JP6155020B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、シングル素子またはタンデム素子を有する発光装置及びその製造方法に関する。

有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイの商品化が加速している。屋外での使用にも耐えられるよう、ディスプレイに求められる輝度は年々増加している。
一方、有機ＥＬ素子の発光輝度は電流に比例して大きくなることが知られており、高い輝度で発光させることが可能である。

しかし、大きな電流を流すと有機ＥＬ素子の劣化を早めてしまう。このため、少ない電流で高い輝度を得ることができれば、発光素子の寿命を延ばすことが可能である。そこで、少ない電流で高い輝度が得られる発光素子として、複数のＥＬ層が積層されたタンデム素子が提案されている（例えば特許文献１参照）。

なお、有機ＥＬ素子には、２つの電極（陰極と陽極）の間に、発光層を含むＥＬ層が１層であるシングル素子と、２つの電極の間に、ＥＬ層が２層以上中間層を介して積層されているタンデム素子がある。タンデム素子は、ＥＬ層をｎ個積層する構成とすれば、電流密度を上昇させることなくｎ倍の輝度を実現できる。

本明細書等において、発光層とは発光性の有機化合物を含む層をいう。発光層は、素子毎に島状に分離されて形成されていてもよいし、複数の素子で共通するように形成されていてもよい。また電極には、下部電極、上部電極、陽極及び陰極が含まれる。ＥＬ層は、少なくとも発光層を含み、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層などを適宜組み合わせて有することができる。また中間層は、電子注入バッファ層、電子リレー層、電荷発生層を有する。

また後述する導電性の高い層とは、発光層より導電性が高く、且つ電極より導電性が低い層をいう。導電性の高い層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層及び中間層が含まれる。導電性の高い層の材料としては、有機化合物と金属酸化物との混合材料や導電性高分子等が含まれる。このようにＥＬ層の中には、導電性の高い層と、発光層に代表される導電性の低い層とが含まれる。

なお、中間層が有する電子注入バッファ層は、非常に薄い膜厚で形成されてもよい。また電子注入バッファ層の材料は、電子注入バッファ層と接するＥＬ層の一部に存在していてもよい。

導電性が高いキャリア注入層（電子注入層および正孔注入層）、キャリア輸送層（電子輸送層および正孔輸送層）、および中間層が成膜されているシングル素子やタンデム素子を有するディスプレイにおいて、クロストーク現象の発生という課題がある。クロストーク現象とは、ＥＬ素子の導電性の高い層を介して隣接する画素のＥＬ素子に電流がリークして発光してしまう現象である。このクロストーク現象は、ティスプレイの高精細化に伴って、後で説明するＥＬ素子の相互間に設けられた隔壁の幅が減少することにより、より深刻となる。

特にタンデム素子では、中間層を介して複数のＥＬ層を積層しており、さらに駆動電圧を低電圧化するために有機化合物と金属酸化物との混合層や導電性高分子等の導電性の高いキャリア注入層を用いることが多いため、構造上複数の導電性の高い層と導電性の低い層とを有する。また、タンデム素子はシングル素子と比較して陽極と陰極間の電気抵抗が高く、導電性の高い層を経由して隣接画素へ電流が広がりやすい。

なお、クロストーク現象の発生という課題を有するのは、タンデム素子に限らない。シングル素子であっても、ＥＬ素子にキャリア注入層およびキャリア輸送層等の導電性の高い層が設けられていれば、隣接する画素に電流がリークすることでクロストーク現象が生じ得る。

クロストーク現象の原因は、素子構成とリークの起こる場所により少なくとも下記のパターンが考えられる。
１．シングル素子の、キャリア注入層およびキャリア輸送層のリーク
２．タンデム素子の、中間層のリーク
３．タンデム素子の、キャリア注入層およびキャリア輸送層のリーク

キャリア注入層およびキャリア輸送層の電流リークは、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層および電子輸送層のいずれかにかかわらず、発光層より下部電極に近い側のリークが問題となる。

＜１．シングル素子の、キャリア注入層およびキャリア輸送層のリーク＞
図８は、導電性の高いキャリア注入層およびキャリア輸送層による電流リークによって、シングル素子にクロストーク現象が発生して隣接画素が発光することを説明するための模式図である。赤色（Ｒ）を呈する光を発する赤色のシングル素子、緑色（Ｇ）を呈する光を発する緑色のシングル素子及び青色（Ｂ）を呈する光を発する青色のシングル素子が３本のストライプ状に設けられた発光パネルにおいて、緑色のシングル素子のみ駆動させた様子を示す断面図である。なお、ストライプ型だけでなく、モザイク型、デルタ型などの配列でも起こりえる。

発光パネルは、互いに隣接して配置された赤色のシングル素子、緑色のシングル素子及び青色のシングル素子を有している。赤色のシングル素子は、上部電極８１と第１の下部電極８２との間に配置されている。緑色のシングル素子は、上部電極８１と第２の下部電極８３との間に配置されている。青色のシングル素子は、上部電極８１と第３の下部電極８４との間に配置されている。

赤色のシングル素子、緑色のシングル素子及び青色のシングル素子それぞれは、正孔注入・輸送層９０、発光層９１及び電子輸送層・注入層９２が順に積層されている。

透光性を有する上部電極８１を用いる場合、上部電極８１上に対向ガラス基板８８を配置することができ、反射性を有する電極を下部電極に用いることができる。対向ガラス基板８８は図示されていないが赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタを有していても良い。赤色カラーフィルタは第１の下部電極８２に重ねられ、緑色カラーフィルタは第２の下部電極８３に重ねられ、青色カラーフィルタは第３の下部電極８４に重ねられている。

上記の発光パネルにおいて第２の下部電極８３と上部電極８１に電圧を印加して緑色のシングル素子のみを駆動する際に、導電性の高い正孔注入・輸送層９０を介して隣接する赤色のシングル素子または青色のシングル素子に電流がリークし、赤ラインまたは青ラインが発光してクロストーク現象が発生することがある。なお、電子は矢印９３のように流れ、正孔は矢印９４のように流れる。

＜２．タンデム素子の、中間層のリーク＞
図９は、導電性の高い中間層８６による電流リークによってタンデム素子にクロストーク現象が発生して隣接画素が発光することを説明するための模式図である。白色を呈する光を発するタンデム素子が３本のストライプ状に設けられた発光パネル（白色パネル）において、第２のタンデム素子のみ駆動させた様子を示す断面図である。

発光パネルは、互いに隣接して配置された第１〜第３のタンデム素子を有している。第１のタンデム素子は、上部電極８１と第１の下部電極８２との間に配置されている。第２のタンデム素子は、上部電極８１と第２の下部電極８３との間に配置されている。第３のタンデム素子は、上部電極８１と第３の下部電極８４との間に配置されている。

第１〜第３のタンデム素子それぞれは、第１のＥＬ層８５、中間層８６及び第２のＥＬ層８７が順に積層されている。例えば、第１のＥＬ層８５は青色を呈する光を発する発光層を有し、第２のＥＬ層８７は緑色を呈する光を発する発光層及び赤色を呈する光を発する発光層を有する構成とすれば、白色を呈する発光を得ることができる。

透光性を有する上部電極８１を用いる場合、上部電極８１上に対向ガラス基板８８を配置することができ、反射性を有する電極を下部電極に用いることができる。対向ガラス基板８８は図示されていない青色カラーフィルタ、赤色カラーフィルタ及び緑色カラーフィルタを有している。赤色カラーフィルタは第１の下部電極８２に重ねられ、青色カラーフィルタは第２の下部電極８３に重ねられ、緑色カラーフィルタは第３の下部電極８４に重ねられている。

上記の発光パネルにおいて第２の下部電極８３と上部電極８１に電圧を印加して青ライン（第２のタンデム素子）のみを駆動する際に、導電性の高い中間層８６を介して隣接する第１のタンデム素子または第３のタンデム素子に電流がリークし、赤ライン（第１のタンデム素子）または緑ライン（第３のタンデム素子）が発光してクロストーク現象が発生することがある。

＜３．タンデム素子の、キャリア注入層およびキャリア輸送層のリーク＞
図１０は、導電性の高いキャリア注入層およびキャリア輸送層（正孔注入層および正孔輸送層）８９による電流リークによってタンデム素子にクロストーク現象が発生して隣接画素が発光することを説明するための模式図であり、発光パネル（白色パネル）において青ライン（第２のタンデム素子）のみ駆動させた様子を示す図である。

第１〜第３のタンデム素子それぞれは、導電性の高いキャリア注入層およびキャリア輸送層８９を含む第１のＥＬ層８５と、中間層８６と、第２のＥＬ層８７と、が順に積層されている。

なお、タンデム素子では、導電性の高い中間層８６とキャリア注入層およびキャリア輸送層８９、その他の導電性の高い層における隣接画素への電流リークが同時に発生することがある。

以下にクロストーク現象の発生を抑制する従来技術について説明する。
＜従来技術１（特許文献２参照）＞
図１１は、従来技術１の発光装置を模式的に示す断面図である。
基板７０上には第１〜第３の下部電極８２〜８４が形成されており、第１〜第３の下部電極８２〜８４の相互間には隔壁７２が形成されている。隔壁７２及び第１〜第３の下部電極８２〜８４の上には導電性の高い層及び発光層を含むＥＬ層７１が蒸着法で形成されている。ＥＬ層７１上には上部電極８１が形成されている。

上記従来技術１では、隔壁７２の斜面７４の傾斜角を大きくすることにより、斜面７４上に蒸着法で形成されるＥＬ層７１の厚さを薄くし、それによってＥＬ層７１に含まれる導電性の高い層の厚さを薄くしている。つまり、斜面７４上に形成されたＥＬ層７１に含まれる導電性の高い層の厚さを、第１〜第３の下部電極８２〜８４の上に形成されたＥＬ層７１に含まれる導電性の高い層の厚さより薄くしている。これにより、隔壁７２の斜面７４上に形成された導電性の高い層の抵抗を、第１〜第３の下部電極８２〜８４の上に形成された導電性の高い層の抵抗より大きくすることができる。その結果、隔壁７２上に形成された導電性の高い層を介して隣接する発光素子に電流がリークすることを防止してクロストーク現象の発生を抑制することができる。

ただし、隔壁７２の斜面７４の傾斜角を大きくすると、斜面７４上に形成された上部電極８１も薄くなって段切れの発生や膜が高抵抗化することがあり、点灯不良が生じる可能性がある。

＜従来技術２（特許文献３参照）＞
図１２は、従来技術２の発光装置を模式的に示す断面図である。
基板７０上には第１〜第３の下部電極８２〜８４が形成されており、第１〜第３の下部電極８２〜８４の相互間には隔壁７２が形成されている。第１〜第３の下部電極８２〜８４の上には導電性の高い層及び発光層が積層されたＥＬ層７１が形成されている。ＥＬ層７１は隔壁７２上には形成されていない。隔壁７２及びＥＬ層７１の上には上部電極８１が形成されている。

上記従来技術２では、隔壁７２上にＥＬ層７１を形成しないため、隔壁７２上に形成された導電性の高い層を介して隣接する発光素子に電流がリークすることがなく、その結果、クロストーク現象の発生を防止できる。

ただし、隔壁７２上にＥＬ層７１を形成しないようにするためには、マスクを用いた蒸着法またはインクジェット法などにより、ＥＬ層７１を第１〜第３の下部電極８２〜８４の上に選択的に形成する必要がある。このため、蒸着法では、高精細パネルを作製する際に、高価な高精細マスクが必要となり、製造コストが増加する欠点がある。また、インクジェット法では、着弾位置の制御が難しく、歩留まりが低下する欠点がある。

特開２００８−２３４８８５号公報 特開２００９−２７７５９０号公報 特開２００６−３０２８７０号公報

本発明の一態様は、タンデム素子またはシングル素子を有する発光装置のクロストーク現象の発生を抑制することを課題とする。

本発明の一態様は、第１の下部電極及び第２の下部電極と、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極との間に形成された隔壁と、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極より上層に形成された上部電極と、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極と前記上部電極の間に形成された導電性の高い層及び発光層と、を具備し、前記導電性の高い層は、前記発光層より導電性が高く、且つ前記第１の下部電極、前記第２の下部電極及び前記上部電極それぞれより導電性が低く、前記隔壁は、前記第１の下部電極側に位置する第１の斜面及び前記第２の下部電極側に位置する第２の斜面を有し、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極と前記上部電極に挟まれた前記導電性の高い層及び発光層の総膜厚について、前記第１の斜面に垂直な方向の総膜厚は、前記第２の斜面に垂直な方向の総膜厚と異なることを特徴とする発光装置である。

また、上記の本発明の一態様において、前記斜面の総膜厚のうち、総膜厚の薄い斜面の総膜厚は前記第１の下部電極、前記第２の下部電極に垂直な方向の総膜厚よりも薄く、総膜厚の厚い斜面の総膜厚は前記第１の下部電極、前記第２の下部電極に垂直な方向の総膜厚より厚いとよい。

本発明の一態様は、第１の下部電極と、導電性の高い層と、発光層と、上部電極と、を有する第１の発光素子、及び第２の下部電極と、前記導電性の高い層と、発光層と、前記上部電極と、を有する第２の発光素子を備えた発光装置において、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極との間に形成された隔壁と、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極それぞれの上に形成された前記導電性の高い層と、前記第１の下部電極上に位置し且つ前記導電性の高い層より上層に形成された前記第１の発光素子の前記発光層と、前記第２の下部電極上に位置し且つ前記導電性の高い層より上層に形成された前記第２の発光素子の前記発光層と、前記第１の発光素子の発光層、前記導電性の高い層及び前記第２の発光素子の発光層より上層に形成された前記上部電極と、を具備し、前記導電性の高い層は、前記第１の発光素子の発光層及び前記第２の発光素子の発光層それぞれより導電性が高く、且つ前記第１の下部電極、前記第２の下部電極及び前記上部電極それぞれより導電性が低く、前記隔壁は、前記第１の下部電極側に位置する第１の斜面及び前記第２の下部電極側に位置する第２の斜面を有し、前記第１の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第２の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さと異なることを特徴とする発光装置である。

本発明の一態様は、第１の下部電極及び第２の下部電極と、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極との間に形成された隔壁と、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極のそれぞれより上層に形成された第１の発光層と、前記第１の発光層より上層に形成された導電性の高い層と、前記導電層の高い層より上層に形成された第２の発光層と、前記第２の発光層より上層に形成された上部電極と、を具備し、前記導電性の高い層は、前記第１の発光層及び前記第２の発光層それぞれより導電性が高く、且つ前記第１の下部電極、前記第２の下部電極及び前記上部電極それぞれより導電性が低く、前記隔壁は、前記第１の下部電極側に位置する第１の斜面及び前記第２の下部電極側に位置する第２の斜面を有し、前記第１の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第２の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さと異なることを特徴とする発光装置である。

本発明の一態様は、第１の下部電極及び第２の下部電極と、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極との間に形成された隔壁と、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極それぞれの上に形成された第１の導電性の高い層と、前記第１の導電性の高い層より上層に形成された第１の発光層と、前記第１の発光層より上層に形成された第２の導電性の高い層と、前記第２の導電性の高い層より上層に形成された第２の発光層と、前記第２の発光層より上層に形成された上部電極と、を具備し、前記第１の導電性の高い層および前記第２の導電性の高い層は、前記第１の発光層及び前記第２の発光層それぞれより導電性が高く、且つ前記第１の下部電極、前記第２の下部電極及び前記上部電極それぞれより導電性が低く、前記隔壁は、前記第１の下部電極側に位置する第１の斜面及び前記第２の下部電極側に位置する第２の斜面を有し、前記第１の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第２の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さと異なることを特徴とする発光装置である。

また、上記の本発明の一態様において、前記第１の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第２の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さと異なるとよい。

また、上記の本発明の一態様において、前記第１の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さ、及び前記第２の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さのうちの薄い方の厚さは厚い方の厚さの１／２以下であるとよい。

また、上記の本発明の一態様において、前記第１の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さ、及び前記第２の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さのうちの薄い方の厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記導電性の高い層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さの１／２以下であるとよい。

また、上記の本発明の一態様において、前記第１の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さ、及び前記第２の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さのうちの薄い方の厚さは厚い方の厚さの１／２以下であるとよい。

また、上記の本発明の一態様において、前記第１の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さ、及び前記第２の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さのうちの薄い方の厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さの１／２以下であるとよい。

また、上記の本発明の一態様において、前記第１の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さ、及び前記第２の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さのうちの薄い方の厚さは厚い方の厚さの１／２以下であるとよい。

また、上記の本発明の一態様において、前記第１の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さ、及び前記第２の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さのうちの薄い方の厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さの１／２以下であるとよい。

また、前記第１の発光素子の発光層によって発する光の色は、前記第２の発光素子の発光層によって発する光の色と異なるとよい。

また、上記の本発明の一態様において、第１の色を呈する光を発する複数の前記第１の発光素子が直線状に配置され、第２の色を呈する光を発する複数の前記第２の発光素子が直線状に配置された発光装置であって、前記複数の第１の発光素子それぞれは、前記第１の発光素子の発光層を有し、前記複数の第２の発光素子それぞれは、前記第２の発光素子の発光層を有し、前記複数の第１の発光素子それぞれと前記複数の第２の発光素子それぞれとの間には前記隔壁が配置されているとよい。

また、本発明の一態様において、前記上部電極上に形成されたカラーフィルタを有し、前記カラーフィルタは、前記第１の下部電極と重なる第１の色と、前記第２の下部電極と重なる第２の色を有し、前記第１の色は前記第２の色と異なるとよい。

また、上記の本発明の一態様において、第１の色を呈する光を発する複数の第１の発光素子が直線状に配置され、第２の色を呈する光を発する複数の第２の発光素子が直線状に配置された発光装置であって、前記複数の第１の発光素子それぞれは、前記第１の下部電極と前記上部電極との間に位置する前記第１の発光層及び前記第２の発光層を有し、前記複数の第２の発光素子それぞれは、前記第２の下部電極と前記上部電極との間に位置する前記第１の発光層及び前記第２の発光層を有し、前記複数の第１の発光素子それぞれと前記複数の第２の発光素子それぞれとの間には前記隔壁が配置されているとよい。

本発明の一態様は、基板上に第１の下部電極及び第２の下部電極を形成し、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極との間に隔壁を形成した基板を用意し、蒸着源から発生させた蒸着物を前記基板の表面に対して斜め方向に飛ばすことにより、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極それぞれの上に導電性の高い層を形成する発光装置の製造方法であり、前記導電性の高い層は、前記第１の下部電極及び前記第２の下部電極それぞれより導電性が低く、前記隔壁は、前記第１の下部電極側に位置する第１の斜面及び前記第２の下部電極側に位置する第２の斜面を有し、前記第１の斜面上に形成された前記導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第２の斜面上に形成された前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さと異なることを特徴とする発光装置の製造方法である。

本発明の一態様は、基板上に複数の第１の下部電極及び複数の第２の下部電極それぞれを直線状に配置し、前記複数の第１の下部電極それぞれと前記複数の第２の下部電極それぞれとの間に隔壁を形成した基板を用意し、蒸着源から発生させた蒸着物を前記基板の表面に対して斜め方向に飛ばすことにより、前記複数の第１の下部電極、前記隔壁及び前記複数の第２の下部電極それぞれの上に導電性の高い層を形成する発光装置の製造方法であり、前記斜め方向は、前記直線と交差する方向であり、前記導電性の高い層は、前記複数の第１の下部電極及び前記複数の第２の下部電極それぞれより導電性が低く、前記隔壁は、前記複数の第１の下部電極それぞれの側に位置する第１の斜面及び前記複数の第２の下部電極それぞれの側に位置する第２の斜面を有し、前記第１の斜面上に形成された前記導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第２の斜面上に形成された前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さと異なることを特徴とする発光装置の製造方法である。

また、上記の本発明の一態様において、前記蒸着物を前記基板の表面に対して斜め方向に飛ばすことは、前記蒸着源と前記基板との間にスリットを有するマスクを配置し、前記蒸着源から発生させた蒸着物を前記マスクで遮蔽することにより前記スリットを通り抜ける蒸着物を前記基板の表面に対して斜め方向に飛ばすことであるとよい。

また、上記の本発明の一態様において、前記導電性の高い層を形成した後に、前記導電性の高い層上に、前記第１の下部電極及び前記第２の下部電極それぞれの上に位置する発光層を形成し、前記発光層上に上部電極を形成する発光装置の製造方法であり、前記導電性の高い層は、前記発光層より導電性が高く、且つ前記上部電極より導電性が低いとよい。

本発明の一態様を適用することで、タンデム素子またはシングル素子を有する発光装置のクロストーク現象の発生を抑制することができる。

（Ａ）は本発明の一態様に係る発光装置を示す回路図、（Ｂ）は比較例としての発光装置を模式的に示す断面図、（Ｃ）は本発明の一態様に係る発光装置を模式的に示す断面図。 （Ａ）は本発明の一態様に係る発光装置の製造方法を説明するための断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す発光装置の平面図。 本発明の一態様に係る発光装置の製造方法の一例を示す断面図。 （Ａ）および（Ｂ）は本発明の一態様に係る発光装置の製造方法の一例を示す断面図。 （Ａ）は本発明の一態様に係るシングル構造の発光素子を示す断面図、（Ｂ）は本発明の一態様に係るシングル構造のボトムエミッション型発光素子を示す断面図、（Ｃ）は本発明の一態様に係るシングル構造のトップエミッション型発光素子を示す断面図。 （Ａ）は本発明の一態様に係るタンデム構造の発光素子を示す断面図、（Ｂ）は本発明の一態様に係るタンデム構造のボトムエミッション型発光素子を示す断面図、（Ｃ）は本発明の一態様に係るタンデム構造のトップエミッション型発光素子を示す断面図。 （Ａ）は本発明の一態様に係る発光装置の製造方法の一例を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の平面図、（Ｃ）は（Ａ）に示す蒸着源３０１の平面図。 導電性の高いキャリア注入層およびキャリア輸送層による電流リークによってシングル素子にクロストーク現象が発生して隣接画素が発光することを説明するための模式図。 導電性の高い中間層によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図。 導電性の高いキャリア注入層およびキャリア輸送層によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図。 従来技術１の発光装置を模式的に示す断面図。 従来技術２の発光装置を模式的に示す断面図。

以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

［実施の形態１］
図１（Ａ）は、本発明の一態様に係る発光装置を示す回路図であり、図１（Ｂ）は、比較例としての発光装置を模式的に示す断面図であり、図１（Ｃ）は、本発明の一態様に係る発光装置を模式的に示す断面図である。図２（Ａ）は、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法を説明するための断面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す発光装置の平面図である。

図１（Ａ）に示す発光装置は、赤色を呈する光を発する有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ素子）Ｒ、緑色を呈する光を発する有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ素子）Ｇ及び青色を呈する光を発する有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ素子）Ｂを有し、有機ＥＬ素子Ｒ、有機ＥＬ素子Ｇ及び有機ＥＬ素子Ｂそれぞれにはトランジスタ４０１、４０２、４０３が接続されている。

図１（Ｂ）、（Ｃ）に示す発光装置は基板１０１を有し、この基板１０１上にはトランジスタが形成されており、その上には層間絶縁膜を挟み、透明電極などの接続電極でトランジスタと電気的に接続されている下部電極（例えば陽極）として第１の下部電極１０２ａ、第２の下部電極１０２ｂ、および第３の下部電極１０２ｃが形成されている。第１の下部電極１０２ａ、第２の下部電極１０２ｂおよび第３の下部電極１０２ｃの相互間には隔壁１０３が形成されており、それぞれが島状に分離して形成され、互いに電気的に分離されている。隔壁１０３及び第１の下部電極１０２ａ、第２の下部電極１０２ｂおよび第３の下部電極１０２ｃの上には導電性の高い層及び発光層を含むＥＬ層７１が蒸着法で形成されている。ＥＬ層７１上には上部電極１１０（例えば陰極）が蒸着法で形成されている。

ＥＬ層７１は蒸着法によって基板１０１の全面に形成されるため、隔壁１０３上に形成されるＥＬ層７１が図１（Ｂ）に示すようにほぼ一定の厚さを有している。そのため、ＥＬ層７１における導電性の高い層の抵抗率によってはＯＬＥＤ素子Ｒ、Ｇ、Ｂの抵抗Ｒｏｌｅｄと比較して隣接画素間の抵抗Ｒｒｇが無視できない値となり、漏れ電流Ｉｒｇが隣接画素間に流れてしまう（図１（Ａ）参照）。例えば、ＯＬＥＤ素子Ｒを赤色に発光させる際に、漏れ電流Ｉｒｇが隣接画素間に流れることで、隣接するＯＬＥＤ素子Ｇも緑色に発光してしまうクロストーク現象が発生する（図１（Ａ）、（Ｂ）参照）。

そこで、図１（Ｃ）及び図２（Ａ）に示すように、電流パスとなり得る導電性の高い層についての成膜を、蒸着源から発生させた蒸着物を基板１０１の表面に対して斜め方向（矢印３０５ａ）に飛ばして行う。

ここで、隔壁１０３の影にならない部分の斜面（即ち図１（Ｃ）の隔壁１０３の左側の斜面）を第１の斜面とし、第１の斜面に成膜される、発光層と導電性の高い層を含むＥＬ層の第１の斜面に垂直な方向について膜厚を、第１の総膜厚とする。
また隔壁１０３の影になる部分の斜面（即ち図１（Ｃ）の隔壁１０３の右側の斜面）を第２の斜面とし、第２の斜面に成膜される、ＥＬ層の第２の斜面に垂直な方向についての膜厚を、第２の総膜厚とする。
また第１の下部電極１０２ａ、第２の下部電極１０２ｂおよび第３の下部電極１０２ｃ上に成膜されるＥＬ層の下部電極に垂直な方向についての膜厚を、第３の総膜厚とする。

このとき、電流パスとなり得る導電性の高い層についての成膜を、蒸着源から発生させた蒸着物を基板１０１の表面に対して斜め方向（矢印３０５ａ）に飛ばして行うことで、第２の総膜厚を、第１の総膜厚、第３の総膜厚のそれぞれより薄くすることができる。また第１の総膜厚を、第３の総膜厚より厚くすることができる。つまり、第１の総膜厚、第２の総膜厚及び第３の総膜厚をそれぞれ異なるように形成することができる。

より詳しくは、下記のようにすることができる。
第１の斜面に成膜される、導電性の高い層の第１の斜面に垂直な方向についての膜厚を第１の厚さとする。
また第２の斜面に成膜される、導電性の高い層の第２の斜面に垂直な方向についての膜厚を第２の厚さとする。
また第１の下部電極１０２ａ、第２の下部電極１０２ｂおよび第３の下部電極１０２ｃ上に成膜される導電性の高い層の下部電極に垂直な方向についての膜厚を第３の厚さとする。
このとき、第２の厚さを、第１の厚さ、第３の厚さのそれぞれより薄くすることができる。また第１の厚さを、第３の厚さより厚くすることができる。

より好ましくは、第２の総膜厚又は第２の厚さを、第１の総膜厚又は第１の厚さ及び第３の総膜厚又は第３の厚さそれぞれの１／２以下とする。このようにすることで、隣接画素間の抵抗ＲｒｇがＯＬＥＤ素子の抵抗Ｒｏｌｅｄと比較して無視できるほど大きくなるため、隣接画素間への電流漏れＩｒｇを抑制することができる。

その結果、クロストーク現象の発生を抑制することが可能となり、表示品位を高めることができる。なお、本明細書において、斜面に垂直な方向についての厚さとは、当該斜面内で最も層が厚い個所の層厚をいう。

上記のようにＥＬ層７１における導電性が高い層、例えば正孔注入層と中間層を斜め方向（矢印３０５ａ）から蒸着し、導電性の高い層の隔壁斜面での膜厚を薄くすることにより隔壁斜面において導電性の高い層を高抵抗化してクロストーク現象の発生を抑制することができる。そして、このような発光装置を有機ＥＬディスプレイに用いることで、クロストーク対策を実現した有機ＥＬディスプレイを作製することができる。

図２（Ｂ）に示すように有機ＥＬディスプレイの画素がストライプ構造であれば、斜めから蒸着する方向を矢印３０５ａの方向とすることが好ましい。つまり、複数の赤色の画素Ｒ及びそれらの画素Ｒそれぞれの下部電極が直線状に配置され、複数の緑色の画素Ｇ及びそれらの画素Ｇそれぞれの下部電極が直線状に配置され、複数の青色の画素Ｂ及びそれらの画素Ｂそれぞれの下部電極が直線状に配置されたストライプ構造であれば、蒸着方向（矢印３０５ａ）を前記直線と交差する方向とすることが好ましい。これにより、横方向のクロストーク（異色間のクロストーク）を抑えることができ、ＮＴＳＣ比の低下が抑制できる。一方、矢印３０５ｂの方向（前記直線と交差しない方向）からの斜め蒸着は縦方向のクロストーク（同色間のクロストーク）を抑えることが可能となるが、横方向のクロストークは抑えることが出来ないため、混色が発生しＮＴＳＣ比が低下する。

なお、ＥＬ層７１の構成は、種々のものを用いることができ、具体的には以下の構成としてもよい。例えば、導電性の高い層、発光層等が適宜積層されているＥＬ層７１を有するシングル素子としてもよいし、導電性の高い層を含む複数のＥＬ層が中間層を介して積層されたタンデム素子としてもよい。

また、ＥＬ層７１における導電性が低い層や電圧降下が問題となる上部電極１１０は基板１０１の正面方向から成膜し、隔壁斜面における層の高抵抗化を防ぐことが好ましい。

図３は、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法の一例を示す断面図である。
基板１０１に対して斜め方向から導電性の高い層を成膜する場合の隔壁の角度と蒸着角度との関係性を示している。また、図３の蒸着源３０１は模式的に分かりやすく表現するために蒸着源を傾けて表現している。

蒸着物の飛来角度をΦのみと単純化し、隔壁１０３の斜面上の導電性の高い層の厚さをｔとすると下記式（１）が成り立つ。
ｔ＝Ｒ ｓｉｎ（Φ−θ） ・・・・（１）
Ｒ ： 蒸着源３０１と基板１０１が垂直な場合の導電性の高い層の厚さ
Φ ： 蒸着方向（矢印３０５）と基板１０１の角度
θ ： 第１の下部電極１０２ａ、第２の下部電極１０２ｂまたは基板１０１に対する隔壁１０３の斜面の角度

クロストーク現象の発生を抑制できる導電性の高い層の厚さをαとした場合、上記式（１）は、下記式（２）、（３）となる。
Ｒ ｓｉｎ（Φ−θ） ＜ α ・・・・（２）
ｓｉｎ（Φ−θ） ＜ α／Ｒ ・・・・（３）

つまり、上記式（３）の条件を満たす蒸着角度Φと隔壁斜面の角度θを設定し、基板１０１を矢印３０４の方向に移動させながら蒸着源３０１から蒸着物を矢印３０５の方向に飛来させる。このようにして隔壁１０３及び第１の下部電極１０２ａ、第２の下部電極１０２ｂの上に導電性の高い層を蒸着法で成膜する。これにより、導電性の高い層、つまり電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層及び中間層の、隔壁１０３の一方の斜面での厚さを薄くすることができる。また、導電性の高い層の膜厚における上記の関係は、導電性の高い層を含んで構成されるＥＬ層の膜厚の関係においても、同様に成り立つ。

なお、クロストーク現象の発生を抑制できる導電性の高い層の厚さαは、使用する材料や素子構成により任意に設定できる。

図４（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法の一例を示す断面図である。
図４（Ａ）および（Ｂ）に示すように蒸着源３０１を垂直に立てた状態で、基板１０１と蒸着源３０１との間にマスク３０２ａまたはマスク３０２ｂを配置することで成膜してもよい。

図４（Ａ）では、蒸着源３０１と基板１０１との間に、蒸着物の一部を遮蔽するマスク３０２ａを配置している。これにより、蒸着源３０１から発生させた蒸着物を基板１０１の表面に対して斜め方向（矢印３０５）に飛ばしている。そして、マスク３０２ａ上を基板１０１が水平方向（矢印３０４）に移動することで、斜め方向のある範囲の角度で飛んでいる蒸着物のみを基板に付着させることが可能となる。これにより、成膜された導電性の高い層の隔壁１０３の一方の斜面での厚さを薄くすることができる。

また蒸着物をより均一に成膜するために、図４（Ｂ）のようにスリットを有するマスク３０２ｂを配置してもよい。蒸着源３０１と基板１０１との間にスリットを有するマスク３０２ｂを配置することで、斜め方向のある角度で飛んでいる蒸着物のみを基板に付着させることが可能となり、基板１０１に蒸着物をより均一に成膜することができる。

［実施の形態２］
本発明の一態様に係る発光装置の一例について、図５（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）、図６（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を参照しつつ説明する。

＜シングル構造の発光素子＞
図５（Ａ）に、シングル素子の一例として発光素子２０１を示す。発光素子２０１は、陽極である電極１０２と、陰極である上部電極１１０の間に、１層のＥＬ層１５１を有する。ＥＬ層１５１は、電極１０２側から順に、正孔注入層１０４、正孔輸送層１０５、発光層１０６、電子輸送層１０７、電子注入層１０８を有する。図を簡潔にするため、図５（Ｂ）および（Ｃ）では、電子輸送層１０７と電子注入層１０８を合わせて、層１０９として表す。

＜シングル構造のボトムエミッション型発光素子、正孔注入層の斜め蒸着＞
図５（Ｂ）に、ボトムエミッション型の発光装置２１１における第１の発光素子２０１ａ、第２の発光素子２０１ｂ、および第３の発光素子２０１ｃの部分の断面を示す。第１の発光素子２０１ａ、第２の発光素子２０１ｂ、および第３の発光素子２０１ｃは、それぞれ異なる色を発し、それぞれ、発光層１０６ａ、発光層１０６ｂおよび発光層１０６ｃを有する。また第１の発光素子２０１ａ、第２の発光素子２０１ｂ、および第３の発光素子２０１ｃは、それぞれ島状に分離された第１の下部電極１０２ａ、第２の下部電極１０２ｂおよび第３の下部電極１０２ｃと、共通した正孔注入層１０４、正孔輸送層１０５、層１０９（電子輸送層１０７、電子注入層１０８）および上部電極１１０と、を有し、この順に積層されている。発光層１０６ａ、発光層１０６ｂおよび発光層１０６ｃは、それぞれ、第１の下部電極１０２ａ、第２の下部電極１０２ｂ、第３の下部電極１０２ｃ上に位置している。共通した正孔注入層１０４、正孔輸送層１０５、層１０９（電子輸送層１０７、電子注入層１０８）および上部電極１１０は、隔壁１０３の上面および斜面上にも形成されており、隔壁１０３により各発光素子に分離されている。

より具体的には、第１の発光素子２０１ａでは、基板１０１上に、島状に分離された第１の下部電極１０２ａ、他の発光素子と共通の正孔注入層１０４、他の発光素子と共通の正孔輸送層１０５、発光層１０６ａ、他の発光素子と共通の層１０９（電子輸送層１０７、電子注入層１０８）、他の発光素子と共通の上部電極１１０が順に積層されている。同様に第２の発光素子２０１ｂでは、基板１０１上に、島状に分離された第２の下部電極１０２ｂ、他の発光素子と共通の正孔注入層１０４、他の発光素子と共通の正孔輸送層１０５、発光層１０６ｂ、他の発光素子と共通の層１０９（電子輸送層１０７、電子注入層１０８）、他の発光素子と共通の上部電極１１０が順に積層されている。同様に第３の発光素子２０１ｃでは、基板１０１上に、島状に分離された第３の下部電極１０２ｃ、他の発光素子と共通の正孔注入層１０４、他の発光素子と共通の正孔輸送層１０５、発光層１０６ｃ、他の発光素子と共通の層１０９（電子輸送層１０７、電子注入層１０８）、他の発光素子と共通の上部電極１１０が順に積層されている。また発光層１０６ａ、発光層１０６ｂおよび発光層１０６ｃは、それぞれ発する色を異ならせることができ、例えば発光層１０６ａ、発光層１０６ｂおよび発光層１０６ｃがそれぞれＲ、Ｇ、Ｂを発する構成とすることができる（Ｒ、Ｇ、Ｂに限らず、波長の違いでもよい）。

また基板１０１と第１の下部電極１０２ａの間にはカラーフィルタ１６２ａが設けられていることが好ましい。基板１０１を通して光を取り出す際に色の純度を向上させることができる。同様に、基板１０１と第２の下部電極１０２ｂの間にはカラーフィルタ１６２ｂが設けられ、基板１０１と第３の下部電極１０２ｃの間にはカラーフィルタ１６２ｃが設けられていることが好ましい。また、各カラーフィルタの間には遮光層が設けられていることが好ましい。カラーフィルタ１６２ａ、１６２ｂ、１６２ｃはそれぞれ色を異ならせることができ、例えばカラーフィルタ１６２ａ、１６２ｂ、１６２ｃがそれぞれＲ、Ｇ、Ｂに対応する構成とすることができる（Ｒ、Ｇ、Ｂに限らず、波長の違いでもよい）。

この実施の形態において、導電性の高い層とは、下部電極及び隔壁と発光層の間に形成された正孔注入層１０４、正孔輸送層１０５、及び発光層（発光層１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ）と上部電極１１０の間に形成された電子輸送層１０７、電子注入層１０８である。隔壁１０３は、第１の下部電極側に位置する第１の斜面（領域１０４ａ）及び第２の下部電極側に位置する第２の斜面（領域１０４ｂ）を有する。第１の斜面上（領域１０４ａ）に位置する導電性の高い層の第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、第２の斜面上（領域１０４ｂ）に位置する導電性の高い層の第２の斜面に垂直な方向についての厚さと異なる。また、これらの厚さは、下部電極に垂直な方向（領域１０４ｃ）の厚さとも異なる。この実施の形態では、領域１０４ａ、領域１０４ｃ、領域１０４ｂの順に厚い。
以下、正孔注入層１０４を用いて具体的に説明する。

ここで、隔壁１０３の第１の発光素子２０１ａ側の第１の斜面に接する領域１０４ａの正孔注入層１０４の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さと、隔壁１０３の第２の発光素子２０１ｂ側の第２の斜面に接する領域１０４ｂの正孔注入層１０４の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さと、第２の下部電極１０２ｂと接する領域１０４ｃの正孔注入層１０４の第２の下部電極１０２ｂに垂直な方向についての厚さは、下記の関係である。
領域１０４ａ＞領域１０４ｃ＞領域１０４ｂ
領域１０４ａ＝Ｒ ｓｉｎ（Φ＋θ）
領域１０４ｃ＝Ｒ ｓｉｎΦ
領域１０４ｂ＝Ｒ ｓｉｎ（Φ−θ）
上式より、
ｔａｎΦ＜ｓｉｎθ／(１−ｃｏｓθ)
上記を満たす蒸着角度Φと隔壁斜面θを設定すればよい。例えば、隔壁斜面の角度が２０°のときは蒸着角度を８０°以下、隔壁斜面の角度が４０°のときは蒸着角度を７０°以下、壁斜面の角度が５０°のときは蒸着角度を６５°以下、隔壁斜面の角度が４０°のときは蒸着角度を７０°以下、壁斜面の角度が５５°のときは蒸着角度を６２．５°以下に設定すればよい。

また、領域１０４ｂの正孔注入層１０４の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、下記のように領域１０４ｃの正孔注入層１０４の第２の下部電極１０２ｂに垂直な方向についての厚さの１／２以下であることが好ましい。また、領域１０４ｂの正孔注入層１０４の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、領域１０４ａの正孔注入層１０４の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さの１／２以下であることが好ましい。なお、領域１０４ｂに正孔注入層１０４が形成されていない領域（正孔注入層１０４の段切れともいう）があってもよい。
領域１０４ａ／２＞領域１０４ｃ／２＞領域１０４ｂ
領域１０４ａ＝Ｒ ｓｉｎ（Φ＋θ）
領域１０４ｃ＝Ｒ ｓｉｎΦ
領域１０４ｂ＝Ｒ ｓｉｎ（Φ−θ）
上式より、
ｔａｎΦ＜ｓｉｎθ／(ｃｏｓθ−１／２)＆ｓｉｎθ／(１−ｃｏｓθ)
上記を満たす蒸着角度Φと隔壁斜面θを設定すればよい。例えば、隔壁斜面の角度が２０°のときは蒸着角度を３８°以下、隔壁斜面の角度が４０°のときは蒸着角度を６８°以下、隔壁斜面の角度が５０°のときは蒸着角度を６５°以下、隔壁斜面の角度が４０°のときは蒸着角度を７０°以下、隔壁斜面の角度が５５°のときは蒸着角度を６２．５°以下に設定すればよい。

このように領域１０４ｂの正孔注入層１０４の厚さを薄くすることで、発光素子間（この場合、第１の発光素子２０１ａと第２の発光素子２０１ｂの間）の抵抗Ｒｒｇを大きくすることができる。これにより、発光素子の抵抗Ｒｏｌｅｄと比較したとき、発光素子間の抵抗Ｒｒｇが絶縁されていると見なせるほど大きくなるため、他の発光素子への電流漏れを抑制することが可能となる。

以上は、正孔注入層１０４の膜厚で説明したが、他の導電性の高い層、つまり、電子注入層１０８、電子輸送層１０７、正孔輸送層１０５及び後述する中間層１４２の膜厚についても同様である。

＜シングル構造のトップエミッション型発光素子、正孔注入層の斜め蒸着＞
また、図５（Ｂ）ではボトムエミッション型の発光素子について説明したが、図５（Ｃ）のようにトップエミッション型の発光素子に本発明の一態様を適用してもよい。トップエミッション型の発光素子を用いる場合、第１の下部電極１０２ａ、第２の下部電極１０２ｂ、第３の下部電極１０２ｃ上に、異なる色を発する素子毎に厚さの異なる透明導電層１１２ａ、１１２ｂを設けることが好ましい。例えば図５（Ｃ）では、発光装置２１２における第１の発光素子２０１ａ、第２の発光素子２０１ｂ、第３の発光素子２０１ｃそれぞれにおいて、第１の発光素子２０１ａが最も長波長の光を発する素子、第２の発光素子２０１ｂが第１の発光素子２０１ａと第３の発光素子２０１ｃの間の波長の光を発する素子、第３の発光素子２０１ｃが最も短波長の光を発する素子とする。この場合、第１の発光素子２０１ａの第１の下部電極１０２ａ上に、透明導電層１１２ａを設け、第２の発光素子２０１ｂの第２の下部電極１０２ｂ上に、透明導電層１１２ａよりも薄い透明導電層１１２ｂを設けるとよい。第３の発光素子２０１ｃの第３の下部電極１０２ｃ上には、透明導電層１１２ｂよりも薄い透明導電層を設けてもよいし、図５（Ｃ）のように透明導電層を設けなくてもよい。

なお、図５（Ｃ）に示すトップエミッション型の発光素子は、上述した透明導電層１１２ａ、１１２ｂを設けること以外については図５（Ｂ）に示すボトムエミッション型の発光素子と同様の構成を有している。

異なる色を発する素子毎に厚さの異なる透明導電層を設けることで、各発光素子の厚みを所望の色の波長と共鳴する厚みに適宜設計することができる。これにより、各発光素子の色純度を向上させることができる。

また図示しないが、各発光素子と重畳する対向ガラス基板上にカラーフィルタを設けることが好ましい。各発光素子に対応する、それぞれ色の異なるカラーフィルタを設けることで、対向基板側に光を取り出す際に色の純度を向上させることができる。

また、本発明の一態様に係るシングル構造の発光素子を有する発光装置は、複数の第１の発光素子２０１ａが直線状に配置され、複数の第２の発光素子２０１ｂが直線状に配置され、複数の第３の発光素子２０１ｃが直線状に配置され、複数の第１の発光素子２０１ａそれぞれと複数の第２の発光素子２０１ｂそれぞれとの間に隔壁１０３が配置され、複数の第２の発光素子２０１ｂそれぞれと複数の第３の発光素子２０１ｃそれぞれとの間に隔壁１０３が配置された発光装置としてもよい。

＜タンデム構造の発光素子＞
図６（Ａ）に、タンデム素子の一例として発光素子２０１を示す。発光素子２０１は、陽極である電極１０２と陰極である上部電極１１０の間に、２層のＥＬ層、すなわちＥＬ層１５２およびＥＬ層１５３を有する。ＥＬ層１５２とＥＬ層１５３の間には中間層１４２を有する。タンデム構造では、シングル構造と異なり、隣接する発光素子間で発光層を島状に分離せずに、複数の素子で共通の発光層とすることができる。

ＥＬ層１５２は、正孔注入層１１４、正孔輸送層１１５、第１の発光層１１６および電子輸送層１１７を有する。図を簡潔にするため、図６（Ｂ）および（Ｃ）では、正孔注入層１１４および正孔輸送層１１５を合わせて、層１４０として表す。また第１の発光層１１６および電子輸送層１１７を合わせて、層１４１として表す。

中間層１４２は、電子注入バッファ層１２１、電子リレー層１２２および電荷発生層１２３を有する。図を簡潔にするため、図６（Ｂ）および（Ｃ）では、電子注入バッファ層１２１、電子リレー層１２２および電荷発生層１２３を合わせて中間層１４２として表す。

ＥＬ層１５３は、正孔輸送層１３５、第２の発光層１３６、電子輸送層１３７および電子注入層１３８を有する。図を簡潔にするため、図６（Ｂ）および（Ｃ）では、正孔輸送層１３５、第２の発光層１３６、電子輸送層１３７および電子注入層１３８を合わせて、ＥＬ層１５３として表す。例えば、第１の発光層１１６は青色、第２の発光層１３６は緑色および赤色の発光層とすることができる。（青、緑色および赤色に限らず、波長の違いでもよい）。

ＥＬ層１５３は、正孔輸送層１３５、第２の発光層１３６、電子輸送層１３７および電子注入層１３８を有する。図を簡潔にするため、図６（Ｂ）および（Ｃ）では、ＥＬ層１５３は、正孔輸送層１３５、第２の発光層１３６、電子輸送層１３７および電子注入層１３８を合わせて、ＥＬ層１５３として表す。例えば、第１の発光層１１６は青色、第２の発光層１３６は緑色および赤色の発光層とすることができる。（青、緑色および赤色に限らず、波長の違いでもよい）。

図６（Ｂ）に、ボトムエミッション型の発光装置２１３における第１の発光素子２０１ａ、第２の発光素子２０１ｂ、および第３の発光素子２０１ｃの部分の断面を示す。第１の発光素子２０１ａ、第２の発光素子２０１ｂ、および第３の発光素子２０１ｃは、それぞれ島状に分離された第１の下部電極１０２ａと、共通した層１４０（正孔注入層１１４および正孔輸送層１１５）、層１４１（第１の発光層１１６および電子輸送層１１７）、中間層１４２、ＥＬ層１５３および上部電極１１０と、を有し、この順に積層されている。共通した正孔注入層１０４、層１４１（第１の発光層１１６および電子輸送層１１７）、中間層１４２、ＥＬ層１５３および上部電極１１０は、隔壁１０３の上面および斜面上にも形成されており、隔壁１０３により各発光素子に分離されている。

この実施の形態において、導電性の高い層とは、下部電極及び隔壁と発光層の間に形成された正孔注入層１１４及び正孔輸送層１１５、並びに第１の発光層１１６と上部電極１１０の間に形成された電子輸送層１１７、中間層１４２（電子注入バッファ層１２１、電子リレー層１２２および電荷発生層１２３）、正孔輸送層１３５、電子輸送層１３７及び電子注入層１３８である。

この実施の形態のように導電性の高い層を複数有する場合、例えば正孔注入層１１４及び正孔輸送層１１５を併せて第１の導電性の高い層といい、中間層１４２を第２の導電性の高い層といってもよい。

隔壁１０３は、第１の下部電極側に位置する第１の斜面（領域１４２ａ）及び前記第２の下部電極側に位置する第２の斜面（領域１４２ｂ）を有する。第１の斜面上（領域１４２ａ）に位置する導電性の高い層の第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、第２の斜面上（領域１４２ｂ）に位置する導電性の高い層の第２の斜面に垂直な方向についての厚さと異なる。また、これらの厚さは、下部電極に垂直な方向（領域１４２ｃ）の厚さとも異なる。この実施の形態では、領域１４２ａ、領域１４２ｃ、領域１４２ｂの順に厚い。

以下、中間層１４２を用いて具体的に説明する。
ここで、隔壁１０３の第１の発光素子２０１ａ側の第１の斜面上に設けられた領域１４２ａの中間層１４２の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さと、隔壁１０３の第２の発光素子２０１ｂ側の第２の斜面上に設けられた領域１４２ｂの中間層１４２の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さと、第２の下部電極１０２ｂ上に設けられた領域１４２ｃの中間層１４２の第２の下部電極１０２ｂに垂直な方向についての厚さは、下記の関係である。
領域１４２ａ＞領域１４２ｃ＞領域１４２ｂ
領域１４２ａ＝Ｒ ｓｉｎ（Φ＋θ）
領域１４２ｃ＝Ｒ ｓｉｎΦ
領域１４２ｂ＝Ｒ ｓｉｎ（Φ−θ）
上式より、
ｔａｎΦ＜ｓｉｎθ／(１−ｃｏｓθ)
上記を満たす蒸着角度Φと隔壁斜面θを設定すればよい。例えば、隔壁斜面の角度が２０°のときは蒸着角度を８０°以下、隔壁斜面の角度が４０°のときは蒸着角度を７０°以下、隔壁斜面の角度が５０°のときは蒸着角度を６５°以下、隔壁斜面の角度が４０°のときは蒸着角度を７０°以下、隔壁斜面の角度が５５°のときは蒸着角度を６２．５°以下に設定すればよい。

また、領域１４２ｂの中間層１４２の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、下記のように領域１４２ｃの中間層１４２の第２の下部電極１０２ｂに垂直な方向についての厚さの１／２以下であることが好ましい。また、領域１４２ｂの中間層１４２の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、領域１４２ａの中間層１４２の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さの１／２以下であることが好ましい。なお、領域１４２ｂに中間層１４２が形成されていない領域（中間層１４２の段切れともいう）があってもよい。
領域１４２ａ／２＞領域１４２ｃ／２＞領域１４２ｂ
領域１４２ａ=Ｒ ｓｉｎ（Φ＋θ）
領域１４２ｃ=Ｒ ｓｉｎΦ
領域１４２ｂ=Ｒ ｓｉｎ（Φ−θ）
上式より、
ｔａｎΦ＜ｓｉｎθ／(ｃｏｓθ−１／２)＆ｓｉｎθ／(１−ｃｏｓθ)
上記を満たす蒸着角度Φと隔壁斜面θを設定すればよい。例えば、隔壁斜面の角度が２０°のときは蒸着角度を３８°以下、隔壁斜面の角度が４０°のときは蒸着角度を６８°以下、隔壁斜面の角度が５０°のときは蒸着角度を６５°以下、隔壁斜面の角度が４０°のときは蒸着角度を７０°以下、隔壁斜面の角度が５５°のときは蒸着角度を６２．５°以下に設定すればよい。

このように領域１４２ｂの中間層１４２の厚さを薄くすることで、発光素子間（この場合、第１の発光素子２０１ａと第２の発光素子２０１ｂの間）の抵抗Ｒｒｇを大きくすることができる。これにより、発光素子の抵抗Ｒｏｌｅｄと比較したとき、発光素子間の抵抗Ｒｒｇが絶縁されていると見なせるほど大きくなるため、他の発光素子への電流漏れを抑制することが可能となる。

なお、中間層１４２が有する電子注入バッファ層１２１、電子リレー層１２２のうち、少なくとも一つが上述の厚さであればよい。少なくとも一つが上述の関係の厚さとなることで、他の発光素子への電流漏れを抑制することが可能となる。

以上は、中間層１４２の膜厚で説明したが、他のリークが問題となる導電性の高い層、つまり正孔注入層１１４、正孔輸送層１１５の膜厚も同様である。

このように領域１４２ｂの導電性の高い層の膜厚を薄くすることで、発光素子間（この場合、第１の発光素子２０１ａと第２の発光素子２０１ｂの間）の抵抗Ｒｒｇを大きくすることができる。これにより、発光素子の抵抗Ｒｏｌｅｄと比較したとき、発光素子間の抵抗Ｒｒｇが絶縁されていると見なせるほど大きくなるため、他の発光素子への電流漏れを抑制することが可能となる。

また基板１０１と第１の下部電極１０２ａの間にはカラーフィルタ１６２ａを設ける。同様に、基板１０１と第２の下部電極１０２ｂの間にはカラーフィルタ１６２ｂを設け、基板１０１と第３の下部電極１０２ｃの間にはカラーフィルタ１６２ｃを設ける。また、各カラーフィルタの間には遮光層１６１が設けられていることが好ましい。カラーフィルタ１６２ａ、１６２ｂ、１６２ｃはそれぞれ色を異ならせることができ、例えばカラーフィルタ１６２ａ、１６２ｂ、１６２ｃがそれぞれＲ、Ｇ、Ｂに対応する構成とすることができる（Ｒ、Ｇ、Ｂに限らず、波長の違いでもよい）。

＜タンデム構造のトップエミッション型発光素子、中間層＋正孔注入層の斜め蒸着＞
図６（Ｂ）ではボトムエミッション型の発光素子について説明したが、図６（Ｃ）のようにトップエミッション型の発光素子に本発明の一態様を適用してもよい。トップエミッション型の発光素子を用いる場合、第１の下部電極１０２ａ、第２の下部電極１０２ｂ、第３の下部電極１０２ｃ上に、厚さの異なる透明導電層１１２ａ、１１２ｂを設けることが好ましい。例えば図６（Ｃ）では、発光装置２１４における第１の発光素子２０１ａ、第２の発光素子２０１ｂ、第３の発光素子２０１ｃそれぞれにおいて、第１の発光素子２０１ａが最も長波長の光を取り出したい素子、第２の発光素子２０１ｂが第１の発光素子２０１ａと第３の発光素子２０１ｃの間の波長の光を取り出したい素子、第３の発光素子２０１ｃが最も短波長の光を取り出したい素子とする。この場合、第１の発光素子２０１ａの第１の下部電極１０２ａ上に、透明導電層１１２ａを設け、第２の発光素子２０１ｂの第２の下部電極１０２ｂ上に、透明導電層１１２ａよりも薄い透明導電層１１２ｂを設けるとよい。第３の発光素子２０１ｃの第３の下部電極１０２ｃ上には、透明導電層１１２ｂよりも薄い透明導電層を設けてもよいし、図６（Ｃ）のように透明導電層を設けなくてもよい。

また図示しないが、各発光素子と重畳する対向ガラス基板上にカラーフィルタを設ける。

なお、図６（Ｃ）に示すトップエミッション型の発光素子は、上述した透明導電層１１２ａ、１１２ｂを設けること以外については図６（Ｂ）に示すボトムエミッション型の発光素子と同様の構成を有している。

異なる色を取り出したい素子毎に厚さの異なる透明導電層を設けることで、各発光素子の厚みを取り出したい所望の色の波長と共鳴する厚みに適宜設計することができる。

また、図６（Ｂ）、（Ｃ）では中間層１４２および層１４０（正孔注入層１１４および正孔輸送層１１５）がともに、領域により厚さが異なる構成であるが、これに限らない。中間層１４２のみが領域により厚さが異なる構成であってもよいし、層１４０（正孔注入層１１４および正孔輸送層１１５）のみが領域により厚さが異なる構成であってもよい。

また、本発明の一態様に係るタンデム構造の発光素子を有する発光装置は、複数の第１の発光素子２０１ａが直線状に配置され、複数の第２の発光素子２０１ｂが直線状に配置され、複数の第３の発光素子２０１ｃが直線状に配置され、複数の第１の発光素子２０１ａそれぞれと複数の第２の発光素子２０１ｂそれぞれとの間に隔壁１０３が配置され、複数の第２の発光素子２０１ｂそれぞれと複数の第３の発光素子２０１ｃそれぞれとの間に隔壁１０３が配置された発光装置としてもよい。

以下に、発光素子の各構成要素について説明する。

＜基板に用いることができる材料＞
基板１０１としては、基板側から光を取り出す場合は透明基板あるいは半透明基板を用いることができ、基板と反対側から発光素子の光を取り出す場合には、不透明基板を用いることができる。基板材料としては、ガラス、プラスチック、セラミックス、半導体材料、表面に絶縁処理を施した金属材料、等から適宜選択して用いることができ、可撓性の材料を用いることもできる。

＜隔壁に用いることができる材料＞
隔壁１０３の材料は、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂等を用いることができ、作製方法は、スクリーン印刷法、スリットコート法等を用いることができる。また、酸化珪素（ＳｉＯｘ）等の無機絶縁材料を用いることができる。

＜陽極に用いることができる材料＞
陽極である電極１０２は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上が好ましい）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。

この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン等）、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。

但し、電極１０２と接して後述する複合材料を設ける場合には、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を電極１０２に用いることができる。具体的には、仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。

＜陰極に用いることができる材料＞
陰極である上部電極１１０は、仕事関数の小さい（具体的には４．０ｅＶ未満）材料が好ましいが、上部電極１１０に接して複合材料を発光層との間に設ける場合、上部電極１１０は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることができる。

なお、上部電極１１０および電極１０２のうち、少なくとも光を取り出す側の一方は、可視光を透過する導電膜を用いて形成する。可視光を透過する導電膜としては、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などを挙げることができる。また、光を透過する程度（好ましくは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度）の金属薄膜を用いることもできる。

＜ＥＬ層に用いることができる材料＞
上述したＥＬ層を構成する各層に用いることができる材料について、以下に具体例を示す。

＜正孔注入層＞
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。

なお、正孔注入層として複合材料を用いてもよい。複合材料を用いると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を電極１０２に用いることができるのは前述の通りである。

複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む材料である。なお、複合材料からなる正孔注入層としては、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。

なお、複合材料は、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、０．１以上４．０以下の比率でアクセプター性物質を添加することが好ましい。

複合材料に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物、特に元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物が好ましい。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。

また、複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマーを含む）など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層は、単層に限られず正孔輸送性の高い物質を含む層を２層以上積層したものでもよい。電子よりも正孔の輸送性の高い物質であればよく、特に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

＜発光層＞
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を２層以上積層したものでもよい。発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることができる。発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好ましい。

発光物質は、ホスト材料に分散させて用いるのが好ましい。ホスト材料としては、その励起エネルギーが、発光物質の励起エネルギーよりも大きなものが好ましい。

＜電子輸送層＞
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層は、単層に限られず電子輸送性の高い物質を含む層を２層以上積層したものでもよい。正孔よりも電子の輸送性の高い物質であればよく、特に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

＜電子注入層＞
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層は、単層に限られず電子注入性の高い物質を含む層を２層以上積層したものでもよい。電子注入層を設ける構成とすることで上部電極１１０からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

電子注入性の高い物質としては、例えばリチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの化合物が挙げられる。また電子輸送性を有する物質中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属、マグネシウム（Ｍｇ）又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることもできる。

＜中間層に用いることができる材料＞
上述した中間層を構成する各層に用いることができる材料について、以下に具体例を示す。

＜電荷発生層に用いることができる材料＞
電荷発生層は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む層であり、前述した複合材料を用いることができる。

＜電子リレー層に用いることができる材料＞
電子リレー層１２２は、電荷発生層においてアクセプター性物質がひき抜いた電子を速やかに受け取ることができる層である。従って、電子リレー層１２２は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、またそのＬＵＭＯ準位は、電荷発生層におけるアクセプター性物質のアクセプター準位と、発光層のＬＵＭＯ準位との間に位置する。具体的には、およそ−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするのが好ましい。

電子リレー層１２２に用いる物質としては、例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物が挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定な化合物であるため電子リレー層１２２に用いる物質として好ましい。さらに、含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフッ素などの電子吸引基を有する化合物を用いることにより、電子リレー層１２２における電子の受け取りがさらに容易になるため、好ましい。

＜電子注入バッファ層に用いることができる材料＞
電子注入バッファ層１２１は、電荷発生層から発光層への電子の注入を容易にする層である。電子注入バッファ層１２１を電荷発生層と発光層の間に設けることにより、両者の注入障壁を緩和することができる。

電子注入バッファ層１２１には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファ層１２１が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明したＥＬ層の一部に形成することができる電子輸送層の材料と同様の材料を用いて形成することができる。

例えば図５（Ｂ）の発光装置２１１が有する第１の発光素子２０１ａにおいて、第１の下部電極１０２ａと上部電極１１０の間に、第１の発光素子２０１ａのしきい値電圧より高い電圧を印加すると、発光層に第１の下部電極１０２ａの側から正孔注入層１０４および正孔輸送層１０５を介して正孔が注入され、上部電極１１０の側から電子注入層１０８および電子輸送層１０７を介して電子が注入される。注入された正孔と電子は発光層において再結合し、第１の発光素子２０１ａの発光層１０６ａに含まれる発光性の有機化合物が発光する。

なお、正孔輸送層１０５を設けず、正孔注入層１０４が正孔輸送層１０５を兼ねる構成としてもよい。また電子輸送層１０７を設けず、電子注入層１０８が電子輸送層１０７を兼ねる構成としてもよい。

また、図６（Ｂ）、（Ｃ）の発光装置２１３、２１４のようにタンデム構造の発光装置の場合は、第１の発光素子２０１ａは第１のＥＬ層１５２と第２のＥＬ層１５３の間に中間層１４２を有する。

なお、陽極と陰極の間に設けるＥＬ層の数は２つに限定されない。例えば陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層を設ける場合には、ｍ（ｍは自然数、１以上（ｎ−１）以下）番目のＥＬ層と（ｍ＋１）番目のＥＬ層の間にそれぞれ中間層を設ける構成とする。

次に、画素がストライプ構造である基板１０１に導電性の高い層を成膜する方法について図７を参照しつつ説明する。

複数の第１の色の画素が直線状に配置され、複数の第２の色の画素が直線状に配置され、複数の第３の色の画素が直線状に配置されるストライプ構造の図７（Ｂ）のような基板１０１を用意する。

次いで、図７（Ａ）に示すように、蒸着源３０１を垂直に立てた状態で、基板１０１と蒸着源３０１との間にスリットを有するマスク３０２ｂを配置し、このマスク３０２ｂと基板１０１との間にマスク３０３を配置することで成膜する。なお、蒸着源３０１は、図７（Ｃ）に示すように複数のポイントソース３１１を直線状に配置したものでもよい。

つまり、図７（Ａ）に示すように、蒸着源３０１と基板１０１との間にスリットを有するマスク３０２ｂを配置し、蒸着源３０１から発生させた蒸着物をマスク３０２ｂで遮蔽することによりスリットを通り抜ける蒸着物を基板１０１の表面に対して斜め方向（矢印３０５）に飛ばしている。そして、スリット上を基板１０１が水平方向（矢印３０４）に移動することで、ある特定角度で飛んでいる蒸着物のみを基板に付着させることが可能となる。これにより、成膜された導電性の高い層の隔壁の一方の斜面での厚さを薄くすることができる。

７１ ＥＬ層
７２ 隔壁
７４ 斜面
８１ 上部電極
８２〜８４ 下部電極
８５ ＥＬ層
８６ 中間層
８７ ＥＬ層
８８ 対向ガラス基板
８９ キャリア輸送層
９０ 正孔注入・輸送層
９１ 発光層
９２ 電子輸送層・注入層
９３、９４ 矢印
１０１ 基板
１０２ 電極（下部電極）
１０２ａ 第１の下部電極
１０２ｂ 第２の下部電極
１０２ｃ 第３の下部電極
１０３ 隔壁
１０４ 正孔注入層
１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ 領域
１０５ 正孔輸送層
１０６、１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ 発光層
１０７ 電子輸送層
１０８ 電子注入層
１０９ 層
１１０ 上部電極
１１２ａ、１１２ｂ 透明導電層
１１４ 正孔注入層
１１５ 正孔輸送層
１１６ 第１の発光層
１１７ 電子輸送層
１２１ 電子注入バッファ層
１２２ 電子リレー層
１２３ 電荷発生層
１３５ 正孔輸送層
１３６ 第２の発光層
１３７ 電子輸送層
１３８ 電子注入層
１４０〜１４１ 層
１４２ 中間層
１４２ａ、１４２ｂ、１４２ｃ 領域
１５１〜１５３ ＥＬ層
１６１ 遮光層
１６２ａ、１６２ｂ、１６２ｃ カラーフィルタ
２０１、２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃ 発光素子
２１１〜２１４ 発光装置
３０１ 蒸着源
３０２ａ、３０２ｂ、３０３ マスク
３０４、３０５、３０５ａ、３０５ｂ 矢印
３１１ ポイントソース
４０１〜４０３ トランジスタ

Claims (20)

1. 第１の下部電極、第２の下部電極及び第３の下部電極と、
   前記第１の下部電極と前記第２の下部電極との間に形成された第１の隔壁と、
   前記第２の下部電極と前記第３の下部電極との間に形成された第２の隔壁と、
   前記第１の下部電極、前記第１の隔壁、前記第２の下部電極、前記第２の隔壁及び前記第３の下部電極より上層に形成された上部電極と、
   前記第１の下部電極、前記第１の隔壁、前記第２の下部電極、前記第２の隔壁及び前記第３の下部電極と前記上部電極の間に形成された導電性の高い層及び発光層と、
   を具備し、
   前記導電性の高い層は、前記発光層より導電性が高く、且つ前記第１の下部電極、前記第２の下部電極、前記第３の下部電極及び前記上部電極それぞれより導電性が低く、
   前記第１の隔壁は、前記第１の下部電極側に位置する第１の斜面及び前記第２の下部電極側に位置する第２の斜面を有し、
   前記第２の隔壁は、前記第２の下部電極側に位置する第３の斜面及び前記第３の下部電極側に位置する第４の斜面を有し、
   前記第１の下部電極、前記第１の隔壁及び前記第２の下部電極と前記上部電極に挟まれた前記導電性の高い層及び発光層の総膜厚について、前記第１の斜面に垂直な方向の総膜厚は、前記第２の斜面に垂直な方向の総膜厚と異なり、
   前記第２の下部電極、前記第２の隔壁及び前記第３の下部電極と前記上部電極に挟まれた前記導電性の高い層及び発光層の総膜厚について、前記第３の斜面に垂直な方向の総膜厚は、前記第４の斜面に垂直な方向の総膜厚と異なり、
   前記第１の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第２の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さよりも厚く、
   前記第３の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第３の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第４の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第４の斜面に垂直な方向についての厚さよりも厚く、
   前記第２の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第３の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第３の斜面に垂直な方向についての厚さよりも薄いことを特徴とする発光装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の斜面又は前記第２の斜面の総膜厚のうち、総膜厚の薄い斜面の総膜厚は前記第１の下部電極、前記第２の下部電極に垂直な方向の総膜厚よりも薄く、総膜厚の厚い斜面の総膜厚は前記第１の下部電極、前記第２の下部電極に垂直な方向の総膜厚より厚いことを特徴とする発光装置。
3. 第１の下部電極と、導電性の高い層と、発光層と、上部電極と、を有する第１の発光素子、及び第２の下部電極と、前記導電性の高い層と、発光層と、前記上部電極と、を有する第２の発光素子と、及び第３の下部電極と、前記導電性の高い層と、発光層と、前記上部電極と、を有する第３の発光素子を備えた発光装置において、
   前記第１の下部電極と前記第２の下部電極との間に形成された第１の隔壁と、
   前記第２の下部電極と前記第３の下部電極との間に形成された第２の隔壁と、
   前記第１の下部電極、前記第１の隔壁、前記第２の下部電極、前記第２の隔壁及び前記第３の下部電極それぞれの上に形成された前記導電性の高い層と、
   前記第１の下部電極上に位置し且つ前記導電性の高い層より上層に形成された前記第１の発光素子の前記発光層と、
   前記第２の下部電極上に位置し且つ前記導電性の高い層より上層に形成された前記第２の発光素子の前記発光層と、
   前記第３の下部電極上に位置し且つ前記導電性の高い層より上層に形成された前記第３の発光素子の前記発光層と、
   前記第１の発光素子の発光層、前記導電性の高い層、前記第２の発光素子の発光層及び前記第３の発光素子の発光層より上層に形成された前記上部電極と、
   を具備し、
   前記導電性の高い層は、前記第１の発光素子の発光層、前記第２の発光素子の発光層及び前記第３の発光素子の発光層それぞれより導電性が高く、且つ前記第１の下部電極、前記第２の下部電極、前記第３の下部電極及び前記上部電極それぞれより導電性が低く、
   前記第１の隔壁は、前記第１の下部電極側に位置する第１の斜面及び前記第２の下部電極側に位置する第２の斜面を有し、
   前記第２の隔壁は、前記第２の下部電極側に位置する第３の斜面及び前記第３の下部電極側に位置する第４の斜面を有し、
   前記第１の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第２の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さよりも厚く、
   前記第３の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第３の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第４の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第４の斜面に垂直な方向についての厚さよりも厚く、
   前記第２の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第３の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第３の斜面に垂直な方向についての厚さよりも薄いことを特徴とする発光装置。
4. 第１の下部電極、第２の下部電極及び第３の下部電極と、
   前記第１の下部電極と前記第２の下部電極との間に形成された第１の隔壁と、
   前記第２の下部電極と前記第３の下部電極との間に形成された第２の隔壁と、
   前記第１の下部電極、前記第１の隔壁、前記第２の下部電極、前記第２の隔壁及び前記第３の下部電極のそれぞれより上層に形成された第１の発光層と、
   前記第１の発光層より上層に形成された導電性の高い層と、
   前記導電層の高い層より上層に形成された第２の発光層と、
   前記第２の発光層より上層に形成された上部電極と、
   を具備し、
   前記導電性の高い層は、前記第１の発光層及び前記第２の発光層それぞれより導電性が高く、且つ前記第１の下部電極、前記第２の下部電極、前記第３の下部電極及び前記上部電極それぞれより導電性が低く、
   前記第１の隔壁は、前記第１の下部電極側に位置する第１の斜面及び前記第２の下部電極側に位置する第２の斜面を有し、
   前記第２の隔壁は、前記第２の下部電極側に位置する第３の斜面及び前記第３の下部電極側に位置する第４の斜面を有し、
   前記第１の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第２の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さよりも厚く、
   前記第３の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第３の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第４の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第４の斜面に垂直な方向についての厚さよりも厚く、
   前記第２の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第３の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第３の斜面に垂直な方向についての厚さよりも薄いことを特徴とする発光装置。
5. 第１の下部電極、第２の下部電極及び第３の下部電極と、
   前記第１の下部電極と前記第２の下部電極との間に形成された第１の隔壁と、
   前記第２の下部電極と前記第３の下部電極との間に形成された第２の隔壁と、
   前記第１の下部電極、前記第１の隔壁、前記第２の下部電極、前記第２の隔壁及び前記第３の下部電極それぞれの上に形成された第１の導電性の高い層と、
   前記第１の導電性の高い層より上層に形成された第１の発光層と、
   前記第１の発光層より上層に形成された第２の導電性の高い層と、
   前記第２の導電性の高い層より上層に形成された第２の発光層と、
   前記第２の発光層より上層に形成された上部電極と、
   を具備し、
   前記第１の導電性の高い層および前記第２の導電性の高い層は、前記第１の発光層及び前記第２の発光層それぞれより導電性が高く、且つ前記第１の下部電極、前記第２の下部電極、前記第３の下部電極及び前記上部電極それぞれより導電性が低く、
   前記第１の隔壁は、前記第１の下部電極側に位置する第１の斜面及び前記第２の下部電極側に位置する第２の斜面を有し、
   前記第２の隔壁は、前記第２の下部電極側に位置する第３の斜面及び前記第３の下部電極側に位置する第４の斜面を有し、
   前記第１の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第２の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さよりも厚く、
   前記第３の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第３の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第４の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第４の斜面に垂直な方向についての厚さよりも厚く、
   前記第２の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第３の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第３の斜面に垂直な方向についての厚さよりも薄いことを特徴とする発光装置。
6. 請求項５において、
   前記第１の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第２の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さよりも厚く、
   前記第３の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第３の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第４の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第４の斜面に垂直な方向についての厚さよりも厚く、
   前記第２の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第３の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第３の斜面に垂直な方向についての厚さよりも薄いことを特徴とする発光装置。
7. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記第２の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さの１／２以下であることを特徴とする発光装置。
8. 請求項１乃至４および７のいずれか一項において、
   前記第２の斜面上に位置する前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記導電性の高い層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さの１／２以下であることを特徴とする発光装置。
9. 請求項５または６において、
   前記第２の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さの１／２以下であることを特徴とする発光装置。
10. 請求項５、６および９のいずれか一項において、
    前記第２の斜面上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記第１の導電性の高い層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さの１／２以下であることを特徴とする発光装置。
11. 請求項５、６、９および１０のいずれか一項において、
    前記第２の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さの１／２以下であることを特徴とする発光装置。
12. 請求項５、６、９、１０および１１のいずれか一項において、
    前記第２の斜面上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記第２の導電性の高い層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さの１／２以下であることを特徴とする発光装置。
13. 請求項３において、
    前記第１の発光素子の発光層によって発する光の色は、前記第２の発光素子の発光層によって発する光の色と異なり、前記第２の発光素子の発光層によって発する光の色は、前記第３の発光素子の発光層によって発する光の色と異なることを特徴とする発光装置。
14. 請求項１３において、
    第１の色を呈する光を発する複数の前記第１の発光素子が直線状に配置され、第２の色を呈する光を発する複数の前記第２の発光素子が直線状に配置され、第３の色を呈する光を発する複数の前記第３の発光素子が直線状に配置された発光装置であって、
    前記複数の第１の発光素子それぞれは、前記第１の発光素子の発光層を有し、
    前記複数の第２の発光素子それぞれは、前記第２の発光素子の発光層を有し、
    前記複数の第３の発光素子それぞれは、前記第３の発光素子の発光層を有し、
    前記複数の第１の発光素子それぞれと前記複数の第２の発光素子それぞれとの間には前記第１の隔壁が配置され、前記複数の第２の発光素子それぞれと前記複数の第３の発光素子それぞれとの間には前記第２の隔壁が配置されていることを特徴とする発光装置。
15. 請求項４乃至６および９乃至１２のいずれか一項において、
    前記上部電極上に形成されたカラーフィルタを有し、
    前記カラーフィルタは、前記第１の下部電極と重なる第１の色と、前記第２の下部電極と重なる第２の色と、前記第３の下部電極と重なる第３の色を有し、
    前記第１の色は前記第２の色と異なり、前記第２の色は前記第３の色と異なることを特徴とする発光装置。
16. 請求項１５において、
    第１の色を呈する光を発する複数の第１の発光素子が直線状に配置され、第２の色を呈する光を発する複数の第２の発光素子が直線状に配置され、第３の色を呈する光を発する複数の第３の発光素子が直線状に配置された発光装置であって、
    前記複数の第１の発光素子それぞれは、前記第１の下部電極と前記上部電極との間に位置する前記第１の発光層及び前記第２の発光層を有し、
    前記複数の第２の発光素子それぞれは、前記第２の下部電極と前記上部電極との間に位置する前記第１の発光層及び前記第２の発光層を有し、
    前記複数の第３の発光素子それぞれは、前記第３の下部電極と前記上部電極との間に位置する前記第１の発光層及び前記第２の発光層を有し、
    前記複数の第１の発光素子それぞれと前記複数の第２の発光素子それぞれとの間には前記第１の隔壁が配置され、前記複数の第２の発光素子それぞれと前記複数の第３の発光素子それぞれとの間には前記第２の隔壁が配置されていることを特徴とする発光装置。
17. 基板上に第１の下部電極及び第２の下部電極を形成し、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極との間に隔壁を形成した基板を用意し、
    蒸着源から発生させた蒸着物を前記基板の表面に対して斜め方向に飛ばすことにより、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極それぞれの上に導電性の高い層を形成する発光装置の製造方法であり、
    前記導電性の高い層は、前記第１の下部電極及び前記第２の下部電極それぞれより導電性が低く、
    前記隔壁は、前記第１の下部電極側に位置する第１の斜面及び前記第２の下部電極側に位置する第２の斜面を有し、
    前記第１の斜面上に形成された前記導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第２の斜面上に形成された前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さと異なることを特徴とする発光装置の製造方法。
18. 基板上に複数の第１の下部電極及び複数の第２の下部電極それぞれを直線状に配置し、前記複数の第１の下部電極それぞれと前記複数の第２の下部電極それぞれとの間に隔壁を形成した基板を用意し、
    蒸着源から発生させた蒸着物を前記基板の表面に対して斜め方向に飛ばすことにより、前記複数の第１の下部電極、前記隔壁及び前記複数の第２の下部電極それぞれの上に導電性の高い層を形成する発光装置の製造方法であり、
    前記斜め方向は、前記直線と交差する方向であり、
    前記導電性の高い層は、前記複数の第１の下部電極及び前記複数の第２の下部電極それぞれより導電性が低く、
    前記隔壁は、前記複数の第１の下部電極それぞれの側に位置する第１の斜面及び前記複数の第２の下部電極それぞれの側に位置する第２の斜面を有し、
    前記第１の斜面上に形成された前記導電性の高い層の前記第１の斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第２の斜面上に形成された前記導電性の高い層の前記第２の斜面に垂直な方向についての厚さと異なることを特徴とする発光装置の製造方法。
19. 請求項１７または１８において、
    前記蒸着物を前記基板の表面に対して斜め方向に飛ばすことは、前記蒸着源と前記基板との間にスリットを有するマスクを配置し、前記蒸着源から発生させた蒸着物を前記マスクで遮蔽することにより前記スリットを通り抜ける蒸着物を前記基板の表面に対して斜め方向に飛ばすことである発光装置の製造方法。
20. 請求項１７乃至１９のいずれか一項において、
    前記導電性の高い層を形成した後に、前記導電性の高い層上に、前記第１の下部電極及び前記第２の下部電極それぞれの上に位置する発光層を形成し、
    前記発光層上に上部電極を形成する発光装置の製造方法であり、
    前記導電性の高い層は、前記発光層より導電性が高く、且つ前記上部電極より導電性が低いことを特徴とする発光装置の製造方法。

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