が前記下限値未満であると、光源ユニット10の長手方向の光拡散性が低下する傾向にあり、前記上限値を超えると、発光ダイオード光源11が点状に視認されやすくなり、また、光源ユニット10の長手方向の光の均一性が低くなる傾向にある。
[aspect ratio]
The ratio (B 2 / A 2 , that is, “aspect ratio”) of the average depth B 2 of the unevenness to the most frequent pitch A 2 in the second uneven pattern 22 a is 0.1 to 3.0, 0.5 to It is preferable that it is 2.5, and it is more preferable that it is 0.5-1.0.
If (B 2 / A 2 ) is less than the lower limit value, the light diffusibility in the longitudinal direction of the light source unit 10 tends to decrease, and if the upper limit value is exceeded, the light-emitting diode light source 11 is visually recognized in the form of dots. In addition, the uniformity of light in the longitudinal direction of the light source unit 10 tends to be low.
第2の凹凸パターン22aにおける平均深さB2は、第2の凹凸パターン22aの凸部22bのピークから凹部22cの底までの深さの平均のことを意味する。平均深さB2は、凸部21bを凸部22bに、凹部21cを凹部22cに置き換える以外は、第1の凹凸パターン21aの平均深さB1の測定方法と同様にして求める。 The average depth B 2 of the second uneven patterns 22a means that the average depth to the bottom of the recess 22c from the peak of the convex portion 22b of the second uneven patterns 22a. Average depth B 2 is a convex portion 21b in the convex portion 22b, except substituting the recesses 21c in the recess 22c, calculated in the same manner as in the method of measuring the average depth B 1 of the first uneven patterns 21a.
[材質]
第2の凹凸パターン形成体22は、各々、1層で形成されていてもよいし、2層で形成されていてもよい。
第2の凹凸パターン形成体22が2層で形成されている場合には、透明樹脂からなる基材と、第2の凹凸パターン形成体22を得る際の加工温度でのヤング率が基材よりも0.01〜300GPa高い硬質層とで構成されることが好ましい。ここで、加工温度は、例えば、後述する凹凸パターン形成体の製造方法における熱収縮時の加熱温度である。ヤング率は、JIS K 7113−1995に従って測定した値である。
[Material]
Each of the second uneven pattern forming bodies 22 may be formed of one layer or may be formed of two layers.
When the second concavo-convex pattern forming body 22 is formed of two layers, the base material made of a transparent resin and the Young's modulus at the processing temperature when obtaining the second concavo-convex pattern forming body 22 are higher than those of the base material. Is preferably composed of a hard layer having a height of 0.01 to 300 GPa. Here, the processing temperature is, for example, a heating temperature at the time of heat shrinkage in the method for manufacturing a concavo-convex pattern forming body, which will be described later. The Young's modulus is a value measured according to JIS K 7113-1995.
基材を構成する透明樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン、スチレン−ブタジエンブロック共重合体等のポリスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリジメチルシロキサン等のシリコーン樹脂、フッ素樹脂、ABS樹脂、ポリアミド、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリシクロオレフィンなどが挙げられる。 Examples of the transparent resin constituting the substrate include polyesters such as polyethylene terephthalate, polyolefins such as polyethylene and polypropylene, polystyrene resins such as styrene-butadiene block copolymers, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, and polydimethylsiloxane. Silicone resin, fluororesin, ABS resin, polyamide, acrylic resin, polycarbonate, polycycloolefin, and the like.
硬質層は、樹脂であってもよいし、金属または金属化合物であってもよい。
硬質層を構成する樹脂としては、基材を構成する樹脂の種類によって適宜選択されるが、例えば、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、アクリル樹脂、スチレン−アクリル共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂などを使用することができる。後述する凹凸パターン体の製造において容易に第2の凹凸パターン22aを形成できることから、硬質層を構成する樹脂のガラス転移温度Tg2と、基材を構成する樹脂のガラス転移温度Tg1との差(Tg2−Tg1)は10℃以上であることが好ましい。
硬質層が樹脂で構成される場合には、硬質層の厚さは0.05μmを超え5.0μm以下であることが好ましい。硬質層の厚みが0.05μmを超え5μm以下であれば、第2の凹凸パターン形成体22を容易に製造できる。
The hard layer may be a resin, or a metal or a metal compound.
