JP6032280B2 - 導電性素子およびその製造方法、配線素子、ならびに原盤 - Google Patents

Description

本技術は、導電性素子およびその製造方法、配線素子、ならびに原盤に関する。詳しくは、基体表面に導電パターン部が形成された導電性素子に関する。

従来、ガラスやプラスチックなどからなる絶縁性基材上に所定の回路パターンの導電層を形成する方法としては、フォトリソグラフィーを利用した回路パターン形成方法が広く用いられている。この回路パターンの形成方法では、ステップ＆リピート方式、またはそれに近い方式が一般的に用いられている。具体的には、この形成方法では、「金属層コーティング」→「レジスト塗布」→「露光」→「現像」→「除去」→「レジスト剥離」の工程を経て、回路パターンが形成される。このため、フォトリソグラフィーを利用した回路パターンの形成方法は、低スループットとなる。

そこで、スループットの向上を実現すべく、スクリーン印刷による回路パターン形成方法が提案されている。このスクリーン印刷による回路パターン形成方法は、絶縁性基材上に金属ペーストなどをマスクを介してスキージで塗布し、その後焼成して所定の回路パターンの導電層を形成する方法である。スクリーン印刷による回路パターン形成方法はスループットに優れるため、種々のデバイスに対する応用が検討されている。例えば特許文献１には、スクリーン印刷を用いてタッチパネルの電極を形成する方法が開示されている。また、特許文献２には、スクリーン印刷を用いて画像表示装置の電極を形成する方法が開示されている。

しかしながら、スクリーン印刷はマスクが高価であること、マスクを精度良く位置合わせするのが煩雑であること、マスクの穴が目詰まりし易いことなどの問題がある。このため、スクリーン印刷以外にも、優れたスループットを実現できる回路パターンの形成方法が望まれている。

特開２００９−２６６０２５号広報

特開２００５−１４９８０７号広報

したがって、本技術の目的は、優れたスループットを実現できる導電性素子およびその製造方法、配線素子、ならびに原盤を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の技術は、
基体と、
基体の表面に設けられた、第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する形状層と、
第１の波面上に設けられた第１の層と、
第２の波面上に形成された第２の層と
を備え、
形状層は、エネルギー線硬化性樹脂組成物を含み、
第１の層は、２以上の層が積層された積層構造を有し、
第２の層は、第１の層の一部の層からなる単層構造または積層構造を有し、
第１の層および第２の層は、導電パターン部を形成し、
第１の波面、第２の波面および第３の波面が、以下の関係を満たす導電性素子である。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、Ａｍ３：第３の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長、λｍ３：第３の波面の平均波長）

第２の技術は、
基体と、
基体の表面に設けられた、第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する形状層と、
第１の波面上に設けられた第１の層と、
第２の波面上に形成された第２の層と
を備え、
形状層は、エネルギー線硬化性樹脂組成物を含み、
第１の層は、２以上の層が積層された積層構造を有し、
第２の層は、第１の層の一部の層からなる単層構造または積層構造を有し、
第１の層および第２の層は、導電パターン部を形成し、
第１の波面、第２の波面および第３の波面が、以下の関係を満たす配線素子である。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、Ａｍ３：第３の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長、λｍ３：第３の波面の平均波長）

第３の技術は、
基体の表面にエネルギー線硬化性樹脂組成物を塗布し、
基体の表面に塗布されたエネルギー線硬化性樹脂組成物に対して回転原盤の回転面を回転密着させながら、回転原盤内に設けられたエネルギー線源から放射されたエネルギー線を回転面を介して照射し、エネルギー線硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する形状層を基体の表面に形成し、
第１の波面、第２の波面および第３の波面上に積層膜を形成し、
第１の波面、第２の波面および第３の波面のうち、第３の波面上に形成された積層膜を除去するのに対して、第１の波面上に形成された積層膜を第１の層として残すとともに、第２の波面上に形成された積層膜の一部の層を第２の層として残すことにより、導電パターン部を形成する
ことを含み、
第１の波面、第２の波面および第３の波面が、以下の関係を満たす導電性素子の製造方法である。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、Ａｍ３：第３の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長、λｍ３：第３の波面の平均波長）

本技術において、エネルギー線硬化性樹脂組成物とは、エネルギー線硬化性樹脂組成物を主成分として含む組成物のことをいう。エネルギー線硬化性樹脂組成物以外の配合成分としては、例えば、熱硬化性樹脂、シリコーン樹脂、有機微粒子、無機微粒子、導電性高分子、金属粉、顔料などの種々の材料を用いることがきるが、これらに限定されるものではなく、所望とする基体、導電性素子または配線素子の特性に応じて種々の材料を用いることができる。
また、エネルギー線に対して不透過性とは、エネルギー線硬化性樹脂組成物を硬化させることが困難となる程度の不透過性を意味する。

単位領域は、回転原盤の回転面を１回転することにより形成される転写領域であることが好ましい。回転原盤としては、ロール原盤またはベルト原盤を用いることが好ましいが、凹凸形状が設けられた回転面を有していればよく、これらに限定されるものではない。

構造体の配列は、規則配列、不規則配列、およびそれらの組み合わせであることが好ましい。構造体の配列は、１次元配列または２次元配列であることが好ましい。基体の形状としては、２つの主面を有するフィルム状または板状などの形状、３つ以上の主面を有する多面体形状、球面および自由曲面などの曲面を有する曲面形状、平面および球面を有する多面体形状を用いることが好ましい。これらの基体の有する複数の主面のうちの少なくとも１つに形状層を形成することが好ましい。基体が、少なくとも１つの平面または曲面を有し、平面または曲面に形状層が形成されることが好ましい。

単位領域間において不整合を生じることなく、形状層の凹凸形状を繋げている場合には、単位領域間の不整合に起因する基体、導電性素子または配線素子の特性劣化や形状乱れなどがない。したがって、優れた特性や外観を有する導電性素子または配線素子を得ることができる。凹凸形状がサブ波長構造体のパターンなどである場合には、単位領域間においても優れた光学特性を得ることができる。

本技術では、基体の第１の波面、第２の波面および第３の波面に形成した積層膜の状態の違いを利用して、第１の波面、第２の波面および第３の波面のうち、第３の波面上に形成された積層膜を除去するのに対して、第１の波面上に形成された積層膜を第１の層として残すとともに、第２の波面上に形成された積層膜の一部の層を第２の層として残すことにより、導電パターン部を形成することができる。

以上説明したように、本技術によれば、精細かつ高スループットの導電性素子または配線素子を実現できる。

図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１Ｃは、第１の領域、第２の領域および第３の領域の配置順序の変形例を示す断面図である。 図２Ａは、図１Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図２Ｂは、図１Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。図２Ｃは、図１Ｂに示した第３の領域の一部を拡大して表す断面図である。 図３Ａは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す斜視図である。図３Ｂは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す平面図である。 図４Ａは、複数の構造体が１次元配列された第２の領域を拡大して表す斜視図である。図４Ｂは、複数の構造体が１次元配列された第２の領域を拡大して表す平面図である。 図５Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図５Ｂは、図５Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。 図６Ａは、ロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図６Ｂは、第２の領域の一部を拡大して示す斜視図である。図６Ｃは、第２の領域の一部を拡大して示す平面図である。 図７は、ロール原盤露光装置の一構成例を示す概略図である。 図８Ａ〜図８Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図９Ａ〜図９Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１０Ａ〜図１０Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１１Ａは、本技術の第２の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 図１２Ａは、図１１Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１２Ｂは、図１１Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１２Ｃは、図１１Ｂに示した第３の領域の一部を拡大して表す断面図である。 図１３Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。 図１４Ａは、本技術の第３の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１４Ｂは、図１４Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１４Ｃは、図１４Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１４Ｄは、図１４Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。 図１５Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。 図１６Ａは、ロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図１６Ｂは、第２の領域の一部を拡大して示す斜視図である。図１６Ｃは、第２の領域の一部を拡大して示す平面図である。 図１７Ａ〜図１７Ｃは、本技術の第３の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１８Ａ〜図１８Ｃは、本技術の第３の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１９Ａ〜図１９Ｃは、本技術の第３の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図２０Ａは、本技術の第４の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２０Ｂは、図２０Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図２０Ｃは、図２０Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図２０Ｄは、図２０Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。 図２１Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図２１Ｂは、図２１Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。 図２２Ａは、本技術の第５の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２２Ｂは、本技術の第５の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。図２２Ｃは、本技術の第５の実施形態に係る導電性素子の第１の領域の層構成を示す断面図である。 図２３Ａは、本技術の第６の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２３Ｂは、本技術の第６の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。図２３Ｃは、本技術の第６の実施形態に係る導電性素子の第１の領域の層構成を示す断面図である。 図２４Ａは、本技術の第７の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示した導電性素子の一部を拡大して表す断面図である。 図２５Ａ〜図２５Ｅはそれぞれ、本技術の第７の実施形態に係る導電性素子に備えられた基体の第１〜第５の例を示す断面図である。 図２６は、本技術の第７の実施形態に係る転写装置の構成の一例を示す概略図である。 図２７Ａ〜図２７Ｅは、本技術の第７の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図２８は、本技術の第８の実施形態に係る転写装置の構成の一例を示す概略図である。 図２９は、本技術の第９の実施形態に係る転写装置の構成の一例を示す概略図である。 図３０Ａは、本技術の第１０の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。図３０Ｂは、本技術の第１０の実施形態に係る導電性素子の変形例を示す断面図である。 図３１Ａ、図３１Ｂはそれぞれ、本技術の第１１の実施形態に係る導電性素子に備えられた基体の第１、第２の例を示す断面図である。 図３２Ａは、本技術の第１２の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。図３２Ｂは、本技術の第１２の実施形態に係る導電性素子の変形例を示す断面図である。 図３３Ａは、図３２Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図３３Ｂは、図３２Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。図３３Ｃは、図３２Ｂに示した第３の領域の一部を拡大して表す断面図である。 図３４Ａは、実施例１に係る透明導電性シートの作製に用いたロール原盤の成形面を示す模式図である。図３４Ｂは、実施例１に係る透明導電性シートの導通／非導通評価ポイントを示す模式図である。 図３５は、実施例２−２に係る導電性シート表面の光学顕微鏡観察像を示す図である。 図３６は、エッチング時間と初期表面抵抗に対する逆数（仮想厚さ変化）との関係を示すグラフである。

本技術の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（平面および２種の波面の違いを利用して基体表面に導電パターン部を形成した例）
２．第２の実施形態（３種の波面の違いを利用して基体表面に導電パターン部を形成した例）
３．第３の実施形態（波面の有無を利用して基体表面に導電パターン部を形成した例）
４．第４の実施形態（２種の波面の違いを利用して基体表面に導電パターン部を形成した例）
５．第５の実施形態（波面の有無を利用して基体表面に導電パターン部を形成した例）
６．第６の実施形態（２種の波面の違いを利用して基体表面に導電パターン部を形成した例）
７．第７の実施形態（不透過性を有する基体を用いた導電性素子の例）
８．第８の実施形態（基体をステージにより搬送する転写装置の例）
９．第９の実施形態（円環状のベルト原盤を備えた転写装置の例）
１０．第１０の実施形態（導電パターン部を基体の両面に形成した例）
１１．第１１の実施形態（不透過性を有する複数の構造体を用いた例）
１２．第１２の実施形態（構造体を凹状とした例）

＜１．第１の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図２Ａは、図１Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図２Ｂは、図１Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。図２Ｃは、図１Ｂに示した第３の領域の一部を拡大して表す断面図である。以下では、導電性素子１の主面の面内で互いに直交する２方向をそれぞれＸ軸方向、およびＹ軸方向とし、その主面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。

第１の実施形態に係る導電性素子１は、第１の領域Ｒ_１、第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３を有する基体２と、第１の領域Ｒ_１に形成された第１の層４_１と、第２の領域Ｒ_２に形成された第２の層４_２とを備える。第１の層４_１は、導電パターン部をなすように第１の領域Ｒ_１に連続的に形成されている。第２の層４_２は、導電パターン部をなすように第２の領域Ｒ_２に連続的に形成されている。第１の層４_１と第２の層４_２とで別々の導電パターン部を形成してもよく、第１の層４_１と第２の層４_２とで１つの導電パターン部を形成してもよい。

導電パターン部は、例えば、配線パターン部、電極パターン部などである。第１の層４_１は、２以上の層が積層された積層構造を有し、少なくとも導電性を有する層を含んでいることが好ましい。第２の層４_２は、第１の層４_１の一部の層からなる単層構造または積層構造を有し、少なくとも導電性を有する層を含んでいることが好ましい。ここで、第１の層４_１の一部の層とは、積層構造を有する第１の層の最上層から１層以上の層を除去した層、または、積層構造を有する第１の層の最上層から１層以上の層を島状などに不連続にし、残りの層を連続的とした層を意味する。

この導電性素子１は、例えば、プリント基板、画像表示素子、入力素子などである。プリント基板としては、例えば、リジッド基板、フレキシブル基板、リジッドフレキシブル基板などが挙げられる。画像表示素子としては、例えば、液晶表示素子、エルクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子（例えば有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、電子ペーパーなどが挙げられる。入力素子としては、例えば、静電容量式タッチパネル、抵抗膜式タッチパネルなどが挙げられる。

図１Ｂでは、第１の領域Ｒ_１、第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３がこの順序で設けられているが、この順序は一例であり、これらの領域の順序は回路や素子の設計などに応じて所望の順序とすることが可能である。例えば、図１Ｃに示すように、第１の領域Ｒ_１と第２の領域Ｒ_２との間に第３の領域Ｒ_３を設け、第１の層４_１および第２の層４_２を別々の導電パターン部として機能させるようにしてもよい。すなわち、第１の領域Ｒ_１上に形成された第１の層４_１を第１の導電パターン部として機能させ、第２の領域Ｒ_２上に形成された第２の層４_２を第２の導電パターン部として機能させるようにしてもよい。

（第１の領域、第２の領域）
第１の領域Ｒ_１の基体表面には、例えば平面Ｓｐ１が形成され、この平面Ｓｐ１上には第１の層４_１が連続的に形成されている。第２の領域Ｒ_２の基体表面には、例えば波面Ｓｗ２が形成され、この波面Ｓｗ２上には第２の層４_２が連続的に形成されている。これに対して、第３の領域Ｒ_３の基体表面には、例えば波面Ｓｗ３が形成され、この波面Ｓｗ３上には第１の層４_１および第２の層４_２などの層が形成されていない状態となっている。したがって、第３の領域Ｒ_３は、２つの第１の層４_１の間、２つの第２の層４_２の間、または第１の層４_１と第２の層４_２との間を絶縁するための絶縁領域として機能する。これに対して、第１の領域Ｒ_１に連続的に形成された第１の層４_１は、第１の領域Ｒ_１の延在方向に向かって導電性を有し、導電パターン部として機能する。また、第２の領域Ｒ_２に連続的に形成された第２の層４_２も、第２の領域Ｒ_２の延在方向に向かって導電性を有し、導電パターン部として機能する。基体２の表面には、例えば、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を有する形状層が設けられている。この形状層は、後述する構造体３_２および構造体３を含んでいる。この形状層は、例えばエネルギー線硬化性樹脂組成物を含んでいる。

平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３が以下の関係を満たすことが好ましい。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（但し、Ａｍ１：平面Ｓｐ１の振動の平均幅、Ａｍ２：波面Ｓｗ２の振動の平均幅、Ａｍ３：波面Ｓｗ３の振動の平均幅、λｍ１：平面Ｓｐ１の平均波長、λｍ２：波面Ｓｗ２の平均波長、λｍ３：波面Ｓｗ３の平均波長）
なお、平面Ｓｐ１は、振動の平均幅Ａｍ１が「０」の波面とみなすことができるため、上述のように平面Ｓｐ１の振動の平均幅Ａｍ１、平均波長λｍ１および比率（Ａｍ１／λｍ１）を定義することができる。
比率（Ａｍ３／λｍ３）＞１．８であると、波面Ｓｗ３を転写する際に剥離不良となり波面Ｓｗが破壊される傾向がある。

ここで、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２および振動の平均幅Ａｍ２は、以下のようにして求めたものである。まず、波面Ｓｗ２の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子１の断面を切り出し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、波面Ｓｗ２の波長λ２、および振動の幅Ａ２を求める。この測定を導電性素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２を求める。次に、これらの平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２を用いて、波面Ｓｗ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）を求める。
また、波面Ｓｗ３の平均波長λｍ３、振動の平均幅Ａｍ３および比率（Ａｍ３／λｍ３）も、上述の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、振動の平均幅Ａｍ２および比率（Ａｍ２／λｍ２）と同様にして求めたものである。

波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３は、例えば、１次元的または２次元的な波面である。波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の両方を１次元的または２次元的な波面とすることも可能であるが、これに限られず、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうちの一方を１次元的な波面とし、他方を２次元的な波面とするようにしてもよい。

波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の振動の幅が最大となる位置を含むようにして、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。

波面Ｓｗ２の波長λ２および波面Ｓｗ３の波長λ３は、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上１００μｍ以下の範囲内である。波長λ２および波長λ３が１００ｎｍ未満であると、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の作製が困難となる傾向がある。一方、波長λ２および波長λ３が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる傾向がある。

波長λ２および波長λ３は、導電性素子表面における光の反射を低減する観点からすると、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下であることが好ましい。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ以上１ｍｍ以下の波長帯域をいう。具体的には、波長λ２および波長λ３は、好ましくは１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲内である。波長λ２および波長λ３が１００ｎｍ未満であると、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の作製が困難となる傾向がある。一方、波長λ２および波長λ３が３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。

波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を共にナノオーダーまたはミクロンオーダーの波面とすることも可能であるが、これに限られず、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうちの一方をナノオーダーの波長を有する波面とし、他方をミクロンオーダーの波長を有する波面とするようにしてもよい。

第３の領域Ｒ_３には第１の層４_１または第２の層４_２の一部の層（以下第３の層と称する。）が残留層として完全に存在しないことが好ましいが、第３の層が導電パターン部を形成せず、第３の領域Ｒ_３が絶縁領域として機能する程度であれば、第３の層が残留層として存在していてもよい。
第３の層が残留層として存在する場合には、第１の層４_１、第２の層４_２および第３の層が、以下の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ１＞Ｓ２＞Ｓ３
（但し、Ｓ１：第１の層の単位面積、Ｓ２：第２の層の単位面積、Ｓ３：第３の層の単位
面積）
このような関係を満たす場合、具体的には、第１の領域Ｒ_１には第１の層４_１が連続的に形成されているとともに、第２の領域Ｒ_２には第２の層４_２が連続的に形成されているのに対して、第３の領域Ｒ３には第３の層が島状などに不連続に形成されていることが好ましい。

また、第３の層が残留層として存在する場合には、第１の層４_１、第２の層４_２および第３の層が、以下の関係を満たすことが好ましい。
ｄ１＞ｄ２＞ｄ３
（但し、ｄ１：第１の層４_１の平均厚さ、ｄ２：第２の層４_２の平均厚さ、ｄ３：第３の層の平均厚さ）
このような関係を満たす場合、具体的には、第３の層の平均厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、第１の層４_１および第２の層４_２の平均厚さよりも薄く、第３の領域Ｒ_３が絶縁領域として機能することが好ましい。

