Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP6149288B2 - Shunt resistor module - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP6149288B2 - Shunt resistor module - Google Patents

Shunt resistor module Download PDF

Info

Publication number
JP6149288B2
JP6149288B2 JP2013012307A JP2013012307A JP6149288B2 JP 6149288 B2 JP6149288 B2 JP 6149288B2 JP 2013012307 A JP2013012307 A JP 2013012307A JP 2013012307 A JP2013012307 A JP 2013012307A JP 6149288 B2 JP6149288 B2 JP 6149288B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shunt resistor
substrate
heat
shunt
heat conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013012307A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2014142314A (en
Inventor
幸史 有岡
幸史 有岡
秀明 小長谷
秀明 小長谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2013012307A priority Critical patent/JP6149288B2/en
Publication of JP2014142314A publication Critical patent/JP2014142314A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6149288B2 publication Critical patent/JP6149288B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)

Description

本発明は、シャント抵抗モジュールに関し、詳しくは、シャント抵抗モジュールの放熱構造に関する。   The present invention relates to a shunt resistor module, and more particularly to a heat dissipation structure of a shunt resistor module.

シャント抵抗器は、回路の電流を検出するために用いられる。例えば、パワーモジュールにおける断線や短絡の検出に用いられている。こうしたシャント抵抗器は、一対の端子(電極)の間に、例えば1mΩ以下の低抵抗の抵抗体(シャント抵抗体)を接続してなる。パワーモジュールに用いられるシャント抵抗器では、例えば100A以上の電流が流れることもある。このため低抵抗の抵抗体であっても、ジュール熱によってシャント抵抗器は高温になる。シャント抵抗器が高温になると、電流検出特性などに影響を及ぼす場合があるとともに、当該シャント抵抗器を備えたシャント抵抗モジュールにも影響を及ぼす場合があり、適切な冷却が必要である。   A shunt resistor is used to detect the current in the circuit. For example, it is used for detection of disconnection or short circuit in a power module. Such a shunt resistor is formed by connecting a low-resistance resistor (shunt resistor) of, for example, 1 mΩ or less between a pair of terminals (electrodes). In a shunt resistor used for a power module, for example, a current of 100 A or more may flow. For this reason, even if it is a low resistance resistor, a shunt resistor becomes high temperature by Joule heat. When the shunt resistor becomes high temperature, it may affect current detection characteristics and the like, and may also affect the shunt resistor module including the shunt resistor, and appropriate cooling is necessary.

従来のシャント抵抗器の冷却構造を図3に示す。図3に示すシャント抵抗器10は、シャント抵抗体としてハット型部材11を採用している。このハット型部材11と基板12によって区画された内部空間には、絶縁性で、かつ熱伝導性の良好なエポキシ樹脂13が充填されている。(例えば、特許文献1参照)。   A cooling structure of a conventional shunt resistor is shown in FIG. The shunt resistor 10 shown in FIG. 3 employs a hat-shaped member 11 as a shunt resistor. The internal space partitioned by the hat-shaped member 11 and the substrate 12 is filled with an epoxy resin 13 that is insulative and has good thermal conductivity. (For example, refer to Patent Document 1).

実用新案登録第3067213号公報Utility Model Registration No. 3067213

しかしながら、上述した特許文献1に開示されたシャント抵抗器は、ハット型部材の内部に樹脂を充填した構造である。樹脂の熱伝導性は、金属と比較すると大きく劣ることが一般的であり、シャント抵抗器の放熱特性の改善には必ずしも十分ではない。また、ハット型部材の内部に充填された樹脂は熱によって劣化しやすく、経時変化による放熱特性低下の懸念も大きい。   However, the shunt resistor disclosed in Patent Document 1 described above has a structure in which the inside of a hat-shaped member is filled with resin. The thermal conductivity of the resin is generally much inferior to that of metal, and is not necessarily sufficient for improving the heat dissipation characteristics of the shunt resistor. In addition, the resin filled in the hat-shaped member is likely to be deteriorated by heat, and there is a great concern that the heat radiation characteristics are deteriorated due to aging.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、放熱特性を改善し、かつ、経時変化による放熱特性の劣化が少ないシャント抵抗器を備えたシャント抵抗モジュールを提供することを目的とする。     The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a shunt resistor module including a shunt resistor that improves heat dissipation characteristics and has little deterioration of heat dissipation characteristics due to changes over time.