The resin constituting the hard layer is appropriately selected depending on the type of resin constituting the base material. For example, polyvinyl alcohol, polystyrene, acrylic resin, styrene-acrylic copolymer, styrene-acrylonitrile copolymer, polyethylene terephthalate Polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyethersulfone, fluororesin, and the like can be used. The difference between the glass transition temperature Tg 2 of the resin constituting the hard layer and the glass transition temperature Tg 1 of the resin constituting the substrate, since the second uneven pattern 22a can be easily formed in the production of the uneven pattern body described later. (Tg 2 −Tg 1 ) is preferably 10 ° C. or higher.
When the hard layer is made of a resin, the thickness of the hard layer is preferably more than 0.05 μm and 5.0 μm or less. If the thickness of the hard layer is more than 0.05 μm and not more than 5 μm, the second uneven pattern forming body 22 can be easily manufactured.
硬質層を構成する金属としては、金、アルミニウム、銀、銅、ゲルマニウム、インジウム、マグネシウム、ニオブ、パラジウム、鉛、白金、シリコン、スズ、チタン、バナジウム、亜鉛、ビスマス等が挙げられる。
硬質層を構成する金属化合物としては、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化スズ、酸化銅、酸化インジウム、酸化カドミウム、酸化鉛、酸化ケイ素、フッ化バリウム、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、硫化亜鉛、ガリウムヒ素が挙げられる。
硬質層が金属または金属化合物である場合には、硬質層の厚みは1〜50nmであることが好ましい。硬質層の厚みが1nm以上であれば、硬質層に欠陥が生じにくくなり、厚みが50nm以下であれば、光透過性を充分に確保できる上に、第2の凹凸パターン形成体22を容易に製造できる。
Examples of the metal constituting the hard layer include gold, aluminum, silver, copper, germanium, indium, magnesium, niobium, palladium, lead, platinum, silicon, tin, titanium, vanadium, zinc, and bismuth.
Examples of the metal compound constituting the hard layer include titanium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, magnesium oxide, tin oxide, copper oxide, indium oxide, cadmium oxide, lead oxide, silicon oxide, barium fluoride, calcium fluoride, and fluoride. Examples include magnesium, zinc sulfide, and gallium arsenide.
When the hard layer is a metal or a metal compound, the thickness of the hard layer is preferably 1 to 50 nm. If the thickness of the hard layer is 1 nm or more, defects are less likely to occur in the hard layer, and if the thickness is 50 nm or less, sufficient light transmission can be secured and the second uneven pattern forming body 22 can be easily formed. Can be manufactured.
2層で構成された第2の凹凸パターン形成体22を製造する方法としては、加熱収縮性フィルムからなる透明樹脂製の基材の片面に硬質層を設けて積層フィルムを形成し、前記積層フィルムを加熱して前記基材を収縮させることにより、前記硬質層を折り畳むように変形させる方法が挙げられる。このように硬質層を折り畳むように変形させることで、第2の凹凸パターン22aを形成できる。 As a method for producing the second uneven pattern forming body 22 composed of two layers, a laminated film is formed by providing a hard layer on one side of a transparent resin base material made of a heat-shrinkable film, and the laminated film. There is a method in which the hard layer is deformed to be folded by heating the substrate to shrink the substrate. Thus, the 2nd uneven | corrugated pattern 22a can be formed by changing so that a hard layer may be folded.
第2の凹凸パターン形成体22が1層で構成されている場合には、透明樹脂で構成されることが好ましい。透明樹脂は、熱可塑性樹脂であってもよいし、熱硬化性樹脂(熱硬化性プレポリマーまたはモノマーの硬化物)であってもよい。熱可塑性樹脂としては、アクリル樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル等が挙げられる。熱硬化性プレポリマーとしては、エポキシアクリレート、エポキシ化油アクリレート、ウレタンアクリレート、不飽和ポリエステル、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ビニル/アクリレート、ポリエン/アクリレート、シリコーンアクリレート、ポリブタジエン、ポリスチリルメチルメタクリレート等が挙げられる。熱硬化性モノマーとしては、脂肪族アクリレート、脂環式アクリレート、芳香族アクリレート、水酸基含有アクリレート、アリル基含有アクリレート、グリシジル基含有アクリレート、カルボキシ基含有アクリレート、ハロゲン含有アクリレート等が挙げられる。
1層で構成された凹凸パターン形成体を製造する方法としては、上記2層で構成された凹凸パターン形成体の第2の凹凸パターン22aが形成された面に、ニッケルなどでめっきを行ってニッケルスタンパーを作製し、得られたニッケルスタンパーを型として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂または紫外線硬化性樹脂に転写させる方法(以下、「転写法」という。)が挙げられる。
前記1層で構成された凹凸パターン形成体は第2の凹凸パターン22aが形成されていない面にはポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートなどのポリマーからなる基材が積層されていてもよい。
When the 2nd uneven | corrugated pattern formation body 22 is comprised by 1 layer, it is preferable to comprise with transparent resin. The transparent resin may be a thermoplastic resin or a thermosetting resin (thermosetting prepolymer or monomer cured product). Examples of the thermoplastic resin include acrylic resin, polyolefin, polyester, and the like. Examples of thermosetting prepolymers include epoxy acrylate, epoxidized oil acrylate, urethane acrylate, unsaturated polyester, polyester acrylate, polyether acrylate, vinyl / acrylate, polyene / acrylate, silicone acrylate, polybutadiene, and polystyrylmethyl methacrylate. It is done. Examples of the thermosetting monomer include aliphatic acrylate, alicyclic acrylate, aromatic acrylate, hydroxyl group-containing acrylate, allyl group-containing acrylate, glycidyl group-containing acrylate, carboxy group-containing acrylate, and halogen-containing acrylate.
