JP6031374B2 - イソプレン重合触媒組成物、合成ポリイソプレンの製造方法及び合成ポリイソプレン - Google Patents
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Description
合成ポリイソプレンの性能をより天然ゴムに近づけ、耐久性を向上させるために、従来より、合成ポリイソプレンの高シス化による伸長結晶性の改良が行われてきた(例えば、特許文献1−3参照)。これにより合成ポリイソプレンの耐久性は改良されたが、高シビリティ条件下の耐久性は天然ゴムには及ばないという問題がある。
また、イソプレン骨格を有する重合体は、他のモノマーから構成された重合体に比べ、高分子量の重合体を効率よく製造しにくいことが分かっており、このことが高シビリティ条件下での耐久性を低下させる要因と考えられる。
即ち、本発明のイソプレン重合触媒組成物は、
希土類元素−酸素結合、または希土類元素−硫黄結合を有する希土類元素化合物((a)成分)、イオン性化合物((b)成分)、及び下記一般式(X)で表される化合物及び下記一般式(Y)で表される繰り返し単位を有する化合物からなる群より選択される少なくとも1つの化合物((c)成分)
YR1 aR2 bR3 c ・・・ (X)
(−Y(R1)O−) ・・・ (Y)
(各式中、Yは、周期律表第1族、第2族、第12族及び第13族から選択される金属であり、R1及びR2は、炭素数1〜10の炭化水素基又は水素原子で、R3は炭素数1〜10の炭化水素基であり、但し、上記R1ないしR3は同一又はそれぞれ異なっていてもよく、また、Yが周期律表第1族から選択される金属である場合には、aは1で且つb及びcは0であり、Yが周期律表第2族及び第12族から選択される金属である場合には、a及びbは1で且つcは0であり、Yが周期律表第13族から選択される金属である場合には、a,b及びcは1である)
を含み、前記希土類元素がガドリニウムである、ことを特徴とする。
この重合触媒組成物を用いることにより、効率よく高分子量のポリイソプレンを合成することが可能である。
本発明に係る重合触媒組成物を用いて製造される重合体は、合成ポリイソプレンである。
前記合成ポリイソプレンのシス−1,4結合量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、95%以上が好ましく、97%以上がより好ましく、98%以上が特に好ましい。
前記シス−1,4結合量が、95%以上であると、ポリマー鎖の配向が良好となり、伸長結晶性が十分となり、更に、98%以上であると、より高い耐久性を得るのに十分な伸長結晶性とできる。
前記合成ポリイソプレンのトランス−1,4結合量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、5%未満が好ましく、3%未満がより好ましく、1%未満が特に好ましい。
前記トランス−1,4結合量を5%未満とすると、伸長結晶性が阻害を受けにくくなる。
前記合成ポリイソプレンの3,4−ビニル結合量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、5%以下が好ましく、3%以下がより好ましく、1%以下が特に好ましい。
前記3,4−ビニル結合量を5%以下とすると、伸長結晶性が阻害を受けにくくなる。
前記ポリイソプレンの重量平均分子量(Mw)は、100万以上が好ましく、更に150万以上が好ましい。
−数平均分子量(Mn)−
前記ポリイソプレンの数平均分子量(Mn)は、40万以上が好ましく、更に50万以上が好ましい。上記の数平均分子量の合成イソポリプレンを用いることで、高シビリティ条件下でも良好な耐久性を奏するゴム組成物を得ることができる。
前記ポリイソプレンの触媒残渣量は、600ppm以下が好ましく、200ppm以下が更に好ましい。触媒残渣量を、600ppm以下にすることで、高シビリティ条件下の耐久性が良好となる。なお、ここでいう触媒残渣量とは、具体的にはポリイソプレン中に残存する希土類元素化合物の測定値をいうものとする。
次に、前記合成ポリイソプレンを製造することができる製造方法を詳細に説明する。但し、以下に詳述する製造方法は、あくまで例示に過ぎない。
本発明における重合工程は、イソプレンモノマーを重合する工程である。
前記重合工程においては、本発明の重合触媒組成物を用いること以外は、通常の配位イオン重合触媒による重合体の製造方法と同様にして、単量体であるイソプレンを重合させることができる。本発明において、使用される重合触媒または重合触媒組成物については、後に詳述する。
