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JP6068167B2 - Wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description

本発明は、ベース配線基板上にフレーム配線基板およびキャップ配線基板が順次積層されて成る配線基板において、フレーム配線基板に電子部品が内蔵された配線基板およびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a wiring board in which a frame wiring board and a cap wiring board are sequentially laminated on a base wiring board, and an electronic component built in the frame wiring board and a method for manufacturing the wiring board.

図6に、従来の配線基板Bを示す。従来の配線基板Bは、ベース配線基板40と、キャップ配線基板50とを備えている。このような配線基板Bは、ベース配線基板40の上に、半田バンプを介してキャップ配線基板50が接合された、いわゆるパッケージオンパッケージといわれる構造を有している。   FIG. 6 shows a conventional wiring board B. The conventional wiring board B includes a base wiring board 40 and a cap wiring board 50. Such a wiring board B has a so-called package-on-package structure in which a cap wiring board 50 is bonded onto a base wiring board 40 via solder bumps.

ベース配線基板40は、上下に貫通する複数のスルーホール32および内部に電子部品Dを備える絶縁基板31と、絶縁基板31の上下面およびスルーホール32内に被着された配線導体層33と、絶縁基板31と配線導体層33の上に被着されたソルダーレジスト層34とを有している。なお、スルーホール32の内部は孔埋め樹脂により充填されている。   The base wiring board 40 includes a plurality of through holes 32 penetrating vertically and an insulating substrate 31 having an electronic component D therein, a wiring conductor layer 33 deposited in the upper and lower surfaces of the insulating substrate 31 and the through holes 32, and It has an insulating substrate 31 and a solder resist layer 34 deposited on the wiring conductor layer 33. The inside of the through hole 32 is filled with a hole filling resin.

ベース配線基板40の上面中央部には、半導体素子Sの電極と電気的に接続するための複数の半導体素子接続パッド35が配線導体層33の一部により形成されている。また、ベース配線基板40の上面外周部には、キャップ配線基板50の接合に用いる半田バンプを被着させる複数の第1接合パッド36が配線導体層33の一部により形成されている。
半導体素子接続パッド35は、ソルダーレジスト層34に設けた開口部34a内に露出している。そして、この半導体素子接続パッド35に、半導体素子Sの電極を半田バンプを介して接続することにより、ベース配線基板40の上面に半導体素子Sが搭載される。
また、第1接合パッド36は、ソルダーレジスト層34に設けた開口部34b内に露出している。なお、半導体素子接続パッド35および第1接合パッド36の一部は、互いに電気的に接続されている。
また、ベース配線基板40の内部には、電子部品Dが埋設されている。電子部品Dは、配線導体層33の一部と電気的に接続されている。電子部品Dとしては、例えば半導体素子Sへの電力の供給を安定化させるチップコンデンサー等が挙げられる。さらに、ベース配線基板40の下面には、外部の電気回路基板と接続するための複数の外部接続パッド37が配線導体層33の一部により形成されている。これらの外部接続パッド37は、ソルダーレジスト層34に設けた開口部34c内に露出している。これらの外部接続パッド37は、スルーホール32を介して半導体素子接続パッド35の一部に電気的に接続されている。
In the central portion of the upper surface of the base wiring board 40, a plurality of semiconductor element connection pads 35 for electrical connection with the electrodes of the semiconductor element S are formed by a part of the wiring conductor layer 33. A plurality of first bonding pads 36 for attaching solder bumps used for bonding the cap wiring board 50 are formed on a part of the wiring conductor layer 33 on the outer peripheral portion of the upper surface of the base wiring board 40.
The semiconductor element connection pad 35 is exposed in an opening 34 a provided in the solder resist layer 34. Then, the semiconductor element S is mounted on the upper surface of the base wiring board 40 by connecting the electrodes of the semiconductor element S to the semiconductor element connection pads 35 via solder bumps.
The first bonding pad 36 is exposed in the opening 34 b provided in the solder resist layer 34. The semiconductor element connection pad 35 and a part of the first bonding pad 36 are electrically connected to each other.
An electronic component D is embedded in the base wiring board 40. The electronic component D is electrically connected to a part of the wiring conductor layer 33. Examples of the electronic component D include a chip capacitor that stabilizes the supply of power to the semiconductor element S. Further, a plurality of external connection pads 37 for connecting to an external electric circuit board are formed on a lower surface of the base wiring board 40 by a part of the wiring conductor layer 33. These external connection pads 37 are exposed in the openings 34 c provided in the solder resist layer 34. These external connection pads 37 are electrically connected to a part of the semiconductor element connection pads 35 through the through holes 32.

キャップ配線基板50は、上下に貫通する複数のスルーホール42を有する絶縁基板41と、配線導体層43と、ソルダーレジスト層44とを備えている。   The cap wiring substrate 50 includes an insulating substrate 41 having a plurality of through holes 42 penetrating vertically, a wiring conductor layer 43, and a solder resist layer 44.

キャップ配線基板50の上面には、例えば別の半導体素子Uを搭載する半導体素子接続パッド45が配線導体層43の一部により形成されている。これらの半導体素子接続パッド45は、ソルダーレジスト層44に設けた開口部44a内に露出している。そして、この半導体素子接続パッド45に別の半導体素子Uを半田バンプを介して接続することにより、キャップ配線基板50に別の半導体素子Uが搭載される。
また、キャップ配線基板50の下面には、先述の第1接合パッド36に対応する位置に、第2接合パッド46が配線導体層43の一部により形成されている。これらの第2接合パッド46は、ソルダーレジスト層44に設けた開口部44b内に露出している。そして、この第2接合パッド46を半田バンプを介して第1接合パッド36に接続することにより、ベース配線基板40とキャップ配線基板50とが電気的に接続される。
On the upper surface of the cap wiring board 50, for example, a semiconductor element connection pad 45 for mounting another semiconductor element U is formed by a part of the wiring conductor layer 43. These semiconductor element connection pads 45 are exposed in openings 44 a provided in the solder resist layer 44. Then, another semiconductor element U is mounted on the cap wiring board 50 by connecting another semiconductor element U to the semiconductor element connection pad 45 via a solder bump.
In addition, a second bonding pad 46 is formed on a lower surface of the cap wiring board 50 by a part of the wiring conductor layer 43 at a position corresponding to the first bonding pad 36 described above. These second bonding pads 46 are exposed in the openings 44 b provided in the solder resist layer 44. The base wiring board 40 and the cap wiring board 50 are electrically connected by connecting the second bonding pads 46 to the first bonding pads 36 via solder bumps.

