JP6122853B2 - 放射源 - Google Patents
放射源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6122853B2 JP6122853B2 JP2014531158A JP2014531158A JP6122853B2 JP 6122853 B2 JP6122853 B2 JP 6122853B2 JP 2014531158 A JP2014531158 A JP 2014531158A JP 2014531158 A JP2014531158 A JP 2014531158A JP 6122853 B2 JP6122853 B2 JP 6122853B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- collector
- laser radiation
- plasma
- fuel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
- H05G2/0082—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam
- H05G2/0088—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam for preconditioning the plasma generating material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/009—Auxiliary arrangements not involved in the plasma generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
[0001] 本出願は、2011年9月22日に出願の米国特許仮出願第61/538,006号、2012年3月5日に出願の米国特許仮出願第61/606,715、2012年4月19日に出願の米国特許仮出願第61/635,758、および2012年7月6日に出願の米国特許仮出願第61/668,474の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本発明の一実施形態には、
放射源であって、
燃料流を生成し、プラズマ形成位置に向かう軌跡に沿って前記燃料流を誘導するよう構成された燃料流ジェネレータと、
使用中、変性燃料ターゲットを生成するためプラズマ形成位置における燃料流にレーザ放射の第1ビームを誘導するよう構成されたプリパルスレーザ放射アセンブリと、
使用中、放射生成プラズマを生成するためにプラズマ形成位置における変性燃料ターゲットに向かってレーザ放射の第2ビームを誘導するよう構成されたメインパルスレーザ放射アセンブリと、
放射生成プラズマによって生成された放射を集光しかつ集光した放射を放射源の光軸に沿いに誘導するよう構築および配置されたコレクタと、を備え、
プリパルスレーザ放射アセンブリは、光軸に実質的に沿い燃料流に向かってレーザ放射の第1ビームを誘導するよう構成され、
メインパルスレーザ放射アセンブリは、光軸に対して実質的に0°より大きくかつ90°より小さい角度で変性燃料ターゲットに向うようレーザ放射の第2ビームを誘導するよう構成される、放射源が提供される。これにより、コレクタは、より少ない量の放射生成プラズマからの赤外線放射を集光し得る。プラズマからの赤外線放射は、放射源に接続されたリソグラフィ装置内において問題を引き起こす可能性があるため、赤外線放射のフィルタリングが必要となり得る。フィルタリングは、装置内におけるEUV透過を減少し得る。より少ない量の赤外線放射が集光されれば、EUV効率を向上させる装置においてフィルタリングは必要ではなくなる可能性がある。さらなる利点は、デブリがコレクタから離れるよう誘導される事であり得ることである。デブリは、コレクタに損傷を与えコレクタの寿命を制限する可能性がある。
燃料流を生成し、プラズマ形成位置に向かう軌跡に沿って燃料流を誘導するよう構成された燃料流ジェネレータと、
変性燃料ターゲットを生成するためプラズマ形成位置における燃料流にレーザ放射の第1ビームを誘導するよう構成されたプリパルスレーザ放射アセンブリと、
放射生成プラズマを生成するためにプラズマ形成位置における変性燃料ターゲットにレーザ放射の第2ビームを誘導するよう構成されたメインパルスレーザ放射アセンブリと、を備える放射源であって、放射源は、
放射生成プラズマによって生成された放射を集光しかつ集光した放射を放射源の光軸に沿いに誘導するよう構成されたかすめ入射コレクタと、
光軸に実質的に沿い燃料流に向かってレーザ放射の第1ビームを誘導するよう構成されたプリパルスレーザ放射アセンブリと、を備える、放射源が提供され得る。
これにより、コレクタは、より少ない量の放射生成プラズマからの赤外線放射を放射において集光し得る。さらなる利点は、デブリがコレクタから離れるよう誘導される事であり得る。デブリは、コレクタに損傷を与えかつコレクタの寿命を制限する可能性がある。
きる。
1. 放射源であって、
燃料流を生成しかつ前記燃料流をプラズマ形成位置に向かう軌跡に沿って誘導するよう構成された燃料流ジェネレータと、
変性燃料ターゲットを生成するために前記プラズマ形成位置における前記燃料流にレーザ放射の第1ビームを誘導するよう構成されたプリパルスレーザ放射アセンブリと、
放射生成プラズマを生成するために前記プラズマ形成位置における前記変性燃料ターゲットにレーザ放射の第2ビームを誘導するよう構成されたメインパルスレーザ放射と、
前記放射生成プラズマによって生成された放射を集光しかつ集光した放射を前記放射源の光軸に沿って誘導するよう構成されたコレクタと、を備え、
レーザ放射の前記第1ビームは、前記光軸に実質的に沿って前記燃料流に向かって誘導され、
レーザ放射の前記第2ビームは、前記光軸に対して実質的に0°より大きくかつ90°より小さい角度で前記変性燃料ターゲットに向かって誘導される、放射源。
2. 放射の前記第2ビームは、前記コレクタの反対に面する前記変性燃料ターゲットの側面に向かって誘導される、節1に記載の放射源。
3. 放射の前記第2ビームは、前記コレクタに面する前記変性燃料ターゲットの側面に向かって誘導される、節1に記載の放射源。