次に、本発明の重合触媒組成物について説明する。
本発明の重合触媒組成物の触媒活性は、30kg/mol・h以上が好ましく、1000kg/mol・h以上が更に好ましい。触媒活性を30kg/mol・h以上にすることで、効率よくポリイソプレンを合成することが可能となる。なお、ここでいう触媒活性の数値は、触媒単位モル、及び単位時間あたりにポリイソプレンを製造する能力を示すものとする。
前記重合触媒組成物は、少なくとも
(a)成分:希土類元素−酸素結合、または希土類元素−硫黄結合を有する希土類元素化合物と、
(b)成分:イオン性化合物と、
(c)成分:下記一般式(X)で表される化合物及び下記一般式(Y)で表される繰り返し単位を有する化合物からなる群より選択される少なくとも1つの化合物を含む。
YR1 aR2 bR3 c ・・・ (X)
(−Y(R1)O−) ・・・ (Y)
(各式中、Yは、周期律表第1族、第2族、第12族及び第13族から選択される金属であり、R1及びR2は、炭素数1〜10の炭化水素基又は水素原子で、R3は炭素数1〜10の炭化水素基であり、但し、上記R1ないしR3は同一又はそれぞれ異なっていてもよく、また、Yが周期律表第1族から選択される金属である場合には、aは1で且つb及びcは0であり、Yが周期律表第2族及び第12族から選択される金属である場合には、a及びbは1で且つcは0であり、Yが周期律表第13族から選択される金属である場合には、a,b及びcは1である)
上記(a)成分は、希土類元素化合物とルイス塩基との反応物も含む。
上記(b)成分は、非配位性アニオンとカチオンとからなるイオン性化合物を含む。
なお、上記重合触媒組成物は、さらにハロゲン化合物を含んでいてもよい。前記ハロゲン化合物には、ルイス酸、金属ハロゲン化物とルイス塩基との錯化合物及び活性ハロゲンを含む有機化合物のうち少なくとも一種が含まれる。
また、上記重合触媒組成物は、アニオン性配位子となり得る化合物((d)成分)を含んでいてもよい。
(RO)3M (I)
で表される希土類アルコラート、
(R−CO2)3M (II)
で表される希土類カルボキシレート、
MX3・y酸素供与体 (IV)
で表される酸素供与体化合物を有する希土類ハライドへの付加化合物。
(RS)3M (V)
で表される希土類アルキルチオラート、
(R−CS2)3M (VI)
で表される化合物、
MX3・y硫黄供与体 (VIII)
で表される硫黄供与体化合物を有する希土類ハライドへの付加化合物、のうち少なくとも1つを好適に使用できる。
なお、後述のように、(a)成分は希土類元素と炭素との結合を有しないことが好ましいため、特に(V)または(VI)で表される化合物を好適に使用できる。
なお、本発明において、前記希土類元素は、ガドリニウムである。また、上記(a)成分は、一種単独で用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記のイオン性化合物としては、非配位性アニオンとカチオンとからなり、上記(a)成分である希土類元素化合物またはそのルイス塩基との反応物と反応してカチオン性遷移金属化合物を生成できるイオン性化合物等を挙げることができる。ここで、非配位性アニオンとしては、4価のホウ素アニオン、例えば、テトラフェニルボレート、テトラキス(モノフルオロフェニル)ボレート、テトラキス(ジフルオロフェニル)ボレート、テトラキス(トリフルオロフェニル)ボレート、テトラキス(テトラフルオロフェニル)ボレート、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、テトラキス(テトラフルオロメチルフェニル)ボレート、テトラ(トリル)ボレート、テトラ(キシリル)ボレート、(トリフェニル、ペンタフルオロフェニル)ボレート、[トリス(ペンタフルオロフェニル)、フェニル]ボレート、トリデカハイドライド−7,8−ジカルバウンデカボレート等が挙げられる。好ましくは、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートが挙げられる。一方、カチオンとしては、カルボニウムカチオン、オキソニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、シクロヘプタトリエニルカチオン、遷移金属を有するフェロセニウムカチオン等を挙げることができる。カルボニウムカチオンの具体例としては、トリフェニルカルボニウムカチオン、トリ(置換フェニル)カルボニウムカチオン等の三置換カルボニウムカチオン等が挙げられ、トリ(置換フェニル)カルボニルカチオンとして、より具体的には、トリ(メチルフェニル)カルボニウムカチオン、トリ(ジメチルフェニル)カルボニウムカチオン等が挙げられる。