JP6028852B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

この発明は、半導体装置に関する。

電力変換装置の低消費電力化が進む中で、電力変換装置の中心的な役割を果たすパワーデバイスの低消費電力化に対する期待は大きい。例えば、各種パワーデバイスの中でも伝導度変調効果により低オン電圧化を達成することができ、かつ、電圧駆動のゲート制御により動作制御が容易な絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ：Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の使用が定着している。ＩＧＢＴを用いることにより、高耐圧を確保して大電流を流す回路領域に配置されるパワーデバイスにおいてもスイッチングスピードが飛躍的に向上される。

しかしながら、スイッチングスピードの高速化に伴い、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）ノイズによる問題が顕在化している。特に、ＩＧＢＴのターンオン時にＥＭＩノイズを許容可能なレベルにまで抑えることが要求されるため、スイッチングスピードの高速化が制限され、スイッチング損失を十分に小さくすることができない。ＥＭＩノイズを低減するには、ＩＧＢＴと組み合わせて使用される還流ダイオード（ＦＷＤ：Ｆｒｅｅ Ｗｈｅｅｌｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）のソフトリカバリー化が重要である。

ＦＷＤのソフトリカバリー化には、アノード側のキャリア密度を低くして逆回復時の逆回復電流を小さくするとともに、キャリアの枯渇による電圧・電流波形の振動を抑制するためにカソード側のキャリア密度を高くすることが必要である。アノード側のキャリア密度を低くし、かつカソード側のキャリア密度を高くした構造として、低注入効率のアノード構造や、局所的にショットキーダイオードを配置する構造、局所的なライフタイム制御によりキャリア分布を最適化した構造が公知である。

また、近年では、アノード側のキャリア密度を低くし、かつカソード側のキャリア密度を高くした別の構造として、カソード側にフローティングの埋め込みｐ層を形成することにより、高電圧印加時にカソード側のｐｎダイオードをアバランシェさせて強制的にカソード側のキャリア密度を高くすることでソフトリカバリー化を実現した構造が提案されている（例えば、下記特許文献１，２参照。）。下記特許文献１，２に示す従来のＦＷＤについて、図２９を参照して説明する。図２９は、従来のＦＷＤの構造を示す断面図である。

図２９に示すように、従来のＦＷＤは、ｎ^-ドリフト領域１０１となるｎ^-半導体基板に、活性領域１００と、活性領域１００を囲むエッジ終端構造部（エッジ部）１１０とを備える。ｎ^-半導体基板のおもて面の表面層には、活性領域１００にｐ⁺アノード層１０２が設けられ、エッジ終端構造部１１０にフローティングのｐ型領域であるフィールドリミッティングリング（ＦＬＲ：Ｆｉｅｌｄ Ｌｉｍｉｔｉｎｇ Ｒｉｎｇ）１０８が設けられている。層間絶縁膜１０９は、エッジ終端構造部１１０においてｎ^-半導体基板のおもて面を覆う。アノード電極１０３はｐ⁺アノード層１０２の表面上に設けられ、その端部は層間絶縁膜１０９上に延在している。

ｎ^-半導体基板の裏面の表面層には、活性領域１００からエッジ終端構造部１１０にわたって、ｎ⁺カソード層１０４が設けられている。ｎ^-ドリフト領域１０１とｎ⁺カソード層１０４との間には、活性領域１００からエッジ終端構造部１１０にわたって、ｎバッファ層１０５が設けられている。ｎバッファ層１０５の内部には、ｎ⁺カソード層１０４側の表面層に、活性領域１００からエッジ終端構造部１１０にわたって所定の間隔で複数の埋め込みｐ層１０６が設けられている。埋め込みｐ層１０６は、ｎ⁺カソード層１０４に接する。カソード電極１０７は、ｎ^-半導体基板の裏面全体に設けられている。

また、別のＦＷＤとして、第１の電極と、第１の電極の上に設けられ、かつ第１導電型を有する第１の層と、第１の層の上に設けられ、かつ第１導電型と異なる第２導電型を有する第２の層と、第２の層の上に設けられた第３の層と、第３の層の上に設けられた第２の電極と、第２の層および第３の層の間に設けられ、かつ第２導電型を有する第４の層とを備え、第３の層は、第２導電型を有し、かつ第２の層の不純物濃度のピーク値に比して高い不純物濃度のピーク値を有する第１の部分と、第１導電型を有する第２の部分とを含み、第１および第２の部分の総面積に対して第２の部分の面積が占める割合は２０％以上９５％以下である装置が提案されている（例えば、下記特許文献３参照。）。

米国特許第７６３５９０９号明細書 米国特許第７８４２５９０号明細書 特開２０１０−２８３１３２号公報

しかしながら、スイッチングスピードの高速化に伴う問題として、上述したＥＭＩノイズによる問題が顕在化するという問題の他に、ＦＷＤの逆回復時に印加される最大電圧や電流変位率ｄｉ／ｄｔが安全動作領域（ＳＯＡ：Ｓａｆｅ Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ Ａｒｅａ）の範囲を超えてしまい素子破壊に至るという問題がある。この素子破壊に至る原因の一つとして、オン状態のときに非活性領域（エッジ終端構造部など）に広がったキャリアが逆回復時に活性領域のコンタクト（ｐ⁺アノード層とアノード電極との接合部）を通ってアノード電極に抜けることで、活性領域の外周部に電流集中が生じることが挙げられる。また、素子破壊に至る別の原因として、ｐ⁺アノード層の端部の曲率に起因してｐ⁺アノード層の電界強度が高くなることが挙げられる。この問題は、上述したＦＷＤのソフトリカバリー化では解消することができない。

また、図２９に示す特許文献１，２の技術では、フォトリソグラフィにより基板裏面に形成したイオン注入用マスクをマスクとして、基板裏面からイオン注入することにより複数の埋め込みｐ層１０６を形成する。このとき、イオン注入用マスクのパターニングの際に、基板おもて面のダイシングラインを基準として基板裏面での位置合わせ（アライメント）を行うこととなる。例えば６インチの直径を有するウェハに形成されるチップでは、チップサイズが１ｃｍ×１ｃｍ程度であり、エッジ終端構造部１１０の幅は０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度であるため、活性領域１００の幅は９ｍｍ〜９．９ｍｍ程度となる。このため、活性領域１００およびエッジ終端構造部１１０に細かいパターンで、デザインルールを満たし寸法精度よく複数の埋め込みｐ層１０６を形成するには、基板裏面でのアライメント精度が要求される。

基板裏面でのアライメント精度を向上させる方法として、透明なステージにおもて面を下にしてｎ^-半導体基板を載置し、ステージ側からｎ^-半導体基板に赤外線を透過させて基板おもて面のダイシングラインを検出する方法が公知である。しかしながら、この方法では、ｎ^-半導体基板のおもて面のダイシングラインをｎ^-半導体基板の裏面から検出するための特別な設備を必要とするため、コストが増大するという問題がある。

この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、ソフトリカバリー化を実現するとともに、逆回復耐量の大きい半導体装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。第１導電型の第１半導体領域の一方の面の表面層に、第２導電型の第２半導体領域が選択的に設けられている。前記第２半導体領域に接する第１電極が設けられている。前記第１半導体領域の他方の面の表面層に、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高い第１導電型の第３半導体領域が設けられている。前記第１半導体領域の内部の、前記他方の面から前記第３半導体領域よりも深い位置に、第２導電型の第４半導体領域が設けられている。前記第３半導体領域に接する第２電極が設けられている。前記第４半導体領域の、前記第１電極と前記第２半導体領域とが接触する領域の接触端部よりも内周側の部分の外周側の端部のうち最も前記接触端部に近い端部は、前記接触端部よりも少なくとも少数キャリアの拡散長分内側に位置する。

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第４半導体領域は、前記他方の面に平行な方向に互いに離して複数配置されていることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第１半導体領域の内部の、前記他方の面から前記第３半導体領域よりも深い位置に設けられた、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高く、かつ前記第３半導体領域よりも不純物濃度が低い第１導電型の第５半導体領域をさらに備える。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第３半導体領域の端部は、前記第１半導体領域の側面よりも内側に位置する。前記第３半導体領域の外側で、前記第５半導体領域と前記第２電極とが接していることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第３半導体領域の外側の前記第５半導体領域の内部に、前記第３半導体領域および前記第４半導体領域と離して設けられた第２導電型の第６半導体領域をさらに備えることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第５半導体領域は、複数回のプロトン照射により形成されてなる領域であり、前記他方の面から異なる深さで複数配置されていることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第５半導体領域は、前記他方の面から前記第４半導体領域よりも深い位置に、前記第４半導体領域と離して設けられていることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、主電流が流れる活性領域の表面積に対する、前記第４半導体領域の表面積の占有面積比率は、９０％以上９８％以下であることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記接触端部を、前記一方の面側から前記他方の面に投射した接触端部位置よりも外周側の、前記他方の面の表面積をＡ２０とする。前記第４半導体領域の、前記接触端部位置よりも外周側の部分の前記他方の面に平行な面の総表面積をＡ２１とする。前記接触端部位置よりも内周側の、前記他方の面の表面積をＡ１０とする。前記第４半導体領域の、前記接触端部位置よりも内周側の部分の前記他方の面に平行な面の総表面積をＡ１１とする。このときに、 Ａ２１／Ａ２０＜Ａ１１／Ａ１０を満たすことを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第４半導体領域の、前記接触端部を前記一方の面側から前記他方の面に投射した接触端部位置よりも内周側の部分の前記他方の面に水平な方向の長さは２５０μｍ以上であることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第４半導体領域の、前記接触端部を前記一方の面側から前記他方の面に投射した接触端部位置よりも内周側の部分の前記他方の面に水平な方向の長さＬ１は、活性領域に流れる主電流の電流密度Ｊ、電荷素量ｑ、正孔移動度μ、前記第４半導体領域の深さ方向の厚さｄ、前記第４半導体領域の不純物濃度Ｎｐ、前記第４半導体領域と前記第３半導体領域との間のｐｎ接合の内蔵電位Ｖｂｉとして、Ｌ１≧｛（ｑ・μ・ｄ・Ｎｐ・Ｖｂｉ）／Ｊ｝^1/2を満たすことを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第４半導体領域の、前記接触端部を前記一方の面側から前記他方の面に投射した接触端部位置よりも内周側の部分の外周側の端部のうち最も前記接触端部位置に近い端部と、前記接触端部位置と、が離間する離間部の間隔は２０００μｍ以下であることを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第４半導体領域は、矩形状の平面形状を有する前記第１半導体領域の、頂点を共有する２辺にそれぞれ平行な２辺を少なくとも有し、かつ当該２辺の連結部を当該２辺の交点よりも内側に位置させた平面形状を有することを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記活性領域の周囲を囲み、耐圧を保持する終端構造部と、をさらに備え、前記第４半導体領域は、前記活性領域に設けられており、前記活性領域のアバランシェ耐圧は、前記終端構造部のアバランシェ耐圧よりも低いことを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第４半導体領域の端部は、前記第３半導体領域の端部よりも内側に位置することを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第５半導体領域と前記第２電極との接触がショットキー接合であることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第１半導体領域の前記他方の面に設けられた、前記第１半導体領域と他部材とを接合する半田層をさらに備える。前記半田層は、前記他方の面から前記第１半導体領域の側面に達していることを特徴とする。

