JP6043346B2 - COMPOSITE HEATING ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING MOLDED BODY COMPRISING THIN FILM USING THE SAME, AND HEATING ELEMENT CVD APPARATUS - Google Patents
COMPOSITE HEATING ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING MOLDED BODY COMPRISING THIN FILM USING THE SAME, AND HEATING ELEMENT CVD APPARATUS Download PDFInfo
- Publication number
- JP6043346B2 JP6043346B2 JP2014514736A JP2014514736A JP6043346B2 JP 6043346 B2 JP6043346 B2 JP 6043346B2 JP 2014514736 A JP2014514736 A JP 2014514736A JP 2014514736 A JP2014514736 A JP 2014514736A JP 6043346 B2 JP6043346 B2 JP 6043346B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating element
- source gas
- composite
- contact portion
- resistance heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、耐久性が向上した複合発熱体並びにそれを用いた薄膜を備える成形体の製造方法及び発熱体CVD(chemical vapor deposition)装置に関する。 The present invention relates to a composite heating element with improved durability, a method for producing a molded body including a thin film using the composite heating element, and a heating element CVD (chemical vapor deposition) apparatus.
発熱体CVD法は、Cat‐CVD法又はホットワイヤーCVD法とも呼ばれ、発熱させた発熱体に原料ガスを接触させて分解し、生成した化学種を直接又は気相中で反応過程を経た後に、基材上に薄膜として堆積させる方法である(例えば、特許文献1又は2を参照。)。特許文献1では、原料ガスとして複数のガスを組み合わせることで、例えば、水素含有SiNx薄膜、水素含有DLC薄膜、水素含有SiOx薄膜又は水素含有SiCxNy薄膜を形成する技術を提案している。特許文献2には、少なくとも珪素、炭素、窒素原子を含むガスを用いて、炭化窒化珪素膜を形成する方法が開示されている。
The heating element CVD method is also referred to as a Cat-CVD method or a hot wire CVD method, which decomposes the heated heating element by contacting the raw material gas directly and after undergoing a reaction process directly or in the gas phase. And a method of depositing as a thin film on a substrate (see, for example,
発熱体は、原料ガスなどと反応して消耗すると、触媒活性等が損なわれ、その結果、原料ガスの分解能力が損なわれる問題がある。そこで、発熱体の耐久性を向上させる技術が提案されている(例えば、特許文献3〜5を参照。)。特許文献3では、発熱体がin situクリーニング法におけるクリーニングガスと反応して細線化することを防止する技術として、発熱体の少なくとも表面を白金とする技術が情報提供されている。特許文献4では、発熱体がシリコン系の膜を形成するときに使用するシランガスと反応することを防止する技術として、発熱体としての触媒体の表面に炭素皮膜を形成する技術が開示されている。また、特許文献5では、発熱体を昇温させて使用を続けた結果、発熱体の材質である金属の結晶粒径が変化するなどの内部組織の構造が変移することによる高温強度の低下を防止する技術、又は処理空間内に残存する酸素原子による酸化の結果、発熱体の材質が変質を起こすことによる靭性の低下を防止する技術として、発熱体の母体材料にリン原子を含有させる技術が開示されている。特許文献6では、発熱体を昇温させて使用を継続した結果、発熱体内部が徐々に炭化することによる発熱体の電気抵抗の増大を防止する技術として、タンタル発熱体の表面をあらかじめ炭化しておくことで炭化が進行しにくくなるという技術が開示されている。
When the heating element reacts with the raw material gas or the like and is consumed, the catalytic activity and the like are impaired, and as a result, the decomposition ability of the raw material gas is impaired. Therefore, techniques for improving the durability of the heating element have been proposed (see, for example, Patent Documents 3 to 5). Patent Document 3 provides information on a technique in which at least the surface of the heating element is platinum as a technique for preventing the heating element from reacting with the cleaning gas in the in-situ cleaning method and thinning. Patent Document 4 discloses a technique for forming a carbon film on the surface of a catalyst body as a heating element as a technique for preventing the heating element from reacting with a silane gas used when forming a silicon-based film. . Further, in Patent Document 5, as a result of continuing to use after heating the heating element, the high temperature strength is reduced due to a change in the structure of the internal structure such as a change in the crystal grain size of the metal that is the material of the heating element. As a technique for preventing, or as a technique for preventing the deterioration of toughness due to deterioration of the material of the heating element as a result of oxidation by oxygen atoms remaining in the processing space, there is a technique for containing phosphorus atoms in the base material of the heating element. It is disclosed. In
発熱体CVD法には、原料ガスとして炭素を含有するガスを用いると、発熱体の表層で炭化反応が起こって発熱体の触媒活性が損なわれる問題がある(以降、この触媒活性が損なわれる現象を「炭化劣化」ということもある。)。発熱体は、例えば、(1)2000℃を超える高融点を有すること、(2)炭化劣化しないこと及び(3)通電加熱が可能であることの要件を満たすことが求められるが、これらを満たす発熱体はこれまで開示されていない。特許文献6に開示されている技術によっても発熱体内部の炭化を止めることはできないため、遅かれ早かれ、発熱体の靭性が低下し、実用上の性能が損なわれる問題が解決できない。
In the heating element CVD method, when a gas containing carbon is used as a source gas, there is a problem that a carbonization reaction occurs on the surface layer of the heating element and the catalytic activity of the heating element is impaired (hereinafter, this catalytic activity is impaired) Is sometimes referred to as “carbonization degradation”.) For example, the heating element is required to satisfy the requirements of (1) having a high melting point exceeding 2000 ° C., (2) no carbonization deterioration, and (3) being capable of conducting heating. No heating element has been disclosed so far. Since the carbonization inside the heating element cannot be stopped even by the technique disclosed in
本発明の目的は、発熱体の表層で炭化反応が起こっても、所定の温度まで確実に発熱して、触媒活性を発揮できる耐久性が向上した複合発熱体を提供することである。また、本発明の目的は、炭素を含有する原料ガスを用いた発熱体CVD法で長期間、安定して各成形体の表面に成膜を行うことが可能な、薄膜を備える成形体の製造方法及び発熱体CVD装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a composite heating element with improved durability that can reliably generate heat up to a predetermined temperature and exhibit catalytic activity even if a carbonization reaction occurs on the surface layer of the heating element. Another object of the present invention is to produce a molded body having a thin film, which can stably form a film on the surface of each molded body for a long period of time by a heating element CVD method using a source gas containing carbon. It is to provide a method and a heating element CVD apparatus.
本発明に係る複合発熱体は、炭素、レニウム、イリジウム、ロジウム、炭化珪素又は二珪化モリブデンのいずれかを主成分とする線状の抵抗発熱体と、該抵抗発熱体の外表面に配置した原料ガス接触部と、を備え、該原料ガス接触部が、発熱体CVD法の原料ガスを分解する分解部であり、前記原料ガス接触部が線材であり、前記抵抗発熱体の外表面に螺旋状に巻き付いていることを特徴とする。前記原料ガス接触部が線材であり、前記抵抗発熱体の外表面に螺旋状に巻き付いていることで、原料ガス接触部の組みつけ及び交換を容易に行うことができる。本発明に係る複合発熱体は、炭素、レニウム、イリジウム、ロジウム、炭化珪素又は二珪化モリブデンのいずれかを主成分とする線状の抵抗発熱体と、該抵抗発熱体の外表面に配置した原料ガス接触部と、を備え、該原料ガス接触部が、発熱体CVD法の原料ガスを分解する分解部であり、前記原料ガス接触部が粒形状であり、前記抵抗発熱体の外表面に固定されていることを特徴とする。前記原料ガス接触部が粒形状であり、前記抵抗発熱体の外表面に固定されていることで、抵抗発熱体と原料ガス接触部との熱膨張率の違いにかかわらず耐久性を向上することができる。本発明に係る複合発熱体は、炭素、レニウム、イリジウム、ロジウム、炭化珪素又は二珪化モリブデンのいずれかを主成分とする線状の抵抗発熱体と、該抵抗発熱体の外表面に配置した原料ガス接触部と、を備え、該原料ガス接触部が、発熱体CVD法の原料ガスを分解する分解部であり、前記原料ガス接触部が箔材であり、前記抵抗発熱体の外表面に巻き付いていることを特徴とする。前記原料ガス接触部が箔材であり、前記抵抗発熱体の外表面に巻き付いていることで、原料ガス接触部の組みつけ及び交換を容易に行うことができる。 The composite heating element according to the present invention includes a linear resistance heating element mainly composed of carbon, rhenium, iridium, rhodium, silicon carbide, or molybdenum disilicide, and a raw material disposed on the outer surface of the resistance heating element. comprising a gas contacting portion, raw material gas contact portion, decomposing unit der decomposing a raw material gas of the heating element CVD method is, the raw material gas contact portion is a wire, a spiral on the outer surface of the resistance heating element It is characterized by being wound in a shape . Since the source gas contact portion is a wire and is wound spirally around the outer surface of the resistance heating element, the source gas contact portion can be easily assembled and replaced. The composite heating element according to the present invention includes a linear resistance heating element mainly composed of carbon, rhenium, iridium, rhodium, silicon carbide, or molybdenum disilicide, and a raw material disposed on the outer surface of the resistance heating element. A gas contact portion, and the source gas contact portion is a decomposition portion that decomposes the source gas of the heating element CVD method, and the source gas contact portion has a particle shape and is fixed to the outer surface of the resistance heating element. It is characterized by being. The raw material gas contact portion has a grain shape and is fixed to the outer surface of the resistance heating element, thereby improving durability regardless of the difference in thermal expansion coefficient between the resistance heating element and the source gas contact portion. Can do. The composite heating element according to the present invention includes a linear resistance heating element mainly composed of carbon, rhenium, iridium, rhodium, silicon carbide, or molybdenum disilicide, and a raw material disposed on the outer surface of the resistance heating element. A gas contact portion, and the source gas contact portion is a decomposition portion that decomposes the source gas of the heating element CVD method, the source gas contact portion is a foil material, and is wound around the outer surface of the resistance heating element It is characterized by. Since the source gas contact portion is a foil material and is wound around the outer surface of the resistance heating element, the source gas contact portion can be easily assembled and replaced.