アンモニウムカチオンの具体例としては、トリメチルアンモニウムカチオン、トリエチルアンモニウムカチオン、トリプロピルアンモニウムカチオン、トリブチルアンモニウムカチオン(例えば、トリ(n−ブチル)アンモニウムカチオン)等のトリアルキルアンモニウムカチオン;N,N−ジメチルアニリニウムカチオン、N,N−ジエチルアニリニウムカチオン、N,N−2,4,6−ペンタメチルアニリニウムカチオン等のN,N−ジアルキルアニリニウムカチオン;ジイソプロピルアンモニウムカチオン、ジシクロヘキシルアンモニウムカチオン等のジアルキルアンモニウムカチオン等が挙げられる。ホスホニウムカチオンの具体例としては、トリフェニルホスホニウムカチオン、トリ(メチルフェニル)ホスホニウムカチオン、トリ(ジメチルフェニル)ホスホニウムカチオン等のトリアリールホスホニウムカチオン等が挙げられる。従って、イオン性化合物としては、上述の非配位性アニオン及びカチオンからそれぞれ選択し組み合わせた化合物が好ましく、具体的には、N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリフェニルカルボニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート等が好ましい。また、これらのイオン性化合物は、一種単独で使用することも、2種以上を混合して用いることもできる。なお、上記重合触媒組成物におけるイオン性化合物の含有量は、(a)成分に対して0.1〜10倍モルであることが好ましく、約1倍モルであることが更に好ましい。
YR1 aR2 bR3 c ・・・ (X)
(−Y(R1)O−) ・・・ (Y)
(式中、Yは、周期律表第1族、第2族、第12族及び第13族から選択される金属であり、R1及びR2は、炭素数1〜10の炭化水素基又は水素原子で、R3は炭素数1〜10の炭化水素基であり、但し、上記R1ないしR3は同一又はそれぞれ異なっていてもよく、また、Yが周期律表第1族から選択される金属である場合には、aは1で且つb及びcは0であり、Yが周期律表第2族及び第12族から選択される金属である場合には、a及びbは1で且つcは0であり、Yが周期律表第13族から選択される金属である場合には、a,b及びcは1である)
上記一般式(X)で表される化合物は、下記一般式(Xa):
AlR1R2R3 ・・・ (Xa)
(式中、R1及びR2は炭素数1〜10の炭化水素基または水素原子で、R3は炭素数1〜10の炭化水素基であり、但し、R1ないしR3と同一または異なっていてもよい)で表される有機アルミニウム化合物であることが好ましい。一般式(Xa)の有機アルミニウム化合物としては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリ−n−プロピルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリ−n−ブチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリ−t−ブチルアルミニウム、トリペンチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム、トリシクロヘキシルアルミニウム、トリオクチルアルミニウム;水素化ジエチルアルミニウム、水素化ジ−n−プロピルアルミニウム、水素化ジ−n−ブチルアルミニウム、水素化ジイソブチルアルミニウム、水素化ジヘキシルアルミニウム、水素化ジイソヘキシルアルミニウム、水素化ジオクチルアルミニウム、水素化ジイソオクチルアルミニウム;エチルアルミニウムジハイドライド、n−プロピルアルミニウムジハイドライド、イソブチルアルミニウムジハイドライド等が挙げられ、これらの中でも、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、水素化ジエチルアルミニウム、水素化ジイソブチルアルミニウムが好ましい。以上に述べた(c)成分としての有機アルミニウム化合物は、一種単独で使用することも、2種以上を混合して用いることもできる。なお、上記重合触媒組成物における(c)成分の含有量は、(a)成分に対して10倍モル以上であることが好ましく、特に20〜1000倍モルであることが更に好ましい。また、(c)成分の含有量は、後に添加するイソプレンモノマーのモル量の1/5000以上、特に1/3000〜1/10とすることが好ましい。モル比率をこのように規定することで、シス−1,4結合量が向上する他、触媒の活性が向上するため、合成ポリイソプレン中の触媒残渣量を大きく低減させることができる。これにより、該ポリイソプレンをゴム組成物に配合することで、その耐久性をより向上させることが可能である。
