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JP6043828B2 - Pyroelectric infrared sensor - Google Patents
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Description

本発明は、焦電型赤外線センサに関する。   The present invention relates to a pyroelectric infrared sensor.

特許文献1は、回路素子が実装されたベースの上に中空構造の多層プリント基板から成る第1スペーサを積層し、第1スペーサ上に焦電センサ素子を設置することで、焦電センサ素子の下方に回路素子を実装するための空間を確保した焦電型赤外線センサを開示している。第1スペーサの内側側面には金属膜層が形成されている。この金属膜層には、焦電センサ素子の両極をベースに導通させるべく、切れ目が形成されている。   In Patent Document 1, a first spacer made of a multilayer printed circuit board having a hollow structure is stacked on a base on which a circuit element is mounted, and a pyroelectric sensor element is installed on the first spacer. A pyroelectric infrared sensor that secures a space for mounting circuit elements below is disclosed. A metal film layer is formed on the inner side surface of the first spacer. In this metal film layer, a cut is formed so as to make both the poles of the pyroelectric sensor element conductive to the base.

特開2013−50359号公報JP2013-50359A

上記特許文献1の構成では、第1スペーサの内側側面に形成されている金属膜層に切れ目があるので、第1スペーサの内側側面で発生したガスや粉塵によって焦電センサ素子が汚染されてしまう虞がある。   In the configuration of Patent Document 1, since there is a cut in the metal film layer formed on the inner side surface of the first spacer, the pyroelectric sensor element is contaminated by gas and dust generated on the inner side surface of the first spacer. There is a fear.

本発明の目的は、焦電センサ素子が汚染するのを抑制する技術を提供することにある。   The objective of this invention is providing the technique which suppresses that a pyroelectric sensor element is contaminated.

本願発明の観点によれば、ベース基板と、前記ベース基板上に搭載された焦電センサ素子と、前記ベース基板上に搭載され、前記焦電センサ素子を囲む筒状の枠体と、を備え、前記枠体の内側側面の全域に渡って金属膜が形成されている、焦電型赤外線センサが提供される。以上の構成によれば、前記焦電センサ素子を前記ベース基板上に搭載することにしたので、前記枠体の前記内側側面の全域に渡って前記金属膜を切れ目なく形成することができるようになる。また、前記枠体の前記内側側面の全域に渡って前記金属膜が形成されているので、前記枠体の前記内側側面で発生したガスや粉塵によって前記焦電センサ素子が汚染するのを抑制することができる。
前記ベース基板には、前記焦電センサ素子が電気的に接続される電極が形成されており、前記電極と前記焦電センサ素子の間には、バンプが介在している。以上の構成によれば、前記ベース基板と前記焦電センサ素子の間に隙間が確保されるので、前記焦電センサ素子が前記ベース基板から遠ざかり、もって、前記ベース基板自体の発熱による前記焦電センサ素子の感度低下を抑制することができる。
前記ベース基板は、前記枠体の前記内側側面よりも外側に広がる金属膜を有する。以上の構成によれば、前記焦電センサ素子の耐電磁ノイズ性が向上する。
前記焦電センサ素子は、前記ベース基板の略中央に配置されている。以上の構成によれば、前記焦電センサ素子の視野角を効果的に確保することができる。
According to an aspect of the present invention, a base substrate, a pyroelectric sensor element mounted on the base substrate, and a cylindrical frame body mounted on the base substrate and surrounding the pyroelectric sensor element are provided. There is provided a pyroelectric infrared sensor in which a metal film is formed over the entire inner side surface of the frame. According to the above configuration, since the pyroelectric sensor element is mounted on the base substrate, the metal film can be formed seamlessly across the entire inner side surface of the frame. Become. Further, since the metal film is formed over the entire area of the inner side surface of the frame body, the pyroelectric sensor element is prevented from being contaminated by gas or dust generated on the inner side surface of the frame body. be able to.
An electrode to which the pyroelectric sensor element is electrically connected is formed on the base substrate, and a bump is interposed between the electrode and the pyroelectric sensor element. According to the above configuration, since a gap is secured between the base substrate and the pyroelectric sensor element, the pyroelectric sensor element moves away from the base substrate, and thus the pyroelectric due to heat generation of the base substrate itself. A decrease in sensitivity of the sensor element can be suppressed.
The base substrate has a metal film that spreads outside the inner side surface of the frame. According to the above configuration, the electromagnetic noise resistance of the pyroelectric sensor element is improved.
The pyroelectric sensor element is disposed substantially at the center of the base substrate. According to the above configuration, the viewing angle of the pyroelectric sensor element can be effectively ensured.

本発明によれば、前記枠体の前記内側側面の全域に渡って前記金属膜が形成されているので、前記枠体の前記内側側面で発生したガスや粉塵によって前記焦電センサ素子が汚染するのを抑制することができる。   According to the present invention, since the metal film is formed over the entire area of the inner side surface of the frame body, the pyroelectric sensor element is contaminated by gas and dust generated on the inner side surface of the frame body. Can be suppressed.

焦電型赤外線センサの分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a pyroelectric infrared sensor. 焦電型赤外線センサの断面図である。It is sectional drawing of a pyroelectric infrared sensor.

以下、図1及び図2を参照して、焦電型赤外線センサ1を説明する。   Hereinafter, the pyroelectric infrared sensor 1 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

図1に示すように、焦電型赤外線センサ1は、素子収容体2と、焦電センサ素子3、回路部品4、光学フィルタ5を備える。   As shown in FIG. 1, the pyroelectric infrared sensor 1 includes an element housing 2, a pyroelectric sensor element 3, a circuit component 4, and an optical filter 5.

素子収容体2は、焦電センサ素子3及び回路部品4を収容する。図2に示すように、素子収容体2は、ベース基板6と、筒状の枠体7と、を有する。   The element housing 2 houses the pyroelectric sensor element 3 and the circuit component 4. As shown in FIG. 2, the element housing 2 includes a base substrate 6 and a cylindrical frame body 7.

ベース基板6は、多層プリント基板によって構成されている。ベース基板6は、素子搭載面8と、素子搭載面8と反対側の面である底面9と、を有する。ベース基板6は、平面視で、枠体7の内側側面10よりも外側に広がる金属膜11を有する。金属膜11は、ベース基板6内に埋設されている。ベース基板6の底面9には、少なくとも3つの電極12が形成されている。ベース基板6の素子搭載面8には、2つの素子電極19が形成されている。   The base substrate 6 is composed of a multilayer printed board. The base substrate 6 includes an element mounting surface 8 and a bottom surface 9 that is a surface opposite to the element mounting surface 8. The base substrate 6 has a metal film 11 that spreads outside the inner side surface 10 of the frame 7 in plan view. The metal film 11 is embedded in the base substrate 6. At least three electrodes 12 are formed on the bottom surface 9 of the base substrate 6. Two element electrodes 19 are formed on the element mounting surface 8 of the base substrate 6.

枠体7は、多層プリント基板によって構成されている。枠体7は、角筒状に形成されている。枠体7は、ベース基板6の素子搭載面8に搭載されている。枠体7は、上記の内側側面10と、光学フィルタ搭載面13と、ベース対向面14と、を有する。ベース対向面14は、ベース基板6に対向する面である。光学フィルタ搭載面13は、ベース対向面14と反対側の面である。そして、枠体7の内側側面10の全域に渡って、例えば銅めっきなどの金属膜15(金属膜)が形成されている。金属膜15は、環状に切れ目なく形成されている。金属膜15は、環状に切れ目なく形成されているので、焦電センサ素子3に対するシールド効果が高いレベルで発揮される。金属膜15は、内側側面10に加えて、光学フィルタ搭載面13及びベース対向面14にも形成されている。従って、内側側面10の断面形状は、略U字状となっている。金属膜15の厚みは、例えば、10〜100マイクロメートルとすることが好ましい。なお、金属膜15は、光学フィルタ搭載面13の外側の領域には形成されていない。換言すれば、光学フィルタ搭載面13は、外側の領域において露出している。光学フィルタ搭載面13には、環状のレジスト16が形成されている。レジスト16は、光学フィルタ搭載面13の露出した部分に形成されている。   The frame body 7 is composed of a multilayer printed circuit board. The frame body 7 is formed in a rectangular tube shape. The frame body 7 is mounted on the element mounting surface 8 of the base substrate 6. The frame 7 has the inner side surface 10, the optical filter mounting surface 13, and the base facing surface 14. The base facing surface 14 is a surface facing the base substrate 6. The optical filter mounting surface 13 is a surface opposite to the base facing surface 14. A metal film 15 (metal film) such as copper plating is formed over the entire area of the inner side surface 10 of the frame 7. The metal film 15 is formed in an annular shape without a break. Since the metal film 15 is formed in an annular shape without a break, the shielding effect for the pyroelectric sensor element 3 is exhibited at a high level. In addition to the inner side surface 10, the metal film 15 is also formed on the optical filter mounting surface 13 and the base facing surface 14. Therefore, the cross-sectional shape of the inner side surface 10 is substantially U-shaped. The thickness of the metal film 15 is preferably 10 to 100 micrometers, for example. The metal film 15 is not formed in a region outside the optical filter mounting surface 13. In other words, the optical filter mounting surface 13 is exposed in the outer region. An annular resist 16 is formed on the optical filter mounting surface 13. The resist 16 is formed on the exposed portion of the optical filter mounting surface 13.