なお、上述したように、第３の層は導電パターン部としては機能しないため、図１Ｂ、図１Ｃおよび図２Ｃでは、第３の層の図示を省略している。また、図１Ａでは、第１の領域Ｒ_１、第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３が直線状の形状を有している例が示されているが、第１の領域Ｒ_１、第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３の形状はこれに限定されるものではなく、回路や素子の設計などに応じて所望の形状とすることが可能である。

（基体）
基体２は、例えば、透明性または不透明性を有する基体である。基体２の材料としては、例えば、プラスチック材料などの有機材料、ガラスなどの無機材料を用いることができる。

ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、Ｐ．Ｉ−５３７、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（ＣＲ−３９）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体および共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。

基体２としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理などを行うようにしてもよい。

基体２がプラスチックフィルムである場合には、基体２は、例えば、上述の樹脂を伸延、または溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基体２の厚さは、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。

基体２の形状としては、例えば、フィルム状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、フィルム状にはシート状が含まれるものと定義する。

（構造体）
波面Ｓｗ２は、例えば多数の構造体３_２が第２の領域Ｒ_２に配列された凹凸面である。波面Ｓｗ３は、例えば多数の構造体３_３が第３の領域Ｒ_３に凹凸面である。構造体３_２および構造体３_３は、例えば、基体２の表面に対して凸状を有している。構造体３_２および構造体３_３は、例えば、基体２と別成形、または基体２と一体成形されている。構造体３_２および構造体３_３と基体２とを別成形する場合には、必要に応じて構造体３_２および構造体３_３と基体２との間に基底層を備えるようにしてもよい。基底層は、構造体３_２および構造体３_３の底面側に構造体３_２および構造体３_３と一体成形された層であり、構造体３_２および構造体３_３と同様のエネルギー線硬化性樹脂組成物などを硬化してなる。基底層の厚さは、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜選択することができる。

構造体３_２および構造体３_３のアスペクト比が以下の関係を満たすことが好ましい。
０＜（Ｈｍ２／Ｐｍ２）＜（Ｈｍ３／Ｐｍ３）≦１．８
（但し、Ｈｍ２：構造体３_２の平均高さ、Ｈｍ３：構造体３_３の平均高さ、Ｐｍ２：構造体３_２の平均配置ピッチ、Ｐｍ３：構造体３_３の平均配置ピッチ）
比率（Ｈｍ３／Ｐｍ３）＞１．８であると、構造体３_３を転写する際に剥離不良となり構造体３_３が破壊される傾向がある。

ここで、構造体３_２の平均配置ピッチＰｍ２および平均高さＨｍ２は、以下のようにして求めたものである。まず、構造体３_２の高さが最大となる位置を含むようにして導電性素子１の断面を切り出し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体３_２の配置ピッチＰ２、および高さＨ２を求める。この測定を導電性素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、構造体３_２の平均配置ピッチＰｍ２および平均高さＨｍ２を求める。次に、これらの平均配置ピッチＰｍ２および平均高さＨｍ２を用いて、構造体３_２のアスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）を求める。
また、構造体３_３の平均配置ピッチＰｍ３、平均高さＨｍ３およびアスペクト比（Ｈｍ３／Ｐｍ３）も、上述の構造体３_２の平均配置ピッチＰｍ２、平均高さＨｍ２およびアスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）と同様にして求めたものである。

構造体３_２および構造体３_３の配列としては、例えば、１次元配列または２次元配列を用いることができる。構造体３_２および構造体３_３を共に１次元配列または２次元配列とすることも可能であるが、これに限定されず、構造体３_２および構造体３_３のうちの一方を１次元配列とし、他方を２次元配列とするようにしてもよい。

構造体３_２および構造体３_３の配列としては、例えば、規則的または不規則的な配列を用いることができ、原盤の作製方法などに応じて上記配列のうちから適切な配列を選択することが好ましい。構造体３_２および構造体３_３を共に規則的または不規則的な配列とすることも可能であるが、これに限定されず、構造体３_２および構造体３_３のうちの一方を規則的配列とし、他方を不規則的配列とするようにしてもよい。

構造体３_２の配置ピッチＰ２および構造体３_３の配置ピッチＰ３は、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上１００μｍ以下の範囲内である。配置ピッチが１００ｎｍ未満であると、構造体３_２および構造体３_３の作製が困難となる傾向がある。配置ピッチＰ２および配置ピッチＰ３が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる傾向がある。

配置ピッチＰ２および配置ピッチＰ３は、導電性素子表面における光の反射を低減する観点からすると、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下であることが好ましい。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ以上１ｍｍ以下の波長帯域をいう。具体的には、配置ピッチＰ２および配置ピッチＰ３は、好ましくは１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲内である。配置ピッチＰ２および配置ピッチＰ３が１００ｎｍ未満であると、構造体３_２および構造体３_３の作製が困難となる傾向がある。一方、配置ピッチＰ２および配置ピッチＰ３が３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。

構造体３_２および構造体３_３を共にナノオーダーまたはミクロンオーダーの配置ピッチで配列することも可能であるが、これに限られず、構造体３_２および構造体３_３をのうちの一方をナノオーダーの配置ピッチで配列し、他方をミクロンオーダーの配置ピッチで配列するようにしてもよい。

以下に、図３Ａ〜図４Ｂを参照しながら、複数の構造体３_２が１次元配列または２次元配列された第２の領域Ｒ_２について具体的に説明する。なお、複数の構造体３_３が１次元配列または２次元配列された第３の領域Ｒ_３は、構造体３_３のアスペクト比が構造体３_２のアスペクト比と異なる以外の点では、第２の領域Ｒ_２と同様であるので、第３の領域Ｒ_３についての具体的説明は省略する。

図３Ａは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す斜視図である。図３Ｂは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す平面図である。複数の構造体３_２が、例えば、第２の領域Ｒ_２において複数列のトラックＴ上に２次元配列されて、２次元的な波面Ｓｗ２が形成されている。トラックＴの形状としては、直線状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックＴを蛇行（ウォブル）させるようにしてもよい。複数例のトラックＴ上に配列された複数の構造体３_２が、例えば、所定の規則的な配置パターンをなるようにしてもよい。規則的な配置パターンとしては、例えば、四方格子状、六方格子状などの格子状パターンが挙げられ、これらの格子状パターンを歪ませるようにしてもよい。構造体３_２の高さが基体２の表面において規則的または不規則的に変化するようにしてもよい。また、構造体３_２をランダムに配列するようにしてもよい。

構造体３_２は、基体２の表面に対して傾斜した斜面を有することが好ましい。このような構造体３_２の具体的な形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、半球状、半楕円球状、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。錐体状としては、例えば、頂部が尖った錐体形状、頂部が平坦な錐体形状、頂部に凸状または凹状の曲面を有する錐体形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。また、錐体状の錐面を凹状または凸状に湾曲させるようにしてもよい。後述するロール原盤露光装置（図７参照）を用いてロール原盤を作製する場合には、構造体３_２の形状として、頂部に凸状の曲面を有する楕円錐形状、または頂部が平坦な楕円錐台形状を採用し、それらの底面を形成する楕円形の長軸方向をトラックＴの延在方向と一致させることが好ましい。

図４Ａは、複数の構造体が１次元配列された第２の領域を拡大して表す斜視図である。図４Ｂは、複数の構造体が１次元配列された第２の領域を拡大して表す平面図である。複数の構造体３_２が、例えば、第２の領域Ｒ_２において複数列のトラックＴ上に、これらのトラックＴに沿うようにして１次元配列されて、１次元的な波面Ｓｗ２が形成されている。トラックＴの形状としては、直線状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックを蛇行（ウォブル）させるようにしてもよい。

構造体３_２は、例えば、一方向に向かって延在された柱状体であり、その断面形状は、例えば三角形状、頂部に曲率Ｒが付された三角形状、多角形状、半円形状、半楕円形状、放物線状などを挙げることができるが、これらの形状に限定されるものではない。構造体３_２の具体的形状としては、例えば、レンチキュラー形状、プリズム形状などを挙げることができるが、これらの形状に限定されるものではない。構造体３_２の高さが、トラック方向に向かって変化するようにしてもよい。また、構造体３_２が、トラック方向に断続するようにしてもよい。

（第１の層、第２の層）
図２Ａに示すように、第１の層４_１は、例えば、第１の領域Ｒ_１上に形成された導電層４ａ、導電層４ａ上に形成された第１の機能層４ｂと、第１の機能層４ｂ上に形成された第２の機能層４ｃとを備える。第１の層４_１を構成する各層の間に、必要に応じて密着層を設けるようにしてもよい。

図２Ｂに示すように、第２の層４_２は、例えば導電層４ａを備える。第２の層４_２が２層以上の層を有する場合には、第２の層４_２を構成する各層の間に、必要に応じて密着層を設けるようにしてもよい。

第２の層４_２は、第２の領域Ｒ_２において波面Ｓｗ２による反射防止効果を阻害しないように、波面Ｓｗ２の表面形状に倣って形成され、波面Ｓｗ２と第２の層４_２との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。第２の層４_２の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。また、第３の領域Ｒ_３に第３の層が残留層として存在している場合には、第３の層は、第３の領域Ｒ_３において波面Ｓｗ３による反射防止効果を阻害しないように、波面Ｓｗ３の表面形状に倣って形成され、波面Ｓｗ３と第３の層との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。

導電層４ａとしては、例えば、金属層、透明導電層、金属酸化物層、遷移金属化合物層などを用いることができるが、これらの層に限定されるものではない。第１の機能層４ｂの材料としては、少なくとも導電層４ａおよび第２の機能層４ｃとは異なる材料が好ましく、除去工程時にて導電層４ａおよび第２の機能層４ｃと溶解レート差が生じる材料がより好ましい。第２の機能層４ｃの材料としては、少なくとも導電層４ａおよび第１の機能層４ｂとは異なる材料が好ましく、除去工程時にて導電層４ａおよび第１の機能層４ｂと溶解レート差が生じる材料がより好ましい。

透明導電層としては、例えば、無機透明導電層を用いることができる。無機透明導電層は、透明酸化物半導体を主成分としていることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ_２、ＩｎＯ_２、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明酸化物半導体の具体例としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ_２）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ））などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。無機透明導電層を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。金属層の材料としては、例えばＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、およびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。

第１の機能層４ｂは、少なくとも導電層４ａとは溶液に対する溶解度が異なっていることが好ましい。第１の機能層４ｂの材料としては、導電層４ａとは異なる材料を用いることが好ましい。具体的には、第１の機能層４ｂの材料としては、金属を用いることが好ましく、金属としては、例えばＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、およびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。

第１の機能層４ｂの材料としては、例えば、誘電体材料または透明導電材料を用いることができる。具体的には、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましく、例えば、酸化物および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。遷移金属化合物としては、例えば、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｕ、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄＣｕ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、ＮｂおよびＣｒなる群より選ばれる少なくとも１種以上の化合物を用いることができる。上述の材料を２種以上含む混合物としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２、ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−Ｇａ_２Ｏ_３、Ｓｎ_２Ｏ_３−Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２−ＳｉＯ_２などが挙げられる。

第１の機能層４ｂは、アモルファスと多結晶との混合状態にある層、および多結晶化状態にある層の少なくとも１種を含んでいることが好ましい。

第２の機能層４ｃは、導電層４ａおよび第１の機能層４ｂを保護するための層である。第２の機能層４ｃは、少なくとも導電層４ａまたは第１の機能層４ｂとは溶液に対する溶解度が異なっていることが好ましい。第２の機能層４ｃの材料としては、導電層４ａおよび第１の機能層４ｂとは異なる材料、または第１の機能層４ｂとは異なる材料を用いることが好ましい。具体的には、第２の機能層４ｃの材料としては、金属材料を用いることが好ましく、金属材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、およびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。

第２の機能層４ｃの材料としては、例えば、誘電体材料または透明導電材料を用いることができる。具体的には、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましく、例えば、酸化物および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。遷移金属化合物としては、例えば、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｕ、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄＣｕ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、ＮｂおよびＣｒなる群より選ばれる少なくとも１種以上の化合物を用いることができる。上述の材料を２種以上含む混合物としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２、ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−Ｇａ_２Ｏ_３、Ｓｎ_２Ｏ_３−Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２−ＳｉＯ_２などが挙げられる。

第２の機能層４ｃはアモルファスと多結晶との混合状態にある層、および多結晶化状態にある層の少なくとも１種を含んでいることが好ましいがこれらに限定されるものではない。

密着層は、各層の間の密着性を向上させるための層である。密着層としては、例えば、 金属層、酸化物層、遷移金属化合物層などを用いることができるが、これに限定されるものではない。

第１の領域Ｒ_１における積層膜４の表面抵抗は、５０００Ω／□以下であることが好ましい。５０００Ω／□を超えると、抵抗が増大しすぎて電極として使用できなくなる傾向がある。

［ロール原盤の構成］
図５Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図５Ｂは、図５Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。ロール原盤１１は、導電性素子または配線素子を作製するための原盤である。より具体的には、ロール原盤１１は、上述した基体表面に平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を成形するための原盤である。ロール原盤１１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面には多数の第１の領域Ｒ_１、第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３が設定されている。ロール原盤１１の材料は、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。なお、図５Ａおよび図５Ｂに示した第１の領域Ｒ_１、第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３の形状および配置順序は一例であって、これに限定されるものではなく、所望とする導電パターン部の形状に応じて適宜選択される。

図６Ａは、ロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図６Ｂは、第２の領域の一部を拡大して示す斜視図である。図６Ｃは、第２の領域の一部を拡大して示す平面図である。なお、第３の領域Ｒ_３は、第３の領域Ｒ_３の波面Ｓｗ３の比率（Ａｍ／λｍ）（Ａｍ：波面の振動の平均幅、λｍ：波面の平均波長）が第２の領域の波面Ｓｗ２に比して大きい以外の点では、第２の領域Ｒ_２と同様であるので、図示を省略する。

ロール原盤１１の第１の領域Ｒ_１、第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３はそれぞれ、基体２の第１の領域Ｒ_１、第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３に対応している。すなわち、ロール原盤１１の第１の領域Ｒ_１に形成された平面Ｓｐ１は、基体２の第１の領域Ｒ_１に平面Ｓｐ１を形成するためのものである。ロール原盤１１の第２の領域Ｒ_２に形成された波面Ｓｗ２は、基体２の第２の領域Ｒ_２に波面Ｓｗ２を形成するためのものである。ロール原盤１１の第３の領域Ｒ_３に形成された波面Ｓｗ３は、基体２の第３の領域Ｒ_３に波面Ｓｗ３を形成するためのものである。具体的には、ロール原盤１１の波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３はそれぞれ、上述の基体２の表面の波面Ｓｗ２およびＳｗ３の凹凸形状を反転した形状を有している。すなわち、ロール原盤１１の構造体１２_２および構造体１２_３はそれぞれ、上述の基体２の表面の構造体３_２および構造体３_３の凹凸形状を反転した形状を有している。

［露光装置の構成］
図７は、ロール原盤露光装置の一構成例を示す概略図である。以下、図７を参照して、ロール原盤露光装置の構成について説明する。なお、このロール原盤露光装置は、例えば、光学ディスク記録装置をベースとして構成することが可能である。

レーザー光源２１は、記録媒体としてのロール原盤１１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１４を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１４は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。

ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１４の位相変調を行う。

変調光学系２５において、レーザー光１４は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ_２）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Ａｃｏｕｓｔｏ−Ｏｐｔｉｃ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）２７に集光される。レーザー光１４は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１４は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。

移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１４は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、ロール原盤１１上のレジスト層へ照射される。ロール原盤１１は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、ロール原盤１１を回転させるとともに、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１４の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。

露光装置は、例えば、所定の１次元パターンまたは２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１４の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。

このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、四方格子または六方格子パターンなどの所定の２次元パターンを記録することができる。

［導電性素子の製造方法］
以下、図８Ａ〜図１０Ｃを参照しながら、本技術の第１の実施形態に係る導電性素子１の製造方法の一例について説明する。なお、この製造方法において転写工程以降の一部または全部のプロセスは、生産性を考慮して、ロール・ツー・ロールにより行うことが好ましい。

（レジスト成膜工程）
まず、図８Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤１１を準備する。このロール原盤１１は、例えばガラス原盤である。次に、図８Ｂに示すように、ロール原盤１１の表面にレジスト層１３を形成する。レジスト層１３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、金属化合物を用いることができる。

（露光工程）
次に、図８Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、ロール原盤１１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１４をレジスト層１３に照射する。このとき、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤１１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１４を照射する。この際、第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３には潜像を形成し露光部とするのに対して、第１の領域Ｒ_１には潜像を形成せず非露光部とする。レーザー光１４の軌跡に応じた潜像１５は、例えば、可視光の波長以下のピッチで形成される。

潜像１５は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、所定の１次元パターンまたは２次元パターンを形成する。潜像１５は、例えば、トラックの延在方向に延びる細長い矩形状、またはトラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状などである。

（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤１１を回転させながら、レジスト層１３上に現像液を滴下して、図９Ａに示すように、レジスト層１３を現像処理する。図示するように、レジスト層１３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）１５に応じたパターンがレジスト層１３に形成される。これにより、第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３のレジスト層１３には、複数の開口部が形成されるのに対して、第１の領域Ｒ_１のレジスト層１３には、開口部が形成されず、第１の領域Ｒ_１全体はレジスト層１３に覆われた状態が維持される。すなわち、第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３のみに開口パターンを有するマスクがロール原盤表面に形成される。開口パターンとしては、１次元パターンおよび２次元パターンのいずれかを用いてもよく、それらを組合せて用いてもよい。

（エッチング工程）
次に、ロール原盤１１の上に形成されたレジスト層１３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤１１の表面をロールエッチング処理する。これにより、図９Ｂに示すように、ロール原盤表面のうち第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３では、開口部を介してエッチングが進行し、凹状の構造体１２_２および構造体１２_３が形成される。これらの構造体１２_２および構造体１２_３は、例えば、トラックの延在方向に延びる柱状形状、またはトラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状などを有する。一方、ロール原盤表面のうち第１の領域Ｒ_１では、この領域全体がレジスト層１３に覆われているため、エッチングは施されず、平面状のロール原盤表面が維持される。エッチング方法としては、例えばドライエッチングを用いることができる。以上により、ロール原盤１１が得られる。

（転写工程）
次に、例えば、図９Ｃに示すように、ロール原盤１１と転写材料１６を塗布したフィルムなどの基体２を密着させ、紫外線などのエネルギー線を照射して転写材料１６を硬化させた後、硬化した転写材料１６と一体となった基体２を剥離する。これにより、図１０Ａに示すように、平面Ｓｐ１が形成された第１の領域Ｒ_１と、波面Ｓｗ２が形成された第２の領域Ｒ_２と、波面Ｓｗ３が形成された第３の領域Ｒ_３とを有する基体２が得られる。