ところで、近年、携帯電話や携帯型音楽プレーヤーに代表される電子機器の高機能化、小型化が進んでいる。このため、これらに使用される配線基板には、高機能化の要求に対応するため多数の電子部品が搭載される。一方で小型化の要求にも対応するため、配線の高密度化や細線化などが進められている。   By the way, in recent years, electronic devices represented by mobile phones and portable music players have been improved in functionality and size. For this reason, a large number of electronic components are mounted on the wiring boards used for these in order to meet the demand for higher functionality. On the other hand, in order to respond to the demand for miniaturization, higher density and thinner wires are being promoted.

ところが、このように配線基板の高機能化、小型化が進むにつれて、ベース配線基板に形成される配線やスルーホールの形成密度がますます大きくなってきている。このため、従来の配線基板のように、多数の電子部品をベース配線基板内に埋設するスペースを確保することが困難になってきているという問題がある。   However, as the function and size of the wiring board are increased, the density of wiring and through holes formed on the base wiring board is increasing. For this reason, there is a problem that it is difficult to secure a space for embedding a large number of electronic components in the base wiring board as in the conventional wiring board.

特開2012−79854号公報JP 2012-79854 A

本発明は、配線が高密度に形成された小型の配線基板に多数の電子部品を搭載することを可能にする。これにより、高機能かつ小型の配線基板を提供することを課題とする。   The present invention makes it possible to mount a large number of electronic components on a small wiring board in which wirings are formed with high density. Accordingly, it is an object to provide a highly functional and small wiring board.

本発明の配線基板は、上面に素子搭載部および素子搭載部を囲繞する枠状のフレーム接合部を有し、フレーム接合部に複数の第1接合パッドが形成された平板状のベース配線基板と、素子搭載部に搭載された半導体素子と、フレーム接合部上に接合されており、素子搭載部を囲繞する開口部を有するとともに下面に第1接合パッドに半田バンプを介して接合された第2接合パッドを有し、上面に複数の第3接合パッドを有するフレーム配線基板と、フレーム配線基板上に開口部を塞ぐように接合されており、下面に第3接合パッドに半田バンプを介して接合された第4接合パッドを有するキャップ配線基板とを具備して成る配線基板であって、フレーム配線基板は、内部に電子部品が埋設されており、フレーム配線基板を上下に貫通するスルーホール内に形成されたスルーホール導体により第2接パッドと第3接パッドとが電気的に接続されているとともにフレーム配線基板の上面および下面の少なくとも一方から電子部品に達するビアホール内に形成されたビア導体により第2接パッドおよび第3接パッドの少なくとも一方と電子部品とが電気的に接続されていることを特徴とするものである。 The wiring board of the present invention has a flat base wiring board having an element mounting portion and a frame-shaped frame bonding portion surrounding the element mounting portion on the upper surface, and a plurality of first bonding pads formed on the frame bonding portion. And a semiconductor element mounted on the element mounting portion and a second portion bonded to the frame bonding portion, having an opening surrounding the element mounting portion and bonded to the first bonding pad on the lower surface via solder bumps. A frame wiring board having a bonding pad and having a plurality of third bonding pads on the upper surface is bonded to the frame wiring substrate so as to close the opening, and is bonded to the third bonding pad via solder bumps on the lower surface. And a cap wiring board having a fourth bonding pad, wherein the frame wiring board has an electronic component embedded therein and has a through hole vertically passing through the frame wiring board. Formed in the via hole by the through-hole conductors formed in the hole and a second junction pad and a third junction pad extending from at least one of the upper and lower surfaces of the frame wiring board with and is electrically connected to the electronic component the via conductor is one in which a second junction pads and the third at least one electronic component of the junction pad is characterized by being electrically connected.

本発明の配線基板の製造方法は、上述の配線基板において、フレーム配線基板が以下の(1)〜(7)の工程を含む工程により形成されることを特徴とする。
(1)電子部品と、上面から下面にかけて電子部品を収容可能な収容穴が形成された中層用プリプレグと、中層用プリプレグの下面に積層される下層用プリプレグと、中層用プリプレグの上面に積層される上層用プリプレグと、下層用プリプレグの下面に積層される下層用銅箔と、上層用プリプレグの上面に積層される上層用銅箔とを準備する工程
(2)収容穴内に電子部品を収容した後、下層用銅箔上に下層用プリプレグと中層用プリプレグとを順次重ねるとともに中層用プリプレグ上に上層用プリプレグと上層用銅箔とを順次重ねる工程
(3)下層用銅箔と下層用プリプレグと中層用プリプレグと電子部品と上層用プリプレグと上層用銅箔とが重なった積層体を上下からプレスしながら加熱して下層用プリプレグおよび中層用プリプレグおよび上層用プリプレグを硬化させることにより硬化積層体を形成する工程
(4)硬化積層体の上面から下面にかけてスルーホールを形成するとともにスルーホール内にスルーホール導体を形成する工程
(5)硬化積層体の上面および下面の少なくとも一方から内部の電子部品に到達するビアホールを形成するとともにビアホール内にビア導体を形成する工程
(6)硬化積層体の上下面に第2接合パッドおよび第3接合パッドを形成する工程
(7)硬化積層体に開口部を形成する工程
The method for manufacturing a wiring board according to the present invention is characterized in that, in the above-described wiring board, the frame wiring board is formed by steps including the following steps (1) to (7).
(1) An electronic component, a middle layer prepreg formed with a housing hole capable of accommodating an electronic component from the upper surface to the lower surface, a lower layer prepreg laminated on the lower surface of the middle layer prepreg, and laminated on the upper surface of the middle layer prepreg Step (2) of preparing the upper layer prepreg, the lower layer copper foil laminated on the lower surface of the lower layer prepreg, and the upper layer copper foil laminated on the upper surface of the upper layer prepreg Thereafter, a step of sequentially stacking the lower layer prepreg and the middle layer prepreg on the lower layer copper foil and sequentially stacking the upper layer prepreg and the upper layer copper foil on the middle layer prepreg (3) the lower layer copper foil and the lower layer prepreg, Lower layer prepreg and middle layer prepreg are heated while pressing a laminate of middle layer prepreg, electronic component, upper layer prepreg and upper layer copper foil from above and below. And a step of forming a cured laminate by curing the prepreg for the upper layer (4) a step of forming a through hole from the upper surface to the lower surface of the cured laminate and forming a through-hole conductor in the through hole (5) the cured laminate Forming a via hole reaching an internal electronic component from at least one of the upper and lower surfaces of the substrate and forming a via conductor in the via hole. (6) Forming the second and third bonding pads on the upper and lower surfaces of the cured laminate. Step (7) Step of forming an opening in the cured laminate

本発明の配線基板およびその製造方法によれば、フレーム配線基板内に電子部品が埋設されるとともに、フレーム配線基板の上下面に形成された第2および第3接合パッドの少なくとも一方と、電子部品とがビア導体により電気的に接続される。このように、フレーム配線基板内に電子部品を埋設して多数の電子部品を搭載するスペースを確保することで、配線が高密度に形成されるとともに、多数の電子部品が搭載された高機能かつ小型の配線基板を提供することができる。   According to the wiring board and the manufacturing method thereof of the present invention, an electronic component is embedded in the frame wiring board, at least one of the second and third bonding pads formed on the upper and lower surfaces of the frame wiring board, and the electronic component Are electrically connected by via conductors. In this way, by embedding electronic components in the frame wiring board to secure a space for mounting a large number of electronic components, the wiring is formed with a high density, and a high function and a large number of electronic components are mounted. A small wiring board can be provided.

