JP6047261B2 - 化合物、並びにそれを含有する有機半導体材料、有機半導体インク及び有機トランジスタ - Google Patents

Description

本発明は、メソゲン骨格を有する化合物、それを含有する有機半導体材料、有機半導体インク及び有機トランジスタに関する。

従来、アモルファスシリコンや多結晶シリコンを用いてなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置などのスイッチング素子として広く用いられている。しかし、これらシリコンを用いたＴＦＴの作製に用いられるＣＶＤ装置は、高価であるため、大型のＴＦＴ素子の製造は製造コストの増大を招くことになる。また、シリコン材料は高温下で製膜されるため、今後フレキシブルディスプレイの基板候補であるプラスチック基板には耐熱性の問題から展開できない。これを解決するために、シリコン半導体に代えて、有機半導体材料をチャネル（半導体層）に用いた有機ＴＦＴが提案されている。

有機半導体材料はインク化することで、低温で印刷製膜できるため、大規模な製造設備を必要とせず、また、耐熱性の乏しいプラスチック基板にも適用でき、フレキシブルエレクトロニクスへの応用が期待されている。一方、有機半導体材料はシリコン半導体に比べ、半導体特性（移動度）が低く、その結果、ＴＦＴの応答速度が遅くなることが実用化の課題であったが、近年、アモルファスシリコンの移動度を凌駕する有機半導体材料が開発されてきた。

例えば、特許文献１には、ジナフト［２，３−ｂ：２’，３’−ｆ］チエノ［３，２−ｂ］チオフェン骨格（以下、ジナフトチエノチオフェンをＤＮＴＴと略する）を有する化合物が、真空蒸着膜において〜４．０ｃｍ^２／Ｖｓの移動度を示すことが報告されている。

更に、特許文献２には、種々の置換基を有するＶ字型構造の化合物が開示されており、エッジキャスト法という特別な方法で塗布製膜したものが〜１１ｃｍ^２／Ｖｓの高い移動度を示すこと、また、特許文献３には、フェニル置換のナフトジカルコゲン化合物が〜０．７ｃｍ^２／Ｖｓの移動度を示すことなどが報告され、アモルファスシリコンの移動度（〜０．５ｃｍ^２／Ｖｓ）を超えた材料の報告が相次いでいる。π共役が拡張された分子を採用し、キャリア流路を確保できるよう均質な有機半導体膜を作製することで得られた結果である。
一方、特許文献４には、フェニルエチニル基を有するアントラセン誘導体が開示されているが、その移動度は〜０．１ｃｍ^２／Ｖｓであったという。単純に共役系を拡張するだけでは高い移動度が得られず、キャリア流路が確保できるようπ共役を並べるための分子設計が必要であることを示唆している。

このように有機半導体の移動度は高まっているが、印刷製膜により高い移動度の半導体膜を得るためには、未だ課題が山積している。第一に、前記の如く移動度の高い化合物は多環芳香族のためインク化に必要な溶剤溶解性が乏しい。第二に、前記化合物の多くは、湿式製膜性が乏しく、湿式法で形成される前記化合物の膜は、部分的に結晶化するなど、高い移動度を得ることができない。特に、インクジェット法やノズル印刷法など、実用的な印刷法に通ずる“液滴のキャストとその乾燥”によって形成される膜では高移動度化は困難であった。

これに対し、液晶相を呈する化合物よりなる有機半導体材料について、液晶相を経て製膜された半導体膜が、近年、アモルファス有機半導体材料をはるかに上回る高い移動度を示すことが見出され、注目されている。なかでも、特許文献５には、結晶相に近い高次の液晶相を持つ材料が開示されており、配向秩序性が高い有機半導体膜が得られるため、高い移動度を示すという。

国際公開第２０１２／１１５２３６号パンフレット 国際公開第２０１３／１２５５９９号パンフレット 国際公開第２０１０／０５８６９２号パンフレット 国際公開第２００９／１２５７２１号パンフレット 国際公開第２０１２／１２１３９３号パンフレット

従来材料は、溶剤への溶解性が乏しいため、常温で化合物の析出が生ずるなどインクを調製することが困難であった。また、湿式法による製膜時に分子配列の乱れが生じたり部分的に結晶化するなど、高い移動度を得るためには、煩雑な熱処理や特殊な製膜方法により分子を並べる必要がある。

そこで、本発明の課題は、溶剤への溶解性に優れ、複雑なプロセスを経由せずとも容易に（即ち、インク液滴をキャストし、そのものを乾燥するだけで）、高い移動度の膜を与える化合物、及びそれを用いた有機半導体材料を提供すること、更には、実用的な構成の有機トランジスタを簡便に作製できる有機半導体インクを提供することである。

本発明では、鋭意検討を行ったところ、特定の置換基を有するメソゲン骨格からなる化合物は、溶剤溶解性に優れる故に有機半導体インクとしての適性を有し、煩雑な熱処理を必要とせず、簡便な湿式法（即ち、“インク液滴をキャストし、そのものを乾燥する”だけの方法）であっても、均質で高い移動度の有機半導体膜を形成することを見出し、本発明を完成するに至った。

本発明によれば、溶剤への溶解性に優れ、高い移動度を示す化合物、該化合物を含有する有機半導体材料、有機半導体インクならびに有機トランジスタを提供することができる。

トップコンタクト型トランジスタの概念図である。 ボトムコンタクト型トランジスタの概念図である。

即ち、本発明は以下の項目から構成される。
１． 一般式（１）で表される化合物、

（Ｒ_１は、芳香族炭化水素基又は複素芳香族環基を表し、当該芳香族炭化水素基及び当該複素芳香族環基中の１つ又は２つ以上の水素原子は、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、ハロゲノ基、芳香族炭化水素基、複素芳香族環基、又はニトリル基で置換されていてもよく、当該アルキル基は該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−が、任意に、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲノ基又はニトリル基によって置換されていてもよい（ただし、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す）。
Ｒ_２はフェニレン基（−Ｃ_６Ｈ_４−）、ｐは０又は１の整数を表す。
ＭＳＧは、
（ａ）一般式（２）乃至（１０）から選ばれるメソゲン骨格（ただし、芳香族炭化水素、化学式（１１）、化学式（１３）、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、及びターチオフェンである場合を除く）
又は、
（ｂ）化学式（１１）、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、ターチオフェン、及び一般式（１２）からなる群より選ばれるメソゲン骨格
であり、
ＭＳＧが、（ａ）一般式（２）乃至（１０）から選ばれるメソゲン骨格（ただし、芳香族炭化水素、化学式（１１）、化学式（１３）、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、及びターチオフェンである場合を除く）である場合、当該ＭＳＧの水素原子のうち一つがＲ_１−Ｃ≡Ｃ−（Ｒ_２）_ｐ−基で置換されており、それ以外の水素原子は、ハロゲノ基、非環式若しくは環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルキル基を置換基として有する芳香族炭化水素基、又はニトリル基で置換されていても良く、当該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−が、任意に、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲノ基又はニトリル基によって置換されていてもよく（ただし、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す）、
ＭＳＧが、（ｂ）化学式（１１）、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、ターチオフェン、及び一般式（１２）からなる群より選ばれるメソゲン骨格である場合、二つある末端の環のうち一方の環の水素原子がＲ_１−Ｃ≡Ｃ−（Ｒ_２）_ｐ−基で置換されており、もう一方の環の水素原子が非環式若しくは環式の炭素原子数２〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い芳香族炭化水素基、又は炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い複素芳香族環基で置換されており、それ以外の水素原子は、非環式若しくは環式の炭素原子数２〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い芳香族炭化水素基、炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い複素芳香族環基、トリアルキルシリルエチニル基、ハロゲノ基又はニトリル基で置換されていてもよく、当該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、任意に、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲノ基又はニトリル基によって置換されていてもよい（ただし、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す）。）

（ｋおよびｌは各々独立して０〜３の整数、Ｘはカルコゲン原子を表し、Ａｒは、式（１４）乃至（５１）から選ばれる、縮合環を形成する４価の基である。）

（ｌおよびＸは前記と同義である。）
２．１．に記載の化合物を含有する有機半導体材料。
３．１．に記載の化合物を含有する有機半導体インク。
４．２．に記載の有機半導体材料を用いた有機半導体デバイス。
５．２．に記載の有機半導体材料を用いた有機トランジスタ。

（一般式（１）で表される化合物）
一般式（１）で表される化合物は、特定の構造を有するメソゲン骨格に、単結合またはフェニレン基を介して三重結合（アセチレン部位）が結合した化合物である。メソゲン骨格は、前記一般式（２）〜（１２）で表される基である特徴を有する。
また、本化合物のＲ_１、Ｒ_２、ｐ及びＭＳＧ（メソゲン基）はそれぞれ以下を表す。

Ｒ_１；芳香族炭化水素基又は複素芳香族環基を表し、当該芳香族炭化水素基及び当該複素芳香族環基中の１つ又は２つ以上の水素原子は、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、ハロゲン原子、芳香族炭化水素基、複素芳香族環基、又はニトリル基で置換されていてもよく、当該アルキル基は該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−が、任意に、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子又はニトリル基によって置換されていてもよい（ただし、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す）。

Ｒ_２はフェニレン基（−Ｃ_６Ｈ_４−）を表す。

また、ｐは０又は１の整数を表す。

更に、ＭＳＧは、前記一般式（２）乃至（１２）から選ばれるメソゲン骨格であり、
ＭＳＧが（２）乃至（１０）である場合（ただし、芳香族炭化水素、化学式（１１）、化学式（１３）、チノチオフェン、ジチエノチオフェン、及びターチオフェンである場合を除く）、当該ＭＳＧの水素原子のうち一つがＲ_１−Ｃ≡Ｃ−（Ｒ_２）_ｐ−基で置換されており、それ以外の水素原子は、ハロゲノ基、非環式若しくは環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルキル基を置換基として有する芳香族炭化水素基、又はニトリル基で置換されていても良く、当該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−が、任意に、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲノ基又はニトリル基によって置換されていてもよく（ただし、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す）、

また、ＭＳＧが、化学式（１１）、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、ターチオフェン、及び一般式（１２）からなる群より選ばれるメソゲン骨格である場合、二つある末端の環のうち一方の環の水素原子がＲ_１−Ｃ≡Ｃ−（Ｒ_２）_ｐ−基で置換されており、もう一方の環の水素原子が非環式若しくは環式の炭素原子数２〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い芳香族炭化水素基、又は炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い複素芳香族環基で置換されており、それ以外の水素原子は、非環式若しくは環式の炭素原子数２〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い芳香族炭化水素基、炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い複素芳香族環基、トリアルキルシリルエチニル基、ハロゲノ基又はニトリル基で置換されていてもよく、当該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、任意に、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲノ基又はニトリル基によって置換されていてもよい（ただし、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す）。

先ずＲ_１について説明する。Ｒ_１は芳香族炭化水素基または複素芳香族環基を表し、その１つ又は２つ以上の水素原子は、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、ハロゲノ基、フェニル基やナフチル基などの芳香族炭化水素基、チエニル基やフリル基やピロリル基などの複素芳香族環基、又はニトリル基で置換されていてもよく、当該アルキル基は該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−が、任意に、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子又はニトリル基によって置換されていてもよい。ただし、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す）。

具体的には、Ｒ_１における芳香族炭化水素基または複素芳香族環基は、（Ａ−１）無置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−２）ハロゲン化芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−３）芳香族炭化水素基または複素芳香族環基が単結合で連結した芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−４）ニトリル化芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−５）炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−６）炭素数３〜２０の脂環式アルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−７）炭素原子数１〜１９のアルコキシ基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−８）炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−９）炭素原子数２〜２０のアルケニル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−１０）炭素原子数２〜２０のアルカノイル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−１１）炭素原子数３〜２０のアルカノイルアルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−１２）炭素原子数２〜２０のアルコキシカルボニル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−１３）炭素原子数２〜２０のアルカノイルオキシ基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−１４）炭素原子数１〜１９のアルキルスルファニル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−１５）炭素原子数２〜１９のアルキルスルファニルアルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−１６）炭素原子数１〜１９のアルキルスルホニル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−１７）炭素原子数２〜１９のアルキルスルホニルアルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−１８）炭素原子数１〜１９のアルキルスルフィニル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−１９）炭素原子数２〜１９のアルキルスルフィニルアルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−２０）炭素原子数１〜１９のアルキルアミノ基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−２１）炭素原子数２〜１９のアルキルアミノアルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−２２）炭素原子数２〜２０のアルキニル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基である。

上記のＲ_１中でも、製膜性と移動度の向上の観点から、Ｒ_１における芳香族炭化水素基と複素芳香族環基は、（Ａ−１）無置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−２）ハロゲン化芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−３）芳香族炭化水素基または複素芳香族環基が単結合で連結した芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−５）炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−６）炭素数１〜２０の脂環式アルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−７）炭素原子数１〜１９のアルコキシ基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−８）炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−９）炭素原子数２〜２０のアルケニル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−１４）炭素原子数１〜１９のアルキルスルファニル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−１５）炭素原子数２〜１９のアルキルスルファニルアルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−２０）炭素原子数１〜１９のアルキルアミノ基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−２１）炭素原子数２〜１９のアルキルアミノアルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−２２）炭素原子数２〜２０のアルキニル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基であることが好ましく、
より高い移動度の化合物を得るために、（Ａ−１）無置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−２）ハロゲン化芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−３）芳香族炭化水素基または複素芳香族環基が単結合で連結した芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−５）炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−６）炭素数１〜２０の脂環式アルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−７）炭素原子数１〜１９のアルコキシ基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、（Ａ−８）炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基、であることが更に好ましい。

上述したＲ_１の更に好ましい構造において、炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−エイコシル基などの直鎖アルキル基；
イソプロピル基、イソブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、１−メチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、１−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘプチル基、２−プロピルペンチル基、２，２−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチル−４−ヘプチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、１−メチルデシル基、１−ヘキシルヘプチル基などの分岐アルキル基を挙げることができる。

炭素原子数３〜２０の脂環式アルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。

また、炭素原子数１〜１９のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ステアリルオキシ基などが挙げられる。

更に、炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基としては、２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基、２−ｎ−プロポキシエチル基、２−イソプロポキシエチル基、２−ｎ−ブトキシエチル基、２−ｎ−ヘキシルオキシエチル基、２−（２’−エチルブチルオキシ）エチル基、２−ｎ−ヘプチルオキシエチル基、２−ｎ−オクチルオキシエチル基、２−（２’−エチルヘキシルオキシ）エチル基、２−ｎ−デシルオキシエチル基、２−ｎ−ドデシルオキシエチル基、２−ｎ−テトラデシルオキシエチル基、２−シクロヘキシルオキシエチル基、２−メトキシプロピル基、３−メトキシプロピル基、３−エトキシプロピル基、３−ｎ−プロポキシプロピル基、３−イソプロポキシプロピル基、３−ｎ−ブトキシプロピル基、３−ｎ−ペンチルオキシプロピル基、３−ｎ−ヘキシルオキシプロピル基、３−（２’−エチルブトキシ）プロピル基、３−ｎ−オクチルオキシプロピル基、３−（２’−エチルヘキシルオキシ）プロピル基、３−ｎ−デシルオキシプロピル基、３−ｎ−ドデシルオキシプロピル基、３−ｎ−テトラデシルオキシプロピル基、３−シクロヘキシルオキシプロピル基、４−メトキシブチル基、４−エトキシブチル基、４−ｎ−プロポキシブチル基、４−イソプロポキシブチル基、４−ｎ−ブトキシブチル基、４−ｎ−ヘキシルオキシブチル基、４−ｎ−オクチルオキシブチル基、４−ｎ−デシルオキシブチル基、４−ｎ−ドデシルオキシブチル基、５−メトキシペンチル基、５−エトキシペンチル基、５−ｎ−プロポキシペンチル基、５−ｎ−ペンチルオキシペンチル基、６−メトキシヘキシル基、６−エトキシヘキシル基、６−イソプロポキシヘキシル基、６−ｎ−ブトキシヘキシル基、６−ｎ−ヘキシルオキシヘキシル基、６−ｎ−デシルオキシヘキシル基、４−メトキシシクロヘキシル基、７−メトキシヘプチル基、７−エトキシヘプチル基、７−イソプロポキシヘプチル基、８−メトキシオクチル基、８−エトキシオクチル基、９−メトキシノニル基、９−エトキシノニル基、１０−メトキシデシル基、１０−エトキシデシル基、１０−ｎ−ブトキシデシル基、１１−メトキシウンデシル基、１２−メトキシドデシル基、１２−エトキシドデシル基、１２−イソプロポキシドデシル基、１４−メトキシテトラデシル基、シクロヘキシルオキシエチル基、シクロヘキシルオキシプロピル基などが挙げられる。