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、次の特徴を有する。第１導電型の第１半導体領域となる半導体基板の一方の主面の表面層に、第２導電型の第２半導体領域を選択的に形成する第１工程と、前記第２半導体領域に接する第１電極を形成する第２工程と、前記半導体基板の他方の主面の表面層に、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高い第１導電型の第３半導体領域を形成する第３工程と、前記半導体基板の他方の主面から前記第３半導体領域よりも深い位置に、第２導電型の第４半導体領域を形成する第４工程と、レーザーアニールにより、前記第３半導体領域および前記第４半導体領域を活性化させる第５工程と、複数回のプロトン照射により、前記半導体基板の他方の主面から前記第４半導体領域よりも深い位置に異なる深さで、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高く、かつ前記第３半導体領域よりも不純物濃度が低い第１導電型の複数の第５半導体領域を形成する第６工程と、炉アニールにより前記第５半導体領域を活性化させる第７工程と、前記第３半導体領域に接する第２電極を形成する第８工程と、を含む。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第４工程では、前記第４半導体領域の、前記第１電極と前記第２半導体領域とが接触する領域の接触端部よりも内周側の部分の外周側の端部のうち最も前記接触端部に近い端部が前記接触端部よりも少なくとも少数キャリアの拡散長分内側に位置するように、前記第４半導体領域を形成することを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第７工程の後に、キャリアのライフタイムを制御する照射工程と、該照射工程の後にライフタイムアニール工程と、を含むことを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第２工程の後に、前記半導体基板の他方の主面を研削して前記半導体基板の厚さを薄くする研削工程を含むことを特徴とする。

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、次の特徴を有する。第１導電型の第１半導体領域となる半導体基板の一方の主面の表面層に、第２導電型の第２半導体領域を選択的に形成する第１工程と、前記第２半導体領域に接する第１電極を形成する第２工程と、前記半導体基板の他方の主面の表面層に、第２導電型の第４半導体領域を形成する第３工程と、前記半導体基板の他方の主面から前記第４半導体領域よりも浅い位置に、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高い第１導電型の第３半導体領域を形成する第４工程と、レーザーアニールにより、前記第３半導体領域および前記第４半導体領域を活性化させる第５工程と、複数回のプロトン照射により、前記半導体基板の他方の主面から前記第４半導体領域よりも深い位置に異なる深さで、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高く、かつ前記第３半導体領域よりも不純物濃度が低い第１導電型の複数の第５半導体領域を形成する第６工程と、炉アニールにより前記第５半導体領域を活性化させる第７工程と、前記第３半導体領域に接する第２電極を形成する第８工程と、を含む。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第３工程では、前記第４半導体領域の、前記第１電極と前記第２半導体領域とが接触する領域の接触端部よりも内周側の部分の外周側の端部のうち最も前記接触端部に近い端部が前記接触端部よりも少なくとも少数キャリアの拡散長分内側に位置するように、前記第４半導体領域を形成することを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第７工程の後に、キャリアのライフタイムを制御する照射工程と、該照射工程の後にライフタイムアニール工程と、を含むことを特徴とする。

また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記第２工程の後に、前記半導体基板の他方の主面を研削して前記半導体基板の厚さを薄くする研削工程を含むことを特徴とする。

上述した発明によれば、埋め込みｐ層（第４半導体領域）を一様に設け、かつその端部をｎ^-ドリフト領域（第１半導体領域）の側面（チップ端部）よりも内側に位置させることで、逆回復時に埋め込みｐ層とｎ⁺カソード層とで構成されるｐｎ接合がアバランシェを起こしてｎ⁺カソード層側からｎ^-ドリフト領域へホールが注入されるため、ソフトなリカバリー特性が得られる。また、チップ端部にて埋め込みｐ層がカソード電極とショートしないため、電流−電圧波形（Ｉ−Ｖ波形）の飛びを防止することができる。

さらに、上述した発明によれば、埋め込みｐ層の端部をアノードコンタクト（第２半導体領域と第１電極との接合部）の端部よりも内側に位置させることにより、活性領域の動的な耐圧が非活性領域（エッジ終端構造部など）の動的な耐圧より低くなるため、逆回復時にアノードコンタクトの端部に電界が集中することを抑制できる。

また、上述した発明によれば、埋め込みｐ層の外側に外延するｎ⁺カソード層をチップ端部から離間させる、あるいは、埋め込みｐ層よりも外周側に、埋め込みｐ層と離間するとともにカソード電極にコンタクトしたｐ^-層を設けることで、非活性領域に電子が注入されないため、非活性領域へのキャリアの拡散が抑制される。これにより、ｐ⁺アノード層（第２半導体領域）端部への電流集中が緩和され、逆回復耐量が向上する。

本発明にかかる半導体装置によれば、ソフトリカバリー化を実現するとともに、逆回復耐量を大きくすることができるという効果を奏する。

図１は、実施の形態１にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。 図２は、図１の切断線Ａ−Ａ'における不純物濃度分布を示す特性図である。 図３は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。 図４は、比較例の半導体装置の順方向電圧印加時の動作を示す説明図である。 図５は、実施の形態１にかかる半導体装置の順方向電圧印加時の動作を示す説明図である。 図６は、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。 図７は、実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。 図８は、実施の形態４にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。 図９は、図８のＢ−Ｂ'切断線における不純物濃度分布を示す特性図である。 図１０は、実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。 図１１は、実施の形態５にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。 図１２は、実施の形態６にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。 図１３は、図１２の切断線Ｃ−Ｃ'における不純物濃度分布を示す特性図である。 図１４は、実施の形態７にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。 図１５は、実施の形態７にかかる半導体装置の埋め込みｐ層の平面パターンの一例を示す平面図である。 図１６は、実施の形態７にかかる半導体装置の埋め込みｐ層の平面パターンの一例を示す平面図である。 図１７は、実施の形態７にかかる半導体装置の埋め込みｐ層の平面パターンの一例を示す平面図である。 図１８は、ＦＷＤの電圧波形を示す特性図である。 図１９は、実施の形態８にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。 図２０は、実施の形態９にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。 図２１は、図２０の埋め込みｐ層の平面パターンの一例を示す平面図である。 図２２は、実施の形態１０にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。 図２３は、実施例１にかかる半導体装置の過渡的な順方向電圧および逆回復時のサージ電圧と埋め込みｐ層の面積比率との関係を示す特性図である。 図２４は、実施の形態１１にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。 図２５は、実施の形態１２にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。 図２６は、実施の形態１３にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。 図２７は、実施の形態１４にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。 図２８は、実施例２にかかる半導体装置の基板裏面側の不純物濃度分布を示す特性図である。 図２９は、従来のＦＷＤの構造を示す断面図である。 図３０は、ダイオードの順方向導通時における電流−電圧波形を示す特性図である。

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、ｎまたはｐを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、ｎやｐに付す＋および−は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

（実施の形態１）
実施の形態１にかかる半導体装置の構造について説明する。図１は、実施の形態１にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。図２は、図１の切断線Ａ−Ａ'における不純物濃度分布を示す特性図である。図２において、横軸は基板裏面（ｎ⁺カソード層４とカソード電極７との界面）から基板深さ方向の距離であり、縦軸には基板裏面側の領域を深さ方向に横切る切断線Ａ−Ａ'における不純物濃度を示す（図９，１３においても同様）。図１に示すように、実施の形態１にかかる半導体装置は、ｎ^-ドリフト領域（第１半導体領域）１となるｎ^-半導体基板に、活性領域１０と、活性領域１０を囲むエッジ終端構造部（エッジ部）１１とを備える。活性領域１０は、オン状態のときに電流が流れる領域である。エッジ終端構造部１１は、基板おもて面側の電界を緩和し耐圧を保持する機能を有する。

ｎ^-半導体基板のおもて面の表面層には、活性領域１０にｐ⁺アノード層（第２半導体領域）２が設けられ、エッジ終端構造部１１に例えばフローティングのｐ型領域であるフィールドリミッティングリング（ＦＬＲ）８が設けられている。ｎ^-ドリフト領域１の少数キャリア（ホール）のライフタイムτｐは、例えば１０μｓ以下（ノンキラー）、好ましくは０．１μｓ以上３μｓ以下に制御されている。層間絶縁膜９は、エッジ終端構造部１１においてｎ^-半導体基板のおもて面を覆う。層間絶縁膜９の内周端部は、ｐ⁺アノード層２の表面上にまで延在している。アノード電極（第１電極）３は、ｐ⁺アノード層２の表面上に設けられている。アノード電極３の端部は層間絶縁膜９上に延在している。

ｎ^-半導体基板の裏面の表面層には、活性領域１０からエッジ終端構造部１１にわたって、ｎ⁺カソード層（第３半導体領域）４が設けられている。ｎ^-半導体基板の裏面全体、すなわちｎ⁺カソード層４の表面全体に、カソード電極（第２電極）７が設けられている。ｎ^-ドリフト領域１の内部のｎ⁺カソード層４側には、活性領域１０からエッジ終端構造部１１にわたってｎバッファ層（第５半導体領域）５が設けられている。ｎバッファ層５の外周端部をｎ^-半導体基板の側面１ａにまで延在させることにより、漏れ電流を低減することができ耐圧を維持することができる。ｎバッファ層５は、オフ時にｐ⁺アノード層２とｎ^-ドリフト領域１との間のｐｎ接合から伸びる空乏層がｎ⁺カソード層４に達しないように抑制する機能を有しており、この機能を有していればｎ⁺カソード層４に接していてもよいし、ｎ⁺カソード層４から離れていてもよい。

また、ｎ^-ドリフト領域１の内部のｎ⁺カソード層４側には、基板裏面からｎ⁺カソード層４よりも深い位置にフローティングの埋め込みｐ層（第４半導体領域）６が設けられている。埋め込みｐ層６は、活性領域１０の、ｎ⁺カソード層４に接する所定範囲に一様に設けられている。ｎバッファ層５がｎ⁺カソード層４に接している場合、埋め込みｐ層６はｎバッファ層５の内部のｎ⁺カソード層４側の表面層に設けられる。埋め込みｐ層６を設けることにより、逆回復時にカソード側からｎ^-ドリフト領域１内に少数キャリアが注入され、カソード側のｐｎダイオードをアバランシェさせて強制的にカソード側のキャリア密度を高くすることができるため、ソフトリカバリーとすることができる。埋め込みｐ層６の不純物濃度は、ｎバッファ層５の不純物濃度よりも高く、かつｎ⁺カソード層４の不純物濃度よりも低くする。具体的には、埋め込みｐ層６の不純物濃度は、例えば、１×１０¹⁶／ｃｍ³以上１×１０¹⁹／ｃｍ³以下程度であり、より好ましくは１×１０¹⁷／ｃｍ³以上１×１０¹⁸／ｃｍ³以下程度であるのがよい。埋め込みｐ層６の不純物濃度を上記範囲内とすることで、漏れ電流が増大することを防止することができる。

埋め込みｐ層６の端部６ａは、ｎ^-半導体基板の側面１ａよりも内側（活性領域１０側）に位置する。すなわち、埋め込みｐ層６の端部６ａは、ｎ^-半導体基板の側面１ａ（チップ側面）に達していない。このように埋め込みｐ層６の端部６ａをｎ^-半導体基板の側面１ａよりも内側に位置させることにより、スナップバックが生じないため（スナップバック電圧≒０Ｖ）、電流−電圧波形（Ｉ−Ｖ波形）の飛びを防止することができる。Ｉ−Ｖ波形の飛びについては後述する。また、埋め込みｐ層６の端部６ａは、ｎ⁺カソード層４の端部よりも内側に位置する。これにより、埋め込みｐ層６がカソード電極７と接触して短絡することを防止することができる。

このように埋め込みｐ層６を活性領域１０およびエッジ終端構造部１１の全域にわたって設けていないため、埋め込みｐ層６を活性領域１０およびエッジ終端構造部１１の全域にわたって設ける場合よりも、エッジ終端構造部１１のアバランシェ耐圧（アバランシェ降伏が発生する電圧）を、活性領域１０のアバランシェ耐圧よりも高くすることができる。この理由は、以下の通りである。活性領域１０では、逆方向電圧印加時には、埋め込みｐ層６とｎ⁺カソード層４との間のｐｎ接合でのアバランシェ降伏により正孔が発生し、ｎ^-ドリフト領域１を通ってｐ⁺アノード層２に正孔電流が流れる。この正孔電流が、ｐ⁺アノード層２−ｎ^-ドリフト領域１−埋め込みｐ層６とからなる寄生ｐｎｐトランジスタにおけるベース電流となり、寄生ｐｎｐトランジスタが動作して、活性領域１０のアバランシェ耐圧が低下する。