As a method for producing a concavo-convex pattern formed body composed of one layer, nickel is plated on the surface of the concavo-convex pattern formed body composed of the two layers on which the second concavo-convex pattern 22a is formed. A method of producing a stamper and transferring the obtained nickel stamper to a thermoplastic resin, a thermosetting resin, or an ultraviolet curable resin (hereinafter referred to as “transfer method”) is used.
The concavo-convex pattern formed body composed of one layer may be laminated with a base material made of a polymer such as polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, etc. on the surface where the second concavo-convex pattern 22a is not formed.
第2の凹凸パターン形成体22においても、第1の凹凸パターン形成体21と同様に、より光拡散効果を高める目的で、無機光拡散剤や有機光拡散剤等の光拡散剤を含んでもよい。 Similarly to the first concavo-convex pattern forming body 21, the second concavo-convex pattern forming body 22 may contain a light diffusing agent such as an inorganic light diffusing agent or an organic light diffusing agent for the purpose of enhancing the light diffusing effect. .
<作用効果>
本実施形態の照明装置1では、光源ユニット10から出射した光は、第2の凹凸パターン形成体22に入射する。第2の凹凸パターン形成体22に入射した光は、第2の凹凸パターン形成体22を透過した後、第2の凹凸パターン22aにて主にX方向に拡散し、出射する。第2の凹凸パターン形成体22から出射し、第1の凹凸パターン形成体21に到達した光は、第1の凹凸パターン21aにて主にY方向に拡散し、第1の凹凸パターン形成体21を透過した後、出射する。したがって、第1の凹凸パターン形成体21と第2の凹凸パターン形成体22とが組み合わされた光拡散体20によれば、X方向およびY方向の両方向に光源ユニット10からの光を拡散させることができる。
また、第1の凹凸パターン形成体21及び第2の凹凸パターン形成体22の各々の最頻ピッチとアスペクト比が上記範囲内にあることで、各発光ダイオード光源11が点状に視認されることが抑制され、光源ユニット10の短手方向の光の拡散性及び短手方向の光の均一性に優れる。
また、第1の凹凸パターン形成体21は押出成形により大量生産可能であるため、照明装置1は低コスト化が可能である。
<Effect>
In the illuminating device 1 of this embodiment, the light emitted from the light source unit 10 enters the second uneven pattern forming body 22. The light incident on the second concavo-convex pattern forming body 22 is transmitted through the second concavo-convex pattern forming body 22, and then diffused and emitted mainly in the X direction by the second concavo-convex pattern 22a. The light emitted from the second concavo-convex pattern forming body 22 and reaching the first concavo-convex pattern forming body 21 is diffused mainly in the Y direction in the first concavo-convex pattern 21 a, and the first concavo-convex pattern forming body 21. After passing through, the light is emitted. Therefore, according to the light diffuser 20 in which the first uneven pattern forming body 21 and the second uneven pattern forming body 22 are combined, the light from the light source unit 10 is diffused in both the X direction and the Y direction. Can do.
Moreover, each light emitting diode light source 11 is visually recognized as a dot shape because the most frequent pitch and the aspect ratio of each of the first uneven pattern forming body 21 and the second uneven pattern forming body 22 are within the above range. Is suppressed, and the light source unit 10 has excellent light diffusibility in the short-side direction and uniformity of light in the short-side direction.
Moreover, since the 1st uneven | corrugated pattern formation body 21 can be mass-produced by extrusion molding, the illuminating device 1 can reduce cost.