上述の更に好ましいＲ_１を具体的に例示すると、（Ａ−１）無置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基としては、フェニル基、ナフチル基、アズレニル基、アセナフテニル基、アントラニル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基などの無置換の炭素数６〜２４の単環または多環式芳香族炭化水素基；
ピロリル基、インドリル基、フリル基、チエニル基、イミダゾリル基、ベンゾフリル基、トリアゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、ベンゾチエニル基、ピラゾリル基、インドリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、インドリニル基、チアゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、チアジアジニル基、オキサジアゾリル基、ベンゾキノリニル基、チアジアゾリル基、ピロロチアゾリル基、ピロロピリダジニル基、テトラゾリル基、オキサゾリル基など、無置換の５員環または６員環の複素芳香族基や、該複素芳香族基にベンゼンが縮合した多環式複素芳香族基；

（Ａ−２）ハロゲン化芳香族炭化水素基または複素芳香族環基としては、４−フルオロフェニル基、２，６−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、２，３，４，５，６−パーフルオロフェニル基、フルオロピリジニル基、フルオロインドリル基など、前記の芳香族炭化水素基又は複素芳香族環基がフルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基などのハロゲノ基で置換されたものが挙げられる。

（Ａ−３）芳香族炭化水素基または複素芳香族環基が単結合で連結した芳香族炭化水素基または複素芳香族環基としては、ビフェニル基、ターフェニル基、ビナフチル基、ビピリジル基、ビチエニル基、テルチエニル基、クアテルチエニル基、キンクチエニル基、セキシチエニル基、フリルフェニル基、チエニルフェニル基などが挙げられる。

（Ａ−５）炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基としては、トリル基、キシリル基、エチルフェニル基、ｎ−プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ｎ−ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル基、ｎ−ペンチルフェニル基、ｎ−ヘキシルフェニル基、ｎ−ヘプチルフェニル基、ｎ−オクチルフェニル基、２−エチルヘキシルフェニル基、ｎ−デカフェニル基、ステアリルフェニル基、５−メチルチエニル基、５−ヘキシルチエニル基、５−デカチエニル基、５−ステアリルチエニル基などが挙げられる。

（Ａ−６）炭素数１〜２０の脂環式アルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基としては、シクロヘキシルフェニル基、４−メチルシクロヘキシルフェニル基、４−エチルシクロヘキシルフェニル基などが挙げられる。

（Ａ−７）炭素原子数１〜１９のアルコキシ基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基としては、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロポキシフェニル基、イソプロポキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、ドデシルオキシフェニル基、ステアリルオキシフェニル基などが挙げられる。

また、（Ａ−８）炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基置換の芳香族炭化水素基または複素芳香族環基としては、４−（２−エトキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−ヘキシルオキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−ヘプチルオキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−テトラデシルオキシエチル）フェニル基、４−（２−シクロヘキシルオキシエチル）フェニル基、４−（１２−エトキシドデシル）フェニル基、４−（シクロヘキシルオキシエチル）フェニル基、５−（２−エトキシエチル）チエニル基、５−（２−ｎ−テトラデシルオキシエチル）チエニル基、５−（２−シクロヘキシルオキシエチル）チエニル基、５−（１２−エトキシドデシル）チエニル基などが挙げられる。

次に、本発明の一般式（１）で表される化合物のＭＳＧ（メソゲン基）について説明する。ＭＳＧは、一般式（２）乃至（１０）から選ばれるメソゲン骨格（ただし、芳香族炭化水素、化学式（１１）、化学式（１３）、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、及びターチオフェンである場合を除く）である場合、当該ＭＳＧの水素原子のうち一つがＲ_１−Ｃ≡Ｃ−（Ｒ_２）_ｐ−基で置換されており、それ以外の水素原子は、ハロゲノ基、非環式若しくは環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルキル基を置換基として有する芳香族炭化水素基、又はニトリル基で置換されていても良く、当該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−が、任意に、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲノ基又はニトリル基によって置換されていてもよく（ただし、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す）、
ＭＳＧが、化学式（１１）、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、ターチオフェン、及び一般式（１２）からなる群より選ばれるメソゲン骨格である場合、二つある末端の環のうち一方の環の水素原子がＲ_１−Ｃ≡Ｃ−（Ｒ_２）_ｐ−基で置換されており、もう一方の環の水素原子が非環式若しくは環式の炭素原子数２〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い芳香族炭化水素基、又は炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い複素芳香族環基で置換されており、それ以外の水素原子は、非環式若しくは環式の炭素原子数２〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い芳香族炭化水素基、炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い複素芳香族環基、トリアルキルシリルエチニル基、ハロゲノ基又はニトリル基で置換されていてもよく、当該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、任意に、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲノ基又はニトリル基によって置換されていてもよい（ただし、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す）。

先ず、ＭＳＧが一般式（２）乃至（１０）から選ばれるメソゲン骨格（ただし、芳香族炭化水素、化学式（１１）、化学式（１３）、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、及びターチオフェンである場合を除く）である場合、具体的には化１７〜化１９で例示できる。ただし、化１７〜化１９において、Ｘは酸素原子、硫黄原子、セレン原子を表す。

ＭＳＧ（メソゲン基）の縮環数が多くなると、π共役が拡張して移動度が高くなる傾向がある一方、溶媒への溶解性が低下することになる。従って、移動度と溶解性のバランスから、メソゲン基の縮環数は好ましくは３〜８であり、より好ましくは４〜７である。

また、メソゲン基に複素芳香族環を含むと、高電子密度化により移動度が高くなることに加え、得られる化合物の大気安定性が向上する傾向がある。従って、本発明の化合物を有機半導体インクとして使用する場合においては、当該メソゲン基は芳香族炭化水素基よりも複素芳香族環基であることが特に好ましい。

以上を勘案して、特に好ましいメソゲン骨格は具体的には化２０で表される。

また、メソゲン基骨格の合成や、製膜性を得るためのメソゲン基の水素原子のうち一つへのＲ_１−Ｃ≡Ｃ−基の導入の容易さから、さらに好ましいメソゲン骨格は、化２１で現される。

また、本発明の化合物の構成成分である上記のメソゲン基は、水素原子のうち一つがＲ_１−Ｃ≡Ｃ−（Ｒ_２）_ｐ−基で置換されており、それ以外の水素原子が、フルオロ基やクロロ基やブロモ基やヨード基等のハロゲノ基、ニトリル基、又は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基で置換されていても良い。ここで、当該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、任意に、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲノ基又はニトリル基によって置換されていてもよい（ただし、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す）。

本発明のメソゲン基の置換基となる、−ＣＨ_２−が−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されていてもよいアルキルとは、（Ｂ−１）炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基、（Ｂ−２）炭素数３〜２０の脂環式アルキル基、（Ｂ−３）炭素原子数１〜１９のアルコキシ基、（Ｂ−４）炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基、（Ｂ−５）炭素原子数２〜２０のアルケニル基、（Ｂ−６）炭素原子数２〜２０のアルカノイル基、（Ｂ−７）炭素原子数３〜２０のアルカノイルアルキル基、（Ｂ−８）炭素原子数２〜２０のアルコキシカルボニル基、（Ｂ−９）炭素原子数２〜２０のアルカノイルオキシ基、（Ｂ−１０）炭素原子数１〜１９のアルキルスルファニル基、（Ｂ−１１）炭素原子数２〜１９のアルキルスルファニルアルキル基、（Ｂ−１２）炭素原子数１〜１９のアルキルスルホニル基、（Ｂ−１３）炭素原子数２〜１９のアルキルスルホニルアルキル基、（Ｂ−１４）炭素原子数１〜１９のアルキルスルフィニル基、（Ｂ−１５）炭素原子数２〜１９のアルキルスルフィニルアルキル基、（Ｂ−１６）炭素原子数１〜１９のアルキルアミノ基、（Ｂ−１７）炭素原子数２〜１９のアルキルアミノアルキル基、（Ｂ−１８）炭素原子数２〜２０のアルキニル基である。

本発明の一般式（１）で表される化合物の溶解性を高め、製膜性と移動度を向上させるために上記の基のなかでも、（Ｂ−１）炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基、（Ｂ−２）炭素数３〜２０の脂環式アルキル基、（Ｂ−３）炭素原子数１〜１９のアルコキシ基、（Ｂ−４）炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基、（Ｂ−５）炭素原子数２〜２０のアルケニル基、（Ｂ−１０）炭素原子数１〜１９のアルキルスルファニル基、（Ｂ−１１）炭素原子数２〜１９のアルキルスルファニルアルキル基、または（Ｂ−１８）炭素原子数２〜２０のアルキニル基であることが好ましく、更に、高い移動度の化合物を得るために上記の基は、（Ｂ−１）炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基、（Ｂ−３）炭素原子数１〜１９のアルコキシ基、（Ｂ−４）炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基であることが特に好ましい。

特に好ましい当該アルキル基を例示すると、（Ｂ−１）炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−エイコシル基などの直鎖アルキル基；
イソプロピル基、イソブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、１−メチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、１−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘプチル基、２−プロピルペンチル基、２，２−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチル−４−ヘプチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、１−メチルデシル基、１−ヘキシルヘプチル基などの分岐アルキル基；
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基など環状のアルキル基等を挙げることができる。

また、（Ｂ−３）炭素原子数１〜１９のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ステアリルオキシ基などが挙げられる。

更に、（Ｂ−４）炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基としては、２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基、２−ｎ−プロポキシエチル基、２−イソプロポキシエチル基、２−ｎ−ブトキシエチル基、２−ｎ−ヘキシルオキシエチル基、２−（２’−エチルブチルオキシ）エチル基、２−ｎ−ヘプチルオキシエチル基、２−ｎ−オクチルオキシエチル基、２−（２’−エチルヘキシルオキシ）エチル基、２−ｎ−デシルオキシエチル基、２−ｎ−ドデシルオキシエチル基、２−ｎ−テトラデシルオキシエチル基、２−シクロヘキシルオキシエチル基、２−メトキシプロピル基、３−メトキシプロピル基、３−エトキシプロピル基、３−ｎ−プロポキシプロピル基、３−イソプロポキシプロピル基、３−ｎ−ブトキシプロピル基、３−ｎ−ペンチルオキシプロピル基、３−ｎ−ヘキシルオキシプロピル基、３−（２’−エチルブトキシ）プロピル基、３−ｎ−オクチルオキシプロピル基、３−（２’−エチルヘキシルオキシ）プロピル基、３−ｎ−デシルオキシプロピル基、３−ｎ−ドデシルオキシプロピル基、３−ｎ−テトラデシルオキシプロピル基、３−シクロヘキシルオキシプロピル基、４−メトキシブチル基、４−エトキシブチル基、４−ｎ−プロポキシブチル基、４−イソプロポキシブチル基、４−ｎ−ブトキシブチル基、４−ｎ−ヘキシルオキシブチル基、４−ｎ−オクチルオキシブチル基、４−ｎ−デシルオキシブチル基、４−ｎ−ドデシルオキシブチル基、５−メトキシペンチル基、５−エトキシペンチル基、５−ｎ−プロポキシペンチル基、５−ｎ−ペンチルオキシペンチル基、６−メトキシヘキシル基、６−エトキシヘキシル基、６−イソプロポキシヘキシル基、６−ｎ−ブトキシヘキシル基、６−ｎ−ヘキシルオキシヘキシル基、６−ｎ−デシルオキシヘキシル基、４−メトキシシクロヘキシル基、７−メトキシヘプチル基、７−エトキシヘプチル基、７−イソプロポキシヘプチル基、８−メトキシオクチル基、８−エトキシオクチル基、９−メトキシノニル基、９−エトキシノニル基、１０−メトキシデシル基、１０−エトキシデシル基、１０−ｎ−ブトキシデシル基、１１−メトキシウンデシル基、１２−メトキシドデシル基、１２−エトキシドデシル基、１２−イソプロポキシドデシル基、１４−メトキシテトラデシル基、シクロヘキシルオキシエチル基、シクロヘキシルオキシプロピル基などが挙げられる。

また、ＭＳＧが、化学式（１１）、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、ターチオフェン、及び一般式（１２）からなる群より選ばれるメソゲン骨格である場合、二つある末端の環のうち一方の環の水素原子がＲ_１−Ｃ≡Ｃ−（Ｒ_２）_ｐ−基で置換されており、もう一方の環の水素原子が非環式若しくは環式の炭素原子数２〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い芳香族炭化水素基、又は炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い複素芳香族環基で置換されている。
このような非環式若しくは環式の炭素原子数２〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い芳香族炭化水素基、又は炭素原子数２〜２０のアルキル基で置換されていても良い複素芳香族環基としては、前記の（Ａ−５）、（Ａ−６）、及び（Ｂ−１）に記載の基が挙げられる。

次に、本発明の一般式（１）で表される化合物のＲ_２は、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、又は１，４−フェニレン基であり、ｐは０又は１の整数である。ｐが１の場合には、前記のＭＳＧとフェニレン基が連結し、一つの電荷輸送ユニットとして働くため、前記のＭＳＧの縮環数が少ない場合においても、高い移動度の化合物を得ることができる。より高い移動度を得るために、フェニレン基は１，４−フェニレン基が好ましい。また、前記ＭＳＧとフェニレン基が連結する場合（即ちｐが１の場合）、ＭＳＧの縮環数は好ましくは２〜７であり、移動度と溶解性とのバランスを考慮すると、３〜６であることが更に好ましい。

ＭＳＧとフェニレン基が連結する場合（即ちｐが１の場合）の好ましい構造としては、化２２が挙げられる。

また、メソゲン基骨格の合成や、製膜性を得るためのメソゲン基の水素原子のうち一つへのＲ_１−Ｃ≡Ｃ−（Ｒ_２）_ｐ−基（Ｐ＝１の場合）の導入の容易さから、さらに好ましいメソゲン骨格の構造としては、化２３が挙げられる。

上述の通り、本発明に係る好ましい構造としては、下記一般式（５２）が挙げられる。

（Ｒ_３は、芳香族炭化水素基又は複素芳香族環基を表し、当該芳香族炭化水素基及び当該複素芳香族環基中の１つ又は２つ以上の水素原子は、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、またはハロゲノ基で置換されていてもよく、当該アルキル基は該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−が、任意に、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲノ基又はニトリル基によって置換されていてもよい（ただし、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す）。
ＭＳＧ’は、前記一般式（２）乃至（１０）、又は前記一般式（１１）、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、ターチオフェンから選ばれるメソゲン骨格であり、当該ＭＳＧ’の水素原子のうち一つがＲ_３−Ｃ≡Ｃ−（Ｒ_２）_ｐ−基で置換されており、それ以外の水素原子は、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基で置換されていても良く、当該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、任意に、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲノ基又はニトリル基によって置換されていてもよい（ただし、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す）。
Ｒ_２及びｐは前記と同義である。）