ここで、エッジ終端構造部１１のアバランシェ耐圧は、以下のように求めることができる。例えば周知のデバイスシミュレーションで、ｐ⁺アノード層、ｎ^-ドリフト領域、ｎ⁺カソード層からなる単純なｐ−ｉ−ｎ（ｐ−ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ−ｎ）構造の活性領域に、エッジ終端構造部を接続した構成で耐圧を計算する。その算出値を、エッジ終端構造部１１のアバランシェ耐圧とすればよい。以上により、活性領域１０のアバランシェ耐圧をエッジ終端構造部１１のアバランシェ耐圧よりも低くすることができるので、アバランシェ電流を活性領域１０の全体に流すことができる。このため、エッジ終端構造部１１に電流が集中するのを抑制することができる。

また、埋め込みｐ層６を活性領域１０およびエッジ終端構造部１１の全域にわたって設けていないため、逆回復時には、非活性領域（エッジ終端構造部１１など）に注入される電子の注入量を低減することができる。これにより、エッジ終端構造部１１に広がったキャリアが逆回復時にアノードコンタクトを通ってアノード電極３に抜けることにより生じる活性領域１０の外周部、すなわちアノードコンタクトの端部３ａでの電流集中を抑制することができる。

また、埋め込みｐ層６の端部６ａは、活性領域１０のアノードコンタクト（ｐ⁺アノード層２とアノード電極３との接合部）の端部３ａよりも第１長さｔ１だけ内側（ＦＷＤセルの中央部側）に位置するのが好ましい。ＦＷＤセルとは、ｐ⁺アノード層２、ｎ⁺カソード層４、ｎバッファ層５および埋め込みｐ層６で構成される単位領域である。埋め込みｐ層６の端部６ａがアノードコンタクトの端部３ａよりも内側に位置する第１長さｔ１は、少数キャリアの拡散長Ｌ_h以下であるのがよい（ｔ１≦Ｌ_h）。その理由は、オン状態のときに、埋め込みｐ層６を設けたことによってカソード側からｎ^-ドリフト領域１内に注入される少数キャリアをアノードコンタクトの端部３ａにまで到達させることができるため、埋め込みｐ層６を設けたことにより得られる効果が低減されることを防止するためである。

少数キャリアの拡散長Ｌ_hは、下記（１）式であらわされる。下記（１）式において、少数キャリアのライフタイムをτ_hとし、少数キャリアの拡散係数をＤ_hとする。少数キャリアの拡散係数Ｄ_hは、下記（２）式であらわされる。下記（２）式において、電荷素量をｑとし、ボルツマン定数をＫとし、絶対温度をＴとし、少数キャリアの移動度をμ_hとする。ＫＴ／ｑは、絶対温度Ｔ＝３００Ｋのときの熱電圧である。

具体的には、少数キャリアの拡散係数Ｄ_h＝１．５６×１０^-3ｃｍ²／ｓであり、少数キャリアの移動度μ_h＝０．０６ｃｍ²／Ｖｓであり、ＫＴ／ｑ＝２．６０×１０²ｅＶである。このため、上記（１）式および（２）式より、ｎ^-ドリフト領域１の少数キャリアのライフタイムτ_h＝１０μｓである場合（すなわちノンキラーである場合）、少数キャリアの拡散長Ｌ_h＝１２４．９０μｍである。ｎ^-ドリフト領域１の少数キャリアのライフタイムτ_h＝３μｓである場合、少数キャリアの拡散長Ｌ_h＝６８．４１μｍである。ｎ^-ドリフト領域１の少数キャリアのライフタイムτ_h＝０．１μｓである場合、少数キャリアの拡散長Ｌ_h＝１２．４９μｍである。

次に、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図３は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。まず、ｎ^-ドリフト領域１となるｎ^-半導体基板のおもて面側に、ｐ⁺アノード層２やＦＬＲ８などのおもて面素子構造を形成する（ステップＳ１）。具体的には、ｎ^-半導体基板のおもて面に、ｐ⁺アノード層２およびＦＬＲ８の形成領域が開口したレジストマスクを形成する。次に、このレジストマスクをマスクとして、ｎ^-半導体基板のおもて面に例えばボロン（Ｂ）などのｐ型不純物をイオン注入する。

次に、レジストマスクを除去した後、注入したｐ型不純物を熱拡散させることでｐ⁺アノード層２およびＦＬＲ８を形成する。次に、ｎ^-半導体基板のおもて面上に層間絶縁膜９を形成する。次に、層間絶縁膜９の活性領域１０に対応する部分を除去することにより、ｐ⁺アノード層２を露出するアノードコンタクトホールを形成する。これにより、ｎ^-半導体基板のおもて面側におもて面素子構造が形成される。次に、ｎ^-半導体基板の裏面を研削してｎ^-半導体基板の厚さを薄くする（ステップＳ２）。

次に、ｎ^-半導体基板の研削された裏面全体に例えばセレン（Ｓｅ）などのｎ型不純物をイオン注入し、ｎバッファ層５を形成する（ステップＳ３）。次に、ｎ^-半導体基板の裏面に、埋め込みｐ層６の形成領域が開口したレジストマスクを形成する。このレジストマスクによって、例えば、エッジ終端構造部１１と、活性領域１０の、アノードコンタクトホールの端部よりも第１長さｔ１だけ内側までの部分とが覆われる。次に、レジストマスクをマスクとして、ｎ^-半導体基板の裏面に例えばボロンなどのｐ型不純物をイオン注入し、活性領域１０の内側に埋め込みｐ層６を形成する（ステップＳ４）。

ステップＳ４のイオン注入は、ｎ^-半導体基板の裏面の表面層がｎ型領域となるように基板裏面の表面ボロン濃度を低くするのが好ましい。具体的には、後述するステップＳ５のイオン注入によるｎ^-半導体基板の裏面のｐ型不純物濃度は例えば１×１０¹⁵／ｃｍ³以下であるのがよい。その理由は、ステップＳ５の工程で形成されるｎ⁺カソード層４が一様な厚さで形成されなかった場合に、ｎ⁺カソード層４の厚さの薄い部分で埋め込みｐ層６とカソード電極７とが短絡することを防止することができるからである。すなわち、ステップＳ５のイオン注入後のｎ^-半導体基板の裏面の表面層はｎ型領域に近い不純物濃度分布を有するのが好ましい。

次に、レジストマスクを除去した後、ｎ^-半導体基板の裏面全体に例えばリン（Ｐ）などのｎ型不純物をイオン注入し、埋め込みｐ層６よりも浅い位置にｎ⁺カソード層４を形成する（ステップＳ５）。次に、ステップＳ３〜Ｓ５のイオン注入で注入した不純物を、炉アニールなどによる熱処理により一括して熱拡散させる（ステップＳ６）。ステップＳ３〜Ｓ５のイオン注入で注入した不純物を一括して熱拡散させることにより、工程数を少なくすることができ、コストを低減することができる。ステップＳ３〜Ｓ５のイオン注入を行うごとに、注入された不純物を熱拡散させてもよい。また、ステップＳ３〜Ｓ５のイオン注入の順番は種々入れ替え可能である。

次に、ｎ^-半導体基板のおもて面に、アノードコンタクトホールに埋め込むように、アノード電極（おもて面電極）３を形成し、所定のパターンにパターニングする（ステップＳ７）。次に、ｎ^-半導体基板のおもて面にパッシベーション保護膜（不図示）を形成し、所定のパターンにパターニングする（ステップＳ８）。次に、ｎ^-半導体基板に例えば電子線などを照射し、ｎ^-ドリフト領域１のキャリアのライフタイムを制御する（ステップＳ９）。その後、ｎ^-半導体基板の裏面にカソード電極７を形成することで（ステップＳ１０）、図１に示すＦＷＤが完成する。

次に、本発明にかかる半導体装置の動作について説明する。図４は、比較例の半導体装置の順方向電圧印加時の動作を示す説明図である。図５は、実施の形態１にかかる半導体装置の順方向電圧印加時の動作を示す説明図である。図４には、埋め込みｐ層１２６の端部１２６ａがｎ^-半導体基板の側面１２１ａにまで達している構成のＦＷＤ（以下、比較例とする）を示す。図５には、図１に示す実施の形態１にかかるＦＷＤを示す。図５では、キャリアの動作を明確に示すためにエッジ終端構造部１１を短縮して示し、ｎバッファ層５を図示省略する。

図４に示す比較例では、ｎ^-半導体基板の側面１２１ａはダイシング時に生じた凹凸により荒い面となっているため、ｎ^-半導体基板の側面１２１ａから漏れ電流が流れやすくなっている。このため、順方向電圧印加時にｐ⁺アノード層１２２からｎ^-ドリフト領域１２１に注入されたホールは、埋め込みｐ層１２６−１を通ってｎ^-半導体基板の側面１２１ａのカソード電極１２７へと抜けてしまい（点線矢印で示す経路）、ｎ⁺カソード層１２４へ到達しない。すなわち、ｎ^-半導体基板の側面１２１ａで、埋め込みｐ層１２６−１とカソード電極１２７とが実質的に短絡したことと同じ状態となる。このため、ｎ⁺カソード層１２４からはｎ^-ドリフト領域１２１に電子が注入されず、ＦＷＤはオンしない。

また、図４に示す比較例では、次の問題も起こり得る。図４（ａ）には、第１比較例として、チップ裏面を例えばＤＣＢ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｏｐｐｅｒ Ｂｏｎｄ）基板に半田付けした場合を示す。図４（ａ）に示すように、第１比較例では、チップ裏面の半田層１２８がチップ側面（ｎ^-半導体基板の側面１２１ａ）にはみ出し、この半田層１２８によって埋め込みｐ層１２６−１の端部１２６ａがカソード電極１２７と短絡されている（符号１２０で示す部分）。このように半田層１２８がｎ^-半導体基板の側面１２１ａに達している状態（すなわちカソード電極１２７と埋め込みｐ層１２６−１とが短絡した状態）は、例えばｎ^-半導体基板をパワーモジュールに組み入れてＤＣＢ基板に半田付けしたときに、ｎ^-半導体基板の裏面で溶融した半田層１２８が当該裏面からｎ^-半導体基板の側面１２１ａにはみ出して接触した状態等を示している。ｎ^-半導体基板の裏面のｎ⁺カソード層１２４および埋め込みｐ層１２６−１の接合界面の深さは、ｎ^-半導体基板の裏面から１μｍ〜３μｍ程度である。そのため、３００μｍ以上の厚さを有する半田層１２８がｎ^-半導体基板の側面１２１ａにはみ出した場合、上記のようなｎ^-半導体基板の側面１２１ａでの埋め込みｐ層１２６−１とカソード電極１２７との短絡が容易に起こり得る。

したがって、カソード側からもｎ^-ドリフト領域１２１に電子が注入されず、短絡経路（ショートパス）での電圧降下がビルトイン電圧（０．７Ｖ）にならないため、第１比較例のＦＷＤはオンしない。その後、電流がある程度流れることで、埋め込みｐ層１２６−１内の短絡経路における抵抗Ｒ１１によって、埋め込みｐ層１２６−１とｎ⁺カソード層１２４とが順バイアスされる。これにより、カソード側からｎ^-ドリフト領域１２１へ電子が注入されるため、短絡経路での電圧降下がビルトイン電圧以上となり、活性領域に近い部分でラッチアップが発生しオン状態となる。