上記課題を解決するために、本発明のいくつかの態様は次のようなシャント抵抗モジュールを提供した。すなわち、本発明のシャント抵抗モジュールは、一面に配線層が形成された基板と、該基板に実装されたシャント抵抗器とを、少なくとも備えたシャント抵抗モジュールであって、前記シャント抵抗器は、シャント抵抗体と、該シャント抵抗体を前記基板の一面に対して離間させて支持する一対の端子と、を有し、前記基板の一面には、前記一対の端子どうしの間に配され、前記シャント抵抗体に向けて延び、かつ先端面が前記シャント抵抗体に対して所定のギャップを保つ、金属からなる熱伝導体を備え、前記先端面は、前記端子と前記配線層との接合部よりも前記シャント抵抗体に近接する位置において、両端部から中央部に向かって前記シャント抵抗体側に突出した湾曲面を成すことを特徴とする。 In order to solve the above problems, some embodiments of the present invention provide the following shunt resistor module. That is, the shunt resistor module of the present invention is a shunt resistor module including at least a substrate having a wiring layer formed on one surface and a shunt resistor mounted on the substrate, and the shunt resistor is a shunt resistor. A resistor, and a pair of terminals that support the shunt resistor so as to be spaced apart from one surface of the substrate, and the one surface of the substrate is disposed between the pair of terminals, and the shunt A heat conductor made of metal that extends toward the resistor and has a front end surface that maintains a predetermined gap with respect to the shunt resistor, the front end surface being more than a junction between the terminal and the wiring layer; characterized in that forming the curved surface Oite at a position close to the shunt resistor, from both ends toward the central portion protrudes into the shunt resistor side.

前記熱伝導体と、前記シャント抵抗体との間の前記ギャップには、絶縁体が配されていることを特徴とする。   An insulator is disposed in the gap between the thermal conductor and the shunt resistor.

前記熱伝導体と、前記シャント抵抗体および前記一対の端子によって区画された領域には、樹脂が充填されていることを特徴とする。   A region partitioned by the thermal conductor, the shunt resistor, and the pair of terminals is filled with a resin.

前記シャント抵抗器の外側は、樹脂によって覆われることを特徴とする。   The outside of the shunt resistor is covered with resin.

前記熱伝導体の先端面は、前記シャント抵抗体の平面形状と近似した形状であることを特徴とする。   The front end surface of the heat conductor has a shape approximate to the planar shape of the shunt resistor.

前記熱伝導体は、はんだ層を介して前記基板に接合されていることを特徴とする。   The thermal conductor is bonded to the substrate via a solder layer.

本発明のシャント抵抗モジュールによれば、シャント抵抗体で発生した熱は、シャント抵抗体の一面に対して所定のギャップを介して対面する熱伝導体の先端面から基板に向かって速やかに伝搬される。基板からシャント抵抗体に向かって延びる熱伝導性の高い熱伝導体を形成することにより、従来のようなシャント抵抗体の内部全体に樹脂が充填された場合と比較して、シャント抵抗体で生じたジュール熱を効率よく放熱することができる。これにより、シャント抵抗体が高温になることを防止し、高温化に起因して電流検出特性が低下することを防止したシャント抵抗モジュールを実現できる。   According to the shunt resistor module of the present invention, the heat generated in the shunt resistor is quickly propagated toward the substrate from the front end surface of the heat conductor facing the one surface of the shunt resistor through a predetermined gap. The By forming a heat conductor with high thermal conductivity extending from the substrate toward the shunt resistor, the shunt resistor is generated in the shunt resistor as compared with the case where the entire interior of the shunt resistor is filled with resin. The Joule heat can be radiated efficiently. As a result, it is possible to realize a shunt resistor module that prevents the shunt resistor from becoming high temperature and prevents the current detection characteristics from deteriorating due to high temperature.

本発明のシャント抵抗器を備えたシャント抵抗モジュールの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the shunt resistance module provided with the shunt resistor of this invention. 熱伝導体の形状例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of a shape of a heat conductor. 従来のシャント抵抗器を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the conventional shunt resistor.