図1(a)および(b)は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略平面図および断面図である。1A and 1B are a schematic plan view and a cross-sectional view showing an example of an embodiment of a wiring board according to the present invention. 図2(a)および(b)は、本発明の配線基板の製造方法における工程ごとの状態を示す概略断面図である。2 (a) and 2 (b) are schematic cross-sectional views showing states for respective steps in the method for manufacturing a wiring board of the present invention. 図3(a)〜(f)は、本発明のフレーム配線基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。3A to 3F are schematic cross-sectional views illustrating an example of a method for manufacturing a frame wiring board according to the present invention. 図4(g)〜(j)は、本発明のフレーム配線基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。4G to 4J are schematic cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a frame wiring board according to the present invention. 図5(a)〜(d)は、本発明のフレーム配線基板の別の製造方法の一例を示す概略断面図である。5A to 5D are schematic cross-sectional views showing an example of another method for manufacturing the frame wiring board of the present invention. 図6は従来の配線基板の一例を示す概略断面図である。FIG. 6 is a schematic sectional view showing an example of a conventional wiring board.

次に、本発明の配線基板の実施形態の一例を図1を基に詳細に説明する。   Next, an example of an embodiment of the wiring board of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

図1(a)は、本発明の実施形態の一例に係る配線基板Aの上面図であり、図1(b)は、図1(a)に示すP−P間を通る断面図である。配線基板Aは、半導体素子Sが搭載されるベース配線基板10と、電子部品Dが埋設されるフレーム配線基板20と、キャップ配線基板30とを備えている。なお、配線基板Aは、複数の製品領域X1と、製品領域X1の周囲に一体的に形成された捨て代領域Y1とを有しており、製品領域X1同士の間、および製品領域X1と捨て代領域Y1との間を切断することで、個々の製品が同時に多数個製造される。   Fig.1 (a) is a top view of the wiring board A which concerns on an example of embodiment of this invention, FIG.1 (b) is sectional drawing which passes between P-P shown to Fig.1 (a). The wiring board A includes a base wiring board 10 on which a semiconductor element S is mounted, a frame wiring board 20 in which an electronic component D is embedded, and a cap wiring board 30. The wiring board A has a plurality of product regions X1 and a disposal margin region Y1 integrally formed around the product region X1, and is disposed between the product regions X1 and between the product region X1 and the product region X1. A large number of individual products are manufactured at the same time by cutting between the marginal region Y1.

ベース配線基板10は、上下に貫通する複数のスルーホール2を有する絶縁基板1と、絶縁基板1の上下面およびスルーホール2内に被着された配線導体層3と、絶縁基板1および配線導体層3上に被着されたソルダーレジスト層4とを有している。なお、スルーホール2の内部は孔埋め樹脂により充填されている。   The base wiring substrate 10 includes an insulating substrate 1 having a plurality of through-holes 2 penetrating vertically, a wiring conductor layer 3 deposited on the upper and lower surfaces of the insulating substrate 1 and the through-hole 2, and the insulating substrate 1 and the wiring conductor. And a solder resist layer 4 deposited on the layer 3. The inside of the through hole 2 is filled with a hole filling resin.

ベース配線基板10の上面には、半導体素子Sを搭載するための素子搭載部1aが形成されている。これらの素子搭載部1aには、半導体素子Sの電極と電気的に接続するための複数の半導体素子接続パッド5が配線導体層3の一部により形成されている。これらの半導体素子接続パッド5は、ソルダーレジスト層4に設けた開口部4a内に露出している。そして、この半導体素子接続パッド5に半導体素子Sの電極を半田バンプを介して接続することにより、半導体素子Sとベース配線基板10とが電気的に接続される。
フレーム接合部1bには、フレーム配線基板20と電気的に接続するための複数の第1接合パッド6が配線導体層3の一部により形成されている。これらの第1接合パッド6は、ソルダーレジスト層4に設けた開口部4b内に露出している。なお、半導体素子接続パッド5および第1接合パッド6の一部は、互いに電気的に接続されている。
また、ベース配線基板10の下面には、外部の電気回路基板と接続するための複数の外部接続パッド7が配線導体層3の一部により形成されている。これらの外部接続パッド7は、ソルダーレジスト層4に設けた開口部4c内に露出している。これらの外部接続パッド7は、スルーホール2を介して半導体素子接続パッド5に電気的に接続されている。
An element mounting portion 1 a for mounting the semiconductor element S is formed on the upper surface of the base wiring board 10. In these element mounting portions 1 a, a plurality of semiconductor element connection pads 5 for electrical connection with the electrodes of the semiconductor element S are formed by a part of the wiring conductor layer 3. These semiconductor element connection pads 5 are exposed in the openings 4 a provided in the solder resist layer 4. The semiconductor element S and the base wiring board 10 are electrically connected by connecting the electrodes of the semiconductor element S to the semiconductor element connection pads 5 via solder bumps.
A plurality of first bonding pads 6 for electrical connection with the frame wiring board 20 are formed in the frame bonding portion 1 b by a part of the wiring conductor layer 3. These first bonding pads 6 are exposed in the openings 4 b provided in the solder resist layer 4. Part of the semiconductor element connection pad 5 and the first bonding pad 6 are electrically connected to each other.
A plurality of external connection pads 7 for connecting to an external electric circuit board are formed on a lower surface of the base wiring board 10 by a part of the wiring conductor layer 3. These external connection pads 7 are exposed in the openings 4 c provided in the solder resist layer 4. These external connection pads 7 are electrically connected to the semiconductor element connection pads 5 through the through holes 2.

フレーム配線基板20は、上下に貫通する複数のスルーホール12aおよび電子部品Dを備える絶縁基板11と、絶縁基板11表面やスルーホール12a内に被着された配線導体層13と、絶縁基板11の上下面に被着されたソルダーレジスト層14とを有している。
絶縁基板11は、上層用絶縁板11aおよび中層用絶縁板11bおよび下層用絶縁板11cから構成されている。絶縁基板11には、複数のスルーホール12aが形成されている。そして、スルーホール12a内には配線導体層13の一部がスルーホール導体として被着されており、ベース配線基板10とキャップ配線基板30とを電気的に接続している。
また、スルーホール12a同士の間隙における中層用絶縁板11bには、電子部品Dを収容可能な収容穴Hが形成されており、電子部品Dが収容されている。収容穴Hにおける電子部品D以外の空隙には樹脂が充填されている。そして、中層用絶縁板11bの上下面に、上層用および下層用絶縁板11a、11cが配設されている。さらに、上層用および下層用絶縁板11a、11cの表面から電子部品Dに達するビアホール12bが形成されているとともに、ビアホール12b内にビア導体として充填された配線導体層13の一部により、電子部品Dと後述する第2および第3接パッド16a、16bとが電気的に接続される。
上述のように、フレーム配線基板20は、ベース配線基板10とキャップ配線基板30とを電気的に接続するスルーホール12aが比較的緩やかな密度で形成されているため、電子部品Dを埋設するスペースを確保することができる。
また、フレーム配線基板20には、素子搭載部1aを囲繞する大きさの開口部15が形成されている。そして、フレーム配線基板20の下面にはベース配線基板10の第1接合パッド6に対応する位置に、複数の第2接合パッド16aが配線導体層13の一部により形成されている。これらの第2接合パッド16aは、ソルダーレジスト層14に設けた開口部14a内に露出している。そして、第2接合パッド16aと第1接合パッド6とが半田バンプを介して互いに接合される。これにより、ベース配線基板10の配線導体層3の一部とフレーム配線基板20の配線導体層13とが電気的に接続されている。
さらに、フレーム配線基板20の上面には、複数の第3接合パッド16bが配線導体層13の一部により形成されている。第3接合パッド16bは、ソルダーレジスト層14に設けた開口部14b内に露出している。
The frame wiring board 20 includes an insulating substrate 11 having a plurality of through holes 12a and electronic components D penetrating vertically, a wiring conductor layer 13 deposited on the surface of the insulating substrate 11 and in the through holes 12a, and an insulating substrate 11 And a solder resist layer 14 deposited on the upper and lower surfaces.
The insulating substrate 11 includes an upper insulating plate 11a, an intermediate insulating plate 11b, and a lower insulating plate 11c. A plurality of through holes 12 a are formed in the insulating substrate 11. A part of the wiring conductor layer 13 is deposited as a through-hole conductor in the through hole 12a, and the base wiring board 10 and the cap wiring board 30 are electrically connected.
In addition, the middle layer insulating plate 11b in the gap between the through holes 12a is formed with a housing hole H that can accommodate the electronic component D, and the electronic component D is accommodated therein. The space other than the electronic component D in the accommodation hole H is filled with resin. The upper and lower insulating plates 11a and 11c are disposed on the upper and lower surfaces of the middle insulating plate 11b. Further, via holes 12b reaching the electronic component D from the surfaces of the upper and lower insulating plates 11a and 11c are formed, and the electronic component is formed by a part of the wiring conductor layer 13 filled as a via conductor in the via hole 12b. second and third junction pads 16a to be described later D, 16b and are electrically connected.
As described above, in the frame wiring board 20, the through holes 12 a that electrically connect the base wiring board 10 and the cap wiring board 30 are formed with a relatively moderate density. Can be secured.
The frame wiring board 20 is formed with an opening 15 having a size surrounding the element mounting portion 1a. A plurality of second bonding pads 16 a are formed on a lower surface of the frame wiring board 20 by a part of the wiring conductor layer 13 at positions corresponding to the first bonding pads 6 of the base wiring board 10. These second bonding pads 16 a are exposed in the openings 14 a provided in the solder resist layer 14. Then, the second bonding pad 16a and the first bonding pad 6 are bonded to each other through solder bumps. Thereby, a part of the wiring conductor layer 3 of the base wiring board 10 and the wiring conductor layer 13 of the frame wiring board 20 are electrically connected.
Further, a plurality of third bonding pads 16 b are formed on a part of the wiring conductor layer 13 on the upper surface of the frame wiring board 20. The third bonding pad 16 b is exposed in the opening 14 b provided in the solder resist layer 14.

キャップ配線基板30は、上下に貫通する複数のスルーホール22を有する絶縁基板21と、絶縁基板21の上下面およびスルーホール22内に被着された配線導体層23と、絶縁基板21および配線導体層23上に被着されたソルダーレジスト層24とを有している。なお、スルーホール22の内部は孔埋め樹脂により充填されている。   The cap wiring board 30 includes an insulating substrate 21 having a plurality of through holes 22 penetrating vertically, a wiring conductor layer 23 deposited on the upper and lower surfaces of the insulating substrate 21 and the through holes 22, and the insulating substrate 21 and the wiring conductor. And a solder resist layer 24 deposited on the layer 23. The inside of the through hole 22 is filled with a hole filling resin.

キャップ配線基板30の上面には、例えば別の半導体素子(不図示)の電極と電気的に接続するための複数の半導体素子接続パッド25が配線導体層23の一部により形成されている。これらの半導体素子接続パッド25は、ソルダーレジスト層24に設けた開口部24a内に露出している。そして、この半導体素子接続パッド25に別の半導体素子の電極を半田バンプを介して接続することにより、別の半導体素子とキャップ配線基板30とが電気的に接続される。また、キャップ配線基板30の下面には、フレーム配線基板20の第3接合パッド16bに対応する位置に、複数の第4接合パッド26が配線導体層23の一部により形成されている。これらの第4接合パッド26は、ソルダーレジスト層24に設けた開口部24b内に露出している。そして、第4接合パッド26と第3接合パッド16bとが半田バンプを介して互いに接合される。これにより、フレーム配線基板20の配線導体層13の一部とキャップ配線基板30の配線導体層23とが電気的に接続されている。
さらに、フレーム接合部1bにおけるベース配線基板10とフレーム配線基板20との隙間には封止樹脂Rが充填される。この封止樹脂Rは、ベース配線基板10とフレーム配線基板20とを強固に接合するとともに、隙間から素子搭載部1aに水分や異物などが浸入することを防止することで半導体素子Sを保護する機能を有している。
On the upper surface of the cap wiring board 30, for example, a plurality of semiconductor element connection pads 25 for electrically connecting to electrodes of another semiconductor element (not shown) are formed by a part of the wiring conductor layer 23. These semiconductor element connection pads 25 are exposed in the openings 24 a provided in the solder resist layer 24. Then, by connecting an electrode of another semiconductor element to the semiconductor element connection pad 25 via a solder bump, the other semiconductor element and the cap wiring board 30 are electrically connected. A plurality of fourth bonding pads 26 are formed on a lower surface of the cap wiring board 30 by a part of the wiring conductor layer 23 at positions corresponding to the third bonding pads 16 b of the frame wiring board 20. These fourth bonding pads 26 are exposed in the openings 24 b provided in the solder resist layer 24. Then, the fourth bonding pad 26 and the third bonding pad 16b are bonded to each other via the solder bump. Thereby, a part of the wiring conductor layer 13 of the frame wiring board 20 and the wiring conductor layer 23 of the cap wiring board 30 are electrically connected.
Further, a sealing resin R is filled in a gap between the base wiring board 10 and the frame wiring board 20 in the frame joint portion 1b. The sealing resin R protects the semiconductor element S by firmly bonding the base wiring board 10 and the frame wiring board 20 and preventing moisture and foreign matter from entering the element mounting portion 1a through the gap. It has a function.