前記アニオン性配位子となり得る化合物((d)成分)は、(a)成分の酸素原子または硫黄原子と交換可能なものであれば特に限定されないが、OH基、NH基、SH基のいずれかを有することが好ましい。
例えば、ヒンダードフェノール系のものとして、トリエチレングリコール−ビス[3−(3−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,6−ヘキサンジオール−ビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、2,4−ビス−(n−オクチルチオ)−6−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブチルアニリノ)−1,3,5−トリアジン、ペンタエリスリル−テトラキス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、2,2−チオ−ジエチレンビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、N,N’−ヘキサメチレンビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド)、3,5−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジルフォソフォネート−ジエチルエステル、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、トリス−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレート、オクチル化ジフェニルアミン、2,4−ビス[(オクチルチオ)メチル]−o−クレゾール等を挙げることができる。
また、ヒドラジン系として、N,N’−ビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニル]ヒドラジンを挙げることができる。
一般式(i)で示されるものの具体例として、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、(メルカプトメチル)ジメチルエトキシシラン、メルカプトメチルトリメトキシシラン等が挙げられる。
一般式(ii)で示されるものの具体例として、3−メルカプトプロピル(エトキシ)−1,3−ジオキサ−6−メチルアザ−2−シラシクロオクタン、3−メルカプトプロピル(エトキシ)−1,3−ジオキサ−6−ブチルアザ−2−シラシクロオクタン、3−メルカプトプロピル(エトキシ)−1,3−ジオキサ−6−ドデシルアザ−2−シラシクロオクタンなどが挙げられる。
E1−T1−X−T2−E2 ・・・(iii)
(式中、Xは、第15族原子から選択される配位原子を含むアニオン性電子供与基を示し、E1及びE2はそれぞれ独立して、第15族及び16族原子から選択される配位原子を含む中性電子供与基を示し、T1及びT2はそれぞれ、XとE1及びE2を架橋する架橋基を示す)
前記アリーレン基は、フェニレン基、ナフチレン基、ピリジレン基、チエニレン基(好ましくはフェニレン基、ナフチレン基)などであり得る。また、前記アリーレン基のアリール環上には任意の基が置換されていてもよい。該置換基としてはメチル基、エチル基などのアルキル基、フェニル基、トリル基などのアリール基、フルオロ、クロロ、ブロモなどのハロゲン基、トリメチルシリル基などのシリル基などが例示される。
前記アリーレン基として、さらに好ましくは1,2−フェニレン基が例示される。
より具体的には、ビス(2−ジフェニルホスフィノフェニル)アミン等のPNP配位子前駆体が挙げられる。
本発明のイソプレン重合触媒組成物を用いて合成された合成ポリイソプレンは、ゴム組成物に好適に使用できる。該ゴム組成物は、少なくともゴム成分を含み、さらに必要に応じて、充填剤、架橋剤、その他の成分を含む。
前記ゴム成分中における前記合成ポリイソプレンの配合量が、15質量%以上であると、前記合成ポリイソプレンの効果を十分に発揮することができる。
上記ゴム組成物、または、上記架橋ゴム組成物は、タイヤに使用することができる。タイヤの中でも、前記適用部位をトレッドとすることが、耐久性の点で有利である。タイヤ用途以外にも、防振ゴム、免震ゴム、ベルト(コンベアベルト)、ゴムクローラ、各種ホースなどに使用することができる。