このように、第１比較例は、順方向電圧印加後、動作しない期間（Ｉ−Ｖ波形の飛び）があり、当該期間経過後に動作しはじめるという好ましくない特性を有する。図３０に、ダイオードの順方向導通時におけるＩ−Ｖ波形を示す。図３０は、ダイオードの順方向導通時における電流−電圧波形を示す特性図である。通常の波形（以下、正常な波形とする）２１は、太線の実線で示すように、順方向電圧降下に従い電流が増加する。しかし、上記のラッチアップが発生し難くなると、点線で示すように、高い順方向電圧降下になるまで、電流がほとんど流れない（符号２２で示す波形）。そして、正孔の通過により埋め込みｐ層とｎカソード層との電圧降下がビルトイン電圧以上になった時点で、電流が一気に流れ込み、ダイオードの順方向電圧降下が低くなる。この負性抵抗となる領域が、スナップバック、つまりＩ−Ｖ波形の飛び２２ａである。

図４（ｂ）に示す第２比較例のように、埋め込みｐ⁺⁺層１２６−２の不純物濃度が高いほど、埋め込みｐ⁺⁺層１２６−２内の短絡経路における抵抗Ｒ１２が小さく、スナップバックを起こす電圧（スナップバック電圧）が高くなるため、Ｉ−Ｖ波形の飛びが大きくなる。図３０には、埋め込みｐ層の不純物濃度の高さを矢印２０の向きで示しており、ｐ層の不純物濃度が高い（より粗い点線で示すＩ−Ｖ波形２２）ほど飛び２２ａが大きくなることが示されている。すなわち、飛び２２ａが生じた３本のＩ−Ｖ波形２２のうち、最も細かい点線で示す最も飛び２２ａの小さいＩ−Ｖ波形２２が図４（ａ）の第１比較例に相当し、それ以外のＩ−Ｖ波形２２が図４（ｂ）の第２比較例に相当する。図４（ａ），４（ｂ）において、符号１２２はｐ⁺アノード層であり、符号１２３はアノード電極である。

それに対して、図５に示すように、本発明においては、埋め込みｐ層６の端部６ａはｎ^-半導体基板の側面１ａにまで達しておらず、埋め込みｐ層６はフローティング状態となっている。また、埋め込みｐ層６の端部６ａとｎ^-半導体基板の側面１ａとの間の抵抗Ｒ１０は、高抵抗なｎ^-ドリフト領域１の不純物濃度で決定され、埋め込みｐ層１２６−１，１２６−２の不純物濃度で決定される第１，２比較例の抵抗Ｒ１１，１２よりも大きい。このため、順方向電圧印加時にｐ⁺アノード層２からｎ^-ドリフト領域１を介して埋め込みｐ層６に注入されたホールは、埋め込みｐ層６の端部６ａからｎ^-半導体基板の側面１ａのカソード電極７へ抜けにくく（符号１２で示す部分）、ｎ⁺カソード層４へと抜ける。これに応じてｎ⁺カソード層４からｎ^-ドリフト領域１へと電子が注入されるため、本発明にかかる半導体装置においては、Ｉ−Ｖ波形の飛びは生じない。したがって、本発明にかかる半導体装置は、図３０に示す正常は波形２１となり、埋め込みｐ層６が設けられていない通常のＦＷＤとほぼ同様に動作する。符号２８は、チップ裏面を例えばＤＣＢ基板に半田付けした場合の半田層である。

以上、説明したように、実施の形態１によれば、埋め込みｐ層を一様に設けることにより、逆回復時に基板裏面における電圧降下（アバランシェ降伏）を均一に発生させることができ、かつＩ−Ｖ波形の飛びを防止することができる。これにより、ソフトリカバリー化することができ、ＥＭＩノイズによる問題を回避することができる。また、実施の形態１によれば、埋め込みｐ層を一様に設けることで、複数の埋め込みｐ層を所定の間隔で設ける従来構造よりも基板裏面でのアライメント精度を必要としない。このため、少ない工程で寸法精度よく埋め込みｐ層を形成することができる。また、アライメント精度を向上させるための特別な設備を必要としないため、低コストで半導体装置を提供することができる。

また、実施の形態１によれば、埋め込みｐ層の端部をアノードコンタクトの端部よりも内側に位置させることにより、活性領域の耐圧が非活性領域の耐圧より低下するため、逆回復時における活性領域端部での電界集中を抑制することができる。この理由は、以下の通りである。逆回復中にＦＷＤに高電圧が印加されることで、基板裏面の埋め込みｐ層とｎカソード層との間のｐｎ接合（以下、ｐｎ接合Ｊ１とする）も逆バイアスとなる。これらの２層の不純物濃度は半導体基板の不純物濃度よりも２桁以上高いため、ｐｎ接合Ｊ１に分担される電圧が１００Ｖ以下でも、容易にアバランシェ降伏が発生する。ｐｎ接合Ｊ１がアバランシェ降伏を起こした場合、埋め込みｐ層が形成されているｐｎ接合Ｊ１からホールが注入される。このホールは、空乏層をｐ⁺アノード層に向かってドリフトする。これによって、このホールはｐ⁺アノード層とｎドリフト層との間のｐｎ接合（以下、ｐｎ接合Ｊ２とする）近傍でも電界強度の傾きを増加させる。すなわち、ホールによる過剰な正電荷の増加により、ｐｎ接合Ｊ２の近傍で、ポアソンの式にしたがい電界強度の傾きを増加させる。すなわち、半導体基板の実効的な不純物濃度が増加する。この電界強度の傾きの増加により、ｐｎ接合Ｊ２の最大電界強度は一層増強されて臨界電界強度に達し、アバランシェ降伏が発生する。言い換えると、活性領域ではダイナミックな耐圧が低下する。このｐｎ接合Ｊ２の最大電界強度の増強作用は、埋め込みｐ層を形成した活性領域のみで生じるため、非活性領域ではダイナミックな耐圧低下が生じない。これが、活性領域と非活性領域とのダイナミックな耐圧低下の理由である。ダイナミックな耐圧低下は、埋め込みｐ層を形成した領域のみで生じるため、埋め込みｐ層をｐ⁺アノード層よりもチップ内側に形成すれば、逆回復電流はｐ⁺アノード層の端部には流れ込まなくなる。これにより、ｐ⁺アノード層の端部への電流集中が抑制され、逆回復時に印加される最大電圧や電流変化率ｄｉ／ｄｔによる素子破壊を防止することができる。

（実施の形態２）
次に、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図６は、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法が実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法と異なる点は、電子線照射によるライフタイム制御後にｎ⁺カソード層４を形成し、レーザーアニールによりｎ⁺カソード層４を活性化させる点である。

具体的には、まず、実施の形態１と同様に、おもて面素子構造の形成から埋め込みｐ層６の形成までの工程を行う（ステップＳ１１〜Ｓ１４）。次に、埋め込みｐ層６の形成に用いたレジストマスクを除去した後、ｎバッファ層５を形成するためのイオン注入、および、埋め込みｐ層６を形成するためのイオン注入で注入した不純物を、炉アニールなどによる熱処理により熱拡散させる（ステップＳ１５）。次に、実施の形態１と同様に、アノード電極３の形成からライフタイム制御までの工程を行う（ステップＳ１６〜Ｓ１８）。次に、ｎ^-半導体基板の裏面全体にｎ⁺カソード層４を形成する（ステップＳ１９）。ｎ⁺カソード層４の形成方法は実施の形態１と同様である。次に、ｎ^-半導体基板の裏面側をレーザーアニールしてｎ⁺カソード層４を活性化させる（ステップＳ２０）。その後、ｎ^-半導体基板の裏面にカソード電極７を形成することで（ステップＳ２１）、図１に示すＦＷＤが完成する。

以上、説明したように、実施の形態２によれば、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態３）
次に、実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図７は、実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法が実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法と異なる点は、ｎ^-半導体基板の裏面を研削してｎ^-半導体基板の厚さを薄くする前に、ｎ^-半導体基板のおもて面にアノード電極３を形成する点である。

具体的には、まず、ｎ^-ドリフト領域１となるｎ^-半導体基板のおもて面側におもて面素子構造を形成した後（ステップＳ３１）、アノード電極３を形成する（ステップＳ３２）。おもて面素子構造の形成方法およびアノード電極３の形成方法は実施の形態１と同様である。次に、実施の形態２と同様に、ｎ^-半導体基板の裏面を研削する工程から熱処理までの工程を行う（ステップＳ３３〜Ｓ３６）。次に、実施の形態２と同様に、パッシベーション保護膜の形成からカソード電極７の形成までの工程を行うことで（ステップＳ３７〜Ｓ４１）、図１に示すＦＷＤが完成する。

以上、説明したように、実施の形態３によれば、実施の形態１，２と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態４）
次に、実施の形態４にかかる半導体装置の構造について説明する。図８は、実施の形態４にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。図９は、図８のＢ−Ｂ'切断線における不純物濃度分布を示す特性図である。実施の形態４にかかる半導体装置が実施の形態１にかかる半導体装置と異なる点は、基板裏面からプロトンの多段照射により形成されてなる、基板裏面からの深さが異なる複数のｎバッファ層１５を設けている点である。例えば、プロトンの３段照射によりｎバッファ層１５が形成されている場合、ｎ^-ドリフト領域１となるｎ^-半導体基板の裏面から最も深い位置にｎバッファ層１５ａが配置される。

また、ｎ^-半導体基板の裏面からｎバッファ層１５ａよりも浅い位置に、ｎバッファ層１５ａと離れてｎバッファ層１５ｂが配置される。そして、ｎ^-半導体基板の裏面からｎバッファ層１５ｂよりも浅い位置に、ｎバッファ層１５ｂと離れてｎバッファ層１５ｃが配置される。すなわち、ｎバッファ層１５ａ〜１５ｃ間には、ｎ^-ドリフト領域１が配置される。ｎバッファ層１５ｃはｎ⁺カソード層４よりも深い位置に配置され、ｎバッファ層１５ｃとｎ⁺カソード層４との間には、活性領域１０において埋め込みｐ層６が配置されている。ｎバッファ層１５ｃは、埋め込みｐ層６に接していてもよいし、埋め込みｐ層６から離れていてもよい。

次に、実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図１０は、実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。まず、ｎ^-ドリフト領域１となるｎ^-半導体基板のおもて面側に、おもて面素子構造を形成した後（ステップＳ５１）、アノード電極３を形成する（ステップＳ５２）。おもて面素子構造の形成方法およびアノード電極３の形成方法は実施の形態１と同様である。次に、ｎ^-半導体基板の裏面を研削してｎ^-半導体基板の厚さを薄くする（ステップＳ５３）。

次に、ｎ^-半導体基板の裏面から異なる飛程で例えば３回のプロトン照射を行うことにより、基板裏面からの深さの異なるｎバッファ層１５ａ〜１５ｃを形成する（ステップＳ５４）。次に、ｎ^-半導体基板の裏面全体に例えばリンなどのｎ型不純物をイオン注入し、ｎ⁺カソード層４を形成する（ステップＳ５５）。次に、基板裏面からｎ⁺カソード層４よりも深く、かつｎバッファ層１５ｃよりも浅い位置に埋め込みｐ層６を形成する（ステップＳ５６）。ｎ⁺カソード層４の形成方法、および埋め込みｐ層６の形成方法は実施の形態１と同様である。

次に、上記ステップＳ５４〜Ｓ５６で注入されたプロトンおよび不純物を熱処理により一括して活性化および熱拡散させる（ステップＳ５７）。次に、ｎ^-半導体基板のおもて面にパッシベーション保護膜を形成し（ステップＳ５８）、ｎ^-ドリフト領域１のキャリアのライフタイムを制御する（ステップＳ５９）。パッシベーション保護膜の形成方法、およびライフタイム制御方法は実施の形態１と同様である。次に、ｎ^-半導体基板の裏面側をレーザーアニールしてｎ⁺カソード層４を活性化させる（ステップＳ６０）。その後、ｎ^-半導体基板の裏面にカソード電極７を形成することで（ステップＳ６１）、図８に示すＦＷＤが完成する。