本発明に係る複合発熱体では、前記原料ガス接触部は、タンタル、タングステン、モリブデン、タンタル基合金、タングステン基合金、モリブデン基合金、炭化タンタル、炭化タングステン又は炭化モリブデンの少なくとも1種を主成分とすることが好ましい。炭素を含有するガスの分解をより効率的に行うことができる。 In the composite heating element according to the present invention, the source gas contact portion is mainly composed of at least one of tantalum, tungsten, molybdenum, tantalum-based alloy, tungsten-based alloy, molybdenum-based alloy, tantalum carbide, tungsten carbide, and molybdenum carbide. It is preferable to do. The decomposition of the gas containing carbon can be performed more efficiently.
本発明に係る複合発熱体では、前記原料ガス接触部が、前記抵抗発熱体の外表面を被覆した層構造をなしていることが好ましい。抵抗発熱体と原料ガス接触部とを一体化することができる。 In the composite heating element according to the present invention, it is preferable that the source gas contact portion has a layer structure covering the outer surface of the resistance heating element. The resistance heating element and the source gas contact portion can be integrated.
本発明に係る複合発熱体では、前記抵抗発熱体の断面形状が扁平形状であることが好ましい。抵抗発熱体の表面積を広くすることができるため、抵抗発熱体の外表面に配置する原料ガス接触部の表面積を広くすることができる。 In the composite heating element according to the present invention, the resistance heating element preferably has a flat cross-sectional shape. Since the surface area of the resistance heating element can be increased, the surface area of the source gas contact portion disposed on the outer surface of the resistance heating element can be increased.
本発明に係る複合発熱体では、前記抵抗発熱体の外表面が、酸化レニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、二酸化珪素、炭化タンタル又は炭化タングステンのコーティング処理がされた表面であることが好ましい。使用雰囲気又は用途に応じたコーティング処理によって、耐久性の更なる向上ができる。 In the composite heating element according to the present invention, the outer surface of the resistance heating element is preferably a surface subjected to a coating treatment with rhenium oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, silicon dioxide, tantalum carbide, or tungsten carbide. Durability can be further improved by coating treatment according to the use atmosphere or application.
本発明に係る薄膜を備える成形体の製造方法は、本発明に係る複合発熱体を、1800℃以上に加熱し、発熱した発熱体に炭素を含有する原料ガスを接触させて、該原料ガスを分解して化学種を生成させ、成形体の表面に前記化学種を到達させることによって薄膜を形成することを特徴とする。
A method for producing a molded body including a thin film according to the present invention comprises heating a composite heating element according to the present invention to 1800 ° C. or higher, bringing a source gas containing carbon into contact with the generated heating element, and decompose to produce a chemical species, characterized that you form a thin film by reaching the chemical species on the surface of the molded body.
本発明に係る発熱体CVD装置は、真空チャンバと、該真空チャンバ内の内部ガスを真空引きする排気ポンプと、前記真空チャンバ内に配置され、ガス吹出し孔を有する原料ガス供給管と、本発明に係る複合発熱体と、を備えることを特徴とする。 A heating element CVD apparatus according to the present invention includes a vacuum chamber, an exhaust pump for evacuating the internal gas in the vacuum chamber, a source gas supply pipe disposed in the vacuum chamber and having a gas blowing hole, and the present invention. And a composite heating element according to the present invention.
本発明に係る発熱体CVD装置では、前記ガス吹出し孔が、前記原料ガス供給管の少なくとも先端に設けられ、前記原料ガス供給管が、前記ガス吹出し孔側の先端部に外嵌する中心孔と該中心孔の周りに設けられた複数個のガイド孔とを有する蓮根型部材を備え、前記複合発熱体が、前記ガイド孔を通って支持されることが好ましい。複合発熱体を安定して支持し、かつ、その複合発熱体が原料ガスの流れを乱さない。さらに、複合発熱体に原料ガスをより効率的に接触させることができる。 In the heating element CVD apparatus according to the present invention, the gas blowing hole is provided at least at a tip of the source gas supply pipe, and the source gas supply pipe is fitted with a center hole that is fitted around the tip of the gas blowing hole side. It is preferable that a lotus root type member having a plurality of guide holes provided around the center hole is provided, and the composite heating element is supported through the guide holes. The composite heating element is stably supported, and the composite heating element does not disturb the flow of the source gas. Furthermore, the source gas can be more efficiently brought into contact with the composite heating element.
本発明に係る発熱体CVD装置では、前記複合発熱体が、前記ガス吹出し孔の前方に返し部を有することが好ましい。複合発熱体に原料ガスを更に効率的に接触させることができる。 In the heating element CVD apparatus according to the present invention, it is preferable that the composite heating element has a return portion in front of the gas blowing hole. The raw material gas can be brought into contact with the composite heating element more efficiently.
本発明は、発熱体の表層で炭化反応が起こっても、所定の温度まで確実に発熱して、触媒活性を発揮できる耐久性が向上した複合発熱体を提供することができる。また、本発明は、炭素を含有する原料ガスを用いた発熱体CVD法で長期間、安定して各成形体の表面に成膜を行うことが可能な、薄膜を備える成形体の製造方法及び発熱体CVD装置を提供することができる。 The present invention can provide a composite heating element with improved durability that can reliably generate heat up to a predetermined temperature and exhibit catalytic activity even if a carbonization reaction occurs on the surface layer of the heating element. Further, the present invention provides a method for producing a molded body having a thin film, which can stably form a film on the surface of each molded body over a long period of time by a heating element CVD method using a source gas containing carbon, and A heating element CVD apparatus can be provided.
次に、本発明について実施形態を示して詳細に説明するが本発明はこれらの記載に限定して解釈されない。本発明の効果を奏する限り、実施形態は種々の変形をしてもよい。 Next, the present invention will be described in detail with reference to embodiments, but the present invention is not construed as being limited to these descriptions. As long as the effect of the present invention is exhibited, the embodiment may be variously modified.