ＭＳＧ’の縮環数が多くなると、π共役が拡張して移動度が高くなる傾向がある一方、溶媒への溶解性が低下することになる。従って、移動度と溶解性のバランスから、メソゲン基の縮環数は好ましくは２〜７であり、より好ましくは３〜６である。

また、ＭＳＧ’に複素芳香族環を含むと、高電子密度化により移動度が高くなることに加え、得られる化合物の大気安定性が向上する傾向がある。従って、本発明の化合物を有機半導体インクとして使用する場合においては、当該ＭＳＧ’は芳香族炭化水素基よりも複素芳香族環基であることが特に好ましい。

以上を勘案して、特に好ましいＭＳＧ’骨格は具体的には前記記載の化２０で表される。

また、ＭＳＧ’骨格の合成や、製膜性を得るためのＭＳＧ’の水素原子のうち一つへのＲ_３−Ｃ≡Ｃ−（Ｒ_２）_ｐ基の導入の容易さから、さらに好ましいメソゲン骨格は、前記記載の化２１で現される。

更に、本発明の化合物は、特に、下記一般式（５３）で表される化合物が好ましい。

（Ｒ_４は、芳香族炭化水素基又は複素芳香族環基を表し、当該芳香族炭化水素基及び当該複素芳香族環基中の１つ又は２つ以上の水素原子は、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、またはハロゲノ基で置換されていてもよく、当該アルキル基は該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−が、任意に、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−で置換されてもよい。
ＭＳＧ’’は、前記一般式（２）乃至（１０）、又は前記一般式（１１）、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、ターチオフェンから選ばれるメソゲン骨格であり、当該ＭＳＧ’’の水素原子のうち一つがＲ_４−Ｃ≡Ｃ−（Ｒ_２）_ｐ−基で置換されており、それ以外の水素原子のうち少なくとも一つはＲ_５で置換されている。
Ｒ_５は非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基を表し、当該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、任意に、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−で置換されていてもよい。Ｒ_２及びｐは前記と同義である。）

ＭＳＧ’’の縮環数が多くなると、π共役が拡張して移動度が高くなる傾向がある一方、溶媒への溶解性が低下することになる。従って、移動度と溶解性のバランスから、メソゲン基の縮環数は好ましくは２〜７であり、より好ましくは３〜６である。

また、ＭＳＧ’’に複素芳香族環を含むと、高電子密度化により移動度が高くなることに加え、得られる化合物の大気安定性が向上する傾向がある。従って、本発明の化合物を有機半導体インクとして使用する場合においては、当該ＭＳＧ’’は芳香族炭化水素基よりも複素芳香族環基であることが特に好ましい。

以上を勘案して、特に好ましいＭＳＧ’’骨格は具体的には前記記載の化２０で表される。

また、ＭＳＧ’’骨格の合成や、製膜性を得るためのＭＳＧ’’の水素原子のうち一つへのＲ_４−Ｃ≡Ｃ−（Ｒ_２）_ｐ基の導入の容易さから、さらに好ましいＭＳＧ’’骨格は、前記記載の化２１で現される。

更に、本発明の具体的な化合物として、化２６〜化２９を挙げることができるが、これらに限られるものではない。

(本発明化合物の合成)
本発明化合物の合成は、公知慣用の方法を組み合わせて行うことができる。
合成経路の一例は、以下を挙げることができる。

(合成ルートの一例)
上述の化２６の（ＩＶ−２）で表される化合物の場合、化３０で示されるスキームによって合成できる。

先ず１，５−ジヒドロキシナフタレンとハロゲン化剤とを反応させ、ジハロゲノジヒドロキシナフタレン（４−２ａ）を得る。
ハロゲン化剤としては、例えば、塩素、塩化スルフリル等の塩素化剤；臭素、Ｎ−ブロモイソシアヌル酸ナトリウム、Ｎ−ブロモスクシニックイミド、Ｎ-ブロモフタリックイミド等の臭素化剤；ヨウ素、塩化ヨウ素、Ｎ−ヨードスクシニックイミド等のヨウ素化剤等が挙げられ、これらは単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。
ハロゲン化剤の使用量は、目的とするジハロゲン体が得られる範囲であれば限定されないが、一般的にはジヒドロキナフタレンに対し通常１〜５０当量であり、ジハロゲン体の収率を高め、多ハロゲン体の副生を抑制するためには、１．８〜５当量が好ましい。
溶媒としては、反応に不活性である限り特に制限はなく、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、ジブチルエーテル等のエーテル溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル等のエステル溶媒、ｎ−ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、シクロペンタン等の脂肪族炭化水素溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化溶媒、トルエン、ベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロジノン等のアミド溶媒、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄溶媒、アセトニトリル、バレロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル溶媒、酢酸、プロピオン酸、酪酸等のカルボン酸溶媒等を挙げることができ、これらの溶媒は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。

反応温度は、目的とするジハロゲン体が得られる温度であれば特に制限されず、例えば、−２０℃〜２００℃の範囲であれば良い。
本反応は触媒を使用しなくても進行するが、反応時間の短縮や反応選択性を高めるために、鉄粉、三塩化鉄、三臭化鉄、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、ヨウ素等の触媒を使用しても構わない。これらの触媒は単独でも混合して使用でき、その使用量は、特に制限されず、例えば、ハロゲン化剤に対して０.００１〜１０当量であればよい。

続いて（４−２ａ）とアシル化剤とを反応させジアシロキシジハロゲノナフタレン（４−２ｂ）を得る。
アシル化剤としては、公知のカルボン酸から誘導されるカルボン酸無水物、またはカルボン酸ハロゲン化物を使用できる。
前記カルボン酸としては、例えば酢酸、ｎ−プロピオン酸、ｎ−酪酸、ｎ−吉草酸、ｎ−ヘキサン酸、ｎ−ヘプタン酸、ｉ−ヘプタン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、ｎ−ノナン酸、３，５，５−トリメチルヘキサン酸、ｎ−デカン酸、ｎ−ウンデカン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、イソステアリン酸、ベヘン酸等の脂肪酸、安息香酸、メチル安息香酸、オクチル安息香酸等の芳香族カルボン酸等が挙げられる。
その使用量はジハロゲノジヒドロキナフタレンに対し通常１．５〜５０当量であり、反応収率を高めるために２〜５当量が好ましい。
溶媒としては、反応に不活性である限り特に制限はなく、例えば、上記記載の溶媒が使用でき、これらの溶媒は、単独で又は二種以上組み合わせて用いてもよい。

反応温度としては、（４−２ｂ）が得られる条件であれば特に制限されず、例えば、−２０℃〜２００℃、好ましくは、０℃〜１５０℃程度である。
当該反応は触媒を使用しなくても進行するが、反応時間の短縮や収率向上のために触媒を使用しても構わない。触媒としては、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジン、１，８−ジアザ−ビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン、１，４−ジアザ−ビシクロ［２．２．２］オクタン等の第３級アミン、ピリジン、ピコリン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、ｔ−ブチルピリジンのようなモノアルキル置換ピリジン類、２，３−ジメチルピリジン、２，４−ジメチルピリジン、２，５−ジメチルピリジン、２，６−ジメチルピリジン、３，５−ジメチルピリジン、２−メチル−５−エチル−ピリジン、２，６−ジイソプロピルピリジン、２，６−ジｔーブチルピリジンなどのジアルキルピリジン類等のピリジン誘導体等が挙げられ、これらの触媒は単独で又は二種以上組み合わせて使用でき、その使用量はアシル化剤に対し０．００１〜１０当量であれば良い。

次に、ジアシロキシジハロゲノナフタレンとシリル化末端アセチレンとを、パラジウム触媒と銅触媒とアミンの存在下、園頭カップリング反応させ、ビス（シリル化エチニル）アシロキシナフタレン（４−２ｃ）を得る。
シリル化末端アセチレンとしては例えば、トリメチルシリルアセチレン、トリエチルシリルアセチレン、トリイソプロピルシリルアセチレン等が挙げられ、その使用量は（４−２ｂ）に対し通常１．５〜５０当量であり、反応収率を高めるために２〜５当量が好ましい。
パラジウム触媒としては、例えば、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、ビス［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウム（０）、ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム（０）等の０価のパラジウム化合物、
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、塩化アリルパラジウム（ＩＩ）ダイマー、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、酢酸ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、塩化（ｃｉｓ，ｃｉｓ−１，５−シクロオクタンジエン）パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）２，４−アセチルアセトナート（ＩＩ）、塩化パラジウム（ＩＩ）等のＩＩ価のパラジウム化合物等を挙げることができる。
前記パラジウム触媒は、単独で又は二種以上組み合わせて使用でき、その使用量は、（４−２ｃ）が得られる範囲であれば特に制限されず、（４−２ｂ）に対して０．００１〜１０当量である。

更に、パラジウム触媒の活性を高めるために、配位子を併用しても構わない。
配位子としては例えば、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ（ｎ−ブチル）ホスフィン、トリｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン等の単座ホスフィン系配位子、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフタレン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等の二座ホスフィン系配位子等が挙げられる。
前記配位子は、単独で又は二種以上組み合わせて使用でき、その使用量は、（４−２ｃ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、パラジウム触媒に対して０．１〜１０当量である。

また、銅触媒としては例えば、よう化銅、臭化銅、塩化銅、酢酸銅、トリフルオロ酢酸銅、シアン化銅、トリフルオロメタンスルホン酸銅等を挙げることができ、これらは、単独で又は二種以上組み合わせて使用してもよく、その使用量は、（４−２ｃ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、ジアシロキシジハロゲノナフタレンに対して０．００１〜１０当量、好ましくは０．０１〜１当量である。
アミンとしては例えば、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン等の第１級アミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、モルホリン、ピペリジン、ピロリジン等の第２級アミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，８−ジアザ−ビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン、１，４−ジアザ−ビシクロ［２．２．２］オクタン等の第３級アミンを挙げることができる。

前記アミンは、単独で又は二種以上組み合わせて使用でき、その使用量は、（４−２ｃ）が得られる範囲であれば特に制限はなく、（４−２ｂ）に対して０．０１当量以上であればよく、これらのアミンを反応溶媒として使用しても構わない。アミンを溶媒として使用しない場合は、反応に不活性である溶媒が使用でき、例えば、上記記載の各種溶媒が挙げられる。
反応温度としては、（４−２ｃ）が得られる条件であれば特に制限されず、−２０℃〜２００℃の範囲であればよい。

次に、（４−２ｃ）を塩基で処理して無置換ジナフトジフラン（４−２ｄ）を得る。塩基としては、アシル基に作用するのに十分な塩基性を有している限り特に制限はなく、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム等の水酸化物、フッ化カリウム、フッ化セシウム、テトラブチルアンモニウムフルオリド等のフッ化物、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、イソプロピルマグネシウムブロミド等の有機金属等が挙げられ、これらの塩基は、単独で又は二種以上組み合わせて使用でき、その使用量は、（４−２ｄ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、（４−２ｃ）に対して１〜１００当量、反応収率を高めるために好ましくは２〜１０当量である。
溶媒としては、反応に不活性である限り特に制限はなく、例えば、上記記載の溶媒が挙げられる。
反応温度としては、（４−２ｄ）が得られる条件であれば特に制限されず、例えば、−１００℃〜３００℃、好ましくは、−８０℃〜２００℃程度である。

続いて、（４−２ｄ）をオルトメタル化した後、アルキル化剤と反応させてモノアルキルジナフトジフラン（４−２ｅ）を得る。
オルトメタル化の方法としては、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、イソプロピルマグネシウムブロミド等の有機金属を作用させる方法を挙げることができ、これらは、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。
有機金属の使用量は、（４−２ｅ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、無置換ジナフトジフランに対して０．５〜３当量であり、モノアルキル体の収率を高めるために０．８〜１．６当量であることが好ましい。

オルトメタル化は触媒を使用しなくても進行するが、収率を高めるために触媒を使用しても構わない。触媒としては例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等が挙げられ、これらは単独で又は二種以上組み合わせて使用でき、その使用量は、（４−２ｅ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、有機金属に対して０．０１〜１００当量である。
更に、オルトメタル化後に金属塩を加えて金属交換を行うことで、アルキル化剤と反応が容易になることもある。使用できる金属塩としては塩化亜鉛、臭化亜鉛、よう化亜鉛等の亜鉛塩、塩化銅、臭化銅、よう化銅等の銅塩、塩化トリメチルすず、塩化トリブチルすず等の塩化すず等を挙げられ、これらは粉末のまま加えてもよいし、溶液として加えても良い。有機金属の使用量は、（４−２ｅ）が得られる範囲であれば特に制限されないが、一般的には上記のオルトメタル化剤に対して当量以上である。
アルキル化剤としては例えば、塩化アルキル、臭化アルキル、よう化アルキル等のハロゲン化アルキル、アルキルメタンスルホン酸エステル、アルキルｐ−トルエンスルホン酸エステル等のスルホン酸エステル等を挙げることができる。
アルキル化剤の使用量は、（４−２ｅ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、無置換ジナフトジフランに対して１〜１０当量、好ましくは１〜３当量である。

溶媒としては、反応に不活性である限り特に制限はなく、例えば 、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、ジブチルエーテル等のエーテル溶媒、ｎ−ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、シクロペンタン等の脂肪族炭化水素溶媒、トルエン、ベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒等を挙げることができる。
反応温度としては、（４−２ｅ）が得られる条件であれば特に制限されず、例えば、−１００℃〜２００℃、好ましくは、−８０℃〜１５０℃程度である。

次に、（４−２ｅ）とハロゲン化剤とを反応させてモノアルキルモノハロゲノジナフトジフラン（４−２ｆ）を得る。
この反応は、上記の（４−２ａ）のハロゲン化反応と同じ条件で行うことができる。

最後に、（４−２ｆ）とアリール化末端アセチレンとを、パラジウム触媒と銅触媒とアミンの存在下、上述の（４−２ｃ）同様に園頭カップリングさせ、目的とする（４−２）の化合物を得ることができる。

アリール化末端アセチレンとしてはエチニルベンゼン、４−メチルエチニルベンゼン、４−エチルエチニルベンゼン、４−プロピルエチニルベンゼン、４−ブチルエチニルベンゼン、４−ペンチルエチニルベンゼン等のアルキルエチニルベンゼン、４−メトキシエチニルベンゼン、４−フェノキシエチニルベンゼン等のアルコキシエチニルベンゼン、２−ピリジルアセチレン、３−ピリジルアセチレン、２−チエニルアセチレン、３−チエニルアセチレン等のヘテロアリールアセチレン等を挙げることができる。
アリール化末端アセチレンの使用量は、（４−２）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、（４−２ｆ）に対して１〜１０当量、好ましくは１〜３当量である。
以上の化２６の（ＩＶ−２）の合成方法において、出発原料を１，５−ジヒドロキシナフタレン又は２，６−ジヒドロキシナフタレンを使用し、類似の合成を行うことで、化２６又は化２７に示される（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１６）の化合物を得ることができる。

また、化２７に例示したジナフトチエノチオフェン誘導体（ＩＶ−１８）は、例えば、化３１で示されるスキームにより、（４−１８ｄ）で表される化合物と（４−１８ｈ）で表される化合物をカップリング反応して得ることができる。