以下、図面を参照して、本発明に係るシャント抵抗モジュールの一実施形態について説明する。なお、本実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。   Hereinafter, an embodiment of a shunt resistor module according to the present invention will be described with reference to the drawings. The present embodiment is specifically described for better understanding of the gist of the invention, and does not limit the invention unless otherwise specified. In addition, in the drawings used in the following description, in order to make the features of the present invention easier to understand, there is a case where a main part is shown in an enlarged manner for convenience, and the dimensional ratio of each component is the same as the actual one. Not necessarily.

図1は、本発明のシャント抵抗モジュールの一例を示す断面図である。シャント抵抗モジュール20は、所定のパターンの配線層22が配された基板21と、シャント抵抗器23とを少なくとも備えている。シャント抵抗器23は、基板21の一面21aに対して所定の間隔を開けて配されたシャント抵抗体24と、このシャント抵抗体24を基板21の一面21aに対して離間させて支持する一対の端子25,26とを備えている。そして、基板21の一面21aには、端子25と端子26との間に配され、シャント抵抗体24に向けて延びる熱伝導体27が形成されている。また、基板21の他面21bには、基板21に実装されたシャント抵抗器23を含む電子部品などから発生した熱を放熱するヒートシンク29が接合されている。なお、基板21の一面21a側と熱伝導体27との間には、基板21の酸化膜などからなる絶縁層21cが形成されている。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the shunt resistor module of the present invention. The shunt resistor module 20 includes at least a substrate 21 on which a wiring layer 22 having a predetermined pattern is disposed, and a shunt resistor 23. The shunt resistor 23 is a pair of shunt resistors 24 disposed at a predetermined interval with respect to the one surface 21 a of the substrate 21, and a pair of shunt resistors 24 that support the shunt resistor 24 while being separated from the one surface 21 a of the substrate 21. Terminals 25 and 26 are provided. On one surface 21 a of the substrate 21, a heat conductor 27 is formed that extends between the terminals 25 and 26 and extends toward the shunt resistor 24. Further, a heat sink 29 that dissipates heat generated from an electronic component including the shunt resistor 23 mounted on the substrate 21 is joined to the other surface 21b of the substrate 21. Note that an insulating layer 21 c made of an oxide film or the like of the substrate 21 is formed between the one surface 21 a side of the substrate 21 and the heat conductor 27.

シャント抵抗器23は、例えば、電流の流入側となる配線層22aと、流出側となる配線層22bとの間に配される。シャント抵抗体24は、例えば、外形が平板状の直方体を成し、1mΩ以下の低抵抗の抵抗体によって形成されている。   The shunt resistor 23 is disposed, for example, between the wiring layer 22a on the current inflow side and the wiring layer 22b on the outflow side. The shunt resistor 24 is, for example, a rectangular parallelepiped whose outer shape is formed of a low-resistance resistor having a resistance of 1 mΩ or less.

端子25,26は、全体が良導体、例えば銅、銀、アルミニウムなどによって形成され、それぞれ、接合部25a,26aと、起立部25b,26bとからなる。接合部25a,26aは、基板21の一面21aに対して平行に配され、配線層22a,22bに対して、例えば、はんだによって接合される。   The terminals 25 and 26 are entirely formed of a good conductor, for example, copper, silver, aluminum, and the like, and are composed of joint portions 25a and 26a and standing portions 25b and 26b, respectively. The joint portions 25a and 26a are arranged in parallel to the one surface 21a of the substrate 21, and are joined to the wiring layers 22a and 22b by, for example, solder.

端子25,26の起立部25b,26bは、一端側が接合部25a,26aと一体に形成され、基板21の一面21aに対して略垂直に延び、更にシャント抵抗体24に向けて水平に延長され、それぞれの他端側の間でシャント抵抗体24を支持する。これにより、平板状のシャント抵抗体24は、基板21の一面21aに対して所定の間隔を開けて平行に支持される。シャント抵抗体24を基板21の一面21aから離して立体的に配置することによって、シャント抵抗器23の実装スペースを少なくすることが可能になる。   The standing portions 25 b and 26 b of the terminals 25 and 26 are formed integrally with the joint portions 25 a and 26 a at one end side, extend substantially perpendicular to the one surface 21 a of the substrate 21, and further extend horizontally toward the shunt resistor 24. The shunt resistor 24 is supported between the other end sides. Thereby, the flat shunt resistor 24 is supported in parallel with a predetermined interval with respect to the one surface 21 a of the substrate 21. By disposing the shunt resistor 24 in a three-dimensional manner away from the one surface 21a of the substrate 21, the mounting space for the shunt resistor 23 can be reduced.

なお、端子25,26を構成する接合部25a,26aと、起立部25b,26bとは、互いに同一の部材で一体に形成されていればよい。また、接合部25a,26aは、起立部25b,26bから互いに接近する方向に延びているが、起立部25b,26bから互いに離間する方向に延びる形状、いわゆるハット形状であってもよい。   In addition, the junction parts 25a and 26a which comprise the terminals 25 and 26, and the standing parts 25b and 26b should just be integrally formed by the mutually same member. Moreover, although the joining parts 25a and 26a are extended in the direction which mutually approaches from the standing parts 25b and 26b, the shape extended in the direction which mutually separates from the standing parts 25b and 26b, what is called a hat shape may be sufficient.

熱伝導体27は、例えば、外形が直方体を成す金属ブロックから構成される。熱伝導体27の一面27aは、熱伝導性材料、例えば、はんだ層28を介して基板21の一面21aに接合され、他面(以下、先端面と称する)27bは、シャント抵抗体24の一面24aに対面する。熱伝導体27は、全体が、例えば銅、銀、アルミニウム、鉄、ニッケル、あるいはこれらの合金など、熱伝導性に優れた材料によって形成されている。特に熱伝導性に優れた銅、銅合金から形成されることが好ましい。   The heat conductor 27 is formed of, for example, a metal block whose outer shape is a rectangular parallelepiped. One surface 27 a of the heat conductor 27 is joined to one surface 21 a of the substrate 21 via a heat conductive material, for example, a solder layer 28, and the other surface (hereinafter referred to as a tip surface) 27 b is one surface of the shunt resistor 24. Facing 24a. The entire heat conductor 27 is formed of a material having excellent heat conductivity, such as copper, silver, aluminum, iron, nickel, or an alloy thereof. In particular, it is preferably formed from copper or a copper alloy having excellent thermal conductivity.

熱伝導体27の先端面27bとシャント抵抗体24の一面24aとの間は、所定のギャップΔtが保たれている。このギャップΔtは、熱伝導体27とシャント抵抗体24との絶縁性を保ち、かつ、シャント抵抗体24の熱を効率よく吸収する距離に設定されるのが好ましい。例えば、ギャップΔtは、熱伝導体27の先端面27bとシャント抵抗体24の一面24aとの距離である。   A predetermined gap Δt is maintained between the front end surface 27 b of the heat conductor 27 and the one surface 24 a of the shunt resistor 24. This gap Δt is preferably set to a distance that maintains the insulation between the thermal conductor 27 and the shunt resistor 24 and efficiently absorbs the heat of the shunt resistor 24. For example, the gap Δt is the distance between the front end surface 27 b of the heat conductor 27 and the one surface 24 a of the shunt resistor 24.

熱伝導体27の先端面27bは、シャント抵抗体24の平面形状と近似した形状、例えば、シャント抵抗体24の一面24aと同じ大きさか、それよりも大きく広がる矩形を成すように形成されていることが好ましい。   The front end surface 27b of the heat conductor 27 is formed to have a shape that approximates the planar shape of the shunt resistor 24, for example, a rectangle that is the same size as the one surface 24a of the shunt resistor 24 or that extends wider than that. It is preferable.

熱伝導体27と、シャント抵抗体24および端子25,26によって区画された領域、つまり、断面略矩形を成すシャント抵抗体24の内部空間には、樹脂が充填され、第一の樹脂体31を形成している。この第一の樹脂体31は、所定のギャップΔtを保って対面している熱伝導体27の先端面27bとシャント抵抗体24の一面24aとの間にも形成されている。これにより、熱伝導体27とシャント抵抗体24との間の絶縁性が一層向上する。なお、熱伝導体27の先端面27bとシャント抵抗体24の一面24aとの間には第一の樹脂体31を介在させず、空気層とした構成であってもよい。   A region partitioned by the thermal conductor 27, the shunt resistor 24, and the terminals 25, 26, that is, an internal space of the shunt resistor 24 having a substantially rectangular cross section is filled with resin, and the first resin body 31 is formed. Forming. The first resin body 31 is also formed between the front end surface 27b of the heat conductor 27 and the one surface 24a of the shunt resistor 24 facing each other with a predetermined gap Δt. Thereby, the insulation between the heat conductor 27 and the shunt resistor 24 is further improved. The first resin body 31 may not be interposed between the front end surface 27b of the heat conductor 27 and the one surface 24a of the shunt resistor 24, and an air layer may be used.

シャント抵抗体24の外側は樹脂によって覆われ、第二の樹脂体32を形成している。この第二の樹脂体32は、シャント抵抗体24の内部空間に充填された第一の樹脂体31と同一の部材であっても、また、異なる部材であってもよい。これら第一の樹脂体31と第二の樹脂体32は、耐熱性、および絶縁性に優れた樹脂材料から形成されていればよい。   The outside of the shunt resistor 24 is covered with resin to form a second resin body 32. The second resin body 32 may be the same member as the first resin body 31 filled in the internal space of the shunt resistor 24 or may be a different member. The first resin body 31 and the second resin body 32 only need to be formed from a resin material having excellent heat resistance and insulation.

以上のような構成のシャント抵抗モジュール20の作用を説明する。シャント抵抗モジュール20を構成するシャント抵抗器23は、接合部25a,26aにそれぞれ接合された配線層22aと配線層22bとの間を流れる電流を検出する。この時、シャント抵抗体24を流れる電流が100A以上など大きい電流値をもつ場合、シャント抵抗体24にはジュール熱が発生する。   The operation of the shunt resistor module 20 configured as described above will be described. The shunt resistor 23 that constitutes the shunt resistor module 20 detects a current that flows between the wiring layer 22a and the wiring layer 22b that are bonded to the bonding portions 25a and 26a, respectively. At this time, when the current flowing through the shunt resistor 24 has a large current value such as 100 A or more, Joule heat is generated in the shunt resistor 24.

シャント抵抗体24で発生した熱は、シャント抵抗体24の一面24aに対して狭いギャップΔtを介して対面する熱伝導体27の先端面27bから、熱伝導体27の一面27aに向かって速やかに伝搬する。そして、基板21を介してヒートシンク29から放熱される。基板21からシャント抵抗体24に向かって延びる熱伝導性の高い熱伝導体27を形成することにより、従来のようにシャント抵抗体の内部全体が熱伝導性の低い樹脂で満たされている場合と比較して、シャント抵抗体24で生じたジュール熱を効率よくヒートシンク29に向けて伝搬し、放熱することができる。これにより、第二の樹脂体32によって外面を覆われたシャント抵抗体24が高温になることを防止し、高温化によって電流検出特性が低下することを防止したシャント抵抗モジュール20を実現できる。   The heat generated in the shunt resistor 24 is promptly directed from the front end surface 27b of the heat conductor 27 facing the one surface 24a of the shunt resistor 24 through a narrow gap Δt toward the one surface 27a of the heat conductor 27. Propagate. Then, heat is radiated from the heat sink 29 via the substrate 21. By forming the heat conductor 27 having a high thermal conductivity extending from the substrate 21 toward the shunt resistor 24, the entire interior of the shunt resistor is filled with a resin having a low thermal conductivity as in the prior art. In comparison, Joule heat generated in the shunt resistor 24 can be efficiently propagated toward the heat sink 29 to be dissipated. Thereby, the shunt resistor 24 whose outer surface is covered with the second resin body 32 can be prevented from becoming high temperature, and the shunt resistor module 20 can be realized in which current detection characteristics are prevented from deteriorating due to high temperature.

なお、シャント抵抗体24の外面全体を第二の樹脂体32によって覆うことにより、シャント抵抗体24で生じた熱がシャント抵抗体24の周囲に拡散して、基板21に実装された他の電子部品が高温化することを防止できる。   In addition, by covering the entire outer surface of the shunt resistor 24 with the second resin body 32, heat generated in the shunt resistor 24 is diffused around the shunt resistor 24, and other electrons mounted on the substrate 21. It is possible to prevent the parts from being heated to a high temperature.

図2は、本発明のシャント抵抗モジュールにおける、熱伝導体の形状例を示す断面図である。なお、以下の説明では、図1に示す実施形態と同様の部材には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。図2(a)に示すシャント抵抗モジュール40では、はんだ層28を介して基板21に形成された熱伝導体47の先端面47bは、平坦面と比較して表面積が多い複数の斜面を組み合わせ形状としている。これにより、シャント抵抗体24で生じた熱を、シャント抵抗体24の一面24aからより効率的に受け止め、ヒートシンク29に向けて伝搬させることができ、シャント抵抗体24の放熱性を一層高めることが可能になる。なお、この図2(a)におけるギャップΔtは、例えば、シャント抵抗体24の一面24aと、熱伝導体47の先端面47bを構成する斜面どうしが交わる頂部との距離である。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing a shape example of the heat conductor in the shunt resistor module of the present invention. In the following description, the same members as those in the embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. In the shunt resistor module 40 shown in FIG. 2A, the tip surface 47b of the heat conductor 47 formed on the substrate 21 via the solder layer 28 is formed by combining a plurality of inclined surfaces having a larger surface area than the flat surface. It is said. Thereby, the heat generated in the shunt resistor 24 can be more efficiently received from the one surface 24a of the shunt resistor 24 and propagated toward the heat sink 29, and the heat dissipation of the shunt resistor 24 can be further enhanced. It becomes possible. 2A is, for example, the distance between the one surface 24a of the shunt resistor 24 and the top where the inclined surfaces constituting the tip surface 47b of the heat conductor 47 intersect.

図2(b)に示すシャント抵抗モジュール50では、基板21に形成された熱伝導体57の先端面57bは、平坦面と比較して表面積が多い湾曲面としている。これにより、シャント抵抗体24で生じた熱を、シャント抵抗体24の一面24aからより効率的に受け止め、ヒートシンク29に向けて伝搬させることができ、シャント抵抗体24の放熱性を一層高めることが可能になる。なお、この図2(b)におけるギャップΔtは、例えば、シャント抵抗体24の一面24aと、熱伝導体57の先端面57bを構成する湾曲面の頂部との距離である。   In the shunt resistor module 50 shown in FIG. 2B, the front end surface 57b of the heat conductor 57 formed on the substrate 21 is a curved surface having a larger surface area than the flat surface. Thereby, the heat generated in the shunt resistor 24 can be more efficiently received from the one surface 24a of the shunt resistor 24 and propagated toward the heat sink 29, and the heat dissipation of the shunt resistor 24 can be further enhanced. It becomes possible. 2B is, for example, the distance between one surface 24a of the shunt resistor 24 and the top of the curved surface constituting the tip surface 57b of the heat conductor 57.

以上のような実施形態以外にも、例えば、シャント抵抗体の一面、および他面の両面に先端面がそれぞれ向き合うように熱伝導体を形成することも好ましい。   In addition to the embodiments described above, for example, it is also preferable to form the heat conductor so that the front end face faces one side of the shunt resistor and both sides of the other side.

20,40,50…シャント抵抗モジュール、21…基板、22…配線層、23…シャント抵抗器、24…シャント抵抗体、25,26…端子、27,47,57…熱伝導体、29…ヒートシンク。   20, 40, 50 ... shunt resistor module, 21 ... substrate, 22 ... wiring layer, 23 ... shunt resistor, 24 ... shunt resistor, 25, 26 ... terminal, 27, 47, 57 ... thermal conductor, 29 ... heat sink .

Claims (6)

一面に配線層が形成された基板と、該基板に実装されたシャント抵抗器とを、少なくとも備えたシャント抵抗モジュールであって、
前記シャント抵抗器は、シャント抵抗体と、該シャント抵抗体を前記基板の一面に対して離間させて支持する一対の端子と、を有し、
前記基板の一面には、前記一対の端子どうしの間に配され、前記シャント抵抗体に向けて延び、かつ先端面が前記シャント抵抗体に対して所定のギャップを保つ、金属からなる熱伝導体を備え、
前記先端面は、前記端子と前記配線層との接合部よりも前記シャント抵抗体に近接する位置において、両端部から中央部に向かって前記シャント抵抗体側に突出した湾曲面を成すことを特徴とするシャント抵抗モジュール。
A shunt resistor module comprising at least a substrate having a wiring layer formed on one surface and a shunt resistor mounted on the substrate,
The shunt resistor has a shunt resistor and a pair of terminals that support the shunt resistor with being spaced from one surface of the substrate.
A heat conductor made of metal that is disposed on one surface of the substrate between the pair of terminals, extends toward the shunt resistor, and maintains a predetermined gap with respect to the shunt resistor. With
The tip surface that forms a curved surface Oite at a position close to the shunt resistor than the junction, from both ends toward the central portion projecting to the shunt resistor side of the wiring layer and the terminal Features a shunt resistor module.
前記熱伝導体と、前記シャント抵抗体との間の前記ギャップには、絶縁体が配されていることを特徴とする請求項1記載のシャント抵抗モジュール。   The shunt resistor module according to claim 1, wherein an insulator is disposed in the gap between the thermal conductor and the shunt resistor. 前記熱伝導体と、前記シャント抵抗体および前記一対の端子によって区画された領域には、樹脂が充填されていることを特徴とする請求項1または2記載のシャント抵抗モジュール。   The shunt resistor module according to claim 1 or 2, wherein a region partitioned by the heat conductor, the shunt resistor, and the pair of terminals is filled with resin. 前記シャント抵抗器の外側は、樹脂によって覆われることを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載のシャント抵抗モジュール。   The shunt resistor module according to any one of claims 1 to 3, wherein an outer side of the shunt resistor is covered with a resin. 前記熱伝導体の先端面は、前記シャント抵抗体の平面形状と近似した形状であることを特徴とする請求項1ないし4いずれか1項記載のシャント抵抗モジュール。   5. The shunt resistor module according to claim 1, wherein a front end surface of the heat conductor has a shape approximate to a planar shape of the shunt resistor. 6. 前記熱伝導体は、はんだ層を介して前記基板に接合されていることを特徴とする請求項1ないし5いずれか1項記載のシャント抵抗モジュール。   The shunt resistor module according to claim 1, wherein the thermal conductor is bonded to the substrate via a solder layer.
JP2013012307A 2013-01-25 2013-01-25 Shunt resistor module Active JP6149288B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013012307A JP6149288B2 (en) 2013-01-25 2013-01-25 Shunt resistor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013012307A JP6149288B2 (en) 2013-01-25 2013-01-25 Shunt resistor module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014142314A JP2014142314A (en) 2014-08-07
JP6149288B2 true JP6149288B2 (en) 2017-06-21

Family

ID=51423717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013012307A Active JP6149288B2 (en) 2013-01-25 2013-01-25 Shunt resistor module

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6149288B2 (en)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6196567U (en) * 1984-11-29 1986-06-21
JPH0366101A (en) * 1989-08-04 1991-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electric circuit component
JP3067213U (en) * 1999-09-06 2000-03-31 日本インター株式会社 Shunt resistor
JP2006245478A (en) * 2005-03-07 2006-09-14 Denso Corp Semiconductor device
JP5320612B2 (en) * 2007-06-29 2013-10-23 コーア株式会社 Resistor

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014142314A (en) 2014-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5469270B1 (en) Electronics
WO2015170583A1 (en) Circuit structure and electrical junction box
JP2017174951A (en) Semiconductor device
CN110771027B (en) Power semiconductor device and power conversion device using the same
JP6740959B2 (en) Circuit device
CN111418049B (en) Semiconductor device
JP5182274B2 (en) Power semiconductor device
JP2005116702A (en) Power semiconductor module
JP2017191904A (en) Semiconductor device heat dissipation structure
JP2005142189A (en) Semiconductor device
US10121719B2 (en) Semiconductor device
JP6668617B2 (en) Thermistor mounting device and thermistor parts
JP5429413B2 (en) Semiconductor device
JP6149288B2 (en) Shunt resistor module
JP4794822B2 (en) Power semiconductor device
JP2015069982A (en) Power module
WO2020080248A1 (en) Circuit structure and electrical junction box
JP5558405B2 (en) Semiconductor device
JP6500210B2 (en) Metal plate resistor
JP2019140364A (en) Semiconductor device
JP2013051300A (en) Semiconductor module
JP2018046125A (en) Semiconductor module
JP5975063B2 (en) Circuit assembly and electrical junction box
JP5981163B2 (en) Current fuses and electronics
JP2008166642A (en) Semiconductor device with heat dissipation member

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150612

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160408

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160419

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160610

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20161129

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170228

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20170307

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170425

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170428

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6149288

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250