図1は、第一実施形態に係る複合発熱体の一例を示す部分拡大正面図である。第一実施形態に係る複合発熱体1Aは、炭素、レニウム、イリジウム、ロジウム、炭化珪素又は二珪化モリブデンのいずれかを主成分とする線状の抵抗発熱体2Aと、抵抗発熱体2Aの外表面に配置した原料ガス接触部3Aと、を備え、原料ガス接触部3Aが、発熱体CVD法の原料ガスを分解する分解部である。
FIG. 1 is a partially enlarged front view showing an example of a composite heating element according to the first embodiment. A
抵抗発熱体2Aは、例えば通電することで発熱し、主として原料ガス接触部3Aに熱を供給する役割をもつ。抵抗発熱体2Aは、炭素、レニウム、イリジウム、ロジウム、炭化珪素又は二珪化モリブデンのいずれかを主成分とする線状の部材である。これらの材料は、表層で炭化反応が起こっても、電気抵抗の変化が小さいため、安定して所定の温度に発熱して原料ガス接触部3Aを加熱することができる。本明細書では、線状とは、外形が細長い形状をいう。また、線材とは、線状の部材をいう。
The
抵抗発熱体2Aの断面形状は、円形、正方形若しくは正多角形であるか、又は扁平形状であってもよい。扁平形状とは、断面形状の長辺の長さ(a)と短辺の長さ(b)との比(a/b)で表される扁平率が1.5〜100であることをいい、例えば、楕円形、長方形、半円形又はこれらの変形形状である。抵抗発熱体2Aの長辺側の側面の形状は、特に制限はなく、例えば、平坦面、凸曲面、凹曲面である。抵抗発熱体2Aの断面形状を扁平形状とすることで、抵抗発熱体2Aの表面積を円形などと比較して広くすることができる。そして、抵抗発熱体2Aの外表面に配置する原料ガス接触部3Aの表面積を広くすることができる。
The cross-sectional shape of the
抵抗発熱体2Aの線径は、0.05〜5mmであることが好ましく、0.1〜1.5mmであることがより好ましく、0.5〜1.0mmであることが更に好ましい。本明細書において、線径とは、断面形状が円形のときは直径であり、断面形状が正方形若しくは正多角形のときは正方形若しくは正多角形に外接する円の直径であり、又は断面形状が扁平形状のときは断面積と同一の面積を有する真円の直径である。
The wire diameter of the
抵抗発熱体2Aの材質は、単体であっても複合材であってもよい。炭素を主成分とする材料は、例えば、炭素繊維強化炭素複合材料(C/Cコンポジット)、炭素繊維強化金属複合材料、炭素焼結体、グラファイトである。また、例えば、炭素を主成分としてタングステンやタンタル等を添加した複合材とすることで電気抵抗を低減させてもよい。レニウムを主成分とする材料は、例えば、金属レニウム、レニウム−タングステン合金、レニウム−タンタル合金などのレニウム基合金である。イリジウムを主成分とする材料は、例えば、金属イリジウム、イリジウム−タンタル合金、イリジウム−プラチナ合金などのイリジウム基合金である。ロジウムを主成分とする材料は、例えば、金属ロジウム、ロジウム−タンタル合金、ロジウム−プラチナ合金などのロジウム基合金である。炭化珪素を主成分とする材料は、例えば、炭化珪素、炭化珪素とタングステンとの複合材料である。二珪化モリブデンを主成分とする材料は、例えば、二珪化モリブデン、二珪化モリブデンとタングステンとの複合材料である。本明細書では、主成分とは、材料の全成分中で最も含有量(質量%)が多い成分をいい、好ましくは50質量%以上、より好ましくは80質量%以上含有する成分をいう。
The material of the
原料ガス接触部3Aは、発熱体CVD法の原料ガスを分解する分解部であり、発熱体CVD法において触媒としての役割をもつ。原料ガス接触部3Aは、炭素含有ガスの分解をより効率的に行うことができる点で、主成分がタンタル、タングステン、モリブデン、タンタル基合金、タングステン基合金、モリブデン基合金、炭化タンタル、炭化タングステン又は炭化モリブデンの少なくとも1種からなることが好ましい。原料ガス接触部3Aの材質は、単体であっても複合材であってもよい。タンタル基合金は、タンタルを50質量%以上含有する合金であり、例えば、タンタル−珪素合金、タンタル−イリジウム合金である。タングステン基合金は、タングステンを50質量%以上含有する合金であり、例えば、タングステン−レニウム合金、タングステン−トリウム合金である。モリブデン基合金は、モリブデンを50質量%以上含有する合金であり、例えば、モリブデン−珪素合金、モリブデン−金合金である。
The source
次に、抵抗発熱体2Aの外表面に原料ガス接触部3Aを配置する形態例として第一実施形態〜第五実施形態について説明する。
Next, the first embodiment to the fifth embodiment will be described as examples of disposing the source
(第一実施形態)
第一実施形態に係る複合発熱体1Aでは、図1に示すように、原料ガス接触部3Aが線材であり、抵抗発熱体2Aの外表面に螺旋状に巻き付いていることが好ましい。原料ガス接触部3Aを抵抗発熱体2Aの外表面に螺旋状に巻きつけることで、原料ガス接触部3Aの組みつけ及び交換を容易に行うことができる。また、リサイクルが容易になる。巻き付けのピッチは、図1に示すように等間隔とするか、又は相対的に疎の部分と密の部分とを設けた不等間隔であってもよい。原料ガス接触部3Aの線径は、0.05〜1.5mmであることが好ましく、0.2〜1.2mmであることがより好ましく、0.5〜1.0mmであることが更に好ましい。抵抗発熱体2Aの外表面の面積に対する原料ガス接触部3Aが被覆した面積の割合(以降、被覆率ということもある。)は、25〜100%であることが好ましく、50〜100%であることがより好ましい。(First embodiment)
In the
(第二実施形態)
図2は、第二実施形態に係る複合発熱体の一例を示す断面図である。第二実施形態に係る複合発熱体1Bでは、図2に示すように、原料ガス接触部3Bが、抵抗発熱体2Bの外表面を被覆した層構造をなしていることが好ましい。原料ガス接触部3Bを抵抗発熱体2Bの外表面に被覆する方法は、例えば、湿式コーティング法、クラッド法、スパッタリング法である。原料ガス接触部3Bの層の厚さは、0.0001〜1mmであることが好ましく、0.01〜0.1mmであることがより好ましい。第二実施形態に係る複合発熱体1Bは、抵抗発熱体2Bと原料ガス接触部3Bとが接合して一体化しているため、複合発熱体1Bをコイルばね形状、ジグザグ形状などに加工して、原料ガスとの接触の機会を増大させることができる。(Second embodiment)
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a composite heating element according to the second embodiment. In the
(第三実施形態)
図3は、第三実施形態に係る複合発熱体の一例を示す部分拡大正面図である。第三実施形態に係る複合発熱体1Cでは、原料ガス接触部3Cが粒形状であり、抵抗発熱体2Cの外表面に固定されていることが好ましい。例えば、抵抗発熱体2Cが炭素を主成分とする材料からなるとき、炭素を主成分とする材料の熱膨張率は、金属を主成分とする材料の熱膨張率に比べて相対的に小さいため、第二実施形態に係る複合発熱体1Bのように、抵抗発熱体2Bと原料ガス接触部3Bとを層構造で密着させることが難しい場合がある。このとき、原料ガス接触部3Cを粒形状とすることで、抵抗発熱体2Cと原料ガス接触部3Cとの熱膨張率の差が大きくても原料ガス接触部3Cを抵抗発熱体2Cの外表面に固定することができる。(Third embodiment)
FIG. 3 is a partially enlarged front view showing an example of the composite heating element according to the third embodiment. In the
第三実施形態に係る複合発熱体1Cでは、原料ガス接触部3Cが抵抗発熱体2Cの外表面に接触していればよいが、固着していることがより好ましい。固着方法は、例えば、加熱して溶融状態又は半溶融状態となった原料ガス接触部3Cの材料を、抵抗発熱体2Cとなる線材の外表面に吹き付けて凝固及び密着させる方法(溶射法)、抵抗発熱体2Cの外表面に原料ガス接触部3Cとなる粒子を含むペーストを塗布して焼結する方法(焼結法)又は抵抗発熱体2Cの材料に原料ガス接触部3Cとなる粒子を練りこんだ組成物で線材を形成する方法(混練法)である。また、抵抗発熱体2CがC/Cコンポジット若しくは炭素繊維強化金属複合材料などの繊維状であるときは、抵抗発熱体2Cとして線材を形成した後、該線材の外表面に原料ガス接触部3Cとなる粒子を衝突(ショットピーニング)させて各繊維同士の間に原料ガス接触部3Cとなる粒子を固着させるか、又は抵抗発熱体2Cを形成する各繊維同士の間に原料ガス接触部3Cとなる粒子を固着させた後、線材を形成してもよい。
In the
(第四実施形態)
図4は、第四実施形態に係る複合発熱体の一例を示す断面図である。第四実施形態に係る複合発熱体1Dでは、原料ガス接触部3Dが箔材であり、抵抗発熱体2Dの外表面に巻き付いていることが好ましい。第四実施形態に係る複合発熱体1Dが、第二実施形態に係る複合発熱体1Bと相違する点は、第二実施形態に係る複合発熱体1Bでは、抵抗発熱体2Bと原料ガス接触部3Bとが接合して一体化しているのに対して、第四実施形態に係る複合発熱体1Dでは、抵抗発熱体2Dと原料ガス接触部3Dとが分離可能な別部材である点である。第四実施形態に係る複合発熱体1Dでは、原料ガス接触部3Dの組みつけ及び交換を容易に行うことができる。また、リサイクル性が容易になる。(Fourth embodiment)
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a composite heating element according to the fourth embodiment. In the
図1〜図4では、抵抗発熱体2A〜2Dとして断面形状が円形の線材である形態を示したが、本発明はこれらの形態に限定されない。次に、変形形態の一例について説明する。 In FIGS. 1 to 4, the resistance heating elements 2 </ b> A to 2 </ b> D have been shown to be wire rods having a circular cross-sectional shape, but the present invention is not limited to these embodiments. Next, an example of a modification will be described.