一方のユニットとなる（４−１８ｄ）の合成では、先ず、アルコキシハロゲノナフタレンとグリニャール試薬とをニッケル触媒下で反応させ、アルコキシアルキルナフタレン（４−１８ａ）を得る。
アルコキシハロゲノナフタレンとしては、ナフタレンの二つのベンゼン環それぞれのベータ位に一つずつアルコキシ基と、ふっ素、塩素、臭素、よう素等のハロゲン原子が置換したものが用いられる。

アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、メトキシメトキシ基、ベンジルオキシメトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、２−（トリメチルシリル）エトキシメチル基、メチルチオメチル基、フェニルチオメチル基、アジドメトキシ基、シアノメトキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルエトキシ基、２−テトラヒドロピラニルエーテル基等が挙げられる。
グリニャール試薬としては、メチルマグネシウムクロリド又はブロミド、エチルマグネシウムクロリド又はブロミド、イソプロピルマグネシウムクロリド又はブロミド、ブチルマグネシウムクロリド又はブロミド等の市販のグリニャール試薬を使用しても良いし、アルキルハライドと金属マグネシウムから調製しても構わない。
グリニャール試薬の使用量は、（４−１８ａ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、アルコキシハロゲノナフタレンに対して０．５〜１０当量、反応収率を高めるために好ましくは０．９〜３当量である。

ニッケル触媒としては、例えば、ニッケル（０）粉末、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）等の０価のニッケル化合物；
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、塩化ニッケル（ＩＩ）、臭化ニッケル（ＩＩ）、よう化ニッケル（ＩＩ）、硫酸ニッケル（ＩＩ）、硝酸ニッケル（ＩＩ）、酢酸ニッケル（ＩＩ）、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート、ジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、ジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、ジクロロ（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、ジクロロ［１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、ジクロロビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、ジクロロ（２，２’−ビピリジル）ニッケル（ＩＩ）等のＩＩ価のニッケル化合物等が挙げられる。
前記ニッケル触媒は、単独で又は二種以上組み合わせて使用しても良く、その使用量は、（４−１８ａ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、アルコキシハロゲノナフタレンに対して０．００５〜５０当量、好ましくは０．０５〜５当量である。

溶媒としては、反応に不活性である限り特に制限はなく、例えば 、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、ジブチルエーテル等のエーテル溶媒、ｎ−ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、シクロペンタン等の脂肪族炭化水素溶媒、トルエン、ベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒等を挙げることができる。
反応温度は、（４−１８ａ）が得られる条件であれば特に制限されず、例えば、−１００℃〜２００℃、好ましくは、−８０℃〜１５０℃である。

次に、（３−１８ａ）をオルトメタル化した後、チオアルキル化剤と反応させてチオアルコキシアルコキシアルキルナフタレン（４−１８ｂ）を得る。
オルトメタル化は、上述の（４−２ｅ）の試薬および合成条件が参考にできる。
チオアルキル化剤としては、例えば、ジメチルジスルフィド、ジエチルジスルフィド、ジプロピルジスルフィド等のジスルフィド；、Ｓ−メチルメチルチオスルホナート、Ｓ−メチルフェニルチオスルホナート等のＳ−アルキルチオスルホナート等を挙げることができる。
チオアルキル化剤の使用量は、（４−１８ｂ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、アルコキシハロゲノナフタレンに対して０．５〜１００当量、好ましくは１〜１０当量である。

続いて、（４−１８ｂ）を脱アルキル化剤と反応させてチオアルコキシヒドロキシアルキルナフタレン（４−１８ｃ）を得る。
脱アルキル反応としては、第５版実験化学講座 第１４巻 ３０７〜３１４頁（丸善株式会社）が参考にでき、脱アルキル化剤としては、例えば、臭化トリメチルシラン、よう化トリメチルシラン、四塩化珪素‐よう化ナトリウム、メチル三塩化珪素‐よう化ナトリウム等の珪素試薬、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、塩化アルミニウム、臭化水素酸、よう化水素酸、トリフルオロ酢酸等のルイス酸、ナトリウムメトキシド、ナトリウムチオエトキシド、カリウムチオフェノキシド等の求核性試薬、Ｈ２／Ｐｄ−Ｃ、Ｈ２／Ｐｄ（ＯＨ）２、Ｈ２／ＰｄＯ２等の接触水素化試薬等を挙げることができる。
脱アルキル化剤の使用量は、（４−１８ｃ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、チオアルコキシアルコキシアルキルナフタレンに対して０．５〜１００当量、好ましくは１〜１０当量である。
溶媒としては、反応に不活性である限り特に制限はなく、例えば、ｎ−ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、シクロペンタン等の脂肪族炭化水素溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化溶媒、トルエン、ベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、アセトニトリル、バレロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル溶媒等を挙げることができる
反応温度としては、（４−１８ｃ）が得られる条件であれば特に制限されず、例えば、−１００℃〜２００℃、好ましくは、−８０℃〜１５０℃程度である。

次に、（４−１８ｃ）をトリフルオロメタンスルホン酸無水物と反応させてチオアルコキアルキルナフチルトリフラート（４−１８ｄ）を得る。
トリフルオロメタンスルホン酸無水物の使用量は、（４−１８ｄ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、チオアルコキシヒドロキシアルキルナフタレンに対して１〜１００当量、好ましくは１〜１０当量である。
触媒としては、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジン、１，８−ジアザ−ビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン、１，４−ジアザ−ビシクロ［２．２．２］オクタン等の第３級アミン、ピリジン、ピコリン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、ｔ−ブチルピリジンのようなモノアルキル置換ピリジン類、２，３−ジメチルピリジン、２，４−ジメチルピリジン、２，５−ジメチルピリジン、２，６−ジメチルピリジン、３，５−ジメチルピリジン、２−メチル−５−エチル−ピリジン、２，６−ジイソプロピルピリジン、２，６−ジｔーブチルピリジンなどのジアルキルピリジン類等のピリジン誘導体等を用いることができる。

前記触媒は、単独で又は二種以上組み合わせて使用しても良く、その使用量はトリフルオロメタンスルホン酸無水物に対し０．００１〜１０００当量であり、好ましくは０．０１〜１００当量である。
溶媒としては、反応に対して不活性なものであれば何れも使用でき、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、ジブチルエーテル等のエーテル溶媒、ｎ−ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、シクロペンタン等の脂肪族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化溶媒、トルエン、ベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、アセトニトリル、バレロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル溶媒等を挙げることができる。
反応温度としては、（４−１８ｄ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、−２０℃〜２００℃、好ましくは、０℃〜１５０℃である。

また、もう一方のユニットとなる（４−１８ｈ）の合成では、先ず、アルコキシハロゲノナフタレンとアリール化末端アセチレンとを、パラジウム触媒と銅触媒とアミンの存在下、園頭カップリング反応させ、アルコキシアリールエチニルナフタレン（４−１８ｅ）を得る。
本反応は、上述の（４−２）の反応と同条件で行うことができる。

次に、（４−１８ｅ）をオルトメタル化した後、チオアルキル化剤と反応させてチオアルコキシアルコキシアリールエチニルナフタレン（４−１８ｆ）を得る。
本反応は、上述の（４−１８ｂ）の合成方法が参考にできる。

続いて、（４−１８ｆ）を脱アルキル化剤と反応させてチオアルコキシヒドロキシアリールエチニルナフタレン（４−１８ｇ）を得る。
本反応は、上述の（４−１８ｃ）の合成方法が参考にできる。

更に、（４−１８ｇ）をトリフルオロメタンスルホン化剤と反応させてチオアルコキアリールエチニルナフチルトリフラート（４−１８ｈ）を得る。
本反応は、上述の（４−１８ｄ）の合成方法が参考にできる。

上述のように得た（４−１８ｄ）と（４−１８ｈ）を使用し、パラジウム触媒存在下、ｔｒａｎｓ−１，２−ビス（トリブチルすず）エチレンとカップリング反応することにより、ジナフチルエチレン誘導体（４−１８ｉ）を得る。
パラジウム触媒や反応溶媒は、上述の（４−２ｃ）の合成方法に記載のものが使用できる。
本反応は、パラジウム触媒のみでも進行するが、反応時間の短縮または収率向上のために助触媒を使用しても構わない。助触媒としては、塩化リチウム、塩化ナトリウム、塩化亜鉛等の金属ハロゲン化物、トリフェニルホスフィン、トリフェニルアルシン等の配位性化合物等を挙げることができ、単独で又は二種以上組み合わせて使用してもよい。助触媒の使用量は、（４−１８ｉ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、パラジウム触媒に対して０．０１〜２００当量、好ましくは０．１〜２０当量である。また、（４−１８ｄ）と（４−１８ｈ）とビス（ジブチルすず）エチレンの使用量比は、目的とする（４−１８ｉ）が得られる条件であれば、特に制限はないが、例えば、（４−１８ｄ）／（４−１８ｈ）／ビス（ジブチルすず）エチレン＝１／０．１〜１０／０．０５〜５である。
反応温度としては、（４−１８ｉ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、−２０℃〜３００℃、好ましくは、０℃〜２００℃である。

最後に、（４−１８ｉ）をハロゲン化剤と反応、閉環させ、アルキルアリールエチニルナフト［２，３−ｂ：２’，３’−ｆ］チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（４−１８）を得る。

ハロゲン化剤は、上述の（４−２ａ）合成方法に記載のものをそのまま使用できる。
本反応は触媒を使用しなくとも進行するが、反応時間の短縮または収率向上のために触媒を使用しても構わない。触媒として例えば、よう化銅、臭化銅、塩化銅、酢酸銅、トリフルオロ酢酸銅、シアン化銅、トリフルオロメタンスルホン酸銅等の銅触媒を用いることができる。
前記銅触媒は、単独で又は二種以上組み合わせて使用でき、その使用量は、（４−１８）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、ジナフチルエチレン誘導体に対して０．００１〜１０当量、好ましくは０．０１〜１当量である。

溶媒としては、反応に不活性である限り特に制限はなく、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、ジブチルエーテル等のエーテル溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル等のエステル溶媒、ｎ−ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、シクロペンタン等の脂肪族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化溶媒、トルエン、ベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロジノン等のアミド溶媒、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄溶媒、アセトニトリル、バレロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル溶媒、酢酸、プロピオン酸、酪酸等のカルボン酸溶媒等を挙げることができる。
反応温度としては、（４−１８）が得られる条件であれば特に制限されず、例えば、−２０℃〜３００℃、好ましくは、０℃〜２００℃である。

（電子構造）
本発明に関わる有機半導体材料をデバイスに応用する観点からみると、コア部のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯのエネルギー準位も重要となる。一般に、有機半導体材料のＨＯＭＯ，ＬＵＭＯレベルは、それぞれ陽極、陰極と電気的な接触の目安を与え、電極材料の仕事関数との差によって決まるエネルギー障壁の大きさによって電荷注入が制限されることになるので、注意が必要である。金属の仕事関数は、しばしば、電極として用いられる物質の例をあげると、銀（Ａｇ）４．０ｅＶ、アルミニウム（Ａｌ）４．２８ｅＶ、金（Ａｕ）５．１ｅＶ、カルシウム（Ｃａ）２．８７ｅＶ、クロム（Ｃｒ）４．５ｅＶ、銅（Ｃｕ）４．６５ｅＶ、マグネシウム（Ｍｇ）３．６６ｅＶ、モリブデン（Ｍｏ）４．６ｅＶ、白金（Ｐｔ）５．６５ｅＶ、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）４．３５〜４．７５ｅＶ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）４．６８ｅＶであるが、前述の観点から、有機半導体材料と電極物質との仕事関数の差は１ｅＶ以下が好ましく、より、好ましくは０．８ｅＶ以下、さらに好ましくは、０．６ｅＶ以下である。金属の仕事関数は、必要に応じて、下記の文献を参照することができる。
文献Ｄ：化学便覧 基礎編 改訂第５版ＩＩ−６０８−６１０ １４．１ ｂ仕事関数 （丸善出版株式会社）（２００４）

（移動度）
本発明の化合物を有機半導体材料として使用する場合の移動度は、ホールや電子などのキャリアの移動度であり、有機半導体材料の半導体性能を表す指標となる。移動度には、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ−ｏｆ−Ｆｌｉｇｈｔ）法による移動度（μ^ＴＯＦ：単位ｃｍ^２／Ｖ・ｓ）、およびトランジスタにより求められる移動度（μ^ＦＥＴ：単位ｃｍ^２／Ｖ・ｓ）があり、μ^ＴＯＦやμ^ＦＥＴが高いほど、キャリアが流れ易いことになる。
移動度（μ^ＴＯＦ）は、ＴＯＦ測定用セルの電極間の電圧をＶ、電極間距離をｄ、光電流の波形から算出した膜厚中を横切る時間をＴｒとし、下記式（ｉ）により求められる。また、移動度（μ^ＦＥＴ）は、ドレイン電圧Ｖ_ｄを固定し、ゲート電圧Ｖ_ｓｇを変化させることによって得られる伝達特性の曲線を用いて、下記式（ｉｉ）により求められる。なお、以下において、μ^ＦＥＴを単にμと表記することが有る。

（式（ｉｉ）中、Ｃはゲート絶縁膜の単位面積当たりの電気容量、Ｉ_ｄはドレイン電流、Ｌはチャンネル長、Ｗはチャンネル幅、Ｖ_Ｔは閾値電圧である。）

（有機半導体インク）
本発明の化合物を有機半導体材料として利用する際、真空蒸着して半導体膜を形成しても構わないが、低温製膜が可能で、生産性に優れる印刷用インクとして使用されることが好ましい。インクを調製するためには、本発明の化合物を溶媒に溶解し、半導体性能を損なわない範囲で、印刷適性を付与するために、フッ素系やシリコン系などのレベリング剤、およびポリスチレンやアクリル樹脂などの高分子化合物を粘度調整剤として添加することもできる。
使用する有機溶媒は何を用いても構わず、また２種以上の有機溶媒を混合して用いても良い。具体的には、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカンなどの脂肪族系溶媒；シクロヘキサンなどの脂環式系溶媒；ベンゼン、トルエン、クメン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、ｐ−シメン、メシチレン、アニソール、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、２，５−ジメチルアニソール、３，５−ジメトキシトルエン、２，４−ジメチルアニソール、フェネトール、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、１，５−ジメチルテトラリン、ｎ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｎ−ペンチルベンゼン、１，３，５−トリエチルベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等の芳香族系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジエチルエーテル、アニソール、ベンジルエチルエーテル、エチルフェニルエーテル、ジフェニルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル等のエーテル系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、エチルセロソルブ、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒；メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン等のケトン系溶媒；その他ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルホルムアミドなどが挙げられるが、これらに限定されることはない。

調製された液体組成物における本発明の化合物の濃度としては、０．０１〜２０重量％であることが好ましく、さらには０．１〜１０重量％であることが好ましい。
使用する有機溶媒は１種類でもよいが、所望の均質性の高い薄膜を得るため、複数の種類の溶媒を混合して用いてもよい。
また、本発明の有機半導体インクは、本発明の化合物以外に、他の有機半導体材料、即ち、電子供与性材料、電子受容性材料、電子輸送性材料、正孔輸送性材料、発光材料、光吸収材料等を含んでも良い。そのような材料としては、例えば、半導体的性質を示すπ共役系ポリマー、半導体的性質を示す非π共役系ポリマー、低分子系有機半導体化合物等が挙げられる。
本発明の有機半導体インクは、分子配置の秩序性が高い、均質な有機半導体膜を与える。それ故、得られる有機半導体膜は、高い移動度を発現することができる。また、分子配置の秩序性が高い膜を得るために、特殊な印刷製膜や、熱アニールなどの特別な処理を行う必要がなく、当該インクを滴下、乾燥するだけでも高い移動度の有機半導体膜が得られる。

（有機半導体デバイス）
次に、本発明の有機半導体デバイスについて説明する。本発明の有機半導体デバイスは、本発明の化合物を、活性層部（半導体層）に含有する有機半導体デバイスである。有機半導体デバイスの具体例として、ダイオード；メモリ；フォトダイオード、太陽電池、受光素子等の光電変換素子；電界効果型トランジスタ、静電誘導型トランジスタ、バイポーラトランジスタ等のトランジスタ；電界発光素子（有機ＥＬ）や発光トランジスタ等の発光素子；温度センサー、化学センサー、ガスセンサー、湿度センサー、放射線センサー、バイオセンサー、血液センサー、免疫センサー、人工網膜、味覚センサー、圧力センサー等のセンサー類；ＲＦＩＤ等ロジック回路ユニット等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
中でも、本発明の有機半導体材料は、０．１ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電荷移動度を有するので、有機トランジスタまたは発光トランジスタへの応用が特に有用である。有機トランジスタは、ディスプレイを構成する画素のスイッチング用トランジスタ、信号ドライバー回路素子、メモリ回路素子、信号処理回路素子等として好適に使用できる。前記ディスプレイの例としては、液晶ディスプレイ、分散型液晶ディスプレイ、電気泳動型ディスプレイ、粒子回転型表示素子、エレクトロクロミックディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、電子ペーパー等が挙げられる。

（有機トランジスタ）
次に本発明の化合物を含有する有機トランジスタについて説明する。
有機トランジスタは、通常、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極、およびゲート絶縁層、有機半導体層を有して成るものであり、各電極や各層の配置によって種々のタイプのトランジスタがあるが、本発明の化合物はトランジスタの種類に限定されることなく、何れのトランジスタにも使用することができる。トランジスタの種類については、アルドリッチ社の材料科学の基礎第６号「有機トランジスタの基礎」などを参照することができる。

一例として、図１にトップコンタクト型トランジスタ（以下、ＴＣ型と呼ぶ）、図２にボトムコンタクト型トランジスタ（以下、ＢＣ型と呼ぶ）の概念図を示す。図中、１は基板、２はゲート電極、３はゲート絶縁層、４は有機半導体、５はソース電極、６はドレイン電極である。

ここで、ＢＣ型は、耐熱性、耐候性や耐溶媒性につき、他の素子形成用材料(電極材料用金属やゲート絶縁材料用樹脂)より劣る半導体材料を、素子作製プロセスにおいて一番最後に扱うことから、ウエットプロセス適性（印刷や塗工などで素子を作製するための適性）に優れ、より実用的な構造である。一方で、ＢＣ型はＴＣ型と比較して、素子特性に劣る傾向にある（アルドリッチ社の材料科学の基礎第６号「有機トランジスタの基礎」２．２節）。
本発明の化合物の特徴は、公知慣用の半導体用化合物が、ＴＣ型で高特性を示しても、ＢＣ型でその特性が再現されないのに対し、後述の如く、ＢＣ型において、ＴＣ型と同等の特性を示すことにある。これは、本発明の化合物が、電極近傍においても前記の如く自己組織的に秩序化し、電極と半導体膜界面の電気的接触が適正化される、ためと推察される。

基板１には、シリコン、ガラス、各種樹脂材料等を用いることが出来る。各種樹脂材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、アクリル樹脂等を挙げる事ができる。このような樹脂性材料を用いることで、ガラスを用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。

ゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極の電極材料としては、導電性材料であれば特に限定されず、例えば、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等の金属材料をあげることが出来る。また、ドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、“ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体”なども好適に用いられる。

電極の形成方法としては、前記材料を原料として、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法等のドライプロセスや、インクジェット法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法、凸版反転印刷法、スクリーン印刷法、マイクロコンタクト印刷法、リバースコーター法、エアドクターコーター法、ブレードコーター法、エアナイフコーター法、ロールコーター法、スクイズコーター法、含浸コーター法、トランスファーロールコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレイコーター法、静電コーター法、超音波スプレイコーター法、ダイコーター法、スピンコーター法、バーコーター法、スリットコーター法、ドロップキャスト法のウエットプロセスが挙げられ、材料に応じて適宜使用することができる。より詳しくは、真空蒸着やスパッタリング等のドライプロセスを用いてパターンマスク等を介して電極形成する方法、真空蒸着やスパッタリング等のドライプロセスで形成した導電性べた膜を、公知慣用のフォトリソグラフ法−エッチング法で電極形成する方法、真空蒸着やスパッタリング等のドライプロセスとフォトリソグラフ法−リフトオフ法を組み合わせて電極形成する方法、真空蒸着やスパッタリング等のドライプロセスを用いて形成した導電性べた膜を、インクジェット等によるレジストを用いてエッチングする方法等が挙げられる。又、導電性微粒子分散液又は導電性ポリマー溶液若しくは分散液を、直接、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版反転印刷法、マイクロコンタクト印刷法等のウエットプロセスによりパターニングしてもよいし、塗布製膜でべた膜を形成した後、公知慣用ののフォトリソグラフ法−エッチング法の組み合わせやレーザアブレーション法等によりパターニングしてもよいし、又、ウエットプロセスとフォトリソグラフ法−リフトオフ法を組み合わせてパターニングしても良い。

ゲート絶縁層は、パリレン、ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂などの熱可塑性樹脂；エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂；ＵＶ硬化性樹脂などの有機薄膜が好適に使用できるが、酸化シリコン膜などの無機材料も用いることができる。

ゲート絶縁層はスピンコート法、キャスト法、ディップ法、インクジェット法、ドクターブレード法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法、反転印刷法、マイクロコンタクトプリント法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、ディスペンス法等の公知の湿式製膜方法により薄膜を作製することが可能であり、必要に応じフォトリソグラフ法で必要な形状にパターニングしても良い。

有機半導体層は、真空蒸着法等の公知慣用の製造方法で製造することができるが、材料をを有機半導体インクとし、印刷法で簡便に有機半導体層を形成できる。
印刷法の一例を挙げると、インクジェット法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法、凸版反転印刷法、スクリーン印刷法、マイクロコンタクト印刷法、リバースコーター法、エアドクターコーター法、ブレードコーター法、エアナイフコーター法、ロールコーター法、スクイズコーター法、含浸コーター法、トランスファーロールコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレイコーター法、静電コーター法、超音波スプレイコーター法、ダイコーター法、スピンコーター法、バーコーター法、スリットコーター法、ドロップキャスト法、ディスペンス法等の公知の湿式製膜方法により薄膜を作製することが可能である。また、キャスト法などによっては平板状結晶や厚膜状態の形態をとることも可能である。
本発明の有機トランジスタは、ディスプレイを構成する画素のスイッチング用トランジスタ、信号ドライバー回路素子、メモリ回路素子、信号処理回路素子等として好適に使用できる。ディスプレイの例としては、液晶ディスプレイ、分散型液晶ディスプレイ、電気泳動型ディスプレイ、粒子回転型表示素子、エレクトロクロミックディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、電子ペーパー等が挙げられる。

本発明を合成例及び実施例でさらに詳細に説明する。

（合成例１）化２６における（ＩＶ−３）の化合物の合成

１，５−ジヒドロキナフタレン １０．０ｇ（６２．４ｍｍｏｌ）、よう素１３０ｍｇに酢酸３５０ｍＬを加え、室温で撹拌した。反応液を８０℃に加熱し、臭素６．５ｍＬ（１２７ｍｍｏｌ）の酢酸２８ｍＬ溶液をゆっくり滴下した。８０℃で撹拌５分後、反応液を室温まで空冷した。析出した緑色針状晶を濾取した。得られた固体を、酢酸２００ｍＬから再結晶し２，６−ジブロモ−１，５−ジヒドロキシナフタレン１１．８ｇ（収率、６２．１％）を得た。

２，６−ジブロモ−１，５−ジヒドロキナフタレン３．０９ｇ（９．７２ｍｍｏｌ）、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノピリジン０．６８ｇ（５．５７ｍｍｏｌ）にジクロロメタン９０ｍＬを加え、室温で撹拌した。懸濁液を氷冷し、５℃以下でトリフルオロメタンスルホン酸無水物３．３ｍＬ（２．１３ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。氷冷下で２．５時間撹拌後、水６０ｍＬ、１Ｍ塩酸１０ｍＬを加えて反応を停止した後、ジクロロメタンで抽出した。有機相を濃縮し得られた粗製物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で分離精製することで２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフタレン３．９７ｇ（収率、７０．１％）を得た。

アルゴン雰囲気下、よう化銅１．８２ｇ（９．６０ｍｍｏｌ）、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム（ＩＩ）３．３７ｇ（４．８０ｍｍｏｌ）、２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフタレン２８．０ｇ（４８．１ｍｍｏｌ）にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３４０ｍＬ、ジイソプロピルアミン３４０ｍＬを加え、室温で撹拌した。反応液へトリメチルシリルアセチレン１３．８ｍＬ（４８．１ｍｍｏｌ）を加えた。室温で１６時間撹拌後、反応液を水３Ｌ、１Ｍ塩酸５０ｍＬの混合液に注ぎ、生じた固形分を濾取、乾燥させた。得られた褐色粉末を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で分離精製することで２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレン１６．３ｇ（収率、７１．０％）を得た。

アルゴン雰囲気下、硫化ナトリウム九水和物２６．６ｇ（１１１ｍｍｏｌ）にＮ−メチルピロリジノン７７６ｍＬを加え、１５分撹拌した。反応液へ、２，６−ジブロモ−１，５−ビス（トリメチルシリルエチニル）ナフタレン１５．０ｇ（２５．８ｍｍｏｌ）を加え、７時間加熱還流した。室温まで空冷した後、反応液を飽和塩化アンモニウム水溶液２．５Ｌに注ぎ、生じた固体を濾取、乾燥した。得られた黄色粉末を、クロロホルムに分散し、可溶分を濾取、濃縮した。得られた黄色粉末を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で分離精製することでナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン３．４０ｇ（収率、５４．９％）を得た。

アルゴン雰囲気下、ナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン２．１０ｇ、（８．７４ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフラン２５０ｍＬを加え、−７８℃に冷却した。反応液へｎ−ブチルリチウムの１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液６．７ｍＬ（１１ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。反応液を０℃に昇温し、さらに２時間撹拌した。０℃にて臭化ｎ−デシル２．２ｍＬ（１１ｍｍｏｌ）を滴下した後、室温に昇温し、１８時間撹拌した。反応液に水を加えて反応を停止した後、溶媒を留去した。得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム＝９５／５）で分離精製することで２−デシルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン０．９６１ｇ（収率、２８．９％）を得た。

アルゴン雰囲気下、２−デシルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン０．８９５ｇ（２．３５ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフラン５０ｍＬを加え、−７８℃に冷却した。反応液へｎ−ブチルリチウムの１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液２．５ｍＬ（３．５８ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。反応液を室温に昇温し、さらに２．５時間撹拌した。反応液を−７８℃に冷却し、よう素０．６５８ｇ（２．５９ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン１６ｍＬ溶液をゆっくり滴下した後、室温に昇温し、１６時間撹拌した。反応液に水を加えて反応を停止した後、溶媒を留去した。得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で分離精製することで２−デシル−７−ヨードナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン０．５５０ｇ（収率、４６．２％）を得た。

アルゴン雰囲気下、よう化銅０．００３９ｇ（０．０２１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．００１１ｇ（０．０００９３ｍｍｏｌ）、２−デシル−７−ヨードナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン０．１０４（０．２０５ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフラン０．４ｍＬ、トリエチルアミン０．２ｍＬを加え、室温で撹拌した。反応液へエチニルベンゼン０．０３９１ｇ（０．３８３ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン０．２ｍＬ溶液を加え、室温で５時間撹拌した。反応液を水３０ｍＬに注ぎ、生じた沈殿を濾過、得られた固体をメタノールで洗浄し、クロロホルムに溶かして濃縮した。得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で分離した。得られた粗製物をアセトンから再結晶することで（ＩＩＩ−２）で表される２−デシル−７−（フェニルエチニル）ナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン０．１１３ｇ（収率、４６．５％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ８．２４４（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ），δ８．１８２（ｓ，１Ｈ），δ８．１４６（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ），δ７．９４１（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ），δ７．８９１（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ），δ７．６８１（ｓ，１Ｈ），δ７．５７７−７．６０６（ｍ，２Ｈ），δ７．３７７−７．４２８（ｍ，３Ｈ），δ３．０２５（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），δ１．７７６−１．８７５（ｍ，２Ｈ），δ１．３８６−１．５１２（ｍ，１４Ｈ），δ０．８７８（ｔ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，３Ｈ）．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］^＋＝４８０．３

（合成例２）化２６における（ＩＶ−２）の化合物の合成

２，６−ジブロモ−１，５−ジヒドロキナフタレン３．１８ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、にジクロロメタン３００ｍＬを加え、室温で撹拌した。反応液へ、ピリジン２．０ｍＬ（２４．８ｍｍｏｌ）、無水酢酸５．０ｍＬ（３０．５ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、１時間加熱還流した。室温まで空冷した後、１Ｎ塩酸３０ｍＬを加えて反応を停止した。反応液をジクロロメタンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濃縮乾固した。得られた粗製物を、メタノールで洗浄することで２，６−ジブロモ−１，５−ジアセトキシナフタレン３．９７ｇ（収率、９８．７％）を得た。

アルゴン雰囲気下、ＣｕＩ０．０５６８ｇ（０．３０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウム(ＩＩ)０．１７２ｇ（０．４５ｍｍｏｌ）、２，６−ジブロモ−１，５−ジアセトキシナフタレン２．９６ｇ（７．３１ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフラン７．５ｍＬ、ジイソプロピルアミン２．５ｍＬを加え、室温で撹拌した。反応液へトリメチルシリルアセチレン２．２ｍＬ（１７．９ｍｍｏｌ）を加えた。室温で１７時間撹拌後、生じた固形分を濾取し、濾液を乾燥させた。得られた褐色粉末を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム＝３０／７０）で分離精製し２，６−ビス（トリメチルシリルエチニル）−１，５−ジアセトキシナフタレン１．３６ｇ（収率、４３％）を得た。

アルゴン雰囲気下、ｎ−テトラブチルアンモニウムフルオリドの１．０ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液８．７６ｍＬ（８．７６ｍｍｏｌ）、モレキュラーシーブス４Ａ２．１６ｇに、テトラヒドロフラン１０９ｍＬを加え室温で１時間撹拌した。反応液へ、２，６−ビス（トリメチルシリルエチニル）−１，５−ジアセトキシナフタレン１．２０ｇ（２．７５ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液３６ｍＬを加え、加熱還流下で１５時間撹拌した。室温に冷却させた後、反応液を濾過した。濾液を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濃縮乾固した。得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で分離精製することでナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジフラン０．３３ｇ（収率、５８％）を得た。

アルゴン雰囲気下、ナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジフラン２．９０ｇ、（１３．９ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ‘，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン２．３ｍＬ（１６ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフラン１００ｍＬを加え、−７８℃に冷却した。反応液へｎ−ブチルリチウムの１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液４．８ｍＬ（７．６ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。反応液を室温に昇温し、さらに２時間撹拌した。室温にて臭化ｎ−デシル１．６ｍＬ（７．５４ｍｍｏｌ）を滴下した後、室温に昇温し、１８時間撹拌した。反応液に水を加えて反応を停止した後、溶媒を留去した。得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で分離精製することで２−デシルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジフラン１．１８ｇ（収率、２４％）を得た。

アルゴン雰囲気下、２−デシルナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジフラン０．７０ｇ（２．００ｍｍｏｌ）にクロロホルム３０ｍＬ、酢酸３０ｍＬを加え、０℃に冷却した。反応液へＮ−ヨードスクシンイミド０．４９ｇ（２．２ｍｍｏｌ）を少しずつ加えた。反応液を室温に昇温し、一晩撹拌した。溶媒を留去し、得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で分離精製することで２−デシル−７−ヨードナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジフラン０．２４ｇ（２．００ｍｍｏｌ）０．２８ｇ（収率、２５％）を得た。

アルゴン雰囲気下、よう化銅０．００５６ｇ（０．０２９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．０１７ｇ（０．００１７ｍｍｏｌ）、２−デシル−７−ヨードナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジフラン０．１５ｇ（０．３２ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフラン０．６ｍＬ、トリエチルアミン０．２ｍＬを加え、室温で撹拌した。反応液へエチニルベンゼン０．０４６ｇ（０．４５ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン０．２ｍＬ溶液を加え、室温で３０分撹拌した。反応液を水３０ｍＬに注ぎ、生じた沈殿を濾過、得られた固体をメタノールで洗浄し、クロロホルムに溶かして濃縮した。得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で分離精製することで２−デシル−７−（フェニルエチニル）ナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジフラン０．１１ｇ（収率、７５％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ８．１６−８．１２（ｍ，２Ｈ），δ７．７０（ｄｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，２Ｈ），δ７．６１−７．６３（ｍ，２Ｈ），δ７．４０（ｍ，３Ｈ），δ７．２６（ｓ，１Ｈ），δ６．５５（ｓ，１Ｈ），δ２．８８（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），δ１．７６−１．８８（ｍ，２Ｈ），δ１．１９−１．５１（ｍ，１４Ｈ），δ０．８６（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ）．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］^＋＝４４８．２

（合成例３）化２６における（ＩＶ−１）の化合物の合成

２，６−ジメトキシナフタレン３．０ｇ（１６ｍｍｏｌ）にクロロホルム１５０ｍＬ、酢酸１５０ｍＬを加え、室温で撹拌した。反応液へ、Ｎ−ブロモスクシンイミド６．２ｇ（３５ｍｍｏｌ）加えた。室温で撹拌５時間後、反応液を濾過した。得られた固体を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、エタノールで、この順に洗浄することで１，５−ジブロモ−２，６−ジメトキシナフタレン４．８ｇ（収率、８７％）を得た。

１，５−ジブロモ−２，６−ジメトキシナフタレン１７．３ｇ（５０ｍｍｏｌ）にジクロロメタン７５０ｍＬを加え、０℃で撹拌した。反応液へ、三臭化ホウ素の１．０ｍｏｌ／Ｌジクロロメタン溶液１７４ｍＬ（１７４ｍｍｏｌ）ゆっくり滴下した。室温で撹拌３０分後、反応液を濾過した。得られた固体を水で洗浄することで１，５−ジブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレン１４．９ｇを得た（収率、９４％）。

１，５−ジブロモ−２，６−ジヒドロキシナフタレン１４．９ｇ（４７ｍｍｏｌ）、ピリジン９，０ｍＬ（１１１ｍｍｏＬ）にジクロロメタン１４００ｍＬを加え、室温で撹拌した。反応液へ、無水酢酸２３．３ｍＬ（１８７ｍｍｏｌ）加えた。室温で撹拌４時間後、１Ｎ塩酸１０ｍＬを加えて反応を停止させた後、有機相と水相に分離した。更に水相からジクロロメタンで抽出し、有機相を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥させ濃縮乾固した。得られた粗製物をシクロヘキサンから結晶化させることで１，５−ジブロモ−２，６−ジアセトキシナフタレン１７．０ｇ（収率、９０％）を得た。

アルゴン雰囲気下、１，５−ジブロモ−２，６−ジアセトキシナフタレン１１．８ｇ（２９．３ｍｍｏｌ）、トリブチル(トリメチルシリルエチニル)すず２５．２ｍＬ（６７．５ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）２．０６ｇ（２．９４ｍｍｏｌ）にトルエン２００ｍＬを加え、室温で撹拌した。加熱還流下で撹拌７時間後、室温に冷却させた。１Ｎ塩酸１００ｍＬを加えて反応を停止させた後、有機相と水相に分離した。更に水相からジクロロメタンで抽出し、有機相を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥させ濃縮乾固した。得られた粗製物をシクロヘキサンから結晶化させることで１，５−ジブロモ−２，６−ビス（トリメチルエチニル）ナフタレン１０．２ｇ（収率、８０％）を得た。

アルゴン雰囲気下、ｎ−テトラブチルアンモニウムフルオリドの１．０ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン溶液５１．３ｍＬ（５１．３ｍｍｏｌ）、モレキュラーシーブス４Ａ４．３ｇに、テトラヒドロフラン１９０ｍＬを加え室温で１時間撹拌した。反応液へ、１，５−ジブロモ−２，６−ビス（トリメチルエチニル）ナフタレン３．０ｇ（６．８７ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液４２ｍＬを加え、加熱還流下で５時間撹拌した。室温に冷却させた後、反応液を濾過した。濾液を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濃縮乾固した。得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で分離精製することでナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ‘］ジフラン０．７５ｇ（収率、７０％を得た）。

アルゴン雰囲気下、ナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ‘］ジフラン０．３０ｇ、（１．４４ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフラン１２ｍＬを加え、−７８℃に冷却した。反応液へｎ−ブチルリチウムの１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液１．０ｍＬ（１．６ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。反応液を室温に昇温し、さらに２時間撹拌した。０℃にて臭化ｎ−デシル１．５ｍＬ（７．３ｍｍｏｌ）を滴下した後、室温に昇温し、４時間撹拌した。反応液に水を加えて反応を停止した後、溶媒を留去した。得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン／酢酸エチル＝９７／３）で分離精製することで、２−デシルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ‘］ジフランを０．１５１ｇ（収率、３０．１％）得た。

アルゴン雰囲気下、２−デシルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ‘］ジフラン０．７０ｇ（２．００ｍｍｏｌ）にクロロホルム３０ｍＬ、酢酸３０ｍＬを加え、０℃に冷却した。反応液へＮ−ヨードスクシンイミド０．５０ｇ（２．２ｍｍｏｌ）を少しずつ加えた。反応液を室温に昇温し、一晩撹拌した。溶媒を留去し、得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で分離精製することで２−デシル−７−ヨードナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ‘］ジフラン０．２８ｇ（収率、３０％）を得た。

アルゴン雰囲気下、よう化銅０．００８ｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．０２３ｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、２−デシル−７−ヨードナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ‘］ジフラン０．２０ｇ（０．４０ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフラン１ｍＬ、トリエチルアミン０．５ｍＬを加え、室温で撹拌した。反応液へエチニルベンゼン０．０８２ｇ（０．８０ｍｍｏｌ）を加え、室温で３０分撹拌した。反応液を水５０ｍＬに注ぎ、生じた沈殿を濾過、得られた固体をメタノールで洗浄し、クロロホルムに溶かして濃縮した。得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で分離した。得られた粗製物をアセトンから再結晶することで２−デシル−７−（フェニルエチニル）ナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ‘］ジフラン０．０９５ｇを得た（収率、５０．５％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤ_２Ｃｌ_２）：δ７．９８（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，１Ｈ），δ７．８７（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ），δ７．６５（ｄｄ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，Ｊ＝０．９Ｈｚ，１Ｈ），δ７．６２（ｄｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，Ｊ＝０．６Ｈｚ，１Ｈ），δ７．５１−７．５８（ｍ，２Ｈ），δ７．４８（ｄ，Ｊ＝０．９Ｈｚ，１Ｈ），δ７．３１−７．３９（ｍ，３Ｈ），δ６．８６（ｄ，Ｊ＝０．６Ｈｚ，１Ｈ），δ２．８１（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），δ１．７０−１．８０（ｍ，２Ｈ），δ１．１５−１．５５（ｍ，１４Ｈ），δ０．８０（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ）ｐｐｍ．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］^＋＝４４８．２

（合成例４）化２７における（ＩＶ−１８）の化合物の合成

アルゴン雰囲気下、６−ブロモ−２−メトキシナフタレン５.０ｇ（２１ｍｍｏｌ）、ジクロロ［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）０．５７ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２１ｍＬに溶解し、氷浴で冷却しながら攪拌し、ｎ−デシルマグネシウムブロミドの１．０ｍｏｌ／Ｌジエチルエーテル溶液２３ｍＬ（２３ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下した。反応液を還流下で４時間攪拌した後、氷浴下で、水２０ｍＬをゆっくり滴下した。この反応液をジエチルエーテル１００ｍＬで３回抽出し、抽出液を飽和食塩水１００ｍＬで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮乾固し、粗製液体を得た。この液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン＝５／９５）で分離精製し、淡黄色透明液体の６−デシル−２−メトキシナフタレン４．５ｇ（収率７１％）を得た。

アルゴン雰囲気下、６−デシル−２−メトキシナフタレン４.０ｇ（１３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５０ｍＬで溶解し、攪拌しながら、−７０℃以下に冷却し、ｎ−ブチルリチウムの１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液９．２ｍＬ（１５ｍｍｏｌ）を滴下後、室温まで昇温し、1時間攪拌した。この反応液を、再び−７０℃以下に冷却し、ジメチルジスルフィド１．６ｇ（１７ｍｍｏｌ）を滴下後、室温で１．５時間攪拌した。その後、飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬを添加し、ジエチルエーテルで３回抽出し、飽和食塩水５０ｍＬで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮乾固し、粗製液体を得た。この粗製液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）で分離精製し、淡黄色透明液体の６−デシル−２−メトキシ−３−メチルチオナフタレン５．４ｇ（１００％）を得た。

アルゴン雰囲気下、６−デシル−２−メトキシ−３−メチルチオナフタレン４．２ｇ（１２ｍｍｏｌ）をジクロロメタン１００ｍＬに溶解し、攪拌しながら、−７０℃以下に冷却し、三臭化ホウ素の１．０ｍｏｌ／Ｌジクロロメタン溶液２３ｍＬ（２３ｍｍｏｌ）を滴下後、室温まで昇温し、３時間攪拌した。その後、氷浴下で、氷６０ｇを添加し、１５分攪拌した。この反応液をジクロロメタン５０ｍＬで３回抽出し、飽和食塩水５０ｍＬで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮乾固し、粗製固体を得た。この粗製固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン／クロロホルム＝５０／５０）で分離精製し、白色固体の６−デシル−３−メチルチオ−２−ナフトール３．３ｇ（収率８２％）を得た。

アルゴン雰囲気下、６−デシル−３−メチルチオ−２−ナフトール３．１ｇ（９．４ｍｍｏｌ）をジクロロメタン２２ｍに溶解し、ピリジン２．３ｍＬ（２９ｍｍｏｌ）を添加し、攪拌しながら約０℃まで冷却し、トリフルオロメタンスルホン酸無水物３．０ｇ（１１ｍｍｏｌ）を滴下後、室温まで昇温し、４時間攪拌した。この反応液に、２Ｎ塩酸を３０ｍＬ添加し、攪拌後、ジクロロメタン２０ｍＬで３回抽出し、飽和食塩水１００ｍＬで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮乾固し、粗製固体を得た。この粗製固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン／トルエン＝８０／２０）で分離精製し、白色固体の６−デシル−３−メチルチオ−２−トリフルオロメタンスルホニルオキシナフタレン３．１ｇ（収率７１％）を得た。

６−ブロモ−２−メトキシナフタレン１０ｇ（４２ｍｍｏｌ）、よう化銅０．１６ｇ（０．８４ｍｍｏｌ）、ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウム(ＩＩ)０．５１ｇ（１．３ｍｍｏｌ）、ジイソプロピルアミン８．５ｇ（８４ｍｍｏｌ）を加え、室温で窒素ガスを１５分間バブリングした。窒素雰囲気下でトリ−ｔ−ブチルホスフィンの１．５ｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を１．６８ｍＬ（２．５３ｍｍｏｌ）添加し、エチニルベンゼン５．１７ｇ（５０．６ｍｍｏｌ）を加え、５０度に昇温後、８時間加熱攪拌した。室温まで冷却した後、反応液を水５００ｍＬに加えた。さらに、生成した固形物をアセトン１００ｍＬで洗浄した。固形物をジクロロメタン１５０ｍＬに溶解後、金属スカベンジャー３０ｇを加えてスラリーを調製した。スラリーをろ別除去し、ろ液を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮乾固し、粗製固体を得た。この粗製固体をシクロヘキサンで再結晶することで、２−メトキシ−６−（フェニルエチニル）ナフタレンの白色結晶７．０ｇ（収率６５％）を得た。

アルゴン雰囲気下、２−メトキシ−６−（フェニルエチニル）ナフタレン７.０ｇ（２７ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５０ｍＬに溶解し、攪拌しながら、−７０℃以下に冷却し、ｎ−ブチルリチウムの１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液１８ｍＬ（２９ｍｍｏｌ）を滴下後、室温まで昇温し、1時間攪拌した。この反応液を、再び−７０℃以下に冷却し、ジメチルジスルフィド３．１０ｇ（３２．９ｍｍｏｌ）を滴下後、室温で１．５時間攪拌した。その後、飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬを添加し、ジエチルエーテルで３回抽出し、飽和食塩水５０ｍＬで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮乾固し、粗製固体を得た。この粗製固体をアセトン／シクロヘキサンで再結晶することで、２−メトキシ−３−メチルチオ−６−（フェニルエチニル）ナフタレンの白色結晶４．５ｇ（５５％）を得た。

アルゴン雰囲気下、上記で得られた２−メトキシ−３−メチルチオ−６−（フェニルエチニル）ナフタレン３．０ｇ（９．８ｍｍｏｌ）をジクロロメタン７０ｍＬに溶解し、攪拌しながら、−７０℃以下に冷却し、三臭化ホウ素の１ｍｏｌ／Ｌジクロロメタン溶液１０．４ｍＬ（１０．４ｍｍｏｌ）を滴下後、室温まで昇温し、４時間攪拌した。その後、氷浴下で、氷４０ｇを添加し、５分攪拌した。この反応液をジクロロメタン７０ｍＬで３回抽出し、飽和食塩水１００ｍＬで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮乾固し、粗製固体を得た。この粗製固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）で分離精製し、白色固体の３−メチルチオ−６−（フェニルエチニル）−２−ナフトール１．５ｇ（収率５２％）を得た。

３−メチルチオ−６−（フェニルエチニル）−２−ナフトール１．４ｇ（４．８ｍｍｏｌ）をジクロロメタン１２ｍＬに溶解し、ピリジン１．３ｍＬ（１６ｍｍｏｌ）を添加し、アルゴン雰囲気下、攪拌しながら約０℃まで冷却し、トリフルオロメタンスルホン酸無水物１.６６ｇ（５．８８ｍｍｏｌ）を滴下後、室温まで昇温し、４時間攪拌した。この反応液に、２Ｎ塩酸水溶液を３０ｍＬ添加、攪拌後、ジクロロメタン２０ｍＬで３回抽出し、飽和食塩水１００ｍＬで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮乾固し、粗製固体を得た。この粗製固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン／クロロホルム＝９０／１０〜８０／２０）で分離精製し、白色固体の３−メチルチオ−６−（フェニルエチニル）−２−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−２−ナフトール０．８７ｇ（収率４２％）を得た。

３−メチルチオ−６−（フェニルエチニル）−２−トリフルオロメタンスルホニルオキシナフタレン０．７０ｇ（１．７ｍｍｏｌ）と６−デシル−３−メチルチオ−２−トリフルオロメタンスルホニルオキシナフタレン０．７７ｇ（１．７ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１３．３ｍＬに溶解し、室温で攪拌させながら、窒素ガスをバブリングさせ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．０５７ｇ（０．０５ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−１，２−ビス（トリブチルすず）エチレン１．００ｇ（１．６６ｍｍｏｌ）を添加し、窒素雰囲気下、１００℃、４６時間攪拌した。この反応液に水７０ｍＬを添加し、クロロホルム５０ｍＬで３回抽出し、飽和食塩水１００ｍＬで３回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮乾固し、固形物を得た。この固形物をクロロホルム１５０ｍＬに溶解後、金属スカベンジャー３０ｇを加えてスラリーを調製した。スラリーをろ別除去し、ろ液を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮乾固し、粗製固体を得た。この粗製固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン／クロロホルム＝９０／１０〜８０／２０）で分離精製し、白色固体のｔｒａｎｓ−１−［６−（フェニルエチニル）−３−メチルチオナフタレン−２−イル］−２−（６−デシル−３−メチルチオナフタレン−２−イル）エチレン０．１６ｇ（収率２０％）を得た。

ｔｒａｎｓ−１−（６−（フェニルエチニル）−３−メチルチオナフタレン−２−イル）−２−（６−デシル−３−メチルチオナフタレン−２−イル）エチレン０．１ｇ（０．１６ｍｍｏｌ）をクロロホルム／酢酸＝５０／５０の混合溶媒５ｍＬに溶解し、アルゴン雰囲気下攪拌しながら、よう素１．２４ｇ（４．８９ｍｍｏｌ）を添加し、還流下で５６時間攪拌した。この反応液に、クロロホルム１０ｍＬを添加し、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液３０ｍＬで３回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮乾固し、固形物を得た。この固形物を２４０℃（真空度１０^−３Ｐａ）の条件で昇華精製を行うことで白色固体の２−（フェニルエチニル）−９−デシルジナフト［２，３−ｂ：２’，３’−ｆ］チエノ［３，２−ｂ］チオフェン２４ｍｇ（収率２５％）を得た。
ＦＤ−ＭＳ：５８０．２

（合成例５）化２７における（ＩＶ−１７）の化合物の合成

アルゴン雰囲気下、７‐メトキシ‐２‐ナフトール１２ｇ（６７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン５００ｍＬに溶解後、０℃に冷却し、攪拌下、ピリジン７．４ｍＬ（９４ｍｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸無水物１４（８１ｍｍｏｌ）を滴下した。０℃で更に１．５時間撹拌した後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え反応を停止した。分液して下層を取り、飽和食塩水で洗浄し、濃縮乾固して粗製液体を得た。この液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）で精製することで７‐メトキシ‐２‐トリフルオロメタンスルホニルオキシナフタレン２０．５ｇ（収率、１００％）を得た。

アルゴン雰囲気下、７‐メトキシ‐２‐トリフルオロメタンスルホニルオキシナフタレン３．３ｇ（１１ｍｍｏｌ）よう化銅０．０４１ｇ（０．２２ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）０．４０ｇ（０．５４ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン４．５ｍＬ（３２ｍｍｏｌ）に、テトラヒドロフラン７０ｍＬを加え、窒素ガスを１０分間バブリングした後、アルゴン雰囲気に置換し、１‐デシン４．３ｍＬ（２２ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で５時間攪拌した後、ジクロロメタンで希釈し、水、２Ｍ塩酸、飽和食塩水で順次洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮乾固して粗製液体を得た。この液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）で精製することで２‐メトキシ‐７‐（デシン‐１−イル）ナフタレンを得た。これにテトラヒドロフラン５０ｍＬ、パラジウム炭素（１０％）０．６２ｇを加え、窒素ガスを１０分間バブリングした後、水素雰囲気に置換した。室温で８５時間攪拌した後、反応液をろ過し、濃縮乾固して、粗製液体を得た。この液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）で精製することで２‐メトキシ‐７‐デシルナフタレンを３．２ｇ（収率、１００％）を得た。

アルゴン雰囲気下、２‐メトキシ‐７‐デシルナフタレン７．０ｇ（２４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン９７ｍＬに溶解後、−７０℃に冷却し、攪拌下、ｎ−ブチルリチウムの１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液１８ｍＬ（２８ｍｍｏｌ）を１５分かけて滴下した。０℃で２時間攪拌後、−４０℃以下に冷却し、テトラヒドロフラン９７ｍＬに溶解させたよう素９．０ｇ（３５ｍｍｏｌ）を加えた。室温に戻し、２時間攪拌した後、チオ硫酸ナトリウム水溶液を加え反応を停止した。有機層を取り、濃縮乾固後、ジクロロメタンを加え、水、飽和食塩水で順次洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮乾固して粗製液体を得た。この液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン／ジクロロメタン＝３０／７０）で分離精製し、６‐デシル‐２−ヨード−３メトキシナフタレン７．６ｇ（収率、７６％）を得た。

７‐メトキシ‐２‐トリフルオロメタンスルホニルオキシナフタレン３．３ｇ（１１ｍｍｏｌ）に、よう化銅０．０４１ｇ（０．２２ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）０．４０ｇ（０．５４ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン４．５ｍＬ（３２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン７０ｍＬをアルゴン雰囲気下で加え、窒素ガスを１０分間バブリングした後、アルゴン雰囲気に置換し、エチニルベンゼン１．３ｍＬ（１２ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で５時間攪拌した後、ジクロロメタンで希釈し、水、２Ｍ塩酸、飽和食塩水で順次洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮乾固して粗製固体を得た。この固体をシクロヘキサンから再結晶し、２‐メトキシ‐７‐（フェニルエチニル）ナフタレン１．６ｇ（収率、５８％）を得た。

アルゴン雰囲気下、２‐メトキシ‐７‐（フェニルエチニル）ナフタレン５．４ｇ（２３ｍｍｏｌ））をテトラヒドロフラン１８０ｍＬに溶解後、−７０℃に冷却し、攪拌下、ｎ−ブチルリチウムの１．６ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液１７ｍＬ（２７ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。０℃で２時間攪拌後、−４０℃以下に冷却し、そこへ２‐イソプロポキシ‐４，４，５，５‐テトラメチル‐１，３，２‐ジオキサボロラン５．７ｍＬ（２７ｍｍｏｌ）を加えた。室温に戻し、１．５時間攪拌した後、ジクロロメタンで希釈し、水、飽和食塩水で順次洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮乾固して３‐メトキシ‐６‐（フェニルエチニル）ナフタレン−２−イルボロン酸ピナコール８．８ｇ（収率、１００％）を得た。

６‐デシル‐２−ヨード−３メトキシナフタレン６．０ｇ（１４ｍｍｏｌ）、３‐メトキシ‐６‐フェニルエチニルナフタレン−２−イルボロン酸ピナコール４．３ｇ（１４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．６４ｇ（０．７ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下で８５ｍＬのテトラヒドロフランに溶解して室温で撹拌した。そこへ炭酸カリウム７．８ｇ（５６ｍｍｏｌ）を溶解させた水溶液４２ｍＬを添加し、４８時間加熱還流した。室温に戻し、有機層を濃縮した後、ジクロロメタンで希釈し、水、飽和食塩水で順次洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮乾固した。固形物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン／ジクロロメタン＝９０／１０）で精製し、２，２’−（６−フェニルエチニル−６’−デシル−３，３’−ジメトキシ）−ビナフタレン５．２ｇ（収率、６６％）を得た。

アルゴン雰囲気下、６−デシル−３，３’−ジメトキシ−６’−（フェニルエチニル）−２，２’−ビナフタレン３．０ｇ（３．７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン４０ｍＬに溶解後、−７０℃に冷却し、攪拌下、三臭化ホウ素の１．６ｍｏｌ／Ｌジクロロメタン溶液６．９ｍＬ（１９ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。１時間かけて室温まで加熱した後、１時間撹拌した。反応液を水、飽和食塩水で順次洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮乾固することで、６−デシル−３，３’−ジヒドロキシ−６’−（フェニルエチニル）−２，２’−ビナフタレン２．９ｇ（収率、１００％）を得た。

アルゴン雰囲気下、６−デシル−３，３’−ジヒドロキシ−６’−（フェニルエチニル）−２，２’−ビナフタレン１．０ｇ（１．９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン８ｍＬに溶解後、トリエチルアミン０．３ｍＬ（２．０ｍｍｏｌ）、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノピリジン０．２ｇ（１．９ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルチオカルバモイルクロリド０．９ｇ（７．６ｍｍｏｌ）を加え、２４時間加熱還流した。室温に戻し、有機層を濃縮した後、ジクロロメタンで希釈し、水、飽和食塩水で順次洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮乾固した。固形物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン／ジクロロメタン＝７０／３０）で精製することでＯ，Ｏ’ −６−デシル−３，３’−ビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルチオカルバモイル）−６’−（フェニルエチニル）−２，２’−ビナフタレン−３，３’−ジイル ビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルチオカルバメート）０．８ｇ（収率、６０％）を得た。

Ｏ，Ｏ’ −６−デシル−３，３’−ビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルチオカルバモイル）−６’−（フェニルエチニル）−２，２’−ビナフタレン−３，３’−ジイル ビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルチオカルバメート）１．０ｇ（１．４ｍｍｏｌ）を、３００℃で６時間加熱した。室温に戻し、固形物トルエンから再結晶することで３−デシル−９−（フェニルエチニル）ジナフト［２，３−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェン０．５５ｇ（収率、７３％）を得た。
^１ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ８．６７７（ｓ，１Ｈ），δ８．６６３（ｓ，１Ｈ），δ８．１７９（ｓ，１Ｈ），δ８．１５２（ｓ，１Ｈ），δ８．０９４（ｓ，１Ｈ），δ７．９６１−８．０１６（ｍ，２Ｈ），δ７．６７１（ｓ，１Ｈ），δ７．６０１（ｄｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ），δ７．５６７−７．６０５（ｍ，２Ｈ），δ７．３９６（ｄｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ），δ７．３６７−７．４２３（ｍ，３Ｈ），δ２．８２１（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），δ１．６１７−１．７７８（ｍ，２Ｈ），δ１．２７１−１．４３３（ｍ，１４Ｈ），δ０．８９８（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ）．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］^＋＝５２４．３

（合成例６）化２７における（ＩＶ−２２）の化合物の合成

窒素雰囲気下、ＡｄｖａｎｃｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ，２００９，２１，２１３−２１６．記載の方法で合成した１，４−ジブロモ−２，５−ビス（メチルスルフィド）ベンゼン３．２ｇ（８．９ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４５ｍＬに、室温で攪拌させながら、窒素ガスをバブリングさせ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３１ｇ（０．２７ｍｍｏｌ）、トリブチル（２−チエニル）すず６．３ｍL（１９．６ｍｍｏｌ）を添加し、窒素雰囲気下、１００℃、４６時間攪拌した。この反応液に水７０ｍＬを添加し、クロロホルム５０ｍＬで３回抽出し、飽和食塩水１００ｍＬで３回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮乾固し、固形物を得た。この固形物をクロロホルム１５０ｍＬに溶解後、金属スカベンジャー３０ｇを加えてスラリーを調製した。スラリーをろ別除去し、ろ液を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮乾固し、粗製固体を得た。この粗製固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン＝１００）で分離精製し、白色固体の２，２’−（２，５−ビス（メチルスルフィニル）−１，４−フェニレン）ジチオフェン２．８ｇ（収率、７３％）を得た。

２，２’−（２，５−ビス（メチルスルフィニル）−１，４−フェニレン）ジチオフェン２．５ｇに、五酸化二リン０．３５ｇ添加し、トリフルオロメタンスルホン酸１５０ｍＬを添加し、窒素雰囲気下５０ｈ攪拌した。この反応液を、氷水８００ｍＬにゆっくり添加し、３５％塩酸水で中和後、ろ過により黄色固体を得た。得られた黄色固体を水洗浄ろ過を行い、４０℃真空乾燥を行った。

乾燥し得られた黄色固体をピリジン３００ｍＬに加え、窒素雰囲気下１２０℃で２８ｈ攪拌を行った。この反応液を濃縮後、アセトン５００ｍＬに添加し、析出物をろ別し、クロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。析出物をジクロロメタンに溶解させ、シリカゲルカラム（溶媒組成はシクロヘキサン：ジクロロメタン＝５０：５０から０：１００のグラディエント）で分離精製を行い、黄色固体のジチエノ［２，３−ｄ：２’，３’−ｄ’］ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン（以下：ＴＴＢＤＴ）０．３４ｇ（収率、２０％）を得た。

ＴＴＢＤＴ（１．０ｇ、３．３ｍｍｏｌ）にアルゴン雰囲気下で脱水ジクロロメタン１８０ｍＬを加え、３０分攪拌した。次に−２０から−３０℃に冷却しながら、塩化アルミニウム（１．８２ｇ、１３．２ｍｍｏｌ）を小分けで内温を確認しながら加え、−７０℃でオクタノイルクロリド（０．５４ｇ、３．３ｍｍｏｌ）を滴下し、５時間攪拌した後、反応液を０℃に昇温し、水を加えて反応を停止した。ジクロロメタンを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。析出物を、シリカゲルカラム（溶媒組成はシクロヘキサン：クロロホルム＝１００：０から５０：５０のグラディエント）で分離精製を行い、黄色固体の２−（オクチル−１−オン）−ＴＴＢＤＴ０．４ｇ（収率、２８％）を得た。

２−（オクチル−１−オン）−ＴＴＢＤＴ（１．２７ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム（０．５１ｇ、７．８ｍｍｏｌ）に、ジエチレングリコール１２０ｍＬを加え、次いでヒドラジン一水和物（０．９５ｇ、１８．９ｍｍｏｌ）を加え窒素バブリングしながら攪拌した。その後窒素雰囲気下で１９５℃まで昇温させ、２０時間攪拌した。室温まで冷却後、反応液に水を加え反応を停止した。反応液中に析出した固形物を水、メタノールの順で洗浄した。洗浄後の固形物にジクロロメタンを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。析出物をジクロロメタンに溶解させ、シリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝８０：２０）精製を行い、２−オクチル−ＴＴＢＤＴを１．０６ｇ得た（収率８５％）。

２−オクチル−ＴＴＢＤＴ１．１８ｇ（２．８５ｍｍｏｌ）を８０ｍＬのクロロホルムに溶解後０℃に冷却し、臭素０．９７ｍＬ（３．５６ｍｍｏｌ）を２０分かけて滴下した。０℃で更に０．５時間撹拌した後、室温まで昇温し、３時間攪拌し反応を停止した。０．５Ｍチオ硫酸ナトリウム水溶液水を加え分液して下層を取り、濃縮乾固して粗製固体を得た。この固体をアセトン／ＴＨＦ混合溶媒から再結晶し、２−ブロモ−７−オクチル−ＴＴＢＤＴの白色結晶、０．５１ｇ（収率、３６％）を得た。

アルゴン雰囲気下、よう化銅０．００５ｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．０６０ｇ（０．００５２ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−７−オクチル−ＴＴＢＤＴ０．３２ｇ（０．６４ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフラン１５ｍＬ、トリエチルアミン０．６ｍＬを加え、室温で撹拌した。反応液へｐ−エチニルペンチルベンゼン０．２２２０ｇ（１．２９ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で１２時間撹拌した。クロロホルム５０ｍＬを加え、水洗した後、硫酸マグネシウムで有機相を乾燥、溶媒を留去した。得られた固形分を熱時シリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン）で分離精製、さらにアセトンで再結晶することで、２−（オクチル）−７−（４−（ペンチルフェニル）エチニル）−ＴＴＢＤＴ１５３ｍｇ（収率、４１．０％）を得た。
^１ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ８．１１（ｓ，１Ｈ），７．７８（ｓ，１Ｈ），７．４３（ｄ，２Ｈ），７．２０（ｄ，２Ｈ）７．１１（ｓ，１Ｈ），６．９６（ｓ，１Ｈ），２．６１２−２．６９１（ｍ，４Ｈ），１．５８５−１．６４８（ｍ，４Ｈ），１．３８３−１．５１０（ｍ，１４Ｈ），０．９３１−０．８６４ｍ，６Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］^＋＝５８４．２

（合成例７）化２９における（ＩＶ−４２）の化合物の合成

アルゴン雰囲気下、よう化銅０．００３３ｇ（０．０１７ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．０３０ｇ（０．００２６ｍｍｏｌ）、２−（４−デシルフェニル）−７−ヨード−ナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン０．２０６ｇ（０．３５４ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフラン６ｍＬ、トリエチルアミン０．３ｍＬを加え、室温で撹拌した。反応液へｐ−エチニルペンチルベンゼン０．０８８７ｇ（０．５１５ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で４時間撹拌した。クロロホルム５０ｍＬを加え、水洗した後、硫酸マグネシウムで有機相を乾燥、溶媒を留去した。得られた固形分を熱時シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で分離精製し２−（４−デシルフェニル）−７−（４−（ペンチルフェニル）エチニル）−ナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン２０４ｍｇ（収率、９２．０％）を得た。
^１ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ８．３３２（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ），δ８．１７５−８．２１４（ｍ，３Ｈ），δ７．９９１（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ），δ７．９３２（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ）），δ７．７２１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）），δ７．５１５（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），δ７．２８６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），δ７．２１３（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），２．６１２−２．６９１（ｍ，４Ｈ），１．５８５−１．６４８（ｍ，４Ｈ），１．３８３−１．５０３（ｍ，１８Ｈ），０．９３１−０．８６４（ｍ，６Ｈ）．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］^＋＝６２６．３

（合成例８）化２９における（ＩＶ−４１）の化合物の合成

アルゴン雰囲気下、ジチエノ［３，２−ｂ：２’,３’−ｄ］チオフェン（１．０９ｇ、５．５７ｍｍｏｌ）、脱水ジクロロメタン８５ｍＬ、デカノイルクロリド（１．１５ｍＬ、５．６７ｍｍｏｌ）を加え、３０分攪拌した。次に０℃に冷却し、塩化アルミニウム（０．９０ｇ、６．７３ｍｍｏｌ）を小分けで内温を確認しながら加えた。室温で１．５時間攪拌した後、反応液を０℃に冷却し、水を加えて反応を停止した。ジクロロメタンを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。析出物をヘキサンで洗浄し、１−（ジチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェン−２−イル）デカン−１−オンを１．９１ｇ得た（収率９８％）。

１−（ジチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェン−２−イル）デカン−１−オン（０．１０ｇ、０．２９ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム（０．３６ｇ、６．３６ｍｍｏｌ）にジエチレングリコール３ｍＬを加え、次いでヒドラジン一水和物（０．５ｍＬ、１０．３ｍｍｏｌ）を加え窒素バブリングしながら攪拌した。その後窒素雰囲気下で１２５℃まで昇温させ、２０時間攪拌した。室温まで冷却後、反応液に水を加え反応を停止した。反応液中に析出した固形物を水、メタノールの順で洗浄した。洗浄後の固形物にジクロロメタンを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。析出物をジクロロメタンに溶解させ、シリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝８０：２０）精製を行い、２−デシルジチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェンを０．０３ｇ得た（収率２８％）。

２−デシルジチエノ［３，２−ｂ：２’、３’−ｄ］チオフェン（０．２６ｇ、０．７７ｍｍｏｌ）にクロロホルム３ｍＬ、酢酸３ｍＬを加え攪拌した。反応液を０℃に冷却後、遮光下でＮ−ブロモスクシンイミド（０．１５ｇ、０．８３ｍｍｏｌ）を小分けで内温を確認しながら加えた。室温で２．５時間攪拌した後、反応液を０℃に冷却し、氷水で冷却した炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、反応を停止した。クロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。固形物を６０℃で真空乾燥して、２−ブロモ−６−デシルジチエノ［３，２−ｂ：２’、３’−ｄ］チオフェンを０．３１ｇ、０．７４ｍｏｌ）得た（収率９７％）。

２−ブロモ−６−デシルジチエノ［３，２−ｂ：２’、３’−ｄ］チオフェン（０．１５ｇ、０．３６ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．４２ｇ、０．０３ｍｍｏｌ）、ＡｎｇｅｗａｎｄｔｅＣｈｅｍｉｅ，ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＥｄｉｔｉｏｎ，５１（１１），２６２３−２６２７（２０１２）と同条件で得られた（４−（（４−ペンチルフェニル）エチニル）フェニル）ボロン酸（０．１３ｇ、０．４３ｍｍｏｌ）にアルゴン雰囲気下で脱水テトラヒドロフラン８ｍＬを加え、攪拌した。次にアルゴンバブリングした２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液０．７ｍＬをゆっくり加えた後、反応液を６０℃まで昇温させ、１７時間攪拌した。室温まで冷却後、反応液に水を加え反応を停止した。クロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。析出物をクロロホルムに溶解させ、シリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝８０：２０から５０：５０のグラディエント）精製を行った。固形物を５０℃に加熱したアセトンに溶解後、金属スカベンジャーを加え攪拌し、金属スカベンジャーをろ別除去し、ろ液から再結晶することで、２−デシル−６−（４−（（４−ペンチルフェニル）エチニル）フェニル）ジチエノ［３，２−ｂ：２’、３’−ｄ］チオフェンを０．０４ｇ得た（収率１９％）。
^１ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ７．６０１（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），δ７．５３５（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ），δ７．５２０（ｓ，１Ｈ），δ７．４５８（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）），δ７．１７２（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）），δ６．９７９（ｓ，１Ｈ），δ２．９０８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），δ２．６２０（ｔ，Ｊ＝７．６５Ｈｚ，２Ｈ）δ１．７７８−１．６９０（ｍ，２Ｈ），１．６７５−１．５５９（ｍ，２Ｈ），１．３７８−１．２６９（ｍ，２０Ｈ），０．９１９−０．８５８（ｍ，６Ｈ）．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］^＋＝５８２．２

（比較合成例１）ジアルキル置換の化合物の合成

合成例１の２−デシルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンの合成において、反応で得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム＝９５／５）で分離精製し、副生成物であった一般式（５４）で表される２，７−ジデシルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン０．３８６ｇを得た。

（比較合成例２）ジフェニル置換の化合物の合成

国際公開第２０１２／１１５２３６号パンフレットに記載の合成方法に従って、一般式（５５）で表される２，９−ジフェニルジナフト［２，３−ｂ：２’，３’−ｆ］チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを得た。

以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（実施例１）合成例１の化合物の有機トランジスタ特性評価
（化合物の溶解性の評価）
合成例１で得た化合物の濃度が０．４質量％になるように調製したｐ−キシレン溶液を、６０℃に加熱して化合物を完全に溶解させた。当該溶液を室温で１日保存後、目視で析出物の有無を確認し、析出物がないことを確認した。斯くの如く得られた溶液を、以後、“合成例１の化合物を０．４質量％溶解したｐ−キシレン溶液”と呼ぶ。
なお、本発明の化合物の溶解性評価につき、析出物がない場合を○、析出物があった場合を×とし、表１にその結果を記載した。

（ＴＣ型トランジスタの製造とその評価）
図１に示したＴＣ型トランジスタを以下の如く製造した。まず、ガラス基板を、中性洗剤水溶液、蒸留水、アセトン、エタノールで、この順に超音波洗浄（各３０分×３回）した後、スパッタ法で白金を製膜（膜厚：３０ｎｍ）してゲート電極を作製した。次に、この白金ゲート電極を具備したガラス基板を、熱ＣＶＤ装置（日本パリレン製、ＬＡＢＣＯＴＥＲＰＤＳ２０１０）にセットし、所定の条件で、膜厚１μｍのジクロロ-ジ−ｐ−キシリレンの重合膜（パラキシリレンポリマー膜）をゲート絶縁層として作製した。斯くの如く得られた基板を、以後、“ゲート電極とゲート絶縁層を具備したガラス基板”と呼ぶ。
次に、該“ゲート電極とゲート絶縁層を具備したガラス基板”上に、“合成例１の化合物を０．４質量％溶解したｐ−キシレン溶液”を０．０５μＬ滴下し、半導体層（チャネル層）を作製した。次いで、該半導体層を形成した基板に、金をメタルマスクを介してパターン蒸着（４×１０^−６Ｔｏｒｒ下で真空蒸着）することにより、ソース・ドレイン電極を作製した（膜厚：３０ｎｍ、チャネル長（Ｌ）／チャネル幅（Ｗ）：１００μｍ／１０００μｍ）。
斯くの如くして得られたトランジスタの評価は、大気雰囲気下において、デジタルマルチメーター（ＳＭＵ２３７、ケースレー製）を用いて、ゲート電極に電圧をスイープ印加（Ｖ_ｓｇ：＋４０〜−６０Ｖ）し、ソース・ドレイン電極間の電流（Ｉ_ｄ）を測定することで行なった。なお、ソース・ドレイン電極間に印加した電圧（Ｖ_ｓｄ）は−８０Ｖである。その結果、移動度は１．１であった。なお、移動度は下記（ｉｉｉ）式を用いて、√Ｉ_ｄ−Ｖ_ｓｇの傾きから求めた。単位はｃｍ^２／Ｖｓである。

（式中、μは移動度、Ｃはゲート絶縁層の単位面積当たりの電気容量、Ｖ_Ｔはゲート閾値電圧を表す。）

（ボトムコンタクト（ＢＣ）型トランジスタの製造とその評価）
図２に示したＢＣ型トランジスタを以下の如く製造した。
前記“ゲート電極とゲート絶縁層を具備したガラス基板”に、金をメタルマスクを介してパターン蒸着（４×１０^−６Ｔｏｒｒ下で真空蒸着）することにより、ソース・ドレイン電極を形成した（膜厚：３０ｎｍ、チャネル長（Ｌ）／チャネル幅（Ｗ）：１００μｍ／１０００μｍ）。次に、該ソース・ドレイン電極を形成した基板を、０．０８質量％に調整したペンタフルオロベンゼンチオールのエタノール溶液に１時間浸漬した後、エタノールでリンスし、次いで、“合成例１の化合物を０．４質量％溶解したｐ−キシレン溶液”を０．０５μＬ、前記ソース電極とドレイン電極間に滴下し、半導体層（チャネル層）を作製した。
斯くの如くして得られたトランジスタにつき、その特性を前記した方法により評価し、その結果、移動度は１．８であった。

（実施例２）合成例２の化合物の有機トランジスタ特性評価
有機半導体層の材料として、合成例１で得た化合物のかわりに、合成例２で得た化合物を用いた以外は実施例１と同様にして、ＴＣ及びＢＣ型トランジスタを作製し、その特性評価を行なった。結果につき、表１に示した。

（実施例３）合成例３の化合物の有機トランジスタ特性評価
有機半導体層の材料として、合成例１で得た化合物のかわりに、合成例３で得た化合物を用いた以外は実施例１と同様にして、ＴＣ及びＢＣ型トランジスタを作製し、その特性評価を行なった。結果につき、表１に示した。

（実施例４）合成例４の化合物の有機トランジスタ特性評価
有機半導体層の材料として、合成例１で得た化合物のかわりに、合成例４で得た化合物を用いた以外は実施例１と同様にして、ＴＣ及びＢＣ型トランジスタを作製し、その特性評価を行なった。結果につき、表１に示した。

（実施例５）合成例５の化合物の有機トランジスタ特性評価
有機半導体層の材料として、合成例１で得た化合物のかわりに、合成例５で得た化合物を用いた以外は実施例１と同様にして、ＴＣ及びＢＣ型トランジスタを作製し、その特性評価を行なった。結果につき、表１に示した。

（実施例６）合成例６の化合物の有機トランジスタ特性評価
有機半導体層の材料として、合成例１で得た化合物のかわりに、合成例５で得た化合物を用いた以外は実施例１と同様にして、ＴＣ及びＢＣ型トランジスタを作製し、その特性評価を行なった。結果につき、表１に示した。

（実施例７）合成例７の化合物の有機トランジスタ特性評価
有機半導体層の材料として、合成例１で得た化合物のかわりに、合成例５で得た化合物を用いた以外は実施例１と同様にして、ＴＣ及びＢＣ型トランジスタを作製し、その特性評価を行なった。結果につき、表１に示した。

（実施例８）合成例８の化合物の有機トランジスタ特性評価
有機半導体層の材料として、合成例１で得た化合物のかわりに、合成例５で得た化合物を用いた以外は実施例１と同様にして、ＴＣ及びＢＣ型トランジスタを作製し、その特性評価を行なった。結果につき、表１に示した。

（比較例１）
有機半導体層の材料として、合成例１で得た化合物のかわりに、比較合成例１で得た化合物を用いた以外は実施例１と同様にして、化合物の溶解性およびトランジスタ特性の評価を行なった。結果につき、表１に示した。

（比較例２）
有機半導体層の材料として、合成例１で得た化合物のかわりに、比較合成例２で得た化合物を用い、実施例１と同様にして、化合物の溶解性を評価したところ、当該化合物はｐ−キシレンには溶解せず、トランジスタが作製できなかった。

表１より明らかなように、本発明の化合物は溶剤溶解性に優れ、湿式法で簡便に半導体層を形成したＴＣ型トランジスタおよびＢＣ型トランジスタいずれの場合においても、比較例１に示した公知慣用の化合物より高い移動度を示す。更に驚くべきことに、従来、特性を発現しにくいＢＣ型トランジスタにおいて、ＴＣ型トランジスタより高き特性を発現する。以上より、本発明の化合物は、前記したが如く、実用上、好ましい性能を有しており、公知慣用の化合物に比べ優れていることが明らかである。

本発明の化合物は有機半導体としての利用が可能であり、該有機半導体材料を有機半導体層として用いる有機トランジスタへの利用が可能である。

１：基板、２：ゲート電極、３：ゲート絶縁層、４：有機半導体、５：ソース電極、６：ドレイン電極

Claims (5)

1. 一般式（１ａ）、一般式（２ａ）、一般式（３ａ）、一般式（４ａ），一般式（５ａ）または一般式（６ａ）で表される化合物。
   
   

   

   
   

   

   
   

   

   
   

   

   
   

   

   
   

   

   
   （Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、
   Ａ ^１ は一般式（７ａ）を表し、
   Ｒ _１ −Ｃ≡Ｃ−（Ｒ _２ ） _ｐ （７ａ）
   （Ｒ _１ は、フェニル基を表し、当該フェニル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、ハロゲノ基、又はニトリル基で置換されていてもよく、当該アルキル基は該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ _２ −が、任意に、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ _２ −、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲノ基又はニトリル基によって置換されていてもよい。（ただし、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す。）
   Ｒ _２ はフェニレン基（−Ｃ _６ Ｈ _４ −）を表し、 _ｐ は０又は１の整数を表す。）
   
   Ａ ^０ は炭素原子数２〜２０のアルキル基または炭素原子数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基を表す。）
   
2. 請求項１に記載のいずれかの化合物を含有する有機半導体材料。
3. 請求項１に記載のいずれかの化合物を含有する有機半導体インク。
4. 請求項２に記載の有機半導体材料を用いた有機半導体デバイス。
5. 請求項２に記載の有機半導体材料を用いた有機トランジスタ。

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