4. 放射の前記第2ビームは、前記コレクタに向かって誘導され、前記コレクタは、放射の前記第2ビームが前記燃料流または前記変性燃料ターゲットに入射しない場合には、放射の前記第2ビームが通過することができる開口部が設けられる、節1に記載の放射源。
5. 前記コレクタは垂直入射コレクタであって、放射の前記第1ビームは、前記放射源の前記光軸に沿いに前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記垂直入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向に、前記垂直入射コレクタに設けられた開口部を通過するよう誘導される、節1に記載の放射源。
6. 前記コレクタは、垂直入射コレクタであって、放射の前記第1ビームは、前記放射源の前記光軸に沿って前記コレクタに向かって誘導されるが、前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記垂直入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向とは反対の方向に沿う、節1に記載の放射源。
7. 前記コレクタは、かすめ入射コレクタであって前記プラズマ形成位置と前記かすめ入射コレクタの中間焦点、またはその他の焦点、の間に設置され、放射の前記第1ビームは、前記放射源の前記光軸に沿って前記かすめ入射コレクタを通過するよう誘導されるが、前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記かすめ入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向とは反対の方向に沿う、節1に記載の放射源。
8. 前記コレクタは、かすめ入射コレクタであって前記プラズマ形成位置と前記かすめ入射コレクタの中間焦点、またはその他の焦点、の間に設置され、放射の前記第1ビームは、前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記かすめ入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向に前記放射源の前記光軸に沿って、前記かすめ入射コレクタに向かって誘導される、節1に記載の放射源。
9. 前記燃料流ジェネレータは、ある量の燃料を保持するよう構成されたリザーバと、前記リザーバに流体接続されかつ前記燃料流を前記プラズマ形成位置に向かう前記軌跡に沿って誘導するように構成されたノズルを備える、節1に記載の放射源。
10. 前記燃料流は、燃料液滴の流れを備える、節1に記載の放射源。
11. レーザ放射の前記第1ビームは、前記変性燃料ターゲットが実質的にディスク形状の雲であり、前記ディスクが前記光軸に対して実質的に垂直な半径を有することを確実にするよう構成される、節1に記載の放射源。
12. デブリ軽減装置は、前記プラズマ形成位置と前記コレクタの間に設置される、節1に記載の放射源。
13. 放射源であって、
燃料流を生成しかつプラズマ形成位置に向かう軌跡に沿って前記燃料流を誘導するよう構成された燃料流ジェネレータと、
変性燃料ターゲットを生成するために前記プラズマ形成位置における前記燃料流にレーザ放射の第1ビームを誘導するよう構成されたプリパルスレーザ放射アセンブリと、
放射生成プラズマを生成するために前記プラズマ形成位置における前記変性燃料ターゲットにレーザ放射の第2ビームを誘導するよう構成されたメインパルスレーザ放射アセンブリと、
前記放射生成プラズマによって生成された放射を集光しかつ集光した放射を前記放射源の前記光軸に沿って誘導するよう構成されたコレクタと、を備え、
レーザ放射の前記第1ビームは、前記光軸に実質的に沿って前記燃料流に向かって誘導され、
レーザ放射の前記第2ビームは、前記光軸に対して実質的に0°より大きくかつ90°より小さい角度で前記変性燃料ターゲットに向かって誘導される、節13に記載の放射源。
14. 放射の前記第2ビームは、前記コレクタの反対に面する前記変性燃料ターゲットの側面に向かって誘導される、節13に記載の放射源。
15. 放射の前記第2ビームは、前記コレクタに面する前記変性燃料ターゲットの側面に向かって誘導される、節13に記載の放射源。
16. 放射の前記第2ビームは、前記コレクタに向かって誘導され、放射の前記第2ビームが前記燃料流または前記変性燃料ターゲットに入射しない場合には、前記コレクタには放射の前記第2ビームが通過することができる開口部が設けられる、節13に記載の放射源。
17. 前記コレクタは垂直入射コレクタであって、放射の前記第1ビームは、前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記垂直入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向に前記放射源の前記光軸に沿いに前記垂直入射コレクタに設けられた開口部を通過するよう誘導される、節13に記載の放射源。
18. 前記コレクタは、垂直入射コレクタであって、放射の前記第1ビームは、前記放射源の前記光軸に沿って前記コレクタに向かって誘導されるが、前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記垂直入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向とは反対の方向に沿う、節13に記載の放射源。
19. 前記コレクタは、かすめ入射コレクタであって前記プラズマ形成位置と前記かすめ入射コレクタの中間焦点、またはその他の焦点、の間に設置され、放射の前記第1ビームは、前記放射源の前記光軸に沿って前記かすめ入射コレクタを通過するよう誘導されるが、前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記かすめ入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向とは反対の方向に沿う、節13に記載の放射源。
20. 前記コレクタは、かすめ入射コレクタであって前記プラズマ形成位置と前記かすめ入射コレクタの中間焦点、またはその他の焦点、の間に設置され、放射の前記第1ビームは、前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記かすめ入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向に前記放射源の前記光軸に沿って、前記かすめ入射コレクタに向かって誘導される、節13に記載の放射源。