転写材料１６としては、例えば、エネルギー線硬化性樹脂組成物を用いることができる。エネルギー線硬化性樹脂組成物は、エネルギー線を照射することによって硬化させることができる樹脂組成物である。エネルギー線とは、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、高周波などのラジカル、カチオン、アニオンなどの重合反応の引き金と成りうるエネルギー線を示す。エネルギー線硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、他の樹脂と混合して用いるようにしてもよく、例えば熱硬化性樹脂などの他の硬化性樹脂と混合して用いてもよい。また、エネルギー線硬化性樹脂組成物は、有機無機ハイブリッド材料であってもよい。また、２種以上のエネルギー線硬化性樹脂組成物を混合して用いるようにしてもよい。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線により硬化する紫外線硬化樹脂を用いることが好ましい。

紫外線硬化材料は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどからなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチル−２−ヒドロキシプロピル アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。

二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。

多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタおよびヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。

開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。

フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。

機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体２の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、環状オレフィンポリマー、環状オレフィンコポリマー、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、フッ素樹脂、フェノール樹脂、メタクリル樹脂、ナイロン、ポリアセタール、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、などが挙げられる。その他、用途によって適宜選択可能であり、例えば、ガラス材料、金属材料、金属化合物材料（例えば、セラミックス、磁性体、半導体など）も用いることができる。ガラス材料としては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなどが挙げられる。

基体２の成形方法は特に限定されず、例えば射出成形法、押し出し成形法、キャスト成形法などを用いることができる。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。

（積層膜の成膜工程）
次に、図１０Ｂに示すように、基体表面の第１の領域Ｒ_１、第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３に２層以上の層を積層することにより、積層膜４を形成する。具体的には例えば、基体表面の第１の領域Ｒ_１、第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３に導電層、第１の機能層および第２の機能層をこの順序で積層することにより、積層膜４を形成する。積層膜４の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。また、基体２を加熱しながら、積層膜４を形成するようにしてもよい。

（アニール工程）
次に、必要に応じて、積層膜４に対してアニール処理を施す。これにより、積層膜４または積層膜４に含まれる無機透明導電層などの層が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態となる。

（積層膜の除去工程）
次に、図１０Ｃに示すように、積層膜４が形成された基体表面に対して、エッチング処理を施す。これにより、第３の領域Ｒ_３では積層膜４が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ_１では積層膜４が第１の層４_１として残留するとともに、第２の領域Ｒ_２では積層膜４の一部の層が第２の層４_２として残留する。具体的には例えば、第３の領域Ｒ_３では導電層、第１の機能層および第２の機能層が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ_１では導電層、第１の機能層および第２の機能層が第１の層４_１として残留するとともに、第２の領域Ｒ_２では導電層が第２の層４_２として残留する。したがって、第１の領域Ｒ_１に形成された第１の層４_１と、第２の領域Ｒ_２に形成された第２の層４_２とは導電パターン部として機能するのに対して、第３の領域Ｒ_３は上記導電パターン部間の絶縁領域として機能する。除去工程としては、ドライエッチングまたはウエットエッチングを用いることができ、両者を組み合わせて用いるようにしてもよい。ドライエッチングとしては、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いることができる。ウエットエッチングのエッチング液としては、例えば、硫酸、塩酸、硝酸および塩化第二鉄のうち１種類以上を用いることができる。また、シュウ酸、リン酸・酢酸・硝酸の混酸、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液をエッチング液として用いるようにしてもよい。

ここで、除去とは、（１）第３の領域Ｒ_３から積層膜４を完全になくすこと、（２）第３の領域Ｒ_３にて導電性を示さない程度まで積層膜４を不連続な状態（例えば島状の状態）にすること、または（３）第３の領域Ｒ_３にて導電性を示さない程度の薄さまで積層膜４を薄くすることを意味する。

具体的には、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４の状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４を実質的に除去するのに対して、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうち平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

また、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４の状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４を除去して島状などに不連続にするのに対して、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうち平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

また、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４の状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４を除去してその厚さを平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の厚さに比して大幅に薄くすることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうち平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

（洗浄工程）
次に、必要に応じて、除去処理を施した基体表面を洗浄する。
以上により、目的とする導電性素子１が得られる。

第１の実施形態では、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を有する基体表面に対して、２層以上の層を積層して積層膜４を形成する。そして、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３に形成した積層膜の状態の違いを利用して、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の波面のうち、波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４を除去するのに対して、平面Ｓｐ１上に形成された積層膜４を第１の層４_１として残すとともに、波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の一部の層を第２の層４_２として残すことにより、導電パターン部を形成する。したがって、精細かつ高スループットの導電性素子を実現できる。

＜２．第２の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図１１Ａは、本技術の第２の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１２Ａは、図１１Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１２Ｂは、図１１Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１２Ｃは、図１１Ｂに示した第３の領域の一部を拡大して表す断面図である。第２の実施形態に係る導電性素子１は、第１の領域に波面Ｓｗ１を有する点において、第１の実施形態とは異なっている。基体２の表面には、例えば、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を有する形状層が設けられている。この形状層は、後述する構造体３_１、構造体３_２および構造体３を含んでいる。

（第１の領域）
第１の領域Ｒ_１の基体表面には波面Ｓｗ１が形成され、この波面Ｓｗ１上には第１の層４_１が連続的に形成されている。波面Ｓｗ１は、波面Ｓｗ２に比して小さい比率（Ａｍ／λｍ）（λｍ：波面の平均波長、Ａｍ：波面の振動の平均幅）を有している点以外は、波面Ｓｗ２と同様である。具体的には、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３が以下の関係を満たしていることが好ましい。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（但し、Ａｍ１：波面Ｓｗ１の振動の平均幅、Ａｍ２：波面Ｓｗ２の振動の平均幅、Ａｍ３：波面Ｓｗ３の振動の平均幅、λｍ１：波面Ｓｗ１の平均波長、λｍ２：波面Ｓｗ２の平均波長、λｍ３：波面Ｓｗ３の平均波長）
比率（Ａｍ３／λｍ３）＞１．８であると、波面Ｓｗ３を転写する際に剥離不良となり波面Ｓｗが破壊される傾向がある。

ここで、波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１、振動の平均幅Ａｍ１および比率（Ａｍ１／λｍ１）は、第１の実施形態における波面Ｓｗ２およびＳｗ３と同様にして測定したものである。
波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の振動の幅が最大となる位置を含むようにして、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。
波面Ｓｗ１の波長λ１、波面Ｓｗ２の波長λ２および波面Ｓｗ３の波長λ３は、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上１００μｍ以下の範囲内である。波長λ１、波長λ２および波長λ３が１００ｎｍ未満であると、波長λ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の作製が困難となる傾向がある。一方、波長λ１、波長λ２および波長λ３が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる傾向がある。
波長λ１、波長λ２および波長λ３は、導電性素子表面における光の反射を低減する観点からすると、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下であることが好ましい。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。

波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の形状、波長および振動の幅はそれぞれ独立に選択することが可能である。具体的には例えば、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３はそれぞれ独立に、１次元的または２次元的な波面とすることが可能である。また、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の波長および振動の幅はそれぞれ独立に、ナノオーダーまたはミクロンオーダーの波長および振動の幅とすることが可能である。

（構造体）
波面Ｓｗ１は、例えば多数の構造体３_１が第１の領域Ｒ_１に配列された凹凸面である。構造体３_１は、構造体３_２に比して小さい比率（Ｈｍ／Ｐｍ）（Ｈｍ：構造体の平均配置ピッチ、Ｐｍ：構造体の平均高さ）を有している点以外は、構造体３_２と同様である。具体的には、構造体３_１、構造体３_２および構造体３_３が以下の関係を満たしていることが好ましい。
０＜（Ｈｍ１／Ｐｍ１）＜（Ｈｍ２／Ｐｍ２）＜（Ｈｍ３／Ｐｍ３）≦１．８
（但し、Ｈｍ１：構造体３_１の平均高さ、Ｈｍ２：構造体３_２の平均高さ、Ｈｍ３：構造体３_３の平均高さ、Ｐｍ１：構造体３_１の平均配置ピッチ、Ｐｍ２：構造体３_２の平均配置ピッチ、Ｐｍ３：構造体３_３の平均配置ピッチ）
比率（Ｈｍ３／Ｐｍ３）＞１．８であると、構造体３_３を転写する際に剥離不良となり構造体３_３が破壊される傾向がある。

ここで、構造体３_１の平均配置ピッチＰｍ１、平均高さＨｍ１および比率（Ｈｍ１／Ｐｍ１）は、第１の実施形態における構造体３_２および構造体３_３と同様にして測定したものである。

（第１の層）
第１の層４_１は、第１の領域Ｒ_１において構造体３_１による反射防止効果を阻害しないように、波面Ｓｗ１の形状に倣って形成され、波面Ｓｗ１と第１の層４_１の表面形状とがほぼ相似形状であることが好ましい。第１の層４_１の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。

［ロール原盤の構成］
図１３Ａは、基体２を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。第２の実施形態に係るロール原盤１１は、第１の領域Ｒ_１に波面Ｓｗ１を有する点において、第１の実施形態のものとは異なっている。

ロール原盤１１の波面Ｓｗ１は、例えば可視光の波長以下のピッチで凹状の構造体１２_１を配列することにより形成されている。ロール原盤１１の波面Ｓｗ１は、基体２の波面Ｓｗ１の凹凸を反転した形状を有している。

［導電性素子の製造方法］
第２の実施形態に係る導電性素子の製造方法は、波面Ｓｗ１と、波面Ｓｗ２と、波面Ｓｗ３との違い（例えば比率（Ａｍ／λｍ）の違い）を利用して、第１の領域Ｒ_１と第２の領域Ｒ_２と第３の領域Ｒ_３とに成膜された積層膜４の除去速度を変化させて、導電パターン部を形成している点において、第１の実施形態とは異なっている。

第２の実施形態における積層膜の除去工程では、積層膜４が形成された基体表面に対して除去処理を施すことにより、第３の領域Ｒ_３では積層膜４が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ_１および第２の領域Ｒ_２では積層膜４が残留する。これにより、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうち、波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

具体的には、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４の状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４を実質的に除去するのに対して、波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうち波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

また、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４の状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４を除去して島状などに不連続にするのに対して、波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうち波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

また、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４の状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４を除去してその厚さを波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の厚さに比して大幅に薄くすることが好ましい。これにより、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうち波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

第２の実施形態では、第１の領域Ｒ_１、第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３の全ての領域にそれぞれ波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２およびＳｗ３を形成しているので、導電性素子１の反射防止特性を向上することができる。このような構成とする場合、導電パターン部として機能する第１の層４_１および第２の層４_２はそれぞれ、波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２に倣った形状とすることが好ましい。これにより、反射防止特性および／または透過特性の効果の低下を抑制することができるからである。

変調（例えば振幅変調および／または周波数変調）が施された波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を基体表面に形成し、その基体表面上に積層膜４を形成することで、基体表面に形成した波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の変調の違いに応じて、積層膜４の状態を変化させることができる。したがって、基体２の波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の変調の違いに応じて、除去溶液に対する積層膜４の溶解度を変化させることができる。すなわち、基体２の波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の変調の違いを利用して、基体表面に所望の導電パターン部を形成することができる。

基体表面の波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３をそれぞれ、ナノ構造体３_１、ナノ構造体３_２、ナノ構造体３_３により形成した場合には、視認性および光学特性を向上することもできる。光学特性を劣化させずに所望の電気抵抗を実現することができる。

＜３．第３の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図１４Ａは、本技術の第３の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１４Ｂは、図１４Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１４Ｃは、図１４Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１４Ｄは、図１４Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。以下では、導電性素子１の主面の面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向、およびＹ軸方向とし、その主面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。

第３の実施形態に係る導電性素子１は、交互に形成された第１の領域Ｒ_１および第２の領域Ｒ_２を有する基体２と、第１の領域Ｒ_１および第２の領域Ｒ_２のうち、第１の領域Ｒ_１に形成された積層膜４とを備える。積層膜４は、導電パターン部をなすように第１の領域Ｒ_１に連続的に形成されている。導電パターン部は、例えば、配線パターン部、電極パターン部などである。積層膜４は、２層以上の層が積層された積層膜であり、少なくとも導電層４ａを含んでいることが好ましい。

この導電性素子１は、例えば、プリント基板、画像表示素子などである。プリント基板としては、例えば、リジッド基板、フレキシブル基板、リジッドフレキシブル基板などが挙げられる。画像表示素子としては、例えば、液晶表示素子、エルクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子（例えば有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）などが挙げられる。

（第１の領域、第２の領域）
第１の領域Ｒ_１の基体表面には、例えば平面Ｓｐ１が形成され、この平面Ｓｐ１上には積層膜４が連続的に形成されている。一方、第２の領域Ｒ_２の基体表面には、例えば波面Ｓｗ２が形成され、この波面Ｓｗ２上には積層膜４が形成されていない状態となっている。したがって、第２の領域Ｒ_２は、隣接する第１の領域Ｒ_１に形成された積層膜４の間を絶縁するための絶縁領域として機能する。これに対して、第１の領域Ｒ_１に連続的に形成された積層膜４は、第１の領域Ｒ_１の延在方向に向かって導電性を有し、導電パターン部として機能する。基体２の表面には、例えば、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２を有する形状層が設けられている。この形状層は、後述する構造体３を含んでいる。

平面Ｓｐ１、および波面Ｓｗ２が以下の関係を満たすことが好ましい。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：平面Ｓｐ１の振動の平均幅、Ａｍ２：波面Ｓｗ２の振動の平均幅、λｍ１：平面Ｓｐ１の平均波長、λｍ２：波面Ｓｗ２の平均波長）
なお、平面Ｓｐ１は、振動の平均幅Ａｍ１が「０」の波面とみなすことができるため、上述のように平面Ｓｐ１の振動の平均幅Ａｍ１、平均波長λｍ１および比率（Ａｍ１／λｍ１）を定義することができる。
比率（Ａｍ２／λｍ２）＞１．８であると、波面Ｓｗ２を転写する際に剥離不良となり波面Ｓｗ２が破壊される傾向がある。

ここで、波面Ｓｗ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）は以下のようにして求めたものである。まず、波面Ｓｗ２の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子１の断面を切り出し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、波面Ｓｗ２の波長λ２、および振動の幅Ａ２を求める。この測定を導電性素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２を求める。次に、これらの平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２を用いて、波面Ｓｗ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）を求める。

波面Ｓｗ２は、例えば、可視光の波長以下の波長を有する１次元的または２次元的な波面であり、具体的には、可視光の波長以下の配置ピッチで多数の構造体３が１次元的または２次元的に配列されてなる凹凸面である。

波面Ｓｗ２の振動の幅が最大となる位置を含むようにして、波面Ｓｗ２を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。

波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００ｎｍ以上の範囲である。平均波長λｍ２が１００ｎｍ未満であると、波面Ｓｗ２の作製が困難となる傾向がある。
また、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００μｍ以下の範囲である。平均波長λｍ２が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる。

第２の領域Ｒ_２には積層膜４またはその一部が残留膜として完全に存在しないことが好ましいが、第２の領域Ｒ_２が絶縁領域として機能する程度であれば残留膜として存在していてもよい。第２の領域Ｒ_２に残留膜が存在する場合、第１の領域Ｒ_１に形成された積層膜４と、第２の領域Ｒ_２に形成された残留膜とが、以下の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ１＞Ｓ２
（但し、Ｓ１：積層膜の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
このような関係を満たす場合、第１の領域Ｒ_１には積層膜４が連続的に形成されているのに対して、第２の領域Ｒ_２には残留膜が島状などに不連続に形成されていることが好ましい。

また、第２の領域Ｒ_２に残留膜が存在する場合、第１の領域Ｒ_１に形成された積層膜４と、第２の領域Ｒ_２に形成された残留膜とが、以下の関係を満たすことが好ましい。
ｄ１＞ｄ２
（但し、ｄ１：積層膜の厚さ、ｄ２：残留膜の厚さ）
このような関係を満たす場合、残留膜の厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、積層膜４の厚さよりも薄く、第２の領域Ｒ_２が絶縁領域として機能することが好ましい。

なお、上述したように、残留膜は導電パターン部としては機能しないため、図１４Ｂ、および図１４Ｄでは、残留膜の図示を省略している。また、図１４Ａでは、第１の領域Ｒ_１に連続的に形成された積層膜４、すなわち導電パターン部が、直線状の形状を有している例が示されているが、導電パターン部の形状はこれに限定されるものではなく、回路や素子の設計などに応じて所望の形状とすることが可能である。

以下、導電性素子１を構成する基体２、構造体３、および積層膜４について順次説明する。

（基体）
基体２は、上述の第１の実施形態と同様である。

（構造体）
波面Ｓｗ２は、例えば多数の構造体３が第２の領域Ｒ_２に配列された凹凸面である。構造体３は、例えば、基体２の表面に対して凸状を有している。構造体３は、例えば、基体２と別成形、または基体２と一体成形されている。構造体３と基体２とを別成形する場合には、必要に応じて構造体３と基体２との間に基底層を備えるようにしてもよい。基底層は、構造体３の底面側に構造体３と一体成形された層であり、構造体３と同様のエネルギー線硬化性樹脂組成物などを硬化してなる。基底層の厚さは、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜選択することができる。

構造体３のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）が以下の関係を満たすことが好ましい。
０＜（Ｈｍ／Ｐｍ）≦１．８
（但し、Ｈｍ：構造体３の平均高さ、Ｐｍ：構造体３の平均配置ピッチ）
（Ｈｍ／Ｐｍ）＞１．８であると、構造体３を転写する際に剥離不良となり構造体３が破壊される傾向がある。

（積層膜）
積層膜４は、例えば、第１の領域Ｒ１上に形成された導電層４ａと、導電層４ａ上に形成された機能層４ｂとを備える。積層膜４は、異なる除去速度の材料、具体的には、異なる除去速度の積層膜から構成されていることが好ましい。導電層４ａとしては、例えば、金属層、透明導電層、金属酸化物層、遷移金属化合物層などを用いることができるが、これらの限定されるものではない。機能層４ｂの材料としては、少なくとも導電層４ａとは異なる材料が好ましく、さらに除去工程時に溶解レート差が生じるものがより好ましい。

透明導電層としては、例えば、無機透明導電層を用いることができる。無機透明導電層は、透明酸化物半導体を主成分としていることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ_２、ＩｎＯ_２、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明酸化物半導体の具体例としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ_２）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ））などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。無機透明導電膜を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。

金属層の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。

機能層４ｂとしては、少なくとも導電層４ａに対して、エッチャントに対する溶解度もしくはエッチングレートが異なることが望ましく、例えばＳｉＯ_２などの金属酸化物層や遷移金属化合物、さらには結晶状態が異なる膜同士で機能層４ｂが多結晶化してエッチャント耐性が向上している状態も望ましい。機能層４ｂは、アモルファスと多結晶との混合状態にある層、および多結晶化状態にある層の少なくとも１種を含んでいることが好ましい。また、機能層４ｂとしては、導電層４ａに対して溶解レートが異なるものであれば金属でも使用可能であり、導電層４ａと異種材料であればＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む材料を用いることができる。

第１の領域Ｒ_１における積層膜４の表面抵抗は、５０００Ω／□以下であることが好ましい。５０００Ω／□を超えると、抵抗が増大しすぎて電極として使用できなくなる傾向がある。

［ロール原盤の構成］
図１５Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。ロール原盤１１は、上述した基体表面に構造体３を成形するための原盤である。ロール原盤１１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面には多数の第１の領域Ｒ_１および第２の領域Ｒ_２が交互に設定されている。図１５Ａおよび図１５Ｂでは、第１の領域Ｒ_１および第２の領域Ｒ_２が周方向に向かって、リング状に形成されている場合が示されているが、第１の領域Ｒ_１および第２の領域Ｒ_２の形状はこの例に限定されるものではなく、所望とする導電パターン部の形状、すなわち第２の領域に形成する積層膜４の形状に応じて適宜選択される。ロール原盤１１の材料としては、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。

図１６Ａは、ロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図１６Ｂは、第２の領域の一部を拡大して示す斜視図である。図１６Ｃは、第２の領域の一部を拡大して示す平面図である。ロール原盤１１の第２の領域Ｒ_２には、例えば、凹部である構造体１２が可視光の波長以下のピッチで多数配置されているのに対して、第１の領域Ｒ_１には、例えば、凹部である構造体１２が形成されず平面状とされている。

ロール原盤１１の第１の領域Ｒ_１、および第２の領域Ｒ_２はそれぞれ、基体２の第１の領域Ｒ_１、および第２の領域Ｒ_２に対応している。すなわち、ロール原盤１１の第１の領域Ｒ_１に形成された平面Ｓｐ１は、基体２の第１の領域Ｒ_１に平面Ｓｐ１を形成するためのものである。ロール原盤１１の第２の領域Ｒ_２に形成された波面Ｓｗ２は、基体２の第２の領域Ｒ_２に波面Ｓｗ２を形成するためのものである。具体的には、ロール原盤１１の波面Ｓｗ２は、上述の基体２の表面の波面Ｓｗ２の凹凸形状を反転した形状を有している。すなわち、ロール原盤１１の構造体１２は、上述の基体２の表面の構造体３の凹凸形状を反転した形状を有している。

［導電性素子の製造方法］
以下、図１７〜図１９を参照しながら、本技術の第３の実施形態に係る導電性素子１の製造方法の一例について説明する。

（レジスト成膜工程）
まず、図１７Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤１１を準備する。このロール原盤１１は、例えばガラス原盤である。次に、図１７Ｂに示すように、ロール原盤１１の表面にレジスト層１３を形成する。レジスト層１３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上含む金属化合物を用いることができる。

（露光工程）
次に、図１７Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、ロール原盤１１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１４をレジスト層１３に照射する。このとき、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤１１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１４を照射する。この際、配線パターン間の絶縁領域に対応する第２の領域Ｒ_２のみに潜像を形成し露光部とするのに対して、導電パターン部に対応する第１の領域Ｒ_１は露光せず、非露光部とする。レーザー光１４の軌跡に応じた潜像１５は、例えば、可視光の波長以下のピッチで形成される。

潜像１５は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、四方格子パターンまたは六方格子パターンなどの所定の２次元パターンを形成する。潜像１５は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。

（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤１１を回転させながら、レジスト層１３上に現像液を滴下して、図１８Ａに示すように、レジスト層１３を現像処理する。図示するように、レジスト層１３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）１５に応じたパターンがレジスト層１３に形成される。これにより、第２の領域Ｒ_２のレジスト層１３には、四方格子パターンまたは六方格子パターンなどの所定の２次元パターンの開口部が形成されるのに対して、第１の領域Ｒ_１のレジスト層１３には、開口部が形成されず、第１の領域Ｒ_１全体はレジスト層１３に覆われた状態が維持される。すなわち、第２の領域Ｒ_２のみに開口パターンを有するマスクがロール原盤表面に形成される。

（エッチング工程）
次に、ロール原盤１１の上に形成されたレジスト層１３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤１１の表面をロールエッチング処理する。これにより、ロール原盤表面のうち第２の領域Ｒ_２では、開口部を介してエッチングが進行し、図１８Ｂに示すように、第２の領域Ｒ_２には、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状などの構造体（凹部）１２が形成される。一方、ロール原盤表面のうち第１の領域Ｒ_１では、この領域全体がレジスト層１３に覆われているため、エッチングは施されず、平面状のロール原盤表面が維持される。エッチング方法としては、例えばドライエッチングを用いることができる。

（転写工程）
次に、例えば、図１８Ｃに示すように、ロール原盤１１と、転写材料１６を塗布したフィルムなどの基体２とを密着させ、紫外線などのエネルギー線を照射して転写材料１６を硬化させた後、硬化した転写材料１６と一体となった基体２を剥離する。これにより、図１９Ａに示すように、平面Ｓｐ１が形成された第１の領域Ｒ_１と、波面Ｓｗ２が形成された第２の領域Ｒ_２とを有する基体２が得られる。

（積層膜の成膜工程）
次に、図１９Ｂに示すように、基体表面の第１の領域Ｒ_１および第２の領域Ｒ_２に２層以上の層を積層することにより、積層膜４を形成する。具体的には例えば、基体表面の第１の領域Ｒ_１および第２の領域Ｒ_２に導電層４ａ、機能層４ｂをこの順序で積層することにより、積層膜４を形成する。積層膜４の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。また、基体２を加熱しながら、積層膜４を形成するようにしてもよい。

（アニール工程）
次に、必要に応じて、積層膜４に対してアニール処理を施す。これにより、積層膜４または積層膜４に含まれる無機透明導電層が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態となる。

（積層膜の除去工程）
次に、図１９Ｃに示すように、積層膜４が形成された基体表面に対して、エッチング処理を施す。これにより、第２の領域Ｒ_２では積層膜４が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ_１では積層膜４が残留する。具体的には例えば、第２の領域Ｒ_２では導電層４ａ、機能層４ｂが除去されるのに対して、第１の領域Ｒ_１では導電層４ａ、機能層４ｂが残留する。したがって、第１の領域Ｒ_１に形成された積層膜４は導電パターン部として機能するのに対して、第２の領域Ｒ_２は上記導電パターン部間の絶縁領域として機能する。エッチングとしては、ウェットエッチングまたはドライエッチングを用いることができ、両者を組み合わせて用いるようにしてもよい。ウエットエッチングのエッチング液としては、例えば、硫酸、塩酸、硝酸および塩化第二鉄のうち１種類以上が用いることができる。また、シュウ酸、リン酸・酢酸・硝酸の混酸、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液をエッチング液として用いるようにしてもよい。ドライエッチングとしては、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いることができる。

ここで、除去とは、（１）第２の領域Ｒ_２から積層膜４を完全になくすこと、（２）第２の領域Ｒ_２にて導電性を示さない程度まで積層膜４を不連続な状態（例えば島状の状態）にすること、または（３）第２の領域Ｒ_２にて導電性を示さない程度の薄さまで積層膜４を薄くすることを意味する。

具体的には、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を実質的に除去するのに対して、平面Ｓｐ１上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２のうち平面Ｓｐ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

また、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を除去して島状などに不連続にするのに対して、平面Ｓｐ１上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２のうち平面Ｓｐ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

また、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の厚さを平面Ｓｐ１上に形成された積層膜４の厚さに比して大幅に薄くすることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２のうち平面Ｓｐ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

（洗浄工程）
次に、必要に応じて、エッチング処理を施した基体表面を洗浄する。
以上により、目的とする導電性素子１が得られる。

第３の実施形態では、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２を有する基体表面に対して、２層以上の層を積層して積層膜４を形成する。そして、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２に形成した積層膜４の状態の違いを利用して、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２の波面のうち、波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を除去するのに対して、平面Ｓｐ１上に形成された積層膜４を残すことにより、導電パターン部を形成する。したがって、精細かつ高スループットの導電性素子１を実現できる。

＜４．第４の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図２０Ａは、本技術の第４の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２０Ｂは、図２０Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図２０Ｃは、図２０Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図２０Ｄは、図２０Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。第４の実施形態に係る導電性素子１は、第１の領域Ｒ_１に形成された第１の波面Ｓｗ１と、第２の領域Ｒ_２に形成された第２の波面Ｓｗ２との違い（例えば振動の平均幅の違い）を利用して、第１の領域Ｒ_１と第２の領域Ｒ_２とに成膜された積層膜４のエッチング速度を変化させて、配線パターンなどを形成している点において、第３の実施形態とは異なっている。

（第１の領域、第２の領域）
第１の領域Ｒ_１の基体表面には第１の波面Ｓｗ１が形成され、この第１の波面Ｓｗ１上には積層膜４が連続的に形成されている。一方、第２の領域Ｒ_２の基体表面には第２の波面Ｓｗ２が形成され、この第２の波面Ｓｗ２上には積層膜４が形成されていない状態となっている。第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下の波長を有する波面である。したがって、第２の領域Ｒ_２は、隣接する第１の領域Ｒ_１に形成された積層膜４の間を絶縁するための絶縁領域として機能する。これに対して、第１の領域Ｒ_１に連続的に形成された積層膜４は、第１の領域Ｒ_１の延在方向に向かって導電性を有し、導電パターン部として機能する。基体２の表面には、例えば、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２を有する形状層が設けられている。この形状層は、後述する構造体３_１および３_２を含んでいる。

波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１、および波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００μｍ以下の範囲である。平均波長λｍ１、および平均波長λｍ２が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる。

積層膜４は、第１の領域Ｒ_１において第１の構造体３_１による反射防止効果を阻害しないように、第１の構造体３_１の表面形状に倣って形成され、第１の構造体３_１と積層膜４との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。積層膜４の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。積層膜４を構成する材料は、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。第１の構造体３_１の高さを低くした場合にも、第１の構造体３_１の反射防止効果を阻害しないような膜厚で積層膜４を形成することができるからである。すなわち、積層膜４が第１の構造体３_１の形状に倣った形状を維持することができるからである。

第２の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）は、第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１に対する振動の平均幅Ａｍ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）よりも大きいことが好ましい。これにより、光学特性と電気的選択性を両立できるからである。具体的には、比率（Ａｍ１／λｍ１）および比率（Ａｍ２／λｍ２）が、以下の関係を満たすことが好ましい。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：波面Ｓｗ１の振動の平均幅、Ａｍ２：波面Ｓｗ２の振動の平均幅、λｍ１：波面Ｓｗ１の平均波長、λｍ２：波面Ｓｗ２の平均波長）
比率（Ａｍ２／λｍ２）＞１．８であると、波面Ｓｗ２を転写する際に剥離不良となり波面Ｓｗ２が破壊される傾向がある。
ここで、波面Ｓｗ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）は、第３の実施形態における波面Ｓｗ２と同様にして測定したものである。

波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２の形状、波長および振動の幅はそれぞれ独立に選択することが可能である。具体的には例えば、波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２はそれぞれ独立に、１次元的または２次元的な波面とすることが可能である。また、波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２の波長および振動の幅はそれぞれ独立に、ナノオーダーまたはミクロンオーダーの波長および振動の幅とすることが可能である。

第２の領域Ｒ_２には積層膜４の一部が残留膜として完全に存在しないことが好ましいが、第２の領域Ｒ_２が絶縁領域として機能する程度であれば残留膜として存在していてもよい。この場合、第１の領域Ｒ_１に形成された積層膜４の面積は、第２の領域Ｒ_２に形成された積層膜４またはその一部の面積よりも大きいことが好ましい。具体的には、第１の領域Ｒ_１には積層膜４が連続的に形成されているのに対して、第２の領域Ｒ２には積層膜４またはその一部が島状などに不連続に形成されていることが好ましい。また、第２の領域Ｒ_２に形成された積層膜４またはその一部の厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、第１の領域Ｒ_１に形成された積層膜４の厚さよりも薄く、第２の領域Ｒ_２が絶縁領域として機能するようにしてもよい。

（構造体）
第１の波面Ｓｗ１は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の第１の構造体３_１が形成された凹凸面である。第２の波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の第１の構造体３_１が形成された凹凸面である。第１の構造体３_１の平均アスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）は、第２の構造体３_２の平均アスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）に比して大きいことが好ましい。具体的には、第１の構造体３_１、および第２の構造体３_２が以下の関係を満たしていることが好ましい。
０＜（Ｈｍ１／Ｐｍ１）＜（Ｈｍ２／Ｐｍ２）≦１．８
（但し、Ｈｍ１：第１の構造体３_１の平均高さ、Ｈｍ２：第２の構造体３_２の平均高さ、Ｐｍ１：第１の構造体３_１の平均配置ピッチ、Ｐｍ２：第２の構造体３_２の平均配置ピッチ）
比率（Ｈｍ２／Ｐｍ２）＞１．８であると、第２の構造体３_２を転写する際に剥離不良となり構造体３_２が破壊される傾向がある。

ここで、第１の構造体３_１のアスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）、および第２の構造体３_２のアスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）は、第３の実施形態における構造体３のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）と同様にして測定したものである。
第１の構造体３_１、および第２の構造体３_２において、上記以外のことは第３の実施形態における構造体３と同様とすることができる。なお、第１の構造体３_１、および第２の構造体３_２の配置パターンや形状などは同一である必要はなく、両構造体が異なる配置パターンや形状などをとるようにしてもよい。

［ロール原盤の構成］
図２１Ａは、基体２を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図２１Ｂは、図２１Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。第４の実施形態に係るロール原盤１１は、第１の領域Ｒ_１および第２の領域Ｒ_２の両領域にそれぞれ、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２を備える点において、第３の実施形態のものとは異なっている。

ロール原盤１１の第１の波面Ｓｗ１は、例えば可視光の波長以下のピッチで凹状の第１の構造体１２_１を配列することにより形成されている。ロール原盤１１の第２の波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下のピッチで凹状の第２の構造体１２_２を配列することにより形成されている。ロール原盤１１の第１の波面Ｓｗ１、第２の波面Ｓｗ２はそれぞれ、基体２の第１の波面Ｓｗ１、第２の波面Ｓｗ２の凹凸を反転した形状を有している。

ロール原盤１１の第１の領域Ｒ_１および第２の領域Ｒ_２はそれぞれ、基体２の第１の領域Ｒ_１および第２の領域Ｒ_２に対応している。すなわち、ロール原盤１１の第１の領域Ｒ_１に形成された凹状の構造体１２_１は、基体２の第１の領域Ｒ_１に形成された凸状の構造体３_１を形成するためのものである。ロール原盤１１の第２の領域Ｒ_２に形成された凹状の構造体１２_２は、基体２の第２の領域Ｒ_２に形成された凸状の構造体３_２を形成するためのものである。第２の構造体１２_２のアスペクト比は、第１の構造体１２_１のアスペクト比に比して大きいことが好ましい。

［導電性素子の製造方法］
第４の実施形態におけるエッチング工程では、積層膜４が形成された基体表面に対してエッチング処理を施すことにより、第２の領域Ｒ_２では積層膜４が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ_１では積層膜４が残留する。具体的には、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を実質的に除去するのに対して、第１の波面Ｓｗ１上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２のうち第１の波面Ｓｗ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

また、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を除去して島状などに不連続にするのに対して、第１の波面Ｓｗ１上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２のうち第１の波面Ｓｗ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

また、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の厚さを第１の波面Ｓｗ１上に形成された積層膜４の厚さに比して大幅に薄くすることが好ましい。これにより、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２のうち第１の波面Ｓｗ１上に導電パターン部を選択的に形成することができる。

第４の実施形態では、第１の領域Ｒ_１および第２の領域Ｒ_２の両領域にそれぞれ構造体３_１および構造体３_２を形成しているので、導電性素子１の反射防止特性を向上することができる。このような構成とする場合、導電パターン部として機能する第１の領域Ｒ_１の積層膜４は、第１の領域Ｒ_１に形成された構造体３_１の形状に倣った形状とすることが好ましい。これにより、反射防止特性および／または透過特性の効果の低下を抑制することができるからである。

変調（例えば振幅変調および／または周波数変調）が施された波面を基体表面に形成し、その基体表面上に積層膜４を形成することで、基体２の波面の変調の違いに応じて、積層膜４の状態を変化させることができる。したがって、基体２の波面の変調の違いに応じて、エッチング溶液に対する積層膜４の溶解度を変化させることができる。すなわち、基体２の波面の変調の違いを利用して、基体表面に所望の導電パターン部を形成することができる。

基体表面の波面をナノ構造体により形成した場合には、視認性および光学特性を向上することもできる。光学特性を劣化させずに所望の電気抵抗を実現することができる。

導電層からなる配線を基体表面に形成する従来の情報入力装置（例えば、デジタル式抵抗タッチパネルや静電容量式タッチパネルなど）では、導電層と基材とは反射率が異なるため、配線が見えて表示品質が劣化する傾向がある。これに対して、本技術の実施形態に係る情報入力装置では、積層膜４の有無にかかわらず、低反射および高透過率を実現しているため、配線の視認を抑制できる。

＜５．第５の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図２２Ａは、本技術の第５の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２２Ｂは、本技術の第５の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。図２２Ｃは、本技術の第５の実施形態に係る導電性素子の第１の領域の層構成を示す断面図である。以下では、導電性素子１の回路形成面の面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向、およびＹ軸方向とし、その回路形成面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。

第５の実施形態に係る導電性素子１は、交互に形成された第１の領域Ｒ_１および第２の領域Ｒ_２を有する基体２と、第１の領域Ｒ_１および第２の領域Ｒ_２のうち、第１の領域Ｒ_１に配線パターン部（導電パターン部）をなすように連続的に形成された導電層４ｍとを備える。導電層４ｍは、例えば、導電性を有する単層膜である。ここでは、導電パターン部の一例として配線パターン部が第１の領域Ｒ_１に形成される場合について説明するが、導電パターン部は配線パターン部に限定されるものではなく、導電性を有する種々のパターンとすることが可能であり、例えば電極パターン部などとすることが可能である。

また、表面抵抗の低減の観点から、図２２Ｃに示すように、第１の領域Ｒ_１の基体表面上に、導電層４ｍに隣接して形成された金属層５をさらに備えることが好ましい。この導電性素子１は、例えば、プリント基板、画像表示素子、情報入力装置などである。プリント基板としては、例えば、リジッド基板、フレキシブル基板、リジッドフレキシブル基板などが挙げられる。画像表示素子としては、例えば、液晶表示素子、エルクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子（例えば有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）などが挙げられる。

（第１の領域Ｒ_１、第２の領域Ｒ_２）
第２の領域Ｒ_２の基体表面には、例えば可視光の波長以下の波長を有する波面Ｓｗ２が形成され、この波面Ｓｗ２上には導電層４ｍが形成されていないか、もしくは導電層４ｍが不連続的に形成されている状態となっている。波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の構造体３が形成された凹凸面である。一方、第１の領域Ｒ_１の基体表面には、例えば平面Ｓｐ１が形成され、この平面Ｓｐ１上には導電層４ｍが連続的に形成されている。したがって、第２の領域Ｒ_２は、隣接する第１の領域Ｒ_１に形成された導電層４ｍの間を絶縁するための絶縁領域として機能する。これに対して、第１の領域Ｒ_１に連続的に形成された導電層４ｍは、第１の領域Ｒ_１の延在方向に向かって導電性を有し、配線パターン部（導電パターン部）として機能する。

平面Ｓｐ１、および波面Ｓｗ２が以下の関係を満たすことが好ましい。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：平面Ｓｐ１の振動の平均幅、Ａｍ２：波面Ｓｗ２の振動の平均幅、λｍ１：平面Ｓｐ１の平均波長、λｍ２：波面Ｓｗ２の平均波長）
なお、平面Ｓｐ１は、振動の平均幅Ａｍ１が「０」の波面とみなすことができるため、上述のように平面Ｓｐ１の振動の平均幅Ａｍ１、平均波長λｍ１および比率（Ａｍ１／λｍ１）を定義することができる。
比率（Ａｍ２／λｍ２）＞１．８であると、波面Ｓｗ２を転写する際に剥離不良となり波面Ｓｗ２が破壊される傾向がある。

波面Ｓｗ２は、例えば、可視光の波長以下の波長を有する１次元または２次元的な波面であり、具体的には、可視光の波長以下の配置ピッチで多数の構造体３が１次元または２次元的に配列されてなる凹凸面である。

波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００ｎｍ以上の範囲である。平均波長λｍ２が１００ｎｍ未満であると、波面Ｓｗ２の作製が困難となる傾向がある。
また、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００μｍ以下の範囲である。平均波長λｍ２が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる。

第２の領域Ｒ_２には導電層４ｍが完全に存在しないことが好ましいが、第２の領域Ｒ_２が絶縁領域と機能すれば導電層４ｍが存在していてもよい。この場合、第１の領域Ｒ_１に形成された導電層４ｍの面積は、第２の領域Ｒ_２に形成された導電層４ｍの面積よりも大きいことが好ましい。具体的には、第１の領域Ｒ_１には導電層４ｍが連続的に形成されているのに対して、第２の領域Ｒ_２には導電層４ｍが島状などに不連続に形成されていることが好ましい。また、第２の領域Ｒ_２に形成された導電層４ｍの厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、第１の領域Ｒ_１に形成された導電層４ｍの厚さよりも薄く、第２の領域Ｒ_２が絶縁領域として機能するようにしてもよい。

より具体的には、第２の領域Ｒ_２には導電層４ｍまたはその一部が残留膜として完全に存在しないことが好ましいが、第２の領域Ｒ_２が絶縁領域として機能する程度であれば残留膜として存在していてもよい。第２の領域Ｒ_２に残留膜が存在する場合、第１の領域Ｒ_１に形成された導電層４ｍと、第２の領域Ｒ_２に形成された残留膜とが、以下の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ１＞Ｓ２
（但し、Ｓ１：導電層の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
このような関係を満たす場合、第１の領域Ｒ_１には導電層４ｍが連続的に形成されているのに対して、第２の領域Ｒ_２には残留膜が島状などに不連続に形成されていることが好ましい。

また、第２の領域Ｒ_２に残留膜が存在する場合、第１の領域Ｒ_１に形成された導電層４ｍと、第２の領域Ｒ_２に形成された残留膜とが、以下の関係を満たすことが好ましい。
ｄ１＞ｄ２
（但し、ｄ１：導電層の厚さ、ｄ２：残留膜の厚さ）
このような関係を満たす場合、残留膜の厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、導電層４ｍの厚さよりも薄く、第２の領域Ｒ_２が絶縁領域として機能することが好ましい。

なお、図２２Ａでは、第１の領域Ｒ_１に連続的に形成された導電層４ｍ、すなわち配線が、直線状の形状を有している例が示されているが、配線の形状はこれに限定されるものではなく、回路設計などに応じて所望の形状とすることが可能である。また、第２の領域Ｒ_２に導電層４ｍが不連続的などに形成されている場合には、導電層４ｍは配線としては機能しないため、図示を省略している。すなわち、残留膜の図示を省略している。

波面Ｓｗ２の振動の幅が最大となる位置を含むようにして、波面Ｓｗ２を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。

波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）は、１．８以下であることが好ましい。比率（Ａｍ２／λｍ２）が１．８を超えると、構造体を転写する際に剥離不良となり構造体が破壊される傾向がある。

ここで、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２は、以下のようにして求めたものである。まず、導電層４ｍの波面Ｓｗ２の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子１を一方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、波面Ｓｗ２の波長λ２、および振動の幅Ａ２を求める。この測定を導電性素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２を求める。次に、これらの平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２を用いて、波面Ｓｗ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）を求める。

以下、導電性素子１を構成する基体２、構造体３、導電層４ｍ、および金属層５について順次説明する。

（基体）
基体２は、上述の第１の実施形態と同様である。

（構造体）
第２の領域Ｒ_２における基体２の表面には、凸部である構造体３が多数配列されている。これにより、第２の領域Ｒ_２における基体２の表面には波面Ｓｗ２が形成されている。構造体３は、例えば、基体２と別成形、または基体２と一体成形されている。構造体３と基体２とを別成形する場合には、必要に応じて構造体３と基体２との間に基底層を備えるようにしてもよい。基底層は、構造体３の底面側に構造体３と一体成形された層であり、構造体３と同様のエネルギー線硬化性樹脂組成物などを硬化してなる。基底層の厚さは、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜選択することができる。

構造体３のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）が以下の関係を満たすことが好ましい。
０＜（Ｈｍ／Ｐｍ）≦１．８
（但し、Ｈｍ：構造体３の平均高さ、Ｐｍ：構造体３の平均配置ピッチ）
（Ｈｍ／Ｐｍ）＞１．８であると、構造体３を転写する際に剥離不良となり構造体３が破壊される傾向がある。

（導電層）
導電層４ｍは、例えば、透明導電層などである。透明導電層は、例えば、無機透明導電膜である。導電層４ｍは、例えば単層膜である。

無機透明導電膜は、透明酸化物半導体を主成分としていることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ_２、ＩｎＯ_２、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明酸化物半導体の具体例としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ_２）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ））などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。無機透明導電膜を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。

導電層４ｍを構成する材料として、金属膜を含んでも良い。金属膜の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、およびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。また、導電層４ｍが、導電性高分子、金属ナノ粒子、およびカーボンナノチューブからなる群より選ばれる少なくとも１種を主成分として含むようにしてもよい。

第１の領域Ｒ_１における導電層４ｍの表面抵抗は、５０００Ω／□以下であることが好ましい。５０００Ω／□を超えると、抵抗が増大しすぎて電極として使用できなくなる傾向がある。

＜６．第６の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図２３Ａは、本技術の第６の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２３Ｂは、本技術の第６の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。図２３Ｃは、本技術の第６の実施形態に係る導電性素子の第１の領域の層構成を示す断面図である。第６の実施形態に係る導電性素子１は、第１の領域Ｒ_１に形成された第１の波面Ｓｗ１と、第２の領域Ｒ_２に形成された第２の波面Ｓｗ２との違い（例えば振動の平均幅の違い）を利用して、第１の領域Ｒ_１と第２の領域Ｒ_２とに成膜された導電層４ｍのエッチング速度を変化させて、配線パターン部などを形成している点において、第５の実施形態とは異なっている。

（第１の領域、第２の領域）
第２の領域Ｒ_２の基体表面には、例えば可視光の波長以下の波長を有する第２の波面Ｓｗ２が形成され、この第２の波面Ｓｗ２上には導電層４ｍが形成されていないか、もしくは導電層４ｍが不連続的に形成されている状態となっている。また、第２の領域Ｒ_２に形成された導電層４ｍの厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、第１の領域Ｒ_１に形成された導電層４ｍの厚さよりも薄く、第２の領域Ｒ_２が絶縁領域として機能するようにしてもよい。一方、第１の領域Ｒ_１の基体表面には、例えば可視光の波長以下の波長を有する第１の波面Ｓｗ１が形成され、この第２の波面Ｓｗ１上には導電層４ｍが連続的に形成されている。したがって、第２の領域Ｒ_２は、隣接する第１の領域Ｒ_１に形成された導電層４ｍの間を絶縁するための絶縁領域として機能する。これに対して、第１の領域Ｒ_１に連続的に形成された導電層４ｍは、第１の領域Ｒ_１の延在方向に向かって導電性を有し、配線パターン部（導電パターン部）として機能する。

第１の波面Ｓｗ１は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の第１の構造体３_１が形成された凹凸面である。第２の波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の第２の構造体３_２が形成された凹凸面である。また、表面抵抗の低減の観点から、図２３Ｃに示すように、基体表面に金属層５をさらに備えることが好ましい。

導電層４ｍは、第１の領域Ｒ_１において第１の構造体３_１による反射防止効果を阻害しないように、第１の構造体３_１の表面形状に倣って形成され、第１の構造体３_１と導電層４ｍとの表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。導電層４ｍの形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。導電層４ｍを構成する材料は、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。第１の構造体３_１の高さを低くした場合にも、第１の構造体３_１の反射防止効果を阻害しないような膜厚で導電層４ｍを形成することができるからである。すなわち、第１の構造体３_１の高さを低くした場合にも、導電層４ｍが第１の構造体３_１の形状に倣った形状を維持することができるからである。

第２の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）は、第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１に対する振動の平均幅Ａｍ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）よりも大きいことが好ましい。これにより、光学特性と電気的選択性を両立できるからである。第２の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）は、１．８以下であることが好ましい。比率（Ａｍ２／λｍ２）が１．８を超えると、第２の構造体３_２を転写する際に剥離不良となり第２の構造体３_２が破壊される傾向がある。第２の波面の振動の平均幅Ａｍ２は、第１の波面の振動の平均幅Ａｍ１に比して大きいことが好ましい。
また、第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１、および波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００ｎｍ以上の範囲である。平均波長λｍ１、および平均波長λｍ２が１００ｎｍ未満であると、波面Ｓｗ２の作製が困難となる傾向がある。第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１、および波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００μｍ以下の範囲である。平均波長λｍ１、および平均波長λｍ２が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる。

第２の構造体３_２の平均アスペクト比は、第１の構造体３_１の平均アスペクト比に比して大きいことが好ましい。第１の構造体３_１の平均配置ピッチＰｍ１、平均高さＨｍ１、平均アスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）がそれぞれ、第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１、振動の平均幅Ａｍ１、比率（Ａｍ１／λｍ１）と同様であることが好ましい。第２の構造体３_２の平均配置ピッチＰｍ２、平均高さＨｍ２、平均アスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）がそれぞれ、第２の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、振動の平均幅Ａｍ２、比率（Ａｍ２／λｍ２）と同様であることが好ましい。

具体的には、第２の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）は、第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１に対する振動の平均幅Ａｍ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）よりも大きいことが好ましい。これにより、光学特性と電気的選択性を両立できるからである。より具体的には、比率（Ａｍ１／λｍ１）および比率（Ａｍ２／λｍ２）が、以下の関係を満たすことが好ましい。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：波面Ｓｗ１の振動の平均幅、Ａｍ２：波面Ｓｗ２の振動の平均幅、λｍ１：波面Ｓｗ１の平均波長、λｍ２：波面Ｓｗ２の平均波長）
比率（Ａｍ２／λｍ２）＞１．８であると、波面Ｓｗ２を転写する際に剥離不良となり波面Ｓｗ２が破壊される傾向がある。
ここで、波面Ｓｗ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）は、第１の実施形態における波面Ｓｗ２と同様にして測定したものである。

波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２の形状、波長および振動の幅はそれぞれ独立に選択することが可能である。具体的には例えば、波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２はそれぞれ独立に、１次元的または２次元的な波面とすることが可能である。また、波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２の波長および振動の幅はそれぞれ独立に、ナノオーダーまたはミクロンオーダーの波長および振動の幅とすることが可能である。

第２の領域Ｒ_２には導電層４ｍの一部が残留膜として完全に存在しないことが好ましいが、第２の領域Ｒ_２が絶縁領域として機能する程度であれば残留膜として存在していてもよい。この場合、第１の領域Ｒ_１に形成された導電層４ｍの面積は、第２の領域Ｒ_２に形成された導電層４ｍまたはその一部の面積よりも大きいことが好ましい。具体的には、第１の領域Ｒ_１には導電層４ｍが連続的に形成されているのに対して、第２の領域Ｒ２には導電層４ｍまたはその一部が島状などに不連続に形成されていることが好ましい。また、第２の領域Ｒ_２に形成された導電層４ｍまたはその一部の厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、第１の領域Ｒ_１に形成された導電層４ｍの厚さよりも薄く、第２の領域Ｒ_２が絶縁領域として機能するようにしてもよい。

（構造体）
第１の領域Ｒ_１に形成された第１の構造体３_１は、例えば、第２の領域Ｒ_２に形成された第２の構造体３_２と同様に、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターン、または準四方格子パターンなど規則的な格子パターンを形成する。また、後述するように、第１の構造体３_１をランダムに配列するようにしてもよい。なお、第１の領域Ｒ_１の第１の構造体３_１と第２の領域Ｒ_２の第２の構造体３_２との配置パターンは同一である必要はなく、両領域の構造体が異なる配置パターンをとるようにしてもよい。

第１の波面Ｓｗ１は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の第１の構造体３_１が形成された凹凸面である。第２の波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の第２の構造体３_２が形成された凹凸面である。第２の構造体３_２の平均アスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）は、第１の構造体３_１の平均アスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）に比して大きいことが好ましい。具体的には、第１の構造体３_１、および第２の構造体３_２が以下の関係を満たしていることが好ましい。
０＜（Ｈｍ１／Ｐｍ１）＜（Ｈｍ２／Ｐｍ２）≦１．８
（但し、Ｈｍ１：第１の構造体３_１の平均高さ、Ｈｍ２：第２の構造体３_２の平均高さ、Ｐｍ１：第１の構造体３_１の平均配置ピッチ、Ｐｍ２：第２の構造体３_２の平均配置ピッチ）
比率（Ｈｍ２／Ｐｍ２）＞１．８であると、第２の構造体３_２を転写する際に剥離不良となり構造体３_２が破壊される傾向がある。

ここで、第１の構造体３_１のアスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）、および第２の構造体３_２のアスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）は、第１の実施形態における構造体３のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）と同様にして測定したものである。
第１の構造体３_１、および第２の構造体３_２において、上記以外のことは第５の実施形態における構造体３と同様とすることができる。なお、第１の構造体３_１、および第２の構造体３_２の配置パターンや形状などは同一である必要はなく、両構造体が異なる配置パターンや形状などをとるようにしてもよい。

＜７．第７の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図２４Ａは、本技術の第７の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示した導電性素子の一部を拡大して表す断面図である。図２４Ｂに示すように、導電性素子１０は、基体２と、基体２の表面に設けられた、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を有する形状層６と、平面Ｓｐ１上に設けられた第１の層４_１と、波面Ｓｗ２上に形成された第２の層４_２とを備える。以下では、形状層６が形成される第１の面を表面と適宜称し、それとは反対側の第２の面を裏面と適宜称する。

導電性素子１０は、帯状の形状を有し、ロール状に巻回されて、いわゆる原反とされる。導電性素子１０は、可撓性を有していることが好ましい。これにより、帯状の導電性素子をロール状に巻回して原反とすることができ、搬送性や取り扱い性などが向上するからである。帯状の導電性素子１０には、複数の導電性素子１が繰り返し設けられており、帯状の導電性素子１０の所定区画を打ち抜くことで、複数の導電性素子１が得られる。この導電性素子１は、例えば、プリント基板などの配線素子であり、種々の電子機器に用いて好適なものである。

図２４Ａに示すように、導電性素子１０は、例えば、少なくとも１周期以上の転写領域（単位領域）Ｔ_Ｅを有している。ここで、１周期の転写領域Ｔ_Ｅは、後述するロール原盤を１回転することにより転写される領域である。すなわち、１周期の転写領域Ｔ_Ｅの長さは、ロール原盤の周面の長さに相当する。隣接する２つの転写領域Ｔ_Ｅの境界部において、形状層６の凹凸形状に不整合性が存在しなく、２つの転写領域Ｔ_Ｅがシームレスに接続されていることが好ましい。これにより、優れた特性や外観を有する導電性素子１０が得られるからである。ここで、不整合性とは、構造体３_２および構造体３_３による凹凸形状等の物理的な構成が不連続であることを意味する。不整合性の具体例としては、例えば、転写領域Ｔ_Ｅが有する所定の凹凸パターンの周期性の乱れ、または隣接する単位領域間の重なり、隙間、もしくは未転写部などが挙げられる。

（基体）
基体２の材料は特に限定はされものではなく用途によって適宜選択可能であり、例えば、プラスチック材料、ガラス材料、金属材料、金属化合物材料（例えば、セラミックス、磁性体、半導体など）を用いることができる。プラスチック材料としては、例えば、トリアセチルセルロース、ポリビニールアルコール、環状オレフィンポリマー、環状オレフィンコポリマー、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロプレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレート、メタクリル樹脂、ナイロン、ポリアセタール、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、メラミン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、メチルメタクリレート（共）重合体などが挙げられる。ガラス材料としては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなどが挙げられる。金属材料および金属化合物材料としては、例えば、シリコン、酸化ケイ素、サファイヤ、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム、フッ化リチウム、セレン化亜鉛、臭化カリウムなどが挙げられる。

基体２の形状としては、例えば、シート状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。基体２は、全体として帯状の形状を有し、基体２の長手方向に向かって、単位領域としての転写領域Ｔ_Ｅが連続して形成されていることが好ましい。基体２の表面および裏面の形状としては、例えば平面および曲面のいずれも用いることができ、表面および裏面をいずれも平面または曲面とすることも、表面および裏面のうち一方を平面とし、他方を曲面とすることも可能である。

基体２は、形状層６を形成するためのエネルギー線硬化性樹脂組成物を硬化するためのエネルギー線に対して不透過性を有している。本明細書中にて、エネルギー線とは、形状層６を形成するためのエネルギー線硬化性樹脂組成物を硬化するためエネルギー線を示すものとする。基体２の表面に対して、例えば、印刷、塗布、真空成膜などにより装飾層または機能層を形成するようにしてもよい。

基体２は、単層構造または積層構造を有している。ここで、積層構造は、２以上の層を積層してなる積層構造であり、積層構造中の少なくとも１層は、エネルギー線に対して不透過性を有する不透過層である。積層構造を形成する方法としては、例えば、融着や表面処理などにより層間を直接的に貼合する方法、接着層や粘着層などの貼合層を介して層間を貼合する方法が挙げられるが、特に限定されるものではない。貼合層が、エネルギー線を吸収する顔料などの材料を含むようにしてもよい。また、基体２を積層構造とする場合、エネルギー線に対して不透過性を有する不透過層と、エネルギー線に対して透過性を有する透過層とを組み合わせるようにしてもよい。また、基体２が２以上の不透過層を備える場合には、それらが互いに異なる吸収特性を有していてもよい。

透過層の材料としては、例えば、アクリル樹脂コーティング材等の透明な有機膜や、透明な金属膜、無機膜、金属化合物膜またはそれらの積層体を用いることができるが、特に限定されるものではない。不透過層の材料としては、例えば、顔料を含んだアクリル樹脂コーティング材等の有機膜や、金属膜、金属化合物膜またはそれらの積層体を用いることができるが、特に限定されるものではない。顔料としては、例えば、カーボンブラックなどの光吸収性を有する材料を用いることができる。

図２５Ａ〜図２５Ｅはそれぞれ、基体の第１〜第５の例を示す断面図である。

（第１の例）
図２５Ａに示すように、基体２は、単層の構造を有し、基体全体がエネルギー線に対して不透過性を有する不透過層である。

（第２の例）
図２５Ｂに示すように、基体２は、２層構造を有し、エネルギー線に対して不透過性を有する不透過層２ａと、エネルギー線に対して透過性を有する透過層２ｂとを備える。不透過層２ａが裏面側に配置され、透過層２ｂが表面側に配置される。

（第３の例）
図２５Ｃに示すように、基体２は、２層構造を有し、エネルギー線に対して不透過性を有する不透過層２ａと、エネルギー線に対して透過性を有する透過層２ｂとを備える。不透過層２ａが表面側に配置され、透過層２ｂが裏面側に配置される。

（第４の例）
図２５Ｄに示すように、基体２は、３層構造を有し、エネルギー線に対して透過性を有する透過層２ｂと、この透過層２ｂの両主面に形成された、エネルギー線に対して不透過性を有する不透過層２ａ、２ａとを備える。一方の不透過層２ａが裏面側に配置され、他方の不透過層２ａが表面側に配置される。

（第５の例）
図２５Ｅに示すように、基体２は、３層構造を有し、エネルギー線に対して不透過性を有する不透過層２ａと、この不透過層２ａの両主面に形成された、エネルギー線に対して透過性を有する透過層２ｂ、２ｂとを備える。一方の透過層２ｂが裏面側に配置され、他方の透過層２ｂが表面側に配置される。

（形状層）
形状層６は、所定の凹凸パターンを有する転写領域Ｔ_Ｅが連続して形成された表面を有する。形状層６は、例えば、複数の構造体３_２および構造体３_３が２次元配列されてなる層であり、必要に応じて複数の構造体３_２および構造体３_３と基体２との間に基底層８を備えるようにしてもよい。基底層８は、構造体３_２および構造体３_３の底面側に構造体３_２および構造体３_３と一体成形された層であり、構造体３_２および構造体３_３と同様のエネルギー線硬化性樹脂組成物を硬化してなる。基底層８の厚さは、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜選択することができる。複数の構造体３_２および構造体３_３が、例えば、基体２の表面において複数列のトラックＴをなすように配列されている。複数例のトラックをなすように配列された複数の構造体３_２および構造体３_３が、例えば、四方格子状または六方格子状などの規則的な所定の配置パターンをなすようにしてもよい。構造体３_２および構造体３_３の高さが基体２の表面において規則的または不規則的に変化するようにしてもよい。

基体２と形状層６との間に、両者の密着層を向上するために、下塗り層を設けることが好ましい。下塗り層としては、例えば、アクリル系の表面処理剤、シランカップリング剤などを用いることができる。

形状層６は、エネルギー線硬化性樹脂組成物を硬化することにより形成される。形状層６は、基体２上に塗布されたエネルギー線硬化性樹脂組成物を、基体２とは反対の側から重合などの硬化反応を進行させることにより形成されていることが好ましい。これにより、基体２としてエネルギー線に対して不透過性を有するものを用いることができるからである。転写領域Ｔ_Ｅ間は、エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化度に不整合を生じることなく繋がっていることが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化度の不整合は、例えば、重合度の差である。

エネルギー線硬化性樹脂組成物は、エネルギー線を照射することによって硬化させることができる樹脂組成物である。エネルギー線とは、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、高周波などのラジカル、カチオン、アニオンなどの重合反応の引き金と成りうるエネルギー線を示す。エネルギー線硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、他の樹脂と混合して用いるようにしてもよく、例えば熱硬化性樹脂などの他の硬化性樹脂と混合して用いてもよい。また、エネルギー線硬化性樹脂組成物は、有機無機ハイブリッド材料であってもよい。また、２種以上のエネルギー線硬化性樹脂組成物を混合して用いるようにしてもよい。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線により硬化する紫外線硬化樹脂を用いることが好ましい。紫外線硬化樹脂としては、例えば、アクリレート系、メタクリレート系、またはエポキシ系の紫外線硬化樹脂を用いることができる。

また、形状層６の材料としては、上述したエネルギー線硬化性樹脂組成物以外に、耐熱性のあるパーヒドロポリシラザンなどの焼成後に無機膜が得られる材料、シリコン系樹脂材料などを用いることも可能である。

また、エネルギー線硬化性樹脂組成物が、必要に応じてフィラー、機能性添加剤、溶剤、無機材料、顔料、帯電防止剤、増感色素などを含んでいてもよい。フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、吸収剤、消泡剤などを挙げることができる。

［転写装置の構成］
図２６は、本技術の第７の実施形態に係る転写装置の構成の一例を示す概略図である。この転写装置は、ロール原盤１１と、基体供給ロール１１１と、巻き取りロール１１２と、ガイドロール１１３、１１４と、ニップロール１１５、剥離ロール１１６と、塗布装置１１７と、エネルギー線源１１０とを備える。

基体供給ロール１１１には、シート状などの基体２がロール状に巻かれ、ガイドロール１１３を介して基体２を連続的に送出できるように配置されている。巻き取りロール１１２は、この転写装置により凹凸形状が転写された形状層６を有する基体２を巻き取りできるように配置されている。ガイドロール１１３、１１４は、帯状の基体２を搬送できるように、この転写置内の搬送路に配置されている。ニップロール１１５は、基体供給ロール１１１から送出され、エネルギー線硬化性樹脂組成物が塗布された基体２を、ロール原盤１１とニップできるように配置されている。ロール原盤１１は、形状層６を形成するための転写面を有し、その内部には１個または複数個のエネルギー線源１１０を備える。ロール原盤１１の詳細について後述する。剥離ロール１１６は、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８を硬化することにより得られた形状層６を、ロール原盤１１の転写面から剥離可能に配置されている。

基体供給ロール１１１、巻き取りロール１１２、ガイドロール１１３、１１４、ニップロール１１５、および剥離ロール１１６の材質は特に限定されるものではなく、所望とするロール特性に応じてステンレスなどの金属、ゴム、シリコーンなどを適宜選択して用いることができる。塗布装置１１７としては、例えば、コーターなどの塗布手段を備える装置を用いることができる。コーターとしては、例えば、塗布するエネルギー線硬化性樹脂組成物の物性などを考慮して、グラビア、ワイヤバー、およびダイなどのコーターを適宜使用することができる。

［ロール原盤の構成］
ロール原盤１１は、例えば、円筒状の形状を有する原盤であり、その表面に形成された転写面Ｓｐと、それとは反対の内側に形成された内周面である裏面Ｓｉとを有する。ロール原盤１１の内部には、例えば、裏面Ｓｉにより形成される円柱状の空洞部が形成されており、この空洞部に１個または複数個のエネルギー線源１１０が備えられる。転写面Ｓｐには、例えば、凹状または凸状の複数の構造体が形成され、これらの構造体の形状を基体２上に塗布されたエネルギー線硬化性樹脂組成物に対して転写することにより、基体２の表面に形状層６が形成される。すなわち、転写面Ｓｐには、基体２の形状層６の有する凹凸形状を反転したパターンが形成されている。

ロール原盤１１は、エネルギー線源１１０から放射されたエネルギー線に対して透過性を有し、エネルギー線源１１０から放射されて裏面Ｓｉに入射したエネルギー線を転写面Ｓｐから放出可能に構成されている。この転写面Ｓｐから放出されたエネルギー線により、基体２上に塗布されたエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８が硬化される。ロール原盤１１の材料は、エネルギー線に対して透過性を有するものであればよく特に限定されるものではない。紫外線に対して透過性を有する材料としては、ガラス、石英、透明樹脂、有機無機ハイブリッド材料などを用いることが好ましい。透明樹脂としては、例えば、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）などが挙げられる。有機無機ハイブリッド材料としては、例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）などが挙げられる。ロール原盤１１の転写面Ｓｐおよび裏面Ｓｉの少なくとも一方に、透明性を有する金属膜、金属化合物膜または有機膜を形成するようにしてもよい。

１個または複数個のエネルギー線源１１０は、基体２上に塗布されたエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８に向けてエネルギー線を照射可能にロール原盤１１の空洞部内に支持されている。ロール原盤１１が複数個のエネルギー線源１１０を備える場合には、これらのエネルギー線源１１０は、１列または２列以上の列をなすように配置されることが好ましい。エネルギー線源としては、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、または高周波などエネルギー線を放出可能なものであればよく、特に限定されるものではない。エネルギー線源の形態としては、例えば、点状光源、線状光源を用いることができるが、特に限定されるものではなく、点状光源と線状光源とを組み合わせて用いるようにしてもよい。エネルギー線源として点状光源を用いる場合には、複数の点状光源を直線状に配列するなどして線状光源を構成することが好ましい。線状光源は、ロール原盤１１の回転軸と平行に配置することが好ましい。紫外線を放出するエネルギー線源としては、例えば、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ショートアーク放電ランプ、紫外線発光ダイオード、半導体レーザー、蛍光灯、有機エレクトロルミネッセンス、無機エレクトロルミネッセンス、発光ダイオード、光ファイバなどが挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。また、ロール原盤１１の内部にスリットをさらに設け、このスリットを介してエネルギー線源１１０から放射されたエネルギー線がエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８に対して照射されるようにしてもよい。このとき、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８はエネルギー線を吸収することにより発生する熱によって硬化させても良い。
この第７の実施形態において、上記以外の構成は、第１の実施形態と同様である。

［導電性素子の製造方法］
図２７Ａ〜図２７Ｅは、本技術の第７の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。

まず、「レジスト成膜工程」から「エッチング工程」までを上述の第１の実施形態と同様にして、図２７Ａに示すロール原盤１１を作製する。

（線源配置工程）
次に、図２７Ｂに示すように、ロール原盤１１内の収容空間（空洞部）に、１または複数のエネルギー線源１１０を配置する。エネルギー線源１１０は、ロール原盤１１の幅方向Ｄｗまたは回転軸１の軸方向と平行に配置することが好ましい。

（下塗り層形成工程）
次に、必要に応じて、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８が塗布される基体２の表面に対して、コロナ処理、プラズマ処理、火炎処理、ＵＶ処理、オゾン処理、ブラスト処理などの表面処理を施す。次に、表面処理剤を基体２の表面に塗布し、必要に応じて乾燥および／または硬化することにより、下塗り層を基体２の表面に形成する。表面処理剤としては、例えば、アクリル系の表面処理剤などを酢酸ブチルで希釈した処理溶液、シランカップリング剤などを用いることができる。

（転写工程）
次に、図２７Ｃに示すように、長尺の基体２またはロール原盤１１上にエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８を塗布または印刷する。塗布方法は特に限定されるものではないが、例えば、基体上または原盤上へのポッティング、スピンコート法、グラビアコート法、ダイコート法、バーコート法などを用いることができる。印刷方法としては、例えば、凸版印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、凹版印刷法、ゴム版印刷法、スクリーン印刷法などを用いることができる。次に、必要に応じて、溶剤除去やプリベークなどの加熱処理を行う。

次に、図２７Ｄに示すように、ロール原盤１１を回転させながら、その転写面Ｓｐをエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８に密着させるとともに、ロール原盤１１内のエネルギー線源１１０から出射されたエネルギー線を、ロール原盤１１の転写面Ｓｐの側からエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８に対して照射する。これにより、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８が硬化し、形状層６が形成される。具体的には、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８の硬化反応が、ロール原盤１１の転写面Ｓｐ側から基体２の表面側に向けて順次進行し、塗布または印刷されたエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８の全体が硬化することで、形状層６が形成される。基底層８の有無、または基底層８の厚さは、例えば、基体２の表面に対するロール原盤１１の圧力を調整することにより選択可能である。次に、基体２上に形成された形状層６をロール原盤１１の転写面Ｓｐから剥離する。これにより、図２７Ｅに示すように、基体２の表面に形状層６が形成される。この転写工程では、上述のようにして、帯状を有する基体２の長手方向をロール原盤１１の回転進行方向として凹凸形状が転写される。その後、ポストキュアなどの処理を行ってもよい。

ここで、図２６に示す転写装置を用いた転写工程について具体的に説明する。
まず、基体供給ロール１１１から長尺の基体２を送出し、送出された基体２は、塗布装置１１７の下を通過する。次に、塗布装置１１７の下を通過する基体２上に、塗布装置１１７によりエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８を塗布する。次に、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８が塗布された基体２をガイドロール１１３を経てロール原盤１１に向けて搬送する。

次に、基体２とエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８との間に気泡が入らないように、搬入された基体２をロール原盤１１とニップロール１１５とにより挟み合わる。その後、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８をロール原盤１１の転写面Ｓｐに密着させながら、基体２をロール原盤１１の転写面Ｓｐに沿わせて搬送するとともに、１または複数のエネルギー線源１１０から放射されたエネルギー線を、ロール原盤１１の転写面Ｓｐを介してエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８に対して照射する。これにより、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８が硬化し、形状層６が形成さる。次に、剥離ロール１１６により、ロール原盤１１の転写面Ｓｐから形状層６が剥離されて、形状層６が形成された長尺の基体２が得られる。次に、得られた基体２を、ガイドロール１１４を介して巻き取りロール１１２に向けて搬送し、長尺の基体２を巻き取りロール１１２により巻き取る。これにより、長尺の基体２が巻回された原反が得られる。

次に、「積層膜の成膜工程」から「洗浄工程」までを上述の第１の実施形態と同様にすることで、図２４Ａに示した帯状の導電性素子１０が得られる。次に、必要に応じて、帯状の導電性素子１０を所定形状に打ち抜くことで、導電性素子１が得られる。
なお、「転写工程」において基体２を一旦巻き取らずに、「積層膜の成膜工程」から「洗浄工程」までもロール・ツー・ロールで連続して行うようにしてもよい。

なお、上述の第２〜第５の実施形態、および後述する第１０〜第１１の実施形態に係る導電性素子１に対して、第７の実施形態における基体２の構成を採用するようにしてもよい。このような構成を採用する場合、導電性素子の製造方法としては、第７の実施形態における導電性素子の製造方法を用いることが好ましい。

＜８．第８の実施形態＞
図２８は、本技術の第８の実施形態に係る転写装置の構成の一例を示す概略図である。この転写装置は、ロール原盤１１と、塗布装置１１７と、搬送ステージ１２１とを備える。第８の実施形態において、第７の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。搬送ステージ１２１は、この搬送ステージ１２１上に載置された基体２を矢印ａの方向に向けて搬送可能に構成されている。

次に、上述の構成を有する転写装置の動作の一例について説明する。
まず、塗布装置１１７の下を通過する基体２上に、塗布装置１１７によりエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８を塗布する。次に、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８が塗布された基体２をロール原盤１１に向けて搬送する。次に、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８をロール原盤１１の転写面Ｓｐに密着させながら搬送するとともに、ロール原盤１１内に設けられた１または複数のエネルギー線源１１０から放射されたエネルギー線を、ロール原盤１１の転写面Ｓｐを介してエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８に対して照射する。これにより、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８が硬化し、形状層６が形成さる。次に、搬送ステージを矢印ａの方向に搬送することにより、ロール原盤１１の転写面Ｓｐから形状層６を剥離する。これにより、形状層６が形成された長尺の基体２が得られる。次に、必要に応じて、以上により、目的とする基体２が得られる。

＜９．第９の実施形態＞
図２９は、本技術の第９の実施形態に係る転写装置の構成の一例を示す概略図である。この転写装置は、ロール１３１、１３２、１３４、１３５と、ベルト原盤であるエンボスベルト１３３と、平坦ベルト１３６と、１個または複数個のエネルギー線源１１０と、塗布装置１１７とを備える。第９の実施形態において、第７の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

エンボスベルト１３３は、ベルト原盤の一例であり、環状の形状を有し、その外周面には複数の構造体が、例えば２次元配列されている。エンボスベルト１３３は、エネルギー線に対して透過性を有している。平坦ベルト１３６は、環状の形状を有し、その外周面は平坦面とされている。エンボスベルト１３３と平坦ベルト１３６との間には、基体２の厚さ程度の間隙が形成され、これらのベルトの間を、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８が塗布された基体２が走行可能となっている。

ロール１３１とロール１３２とは離間して配置され、これらのロール１３１とロール１３２とにより、エンボスベルト１３３がその内周面により支持されて、エンボスベルト１３３が細長い長円形状などに形状保持されている。エンボスベルト１３３の内側に配置されたロール１３１とロール１３２とを回転駆動させることにより、エンボスベルト１３３が回転走行されるようになっている。

ロール１３４およびロール１３５はそれぞれ、ロール１３１およびロール１３２に対向して配置されている。これらのロール１３４とロール１３５とにより、平坦ベルト１３６がその内周面により支持されて、平坦ベルト１３６が細長い長円形状などに形状保持されている。平坦ベルト１３６の内側に配置されたロール１３４とロール１３５とを回転駆動させることにより、平坦ベルト１３６が回転走行されるようになっている。

エンボスベルト１３３の内側には、１または複数のエネルギー線源１１０が配置されている。１または複数のエネルギー線源１１０は、エンボスベルト１３３と平坦ベルト１３６との間を走行する基体２に対して、エネルギー線を照射可能に保持されている。線状光源などのエネルギー線源１１０は、エンボスベルト１３３の幅方向と平行に配置することが好ましい。エネルギー線源１１０の配置位置はエンボスベルト１３３の内周面により形成される空間内であればよく特に限定されるものではない。例えば、ロール１３１およびロール１３２の少なくとも一方の内部に配置するようにしてもよい。この場合、ロール１３１およびロール１３２をエネルギー線に対して透過性を有する材料により形成することが好ましい。

次に、上述の構成を有する転写装置の動作の一例について説明する。
まず、塗布装置１１７の下を通過する基体２上に、塗布装置１１７によりエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８を塗布する。次に、回転するエンボスベルト１３３と平坦ベルト１３６との間の間隙に、ロール１３１、１３４の側からエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８が塗布された基体２を搬入する。これにより、エンボスベルト１３３の転写面とエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８とが密着する。次に、この密着状態を維持しながら、エネルギー線源１１０から放射されたエネルギー線を、エンボスベルト１３３を介してエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８に対して照射する。これにより、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８が硬化され、基体２上に形状層６が形成される。次に、エンボスベルト１３３を形状層６から剥離する。これにより、目的とする基体２が得られる。

＜１０．第１０の実施形態＞
図３０Ａは、本技術の第１０の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。第１０の実施形態に係る導電性素子１は、基体２の両主面に平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を形成し、基体両面に導電パターン部を形成している点において、第１の実施形態とは異なっている。図３０Ａでは、基体両主面における平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の位置、面積、形状および配置順序などが同一となっているが、基体両主面における平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の位置、面積、形状および配置順序などはこの例に限られるものではなく、回路や素子の設計などに応じて所望の位置、面積、形状および配置順序などに設定することができる。

また、図３０Ｂに示すように、基体２の平面Ｓｐ１にスルーホール（貫通孔）を形成し、このスルーホールに導体インクなどの導電材料７を埋め込み、基体２の両面に形成された回路などの導電パターン部を電気的に接続するようにしてもよい。スルーホールを形成するのは平面Ｓｐ１に限られるものではなく、波面Ｓｗ２に設けるようにしてもよい。基体２の両主面に対向して平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２が設けられている場合には、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２をスルーホールにより貫通し、基体２の両面に形成された導電パターン部を電気的に接続するようにしてもよい。

上述の構成を有する基体２は、例えば、次のようにして作製することができる。まず、帯状を有する基体２を搬送しながら、その両面にエネルギー線硬化性樹脂組成物を塗布する。次に、基体２の両面の側に配置された回転原盤（例えばロール原盤またはベルト原盤）の転写面をエネルギー線硬化性樹脂組成物に密着させるとともに、回転原盤内のエネルギー線源からエネルギー線をエネルギー線硬化性樹脂組成物に対して照射する。これにより、エネルギー線硬化性樹脂組成物が硬化し、形状層６が基体２の両面に形成される。なお、２つの回転原盤を基体２を介して対向するように配置して、両原盤にて基体２をニップしながら、エネルギー線硬化性樹脂組成物に形状を転写するようにしてもよい。

第１０の実施形態では、基体２の両面に導電パターン部を形成しているので、第１の実施形態よりも多くの回路などを導電性素子１に搭載することが可能となる。

＜１１．第１１の実施形態＞
図３１Ａは、本技術の第１１の実施形態に係る導電性素子に備えられた基体の第１の例を示す断面図である。図３１Ｂは、本技術の第１１の実施形態に係る導電性素子に備えられた基体の第２の例を示す断面図である。第１１の実施形態に係る導電性素子１は、形状層６がエネルギー線に対して不透過性を有している点において、第１の実施形態または第１０の実施形態に係る導電性素子１とは異なっている。このような不透過性を有する構造体３は、例えば、エネルギー線を吸収する顔料などの材料をエネルギー線硬化性樹脂組成物に添加することにより形成することが可能である。
この第１１の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態または第１０の実施形態と同様である。

＜１２．第１２の実施形態＞
図３２Ａは、本技術の第１２の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図３２Ｂは、図３２Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図３３Ａは、図３２Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図３３Ｂは、図３２Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。図３３Ｃは、図３２Ｂに示した第３の領域の一部を拡大して表す断面図である。第１２の実施形態に係る導電性素子１は、構造体３_１および構造体３_２が基体２の表面に対して凹状を有している点において、第１の実施形態のものとは異なっている。また、構造体３_２および構造体３_３のうち、一方を凹状のものとし、他方を凸状のものとすることも可能である。第２の領域Ｒ_２および第３の領域Ｒ_３に、凹状と凸状の構造体３_１および構造体３_２が混在しているようにしてもよい。
この第１２の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

この第１２の実施形態では、第１の実施形態における凸形状の構造体３_２および構造体３_３の形状を反転して凹形状としているので、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

以下の実施例、比較例および参考例では、導電性シートの表面抵抗は４端子抵抗測定機にて測定した。なお、プローブ先端針の径はＲ１００μｍとし、針のピッチは１ｍｍとした。

（実施例１）
（転写工程）
まず、図３４Ａに示すように、平面領域（第１の領域）Ｒ_１とナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ_２とが成形面にストライプ状に形成されたロール原盤を準備した。次に、ロール原盤の空洞部に複数のＵＶ光源を配置した。

次に、シランカップリング剤を酢酸ブチルで希釈し、表面処理溶液を調製した。次に、調製した表面処理溶液により、ポリイミドからなるシートの表面を処理することにより、下塗り層を形成した。

次に、下塗り層が設けられたシートの表面に紫外線硬化樹脂を塗布した。次に、ロール原盤を回転させながら、その転写面を紫外線硬化樹脂が塗布されたシートに密着させるとともに、パワー１００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線をロール原盤の転写面の側から紫外線硬化樹脂に対して照射し硬化させながら剥離した。これにより、シート表面のうち、ナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ_２には凸状のナノ構造体が多数形成されるのに対して、平面領域（第１の領域）Ｒ_１には平坦面が形成された光学シートが得られた。構造体の配置ピッチは２５０ｎｍ、構造体の高さは２００ｎｍ、構造体の形状は円錐台、構造体の配列は六方格子配列であった。

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ_２ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ_２＝２００：１３とした。また、膜厚が平板換算で３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。なお、平板換算膜厚は、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。

（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成した光学シートに対して、１５０℃、３０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ層の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（Ｘ‐ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ_２Ｏ_３のピークが確認された。

（除去工程）
次に、アニール処理を施した光学シートを、ＰＨ３程度の溶液に２０秒間浸漬させた。

（洗浄工程）
次に、除去処理を施した光学シートを純水により洗浄した。
以上により、目的とする透明導電性シートが得られた。

（導通／非導通評価）
上述のようにして得られた実施例１に係る透明導電性シートの表面について、テスターを用いて導通および非導通を、図３４Ｂに示すポイントで評価した。その評価結果を表１に示す。

表１は、実施例１に係る透明導電性シートの評価結果を示す。

表１から以下のことがわかる。
透明導電性シート表面のうちナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ_２は絶縁状態となるのに対して、平面領域（第１の領域）Ｒ_１は導通状態となる。したがって、転写工程（インプリント工程）、成膜工程および除去工程を順次行うだけで、配線や電極などの所望の導電パターン部を基体表面に形成できる。すなわち、スループットを向上することができる

（密着性）
上述のようにして得られた実施例１に係る透明導電性シートの密着性を評価した。その結果、ポリイミドからなるシートと、紫外線硬化樹脂からなるナノ構造体との間に、シランカップリング剤からなる下塗り層を設けることで、両者の密着性は向上できることがわかった。

なお、詳細は省略するが、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）またはシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）からなるシートを用いた場合にも、シランカップリング剤からなる下塗り層を設けることで、シートとナノ構造体との密着性を向上できた。また、表面処理剤として、シランカップリング剤に代えて、アクリル系の表面処理剤やその混合剤を用いた場合にも、同様に密着性向上の効果が得られた。

（実施例２−１）
（転写工程）
まず、平面領域（第１の領域）Ｒ_１とナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ_２とが成形面にストライプ状に形成されたロール原盤を準備した。次に、ロール原盤の空洞部に複数のＵＶ光源を配置した。

次に、シランカップリング剤を酢酸ブチルで希釈し、表面処理溶液を調製した。次に、調製した表面処理溶液により、ポリイミドからなるシートの表面を処理することにより、下塗り層を形成した。

次に、下塗り層が設けられたシートの表面に紫外線硬化樹脂を塗布した。次に、ロール原盤を回転させながら、その転写面を紫外線硬化樹脂が塗布されたシートに密着させるとともに、パワー１００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線をロール原盤の転写面の側から紫外線硬化樹脂に対して照射し硬化させながら剥離した。これにより、ロール原盤の第１の領域と第２の領域とが転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。

（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表２に示す。

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ_２＝２００：１３
平板換算膜厚：３６ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、波面頂部の膜厚とほぼ等しくなる。

次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＡｇ層を形成した。
以下に、Ａｇ層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．１１Ｐａ
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１００ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：２００ｎｍ

（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表２に示す。

（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に２０秒間浸漬させた。

（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。

（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表２に示す。

（実施例２−２）
（転写工程）
まず、平面領域（第１の領域）Ｒ_１とナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ_２とが成形面にストライプ状に形成されたロール原盤を準備した。次に、ロール原盤の空洞部に複数のＵＶ光源を配置した。

次に、シランカップリング剤を酢酸ブチルで希釈し、表面処理溶液を調製した。次に、調製した表面処理溶液により、ポリイミドからなるシートの表面を処理することにより、下塗り層を形成した。

次に、下塗り層が設けられたシートの表面に紫外線硬化樹脂を塗布した。次に、ロール原盤を回転させながら、その転写面を紫外線硬化樹脂が塗布されたシートに密着させるとともに、パワー１００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線をロール原盤の転写面の側から紫外線硬化樹脂に対して照射し硬化させながら剥離した。これにより、ロール原盤の第１の領域と第２の領域とが転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。

（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表３に示す。

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ_２＝２００：１３
平板換算膜厚：４０ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、波面頂部の膜厚とほぼ等しくなる。

次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＡｇ層を形成した。
以下に、Ａｇ層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．１１Ｐａ
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１００ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：２００ｎｍ

（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表３に示す。

（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に６０秒間浸漬させた。

（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。

（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表３に示す。

（表面観察）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面を光学顕微鏡を用いて観察した。その結果を図３５に示す。

表２は、実施例２−１に係る導電性シートの測定結果を示す。

表３は、実施例２−２に係る導電性シートの測定結果を示す。

表２、表３から以下のことがわかる。
導電性シート表面のうち、波面を有する第２の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＡｇ層が除去され絶縁状態となるのに対して、平面を有する第１の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＡｇ層が除去されず残り導通状態が維持される。
したがって、電気抵抗を下げるため膜構成を多層構造とした場合でも、除去選択性を確保でき、平面領域ではＩＴＯ層およびＡｇ層を残すことができる。すなわち、低抵抗な配線を容易に作製することができる。

（実施例２−３）
まず、平面領域（第１の領域）Ｒ_１とナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ_２とが成形面にストライプ状に形成されたロール原盤を準備した。次に、ロール原盤の空洞部に複数のＵＶ光源を配置した。

次に、シランカップリング剤を酢酸ブチルで希釈し、表面処理溶液を調製した。次に、調製した表面処理溶液により、ポリイミドからなるシートの表面を処理することにより、下塗り層を形成した。

次に、下塗り層が設けられたシートの表面に紫外線硬化樹脂を塗布した。次に、ロール原盤を回転させながら、その転写面を紫外線硬化樹脂が塗布されたシートに密着させるとともに、パワー１００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線をロール原盤の転写面の側から紫外線硬化樹脂に対して照射し硬化させながら剥離した。これにより、ロール原盤の第１の領域と第２の領域とが転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。

（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表４に示す。

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ_２＝２００：１３
平板換算膜厚：３６ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。

次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＡｇ層を形成した。
以下に、Ａｇ層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．１１Ｐａ
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１００ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：２００ｎｍ

（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表４に示す。

（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に２０秒間浸漬させた。

（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。

（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表４に示す。

表４は、実施例２−３に係る導電性シートの測定結果を示す。

表４から以下のことがわかる。
導電性シート表面のうち、高い比率（Ａｍ／λｍ＝０．７６）を有する第２の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＡｇ層が除去され絶縁状態となる。これに対して、低い比率（Ａｍ／λｍ＝０．６）を有する第１の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＡｇ層が除去されず残り導通状態が維持される。
したがって、第１の領域と第２の領域との両領域に波面を形成した場合でも、比率（Ａｍ／λｍ）の大きさを調整することで、除去選択性を確保でき、低い比率（Ａｍ／λｍ＝０．６）を有する第１の領域ではＩＴＯ層およびＡｇ層を残すことができる。すなわち、低抵抗な配線を容易に作製することができる。

（実施例３−１）
（転写工程）
まず、平面領域（第１の領域）Ｒ_１とナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ_２とが成形面にストライプ状に形成されたロール原盤を準備した。次に、ロール原盤の空洞部に複数のＵＶ光源を配置した。

次に、アクリル系の表面処理剤を酢酸ブチルで希釈し、表面処理溶液を調製した。次に、調製した表面処理溶液により、ポリイミドからなるシートの表面を処理することにより、下塗り層を形成した。

次に、下塗り層が設けられたシートの表面に紫外線硬化樹脂を塗布した。次に、ロール原盤を回転させながら、その転写面を紫外線硬化樹脂が塗布されたシートに密着させるとともに、パワー１００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線をロール原盤の転写面の側から紫外線硬化樹脂に対して照射し硬化させながら剥離した。これにより、ロール原盤の第１の領域と第２の領域とが転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。

（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表５に示す。

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ_２＝２００：１３
平板換算膜厚：３６ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。

次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＳｉＯ_２層を形成した。
以下に、ＳｉＯ_２層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．２８Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガス
Ａｒガス流量：１００ｓｃｃｍ
Ｏ_２ガス流量：１８０ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：５ｎｍ

（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表５に示す。

（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に６０秒間浸漬させた。

（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。

（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表５に示す。

（比較例３−１）
ＳｉＯ_２層の形成を省略する以外は実施例３−１と同様にして光学シートを作製した。また、除去工程前後における光学シートの表面抵抗も実施例３−１と同様にして測定した。その結果を表６に示す。

表５は、実施例３−１に係る導電性シートの測定結果を示す。

表６は、比較例３−１に係る光学シートの測定結果を示す。

表５、表６から以下のことがわかる。
実施例３−１において、導電性シート表面のうち、波面を有する第２の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＳｉＯ_２層が除去され絶縁状態となるのに対して、平面を有する第１の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＳｉＯ_２層が除去されず残り導通状態が維持される。
ＩＴＯ層のみを形成した比較例３−１においては、６０秒の除去工程を経ると、波面および平面に関われず、ＩＴＯ層が除去され絶縁状態となる。
したがって、金属層であるＡｇ層の代わりに、レジスト層であるＳｉＯ_２層を用いた多層構造を採用した場合にも、除去選択性を確保でき、平面領域ではＩＴＯ層およびＳｉＯ_２層を残すことができる。また、ＳｉＯ_２層をＩＴＯ層上に積層することで、除去工程におけるＩＴＯ層の耐性を向上し、除去選択性を飛躍的に向上することができる。

（実施例３−２）
まず、平面領域（第１の領域）Ｒ_１とナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ_２とが成形面にストライプ状に形成されたロール原盤を準備した。次に、ロール原盤の空洞部に複数のＵＶ光源を配置した。

次に、アクリル系の表面処理剤を酢酸ブチルで希釈し、表面処理溶液を調製した。次に、調製した表面処理溶液により、ポリイミドからなるシートの表面を処理することにより、下塗り層を形成した。

次に、下塗り層が設けられたシートの表面に紫外線硬化樹脂を塗布した。次に、ロール原盤を回転させながら、その転写面を紫外線硬化樹脂が塗布されたシートに密着させるとともに、パワー１００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線をロール原盤の転写面の側から紫外線硬化樹脂に対して照射し硬化させながら剥離した。これにより、ロール原盤の第１の領域と第２の領域とが転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。

（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表７に示す。

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ_２＝２００：１３
平板換算膜厚：３６ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。

次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＳｉＯ_２層を形成した。
以下に、ＳｉＯ_２層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．２８Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガス
Ａｒガス流量：１００ｓｃｃｍ
Ｏ_２ガス流量：１８０ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：５ｎｍ

（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表７に示す。

（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に６０秒間浸漬させた。

（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。

（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表７に示す。

（比較例３−２）
ＳｉＯ_２層の形成を省略する以外は実施例２−２と同様にして光学シートを作製した。また、除去工程前後における光学シートの表面抵抗も実施例２−２と同様にして測定した。その結果を表８に示す。

表７は、実施例３−２に係る導電性シートの測定結果を示す。

表８は、比較例３−２に係る光学シートの測定結果を示す。

表７、表８から以下のことがわかる。
実施例３−２においては、導電性シート表面のうち、高い比率（Ａｍ／λｍ＝０．６４）を有する第２の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＳｉＯ_２層が除去され絶縁状態となる。これに対して、低い比率（Ａｍ／λｍ＝０．５２）を有する第１の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＳｉＯ_２層が除去されず残り導通状態が維持される。
ＩＴＯ層のみを形成した比較例３−２においては、６０秒の除去工程を経ると、高い比率（Ａｍ／λｍ）の大きさに関われず、ＩＴＯ層が除去され絶縁状態となる。
したがって、金属層であるＡｇ層の代わりに、レジスト層であるＳｉＯ_２層を用いた多層構造を採用した場合にも、比率（Ａｍ／λｍ）の大きさを調整することで、除去選択性を確保でき、低い比率（Ａｍ／λｍ＝０．５２）を有する第１の領域ではＩＴＯ層およびＳｉＯ_２層を残すことができる。また、ＳｉＯ_２層をＩＴＯ層上に積層することで、除去工程におけるＩＴＯ層の耐性を向上し、除去選択性を飛躍的に向上することができる。

（実施例４）
（転写工程）
まず、平面Ｓｐ１を有する第１の領域と、波面Ｓｗ２を有する第２の領域と、波面Ｓｗ３を有する第３の領域とが成形面にストライプ状に順次形成されたロール原盤を作製した。次に、ロール原盤の空洞部に複数のＵＶ光源を配置した。

次に、アクリル系の表面処理剤を酢酸ブチルで希釈し、表面処理溶液を調製した。次に、調製した表面処理溶液により、ポリイミドからなるシートの表面を処理することにより、下塗り層を形成した。

次に、下塗り層が設けられたシートの表面に紫外線硬化樹脂を塗布した。次に、ロール原盤を回転させながら、その転写面を紫外線硬化樹脂が塗布されたシートに密着させるとともに、パワー１００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線をロール原盤の転写面の側から紫外線硬化樹脂に対して照射し硬化させながら剥離した。これにより、ロール原盤の第１の領域と第２の領域と第３の領域とが転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。

（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面における波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表２に示す。

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上に積層膜を形成した。
以下に、積層膜の構成を示す。
ＴｉＯｘ層（第２の機能層）／ＩＴＯ層（密着層）／Ａｇ層（第１の機能層）／ＩＴＯ層（密着層）／ＴｉＯｘ層（第２の機能層）／ＩＴＯ層（導電層）／光学シート成形面

以下に、各層の成膜条件を示す。

・ＴｉＯｘ層（第２の機能層）
成膜時真空度：０．２８Ｐａ程度
ガス種：ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガス
平板換算膜厚：１０ｎｍ

・ＩＴＯ層（密着層）
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ_２＝２００：１６
平板換算膜厚：２０ｎｍ

・Ａｇ層（第１の機能層）
成膜時真空度：０．１１Ｐａ
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１００ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：１００ｎｍ

・ＩＴＯ層（導電層）
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ_２ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ_２＝２００：１６
平板換算膜厚：４０ｎｍ

ここで、平板換算膜厚は、上述の光学シート表面にＩＴＯ層、ＴｉＯｘ層またはＡｇ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層、ＴｉＯｘ層またはＡｇ層を形成したときの膜厚であり、上述の光学シートの波面頂部の膜厚とほぼ等しくなる。

（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。

（除去工程）
次に、導電性シートをＰＨ３程度の溶液に６０秒間浸漬させた。

（洗浄工程）
次に、純水にて導電性シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。

（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。

（実施例５）
第２の機能層として、ＴｉＯｘ層に代えてＺｒＯｘ層を用いる以外は実施例４と同様にして導電性シートを作製するとともに、除去工程前後の表面抵抗を測定した。

（実施例６）
第２の機能層として、ＴｉＯｘ層に代えてＴａＯｘ層を用いる以外は実施例４と同様にして導電性シートを作製するとともに、除去工程前後の表面抵抗を測定した。

（実施例７）
第２の機能層として、ＴｉＯｘ層に代えてＮｂＯｘ層を用いる以外は実施例４と同様にして導電性シートを作製するとともに、除去工程前後の表面抵抗を測定した。

（実施例８）
第２の機能層として、ＴｉＯｘ層に代えてＳｉＮｘ層を用いる以外は実施例４と同様にして導電性シートを作製するとともに、除去工程前後の表面抵抗を測定した。

（実施例９）
第２の機能層として、ＴｉＯｘ層に代えてＳｉＯｘ層を用いる以外は実施例４と同様にして導電性シートを作製するとともに、除去工程前後の表面抵抗を測定した。

（実施例１０）
密着層として、ＩＴＯ層に代えてＳｎＯ_２層を用いる以外は実施例９と同様にして導電性シートを作製するとともに、除去工程前後の表面抵抗を測定した。

（実施例１１）
密着層として、ＩＴＯ層に代えてＩｎ_２Ｏ_３層を用いる以外は実施例９と同様にして導電性シートを作製するとともに、除去工程前後の表面抵抗を測定した。

表９−１、表９−２は、実施例４〜１１に係る導電性シートの測定結果を示す。

上述の評価結果から以下のことがわかった。
導電性シート表面のうち、平面Ｓｐ１を有する第１の領域では、全ての層が除去工程後も残っているため低抵抗が保持されていた。
導電性シート表面のうち、波面Ｓｗ２を有する第２の領域では、除去工程前は不透明かつ低抵抗であるが、除去工程後は透明かつ高抵抗となった。これは、Ａｇ層以上の層が除去工程により除去され最下層のＩＴＯ層が残ったためと考えられる。
導電性シート表面のうち、波面Ｓｗ３を有する第３の領域では、除去工程前は不透明かつ低抵抗であるが、除去工程後は透明かつ絶縁状態となった。これは、全ての層が除去工程により除去されたためと考えられる。

（参考例１−１）
（成膜工程）
まず、平滑な表面を有するＰＥＴシートを準備した。次に、スパッタリング法により、ＰＥＴシート上にＩＴＯ層を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ_２ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ_２＝２０：１とした。また、ＩＴＯ層の膜厚が３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。

（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成したＰＥＴシートに対して、１５０℃、６０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ層の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（Ｘ‐ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ_２Ｏ_３のピークが確認された。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（参考例１−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、参考例１−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するＰＥＴフィルムを作製した。

（除去工程）
次に、アニール処理を施したＰＥＴフィルムを、ＰＨ３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層をエッチングした。

（洗浄工程）
次に、除去処理を施したＰＥＴシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄、純水洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（参考例１−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は参考例１−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例１−４）
浸漬時間を３０秒間に変更する以外は参考例１−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例１−５）
浸漬時間を４０秒間に変更する以外は参考例１−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例１−６）
浸漬時間を５０秒間に変更する以外は参考例１−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例１−７）
浸漬時間を６０秒間に変更する以外は参考例１−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例２−１）
（転写工程）
まず、凹状のナノ構造体が成形面に形成された石英マスタを準備した。次に、ナノ構造体を形成した石英マスタに紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させ紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、ナノ構造体が多数表面に形成されたＰＥＴシートが得られた。
以下に、ＰＥＴシート表面に形成されたナノ構造体の構成の詳細を示す。
構造体の配列：六方格子配列
構造体の凹凸形状：凸状
構造体の全体形状：円錐台
構造体の配置ピッチ：２５０ｎｍ
構造体の高さ：９０ｎｍ
構造体のアスペクト比：０．３６

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、ナノ構造体が形成されたＰＥＴシート表面上にＩＴＯ層を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ_２ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ_２＝２０：１とした。また、膜厚が平板換算で３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。なお、平板換算膜厚は、ナノ構造体が形成されたＰＥＴシート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚である。本技術者らの知見によれば、平板換算膜厚は、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。

（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成したＰＥＴシートに対して、１５０℃、６０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ層の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（Ｘ‐ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ_２Ｏ_３のピークが確認された。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（参考例２−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、参考例２−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するＰＥＴフィルムを作製した。

（除去工程）
次に、アニール処理を施したＰＥＴフィルムを、ＰＨ３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層を除去した。

（洗浄工程）
次に、除去処理を施したＰＥＴシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ洗浄、純水洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（参考例２−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例３−１）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は参考例２−１と同様にして光学シートを得た。

（参考例３−２）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例３−３）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は参考例２−３と同様にして光学シートを得た。

（参考例４−１）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は参考例２−１と同様にして光学シートを得た。

（参考例４−２）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例４−３）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は参考例２−３と同様にして光学シートを得た。

（参考例５−１）
（成膜工程、アニール工程）
以下のプレズムシート（住友スリーエム社製、商品名：Ｔ−ＢＥＦ）を用いる以外は参考例３−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するプリズムシートを作製した。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
以下に、プレズムシートの構成の詳細を示す。
プリズム（構造体）の配列：１次元配列
プリズムの凹凸形状：凸状
プリズムの形状：断面が２等辺三角形状の柱状体
プリズムの配置ピッチ：１０μｍ
プリズムの高さ：５μｍ
プリズムのアスペクト比：０．５０

（参考例５−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、参考例５−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するプリズムシートを作製した。

（エッチング工程）
次に、アニール処理を施したプリズムシートを、ＰＨ３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層をエッチングした。

（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施したプリズムシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ洗浄、純水洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（参考例５−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は参考例５−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例５−４）
浸漬時間を３０秒間に変更する以外は参考例５−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例５−５）
浸漬時間を４０秒間に変更する以外は参考例５−２と同様にして光学シートを得た。

（表面抵抗）
上述のようにして得られた参考例１−１〜５−５の光学シート表面の表面抵抗値を４端針法にて測定した。その結果を表１０に示す。

（初期変化率の逆数）
上述のようにようにして得られた参考例１−１〜５−５の光学シート表面の初期変化率の逆数（仮想厚さの変化）を以下の式より求めた。その結果を表１１および図３６に示す。
（初期変化率の逆数）＝（除去前のサンプルの表面抵抗）／（除去後のサンプルの表面抵抗）

表１０は、参考例１−１〜５−５に係る光学シートの表面抵抗の評価結果を示す。

表１１は、参考例１−１〜５−５に係る光学シートの初期変化率の逆数の評価結果を示す。

表１０、表１１および図３６から以下のことがわかる。
平坦面上にＩＴＯ層を形成した参考例１−１〜１−７では、除去によりＩＴＯ層の膜厚に殆ど変化せず、表面抵抗がほぼ一定となる傾向がある。これに対して、多数の構造体上にＩＴＯ層を形成した参考例２−１〜２−３、参考例３−１〜３−３、参考例４−１〜４−３では、除去によりＩＴＯ層の膜厚が急激に減少し、表面抵抗が急激に上昇する傾向がある。
ミクロンオーダーの配置ピッチで多数の構造体を形成した参考例５−１〜５−５でも、
ナノオーダーの配置ピッチで多数の構造体を形成した参考例２−１〜２−３、参考例３−１〜３−３、参考例４−１〜４−３と同様の傾向を示す。

以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、上述の実施形態では、片面または両面に配線が形成された単層の導電性素子に対して本技術を適用した例を説明したが、本技術はこの例に限定されるものではなく、多層の導電性素子に対しても適用可能である。

また、上述の実施形態では、平面状の基体表面に配線を形成する場合を例として説明したが、配線を形成する面は平面に限定されるものではなく、曲面状の基体表面に配線を形成するようにしてもよい。

（本技術の構成）
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
基体と、
上記基体の表面に設けられた、第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する形状層と、
上記第１の波面上に設けられた第１の層と、
上記第２の波面上に形成された第２の層と
を備え、
上記形状層は、エネルギー線硬化性樹脂組成物を含み、
上記第１の層は、２以上の層が積層された積層構造を有し、
上記第２の層は、上記第１の層の一部の層からなる単層構造または積層構造を有し、
上記第１の層および上記第２の層は、導電パターン部を形成し、
上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たす導電性素子。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、Ａｍ３：第３の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長、λｍ３：第３の波面の平均波長）
（２）
上記形状層の表面には、所定の凹凸パターンを有する単位領域が凹凸形状の不整合を生じることなく連続して形成され、
上記基体は、上記エネルギー線硬化性樹脂組成物を硬化させるためのエネルギー線に対して不透過性を有する（１）に記載の導電性素子。
（３）
上記基体は、帯状の形状を有し、
上記基体の長手方向に向かって、上記単位領域が連続して形成されている（２）に記載の導電性素子。
（４）
上記凹凸形状の不整合が、上記所定の凹凸パターンの周期性の乱れである（２）に記載の導電性素子。
（５）
上記凹凸形状の不整合が、隣接する単位領域間の重なり、隙間、または、未転写部である（２）に記載の導電性素子。
（６）
上記単位領域間は、上記エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化度に不整合を生じることなく繋がっている（２）に記載の導電性素子。
（７）
上記エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化度の不整合が、重合度の差である（６）に記載の導電性素子。
（８）
上記形状層は、上記基体の表面に塗布されたエネルギー線硬化性樹脂組成物を、上記基体とは反対の側から硬化反応を進行させることにより形成されている（１）から（７）のいずれかに記載の導電性素子。
（９）
上記単位領域は、回転原盤の回転面を１回転することにより形成される転写領域である（２）に記載の導電性素子。
（１０）
上記凹凸パターンは、凸状または凹状の複数の構造体を１次元配列または２次元配列することにより形成されている（２）に記載の導電性素子。
（１１）
上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、可視光の波長以下である（１）から（１０）のいずれかに記載の導電性素子。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（１２）
上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
上記第１の波面の波長λ１、上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、可視光の波長以下である（１）から（１０）のいずれかに記載の導電性素子。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（１３）
上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、１００μｍ以下である（１）から（１０）のいずれかに記載の導電性素子。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（１４）
上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
上記第１の波面の波長λ１、上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、１００μｍ以下である（１）から（１０）のいずれかに記載の導電性素子。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（１５）
上記第３の波面上に形成された第３の層をさらに備え、
上記第３の層は、上記第２の層の一部の層からなり、
上記第１の層、上記第２の層および上記第３の層が、以下の関係を満たす（１）から（１０）のいずれかに記載の導電性素子。
Ｓ１＞Ｓ２＞Ｓ３
（但し、Ｓ１：第１の層の単位面積、Ｓ２：第２の層の単位面積、Ｓ３：第３の層の単位面積）
（１６）
上記第１の層および上記第２の層はそれぞれ、上記第１の波面および上記第２の波面上に連続的に形成されているのに対して、上記第３の層は、上記第３の波面上に不連続的に形成されている（１５）に記載の導電性素子。
（１７）
上記第３の波面上に形成された第３の層をさらに備え、
上記第１の層、上記第２の層、および上記第３の層が、以下の関係を満たす（１）から（１０）のいずれかに記載の導電性素子。
ｄ１＞ｄ２＞ｄ３
（但し、ｄ１：第１の層の平均厚さ、ｄ２：第２の層の平均厚さ、ｄ３：第３の層の平均厚さ）
（１８）
上記第１の層は、導電層と、該導電層上に形成された第１の機能層と、該第１の機能層上に形成された第２の機能層とを備え、
上記第２の層は、導電層を備える（１）から（１０）のいずれかに記載の導電性素子。
（１９）
上記導電層と上記第１の機能層との間に形成された第２の機能層をさらに備える（１８）に記載の導電性素子。
（２０）
上記導電層は、酸化物半導体を含む透明導電層であり、
上記酸化物半導体は、インジウム錫酸化物、または酸化亜鉛を含んでいる（１８）記載の導電性素子。
（２１）
上記酸化物半導体は、アモルファスと多結晶との混合状態である（２０）に記載の導電性素子。
（２２）
上記第１の機能層および上記第２の機能層は異なる材料からなる（１８）に記載の導電性素子
（２３）
上記第１の機能層および上記第２の機能層は、金属層であり、
上記金属層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、およびＮｄからなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる（２２）に記載の導電性素子。
（２４）
上記第１の機能層および第２の機能層は、酸化物および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる（２２）に記載の導電性素子。
（２５）
上記第１の機能層および第２の機能層は、アモルファスと多結晶とを混合した膜、または多結晶化した膜を少なくとも１種含んでいる（２４）に記載の導電性素子。
（２６）
（１）から（２５）のいずれか１項に記載の導電性素子を備える配線素子。
（２７）
（１）から（２５）のいずれか１項に記載の導電性素子を備える情報入力装置。
（２８）
（１）から（２５）のいずれか１項に記載の導電性素子を備える表示装置。
（２９）
（１）から（２５）のいずれか１項に記載の導電性素子を備える電子機器。
（３０）
（１）から（２５）のいずれか１項に記載の導電性素子を作製する原盤。
（３１）
（２６）に記載の配線素子を作製する原盤。
（３２）
基体の表面にエネルギー線硬化性樹脂組成物を塗布し、
上記基体の表面に塗布されたエネルギー線硬化性樹脂組成物に対して回転原盤の回転面を回転密着させながら、上記回転原盤内に設けられたエネルギー線源から放射されたエネルギー線を上記回転面を介して照射し、上記エネルギー線硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する形状層を上記基体の表面に形成し、
上記第１の波面、第２の波面および第３の波面上に積層膜を形成し、
上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面のうち、上記第３の波面上に形成された積層膜を除去するのに対して、上記第１の波面上に形成された積層膜を第１の層として残すとともに、上記第２の波面上に形成された積層膜の一部の層を第２の層として残すことにより、導電パターン部を形成する
ことを含み、
上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たす導電性素子の製造方法。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、Ａｍ３：第３の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長、λｍ３：第３の波面の平均波長）

１ 導電性素子
２ 基体
３_１、３_２、３_３ 構造体
４ａ 導電層
４ｂ 第１の機能層
４ｃ 第２の機能層
１１ ロール原盤
１２ 構造体
１３ レジスト層
Ｓｐ１ 平面
Ｓｗ１、Ｓｗ２、Ｓｗ３ 波面

Claims (20)

1. 基体と、
   上記基体の表面に設けられた、第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する形状層と、
   上記第１の波面上に設けられた第１の層と、
   上記第２の波面上に形成された第２の層と
   を備え、
   上記形状層は、エネルギー線硬化性樹脂組成物を含み、
   上記第１の層は、２以上の層が積層された積層構造を有し、
   上記第２の層は、上記第１の層の一部の層からなる単層構造または積層構造を有し、
   上記第１の層および上記第２の層は、導電パターン部を形成し、
   上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たす導電性素子。
   ０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
   （但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、Ａｍ３：第３の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長、λｍ３：第３の波面の平均波長）
2. 上記形状層の表面には、所定の凹凸パターンを有する単位領域が凹凸形状の不整合を生じることなく連続して形成され、
   上記基体は、上記エネルギー線硬化性樹脂組成物を硬化させるためのエネルギー線に対して不透過性を有する請求項１に記載の導電性素子。
3. 上記基体は、帯状の形状を有し、
   上記基体の長手方向に向かって、上記単位領域が連続して形成されている請求項２に記載の導電性素子。
4. 上記凹凸形状の不整合が、上記所定の凹凸パターンの周期性の乱れである請求項２または３に記載の導電性素子。
5. 上記凹凸形状の不整合が、隣接する単位領域間の重なり、隙間、または、未転写部である請求項２または３に記載の導電性素子。
6. 上記単位領域間は、上記エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化度に不整合を生じることなく繋がっている請求項２から５のいずれかに記載の導電性素子。
7. 上記エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化度の不整合が、重合度の差である請求項６に記載の導電性素子。
8. 上記形状層は、上記基体の表面に塗布されたエネルギー線硬化性樹脂組成物を、上記基体とは反対の側から硬化反応を進行させることにより形成されている請求項１から７のいずれかに記載の導電性素子。
9. 上記単位領域は、回転原盤の回転面を１回転することにより形成される転写領域である請求項２に記載の導電性素子。
10. 上記凹凸パターンは、凸状または凹状の複数の構造体を１次元配列または２次元配列することにより形成されている請求項２に記載の導電性素子。
11. 上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
    上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、可視光の波長以下である請求項１から１０のいずれかに記載の導電性素子。
    （Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
12. 上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
    上記第１の波面の波長λ１、上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、可視光の波長以下である請求項１から１０のいずれかに記載の導電性素子。
    ０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
13. 上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
    上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、１００μｍ以下である請求項１から１０のいずれかに記載の導電性素子。
    （Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
14. 上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
    上記第１の波面の波長λ１、上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、１００μｍ以下である請求項１から１０のいずれかに記載の導電性素子。
    ０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
15. 上記第３の波面上に形成された第３の層をさらに備え、
    上記第３の層は、上記第２の層の一部の層からなり、
    上記第１の層、上記第２の層および上記第３の層が、以下の関係を満たす請求項１から１０のいずれかに記載の導電性素子。
    Ｓ１＞Ｓ２＞Ｓ３
    （但し、Ｓ１：第１の層の単位面積、Ｓ２：第２の層の単位面積、Ｓ３：第３の層の単位面積）
16. 上記第１の層および上記第２の層はそれぞれ、上記第１の波面および上記第２の波面上に連続的に形成されているのに対して、上記第３の層は、上記第３の波面上に不連続的に形成されている請求項１５に記載の導電性素子。
17. 上記第３の波面上に形成された第３の層をさらに備え、
    上記第１の層、上記第２の層、および上記第３の層が、以下の関係を満たす請求項１から１０のいずれかに記載の導電性素子。
    ｄ１＞ｄ２＞ｄ３
    （但し、ｄ１：第１の層の平均厚さ、ｄ２：第２の層の平均厚さ、ｄ３：第３の層の平均厚さ）
18. 請求項１から１７のいずれかに記載の導電性素子を備える配線素子。
19. 基体の表面にエネルギー線硬化性樹脂組成物を塗布し、
    上記基体の表面に塗布されたエネルギー線硬化性樹脂組成物に対して回転原盤の回転面を回転密着させながら、上記回転原盤内に設けられたエネルギー線源から放射されたエネルギー線を上記回転面を介して照射し、上記エネルギー線硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する形状層を上記基体の表面に形成し、
    上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面上に積層膜を形成し、
    上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面のうち、上記第３の波面上に形成された積層膜を除去するのに対して、上記第１の波面上に形成された積層膜を第１の層として残すとともに、上記第２の波面上に形成された積層膜の一部の層を第２の層として残すことにより、導電パターン部を形成する
    ことを含み、
    上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たす導電性素子の製造方法。
    ０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
    （但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、Ａｍ３：第３の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長、λｍ３：第３の波面の平均波長）
20. 請求項１から１８のいずれかに記載の導電性素子、または、配線素子を作製するための原盤。