図5は、第二実施形態に係る複合発熱体の変形形態例を示す断面図である。図5に示す変形形態例では、抵抗発熱体2Eとして断面形状が楕円形の線材を使用し、この抵抗発熱体2Eの外表面を原料ガス接触部3Eで被覆している。抵抗発熱体2Eの断面形状を扁平形状とすることで、原料ガス接触部3Eの表面積を大きくできるので、原料ガスとの接触の機会を増すことができる。原料ガス接触部3Eは、第二実施形態の原料ガス接触部3Bと同様に形成することができる。第二実施形態に係る複合発熱体の変形形態例では、第二実施形態に係る複合発熱体と同様に抵抗発熱体2Eと原料ガス接触部3Eとが一体化しているため、複合発熱体1Eをジグザグ形状に加工して、原料ガスとの接触の機会を更に増大することができる。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a modified example of the composite heating element according to the second embodiment. In the modification shown in FIG. 5, a wire having an elliptical cross section is used as the
図6は、第四実施形態に係る複合発熱体の変形形態例を示す断面図である。図6に示す変形形態例では、抵抗発熱体2Fは断面形状が長方形の線材であり、かつ、原料ガス接触部3Fが箔材であり、抵抗発熱体2Fの側面2F1,2F2に原料ガス接触部3Fを配置した積層構造を有する。抵抗発熱体2Fの断面形状を扁平形状とすることで、原料ガス接触部3Fの表面積を大きくできるので、原料ガスとの接触の機会を増すことができる。原料ガス接触部3Fが箔材であるため、原料ガス接触部3Fの組みつけ及び交換を容易に行うことができる。また、リサイクル性が容易になる。図6に示すように端面2F3,2F4に原料ガス接触部3Fを配置せず、端面2F3,2F4を露出した形態とするか、又は原料ガス接触部3Fを端面2F3,2F4まで延在させて端面2F3,2F4を被覆した形態としてもよい。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a modified example of the composite heating element according to the fourth embodiment. In the modified example shown in FIG. 6, the
図1、図4及び図6では、抵抗発熱体2A,2D,2Fと原料ガス接触部3A,3D,3Fとが隙間なく接触している形態を示したが、触媒活性を損なわない限りにおいて、抵抗発熱体2A,2D,2Fと原料ガス接触部3A,3D,3Fとが非接触となる部分があってもよい。
1, 4 and 6, the resistance heating elements 2 </ b> A, 2 </ b> D, 2 </ b> F and the source gas contact portions 3 </ b> A, 3 </ b> D, 3 </ b> F are shown in contact with each other without gaps. There may be a portion where the
第一実施形態〜第五実施形態に係る複合発熱体1A〜1Fでは、抵抗発熱体2A〜2Fの外表面が、酸化レニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、二酸化珪素、炭化タンタル又は炭化タングステンのコーティング処理がされた表面であることが好ましい。抵抗発熱体2A〜2Fの外表面に使用雰囲気又は用途に応じてコーティング処理を施すことで、耐久性の更なる向上ができる。例えば、使用雰囲気が酸化雰囲気であるとき、抵抗発熱体2A〜2Fの外表面をコーティング処理として酸化レニウム、酸化ジルコニウム又は二珪化モリブデンで被覆することで、抵抗発熱体2A〜2Fが酸化することを防止して安定した発熱をすることができる。また、用途が食品容器用であるとき、抵抗発熱体2A〜2Fの外表面をコーティング処理として炭化タンタルで被覆することで、抵抗発熱体2A〜2Fが食品接触上好ましくない成分が揮発して薄膜表面に分布することを防止して安定した発熱をすることができる。
In the
図7は、本実施形態に係る発熱体CVD装置の一例を示す概略図である。図7に示す発熱体CVD装置100は、成形体としてプラスチック容器11を用い、プラスチック容器11の内表面に薄膜を形成する装置である。本実施形態に係る発熱体CVD装置100は、真空チャンバ6と、真空チャンバ6内の内部ガスを真空引きする排気ポンプ(不図示)と、真空チャンバ6内に配置され、ガス吹出し孔17xを有する原料ガス供給管23と、第一実施形態〜第五実施形態に係る複合発熱体18と、を備える。
FIG. 7 is a schematic view showing an example of a heating element CVD apparatus according to this embodiment. A heating
真空チャンバ6は、その内部に成形体としてプラスチック容器11を収容する空間が形成されており、その空間は薄膜形成のための反応室12となる。真空チャンバ6は、下部チャンバ13と、この下部チャンバ13の上部に着脱自在に取り付けられて下部チャンバ13の内部をOリング14で密閉するようになっている上部チャンバ15とから構成されている。上部チャンバ15には図示していない上下の駆動機構があり、プラスチック容器11の搬入・搬出に伴い上下する。下部チャンバ13の内部空間は、そこに収容される成形体(図7ではプラスチック容器11)の外形よりも僅かに大きくなるように形成されている。
The
上部チャンバ15の内部空間には、排気管22が真空バルブ8を介して連通されており、図示しない排気ポンプによって真空チャンバ6の内部の反応室12の空気が排気されるようになっている。
An
原料ガス供給管23は、上部チャンバ15の内側天井面の中央において下方に垂下するように支持されている。原料ガス供給管23には、ガス流量調整器24a,24bとバルブ25a〜25cを介して原料ガス33が流入される。原料ガス33の供給は、出発原料が液体である場合には、バブリング法によって供給することができる。すなわち、原料タンク40a内に収容された出発原料41aに、ガス流量調整器24aで流量制御しながらバブリングガスを供給し、出発原料41aの蒸気を発生させて原料ガス33として供給する。
The source
原料ガス供給管23は、内部に原料ガス流路17を有し、原料ガス流路17に通じるガス吹出し孔17xが、原料ガス供給管23の少なくとも先端に設けられることが好ましい。原料ガス供給管23のガス吹出し孔17xを設けた側とは反対側の端部は、上部チャンバ15に設けられたガス供給口16に接続される。これにより原料ガスはガス供給口16に接続された原料ガス流路17を通り、ガス吹出し孔17xから吹き出される。
The source
原料ガス供給管23の材質は、絶縁体であっても導電体であってもよい。原料ガス供給管23の材質は、例えば、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素若しくは酸化アルミニウムを主成分とする材料で形成されたセラミック管、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素若しくは酸化アルミニウムを主成分とする材料で表面が被覆された金属管、ステンレス管等の金属管である。ただし、原料ガス供給管23の材質がステンレス管などの導電体である場合は、抵抗発熱体に安定して通電するには、原料ガス供給管23を通電経路の一部とするか、別個の通電経路を確保する必要がある。これらの目的のために、抵抗発熱体の原料ガス供給管23に対する相対位置を固定するための蓮根型部材35を絶縁体で構成することが望ましい。複合発熱体18に安定して通電することができ、耐久性があり、かつ、複合発熱体18で発生した熱を熱伝導によって効率よく排熱させることができる。また、原料ガス供給管23の側壁には、複数のガス吹出し孔を設けること好ましい。原料ガス供給管の側壁に沿って配置した複合発熱体18の原料ガス接触部が原料ガスに接触する機会を増大させ、効率よく化学種を生成させることができる。
The material of the source
複合発熱体18は、原料ガス供給管23の側壁に沿って配置され、配線19に接続部26a,26bで接続する。配線19には、ヒータ電源20が接続されている。
The
図8は、複合発熱体の原料ガス供給管への支持状態の一例を示す概略図である。図8では、一例として第一実施形態に係る複合発熱体1Aを2本設けた形態を示した。本実施形態に係る発熱体CVD装置100では、ガス吹出し孔17xが、原料ガス供給管23の少なくとも先端に設けられ、原料ガス供給管23が、ガス吹出し孔17x側の先端部に外嵌する中心孔51と中心孔51の周りに設けられた複数個のガイド孔52とを有する蓮根型部材35を備え、複合発熱体1Aが、ガイド孔52を通って支持されることが好ましい。
FIG. 8 is a schematic view showing an example of a state in which the composite heating element is supported on the source gas supply pipe. FIG. 8 shows an example in which two
蓮根型部材35の中心孔51は、蓮根型部材35の中央部に設けられた貫通孔であり、原料ガス供給管23の側壁に蓮根型部材35を固定する役割をもつ。蓮根型部材35を原料ガス供給管23に固定する方法は、特に制限はなく、例えば、中心孔51の内径と原料ガス供給管23の外径とを相互に嵌合する寸法に設定して物理的に固定する方法、接着剤を介して固定する方法である。また、着脱可能に固定するか、又は着脱できないように固定してもよい。
The
蓮根型部材35のガイド孔52は、中心孔51を中心として放射状に配置された貫通孔であり、複合発熱体1Aを支持する役割をもつ。ガイド孔52は、同一円状に配置することが好ましい。ガイド孔52は、複合発熱体1Aの熱膨張による変形を阻害しない点で、複合発熱体1Aを非固定で支持することが好ましく、複合発熱体1Aを非接触で支持することがより好ましい。複合発熱体18を、ガイド孔52を通して支持することで、複合発熱体1Aを原料ガス供給管23の側壁表面から僅かに離して配置することができる。結果として、原料ガス供給管23の急激な温度上昇を防止することができる。また、ガス吹出し孔17xから吹き出た原料ガス及び反応室12にある原料ガスとの接触機会を増やすことができる。
The guide holes 52 of the lotus
複合発熱体1Aは、ガス吹出し孔17xの前方に返し部4Aを有することが好ましい。これによって、ガス吹出し孔17xから吹き出た原料ガスは複合発熱体1Aと接触しやすくなるため、原料ガスを効率よく活性化させることができる。返し部4Aの形状は、例えば、図8に示すように複合発熱体1Aを円弧状に曲げたアーチ形状、図7に示すように複合発熱体1Aを四角状に曲げた凸形状、複合発熱体1Aをコイルばね形状、ジグザグ形状に曲げた多角形状(不図示)である。ここで、ガス吹出し孔17xの前方とは、原料ガス供給管23の長さ方向に対して突出した部分をいい、返し部4Aはガス吹出し穴17xの前方を横切って配置するか、又はガス吹出し穴17xの前方を横切らずに配置してもよい。
The
蓮根型部材35の材質は、絶縁体であっても導電体であってもよい。蓮根型部材35の材質は、例えば、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素若しくは酸化アルミニウムを主成分とする材料で形成されたセラミック、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素若しくは酸化アルミニウムを主成分とする材料で表面が被覆された金属、ステンレス管である。特に、絶縁体で熱伝導率が大きいものが好ましい。蓮根型部材35の材質は原料ガス供給管23が絶縁性か導電性かによって選択する。すなわち、原料ガス供給管23の材質が絶縁性であるとき、蓮根型部材35の材質は、絶縁体又は導電体のいずれであってもよい。また、原料ガス供給管23の材質が導電性であるとき、蓮根型部材35の材質は、絶縁体であることが好ましい。
The material of the lotus
蓮根型部材35は、図7に示すように、ガス吹出し孔17x側の先端部に1個だけ設けてもよいが、図8に示すように、複数個設け、各蓮根型部材35は、相互に間隔をあけ、かつ、各蓮根型部材35のガイド孔52同士の位置を対向させて配置することがより好ましい。これによって、複合発熱体2Aを原料ガス供給管23の側壁に沿って2点以上で支持することとなり、複合発熱体1Aが原料ガス供給管23の側壁への接触をより確実に防止できる。
As shown in FIG. 7, only one lotus
複合発熱体18は、導電性を有するため、例えば、通電することで発熱させることができる。ヒータ電源20によって複合発熱体18に電気を流すことで、複合発熱体18が発熱する。なお、本発明は、複合発熱体18の発熱方法に限定されない。また、複合発熱体18は、図7では1本設けた形態を示したが、図8に示すように2本設けてもよく、図示しないが3本以上設けてもよい。
Since the
次に、図7を参照しながら、成形体としてプラスチック容器11の内表面に薄膜を形成する場合を例にとって、本実施形態に係る薄膜を備える成形体の製造方法を説明する。本実施形態に係る薄膜を備える成形体の製造方法は、1800℃以上に発熱した複合発熱体18に原料ガスとして炭素を含有するガスを接触させて、原料ガスを分解して化学種34を生成させ、成形体(図7では、プラスチック容器11)の表面に化学種34を到達させることによって薄膜を形成する。
Next, with reference to FIG. 7, a method for manufacturing a molded body including the thin film according to the present embodiment will be described by taking as an example a case where a thin film is formed on the inner surface of the
(成膜装置への成形体の装着)
まず、ベント(不図示)を開いて真空チャンバ6内を大気開放する。反応室12には、上部チャンバ15を外した状態で、下部チャンバ13の上部開口部から成形体としてのプラスチック容器11が差し込まれて、収容される。この後、位置決めされた上部チャンバ15が降下し、上部チャンバ15につけられた原料ガス供給管23とそれに固定された複合発熱体18がプラスチック容器の口部21からプラスチック容器11内に挿入される。そして、上部チャンバ15が下部チャンバ13にOリング14を介して当接することで、反応室12が密閉空間とされる。このとき、下部チャンバ13の内壁面とプラスチック容器11の外壁面との間隔は、ほぼ均一に保たれており、かつ、プラスチック容器11の内壁面と複合発熱体18との間の間隔も、ほぼ均一に保たれている。(Attaching the molded product to the film deposition system)
First, a vent (not shown) is opened to open the
(圧力調整工程)
次いでベント(不図示)を閉じたのち、排気ポンプ(不図示)を作動させ、真空バルブ8を開とすることにより、反応室12内の空気が排気される。このとき、プラスチック容器11の内部空間のみならずプラスチック容器11の外壁面と下部チャンバ13の内壁面との間の空間も排気されて、真空にされる。すなわち、反応室12全体が排気される。そして反応室12内が必要な圧力、例えば1.0〜100Paに到達するまで減圧することが好ましい。より好ましくは、1.4〜50Paである。1.0Pa未満では、排気時間がかかる場合がある。また、100Paを超えると、プラスチック容器11内に不純物が多くなり、バリア性の高い容器を得ることができない場合がある。大気圧から、1.4〜50Paに到達するように減圧すると、適度な真空圧とともに、大気、装置及び容器に由来する適度な残留水蒸気圧を得ることができ、簡易にバリア性のある薄膜を形成できる。(Pressure adjustment process)
Next, after closing the vent (not shown), the exhaust pump (not shown) is operated and the vacuum valve 8 is opened, whereby the air in the
(成膜工程‐複合発熱体への通電)
次に複合発熱体18を、例えば通電することで発熱させる。複合発熱体18の発熱温度は、1800℃以上である。より好ましくは、1900℃である。1800℃未満では、原料ガスを効率的に分解することができず、成膜に時間がかかり作業効率に劣る。複合発熱体18の発熱温度の上限値は、抵抗発熱体2A及び原料ガス接触部3Aの材料によって異なり、例えば、抵抗発熱体2Aの材料がレニウムであり、原料ガス接触部3Aの材料がタンタルであるとき、複合発熱体18の発熱温度の上限は、2300℃であることが好ましく、2200℃であることがより好ましい。(Film formation process-Energizing the composite heating element)
Next, the
(成膜工程‐原料ガスの導入)
この後、原料ガス33として、炭素を含有するガスを供給する。炭素を含有するガスは、例えば、有機シラン系化合物である。有機シラン系化合物は、例えば、ビニルシラン(H3SiC2H3)、ジシラブタン(H3SiC2H4SiH3)、ジシリルアセチレン(H3SiC2SiH3)、2‐アミノエチルシラン(H3SiC2H4NH2)である。この中で、ビニルシラン、ジシラブタン又はジシリルアセチレンであることが好ましい。原料ガス33としてこれらの有機シラン系化合物を用いることで、薄膜としてガスバリア性を有するSiOC薄膜を形成できる。得られるSiOC薄膜は、(数1)で求める、バリア性改良率(Barrier Improvement Factor,以降、BIFという。)を6以上とすることができる。具体例としては、500mlのペットボトル(polyethylene terephthalate製のボトル、以降、PETボトルということもある。)(高さ133mm、胴外径64mm、口部外径24.9mm、口部内径21.4mm、肉厚300μm及び樹脂量29g)において、酸素透過度を0.0058cc/容器/日以下とすることができる。720mlのペットボトルにおいて、酸素透過度を0.0082cc/容器/日以下とすることができる。
(数1)BIF=[薄膜未形成の成形体の酸素透過度]/[薄膜を備える成形体の酸素透過度](Film formation process-introduction of source gas)
Thereafter, a gas containing carbon is supplied as the
(Equation 1) BIF = [Oxygen permeability of molded body without thin film] / [Oxygen permeability of molded body with thin film]
原料ガス33は、ガス流量調整器24aで流量制御して供給する。さらに、必要に応じてキャリアガスをガス流量調整器24bで流量制御しながら、バルブ25cの手前で原料ガス33に混合する。キャリアガスは、例えば、アルゴン、ヘリウム、窒素などの不活性ガスである。すると、原料ガス33は、ガス流量調整器24aで流量制御された状態で、又はキャリアガスによって流量が制御された状態で、所定の圧力に減圧されたプラスチック容器11内において、原料ガス供給管23のガス吹出し孔17xから発熱した複合発熱体18に向けて吹き出される。このように複合発熱体18を昇温完了後、原料ガス33の吹き付けを開始することが好ましい。成膜初期から、複合発熱体18によって十分に活性化された化学種34を生成させることができ、ガスバリア性の高い膜を得ることができる。
The
原料ガス33が液体である場合には、バブリング法で供給することができる。バブリング法に用いるバブリングガスは、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガスであり、窒素ガスがより好ましい。すなわち、原料タンク40a内の出発原料41aを、バブリングガスを用いてガス流量調整器24aで流量制御しながらバブリングすると、出発原料41aが気化してバブル中に取り込まれる。こうして、原料ガス33は、バブリングガスと混合した状態で供給される。さらに、キャリアガスをガス流量調整器24bで流量制御しながら、バルブ25cの手前で原料ガス33に混合する。すると、原料ガス33は、キャリアガスによって流量が制御された状態で、所定の圧力に減圧されたプラスチック容器11内において、原料ガス供給管23のガス吹出し孔17xから発熱した複合発熱体18に向けて吹き出される。ここで、バブリングガスの流量は、3〜50sccmであることが好ましく、より好ましくは、5〜15sccmである。キャリアガスの流量は、特に限定されないが、0〜80sccmであることが好ましい。より好ましくは、5〜50sccmである。キャリアガスの流量によって、プラスチック容器11内の圧力を20〜80Paに調整することができる。
When the
(成膜工程‐成膜)
原料ガス33が複合発熱体18と接触すると化学種34が生成される。この化学種34が、プラスチック容器11の内壁に到達することで、薄膜を堆積することになる。成膜工程において複合発熱体18を発熱させて原料ガスを複合発熱体18に吹き付ける時間(以降、成膜時間ということもある。)は、1.0〜20秒であることが好ましく、より好ましくは、1.0〜8.5秒である。成膜時の真空チャンバ内の圧力は、例えば1.0〜100Paに到達するまで減圧することが好ましい。より好ましくは、1.4〜50Paである。(Film formation process-film formation)
When the
薄膜の膜厚は、特に制限はないが、例えば、薄膜がSiOC薄膜であるときは、ガスバリア性の向上効果を得るため、5〜200nmであることが好ましく、10〜100nmであることがより好ましい。 The thickness of the thin film is not particularly limited. For example, when the thin film is a SiOC thin film, it is preferably 5 to 200 nm and more preferably 10 to 100 nm in order to obtain an effect of improving gas barrier properties. .