光学フィルタ5は、導電性を有する接着剤17を用いて、枠体7の光学フィルタ搭載面13に搭載されている。具体的には、光学フィルタ5は、接着剤17と金属膜15を介して、光学フィルタ搭載面13に搭載されている。光学フィルタ5は、環状のレジスト16によって、水平方向において位置決めされる。接着剤17は、環状のレジスト16の存在により外側へ流出しない。光学フィルタ5とレジスト16の間に、封止樹脂18が充填される。また、環状のレジスト16の存在により、焦電型赤外線センサ1の高い封止性が実現される。   The optical filter 5 is mounted on the optical filter mounting surface 13 of the frame body 7 using a conductive adhesive 17. Specifically, the optical filter 5 is mounted on the optical filter mounting surface 13 via the adhesive 17 and the metal film 15. The optical filter 5 is positioned in the horizontal direction by the annular resist 16. The adhesive 17 does not flow outward due to the presence of the annular resist 16. A sealing resin 18 is filled between the optical filter 5 and the resist 16. Further, due to the presence of the annular resist 16, high sealing performance of the pyroelectric infrared sensor 1 is realized.

焦電センサ素子3及び回路部品4は、ベース基板6の素子搭載面8に搭載される。焦電センサ素子3と回路部品4が同じ素子搭載面8上に搭載されているので、焦電型赤外線センサ1の低背化に寄与している。   The pyroelectric sensor element 3 and the circuit component 4 are mounted on the element mounting surface 8 of the base substrate 6. Since the pyroelectric sensor element 3 and the circuit component 4 are mounted on the same element mounting surface 8, it contributes to a reduction in the height of the pyroelectric infrared sensor 1.

焦電センサ素子3は、ベース基板6の素子搭載面8に形成されている2つの素子電極19(電極)に、バンプ20を介して搭載される。バンプ20は、例えば銅メッキを数度重ねることにより形成される。バンプ20は、例えば50〜200マイクロメートル以上の厚みを有することが好ましい。バンプ20の存在により、焦電センサ素子3とベース基板6の素子搭載面8との間には、空隙21が形成される。空隙21の存在により、焦電センサ素子3は、ベース基板6への熱伝達に起因して感度が低下してしまうことが抑えられる。また、焦電センサ素子3は、ベース基板6の略中央に配置されている。従って、焦電センサ素子3の視野角θを効果的に確保できる。回路部品4は、FETや抵抗素子である。回路部品4は、焦電センサ素子3の周囲に配置される。   The pyroelectric sensor element 3 is mounted via two bumps 20 on two element electrodes 19 (electrodes) formed on the element mounting surface 8 of the base substrate 6. The bump 20 is formed, for example, by overlapping copper plating several times. The bump 20 preferably has a thickness of, for example, 50 to 200 micrometers or more. Due to the presence of the bump 20, a gap 21 is formed between the pyroelectric sensor element 3 and the element mounting surface 8 of the base substrate 6. Due to the presence of the air gap 21, the sensitivity of the pyroelectric sensor element 3 due to heat transfer to the base substrate 6 is suppressed. In addition, the pyroelectric sensor element 3 is disposed substantially at the center of the base substrate 6. Therefore, the viewing angle θ of the pyroelectric sensor element 3 can be effectively ensured. The circuit component 4 is an FET or a resistance element. The circuit component 4 is disposed around the pyroelectric sensor element 3.

焦電型赤外線センサ1の製造手順としては、先ず、ベース基板6に回路部品4を実装し、その後焦電センサ素子3を実装する。次に、ベース基板6に枠体7を接合する。そして、光学フィルタ5を枠体7に搭載後、封止樹脂18を充填する。焦電型赤外線センサ1は複数個同時に製造することができる。最後に、焦電型赤外線センサ1を切り分ける。焦電型赤外線センサ1は、各構成要素を下から順番に積み上げることができるので、製造し易い。   As a manufacturing procedure of the pyroelectric infrared sensor 1, first, the circuit component 4 is mounted on the base substrate 6, and then the pyroelectric sensor element 3 is mounted. Next, the frame body 7 is bonded to the base substrate 6. Then, after mounting the optical filter 5 on the frame body 7, the sealing resin 18 is filled. A plurality of pyroelectric infrared sensors 1 can be manufactured simultaneously. Finally, the pyroelectric infrared sensor 1 is separated. The pyroelectric infrared sensor 1 is easy to manufacture because each component can be stacked in order from the bottom.

また、光学フィルタ5を枠体7の金属膜15に接着しようとすると、温度変化や湿度変化などの環境変化によって接着面が弱まる虞がある。これに対し、本実施形態では、枠体7の光学フィルタ搭載面13全域に金属膜15を形成するのではなく、光学フィルタ搭載面13の外周の領域は金属膜15を形成せずあえて露出するようにしている。これにより、光学フィルタ5と枠体7との接着性、焦電型赤外線センサ1の気密性、及び、光学フィルタ5と枠体7との電気的な接続の3つを同時に満たしている。   Further, if the optical filter 5 is to be bonded to the metal film 15 of the frame body 7, the bonding surface may be weakened due to environmental changes such as temperature change and humidity change. On the other hand, in the present embodiment, the metal film 15 is not formed over the entire area of the optical filter mounting surface 13 of the frame body 7, but the outer peripheral region of the optical filter mounting surface 13 is intentionally exposed without forming the metal film 15. I am doing so. Accordingly, the adhesiveness between the optical filter 5 and the frame 7, the airtightness of the pyroelectric infrared sensor 1, and the electrical connection between the optical filter 5 and the frame 7 are satisfied at the same time.

以上に、本願の好適な実施形態を説明した。上記実施形態は、以下のような特徴を有する。   The preferred embodiment of the present application has been described above. The above embodiment has the following features.

焦電型赤外線センサ1は、ベース基板6と、ベース基板6上に搭載された焦電センサ素子3と、ベース基板6上に搭載され、焦電センサ素子3を囲む筒状の枠体7と、を備える。枠体7の内側側面10の全域に渡って金属膜15が形成されている。以上の構成によれば、焦電センサ素子3をベース基板6上に搭載することにしたので、枠体7の内側側面10の全域に渡って金属膜15を切れ目なく形成することができるようになる。また、枠体7の内側側面10の全域に渡って金属膜15が形成されているので、枠体7の内側側面10で発生したガスや粉塵によって焦電センサ素子3が汚染するのを抑制することができる。   The pyroelectric infrared sensor 1 includes a base substrate 6, a pyroelectric sensor element 3 mounted on the base substrate 6, and a cylindrical frame 7 mounted on the base substrate 6 and surrounding the pyroelectric sensor element 3. . A metal film 15 is formed over the entire inner side surface 10 of the frame body 7. According to the above configuration, since the pyroelectric sensor element 3 is mounted on the base substrate 6, the metal film 15 can be formed seamlessly across the entire inner side surface 10 of the frame body 7. Become. Further, since the metal film 15 is formed over the entire area of the inner side surface 10 of the frame body 7, the pyroelectric sensor element 3 is prevented from being contaminated by gas or dust generated on the inner side surface 10 of the frame body 7. be able to.

ベース基板6には、焦電センサ素子3が電気的に接続される素子電極19(電極)が形成されている。素子電極19と焦電センサ素子3の間には、バンプ20が介在している。以上の構成によれば、ベース基板6と焦電センサ素子3の間に空隙21(隙間)が確保されるので、焦電センサ素子3がベース基板6から遠ざかり、もって、ベース基板6への熱伝達による焦電センサ素子3の感度低下を抑制することができる。   An element electrode 19 (electrode) to which the pyroelectric sensor element 3 is electrically connected is formed on the base substrate 6. A bump 20 is interposed between the element electrode 19 and the pyroelectric sensor element 3. According to the above configuration, since the air gap 21 (gap) is secured between the base substrate 6 and the pyroelectric sensor element 3, the pyroelectric sensor element 3 moves away from the base substrate 6 and thus heat to the base substrate 6 is obtained. A decrease in sensitivity of the pyroelectric sensor element 3 due to transmission can be suppressed.

ベース基板6は、枠体7の内側側面10よりも外側に広がる金属膜15を有する。以上の構成によれば、焦電センサ素子3の耐電磁ノイズ性が向上する。   The base substrate 6 has a metal film 15 that spreads outside the inner side surface 10 of the frame body 7. According to the above configuration, the electromagnetic noise resistance of the pyroelectric sensor element 3 is improved.

焦電センサ素子3は、ベース基板6の略中央に配置されている。以上の構成によれば、焦電センサ素子3の視野角θを効果的に確保することができる。   The pyroelectric sensor element 3 is disposed substantially at the center of the base substrate 6. According to the above configuration, the viewing angle θ of the pyroelectric sensor element 3 can be effectively ensured.

また、上記実施形態では、焦電センサ素子3をベース基板6上に搭載しているので、焦電型赤外線センサ1の低背化に寄与している。   Moreover, in the said embodiment, since the pyroelectric sensor element 3 is mounted on the base substrate 6, it contributes to the low profile of the pyroelectric infrared sensor 1. FIG.

1 焦電型赤外線センサ
2 素子収容体
3 焦電センサ素子
4 回路部品
5 光学フィルタ
6 ベース基板
7 枠体
8 素子搭載面
9 底面
10 内側側面
11 金属層
12 電極
13 光学フィルタ搭載面
14 ベース対向面
15 金属膜
16 レジスト
17 接着剤
18 封止樹脂
19 素子電極
20 バンプ
21 空隙
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Pyroelectric infrared sensor 2 Element container 3 Pyroelectric sensor element 4 Circuit component 5 Optical filter 6 Base board 7 Frame body 8 Element mounting surface 9 Bottom surface 10 Inner side surface 11 Metal layer 12 Electrode 13 Optical filter mounting surface 14 Base facing surface 15 Metal film 16 Resist 17 Adhesive 18 Sealing resin 19 Element electrode 20 Bump 21 Gap

Claims (4)

ベース基板と、
前記ベース基板上に搭載された焦電センサ素子と、
前記ベース基板上に搭載され、前記焦電センサ素子を囲む筒状の枠体と、
を備え、
前記枠体は、多層プリント基板によって構成されており、
前記枠体の内側側面の全域、前記枠体の前記ベース基板に対向する面であるベース対向面、前記枠体の前記ベース対向面と反対側の面である光学フィルタ搭載面に金属膜が形成されている、
焦電型赤外線センサ。
A base substrate;
A pyroelectric sensor element mounted on the base substrate;
A cylindrical frame mounted on the base substrate and surrounding the pyroelectric sensor element;
With
The frame is composed of a multilayer printed board,
A metal film is formed on the entire inner side surface of the frame body, a base facing surface that is a surface facing the base substrate of the frame body, and an optical filter mounting surface that is a surface opposite to the base facing surface of the frame body. Being
Pyroelectric infrared sensor.
請求項1に記載の焦電型赤外線センサであって、
前記ベース基板には、前記焦電センサ素子が電気的に接続される電極が形成されており、
前記電極と前記焦電センサ素子の間には、バンプを形成している、
焦電型赤外線センサ。
The pyroelectric infrared sensor according to claim 1,
The base substrate is formed with an electrode to which the pyroelectric sensor element is electrically connected,
A bump is formed between the electrode and the pyroelectric sensor element.
Pyroelectric infrared sensor.
請求項1又は2に記載の焦電型赤外線センサであって、
前記ベース基板は、前記枠体の前記内側側面よりも外側に広がる金属膜を有する、
焦電型赤外線センサ。
The pyroelectric infrared sensor according to claim 1 or 2,
The base substrate has a metal film that spreads outside the inner side surface of the frame,
Pyroelectric infrared sensor.
請求項1〜3の何れかに記載の焦電型赤外線センサであって、
前記焦電センサ素子は、前記ベース基板の略中央に配置されている、
焦電型赤外線センサ。
The pyroelectric infrared sensor according to any one of claims 1 to 3,
The pyroelectric sensor element is disposed substantially at the center of the base substrate.
Pyroelectric infrared sensor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP3049276B2 (en) * 1990-12-28 2000-06-05 京セラ株式会社 Toner for developing electrostatic latent images
JP4158830B2 (en) * 2005-11-25 2008-10-01 松下電工株式会社 Method for manufacturing thermal infrared detector
JP5837778B2 (en) * 2011-08-30 2015-12-24 シチズン電子株式会社 Pyroelectric infrared sensor and manufacturing method thereof
JP5465288B2 (en) * 2012-08-08 2014-04-09 Necトーキン株式会社 Infrared sensor
JP6236929B2 (en) * 2012-09-26 2017-11-29 日本電気株式会社 Hermetic sealing package and manufacturing method thereof
JP6225564B2 (en) * 2013-08-30 2017-11-08 オムロン株式会社 Infrared sensor module

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