窒素雰囲気下のグローブボックス中で1L耐圧ガラス反応器に、トリスtert−ブトキシドガドリニウム(Gd(OtBu)3)7.9μmol((a)成分)、トリイソブチルアルミニウム1.19mmol((c)成分)、トルエン5.0gを仕込んだ。30分間熟成した後、トリフェニルカルボニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート(Ph3CB(C6F5)4)を7.9μmol((b)成分)加え15分間熟成させた。その後、グローブボックスから反応器を取り出し、シクロヘキサン235.0g、イソプレン70gを添加し、25℃で15時間重合反応を行った。重合後、2,2’−メチレン−ビス(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)(NS−5)5質量%のイソプロパノール溶液1mLを加えて反応を停止させ、さらに大量のメタノールで重合体を分離し、70℃で真空乾燥し合成ポリイソプレンAを得た。得られた合成ポリイソプレンAの収量は45gであった。
実施例1において、重合を50℃で2時間行うこと以外は同様の方法で行ったところ、合成ポリイソプレンBが収量68gで得られた。
窒素雰囲気下のグローブボックス中で1L耐圧ガラス反応器に、トリスtert−ブトキシドガドリニウム(Gd(OtBu)3)7.9μmol((a)成分)、2−エチル−1−ヘキサノール7.9μmol((d)成分)、トリイソブチルアルミニウム1.19mmol((c)成分)、トルエン5.0gを仕込んだ。30分間熟成した後、トリフェニルカルボニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート(Ph3CB(C6F5)4)を7.9μmol((b)成分)加え15分間熟成させた。その後、グローブボックスから反応器を取り出し、シクロヘキサン235.0g、イソプレン70gを添加し、50℃で2時間重合反応を行った。重合後、2,2’−メチレン−ビス(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)(NS−5)5質量%のイソプロパノール溶液1mLを加えて反応を停止させ、さらに大量のメタノールで重合体を分離し、70℃で真空乾燥し合成ポリイソプレンCを得た。得られた合成ポリイソプレンCの収量は69gであった。
窒素雰囲気下のグローブボックス中で、十分に乾燥した100ml耐圧ガラスボトルに、ジメチルアルミニウム(μ−ジメチル)ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ガドリニウム[(Cp*)2Gd(μ−Me)2AlMe2]を0.05mmol仕込みトルエン34.0mlで溶解させた。次いでトリイソブチルアルミニウム1.5mmol、トリフェニルカルボニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル) ボレート(Ph3CB(C6F5)4)0.05mmolを添加しボトルを打栓した。室温で1時間反応後、グローブボックスからボトルを取り出し、イソプレンを1.0ml仕込み、−40℃で15時間重合を行った。重合後、2,6−ビス(t−ブチル)−4−メチルフェノールの10wt%のメタノール溶液10mlを加えて反応を停止させ、さらに大量のメタノール/塩酸混合溶媒で重合体を分離させ、60℃で真空乾燥した。得られた重合体Xの収率は100%であった。
グローブボックス中で、フラスコ(100mL))に磁気撹祥子を入れ、イソプレン(2.04g、30.0mmol)、[Y(Ch2C6H4NMe2−o)2(PNP)](12.5μmol)のクロロベンゼン溶液(16mL)を加えた後、高速撹枠下、[PhMe2NH][B(C6F5)4](12.5μmol)のクロロベンゼン溶液(4mL)を加えた。室温で5分間撹枠し、反応させた後、メタノールを加えることにより重合を終了させた。反応溶液を少量の塩酸およびブチルヒドロキシトルエン(安定剤)を含むメタノール溶液200mLに注いだ。デカンテーションにより沈殿したポリマー生成物を単離し、メタノールで、洗浄し、60℃にて乾燥させ、重合体Yを得た(収率100%)。
特許文献3に記載のテストCと同一の条件で重合反応を行い、重合体Zを得た。
上記の合成ポリイソプレンA〜C及びX〜Zについて、下記の物性試験を行った。
(1)ミクロ構造(シス−1,4結合量)