(成膜の終了)
薄膜が所定の厚さに達したところで、原料ガス33の供給を止め、反応室12内を再度排気した後、図示していないリークガスを導入して、反応室12を大気圧にする。この後、上部チャンバ15を開けてプラスチック容器11を取り出す。(Finish film formation)
When the thin film reaches a predetermined thickness, the supply of the
本発明者らが実験したところによると、抵抗発熱体及び原料ガス接触部を別々の材質とせずに同一の材質(例えば、直径0.5mmのタンタル線)で一体に形成した発熱体を用い、原料ガスとしてビニルシランを用いて薄膜を形成したところ、連続成膜を30回行ったところで十分な触媒活性が発揮されない結果、ガスバリア性薄膜を堆積させることができない状態になった。このとき、発熱体の表面の構成元素をX線電子分光分析(以降、XPS分析ということもある。)したところ、発熱体の表面が炭化していることを確認した。これに対して、第一実施形態に係る複合発熱体1Aであって、抵抗発熱体2Aを直径0.5mmのレニウム線とし、原料ガス接触部3Aを直径0.1mmのタンタル線とした複合発熱体1Aを用い、原料ガスとしてビニルシランを用いて薄膜を形成したところ、1万回以上の連続成膜が可能なことが確認できた。ここで、1万回以上の連続成膜とは、図7に示すような成形体に一つずつ成膜する成膜装置では、「成膜装置への成形体の装着」から「成膜の終了」までの一連の成膜操作を1回としてこれを1万回以上繰り返し行うことをいう。また、特許文献1の図12に示すような、成形体をコンベアで移動させながら逐次成膜する成膜装置では、任意の原料ガス供給管の前を通過した成形体の個数が1万個以上であることをいう。
According to the experiments conducted by the present inventors, the resistance heating element and the raw material gas contact portion are not separately formed, but the heating element integrally formed of the same material (for example, a tantalum wire having a diameter of 0.5 mm) is used. When a thin film was formed using vinylsilane as a source gas, sufficient catalytic activity was not exhibited when continuous film formation was performed 30 times. As a result, the gas barrier thin film could not be deposited. At this time, when the constituent elements on the surface of the heating element were subjected to X-ray electron spectroscopy analysis (hereinafter sometimes referred to as XPS analysis), it was confirmed that the surface of the heating element was carbonized. In contrast, the
薄膜をプラスチック容器の内表面に形成する方法について説明してきたが、薄膜をプラスチック容器の外表面に形成するには、例えば、特許文献1の図3に示す成膜装置を用いて行うことができる。 Although the method for forming the thin film on the inner surface of the plastic container has been described, the thin film can be formed on the outer surface of the plastic container using, for example, a film forming apparatus shown in FIG. .
成形体が、プラスチック容器である態様について説明してきたが、本発明はこれに限定されず、成形体をフィルム又はシートとすることができる。 Although the aspect which a molded object is a plastic container has been demonstrated, this invention is not limited to this, A molded object can be made into a film or a sheet | seat.
次に、本発明の実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。 Next, although an example of the present invention is given and explained, the present invention is not limited to these examples.
(実施例1)
成形体として、500mlのペットボトル(高さ133mm、胴外径64mm、口部外径24.9mm、口部内径21.4mm、肉厚300μm及び樹脂量29g)の内表面に、図7に示す成膜装置を用いてSiOC薄膜を形成した。ペットボトルを真空チャンバ6内に収容し、1.0Paに到達するまで減圧した。次いで、複合発熱体18を2本用い、複合発熱体18に直流電流を24V印加し、2000℃に発熱させた。複合発熱体18は、図1に示す第一実施形態に係る複合発熱体1Aを用いた。すなわち、抵抗発熱体2Aをφ0.5mm、長さ44cmのレニウム線とし、原料ガス接触部3Aをφ0.1mm、長さ5000mmのタンタル線として、抵抗発熱体2Aの外表面に原料ガス接触部3Aを螺旋状に巻きつけたものを使用した。次いで、ガス流量調整器24aから原料ガス33としてビニルシランを、流量が50sccmとなるように供給し、ペットボトルの内表面にガスバリア薄膜を堆積させた。その後、原料ガス33の供給を止め、反応室12内を再度排気した後、リークガスを導入して、反応室12を大気圧にし、上部チャンバ15を開けてプラスチック容器11を取り出した。膜厚は、20nmであった。なお、膜厚は、触針式段差計(型式:α‐ステップ、ケーエルエーテン社製)を用いて測定した値である。ここで、ガス流量調整器24a,24bからガス供給口16の配管は、アルミナ製の1/4インチ配管で構成した。成膜時の圧力を5.0Paとした。また、成膜時間は、6秒間とした。Example 1
FIG. 7 shows the inner surface of a 500 ml plastic bottle (height 133 mm, body outer diameter 64 mm, mouth outer diameter 24.9 mm, mouth inner diameter 21.4 mm, wall thickness 300 μm, resin amount 29 g) as a molded body. The SiOC thin film was formed using the film-forming apparatus. The PET bottle was accommodated in the
(実施例2)
複合発熱体18に関し、抵抗発熱体2Aをφ0.5mm、長さ44cmのC/Cコンポジット線とし、原料ガス接触部3Aをφ0.1mm、長さ5000mmのタンタル線として、抵抗発熱体2Aの外表面に原料ガス接触部3Aを螺旋状に巻きつけたものに変更した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。(Example 2)
Regarding the
(実施例3)
複合発熱体18に関し、抵抗発熱体2Aをφ0.5mm、長さ44cmのイリジウム線とし、原料ガス接触部3Aをφ0.1mm、長さ5000mmのタングステン線として、抵抗発熱体2Aの外表面に原料ガス接触部3Aを螺旋状に巻きつけたものに変更した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。Example 3
Regarding the
(実施例4)
複合発熱体18に関し、抵抗発熱体2Aをφ0.5mm、長さ44cmのロジウム線とし、原料ガス接触部3Aをφ0.1mm、長さ5000mmのモリブデン線として、抵抗発熱体2Aの外表面に原料ガス接触部3Aを螺旋状に巻きつけたものに変更した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。Example 4
Regarding the
(実施例5)
複合発熱体18に関し、抵抗発熱体2Aをφ0.5mm、長さ44cmの炭化珪素線とし、原料ガス接触部3Aをφ0.1mm、長さ5000mmのタンタル‐イリジウム合金(タンタル含有率95質量%)線として、抵抗発熱体2Aの外表面に原料ガス接触部3Aを螺旋状に巻きつけたものに変更した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。(Example 5)
Regarding the
(実施例6)
複合発熱体18に関し、抵抗発熱体2Aをφ0.5mm、長さ44cmの二珪化モリブデン線とし、原料ガス接触部3Aをφ0.1mm、長さ5000mmのタングステン−レニウム合金(タングステン含有率95質量%)線として、抵抗発熱体2Aの外表面に原料ガス接触部3Aを螺旋状に巻きつけたものに変更した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。(Example 6)
Regarding the
(実施例7)
複合発熱体18に関し、抵抗発熱体2Aをφ0.5mm、長さ44cmのレニウム線とし、原料ガス接触部3Aをφ0.1mm、長さ5000mmのモリブデン−金合金(モリブデン含有率95質量%)線として、抵抗発熱体2Aの外表面に原料ガス接触部3Aを螺旋状に巻きつけたものに変更した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。(Example 7)
Regarding the
(実施例8)
複合発熱体18に関し、抵抗発熱体2Aをφ0.5mm、長さ44cmのレニウム線とし、原料ガス接触部3Aをφ0.1mm、長さ5000mmの炭化タンタル線として、抵抗発熱体2Aの外表面に原料ガス接触部3Aを螺旋状に巻きつけたものに変更した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。なお、炭化タンタルは、タンタル線を抵抗発熱体2Aに巻きつけたのち、プロパンガス雰囲気下で抵抗発熱体2Aを加熱して作製した。(Example 8)
With respect to the
(実施例9)
複合発熱体18に関し、抵抗発熱体2Aをφ0.5mm、長さ44cmのレニウム線とし、原料ガス接触部3Aをφ0.1mm、長さ5000mmの炭化タングステン線として、抵抗発熱体2Aの外表面に原料ガス接触部3Aを螺旋状に巻きつけたものに変更した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。なお、炭化タングステンは、タングステン線を抵抗発熱体2Aに巻きつけたのち、プロパンガス雰囲気下で抵抗発熱体2Aを加熱して作製した。Example 9
Regarding the
(実施例10)
複合発熱体18に関し、抵抗発熱体2Aをφ0.5mm、長さ44cmのレニウム線とし、原料ガス接触部3Aをφ0.1mm、長さ5000mmの炭化モリブデン線として、抵抗発熱体2Aの外表面に原料ガス接触部3Aを螺旋状に巻きつけたものに変更した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。なお、炭化モリブデンは、モリブデン線を抵抗発熱体2Aに巻きつけたのち、プロパンガス雰囲気下で抵抗発熱体2Aを加熱して作製した。(Example 10)
Regarding the
(実施例11)
複合発熱体18として、図2に示す第二実施形態に係る複合発熱体1Bに変更した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。第二実施形態に係る複合発熱体1Bは、抵抗発熱体2Bをφ0.5mm、長さ44cmのレニウム線とし、原料ガス接触部3Bを厚さ0.1mmタンタルの皮膜として、抵抗発熱体2Bの外表面を原料ガス接触部3Bで被覆したものを用いた。タンタルの皮膜の形成は、クラッドワイヤー法により作製した。(Example 11)
The film forming operation was performed in the same manner as in Example 1 except that the
(実施例12)
複合発熱体18として、図3に示す第三実施形態に係る複合発熱体1Cに変更した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。第三実施形態に係る複合発熱体1Cは、抵抗発熱体2Cをφ0.5mm、長さ44cmのC/Cコンポジット線とし、原料ガス接触部3Cを平均粒子径50nmのタンタル粒子として、抵抗発熱体2Cの外表面に原料ガス接触部3Cの粒子を固着させたものを用いた。タンタル粒子の固着は、次のとおり行った。すなわち、ショットピーニング機(型式FDD−11RBDT−20−701、フジ製作所製)でタンタル粒子を抵抗発熱体2Cの外表面に衝突させて、抵抗発熱体2Bの外表面に原料ガス接触部3Cの粒子を固着させた。(Example 12)
The film forming operation was performed in the same manner as in Example 1 except that the
(実施例13)
複合発熱体18として、図4に示す第四実施形態に係る複合発熱体1Dに変更した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。第四実施形態に係る複合発熱体1Dは、抵抗発熱体2Dをφ0.5mm、長さ44cmのレニウム線とし、原料ガス接触部3Dを厚さ0.01mm、幅10mm、長さ120cmのタンタル箔として、抵抗発熱体2Dの外表面に原料ガス接触部3Dを巻きつけたものを用いた。(Example 13)
The film forming operation was performed in the same manner as in Example 1 except that the
(実施例14)
複合発熱体18として、図5に示す第二実施形態の変形形態に係る複合発熱体1Eに変更した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。第二実施形態の変形形態に係る複合発熱体1Eは、実施例11において、抵抗発熱体2Eを断面形状が楕円形であり、楕円形の平均長径1.0mm、平均短径0.25mm、側面の長さ44cmのレニウム線とした以外は、実施例11と同様にして形成した。(Example 14)
The film forming operation was performed in the same manner as in Example 1 except that the
(実施例15)
複合発熱体18として、図6に示す第四実施形態の変形形態に係る複合発熱体1Fに変更した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。第四実施形態の変形形態に係る複合発熱体1Fは、実施例13において、抵抗発熱体2Fを断面形状が長方形であり、楕円形の長辺0.6mm、短辺0.3mm、側面の長さ44cmのレニウム線とした以外は、実施例13と同様にして形成した。(Example 15)
The film forming operation was performed in the same manner as in Example 1 except that the
(比較例1)
複合発熱体18に替えて、抵抗発熱体及び原料ガス接触部を同一の材質で一体に形成した発熱体とした以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。発熱体は、φ0.5mm、長さ44mmのタンタル線を使用した。(Comparative Example 1)
The film forming operation was carried out in the same manner as in Example 1 except that instead of the
(比較例2)
複合発熱体18に替えて、発熱体としてφ0.5mm、長さ44mmのタングステン線を使用した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。(Comparative Example 2)
The film forming operation was performed in the same manner as in Example 1 except that a tungsten wire having a diameter of 0.5 mm and a length of 44 mm was used as the heating element instead of the
(比較例3)
複合発熱体18に替えて、発熱体としてφ0.5mm、長さ44mmのモリブデン線を使用した以外は、実施例1と同様にして成膜操作を行った。(Comparative Example 3)
A film forming operation was performed in the same manner as in Example 1 except that a molybdenum wire having a diameter of 0.5 mm and a length of 44 mm was used as the heating element instead of the
(連続成膜可能回数)
実施例1に記載した成膜操作を、同条件で繰り返して行い、成膜したPETボトルの酸素透過率が薄膜未形成のペットボトルの酸素透過率を基準値として、基準値の2分の1を超える段階に至った時点で、炭化劣化によって電気抵抗が低下し成膜が不能な状態に達した状態と判断し、そのときの繰り返し回数を成膜可能回数として記録した。酸素透過率は、酸素透過度測定装置(型式:Oxtran 2/20、Modern Control社製)を用いて、23℃、90%RHの条件にて測定し、測定開始から24時間コンディションし、測定開始から72時間経過後の値とした。実施例1〜15及び比較例1〜3の成膜操作で形成したペットボトルは、いずれも成膜操作1回目では、基準値の10分の1以下に低下していた。(Number of times of continuous film formation)
The film forming operation described in Example 1 was repeatedly performed under the same conditions, and the oxygen permeability of the PET bottle with the film formed was a half of the reference value with the oxygen permeability of the PET bottle with no thin film formed as a reference value. When reaching the stage exceeding the above, it was judged that the electric resistance was lowered due to carbonization deterioration and the film formation was impossible, and the number of repetitions at that time was recorded as the number of film formation possible. Oxygen permeability was measured under the conditions of 23 ° C. and 90% RH using an oxygen permeability measuring device (model: Oxtran 2/20, manufactured by Modern Control), conditioned for 24 hours from the start of measurement, and then started measurement. The value after 72 hours had passed. The PET bottles formed by the film forming operations of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 3 all decreased to 1/10 or less of the reference value in the first film forming operation.
実施例1〜15では、いずれも連続成膜可能回数が1万回を超えた。一方、比較例1では、連続成膜可能回数が30回、比較例2では26回、比較例3では23回であり、いずれも実施例1〜10よりも連続成膜回数が大きく下回った。 In each of Examples 1 to 15, the number of continuous film formations allowed exceeded 10,000 times. On the other hand, in Comparative Example 1, the number of continuous film formations was 30 times, in Comparative Example 2 was 26 times, and in Comparative Example 3 was 23 times, and the number of continuous film formations was much lower than in Examples 1-10.