絶縁基板1、11、21は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。また、配線導体層3、13、23は例えば銅箔や銅めっき等の良導電性材料により形成されている。そして、ソルダーレジスト層4、14、24は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂を硬化させた電気絶縁材料から成る。   The insulating substrates 1, 11, and 21 are made of an electrically insulating material in which a glass cloth is impregnated with a thermosetting resin such as an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin. Further, the wiring conductor layers 3, 13, and 23 are made of a highly conductive material such as copper foil or copper plating. The solder resist layers 4, 14, and 24 are made of an electrically insulating material obtained by curing a photosensitive thermosetting resin such as an acrylic-modified epoxy resin.

上述のように、本例の配線基板Aにおいては、フレーム配線基板20内に電子部品Dが埋設されるとともに、フレーム配線基板20の上下面に形成された第2および第3接合パッド16a、16bの少なくとも一方と、電子部品Dとがビア導体により電気的に接続される。このように、フレーム配線基板内20に電子部品Dを埋設して多数の電子部品Dを搭載するスペースを確保することで、配線が高密度に形成されるとともに、多数の電子部品Dが搭載された高機能かつ小型の配線基板Aを提供することができる。   As described above, in the wiring board A of this example, the electronic component D is embedded in the frame wiring board 20, and the second and third bonding pads 16 a and 16 b formed on the upper and lower surfaces of the frame wiring board 20. And the electronic component D are electrically connected by a via conductor. In this way, by embedding the electronic components D in the frame wiring board 20 to secure a space for mounting a large number of electronic components D, the wiring is formed with a high density and a large number of electronic components D are mounted. A highly functional and small-sized wiring board A can be provided.

次に、本発明の配線基板の製造方法の一例について、図2〜図4を基にして詳細に説明する。なお、図2〜図4において、図1を基に説明した配線基板Aと同一の箇所には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。まず、図2(a)に示すように、ベース配線基板10とフレーム配線基板20とキャップ配線基板30と半導体素子Sとを準備する。   Next, an example of the manufacturing method of the wiring board of this invention is demonstrated in detail based on FIGS. 2 to 4, the same parts as those of the wiring board A described with reference to FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. First, as shown in FIG. 2A, a base wiring board 10, a frame wiring board 20, a cap wiring board 30, and a semiconductor element S are prepared.

ベース配線基板10は、上述したように、上下に貫通する複数のスルーホール2を有する絶縁基板1と、絶縁基板1の上下面およびスルーホール2内に被着された配線導体層3と、絶縁基板1および配線導体層3上に被着されたソルダーレジスト層4とを有している。ベース配線基板10の上面には、素子搭載部1aおよび素子搭載部1aを囲繞する枠状のフレーム接合部1bが形成されている。素子搭載部1aには、複数の半導体素子接続パッド5が形成されている。また、フレーム接合部1bには、複数の第1接合パッド6が形成されている。   As described above, the base wiring substrate 10 is insulated from the insulating substrate 1 having a plurality of through holes 2 penetrating vertically, the wiring conductor layer 3 deposited in the upper and lower surfaces of the insulating substrate 1 and the through holes 2, And a solder resist layer 4 deposited on the substrate 1 and the wiring conductor layer 3. On the upper surface of the base wiring board 10, an element mounting portion 1a and a frame-shaped frame joint portion 1b surrounding the element mounting portion 1a are formed. A plurality of semiconductor element connection pads 5 are formed on the element mounting portion 1a. A plurality of first bonding pads 6 are formed in the frame bonding portion 1b.

このようなベース配線基板10は、例えば次のように形成される。まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させてなる絶縁板の両面に12〜18μm程度の銅箔が被着された両面銅張り板を用意する。次にドリル加工やレーザ加工、あるいはブラスト加工によりφ50〜300μm程度のスルーホール2を複数形成する。次に、スルーホール2の内壁に銅めっき層を被着させるとともに、周知のサブトラクティブ法により絶縁板上およびスルーホール2内に所定のパターンを有する配線導体層3を形成する。次に、半導体素子接続パッド5を露出させる開口部4aおよび第1接合パッド6を露出させる開口部4bを有するソルダーレジスト層4を形成することでベース配線基板10が形成される。最後に、周知のフリップチップ技術により半導体素子Sを素子搭載部1aに搭載する。   Such a base wiring board 10 is formed as follows, for example. First, a double-sided copper-clad plate in which a copper foil of about 12 to 18 μm is coated on both sides of an insulating plate formed by impregnating a glass cloth with a thermosetting resin such as an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin is prepared. Next, a plurality of through holes 2 having a diameter of about 50 to 300 μm are formed by drilling, laser processing, or blasting. Next, a copper plating layer is deposited on the inner wall of the through hole 2, and the wiring conductor layer 3 having a predetermined pattern is formed on the insulating plate and in the through hole 2 by a known subtractive method. Next, the base wiring board 10 is formed by forming the solder resist layer 4 having the opening 4a exposing the semiconductor element connection pad 5 and the opening 4b exposing the first bonding pad 6. Finally, the semiconductor element S is mounted on the element mounting portion 1a by a known flip chip technique.

フレーム配線基板20は、上述したように上下に貫通する複数のスルーホール12aおよび電子部品Dを有する絶縁基板11と、絶縁基板11表面やスルーホール12a内に被着された配線導体層13と、絶縁基板11の上下面に被着されたソルダーレジスト層14とを有している。絶縁基板11は、上層用絶縁板11aおよび中層用絶縁板11bおよび下層用絶縁板11cから構成されている。中層用絶縁板11bには、電子部品Dを収容可能な収容穴Hが形成されており、電子部品Dが収容されている。また、収容穴Hにおける電子部品D以外の空隙には樹脂が充填されている。そして、中層用絶縁板11bの上下面に、上層用および下層用絶縁板11a、11cが配設される。さらに、上層用および下層用絶縁板11a、11cの表面から電子部品Dに達するビアホール12bが形成されるとともに、ビアホール12b内にビア導体として充填された配線導体層13により、電子部品Dと後述する第2および第3接パッド16a、16bとが電気的に接続される。さらに、ベース配線基板10の素子搭載部1aに対応する位置に素子搭載部1aを囲繞する大きさの開口部15を有している。
フレーム配線基板20の下面には、ベース配線基板10における第1接合パッド6に対応する位置に複数の第2接合パッド16aが形成されている。フレーム配線基板20の上面には、第3接合パッド16bが形成されている。ソルダーレジスト層14は、第2接合パッド16aを露出させる開口部14aと第3接合パッド16bを露出させる開口部14bとを有している。
As described above, the frame wiring board 20 includes an insulating substrate 11 having a plurality of through holes 12a and electronic components D penetrating vertically, a wiring conductor layer 13 deposited on the surface of the insulating substrate 11 and in the through holes 12a, And a solder resist layer 14 deposited on the upper and lower surfaces of the insulating substrate 11. The insulating substrate 11 includes an upper insulating plate 11a, an intermediate insulating plate 11b, and a lower insulating plate 11c. The middle layer insulating plate 11b is formed with a housing hole H that can accommodate the electronic component D, and the electronic component D is accommodated therein. Further, a resin other than the electronic component D in the accommodation hole H is filled with resin. The upper and lower insulating plates 11a and 11c are disposed on the upper and lower surfaces of the middle insulating plate 11b. Further, via holes 12b reaching the electronic component D from the surfaces of the upper and lower insulating plates 11a and 11c are formed, and the wiring conductor layer 13 filled in the via hole 12b as a via conductor fills the electronic component D and will be described later. second and third junction pads 16a, 16b and are electrically connected. Furthermore, an opening 15 having a size surrounding the element mounting portion 1 a is provided at a position corresponding to the element mounting portion 1 a of the base wiring board 10.
On the lower surface of the frame wiring board 20, a plurality of second bonding pads 16 a are formed at positions corresponding to the first bonding pads 6 in the base wiring board 10. A third bonding pad 16 b is formed on the upper surface of the frame wiring board 20. The solder resist layer 14 has an opening 14a that exposes the second bonding pad 16a and an opening 14b that exposes the third bonding pad 16b.

このようなフレーム配線基板20の形成方法の一例の概略図を、図3および図4に示す。まず、図3(a)に示すように、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成るとともに、電子部品Dを収容する収容穴Hが形成された中層用プリプレグP2を粘着面を有する平板上に載置する。次に、図3(b)に示すように、収容穴H内に例えばエポキシ系の樹脂Jを注入する。次に、図3(c)に示すように、樹脂Jが注入された収容穴Hに電子部品Dを収容する。次に図3(d)に示すように、樹脂Jを硬化させた後に、電子部品Dが収容された中層用プリプレグP2を平板から分離する。次に、図3(e)に示すように、下層用銅箔C2上に下層用プリプレグP3と中層用プリプレグP2とを順次重ねるとともに、中層用プリプレグP2上に上層用プリプレグP1と上層用銅箔C1とを順次重ねて積層体を形成する。次に、図3(f)に示すように、積層体を上下からプレスしながら加熱して、上層用および中層用および下層用プリプレグP1、P2、P3を硬化させることにより硬化積層体Kを形成する。次に、図4(g)に示すように、レーザ加工により硬化積層体Kの上方および下方に電子部品Dに到達するビアホール12bを形成して銅めっき金属を充填する。次に、図4(h)に示すように、ドリル加工やレーザ加工、あるいはブラスト加工によりφ50〜300μm程度のスルーホール12aを複数形成するとともに、ルータ加工やレーザ加工、あるいはブラスト加工により開口部15(不図示)を形成する。次に、図4(i)に示すように、スルーホール12a内に銅めっき層を被着させるとともに、周知のサブトラクティブ法により硬化積層体K表面およびスルーホール12a内に所定のパターンを有する配線導体層13を形成する。最後に図4(j)に示すように、上下面にソルダーレジスト層14を形成すればよい。
A schematic diagram of an example of a method for forming such a frame wiring board 20 is shown in FIGS. First, as shown in FIG. 3 (a), a glass cloth is impregnated with a thermosetting resin such as an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin, and an accommodation hole H for accommodating an electronic component D is formed . The prepreg P2 is placed on a flat plate having an adhesive surface. Next, as shown in FIG. 3B, for example, an epoxy resin J is injected into the accommodation hole H. Next, as shown in FIG. 3C, the electronic component D is accommodated in the accommodation hole H into which the resin J is injected. Next, as shown in FIG. 3D, after the resin J is cured, the middle layer prepreg P2 in which the electronic component D is accommodated is separated from the flat plate. Next, as shown in FIG. 3E, the lower layer prepreg P3 and the middle layer prepreg P2 are sequentially stacked on the lower layer copper foil C2, and the upper layer prepreg P1 and the upper layer copper foil are laminated on the middle layer prepreg P2. C1 is sequentially stacked to form a laminate. Next, as shown in FIG. 3 (f), the laminated body is heated while being pressed from above and below to form the cured laminated body K by curing the prepregs P1, P2, and P3 for the upper layer, the middle layer, and the lower layer. To do. Next, as shown in FIG. 4G, via holes 12b reaching the electronic component D are formed above and below the cured laminate K by laser processing, and filled with a copper-plated metal. Next, as shown in FIG. 4H, a plurality of through holes 12a having a diameter of about 50 to 300 μm are formed by drilling, laser processing, or blasting, and the opening 15 is formed by router processing, laser processing, or blasting. (Not shown) is formed. Next, as shown in FIG. 4 (i), a copper plating layer is deposited in the through-hole 12a, and a wiring having a predetermined pattern on the surface of the cured laminate K and the through-hole 12a by a known subtractive method. The conductor layer 13 is formed. Finally, as shown in FIG. 4J, solder resist layers 14 may be formed on the upper and lower surfaces.

キャップ配線基板30は、上述したように、上下に貫通する複数のスルーホール22を有する絶縁基板21と、絶縁基板21の上下面およびスルーホール22内に被着された配線導体層23と、絶縁基板21および配線導体層23上に被着されたソルダーレジスト層24とを有している。キャップ配線基板30の上面には、別の半導体素子(不図示)が接続される複数の半導体素子接続パッド25が形成されている。また、キャップ配線基板30の下面には、フレーム配線基板20の第3接合パッド16bに対応する位置に、複数の第4接合パッド26が配線導体層23の一部により形成されている。   As described above, the cap wiring substrate 30 is insulated from the insulating substrate 21 having the plurality of through holes 22 penetrating vertically, the wiring conductor layer 23 deposited in the upper and lower surfaces of the insulating substrate 21 and the through holes 22, and the insulating substrate 21. And a solder resist layer 24 deposited on the substrate 21 and the wiring conductor layer 23. A plurality of semiconductor element connection pads 25 to which another semiconductor element (not shown) is connected are formed on the upper surface of the cap wiring board 30. A plurality of fourth bonding pads 26 are formed on a lower surface of the cap wiring board 30 by a part of the wiring conductor layer 23 at positions corresponding to the third bonding pads 16 b of the frame wiring board 20.

キャップ配線基板30は、例えば次のように形成される。まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させてなる絶縁板の両面に12〜18μm程度の銅箔が被着された両面銅張り板を用意する。次にドリル加工やレーザ加工、あるいはブラスト加工によりφ50〜300μm程度のスルーホール22を複数形成する。次に、スルーホール22の内壁に銅めっき層を被着させるとともに、周知のサブトラクティブ法により絶縁板上およびスルーホール22内に所定のパターンを有する配線導体層23を形成する。次に、半導体素子接続パッド25を露出させる開口部24aおよび第4接合パッド26を露出させる開口部24bを有するソルダーレジスト層24を形成することでキャップ配線基板30が形成される。   The cap wiring board 30 is formed as follows, for example. First, a double-sided copper-clad plate in which a copper foil of about 12 to 18 μm is coated on both sides of an insulating plate formed by impregnating a glass cloth with a thermosetting resin such as an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin is prepared. Next, a plurality of through holes 22 having a diameter of about 50 to 300 μm are formed by drilling, laser processing, or blasting. Next, a copper plating layer is deposited on the inner wall of the through hole 22, and a wiring conductor layer 23 having a predetermined pattern is formed on the insulating plate and in the through hole 22 by a known subtractive method. Next, the cap wiring board 30 is formed by forming the solder resist layer 24 having the opening 24a exposing the semiconductor element connection pad 25 and the opening 24b exposing the fourth bonding pad 26.

次に図2(b)に示すように、ベース配線基板10とフレーム配線基板20とキャップ配線基板30とを、半田バンプを介して接合する。これらの接合は、例えば次のようにして行なわれる。まず第1接合パッド6または第2接合パッド16aの少なくとも一方、および第3接合パッド16bまたは第4接合パッド26の少なくとも一方に半田バンプ用の半田を溶着させる。次に対応する第1接合パッド6と第2接合パッド16aおよび第3接合パッド16bと第4接合パッド26とが対向するように、半導体素子Sが搭載されたベース配線基板10の上にフレーム配線基板20を載置するとともに、フレーム配線基板20の上にキャップ配線基板30を載置する。次にリフロー処理により半田を溶融させ、それぞれ対応する第1接合パッド6と第2接合パッド16aおよび第3接合パッド16bと第4接合パッド26とを半田バンプを介して接合させることで、ベース配線基板10とフレーム配線基板20およびキャップ配線基板30とを接合させる。   Next, as shown in FIG. 2B, the base wiring board 10, the frame wiring board 20, and the cap wiring board 30 are joined via solder bumps. These joinings are performed as follows, for example. First, solder for solder bumps is welded to at least one of the first bonding pad 6 or the second bonding pad 16 a and at least one of the third bonding pad 16 b or the fourth bonding pad 26. Next, the frame wiring is formed on the base wiring substrate 10 on which the semiconductor element S is mounted so that the corresponding first bonding pad 6 and the second bonding pad 16a and the third bonding pad 16b and the fourth bonding pad 26 face each other. The substrate 20 is placed, and the cap wiring substrate 30 is placed on the frame wiring substrate 20. Next, the solder is melted by a reflow process, and the corresponding first bonding pad 6, second bonding pad 16a, third bonding pad 16b, and fourth bonding pad 26 are bonded to each other via the solder bump, thereby providing a base wiring. The substrate 10, the frame wiring substrate 20, and the cap wiring substrate 30 are joined.

最後に、フレーム接合部1bにおけるベース配線基板10とフレーム配線基板20との隙間に、液状の封止樹脂Rを充填した後、熱硬化させることにより図1に示した配線基板Aが完成する。   Finally, a liquid sealing resin R is filled in the gap between the base wiring board 10 and the frame wiring board 20 in the frame joint portion 1b, and then thermosetting is performed to complete the wiring board A shown in FIG.

このように、本発明の配線基板Aの製造方法においては、フレーム配線基板20内に電子部品Dが埋設されるとともに、フレーム配線基板20の上下面に形成された第2および第3接合パッド16a、16bの少なくとも一方と、電子部品Dとがビア導体により電気的に接続される。このように、フレーム配線基板内20に電子部品Dを埋設して多数の電子部品Dを搭載するスペースを確保することで、配線が高密度に形成されるとともに、多数の電子部品Dが搭載された高機能かつ小型の配線基板Aを提供することができる。   Thus, in the method for manufacturing the wiring board A of the present invention, the electronic component D is embedded in the frame wiring board 20 and the second and third bonding pads 16a formed on the upper and lower surfaces of the frame wiring board 20 are used. , 16b and the electronic component D are electrically connected by via conductors. In this way, by embedding the electronic components D in the frame wiring board 20 to secure a space for mounting a large number of electronic components D, the wiring is formed with a high density and a large number of electronic components D are mounted. A highly functional and small-sized wiring board A can be provided.

なお、本発明は、上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の製造方法の一例では、中層用プリプレグP2に設けた収容穴Hに、樹脂Jを注入した後に電子部品Dを収容したが、樹脂Jを注入した後に電子部品Dを収容してもよい。この場合、例えば図5(a)に示すように、粘着面を有する平板上に収容穴Hが形成された中層用プリプレグP4を載置する。次に、図5(b)に示すように、収容穴Hに電子部品Dを収容する。次に、図5(c)に示すように、収容穴Hにおける空隙に樹脂Jを注入する。次に、図5(d)に示すように、樹脂Jを硬化後に中層用プリプレグP4を平板から分離する。以降は、図3(e)、(f)および図4(g)〜(j)に示す工程と同様の処理を行うことでフレーム配線基板20が形成される。 In addition, this invention is not limited to an example of the above-mentioned embodiment, A various change is possible if it is a range which does not deviate from the summary of this invention. For example, in the example of the manufacturing method described above, the electronic component D is accommodated after injecting the resin J into the accommodating hole H provided in the prepreg P2 for the middle layer, but the electronic component D may be accommodated after injecting the resin J. Good. In this case, for example, as shown in FIG. 5A, the middle layer prepreg P4 in which the accommodation hole H is formed on the flat plate having the adhesive surface is placed. Next, the electronic component D is accommodated in the accommodation hole H as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 5C, the resin J is injected into the gap in the accommodation hole H. Next, as shown in FIG. 5D, after the resin J is cured, the middle layer prepreg P4 is separated from the flat plate. Thereafter, the frame wiring board 20 is formed by performing the same processes as those shown in FIGS. 3E and 3F and FIGS. 4G to 4J.

1a 素子搭載部
1b フレーム接合部
6 第1接合パッド
10 ベース配線基板
12a スルーホール
12b ビアホール
15 開口部
16a 第2接合パッド
16b 第3接合パッド
20 フレーム配線基板
26 第4接合パッド
30 キャップ配線基板
A 配線基板
D 電子部品
S 半導体素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a Element mounting part 1b Frame joining part 6 1st joining pad 10 Base wiring board 12a Through hole 12b Via hole 15 Opening part 16a 2nd joining pad 16b 3rd joining pad 20 Frame wiring board 26 4th joining pad 30 Cap wiring board A Wiring Substrate D Electronic component S Semiconductor element

Claims (2)

上面に素子搭載部および該素子搭載部を囲繞する枠状のフレーム接合部を有し、該フレーム接合部に複数の第1接合パッドが形成された平板状のベース配線基板と、前記素子搭載部に搭載された半導体素子と、前記フレーム接合部上に接合されており、前記素子搭載部を囲繞する開口部を有するとともに下面に前記第1接合パッドに半田バンプを介して接合された第2接合パッドを有し、上面に複数の第3接合パッドを有するフレーム配線基板と、前記フレーム配線基板上に前記開口部を塞ぐように接合されており、下面に前記第3接合パッドに半田バンプを介して接合された第4接合パッドを有するキャップ配線基板とを具備して成る配線基板であって、前記フレーム配線基板は、内部に電子部品が埋設されており、該フレーム配線基板を上下に貫通するスルーホール内に形成されたスルーホール導体により前記第2接合パッドと前記第3接合パッドとが電気的に接続されているとともに前記フレーム配線基板の上面および下面の少なくとも一方から前記電子部品に達するビアホール内に形成されたビア導体により前記第2接合パッドおよび第3接合パッドの少なくとも一方と前記電子部品とが電気的に接続されていることを特徴とする配線基板。 A flat base wiring board having an element mounting portion on the upper surface and a frame-shaped frame bonding portion surrounding the element mounting portion, and a plurality of first bonding pads formed on the frame bonding portion , and the element mounting portion a semiconductor element mounted on said are joined onto the frame joint, a second junction and having an opening which surrounds the element mounting portion joined via a solder bump on the first bonding pad to the lower surface a pad, via a frame circuit board having a plurality of third bonding pads on the upper surface, the is bonded to the frame wiring substrate close the opening, a solder bump in the third bonding pads on the lower surface And a cap wiring board having a fourth bonding pad bonded to each other, wherein the frame wiring board has an electronic component embedded therein, The second bonding pad and the third bonding pad are electrically connected by a through-hole conductor formed in a through-hole penetrating downward, and the electrons are transmitted from at least one of the upper surface and the lower surface of the frame wiring board. A wiring board, wherein at least one of the second bonding pad and the third bonding pad and the electronic component are electrically connected by a via conductor formed in a via hole reaching the component. 請求項1記載の配線基板の製造方法であって、前記フレーム配線基板が以下の(1)〜(7)の工程を含む工程により形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
(1)前記電子部品と、上面から下面にかけて前記電子部品を収容可能な収容穴が形成された中層用プリプレグと、該中層用プリプレグの下面に積層される下層用プリプレグと、前記中層用プリプレグの上面に積層される上層用プリプレグと、前記下層用プリプレグの下面に積層される下層用銅箔と、前記上層用プリプレグの上面に積層される上層用銅箔とを準備する工程
(2)前記収容穴内に前記電子部品を収容した後、前記下層用銅箔上に前記下層用プリプレグと前記中層用プリプレグとを順次重ねるとともに該中層用プリプレグ上に前記上層用プリプレグと前記上層用銅箔とを順次重ねる工程
(3)前記下層用銅箔と前記下層用プリプレグと前記中層用プリプレグと前記電子部品と前記上層用プリプレグと前記上層用銅箔とが重なった積層体を上下からプレスしながら加熱して前記下層用プリプレグおよび前記中層用プリプレグおよび前記上層用プリプレグを硬化させることにより硬化積層体を形成する工程
(4)前記硬化積層体の上面から下面にかけて前記スルーホールを形成するとともに該スルーホール内に前記スルーホール導体を形成する工程
(5)前記硬化積層体の上面および下面の少なくとも一方から内部の前記電子部品に到達する前記ビアホールを形成するとともに該ビアホール内に前記ビア導体を形成する工程
(6)前記硬化積層体の上下面に前記第2接合パッドおよび第3接合パッドを形成する工程
(7)前記硬化積層体に前記開口部を形成する工程
2. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the frame wiring board is formed by a process including the following processes (1) to (7).
(1) A prepreg for an intermediate layer in which an accommodation hole capable of accommodating the electronic component from the upper surface to the lower surface is formed, a prepreg for a lower layer laminated on the lower surface of the prepreg for the intermediate layer, and the prepreg for the intermediate layer (2) Step of preparing the upper layer prepreg laminated on the upper surface, the lower layer copper foil laminated on the lower surface of the lower layer prepreg, and the upper layer copper foil laminated on the upper surface of the upper layer prepreg After accommodating the electronic component in the hole, the lower layer prepreg and the middle layer prepreg are sequentially stacked on the lower layer copper foil, and the upper layer prepreg and the upper layer copper foil are sequentially stacked on the middle layer prepreg. a step (3) the lower copper foil and the copper foil for the lower layer prepreg and the intermediate layer prepreg and the electronic component and the upper layer prepreg layer overlaying overlap A step of forming a cured laminate by curing the lower layer prepreg, the middle layer prepreg and the upper layer prepreg by pressing the layer body from above and below (4) from the upper surface to the lower surface of the cured laminate Forming a through hole and forming the through hole conductor in the through hole (5) forming the via hole reaching the electronic component inside from at least one of an upper surface and a lower surface of the cured laminated body and the via hole; The step of forming the via conductor in (6) The step of forming the second bonding pad and the third bonding pad on the upper and lower surfaces of the cured laminate (7) The step of forming the opening in the cured laminate
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