<他の実施形態>
なお、本発明は、上記実施形態に限定されない。
光源ユニット10は、複数個の発光ダイオード光源11,11・・・が直線的に複数列に配列された直線状のものでもよい。複数個の発光ダイオード光源11,11・・・が直線的に複数列に配列されている場合、X方向(光源ユニット10の長手方向)と直交するY方向でも発光ダイオード光源11,11同士が直線的に並ぶように配置されていてもよいが、その配置に限定されるものではない。例えば、発光ダイオード光源11,11がY方向ではジグザグに配置されてもよい。
複数個の発光ダイオード光源11,11・・・が直線的に複数列に配列されている場合には、X方向の長さCと、Y方向の長さDとの比(C/D)が2以上にされる。ここで、X方向の長さCは、具体的には、X方向の両端の発光ダイオード光源間の長さであり、Y方向の長さDは、Y方向の両端の発光ダイオード光源間の長さである。C/Dが前記下限値未満では、上記光拡散体20を用いても照度は充分に高くならない。C/Dは5〜500であることが好ましく、10〜300であることがより好ましい。
また、上記実施形態で使用する第1の凹凸パターン形成体21の凹凸の繰り返しは一定でなくてもよい。また、第1の凹凸パターン形成体21は、光源ユニット10の反対側の面に第1の凹凸パターン21aを備えてもよい。
また、上記実施形態で使用する第2の凹凸パターン形成体22の凹凸は蛇行せず、直線状であってもよい。
<Other embodiments>
In addition, this invention is not limited to the said embodiment.
The light source unit 10 may be a linear unit in which a plurality of light emitting diode light sources 11, 11... Are linearly arranged in a plurality of rows. When the plurality of light-emitting diode light sources 11, 11... Are linearly arranged in a plurality of rows, the light-emitting diode light sources 11, 11 are also straight in the Y direction orthogonal to the X direction (longitudinal direction of the light source unit 10). However, the arrangement is not limited to this. For example, the light emitting diode light sources 11 and 11 may be arranged in a zigzag manner in the Y direction.
When the plurality of light-emitting diode light sources 11, 11... Are linearly arranged in a plurality of rows, the ratio (C / D) of the length C in the X direction to the length D in the Y direction. 2 or more. Here, the length C in the X direction is specifically the length between the light emitting diode light sources at both ends in the X direction, and the length D in the Y direction is the length between the light emitting diode light sources at both ends in the Y direction. That's it. When C / D is less than the lower limit, the illuminance is not sufficiently increased even if the light diffuser 20 is used. C / D is preferably 5 to 500, and more preferably 10 to 300.
Moreover, the repetition of the unevenness of the first uneven pattern forming body 21 used in the above embodiment may not be constant. Further, the first uneven pattern forming body 21 may include the first uneven pattern 21 a on the opposite surface of the light source unit 10.
Moreover, the unevenness | corrugation of the 2nd uneven | corrugated pattern formation body 22 used by the said embodiment does not meander, and may be linear form.
(製造例1)凹凸パターン形成体の作製
ポリメタクリル酸メチル(藤倉化成社製LH−101−10、質量平均分子量560000、重合分散度(Mw/Mn)3.4、ガラス転移温度100℃)のトルエン溶液を、グラビアコーティングにより、1軸方向(幅方向)に主に加熱収縮する厚さ50μmの矩形状枚葉のポリエチレンテレフタレートシュリンクフィルム(三菱樹脂社製ヒシペットLX−61S、ガラス転移温度70℃)の片面上に、乾燥後の塗工厚さが2μmになるように塗工した。これにより、ポリエチレンテレフタレートシュリンクフィルムの両面に表面平滑層が形成された積層シートを得た。
次いで、上記積層シートを100℃で1分間加熱することにより、加熱前の長さの40%に熱収縮させ(すなわち、収縮率60%で収縮させ)、硬質層が、収縮方向に対して直交方向に沿って周期性を有する波状の凹凸パターンを有する凹凸パターン形成体原版を得た。
次いで、得られた凹凸パターン形成体原版の凹凸パターンが形成された面に、ニッケルめっきを施し、そのニッケルめっきを剥離することにより、厚さ300μmのニッケルめっきスタンパーを得た。このニッケルめっきスタンパーの凹凸パターンが形成された面にエポキシアクリレート系プレポリマー、2−エチルヘキシルアクリレート及びベンゾフェノン系光重合開始剤を含む未硬化の紫外線硬化性樹脂組成物を塗工した。
次いで、未硬化の紫外線硬化性樹脂組成物の塗膜のニッケルめっきスタンパーと接していない面に厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを重ね合わせ、押圧して、密着させた。
次いで、ポリエチレンテレフタレートフィルムの上から紫外線を照射し、未硬化の紫外線硬化性樹脂組成物を硬化させ、それにより得た硬化物をニッケルめっきスタンパーから剥離させた。
これにより、一方向に沿って凹凸が繰り返し形成されていると共にその凹凸が蛇行した波形状の凹凸パターン(最頻ピッチA2:17.2μm、最頻ピッチA2に対する凹凸の平均深さB2の比(B2/A2):0.6、配向度:0.3)を有するシート状の凹凸パターン形成体を得た。
(Manufacturing example 1) Preparation of uneven | corrugated pattern formation body Polymethyl methacrylate (LH-101-10 by Fujikura Kasei Co., Ltd., mass average molecular weight 560000, polymerization dispersion degree (Mw / Mn) 3.4, glass transition temperature 100 degreeC). 50 μm thick polyethylene terephthalate shrink film (Mitsubishi Resin Hissippet LX-61S, glass transition temperature 70 ° C.) having a thickness of 50 μm that is heated and shrunk mainly in a uniaxial direction (width direction) by gravure coating. On one side of the coating, the coating thickness after drying was 2 μm. Thereby, the lamination sheet in which the surface smooth layer was formed on both surfaces of the polyethylene terephthalate shrink film was obtained.
Next, the laminated sheet is heated at 100 ° C. for 1 minute to cause heat shrinkage to 40% of the length before heating (ie, shrink at a shrinkage rate of 60%), and the hard layer is orthogonal to the shrinking direction. An uneven pattern forming body original plate having a wavy uneven pattern having periodicity along the direction was obtained.
Subsequently, the surface on which the concavo-convex pattern was formed of the obtained concavo-convex pattern forming original plate was subjected to nickel plating, and the nickel plating was peeled off to obtain a nickel plating stamper having a thickness of 300 μm. An uncured ultraviolet curable resin composition containing an epoxy acrylate prepolymer, 2-ethylhexyl acrylate, and a benzophenone photopolymerization initiator was applied to the surface of the nickel plating stamper on which the concavo-convex pattern was formed.
Next, a polyethylene terephthalate film having a thickness of 100 μm was placed on the surface of the uncured UV curable resin composition coating film not in contact with the nickel plating stamper, and pressed to bring it into close contact.
Next, ultraviolet rays were irradiated from above the polyethylene terephthalate film to cure the uncured ultraviolet curable resin composition, and the cured product thus obtained was peeled from the nickel plating stamper.
Accordingly, the waveform shape of the uneven pattern in which the asperities meanders with irregularities along one direction are repeatedly formed (modal pitch A 2: 17.2μm, the average depth of the irregularities for the modal pitch A 2 B 2 the ratio of (B 2 / a 2): 0.6, the orientation degree: 0.3) to obtain a sheet-like concavo-convex pattern formed body having a.
(製造例2)光源ユニットAの作製
複数個の発光ダイオード光源を、長さが6cmになるように、アルミニウム基板上に直線的に1列に取り付け、これらを円筒状で凹凸パターンが形成されていないポリカーボネート製のカバーaの内部に挿入して、光源ユニットAを作製した。
(Production Example 2) Production of light source unit A A plurality of light emitting diode light sources are linearly mounted on an aluminum substrate so as to have a length of 6 cm, and these are cylindrical and have a concavo-convex pattern. The light source unit A was produced by inserting it into the inside of a polycarbonate cover a.
(製造例3)光源ユニットBの作製
ポリカーボネートからなる原料を押出成形して、一方向に沿って凹凸が一定間隔で繰り返すように凹凸パターンが形成された長尺で円筒状のカバーbを得た。
本例では、凹凸パターンのピッチを550μm、凸部の平均深さを45μm(すなわち、アスペクト比B1/A1は0.08である。)とした。また、凹凸パターンは、円筒の内側(発光ダイオード光源側)に形成し、その凹凸は、カバーの長手方向(X方向)と直交する方向(Y方向)に沿って周期的に繰り返すものとした。そして、カバーaの代わりにカバーbを用いた以外は製造例2と同様にして光源ユニットBを作製した。
(Production Example 3) Production of light source unit B A raw material made of polycarbonate was extrusion-molded to obtain a long and cylindrical cover b in which a concavo-convex pattern was formed so that the concavo-convex pattern was repeated at regular intervals along one direction. .
In this example, the pitch of the concavo-convex pattern was 550 μm, and the average depth of the convex portions was 45 μm (that is, the aspect ratio B 1 / A 1 was 0.08). The uneven pattern was formed on the inner side of the cylinder (light emitting diode light source side), and the unevenness was periodically repeated along the direction (Y direction) perpendicular to the longitudinal direction (X direction) of the cover. And the light source unit B was produced like the manufacture example 2 except having used the cover b instead of the cover a.
(製造例4)光源ユニットCの作製
凹凸パターンのピッチを250μm、凸部の平均深さを55μm(すなわち、アスペクト比B1/A1は0.22である。)とした以外は製造例3と同様にしてカバーcを作製した。そして、カバーbの代わりにカバーcを用いた以外は製造例3と同様にして光源ユニットCを作製した。
Production Example 4 Production of Light Source Unit C Production Example 3 except that the pitch of the concavo-convex pattern was 250 μm and the average depth of the convex portions was 55 μm (that is, the aspect ratio B 1 / A 1 was 0.22). A cover c was produced in the same manner as described above. And the light source unit C was produced like the manufacture example 3 except having used the cover c instead of the cover b.
(製造例5)光源ユニットDの作製
ポリカーボネートからなる原料の代わりに、ポリカーボネート100質量部と体積平均粒子径5μmのポリスチレンビーズとを含む原料を用いた以外は製造例4と同様にしてカバーdを作製した。そして、カバーbの代わりにカバーdを用いた以外は製造例3と同様にして光源ユニットDを作製した。
(Production Example 5) Production of light source unit D Cover d was prepared in the same manner as in Production Example 4 except that a raw material containing 100 parts by mass of polycarbonate and polystyrene beads having a volume average particle diameter of 5 μm was used instead of the raw material made of polycarbonate. Produced. And the light source unit D was produced like the manufacture example 3 except having used the cover d instead of the cover b.
(製造例6)光源ユニットEの作製
凹凸パターンのピッチを800μm、凸部の平均深さを250μm(すなわち、アスペクト比B1/A1は0.31である。)とした以外は製造例3と同様にしてカバーeを作製した。そして、カバーbの代わりにカバーeを用いた以外は製造例3と同様にして光源ユニットEを作製した。
Production Example 6 Production of Light Source Unit E Production Example 3 except that the pitch of the concavo-convex pattern was 800 μm and the average depth of the convex portions was 250 μm (that is, the aspect ratio B 1 / A 1 was 0.31). A cover e was produced in the same manner as described above. And the light source unit E was produced like the manufacture example 3 except having used the cover e instead of the cover b.
(製造例7)光源ユニットFの作製
凹凸パターンのピッチを250μm、凸部の平均深さを105μm(すなわち、アスペクト比B1/A1は0.42である。)とした以外は製造例3と同様にしてカバーfを作製した。そして、カバーbの代わりにカバーfを用いた以外は製造例3と同様にして光源ユニットFを作製した。
Production Example 7 Production of Light Source Unit F Production Example 3 except that the pitch of the concave / convex pattern was 250 μm and the average depth of the convex portions was 105 μm (that is, the aspect ratio B 1 / A 1 was 0.42). A cover f was produced in the same manner as described above. And the light source unit F was produced like the manufacture example 3 except having used the cover f instead of the cover b.
(実施例1)
製造例1で得た凹凸パターン形成体を、製造例3で得た光学ユニットBのカバーbの内周面に、各々の凹凸が直交するように配置すると共に凹凸のある面同士が対向するように取り付けて、照明装置を得た。
Example 1
The concavo-convex pattern formed body obtained in Production Example 1 is disposed on the inner peripheral surface of the cover b of the optical unit B obtained in Production Example 3 so that the respective concavo-convex portions are orthogonal to each other, and the concavo-convex surfaces face each other. To obtain a lighting device.
(実施例2)
製造例1で得た凹凸パターン形成体を、製造例4で得た光学ユニットCのカバーcの内周面に、各々の凹凸が直交するように配置すると共に凹凸のある面同士が対向するように取り付けて、照明装置を得た。
(Example 2)
The concavo-convex pattern formed body obtained in Production Example 1 is arranged on the inner peripheral surface of the cover c of the optical unit C obtained in Production Example 4 so that the concavo-convex portions are orthogonal to each other, and the concavo-convex surfaces face each other. To obtain a lighting device.
(実施例3)
製造例1で得た凹凸パターン形成体を、製造例5で得た光学ユニットDのカバーdの内周面に、各々の凹凸が直交するように配置すると共に凹凸のある面同士が対向するように取り付けて、照明装置を得た。
(Example 3)
The concavo-convex pattern formed body obtained in Production Example 1 is arranged on the inner peripheral surface of the cover d of the optical unit D obtained in Production Example 5 so that the respective concavo-convex portions are orthogonal to each other, and the concavo-convex surfaces face each other. To obtain a lighting device.
(実施例4)
製造例1で得た凹凸パターン形成体を、製造例6で得た光学ユニットEのカバーeの内周面に、各々の凹凸が直交するように配置すると共に凹凸のある面同士が対向するように取り付けて、照明装置を得た。
Example 4
The concavo-convex pattern formed body obtained in Production Example 1 is arranged on the inner peripheral surface of the cover e of the optical unit E obtained in Production Example 6 so that the respective concavo-convex portions are orthogonal to each other, and the concavo-convex surfaces face each other. To obtain a lighting device.
(比較例1)
製造例1で得た凹凸パターン形成体を、製造例7で得た光学ユニットFのカバーfの内周面に、各々の凹凸が直交するように配置すると共に凹凸のある面同士が対向するように取り付けて、照明装置を得た。
(Comparative Example 1)
The concavo-convex pattern formed body obtained in Production Example 1 is arranged on the inner peripheral surface of the cover f of the optical unit F obtained in Production Example 7 so that the respective concavo-convex portions are orthogonal to each other, and the concavo-convex surfaces face each other. To obtain a lighting device.
(比較例2)
製造例1で得た凹凸パターン形成体を、製造例2で得た光学ユニットAのカバーaの内周面に取り付けて、照明装置を得た。
(Comparative Example 2)
The uneven | corrugated pattern formation body obtained by the manufacture example 1 was attached to the internal peripheral surface of the cover a of the optical unit A obtained by the manufacture example 2, and the illuminating device was obtained.
(参考例)
光源ユニットA(カバーaのみで製造例1の凹凸パターン形成体なし)を照明装置とした。
(Reference example)
The light source unit A (with the cover a alone and without the uneven pattern forming body of Production Example 1) was used as the lighting device.
[評価]
得られた照明装置について、発光ダイオード光源の視認しにくさ、短手方向の光の拡散性、短手方向の光の均一性を以下の方法により評価した。評価結果を表1に示す。
・発光ダイオード光源の視認しにくさ(以下、「LEDの不視認性」という。)
照明装置のカバー側の面を写真撮影し、その写真を5人の評価者が目視により観察し、以下の基準でLEDの不視認性を評価した。撮影した写真についても表1に示す。
○:評価者全員が、光源の輝点(長手方向において光源のピッチで生じる明るさムラ)が気にならないと感じた。
△:評価者のうち一人または二人が、光源の輝点が気になると感じた。
×:評価者全員が、光源の輝点が気になると感じた。
・短手方向の光の拡散性(以下、「光拡散性」という。)
LEDの不視認性の評価に用いた写真を5人の評価者が目視により観察し、以下の基準で光拡散性を評価した。
○:評価者全員が、短手方向の拡散が蛍光灯ライクの自然な広がりと感じた。
△:評価者のうち一人または二人が、拡散性が不十分で(指向性が強く)不自然に感じた。
×:評価者全員が、拡散性が不十分で不自然に感じた。
・短手方向の光の均一性(表では、「光均一性」と表記する。)
LEDの不視認性の評価に用いた写真を5人の評価者が目視により観察し、以下の基準で光均一性を評価した。
○:評価者全員が、短手方向の拡散が均一と感じた。
△:評価者のうち一人または二人が、不均一と感じた。
×:評価者全員が、不均一と感じた。
[Evaluation]
About the obtained illuminating device, the difficulty in visually recognizing the light-emitting diode light source, the light diffusibility in the short direction, and the uniformity of the light in the short direction were evaluated by the following methods. The evaluation results are shown in Table 1.
-Difficult to see light emitting diode light source (hereinafter referred to as "LED invisibility")
The cover side surface of the lighting device was photographed, and the five evaluators visually observed the photograph, and evaluated the invisibility of the LED according to the following criteria. The photograph taken is also shown in Table 1.
○: All the evaluators felt that the bright spot of the light source (brightness unevenness caused by the pitch of the light source in the longitudinal direction) was not concerned.
Δ: One or two of the evaluators felt that the bright spot of the light source was anxious.
X: All the evaluators felt that the bright spot of the light source was anxious.
-Light diffusivity in the short direction (hereinafter referred to as "light diffusibility")
Five evaluators visually observed the photograph used for the evaluation of the invisibility of the LED, and evaluated the light diffusibility according to the following criteria.
○: All the evaluators felt that the diffusion in the short direction was a natural spread of fluorescent lamp-like.
Δ: One or two of the evaluators felt unnatural diffusion (strong directivity) and unnaturalness.
X: All the evaluators felt that the diffusibility was insufficient and unnatural.
・ Light uniformity in short direction (In the table, it is expressed as “light uniformity”)
Five evaluators visually observed the photographs used for the evaluation of the LED invisibility, and evaluated the light uniformity according to the following criteria.
○: All the evaluators felt that diffusion in the short direction was uniform.
Δ: One or two of the evaluators felt uneven.
X: All the evaluators felt it was uneven.
カバーの凹凸パターンのピッチ及びアスペクト比と凹凸パターン形成体の凹凸パターンのピッチ及びアスペクト比とが本願請求項1に係る発明の範囲内にあった実施例1〜4の照明装置では、充分なLEDの不視認性が確保されていた。また、短手方向の光拡散性及び光均一性に優れていた。
カバーの凹凸パターンのアスペクト比が本願請求項1に係る発明の範囲から外れていた比較例1の照明装置では、短手方向の光均一性が低かった。
カバーに凹凸パターンがない比較例2の照明装置では、短手方向の光拡散性が低かった。
In the illumination devices of Examples 1 to 4 in which the pitch and aspect ratio of the concave and convex pattern of the cover and the pitch and aspect ratio of the concave and convex pattern of the concave and convex pattern forming body are within the scope of the invention according to claim 1, sufficient LEDs The invisibility of was secured. Moreover, it was excellent in light diffusibility and light uniformity in the short direction.
In the illumination device of Comparative Example 1 in which the aspect ratio of the uneven pattern of the cover was out of the scope of the invention according to claim 1 of the present application, the light uniformity in the short direction was low.
In the illuminating device of Comparative Example 2 in which the cover had no uneven pattern, the light diffusibility in the short direction was low.
1 照明装置
10 光源ユニット
11 発光ダイオード光源
12 支持体
20 光拡散体
21 第1の凹凸パターン形成体
21a 第1の凹凸パターン
22 第2の凹凸パターン形成体
22a 第2の凹凸パターン
21b,22b 凸部
21c,22c 凹部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Illuminating device 10 Light source unit 11 Light emitting diode light source 12 Support body 20 Light diffuser 21 1st uneven | corrugated pattern formation body 21a 1st uneven | corrugated pattern formation 22 2nd uneven | corrugated pattern formation body 22a 2nd uneven | corrugated pattern 21b, 22b Convex part 21c, 22c recess
Claims (2)
光拡散体は、凹凸が光源ユニットの長手方向と直交する方向に対して±20°の範囲の方向に沿って一定のピッチで繰り返している波状の第1の凹凸パターンと、凹凸が光源ユニットの長手方向に対して±20°の範囲の方向に沿って繰り返していると共に隣り合う凸部同士のピッチがばらついている不規則な第2の凹凸パターンとを備え、
第1の凹凸パターンは、凹凸パターンの最頻ピッチA1が200〜2000μm、最頻ピッチA1に対する凹凸の平均深さB1の比(B1/A1)が0.05〜0.4であり、
第2の凹凸パターンは、第1の凹凸パターンよりも光源ユニット側に配置され、第2の凹凸パターンの凸部先端は光源ユニットと反対側に向けられ、凹凸パターンの最頻ピッチA2が1.0μmを超え30μm以下、最頻ピッチA2に対する凹凸の平均深さB2の比(B2/A2)が0.1〜3.0である照明装置。 In an illuminating device comprising a light source unit in which a plurality of light emitting diode light sources are linearly arranged, and a light diffuser provided on the light emitting side of the light source unit,
The light diffuser includes a wavy first concavo-convex pattern in which the concavo-convex is repeated at a constant pitch along a direction in a range of ± 20 ° with respect to a direction orthogonal to the longitudinal direction of the light source unit, and the concavo-convex is the light source unit. An irregular second concavo-convex pattern that repeats along a direction in the range of ± 20 ° with respect to the longitudinal direction and the pitch of adjacent convex portions varies ,
In the first concavo-convex pattern, the most frequent pitch A 1 of the concavo-convex pattern is 200 to 2000 μm, and the ratio of the average depth B 1 of the concavo-convex to the most frequent pitch A 1 (B 1 / A 1 ) is 0.05 to 0.4. And
The second concavo-convex pattern is arranged closer to the light source unit than the first concavo-convex pattern, the convex portion tip of the second concavo-convex pattern is directed to the opposite side of the light source unit, and the most frequent pitch A 2 of the concavo-convex pattern is 1. An illumination device in which the ratio (B 2 / A 2 ) of the average depth B 2 of the unevenness to the most frequent pitch A 2 is 0.1 to 3.0, more than 0.0 μm and 30 μm or less.
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