以上、説明したように、実施の形態４によれば、実施の形態１〜３と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態５）
次に、実施の形態５にかかる半導体装置の構造について説明する。図１１は、実施の形態５にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。図１１の切断線Ａ−Ａ'における不純物濃度分布は、図２に示す不純物濃度分布と同様である。実施の形態５にかかる半導体装置が実施の形態１にかかる半導体装置と異なる点は、ｎ⁺カソード層１４の端部１４ａをｎ^-半導体基板の側面１ａよりも内側（ＦＷＤセルの中央部側）に位置させる点である。すなわち、実施の形態５においては、エッジ終端構造部１１における基板裏面には、ｎ⁺カソード層１４は設けられておらず、カソード電極７とｎバッファ層５とのショットキー接合が形成されている。

埋め込みｐ層６の端部６ａは、ｎ⁺カソード層１４の端部１４ａよりも第２長さｔ２だけ内側に位置するのがよい。これにより、アライメント精度誤差によって、基板裏面のカソード電極７に埋め込みｐ層６が接触することを防止することができる。この第２長さｔ２は、アライメント精度の余裕（例えばアライメント精度の２倍程度の余裕）をとった長さであるのが好ましく、例えば１μｍ以上１０μｍ以下程度であるのがよい。具体的には、ｎ⁺カソード層１４の端部１４ａが埋め込みｐ層６の端部６ａよりも外側に位置する第２長さｔ２は、例えば１μｍ以上１０μｍ以下程度であってもよい。

実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法のステップＳ５において、ｎ^-半導体基板の裏面にｎ⁺カソード層１４の形成領域が開口したレジストマスクを形成し、このレジストマスクをマスクとして活性領域１０にｎ⁺カソード層１４を形成すればよい。実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法のｎ⁺カソード層１４の形成方法以外の工程は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法と同様である。

以上、説明したように、実施の形態５によれば、実施の形態１〜４と同様の効果を得ることができる。また、実施の形態５によれば、エッジ終端構造部にｎ⁺カソード層を設けずに、ｎ⁺カソード層とカソード電極とのショットキー接合を形成することにより、順方向電圧印加時にエッジ終端構造部でカソード側からのキャリア（電子）の注入がさらに抑制される。これにより、エッジ終端構造部にキャリアが蓄積されることを防止することができるため、逆回復時にアノードコンタクトの端部に電流が集中することを防止することができる。したがって、逆回復時耐量を向上させることができる。

（実施の形態６）
次に、実施の形態６にかかる半導体装置の構造について説明する。図１２は、実施の形態６にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。図１３は、図１２の切断線Ｃ−Ｃ'における不純物濃度分布を示す特性図である。図１２の切断線Ａ−Ａ'における不純物濃度分布は、図２に示す不純物濃度分布と同様である。実施の形態６にかかる半導体装置が実施の形態５にかかる半導体装置と異なる点は、エッジ終端構造部１１におけるｎバッファ層５の内部にカソード電極７に接するｐ^-領域（第６半導体領域）１６を設けることで、ｐ^-領域１６とカソード電極７とのショットキー接合を形成した点である。ｐ^-領域１６の外周端部１６ａは、ｎ^-半導体基板の側面１ａにまで延在されている。ｐ^-領域１６の不純物濃度は、埋め込みｐ層６の不純物濃度と等しくてもよい。

埋め込みｐ層６の端部６ａと、ｐ^-領域１６の内周端部１６ｂとは第３長さｔ３だけ離れている。これにより、埋め込みｐ層６とｐ^-領域１６との間に電位差が生じるため、実施の形態１と同様にＩ−Ｖ波形の飛びを防止することができる。具体的には、埋め込みｐ層６の端部６ａと、ｐ^-領域１６の内周端部１６ｂとの間の第３長さｔ３は、ｎバッファ層５と埋め込みｐ層６との間のｐｎ接合のビルトイン空乏層の幅Ｘｎ以上、少数キャリアの拡散長Ｌ_h以下で離れているのが好ましい。この第３長さｔ３を少数キャリアの拡散長Ｌ_h以下とする理由は、ｐ^-領域１６を設けたことにより得られる効果が低減されることを防止するためである。

また、第３長さｔ３をｎバッファ層５と埋め込みｐ層６との間のｐｎ接合のビルトイン空乏層の幅Ｘｎ以上とする理由は、次のとおりである。順方向電圧が印加されていない熱平衡状態において、ｎバッファ層５と埋め込みｐ層６との間のｐｎ接合に空乏層（ビルトイン空乏層）がｎバッファ層５内に形成されている。このビルトイン空乏層が熱平衡状態においてｐ^-領域１６に接している場合、順方向電圧が印加されアノード側から注入されたホールによって、ｎバッファ層５と埋め込みｐ層６との間のｐｎ接合から伸びる空乏層がｐ^-領域１６に到達してしまい、Ｉ−Ｖ波形の飛びが生じてしまうからである。

ｎバッファ層５と埋め込みｐ層６との間のｐｎ接合のビルトイン空乏層の幅Ｘｎは、下記（３）式であらわされる。ｎバッファ層５と埋め込みｐ層６との間のｐｎ接合のビルトイン電圧Φ_bは、下記（４）式であらわされる。下記（３）式，（４）式において、ｎバッファ層５のドナー濃度をＮ_Dとし、埋め込みｐ層６のアクセプタ濃度をＮ_Aとし、電荷素量をｑとし、ボルツマン定数をＫとし、絶対温度をＴとし、絶対温度Ｔが３００Ｋのときの真性キャリア濃度をｎ_iとし、真空誘電率をε₀とし、シリコンの比誘電率をε_sとする。ＫＴ／ｑは、絶対温度Ｔ＝３００Ｋのときの熱電圧である。

具体的には、ｎバッファ層５のドナー濃度Ｎ_D＝１．００×１０²¹／ｃｍ³であり、埋め込みｐ層６のアクセプタ濃度Ｎ_A＝１．００×１０²³／ｃｍ³であり、真性キャリア濃度ｎ_i＝１．５０×１０¹⁶／ｃｍ³であり、ＫＴ／ｑ＝２．６０×１０²ｅＶであり、真空誘電率ε₀＝８．８５×１０^-12Ｆ／ｃｍであり、シリコンの比誘電率ε_s＝１．１７×１０Ｆ／ｃｍであり、電荷素量ｑが１．６０×１０¹⁹Ｃである。このため、上記（４）式より、ｎバッファ層５と埋め込みｐ層６との間のｐｎ接合のビルトイン電圧Φ_bは、６．８７×１０^-1Ｖである。また、上記（３）式より、ｎバッファ層５と埋め込みｐ層６との間のｐｎ接合のビルトイン空乏層の幅Ｘｎは、０．９４５μｍである。

次に、実施の形態６にかかる半導体装置の製造方法の一例を説明する。実施の形態６にかかる半導体装置の製造方法は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法において、埋め込みｐ層６の形成後（ステップＳ４）、ステップＳ５において、ｎ^-半導体基板の裏面にｎ⁺カソード層１４の形成領域が開口したレジストマスクを形成し、このレジストマスクをマスクとして活性領域１０にｎ⁺カソード層１４を形成する。さらに、ｎ⁺カソード層１４を形成するためのレジストマスクを除去した後、ステップＳ６の熱処理前に、ｐ^-領域１６の形成領域が開口したレジストマスクを形成し、このレジストマスクをマスクとしてエッジ終端構造部１１にｐ^-領域１６を形成する。その後、ステップＳ６の熱処理において、イオン注入によって注入された不純物を一括して活性化させればよい。実施の形態６にかかる半導体装置の製造方法のｎ⁺カソード層１４およびｐ^-領域１６の形成方法以外の工程は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法と同様である。

以上、説明したように、実施の形態６によれば、実施の形態１〜５と同様の効果を得ることができる。また、実施の形態６によれば、エッジ終端構造部にｎ⁺カソード層を設けずに、ｐ^-領域とカソード電極との接合を形成することにより、実施の形態５と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態７）
次に、実施の形態７にかかる半導体装置の構造について説明する。図１４は、実施の形態７にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。図１５〜１７は、実施の形態７にかかる半導体装置の埋め込みｐ層の平面パターンの一例を示す平面図である。図１５〜１７には、基板裏面のｎ⁺カソード層４に基板おもて面側から投射したアノードコンタクトの端部３ａの位置を点線で示す（図２１，２２においても同様）。実施の形態７にかかる半導体装置が実施の形態１にかかる半導体装置と異なる点は、埋め込みｐ層２６を選択的に設けることにより、アノードコンタクトの端部３ａよりも内側の部分の表面積Ａ１０に対する、埋め込みｐ層２６の表面積の占有面積Ａ１１の面積比率（＝Ａ１１／Ａ１０）を所定範囲に設定している点である。

アノードコンタクトの端部３ａよりも内側の部分の表面積Ａ１０に対する、埋め込みｐ層２６の表面積の占有面積Ａ１１の面積比率は、９０％以上９８％以下であるのがよく、望ましくは９２％以上９６％以下であるのがよい。これにより、低過渡Ｖ_F（オン電圧）とソフトリカバリー特性とを両立することができる。アノードコンタクトの端部３ａよりも内側の部分の表面積Ａ１０とは、活性領域１０の表面積である。埋め込みｐ層２６の表面積の占有面積Ａ１１とは、埋め込みｐ層２６の総表面積である。埋め込みｐ層２６のパターンの最もエッジ終端構造部１１側の端部２６ａは、実施の形態１と同様に、アノードコンタクトの端部３ａよりも第１長さｔ１だけ内側（ＦＷＤセルの中央部側）に位置するのが好ましい。この第１長さｔ１は、例えば、少数キャリアの拡散長Ｌ_hに相当する５０μｍ程度とするのが望ましい。

埋め込みｐ層２６の平面パターンは、例えば、ストライプ状、略矩形や略ドットを所定間隔で規則的に並べたマトリクス状（すなわち埋め込みｐ層２６を格子状に開口した形状：図１５）、埋め込みｐ層２６を所定間隔で規則的に略矩形や略ドットのマトリクス状に開口した形状（図１６）、および任意の形状を任意に並べたモザイク状など、設計条件に合わせて種々変更可能である。また、埋め込みｐ層２６の平面パターンは、例えば、実施の形態１と同様の平面形状、すなわち活性領域１０の中央全面に略矩形状の１つの埋め込みｐ層２６を一様に形成し、活性領域１０において埋め込みｐ層２６の周囲に埋め込みｐ層２６のない領域を略矩形枠状に設けた形状であってもよい。この場合、埋め込みｐ層２６の周囲の、埋め込みｐ層２６のない領域の幅を、上記面積比率を実現可能な第１長さｔ１とすればよい。

埋め込みｐ層２６が一様に形成されている場合、順方向バイアス時に、ｎ⁺カソード層４からｎ^-ドリフト領域１への電子の注入が阻害され、伝導度変調が生じにくくなるため、過渡的な順方向電圧が増加する虞がある。過渡的な順方向電圧とは、次のとおりである。図１８は、ＦＷＤの電圧波形を示す特性図である。図１８に示すように、電流阻止時の逆バイアス（例えば電源電圧６００Ｖ以上）から順方向バイアスに転じて導通状態に移るときに、ｎ^-ドリフト領域１にキャリアが蓄積される過程で一時的に順方向電圧Ｖ_F（アノード・カソード間電圧Ｖ_AK）の電圧降下が大きくなる（例えば数１０Ｖ程度）。その後、キャリアの蓄積が完了して定常状態となり、順方向電圧Ｖ_Fが定常値（例えば１Ｖ〜３Ｖ程度）に収束する。この逆バイアスから順方向バイアスに転じて導通状態に移る過程において過渡的に増加する順方向電圧Ｖ_Fを、過渡的な順方向電圧（以下、過渡Ｖ_Fとする）とする。

この過渡Ｖ_Fが大きい場合、インバータ等の実機動作時に電気的損失およびそれによる素子温度の増加につながるため、過渡Ｖ_Fは小さいのが望ましい。そこで、埋め込みｐ層２６を形成する際に、埋め込みｐ層２６の一部を除去して開口部（抜き）を形成する。これにより、順方向バイアス時に、電子がｎ⁺カソード層４から、埋め込みｐ層２６に阻害されることなく開口部を通ってｎ^-ドリフト領域１に注入される。すなわち、埋め込みｐ層２６の開口部は、ｎ⁺カソード層４からｎ^-ドリフト領域１に注入される電子の経路となる。埋め込みｐ層２６の開口部の平面形状は、図１５に示すように、例えば第４長さ（幅）Ｌ１の略矩形をマトリクス状に残すことで形成される幅ｔ４の格子状であってもよいし、図１６に示すように、例えば第４長さＬ１の間隔で規則的に直径ｔ５のドットを並べたマトリクス状であってもよい。

また、図１７のように、活性領域１０の中央全面に第４長さ（幅）Ｌ１の１つの略矩形状の埋め込みｐ層２６を一様に形成した場合には、埋め込みｐ層２６の開口部は、埋め込みｐ層２６の周囲を囲む略矩形枠状とすればよい。すなわち、ｎ⁺カソード層４からｎ^-ドリフト領域１へ注入される電子が通る経路となる開口部を、埋め込みｐ層２６の内部ではなく、埋め込みｐ層２６の周囲に形成することと等価である。この場合、埋め込みｐ層２６の開口部の幅（すなわち第１長さｔ１）は、少数キャリアの拡散長Ｌ_hまたは５０μｍよりもさらに広くしてもよい。このように埋め込みｐ層２６に開口部を形成することにより、アノードコンタクトの端部３ａよりも内側の部分の表面積Ａ１０に対する、ｎ⁺カソード層４からｎ^-ドリフト領域１への電子の注入を阻害しない領域の表面積の占有面積（＝Ａ１０−Ａ１１）を所定範囲で確保する。

順方向バイアス時、ｐ⁺アノード層２からｎ^-ドリフト領域１に注入された正孔は、埋め込みｐ層２６内で電圧降下を発生させ、埋め込みｐ層２６の内部を移動して埋め込みｐ層２６の開口部に達し、ｎ⁺カソード層４へと通り抜ける。この電圧降下が埋め込みｐ層２６とｎ⁺カソード層４との間のｐｎ接合の内蔵電位を超えたときに、ｎ⁺カソード層４から埋め込みｐ層２６に電子が注入される。このとき、埋め込みｐ層２６の基板裏面に水平な方向の長さ（第４長さＬ１）が十分に長くない場合、ｐ⁺アノード層２からｎ^-ドリフト領域１に注入された正孔の基板裏面に水平な方向の移動距離が少ないことで電圧降下が小さくなり、ｎ⁺カソード層４から埋め込みｐ層２６に電子が注入されにくくなる。これが、過渡Ｖ_Fの増加や、Ｉ−Ｖ波形の飛びの原因となり得る。

図１７のようにｎ⁺カソード層４からｎ^-ドリフト領域１へ注入される電子が通る経路となる開口部を埋め込みｐ層２６の周囲に設ける場合、埋め込みｐ層２６の基板裏面に水平な方向の長さが十分に保たれる。このため、図１７のようにｎ⁺カソード層４からｎ^-ドリフト領域１へ注入される電子が通る経路となる開口部を埋め込みｐ層２６の周囲に設けることで、当該開口部を埋め込みｐ層２６の内部に選択的に設けた場合に比べて、過渡Ｖ_Fの増加や、Ｉ−Ｖ波形の飛びを抑制しやすくなる。また、図１７のようにｎ⁺カソード層４からｎ^-ドリフト領域１へ注入される電子が通る経路となる開口部を埋め込みｐ層２６の周囲に設ける場合、アノードコンタクトの端部３ａよりも内側の部分の表面積Ａ１０に対して、埋め込みｐ層２６の総表面積比が５０％以上であれば、逆回復時のソフトリカバリー効果が十分に得られる。この場合、アノードコンタクトの端部３ａを基板裏面に投射したときの位置と埋め込みｐ層２６の端部２６ａとの間隔（すなわち第１長さｔ１）は、埋め込みｐ層２６の表面積の占有面積Ａ１１の面積比率を５０％以上とすることができる長さであればよく、例えば２０００μｍ以下であればよい。

図１５〜１７において、埋め込みｐ層２６の基板裏面に水平な方向の長さ（第４長さ）Ｌ１は、埋め込みｐ層２６の不純物濃度にもよるが、例えば、次のように算出可能である。電流密度Ｊ、電荷素量ｑ、正孔移動度μ、埋め込みｐ層２６の厚さｄ、埋め込みｐ層２６の不純物濃度Ｎｐ、埋め込みｐ層２６とｎ⁺カソード層４との間のｐｎ接合の内蔵電位Ｖｂｉとした場合、埋め込みｐ層２６の基板裏面に水平な方向の長さＬ１は、下記（５）式を満たす。

Ｌ１＝｛（ｑ・μ・ｄ・Ｎｐ・Ｖｂｉ）／Ｊ｝^1/2 ・・・（５）

例えば、室温（３００Ｋ）での正孔移動度を４９５（ｃｍ²／Ｖｓ）、カソードｐ層厚さを１μｍ、カソードｐ層のｐ型不純物濃度を１×１０¹⁷／ｃｍ³、伝導度変調が十分生じるべき電流密度Ｊを１Ａ／ｃｍ²、と仮定した場合、上記（５）式より、埋め込みｐ層２６の基板裏面に水平な方向の長さＬ１は約２５０μｍとなる。このため、埋め込みｐ層２６の基板裏面に水平な方向の長さＬ１が２５０μｍ以上であれば、過渡Ｖ_Fを小さくすることができる。したがって、埋め込みｐ層２６の基板裏面に水平な方向の長さＬ１は、下記（６）式を満たせばよい。

Ｌ１≧｛（ｑ・μ・ｄ・Ｎｐ・Ｖｂｉ）／Ｊ｝^1/2 ・・・（６）

次に、実施の形態７にかかる半導体装置の製造方法について説明する。実施の形態７にかかる半導体装置の製造方法が実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法と異なる点は、埋め込みｐ層２６を形成する際に、イオン注入用マスクとして、埋め込みｐ層２６の平面パターンが形成されたマスクを用いる点である。具体的には、まず、実施の形態１のステップＳ１〜Ｓ３と同様に、おもて面素子構造の形成からｎバッファ層５までの工程を行う。次に、ｎ^-半導体基板の裏面にｎ⁺カソード層４を形成する。ｎ⁺カソード層４の形成方法は実施の形態１と同様である。

次に、フォトリソグラフィにより、ｎ^-半導体基板の裏面に、埋め込みｐ層２６の形成領域が開口したレジストマスクを形成する。このレジストマスクによって、例えば、エッジ終端構造部１１と、活性領域１０の、アノードコンタクトホールの端部よりも第１長さｔ１だけ内側までの部分とが覆われる。また、このレジストマスクには、アノードコンタクトホールの端部よりも内側の部分に、埋め込みｐ層２６のパターンが形成される。次に、レジストマスクをマスクとして、ｎ^-半導体基板の裏面に例えばボロンなどのｐ型不純物をイオン注入して埋め込みｐ層２６を形成する。

ｎ⁺カソード層４、ｎバッファ層５および埋め込みｐ層２６を形成する順番は種々入れ替え可能であり、実施の形態１と同様に、ｎバッファ層５、埋め込みｐ層２６およびｎ⁺カソード層４の順に形成してもよい。次に、実施の形態１のステップＳ６と同様に、イオン注入で注入した不純物を一括して熱拡散する。一括熱処理に代えて、イオン注入により不純物を注入するごとに、注入された不純物を熱拡散させてもよい。その後、実施の形態１のステップＳ７〜Ｓ１０と同様に、アノード電極３の形成からカソード電極７の形成までの工程を行うことで、図１４に示すＦＷＤが完成する。

以上、説明したように、実施の形態７によれば、実施の形態１〜６と同様の効果を得ることができる。また、実施の形態７によれば、アノードコンタクトの端部３ａよりも内側に所定の面積比率で埋め込みｐ層２６を設けることで、埋め込みｐ層の面積比率を最適化することにより、ソフトリカバリーで、かつ過渡Ｖ_Fの低い半導体装置を提供することができる。また、上記特許文献１の構造では、ｐｎｐｎ構造部分の伝導度変調が遅いため、ＦＷＤのターンオン時に大きな過渡オン電圧を生じる。これによって、ＦＷＤのスイッチング損失が増加することはもちろん、対向アームのＩＧＢＴのターンオフ時のサージ電圧が大きくなるという問題があるが、本発明によれば、ソフトリカバリー化と低い過渡Ｖ_Fとを両立することができるため、上記特許文献１の構造で生じる問題は生じない。

（実施の形態８）
次に、実施の形態８にかかる半導体装置の構造について説明する。図１９は、実施の形態８にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。実施の形態８にかかる半導体装置が実施の形態７にかかる半導体装置と異なる点は、基板裏面からプロトンの多段照射により形成されてなる、基板裏面からの深さが異なる複数のｎバッファ層１５を設けている点である。ｎバッファ層１５の構成は実施の形態４と同様である。すなわち、例えばプロトンの３段照射によりｎバッファ層１５を形成する場合、ｎバッファ層１５は、ｎ^-半導体基板の裏面から深い側から浅い側へ順にｎバッファ層１５ａ〜１５ｃが配置されてなる。

実施の形態８にかかる半導体装置の製造方法は、実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法において埋め込みｐ層２６を形成する際に、実施の形態７と同様に、アノードコンタクトホールの端部よりも内側の部分に埋め込みｐ層２６の平面パターンが形成されたイオン注入用マスクを用いればよい。実施の形態８にかかる半導体装置の製造方法の埋め込みｐ層２６の形成工程以外の工程は、実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法と同様である。

以上、説明したように、実施の形態８によれば、実施の形態１〜７と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態９）
次に、実施の形態９にかかる半導体装置の構造について説明する。図２０は、実施の形態９にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。図２１は、図２０の埋め込みｐ層の平面パターンの一例を示す平面図である。図２１には、埋め込みｐ層（以下、第１，２埋め込みｐ層とする）２６，３６を所定間隔で規則的に並べたマトリクス状に配置した一例を示す。実施の形態９にかかる半導体装置が実施の形態７にかかる半導体装置と異なる点は、エッジ終端構造部１１にも第２埋め込みｐ層３６を選択的に設け、アノードコンタクトの端部３ａよりも外側の部分の表面積Ａ２０に対する、エッジ終端構造部１１の第２埋め込みｐ層３６の表面積の占有面積Ａ２１の面積比率（＝Ａ２１／Ａ２０）を所定範囲に設定している点である。

具体的には、アノードコンタクトの端部３ａよりも外側の部分の表面積Ａ２０に対する、エッジ終端構造部１１の第２埋め込みｐ層３６の表面積の占有面積Ａ２１の面積比率は、アノードコンタクトの端部３ａよりも内側の部分の表面積Ａ１０に対する、第１埋め込みｐ層２６の表面積の占有面積Ａ１１の面積比率よりも小さい。これにより、ダイナミックなアバランシェが生じた場合のエッジ終端構造部１１の耐圧が活性領域１０の耐圧よりも高くなる。この結果、逆回復時のアバランシェも活性領域１０の耐圧が主体となるため、逆回復時に、アノードコンタクトの端部３ａでの電流集中を回避することができ、破壊耐量を向上させることができる。

具体的には、矩形状のアノードコンタクトの端部３ａ（活性領域１０）とエッジ終端構造部１１との境界付近からエッジ終端構造部１１にわたって、アノードコンタクトの端部３ａを跨ぐように、第２埋め込みｐ層３６が配置されている。第２埋め込みｐ層３６は、アノードコンタクトの端部３ａの内側の第１埋め込みｐ層２６よりも、開口部の幅ｔ６が広く、かつ基板裏面に水平な方向の長さＬ２が短い（ｔ６＞ｔ４、かつＬ２＜Ｌ１）。第１埋め込みｐ層２６の構成は、例えば実施の形態７と同様である。このようにエッジ終端構造部１１に第２埋め込みｐ層３６を設けることで、さらに、低過渡Ｖ_F化およびソフトリカバリー化を図ることができる。

以上、説明したように、実施の形態９によれば、実施の形態１〜８と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態１０）
次に、実施の形態１０にかかる半導体装置の構造について説明する。図２２は、実施の形態１０にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。図２２には、埋め込みｐ層の平面パターンの一例を示す。実施の形態１０にかかる半導体装置が実施の形態１にかかる半導体装置と異なる点は、矩形状のアノードコンタクトの端部３ａの４つのコーナー部に、それぞれ、アノードコンタクトの端部３ａとエッジ終端構造部１１との境界付近を跨ぐように第２埋め込みｐ層４６を配置した点である。第２埋め込みｐ層４６は、アノードコンタクトの端部３ａの内側の埋め込みｐ層（以下、第１埋め込みｐ層とする）６に接する。

実施の形態１０においては、ダイナミックなアバランシェが生じた場合のエッジ終端構造部１１の耐圧がアノードコンタクトの端部３ａのコーナー部で低くなるものの、順方向バイアス時の伝導度変調は、アノードコンタクトの端部３ａのコーナー部で生じにくくなる。ダイナミックアバランシェ時にｐ⁺アノード層２からｎ^-ドリフト領域１に注入される正孔は、静電ポテンシャルにしたがいアノードコンタクトの端部３ａで囲まれたアノード電極３の接触面に流れる。一方、エッジ終端構造部１１に蓄積されたキャリアは、アノードコンタクトの端部３ａのコーナー部での蓄積量が少なくなっている。このため、順方向導通時におけるアノードコンタクトの端部３ａのコーナー部への電流集中は緩和され、その結果、逆回復時におけるアノードコンタクトの端部３ａのコーナー部への電流集中も緩和できる。

以上、説明したように、実施の形態１０によれば、実施の形態１〜９と同様の効果を得ることができる。

（実施例１）
次に、過渡Ｖ_F（オン電圧）および逆回復時のサージ電圧と埋め込みｐ層の面積比率との関係について検証した。図２３は、実施例１にかかる半導体装置の過渡的な順方向電圧および逆回復時のサージ電圧と埋め込みｐ層の面積比率との関係を示す特性図である。上述した実施の形態７にかかる半導体装置の製造方法にしたがい、埋め込みｐ層の面積比率を種々変更したＦＷＤ（以下、実施例１とする）を作製し、過渡Ｖ_F（オン電圧）および逆回復時のサージ電圧を測定した結果を図２３に示す。実施例１は、耐圧を１２００Ｖとし、定格電流を１００Ａとし、電源電圧Ｖｃｃを９００Ｖとし、ジャンクション（ｐｎ接合部）温度Ｔｊを室温（例えば２５℃）とした。

埋め込みｐ層２６の表面積の占有面積Ａ１１が高い場合、ソフトリカバリー化は容易であるが、過渡オン電圧（過渡的な順方向電圧）が大きくなる。一方、埋め込みｐ層２６の表面積の占有面積Ａ１１が低い場合、過渡オン電圧は低いが、ソフトリカバリー化が難しい。図２３に示す結果より、アノードコンタクトの端部３ａよりも内側の部分の表面積Ａ１０に対する埋め込みｐ層２６の表面積の占有面積Ａ１１の面積比率が９０％以上９８％以下、望ましくは９２％以上９６％以下としたときに、過渡Ｖ_Fを低くすることができ、かつソフトリカバリーとすることができることが確認された。

過渡Ｖ_Fが１００Ｖ以下であり、かつサージ電圧が１１７０Ｖ以下である場合を、低過渡Ｖ_Fとソフトリカバリーとを両立可能としている。過渡Ｖ_Fを１００Ｖ以下とした理由は、１００Ｖを超えると、インバータ動作時の電気的損失が増加するためである。サージ電圧を１１７０Ｖ以下とした理由は、サージ電圧がダイオードに与える電気的負荷によるダメージを軽減するためである。

（実施の形態１１）
次に、実施の形態１１にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図２４は、実施の形態１１にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。実施の形態１１にかかる半導体装置の製造方法が実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法と異なる点は、おもて面保護膜の形成後に、基板裏面側に行う各プロセス（以下、裏面形成プロセスとする）を行う点である。

具体的には、まず、ｎ^-ドリフト領域１となるｎ^-半導体基板のおもて面側におもて面素子構造およびアノード電極３を形成した後（ステップＳ７１，７２）、ｎ^-半導体基板のおもて面側にパッシベーション保護膜を形成する（ステップＳ７３）。おもて面素子構造の形成方法、アノード電極３の形成方法およびパッシベーション保護膜の形成方法は実施の形態１と同様である。次に、ｎ^-半導体基板の裏面を研削してｎ^-半導体基板の厚さを薄くする（ステップＳ７４）。次に、実施の形態４と同様に、ｎ^-半導体基板の裏面から異なる飛程で例えば３回のプロトン照射を行うことにより、基板裏面からの深さの異なるｎバッファ層１５ａ〜１５ｃを形成する（ステップＳ７５）。次に、例えば炉アニールにより、ｎ^-半導体基板に注入されたプロトンを活性化させる（ステップＳ７６）。次に、ｎ^-半導体基板の裏面全体に例えばリンなどのｎ型不純物をイオン注入し、ｎ⁺カソード層４を形成する（ステップＳ７７）。

次に、ｎ^-半導体基板の裏面に、埋め込みｐ層６の形成領域が開口したレジストマスクを形成する。次に、レジストマスクをマスクとして、基板裏面からｎ⁺カソード層４よりも深く、かつｎバッファ層１５ｃよりも浅い位置に埋め込みｐ層６を形成する（ステップＳ７８）。次に、レジストマスクを除去した後、ｎ^-半導体基板の裏面側をレーザーアニールしてｎ⁺カソード層４を活性化させる（ステップＳ７９）。次に、ｎ^-ドリフト領域１のキャリアのライフタイムを制御する照射工程およびアニール工程を行う（ステップＳ８０、Ｓ８１）。ステップＳ８０、Ｓ８１のライフタイム制御方法は実施の形態１と同様である。その後、ｎ^-半導体基板の裏面にカソード電極７を形成することで（ステップＳ８２）、図８に示すＦＷＤが完成する。

以上、説明したように、実施の形態１１によれば、実施の形態１〜４と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態１２）
次に、実施の形態１２にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図２５は、実施の形態１２にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。実施の形態１２にかかる半導体装置の製造方法が実施の形態１１にかかる半導体装置の製造方法と異なる点は、ｎ⁺カソード層４および埋め込みｐ層６を活性化させるためのレーザーアニール後に、炉アニールによりｎバッファ層１５ａ〜１５ｃを活性化させる点である。

具体的には、まず、実施の形態１１と同様に、おもて面素子構造の形成からｎバッファ層１５ａ〜１５ｃの形成までの工程を行う（ステップＳ９１〜Ｓ９５）。次に、実施の形態１１と同様に、ｎ⁺カソード層４の形成から、ｎ⁺カソード層４および埋め込みｐ層６を活性化させるためのレーザーアニールまでの工程を行う（ステップＳ９６〜Ｓ９８）。次に、炉アニールによりｎバッファ層１５ａ〜１５ｃを活性化させる（ステップＳ９９）。その後、実施の形態１１と同様に、ライフタイム制御からカソード電極７の形成までの工程を行うことで（ステップＳ１００〜Ｓ１０２）、図８に示すＦＷＤが完成する。

以上、説明したように、実施の形態１２によれば、実施の形態１〜４，１１と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態１３）
次に、実施の形態１３にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図２６は、実施の形態１３にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。実施の形態１３にかかる半導体装置の製造方法が実施の形態１１にかかる半導体装置の製造方法と異なる点は、ｎ⁺カソード層４および埋め込みｐ層６を活性化させるためのレーザーアニール後に、プロトン照射によりｎバッファ層１５ａ〜１５ｃを形成し、その後炉アニールによりｎバッファ層１５ａ〜１５ｃを活性化させる点である。

具体的には、まず、実施の形態１１と同様に、おもて面素子構造の形成からｎ^-半導体基板の裏面を研削するまでの工程を行う（ステップＳ１１１〜Ｓ１１４）。次に、実施の形態１１と同様に、ｎ⁺カソード層４の形成から、ｎ⁺カソード層４および埋め込みｐ層６を活性化させるためのレーザーアニールまでの工程を行う（ステップＳ１１５〜Ｓ１１７）。次に、基板裏面からプロトンの多段照射により、基板裏面からの深さの異なるｎバッファ層１５ａ〜１５ｃを形成する（ステップＳ１１８）。ｎバッファ層１５ａ〜１５ｃの形成方法は実施の形態４と同様である。次に、炉アニールによりｎバッファ層１５ａ〜１５ｃを活性化させる（ステップＳ１１９）。その後、実施の形態１１と同様に、ライフタイム制御からカソード電極７の形成までの工程を行うことで（ステップＳ１２０〜Ｓ１２２）、図８に示すＦＷＤが完成する。

次に、実施の形態１３にかかる半導体装置の製造方法により作製された半導体装置のｎ^-ドリフト領域１およびｎバッファ層１５の不純物濃度について検証した。図２８は、実施例２にかかる半導体装置の基板裏面側の不純物濃度分布を示す特性図である。上述した実施の形態１３にかかる半導体装置の製造方法にしたがってＦＷＤ（以下、実施例２とする）を作製し、ｎ^-ドリフト領域１およびｎバッファ層１５の不純物濃度を測定した結果を図２８に示す。図２８には、基板裏面から最も深い位置に配置された１段のｎバッファ層１５ａの、基板裏面側からの深さ方向の不純物濃度（ドナー濃度）分布を示す。図２８の横軸の始点は、ｎ^-ドリフト領域１の、ｎバッファ層１５ａ，１５ｂ間に挟まれた部分と、ｎバッファ層１５ａとの界面である。

すなわち、図２８には、プロトンの多段照射により形成された１段のｎバッファ層１５ａの基板裏面側から基板おもて面側へ向かう方向のドナー濃度分布を示している。ｎバッファ層１５ａの不純物濃度ピークに該当する位置よりも深い部分において一様な不純物濃度分布を示す部分は、ｎ^-ドリフト領域１の、ｎバッファ層１５ａよりも基板おもて面側の部分である。また、図２８には、比較として、ステップＳ１１７の基板裏面側のレーザーアニールを行わずに作製したＦＷＤ（以下、比較例とする）の、実施例２と同様の深さにおける不純物濃度分布を示す。比較例の製造方法は、ステップＳ１１７のレーザーアニールを行わない以外は実施例２の製造方法と同様である。

図２８に示す結果より、比較例（レーザーアニールなし）では、ｎ^-ドリフト領域１の、ｎバッファ層１５ａ，１５ｂ間に挟まれた部分の不純物濃度が、ｎバッファ層１５ａの不純物濃度ピークに該当する位置よりも深い部分において一様な不純物濃度分布を示す部分（ｎ^-ドリフト領域１）の不純物濃度よりも高いことが確認された。それに対して、実施例２（レーザーアニールあり）においては、ｎ^-ドリフト領域１とｎバッファ層１５ａとの界面における不純物濃度と、ｎバッファ層１５ａの不純物濃度ピークに該当する位置よりも深い部分において一様な不純物濃度分布を示す部分（ｎ^-ドリフト領域１）における不純物濃度とがほぼ等しい。すなわち、ｎ^-ドリフト領域１の不純物濃度を変動させることなく、ｎバッファ層１５を形成することができることが確認された。

これらの結果から、ステップＳ１１７の基板裏面側のレーザーアニールを行った後に、ステップＳ１１８、Ｓ１１９のプロトン照射および活性化アニールを行うことにより、図２８に示すように、ドナー濃度の変動をなくすことができることが確認された。

以上、説明したように、実施の形態１３によれば、実施の形態１〜４，１１，１２と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態１４）
次に、実施の形態１４にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図２７は、実施の形態１４にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。実施の形態１４にかかる半導体装置の製造方法が実施の形態１３にかかる半導体装置の製造方法と異なる点は、埋め込みｐ層６を形成した後に、ｎ⁺カソード層４を形成する点である。

具体的には、まず、実施の形態１３と同様に、おもて面素子構造の形成からｎ^-半導体基板の裏面を研削するまでの工程を行う（ステップＳ１３１〜Ｓ１３４）。次に、埋め込みｐ層６を形成した後に（ステップＳ１３５）、ｎ⁺カソード層４を形成する（ステップＳ１３６）。埋め込みｐ層６の形成方法、およびｎ⁺カソード層４の形成方法は実施の形態１３と同様である。次に、実施の形態１３と同様に、ｎ⁺カソード層４および埋め込みｐ層６を活性化させるためのレーザーアニールから、カソード電極７の形成までの工程を行うことで（ステップＳ１３７〜Ｓ１４２）、図８に示すＦＷＤが完成する。

以上、説明したように、実施の形態１４によれば、実施の形態１〜４，１１〜１３と同様の効果を得ることができる。

以上において本発明は種々変更可能であり、上述した各実施の形態において、例えば各部の寸法や不純物濃度等は要求される仕様等に応じて種々設定される。上述した各実施の形態では、電子線照射によりキャリアのライフタイムを制御しているが、これに限らず、例えば白金（Ｐｔ）などの金属を拡散させたり、プロトンやヘリウム（Ｈｅ）など電子線以外の粒子線を半導体基板に照射することによりキャリアのライフタイムを制御してもよい。また、各実施の形態では第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型としたが、本発明は第１導電型をｐ型とし、第２導電型をｎ型としても同様に成り立つ。

以上のように、本発明にかかる半導体装置は、電力変換装置などに使用されるパワー半導体装置に有用である。

１ ｎ^-ドリフト領域
１ａ ｎ^-半導体基板の側面
２ ｐ⁺アノード層
３ アノード電極
３ａ アノードコンタクトの端部
４，１４ ｎ⁺カソード層
５，１５，１５ａ〜１５ｃ ｎバッファ層
６ 埋め込みｐ層
６ａ 埋め込みｐ層の端部
７ カソード電極
９ 層間絶縁膜
１０ 活性領域
１１ エッジ終端構造部
１４ａ ｎ⁺カソード層の端部
１６ ｐ^-領域
１６ａ ｐ^-領域の外周端部
１６ｂ ｐ^-領域の内周端部

Claims (24)

1. 第１導電型の第１半導体領域と、
   前記第１半導体領域の一方の面の表面層に選択的に設けられた第２導電型の第２半導体領域と、
   前記第２半導体領域に接する第１電極と、
   前記第１半導体領域の他方の面の表面層に設けられた、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高い第１導電型の第３半導体領域と、
   前記第１半導体領域の内部の、前記他方の面から前記第３半導体領域よりも深い位置に設けられた第２導電型の第４半導体領域と、
   前記第３半導体領域に接する第２電極と、
   を備え、
   前記第４半導体領域の、前記第１電極と前記第２半導体領域とが接触する領域の接触端部よりも内周側の部分の外周側の端部のうち最も前記接触端部に近い端部は、前記接触端部よりも少なくとも少数キャリアの拡散長分内側に位置することを特徴とする半導体装置。
2. 前記第４半導体領域は、前記他方の面に平行な方向に互いに離して複数配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１半導体領域の内部の、前記他方の面から前記第３半導体領域よりも深い位置に設けられた、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高く、かつ前記第３半導体領域よりも不純物濃度が低い第１導電型の第５半導体領域をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記第３半導体領域の端部は、前記第１半導体領域の側面よりも内側に位置し、
   前記第３半導体領域の外側で、前記第５半導体領域と前記第２電極とが接していることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記第３半導体領域の外側の前記第５半導体領域の内部に、前記第３半導体領域および前記第４半導体領域と離して設けられた第２導電型の第６半導体領域をさらに備えることを特徴とする請求項３または４に記載の半導体装置。
6. 前記第５半導体領域は、複数回のプロトン照射により形成されてなる領域であり、前記他方の面から異なる深さで複数配置されていることを特徴とする請求項３〜５のいずれか一つに記載の半導体装置。
7. 前記第５半導体領域は、前記他方の面から前記第４半導体領域よりも深い位置に、前記第４半導体領域と離して設けられていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
8. 主電流が流れる活性領域の表面積に対する、前記第４半導体領域の表面積の占有面積比率は、９０％以上９８％以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の半導体装置。
9. 前記接触端部を、前記一方の面側から前記他方の面に投射した接触端部位置よりも外周側の、前記他方の面の表面積をＡ２０とし、
   前記第４半導体領域の、前記接触端部位置よりも外周側の部分の前記他方の面に平行な面の総表面積をＡ２１とし、
   前記接触端部位置よりも内周側の、前記他方の面の表面積をＡ１０とし、
   前記第４半導体領域の、前記接触端部位置よりも内周側の部分の前記他方の面に平行な面の総表面積をＡ１１としたときに、
   Ａ２１／Ａ２０＜Ａ１１／Ａ１０を満たすことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の半導体装置。
10. 前記第４半導体領域の、前記接触端部を前記一方の面側から前記他方の面に投射した接触端部位置よりも内周側の部分の前記他方の面に水平な方向の長さは２５０μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の半導体装置。
11. 前記第４半導体領域の、前記接触端部を前記一方の面側から前記他方の面に投射した接触端部位置よりも内周側の部分の前記他方の面に水平な方向の長さＬ１は、活性領域に流れる主電流の電流密度Ｊ、電荷素量ｑ、正孔移動度μ、前記第４半導体領域の深さ方向の厚さｄ、前記第４半導体領域の不純物濃度Ｎｐ、前記第４半導体領域と前記第３半導体領域との間のｐｎ接合の内蔵電位Ｖｂｉとして、
    Ｌ１≧｛（ｑ・μ・ｄ・Ｎｐ・Ｖｂｉ）／Ｊ｝ ^1/2
    を満たすことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の半導体装置。
12. 前記第４半導体領域の、前記接触端部を前記一方の面側から前記他方の面に投射した接触端部位置よりも内周側の部分の外周側の端部のうち最も前記接触端部位置に近い端部と、前記接触端部位置と、とが離間する離間部の間隔は２０００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の半導体装置。
13. 前記第４半導体領域は、矩形状の平面形状を有する前記第１半導体領域の、頂点を共有する２辺にそれぞれ平行な２辺を少なくとも有し、かつ当該２辺の連結部を当該２辺の交点よりも内側に位置させた平面形状を有することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一つに記載の半導体装置。
14. 主電流が流れる活性領域の周囲を囲み、耐圧を保持する終端構造部、
    をさらに備え、
    前記第４半導体領域は、前記活性領域に設けられており、
    前記活性領域のアバランシェ耐圧は、前記終端構造部のアバランシェ耐圧よりも低いことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の半導体装置。
15. 前記活性領域の周囲を囲み、耐圧を保持する終端構造部、
    をさらに備え、
    前記第４半導体領域は、前記活性領域に設けられており、
    前記活性領域のアバランシェ耐圧は、前記終端構造部のアバランシェ耐圧よりも低いことを特徴とする請求項８または１１に記載の半導体装置。
16. 前記第４半導体領域の端部は、前記第３半導体領域の端部よりも内側に位置することを特徴とする請求項３〜７のいずれか一つに記載の半導体装置。
17. 前記第５半導体領域と前記第２電極との接触がショットキー接合であることを特徴とする請求項３〜７、１６のいずれか一つに記載の半導体装置。
18. 前記第１半導体領域の前記他方の面に設けられた、前記第１半導体領域と他部材とを接合する半田層をさらに備え、
    前記半田層は、前記他方の面から前記第１半導体領域の側面に達していることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか一つに記載の半導体装置。
19. 第１導電型の第１半導体領域となる半導体基板の一方の主面の表面層に、第２導電型の第２半導体領域を選択的に形成する第１工程と、
    前記第２半導体領域に接する第１電極を形成する第２工程と、
    前記半導体基板の他方の主面の表面層に、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高い第１導電型の第３半導体領域を形成する第３工程と、
    前記半導体基板の他方の主面から前記第３半導体領域よりも深い位置に、第２導電型の第４半導体領域を形成する第４工程と、
    レーザーアニールにより、前記第３半導体領域および前記第４半導体領域を活性化させる第５工程と、
    複数回のプロトン照射により、前記半導体基板の他方の主面から前記第４半導体領域よりも深い位置に異なる深さで、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高く、かつ前記第３半導体領域よりも不純物濃度が低い第１導電型の複数の第５半導体領域を形成する第６工程と、
    炉アニールにより前記第５半導体領域を活性化させる第７工程と、
    前記第３半導体領域に接する第２電極を形成する第８工程と、
    を含み、
    前記第４工程では、前記第４半導体領域の、前記第１電極と前記第２半導体領域とが接触する領域の接触端部よりも内周側の部分の外周側の端部のうち最も前記接触端部に近い端部が前記接触端部よりも少なくとも少数キャリアの拡散長分内側に位置するように、前記第４半導体領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
20. 前記第７工程の後に、キャリアのライフタイムを制御する照射工程と、該照射工程の後にライフタイムアニール工程と、を含むことを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
21. 前記第２工程の後に、前記半導体基板の他方の主面を研削して前記半導体基板の厚さを薄くする研削工程を含むことを特徴とする請求項１９または２０に記載の半導体装置の製造方法。
22. 第１導電型の第１半導体領域となる半導体基板の一方の主面の表面層に、第２導電型の第２半導体領域を選択的に形成する第１工程と、
    前記第２半導体領域に接する第１電極を形成する第２工程と、
    前記半導体基板の他方の主面の表面層に、第２導電型の第４半導体領域を形成する第３工程と、
    前記半導体基板の他方の主面から前記第４半導体領域よりも浅い位置に、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高い第１導電型の第３半導体領域を形成する第４工程と、
    レーザーアニールにより、前記第３半導体領域および前記第４半導体領域を活性化させる第５工程と、
    複数回のプロトン照射により、前記半導体基板の他方の主面から前記第４半導体領域よりも深い位置に異なる深さで、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高く、かつ前記第３半導体領域よりも不純物濃度が低い第１導電型の複数の第５半導体領域を形成する第６工程と、
    炉アニールにより前記第５半導体領域を活性化させる第７工程と、
    前記第３半導体領域に接する第２電極を形成する第８工程と、
    を含み、
    前記第３工程では、前記第４半導体領域の、前記第１電極と前記第２半導体領域とが接触する領域の接触端部よりも内周側の部分の外周側の端部のうち最も前記接触端部に近い端部が前記接触端部よりも少なくとも少数キャリアの拡散長分内側に位置するように、前記第４半導体領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
23. 前記第７工程の後に、キャリアのライフタイムを制御する照射工程と、該照射工程の後にライフタイムアニール工程と、を含むことを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置の製造方法。
24. 前記第２工程の後に、前記半導体基板の他方の主面を研削して前記半導体基板の厚さを薄くする研削工程を含むことを特徴とする請求項２２または２３に記載の半導体装置の製造方法。

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