1A〜1F 複合発熱体
2A〜2F 抵抗発熱体
2F1,2F2 側面
2F3,2F4 端面
3A〜3F 原料ガス接触部
4A 返し部
6 真空チャンバ
8 真空バルブ
11 プラスチック容器
12 反応室
13 下部チャンバ
14 Oリング
15 上部チャンバ
16 ガス供給口
17 原料ガス流路
17x ガス吹出し孔
18 複合発熱体
19 配線
20 ヒータ電源
21 プラスチック容器の口部
22 排気管
23 原料ガス供給管
24a,24b ガス流量調整器
25a〜25c バルブ
26a,26b 接続部
33 原料ガス
34 化学種
35 蓮根型部材
40a 原料タンク
41a 出発原料
51 中心孔
52 ガイド孔
100 発熱体CVD装置1A-1F
Claims (10)
該抵抗発熱体の外表面に配置した原料ガス接触部と、を備え、
該原料ガス接触部が、発熱体CVD法の原料ガスを分解する分解部であり、
前記原料ガス接触部が線材であり、前記抵抗発熱体の外表面に螺旋状に巻き付いていることを特徴とする複合発熱体。 A linear resistance heating element mainly composed of carbon, rhenium, iridium, rhodium, silicon carbide or molybdenum disilicide;
A source gas contact portion disposed on the outer surface of the resistance heating element,
Raw material gas contact portion, Ri decomposition unit der decompose the heating element CVD method material gas,
The composite heating element, wherein the source gas contact portion is a wire, and is spirally wound around the outer surface of the resistance heating element.
該抵抗発熱体の外表面に配置した原料ガス接触部と、を備え、A source gas contact portion disposed on the outer surface of the resistance heating element,
該原料ガス接触部が、発熱体CVD法の原料ガスを分解する分解部であり、The source gas contact part is a decomposition part that decomposes the source gas of the heating element CVD method,
前記原料ガス接触部が粒形状であり、前記抵抗発熱体の外表面に固定されていることを特徴とする複合発熱体。The composite heating element, wherein the source gas contact portion has a grain shape and is fixed to an outer surface of the resistance heating element.
該抵抗発熱体の外表面に配置した原料ガス接触部と、を備え、A source gas contact portion disposed on the outer surface of the resistance heating element,
該原料ガス接触部が、発熱体CVD法の原料ガスを分解する分解部であり、The source gas contact part is a decomposition part that decomposes the source gas of the heating element CVD method,
前記原料ガス接触部が箔材であり、前記抵抗発熱体の外表面に巻き付いていることを特徴とする複合発熱体。The composite heating element, wherein the source gas contact portion is a foil material and is wound around the outer surface of the resistance heating element.
発熱した発熱体に炭素を含有する原料ガスを接触させて、該原料ガスを分解して化学種を生成させ、成形体の表面に前記化学種を到達させることによって薄膜を形成することを特徴とする薄膜を備える成形体の製造方法。 The composite heating element according to any one of claims 1 to 6 is heated to 1800 ° C or higher,
Febrile by contacting a raw material gas containing carbon to the heating element, by decomposing the raw material gas to produce a chemical species, characterized that you form a thin film by reaching the chemical species on the surface of the molded body The manufacturing method of a molded object provided with a thin film.
該真空チャンバ内の内部ガスを真空引きする排気ポンプと、
前記真空チャンバ内に配置され、ガス吹出し孔を有する原料ガス供給管と、
請求項1〜7のいずれか一つに記載の複合発熱体と、を備えることを特徴とする発熱体CVD装置。 A vacuum chamber;
An exhaust pump for evacuating the internal gas in the vacuum chamber;
A source gas supply pipe disposed in the vacuum chamber and having a gas blowing hole;
Heating element CVD apparatus characterized by comprising a composite heating element according to any one of claims 1-7.
前記原料ガス供給管が、前記ガス吹出し孔側の先端部に外嵌する中心孔と該中心孔の周りに設けられた複数個のガイド孔とを有する蓮根型部材を備え、
前記複合発熱体が、前記ガイド孔を通って支持されることを特徴とする請求項8に記載の発熱体CVD装置。 The gas blowing hole is provided at least at the tip of the source gas supply pipe;
The source gas supply pipe includes a lotus root type member having a center hole that is fitted around the distal end portion on the gas blowing hole side and a plurality of guide holes provided around the center hole,
The heating element CVD apparatus according to claim 8 , wherein the composite heating element is supported through the guide hole.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012107930 | 2012-05-09 | ||
| JP2012107930 | 2012-05-09 | ||
| PCT/JP2013/062964 WO2013168747A1 (en) | 2012-05-09 | 2013-05-08 | Composite heating element, production method for molded body comprising thin film using said composite heating element, and heating element cvd device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2013168747A1 JPWO2013168747A1 (en) | 2016-01-07 |
| JP6043346B2 true JP6043346B2 (en) | 2016-12-14 |
Family
ID=49550781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014514736A Active JP6043346B2 (en) | 2012-05-09 | 2013-05-08 | COMPOSITE HEATING ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING MOLDED BODY COMPRISING THIN FILM USING THE SAME, AND HEATING ELEMENT CVD APPARATUS |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6043346B2 (en) |
| WO (1) | WO2013168747A1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017179472A (en) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社デンソー | Manufacturing method of member, and manufacturing apparatus of member |
| EP3366805B1 (en) | 2017-02-24 | 2022-01-12 | Satisloh AG | Box coating apparatus for vacuum coating of substrates, in particular spectacle lenses, and heating device for it |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3498363B2 (en) * | 1994-06-13 | 2004-02-16 | 住友電気工業株式会社 | Diamond synthesis method |
| JP4505073B2 (en) * | 1999-03-25 | 2010-07-14 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Chemical vapor deposition equipment |
| JP2001358077A (en) * | 2000-06-13 | 2001-12-26 | Sharp Corp | Thin film production equipment |
| JP4873820B2 (en) * | 2002-04-01 | 2012-02-08 | 株式会社エフティーエル | Semiconductor device manufacturing equipment |
| JP2004238258A (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Ulvac Japan Ltd | Manufacturing method of carbonaceous matter |
| JP4212501B2 (en) * | 2004-03-25 | 2009-01-21 | 三洋電機株式会社 | Thin film formation method |
| JP2009215618A (en) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Canon Inc | Catalyst cvd apparatus, method for treating catalyst body used for catalyst cvd apparatus, and method for forming film using catalyst cvd apparatus |
| JP2009065192A (en) * | 2008-11-07 | 2009-03-26 | Canon Anelva Corp | Manufacturing method of silicon film and silicon nitride film |
| JP5635447B2 (en) * | 2010-08-16 | 2014-12-03 | 株式会社アルバック | Treatment method for energized heating wire |
| JP5746839B2 (en) * | 2010-08-16 | 2015-07-08 | 株式会社アルバック | Electric heating wire, film forming apparatus, and method of manufacturing electric heating wire |
| JP2011040771A (en) * | 2010-09-27 | 2011-02-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Material gas decomposing mechanism, thin film manufacturing device, thin film manufacturing method, and thin film laminate |
-
2013
- 2013-05-08 WO PCT/JP2013/062964 patent/WO2013168747A1/en not_active Ceased
- 2013-05-08 JP JP2014514736A patent/JP6043346B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2013168747A1 (en) | 2013-11-14 |
| JPWO2013168747A1 (en) | 2016-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5684288B2 (en) | Gas barrier plastic molded body and method for producing the same | |
| JP5695673B2 (en) | Method for producing gas barrier plastic molding | |
| JP6731397B2 (en) | Heating element and manufacturing method thereof | |
| JP6043346B2 (en) | COMPOSITE HEATING ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING MOLDED BODY COMPRISING THIN FILM USING THE SAME, AND HEATING ELEMENT CVD APPARATUS | |
| CN102245803B (en) | Catalyst Assisted Chemical Vapor Growth Device | |
| WO2008062730A1 (en) | Process for producing plastic container coated with oxide thin film | |
| JP4856010B2 (en) | Catalytic chemical vapor deposition system | |
| US11236419B2 (en) | Multilayer stack for the growth of carbon nanotubes by chemical vapor deposition | |
| JP5566334B2 (en) | Gas barrier plastic molded body and method for producing the same | |
| JP4741430B2 (en) | Film forming apparatus and film forming method | |
| JP6575020B2 (en) | Film forming apparatus and control method thereof | |
| JP2016128607A (en) | Catalyst body unit and heat generator cvd apparatus including the unit | |
| JP2006335379A (en) | Synthetic-resin-made container with coat, method and apparatus for forming coat on synthetic-resin-made container | |
| JP4809822B2 (en) | Catalytic chemical vapor deposition equipment | |
| JP2012188700A (en) | Gas barrier plastic molding and method for producing the same | |
| JP2006176811A (en) | METHOD FOR PRODUCING CRYSTALLINE SiC FILM |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160302 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160302 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161108 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161111 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6043346 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |