JP6174452B2

JP6174452B2 - Device storage package and mounting structure including the same

Info

Publication number: JP6174452B2
Application number: JP2013221958A
Authority: JP
Inventors: 横井　清孝; 清孝横井; 剛生内田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2013-10-25
Filing date: 2013-10-25
Publication date: 2017-08-02
Anticipated expiration: 2033-10-25
Also published as: JP2015084354A

Description

本発明は、素子収納用パッケージおよびこれを備えた実装構造体に関する。 The present invention relates to an element storage package and a mounting structure including the same.

素子収納用パッケージとしては、基板と、素子を実装する実装領域を有する電極板と、電極板を取り囲んで基板上に配置された、貫通部を有する枠体と、貫通部に挿通されて枠体の内側および外側に延在した、枠体の内側に位置して電極板側に屈曲した屈曲部を有するリード端子とを備えている（例えば、特許文献１参照）。このリード端子は、導電性接合部材を介して電極板に接合されている。 The element storage package includes a substrate, an electrode plate having a mounting region for mounting the element, a frame having a penetrating portion disposed on the substrate surrounding the electrode plate, and a frame inserted through the penetrating portion. And a lead terminal having a bent portion that is located on the inner side of the frame body and is bent toward the electrode plate side (see, for example, Patent Document 1). This lead terminal is joined to the electrode plate via a conductive joining member.

国際公開第２００８／１４６５３１号International Publication No. 2008/146531

このような素子収納用パッケージでは、素子が駆動すると熱が発生し、この熱が電極板およびリード端子に伝達し、この熱による温度変化によって電極板およびリード端子が熱膨張および熱収縮する。ここで、電極板の熱膨張係数およびリード端子の熱膨張係数が異なるため、電極板およびリード端子を接合する導電性接合部材に応力が加わる。 In such an element storage package, heat is generated when the element is driven, and this heat is transmitted to the electrode plate and the lead terminal, and the electrode plate and the lead terminal are thermally expanded and contracted due to a temperature change caused by the heat. Here, since the thermal expansion coefficient of the electrode plate and the thermal expansion coefficient of the lead terminal are different, stress is applied to the conductive bonding member that joins the electrode plate and the lead terminal.

そのため、電極板およびリード端子の接合強度を向上させることで、電極板およびリード端子の接続信頼性を向上させることが望ましい。 Therefore, it is desirable to improve the connection reliability between the electrode plate and the lead terminal by improving the bonding strength between the electrode plate and the lead terminal.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、電極板およびリード端子の接続信頼性を向上させた素子収納用パッケージを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an element storage package having improved connection reliability between an electrode plate and a lead terminal.

本発明の実施形態に係る素子収納用パッケージは、基板と、前記基板上に互いに距離を空けて配置された、一方に素子を実装する実装領域を有する一対の電極板と、前記一対の電極板を取り囲んで前記基板上に配置された、貫通部を有する枠体と、前記貫通部に挿通されて前記枠体の内側および外側に延在した、前記枠体の内側に位置して前記電極板側に屈曲した屈曲部を有するリード端子と、前記枠体の外面と前記リード端子との間に位置す
る保持部材とを備え、前記電極板は貫通孔を有しており、前記リード端子の前記屈曲部は、導電性接合部材を介して前記貫通孔の内面に接合されており、前記リード端子は、前記保持部材を介して前記枠体の外面に接合されているとともに、前記貫通部の内面と接触せずに離れて位置している。 An element storage package according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a pair of electrode plates disposed on the substrate at a distance from each other and having a mounting region for mounting an element on one side, and the pair of electrode plates A frame body having a penetrating portion disposed on the substrate so as to surround the electrode plate, and the electrode plate inserted inside the frame body and extending inside and outside the frame body and positioned inside the frame body A lead terminal having a bent portion bent sideward, and located between the outer surface of the frame and the lead terminal.
The electrode plate has a through hole, the bent portion of the lead terminal is joined to the inner surface of the through hole via a conductive joining member, and the lead terminal In addition to being joined to the outer surface of the frame body via the holding member, the holding member is located away from the inner surface of the penetrating portion .

本発明の素子収納用パッケージは、電極板およびリード端子の接続信頼性を向上させることができる。 The element storage package of the present invention can improve the connection reliability of the electrode plate and the lead terminal.

本発明の実施形態に係る素子収納用パッケージおよび実装構造体であって、蓋体を外した状態の分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the element storage package and the mounting structure according to the embodiment of the present invention, with the lid removed. 図１の素子収納用パッケージを示す図であって、蓋体を外した状態の斜視図である。It is a figure which shows the element storage package of FIG. 1, Comprising: It is a perspective view of the state which removed the cover body. 図１の素子収納用パッケージを示す図であって、蓋体を外した状態の平面図である。It is a figure which shows the element storage package of FIG. 1, Comprising: It is a top view of the state which removed the cover body. 図３のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the II line | wire of FIG. 電極板の貫通孔部分を示した拡大平面図である。It is the enlarged plan view which showed the through-hole part of the electrode plate. 電極板の貫通孔およびリード端子を示した拡大平面図である。It is the enlarged plan view which showed the through-hole and lead terminal of the electrode plate. 図６のII−II線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the II-II line of FIG. 本発明の他の実施形態に係る素子収納用パッケージの要部を示した平面図である。It is the top view which showed the principal part of the element storage package which concerns on other embodiment of this invention. 図８の電極板の貫通孔部分を示した拡大平面図である。It is the enlarged plan view which showed the through-hole part of the electrode plate of FIG.

＜素子収納用パッケージおよび実装構造体＞
本発明の実施形態に係る素子収納用パッケージおよびこれを備えた実装構造体について、図１〜図７を参照しながら説明する。 <Element storage package and mounting structure>
An element storage package and a mounting structure including the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１に示すように、実装構造体１は、素子２と、素子収納用パッケージ３とを備えている。 As shown in FIG. 1, the mounting structure 1 includes an element 2 and an element storage package 3.

素子２としては、例えば、半導体素子、発光素子、トランジスタ、レーザーダイオード、ホトダイオードまたはサイリスタなどの能動素子、もしくは抵抗器、コンデンサ、光電変換素子、圧電素子、水晶振動子、光集積回路素子、光導波路素子、光スイッチング素子またはセラミック発振子などの受動素子が挙げられる。なお、本実施形態では、素子２に太陽電池を採用している。 As the element 2, for example, an active element such as a semiconductor element, a light emitting element, a transistor, a laser diode, a photodiode, or a thyristor, or a resistor, a capacitor, a photoelectric conversion element, a piezoelectric element, a crystal resonator, an optical integrated circuit element, an optical waveguide Examples thereof include passive elements such as elements, optical switching elements, and ceramic oscillators. In the present embodiment, a solar cell is adopted as the element 2.

図１に示すように、素子２は素子収納用パッケージ３に収納されている。また、素子２は電極板34に実装されている。より具体的には、素子２は、第１電極板341の実装領域Ｒ
に実装されている。 As shown in FIG. 1, the element 2 is accommodated in an element accommodation package 3. The element 2 is mounted on the electrode plate 34. More specifically, the element 2 includes a mounting region R of the first electrode plate 341.
Has been implemented.

素子２は第１電極板341に電気的に接続されている。また、素子２は、ボンディングワ
イヤＷを介して第２電極板342に電気的に接続されている。 The element 2 is electrically connected to the first electrode plate 341. The element 2 is electrically connected to the second electrode plate 342 through the bonding wire W.

素子収納用パッケージ３は、基板31と、枠体32と、絶縁基板33と、電極板34と、リード端子35と、蓋体36とを備えている。素子収納用パッケージ３は、高耐圧化、大電流化・大電力化に対応する素子２を実装して機能させることに適している。 The element storage package 3 includes a substrate 31, a frame 32, an insulating substrate 33, an electrode plate 34, a lead terminal 35, and a lid 36. The element storage package 3 is suitable for mounting and functioning the element 2 corresponding to high breakdown voltage, large current, and high power.

基板31は素子２を支持する機能を有する。本実施形態の基板31は、平面視して矩形状であるが、これに限定されない。また、基板31は、１枚の金属板または複数の金属板を積層させた積層体からなる。 The substrate 31 has a function of supporting the element 2. The substrate 31 of the present embodiment is rectangular in plan view, but is not limited to this. The substrate 31 is made of a laminate in which one metal plate or a plurality of metal plates are laminated.

基板31の材料としては、例えば銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルトなどの金属、これらの金属を含んだ合金、セラミックス、ガラスあるいは樹脂などが挙げられる。なお、基板31の材料に金属材料を採用すれば、基板31を介して素子２から発生した熱を放熱できるので、素子収納用パッケージ３の放熱性が向上する。また、基板31の熱伝導率は、例えば15Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜450Ｗ／（ｍ・Ｋ）の範囲に設定できる。基
板31の熱膨張係数は、例えば３×10^−６／Ｋ〜28×10^−６／Ｋの範囲に設定できる。 Examples of the material of the substrate 31 include metals such as copper, iron, tungsten, molybdenum, nickel, and cobalt, alloys containing these metals, ceramics, glass, and resins. If a metal material is used as the material of the substrate 31, heat generated from the element 2 can be radiated through the substrate 31, so that the heat dissipation of the element housing package 3 is improved. The thermal conductivity of the substrate 31 can be set in the range of, for example, 15 W / (m · K) to 450 W / (m · K). Thermal expansion coefficient of the substrate 31 can be set in a range of, for example, ^{3 × 10 -6 / K~28 × 10} -6 / K.

図１〜図３に示すように、枠体32は、素子２および一対の電極板34を取り囲むように配置されている。また、枠体32は基板31上に配置されており、枠体32の下面は基板31の上面に接合されている。また、枠体32は複数の貫通部32ａを有している。枠体32の貫通部32ａには、リード端子35が挿通されている。 As shown in FIGS. 1 to 3, the frame body 32 is disposed so as to surround the element 2 and the pair of electrode plates 34. The frame body 32 is disposed on the substrate 31, and the lower surface of the frame body 32 is bonded to the upper surface of the substrate 31. Further, the frame 32 has a plurality of through portions 32a. A lead terminal 35 is inserted through the through portion 32 a of the frame 32.

また、本実施形態では、基板31および枠体32は別体として形成されているが、基板31および枠体32を一体的に形成してもよい。 In the present embodiment, the substrate 31 and the frame body 32 are formed as separate bodies, but the substrate 31 and the frame body 32 may be formed integrally.

枠体32の材料としては、例えば銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルトなどの金属、これらの金属を含んだ合金、セラミックス、ガラスあるいは樹脂等が挙げられる。なお、本実施形態の枠体32では、金属または合金が採用されている。これによって、例えば、素子２で発生した熱を枠体32で放熱しやすくなるので、素子収納用パッケージ３の放熱性が向上する。 Examples of the material of the frame 32 include metals such as copper, iron, tungsten, molybdenum, nickel, and cobalt, alloys containing these metals, ceramics, glass, and resins. In the frame body 32 of the present embodiment, a metal or an alloy is employed. Accordingly, for example, heat generated in the element 2 can be easily dissipated by the frame body 32, so that the heat dissipation of the element housing package 3 is improved.

蓋体36は、枠体32の上面に配置されている。蓋体36は、枠体32の上面に半田またはろう材などを介して接合されている。なお、蓋体36は、枠体32の上面にシーム溶接で接合されていてもよい。また、蓋体36は、蓋体36の上面および下面を貫通する開口部36ａを有している。この開口部36ａに重なって透光性部材361が配置されている。 The lid body 36 is disposed on the upper surface of the frame body 32. The lid body 36 is joined to the upper surface of the frame body 32 via solder or brazing material. The lid 36 may be joined to the upper surface of the frame 32 by seam welding. The lid body 36 has an opening 36 a that penetrates the upper surface and the lower surface of the lid body 36. A translucent member 361 is disposed so as to overlap the opening 36a.

蓋体36は、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属、もしくはこれらの金属を含有する合金で形成できる。なお、蓋体36の熱伝導率は、例えば15Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜450Ｗ／（ｍ・Ｋ）の範囲に設定されている。蓋体36の熱膨張
係数は、例えば３×10^−６／Ｋ〜28×10^−６／Ｋの範囲に設定できる。 The lid body 36 can be formed of, for example, a metal such as copper, iron, tungsten, molybdenum, nickel, or cobalt, or an alloy containing these metals. The thermal conductivity of the lid body 36 is set in the range of, for example, 15 W / (m · K) to 450 W / (m · K). Thermal expansion coefficient of the cover body 36 can be set in a range of, for example, ^{3 × 10 -6 / K~28 × 10} -6 / K.

透光性部材361は、光を通過させる機能を有する。ここで、光とは、可視光線に限定さ
れず、例えば紫外線または赤外線などの電磁波も含まれる。透光性部材361は、蓋体36に
重なって配置されている。透光性部材361は蓋体36の下面に接合されている。より具体的
には、透光性部材361は接合部材および環状部材などを介して接合されている。 The translucent member 361 has a function of transmitting light. Here, light is not limited to visible light, and includes, for example, electromagnetic waves such as ultraviolet rays or infrared rays. The translucent member 361 is disposed so as to overlap the lid 36. The translucent member 361 is joined to the lower surface of the lid 36. More specifically, the translucent member 361 is joined via a joining member and an annular member.

透光性部材361は、例えば、ガラスまたは透光性樹脂などで形成できる。また、赤外線
などの電磁波を通過させる場合には、透光性部材361は、シリコンまたはゲルマニウムな
どからなる単結晶材料もしくは多結晶材料で形成できる。 The translucent member 361 can be formed of, for example, glass or translucent resin. In the case where an electromagnetic wave such as infrared light is allowed to pass, the translucent member 361 can be formed of a single crystal material or a polycrystalline material made of silicon, germanium, or the like.

本実施形態では、素子２として太陽電池に代表される光電変換素子を採用しているので、透光性部材361を介して外部から内部に入射した光を光電変換素子で受光することで、
光電変換素子で発生した電位差によって生じる電流を電極板34およびリード端子35を介して外部に出力できる。 In this embodiment, since a photoelectric conversion element typified by a solar cell is adopted as the element 2, by receiving light incident from the outside through the translucent member 361, the photoelectric conversion element receives,
A current generated by the potential difference generated in the photoelectric conversion element can be output to the outside through the electrode plate 34 and the lead terminal 35.

絶縁基板33は、基板31および電極板34を電気的に絶縁する機能を有している。絶縁基板33は基板31の上面に配置されている。この絶縁基板33の上面には一対の電極板34が配置されている。また、図３に示すように、本実施形態の絶縁基板33の外周は、一対の電極板34の外周の外側に位置している。すなわち、一対の電極板34は絶縁基板33の形成領域内に位置している。 The insulating substrate 33 has a function of electrically insulating the substrate 31 and the electrode plate 34. The insulating substrate 33 is disposed on the upper surface of the substrate 31. A pair of electrode plates 34 is disposed on the upper surface of the insulating substrate 33. Further, as shown in FIG. 3, the outer periphery of the insulating substrate 33 of the present embodiment is located outside the outer periphery of the pair of electrode plates 34. That is, the pair of electrode plates 34 is located in the region where the insulating substrate 33 is formed.

また、絶縁基板33の上面にメタライズ層331が位置している。なお、図５においては、
メタライズ層331の形成領域を斜線で示している。本実施形態のメタライズ層331は、第１電極板341および第２電極板342の形成領域内に位置している。このメタライズ層331によ
って、電極板34は半田またはろう材などを介して絶縁基板33に接合されやすくなる。なお、第１電極板341の形成領域に位置して接触するメタライズ層331、および第２電極板342
の形成領域に位置して接触するメタライズ層331は、互いに距離を空けて配置されており
、互いに接続されていない。 Further, the metallized layer 331 is located on the upper surface of the insulating substrate 33. In FIG. 5,
The formation region of the metallized layer 331 is indicated by oblique lines. The metallized layer 331 of this embodiment is located in the formation region of the first electrode plate 341 and the second electrode plate 342. The metallized layer 331 makes it easy for the electrode plate 34 to be bonded to the insulating substrate 33 via solder or brazing material. Note that the metallized layer 331 located in contact with the formation region of the first electrode plate 341 and the second electrode plate 342 are in contact with each other.
The metallized layers 331 located in contact with each other in the formation region are arranged at a distance from each other and are not connected to each other.

絶縁基板33は、絶縁性材料で形成され、例えば、アルミナ質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックス等のセラミック材料または樹脂などで形成できる。 The insulating substrate 33 is formed of an insulating material, and can be formed of, for example, a ceramic material such as alumina ceramics or aluminum nitride ceramics, or a resin.

なお、基板31を絶縁性材料で形成した場合は、絶縁基板33を配置しなくてもよい。 Note that when the substrate 31 is formed of an insulating material, the insulating substrate 33 may not be disposed.

電極板34は、絶縁基板33の上面に配置されている。すなわち、電極板34は、絶縁基板33を介して基板31上に配置されている。また、電極板34および絶縁基板33の間にはメタライズ層331が介在している。なお、図４においては、メタライズ層331を省略している。 The electrode plate 34 is disposed on the upper surface of the insulating substrate 33. That is, the electrode plate 34 is disposed on the substrate 31 with the insulating substrate 33 interposed therebetween. A metallized layer 331 is interposed between the electrode plate 34 and the insulating substrate 33. In FIG. 4, the metallized layer 331 is omitted.

電極板34は、素子２を実装する実装領域Ｒを有する第１電極板341、および素子２が実
装されない第２電極板342を有している。実装領域Ｒを有する第１電極板341および素子２が実装されない第２電極板342を含むことで、一対の電極板34となる。なお、一対の電極
板34は、実装領域Ｒを有する第１電極板341および素子２が実装されない第２電極板342を含んでいれば、他の電極板を含んでいてもよい。例えば、第１電極板341および第２電極
板342とは別に、素子２が実装されない第３電極板を含んでいてもよい。 The electrode plate 34 includes a first electrode plate 341 having a mounting region R on which the element 2 is mounted, and a second electrode plate 342 on which the element 2 is not mounted. By including the first electrode plate 341 having the mounting region R and the second electrode plate 342 on which the element 2 is not mounted, a pair of electrode plates 34 is obtained. The pair of electrode plates 34 may include other electrode plates as long as the first electrode plate 341 having the mounting region R and the second electrode plate 342 on which the element 2 is not mounted are included. For example, in addition to the first electrode plate 341 and the second electrode plate 342, a third electrode plate on which the element 2 is not mounted may be included.

図１〜図３に示すように、第１電極板341および第２電極板342は、互いに距離を空けて配置されており、互いに接触していない。なお、第１電極板341および第２電極板342の形状は特に限定されない。 As shown in FIGS. 1 to 3, the first electrode plate 341 and the second electrode plate 342 are arranged at a distance from each other and are not in contact with each other. The shapes of the first electrode plate 341 and the second electrode plate 342 are not particularly limited.

第１電極板341および第２電極板342は貫通孔34ａを有している。貫通孔34ａは、リード端子35の屈曲部351が配置される部分である。図５に示すように、本実施形態の貫通孔34
ａは矩形状であるが、これには限定されず、円形状、楕円形状または多角形状であってもよい。 The first electrode plate 341 and the second electrode plate 342 have a through hole 34a. The through hole 34a is a portion where the bent portion 351 of the lead terminal 35 is disposed. As shown in FIG. 5, the through hole 34 of the present embodiment.
Although a is rectangular, it is not limited to this, and may be circular, elliptical, or polygonal.

なお、本実施形態では、第１電極板341および第２電極板342の両方に貫通孔34ａが形成されているが、第１電極板341および第２電極板342の少なくとも一方に貫通孔34ａが形成されていればよい。 In this embodiment, the through hole 34a is formed in both the first electrode plate 341 and the second electrode plate 342, but the through hole 34a is formed in at least one of the first electrode plate 341 and the second electrode plate 342. It only has to be formed.

また、図５に示すように、本実施形態の貫通孔34ａ内にはメタライズ層331が位置して
いる。メタライズ層331が位置することで、導電性接合部材Ｂを介してリード端子35の屈
曲部351が絶縁基板33上で強固に接合されやすくなる。これによって、リード端子35の屈
曲部351が貫通孔34ａ内で強固に固定されるので、リード端子35および電極板34の接続信
頼性を向上させることができる。 Further, as shown in FIG. 5, a metallized layer 331 is located in the through hole 34a of the present embodiment. By positioning the metallized layer 331, the bent portion 351 of the lead terminal 35 is easily joined firmly on the insulating substrate 33 via the conductive joining member B. As a result, the bent portion 351 of the lead terminal 35 is firmly fixed in the through hole 34a, so that the connection reliability between the lead terminal 35 and the electrode plate 34 can be improved.

また、図５および図６に示すように、電極板34は、リード端子35と重なる外周において、枠体32側に突出する突出部34ｂを有している。より具体的には、第１電極板341はリー
ド端子35に重なる外周において、枠体32側に突出する突出部34ｂを有しているとともに、第２電極板342はリード端子35に重なる外周において、枠体32側に突出する突出部34ｂを
有している。突出部34ｂは貫通孔34ａの近傍に位置している。 As shown in FIGS. 5 and 6, the electrode plate 34 has a protruding portion 34 b that protrudes toward the frame 32 on the outer periphery overlapping the lead terminal 35. More specifically, the first electrode plate 341 has a projecting portion 34 b that protrudes toward the frame body 32 on the outer periphery overlapping the lead terminal 35, and the second electrode plate 342 is positioned on the outer periphery overlapping the lead terminal 35. And a projecting portion 34b projecting to the frame 32 side. The protrusion 34b is located in the vicinity of the through hole 34a.

電極板34は、導電性材料で形成され、例えば、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属もしくはこれらの金属を含有する合金で形成できる。 The electrode plate 34 is formed of a conductive material, and can be formed of, for example, a metal such as copper, iron, tungsten, molybdenum, nickel, or cobalt, or an alloy containing these metals.

リード端子35は、枠体32の外側および内側を電気的に接続する機能を有している。リード端子35は、枠体32の貫通部32ａに挿通されて、枠体32の外側および内側に延在している。すなわち、リード端子35の一部は枠体32の内側に位置し、リード端子35の他の一部は枠体32の外側に位置している。 The lead terminal 35 has a function of electrically connecting the outer side and the inner side of the frame 32. The lead terminal 35 is inserted through the through portion 32 a of the frame 32 and extends to the outside and the inside of the frame 32. That is, a part of the lead terminal 35 is located inside the frame 32 and the other part of the lead terminal 35 is located outside the frame 32.

また、枠体32の外側では、リード端子35が保持部材35ａを介して枠体32の外面に接合されている。保持部材35ａはリード端子35を保持する機能を有している。保持部材35ａは環状であり、保持部材35ａ内にリード端子35が挿通されている。リード端子35は突起部を有しており、この突起部がろう材などを介して保持部材35ａに接合されている。 On the outside of the frame 32, the lead terminals 35 are joined to the outer surface of the frame 32 via the holding members 35a. The holding member 35 a has a function of holding the lead terminal 35. The holding member 35a is annular, and the lead terminal 35 is inserted into the holding member 35a. The lead terminal 35 has a protrusion, and the protrusion is joined to the holding member 35a via a brazing material or the like.

また、保持部材35ａは、ろう材などを介して枠体32の外面に接合されている。また、保持部材35ａは枠体32の貫通部32ａの周囲に接合されている。 The holding member 35a is joined to the outer surface of the frame 32 through a brazing material or the like. The holding member 35a is joined to the periphery of the through portion 32a of the frame body 32.

枠体32の内側では、リード端子35が電極板34側に屈曲した屈曲部351を有している。す
なわち、屈曲部351は、枠体32の内側に位置し、第１電極板341または第２電極板342側に
屈曲している。屈曲部351は電極板34側に屈曲していれば、屈曲する角度は特に限定され
ない。 Inside the frame 32, the lead terminal 35 has a bent portion 351 bent toward the electrode plate 34 side. That is, the bent portion 351 is located inside the frame 32 and is bent toward the first electrode plate 341 or the second electrode plate 342. As long as the bent portion 351 is bent toward the electrode plate 34, the angle of bending is not particularly limited.

また、屈曲部351は電極板34の貫通孔34ａに位置しており、導電性接合部材Ｂを介して
貫通孔34ａ内で接合されている。リード端子35の屈曲部351が導電性接合部材Ｂを介して
電極板34の貫通孔34の内面に接合されることで、リード端子35および電極板34が電気的に接続される。 The bent portion 351 is located in the through hole 34a of the electrode plate 34, and is joined in the through hole 34a via the conductive joining member B. The bent portion 351 of the lead terminal 35 is joined to the inner surface of the through hole 34 of the electrode plate 34 via the conductive joining member B, whereby the lead terminal 35 and the electrode plate 34 are electrically connected.

図７に示すように、導電性接合部材Ｂは、貫通孔34ａの内面に接合しているとともに、貫通孔34ａ内に位置するメタライズ層331に接合している。また、本実施形態の導電性接
合部材Ｂは、貫通孔34ａ全周において貫通孔34ａの内面に接合している。また、導電性接合部材Ｂの一部は電極板34の上面に位置していてもよい。 As shown in FIG. 7, the conductive bonding member B is bonded to the inner surface of the through hole 34a and is bonded to the metallized layer 331 located in the through hole 34a. Further, the conductive bonding member B of the present embodiment is bonded to the inner surface of the through hole 34a on the entire circumference of the through hole 34a. A part of the conductive bonding member B may be located on the upper surface of the electrode plate 34.

導電性接合部材Ｂは、導電性を有する接合部材であって、例えば半田またはろう材である。 The conductive bonding member B is a conductive bonding member, for example, a solder or a brazing material.

また、図４および図７に示すように、枠体32の貫通部32ａ内では、リード端子35が貫通部32ａの内面と接触せずに離れて位置している。リード端子35が貫通部32ａの内面から離れていることで、リード端子35が枠体32と電気的に絶縁されるとともに、素子２が駆動する際に発生する熱によって枠体32が熱膨張しても、リード端子35および貫通孔32ａの内面の接触を低減できるので、リード端子35に応力が加わりにくくなり、屈曲部351にも応力
が加わることを低減でき、電極板34およびリード端子35の接続信頼性を向上させることができる。 As shown in FIGS. 4 and 7, the lead terminal 35 is located in the penetrating portion 32 a of the frame body 32 without contacting the inner surface of the penetrating portion 32 a. Since the lead terminal 35 is separated from the inner surface of the penetrating portion 32a, the lead terminal 35 is electrically insulated from the frame body 32, and the frame body 32 is thermally expanded by the heat generated when the element 2 is driven. However, since the contact between the lead terminal 35 and the inner surface of the through hole 32a can be reduced, it is difficult to apply stress to the lead terminal 35, and stress can be reduced to the bent portion 351. Connection reliability can be improved.

リード端子35の材料は、導電性材料で形成され、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金で形成できる。 The material of the lead terminal 35 is formed of a conductive material, and can be formed of, for example, a metal material such as copper, iron, tungsten, molybdenum, nickel, or cobalt, or an alloy containing these metal materials.

素子収納用パッケージ３では、リード端子35の屈曲部351が導電性接合部材Ｂを介して
貫通孔34ａの内面に接合されている。リード端子35が導電性接合部材Ｂを介して貫通孔34ａの内面に接合されていることで、導電性接合部材Ｂの接合面積が増加し、リード端子35および電極板34は強固に接合される。これによって、例えば、素子２が駆動する際に発生する熱によって、リード端子35および電極板34が熱膨張および熱収縮した場合でも、
リード端子35および電極板34が強固に固定されているので、リード端子35および電極板34の接続状態を維持され、電極板34およびリード端子35の接続信頼性を向上させることができる。加えて、リード端子35の屈曲部351が導電性接合部材Ｂを介して貫通孔34ａの内面
に接合されていることで、導電性接合部材Ｂによる接合面積が増加し、リード端子35および電極板の接合部の電気抵抗が低下し、接合部での電気的な損失および発熱を抑制することができる。さらに、貫通孔34ａは、強固にリード端子35および電極板34を接合するために必要な量の導電性接合部材Ｂを貫通孔34ａの内側に溜めることができるので、リード端子35および電極板34の接続信頼性を向上できる。 In the element storage package 3, the bent portion 351 of the lead terminal 35 is bonded to the inner surface of the through hole 34 a via the conductive bonding member B. Since the lead terminal 35 is joined to the inner surface of the through hole 34a via the conductive joining member B, the joining area of the conductive joining member B is increased, and the lead terminal 35 and the electrode plate 34 are firmly joined. . Thereby, for example, even when the lead terminal 35 and the electrode plate 34 are thermally expanded and contracted by heat generated when the element 2 is driven,
Since the lead terminal 35 and the electrode plate 34 are firmly fixed, the connection state of the lead terminal 35 and the electrode plate 34 is maintained, and the connection reliability of the electrode plate 34 and the lead terminal 35 can be improved. In addition, since the bent portion 351 of the lead terminal 35 is joined to the inner surface of the through hole 34a via the conductive joint member B, the joint area by the conductive joint member B increases, and the lead terminal 35 and the electrode plate The electrical resistance of the joint portion is reduced, and electrical loss and heat generation at the joint portion can be suppressed. Further, the through hole 34a can store the amount of the conductive bonding member B necessary for firmly joining the lead terminal 35 and the electrode plate 34 inside the through hole 34a. Connection reliability can be improved.

素子収納用パッケージ３では、電極板34は、リード端子35に重なる外周において、枠体32側に突出する突出部34ｂを有している。例えば、素子２が駆動する際に発生する熱によって、リード端子35および電極板34が熱膨張および熱収縮した場合、貫通孔34ａ近傍に応
力が集中しやすくなる。これに対して、電極板34が貫通孔34ａ近傍の外周に突出部34ｂを有することで、応力が集中しやすい貫通孔34ａ近傍での電極板34およびメタライズ層331
の接合強度を向上させることができる。加えて、電極板34が貫通孔34ａ近傍の外周に突出部34ｂを有することで、突出部34ｂによって貫通孔34ａ近傍に加わる応力を分散できるので、電極板34の貫通孔34ａ近傍に加わる応力を低減でき、リード端子35および電極板34の接続状態が維持され、電極板34およびリード端子35の接続信頼性を向上させることができる。 In the element storage package 3, the electrode plate 34 has a protruding portion 34 b that protrudes toward the frame 32 on the outer periphery overlapping the lead terminal 35. For example, when the lead terminal 35 and the electrode plate 34 are thermally expanded and contracted by heat generated when the element 2 is driven, stress is likely to concentrate in the vicinity of the through hole 34a. On the other hand, since the electrode plate 34 has the protrusion 34b on the outer periphery in the vicinity of the through hole 34a, the electrode plate 34 and the metallized layer 331 in the vicinity of the through hole 34a where stress is likely to concentrate.
It is possible to improve the bonding strength. In addition, since the electrode plate 34 has the protrusion 34b on the outer periphery in the vicinity of the through hole 34a, the stress applied to the vicinity of the through hole 34a by the protrusion 34b can be dispersed. The connection state between the lead terminal 35 and the electrode plate 34 can be maintained, and the connection reliability between the electrode plate 34 and the lead terminal 35 can be improved.

実装構造体１では、上記の素子収納用パッケージ３の内部に素子２を収納している。素子２は電極板34の実装領域Ｒに実装されている。実装構造体１では、電極板34およびリード端子35の接続信頼性を向上させることができるので、素子２および外部の接続信頼性を向上させることができる。 In the mounting structure 1, the element 2 is accommodated inside the element accommodation package 3. The element 2 is mounted on the mounting region R of the electrode plate 34. In the mounting structure 1, since the connection reliability between the electrode plate 34 and the lead terminal 35 can be improved, the connection reliability between the element 2 and the outside can be improved.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.

例えば、図８および図９に示した素子収納用パッケージ３では、絶縁基板33における突出部34ｂに沿った領域にメタライズ層331が形成されている。なお、図９においては、メ
タライズ層331の形成領域を斜線で示している。 For example, in the element storage package 3 shown in FIGS. 8 and 9, the metallized layer 331 is formed in a region along the protruding portion 34 b in the insulating substrate 33. In FIG. 9, the formation region of the metallized layer 331 is indicated by hatching.

例えば、素子２が駆動する際に発生する熱によって、リード端子35および電極板34が熱膨張および熱収縮した場合、貫通孔34ａ近傍に応力が集中しやすくなる。これに対して、絶縁基板33が電極板34の突出部34ｂに沿った領域にメタライズ層331を有することで、絶
縁基板33および電極板34の接合面積が増加するので、貫通孔34ｂ近傍で電極板34が絶縁基板33から剥がれることを低減できる。 For example, when the lead terminal 35 and the electrode plate 34 are thermally expanded and contracted by heat generated when the element 2 is driven, stress is likely to concentrate in the vicinity of the through hole 34a. On the other hand, since the insulating substrate 33 has the metallized layer 331 in the region along the projecting portion 34b of the electrode plate 34, the bonding area of the insulating substrate 33 and the electrode plate 34 increases. It is possible to reduce the peeling of the plate 34 from the insulating substrate 33.

＜素子収納用パッケージおよび実装構造体の製造方法＞
以下、図１および図２に示す素子収納用パッケージ３および実装構造体１の製造方法について説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。 <Element Storage Package and Mounting Structure Manufacturing Method>
Hereinafter, a method for manufacturing the element housing package 3 and the mounting structure 1 shown in FIGS. 1 and 2 will be described. In addition, this invention is not limited to the following embodiment.

まず、基板31、枠体32および蓋体36を作製する。溶融した金属材料を型枠に鋳込んで固化させたインゴットに対して、従来周知の圧延加工または打ち抜き加工、切削加工等の金属加工法を用いることで、所定形状に作製される。すなわち、基板31、複数の貫通部32ａを有する枠体32、および開口部36ａを有する蓋体36を作製することができる。 First, the substrate 31, the frame body 32, and the lid body 36 are produced. An ingot obtained by casting and solidifying a molten metal material into a mold is manufactured into a predetermined shape by using a conventionally known metal working method such as rolling, punching, or cutting. That is, the substrate 31, the frame 32 having the plurality of through portions 32a, and the lid 36 having the opening 36a can be manufactured.

次に、一対の電極板34（第１電極板341、第２電極板342）およびリード端子35を作製する。上述した基板31、枠体32および蓋体36の場合と同様に、溶融した金属材料を型枠に鋳込んで固化させたインゴットに対して、従来周知の圧延加工または打ち抜き加工、切削加工等の金属加工法を用いることで、貫通孔34ａを有する一対の電極板34および屈曲部351
を有するリード端子35を作製できる。 Next, a pair of electrode plates 34 (first electrode plate 341, second electrode plate 342) and lead terminal 35 are produced. As in the case of the substrate 31, the frame 32, and the lid 36 described above, a conventionally known rolling process, punching process, cutting process, etc. are performed on an ingot obtained by casting a molten metal material into a mold and solidifying it. By using a metal processing method, a pair of electrode plates 34 having a through hole 34a and a bent portion 351
Can be produced.

次に、絶縁基板33および保持部材35ａを作製する。まず、セラミックグリーンシートを準備する。次に、セラミックグリーンシートを所定形状に加工する。そして、複数のセラミックグリーンシートの所定位置に、例えばスクリーン印刷法を用いて、モリブデンやマンガンを含有した有機溶剤を塗布した金属ペーストからなるメタライズパターンを形成する。そして、セラミックグリーンシートおよびメタライズパターンを同時に焼成することで、メタライズ層331を有する絶縁基板33および枠体32とリード端子35が接合される金属
層を有する保持部材35ａが作製できる。 Next, the insulating substrate 33 and the holding member 35a are produced. First, a ceramic green sheet is prepared. Next, the ceramic green sheet is processed into a predetermined shape. And the metallized pattern which consists of a metal paste which apply | coated the organic solvent containing molybdenum or manganese is formed in the predetermined position of several ceramic green sheets using the screen printing method, for example. Then, by firing the ceramic green sheet and the metallized pattern at the same time, the insulating substrate 33 having the metallized layer 331 and the holding member 35a having the metal layer to which the frame 32 and the lead terminal 35 are bonded can be produced.

次に、蓋体36に対向する表面の外周部に金属層が形成された透光性部材361を蓋体36の
開口部36ａに重なるように配置して、透光性部材361を金属層および半田またはろう材な
どを介して接合する。 Next, the translucent member 361 having a metal layer formed on the outer peripheral portion of the surface facing the lid 36 is disposed so as to overlap the opening 36a of the lid 36, and the translucent member 361 is placed on the metal layer and Joining via solder or brazing material.

次に、基板上に絶縁基板33を配置し、絶縁基板33のメタライズ層331上にろう材などを
介して一対の電極板34を配置する。 Next, the insulating substrate 33 is disposed on the substrate, and the pair of electrode plates 34 is disposed on the metallized layer 331 of the insulating substrate 33 via a brazing material or the like.

次に、枠体32を基板31に接合する。そして、ろう材を介して保持部材35ａに接合されたリード端子35を枠体32の貫通部32ａに挿通するとともに、リード端子35の屈曲部351を電
極板34の貫通孔34ａに配置して、保持部材35ａを貫通部32ａの外側端部に接合するとともに導電性接合部材Ｂを介して屈曲部351および貫通孔34ａの内面を接合する。 Next, the frame body 32 is bonded to the substrate 31. Then, the lead terminal 35 joined to the holding member 35a through the brazing material is inserted into the through portion 32a of the frame 32, and the bent portion 351 of the lead terminal 35 is disposed in the through hole 34a of the electrode plate 34, The holding member 35a is joined to the outer end portion of the penetrating portion 32a, and the bent portion 351 and the inner surface of the through hole 34a are joined via the conductive joining member B.

次に、素子２の下面に設けられた電極を半田を介して第１電極板341の実装領域Ｒに電
気的に接続固定する。そして、素子２の上面に設けられた電極をボンディングワイヤＢなどを介して、第２電極板342に接続する。 Next, the electrodes provided on the lower surface of the element 2 are electrically connected and fixed to the mounting region R of the first electrode plate 341 via solder. Then, the electrode provided on the upper surface of the element 2 is connected to the second electrode plate 342 via the bonding wire B or the like.

最後に、枠体32の上面に蓋体33を接合することで、実装構造体１を作製することができる。 Finally, the mounting structure 1 can be manufactured by bonding the lid 33 to the upper surface of the frame 32.

１実装構造体
２素子
３素子収納用パッケージ
31 基板
32 枠体
32ａ貫通部
33 絶縁基板
331 メタライズ層
34 電極板
341 第１電極板
342 第２電極板
34ａ貫通孔
34ｂ突出部
35 リード端子
351 屈曲部
35ａ保持部材
36 蓋体
36ａ開口部
361 透光性部材
Ｗボンディングワイヤ
Ｒ実装領域
Ｂ導電性接合部材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mounting structure 2 Element 3 Package for element storage
31 Board
32 frame
32a penetration
33 Insulating substrate
331 Metallized layer
34 Electrode plate
341 First electrode plate
342 Second electrode plate
34a Through hole
34b Protruding part
35 Lead terminal
351 Bending part
35a Holding member
36 lid
36a opening
361 Translucent member W Bonding wire R Mounting area B Conductive bonding member

Claims

A substrate, a pair of electrode plates disposed on the substrate at a distance from each other and having a mounting region for mounting an element on one side, and a through portion disposed on the substrate surrounding the pair of electrode plates A lead terminal having a bent portion that is inserted into the penetrating portion and extends to the inside and outside of the frame, and is bent to the electrode plate side, located inside the frame .
A holding member positioned between the outer surface of the frame and the lead terminal ;
The electrode plate has a through hole;
The bent portion of the lead terminal is bonded to the inner surface of the through hole via a conductive bonding member ,
The lead terminal is bonded to the outer surface of the frame body via the holding member, and is located away from the inner surface of the penetrating portion without contacting .

The electrode plate is at the outer overlapping the lead terminal in a plan view, it has a protrusion protruding to the frame side, in the direction along the outer periphery of the electrode plate in a plan view, the length of the protrusion The element storage package according to claim 1, wherein is larger than a length of the through hole .

An insulating substrate is disposed between the substrate and the pair of electrode plates;
The outer periphery of the insulating substrate is located outside the outer periphery of the pair of electrode plates,
The element storage package according to claim 2, wherein the insulating substrate has a metallized layer formed in a region along the protruding portion.

The device storage package according to any one of claims 1 to 3,
A mounting structure comprising: an element disposed on any of the pair of electrode plates .