合成ポリイソプレンA〜C及びX〜Zについて、1H−NMRおよび13C−NMRにより得られたピーク[1H−NMR:δ4.6−4.8(3,4−ビニルユニットの=CH2)、5.0−5.2(1,4−ユニットの−CH=)、13C−NMR:[δ23.4(1,4−シスユニット)、15.9(1,4−トランスユニット)、18.6(3,4−ユニット)]の積分比からそれぞれ算出した。また、数平均分子量(Mn)、分子量分布(Mw/Mn)は、GPCによりポリスチレンを標準物質として用い求めた。
合成ポリイソプレンA〜C及びX〜Zについて、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー[GPC:東ソー製HLC−8220GPC、カラム:東ソー製GMHXL−2本、検出器:示差屈折率計(RI)]で単分散ポリスチレンを基準として、合成ポリイソプレンのポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)及び分子量分布(Mw/Mn)を求めた。なお、測定温度は40℃とした。溶出溶媒としてTHFを用いた。
合成ポリイソプレンA〜C及びX〜Zについて、波長分散型蛍光X線装置[XRF−1700:島津製作所製]で含有希土類元素量が既知のポリイソプレンを基準として、合成ポリイソプレンの希土類元素量(ppm)を求めた。なお、X線源にはRhを用い、真空下にて測定した。
Claims (7)
- 希土類元素−酸素結合、または希土類元素−硫黄結合を有する希土類元素化合物((a)成分)、
イオン性化合物((b)成分)、及び
下記一般式(X)で表される化合物及び下記一般式(Y)で表される繰り返し単位を有する化合物からなる群より選択される少なくとも1つの化合物((c)成分)
YR1 aR2 bR3 c ・・・ (X)
(−Y(R1)O−) ・・・ (Y)
(式中、Yは、周期律表第1族、第2族、第12族及び第13族から選択される金属であり、R1及びR2は、炭素数1〜10の炭化水素基又は水素原子で、R3は炭素数1〜10の炭化水素基であり、但し、上記R1ないしR3は同一又はそれぞれ異なっていてもよく、また、Yが周期律表第1族から選択される金属である場合には、aは1で且つb及びcは0であり、Yが周期律表第2族及び第12族から選択される金属である場合には、a及びbは1で且つcは0であり、Yが周期律表第13族から選択される金属である場合には、a,b及びcは1である)
を含み、前記希土類元素がガドリニウムである、ことを特徴とするイソプレン重合触媒組成物。 - 希土類元素−酸素結合、または希土類元素−硫黄結合を有する希土類元素化合物((a)成分)、
イオン性化合物((b)成分)、及び
下記一般式(X)で表される化合物及び下記一般式(Y)で表される繰り返し単位を有する化合物からなる群より選択される少なくとも1つの化合物((c)成分)
YR1 aR2 bR3 c ・・・ (X)
(−Y(R1)O−) ・・・ (Y)
(式中、Yは、周期律表第1族、第2族、第12族及び第13族から選択される金属であり、R1及びR2は、炭素数1〜10の炭化水素基又は水素原子で、R3は炭素数1〜10の炭化水素基であり、但し、上記R1ないしR3は同一又はそれぞれ異なっていてもよく、また、Yが周期律表第1族から選択される金属である場合には、aは1で且つb及びcは0であり、Yが周期律表第2族及び第12族から選択される金属である場合には、a及びbは1で且つcは0であり、Yが周期律表第13族から選択される金属である場合には、a,b及びcは1である)
を含み、前記希土類元素がガドリニウムであるイソプレン重合触媒組成物の存在下で、イソプレンモノマーを重合させる、ことを特徴とする合成ポリイソプレンの製造方法。 - 前記重合触媒組成物が、さらにアニオン性配位子となり得る化合物((d)成分)を含む、請求項2に記載の合成ポリイソプレンの製造方法。
- 前記(d)成分が、OH基、NH基及びSH基のうち、少なくとも1つを有する、請求項3に記載の合成ポリイソプレンの製造方法。
- 前記イソプレンモノマー、(a)成分、及び(c)成分の配合モル比率は、
(イソプレンモノマー)/((a)成分)が5000以上、
((c)成分)/((a)成分)が10以上、
(イソプレンモノマー)/((c)成分)が5000以下である、請求項2〜4のいずれかに記載の合成ポリイソプレンの製造方法。 - 請求項2〜5のいずれかに記載の製造方法により製造された合成ポリイソプレンであって、シス−1,4結合量が95%以上である、ことを特徴とする合成ポリイソプレン。
- 請求項2〜5のいずれかに記載の製造方法により製造された合成ポリイソプレンであって、数平均分子量が40万以上である、ことを特徴とする合成ポリイソプレン。
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