21. デブリ軽減装置は、前記プラズマ形成位置と前記コレクタの間に設置される、節13に記載の放射源。
22. 前記燃料流ジェネレータは、
ある量の燃料を保持するよう構成されたリザーバと、
前記リザーバに流体接続され、前記燃料流を前記プラズマ形成位置に向かう前記軌跡に沿って誘導するよう構成されたノズルと、を備える、節13に記載の放射源。
23. 前記燃料流は、燃料液滴の流れを備える、節13に記載の放射源。
24. レーザ放射の前記第1ビームは、前記変性燃料ターゲットが実質的にディスク形状の雲であり、前記ディスクが前記光軸に対して実質的に垂直な直径を有することを確実にするよう構成される、節23に記載の放射源。
25. リソグラフィ装置であって、
燃料流を生成しかつ前記燃料流をプラズマ形成位置に向かう軌跡に沿って誘導するよう構成された燃料流ジェネレータと、
変性燃料ターゲットを生成するために前記プラズマ形成位置における前記燃料流にレーザ放射の第1ビームを誘導するよう構成されたプリパルスレーザ放射アセンブリと、
放射生成プラズマを生成するために前記プラズマ形成位置における前記変性燃料ターゲットにレーザ放射の第2ビームを誘導するよう構成されたメインパルスレーザ放射アセンブリと、
放射生成プラズマによって生成された放射を集光しかつ集光した放射を放射源の光軸に沿って誘導するよう構成されたコレクタと、を備え、レーザ放射の前記第1ビームは、光軸に実質的に沿って燃料流に向かって誘導され、レーザ放射の前記第2ビームは、光軸に対して実質的に0°より大きくかつ90°より小さい角度で前記変性燃料ターゲットに向かって誘導される、放射源を備える、リソグラフィ装置。
26. デブリ軽減装置は、前記プラズマ形成位置と前記コレクタの間に設置される、節25に記載の放射源。
27. 放射源であって、
燃料流を生成しかつプラズマ形成位置に向かう軌跡に沿って前記燃料流を誘導するよう構成された燃料流ジェネレータと、
変性燃料ターゲットを生成するために前記プラズマ形成位置における前記燃料流にレーザ放射の第1ビームを誘導するよう構成されたプリパルスレーザ放射アセンブリと、
放射生成プラズマを生成するために前記プラズマ形成位置における前記変性燃料ターゲットにレーザ放射の第2ビームを誘導するよう構成されたメインパルスレーザ放射アセンブリと、
前記放射生成プラズマによって生成された放射を集光しかつ集光した放射を前記放射源の光軸に沿って誘導するよう構成されたかすめ入射コレクタと、を備え、
レーザ放射の前記第1ビームは、前記光軸に実質的に沿って前記燃料流に向かって誘導さる、放射源。
28. デブリ軽減装置は、前記プラズマ形成位置と前記かすめ入射コレクタの間に設置される、節27に記載の放射源。
29. 前記デブリ軽減装置は静的または回転フォイルトラップであって、レーザ放射の前記第1ビームおよび/またはレーザ放射の前記第2ビームは、前記フォイルトラップの中空軸に沿いかつ中空軸を通過するよう誘導される、節28に記載の放射源。
30. レーザ放射の前記第2ビームは、前記光軸に実質的に沿いかつ放射の前記第1ビームの方向と同じ方向に前記変性燃料ターゲットに向かって誘導される、節27に記載の放射源。
31. レーザ放射の前記第2ビームは、前記光軸に実質的に沿いかつ放射の前記第1ビームとは反対の方向に前記変性燃料ターゲットに向かって誘導される、節27に記載の放射源。
32. レーザ放射の前記第2ビームは、前記光軸に対して実質的に0°より大きくかつ90°より小さい角度で前記変性燃料ターゲットに向かって誘導される、節27に記載の放射源。
33. 放射の前記第1および/または前記第2ビームは、前記放射源の前記光軸に沿って前記かすめ入射コレクタを通過するよう誘導されるが、前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記かすめ入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向とは反対の方向に沿う、節27に記載の放射源。
34. 放射の前記第1および/または前記第2ビームは、前記放射源の前記光軸にそって前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記かすめ入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向に、前記放射源の前記光軸に沿って前記かすめ入射コレクタに向かって誘導される、節27に記載の放射源。
35. 放射の前記第1および/または前記第2ビームは、前記かすめ入射コレクタの反対に面する前記燃料流または前記変性燃料ターゲットの側面に向かって誘導される、節27に記載の放射源。
36. 放射の前記第1および/または前記第2ビームは、前記かすめ入射コレクタに面する前記燃料流または前記変性燃料ターゲットの側面に向かって誘導される、節27に記載の放射源。
37. 放射の前記第1および/または前記第2ビームは、前記かすめ入射コレクタに向かって誘導され、前記かすめ入射コレクタは、放射の前記第1および/または前記第2ビームが前記燃料流または前記変性燃料ターゲットに入射しない場合には、放射の前記第1および/または前記第2ビームが通過することができる開口部が設けられる、節27に記載の放射源。
38. 前記かすめ入射コレクタは、前記プラズマ形成位置と前記かすめ入射コレクタの中間焦点、またはその他の焦点、の間に設置される、節27に記載の放射源。
39. 前記燃料流ジェネレータは、ある量の燃料を保持するよう構成されたリザーバと、前記リザーバに流体接続されかつ前記燃料流を前記プラズマ形成位置に向かう前記軌跡に沿って誘導するように構成されたノズルを備える、節27に記載の放射源。
40. 前記燃料流は、燃料液滴の流れを備える、節27に記載の放射源。
41. レーザ放射の前記第1ビームは、前記変性燃料ターゲットが実質的にディスク形状の雲であり、前記ディスクが前記光軸に対して実質的に垂直な直径を有することを確実にするよう構成される、節27に記載の放射源。
Claims (8)
- 燃料流を生成しかつプラズマ形成位置に向かう軌跡に沿って前記燃料流を誘導する燃料流ジェネレータと、変性燃料ターゲットを生成するために前記プラズマ形成位置における前記燃料流にレーザ放射の第1ビームを誘導するプリパルスレーザ放射アセンブリと、放射生成プラズマを生成するために前記プラズマ形成位置における前記変性燃料ターゲットにレーザ放射の第2ビームを誘導するメインパルスレーザ放射アセンブリと、を備える放射源であって、
前記放射生成プラズマによって生成された放射を集光しかつ集光した放射を前記放射源の光軸に沿って誘導する垂直入射コレクタを備え、
前記プリパルスレーザ放射アセンブリは、レーザ放射の前記第1ビームを、前記コレクタに向かって、前記放射源の前記光軸に沿うが前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記垂直入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向とは反対の方向に、前記燃料流に向かって誘導し、
前記メインパルスレーザ放射アセンブリは、レーザ放射の前記第2ビームを前記光軸に対して実質的に0°より大きくかつ90°より小さい角度で前記変性燃料ターゲットに向かって誘導する、放射源。 - 前記メインパルスレーザ放射アセンブリは、レーザ放射の前記第2ビームを前記コレクタの反対に面する前記変性燃料ターゲットの側面に向かって誘導する、請求項1に記載の放射源。
- 前記メインパルスレーザ放射アセンブリは、レーザ放射の前記第2ビームを前記コレクタに面する前記変性燃料ターゲットの側面に向かって誘導する、請求項1に記載の放射源。
- 前記メインパルスレーザ放射アセンブリは、レーザ放射の前記第2ビームを前記コレクタに向かう方向に誘導し、
前記コレクタは、放射の前記第2ビームが前記燃料流または前記変性燃料ターゲットに入射しない場合には、放射の前記第2ビームが通過することができる開口部が設けられる、請求項1から3のいずれか一項に記載の放射源。 - 前記プリパルスレーザ放射アセンブリは、前記変性燃料ターゲットが前記第1レーザ放射ビームの命中後に実質的にディスク状の雲となり、かつ前記ディスクが前記光軸に対して実質的に垂直な半径を有することを確実にする、請求項1から4のいずれか一項に記載の放射源。
- 燃料流を生成しかつプラズマ形成位置に向かう軌跡に沿って前記燃料流を誘導する燃料流ジェネレータと、変性燃料ターゲットを生成するために前記プラズマ形成位置における前記燃料流にレーザ放射の第1ビームを誘導するプリパルスレーザ放射アセンブリと、放射生成プラズマを生成するために前記プラズマ形成位置における前記変性燃料ターゲットにレーザ放射の第2ビームを誘導するメインパルスレーザ放射アセンブリと、を備える放射源であって、
前記放射生成プラズマによって生成された放射を集光しかつ集光した放射を前記放射源の光軸に沿って誘導するかすめ入射コレクタを備え、
前記プリパルスレーザ放射アセンブリは、レーザ放射の前記第1ビームを、前記放射源の前記光軸に沿うが前記放射生成プラズマによって生成されかつ前記かすめ入射コレクタによって集光される放射の一般的な伝搬方向とは反対の方向に、前記燃料流に向かって誘導し、
前記メインパルスレーザ放射アセンブリは、レーザ放射の前記第2ビームを前記光軸に対して実質的に0°より大きくかつ90°より小さい角度で前記変性燃料ターゲットに向かって誘導する、放射源。 - 前記プラズマ形成位置と前記かすめ入射コレクタの間に設置されたデブリ軽減装置を備え、
前記デブリ軽減装置は、静的または回転フォイルトラップである、請求項6に記載の放射源。 - 請求項1から7のいずれか一項に記載の放射源を備える、又は、請求項1から7のいずれか一項に記載の放射源に接続される、リソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161538006P | 2011-09-22 | 2011-09-22 | |
| US61/538,006 | 2011-09-22 | ||
| US201261606715P | 2012-03-05 | 2012-03-05 | |
| US61/606,715 | 2012-03-05 | ||
| US201261635758P | 2012-04-19 | 2012-04-19 | |
| US61/635,758 | 2012-04-19 | ||
| US201261668474P | 2012-07-06 | 2012-07-06 | |
| US61/668,474 | 2012-07-06 | ||
| PCT/EP2012/066449 WO2013041323A1 (en) | 2011-09-22 | 2012-08-23 | Radiation source |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014528146A JP2014528146A (ja) | 2014-10-23 |
| JP2014528146A5 JP2014528146A5 (ja) | 2015-09-24 |
| JP6122853B2 true JP6122853B2 (ja) | 2017-04-26 |
Family
ID=46724440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014531158A Active JP6122853B2 (ja) | 2011-09-22 | 2012-08-23 | 放射源 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9632419B2 (ja) |
| JP (1) | JP6122853B2 (ja) |
| NL (1) | NL2009352A (ja) |
| TW (1) | TW201316842A (ja) |
| WO (1) | WO2013041323A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013204444A1 (de) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für ein Maskeninspektionssystem sowie Maskeninspektionssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
| WO2014154433A1 (en) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Radiation collector, radiation source and lithographic apparatus |
| CN106062636B (zh) * | 2014-02-24 | 2018-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻系统 |
| US9826615B2 (en) * | 2015-09-22 | 2017-11-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV collector with orientation to avoid contamination |
| US20170311429A1 (en) | 2016-04-25 | 2017-10-26 | Asml Netherlands B.V. | Reducing the effect of plasma on an object in an extreme ultraviolet light source |
| US10149375B2 (en) * | 2016-09-14 | 2018-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Target trajectory metrology in an extreme ultraviolet light source |
| CN113396644B (zh) * | 2019-02-08 | 2025-04-29 | Asml荷兰有限公司 | 辐射系统 |
| US11150559B2 (en) | 2019-12-30 | 2021-10-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Laser interference fringe control for higher EUV light source and EUV throughput |
| US20230269858A1 (en) * | 2020-07-06 | 2023-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods for laser-to-droplet alignment |
| WO2022050875A1 (en) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | Rnd-Isan, Ltd | Short- wavelength radiation source with multisectional collector module |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7439530B2 (en) | 2005-06-29 | 2008-10-21 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
| US7928416B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-04-19 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
| US6973164B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-12-06 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Laser-produced plasma EUV light source with pre-pulse enhancement |
| JP2008270149A (ja) | 2007-03-28 | 2008-11-06 | Tokyo Institute Of Technology | 極端紫外光光源装置および極端紫外光発生方法 |
| US20080237501A1 (en) | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Extreme ultraviolet light source device and extreme ultraviolet radiation generating method |
| EP2083328B1 (en) | 2008-01-28 | 2013-06-19 | Media Lario s.r.l. | Grazing incidence collector for laser produced plasma sources |
| EP2159638B1 (en) | 2008-08-26 | 2015-06-17 | ASML Netherlands BV | Radiation source and lithographic apparatus |
| JP2010103499A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置および極端紫外光生成方法 |
| US8436328B2 (en) | 2008-12-16 | 2013-05-07 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
| NL2004417A (en) * | 2009-04-22 | 2010-10-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic radiation source, collector, apparatus and method. |
| NL2004837A (en) * | 2009-07-09 | 2011-01-10 | Asml Netherlands Bv | Radiation system and lithographic apparatus. |
| DE102009047712A1 (de) | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Lichtquelle für eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| US8330131B2 (en) | 2010-01-11 | 2012-12-11 | Media Lario, S.R.L. | Source-collector module with GIC mirror and LPP EUV light source |
| JP5722061B2 (ja) | 2010-02-19 | 2015-05-20 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置及び極端紫外光の発生方法 |
| US9265136B2 (en) | 2010-02-19 | 2016-02-16 | Gigaphoton Inc. | System and method for generating extreme ultraviolet light |
| US8643823B2 (en) | 2010-02-23 | 2014-02-04 | Media Lario S.R.L. | Stress-decoupling devices and methods for cooled mirror systems |
| WO2013029906A1 (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source |
| NL2010274C2 (en) * | 2012-02-11 | 2015-02-26 | Media Lario Srl | Source-collector modules for euv lithography employing a gic mirror and a lpp source. |
-
2012
- 2012-08-23 JP JP2014531158A patent/JP6122853B2/ja active Active
- 2012-08-23 US US14/346,530 patent/US9632419B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-23 WO PCT/EP2012/066449 patent/WO2013041323A1/en not_active Ceased
- 2012-08-23 NL NL2009352A patent/NL2009352A/en not_active Application Discontinuation
- 2012-09-06 TW TW101132596A patent/TW201316842A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140253894A1 (en) | 2014-09-11 |
| TW201316842A (zh) | 2013-04-16 |
| JP2014528146A (ja) | 2014-10-23 |
| US9632419B2 (en) | 2017-04-25 |
| WO2013041323A1 (en) | 2013-03-28 |
| NL2009352A (en) | 2013-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6122853B2 (ja) | 放射源 | |
| US9097982B2 (en) | Radiation system, radiation collector, radiation beam conditioning system, spectral purity filter for radiation system and method for forming a spectral purity filter | |
| JP5732392B2 (ja) | 放射源およびリソグラフィ装置 | |
| JP5732525B2 (ja) | コレクタミラーアセンブリおよび極端紫外線放射の生成方法 | |
| US9523921B2 (en) | EUV radiation system and lithographic apparatus | |
| EP2170021B1 (en) | Source module, radiation source and lithographic apparatus | |
| JP6487519B2 (ja) | リソグラフィ装置用の汚染トラップ | |
| JP4966342B2 (ja) | 放射源、放射を生成する方法およびリソグラフィ装置 | |
| US8507882B2 (en) | Radiation source and lithographic apparatus | |
| CN102177470B (zh) | 收集器组件、辐射源、光刻设备和器件制造方法 | |
| US8547525B2 (en) | EUV radiation generation apparatus | |
| JP2010258447A (ja) | リソグラフィ放射源、コレクタ、装置および方法 | |
| JP6047573B2 (ja) | 放射源 | |
| JP5531053B2 (ja) | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2007173792A (ja) | 放射システムおよびリソグラフィ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150805 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150805 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160727 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160803 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20161028 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170124 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170324 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170403 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6122853 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |